JP2000323086A - Focused ion beam device - Google Patents

Focused ion beam device

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JP2000323086A
JP2000323086A JP11133570A JP13357099A JP2000323086A JP 2000323086 A JP2000323086 A JP 2000323086A JP 11133570 A JP11133570 A JP 11133570A JP 13357099 A JP13357099 A JP 13357099A JP 2000323086 A JP2000323086 A JP 2000323086A
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JP
Japan
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gas
ion beam
valve
gasification material
target
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JP11133570A
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Japanese (ja)
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Yoshihiro Sakagami
好弘 坂上
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Jeol Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent adhesion of a gasification material onto a gas supply control valve. SOLUTION: This focused ion beam device has a heater 12 within a gas supply control valve 9. When supplying a sublimated gasification material onto a target 3, the gas supply control valve 9 is moved to the opposite target direction to connect a gasification material storage part 6 and a gas inlet pipe 7. When stopping the supply of the gasification material, the gas supply control valve 9 is moved toward the target 3 to shut off the gasification material storage part 6 and the gas inlet pipe 7. In either case, the heater 12 continuously directly heats the valve 9. Accordingly, even if a portion of the sublimated gasification material collides with the valve 9, the heating of the valve 9 prevents adhesion of the sublimated gasification material onto a surface of the valve 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、ターゲットチャンバー
内にガスを供給する機構を備えた集束イオンビーム装置
に関する。
The present invention relates to a focused ion beam apparatus provided with a mechanism for supplying a gas into a target chamber.

【0002】[0002]

【従来の技術】イオン源からのイオンビームをターゲッ
ト上で集束して照射する集束イオンビーム装置の中に、
ターゲットのエッチングやデポジション等を行う為に、
ターゲットのイオンビーム照射点に適宜なガスを吹き付
ける為のガス導入機構を備えたものがある。
2. Description of the Related Art In a focused ion beam apparatus for focusing and irradiating an ion beam from an ion source on a target,
In order to perform target etching or deposition,
Some include a gas introduction mechanism for blowing an appropriate gas to an ion beam irradiation point of a target.

【0003】図1,2はこの様なガス導入機構を備えた
集束イオンビーム装置の概略を示したものである。図中
1は集束イオンビーム光学系鏡筒で、内部には、イオン
源、イオン源からのイオンビームをターゲット上で集束
させるための集束レンズ、該イオンビームのターゲット
上での照射位置をコントロールするための偏向器、該イ
オンビームのターゲツト方向への照射/非照射(オン/
オフ)を行うためのブランキング機構等が設けられてい
る。
FIGS. 1 and 2 schematically show a focused ion beam apparatus provided with such a gas introduction mechanism. In the figure, reference numeral 1 denotes a focused ion beam optical system barrel, in which an ion source, a focusing lens for focusing an ion beam from the ion source on a target, and an irradiation position of the ion beam on the target are controlled. Deflector for irradiating / non-irradiating (on / off) the ion beam in the target direction
OFF) is provided.

【0004】図中2は前記集束イオンビーム光学系1を
載置しているターゲットチャンバーで、内部に、ターゲ
ット3を載置したステージ4及びガス導入機構5が設け
られている。
[0004] In the figure, reference numeral 2 denotes a target chamber in which the focused ion beam optical system 1 is mounted. Inside the target chamber, a stage 4 on which a target 3 is mounted and a gas introducing mechanism 5 are provided.

