JP2000328297A - Substrate plating device - Google Patents

Substrate plating device

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JP2000328297A
JP2000328297A JP14302199A JP14302199A JP2000328297A JP 2000328297 A JP2000328297 A JP 2000328297A JP 14302199 A JP14302199 A JP 14302199A JP 14302199 A JP14302199 A JP 14302199A JP 2000328297 A JP2000328297 A JP 2000328297A
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Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate plating device which uniformly executes a plating treatment on a substrate and prevents the wiring defect between layers. SOLUTION: The substrate plating device for executing the plating treatment on the treatment surface WF of a wafer W has a holding mechanism 1 for holding the wafer W, an upper cup 10 for covering the wafer W held in this holding mechanism 1 from above, a supply port 24 for supplying an electrolytic plating liquid to the treatment surface WF of the wafer W held in the holding mechanism 1 and an air exit 25 for reducing the pressure in a plating treatment space 12 formed by the holding mechanism 1 and the upper cup 10 before the electrolytic plating liquid is supplied from the supply port 24 to the treatment surface WF of the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの基板にメッキ液を供給して、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer, a liquid crystal display glass substrate, by supplying the plating solution to the substrate such as a glass substrate for a photomask, to a substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、基板の一種であるウエハの処理面に配線を形成するために、ウエハの処理面にメッキ液を供給して、ウエハの処理面にメッキ層を形成するメッキ処理の工程がある。 In the manufacturing process of semiconductor devices, in order to form the wiring on the treated surface of the wafer which is a kind of the substrate, the treated surface of the wafer by supplying a plating solution, a plating layer on the treated surface of the wafer forming there is a process of plating process that is. このようなメッキ処理の工程における方式としては、従来からウエハの処理面を上に向けた状態でウエハの処理面にメッキ層を形成する方式と、ウエハの処理面を下に向けた状態でウエハの処理面にメッキ層を形成する方式とがある。 As the method in such plating treatment step, a method of forming a plating layer on the treated surface of the wafer in a state with its treated surface of the wafer above the conventional wafer processing surface of the wafer in a state of facing downward there are a method in which the processing surface forming a plating layer.

【0003】まず、ウエハの処理面を上に向ける方式は、ウエハを上に向けた状態でウエハを保持機構によって保持しつつ、メッキ液供給ノズルからメッキ液をウエハの処理面に供給して、ウエハの処理面全体にわたってメッキ層を形成するものである。 [0003] First, a method of directing the treated surface of the wafer to above, while holding the wafer by holding mechanism wafer facing up, by supplying the plating solution to the treated surface of the wafer from the plating solution supply nozzle, throughout the processing surface of the wafer and forms a plating layer. また、ウエハの処理面を下に向ける方式は、ウエハの処理面を上に向けた状態でウエハを保持機構によって保持しつつ、メッキ液が貯溜された処理槽にウエハの処理面を浸漬させてウエハの処理面全体にわたってメッキ層を形成するものである。 Further, a method of directing the treated surface of the wafer down, while holding the wafer by holding mechanism processing surface of the wafer facing up, and the plating solution is immersed treated surface of the wafer processing tank which is the reservoir throughout the processing surface of the wafer and forms a plating layer.

【0004】このメッキ層を形成する際には、図8及び図9に示すように、ウエハWはその処理面に下層配線2 [0004] At the time of forming the plating layer, as shown in FIGS. 8 and 9, the wafer W is lower wiring on the treated surface 2
00が第1層として形成され、されに層間絶縁膜201 00 is formed as a first layer, interlayer insulated film 201
が第2層として形成された状態であり、層間絶縁膜20 A state but which is formed as a second layer, the interlayer insulating film 20
1相互間には段差部である凹部が形成されている。 Recess is formed a step portion between a mutually. したがって、いずれの方式にしても、このような状態のウエハWに対してメッキ処理が行われ、層間絶縁膜201の表面にメッキ層202aが形成される。 Accordingly, in any method, the plating process is performed on the wafer W in this state, the plating layer 202a is formed on the surface of the interlayer insulating film 201.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれの方式においても、次のような問題がある。 [0007] However, in either method, the following problems.

【0006】まず、ウエハWの処理面を上に向ける方式の場合、メッキ液を供給してメッキ処理を行っているとき、図8(a)に示すように、上を向いた凹部に空気A [0006] First, the case of the configuration in which the directing process surface of the wafer W above, when supplying the plating solution is performed plating, as shown in FIG. 8 (a), air A in a recess facing upward
が入り込んでしまう。 You may enter. そのため、層間絶縁膜201の表面にメッキ層202bが形成されたとき、図8(b)に示すように、凹部にボイドVが形成されてしまい、その結果、層間の配線不良によって、半導体装置の歩留まりが悪くなってしまうということになる。 Therefore, when the plated layer 202b on the surface of the interlayer insulating film 201 is formed, as shown in FIG. 8 (b), will be void V is formed in the recess, as a result, the interlayer of defective wiring, a semiconductor device yield it comes to is deteriorated.

【0007】また、ウエハWの処理面を下に向ける方式の場合、処理槽にウエハWを浸漬してメッキ処理を行っているとき、図9(a)に示すように、下を向いた凹部に空気Aが入り込んでしまう。 Further, if the method of directing the treated surface of the wafer W down when immersing the wafer W in the processing tank is performed a plating process, as shown in FIG. 9 (a), the recess facing the lower It may enter the air a to. そのため、層間絶縁膜2 Therefore, the interlayer insulating film 2
01の表面にメッキ層202bが形成されたとき、図9 When the plating layer 202b is formed on the 01 surface, FIG. 9
(b)に示すように、凹部にボイドVが形成されてしまい、その結果、ウエハWの処理面を上に向ける方式の場合と同様に、層間の配線不良によって、半導体装置の歩留まりが悪くなってしまうということになる。 (B), will be void V is formed in the recess, as a result, similarly to the case of the configuration in which the directing process surface of the wafer W above the interlayer wiring defects, the yield of the semiconductor device becomes poor it comes to become.

【0008】なお、このような凹部への空気Aの入り込み、およびボイドVの形成は、層間絶縁膜201のアスペクト比が大きいほど問題となってくる。 [0008] Incidentally, entry of air A into such recesses, and the formation of voids V may become a more problem aspect ratio of the interlayer insulating film 201 is large.

【0009】そこで、メッキ処理を行う前に、添加物等を使用して凹部に入り込んだ空気Aの下層配線200及び層間絶縁膜201に対する付着力を解除して浮力によって空気Aを凹部から取り出すことも考えられるが、やはり空気Aが凹部から出切らず、凹部に残ってしまうことになるのが現状である。 [0009] Therefore, before performing the plating process, to take out the air A by the buoyancy by releasing the adhesion to the lower layer wiring 200 and the interlayer insulating film 201 of the air A entering into the recess using an additive such as from the recess it is conceivable, also not Kira out recess the air a, at present, so that may remain in the recesses.

【0010】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、基板へのメッキ処理を均一に行い、層間の配線不良を防止する基板メッキ装置を提供することを目的とする。 [0010] The present invention has been made in view of such circumstances, uniformly perform a plating treatment to the substrate, and an object thereof is to provide a substrate plating apparatus for preventing the interlayer wiring defects.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するために、本発明は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、基板保持手段及びカップによって形成される空間を減圧する減圧手段と、 To solve the problems described above SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate, a substrate holding means for holding the substrate, is held by the substrate holding means a cup overlying the substrate from above was, the plating solution supply means for supplying the plating solution to the treated surface of the substrate held by the substrate holding means, prior to supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, a decompression means for decompressing the space formed by the substrate holding means and the cup,
を備えたことを特徴とするものである。 The is characterized in that it comprises.

【0012】なお、減圧手段は、基板保持手段及びカップによって形成される空間内にあるガスを排気する排気手段を備えたものでもよい。 [0012] Incidentally, vacuum means may be one equipped with an exhaust means for exhausting the gas in the space formed by the substrate holding means and the cup.

【0013】また、基板保持手段及びカップによって形成される空間内に設けられ、基板保持手段に保持された基板の処理面の上方において基板の処理面に対向して配置された陽電極と、基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された陰電極と、陽電極と陰電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、をさらに備えてもよい。 Further, it provided in the space formed by the substrate holding means and the cup, and the positive electrode disposed opposite to the processing surface of the substrate above the processing surface of the substrate held by the substrate holding means, the substrate and the negative electrode to the substrate held by the holding means is electrically connected, a feeding means for feeding the current to flow between the positive electrode and the negative electrode may further comprise a. この場合は、メッキ液は電解メッキ液となる。 In this case, the plating solution is an electrolytic plating solution.

【0014】また、基板保持手段及びカップを収納するチャンバと、チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、をさらに備えてもよい。 Further, a chamber for accommodating a substrate holding means and the cup, and the inert gas supply means for supplying an inert gas into the chamber may further comprise a. この場合、基板保持手段とカップとを離間させた状態で、基板を搬入する際に、不活性ガス供給手段からN2ガス(窒素ガス)等の不活性ガスをチャンバ内に供給することが考えられる。 In this case, in a state of being spaced apart from the substrate holding unit and the cup, when carrying a substrate, it is conceivable to supply the inert gas supply unit N2 gas (nitrogen gas) inert gas such as into the chamber .

【0015】なお、メッキ液供給手段は、カップの上部に形成された供給口を有し、カップ内にメッキ液を供給することによって基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するものでもよい。 [0015] Incidentally, the plating solution supply means includes a supply port formed on the top of the cup, supplying plating solution to the processing surface of the substrate held by the substrate holding means by supplying the plating liquid into the cup it may be intended to be.

