JP2000323822A - Plastic fine ball arrangement substrate, manufacture thereof and method of forming bump electrodes - Google Patents

Plastic fine ball arrangement substrate, manufacture thereof and method of forming bump electrodes

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JP2000323822A
JP2000323822A JP13082399A JP13082399A JP2000323822A JP 2000323822 A JP2000323822 A JP 2000323822A JP 13082399 A JP13082399 A JP 13082399A JP 13082399 A JP13082399 A JP 13082399A JP 2000323822 A JP2000323822 A JP 2000323822A
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JP
Japan
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array substrate
micro
plastic
opening
reinforcing member
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JP13082399A
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Japanese (ja)
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Shingen Kinoshita
真言 木下
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Ricoh Microelectronics Co Ltd
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Ricoh Microelectronics Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive plastic fine ball array substrate and a method of manufacturing the same wherein the fine ball array substrate is less deformable and sucking holes are less wearable, and to provide a bump electrode forming method capable of forming bump electrodes collectively on a semi-finished product such as a wafer using the plastic fine ball array substrate, when bumps are formed using the plastic fine ball array substrate. SOLUTION: An array substrate 10 provided on head 300 has a structure such that a plastic plate 10a is reinforced with a SUS304 stainless strip 10b, and is excellent in mechanical strength and thus less deformable. Using this substrate 10, fine balls corresponding to electrodes 3 of all semiconductor chips on, e.g. 6-inch wafer 4 are sucked and held with sucking holes 11, whereby bump electrodes are formed collectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微小ボール配列基
板及びその製造方法に係り、詳しくは、半導体チップ、
TAB(Tape Automated Bonding)或いはセラミック
基板等の電極パッド等にボール状のバンプを接合し、バ
ンプを形成するために使用する微小ボール配列基板及び
その製造方法並びにバンプ電極形成方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro-ball array substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor chip,
The present invention relates to a micro-ball array substrate used for forming a bump by bonding a ball-shaped bump to an electrode pad such as TAB (Tape Automated Bonding) or a ceramic substrate, a method of manufacturing the same, and a method of forming a bump electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、半導体チップ上の電極パッド
に形成されるバンプとして、ウエハバンプとスタッドバ
ンプとがある。ウエハバンプは、ウエハ段階の半導体素
子においてバンプを形成するものであり、ウエハプロセ
スとして複雑な工程を何回も行う必要がある。また、ス
タッドバンプは、半導体チップの電極パッドに1つずつ
ワイヤボンディングの一時接合時のボールボンディング
を行い、接合後にワイヤのネック部を切断することによ
り、スタッドバンプを形成するというものである。さら
に、フィルムキャリアのインナリードにバンプを接合す
る方法として、基板にメッキ成長させたバンプをインナ
リードに接合する転写バンプがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, there are a wafer bump and a stud bump as bumps formed on an electrode pad on a semiconductor chip. Wafer bumps are used to form bumps in semiconductor devices at the wafer stage, and require complicated steps as a wafer process many times. Further, the stud bump is formed by performing ball bonding at the time of temporary bonding of the wire bonding one by one to the electrode pad of the semiconductor chip, and cutting the neck portion of the wire after the bonding to form the stud bump. Further, as a method of joining a bump to an inner lead of a film carrier, there is a transfer bump for joining a bump grown by plating on a substrate to the inner lead.

【0003】上述のような従来のバンプ形成方法に対し
て、特開平10−74768号公報においては、導電性
の微小金属ボールを用い、この微小ボールを半導体チッ
プの電極に転写するものが提案されている。次に、微小
ボールを用いたバンプ形成方法の例を説明する。
In contrast to the above-described conventional bump forming method, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-74768 proposes a method using conductive fine metal balls and transferring the fine balls to electrodes of a semiconductor chip. ing. Next, an example of a bump forming method using minute balls will be described.

【0004】図5は、この方法に使用する装置の概略構
成を示している。この装置は主要構成として、ボールピ
ックアップステージ100と、接合ステージ200と、
配列ヘッド300と、配列ヘッド300をX方向に移動
させる駆動機構400とを備えている。なお、図5にお
いて紙面と直交方向をY方向、また上下方向をZ方向と
し、これらY方向及びZ方向にも移動可能である。この
装置では、配列ヘッド300は図5に示すように、ボー
ルピックアップステージ100(点線)と接合ステージ
200(実線)との間を移動する。
FIG. 5 shows a schematic configuration of an apparatus used in this method. This apparatus has a ball pickup stage 100, a joining stage 200,
An array head 300 and a driving mechanism 400 for moving the array head 300 in the X direction are provided. In FIG. 5, the direction perpendicular to the plane of the drawing is the Y direction, and the up-down direction is the Z direction, and it is possible to move in these Y and Z directions. In this apparatus, the arrangement head 300 moves between the ball pickup stage 100 (dotted line) and the joining stage 200 (solid line) as shown in FIG.

【0005】ボールピックアップステージ100におい
て、図6(a)のように容器110内に多数の微小ボー
ル1が収容されている。容器110を加振器120によ
って振動させるか、又は容器110の底部に開けられた
空気吐出口からのエアーによって、容器110内の微小
ボール1が浮遊する。このように浮遊した微小ボール1
は図6(b)のように、配列ヘッド300の先端に付設
された配列基板310によって吸着・配列される。な
お、配列基板310にはバンプを形成すべき半導体チッ
プの電極に対応する吸着孔311が形成されており、各
吸着孔311には1つの微小ボール1が吸着保持される
ようになっている。
[0005] In the ball pickup stage 100, as shown in FIG. 6 (a), a large number of minute balls 1 are accommodated in a container 110. The microball 1 in the container 110 floats by vibrating the container 110 by the vibrator 120 or by air from an air discharge port opened at the bottom of the container 110. The minute ball 1 floating like this
As shown in FIG. 6B, the substrates are adsorbed and arranged by an array substrate 310 attached to the tip of the array head 300. In addition, suction holes 311 corresponding to the electrodes of the semiconductor chips on which the bumps are to be formed are formed in the array substrate 310, and one microball 1 is sucked and held in each suction hole 311.

