JP2000314708A - X-ray topography device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、試料に対して1対
1の幾何学的対応をつけて試料からの回折X線をX線乾
板等に記録するX線トポグラフィ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray topography apparatus for recording a diffracted X-ray from a sample on an X-ray plate or the like with a one-to-one geometric correspondence with the sample.
【0002】[0002]
【従来の技術】単結晶材料の結晶内部の格子欠陥等をX
線を用いて直接に観察するための方法としてX線トポグ
ラフィがあることは従来から知られている。このX線ト
ポグラフィには、ラング法、ベルクバレット法等のよう
な1結晶法や、それとは別の2結晶法がある。ラング法
は一般に透過配置の1結晶法の代表として知られ、ベル
クバレット法は一般に表面反射の1結晶法の代表として
知られている。2. Description of the Related Art A lattice defect or the like inside a crystal of a single crystal material is represented by X.
It is conventionally known that there is an X-ray topography as a method for directly observing using a line. The X-ray topography includes a single crystal method such as a Lang method and a Berg Barrett method, and a different two crystal method. The Lang method is generally known as a representative of a single crystal method in a transmission configuration, and the Berg Barrett method is generally known as a representative of a single crystal method of surface reflection.
【0003】1結晶法では、X線源から発生した1次X
線を直接に試料結晶に入射させ、その試料で回折したX
線によってX線乾板等といった2次元X線検出手段に像
を形成する。一方、2結晶法では、X線源から発生した
1次X線を第1結晶に入射させ、その第1結晶で回折し
たX線を試料結晶に入射させ、その試料結晶で回折した
X線によって2次元X線検出手段に像を形成する。In the single crystal method, a primary X-ray generated from an X-ray source is used.
X-rays are directly incident on the sample crystal and diffracted by the sample.
An image is formed by a line on a two-dimensional X-ray detecting means such as an X-ray dry plate. On the other hand, in the two-crystal method, primary X-rays generated from an X-ray source are incident on a first crystal, X-rays diffracted by the first crystal are incident on a sample crystal, and X-rays diffracted by the sample crystal are used. An image is formed on the two-dimensional X-ray detection means.
【0004】1結晶法では、部分的な結晶方位のずれに
よって回折条件を満たす程度が変わることや、消衰効
果、ボルマン効果等といった回折効果により、格子欠陥
に対応した白黒のコントラストが生じる。これに対し
て、2結晶法では、第1結晶及び第2結晶(すなわち、
試料)でX線を2回回折させることにより、上記第1結
晶法に比べて回折条件を満足する角度域が数10分の1
から数100分の1に減少する。このため、この2結晶
法によれば、1結晶法では検出することのできない微小
な格子欠陥、微小な歪を検出することが可能となる。In the one-crystal method, the degree of satisfying the diffraction condition changes due to a partial shift of the crystal orientation, and a black-and-white contrast corresponding to a lattice defect occurs due to a diffraction effect such as an extinction effect and a Borman effect. In contrast, in the two-crystal method, the first crystal and the second crystal (that is,
By diffracting the X-ray twice in the sample), the angle range satisfying the diffraction condition is several tenths of that in the first crystallization method.
To several hundredths. Therefore, according to the two-crystal method, it is possible to detect minute lattice defects and minute strains that cannot be detected by the one-crystal method.
【0005】今、ラング法のX線トポグラフィ装置につ
いて考えると、本出願人は特開平7−140096号公
報において、試料を水平に配置すると共に、X線を上下
方向へ進行させてその試料を透過させる構造の、いわゆ
る縦型のX線トポグラフィ装置を提案した。Now, considering the X-ray topography apparatus of the Lang method, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-14096 that the sample is arranged horizontally, and the X-ray is advanced in the vertical direction and transmitted through the sample. A so-called vertical X-ray topography apparatus having a structure to make it possible has been proposed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のX線トポグラフィ装置では、試料に対して1対1の
幾何学的対応をつけて、X線乾板等といった2次元X線
検出手段に試料からの回折X線を記録する際に、試料を
水平面内で平行移動させなければならず、それ故、高温
容器等といった付帯機器を試料に付設することが難しい
という問題があった。However, in the above-mentioned conventional X-ray topography apparatus, a one-to-one geometric correspondence is given to the sample, and the sample is sent to the two-dimensional X-ray detecting means such as an X-ray dry plate from the sample. When recording the diffracted X-rays, the sample must be translated in a horizontal plane, so that it is difficult to attach ancillary equipment such as a high-temperature container to the sample.
【0007】ところが最近、X線トポグラフィの測定対
象である単結晶試料等に関して特殊条件下、例えば低温
雰囲気下、高温雰囲気下、その単結晶試料の成長過程時
等における試料の挙動を測定したいという要望が強くな
ってきている。上記従来の液晶装置では、必要な付帯機
器を試料に付設することが難しいが故に、そのような要
望に適応できなかった。However, recently, there is a demand for measuring the behavior of a single crystal sample or the like to be measured by X-ray topography under special conditions, for example, in a low-temperature atmosphere, a high-temperature atmosphere, or during the growth process of the single crystal sample. Is getting stronger. In the above-described conventional liquid crystal device, it is difficult to attach necessary auxiliary equipment to the sample, and thus, such a demand cannot be met.
【0008】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、特殊条件下に置かれた試料に対してX線
トポグラフィ測定を行うことができるX線トポグラフィ
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and provides an X-ray topography apparatus capable of performing X-ray topography measurement on a sample placed under special conditions. With the goal.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】(1) 上記の目的を達
成するため、本発明に係るX線トポグラフィ装置は、X
線を放射するX線源と、試料を測定中に静止状態で保持
する試料支持手段と、前記試料からのX線を平面的に検
出する2次元X線検出手段と、前記X線源から出て前記
試料へ向かうX線を規制する少なくとも1つの入射側ス
リットと、前記試料と前記2次元X線検出手段との間に
配設される出射側スリットと、前記X線源及び前記入射
側スリットを支持するω移動台と、前記出射側スリット
及び前記ω移動台を支持し前記試料に対して平行移動可
能な基台とを有し、その基台は前記平行移動のときに前
記試料を通過するω軸線を具備し、前記ω移動台はその
ω軸線を中心として回転可能であることを特徴とする。(1) In order to achieve the above object, an X-ray topography apparatus according to the present invention comprises:
An X-ray source for emitting X-rays, sample support means for holding the sample stationary during measurement, two-dimensional X-ray detection means for detecting X-rays from the sample in a plane, and an output from the X-ray source. At least one entrance slit for restricting X-rays traveling toward the sample, an exit slit disposed between the sample and the two-dimensional X-ray detection means, the X-ray source and the entrance slit And a base that supports the emission side slit and the ω movement table and that can move in parallel with the sample, and the base passes through the sample during the parallel movement. The ω moving table is rotatable about the ω axis.
【0010】上記構成のX線トポグラフィ装置によれ
ば、試料に対してX線源及び入射側スリットがω移動台
の移動によって回転、いわゆるω回転するので、試料に
対するX線の入射角度を希望の値に設定できる。According to the X-ray topography apparatus having the above configuration, the X-ray source and the incident side slit are rotated relative to the sample by the movement of the ω moving table, so-called ω rotation. Can be set to a value.
【0011】また、測定中、X線源、入射側スリット及
び出射側スリットの各要素が、基台の移動に従って試料
及び2次元X線検出手段に対して平行移動するので、試
料に対して1対1の幾何学的対応をつけた回折X線像を
2次元X線検出手段によって検出することができる。During the measurement, each element of the X-ray source, the entrance side slit and the exit side slit moves in parallel with respect to the sample and the two-dimensional X-ray detecting means in accordance with the movement of the base. A diffraction X-ray image with a one-to-one geometric correspondence can be detected by the two-dimensional X-ray detection means.
【0012】さらに、試料は測定中に静止状態に保持さ
れるので、その試料の周囲又は近傍に適宜の付帯機器、
例えば高温容器、低温容器、試料の生成成長容器等を設
ける場合でも、その試料に対してX線測定を支障無く行
うことができる。なお、そのような付帯機器には、試料
を通過又は反射するX線を通過させるためのX線通過用
窓を設けることはもちろんである。In addition, since the sample is kept stationary during the measurement, appropriate auxiliary equipment, around or near the sample,
For example, even when a high-temperature container, a low-temperature container, a sample generation / growth container, and the like are provided, X-ray measurement can be performed on the sample without any trouble. It is needless to say that such an accessory device is provided with an X-ray passing window for passing X-rays that pass through or reflect the sample.
【0013】上記構成において、「2次元X線検出手
段」とは、X線を平面領域内で受光してその平面領域内
の各点においてX線を検出できる構造のX線検出手段で
あり、例えばX線乾板、X線フィルム、輝尽性蛍光体、
面状CCD(Charge Coupled Device)センサ等によっ
て構成できる。In the above configuration, the "two-dimensional X-ray detecting means" is an X-ray detecting means having a structure capable of receiving X-rays in a plane area and detecting X-rays at each point in the plane area. For example, X-ray dry plate, X-ray film, stimulable phosphor,
It can be constituted by a planar CCD (Charge Coupled Device) sensor or the like.
【0014】上記のX線乾板は、比較的硬質で適宜の面
積を有するのベース基板の片側又は両側表面にハロゲン
化銀を主成分とする乳剤を膜状に設けて成る平面状のX
線検出要素である。また、上記のX線フィルムは、プラ
スチックフィルム、例えば厚さの薄い可撓性を有するプ
ラスチックフィルムの片側又は両側表面にハロゲン化銀
を主成分とする乳剤を膜状に設けて成る平面状のX線検
出要素である。The above-mentioned X-ray dry plate is a flat X-ray plate formed by providing an emulsion mainly composed of silver halide on one or both surfaces of a base substrate which is relatively hard and has an appropriate area.