【0016】また、上述した課題を解決するために、本発明は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を収納するチャンバと、基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、チャンバ内を減圧する減圧手段と、を備えたことを特徴とするものである。 Further, in order to solve the above problems, the present invention comprises a chamber a substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate, which houses a substrate holding device for holding a substrate, the substrate holding means, the substrate a plating solution supply means for supplying the plating solution to the treated surface of the substrate held by the holding means, prior to supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, a pressure reducing means for reducing the pressure in the chamber, the it is characterized in that it comprises.

【0017】なお、減圧手段は、チャンバ内にあるガスを排気する排気手段を備えたものでもよい。 [0017] Incidentally, vacuum means may be one equipped with an exhaust means for exhausting the gas within the chamber.

【0018】また、チャンバ内に設けられ、基板保持手段に保持された基板の処理面の上方において基板の処理面に対向して配置された陽電極と、基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された陰電極と、陽電極と陰電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、 Further, it provided within the chamber, electricity and anode arranged opposite to the processing surface of the substrate above the processing surface of the substrate held by the substrate holding unit, the substrate held by the substrate holding means and connected to a negative electrode, a feeding means for feeding the current to flow between the positive electrode and the negative electrode,
をさらに備えてもよい。 It may further comprise a. この場合は、メッキ液は電解メッキ液となる。 In this case, the plating solution is an electrolytic plating solution.

【0019】なお、メッキ液供給手段は、チャンバの上部に形成された供給口を有し、カップ内にメッキ液を供給することによって基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するものでもよい。 [0019] Incidentally, the plating solution supply means includes a supply port formed in the upper portion of the chamber, supplying the plating solution to the treated surface of the substrate held by the substrate holding means by supplying the plating liquid into the cup it may be intended to be.

【0020】 [0020]

【発明の実施の形態】<第1の実施の形態>以下、図面に基づいて本発明に係る第1の実施の形態を説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <First Embodiment> Hereinafter, a description will be given of a first embodiment according to the present invention with reference to the drawings.
図1は、第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の概略構成図である。 Figure 1 is a schematic configuration view of a substrate plating apparatus according to the first embodiment.

【0021】この基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面FWを上方に向けて基板の一種であるウエハW The wafer W substrate plating apparatus is a type of substrate toward the processing surface FW forming a plating layer over
を保持する保持機構1を備えている。 And a holding mechanism 1 for holding.

【0022】この保持機構1は、電動モータ2に連動連結されて鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸3の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材4が一体回転可能に連結され、ベース部材4の上面周辺部にウエハWの周縁部を保持する保持部材5が3個以上設けられている。 [0022] The holding mechanism 1, the rotary disk-shaped base member 4 having a large diameter is integrally than the wafer W to the upper portion of the rotary shaft 3 which is operatively connected to the electric motor 2 is rotated in the vertical direction of the axis around capable coupled, holding member 5 for holding the peripheral portion of the wafer W on the upper surface peripheral portion of the base member 4 is provided three or more. なお、保持部材5は、全周に渡って連続して設けることもできる。 The holding member 5 may be provided continuously over the entire circumference.

【0023】ベース部材4は導電性の材料で形成されている。 The base member 4 is formed of a conductive material. このベース部材4に設けられた回転軸3との連結部4aには、給電ブラシ6によって、保持機構1の回転中でもブラシ給電されるようになっている。 This connecting portion 4a of the rotary shaft 3 provided in the base member 4, the power supply brush 6, and is a brush powered even during rotation of the holding mechanism 1. なお、回転軸3は、絶縁部3aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ6からの給電が電動モータ2 The rotation shaft 3, the upper and lower by the insulating portion 3a is electrically insulated, the power supply from the power supply brush 6 is the electric motor 2
に影響しないように構成されている。 And it is configured so as not to affect the.

【0024】各保持部材5は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能に構成され、この軸芯から離れた外周部にウエハWを係止する。 [0024] Each retaining member 5 is rotatable in the vertical direction of the axis around locks the wafer W on the outer periphery away from this axis. また、各保持部材5は、天井面側に設けられた陰電極7だけが給電ブラシ6と導通するようになっており、ウエハWが各保持部材5に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WFと陰電極7とが電気的に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電される状態となる。 Further, the support members 5, only the negative electrode 7 provided on the ceiling side is controlled so as to conduct the feeding brush 6, the wafer W is held engaged with the respective retaining member 5, the wafer W and treatment surface WF and the negative electrode 7 of a state of being energized by the treatment surface WF of electrically connected to the wafer W. なお、保持部材5を全周に設ける場合、保持部材5は上下方向に移動可能であり、上方へ移動した保持部材5とベース部材4の間からウエハWをセットした後、保持部材5を下降させてウエハWを係止することになる。 In the case of providing the holding member 5 in the entire circumference, the holding member 5 is movable in the vertical direction, after setting the wafer W from between the holding member 5 and the base member 4 is moved upward, downward the holding member 5 It is not made to lock the wafer W.

【0025】保持機構1は、第1昇降機構8によって上下方向に昇降可能に構成されている。 The retention mechanism 1 is vertically movable structure vertically by the first elevating mechanism 8. この第1昇降機構8は、ボールネジなどで構成される周知の1軸方向駆動機構によって実現される。 The first elevating mechanism 8 is realized by a known uniaxial direction drive mechanism composed like in a ball screw.

【0026】保持機構1の上方には、下方が開口され、 [0026] Above the holding mechanism 1, the lower is opened,
保持機構1の上部を覆い、かつ逆U字状で有蓋円筒状の上部カップ10が設けられている。 Lidded cylindrical upper cup 10 is provided with cover the upper part of the holding mechanism 1, and the inverted U-shape. なお、この上部カップ10が本発明のカップに該当する。 Incidentally, the upper cup 10 corresponds to the cup of the present invention. この上部カップ1 The upper cup 1
0も周知の1軸方向駆動機構によって実現された第2昇降機構11によって上下方向に昇降可能に構成されている。 0 has also been vertically movable structure vertically by the second elevating mechanism 11, which is realized by a well-known uniaxial direction drive mechanism. 第1昇降機構8、第2昇降機構11によって保持機構1と上部カップ10とが近接され、保持機構1のベース部材4の上面と上部カップ10の下端部とが閉じ合わされることにより、保持機構1に保持されたウエハWの上方に電解メッキ液を貯溜するメッキ処理空間12が形成されている。 The first elevating mechanism 8, by a holding mechanism 1 and the upper cup 10 is close, and the lower end portion of the upper surface and the upper cup 10 of the base member 4 of the holding mechanism 1 is fitted closed by the second elevating mechanism 11, the holding mechanism plating space 12 of reservoir is formed upward in the electrolytic plating solution of wafer W held by the 1. なお、上部カップ10の下端部には環状のシール部材13が設けられ、銅メッキ処理を行うための電解メッキ液をメッキ液処理空間12に充填する際に、ベース部材4の上面と上部カップ10の下端部との接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになっている。 Incidentally, the lower end of the upper cup 10 is provided an annular sealing member 13, when filling the electrolytic plating solution to conduct copper plating on the plating solution processing space 12, the upper surface and the upper cup 10 of the base member 4 consists junction between the lower end of such electrolytic plating solution from leaking out.

【0027】上部カップ10内には、保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるように円板状の陽電極14が配設されている。 [0027] The upper cup 10, a disk-shaped positive electrode 14 is disposed so as to be disposed opposite to the processing surface WF of the wafer W held by the holding mechanism 1. この陽電極1 The positive electrode 1
4は、上部カップ10の天井側に取り付けられている。 4 is attached to the ceiling of the upper cup 10.

【0028】給電ブラシ6は、電源ユニット15の陰極側に接続され、陽電極14は電源ユニット15の陽極側に接続されている。 The power supply brush 6 is connected to the cathode side of the power supply unit 15, positive electrode 14 is connected to the anode side of the power supply unit 15. したがって、ウエハWの処理面WF Therefore, treatment surface WF of the wafer W
には、陰電極7だけがベース部材4と導通させる導電部(図示省略)、ベース部材4、連結部4a、給電ブラシ6、導線16を介して陰極となり、陽電極14は、導線17を介して陽極となるように給電される。 The conductive portion only negative electrodes 7 to conduct the base member 4 (not shown), the base member 4, the connecting portion 4a, the feed brush 6, it is the cathode through the conductor 16, positive electrode 14, via conductor 17 powered so that the anode Te.

【0029】また、上部カップ10の天井部分に電解メッキ液の供給口24と排気口25とが形成されている。 Further, the supply port 24 of the electrolytic plating solution and the exhaust port 25 is formed in the ceiling portion of the upper cup 10.
供給口24からは、メッキ処理空間12に電解メッキ液が供給される。 From the supply port 24, the electrolytic plating solution is supplied to the plating space 12. 排気口25からは、メッキ処理空間12 From the exhaust port 25, the plating process space 12
のガスが排出され、このガスの排出によってメッキ処理空間12が減圧される。 The gas is discharged, plating space 12 is depressurized by the ejection of the gas.

【0030】上部カップ10の天井部分に形成された電解メッキ液の供給口24には、以下のようにして電解メッキ液がメッキ処理空間12へ供給されるようになっている。 [0030] The supply port 24 of the electrolytic plating solution is formed in the ceiling portion of the upper cup 10, the electrolytic plating solution as follows is adapted to be supplied to the plating space 12.

