JP2000312480A - 電流形インバータ - Google Patents

電流形インバータ

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JP2000312480A
JP2000312480A JP11117392A JP11739299A JP2000312480A JP 2000312480 A JP2000312480 A JP 2000312480A JP 11117392 A JP11117392 A JP 11117392A JP 11739299 A JP11739299 A JP 11739299A JP 2000312480 A JP2000312480 A JP 2000312480A
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JP
Japan
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circuit
current
short
semiconductor switch
voltage
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JP11117392A
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English (en)
Inventor
Hidehiro Maekawa
英洋 前川
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 短絡故障時に短絡用半導体スイッチのオンで
直流リアクトルのエネルギーを吸収させて逆変換回路の
半導体素子を保護するのでは、交流電源側に大きなサー
ジ電流が発生する。また、逆変換回路の素子が負荷電流
でサージ破壊や電流破壊する恐れがある。 【解決手段】 短絡用半導体スイッチTHSに直列に抵
抗RSを設けて短絡用半導体スイッチのオン時の電流を
制限することで交流電源側のサージ電流を抑制する。制
御回路5は、逆変換回路3の直流電圧をDC/DC変換
回路6で検出し、この電圧零が一定時間以上継続したこ
とで短絡故障を検出して短絡用半導体スイッチをオンさ
せ、変流器7で負荷電流を検出し、短絡用半導体スイッ
チのオン信号の発生後に負荷電流が零になったときに逆
変換回路の素子をオフ制御することで負荷のエネルギー
による素子のサージ破壊や電流破壊から素子を保護す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自己消弧形半導体
素子を主回路スイッチとする電流形インバータに係り、
特に故障発生時の保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】電流形インバータは、例えば誘導加熱装
置のワークコイルに高周波電流を供給するための電源に
され、図7に示す主回路構成になる。
【0003】順変換回路1は、商用電源などの交流電源
からの入力に対して電圧又は電力を制御した直流出力を
得る。同図では、サイリスタTHU〜THZをスイッチ素
子としてその点弧位相制御で出力電圧が制御される。
【0004】直流リアクトル2は、十分大きなインダク
タンスを有し、順変換回路1から逆変換回路3に供給す
る直流電力を定電流化する。
【0005】逆変換回路3は、電流形単相インバータに
構成され、自己消弧形半導体素子になるゲート絶縁形バ
イポーラトランジスタ(IGBT)TU,TV,TX,TY
にそれぞれ逆阻止用ダイオードDU,DV,DX,DYが直
列接続され、各トランジスタTU,TV,TX,TYのオン
・オフ制御で出力周波数が制御される。なお、静電誘導
形トランジスタに代えた自己消弧形半導体素子として
は、GTO、MOSFET、パワートランジスタ等が使
用される。
【0006】負荷としての誘導加熱回路4は、タンクコ
ンデンサCとワークコイルLWの並列共振タンク回路に
構成され、逆変換回路3からの高周波電流でワークコイ
ルL Wを介して被加熱部材を誘導加熱する。なお、抵抗
Wは被加熱部材及びワークコイルLWの直列抵抗成分で
ある。また、L0は逆変換回路3からタンクコンデンサ
Cまでの配線インダクタンスである。また、誘導加熱回
路4のQ(共振の鋭さ)は、5〜20程度にされる。
【0007】短絡用サイリスタTHSは、逆変換回路側
の短絡故障時などにオン制御され、直流リアクトル2の
エネルギーをバイパスさせ、フライホイールダイオード
Fを通した循環電流として消費させることで逆変換回
路の半導体スイッチが短絡電流で破損するのを防止す
