JP2000321202A - Multi-wavelength spectrophotometer and photodiode arrayed photodetector - Google Patents

Multi-wavelength spectrophotometer and photodiode arrayed photodetector

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JP2000321202A
JP2000321202A JP11128765A JP12876599A JP2000321202A JP 2000321202 A JP2000321202 A JP 2000321202A JP 11128765 A JP11128765 A JP 11128765A JP 12876599 A JP12876599 A JP 12876599A JP 2000321202 A JP2000321202 A JP 2000321202A
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JP
Japan
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light
photodiode array
sample
reference light
sample light
Prior art date
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Pending
Application number
JP11128765A
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Japanese (ja)
Inventor
Shintaro Kubo
晋太郎 久保
Kiyotoshi Mori
聖年 森
Noriaki Yamada
宜昭 山田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-wavelength spectrophotometer and a photodiode arrayed photodetector hardly influenced by a circumferential temp. change. SOLUTION: Sample light passes through a sample cell 3 and a sample light slit 4a while reference light passes through a reference light slit 4b, and both lights are incident on a multi-wavelength spectroscope. Both of the sample light and the reference light are spectrally diffracted by a spectroscopic element 6 to be incident on a photodiode arrayed photodetector 7. This photodetector includes a single semiconductor substrate 10 and the sample light photodiode array 7a and reference light photodiode array 7b formed on the surface of the substrate 10 and the spectra of both sample and reference lights are respectively detected by the photodiode arrays 7a, 7b and absorbancies are calculated at every wavelength from the sample light signal and reference light signal at the same time by a signal processing circuit 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光を分光し、検出す
る多波長分光光度計及び該多波長分光光度計に用いられ
るのに適したフォトダイオードアレイ型光検出器に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-wavelength spectrophotometer for splitting and detecting light and a photodiode array type photodetector suitable for use in the multi-wavelength spectrophotometer.

【0002】[0002]

【従来の技術】光源からの光をサンプル光とリファレン
ス光に分け、サンプル光を測定対象試料に投射した後ス
リットを通して分光器に入射させ、一方リファレンス光
を測定対象試料に通さずにスリットを通して分光器に入
射させる多波長分光光度計が知られている。
2. Description of the Related Art Light from a light source is divided into a sample light and a reference light, and the sample light is projected on a sample to be measured and then made incident on a spectroscope through a slit. On the other hand, the reference light is passed through the slit without passing through the sample to be measured. Multi-wavelength spectrophotometers that are incident on a vessel are known.

【0003】このような分光光度計において、サンプル
光及びリファレンス光は分光素子によってそれぞれ分光
される。一つのタイプによれば、分光されたサンプル光
及びリファレンス光のスペクトルは分光素子の後段に別
々に設けられたサンプル光フォトダイオードアレイ及び
リファレンス光フォトダイオードアレイ上に形成され、
それぞれ同フォトダイオードアレイによって検出され
る。検出されたサンプル光スペクトル信号及びリファレ
ンス光スペクトル信号は信号処理回路に導入され、同一
時刻におけるサンプル光信号及びリファレンス光信号か
ら波長毎に吸光度が算出される。このタイプの例は特開
昭63―198832号公報や特開平5―172744
号公報に記載されている。
In such a spectrophotometer, the sample light and the reference light are each separated by a spectroscopic element. According to one type, the spectrum of the sampled light and the reference light that have been separated are formed on the sample light photodiode array and the reference light photodiode array that are separately provided after the light-splitting element,
Each is detected by the same photodiode array. The detected sample light spectrum signal and reference light spectrum signal are introduced into a signal processing circuit, and the absorbance is calculated for each wavelength from the sample light signal and the reference light signal at the same time. Examples of this type are disclosed in JP-A-63-198832 and JP-A-5-172744.
No., published in Japanese Unexamined Patent Publication No.