Line detection element. The above-mentioned X-ray film is a planar X-ray film formed by providing an emulsion containing silver halide as a main component on one or both surfaces of a plastic film, for example, a thin and flexible plastic film. Line detection element.
【0015】X線は可視光線と同様に写真乳剤を感光さ
せる。X線が乳剤中に入射すると、ハロゲン化銀をイオ
ン化して現像核を形成する。これを現像すると、銀粒子
が遊離して該部が黒化する。この黒化点及び黒化の程度
を測定することにより、2次元的なX線分布を検出でき
る。X-rays expose photographic emulsions as well as visible light. When X-rays enter the emulsion, silver halide is ionized to form development nuclei. When this is developed, the silver particles are released and the portion is blackened. By measuring the blackening point and the degree of blackening, a two-dimensional X-ray distribution can be detected.
【0016】上記の輝尽性蛍光体は、エネルギ蓄積型の
放射線検出器であり、輝尽性蛍光物質、例えばBaFB
r:Er2+ の微結晶を可撓性フィルム、平板状フィル
ム、その他の部材の表面に塗布等によって成膜したもの
である。この輝尽性蛍光体は、X線等のエネルギの形で
蓄積することができ、さらにレーザ光等といった輝尽励
起光の照射によりそのエネルギを外部に光として放出で
きる性質を有する物体である。The stimulable phosphor is an energy storage type radiation detector, and is a stimulable phosphor such as BaFB.
r: A film formed by applying microcrystals of Er 2+ on the surface of a flexible film, a flat film, or another member by coating or the like. This stimulable phosphor is an object having the property of being able to accumulate energy in the form of X-rays and the like and emitting the energy as light to the outside upon irradiation with stimulating light such as laser light.
【0017】つまり、輝尽性蛍光体にX線等を照射する
と、その照射された部分に対応する輝尽性蛍光体の内部
にエネルギが潜像として蓄積され、さらにその輝尽性蛍
光体にレーザ光等といった輝尽性蛍光体を照射すると上
記潜像エネルギが光となって外部へ放出される。この放
出された光を光電管等によって検出することにより、潜
像の形成に寄与したX線の回折角度及び強度を測定でき
る。この輝尽性蛍光体は、従来のX線フィルムに対して
10〜60倍の感度を有し、さらに105 〜106 に及
ぶ広いダイナミックレンジを有する。That is, when the stimulable phosphor is irradiated with X-rays or the like, energy is accumulated as a latent image inside the stimulable phosphor corresponding to the irradiated portion, and the stimulable phosphor is further applied to the stimulable phosphor. When a stimulable phosphor such as a laser beam is irradiated, the latent image energy is emitted as light to the outside. By detecting the emitted light using a photoelectric tube or the like, the diffraction angle and intensity of X-rays that have contributed to the formation of a latent image can be measured. This stimulable phosphor has sensitivity 10 to 60 times that of a conventional X-ray film, and has a wide dynamic range of 10 5 to 10 6 .
【0018】上記の面状CCDセンサとは、それ自体周
知の電子素子であるCCDすなわち電荷結合素子を平面
的に配列して構成されたX線検出要素である。CCD
は、例えばシリコン基板上に複数の電極を酸化絶縁膜を
挟んで配置した構造の電極アレイを有し、この電極アレ
イをX線取込み口に対応して面状に配置したものが面状
CCDセンサである。The above-mentioned planar CCD sensor is an X-ray detecting element formed by arranging a CCD, which is a well-known electronic element, that is, a charge-coupled device in a plane. CCD
For example, a planar CCD sensor having an electrode array having a structure in which a plurality of electrodes are arranged on a silicon substrate with an oxide insulating film interposed therebetween, and the electrode array is arranged in a plane corresponding to the X-ray intake port. It is.
【0019】(2) 上記構成のX線トポグラフィ装置
において、前記X線源はポイント状X線源とすることが
できる。これにより、X線トポグラフィやロッキングカ
ーブを正確に測定できる。(2) In the X-ray topography apparatus having the above configuration, the X-ray source may be a point-shaped X-ray source. Thereby, the X-ray topography and the rocking curve can be accurately measured.
【0020】(3) 上記構成のX線トポグラフィ装置
において、前記2次元X線検出手段は前記試料を透過し
たX線を受光する位置に配置することができる。この構
造は、いわゆる透過配置のX線トポグラフィ装置の構造
である。(3) In the X-ray topography apparatus having the above-mentioned configuration, the two-dimensional X-ray detecting means can be arranged at a position for receiving X-rays transmitted through the sample. This structure is a structure of an X-ray topography apparatus in a so-called transmission arrangement.
【0021】(4) 上記構成のX線トポグラフィ装置
において、前記X線源及び前記入射側スリットを支持す
るω移動台は、前記試料支持手段によって支持される試
料の下方位置に配設することができる。X線源に関して
は、その重量がかなり大きくなることがある。上記構成
のように、X線源を支持するω移動台を試料の下方に配
設することにすれば、X線源の重量が非常に大きくなる
場合でも、それを支持する機構を比較的簡単に構成でき
る。(4) In the X-ray topography apparatus having the above-mentioned structure, the ω-moving stage supporting the X-ray source and the incident side slit may be arranged at a position below a sample supported by the sample supporting means. it can. For an X-ray source, its weight can be quite large. If the ω moving table supporting the X-ray source is arranged below the sample as in the above configuration, even if the weight of the X-ray source becomes extremely large, the mechanism for supporting the X-ray source is relatively simple. Can be configured.
【0022】(5) 上記(1)〜(3)記載のX線ト
ポグラフィ装置において、前記X線源及び前記入射側ス
リットを支持するω移動台は、前記試料支持手段によっ
て支持される試料の上方位置に配設することもできる。(5) In the X-ray topography apparatus according to any one of (1) to (3), the ω moving table that supports the X-ray source and the incident side slit is located above the sample supported by the sample supporting means. It can also be located at a location.
【0023】X線トポグラフィ装置においては、結晶や
試料から希望の回折角度の回折X線を取り出すことが要
求され、そのため、結晶や試料に入射するX線を制限す
る入射側スリットに関しては、X線源からその入射側ス
リットに至る距離をかなり長く設定しなければならない
ことがある。この場合、上記(4)のようにX線源を支
持するω移動台を試料の下方位置に配設すると、ω移動
台の長さが長くなり過ぎるため、試料の配置位置が非常
に高くなったり、試料の配置位置を低く抑えたいときに
はω移動台を収容するための穴を地面に掘らなければな
らないといった問題が生じる。これに対し、上記(5)
記載のようにω移動台を試料の上方位置に配設すれば、
X線源から入射側スリットに至る距離がどのように長く
なっても、試料の配置位置は低く抑えることができる。In an X-ray topography apparatus, it is required to extract a diffracted X-ray having a desired diffraction angle from a crystal or a sample. Therefore, regarding an incident side slit for limiting the X-ray incident on the crystal or the sample, an X-ray is required. The distance from the source to its entrance slit may have to be set quite long. In this case, if the ω carriage supporting the X-ray source is disposed below the sample as in (4), the length of the ω carriage becomes too long, and the arrangement position of the sample becomes extremely high. In addition, there is a problem that a hole for accommodating the ω moving table must be dug in the ground when the position of the sample is to be kept low. In contrast, the above (5)
If the ω carriage is placed above the sample as described,
No matter how long the distance from the X-ray source to the entrance slit is, the position of the sample can be kept low.
【0024】(6) 上記構成のX線トポグラフィ装置
においては、前記試料の近傍に付帯機器を設けることが
できる。ここにいう付帯機器とは、試料に対して何等か
の作用を及ぼすことができる機器のことである。この付
帯機器としては、例えば、試料を大気雰囲気以外の何等
かの条件下に置くことができる容器が考えられ、そのよ
うな容器としては、例えば、試料を高温条件に置く高温
容器、試料を低温条件に置く低温容器、単結晶試料等を
生成成長させる結晶成長炉等といった各種の容器が考え
られる。(6) In the X-ray topography apparatus having the above configuration, an auxiliary device can be provided near the sample. Here, the auxiliary device is a device capable of exerting some action on the sample. As the incidental device, for example, a container that can place a sample under some conditions other than the atmospheric atmosphere is considered. As such a container, for example, a high-temperature container that places a sample under high-temperature conditions, Various types of containers such as a low-temperature container placed under the conditions and a crystal growth furnace for generating and growing a single crystal sample or the like can be considered.
【0025】本発明に係るX線トポグラフィ装置では、
試料が測定中に静止状態に保持されるので、その試料の
周囲又は近傍に上記のような付帯機器を設けても、その
試料に対してX線測定を支障無く行うことができる。In the X-ray topography apparatus according to the present invention,
Since the sample is kept stationary during the measurement, the X-ray measurement can be performed on the sample without hindrance even if the above-described auxiliary device is provided around or near the sample.
【0026】(7) 上記構成のX線トポグラフィ装置
において、前記ω移動台はチャンネルカットモノクロメ
ータを備えることができ、さらに、そのチャンネルカッ
トモノクロメータは前記X線源から前記試料へ至るX線
通路を遮る作用位置と、そのX線通路から退避する退避
位置との間で移動可能に設けることができる。(7) In the X-ray topography apparatus having the above-mentioned structure, the ω moving table may include a channel cut monochromator, and the channel cut monochromator may further include an X-ray path from the X-ray source to the sample. Can be movably provided between an operation position for blocking the X-ray and a retreat position for retreating from the X-ray passage.
【0027】チャンネルカットモノクロメータとは、ゲ
ルマニウム、シリコン等といった結晶ブロックに溝を切
ることによってその溝の両側に壁を形成し、それらの壁
のそれぞれでX線を反射させてそのX線を単色化させる
構造のモノクロメータである。A channel cut monochromator is formed by cutting a groove in a crystal block such as germanium or silicon to form walls on both sides of the groove, and reflecting X-rays on each of the walls to convert the X-rays into a single color. This is a monochromator having a structure to be converted.