【0031】すなわち、供給口24は、供給管31を介して電解メッキ液供給源30と接続されている。 [0031] That is, the supply port 24 is connected to the electrolytic plating solution supply source 30 via a supply pipe 31. 供給管31の途中には、開閉弁32とポンプ33とが設けられている。 In the middle of the supply pipe 31, and the on-off valve 32 and the pump 33 are provided. 基板メッキ装置を稼動している際に、メッキ処理空間12に電解メッキ液を供給するときは、開閉弁3 When running the substrate plating apparatus, when supplying electrolytic plating solution to the plating process space 12, on-off valve 3
2を開の状態にして常時ポンプ33を駆動させている。 Are driven constantly pump 33 and the 2 in the open state.
メッキ処理空間12に電解メッキ液を供給しないときには、開閉弁32を開から閉へ切り換える。 When not supplying the electroless plating solution in the plating process space 12 switches the switch valve 32 from the open to the closed.

【0032】また、上部カップ10の天井部分に形成された排気口25からは、以下のようにして、メッキ処理空間12内のガスが排出され、メッキ処理空間12が減圧されるようになっている。 Further, from the exhaust port 25 formed in the ceiling portion of the upper cup 10, as described below, gas plating space 12 is discharged, so that the plating process space 12 is depressurized there.

【0033】すなわち、排気口25は、排気管26を介して基板メッキ装置外部と連通している。 [0033] That is, the exhaust port 25 is communicated with the substrate plating apparatus outside through the exhaust pipe 26. 排気管26の途中には、開閉弁27が設けられている。 In the middle of the exhaust pipe 26, the opening and closing valve 27 is provided. そして、メッキ処理空間12内のガスを排出するときは、開閉弁27 Then, when the exhaust gas of the plating space 12, on-off valve 27
を開の状態にして排気口25からガスを排出してメッキ処理空間12が減圧される。 Plating space 12 is depressurized to the open state to the to the gas from the exhaust port 25 to drain.

【0034】保持機構1のベース部材4及び上部カップ10はチャンバ40内に収納されている。 The base member 4 and the upper cup 10 of the holding mechanism 1 is housed in the chamber 40. チャンバ40 Chamber 40
の天井部分には、陽電極14と電源ユニットとを接続する導線17のための導線用孔41と、供給管31のための供給管用孔42と、排気管26のための排気管用孔4 The ceiling portion of the lead wire hole 41 for the wire 17 that connects the positive electrode 14 and the power supply unit, the supply pipe hole 42 for the supply pipe 31, exhaust pipe hole for the exhaust pipe 26 4
3とが、それぞれ形成されている。 3 and are formed respectively. また、チャンバ40 In addition, the chamber 40
の一側の側部には、途中に開閉弁51が設けられた供給管50を介して図示しないN2ガス(窒素ガス)供給源と接続されたN2ガス供給口44が形成されており、他側の側部にはチャンバ40に対してウエハWの搬出入を行うための図示しない搬出入口が設けられている。 On one side portion of is formed with N2 gas supply port 44 opening and closing valve 51 is N2 gas (nitrogen gas) (not shown) via a supply pipe 50 provided connected to the source in the middle, the other the side of the side transfer port is provided (not shown) for performing loading and unloading of the wafer W to the chamber 40. チャンバ40内においてウエハWをメッキ処理を行うとき、 When performing the plating process the wafer W in the chamber 40,
N2供給口44からチャンバ40内にN2ガスを供給し、チャンバ40内をN2ガスの雰囲気にする。 Supplying N2 gas from the N2 supply port 44 into the chamber 40, the chamber 40 to the atmosphere of N2 gas.

【0035】チャンバ40内の保持機構1の周囲には、 [0035] Around the retention mechanism 1 in the chamber 40,
電解メッキ液回収部45が形成されている。 Electroplating liquid recovery portion 45 are formed. 電解メッキ液回収部45の回収口46の外周には円筒状の外壁47 Cylindrical outer wall 47 on the outer periphery of the recovery port 46 of the electrolytic plating liquid recovery unit 45
が、回収口46の内周には円筒状の内壁48が、それぞれ設けられている。 But the inner periphery of the recovery port 46 is a cylindrical inner wall 48 are provided, respectively.

【0036】電解メッキ処理時は、第1昇降機構8によって電解メッキ液回収部45に対して保持機構1が昇降されて、電解メッキ液回収部45の回収口46を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及び保持機構1によって保持されたウエハWの回転に伴って保持機構1及びウエハWの周囲に飛散される電解メッキ液が液回収部4 [0036] During the electrolytic plating process, the retention mechanism 1 with respect to electroless plating liquid recovery unit 45 by the first elevating mechanism 8 is elevation, located around the holding mechanism 1 a recovery port 46 of the electrolytic plating liquid recovery unit 45 is allowed, the holding mechanism 1 and the holding mechanism 1 electrolytic plating solution liquid recovery section 4 which is scattered around the holding mechanism 1 and the wafer W with the rotation of the wafer W held by the
5の回収口46に収容される。 It is accommodated in 5 of the recovery port 46. 回収口46に回収された電解メッキ液は、チャンバ40の底部に形成された液排出口49、排出管52を介して基板メッキ装置外へ廃棄される。 Was recovered in the recovery port 46 electrolytic plating solution, a liquid discharge port 49 formed in the bottom portion of the chamber 40 is discarded to the substrate plating apparatus outside through the discharge pipe 52. なお、排出管52の途中には、電解メッキ液の排出を調節する開閉弁61が設けられている。 Incidentally, in the middle of the discharge pipe 52, shutoff valve 61 is provided for adjusting the discharge of the electrolytic plating solution.

【0037】次に、第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作について説明する。 Next, the operation of the substrate plating apparatus according to the first embodiment. 図2は、第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作を示すフローチャートである。 Figure 2 is a flowchart showing the operation of the substrate plating apparatus according to the first embodiment.

【0038】まず、開閉弁51を開の状態にして、チャンバ40内へのN2ガスの供給を開始する(ステップS [0038] First, the on-off valve 51 in the open state and starts the supply of N2 gas into the chamber 40 (step S
1)。 1). 次に、チャンバ40の側部に設けられた搬出入口を通して、処理面WFを上方に向けたウエハWを保持機構1に保持させる(ステップS2)。 Next, to be held through the transfer port provided on a side of the chamber 40, the wafer W toward the treatment surface WF upward holding mechanism 1 (step S2).

【0039】具体的には、第1昇降機構8によって保持機構1を上昇させて、保持機構1のベース部材4を電解メッキ液回収部45の回収口46よりも上方に位置させるとともに、第2の昇降機構11によって上部カップ1 [0039] More specifically, by increasing the retention mechanism 1 by the first elevating mechanism 8, with is positioned above the recovery port 46 of the base member 4 of the holding mechanism 1 electrolytic plating liquid recovery unit 45, the second the top cup by the lifting mechanism 11 of 1
0を上昇させて、保持機構1と上部カップ10とを離間させ、搬送アーム(図示省略)が進入できるようにする。 0 is raised and is separated a holding mechanism 1 and the upper cup 10, the transfer arm (not shown) to be able to enter. また、各保持部材5の係止部が外側に向くように各保持部材5を回転させてウエハWを受け入れられる状態にする。 Further, a state in which the engaging portion of the holding member 5 is received the wafer W by rotating the respective holding member 5 so as to face outward.

【0040】また、ウエハWの処理面WFが上方に向くようにした状態で搬送アームを進入させ、ウエハWの周縁部の高さを各保持部材5の係止部の高さに一致する高さにする。 Further, the high processing surface WF of the wafer W is advanced to the transfer arm in a state where the facing upwards, to match the height of the peripheral portion of the wafer W to the height of the engaging portion of the holding member 5 to of. そして、各保持部材5を回転させて、ウエハWの周縁部を各保持部材5の係止部で係止してウエハW Then, by rotating the respective holding member 5, the wafer W engages the peripheral portion of the wafer W at the engaging portion of the holding member 5
を保持するとともに、搬送アームをチャンバ40から待避させる。 It holds the, retracting the transfer arm from the chamber 40.

【0041】なお、ウエハWの保持機構1への保持が終了すると、第1昇降機構8によって保持機構1を下降させて、保持機構1のベース部材4の周囲に、電解メッキ液回収部45の回収口46を位置させるとともに、第2 [0041] Incidentally, when the holding of the holding mechanism 1 of the wafer W is completed, it lowers the retention mechanism 1 by the first elevating mechanism 8, the holding mechanism 1 around the base member 4, the electrolytic plating liquid recovery unit 45 together to position the recovery port 46, the second
昇降機構11によって上部カップ10を下降させて、保持機構1と上部カップ10とを近接させる。 The lifting mechanism 11 lowers the upper cup 10, is close to the holding mechanism 1 and the upper cup 10. これにより、保持機構1のベース部材4の上面と上部カップ10 Thus, the upper surface and the upper cup 10 of the base member 4 of the holding mechanism 1
の下端部とが閉じ合わされて、メッキ処理空間12が形成される。 Lower end and is be combined closed, the plating process space 12 is formed.

【0042】次に、開閉弁51を開から閉に切り換えて、チャンバ40内へのN2ガスの供給を停止する(ステップS3)。 Next, by switching to the closed-off valve 51 from the open to stop the supply of the N2 gas into the chamber 40 (step S3). これにより、チャンバ40内はN2ガスの雰囲気で満たされた状態となる。 Thus, the chamber 40 in a state filled with an atmosphere of N2 gas.