【0004】また、別のタイプによれば、単一のフォト
ダイオードアレイはマスクを用いてサンプル光検出領域
及びリファレンス光検出領域に分けられる。分光素子に
よって分光されたサンプル光のスペクトル及びリファレ
ンス光のスペクトルはサンプル光検出領域及びリファレ
ンス光検出領域上に形成され、それぞれ同検出領域によ
って検出される。検出されたサンプル光スペクトル信号
及びリファレンス光スペクトル信号は信号処理回路に導
入され、同一時刻におけるサンプル光信号及びリファレ
ンス光信号から波長毎に吸光度が算出される。このタイ
プの例は特公平6―76919号公報に記載されてい
る。
According to another type, a single photodiode array is divided into a sample light detection area and a reference light detection area using a mask. The spectrum of the sample light and the spectrum of the reference light separated by the spectroscopic element are formed on the sample light detection region and the reference light detection region, respectively, and are detected by the detection regions. The detected sample light spectrum signal and reference light spectrum signal are introduced into a signal processing circuit, and the absorbance is calculated for each wavelength from the sample light signal and the reference light signal at the same time. An example of this type is described in Japanese Patent Publication No. 6-76919.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のいずれのタイプ
においても、同一時刻におけるサンプル光信号及びリフ
ァレンス光信号を用いて波長毎に吸光度が求められてい
るので、光源の微小変動の影響が打ち消される。このた
め、ノイズレベル及びドリフトの低減化が図られる。
In any of the above types, since the absorbance is determined for each wavelength using the sample light signal and the reference light signal at the same time, the effect of the minute fluctuation of the light source is canceled out. . Therefore, the noise level and the drift can be reduced.

【0006】しかし、上記第1のタイプでは、独立した
2個のフォトダイオードアレイに対応して2個の信号処
理回路が必要であり、したがって装置が煩雑になる。ま
た、独立した2個のフォトダイオードアレイを使用して
いるため、周囲温度が変化したときに光学部品や該光学
部品を設置している取り付けベースの熱膨張により2個
のフォトダイオードアレイの光学部品に対する相互距離
にずれが生じてしまい、サンプル光のスペクトルとリフ
ァレンス光のスペクトルの間に波長ずれが生じる。
However, in the first type, two signal processing circuits are required corresponding to two independent photodiode arrays, so that the device becomes complicated. Further, since two independent photodiode arrays are used, the optical components of the two photodiode arrays due to thermal expansion of the optical components and the mounting base on which the optical components are installed when the ambient temperature changes. Is shifted from each other, and a wavelength shift occurs between the spectrum of the sample light and the spectrum of the reference light.

【0007】上記第2のタイプでは、フォトダイオード
アレイ前面にマスクを配置しなければならず、マスクと
フォトダイオードアレイとの相互位置を精密に合わせる
必要がある。また、相互位置を精密に合わせても周囲温
度が変化した場合、マスクとフォトダイオードアレイと
の熱膨張差により両者の相互位置がずれてしまうという
問題が生じる。
In the second type, a mask must be arranged in front of the photodiode array, and it is necessary to precisely align the mask and the photodiode array with each other. Further, when the ambient temperature changes even if the mutual positions are precisely adjusted, there arises a problem that the mutual positions of the mask and the photodiode array are shifted due to a difference in thermal expansion.

【0008】本発明の目的は周囲温度変化の影響を受け
難い多波長分光光度計及びフォトダイオードアレイ型光
検出装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a multi-wavelength spectrophotometer and a photodiode array type photodetector which are hardly affected by a change in ambient temperature.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、フォト
ダイオードアレイ型光検出器は単一の半導体基板と、該
単一の半導体基板上に列を異にして形成されたサンプル
光用フォトダイオードアレイ及びリファレンス光用フォ
トダイオードアレイとを含む。
According to the present invention, a photodiode array-type photodetector includes a single semiconductor substrate and a sample light photodetector formed in different columns on the single semiconductor substrate. It includes a diode array and a photodiode array for reference light.

