JP2000323388A - Method and device for alignment - Google Patents

Method and device for alignment

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JP2000323388A
JP2000323388A JP11130162A JP13016299A JP2000323388A JP 2000323388 A JP2000323388 A JP 2000323388A JP 11130162 A JP11130162 A JP 11130162A JP 13016299 A JP13016299 A JP 13016299A JP 2000323388 A JP2000323388 A JP 2000323388A
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stage
wafer
alignment
substrate
aligning
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JP11130162A
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Shigeo Kobayashi
重夫 小林
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow alignment of high precision and efficiency with on limit on a substrate, by considering at a first stage a dislocation information acquired by carrying the substrate to a second stage for alignment for the next alignment. SOLUTION: A wafer is carried from a carrier to a pre-alignment stage (S11), for judging whether it is a second wafer or later (S12). With θ drive amount for a first wafer being set (S13), the set drive amount is included for consideration in a rotation position which is detected from an orientation flat or notch, and the second wafer or later is pre-aligned (S14) for precision alignment (S15). A stage for precision alignment is driven to one below a reduction projection lens, and an electronic circuit pattern of a reticle is transferred to the wafer (S16). All specified wafers are judged to be processed or not (S17). If no step is carried out, the process goes back to a step S11 and wafer process is finished for process completion.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
製造用の露光装置において、マスクやレチクルの電子回
路パターンに対して基板を位置合わせする位置合わせ方
法及び位置合わせ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning method and a positioning apparatus for aligning a substrate with an electronic circuit pattern of a mask or a reticle, for example, in an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、露光装置であるステッパは、シリ
コン製の集積回路用の基板であるウエハにマスクやレク
チルの電子回路パターンを露光して焼き付ける、即ち転
写するようになっている。ウエハから高集積度の回路を
有する半導体素子を製造するためには、ウエハをマスク
やレクチルの電子回路パターンに対して高精度にアライ
メントすることが重要になっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a stepper, which is an exposure apparatus, exposes a mask or a reticle electronic circuit pattern onto a wafer, which is a substrate for a silicon integrated circuit, and prints, that is, transfers the pattern. In order to manufacture a semiconductor device having a highly integrated circuit from a wafer, it is important to align the wafer with a mask or a reticle electronic circuit pattern with high accuracy.

【0003】図4は従来のウエハ処理工程のフローチャ
ート図を示し、ステップS1ではウエハをキャリアから
予備アライメント用ステージに搬送する。ステップS2
では、ウエハに設けてあるオリエンテーションフラツト
又はノッチを検出し、予備アライメント用ステージを回
転駆動してウエハを所定位置に予備アライメントする。
ステップS3ではウエハを予備アライメント用ステージ
から顕微鏡の下方に位置するXYθ駆動用ステージに搬
送する。そして、ウエハに設けてあるターゲットの位置
ずれを顕微鏡を介して計測し、XYθ駆動用ステージを
駆動してウエハを精密アライメントする。ステップS4
ではXYθ駆動用ステージを縮小投影レンズの下方に駆
動し、マスク又はレクチルの電子回路パターンをウエハ
に転写する。そして、ステップS5では所定数のウエハ
を処理したか否かを判断し、所定数のウエハを処理して
いない場合にはステップS1に戻り、所定数のウエハを
処理したときはウエハの処理を終了する。
FIG. 4 is a flowchart of a conventional wafer processing step. In step S1, a wafer is transferred from a carrier to a preliminary alignment stage. Step S2
Then, the orientation flat or notch provided on the wafer is detected, and the pre-alignment stage is rotated to pre-align the wafer at a predetermined position.
In step S3, the wafer is transferred from the preliminary alignment stage to the XYθ driving stage located below the microscope. Then, the displacement of the target provided on the wafer is measured through a microscope, and the XYθ driving stage is driven to precisely align the wafer. Step S4
Then, the XYθ driving stage is driven below the reduction projection lens to transfer the mask or reticle electronic circuit pattern onto the wafer. In step S5, it is determined whether or not a predetermined number of wafers have been processed. If the predetermined number of wafers have not been processed, the process returns to step S1, and if the predetermined number of wafers have been processed, the processing of the wafer ends. I do.