【0006】次に、配列ヘッド300は、駆動機構40
0によって接合ステージ200まで移動される(図6
(c))。この接合ステージ200では、所定位置に載
置されている半導体チップ2に対して配列ヘッド300
をアライメントして下降させ、配列基板310に保持さ
れている微小ボール1を半導体チップ2の電極3に接触
させる。この場合、配列基板310により適度に押圧
し、これにより図6(d)のように微小ボール1を電極
3に接合することができる。この例は半導体チップ2の
電極3にバンプを形成する場合であるが、TAB或いは
セラミック基板の場合でも実質的に同様にバンプが形成
される。
Next, the array head 300 is driven by the driving mechanism 40.
0 to the bonding stage 200 (FIG. 6).
(C)). In the bonding stage 200, the array head 300 is mounted on the semiconductor chip 2 mounted at a predetermined position.
Are aligned and lowered to bring the microballs 1 held on the array substrate 310 into contact with the electrodes 3 of the semiconductor chip 2. In this case, the minute balls 1 can be bonded to the electrodes 3 as shown in FIG. In this example, a bump is formed on the electrode 3 of the semiconductor chip 2, but the bump is formed substantially in the same manner in the case of a TAB or ceramic substrate.

【0007】上述したような微小金属ボールを用いた従
来のバンプ形成方法において用いられる配列基板310
としては、たとえば70〜80mm角で厚さ約150μ
mのSUS304ステンレス薄板に約φ200μmの吸
着孔311を多数穿設したものが用いられているが、平
成11年中にはφ70μmのマイクロボールが登場の予
定であり、その時の吸着孔の径はφ60μm以下、SU
S304ステンレス薄板の厚さは50〜60μmとなる
ことが考えられる。なお、近年ではチップ部品の小型
化、高性能化に伴って、吸着孔311の穿設ピッチを高
精細化させるために、吸着孔311を小径で微細に穿設
する必要が生じてきた。しかし、SUS304ステンレ
ス薄板にエッチング処理等により小径で微細な吸着孔3
11を穿設する場合に、所定の位置に吸引孔311が穿
設されない、いわゆる孔欠損が生じることがあった。そ
こで、配列基板310の材質としてSUS304等のス
テンレス薄板に替わり、エキシマレーザによって微細な
吸着孔を穿設することが可能なプラスチック板を用いる
ものが提案されている。
[0007] The array substrate 310 used in the conventional bump forming method using the minute metal balls as described above.
For example, 70-80 mm square and about 150 μm thick
SUS304 stainless steel sheet with a large number of suction holes 311 with a diameter of about 200 μm is used. Hereinafter, SU
It is conceivable that the thickness of the S304 stainless steel sheet will be 50 to 60 μm. In recent years, with the miniaturization and high performance of chip components, it has become necessary to finely drill the suction holes 311 with a small diameter in order to increase the pitch at which the suction holes 311 are formed. However, the SUS304 stainless steel sheet has a small diameter and fine suction hole 3 by etching or the like.
When the hole 11 is formed, a so-called hole defect may occur in which the suction hole 311 is not formed at a predetermined position. Therefore, instead of using a stainless steel plate such as SUS304 as the material of the array substrate 310, a material using a plastic plate on which fine suction holes can be formed by excimer laser has been proposed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、配列基板3
10として上記プラスチック板を用いた場合には、図7
(a)に示すようにプラスチック板自体の機械的強度の
不足から、微小ボール1を吸着する際の負圧によって、
配列基板310の中央部が変形して凹部を生じることが
あった。このように配列基板310の中央部が変形して
凹部を生じると、容器110内の微小ボール1を吸着す
るときに、この凹部の部分では微小ボール1との距離が
遠くなり吸着保持不良が発生するというおそれがあっ
た。また、図7(b)に示すように半導体チップ2に微
小ボール1を載置するときには負圧を解除し、逆に、瞬
間的に圧縮エアーPAを供給して、吸着孔311の微小
ボール1の保持を強制的に解除するようにしている。と
ころが、この圧縮エアーPAの影響によって、配列基板
310の中央部が変形して凸部を生じ、半導体チップ2
の中央部に対する押圧が強くなってしまい、バンプ高さ
にばらつきが生じるおそれがあった。
However, the array substrate 3
When the above-mentioned plastic plate is used as 10, FIG.
Due to the lack of mechanical strength of the plastic plate itself, as shown in FIG.
In some cases, the central portion of the array substrate 310 was deformed to form a concave portion. When the central portion of the array substrate 310 is deformed to form a concave portion as described above, when the minute ball 1 in the container 110 is sucked, the distance from the minute ball 1 to the concave portion becomes long, and poor suction holding occurs. There was a risk of doing so. Further, as shown in FIG. 7B, when placing the micro-ball 1 on the semiconductor chip 2, the negative pressure is released, and conversely, compressed air PA is instantaneously supplied to the micro-ball 1 in the suction hole 311. Is forcibly released. However, due to the influence of the compressed air PA, the central portion of the array substrate 310 is deformed to generate a convex portion, and the semiconductor chip 2
The pressure on the central portion of the metal was increased, and there was a possibility that the bump height would vary.

【0009】上記プラスチック板からなる配列基板31
0の変形による種々の不具合は、特に配列基板310の
面積が大きくなると顕著に現れる。したがって、配列基
板310の面積を大きくして生産効率を向上させようと
する場合の大きな問題点であった。
Arranged substrate 31 made of the above plastic plate
Various disadvantages due to the deformation of 0 become remarkable especially when the area of the array substrate 310 increases. Therefore, this is a major problem in increasing the area of the array substrate 310 to improve production efficiency.

【0010】さらにまた、上記プラスチック板からなる
配列基板310を用いた場合には、図8に示すように吸
着孔311の開口側の端部311aが繰り返し使用によ
って摩耗し、微小ボール1の吸着位置不良や、吸着保持
不良などが生じるおそれがあった。このために、所定回
数以上微小ボール1の載置を行ったら、配列基板310
を新しいものに交換しなければならず、配列基板310
のメンテナンスコストがかかるというおそれもあった。
Furthermore, when the array substrate 310 made of the plastic plate is used, the end 311a on the opening side of the suction hole 311 is worn by repeated use as shown in FIG. There is a possibility that a defect or a suction holding defect may occur. For this reason, when the micro balls 1 are placed a predetermined number of times or more, the array substrate 310
Must be replaced with a new one, and the array substrate 310
There was also a risk that maintenance costs would increase.