【0043】次に、開閉弁27を閉から開に切り換えて、メッキ処理空間12のガスを排気して、メッキ処理空間12を減圧する(ステップS4)。 Next, the opening and closing valve 27 is switched from the closed to the open, and exhaust gas of the plating space 12, to depressurize the plating space 12 (step S4). 所定の時間が経過すると開閉弁27を開から閉に切り換えてメッキ処理空間12の減圧処理が終了する。 Vacuum treatment of plating space 12 is switched to the closed-off valve 27 that the predetermined time has elapsed from the open ends. なお、このときのウエハWの表面は、図4(a)に示すように、ウエハWはその表面に下線配線200が第1層として形成され、その上に層間絶縁膜201が第2層として形成された状態であり、層間絶縁膜201相互間には凹部が形成されているが、図8(a)及び図9(a)に示す従来の技術の場合とは異なり、凹部に空気は入り込んでいない。 The surface of the wafer W at this time is, as shown in FIG. 4 (a), the wafer W is underlined wiring 200 is formed as a first layer on the surface thereof, an interlayer insulating film 201 is formed thereon as a second layer a state of being formed, although between the interlayer insulating film 201 mutually is formed with a recess, unlike the prior art shown in FIG. 8 (a) and FIG. 9 (a), the air in the concave portion is penetrated not out.

【0044】ステップS4のメッキ処理空間12の減圧処理が終了すると、メッキ処理空間12に電解メッキ液が供給され、図3に示すようなウエハWの処理面WFに対するメッキ処理が行われる(ステップS5)。 [0044] When the vacuum treatment of the plating process space 12 in step S4 is completed, is supplied electrolytic plating solution to the plating process space 12, the plating process on the treatment surface WF of the wafer W as shown in FIG. 3 is performed (step S5 ). 図3 Figure 3
は、メッキ処理の動作を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the operation of the plating process.

【0045】まず、開閉弁32を開の状態にして、電解メッキ液供給源30から供給管31、供給口24を介して電解メッキ液の供給を開始する(ステップS51)。 [0045] First, the on-off valve 32 in an open state, supply pipe 31 from the electrolytic plating solution supply source 30, to start the supply of the electrolytic plating solution through the supply port 24 (step S51).
これにより、メッキ処理空間12に電解メッキ液が供給され、予め決めておいた時間が経過すると、メッキ処理空間12は電解メッキ液で満たされる。 Thus, the electrolytic plating solution to the plating process space 12 is supplied, the time determined in advance has elapsed, plating space 12 is filled with the electrolytic plating solution. なお、このときのウエハWの表面は、図4(b)に示すように、層間絶縁膜201の上面に電解メッキ液202aが満たされているとともに、電解メッキ液202aが凹部に入り込む。 The surface of the wafer W at this time is, as shown in FIG. 4 (b), together with an electrolyte plating solution 202a is filled to the upper surface of the interlayer insulating film 201, electrolytic plating solution 202a from entering the recess.

【0046】次に、メッキ処理空間12への電解メッキ液の供給を継続しつつ、第2の昇降機構11によって上部カップ10を上昇させて、保持機構1と上部カップ1 Next, while continuing the supply of the electrolytic plating solution to the plating space 12, raising the upper cup 10 by the second elevating mechanism 11, the holding mechanism 1 and the upper cup 1
0とを所定量だけ離間させ(ステップS52)、保持機構1に保持されたウエハWの周囲に電解メッキ液を排出させるための隙間を形成する。 0 and so the spaced by a predetermined amount (step S52), and forms a gap for discharging the electroplating solution around the wafer W held by the holding mechanism 1. それに伴って、電動モータ2を駆動して保持機構1及び保持機構1に保持されたウエハWを回転させつつ(ステップS53)、電源ユニット15を作動させて陽電極14と陰電極7との間を給電する(ステップS54)。 Along with this, while the wafer W held the electric motor 2 to the holding mechanism 1 and the holding mechanism 1 is driven to rotate (step S53), between the positive electrode 14 and negative electrode 7 by operating the power unit 15 to power the (step S54).

【0047】これにより、ウエハWの処理面WFが陰極(−)に、陽電極14が陽極(+)になり、ウエハWの処理面WFと陽電極14との間に満たされている電極メッキ液が電気分解され、例えば、電解メッキ液が硫酸銅メッキ液である場合、図4(c)に示すように、層間絶縁膜201の上面にメッキ層202bが形成されているとともに、凹部内にもメッキ層202bが形成される。 [0047] Thus, treatment surface WF of the wafer W is negative (-), the positive electrode 14 is the anode (+), electrode plating is filled between the treatment surface WF and anode 14 of the wafer W liquid is electrolyzed, for example, when the electrolytic plating solution is sulfuric acid copper plating solution, as shown in FIG. 4 (c), together with the plating layer 202b is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 201, in the recess also plated layer 202b is formed.

【0048】なお、保持機構1及びウエハWの回転に伴って隙間から周囲に飛散される電解メッキ液は電解メッキ液回収部45の回収口46に回収され、液排出口49 [0048] Incidentally, the electrolytic plating solution to be scattered around from the gap with the rotation of the holding mechanism 1 and the wafer W is collected in the recovery port 46 of the electrolytic plating liquid recovery unit 45, liquid outlet port 49
を介して基板メッキ装置外に排出される。 It is discharged to the outside of the substrate plating apparatus via the.

【0049】ステップS54の給電処理が終了すると、 [0049] When the power supply process of step S54 is completed,
開閉弁32を開から閉に切り換えて供給口24からのメッキ処理空間12への電解メッキ液の供給を停止するとともに(スッテプS55)、電動モータ2の駆動を停止して保持機構1の回転を一旦停止する(ステップS5 Off valve 32 stops the supply of the electrolytic plating solution to the plating space 12 from the supply port 24 is switched to the closed from the open (Suttepu S55), the rotation of the holding mechanism 1 stops driving of the electric motor 2 temporarily stopped (step S5
6)。 6). そして、第2昇降駆動11によって上部カップ1 The upper cup 1 by a second lifting drive 11
0をさらに上昇させ、保持機構1と上部カップ10との距離をさらに離間させてメッキ処理空間12の電解メッキ液を電解メッキ液回収部45の回収口46に排出する(ステップS57)。 0 further elevated to further be spaced the distance between the holding mechanism 1 and the upper cup 10 to discharge the electrolytic plating solution in the plating process space 12 in the recovery port 46 of the electrolytic plating liquid recovery unit 45 (step S57). 以上により、ステップS5の一連のメッキ処理が終了する。 Thus, a series of plating process in step S5 is completed.

【0050】ステップS5のメッキ処理が終了すると、 [0050] When the plating process of step S5 is completed,
電動モータ2によってウエハWを回転させつつ、ウエハWの処理面WFに図示しない洗浄液供給ノズルから洗浄液を供給して洗浄処理を行う(ステップS6)。 While rotating the wafer W by the electric motor 2, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle (not shown) to the treatment surface WF of the wafer W for washing process (Step S6). 洗浄処理を予め決められた時間行うと、洗浄液供給ノズルからウエハWの処理面WFへの洗浄液の供給を停止する。 When performing the cleaning process a predetermined time, stopping the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the treatment surface WF of the wafer W.

【0051】ステップS6の洗浄処理の後、電動モータ2によってウエハWをさらに高速に回転させて、ウエハWの処理面WFに付着する洗浄液を振り切って乾燥を行う(ステップS7)。 [0051] After the washing process of step S6, and further rotated at a high speed wafer W by the electric motor 2, and drying by shaking off the cleaning liquid adhering to the treated surface WF of the wafer W (step S7). 保持機構1及びウエハWの回転に伴って隙間から周囲に飛散される洗浄液は液回収部45 Holding mechanism 1 and the cleaning liquid is scattered around from the gap with the rotation of the wafer W is the liquid recovery section 45
の回収口46に回収され、液排出口49を介して基板メッキ装置外に排出される。 Is recovered in the recovery port 46, it is discharged to the outside of the substrate plating apparatus through the liquid outlet 49. そして、ステップS7の乾燥処理を予め決められた時間行うと、電動モータ2の駆動を停止して保持機構1の回転を停止する。 Then, when drying the predetermined time in step S7, the stop the rotation of the holding mechanism 1 stops driving of the electric motor 2.

【0052】その後、ウエハWを保持機構1から搬出する(ステップS8)。 [0052] Thereafter, the wafer W is unloaded from the holding mechanism 1 (step S8).

【0053】具体的には、第1昇降機構8によって保持機構1を上昇させて、保持機構1のベース部材4を液回収部45の回収口46よりも上方に位置させる。 [0053] More specifically, by increasing the retention mechanism 1 by the first elevating mechanism 8, it is positioned above the recovery port 46 of the base member 4 of the liquid collecting portion 45 of the holding mechanism 1. 次に、 next,
搬送アームをチャンバ40内に進入させ、保持部材5に保持されているウエハWを支持するとともに、各保持部材5の係止部が外側に向くように各保持部材5を回転させてウエハWの保持を解除して、ウエハWを搬送アームに引き渡す。 The transfer arm is advanced into the chamber 40, to support the wafer W held by the holding member 5, the wafer W engaging portion of the holding member 5 rotates the respective holding member 5 so as to face the outside to release the hold, deliver the wafer W to the transfer arm. そして、ウエハWを支持した搬送アームを退避させて、ウエハWがチャンバ40から搬出させる。 Then, the transfer arm supporting the wafer W is retracted, the wafer W is to be unloaded from the chamber 40.

【0054】これにより、第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の一連の動作が終了する。 [0054] Thus, a series of operations of the substrate plating apparatus according to the first embodiment is completed.

【0055】以上の構成及び動作より明らかなように、 [0055] As is apparent from the above configuration and operation,
本発明に係る第1の実施の形態によれば、次のような効果が得られる。 According to the first embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.