【0028】この(7)記載のX線トポグラフィ装置に
よれば、X線源から放射されるX線を単色化、すなわ
ち、ある特定の1種類の波長のX線のみを取り出した状
態で試料に入射させることができ、いわゆる2結晶法の
トポグラフィ測定を行うことができる。これにより、試
料に関して微小な格子欠陥、微小な歪等を検出すること
が可能となる。According to the X-ray topography apparatus described in (7), the X-ray radiated from the X-ray source is made monochromatic, that is, the X-ray having only one specific wavelength is taken out of the sample. The light can be incident, and a so-called two-crystal method topography measurement can be performed. This makes it possible to detect minute lattice defects, minute distortions, and the like with respect to the sample.
【0029】(8) 上記構成のX線トポグラフィ装置
においては、前記試料を通る試料軸線を中心として回転
可能な2θ移動台と、その2θ移動台によって支持され
る0次元X線検出手段とを設けることもできる。ここに
いう「0次元X線検出手段」は、位置分解能を持たない
構造のX線検出手段のことであり、例えばSC( Scint
illation Counter:シンチレーション計数管)、PC
(Proportional Counter:比例計数管)等を用いて構成
できる。(8) In the X-ray topography apparatus having the above structure, a 2θ movable table rotatable around a sample axis passing through the sample and a 0-dimensional X-ray detecting means supported by the 2θ movable table are provided. You can also. The "0-dimensional X-ray detecting means" referred to herein is an X-ray detecting means having a structure having no positional resolution, and is, for example, an SC (scint).
illation Counter: scintillation counter), PC
(Proportional Counter: proportional counter) or the like.
【0030】トポグラフィ測定を行う場合には、試料で
発生する回折X線はX線乾板、面状CCDカメラ等とい
った2次元X線検出手段によって受光され、上記の0次
元X線検出手段は直接にはトポグラフィ測定に寄与する
ことはない。この0次元X線検出手段は、X線トポグラ
フィ装置を構成するX線源、スリット等といった各種の
X線光学要素を一定の初期状態に設定するための初期設
定作業の際に用いられたり、あるいは、試料に対してロ
ッキングカーブ測定を行う際に用いられる。なお、この
ロッキングカーブ測定を行う際には、2次元X線検出手
段によるX線検出は行わない。When a topography measurement is performed, diffracted X-rays generated from a sample are received by a two-dimensional X-ray detecting means such as an X-ray dry plate or a planar CCD camera. Does not contribute to the topography measurement. This zero-dimensional X-ray detection means is used at the time of an initial setting operation for setting various X-ray optical elements such as an X-ray source and a slit constituting the X-ray topography apparatus to a predetermined initial state, or Is used when a rocking curve is measured on a sample. Note that when performing the rocking curve measurement, X-ray detection by the two-dimensional X-ray detection unit is not performed.
【0031】ロッキングカーブ測定は、主に、単結晶試
料等に関する結晶の完全性を評価するための測定として
用いられるものであり、単結晶試料にX線を照射し、そ
のときに試料で回折するX線の強度ピーク位置の近傍の
数10秒〜数100秒における回折X線あるいは散乱X
線についての強度分布(すなわち、ロッキングカーブ)
を求め、このロッキングカーブに基づいて試料の完全性
等を評価するものである。The rocking curve measurement is mainly used as a measurement for evaluating the crystal integrity of a single crystal sample or the like, in which a single crystal sample is irradiated with X-rays and then diffracted by the sample. Diffracted X-rays or scattered X-rays for several tens to several hundreds of seconds near the X-ray intensity peak position
Intensity distribution for the line (ie rocking curve)
And evaluates the integrity and the like of the sample based on the rocking curve.
【0032】このロッキングカーブ測定は、通常は、第
1結晶によって単色化(すなわち、ある特定の1種類の
波長のX線のみを取り出すこと)されたX線を試料の特
定の1点に照射し、その1点についてのロッキングカー
ブを測定する。In the rocking curve measurement, usually, X-rays monochromatized by the first crystal (that is, taking out only X-rays of one specific kind of wavelength) are irradiated to a specific point of the sample. , And a rocking curve at one point is measured.
【0033】(9) 上記(8)記載のX線トポグラフ
ィ装置に関しては、0次元X線検出器以外に前記2θ移
動台によって面状CCDセンサを支持し、この面状CD
Dセンサを前記2次元X線検出手段として用いることが
できる。2次元X線検出手段としてX線フィルムを用い
る場合には、試料からの回折X線像をそのX線フィルム
に形成した後、現像処理等といった後処理を行わなけれ
ばならない。(9) In the X-ray topography apparatus described in (8) above, a planar CCD sensor is supported by the 2θ movable table in addition to the 0-dimensional X-ray detector, and the planar CD sensor is
The D sensor can be used as the two-dimensional X-ray detecting means. When an X-ray film is used as the two-dimensional X-ray detection means, after forming a diffracted X-ray image from the sample on the X-ray film, post-processing such as development processing must be performed.
【0034】これに対し、2次元X線検出手段として面
状CCDセンサを用いる場合には、試料からの回折X線
が逐次に面状CCDセンサの出力信号として得られるの
で、オペレータの手を煩わせる後処理を行う必要が無く
なり、よって迅速な測定ができるようになる。On the other hand, when a planar CCD sensor is used as the two-dimensional X-ray detecting means, diffracted X-rays from the sample can be sequentially obtained as output signals of the planar CCD sensor, so that the operator is troublesome. This eliminates the need for post-processing, thereby enabling quick measurement.
【0035】また、SC等といった0次元X線検出手段
及び2次元X線検出手段としての面状CCDセンサの両
方を2θ移動台に設けることにより、2次元X線検出手
段を用いる測定と0次元X線検出手段を用いる測定とを
オペレータの希望に応じて自由に切り替えて実行でき
る。Further, by providing both a zero-dimensional X-ray detecting means such as an SC and a planar CCD sensor as a two-dimensional X-ray detecting means on a 2θ movable stage, measurement using the two-dimensional X-ray detecting means and zero-dimensional X-ray detecting means can be performed. The measurement using the X-ray detection means can be freely switched and executed as desired by the operator.
【0036】[0036]
【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1は、本発明
に係るX線トポグラフィ装置の一実施形態を示してい
る。このX線トポグラフィ装置は、それぞれが機枠フレ
ーム1に支持された、基台2、2θ移動台3及び試料支
持フレーム4の各要素を有する。(First Embodiment) FIG. 1 shows one embodiment of an X-ray topography apparatus according to the present invention. This X-ray topography apparatus has respective components of a base 2, a 2θ movable base 3, and a sample support frame 4, each of which is supported by a machine frame 1.
【0037】試料支持フレーム4は図1では模式的に示
してあるが、これは試料Sを着脱可能に且つ測定中に静
止状態で保持できる構造でありさえすれば、どのような
構造であっても良い。また、試料支持フレーム4は試料
Sを直接に支持することもできるが、本実施形態では試
料支持フレーム4に付帯機器としての試料生成成長炉8
を取り付け、その試料生成成長炉8によって試料Sを静
止状態で保持する。Although the sample support frame 4 is schematically shown in FIG. 1, any structure can be used as long as the sample S can be detachably mounted and can be held stationary during the measurement. Is also good. Although the sample support frame 4 can directly support the sample S, in the present embodiment, the sample generation and growth furnace 8 as an auxiliary device is attached to the sample support frame 4.
The sample S is held in a stationary state by the sample production and growth furnace 8.
【0038】試料生成成長炉8は試料、例えばSiC
(シリコンカーバイド)結晶を生成し、さらに成長させ
るための炉であり、具体的には、内部を高温に加熱する
ためのヒータや、内部を真空にするための真空排気系
や、内部に不活性ガスを導入するためのガス搬送系等を
備えた炉である。なお、試料生成成長炉8のX線入射側
及び回折X線出射側のそれぞれにはX線を通過させるこ
とができ、しかも内部雰囲気と外部雰囲気とを隔絶でき
る材料、例えばベリリウム等によって形成されたX線通
過窓6が設けられる。The sample generation and growth furnace 8 includes a sample, for example, SiC.
(Silicon carbide) A furnace for generating and further growing crystals, specifically, a heater for heating the inside to a high temperature, a vacuum exhaust system for evacuating the inside, and an inert inside. This is a furnace equipped with a gas transfer system for introducing gas. Each of the X-ray incident side and the diffracted X-ray emission side of the sample generation and growth furnace 8 is made of a material that can allow X-rays to pass therethrough and can isolate the internal atmosphere from the external atmosphere, such as beryllium. An X-ray passage window 6 is provided.
【0039】試料Sにはφ回転/チルト移動装置20が
付設される。このφ回転/チルト移動装置20は、試料
を通って紙面垂直方向に延びる試料軸線X0に対して直
角方向(すなわち、紙面平行方向)に延びるφ軸線Xφ
を中心として試料Sを回転、いわゆる面内回転させると
共に、試料軸線X0を中心として試料Sをチルト移動す
なわち傾斜移動させることができる。試料Sに対するこ
れらの面内回転及びチルト移動は、X線トポグラフィを
求めている測定の最中に実行されるものではなく、試料
Sを最適の測定条件に設定するための初期設定の際に実
行されるものである。The sample S is provided with a φ rotation / tilt moving device 20. The φ rotation / tilt moving device 20 includes a φ axis Xφ extending in a direction perpendicular to the sample axis X0 passing through the sample in a direction perpendicular to the paper (that is, in a direction parallel to the paper).
, The sample S can be rotated, that is, rotated in a plane, and the sample S can be tilted, that is, tilted about the sample axis X0. These in-plane rotation and tilt movement with respect to the sample S are not performed during the measurement for obtaining the X-ray topography, but are performed during the initial setting for setting the sample S to the optimum measurement conditions. Is what is done.