【0011】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
であり、その第一の目的とするところは、プラスチック
板からなる微小ボール配列基板を用いてバンプを形成す
る場合に、該微小ボール配列基板の変形や、吸着孔の摩
耗などを低減した、低コストのプラスチック製微小ボー
ル配列基板及びその製造方法を提供することである。ま
た、第二の目的とするところは、上記プラスチック製微
小ボール配列基板を用いてウエハ等の中間製造物にバン
プ電極を一括形成することができるバンプ電極形成方法
を提供することである。
The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a method for forming a micro ball array using a micro ball array substrate made of a plastic plate. An object of the present invention is to provide a low-cost plastic micro-ball array substrate in which deformation of the substrate, wear of the suction holes, and the like are reduced, and a method of manufacturing the same. It is a second object of the present invention to provide a bump electrode forming method capable of collectively forming bump electrodes on an intermediate product such as a wafer using the plastic micro-ball array substrate.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、請求項1の発明は、導電性の微小ボールを吸
着保持するための多数の吸着孔を有するプラスチック製
微小ボール配列基板であって、上記吸着孔の開口側の基
板面に、該吸着孔に対応した開口部が穿設された金属製
補強部材を有することを特徴とするものである。
In order to achieve the first object, a first aspect of the present invention is a plastic micro-ball array substrate having a large number of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls. Wherein a metal reinforcing member having an opening corresponding to the suction hole is provided on the substrate surface on the opening side of the suction hole.

【0013】このプラスチック製微小ボール配列基板で
は、上記吸着孔の開口側の基板面に上記金属製補強部材
を有しているので、機械的強度や耐摩耗性に優れてい
る。これにより、微小ボールを吸着保持する際の負圧
や、載置する際の加圧によって生じる該配列基板の中央
部の変形量を低減させることができ、微小ボールを吸着
保持する際の吸着保持不良や、載置する際の中央部の押
圧が強くなってしまうことによるバンプ高さのばらつき
を防止することが可能になる。また、金属製補強部材の
吸着孔で微小ボールを吸着保持するので、微小ボールと
接触する部分の摩耗が少なく、吸着位置不良や、吸着保
持不良などの発生がなく長期間にわたって安定した品質
を保持することが可能となり、該配列基板のメンテナン
スコストを低減させることが可能になる。
The plastic micro-ball array substrate has excellent mechanical strength and abrasion resistance because it has the metal reinforcing member on the substrate surface on the opening side of the suction hole. This can reduce the amount of deformation of the central portion of the array substrate caused by the negative pressure at the time of holding and holding the micro-balls and the pressure at the time of placing the micro-balls. It is possible to prevent variations in bump height due to a defect and an increase in the pressing force of the central portion when placing. In addition, since the micro-balls are sucked and held by the suction holes of the metal reinforcing member, there is little wear on the parts that come into contact with the micro-balls, and stable quality is maintained over a long period of time without occurrence of poor suction position or poor suction holding. It is possible to reduce the maintenance cost of the array substrate.

【0014】請求項2の発明は、請求項1のプラスチッ
ク製微小ボール配列基板において、上記金属製補強部材
の開口部は、開口側に広がる曲率を有することを特徴と
するものである。
According to a second aspect of the present invention, in the plastic micro-ball array substrate according to the first aspect, the opening of the metal reinforcing member has a curvature extending toward the opening.

【0015】このプラスチック製微小ボール配列基板で
は、該プラスチック製微小ボール配列基板により上記微
小ボールを配列担持する場合に、該微小ボールの球面の
一部と曲率を有する上記開口部とが確実に密着する。こ
れにより、該プラスチック製微小ボール配列基板で該微
小ボールを確実に配列担持することができる。
In this plastic micro-ball array substrate, when the plastic micro-ball array substrate carries the micro-balls, a part of the spherical surface of the micro-balls and the opening having a curvature are securely brought into close contact with each other. I do. Thereby, the micro-balls can be reliably arranged and carried on the plastic micro-ball array substrate.

【0016】請求項3の発明は、導電性の微小ボールを
吸着保持するための多数の吸着孔を有するプラスチック
製微小ボール配列基板の製造方法であって、プラスチッ
ク材料としてエキシマレーザにより加工可能なプラスチ
ック板を用い、該プラスチック板にエキシマレーザで所
定位置に開口部を穿孔した後に、金属製補強部材を貼り
合わせ、該金属製補強部材の該プラスチック板が貼り合
わされた面以外の面をマスキングし、エッチング液によ
りエッチング処理を行い、該プラスチック板に穿孔され
た開口部に対応した部分をエッチング処理して該金属製
補強部材に開口部を形成することを特徴とするものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plastic micro-ball array substrate having a large number of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls, wherein the plastic material can be processed by an excimer laser. Using a plate, after drilling an opening at a predetermined position in the plastic plate with an excimer laser, a metal reinforcing member is bonded, and a surface of the metal reinforcing member other than the surface where the plastic plate is bonded is masked, An etching process is performed with an etching solution, and a portion corresponding to the opening formed in the plastic plate is etched to form an opening in the metal reinforcing member.

【0017】このプラスチック製微小ボール配列基板の
製造方法では、所定位置に開口部が穿孔された上記プラ
スチック板と上記金属製補強部材とを貼り合わせ、該金
属製補強部材の該プラスチック板が貼り合わされた面以
外の面をマスキングし、上記エッチング液によりエッチ
ング処理を行う。該エッチング液は該プラスチック板や
金属製補強部材のマスキングされた部分はエッチングし
ないが、該金属製補強部材の該プラスチック板の開口部
に対応した部分のみをエッチングし、開口部を形成す
る。これにより、開口部が形成されたプラスチック製配
列基板を製造することができる。
In the method of manufacturing a plastic micro-ball array substrate, the plastic plate having an opening at a predetermined position is bonded to the metal reinforcing member, and the plastic plate of the metal reinforcing member is bonded. The surface other than the bent surface is masked, and an etching process is performed using the above-mentioned etching solution. The etching solution does not etch the masked portion of the plastic plate or the metal reinforcing member, but etches only the portion of the metal reinforcing member corresponding to the opening of the plastic plate to form an opening. As a result, a plastic array substrate having openings formed therein can be manufactured.