【0056】すなわち、開閉弁27を開にして、メッキ処理空間12のガスを排気して、メッキ処理空間12を減圧処理が終了した後に、メッキ処理空間12に電解メッキ液が供給されてウエハWのメッキ処理が行われるので、層間絶縁膜201の表面にメッキ層202bが形成されたとき、凹部にボイドが形成されることはない。 [0056] That is, by the opening and closing valve 27 is opened, and the exhaust gas of the plating space 12, the plating space 12 after the vacuum process has been completed, the electroplating solution is supplied to the plating space 12 wafers W since plating treatment is performed, when formed plating layer 202b on the surface of the interlayer insulating film 201 is not a void in the recess is formed. その結果、層間の配線不良によって、半導体装置の歩留まりを防止できる。 As a result, the interlayer wiring failure can be prevented and the yield of the semiconductor device.

【0057】また、メッキ処理空間12の減圧処理は、 [0057] In addition, reduced-pressure treatment of plating processing space 12,
排気管26を介して基板メッキ装置外部と連通している排気口25から開閉弁27の開閉制御によってメッキ処理空間12のガスを排出しているので、簡易な構成でメッキ処理空間12の減圧処理を実現できる。 Since the exhaust gas of the plating space 12 by opening and closing control of the opening and closing valve 27 from the exhaust pipe 26 to exhaust port 25 in communication with the substrate plating apparatus outside via vacuum processing plating space 12 with a simple configuration It can be realized.

【0058】また、保持機構1及び保持機構1によって保持されたウエハWを回転させながら電解メッキ処理を行うので、ウエハWの回転によって、ウエハWの処理面WF上のウエハWの中心から周囲へ向かう電解メッキ液の流れが形成され、保持機構1に保持されたウエハWの処理面WF上に形成される境界層が薄く、かつ均一にすることができ、ウエハWの処理面WFにメッキ層形成イオンが移動し易くなり、ウエハWの処理面WFへのメッキ層形成イオンの移動を均一化できる。 [0058] Further, since the electrolytic plating process while rotating the wafer W held by the holding mechanism 1 and the holding mechanism 1 by the rotation of the wafer W, to the surroundings from the center of the wafer W on the treatment surface WF of the wafer W flow of electroplating solution is formed toward the holding mechanism wafers W to be processed face thin boundary layer that is formed on the WF held at 1, and can be made uniform, the plating layer on the treated surface WF of the wafer W forming ions tends to move, the movement of the plating layer forming ions to the treatment surface WF of the wafer W can be made uniform. したがって、メッキ層の形成に要する時間を短縮できるとともに、均一なメッキ層をウエハWの処理面WFに形成することができる。 Therefore, it is possible to shorten the time required for formation of the plating layer, it is possible to form a uniform plating layer on the treated surface WF of the wafer W.

【0059】また、陽電極14の周りの電解メッキ液が上部カップ10内で保持されているので、陽電極14が電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持することができる。 [0059] Also, since the electroplating solution around the anode electrode 14 is held by the upper cup 10, it is possible to always remain positive electrode 14 is immersed in the electrolytic plating solution. したがって、陽電極14が大気にさらされることを防止することができ、陽電極14の表面に形成されたメッキ層が流れたり変質したりすることを防止でき、 Therefore, it is possible to prevent the positive electrode 14 can be prevented from being exposed to the atmosphere, the plated layer formed on the surface of the positive electrode 14 or flow or alteration,
再現性のある電解メッキ処理を実施することができる。 It may be implemented reproducible electrolytic plating process.

【0060】さらに、ウエハWの搬入・保持の時に、開閉弁51を開にしてチャンバ40内へ不活性ガスであるN2ガスの供給をしているので、ウエハWをクリーンな状態にして、その後の電解メッキ処理を行うことができる。 [0060] Further, when the loading and holding of the wafer W, since the on-off valve 51 to open and the supply of N2 gas is an inert gas into the chamber 40, and the wafer W to clean, then it is possible to perform the electrolytic plating process. また、N2ガスの雰囲気でメッキ処理が行えるので、大気中の空気による電解メッキ液中の添加物の酸化分解も防止でき、電解メッキ液の寿命を長くできる。 Further, N2 since in an atmosphere of gas can be performed plating, oxidative decomposition of the additive electroplating solution by air in the atmosphere can be prevented, thereby prolonging the life of the electrolytic plating solution.

【0061】<第2の実施の形態>以下、図面に基づいて本発明に係る第2の実施の形態を説明する。 [0061] <Second Embodiment> Hereinafter, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings. 図5は、 Fig. 5,
第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の概略構成図である。 It is a schematic block diagram of a substrate plating apparatus according to the second embodiment.

【0062】この基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面FWを上方に向けて基板の一種であるウエハW [0062] wafer W substrate plating apparatus is a type of substrate toward the processing surface FW forming a plating layer over
を保持する保持機構61を備えている。 And a holding mechanism 61 for holding the.

【0063】この保持機構61は、電動モータ62に連動連結されて鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸6 [0063] The holding mechanism 61, the rotary shaft being operatively connected to the electric motor 62 is rotated in the vertical axis around 6
3の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材6 Than the wafer W to 3 of the upper part of the large-diameter disk-shaped base member 6
4が一体回転可能に連結され、ベース部材64の上面周辺部にウエハWの周縁部を保持する保持部材65が3個以上設けられている。 4 is provided integrally rotatably coupled, the holding member 65 for holding the peripheral portion of the wafer W on the upper surface peripheral portion of the base member 64 is 3 or more. なお、保持部材55は、全周に渡って連続して設けることもできる。 The holding member 55 may be provided continuously over the entire circumference.

【0064】ベース部材64は導電性の材料で形成されている。 [0064] The base member 64 is formed of a conductive material. このベース部材64に設けられた回転軸63との連結部64aには、給電ブラシ66によって、保持機構61の回転中でもブラシ給電されるようになっている。 This connecting portion 64a of the rotary shaft 63 provided in the base member 64, the power supply brush 66, is adapted to be brush powered even during rotation of the holding mechanism 61. なお、回転軸63は、絶縁部63aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ66からの給電が電動モータ62に影響しないように構成されている。 The rotation shaft 63 has an upper and a lower by the insulating portion 63a is electrically insulated, the power supply from the power supply brush 66 is configured so as not to affect the electric motor 62.

【0065】各保持部材65は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能に構成され、この軸芯から離れた外周部にウエハWを係止する。 [0065] Each retaining member 65 is rotatably constituted by a vertical axis around locks the wafer W on the outer periphery away from this axis. また、各保持部材65は、天井面側に設けられた図示しない陰電極67だけが給電ブラシ66 Further, the support members 65, only the negative electrode 67 (not shown) provided on the ceiling surface side power supply brush 66
と導通するようになっており、ウエハWが各保持部材6 Adapted to conduct the wafer W is each of the holding member 6
5に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WFと陰電極67とが電気的に接続されてウエハWの処理面W When 5 is held engaged with the process surface W of the wafer W and the treatment surface WF and the negative electrode 67 of the wafer W is electrically connected
Fだけに通電される状態となる。 A state of being energized only F. なお、保持部材55を全周に設ける場合、保持部材55は上下方向に移動可能であり、上方へ移動した保持部材55とベース部材54 In the case of providing the holding member 55 in the entire circumference, the holding member 55 is movable in the vertical direction, the holding member 55 is moved upward and the base member 54
の間からウエハWをセットした後、保持部材5を下降させてウエハWを係止することになる。 After setting the wafer W from between, it will lock the wafer W is lowered to the holding member 5.

【0066】保持機構61は、第1昇降機構68によって上下方向に昇降可能に構成されている。 [0066] holding mechanism 61 is vertically movable structure vertically by the first elevating mechanism 68. この第1昇降機構68は、ボールネジなどで構成される周知の1軸方向駆動機構によって実現される。 The first elevating mechanism 68 is implemented by a well-known uniaxial direction drive mechanism composed like in a ball screw.

【0067】この保持機構61は、チャンバ70内に収納されている。 [0067] The holding mechanism 61 is housed in the chamber 70. このチャンバ70は上方が開口された下側チャンバ701と下方が開口された上側チャンバ70 The chamber 70 is upper chamber 70 lower chamber 701 and a lower the upper is opened is opened
2を備えており、上側チャンバ702は周知の1軸方向駆動機構によって実現された第2昇降機構80によって下側チャンバ701に対して上下方向に昇降可能に構成されている。 Has a 2, upper chamber 702 is vertically movable structure vertically relative to the lower chamber 701 by the second elevating mechanism 80, which is realized by a well-known uniaxial direction drive mechanism. また、下側チャンバ701の上端部と上側チャンバ702の下端部とはそれぞれシール部材71 Further, each of the lower seal member 71 of the upper portion and the upper chamber 702 of the lower chamber 701
1、712が設けられ、シール部材711、712の接合によって下側チャンバ701と上側チャンバ702とにより形成されるメッキ処理空間81からのガスの漏れを防止している。 1,712 is provided to prevent leakage of gas from the plating space 81 formed by the lower chamber 701 and upper chamber 702 by the bonding of the seal member 711 and 712.

【0068】チャンバ70内において上側チャンバ70 [0068] The upper chamber 70 in the chamber 70
2の天井部分には円筒状の支持部材71が設けられ、支持部材71内には保持機構61に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるように円板状の陽電極72が配設されている。 The second ceiling cylindrical support member 71 is provided, a disk-shaped positive electrode as in the support member 71 is disposed opposite to the processing surface WF of the wafer W held by the holding mechanism 61 72 are disposed. この陽電極72には電解メッキ液を通すための複数の孔73が形成されている。 A plurality of holes 73 for passing the electrolytic plating solution is formed on the positive electrode 72.