【0005】該ガス導入機構5はチャンバー2の上部壁
に取り付けられ、二重管構造になっており、外側の管が
ガス化するための材料(ガス化材料と称す)を収納する
ためのガス化材料収納部6に成っており、内側の管、即
ち、中心軸O上の管がガス導入管7となっている。この
ガス導入管そのまま前記二重管構造の部材からターゲッ
ト側に延びており、先端部がノズル状になっている。前
記ガス化材料収納部6とガス導入管7とは上部空間部8
で繋がっており、この空間部に、中心軸Oに沿って移動
するガス供給コントロール用バルブ9が設けられてい
る。10は該バルブの移動を制御するアクチュエータで
ある。前記二重管構造部材及びガス導入管が延びた単管
部の外側には加熱用ヒータ11が設けられている。
The gas introducing mechanism 5 is attached to the upper wall of the chamber 2 and has a double-pipe structure. The outer pipe contains a gas for storing a gasification material (referred to as a gasification material). The inner tube, that is, the tube on the central axis O is the gas introduction tube 7. The gas introduction pipe extends from the member having the double pipe structure to the target side as it is, and has a nozzle-like tip. The gasification material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 are connected to an upper space section 8.
The gas supply control valve 9 that moves along the central axis O is provided in this space. An actuator 10 controls the movement of the valve. A heating heater 11 is provided outside the single pipe portion where the double pipe structural member and the gas introduction pipe extend.

【0006】この様な集束イオンビーム装置において、
例えば、デポジションを行う場合、外部からの指令に基
づいてアクチュエータ10を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ9をターゲット方向に移動させガス化材
料収納部6とガス導入管7との間を遮断した状態(図
1)にしておき、排気手段(図示せず)によりターゲッ
トチャンバー2内を所定の真空度にした後、加熱用ヒー
タ11をオンの状態にしてガス化材料収納部6に収容さ
れたガス化材料(例えば、デポジション等の場合には、
有機金属)を加熱し昇華(ガス化)させる。この時、外
部からの指令に基づいてアクチュエータ10を作動さ
せ、前記ガス供給コントロール用バルブ9を反ターゲッ
ト方向に移動させガス化材料収納部6とガス導入管7と
の間を連通した状態(図2)する。この結果、前記収納
部6で昇華したガス化材料はガス導入管7を通り、その
先端のノズル部からターゲット3上に向け吹き出され
る。このガス化材料の材料上への噴射と共に、集束イオ
ンビーム光学系鏡筒1のイオン源(図示せず)からの集
束イオンビームをターゲット上の所定の位置に照射する
ことにより、その位置にガス化材料が堆積する。尚、ガ
ス化材料収納部6からガス導入管7へのガス化材料供給
をストップさせる時には、アクチュエータ10を作動さ
せ、ガス供給コントロール用バルブ9をターゲット方向
に移動させガス化材料収納部6とガス導入管7との間を
遮断した状態(図1)にする。
In such a focused ion beam apparatus,
For example, when deposition is performed, the actuator 10 is operated based on an external command, the gas supply control valve 9 is moved in the target direction, and the space between the gasification material storage unit 6 and the gas introduction pipe 7 is shut off. After the inside of the target chamber 2 was evacuated (not shown) to a predetermined degree of vacuum by the exhaust means (not shown), the heating heater 11 was turned on and stored in the gasified material storage section 6. Gasification materials (for example, in the case of deposition, etc.,
The organic metal) is heated and sublimated (gasified). At this time, the actuator 10 is actuated based on a command from the outside, and the gas supply control valve 9 is moved in the direction opposite to the target to establish communication between the gasification material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 (FIG. 2) Do it. As a result, the gasified material sublimated in the storage section 6 passes through the gas introduction pipe 7 and is blown out onto the target 3 from the nozzle section at the tip thereof. Along with the injection of the gasified material onto the material, a focused ion beam from an ion source (not shown) of the focused ion beam optical system barrel 1 is irradiated to a predetermined position on the target, so that the gas is brought to that position. Material is deposited. When the supply of the gasification material from the gasification material storage section 6 to the gas introduction pipe 7 is stopped, the actuator 10 is operated to move the gas supply control valve 9 in the target direction, and the gasification material storage section 6 It is in a state of being cut off from the introduction pipe 7 (FIG. 1).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この様な装置におい
て、上記した様に、前記ガス化材料収納部6からガス導
入管7へ昇華したガス化材料を供給する場合には、バル
ブ9を反ターゲット方向に移動させ、空間部8中に位置
させることによりガス化材料収納部6とガス導入管7と
の間を連通した状態(図2)にし、該ガス化材料の供給
をストップさせる場合には、バルブ9をターゲット方向
に移動させ、ガス化材料収納部6の開口とガス導入管7
の開口をバルブで完全に塞ぐことによりガス化材料収納
部6とガス導入管7との間を遮断した状態(図1)にし
ている。又、上記した様に、ガス化材料収納部6は加熱
用ヒータ11によって加熱される構造に成っている。従
って、昇華したガス化材料のガス導入管7への供給をス
トップさせる場合にはバルブ9がガス化材料収納部6壁
部の一部に接触するために、ガス化材料収納部6壁部を
介して加熱用ヒータ11によってバルブ9は加熱され
る。
In such an apparatus, as described above, when supplying the sublimated gasified material from the gasified material storage section 6 to the gas introduction pipe 7, the valve 9 is set to the opposite target. In the case where the gasification material is placed in the space 8 so as to communicate with the gasification material storage unit 6 and the gas introduction pipe 7 (FIG. 2) and the supply of the gasification material is stopped, , The valve 9 is moved in the direction of the target, and the opening of the gasification material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 are moved.
Is completely closed with a valve to shut off the space between the gasified material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 (FIG. 1). Further, as described above, the gasification material storage section 6 is configured to be heated by the heater 11 for heating. Therefore, when the supply of the sublimated gasification material to the gas introduction pipe 7 is stopped, the valve 9 contacts a part of the wall of the gasification material storage unit 6, and the wall of the gasification material storage unit 6 is closed. The valve 9 is heated by the heater 11 for heating.