る。なお、サイリスタTHSに代えて、他の半導体スイ
ッチとする場合もある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の電流形インバー
タにおいて、逆変換回路3の素子が短絡故障した場合な
どの装置故障には、以下の順序で装置を停止する保護方
式にされる。
【0009】(1)装置故障を検出する。例えば、逆変
換回路3の1つのIGBT素子が短絡故障した場合、逆
変換回路3の出力の半周期の区間で上下アームの短絡が
発生し、直流電圧がほぼ零になる区間が発生し、この電
圧零の発生で装置故障を検出する。
【0010】(2)故障検出によって、短絡用サイリス
タTHSをオンさせ、直流リアクトル2のエネルギーを
短絡用サイリスタTHS側にバイパスさせる。同時に、
順変換回路1のサイリスタTHU〜THZのゲート信号を
オフ制御する。このとき、導通していたサイリスタは逆
電圧が印加されるまで導通した後に逆電圧印加で消弧す
るが、直流リアクトルの電流はフライホイールダイオー
ドDF側に転流する。
【0011】以上のような保護方式では、順変換回路1
のサイリスタTHU〜THZの何れかの相が逆電圧印加さ
れるまで導通しているため、交流電源からは導通サイリ
スタ→直流リアクトル2→短絡用サイリスタTHSの経
路で短絡されてしまう。
【0012】この結果、直流リアクトル2の電流が増大
し、直流リアクトル2の鉄心磁束が飽和し、インダクタ
ンスが低下して直流電流をますます増大させるという悪
循環を起こす。この現象は、交流電源から見て単相短絡
したことと同等になり、交流側に大きなサージ電流が流
れる。このサージ電流は順変換回路1のすべてのサイリ
スタTHU〜THZがオフするまで続く。また、このオフ
後には直流リアクトル2の大電流がフライホイールダイ
オードDFを通して流れ続け、フライホイールダイオー
ドDFとリアクトル2及びサイリスタTHSの閉ループの
抵抗値をrとすると、L/rの時定数で減衰する。
【0013】したがって、装置保護のための短絡用サイ
リスタTHSのオンには、交流側に大きなサージ電流が
発生し、このサージ電流に耐えることができるフライホ
イールダイオードDFとサイリスタTHSが必要となり、
これら素子には通常運転で必要な電流容量よりも十分に
大きくした大容量素子が必要となってコストアップにな
る。また、交流電源に接続される他の装置や負荷に電圧
低下やサージを発生させてしまう。
【0014】本発明の目的は、短絡用半導体スイッチに
よる保護動作に伴うサージ電流の発生を軽減すると共
に、短絡用半導体スイッチ等に必要な電流容量を減ら
し、電流破壊するのを防止できる電流形インバータを提
供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、短絡用半導体
スイッチに直列に電流制限用抵抗を設けることにより、
短絡動作時の電流を制限して交流電源側に大電流サージ
が発生するのを抑制すると共に、短絡用半導体スイッチ
やフライホイールダイオードには電流容量の小さいもの
を使用できるようにする。さらに、逆変換回路の素子の
オフ制御は短絡用半導体スイッチのオン制御後に負荷電
流が零になったことを確認して行うことにより、負荷の
エネルギーによる素子のサージ破壊や電流破壊から素子
を保護するものであり、以下の構成を特徴とする。
【0016】順変換回路と直流リアクトル及び逆変換回
路を有して負荷に交流電力を供給し、前記逆変換回路側
の短絡故障時にその直流側に設けた短絡用半導体スイッ
チをオンさせて前記直流リアクトルのエネルギーを吸収
させることで該逆変換回路の半導体素子を保護する保護
回路を設けた電流形インバータにおいて、前記短絡用半
導体スイッチに直列に設けられ、該短絡用半導体スイッ
チのオン時の電流を制限する抵抗と、前記逆変換回路の
直流電圧の零が一定時間以上継続したことで短絡故障を
検出して前記短絡用半導体スイッチのオン信号を発生
し、このオン信号の発生後に負荷電流が零になったとき
に前記逆変換回路の素子をオフ制御する制御回路とを備
えたことを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態を示す
電流形インバータの主回路と制御回路の構成図であり、
図7と同等の部分は同一符号で示す。また、誘導加熱負
荷4は、等価的に高周波電圧源Eとして示す。
【0018】短絡用サイリスタTHSには、抵抗RSが直
列に介挿され、直流短絡時のサージ電流を抵抗RSで制
限できるようにする。
【0019】制御回路5は、順変換回路1及び逆変換回
路3の各半導体スイッチの制御に必要なゲート出力を得