【0010】本発明のもう一つの観点によれば、前記サ
ンプル光用フォトダイオードアレイを構成するフォトダ
イオード及び前記リファレンス光用フォトダイオードア
レイを構成するフォトダイオードはその列方向において
交互にずらして配置されている。
According to another aspect of the present invention, the photodiodes forming the photodiode array for sample light and the photodiodes forming the photodiode array for reference light are alternately arranged in the column direction. ing.

【0011】本発明の別の観点によれば、前記サンプル
光用フォトダイオードアレイ及びリファレンス光用フォ
トダイオードアレイはその列方向において互いに間隔づ
られている。
According to another aspect of the present invention, the photodiode array for sample light and the photodiode array for reference light are spaced from each other in the column direction.

【0012】本発明のさらに別の観点によれば、前記単
一の半導体基板上の、前記サンプル光用フォトダイオー
ドアレイ及び前記リファレンス光用フォトダイオードア
レイ間にはサンプル光用0次光入射領域及びリファレン
ス光用0次光入射領域が形成され、前記サンプル光用0
次光入射領域は前記サンプル光用フォトダイオードアレ
イと同じ列上に、前記リファレンス光用0次光入射領域
は前記リファレンス光用フォトダイオードアレイと同じ
列上にそれぞれ配置され、前記サンプル光用フォトダイ
オードアレイによって前記サンプル光の1次の回折光
が、前記リファレンス光用フォトダイオードアレイによ
って前記リファレンス光の−1次の回折光がそれぞれ検
出される。
According to still another aspect of the present invention, a zero-order light incident area for sample light and a zero-order light incident area for sample light are provided between the photodiode array for sample light and the photodiode array for reference light on the single semiconductor substrate. A zero-order light incident region for reference light is formed, and the zero-order light incident region for sample light is formed.
The next light incident area is arranged on the same column as the sample light photodiode array, and the reference light zero-order light incident area is arranged on the same row as the reference light photodiode array. The first order diffracted light of the sample light is detected by the array, and the -1st order diffracted light of the reference light is detected by the photodiode array for reference light.

【0013】本発明の他の観点によれば、前記サンプル
光用フォトダイオードアレイを構成するフォトダイオー
ドの数は前記リファレンス光用フォトダイオードアレイ
を構成するフォトダイオードの数よりも多い。
According to another aspect of the present invention, the number of photodiodes constituting the photodiode array for sample light is larger than the number of photodiodes constituting the photodiode array for reference light.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1は本発明にもとづく多波長分
光光度計の一実施例を示す。光源1からの光はレンズ2
を経てサンプル光とリファレンス光に分けられる。サン
プル光はフロータイプのサンプルセル3、サンプル光用
スリット4aを通り、多波長分光器すなわちポリクロメ
ータに入射する。また、リファレンス光はサンプルセル
3を通らずに、リファレンス光用スリット4bを通り、
多波長分光器すなわちポリクロメータに入射する。その
入射したサンプル光とリファレンス光は回折格子からな
る分光素子6で分光され、フォトダイオードアレイ型光
検出器7に入射する。
FIG. 1 shows an embodiment of a multi-wavelength spectrophotometer according to the present invention. Light from light source 1 is lens 2
, The light is divided into sample light and reference light. The sample light passes through the flow type sample cell 3 and the sample light slit 4a and enters a multi-wavelength spectrometer, that is, a polychromator. The reference light does not pass through the sample cell 3 but passes through the reference light slit 4b.
The light enters a multi-wavelength spectrometer or polychromator. The incident sample light and reference light are separated by the light-splitting element 6 composed of a diffraction grating, and are incident on a photodiode array type photodetector 7.