【0008】しかし、昇華したガス化材料をガス導入管
7への供給する場合にはバルブ9が何れの部分にも接触
せずに空間部8中に位置させるようにしているので、バ
ルブ9は加熱されずに冷えてしまう。その為に、昇華し
たガス化材料の内、冷えたバルブ9に衝突したものの一
部が該バルブに付着し、該バルブ表面で固まってしま
う。この結果、バルブ9が作動しなくなることがある。
However, when the sublimated gasified material is supplied to the gas introducing pipe 7, the valve 9 is located in the space 8 without contacting any part. It cools without being heated. For this reason, a part of the sublimated gasified material that collides with the cold valve 9 adheres to the valve and solidifies on the valve surface. As a result, the valve 9 may not operate.

【0009】本発明は、この様な問題点を解決する為に
なされたもので、新規な集束イオンビーム装置を提供す
ることを目的とするものである。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a new focused ion beam apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の集束イオンビー
ム装置は、ステージ上に載置されたターゲットに集束イ
オンビームを照射するためのイオンビーム照射系と、タ
ーゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き付ける
ためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装置であ
って、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部,該収納
部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くためのガ
ス導入管,前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へ
のガスの供給をコントロールするバルブ,及び前記ガス
化材料を加熱するための加熱手段を備えており、前記バ
ルブを加熱するための加熱手段を設けたことを特徴とす
る。
A focused ion beam apparatus according to the present invention comprises an ion beam irradiation system for irradiating a target placed on a stage with a focused ion beam, and a gas irradiation portion on the target. A focused ion beam apparatus provided with a gas introduction mechanism for spraying gas, wherein the gas introduction mechanism includes a gasification material storage section, a gas introduction pipe for guiding gas that has been gasified in the storage section onto the target, A valve for controlling the supply of gas from the gasification material storage section to the gas introduction pipe; and a heating means for heating the gasification material, wherein a heating means for heating the valve is provided. It is characterized by the following.