るロジック回路を有する。このロジック回路は従来と同
等のものである。これに加えて、制御回路5は、装置保
護のために短絡用サイリスタ(短絡用半導体スイッチ)
THSをオンさせる手段及び逆変換回路素子を適切なタ
イミングでオフさせる手段を備える。この保護回路の入
力信号として、逆変換回路3の直流入力電圧を検出する
DC/DC変換回路6と、負荷電流を検出する変流器7
とを備える。
【0020】図2は、制御回路5の保護回路のブロック
図を示す。絶対値回路11Aは逆変換回路の直流電圧を
整流する。コンパレータ11は、電圧設定器12の設定
電圧を比較基準として、絶対値回路11Aを通したDC
/DC変換回路6からの直流電圧検出信号がほぼ零にな
ったことを検出する。時間超過検出器13は、コンパレ
ータ11が電圧零の検出状態が一定時間Tα以上継続し
たときに故障発生として検出し、この検出では短絡用サ
イリスタTHSのオン信号を得る。この時間Tαは、正
常運転周期で発生する電圧零とは区別するため、例え
ば、通常のインバータ運転時の転流の重なり角(時間)
より長い時間であり、かつ、インバータの出力周期の1
/2よりも短い時間に設定される。
【0021】遅れ時間回路14は、検出器13の出力タ
イミングから一定時間Tβだけ遅れた出力を得、この出
力でゲート回路15のゲートを開く。
【0022】コンパレータ16は、電流設定器17の設
定電圧を比較基準として、変流器7からの負荷電流検出
信号がほぼ零になったことを検出し、ゲート回路15の
ゲート入力を得る。
【0023】ゲート回路15は、両ゲート入力の成立で
ゲート回路18U,18V,18X,18Yのゲート入力を
抑止する。逆変換回路駆動ロジック19は、従来と同様
のもので、逆変換回路3の各相ゲート信号を発生する。
この各相ゲート信号は、ゲート回路18U,18V,18
X,18Yを介して逆変換回路3の各IGBT(TU
V,TX,TY)のゲート信号にされる。
【0024】以上の構成において、正常時は、逆変換回
路駆動ロジック19からのゲート信号出力で逆変換回路
3の各素子TU,TYと素子TV,TXが交互にオン・オフ
制御され、逆変換回路3から誘導加熱回路4に高周波電
流を供給する。
【0025】次に、故障発生で直流電圧がほぼ零になっ
た状態が時間Tα以上に継続したとき、これをコンパレ
ータ11と時間超過検出器13で検出し、短絡用サイリ
スタTHSをオンさせる。さらに、遅れ時間回路14に
よって時間Tβだけ遅れてゲート回路15のゲートを開
く。一方、故障発生で負荷電流がほぼ零になったとき、
これをコンパレータ16で検出し、短絡用サイリスタT
Sのオン制御から時間Tβだけ遅れてゲート回路15
に抑止信号を得、逆変換回路3の各相ゲート信号を抑止
する。
【0026】図3は、正常時の各部波形を示す。逆変換
回路3の素子TUとTYをオン、素子TVとTXがオフの制
御状態では、出力電圧VOの区間T1では、素子TU→誘
導加熱回路4→素子TYの経路で電流IUが流れ、区間T
2では素子TU,TYをオン制御したまま素子TV,TX
オン制御になる転流重なり期間を有して電流IVに転流
させ、出力電流IOを逆極性に反転させる。
【0027】次に、故障発生時の保護動作を図4及び図
5に示す各動作モード1〜4での電流経路と、図6に示
す各部波形図を参照して説明する。
【0028】(モード1)図4の(a)に示すように、
素子TU,TYがオン、素子TV,TXがオフにされ、電流
Uが流れている区間T1(図6参照)の制御状態におい
て、何らかの原因により素子TUのIGBTが短絡故障
したとき、このときは短絡故障を検出しないまま、制御
を続ける。
【0029】(モード2)上記の区間T1が終了し、転
流のタイミングt1になったとき、制御回路5は素子
U,TYにオンゲート信号を印加したまま、素子TV
Xにオンゲート信号を与える。この転流期間では、図
4の(b)に示すように、誘導加熱回路4の誘起電圧で
素子TU→TV→誘導加熱回路4のループで短絡電流is
が流れ、U相電流IUからV相電流IVに転流を開始し、
区間T2の終了(時刻t2)で素子TU,TYをオフさせて
転流を終える。
【0030】(モード3)区間T3(時刻t2〜t3)に
おいては、素子TUが短絡故障していても正常時と同じ
転流動作になり、図5の(a)に示すように、V相電流
Vが流れる。
【0031】(モード4)区間T4(時刻t3〜t4)で
は、出力電圧VOが零クロス点から負になり、素子TU
短絡故障していること、および素子TXがオン状態にあ
ることから、図5の(b)に示すように、V相に流れて
いた電流が素子TU→TXの経路で電流IDCとして流れ始
める。この電流IDCは、直流リアクトル2→素子TU