【0040】このφ回転/チルト移動装置20は、例え
ばパルスモータを動力源としてその動力を適宜の動力伝
達系を介して試料Sに伝える構造によって構成される。
また、このφ回転/チルト移動装置20は、試料生成成
長炉8と試料Sとの間に設置して試料Sを直接に駆動す
ることもできるし、あるいは、試料支持フレーム4と試
料生成成長炉8との間に設置して試料生成成長炉8を介
して試料Sを駆動することもできる。The φ rotation / tilt moving device 20 has a structure in which, for example, a pulse motor is used as a power source and the power is transmitted to the sample S via an appropriate power transmission system.
The φ rotation / tilt moving device 20 can be installed between the sample generation and growth furnace 8 and the sample S to directly drive the sample S, or the sample support frame 4 and the sample generation and growth furnace 8, the sample S can be driven through the sample production and growth furnace 8.
【0041】2θ移動台3には支持部材14が設けら
れ、その支持部材14によってフィルム支持枠15が支
持される。支持部材14とフィルム支持枠15との間に
は回転支持部29が介在し、この回転支持部29の働き
により、フィルム支持枠15が矢印Dのように傾斜移動
して角度調節され、さらに調節後の位置で静止保持でき
る。A support member 14 is provided on the 2θ movable base 3, and the film support frame 15 is supported by the support member 14. A rotation support portion 29 is interposed between the support member 14 and the film support frame 15, and the rotation of the rotation support portion 29 causes the film support frame 15 to tilt and move as shown by the arrow D to adjust the angle. Can be held stationary in a later position.
【0042】フィルム支持枠15には2次元X線検出手
段としてのX線フィルム7aが着脱可能に装着される。
X線フィルム7aは、試料Sから出る回折X線を平面領
域内で受光して像を形成するフィルムである。An X-ray film 7a as two-dimensional X-ray detection means is detachably mounted on the film support frame 15.
The X-ray film 7a is a film that receives a diffracted X-ray emitted from the sample S in a plane region and forms an image.
【0043】2θ移動台3の表面には、2次元X線検出
手段としての面状CCDセンサ7b及び0次元X線検出
手段としてのSC( Scintillation Counter)16の2
つのX線検出器が固定設置される。これらの検出器は、
試料Sを紙面垂直方向に通る軸線、すなわち試料軸線X
0を中心として所定角度αを隔てて配設されている。符
号28は、SC16のX線受光面の前に配設される受光
スリットを示している。On the surface of the 2.theta. Moving table 3, a two-dimensional CCD sensor 7b as two-dimensional X-ray detecting means and a SC (Scintillation Counter) 16 as zero-dimensional X-ray detecting means are provided.
Two X-ray detectors are fixedly installed. These detectors are
An axis passing through the sample S in a direction perpendicular to the paper surface, that is, the sample axis X
It is disposed at a predetermined angle α centered on 0. Reference numeral 28 denotes a light receiving slit disposed in front of the X-ray receiving surface of the SC 16.
【0044】2θ移動台3には2θ移動装置13が付設
され、その2θ移動装置13によって駆動されて2θ移
動台3は矢印B−B’で示すように、試料軸線X0を中
心として所定の角度範囲で回転移動できる。2θ移動装
置13は、例えばパルスモータを動力源としてその動力
を適宜の動力伝達系を介して2θ移動台3に伝える構造
によって構成される。この2θ移動装置13は、例えば
機枠フレーム1と2θ移動台3とを機械的に連結するよ
うに配設される。The 2θ moving table 3 is provided with a 2θ moving device 13 which is driven by the 2θ moving device 13 to move the 2θ moving table 3 at a predetermined angle about the sample axis X0 as shown by an arrow BB '. You can rotate and move within the range. The 2θ moving device 13 has a structure in which, for example, a pulse motor is used as a power source and the power is transmitted to the 2θ moving base 3 via an appropriate power transmission system. The 2θ moving device 13 is disposed so as to mechanically connect the machine frame 1 and the 2θ moving base 3, for example.
【0045】基台2には基台移動装置12が付設され、
その基台移動装置12によって駆動されて基台2は矢印
A−A’で示すように、試料S、フィルム支持枠15及
びCCDセンサ7bのそれぞれに対して相対的に平行移
動する。基台移動装置12は基台2を平行移動させるこ
とができる限りにおいて任意の構造の駆動装置によって
構成でき、例えばパルスモータを駆動源としてその動力
を適宜の動力伝達系を介して基台2に伝える構造によっ
て構成できる。この基台移動装置12は、例えば機枠フ
レーム1と基台2とを機械的に連結するように配設され
る。A base moving device 12 is attached to the base 2,
The base 2 is driven by the base moving device 12 and relatively parallel moves with respect to the sample S, the film support frame 15 and the CCD sensor 7b as shown by arrows AA '. The base moving device 12 can be constituted by a driving device having an arbitrary structure as long as the base 2 can be moved in parallel. For example, a pulse motor is used as a driving source and its power is transmitted to the base 2 via an appropriate power transmission system. It can be configured by the structure of transmission. The base moving device 12 is provided so as to mechanically connect the machine frame 1 and the base 2, for example.
【0046】図1において、基台2には、出射側スリッ
ト9及びω移動台11が設けられる。出射側スリット9
はX線を通過させる溝状空間、すなわちスリット9aを
有し、さらにスリット位置/幅調整装置19がその出射
側スリット9に付設される。このスリット位置/幅調整
装置19は、スリット9aの幅を狭めたり広めたりの調
節を行い、さらに出射側スリット19の全体の位置をフ
ィルム支持枠15及びCCDセンサ7bに対して平行な
左右方向に関して調節する。このスリット位置/幅調整
装置19は上記の作用を達成できる限りにおいて任意の
構造によって構成でき、そして例えば基台2の上に配設
される。In FIG. 1, the base 2 is provided with an emission-side slit 9 and a ω-movement table 11. Exit slit 9
Has a groove-shaped space through which X-rays pass, that is, a slit 9a, and a slit position / width adjusting device 19 is attached to the emission side slit 9. The slit position / width adjusting device 19 adjusts the width of the slit 9a to narrow or widen, and further adjusts the entire position of the exit side slit 19 in the horizontal direction parallel to the film support frame 15 and the CCD sensor 7b. Adjust. The slit position / width adjusting device 19 can be configured by any structure as long as the above-described operation can be achieved, and is disposed on the base 2, for example.
【0047】ω移動台11は、基台2に紙面垂直方向に
向けて設定されるω軸線Xωを中心として矢印C−C’
の方向へ回転移動できるように基台2に支持される。ω
軸線Xωは基台2の矢印A−A’方向への平行移動に従
って図1の左右方向へ平行移動するものであるが、図1
ではそのω軸線Xωが試料軸線X0と一致した状態を示
している。The ω moving table 11 has an arrow CC ′ around an ω axis Xω set on the base 2 in a direction perpendicular to the paper surface.
Is supported by the base 2 so as to be rotatable in the direction of. ω
The axis Xω moves in the horizontal direction in FIG. 1 in accordance with the parallel movement of the base 2 in the direction of arrows AA ′.
5 shows a state where the ω axis Xω coincides with the sample axis X0.
【0048】ω移動台11には、X線を放射するX線源
F、そのX線源Fから放射されたX線の発散を規制する
一対の入射側スリット22a及び22b、そしてモノク
ロメータユニット23等といった各種のX線光学要素が
配設される。モノクロメータユニット23は、一方の入
射側スリット22bと共にモノクロ基台18の表面に配
設され、このモノクロ基台18の表面にはそれらの要素
以外にモノクロメータ用スリット22cが配設される。
このモノクロメータ用スリット22cは、X線源Fから
出たX線をモノクロメータ23へ入射するように規制す
る。The ω moving table 11 has an X-ray source F that emits X-rays, a pair of entrance-side slits 22 a and 22 b that regulate the divergence of the X-rays emitted from the X-ray source F, and a monochromator unit 23. Various X-ray optical elements such as are provided. The monochromator unit 23 is disposed on the surface of the monochromic base 18 together with one of the incident side slits 22b, and a monochromator slit 22c is disposed on the surface of the monochromic base 18 in addition to these elements.
The monochromator slit 22c regulates the X-ray emitted from the X-ray source F so as to be incident on the monochromator 23.
【0049】X線源Fは、例えばポイント状X線源によ
って構成される。また、一対の入射側スリット22a及
び22bは、試料Sに入射するX線の入射角度を極めて
狭い角度範囲に規制することにより、結果的に、高精度
に分別された特定波長の回折X線を試料Sから取り出す
役割をもっており、そのため、それらのスリット間の距
離Lは比較的長く、例えば1〜2メートル程度に設定さ
れる。なお、場合によっては試料Sに近い側の一方の入
射側スリット22bだけが設けられ、他方の入射側スリ
ット22aが省かれることもある。The X-ray source F is constituted by, for example, a point-shaped X-ray source. In addition, the pair of incidence-side slits 22a and 22b regulate the incident angle of the X-ray incident on the sample S to an extremely narrow angle range, and as a result, diffracted X-rays of a specific wavelength that are separated with high precision. It has a role of taking out from the sample S, and therefore, the distance L between the slits is relatively long, for example, about 1 to 2 meters. In some cases, only one incident side slit 22b on the side close to the sample S is provided, and the other incident side slit 22a may be omitted.