【0011】又、本発明の集束イオンビーム装置は、バ
ルブに加熱ヒータを内蔵させたことを特徴とする。又、
本発明の集束イオンビーム装置は、ステージ上に載置さ
れたターゲットに集束イオンビームを照射するためのイ
オンビーム照射系と、ターゲット上のイオンビーム照射
箇所にガスを吹き付けるためのガス導入機構を備えた集
束イオンビーム装置であって、前記ガス導入機構は、ガ
ス化材料収納部,該収納部でガス化したガスを前記ター
ゲット上に導くためのガス導入管,前記ガス化材料収納
部と前記ガス導入管とを繋ぐ空間内での移動に基づいて
前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管へのガスの供
給をコントロールするバルブ、及び前記ガス化材料収納
部を加熱するための加熱手段を備えており、前記空間内
でのバルブの移動に基づく前記ガス化材料収納部から前
記ガス導入管へのガスの供給時及び非供給時において前
記バルブは前記ガス化材料収納部の一部若しくは該ガス
化材料収納部に繋がった前記空間部を囲っている容器の
一部に接するように成したことを特徴とする。
Further, the focused ion beam apparatus according to the present invention is characterized in that a heater is built in a valve. or,
The focused ion beam device of the present invention includes an ion beam irradiation system for irradiating a target mounted on a stage with a focused ion beam, and a gas introduction mechanism for blowing gas to an ion beam irradiation location on the target. A focused ion beam device, wherein the gas introduction mechanism includes a gasification material storage unit, a gas introduction pipe for guiding gas gasified in the storage unit onto the target, the gasification material storage unit and the gas A valve for controlling supply of gas from the gasification material storage section to the gas introduction pipe based on movement in a space connecting the introduction pipe, and heating means for heating the gasification material storage section; And when the gas is supplied from the gasification material storage section to the gas introduction pipe based on the movement of the valve in the space, and when the gas is not supplied, the valve operates the gas valve. Characterized in that form in contact with the part of the container which encloses the space portion that is connected to a part or the gasification material storage of reducing material accommodating portion.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0013】図3,図4は本発明の集束イオンビーム装
置の1概略例を示したもので、図中前記図1,図2と同
一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
FIGS. 3 and 4 show a schematic example of a focused ion beam apparatus according to the present invention, in which the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 denote the same components.

【0014】図3,4に示す構成が図1,2に示す構成
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブ9の
構造にある。図3,4では、該バルブ9中に加熱用ヒー
タ12が設けられている。即ち、ガス供給コントロール
用バルブ9が加熱用ヒータ12により加熱される構造に
なっている。
The configuration shown in FIGS. 3 and 4 differs from the configuration shown in FIGS. 1 and 2 in the configuration of a gas supply control valve 9. 3 and 4, a heating heater 12 is provided in the valve 9. That is, the structure is such that the gas supply control valve 9 is heated by the heater 12.

【0015】この様な構造の集束イオンビーム装置にお
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ10を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ9をターゲット方向に移動させガ
ス化材料収納部6とガス導入管7との間を遮断した状態
(図3)にしておき、排気手段(図示せず)によりター
ゲットチャンバー2内を所定の真空度にした後、加熱用
ヒータ11,12をオンの状態にしてガス化材料収納部
6に収容されたガス化材料(例えば、デポジション等の
場合には、有機金属)を加熱し昇華(ガス化)させると
同時に、前記ガス供給コントロール用バルブ9を加熱す
る。従って、該バルブ9は加熱用ヒータ12により直接
加熱されると同時に、ガス化材料収納部6の壁部を介し
て加熱用ヒータ11によって加熱される。
In the focused ion beam apparatus having such a structure, for example, when deposition is performed, the actuator 10 is actuated based on an external command to move the gas supply control valve 9 in the direction of the target, thereby causing the gasification material to move. After the space between the storage section 6 and the gas introduction pipe 7 is shut off (FIG. 3), the interior of the target chamber 2 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by an exhaust means (not shown), and then the heaters 11 and 12 are heated. Is turned on to heat and sublimate (gasify) the gasification material (for example, an organic metal in the case of deposition or the like) stored in the gasification material storage unit 6 and simultaneously control the gas supply. The valve 9 is heated. Therefore, the valve 9 is directly heated by the heating heater 12 and at the same time, is heated by the heating heater 11 via the wall of the gasified material storage section 6.