【0015】図2は図1のフォトダイオードアレイ型光
検出器の詳細を示す。この検出器は単一の半導体基板1
0とその表面に形成されたサンプル光用フォトダイオー
ドアレイ7a及びリファレンス光用フォトダイオードア
レイ7bとを含む。サンプル光用フォトダイオードアレ
イ7a及びリファレンス光用フォトダイオード7bは、前
者が上列に、後者が下列に位置するように互いに列を異
にして配置され、かつサンプル光用フォトダイオードア
レイを構成するフォトダイオード及びリファレンス光用
フォトダイオードを構成するフォトダイオードはその列
方向において交互にずらして配置されている。
FIG. 2 shows details of the photodiode array type photodetector of FIG. This detector is a single semiconductor substrate 1
0 and a sample light photodiode array 7a and a reference light photodiode array 7b formed on the surface thereof. The photodiode array for sample light 7a and the photodiode for reference light 7b are arranged in different rows so that the former is located in the upper row and the latter is located in the lower row, and the photodiodes constituting the sample light photodiode array are arranged. The photodiodes forming the diodes and the photodiodes for the reference light are alternately shifted in the column direction.

【0016】サンプル光用スリット4a及びリファレン
ス光用スリット4bの像はそれぞれサンプル光用フォト
ダイオードアレイ7a及びリファレンス光用フォトダイ
オードアレイ7b上に形成される。したがって、サンプ
ル光のスペクトル及びリファレンス光のスペクトルはサ
ンプル光用フォトダイオードアレイ7a及びリファレン
ス光用フォトダイオードアレイ7bによってそれぞれ検
出される。検出されたサンプル光信号及びリファレンス
光信号は信号処理回路9に導かれ、同一時刻におけるサ
ンプル光信号及びリファレンス光信号から波長毎に吸光
度が求められる。これによって、光源の微小変動の影響
が除かれ、ノイズレベル及びドリフトの低減化が図られ
る。
The images of the sample light slit 4a and the reference light slit 4b are formed on the sample light photodiode array 7a and the reference light photodiode array 7b, respectively. Therefore, the spectrum of the sample light and the spectrum of the reference light are detected by the photodiode array 7a for sample light and the photodiode array 7b for reference light, respectively. The detected sample optical signal and reference optical signal are guided to the signal processing circuit 9, and the absorbance is determined for each wavelength from the sample optical signal and the reference optical signal at the same time. Thereby, the influence of the minute fluctuation of the light source is removed, and the noise level and the drift are reduced.

【0017】以上の実施例では、サンプル光用フォトダ
イオードアレイ7a及びリファレンス光用フォトダイオ
ードアレイ7bは共通する単一の半導体基板10上に列
を異にして形成されており、そしてこれらのフォトダイ
オードアレイは互いに近接して配置することができる。
このため、周囲温度の変化の影響を実質的に受けず、ま
た、サンプル光用フォトダイオードアレイ7a及びリフ
ァレンス光用フォトダイオードアレイ7bは高次光によ
る相互干渉を受けることもない。また、フォトダイオー
ドアレイ型光検出器7はマスクを使用しないマスクレス
フォトダイオードアレイ型光検出器であるため、マスク
調整が不要となる。さらに、単一の半導体基板上に設け
られた両フォトダイオードアレイ7a及び7bによりサン
プル光及びリファレンス光を検出することができ、した
がって独立した2個のフォトダイオードアレイに対応す
る2個の信号処理回路を用いる必要がなくなるので、そ
の信号処理系の簡素化が図られる。
In the above embodiment, the photodiode array 7a for sample light and the photodiode array 7b for reference light are formed in different columns on a single common semiconductor substrate 10, and these photodiode arrays are formed. The arrays can be located close to each other.
Therefore, the photodiode array 7a for sample light and the photodiode array 7b for reference light are not substantially affected by a change in ambient temperature, and are not mutually interfered by higher-order light. Further, since the photodiode array type photodetector 7 is a maskless photodiode array type photodetector that does not use a mask, mask adjustment is not required. Furthermore, the sample light and the reference light can be detected by both photodiode arrays 7a and 7b provided on a single semiconductor substrate, and therefore, two signal processing circuits corresponding to two independent photodiode arrays are provided. Need not be used, so that the signal processing system can be simplified.