【0004】なお、複数のウエハを並行処理する場合に
は、矢印C1で示すようにステップS3において先のウ
エハを処理した段階で、次のウエハの処理を開始する。
そして、ステップS4において先のウエハを処理した時
点では、ステップS2における次のウエハの処理を終了
する。
When a plurality of wafers are processed in parallel, the processing of the next wafer is started at the stage where the previous wafer has been processed in step S3 as shown by arrow C1.
When the previous wafer has been processed in step S4, the processing of the next wafer in step S2 ends.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、ステッパの予備
アライメントの精度が向上している上に、ステッパ間の
精度のばらつきを抑制する調整も進んでいるため、XY
θ駆動用ステージのθ駆動量を大きくする必要がなくな
っている。また、XYθ駆動用ステージをθ方向に駆動
する際のシフト成分が精密アライメントの精度を悪化さ
せるため、θ駆動量を小さくすることが好ましくなって
いる。更に、XYθ駆動用ステージの小型軽量化、高能
率化、高精度化等のためにも、θ駆動量を小さくするこ
とが望まれている。
In recent years, the accuracy of preliminary alignment of steppers has been improved, and adjustments for suppressing variations in accuracy between steppers have been advanced.
It is no longer necessary to increase the θ drive amount of the θ drive stage. Also, since the shift component when driving the XYθ driving stage in the θ direction deteriorates the precision of the precision alignment, it is preferable to reduce the θ driving amount. Further, in order to reduce the size and weight of the XYθ drive stage, increase the efficiency, and increase the accuracy, it is desired to reduce the θ drive amount.

【0006】しかしながら、θ駆動量を小さくした場合
には、精度のばらつきを抑制する調整が進んでいるステ
ッパ間では問題ないが、他のステッパにおいて電子回路
パターンを大きく回転して転写したウエハを処理するス
テッパでは、電子回路パターンの回転量がθ駆動の範囲
を超過してしまい、ウエハの精密アライメントが不可能
になるばかりか、ウエハの処理能力も低下するという問
題がある。
However, when the θ drive amount is reduced, there is no problem between the steppers in which the adjustment for suppressing the variation in accuracy is advanced, but the wafer on which the electronic circuit pattern is largely rotated and transferred in another stepper is processed. In such a stepper, the rotation amount of the electronic circuit pattern exceeds the range of the θ drive, so that not only the precise alignment of the wafer becomes impossible, but also the processing capability of the wafer is reduced.

【0007】また、予備アライメントの終了後にウエハ
をXYθ駆動用ステージに搬送する際には、常に一定の
回転ずれ量が発生する。このずれ量は工程が進み熱処理
によるウエハの変形に起因して発生するずれ量であり同
一ロット内では安定しており、ロット内では常に一定の
ずれ量をもってXYθ駆動用ステージに搬送されること
になる。つまり、このことはロット毎に異なるオフセッ
トをもって精密アライメントを行っているということで
あり、アライメント精度の安定性を妨げる要因となって
いる。
Further, when the wafer is transferred to the XYθ driving stage after the completion of the pre-alignment, a constant rotational deviation always occurs. This shift amount is a shift amount generated due to the deformation of the wafer due to the progress of the heat treatment and is stable within the same lot, and is always transferred to the XYθ driving stage with a constant shift amount within the lot. Become. In other words, this means that precision alignment is performed with different offsets for each lot, which is a factor that hinders the stability of alignment accuracy.

【0008】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
基板を制限することなく高精度かつ高能率で位置合わせ
し得る位置合わせ方法及び位置合わせ装置を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
It is an object of the present invention to provide a positioning method and a positioning device capable of performing positioning with high accuracy and high efficiency without limiting a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第1の発明に係る位置合わせ方法は、基板を第1のス
テージで位置合わせし、その後に第2のステージに搬送
して位置ずれ情報を求め、前記第1のステージにおいて
次の基板を位置合わせする際に前記位置ずれ情報を加味
することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an alignment method for aligning a substrate on a first stage, and then transporting the substrate to a second stage to shift the position. Information is obtained, and the position shift information is taken into account when positioning the next substrate in the first stage.

【0010】第2の発明に係る位置合わせ装置は、ウエ
ハを第1のステージでプリアライメントし、その後に第
2のステージに搬送して位置ずれに関する補正値を求
め、前記第1のステージにおいて次のウエハをプリアラ
イメントする際に前記補正値を加味することを特徴とす
る。
[0010] In a positioning apparatus according to a second aspect of the present invention, the wafer is pre-aligned on a first stage, and then transferred to a second stage to obtain a correction value relating to a positional deviation. When pre-aligning the wafer, the correction value is taken into account.