【0069】給電ブラシ66は、電源ユニット77の陰極側に接続され、陽電極72は電源ユニット77の陽極側に接続されている。 [0069] power supply brush 66 is connected to the cathode side of the power supply unit 77, positive electrode 72 is connected to the anode side of the power supply unit 77. したがって、ウエハWの処理面W Thus, the wafer W to be processed surface W
Fは、陰電極67だけがベース部材64と導通させる導電部(図示省略)、ベース部材64、連結部64a、給電ブラシ66、導線78を介して陰極となり、陽電極7 F is a conductive portion only negative electrode 67 is electrically connected to the base member 64 (not shown), the base member 64, the connecting portions 64a, the feeding brush 66 becomes a cathode through the conductor 78, positive electrode 7
2は、支持部材71内を通っている導線79を介して陽極となるように給電される。 2 is fed to an anode through a wire 79 running through the inside of the support member 71.

【0070】また、上側チャンバ702の天井部分に電解メッキ液の供給口703と排気口704とが形成されている。 [0070] Further, the supply port 703 of electroplating solution and an exhaust port 704 is formed in the ceiling portion of the upper chamber 702. 供給口703からは、メッキ処理空間81に電解メッキ液が供給される。 From the supply port 703, the electrolytic plating solution is supplied to the plating space 81. 排気口704からは、メッキ処理空間81のガスが排出され、メッキ処理空間81が減圧される。 From the exhaust port 704, the gas plating space 81 is discharged, plating space 81 is depressurized.

【0071】上側チャンバ702の天井部分に形成された電解メッキ液の供給口703には、以下のようにして電解メッキ液がメッキ処理空間81へ供給されるようになっている。 [0071] The supply port 703 of electroplating solution formed in the ceiling portion of the upper chamber 702, the electrolytic plating solution as is to be supplied to the plating space 81 below.

【0072】すなわち、供給口703は、供給管90を介して電解メッキ液供給源91と接続されている。 [0072] That is, the supply port 703 is connected to the electrolytic plating solution supply source 91 via a supply pipe 90. 供給管90の途中には、開閉弁92とポンプ93とが設けられている。 In the middle of the supply tube 90, and the on-off valve 92 and the pump 93 are provided. 基板メッキ装置を稼動している際に、メッキ処理空間81に電解メッキ液を供給するときは、開閉弁92を開の状態にして常時ポンプ93を駆動させている。 When running the substrate plating apparatus, when supplying electrolytic plating solution to the plating treatment space 81, are driven constantly pump 93 by closing valve 92 in the open state. メッキ処理空間81に電解メッキ液を供給しないときには、開閉弁92を開から閉へ切り換える。 When not supplying the electroless plating solution in the plating process space 81 switches the switch valve 92 from the open to the closed.

【0073】また、上側チャンバ702の天井部分に形成された排気口704からは、以下のようにして、メッキ処理空間81のガスが排出され、メッキ処理空間81 [0073] Further, from the exhaust port 704 formed in the ceiling portion of the upper chamber 702, as described below, gas plating space 81 is discharged, plating space 81
が減圧されるようになっている。 There has to be reduced pressure.

【0074】すなわち、排気口704は、排気管100 [0074] In other words, the exhaust port 704, the exhaust pipe 100
を介して基板メッキ装置外部と連通している。 And through the substrate plating apparatus with the outside through. 排気管1 Exhaust pipe 1
00の途中には、開閉弁101が設けられている。 In the middle of the 00 on-off valve 101 is provided. そして、メッキ処理空間81のガスを排出するときは、開閉弁101を開にして排気口704からガスを排出してメッキ処理空間81が減圧される。 Then, when the exhaust gas of the plating space 81, the plating treatment space 81 by discharging the gas is depressurized by the opening and closing valve 101 to open the exhaust port 704.

【0075】上側チャンバ702の一側の側部には、供給管102を介して図示しないN2ガス供給源と接続されたN2ガス供給口705が形成されており、チャンバ70内においてウエハWをメッキ処理を行うとき、N2 [0075] The upper On one side portion of the chamber 702, which is N2 gas supply port 705 connected to the N2 gas supply source (not shown) through a supply pipe 102 is formed, the plating of the wafer W in the chamber 70 when performing the processing, N2
供給口705からチャンバ70内にN2ガスを供給し、 Supplying N2 gas from the supply port 705 into the chamber 70,
チャンバ70内をN2ガスの雰囲気にする。 The chamber 70 to the atmosphere of N2 gas. なお、供給管102の途中には、N2ガスの供給を調節する開閉弁103が設けられている。 Incidentally, in the middle of the supply tube 102, closing valve 103 is provided for adjusting the supply of N2 gas.

【0076】チャンバ70内の保持機構61の周囲には、液回収部82が形成されている。 [0076] Around the holding mechanism 61 in the chamber 70, the liquid recovery unit 82 is formed. 液回収部の回収口83の外周には円筒状の外壁84が、回収口83の内周には円筒状の内壁85が、それぞれ設けられている。 Cylindrical outer wall 84 on the outer circumference of the recovery port 83 of the liquid recovery section, the inner periphery of the recovery port 83 is a cylindrical inner wall 85 are provided, respectively.

【0077】電解メッキ処理時は、第1昇降機構68によって液回収部82に対して保持機構68が昇降されて、液回収部82の回収口83を保持機構68の周囲に位置させ、保持機構68及び保持機構68によって保持されたウエハWの回転に伴って、保持機構68及びウエハWの周囲に飛散される電解メッキ液が液回収部82の回収口83に収容される。 [0077] During the electrolytic plating process, the first elevating mechanism 68 is lifting the holding mechanism 68 with respect to the liquid recovery unit 82, it is positioned around the retaining mechanism 68 of the recovery port 83 of the liquid recovery portion 82, the holding mechanism 68 and with the rotation of the wafer W held by the holding mechanism 68, an electrolytic plating solution to be scattered around the holding mechanism 68 and the wafer W is housed in the recovery port 83 of the liquid recovery unit 82. 回収口83に回収された電解メッキ液は、下側チャンバ701の底部に形成された液排出口706、排出管104を介して基板メッキ装置外へ廃棄される。 Electrolytic plating solution collected in the recovery port 83, liquid outlet port 706 formed in the bottom of the lower chamber 701 is discarded to the substrate plating apparatus outside through the discharge pipe 104. なお、排出管104の途中には、電解メッキ液の排出を調節する開閉弁105が設けられている。 Incidentally, in the middle of the discharge pipe 104, on-off valve 105 is provided for adjusting the discharge of the electrolytic plating solution.

【0078】次に、第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作について説明する。 [0078] Next, the operation of the substrate plating apparatus according to the second embodiment. 図6は、第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作を示すフローチャートである。 Figure 6 is a flowchart showing the operation of the substrate plating apparatus according to the second embodiment.

【0079】まず、開閉弁92を開の状態にして、チャンバ70内にN2ガスへの供給を開始する(ステップT [0079] First, the on-off valve 92 in the open state and starts the supply of the N2 gas into the chamber 70 (step T
1)。 1). 次に、処理面WFを上方に向けたウエハWを保持機構61に保持させる(ステップT2)。 Then, the wafer W toward the treatment surface WF upward is held by the holding mechanism 61 (step T2).

【0080】具体的には、第2昇降機構80によって上側チャンバ702を上昇させて上側チャンバ702と下側チャンバ701とを離間させるとともに、第1昇降機構68によって保持機構61のベース部材64を液回収部82の回収口83よりも上方に位置させて、搬送アーム(図示省略)がチャンバ70内に進入できるようにする。 [0080] More specifically, the separating the upper chamber 702 and lower chamber 701 to raise the upper chamber 702 by the second elevating mechanism 80, the liquid base member 64 of the holding mechanism 61 by the first elevating mechanism 68 and is positioned above the recovery port 83 of the recovery unit 82, the transfer arm (not shown) to be able to enter the chamber 70. また、各保持部材65の係止部が外側に向くように各保持部材65を回転させてウエハWを受け入れられる状態にする。 Further, a state in which the engaging portion of the holding member 65 can accept the wafer W by rotating the respective holding member 65 to face outward.

【0081】また、ウエハWの処理面WFが上方に向くようにした状態で搬送アームを進入させ、ウエハWの周縁部の高さを各保持部材65の係止部の高さに一致する高さにする。 [0081] The high processing surface WF of the wafer W is advanced to the transfer arm in a state where the facing upwards, to match the height of the peripheral portion of the wafer W to the height of the engaging portion of the holding member 65 to of. そして、各保持部材65を回転させて、ウエハWの周縁部を各保持部材65の係止部で係止してウエハWを保持し、搬送アームをチャンバ70内から待避させる。 Then, by rotating the respective holding members 65, locking the peripheral portion of the wafer W at the engaging portion of the holding member 65 holding the wafer W, it is retracted the carrying arm from the chamber 70.

【0082】なお、ウエハWの保持機構61への保持が終了すると、第1昇降機構68によって保持機構61を下降させて、保持機構61のベース部材64の周囲に、 [0082] Incidentally, when the holding of the holding mechanism 61 of the wafer W is completed, is lowered to the holding mechanism 61 by the first elevating mechanism 68, the periphery of the base member 64 of the holding mechanism 61,
液回収部82の回収口83を位置させるとともに、第2 Together to position the recovery port 83 of the liquid recovery unit 82, the second
昇降機構80によって上側チャンバ702を下降させて、シール部材711とシール部材712とを接合させる。 By the lifting mechanism 80 lowers the upper chamber 702, thereby bonding the sealing member 711 and the seal member 712. これにより、チャンバ70内にメッキ処理空間81 Thus, plating chamber 70 processing space 81
が形成される。 There is formed.

【0083】次に、開閉弁92を開から閉に切り換えて、チャンバ70内へのN2ガスの供給を停止する(ステップT3)。 Next, by switching to the closed-off valve 92 from the open to stop the supply of the N2 gas into the chamber 70 (step T3). これにより、チャンバ70内はN2ガスの雰囲気で満たされた状態となる。 Thus, the chamber 70 in a state filled with an atmosphere of N2 gas.