【0018】請求項4の発明は、請求項3のプラスチッ
ク製微小ボール配列基板の製造方法において、所定時間
上記エッチング処理を施すことにより、オーバーエッチ
ング状態とすることで、上記金属製補強部材に穿孔する
開口部に、開口側に広がる曲率部を形成することを特徴
とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate according to the third aspect, the metal reinforcing member is perforated by performing the etching process for a predetermined time to make it over-etched. A curved portion extending toward the opening is formed in the opening.

【0019】このプラスチック製微小ボール配列基板の
製造方法では、所定時間上記エッチング処理を施すこと
により、オーバーエッチング状態となり、上記金属製補
強部材に穿孔する開口部に、開口側に広がる曲率部を形
成することができる。
In this method of manufacturing a plastic micro-ball array substrate, the above etching process is performed for a predetermined time, whereby an over-etched state is formed, and a curved portion extending toward the opening is formed in the opening formed in the metal reinforcing member. can do.

【0020】請求項5の発明は、導電性の微小ボールを
吸着保持するための多数の吸着孔を有するプラスチック
製微小ボール配列基板の製造方法であって、所定位置に
開口部が穿設された金属製補強部材を用い、該金属製補
強部材をプラスチック板に貼り合わせ、該金属製補強部
材側からレーザを照射することで、該プラスチック板に
該金属製補強部材に穿設された開口部に対応した開口部
を穿孔することを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plastic micro-ball array substrate having a large number of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls, wherein an opening is formed at a predetermined position. By using a metal reinforcing member, the metal reinforcing member is attached to a plastic plate, and a laser is irradiated from the metal reinforcing member side, so that the plastic plate has an opening formed in the metal reinforcing member. It is characterized in that corresponding openings are perforated.

【0021】このプラスチック製微小ボール配列基板の
製造方法では、所定位置に開口部が穿設された金属製補
強部材をプラスチック板に貼り合わせ、該金属製補強部
材側からレーザを照射する。該レーザは該金属製補強部
材で遮断されるが、該金属製補強部材に穿設された開口
部のみを通過して、該プラスチック板に開口部を形成す
る。これにより、開口部が形成されたプラスチック製配
列基板を製造することができる。
In the method of manufacturing a plastic micro-ball array substrate, a metal reinforcing member having an opening at a predetermined position is bonded to a plastic plate, and a laser is irradiated from the metal reinforcing member side. The laser is blocked by the metal reinforcing member, but passes only through an opening formed in the metal reinforcing member to form an opening in the plastic plate. As a result, a plastic array substrate having openings formed therein can be manufactured.

【0022】上記第二の目的を達成するために、請求項
6の発明は、プラスチック製微小ボール配列基板に配列
担持した導電性の微小ボールを、複数の部品に分割され
る前の中間製造物のバンプ電極形成面に転写して、複数
のバンプ電極を一括形成するバンプ電極形成方法であっ
て、上記複数のバンプ電極に対応する吸着孔を介して上
記プラスチック製微小ボール配列基板により微小ボール
を配列担持する工程と、上記中間製造物のバンプ電極形
成面と上記プラスチック製微小ボール配列基板に配列担
持されている上記微小ボールとを接合する工程と、を含
むことを特徴とするものである。
In order to achieve the second object, the invention according to claim 6 is directed to an intermediate product in which conductive micro balls arranged and carried on a plastic micro ball array substrate are not divided into a plurality of parts. A bump electrode forming method of forming a plurality of bump electrodes at a time by transferring the bumps to the bump electrode forming surface, wherein the micro balls are arranged by the plastic micro ball array substrate through the suction holes corresponding to the bump electrodes. And a step of joining the bump electrode forming surface of the intermediate product and the micro balls arranged and supported on the plastic micro ball array substrate.

【0023】このバンプ電極形成方法では、上記複数の
バンプ電極に対応する吸着孔を介して上記プラスチック
製微小ボール配列基板により微小ボールを配列担持し、
上記中間製造物のバンプ電極形成面と上記プラスチック
製微小ボール配列基板に配列担持されている上記微小ボ
ールとを接合する。これにより、該中間製造物のバンプ
電極形成面に複数のバンプ電極を一括形成することが可
能になる。
In this bump electrode forming method, the micro balls are arrayed and carried by the plastic micro ball array substrate through the suction holes corresponding to the plurality of bump electrodes.
The surface of the intermediate product on which the bump electrodes are formed is bonded to the micro balls arranged and carried on the plastic micro ball array substrate. This makes it possible to collectively form a plurality of bump electrodes on the bump electrode formation surface of the intermediate product.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】〔実施形態1〕以下、図面に基づ
き、従来例と実質的に同一又は対応する部材には同一符
号を用いて、本発明による微小ボール配列基板の好適な
実施の形態を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Embodiment 1] Preferred embodiments of a micro-ball array substrate according to the present invention will be described with reference to the drawings, in which members substantially the same as or corresponding to those of the conventional example are denoted by the same reference numerals. Will be described.

【0025】ここで先ず、この実施形態で使用されるバ
ンプ形成装置の基本構成は、実質的に従来装置(図5)
のものと同様とする。即ち、図5に示したボールピック
アップステージ100と、接合ステージ200と、配列
ヘッド300と、配列ヘッド300をX方向に移動させ
る駆動機構400とを備えている。
First, the basic configuration of the bump forming apparatus used in this embodiment is substantially the same as that of the conventional apparatus (FIG. 5).
And the same. That is, it includes the ball pickup stage 100, the joining stage 200, the arrangement head 300, and the drive mechanism 400 for moving the arrangement head 300 in the X direction shown in FIG.

【0026】図1は、この実施形態における要部構成を
示している。配列ヘッド300の先端には、導電性の微
小ボール1を配列担持するための配列基板10が付設さ
れている。この配列基板10は、例えば6インチの大き
さのウエハ4の全ての半導体チップの電極に対応する吸
着孔11を有し、各吸着孔11を介して微小ボール1を
配列担持し、ウエハ4全体に一括で微小ボール1を接合
するようになっている。
FIG. 1 shows a configuration of a main part in this embodiment. An array substrate 10 for arraying and carrying the conductive micro-balls 1 is attached to the tip of the array head 300. The array substrate 10 has suction holes 11 corresponding to the electrodes of all the semiconductor chips of the wafer 4 having a size of, for example, 6 inches. The micro balls 1 are arranged and supported through the suction holes 11. And the micro balls 1 are joined together.