【0011】第3の発明に係る位置合わせ装置は、基板
を一時的に位置合わせする第1のステージと、該第1の
ステージからの前記基板を二次的に位置合わせする第2
のステージと、前記第1のステージ及び第2のステージ
を制御すると共に前記第2のステージにおける前記基板
の位置ずれ情報を得る手段とを有し、前記第1のステー
ジにおいて次の基板を位置合わせする際に前記位置ずれ
情報を加味することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an alignment apparatus, comprising: a first stage for temporarily aligning a substrate; and a second stage for secondly aligning the substrate from the first stage.
And a means for controlling the first stage and the second stage and obtaining positional displacement information of the substrate in the second stage, and aligning the next substrate in the first stage. In doing so, the position shift information is taken into account.

【0012】第4の発明に係る位置合わせ装置は、ウエ
ハをプリアライメントする第1のステージと、該第1の
ステージからの前記ウエハをアライメントする第2のス
テージと、前記第1のステージ及び第2のステージを制
御すると共に前記第2のステージにおける前記ウエハの
位置ずれに関する補正値を演算する制御演算装置とを有
し、前記第1のステージにおいて次のウエハを位置合わ
せする際に前記補正値を加味することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an alignment apparatus comprising: a first stage for pre-aligning a wafer; a second stage for aligning the wafer from the first stage; A control operation device for controlling the second stage and calculating a correction value relating to the positional deviation of the wafer in the second stage, wherein the correction value is used when the next wafer is aligned in the first stage. Is added.

【0013】第5の発明に係る位置合わせ装置は、第3
又は第4の何れかの発明において、前記第2のステージ
の作動範囲を限定したことを特徴とする。
The positioning device according to a fifth aspect of the present invention provides
Alternatively, in any of the fourth inventions, the operation range of the second stage is limited.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明を図1〜図3に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図1は例えば半導体素子
製造用のステッパの構成図であり、半導体基板であるウ
エハWを回転して予備的にアライメントする予備アライ
メント用ステージ1と、ウエハWをXYθ方向に駆動し
て精密にアライメントする精密アライメント用ステージ
2とが並設されている。精密アライメント用ステージ2
の上方には、観察用の顕微鏡3を備えウエハWの位置を
検出する位置検出手段4が設置され、顕微鏡3の側方に
は例えばレクチル5の電子回路パターンをウエハWに縮
小投影する縮小投影レンズ6が配置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in FIGS. FIG. 1 is a configuration diagram of, for example, a stepper for manufacturing a semiconductor element. A pre-alignment stage 1 for rotating and preliminarily aligning a wafer W as a semiconductor substrate, and precisely aligning the wafer W by driving the wafer W in XYθ directions. The precision alignment stage 2 is arranged in parallel. Precision alignment stage 2
Above the microscope 3, a position detecting means 4 provided with an observation microscope 3 for detecting the position of the wafer W is provided. On the side of the microscope 3, for example, an electronic circuit pattern of a reticle 5 is reduced and projected on the wafer W. A lens 6 is arranged.

【0015】予備アライメント用ステージ1、精密アラ
イメント用ステージ2及び位置検出手段4は、モニタ7
を備えた制御演算手段8に電気的に接続されている。制
御演算手段8は位置検出手段4が検出した信号に基づい
て、予備アライメント用ステージ1と精密アライメント
用ステージ2を制御すると共に、精密アライメント用ス
テージ2上のウエハWの位置ずれに対する補正値を演算
し、予備アライメント用ステージ1にフィードバックす
るようになっている。更に、制御演算手段8の出力は、
ウエハWを予備アライメント用ステージ1から精密アラ
イメント用ステージ2に搬送するハンド等の搬送手段9
に接続されている。
The pre-alignment stage 1, the precision alignment stage 2 and the position detecting means 4
Is electrically connected to the control calculation means 8 having The control calculation means 8 controls the preliminary alignment stage 1 and the precision alignment stage 2 based on the signal detected by the position detection means 4 and calculates a correction value for the positional deviation of the wafer W on the precision alignment stage 2. Then, feedback is provided to the pre-alignment stage 1. Further, the output of the control calculation means 8 is:
Transfer means 9 such as a hand for transferring wafer W from preliminary alignment stage 1 to precision alignment stage 2
It is connected to the.