【0084】次に、開閉弁101を閉から開に切り換えて、メッキ処理空間81、特に支持部材71内の空間の処理ガスを排気して、メッキ処理空間81を減圧する(ステップT4)。 Next, the on-off valve 101 is switched from the closed to the open, plating space 81, in particular the exhaust process gas space in the support member 71, to depressurize the plating space 81 (step T4). 所定の時間が経過すると開閉弁10 Off valve a prescribed time has elapsed 10
1を開から閉に切り換えてメッキ処理空間81の減圧処理が終了する。 Vacuum treatment plating space 81 is switched to 1 from the open to the closed ends. なお、このときのウエハWの処理面は、 It should be noted that the processing surface of the wafer W at this time,
第1の実施の形態のときと同様、図4(a)に示すように、ウエハWはその処理面に下層配線200が第1層として形成され、その上に層間絶縁膜201が第2層として形成された状態であり、層間絶縁膜201相互間には凹部が形成されているが、図8(a)及び図9(a)に示す従来の技術の場合とは異なり、凹部に空気は入り込んでいない。 Similar to the case of the first embodiment, as shown in FIG. 4 (a), the wafer W is lower wiring 200 is formed as a first layer on the treated surface, an interlayer insulating film 201 thereon second layer a state of being formed as, although between the interlayer insulating film 201 mutually is formed with a recess, unlike the prior art shown in FIG. 8 (a) and FIG. 9 (a), the air recess do not enter.

【0085】ステップT4のメッキ処理空間81の減圧処理が終了すると、メッキ処理空間81に電解メッキ液が供給され、図7に示すようなウエハWの処理面WFに対するメッキ処理が行われる(ステップT5)。 [0085] When the vacuum treatment of the plating process space 81 in step T4 is completed, is supplied electrolytic plating solution to the plating process space 81, the plating process on the processing surface WF of the wafer W as shown in FIG. 7 is performed (step T5 ). 図7 Figure 7
は、メッキ処理の動作を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the operation of the plating process.

【0086】まず、開閉弁93を開の状態にして、電解メッキ液供給源91から供給管90、供給口703を介して電解メッキ液の供給を開始する(ステップT5 [0086] First, the on-off valve 93 in the open state, the supply pipe 90 from the electrolytic plating solution supply source 91, to start the supply of the electrolytic plating solution through the supply port 703 (step T5
1)。 1). これにより、メッキ処理空間81の支持部材71 Thus, the support member 71 of the plating space 81
の空間に電解メッキ液が供給され、予め決めておいた時間が経過すると、支持部材71内の空間は電解メッキ液で満たされる。 Spatially supply electrolytic plating solution, the predetermined keep time elapses, the space in the support member 71 is filled with the electrolytic plating solution. このときの電解メッキ液は陽電極72の上側の空間から複数の孔73を通して陽電極72の下側の空間に入り込み、ウエハWの処理面WFに供給される。 Electrolytic plating solution in this case enters the lower space of the positive electrode 72 through a plurality of holes 73 from the upper space of the positive electrode 72, is supplied to the treatment surface WF of the wafer W. なお、このときのウエハWの処理面は、図4(b) The processing surface of the wafer W at this time, and FIG. 4 (b)
に示すように、層間絶縁膜201の上面に電解メッキ液202aが満たされているとともに、電解メッキ液が凹部に入り込む。 As shown in, together with the electrolytic plating solution 202a is filled to the upper surface of the interlayer insulating film 201, electrolytic plating solution enters the recess. なお、この後チャンバ70内を大気圧に戻すため、所定の時間N2ガスを供給してもよい。 Since the return after this chamber 70 to the atmospheric pressure, it may be supplied for a predetermined time N2 gas.

【0087】次に、メッキ処理空間81への電解メッキ液の供給を継続し、電動モータ62を駆動して保持機構61及び保持機構61に保持されたウエハWを回転させつつ(ステップT52)、電源ユニット67を作動させて陽電極72と陰電極67との間を給電する(ステップT53)。 [0087] Then, to continue the supply of the electrolytic plating solution to the plating space 81, while the wafer W held by the holding mechanism 61 and the holding mechanism 61 by driving the electric motor 62 is rotated (step T52), the power supply unit 67 is operated to power between the positive electrode 72 and negative electrode 67 (step T53).

【0088】これにより、ウエハWの処理面WFが陰極(−)に、陽電極72が陽極(+)になり、ウエハWの処理面WFと陽電極72との間に満たされている電極メッキ液が電気分解され、例えば、電解メッキ液が硫酸銅メッキ液である場合、図4(c)に示すように、層間絶縁膜201の上面にメッキ層202bが形成されているとともに、凹部内にもメッキ層202bが形成される。 [0088] Thus, treatment surface WF of the wafer W is negative (-), the positive electrode 72 is the anode (+), electrode plating is filled between the treatment surface WF and anode 72 of the wafer W liquid is electrolyzed, for example, when the electrolytic plating solution is sulfuric acid copper plating solution, as shown in FIG. 4 (c), together with the plating layer 202b is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 201, in the recess also plated layer 202b is formed.

【0089】なお、保持機構61及びウエハWの回転に伴って隙間から周囲に飛散される電解メッキ液は液回収部82の回収口83に回収され、液排出口706を介して基板メッキ装置外に排出される。 [0089] Incidentally, the electrolytic plating solution to be scattered around from the gap with the rotation of the holding mechanism 61 and the wafer W is collected in the recovery port 83 of the liquid recovery unit 82, the substrate plating apparatus outside through the liquid discharge port 706 It is discharged to.

【0090】ステップT53の給電処理が終了すると、 [0090] When the power supply process of step T53 is completed,
開閉弁92を開から閉に切り換えて供給口703からのメッキ処理空間81への電解メッキ液の供給を停止するとともに(スッテプT54)、電動モータ62の駆動を停止して保持機構61の回転を一旦停止する(ステップT55)。 Stops the supply of the electrolytic plating solution to the plating space 81 of the opening and closing valve 92 from the supply port 703 is switched to the closed from the open (Suttepu T54), the rotation of the holding mechanism 61 to stop the driving of the electric motor 62 temporarily stopped (step T55). なお、電解メッキ液は、液回収部82の回収口83に排出される。 Incidentally, the electrolytic plating solution is discharged to the recovery port 83 of the liquid recovery unit 82. 以上により、ステップT5の一連のメッキ処理が終了する。 Thus, a series of plating process in step T5 is completed.

【0091】ステップT5のメッキ処理が終了すると、 [0091] When the plating process of step T5 is completed,
電動モータ62によってウエハWを回転させつつウエハWの処理面WFに図示しない洗浄液供給ノズルから洗浄液を供給して洗浄処理を行う(ステップT6)。 While rotating the wafer W by the electric motor 62 to supply the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle (not shown) to the treatment surface WF of the wafer W to clean process (step T6). 洗浄処理を予め決められた時間行うと、洗浄液供給ノズルからウエハWの処理面WFへの洗浄液の供給を停止する。 When performing the cleaning process a predetermined time, stopping the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle to the treatment surface WF of the wafer W.

【0092】ステップT6の洗浄処理の後、電動モータ62によってウエハWをさらに高速に回転させて、ウエハWの処理面WFに付着する洗浄液を振り切ってウエハWの乾燥を行う(ステップT7)。 [0092] After the washing process in step T6, and further rotated at a high speed wafer W by the electric motor 62, to dry the wafer W by shaking off the cleaning liquid adhering to the treated surface WF of the wafer W (step T7). 保持機構61及びウエハWの回転に伴って隙間から周囲に飛散される洗浄液は液回収部82の回収口83に回収され、液排出口70 Washing liquid scattered around from the gap with the rotation of the holding mechanism 61 and the wafer W is collected in the recovery port 83 of the liquid recovery unit 82, liquid outlet port 70
6を介して基板メッキ装置外に排出される。 It is discharged to the outside of the substrate plating apparatus through 6. そして、ステップT7の乾燥処理を予め決められた時間行うと、電動モータ62の駆動を停止して保持機構61の回転を停止する。 Then, when a predetermined time drying process in step T7, stopping the rotation of the holding mechanism 61 to stop the driving of the electric motor 62.

【0093】その後、ウエハWを保持機構61から搬出する(ステップT8)。 [0093] Then, the wafer W is unloaded from the holding mechanism 61 (step T8).

【0094】具体的には、第2昇降機構80によって上側チャンバ702を上昇させるとともに、第1昇降機構68によって保持機構61を上昇させて、保持機構61 [0094] More specifically, the increase of the upper chamber 702 by the second elevating mechanism 80, raises the holding mechanism 61 by the first elevating mechanism 68, the holding mechanism 61
のベース部材64を液回収部62の回収口63よりも上方に位置させる。 The base member 64 than the recovery port 63 of the liquid recovery section 62 is located above. 次に、搬送アームをチャンバ70内へ進入させ、保持部材65に保持されているウエハWを支持するとともに、各保持部材65の係止部が外側に向くように各保持部材65を回転させてウエハWの保持を解除して、ウエハWを搬送アームに引き渡す。 Then, the transfer arm is advanced into the chamber 70, to support the wafer W held by the holding member 65, the engaging portion of the holding member 65 rotates the respective holding member 65 to face the outside to release the holding of the wafer W, delivers the wafer W to the transfer arm. そして、ウエハWを支持した搬送アームを退避させて、ウエハWがチャンバ70から搬出される。 Then, the transfer arm supporting the wafer W is retracted, the wafer W is unloaded from the chamber 70.