【0027】ここで、図2は、この実施形態で用いる配
列基板10の構成例を示しており、ウエハ4の全ての半
導体チップ2毎に各半導体チップ2の電極3に対応する
吸着孔11が穿設されている。各吸着孔11に微小ボー
ルを吸着保持する原理については、実質的に従来例と同
様であり、即ち図示しない負圧発生源に接続された各吸
着孔11に1つずつ微小ボールを吸引保持するというも
のである。
FIG. 2 shows an example of the configuration of the array substrate 10 used in this embodiment. The suction holes 11 corresponding to the electrodes 3 of each semiconductor chip 2 are provided for every semiconductor chip 2 of the wafer 4. Has been drilled. The principle of sucking and holding micro balls in each suction hole 11 is substantially the same as that of the conventional example, that is, sucking and holding one micro ball in each suction hole 11 connected to a negative pressure source (not shown). That is.

【0028】なお、配列基板10は、図1に示すよう
に、例えばポリイミドからなるプラスチック板10aを
用い、プラスチック板10aの基板面(下側)に一定の
機械的強度を確保するための補強部材として、例えばS
US304ステンレス薄板10bを配設した構成となっ
ている。このようにプラスチック板10aをSUS30
4ステンレス薄板10bで補強することによって、配列
基板10の面積を大きくしても変形を最小限に抑えるこ
とが可能になる。また、微小ボール1は、補強部材であ
るSUS304ステンレス薄板10bに穿設された吸着
孔11bで吸着保持されるので、吸着孔11bの摩耗を
低減することができる。さらに、補強部材であるSUS
304ステンレス薄板10bの吸着孔11bの開口側
(下側)には、曲率部が設けられており、各吸着孔11
bには1つの微小ボール1を確実に吸着保持することが
できるようになっている。
As shown in FIG. 1, the array substrate 10 uses a plastic plate 10a made of, for example, polyimide, and a reinforcing member for securing a certain mechanical strength on the substrate surface (lower side) of the plastic plate 10a. As, for example, S
The configuration is such that a thin US304 stainless steel plate 10b is provided. Thus, the plastic plate 10a is SUS30
By reinforcing with the thin stainless steel plate 10b, deformation can be minimized even if the area of the array substrate 10 is increased. Further, since the minute balls 1 are sucked and held by the suction holes 11b formed in the SUS304 stainless steel thin plate 10b as the reinforcing member, wear of the suction holes 11b can be reduced. Furthermore, SUS which is a reinforcing member
A curved portion is provided on the opening side (lower side) of the suction hole 11b of the 304 stainless thin plate 10b.
One micro ball 1 can be surely held by suction at b.

【0029】次に、本発明に係る配列基板10が付設さ
れたバンプ形成装置で、ウエハ上の複数の半導体チップ
に一括でバンプを形成する動作について説明する。例え
ばバンプが形成される対象物であるウエハ4側におい
て、ウエハ上に複数の半導体チップ2を含んでおり、ま
た、半導体チップ2の電極3に対応した部分にフラック
スがあらかじめ塗布されているものとする。このような
ウエハに本発明を適用する場合、微小ボール1の被接合
部であるウエハ4上の半導体チップの電極を領域分割す
ることなく、配列基板10に配列担持された微小ボール
1を一括して接合する。
Next, the operation of forming bumps on a plurality of semiconductor chips on a wafer at once by the bump forming apparatus provided with the array substrate 10 according to the present invention will be described. For example, on the side of the wafer 4 on which the bumps are to be formed, a plurality of semiconductor chips 2 are included on the wafer, and a portion corresponding to the electrode 3 of the semiconductor chip 2 is coated with flux in advance. I do. When the present invention is applied to such a wafer, the micro-balls 1 arranged and carried on the array substrate 10 are collectively collected without dividing the electrodes of the semiconductor chips on the wafer 4 which is the parts to be joined of the micro-balls 1 without dividing the area. To join.

【0030】先ず、図5に示すボールピックアップステ
ージ100では、配列ヘッド300の配列基板10によ
って微小ボール1が吸着・保持される。この場合、配列
基板10では吸着孔11により、ウエハ4の全ての半導
体チップ2の電極3に対応する微小ボール1が吸着保持
される(図2参照)。ここで、配列基板10は図1に示
すように、プラスチック板10aをSUS304ステン
レス薄板10bで補強する構成となっているので、6イ
ンチのウエハ4に対応した大きさであっても、微小ボー
ル1を吸着保持するための負圧による変形を最小限に抑
えることができる。なお、配列基板10における微小ボ
ール1の吸着状態は、図示しない負圧発生源に接続され
た圧力センサによって確認することができる。この場
合、全ての半導体チップ2の電極3に対応する分の微小
ボール1を1度で確認することができる。
First, in the ball pickup stage 100 shown in FIG. 5, the minute balls 1 are sucked and held by the array substrate 10 of the array head 300. In this case, the micro-balls 1 corresponding to the electrodes 3 of all the semiconductor chips 2 on the wafer 4 are suction-held by the suction holes 11 in the array substrate 10 (see FIG. 2). Here, as shown in FIG. 1, the array substrate 10 has a configuration in which the plastic plate 10a is reinforced with the SUS304 stainless steel thin plate 10b. Can be minimized due to the negative pressure for suction holding. The suction state of the minute balls 1 on the array substrate 10 can be confirmed by a pressure sensor connected to a negative pressure source (not shown). In this case, the minute balls 1 corresponding to the electrodes 3 of all the semiconductor chips 2 can be confirmed at once.