【0016】図2の斜視図に示すように、精密アライメ
ント用ステージ2ではステージ本体11が回動自在に設
けられ、ステージ本体11の上面には、ウエハWを吸着
保持すると共にフォーカス動作を行うウエハチャック1
2が上下動自在に設けられている。また、ステージ本体
11にはウエハ受取用チャック13が、ウエハチャック
12を貫通するように設けられている。ウエハ受取用チ
ャック13はウエハWを吸着保持するようになってお
り、駆動系を有することなくステージ本体11に固定さ
れ、簡素化と軽量化が図られている。
As shown in the perspective view of FIG. 2, a stage main body 11 is rotatably provided on the precision alignment stage 2, and the upper surface of the stage main body 11 holds a wafer W by suction and performs a focus operation. Chuck 1
2 is provided movably up and down. Further, a wafer receiving chuck 13 is provided on the stage body 11 so as to penetrate the wafer chuck 12. The wafer receiving chuck 13 holds the wafer W by suction, and is fixed to the stage main body 11 without a driving system, thereby achieving simplification and weight reduction.

【0017】なお、図示は省略しているが、ウエハWを
キャリアから予備アライメント用ステージ1に搬送する
ハンド等の搬送手段、予備アライメント用ステージ1を
駆動する駆動手段、精密アライメント用ステージ2の駆
動制御に用いるバーミラー、ウエハチャック12とウエ
ハ受取用チャック13に吸着力を付与する真空手段、ウ
エハチャック12を上下方向に駆動する上下動手段等が
設けられており、レーザー干渉計でバーミラーの位置を
検出し、ステージ本体11とウエハチャック12をθ方
向に一体駆動するようになっている。
Although not shown, transfer means such as a hand for transferring the wafer W from the carrier to the preliminary alignment stage 1, driving means for driving the preliminary alignment stage 1, and driving of the precision alignment stage 2 A bar mirror used for control, a vacuum means for applying a suction force to the wafer chuck 12 and the wafer receiving chuck 13, a vertical movement means for driving the wafer chuck 12 in the vertical direction, and the like are provided. Upon detection, the stage main body 11 and the wafer chuck 12 are driven integrally in the θ direction.

【0018】図3はウエハ処理工程のフローチャート図
であり、ステップS11ではウエハWをキャリアから予
備アライメント用ステージ1に搬送する。ステップS1
2ではウエハWが2枚目以降であるか否かを判断する。
ウエハWが2枚目以降である場合はステップS13に進
み、ウエハWが1枚目であるときはステップS13を介
することなくステップS14に進む。ステップS14で
はウエハWに予め設けてある直線状のオリエンテーショ
ンフラット又は扇状のノッチを検出し、予備アライメン
ト用ステージ1を回転駆動してウエハWを所定位置に予
備アライメントする。
FIG. 3 is a flowchart of the wafer processing step. In step S11, the wafer W is transferred from the carrier to the pre-alignment stage 1. Step S1
In 2, it is determined whether or not the wafer W is the second wafer or later.
If the wafer W is the second wafer or later, the process proceeds to step S13. If the wafer W is the first wafer, the process proceeds to step S14 without going through step S13. In step S14, a linear orientation flat or a fan-shaped notch provided in advance on the wafer W is detected, and the preliminary alignment stage 1 is rotated to preliminarily align the wafer W at a predetermined position.

【0019】ステップ15では、予備アライメントした
ウエハWを予備アライメント用ステージ1から精密アラ
イメント用ステージ2に搬送する。このとき、ウエハチ
ャック12を下方に駆動し、ウエハ受取用チャック13
をウエハチャック12よりも高く位置付ける。次に、ウ
エハWを搬送手段9からウエハ受取用チャック13によ
り受け取った後に、搬送手段9を退避させる。そして、
ウエハチャック12を上方に駆動し、ウエハWをウエハ
受取用チャック13からウエハチャック12に持ち代え
る。
In step 15, the pre-aligned wafer W is transferred from the pre-alignment stage 1 to the precision alignment stage 2. At this time, the wafer chuck 12 is driven downward, and the wafer receiving chuck 13 is driven.
Is positioned higher than the wafer chuck 12. Next, after the wafer W is received from the transfer means 9 by the wafer receiving chuck 13, the transfer means 9 is retracted. And
The wafer chuck 12 is driven upward to transfer the wafer W from the wafer receiving chuck 13 to the wafer chuck 12.