【0095】これにより、第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の一連の動作が終了する。 [0095] Thus, a series of operations of the substrate plating apparatus according to the second embodiment is completed.

【0096】以上の構成及び動作より明らかなように、 [0096] As is apparent from the above configuration and operation,
本発明に係る第2の実施の形態によれば、次のような効果が得られる。 According to the second embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.

【0097】すなわち、開閉弁101を開の状態にして、メッキ処理空間81のガスを排気して、メッキ処理空間81を減圧処理が終了した後に、メッキ処理空間8 [0097] That is, the on-off valve 101 in the open state, the exhaust gas of the plating space 81, the plating space 81 after the vacuum process has been completed, the plating process space 8
1に電解メッキ液が供給されてウエハWのメッキ処理が行われるので、層間絶縁膜201の表面にメッキ層20 Since electroplating solution 1 is plating the supplied to the wafer W is performed, the plating layer 20 on the surface of the interlayer insulating film 201
2bが形成されたとき、凹部にボイドが形成されることはない。 When 2b is formed, not a void in the recess is formed. その結果、層間の配線不良によって、半導体装置の歩留まりを防止できる。 As a result, the interlayer wiring failure can be prevented and the yield of the semiconductor device.

【0098】また、メッキ処理空間81の減圧処理は、 [0098] In addition, reduced-pressure treatment of plating processing space 81,
排気管100を介して基板メッキ装置外部と連通している排気口704から開閉弁101の開閉制御によってメッキ処理空間81のガスを排出しているので、簡易な構成でメッキ処理空間81の減圧処理を実現できる。 Since the exhaust gas of the plating space 81 by opening and closing control of the opening and closing valve 101 from the exhaust port 704 in communication with the substrate plating apparatus outside through the exhaust pipe 100, decompression processing plating space 81 with a simple configuration It can be realized.

【0099】また、保持機構61及び保持機構61によって保持されたウエハWを回転させながら電解メッキ処理を行うので、ウエハWの回転によって、ウエハWの処理面WF上のウエハWの中心から周囲へ向かう電解メッキ液の流れが形成され、保持機構61に保持されたウエハWの処理面WF上に形成される境界層が薄く、かつ均一にすることができ、ウエハWの処理面WFにメッキ層形成イオンが移動し易くなり、ウエハWの処理面WFへのメッキ層形成イオンの移動を均一化できる。 [0099] Further, since the electrolytic plating process while rotating the wafer W held by the holding mechanism 61 and the holding mechanism 61, the rotation of the wafer W, to the surroundings from the center of the wafer W on the treatment surface WF of the wafer W flow of electroplating solution is formed toward the holding mechanism 61 wafers W to be processed face thin boundary layer that is formed on the WF retained in, and can be made uniform, the plating layer on the treated surface WF of the wafer W forming ions tends to move, the movement of the plating layer forming ions to the treatment surface WF of the wafer W can be made uniform. したがって、メッキ層の形成に要する時間を短縮できるとともに、均一なメッキ層をウエハWの処理面WFに形成することができる。 Therefore, it is possible to shorten the time required for formation of the plating layer, it is possible to form a uniform plating layer on the treated surface WF of the wafer W.

【0100】 [0100]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によれば、メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、基板保持手段及びカップによって形成される空間を減圧手段によって減圧しているので、基板へのメッキ処理を均一に行え、かつ半導体装置の層間の配線不良を防止できる。 As described [Effect Invention above in detail, according to the present invention, prior to supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, vacuum means a space formed by the substrate holding means and the cup since the reduced pressure by a plating treatment to the substrate uniformly performed, and it can prevent the defective wiring between layers of a semiconductor device.

【0101】また、本発明によれば、メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、チャンバ内を減圧手段によって減圧しているので、基板へのメッキ処理を均一に行え、かつ半導体装置の層間の配線不良を防止できる。 Furthermore, according to the present invention, prior to supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, since the reduced pressure by vacuum means inside the chamber, uniformly perform a plating treatment to the substrate and it can prevent the defective wiring between layers of a semiconductor device.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の概略構成図である。 1 is a schematic configuration view of a substrate plating apparatus according to the first embodiment.

【図2】第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作を示すフローチャートである。 2 is a flowchart showing the operation of the substrate plating apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態に係る基板メッキ装置のメッキ処理の動作を示すフローチャートである。 3 is a flowchart showing the operation of the plating process of the substrate plating apparatus according to the first embodiment.

【図4】ウエハの処理面にメッキ層が形成される過程を説明する図である。 4 is a diagram a process of plating layer on the treated surface of the wafer is formed will be described.

【図5】第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の概略構成図である。 5 is a schematic configuration view of a substrate plating apparatus according to the second embodiment.

【図6】第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の動作を示すフローチャートである。 6 is a flowchart showing the operation of the substrate plating apparatus according to the second embodiment.

【図7】第2の実施の形態に係る基板メッキ装置のメッキ処理の動作を示すフローチャートである。 7 is a flowchart showing the operation of the plating process of the substrate plating apparatus according to the second embodiment.

【図8】従来の技術の問題点を説明する図である。 8 is a diagram for explaining problems of the conventional art.

【図9】従来の技術の問題点を説明する図である。 9 is a diagram for explaining problems of the conventional art.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 保持機構 4 ベース部材 5 保持部材 6 給電ブラシ 7 陰電極 10 上部カップ 12 メッキ処理空間 14 陽電極 15 電源ユニット 30 メッキ液供給源 31 供給管31 33 ポンプ 40 チャンバ 44 N2ガス供給口 50 供給管 61 保持機構 64 ベース部材 65 保持部材 66 給電ブラシ 67 陰電極 70 チャンバ 71 メッキ処理空間 72 陽電極 77 電源ユニット 90 供給管 91 電解メッキ液供給源 93 ポンプ 102 供給管 703 供給口 705 N2ガス供給口 1 holding mechanism 4 base member 5 holding member 6 feeder brush 7 negative electrode 10 upper cup 12 plating space 14 anode 15 power supply unit 30 plating solution supply source 31 supplying pipe 31 33 pump 40 chamber 44 N2 gas inlet 50 supply pipe 61 holding mechanism 64 base member 65 holding member 66 power supply brush 67 negative electrode 70 chamber 71 plating space 72 anode 77 power supply unit 90 supply pipe 91 electrolytic plating solution supply source 93 pump 102 supply tube 703 supplying port 705 N2 gas inlet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 21/10 302 C25D 21/10 302 21/11 21/11 H01L 21/768 H01L 21/90 Q ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) C25D 21/10 302 C25D 21/10 302 21/11 21/11 H01L 21/768 H01L 21/90 Q

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、 前記メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、前記基板保持手段及び前記カップによって形成される空間を減圧する減圧手段と、を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 1. A substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate, a cup for covering a substrate holding device for holding a substrate, the substrate held by the substrate holding means from above, held by the substrate holding means a plating solution supply means for supplying the plating solution to the treated surface of the substrate, before supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, the space formed by the substrate holding unit and the cup under reduced pressure substrate plating apparatus for a pressure reducing means for, further comprising a said.
  2. 【請求項2】請求項1に記載の基板メッキ装置であって、 前記減圧手段は、前記空間内にあるガスを排気する排気手段を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 2. A substrate plating apparatus according to claim 1, wherein the pressure reducing means, the substrate plating apparatus characterized by comprising an exhaust means for exhausting gas in said space.
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の基板メッキ装置であって、 前記空間内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板の処理面の上方において基板の処理面に対向して配置された陽電極と、 前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された陰電極と、 前記陽電極と前記陰電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 3. A substrate plating apparatus according to claim 1 or claim 2, provided in the space, opposite the treated surface of the substrate above the processing surface of the substrate held by the substrate holding means and yang electrode arranged, a negative electrode electrically connected to the substrate held by the substrate holding means, a feeding means for feeding the current to flow between the positive electrode and the negative electrode the substrate plating apparatus characterized by further comprising a.
  4. 【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の基板メッキ装置であって、 前記基板保持手段及び前記カップを収納するチャンバと、 前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、 をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 4. A substrate plating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate holding means and a chamber for accommodating the cup, supplying an inert gas into the chamber inert substrate plating apparatus characterized by further comprising a gas supply means.
  5. 【請求項5】基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段を収納するチャンバと、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、 前記メッキ液供給手段によってメッキ液を基板の処理面に供給する前に、前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 5. A substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate, a substrate holding means for holding a substrate, a chamber for accommodating the substrate holding means to the processing surface of the substrate held by the substrate holding means a plating solution supply means for supplying a plating solution, prior to supplying the plating solution to the surface of the substrate by the plating solution supply means, the substrate plating, characterized in that it and a pressure reducing means for reducing the pressure within the chamber apparatus.
  6. 【請求項6】請求項5に記載の基板メッキ装置であって、 前記減圧手段は、前記チャンバ内にあるガスを排気する排気手段を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 6. A substrate plating apparatus according to claim 5, wherein the pressure reducing means, the substrate plating apparatus characterized by comprising an exhaust means for exhausting gas in said chamber.
  7. 【請求項7】請求項5または請求項6に記載の基板メッキ装置であって、 前記チャンバ内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板の処理面の上方において基板の処理面に対向して配置された陽電極と、 前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された陰電極と、 前記陽電極と前記陰電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 7. A substrate plating apparatus according to claim 5 or claim 6, provided in said chamber, opposite to the processing surface of the substrate above the processing surface of the substrate held by the substrate holding means and yang electrode arranged, a negative electrode electrically connected to the substrate held by the substrate holding means, a feeding means for feeding the current to flow between the positive electrode and the negative electrode the substrate plating apparatus characterized by further comprising a.
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