【0050】モノクロメータ23は、例えば図3に示す
ように、チャンネルカットモノクロメータ24を有す
る。このチャンネルカットモノクロメータ24は、ゲル
マニウム、シリコン等の結晶ブロックに溝、すなわちチ
ャンネルを切ることによってその溝の両側に壁26を形
成し、それらの壁26のそれぞれでX線を反射させる構
造のモノクロメータである。このチャンネルカットモノ
クロメータ23では、入射X線R0を壁26で2回回折
させることによって単色化して特定波長の出射X線R1
を形成する。The monochromator 23 has a channel cut monochromator 24, for example, as shown in FIG. This channel cut monochromator 24 has a structure in which walls are formed on both sides of a groove by cutting a groove, that is, a channel, in a crystal block such as germanium or silicon, and X-rays are reflected on each of the walls 26. Meter. In this channel cut monochromator 23, the incident X-ray R0 is diffracted twice by the wall 26 to be monochromatic, and the output X-ray R1 having a specific wavelength is obtained.
To form
【0051】図1に戻って、モノクロ基板18は、実線
で示すようにX線通路R2から退避する退避位置Pt
と、鎖線で示すようにX線通路を遮る作用位置Psとの
間で位置を変更できる。モノクロ基台18にはモノクロ
切換装置25が付設され、このモノクロ切換装置25は
モノクロ基台18を駆動してそれを退避位置Ptと作用
位置Psとの間で移動させる。なお、モノクロ基台18
の移動は、モノクロ切換装置25を用いて自動で行うこ
とに限られず、手動によって行うこともできる。Returning to FIG. 1, the monochrome substrate 18 has a retracted position Pt retracted from the X-ray path R2 as shown by a solid line.
And the action position Ps that blocks the X-ray passage as shown by the dashed line. A monochrome switching device 25 is attached to the monochrome base 18, and the monochrome switching device 25 drives the monochrome base 18 to move it between the retracted position Pt and the operation position Ps. The monochrome base 18
Is not limited to being automatically performed using the monochrome switching device 25, but can also be performed manually.
【0052】ω移動台11にはω移動装置21が付設さ
れ、そのω移動装置21によって駆動されてω移動台1
1はω軸線Xωを中心として矢印C−C’で示すように
所定の角度範囲で回転移動できる。この回転移動によ
り、図4に示すように、X線源Fから出て試料Sへ入射
するX線の入射角度ωを変化させることができる。な
お、図4ではω軸線Xωと試料Sを通る試料軸線X0と
が互いに一致している状態を示しているので、ω移動台
11は結果的に試料軸線X0を中心として回転移動する
状態が図示されている。An ω moving device 21 is attached to the ω moving table 11, and is driven by the ω moving device 21 to
1 can rotate around a ω axis Xω in a predetermined angle range as shown by an arrow CC ′. By this rotational movement, as shown in FIG. 4, the incident angle ω of the X-rays coming out of the X-ray source F and entering the sample S can be changed. Note that FIG. 4 shows a state in which the ω axis Xω and the sample axis X0 passing through the sample S are coincident with each other, so that the ω moving table 11 consequently rotates around the sample axis X0. Have been.
【0053】図1において、面状CCDセンサ7b及び
SC16の出力端子はX線強度演算回路31に接続され
る。このX線強度演算回路31は、CCDセンサ7b及
びSC16から出力されるX線カウント信号に基づいて
X線の強度を演算し、その強度に対応した信号を出力す
る。また特に、面状CCDセンサ7bに出力信号が生じ
るとき、X線強度演算回路31はその受光面内における
X線受光位置に対応する位置信号をも出力する。In FIG. 1, the output terminals of the planar CCD sensor 7b and SC16 are connected to an X-ray intensity calculation circuit 31. The X-ray intensity calculation circuit 31 calculates the X-ray intensity based on the X-ray count signal output from the CCD sensor 7b and SC16, and outputs a signal corresponding to the intensity. In particular, when an output signal is generated in the planar CCD sensor 7b, the X-ray intensity calculation circuit 31 also outputs a position signal corresponding to the X-ray receiving position in the light receiving surface.
【0054】図2は、本実施形態のX線トポグラフィ装
置に用いられる制御装置の一実施形態を示している。こ
こに示す制御装置33は、CPU(Central Processing
Unit)34、それに付属するメモリ36及び入出力イ
ンターフェース37を有する。メモリ36は、ROM
(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memor
y)、ハードディスク等といった外部記憶媒体、その他
各種の記憶媒体を含む概念である。FIG. 2 shows an embodiment of a control device used in the X-ray topography apparatus of the present embodiment. The control device 33 shown here has a CPU (Central Processing).
Unit) 34, a memory 36 attached thereto, and an input / output interface 37. The memory 36 is a ROM
(Read Only Memory), RAM (Random Access Memor)
y), a concept including an external storage medium such as a hard disk, and other various storage media.
【0055】制御装置33の入出力インターフェース3
7には、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイ38
等といった映像表示装置及びプリンタ39等といった像
形成装置が接続される。また、図1に示した次の各要
素、すなわちX線強度演算回路31、2θ移動装置1
3、スリット位置/幅調整装置19、φ回転/チルト移
動装置20、モノクロ切換装置25、ω移動装置21及
び基台移動装置12の各要素は、図2に示すように、入
出力インターフェース37を通してCPU34に接続さ
れる。The input / output interface 3 of the control device 33
7 has a CRT (Cathode Ray Tube) display 38
And an image forming apparatus such as a printer 39 are connected. Further, the following elements shown in FIG. 1, that is, the X-ray intensity calculation circuit 31 and the 2θ moving device 1
3, each element of the slit position / width adjusting device 19, the φ rotation / tilt moving device 20, the monochrome switching device 25, the ω moving device 21, and the base moving device 12, as shown in FIG. Connected to CPU34.
【0056】上記構成より成るX線トポグラフィ装置
は、少なくともトポグラフィ測定及びロッキングカーブ
測定の2種類の測定を行うことができる。以下、それら
の個々について説明する。The X-ray topography apparatus having the above configuration can perform at least two types of measurements, that is, topography measurement and rocking curve measurement. Hereinafter, each of them will be described.
【0057】(トポグラフィ測定)トポグラフィ測定
は、図1において2次元X線検出手段としてX線フィル
ム7aを用いる場合と面状CCDセンサ7bを用いる場
合との2種類があるが、まずX線フィルム7aを用いて
測定を行う場合について説明する。(Topography Measurement) There are two types of topography measurement: a case where an X-ray film 7a is used as a two-dimensional X-ray detecting means and a case where a planar CCD sensor 7b is used in FIG. A description will be given of a case where the measurement is performed by using.
【0058】このトポグラフィ測定においては、X線源
Fから発生したX線を試料Sに入射させ、その試料Sで
回折したX線によってX線フィルム7aに試料Sに対し
て1対1の幾何学的対応をつけて像を形成する。また、
本実施形態におけるX線トポグラフィ装置では、試料生
成成長炉8によってSiCの結晶試料Sを生成及び成長
させながら、その試料Sに関してトポグラフィ測定を行
うものとする。In this topography measurement, X-rays generated from the X-ray source F are made incident on the sample S, and the X-ray diffracted by the sample S causes the X-ray film 7a to have a one-to-one geometric relationship with the sample S. An image is formed with a proper correspondence. Also,
In the X-ray topography apparatus according to the present embodiment, the topography measurement is performed on the sample S while generating and growing the crystal sample S of SiC by the sample generation and growth furnace 8.
【0059】このトポグラフィ測定に際しては、まず、
X線源F、入射側スリット22a,22b、試料Sを通
る試料軸線X0、基台2を通るω軸線Xω、出射側スリ
ット9、X線フィルム7aを支持するフィルム支持枠1
5等といった各種X線光学要素がX線光軸上に正確に載
るように光軸調整を行う。この光軸調整の際、必要に応
じて、2θ移動装置13によって2θ移動台3を2θ回
転させながらSC16を用いてX線源Fから発生したX
線を検出する。At the time of this topography measurement, first,
X-ray source F, incident side slits 22a and 22b, sample axis X0 passing through sample S, ω axis Xω passing through base 2, output side slit 9, film support frame 1 supporting X-ray film 7a
The optical axis is adjusted so that various X-ray optical elements such as 5 are accurately placed on the X-ray optical axis. At the time of the optical axis adjustment, the X-rays generated from the X-ray source F using the SC 16 while rotating the 2θ-movement table 3 by 2θ by the 2θ-movement device 13 as necessary.
Detect lines.
【0060】その光軸調整後、試料生成成長炉8を作動
させて試料Sを生成及び成長させる。その試料Sについ
てトポグラフィ測定を行うタイミングが到来したときに
は、フィルム支持枠15にX線フィルム7aを装着す
る。そしてさらに、ω移動台11をω軸線Xωを中心と
して回転移動させて、図4に示すように、試料Sに対す
るX線の入射角度ωを調節し、測定に供される試料Sの
結晶格子面に対して回折条件、いわゆるブラッグの回折
条件を満足する値にそのX線入射角度ωを設定する。ま
た、必要に応じて、SC16を試料Sの結晶構造に対応
した回折角度2θ0に設定して、X線源Fから発生して
試料Sで回折したX線を検出する。After the optical axis adjustment, the sample production and growth furnace 8 is operated to produce and grow the sample S. When the timing for performing the topography measurement on the sample S comes, the X-ray film 7 a is mounted on the film support frame 15. Further, the ω moving table 11 is rotated around the ω axis Xω to adjust the X-ray incident angle ω with respect to the sample S, as shown in FIG. The X-ray incident angle ω is set to a value that satisfies the diffraction condition, that is, the so-called Bragg diffraction condition. Further, if necessary, SC16 is set to a diffraction angle 2θ0 corresponding to the crystal structure of sample S, and X-rays generated from X-ray source F and diffracted by sample S are detected.