【0020】ウエハWをウエハチャック12により保持
した状態で、ウエハWに予め設けてあるターゲットを顕
微鏡3の観察視野内に位置させるように精密アライメン
ト用ステージ2を駆動する。次に、ウエハWのターゲッ
トの位置ずれを顕微鏡3を介して計測し、ステージ本体
11とウエハチャック12をθ方向に一体に回転駆動し
てウエハWを精密アライメントする。そして、θ駆動量
を制御演算手段9に記憶する。
With the wafer W held by the wafer chuck 12, the precision alignment stage 2 is driven so that a target provided in advance on the wafer W is positioned within the observation field of the microscope 3. Next, the displacement of the target of the wafer W is measured through the microscope 3, and the stage main body 11 and the wafer chuck 12 are integrally rotated and driven in the θ direction to precisely align the wafer W. Then, the θ drive amount is stored in the control calculation means 9.

【0021】一方、ステップ13では1枚目のウエハW
のθ駆動量を設定し、ステップ14ではオリエンテーシ
ョンフラット又はノッチから検出した回転位置に、ステ
ップS13で設定したθ駆動量を加味し、2枚目以降の
ウエハWを予備アライメントする。そして、ステップS
15では上述したようにウエハWを精密アライメントす
る。
On the other hand, in step 13, the first wafer W
Is set, and in step 14, the second and subsequent wafers W are pre-aligned, taking into account the θ drive amount set in step S13, to the rotational position detected from the orientation flat or the notch. And step S
At 15, the wafer W is precisely aligned as described above.

【0022】また、ステップ14において、ステップ1
3で求めた1枚目のウエハWのθ駆動量を予備アライメ
ントのオフセットとして与えておき、その後にオリエン
テーションフラット又はノッチを用いて2枚目以降のウ
エハWを予備アライメントし、ステップS15でウエハ
Wを精密アライメントする、という方法を採用してもよ
い。
In step 14, step 1
The θ drive amount of the first wafer W obtained in step 3 is given as an offset for preliminary alignment, and then the second and subsequent wafers W are pre-aligned using an orientation flat or a notch. May be employed.

【0023】ステップS16では、精密アライメント用
ステージ2を縮小投影レンズ6の下方に駆動し、レクチ
ル5の電子回路パターンをウエハWに転写する。ステッ
プS17では指定した全てのウエハWを処理したか否か
を判断し、全てのウエハWを処理していない場合にはス
テップS11に戻り、全てのウエハWを処理したときは
ウエハWの処理を終了する。
In step S16, the precision alignment stage 2 is driven below the reduction projection lens 6 to transfer the electronic circuit pattern of the reticle 5 onto the wafer W. In step S17, it is determined whether all the specified wafers W have been processed. If not all the wafers W have been processed, the process returns to step S11. If all the wafers W have been processed, the processing of the wafer W is performed. finish.

【0024】なお、ウエハWを並行処理するためには、
矢印C2で示すようにステップS15において、先のウ
エハWを処理した時点で次のウエハWの処理を開始す
る。そして、ステップS16において先のウエハWを処
理した時点で、ステップS14における次のウエハWの
処理を終了する。
In order to process wafers W in parallel,
As shown by arrow C2, in step S15, when the previous wafer W has been processed, the processing of the next wafer W is started. When the previous wafer W has been processed in step S16, the processing of the next wafer W in step S14 ends.

【0025】一般に、ウエハWの電子回路パターンの回
転量は同一ロット内では同じ傾向にあり、ロット内での
電子回路パターンの回転量のばらつきは少ないので、上
述の実施例で説明したように予備アライメントする際に
θ駆動量を加味すれば、電子回路パターンの回転量が大
きい場合でも、精密アライメント用ステージ2の回転量
を少なくすることが可能となる。
In general, the amount of rotation of the electronic circuit pattern on the wafer W has the same tendency in the same lot, and the variation in the amount of rotation of the electronic circuit pattern in the lot is small. When the θ drive amount is taken into account during the alignment, the rotation amount of the precision alignment stage 2 can be reduced even when the rotation amount of the electronic circuit pattern is large.