【0031】次に、図5に示す配列ヘッド300は、駆
動機構400によって接合ステージ200まで移動され
る。この接合ステージ200では、所定位置に載置され
ているウエハ4に対して配列ヘッド300をアライメン
トして下降させ、配列基板10に保持されている微小ボ
ール1を半導体チップ2の電極3に接触させる。そし
て、負圧を解除し、逆に、瞬間的に圧縮エアーを供給し
て、吸着孔11の微小ボール1の保持を強制的に解除す
る。この場合にも、配列基板10は上述したように補強
されているので、この圧縮エアーの影響によって、配列
基板10の中央部が変形して凸部を生じることがなく、
ウエハ4の中央部に対する押圧が強くなってしまうこと
による、バンプ高さのばらつきを防ぐことができる。ま
た、電極3にはあらかじめフラックスが塗布されている
ので、配列基板10により適度に押圧し、これにより微
小ボール1を電極3に接合し、バンプ5を形成すること
ができる。
Next, the array head 300 shown in FIG. 5 is moved to the joining stage 200 by the driving mechanism 400. In the bonding stage 200, the arrangement head 300 is aligned with the wafer 4 placed at a predetermined position and lowered, and the micro balls 1 held on the arrangement substrate 10 are brought into contact with the electrodes 3 of the semiconductor chip 2. . Then, the negative pressure is released, and conversely, compressed air is momentarily supplied to forcibly release the holding of the minute balls 1 in the suction holes 11. Also in this case, since the array substrate 10 is reinforced as described above, the central portion of the array substrate 10 is not deformed by the influence of the compressed air to generate a convex portion.
Variations in bump height due to increased pressure on the center of the wafer 4 can be prevented. In addition, since the electrode 3 is coated with a flux in advance, the electrode 3 is appropriately pressed by the array substrate 10, whereby the micro-ball 1 is bonded to the electrode 3, and the bump 5 can be formed.

【0032】以上説明したように、本発明に係る配列基
板10が付設されたバンプ形成装置で、ウエハ上の複数
の半導体チップに一括でバンプを形成することが可能で
ある。なお、バンプが形成されたウエハ4は、リフロー
処理された後、図3(a)に示すようにダイシングソー
6で切断され、図3(b)に示すように基板へ表面実装
可能な半導体チップ2に単離される。
As described above, the bump forming apparatus provided with the array substrate 10 according to the present invention can form bumps on a plurality of semiconductor chips on a wafer at one time. The wafer 4 on which the bumps are formed is subjected to a reflow process, then cut by a dicing saw 6 as shown in FIG. 3A, and a semiconductor chip which can be surface-mounted on a substrate as shown in FIG. 3B. 2 isolated.

【0033】〔実施形態2〕次に、上記実施形態1で示
したプラスチック製微小ボール配列基板の製造方法の一
例について説明する。図4(a)〜(d)は、製造工程
を示す説明図である。まず、厚さ約1mmのプラスチッ
ク板10aにエキシマレーザのアブレーション加工を利
用して、半導体チップの電極に対応した所定位置に小径
の開口部11aを多数穿孔しておく。具体的には、エキ
シマレーザ発振機本体より出力されたレーザビームが所
定の形状の遮光用アパーチャマスクを経て、投光用レン
ズを介して、上記プラスチック板10aに照射されるこ
とにより、所定の形状の開口部11aが形成される。
[Second Embodiment] Next, an example of a method of manufacturing the plastic micro-ball array substrate shown in the first embodiment will be described. FIGS. 4A to 4D are explanatory views showing the manufacturing process. First, a large number of small-diameter openings 11a are perforated at predetermined positions corresponding to the electrodes of a semiconductor chip by using ablation of an excimer laser on a plastic plate 10a having a thickness of about 1 mm. Specifically, the laser beam output from the excimer laser oscillator main body passes through a light shielding aperture mask having a predetermined shape, and is irradiated onto the plastic plate 10a through a light projecting lens, so that the laser beam has a predetermined shape. Opening 11a is formed.

【0034】この際、使用されるプラスチック板10a
の材料として、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、
ポリカーボネイト等のアブレーションの容易なプラスチ
ックについては、その材料のままで、開口部の加工を行
うことが可能であり、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリアセタール、テフロン等のアブレーションによる加
工が困難又は不可能なプラスチックに対しては、アブレ
ーションを促進させるため、微細なカーボン粉等のエキ
シマレーザの波長を吸収し易い物質を混入することによ
り、開口部の加工を行うことができる。
At this time, the plastic plate 10a used
As materials of polyimide, polyester, epoxy,
For plastics such as polycarbonate that are easy to ablate, it is possible to process the opening as it is, using polyethylene, polypropylene,
For plastics that are difficult or impossible to process by ablation such as polyacetal and Teflon, a material that easily absorbs the wavelength of the excimer laser, such as fine carbon powder, is mixed to promote ablation. Processing can be performed.

【0035】次に、上記開口部11aの形成されたプラ
スチック板10aに、補強部材としてこのプラスチック
板10aとほぼ同じ大きさの、例えば厚さが25〜50
μmのSUS304ステンレス薄板10bを接着剤で貼
り合わせる。そして、SUS304ステンレス薄板10
bのプラスチック板10aと貼り合わせた面以外の面を
ラミネート等によってマスキング層13を形成する(図
4(a))。その後、エッチング液(塩化第2鉄など)
に浸けて、超音波でエッチング処理する(図4
(b))。このときエッチング処理を長めに行い、オー
バーエッチング状態とする。このようにエッチング液に
浸けてエッチング処理することにより、エッチング液は
プラスチック板10aに穿設された開口部11aに入り
込んで、この開口部11aに対応したSUS304ステ
ンレス薄板10bの部分に、曲率をもった開口部11b
を形成することができる(図4(c))。このようにし
てSUS304ステンレス薄板10bに開口部11bを
形成したら、洗浄してエッチング液やマスキング層13
を除去して、プラスチック製微小ボール配列基板が完成
する(図4(d))。
Next, as a reinforcing member, the plastic plate 10a in which the opening 11a is formed is substantially the same size as the plastic plate 10a, for example, a thickness of 25 to 50.
A thin SUS304 stainless steel plate 10b of μm is bonded with an adhesive. And SUS304 stainless steel sheet 10
A masking layer 13 is formed by laminating the surface other than the surface bonded to the plastic plate 10a of FIG. b (FIG. 4A). Then, an etchant (such as ferric chloride)
Immersed in water and etched with ultrasonic waves (Fig. 4
(B)). At this time, the etching process is performed for a longer time to bring the over-etching state. By immersing in the etching solution and performing the etching process, the etching solution enters the opening 11a formed in the plastic plate 10a, and the portion of the SUS304 stainless thin plate 10b corresponding to the opening 11a has a curvature. Opening 11b
Can be formed (FIG. 4C). After the opening 11b is formed in the SUS304 stainless steel thin plate 10b in this manner, the opening 11b is washed and the etching solution or the masking layer 13 is formed.
Is removed to complete a plastic micro-ball array substrate (FIG. 4D).