【0061】次に、フィルム支持枠15の所定位置にX
線フィルム7aを装着し、さらに、基台移動装置12を
作動して基台2をX線フィルム7aに対する初期位置へ
移動する。このとき、通常の場合は、試料軸線X0とω
軸線Xωとの互いの位置がずれることになる。その後、
基台移動装置12によって基台2を一定速度で矢印A−
A’方向へ送り移動させながら、X線源FからX線を放
射する。放射されたX線は、一対の入射側スリット22
a及び22bの働きによって、入射角度ω近傍の狭い角
度範囲内に規制された入射角度で試料Sへ入射する。Next, at a predetermined position of the film support frame 15, X
The base film 2 is moved to the initial position with respect to the X-ray film 7a by mounting the line film 7a and further operating the base moving device 12. At this time, in the normal case, the sample axis X0 and ω
The position with respect to the axis Xω is shifted. afterwards,
Arrow A- moves the base 2 at a constant speed by the base moving device 12.
X-rays are emitted from the X-ray source F while being sent and moved in the direction A '. The emitted X-rays pass through a pair of entrance side slits 22.
Due to the functions of a and 22b, the light enters the sample S at an incident angle regulated within a narrow angle range near the incident angle ω.
【0062】試料Sに対するX線の入射角度ωは、予め
回折条件を満足するように設定されているので、試料S
の結晶状態が正常であれば、試料Sに入射するX線はそ
の試料Sで回折する。この回折X線は、出射側スリット
9を通過してフィルム支持枠15内のX線フィルム7a
を露光し、その出射側スリット9のスリット9aの幅及
び長さに相当する像がX線フィルム7aに形成される。Since the incident angle ω of the X-ray to the sample S is set in advance so as to satisfy the diffraction condition, the sample S
Is normal, the X-rays incident on the sample S are diffracted by the sample S. This diffracted X-ray passes through the exit-side slit 9 and passes through the X-ray film 7 a in the film support frame 15.
And an image corresponding to the width and length of the slit 9a of the emission side slit 9 is formed on the X-ray film 7a.
【0063】試料Sへ入射するX線の入射点、すなわち
ω軸線Xωは基台2の矢印A−A’方向への移動に伴っ
て水平方向へ走査移動するので、X線フィルム7aには
試料Sの全面からの回折X線像が試料Sに対して1対1
の幾何学的関係で形成される。その後、X線フィルム7
aをフィルム支持枠15から取り外して所定の現像処理
を行うことにより、X線フィルム7a上に試料Sに関す
るX線トポグラフィが得られる。このX線トポグラフィ
により、部分的な結晶方位のずれによって回折条件を満
たす程度が変わることや、消衰効果、ボルマン効果等と
いった回折効果により、試料S内の格子欠陥に対応した
白黒のコントラストがX線フィルム7a上で観察され
る。Since the incident point of the X-rays incident on the sample S, that is, the ω axis line Xω moves in the horizontal direction along with the movement of the base 2 in the direction of the arrow AA ′, the sample is placed on the X-ray film 7a. The diffraction X-ray image from the entire surface of S is
Is formed by the geometric relationship of Then, X-ray film 7
By removing a from the film support frame 15 and performing a predetermined developing process, an X-ray topography relating to the sample S is obtained on the X-ray film 7a. According to the X-ray topography, the degree of satisfying the diffraction condition is changed by a partial shift of the crystal orientation, and the black-and-white contrast corresponding to the lattice defect in the sample S is reduced by X due to diffraction effects such as an extinction effect and a Borman effect. Observed on line film 7a.
【0064】なお、X線フィルム7aを試料Sからの回
折X線で露光するのに先立って、図5に示すように、フ
ィルム支持枠15に付設した回転支持部29の働きによ
り、フィルム支持枠15を回転支持部29を中心として
矢印Dのように手動又は自動によって適宜の角度だけ回
転させることにより、X線フィルム7aを試料Sに対し
て平行に位置設定しても良い。Prior to exposing the X-ray film 7a with diffracted X-rays from the sample S, as shown in FIG. The X-ray film 7a may be set parallel to the sample S by rotating the X-ray film 15 by an appropriate angle manually or automatically about the rotation support section 29 as indicated by an arrow D.
【0065】(面状CCDセンサを用いたトポグラフィ
測定)以上の説明は、2次元X線検出手段としてX線フ
ィルム7aを用いる場合のものであるが、2次元X線検
出手段としては面状CCDセンサ7bを用いることもで
きる。この場合には、図4において試料Sに対する回折
角度2θ0をSC16によって検出した後に、図6にお
いて2θ移動装置13を作動して2θ移動台3を試料軸
線X0を中心として適宜の角度、具体的にはSC16と
CCDセンサ7bとの間の検出器間角度αだけ回転させ
ることにより、CCDセンサ7bのX線受光面をX線光
路上に持ち運ぶ。(Topography Measurement Using Planar CCD Sensor) The above description is for the case where the X-ray film 7a is used as the two-dimensional X-ray detecting means. The sensor 7b can also be used. In this case, after detecting the diffraction angle 2θ0 with respect to the sample S in FIG. 4 by SC16, the 2θ moving device 13 is operated in FIG. 6 to move the 2θ moving table 3 to an appropriate angle around the sample axis X0, specifically, Rotates the X-ray receiving surface of the CCD sensor 7b on the X-ray optical path by rotating the detector 16 by an angle α between the detectors between the SC 16 and the CCD sensor 7b.
【0066】その後、基台移動装置12によって基台2
を一定速度で矢印A−A’方向へ送り移動させながら、
X線源FからX線を放射する。放射されたX線は、一対
の入射側スリット22a及び22bの働きによって、入
射角度ω近傍の狭い角度範囲内に規制された入射角度で
試料Sへ入射する。Then, the base 2 is moved by the base moving device 12.
While moving in the direction of the arrow AA 'at a constant speed,
The X-ray source F emits X-rays. The emitted X-rays enter the sample S at an incident angle regulated within a narrow angle range near the incident angle ω by the function of the pair of incident-side slits 22a and 22b.
【0067】試料Sに対するX線の入射角度ωは、予め
回折条件を満足するように設定されているので、試料S
の結晶状態が正常であれば、試料Sに入射するX線はそ
の試料Sで回折する。この回折X線は、出射側スリット
9を通過してCCDセンサ7bの受光面を露光し、その
出射側スリット9のスリット9aの幅及び長さに相当す
る像がその受光面によって受光される。Since the incident angle ω of the X-rays with respect to the sample S is set in advance so as to satisfy the diffraction condition,
Is normal, the X-rays incident on the sample S are diffracted by the sample S. The diffracted X-rays pass through the exit slit 9 to expose the light receiving surface of the CCD sensor 7b, and an image corresponding to the width and length of the slit 9a of the exit slit 9 is received by the light receiving surface.
【0068】試料Sへ入射するX線の入射点、すなわち
ω軸線Xωは基台2の矢印A−A’方向への移動に伴っ
て水平方向へ走査移動するので、CCDセンサ7bの受
光面には試料Sの全面からの回折X線像が試料Sに対し
て1対1の幾何学的関係で形成される。CCDセンサ7
bはX線受光面内の各座標点に関してX線カウント信号
を出力し、この出力信号に基づいてX線強度演算回路3
1が試料Sの平面内の回折X線強度分布を演算する。The point of incidence of the X-rays incident on the sample S, that is, the ω axis line Xω scans in the horizontal direction along with the movement of the base 2 in the direction of the arrows AA ′, so that the light is incident on the light receiving surface of the CCD sensor 7b. A diffraction X-ray image from the entire surface of the sample S is formed in a one-to-one geometric relationship with the sample S. CCD sensor 7
b outputs an X-ray count signal for each coordinate point on the X-ray receiving surface, and based on the output signal, an X-ray intensity calculation circuit 3
1 calculates the diffraction X-ray intensity distribution in the plane of the sample S.
【0069】この演算結果は、図2のディスプレイ38
にX線トポグラフィとして映像として表示されたり、プ
リンタ39によって紙等といった印材上にX線トポグラ
フィとしてプリントされる。これらのX線トポグラフィ
により、部分的な結晶方位のずれによって回折条件を満
たす程度が変わることや、消衰効果、ボルマン効果等と
いった回折効果により、試料S内の格子欠陥に対応した
白黒のコントラストが観察される。The result of this operation is shown in the display 38 of FIG.
The image is displayed as an image as an X-ray topography, or printed as an X-ray topography on a printing material such as paper by the printer 39. With these X-ray topographies, the degree of satisfying the diffraction condition changes due to a partial shift of the crystal orientation, and the black-and-white contrast corresponding to the lattice defect in the sample S is caused by the diffraction effects such as the extinction effect and the Borman effect. To be observed.
【0070】(ロッキングカーブ測定)ロッキングカー
ブ測定は、試料にX線を入射したときのその試料で回折
するX線の強度ピーク位置の近傍数10秒〜数100秒
における回折X線又は散乱X線についての強度を調べる
ことにより、上記試料の完全性等を評価しようという測
定である。(Rocking Curve Measurement) Rocking curve measurement is performed by diffracting X-rays or scattered X-rays in the vicinity of the intensity peak position of the X-ray diffracted by the sample when the X-ray is incident on the sample for several tens to several hundreds of seconds This is a measurement to evaluate the integrity of the sample by examining the strength of the sample.
【0071】このロッキングカーブ測定を行うにあたっ
ては、モノクロ基台18を図7に示すように作用位置P
S に配置する。このとき、図3に示すように、チャンネ
ルカットモノクロメータ24に関する入射X線R0と出
射X線R1との間には、進行方向は同じすなわち平行で
あるものの光路差Gがあるので、まず初期設定の段階で
図7において基台移動装置12によって基台2を平行移
動させて、図3のチャンネルカットモノクロメータ24
からの出射X線R1が図7の試料軸線X0へ向かうよう
に調節する。In performing the rocking curve measurement, the monochrome base 18 is moved to the operating position P as shown in FIG.