【0016】次に、外部からの指令に基づいてアクチュ
エータ10を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ9を反ターゲット方向に移動させガス化材料収納部
6とガス導入管7との間を連通した状態(図4)する。
この結果、前記収納部6で昇華したガス化材料はガス導
入管7を通り、その先端のノズル部からターゲット3上
に向け吹き出される。このガス化材料の材料上への噴射
と共に、集束イオンビーム光学系鏡筒1のイオン源(図
示せず)からの集束イオンビームをターゲット上の所定
の位置に照射することにより、その位置にガス化材料が
堆積する。この際、前記バルブ9は継続して加熱用ヒー
タ12により直接加熱されている。従って、昇華したガ
ス化材料の一部が前記バルブ9に衝突しても、バルブは
加熱されている状態にあるので、該昇華したガス化材料
が該バルブ表面に付着することはない。尚、ガス化材料
収納部6からガス導入管7へのガス化材料供給をストッ
プさせる時には、アクチュエータ10を作動させ、ガス
供給コントロール用バルブ9をターゲット方向に移動さ
せガス化材料収納部6とガス導入管7との間を遮断した
状態(図3)にする。
Next, the actuator 10 is actuated based on a command from the outside, and the gas supply control valve 9 is moved in the direction opposite to the target so that the gasification material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 communicate with each other. State (FIG. 4).
As a result, the gasified material sublimated in the storage section 6 passes through the gas introduction pipe 7 and is blown out onto the target 3 from the nozzle section at the tip thereof. Along with the injection of the gasified material onto the material, a focused ion beam from an ion source (not shown) of the focused ion beam optical system barrel 1 is irradiated to a predetermined position on the target, so that the gas is brought to that position. Material is deposited. At this time, the valve 9 is directly heated by the heater 12 continuously. Therefore, even if a part of the sublimated gasified material collides with the valve 9, the sublimated gasified material does not adhere to the valve surface because the valve is in a heated state. When the supply of the gasification material from the gasification material storage section 6 to the gas introduction pipe 7 is stopped, the actuator 10 is operated to move the gas supply control valve 9 in the target direction, and the gasification material storage section 6 It is in a state of being cut off from the introduction pipe 7 (FIG. 3).

【0017】図5,図6は本発明の集束イオンビーム装
置の他の1概略例を示したもので、図中前記図1,図2
と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
FIGS. 5 and 6 show another schematic example of the focused ion beam apparatus according to the present invention.
Those denoted by the same reference numerals indicate the same components.

【0018】図5,6に示す構成が図1,2に示す構成
と異なるところは、ガス供給コントロール用バルブの構
造にある。図5,6において、ガス供給コントロール用
バルブ9´の光軸O方向の寸法が、ガス化材料収納部6
とガス導入管7との間を連通させた状態の時に該バルブ
がガス化材料収納部6に繋がった空間8を形成している
容器壁の一部に接触する程度の厚さに成る様に該バルブ
を作成している。
The structure shown in FIGS. 5 and 6 differs from the structure shown in FIGS. 1 and 2 in the structure of a gas supply control valve. 5 and 6, the dimension of the gas supply control valve 9 ′ in the optical axis O direction is different from that of the gasification material storage section 6.
When the valve and the gas introducing pipe 7 are in communication with each other, the valve has a thickness such that the valve comes into contact with a part of the container wall forming the space 8 connected to the gasified material storage section 6. The valve is being made.

【0019】この様な構造の集束イオンビーム装置にお
いて、例えば、デポジションを行う場合、外部からの指
令に基づいてアクチュエータ10を作動させ、ガス供給
コントロール用バルブ9´をターゲット方向に移動させ
ガス化材料収納部6とガス導入管7との間を遮断した状
態(図5)にしておき、排気手段(図示せず)によりタ
ーゲットチャンバー2内を所定の真空度にした後、加熱
用ヒータ11をオンの状態にしてガス化材料収納部6に
収容されたガス化材料(例えば、デポジション等の場合
には、有機金属)を加熱し昇華(ガス化)させる。この
時、前記ガス供給コントロール用バルブ9´は、前記ガ
ス化材料収納部6の壁部を介して前記加熱用ヒータ11
により加熱される。
In the focused ion beam apparatus having such a structure, for example, when deposition is performed, the actuator 10 is actuated based on an external command, and the gas supply control valve 9 'is moved in the direction of the target to produce gas. In a state where the space between the material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 is shut off (FIG. 5), the inside of the target chamber 2 is evacuated (not shown) to a predetermined degree of vacuum. The gasification material (for example, an organic metal in the case of deposition or the like) stored in the gasification material storage section 6 is turned on to heat and sublimate (gasify). At this time, the gas supply control valve 9 ′ is connected to the heating heater 11 through the wall of the gasification material storage unit 6.
Is heated.