素子TXの経路で流れるアーム短絡電流になる。
【0032】このとき、直流リアクトル2を経た位置の
直流電圧Edcはほぼ零になり、この状態を制御回路5の
コンパレータ11が検出し、さらに、この状態が時間T
αだけ継続したことを時間超過検出器13で検出する。
その後、負荷電流IOが零になったことをコンパレータ
16で検出する。時間超過検出器13の検出により、短
絡用サイリスタTHSをオンさせ、さらに負荷電流IO
零になったことを時間Tβの確保で確認し(時刻
5)、逆変換回路3の各相ゲート信号をオフさせる。
【0033】これにより、時間Tβの間は、アーム短絡
電流IDCを素子TU,TXに流し、この遅れ時間の間に負
荷電流IOの零を確認し、素子TU,TXをオフさせて短
絡用サイリスタTHSに短絡電流ISとして流す。
【0034】したがって、素子TU,TXのオフ制御に
は、負荷電流IOが零になったことを確認し、誘導加熱
回路4に流れる電流を遮断することなく行うことがで
き、誘導加熱回路4の電流で素子がサージ破壊するのを
防止できるし、負荷エネルギーの消滅を待ったオフ制御
で素子が電流破壊するのを防止できる。なお、素子のオ
フに伴う低いサージ電圧は小形のスナバ回路により吸収
することができる。
【0035】また、短絡用サージTHSに流れる短絡電
流ISは、抵抗RSによって電流制限され、順変換回路1
の交流電源側に大きなサージ電流を発生することがな
く、短絡用サージTHSやフライホイールダイオードDF
に必要な電流容量を軽減できる。また、交流電源に接続
される他の装置や負荷に電圧低下やサージを発生させる
こともない。
【0036】なお、実施形態では素子TUの短絡故障の
場合で保護動作を説明するが、逆変換回路3の他の素子
の短絡故障も同様の保護動作になる。また、負荷を誘導
加熱回路とする場合を示すが、誘導電動機などの他の負
荷の場合も同等の作用効果を得ることができる。
【0037】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、短絡用
半導体スイッチに直列に電流制限用抵抗を設けるため、
短絡動作時の電流を制限して交流電源側に大電流サージ
が発生するのを抑制することができるし、短絡用半導体
スイッチやフライホイールダイオードは電流容量の小さ
いもので済む。
【0038】さらに、逆変換回路の素子のオフ制御は短
絡用半導体スイッチのオン制御後に負荷電流が零になっ
たことを確認して行うことにより、負荷のエネルギーに
よる素子のサージ破壊や電流破壊から素子を保護するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示す電流形インバータの主
回路と制御回路の構成図。
【図2】実施形態における保護回路のブロック図。
【図3】電流形インバータの正常時の各部波形。
【図4】短絡故障時のモード1、2の電流経路を示す
図。
【図5】短絡故障時のモード3、4の電流経路を示す
図。
【図6】素子TUの短絡故障時の各部波形。
【図7】従来の電流形インバータの主回路構成図。
【符号の説明】
1…順変換回路 2…直流リアクトル 3…逆変換回路 4…誘導加熱回路 5…制御回路 11、16…コンパレータ 13…時間超過検出器 14…遅れ時間回路 THS…短絡用サイリスタ RS…電流制限抵抗

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 順変換回路と直流リアクトル及び逆変換
    回路を有して負荷に交流電力を供給し、前記逆変換回路
    側の短絡故障時にその直流側に設けた短絡用半導体スイ
    ッチをオンさせて前記直流リアクトルのエネルギーを吸
    収させることで該逆変換回路の半導体素子を保護する保
    護回路を設けた電流形インバータにおいて、 前記短絡用半導体スイッチに直列に設けられ、該短絡用
    半導体スイッチのオン時の電流を制限する抵抗と、 前記逆変換回路の直流電圧の零が一定時間以上継続した
    ことで短絡故障を検出して前記短絡用半導体スイッチの
    オン信号を発生し、このオン信号の発生後に負荷電流が
    零になったときに前記逆変換回路の素子をオフ制御する
    制御回路とを備えたことを特徴とする電流形インバー
    タ。
JP11117392A 1999-04-26 1999-04-26 電流形インバータ Pending JP2000312480A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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