Place on S. At this time, as shown in FIG. 3, between the incident X-rays R0 and the outgoing X-rays R1 for the channel cut monochromator 24, the traveling directions are the same, that is, parallel, but there is an optical path difference G. In FIG. 7, the base 2 is moved in parallel by the base moving device 12 in FIG.
Is adjusted so that the outgoing X-ray R1 from the sample goes to the sample axis X0 in FIG.
【0072】次に、図8に示すように、試料Sに対する
X線入射角度ωを希望の角度に調節し、さらにSC16
を試料Sに固有のX線回折角度2θ0に調節する。そし
て、フィルム支持部材15にX線フィルムを装着するこ
となく該部をX線が自由に通過できる状態の下に、X線
源Fからポイント状X線を放射する。放射されたX線の
うち、一対の入射側スリット22a,22bのうちの第
1入射側スリット22a及びモノクロメータ用スリット
22cを通過したものは、チャンネルカットモノクロメ
ータ24に入射して単色化され、特定の波長成分、例え
ばKα線のみが取り出される。Next, as shown in FIG. 8, the X-ray incident angle ω with respect to the sample S was adjusted to a desired angle, and
Is adjusted to an X-ray diffraction angle 2θ0 specific to the sample S. Then, the X-ray source F emits point-like X-rays in a state where X-rays can freely pass through the portion without mounting the X-ray film on the film support member 15. Among the emitted X-rays, those that have passed through the first incident side slit 22a and the monochromator slit 22c of the pair of incident side slits 22a and 22b are incident on the channel cut monochromator 24 to be monochromatic, Only a specific wavelength component, for example, a Kα ray is extracted.
【0073】取り出された単色X線は試料Sへ入射し
て、そこで回折又は散乱し、そしてSC16によってそ
れら回折X線又は散乱X線の強度が測定される。このと
き、ω移動装置21の働きにより、ω移動台11がω軸
線Xωを中心として極めて微小な角度範囲、例えば数1
0秒〜数100秒の角度範囲にわたって、極めて微小な
ステップ角度、例えば0.5秒ごとに間欠的に回転し、
これにより試料Sに対するX線入射角度ωを変化させ
る。The extracted monochromatic X-rays enter the sample S, where they are diffracted or scattered, and the intensity of the diffracted or scattered X-rays is measured by the SC 16. At this time, the operation of the ω moving device 21 causes the ω moving table 11 to move the ω moving table 11 to an extremely small angle range around the ω axis Xω, for example,
Rotating intermittently every minute step angle, for example, every 0.5 seconds, over an angle range of 0 seconds to several 100 seconds,
Thereby, the X-ray incident angle ω with respect to the sample S is changed.
【0074】ロッキングカーブ測定においては、試料S
に対するX線入射角度ωの変化範囲が非常に狭く、それ
に比べてSCの取込み角度は十分に広いので、ω移動装
置21によってω移動台11をω移動させる場合でも、
SC16は位置不動に保持しておくことができる。In the rocking curve measurement, the sample S
The change range of the X-ray incident angle ω with respect to is very narrow, and the capture angle of the SC is sufficiently wide in comparison with the change range.
SC16 can be held stationary.
【0075】以上のようにX線源F等がω移動する際、
各々のω角度位置における試料Sからの回折X線又は散
乱X線の強度情報がSC16によって得られ、その結
果、例えば図9に示すような、いわゆるロッキングカー
ブが得られる。このロッキングカーブに現れた各入射X
線角度位置に対するX線強度情報により、試料Sに関す
る結晶の完全性、組成等が評価される。As described above, when the X-ray source F or the like moves by ω,
The intensity information of the diffracted X-ray or the scattered X-ray from the sample S at each ω angle position is obtained by the SC 16, and as a result, a so-called rocking curve as shown in FIG. 9 is obtained. Each incident X appearing in this rocking curve
Based on the X-ray intensity information with respect to the line angle position, the integrity, composition, and the like of the crystal of the sample S are evaluated.
【0076】以上のロッキングカーブは、試料Sの特定
の1点についてのものである。ロッキングカーブ測定に
おいては、このような特定の1点における測定結果だけ
で十分である場合もあるし、複数のいくつかの点におけ
る測定を行わなければならない場合、すなわちマッピン
グ測定を行わなければならない場合もある。The above rocking curve is for a specific point of the sample S. In rocking curve measurement, such a measurement result at one specific point may be sufficient, or measurement at several points must be performed, that is, mapping measurement must be performed. There is also.
【0077】このようなマッピング測定を行う場合に
は、図8において、試料Sの1点に対するロッキングカ
ーブ測定を行った後、X線源F等を含むX線入射光学系
及びSC16等を含むX線受光系の両方を一体的に且つ
試料Sに対して相対的に平行移動させて、試料Sに対す
るX線の入射位置及びSC16のX線見込み位置を試料
Sの異なる点に持ち運び、その新たな点に対してロッキ
ングカーブ測定を行う。When such a mapping measurement is performed, in FIG. 8, after a rocking curve measurement is performed on one point of the sample S, the X-ray incidence optical system including the X-ray source F and the X-ray including the SC16 and the like are measured. The X-ray receiving system is moved integrally and relatively to the sample S, and the X-ray incident position on the sample S and the expected X-ray position of the SC 16 are carried to different points of the sample S, and the new position is obtained. Perform rocking curve measurements on points.
【0078】なお、このようなマッピング測定を行う場
合には、基台2及びSC16を紙面平行方向に平行移動
させることに限らず、それと直角の方向すなわち紙面垂
直方向にも平行移動させることが望ましい。When such a mapping measurement is performed, the base 2 and the SC 16 are not limited to being translated in a direction parallel to the plane of the paper, but are preferably translated in a direction perpendicular to the plane, that is, in a direction perpendicular to the plane of the paper. .
【0079】(その他の実施形態)以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。(Other Embodiments) The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications may be made within the scope of the invention described in the claims. Can be modified.
【0080】例えば、図1に示した装置では、X線源F
及びそれに付随するX線入射光学系を試料Sの下方位置
に配設し、CCDセンサ7b等といったX線受光光学系
を試料Sの上方位置に配設したが、これらの位置関係を
逆位置に、すなわちX線源F等を上方位置に配設し、C
CDセンサ7b等といったX線受光光学系を下方位置に
配設することもできる。For example, in the apparatus shown in FIG.
The X-ray incident optical system associated therewith is disposed below the sample S, and the X-ray receiving optical system such as the CCD sensor 7b is disposed above the sample S, but these positional relationships are reversed. That is, the X-ray source F and the like are disposed at the upper position, and C
An X-ray receiving optical system such as the CD sensor 7b may be provided at a lower position.
【0081】また、試料の近傍に設ける付帯機器として
の試料生成成長炉8は、高温容器、低温容器、その他、
測定の要求に応じた種々の機器に置き換えることができ
る。The sample production and growth furnace 8 as an accessory provided near the sample includes a high-temperature vessel, a low-temperature vessel,
It can be replaced with various devices according to measurement requirements.
【0082】また、図1の装置では、X線源F及び第1
入射側スリット22aをω移動台11に載せて回転移動
させたが、スリット間距離Lが長い場合には、X線源F
及び第1入射側スリット22aを回転移動に代えて矢印
A−A’方向へ直線移動させてもX線入射角度ωを近似
的に一定の角速度で試料Sに対して移動させることがで
き、実用上は差し支えがない。In the apparatus shown in FIG. 1, the X-ray source F and the first
The entrance-side slit 22a was placed on the ω moving table 11 and rotated, but when the distance L between the slits is long, the X-ray source F
In addition, even if the first incident side slit 22a is linearly moved in the direction of the arrow AA 'in place of the rotational movement, the X-ray incident angle ω can be moved with respect to the sample S at an approximately constant angular velocity. There is no problem on the top.
【0083】また、図1等における説明では、結晶試料
での反射が図10(a)に示すような通常のトポグラフ
ィ測定における対称反射に基づいて行われることを念頭
に置いている。しかしながら、SiCを結晶試料とする
場合等においては、条件の良い対称面がなく、図10
(b)に示すように非対称面を使うことも考えられる。
このような場合には、X線源からX線検出手段に至る各
光学系要素の設定をそのような非対称反射を考慮して決
定する必要がある。In the description of FIG. 1 and the like, it is supposed that the reflection at the crystal sample is performed based on the symmetric reflection in the normal topography measurement as shown in FIG. However, when SiC is used as a crystal sample or the like, there is no symmetry plane with good conditions.
It is also conceivable to use an asymmetric surface as shown in FIG.
In such a case, it is necessary to determine the setting of each optical system element from the X-ray source to the X-ray detecting means in consideration of such asymmetric reflection.
【0084】[0084]
【発明の効果】本発明に係るX線トポグラフィ装置によ
れば、測定中に静止状態に保持された試料に対してX線
源及び入射側スリットがω移動台の移動によって回転、
いわゆるω回転するので、試料に対するX線の入射角度
を希望の値に設定できる。According to the X-ray topography apparatus of the present invention, the X-ray source and the incident side slit are rotated by the movement of the ω moving table with respect to the sample held stationary during the measurement.
Because of the so-called ω rotation, the incident angle of the X-rays on the sample can be set to a desired value.
【0085】また、X線源、入射側スリット、出射側ス
リットが基台の移動により試料及び2次元X線検出手段
に対して平行移動するので、試料に対して1対1の幾何
学的対応をつけた回折X線像を2次元X線検出手段に形
成することができる。Further, since the X-ray source, the entrance slit, and the exit slit move in parallel with respect to the sample and the two-dimensional X-ray detecting means by the movement of the base, a one-to-one geometric correspondence with the sample. Can be formed on the two-dimensional X-ray detection means.