【0026】また、ウエハの変形が起因してロット毎に
発生する回転ずれ量も、実施例で説明したように予備ア
ライメントする際にθ駆動量に加味されるので、ロット
内でのアライメント精度のばらつきを押さえることが可
能となる。
Further, since the amount of rotation deviation generated for each lot due to the deformation of the wafer is added to the θ drive amount at the time of preliminary alignment as described in the embodiment, the alignment accuracy within the lot is reduced. Variation can be suppressed.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る位置合
わせ方法及び位置合わせ装置は、第1のステージにおい
て次の基板を位置合わせする際に第2のステージにおけ
る位置ずれに関する補正値を加味するので、基板のパタ
ーンの回転量が大きい場合でも、第2のステージの回転
量を少なくすることができ、基板を制限することなく高
精度かつ高能率で位置合わせできる。
As described above, the positioning method and the positioning apparatus according to the present invention take into account the correction value relating to the displacement in the second stage when the next substrate is positioned in the first stage. Therefore, even when the amount of rotation of the pattern on the substrate is large, the amount of rotation of the second stage can be reduced, and positioning can be performed with high accuracy and high efficiency without limiting the substrate.

【0028】また、高能率で位置合わせできると共に、
ロット間でのアライメント精度のばらつきをなくし、常
に安定した高精度な位置合わせが実現できる。
Further, the alignment can be performed with high efficiency.
Eliminating variations in alignment accuracy between lots, it is possible to always achieve stable and accurate alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ステッパの構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a stepper.

【図2】精密アライメント用ステージの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a precision alignment stage.

【図3】ウエハ処理工程のフローチャート図である。FIG. 3 is a flowchart of a wafer processing step.

【図4】従来例のウエハ処理工程のフローチャート図で
ある。
FIG. 4 is a flowchart of a conventional wafer processing step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 予備アライメント用ステージ 2 精密アライメント用ステージ 3 顕微鏡 4 位置検出手段 5 レクチル 6 縮小投影レンズ 7 モニタ 8 制御演算手段 9 搬送手段 W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Preliminary alignment stage 2 Precision alignment stage 3 Microscope 4 Position detection means 5 Reticle 6 Reduction projection lens 7 Monitor 8 Control calculation means 9 Transport means W Wafer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を第1のステージで位置合わせし、
その後に第2のステージに搬送して位置ずれ情報を求
め、前記第1のステージにおいて次の基板を位置合わせ
する際に前記位置ずれ情報を加味することを特徴とする
位置合わせ方法。
Claims: 1. A substrate is positioned on a first stage,
Thereafter, the substrate is conveyed to a second stage to obtain positional deviation information, and the positional deviation information is taken into account when positioning the next substrate in the first stage.
【請求項2】 ウエハを第1のステージでプリアライメ
ントし、その後に第2のステージに搬送して位置ずれに
関する補正値を求め、前記第1のステージにおいて次の
ウエハをプリアライメントする際に前記補正値を加味す
ることを特徴とする位置合わせ装置。
2. A pre-alignment of a wafer on a first stage, and thereafter, a transfer to a second stage to obtain a correction value relating to a positional shift, wherein the pre-alignment of a next wafer in the first stage is performed. A positioning device characterized by taking into account a correction value.
【請求項3】 基板を一時的に位置合わせする第1のス
テージと、該第1のステージからの前記基板を二次的に
位置合わせする第2のステージと、前記第1のステージ
及び第2のステージを制御すると共に前記第2のステー
ジにおける前記基板の位置ずれ情報を得る手段とを有
し、前記第1のステージにおいて次の基板を位置合わせ
する際に前記位置ずれ情報を加味することを特徴とする
位置合わせ装置。
3. A first stage for temporarily aligning the substrate, a second stage for secondly aligning the substrate from the first stage, the first stage and the second stage. Means for controlling the stage and obtaining positional deviation information of the substrate in the second stage, and taking into account the positional deviation information when positioning the next substrate in the first stage. Characteristic alignment device.
【請求項4】 ウエハをプリアライメントする第1のス
テージと、該第1のステージからの前記ウエハをアライ
メントする第2のステージと、前記第1のステージ及び
第2のステージを制御すると共に前記第2のステージに
おける前記ウエハの位置ずれに関する補正値を演算する
制御演算装置とを有し、前記第1のステージにおいて次
のウエハを位置合わせする際に前記補正値を加味するこ
とを特徴とする位置合わせ装置。
4. A first stage for pre-aligning a wafer, a second stage for aligning the wafer from the first stage, and controlling the first and second stages and controlling the first and second stages. A control operation device for calculating a correction value relating to the positional deviation of the wafer in the second stage, wherein the correction value is taken into account when aligning the next wafer in the first stage. Matching device.
【請求項5】 前記第2のステージの作動範囲を限定し
た請求項3又は請求項4に記載の位置合わせ装置。
5. The positioning apparatus according to claim 3, wherein an operation range of the second stage is limited.
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