【0036】〔実施形態3〕次に、上記実施形態1で示
したプラスチック製微小ボール配列基板の他の製造方法
について説明する。まず、レーザ加工等によって、半導
体チップの電極に対応した所定位置に小径の開口部が多
数穿孔された厚さが25〜50μmの金属製補強部材を
用意する。そして、この金属製補強部材を厚さ約1mm
のプラスチック板に貼り合わせて、金属製補強部材側か
らエキシマレーザを照射する。このように金属製補強部
材側からエキシマレーザを照射することによって、金属
製補強部材がマスク材の役割を果たし、金属製補強部材
に穿孔された開口部のみエキシマレーザが通過する。開
口部を通過したエキシマレーザはプラスチック板に到達
し、プラスチック板をアブレーション加工して、開口部
を形成する。このような製造方法によって、プラスチッ
ク製微小ボール配列基板を製造することができる。
[Third Embodiment] Next, another method of manufacturing the plastic micro-ball array substrate shown in the first embodiment will be described. First, a metal reinforcing member having a thickness of 25 to 50 μm and a large number of small-diameter openings formed in predetermined positions corresponding to the electrodes of the semiconductor chip is prepared by laser processing or the like. Then, this metal reinforcing member is about 1 mm thick.
And excimer laser is irradiated from the side of the metal reinforcing member. By irradiating the excimer laser from the metal reinforcing member side in this way, the metal reinforcing member functions as a mask material, and the excimer laser passes only through the opening formed in the metal reinforcing member. The excimer laser that has passed through the opening reaches the plastic plate, and the plastic plate is ablated to form the opening. By such a manufacturing method, a plastic micro-ball array substrate can be manufactured.

【0037】[0037]

【発明の効果】請求項1及び2の発明によれば、上記プ
ラスチック製微小ボール配列基板は吸着孔の開口側の基
板面に金属製補強部材を有しているので、機械的強度や
耐摩耗性に優れている。これにより、該配列基板の変形
を低減させることができ、微小ボールの吸着保持不良や
バンプ高さのばらつきを防止することが可能になるとい
う優れた効果がある。また、上記吸着孔の摩耗を少なく
することができるので、長期間にわたって安定した品質
を保持し、メンテナンスコストを低減させることが可能
になるという優れた効果もある。
According to the first and second aspects of the present invention, the plastic micro-ball array substrate has a metal reinforcing member on the substrate surface on the opening side of the suction hole. Excellent in nature. Thereby, the deformation of the array substrate can be reduced, and there is an excellent effect that it is possible to prevent defective holding of small balls and unevenness in bump height. Further, since the abrasion of the suction hole can be reduced, there is an excellent effect that stable quality can be maintained for a long period of time and maintenance cost can be reduced.

【0038】特に、請求項2の発明によれば、上記金属
製補強部材の開口部は、開口側に広がる曲率を有するの
で、上記微小ボールの球面の一部と面で接触することが
可能となり、該微小ボールを確実に吸着保持することが
できるという優れた効果がある。
In particular, according to the second aspect of the present invention, since the opening of the metal reinforcing member has a curvature that spreads toward the opening, the opening can be in contact with a part of the spherical surface of the minute ball. In addition, there is an excellent effect that the minute ball can be surely sucked and held.

【0039】請求項3、及び、4の発明によれば、上記
プラスチック板の開口部から上記エッチング液が入り込
んで、上記金属製補強部材をエッチングして開口部を形
成する。これにより、該金属製補強部材で補強された機
械的強度に優れたプラスチック製微小ボール配列基板を
製造することが可能になるという優れた効果がある。
According to the third and fourth aspects of the invention, the etching liquid enters through the opening of the plastic plate, and the metal reinforcing member is etched to form the opening. Thereby, there is an excellent effect that it is possible to manufacture a plastic micro ball array substrate having excellent mechanical strength reinforced by the metal reinforcing member.

【0040】特に、請求項4の発明によれば、所定時間
上記エッチング処理を施すことにより、オーバーエッチ
ング状態となり、上記金属製補強部材に穿孔する開口部
に、開口側に広がる曲率部を形成することができるとい
う優れた効果がある。
In particular, according to the fourth aspect of the present invention, by performing the etching process for a predetermined time, an over-etched state is formed, and a curved portion extending toward the opening side is formed in the opening formed in the metal reinforcing member. There is an excellent effect that you can.

【0041】請求項5の発明によれば、上記金属製補強
部材に穿設された開口部を通過したレーザが上記プラス
チック板に開口部を形成する。これにより、金属製補強
部材で補強された機械的強度に優れたプラスチック製微
小ボール配列基板を製造することが可能になるという優
れた効果がある。
According to the fifth aspect of the present invention, the laser beam that has passed through the opening formed in the metal reinforcing member forms the opening in the plastic plate. Thereby, there is an excellent effect that it is possible to manufacture a plastic micro-ball array substrate having excellent mechanical strength reinforced by a metal reinforcing member.

【0042】請求項6の発明によれば、上記プラスチッ
ク製微小ボール配列基板によって配列担持した微小ボー
ルを、上記中間製造物のバンプ電極形成面に接合する。
これにより、該中間製造物のバンプ電極形成面に複数の
バンプ電極を一括形成することが可能になるという優れ
た効果がある。
According to the invention of claim 6, the micro balls arranged and carried by the plastic micro ball array substrate are joined to the bump electrode forming surface of the intermediate product.
Thereby, there is an excellent effect that a plurality of bump electrodes can be collectively formed on the bump electrode formation surface of the intermediate product.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のプラスチック製微小ボール配列基板の
実施形態を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a plastic micro-ball array substrate according to the present invention.

【図2】本発明の配列基板の例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of an array substrate according to the present invention.

【図3】(a)はダイシングソーでウエハを切断して半
導体チップを単離する様子を示す説明図。(b)は単離
した半導体チップの一例を示す説明図。
FIG. 3A is an explanatory view showing a state in which a semiconductor chip is isolated by cutting a wafer with a dicing saw. (B) is an explanatory view showing an example of an isolated semiconductor chip.

【図4】(a)〜(d)は、本発明のプラスチック製微
小ボール配列基板の製造工程を示す説明図。
4 (a) to 4 (d) are explanatory views showing steps for manufacturing a plastic micro-ball array substrate of the present invention.

【図5】バンプ形成装置の概略構成例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration example of a bump forming apparatus.

【図6】(a)〜(d)は、バンプ形成装置における主
要工程を順に示す図。
FIGS. 6A to 6D are diagrams sequentially showing main steps in a bump forming apparatus.