【0018】図3は本発明にもとづくフォトダイオード
アレイ型光検出器のもう一つの実施例の詳細を示す。こ
の実施例は、単一の半導体基板10上に、サンプル光用
フォトダイオードアレイ7a及びリファレンス光用フォ
トダイオードアレイ7bが列を異にして、すなわち上列
にはサンプル光用フォトダイオードアレイ7aが、下列
にはリファレンス光用フォトダイオードアレイ7bが配
置される点では図2の実施例と同じである。
FIG. 3 shows the details of another embodiment of the photodiode array type photodetector according to the present invention. In this embodiment, the photodiode array 7a for sample light and the photodiode array 7b for reference light are arranged in different rows on a single semiconductor substrate 10, that is, the photodiode array 7a for sample light is provided in the upper row. The lower row is the same as the embodiment of FIG. 2 in that a photodiode array 7b for reference light is arranged.

【0019】図3の実施例では、さらにサンプル光用フ
ォトダイオードアレイ7a及びリファレンス光用フォト
ダイオードアレイ7bがその列方向において互いに間隔
づけられていて、単一の半導体基板10上の両フォトダ
イオードアレイ間にはサンプル光用0次光入射領域8a
及びリファレンス光用0次光入射領域8bが形成されて
いる。サンプル光用0次光入射領域8aはサンプル光用
フォトダイオードアレイ7aと同じ列上に、リファレン
ス光用0次光入射領域8b はリファレンス光用フォトダ
イオードアレイ7bと同じ列上にそれぞれ配置されてい
る。これらの領域8a及び8bにはサンプル光用0次光及
びリファレンス光用0次光がそれぞれ入射され、またサ
ンプル光用フォトダイオードアレイ7aによってサンプ
ル光の1次の回折光が、リファレンス光用フォトダイオ
ードアレイ7bによってリファレンス光の−1次の回折
光がそれぞれ検出される。
In the embodiment shown in FIG. 3, the photodiode array 7a for sample light and the photodiode array 7b for reference light are spaced from each other in the column direction, and both photodiode arrays on a single semiconductor substrate 10 are arranged. The zero-order light incident area 8a for sample light is located between
Further, a zero-order light incident area 8b for reference light is formed. The sample light zero-order light incident area 8a is arranged on the same column as the sample light photodiode array 7a, and the reference light zero-order light incident area 8b is arranged on the same column as the reference light photodiode array 7b. . The zero-order light for sample light and the zero-order light for reference light are incident on these regions 8a and 8b, respectively, and the first-order diffracted light of the sample light is converted by the photodiode array for sample light 7a into a photodiode for reference light. The first order diffracted light of the reference light is detected by the array 7b.

【0020】このようにすることによって、サンプル光
とリファレンス光の光路長をほぼ等しくすることがで
き、したがって光学系の簡素化やその調整の簡略化が図
られる。
By doing so, the optical path lengths of the sample light and the reference light can be made substantially equal, so that the optical system can be simplified and the adjustment thereof can be simplified.

【0021】図3において、サンプル光用フォトダイオ
ードアレイ7aを構成するフォトダイオードの数をリフ
ァレンス光用フォトダイオードアレイ7bを構成するフ
ォトダイオードの数よりも多くすることでフォトダイオ
ード出力が増大するため、サンプル光用フォトダイオー
ドアレイ及びリファレンス光用ダイオードアレイをそれ
ぞれ構成するフォトダイオードの数が等しい場合に比べ
て、分解能の高いスペクトルが得られる。
In FIG. 3, since the number of photodiodes constituting the sample light photodiode array 7a is made larger than the number of photodiodes constituting the reference light photodiode array 7b, the photodiode output increases. As compared with the case where the number of photodiodes constituting the sample light photodiode array and the number of photodiodes constituting the reference light diode array are the same, a spectrum with higher resolution can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明によれば、周囲温度変化の影響を
受け難い多波長分光光度計及びフォトダイオードアレイ
型光検出装置が提供される。
According to the present invention, there are provided a multi-wavelength spectrophotometer and a photodiode array type photodetector which are hardly affected by a change in ambient temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にもとづく多波長分光光度計の一実施例
の全体構成概念図。
FIG. 1 is a conceptual diagram of the overall configuration of an embodiment of a multi-wavelength spectrophotometer according to the present invention.