【0020】次に、外部からの指令に基づいてアクチュ
エータ10を作動させ、前記ガス供給コントロール用バ
ルブ9´を所定のストローク分だけ反ターゲット方向に
移動させガス化材料収納部6とガス導入管7との間を連
通した状態(図6)する。この状態においては、前記バ
ルブ9´がガス化材料収納部6に繋がった空間8を形成
している容器壁の一部に接触している。この結果、前記
収納部6で昇華したガス化材料はガス導入管7を通り、
その先端のノズル部からターゲット3上に向け吹き出さ
れる。この際、前記バルブ9はガス化材料収納部6の壁
部及び該ガス化材料収納部6に繋がった空間8を形成し
ている容器壁の一部を介して加熱用ヒータ11により加
熱されている。従って、昇華したガス化材料の一部が前
記バルブ9´に衝突しても、該バルブ9´は加熱されて
いる状態にあるので、該昇華したガス化材料が該バルブ
表面に付着することはない。尚、ガス化材料収納部6か
らガス導入管7へのガス化材料供給をストップさせる時
には、アクチュエータ10を作動させ、ガス供給コント
ロール用バルブ9´をターゲット方向に移動させガス化
材料収納部6とガス導入管7との間を遮断した状態(図
5)にする尚、前記例では、ガス導入機構がチャンバー
内に設けられる集束イオンビーム装置を示したが、ガス
導入管の一部はチャンバー内に設けられるが、ガス化材
料が収納されるガス化収納容器や、該ガス化収納容器で
ガス化したガス化材料をチャンバー内のガス導入管に導
く管や、チャンバー内へのガス化したガス化材料の導入
をコントロールするバルブ等がチャンバー外に設けられ
た構成のガス導入機構にも、本発明が応用可能であるこ
とは当然のことである。
Next, the actuator 10 is actuated based on a command from the outside, and the gas supply control valve 9 'is moved in the direction opposite to the target by a predetermined stroke, so that the gasification material storage section 6 and the gas introduction pipe 7 are moved. (FIG. 6). In this state, the valve 9 ′ is in contact with a part of the container wall forming the space 8 connected to the gasification material storage section 6. As a result, the gasified material sublimated in the storage section 6 passes through the gas introduction pipe 7,
It is blown out toward the target 3 from the nozzle portion at the tip. At this time, the valve 9 is heated by the heater 11 via the wall of the gasification material storage section 6 and a part of the container wall forming the space 8 connected to the gasification material storage section 6. I have. Therefore, even if a part of the sublimated gasified material collides with the valve 9 ', the valve 9' is in a heated state, so that the sublimated gasified material does not adhere to the valve surface. Absent. When the supply of the gasification material from the gasification material storage unit 6 to the gas introduction pipe 7 is stopped, the actuator 10 is operated to move the gas supply control valve 9 ′ in the target direction, and the gasification material storage unit 6 is stopped. In the above example, the focused ion beam device in which the gas introduction mechanism is provided in the chamber is shown, but a part of the gas introduction tube is provided in the chamber. A gasification storage container in which the gasification material is stored, a pipe for guiding the gasification material gasified in the gasification storage container to a gas introduction pipe in the chamber, and a gasified gas into the chamber. Needless to say, the present invention is also applicable to a gas introduction mechanism in which a valve or the like for controlling the introduction of the chemical material is provided outside the chamber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 従来の集束イオンビーム装置の1概略例を示
している。
FIG. 1 shows a schematic example of a conventional focused ion beam apparatus.

【図2】 従来の集束イオンビーム装置の1概略例を示
している。
FIG. 2 shows a schematic example of a conventional focused ion beam apparatus.

【図3】 本発明の集束イオンビーム装置の1概略例を
示している。
FIG. 3 shows a schematic example of a focused ion beam device of the present invention.