【図7】(a)は、従来の配列基板による微小ボールを
吸着保持する状態を示す断面図。(b)は、従来の配列
基板による微小ボールを基板に載置する状態を示す断面
図。
FIG. 7A is a cross-sectional view showing a state in which a minute ball is sucked and held by a conventional array substrate. (B) is sectional drawing which shows the state which mounts the micro ball by the conventional arrangement substrate on a board | substrate.

【図8】従来の配列基板の吸着孔の摩耗を示す断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view showing wear of suction holes of a conventional array substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 微小ボール 2 半導体チップ 3 電極 4 ウエハ 5 バンプ 6 ダイシングソー 10 配列基板 10a プラスチック板 10b SUS304ステンレス薄板 11 吸着孔 11a プラスチック板の吸着孔 11b SUS304ステンレス薄板の吸着孔 100 ボールピックアップステージ 200 接合ステージ 300 配列ヘッド 400 駆動機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Micro ball 2 Semiconductor chip 3 Electrode 4 Wafer 5 Bump 6 Dicing saw 10 Array substrate 10a Plastic plate 10b SUS304 stainless thin plate 11 Adsorption hole 11a Suction hole of plastic plate 11b SUS304 Stainless thin plate adsorption hole 100 Ball pickup stage 200 Joining stage 300 Array Head 400 drive mechanism

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導電性の微小ボールを吸着保持するための
多数の吸着孔を有するプラスチック製微小ボール配列基
板であって、上記吸着孔の開口側の基板面に、該吸着孔
に対応した開口部が穿設された金属製補強部材を有する
ことを特徴とするプラスチック製微小ボール配列基板。
1. A plastic micro-ball array substrate having a plurality of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls, wherein an opening corresponding to the suction holes is formed on a substrate surface on an opening side of the suction holes. What is claimed is: 1. A plastic micro-ball array substrate, comprising: a metal reinforcing member having a perforated portion.
【請求項2】請求項1のプラスチック製微小ボール配列
基板において、上記金属製補強部材の開口部は、開口側
に広がる曲率を有することを特徴とするプラスチック製
微小ボール配列基板。
2. The plastic micro-ball array substrate according to claim 1, wherein the opening of the metal reinforcing member has a curvature extending toward the opening side.
【請求項3】導電性の微小ボールを吸着保持するための
多数の吸着孔を有するプラスチック製微小ボール配列基
板の製造方法であって、プラスチック材料としてエキシ
マレーザにより加工可能なプラスチック板を用い、該プ
ラスチック板にエキシマレーザで所定位置に開口部を穿
孔した後に、金属製補強部材を貼り合わせ、該金属製補
強部材の該プラスチック板が貼り合わされた面以外の面
をマスキングし、エッチング液によりエッチング処理を
行い、該プラスチック板に穿孔された開口部に対応した
部分をエッチング処理して該金属製補強部材に開口部を
形成することを特徴とするプラスチック製微小ボール配
列基板の製造方法。
3. A method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate having a large number of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls, wherein a plastic plate which can be processed by an excimer laser is used as a plastic material. After perforating an opening at a predetermined position on a plastic plate with an excimer laser, a metal reinforcing member is bonded, a surface of the metal reinforcing member other than the surface where the plastic plate is bonded is masked, and an etching process is performed with an etching solution. And forming an opening in the metal reinforcing member by etching a portion corresponding to the opening formed in the plastic plate.
【請求項4】請求項3のプラスチック製微小ボール配列
基板の製造方法において、所定時間上記エッチング処理
を施すことにより、オーバーエッチング状態とすること
で、上記金属製補強部材に穿孔する開口部に、開口側に
広がる曲率部を形成することを特徴とするプラスチック
製微小ボール配列基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate according to claim 3, wherein the etching process is performed for a predetermined period of time to form an over-etched state. A method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate, comprising forming a curvature portion extending on an opening side.
【請求項5】導電性の微小ボールを吸着保持するための
多数の吸着孔を有するプラスチック製微小ボール配列基
板の製造方法であって、所定位置に開口部が穿設された
金属製補強部材を用い、該金属製補強部材をプラスチッ
ク板に貼り合わせ、該金属製補強部材側からレーザを照
射することで、該プラスチック板に該金属製補強部材に
穿設された開口部に対応した開口部を穿孔することを特
徴とするプラスチック製微小ボール配列基板の製造方
法。
5. A method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate having a large number of suction holes for sucking and holding conductive micro-balls, wherein a metal reinforcing member having an opening at a predetermined position is provided. Using, the metal reinforcing member is attached to a plastic plate, and by irradiating a laser from the metal reinforcing member side, an opening corresponding to the opening formed in the metal reinforcing member is formed on the plastic plate. A method for manufacturing a plastic micro-ball array substrate, characterized by perforating.
【請求項6】プラスチック製微小ボール配列基板に配列
担持した導電性の微小ボールを、複数の部品に分割され
る前の中間製造物のバンプ電極形成面に転写して、複数
のバンプ電極を一括形成するバンプ電極形成方法であっ
て、上記複数のバンプ電極に対応する吸着孔を介して上
記プラスチック製微小ボール配列基板により微小ボール
を配列担持する工程と、上記中間製造物のバンプ電極形
成面と上記プラスチック製微小ボール配列基板に配列担
持されている上記微小ボールとを接合する工程と、を含
むことを特徴とするバンプ電極形成方法。
6. A method according to claim 6, wherein the conductive micro balls arranged and carried on the plastic micro ball array substrate are transferred to a bump electrode forming surface of an intermediate product before being divided into a plurality of parts, and the plurality of bump electrodes are collectively transferred. A method of forming a bump electrode, comprising: arranging and carrying micro balls by the plastic micro ball array substrate through suction holes corresponding to the plurality of bump electrodes; and forming a bump electrode forming surface of the intermediate product. Bonding the micro balls arranged and carried on the plastic micro ball array substrate.
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CN104244594A (en) * 2014-09-01 2014-12-24 苏州米达思精密电子有限公司 Method for manufacturing regularly-arranged rectangular indentation reinforcing pieces

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CN104244594A (en) * 2014-09-01 2014-12-24 苏州米达思精密电子有限公司 Method for manufacturing regularly-arranged rectangular indentation reinforcing pieces

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