【図2】図1のフォトダイオードアレイ型光検出器の詳
細図。
FIG. 2 is a detailed view of the photodiode array type photodetector of FIG.

【図3】本発明にもとづくフォトダイオードアレイ型光
検出器のもう一つの実施例の詳細図。
FIG. 3 is a detailed view of another embodiment of a photodiode array type photodetector according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:光源、2:レンズ、3:サンプルセル、4a:サン
プル光用スリット、4b:リファレンス光用スリット、
6:分光素子、7a:サンプル光用フォトダイオードア
レイ、7b:リファレンス光用フォトダイオードアレ
イ、8a:サンプル光用0次光入射領域、8b:リファレ
ンス光用0次光入射領域、9:信号処理回路、10:単
一の半導体基板。
1: light source, 2: lens, 3: sample cell, 4a: slit for sample light, 4b: slit for reference light,
6: spectral element, 7a: photodiode array for sample light, 7b: photodiode array for reference light, 8a: 0th-order light incident area for sample light, 8b: 0th-order light incident area for reference light, 9: signal processing circuit , 10: Single semiconductor substrate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 宜昭 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 Fターム(参考) 2G020 AA01 2G059 AA01 EE01 EE11 FF08 KK03 KK04  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiaki Yamada 882, Momo-shi, Oaza, Hitachinaka-shi, Ibaraki F-term in Measuring Instruments Division, Hitachi, Ltd. (Reference) 2G020 AA01 2G059 AA01 EE01 EE11 FF08 KK03 KK04