【0086】さらに、試料は測定中に静止状態に保持さ
れるので、その試料の周囲又は近傍に適宜の付帯機器、
例えば高温容器、低温容器、試料の生成成長容器等を設
ける場合でも、その試料に対してX線測定を支障無く行
うことができる。Further, since the sample is kept stationary during the measurement, appropriate auxiliary equipment,
For example, even when a high-temperature container, a low-temperature container, a sample generation / growth container, and the like are provided, the X-ray measurement can be performed on the sample without any trouble.
【図1】本発明に係るX線トポグラフィ装置の一実施形
態を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing an embodiment of an X-ray topography apparatus according to the present invention.
【図2】図1の装置で用いられる電気制御系の一実施形
態を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of an electric control system used in the apparatus of FIG.
【図3】図1の装置に用いられるモノクロメータの一例
を示す正面図である。FIG. 3 is a front view showing an example of a monochromator used in the apparatus of FIG.
【図4】図1の装置の使用形態の一例を示す正面図であ
る。FIG. 4 is a front view showing an example of a use form of the apparatus of FIG. 1;
【図5】図1の装置の使用形態の他の一例の要部を示す
正面図である。FIG. 5 is a front view showing a main part of another example of a use form of the apparatus of FIG. 1;
【図6】図1の装置の使用形態のさらに他の一例を示す
正面図である。FIG. 6 is a front view showing still another example of the usage mode of the device of FIG. 1;
【図7】図1の装置の使用形態のさらに他の一例を示す
正面図である。FIG. 7 is a front view showing still another example of a usage form of the device of FIG. 1;
【図8】図1の装置の使用形態のさらに他の一例を示す
正面図である。FIG. 8 is a front view showing still another example of a usage form of the device of FIG. 1;
【図9】図8の装置を用いて行われるX線測定の結果の
一例を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing an example of a result of an X-ray measurement performed using the apparatus of FIG.
【図10】結晶試料のX線反射面の種類を模式的に示す
図であるFIG. 10 is a diagram schematically showing the type of an X-ray reflection surface of a crystal sample.
1 機枠フレーム 2 基台 3 2θ移動台 4 試料支持フレーム(試料支持手段) 7a X線フィルム(2次元X線検出手段) 7b 面状CCDセンサ(2次元X線検出手
段) 8 試料生成成長炉(付帯機器) 9 出射側スリット 11 ω移動台 14 フィルム支持部材 15 フィルム支持枠 16 SC(0次元X線検出手段) 18 モノクロ基台 22a,22b 入射側スリット 23 モノクロメータユニット 24 チャンネルカットモノクロメータ 26 壁 29 回転支持部 F X線源 G 光路差 L スリット間距離 Pt 退避位置 Ps 作用位置 R0,R1,R2 X線通路 S 試料 X0 試料軸線 Xω ω軸線 Xφ φ軸線 α 検出器間距離 ω X線入射角度DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Machine frame 2 Base 3 2θ moving stand 4 Sample support frame (sample support means) 7a X-ray film (two-dimensional X-ray detection means) 7b Planar CCD sensor (two-dimensional X-ray detection means) 8 Sample generation and growth furnace (Auxiliary equipment) 9 Emission-side slit 11 ω moving table 14 Film support member 15 Film support frame 16 SC (0-dimensional X-ray detection means) 18 Monochrome base 22a, 22b Incident-side slit 23 Monochromator unit 24 Channel cut monochromator 26 Wall 29 Rotation support part F X-ray source G Optical path difference L Distance between slits Pt Retreat position Ps Working position R0, R1, R2 X-ray path S Sample X0 Sample axis Xω ω axis Xφ φ axis α Distance between detectors ω X-ray incidence angle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G001 AA01 BA11 BA26 CA01 DA01 DA02 DA06 DA09 EA09 FA06 GA13 HA12 HA13 JA01 JA05 JA06 JA11 JA20 KA01 KA03 KA20 LA11 RA03 SA10 SA29 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 2G001 AA01 BA11 BA26 CA01 DA01 DA02 DA06 DA09 EA09 FA06 GA13 HA12 HA13 JA01 JA05 JA06 JA11 JA20 KA01 KA03 KA20 LA11 RA03 SA10 SA29
Claims (9)
線検出手段と、 前記X線源から出て前記試料へ向かうX線を規制する少
なくとも1つの入射側スリットと、 前記試料と前記2次元X線検出手段との間に配設される
出射側スリットと、 前記X線源及び前記入射側スリットを支持するω移動台
と、 前記出射側スリット及び前記ω移動台を支持し前記試料
に対して平行移動可能な基台とを有し、 その基台は前記平行移動のときに前記試料を通過するω
軸線を具備し、前記ω移動台はそのω軸線を中心として
回転可能であることを特徴とするX線トポグラフィ装
置。1. An X-ray source for emitting X-rays, a sample supporting means for holding a sample stationary during a measurement, and a two-dimensional X-ray capable of detecting X-rays from the sample in a plane area
X-ray detection means, at least one entrance slit for restricting X-rays emitted from the X-ray source toward the sample, and an emission slit disposed between the sample and the two-dimensional X-ray detection means And a base that supports the X-ray source and the entrance slit, and a base that supports the emission slit and the base and that can move parallel to the sample. Is the ω that passes through the sample during the translation.
An X-ray topography apparatus, comprising an axis, wherein the ω-movement stage is rotatable about the ω-axis.
ト状X線源であることを特徴とするX線トポグラフィ装
置。2. The X-ray topography apparatus according to claim 1, wherein the X-ray source is a point-shaped X-ray source.
次元X線検出手段は前記試料を透過したX線を受光する
位置に配置されることを特徴とするX線トポグラフィ装
置。3. The method according to claim 1, wherein
An X-ray topography apparatus, wherein the dimensional X-ray detection means is arranged at a position for receiving X-rays transmitted through the sample.
れか1つにおいて、前記X線源及び前記入射側スリット
を支持するω移動台は、前記試料支持手段によって支持
される試料の下方位置に配設されることを特徴とするX
線トポグラフィ装置。4. The apparatus according to claim 1, wherein the ω moving table supporting the X-ray source and the incident side slit is positioned below a sample supported by the sample supporting means. X characterized by being arranged
Line topography equipment.
れか1つにおいて、前記X線源及び前記入射側スリット
を支持するω移動台は、前記試料支持手段によって支持
される試料の上方位置に配設されることを特徴とするX
線トポグラフィ装置。5. The apparatus according to claim 1, wherein the ω moving table supporting the X-ray source and the incident side slit is located above a sample supported by the sample supporting means. X characterized by being arranged
Line topography equipment.
れか1つにおいて、前記試料の近傍に付帯機器を設けた
ことを特徴とするX線トポグラフィ装置。6. The X-ray topography apparatus according to claim 1, further comprising an auxiliary device provided near the sample.
れか1つにおいて、前記ω移動台はチャンネルカットモ
ノクロメータを備え、そのチャンネルカットモノクロメ
ータは前記X線源から前記試料へ至るX線通路を遮る作
用位置と、そのX線通路から退避する退避位置との間で
移動可能であることを特徴とするX線トポグラフィ装
置。7. The apparatus according to claim 1, wherein the ω moving table includes a channel cut monochromator, and the channel cut monochromator is an X-ray path from the X-ray source to the sample. An X-ray topography apparatus capable of being moved between an operation position for blocking an X-ray and a retreat position for retreating from the X-ray passage.
れか1つにおいて、前記試料を通る試料軸線を中心とし
て回転可能な2θ移動台と、その2θ移動台によって支
持される0次元X線検出手段とを有することを特徴とす
るX線トポグラフィ装置。8. The at least one of claims 1 to 7, wherein the 2θ movable table is rotatable about a sample axis passing through the sample, and 0-dimensional X-ray detection is supported by the 2θ movable table. X-ray topography apparatus comprising:
手段は前記2θ移動台によって支持される面状CCDセ
ンサであることを特徴とするX線トポグラフィ装置。9. An X-ray topography apparatus according to claim 8, wherein said two-dimensional X-ray detection means is a planar CCD sensor supported by said 2θ movable table.
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---|---|---|---|
JP12438299A JP3976292B2 (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | X-ray topography equipment |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000314708A true JP2000314708A (en) | 2000-11-14 |
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---|---|
JP (1) | JP3976292B2 (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005512050A (en) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | ビード サイエンティフィック インストルメンツ リミテッド | X-ray topography system |
JP2006047262A (en) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | X-ray image reconstitution device |
JP2006284210A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Rigaku Corp | X-ray monocrystal evaluator |
US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
US8503611B2 (en) | 2010-01-06 | 2013-08-06 | Rigaku Corporation | X-ray topography apparatus |
JP2013178246A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Panalytical Bv | Microdiffraction method and apparatus |
US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
WO2017164439A1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 한국표준과학연구원 | Monochromator and charged particle beam apparatus having same |
-
1999
- 1999-04-30 JP JP12438299A patent/JP3976292B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005512050A (en) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | ビード サイエンティフィック インストルメンツ リミテッド | X-ray topography system |
JP4707030B2 (en) * | 2001-12-07 | 2011-06-22 | ジョーダン ヴァレイ セミコンダクターズ リミテッド | X-ray topography system and X-ray topography apparatus |
JP2006047262A (en) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | X-ray image reconstitution device |
JP4561312B2 (en) * | 2004-07-08 | 2010-10-13 | 富士電機ホールディングス株式会社 | X-ray image reconstruction device |
JP2006284210A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Rigaku Corp | X-ray monocrystal evaluator |
JP4495631B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-07-07 | 株式会社リガク | X-ray single crystal evaluation system |
US8503611B2 (en) | 2010-01-06 | 2013-08-06 | Rigaku Corporation | X-ray topography apparatus |
US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
US8731138B2 (en) | 2010-01-07 | 2014-05-20 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
JP2013178246A (en) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Panalytical Bv | Microdiffraction method and apparatus |
US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
WO2017164439A1 (en) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 한국표준과학연구원 | Monochromator and charged particle beam apparatus having same |
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Publication number | Publication date |
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