【図4】 本発明の集束イオンビーム装置の1概略例を
示している。
FIG. 4 shows a schematic example of a focused ion beam device of the present invention.

【図5】 本発明の集束イオンビーム装置の他の1概略
例を示している。
FIG. 5 shows another schematic example of the focused ion beam device of the present invention.

【図6】 本発明の集束イオンビーム装置の他の1概略
例を示している。
FIG. 6 shows another schematic example of the focused ion beam device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…集束イオンビーム光学鏡筒 2…ターゲットチャンバー 3…ターゲット 4…ステージ 5…ガス導入機構 6…ガス化材料収納部 7…ガス導入管 8…空間部 9,9´…ガス供給コントロール用バルブ 10…アクチュエータ 11,12…加熱用ヒータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Focused ion beam optical column 2 ... Target chamber 3 ... Target 4 ... Stage 5 ... Gas introduction mechanism 6 ... Gasification material storage part 7 ... Gas introduction pipe 8 ... Space part 9, 9 '... Gas supply control valve 10 ... Actuator 11, 12 ... Heater for heating

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ステージ上に載置されたターゲットに集
束イオンビームを照射するためのイオンビーム照射系
と、ターゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き
付けるためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装
置であって、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部,
該収納部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くた
めのガス導入管,前記ガス化材料収納部から前記ガス導
入管へのガスの供給をコントロールするバルブ,及び前
記ガス化材料を加熱するための加熱手段を備えており、
前記バルブを加熱するための加熱手段を設けた集束イオ
ンビーム装置。
An ion beam irradiation system for irradiating a target mounted on a stage with a focused ion beam, and a focused ion beam having a gas introduction mechanism for blowing a gas to an ion beam irradiation location on the target. An apparatus, wherein the gas introduction mechanism includes a gasification material storage unit,
A gas introduction pipe for guiding the gas that has been gasified in the storage section onto the target, a valve for controlling the supply of gas from the gasification material storage section to the gas introduction pipe, and a heating section for heating the gasification material. Heating means,
A focused ion beam device provided with a heating unit for heating the bulb.
【請求項2】 前記バルブに加熱ヒータを内蔵させたこ
とを特徴とする請求項1記載の集束イオンビーム装置。
2. The focused ion beam device according to claim 1, wherein a heater is built in the valve.
【請求項3】 ステージ上に載置されたターゲットに集
束イオンビームを照射するためのイオンビーム照射系
と、ターゲット上のイオンビーム照射箇所にガスを吹き
付けるためのガス導入機構を備えた集束イオンビーム装
置であって、前記ガス導入機構は、ガス化材料収納部,
該収納部でガス化したガスを前記ターゲット上に導くた
めのガス導入管,前記ガス化材料収納部と前記ガス導入
管とを繋ぐ空間内での移動に基づいて前記ガス化材料収
納部から前記ガス導入管へのガスの供給をコントロール
するバルブ、及び前記ガス化材料収納部を加熱するため
の加熱手段を備えており、前記空間内でのバルブの移動
に基づく前記ガス化材料収納部から前記ガス導入管への
ガスの供給時及び非供給時において前記バルブは前記ガ
ス化材料収納部の一部若しくは該ガス化材料収納部に繋
がった前記空間部を囲っている容器の一部に接するよう
に成した集束イオンビーム装置。
3. A focused ion beam including an ion beam irradiation system for irradiating a target mounted on a stage with a focused ion beam, and a gas introduction mechanism for blowing a gas to an ion beam irradiation location on the target. An apparatus, wherein the gas introduction mechanism includes a gasification material storage unit,
A gas introduction pipe for guiding the gas that has been gasified in the storage section onto the target; and a gas introduction pipe that guides the gas from the gasification material storage section based on movement in a space connecting the gasification material storage section and the gas introduction pipe. A valve for controlling the supply of gas to the gas introduction pipe, and heating means for heating the gasification material storage unit, wherein the gasification material storage unit The valve is in contact with a part of the gasified material storage part or a part of the container surrounding the space connected to the gasified material storage part when the gas is supplied to the gas introduction pipe and when the gas is not supplied. Focused ion beam device
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