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】同一光源から得られるサンプル光及びリフ
ァレンス光を分光素子で分光し、その分光したサンプル
光及びリファレンス光をフォトダイオードアレイ型光検
出器により検出する多波長分光光度計において、前記フ
ォトダイオードアレイ型光検出器は単一の半導体基板
と、該単一の半導体基板上に列を異にして形成されたサ
ンプル光用フォトダイオードアレイ及びリファレンス光
用フォトダイオードアレイとを含むことを特徴とする多
波長分光光度計。
1. A multi-wavelength spectrophotometer for separating a sample light and a reference light obtained from the same light source by a spectroscopic element and detecting the separated sample light and the reference light by a photodiode array type photodetector. The diode array-type photodetector includes a single semiconductor substrate, and a photodiode array for sample light and a photodiode array for reference light formed in different columns on the single semiconductor substrate. Multi-wavelength spectrophotometer.
【請求項2】請求項1において、前記サンプル光用フォ
トダイオードアレイを構成するフォトダイオード及び前
記リファレンス光用フォトダイオードアレイを構成する
フォトダイオードはその列方向において交互にずらして
配置されていることを特徴する多波長分光光度計。
2. The method according to claim 1, wherein the photodiodes constituting the photodiode array for sample light and the photodiodes constituting the photodiode array for reference light are alternately arranged in the column direction. Characteristic multi-wavelength spectrophotometer.
【請求項3】請求項1において、前記サンプル光用フォ
トダイオードアレイ及びリファレンス光用フォトダイオ
ードアレイはその列方向において互いに間隔づられてい
ることを特徴とする多波長分光光度計。
3. The multi-wavelength spectrophotometer according to claim 1, wherein the sample light photodiode array and the reference light photodiode array are spaced from each other in a column direction.
【請求項4】請求項3において、前記単一の半導体基板
上の、前記サンプル光用フォトダイオードアレイ及び前
記リファレンス光用フォトダイオードアレイ間にはサン
プル光用0次光入射領域及びリファレンス光用0次光入
射領域が形成され、前記サンプル光用0次光入射領域は
前記サンプル光用フォトダイオードアレイと同じ列上
に、前記リファレンス光用0次光入射領域は前記リファ
レンス光用フォトダイオードアレイと同じ列上にそれぞ
れ配置され、前記サンプル光用フォトダイオードアレイ
によって前記サンプル光の1次の回折光が、前記リファ
レンス光用フォトダイオードアレイによって前記リファ
レンス光の−1次の回折光がそれぞれ検出されるように
したことを特徴とする多波長分光光度計。
4. The sample light 0th-order light incident area and the reference light 0-distance between the sample light photodiode array and the reference light photodiode array on the single semiconductor substrate. A zero-order light incident region for sample light is formed, the zero-order light incident region for sample light is on the same column as the photodiode array for sample light, and the zero-order light incident region for reference light is the same as the photodiode array for reference light. The first order diffracted light of the sample light is detected by the photodiode array for sample light, and the -1st order diffracted light of the reference light is detected by the photodiode array for reference light. A multi-wavelength spectrophotometer characterized in that:
【請求項5】請求項3又は4において、前記サンプル光
用フォトダイオードアレイを構成するフォトダイオード
の数は前記リファレンス光用フォトダイオードアレイを
構成するフォトダイオードの数よりも多いことを特徴と
する多波長分光光度計。
5. The method according to claim 3, wherein the number of photodiodes forming the photodiode array for sample light is larger than the number of photodiodes forming the photodiode array for reference light. Wavelength spectrophotometer.
【請求項6】単一の半導体基板と、該単一の半導体基板
上に列を異にして形成されたサンプル光用フォトダイオ
ードアレイ及びリファレンス光用フォトダイオードアレ
イとを含むことを特徴とするフォトダイオードアレイ型
光検出器。
6. A photo-sensor comprising: a single semiconductor substrate; and a photodiode array for sample light and a photodiode array for reference light formed in different columns on the single semiconductor substrate. Diode array type photodetector.
【請求項7】請求項6において、前記サンプル光用フォ
トダイオードアレイを構成するフォトダイオード及び前
記リファレンス光用フォトダイオードアレイを構成する
フォトダイオードはその列方向において交互にずらして
配置されていることを特徴するフォトダイオードアレイ
型光検出器。
7. The method according to claim 6, wherein the photodiodes constituting the photodiode array for sample light and the photodiodes constituting the photodiode array for reference light are alternately arranged in the column direction. Characteristic photodiode array type photodetector.
【請求項8】請求項6において、前記サンプル光用フォ
トダイオードアレイ及びリファレンス光用フォトダイオ
ードアレイはその列方向において互いに間隔づられてい
ることを特徴とするフォトダイオードアレイ型光検出
器。
8. A photodiode array type photodetector according to claim 6, wherein said photodiode array for sample light and said photodiode array for reference light are spaced from each other in the column direction.
【請求項9】請求項8において、前記単一の半導体基板
上の、前記サンプル光用フォトダイオードアレイ及び前
記リファレンス光用フォトダイオードアレイ間にはサン
プル光用0次光入射領域及びリファレンス光用0次光入
射領域が形成され、前記サンプル光用0次光入射領域は
前記サンプル光用フォトダイオードアレイと同じ列上
に、前記リファレンス光用0次光入射領域は前記リファ
レンス光用フォトダイオードアレイと同じ列上にそれぞ
れ配置され手いることを特徴とするフォトダイオードア
レイ型光検出器。
9. The zero-order light incident area for sample light and the zero-order light for reference light between the photodiode array for sample light and the photodiode array for reference light on the single semiconductor substrate. A zero-order light incident region for sample light is formed, the zero-order light incident region for sample light is on the same column as the photodiode array for sample light, and the zero-order light incident region for reference light is the same as the photodiode array for reference light. A photodiode array-type photodetector, wherein each of the photodetectors is arranged on a row.
【請求項10】請求項8又は9において、前記サンプル
光用フォトダイオードアレイを構成するフォトダイオー
ドの数は前記リファレンス光用フォトダイオードアレイ
を構成するフォトダイオードの数よりも多いことを特徴
とするフォトダイオードアレイ型光検出器。
10. The photo-sensor according to claim 8, wherein the number of photodiodes forming the photodiode array for sample light is larger than the number of photodiodes forming the photodiode array for reference light. Diode array type photodetector.
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