JP2000312044A - レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法Info
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Abstract
止し、エネルギー損失を極力抑えた均一なレーザ発光を
可能とするレーザ発振装置を提供する。 【解決手段】 導波管301から導波管壁に形成された
複数の微小間隙3010を介して電磁波をレーザ管30
2内に導入することによりレーザ管302内のレーザガ
スを励起させてプラズマを生成し、プラズマから発せら
れる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装
置であって、微小間隙3010上に励起するプラズマが
所定領域外へ拡散しないように、レーザ管302内にメ
ッシュシールドを設けている。生成されたプラズマがメ
ッシュシールド外へ拡散することを抑止することができ
るため、投入したパワーを最大限に活用してプラズマ生
成を行うことができる。
Description
出させる流路を形成し、流路途中の所定部位から噴出さ
せるガス供給路構造、導波管から導波管壁に形成された
複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入する
ことにより、レーザ光を発生させるレーザ発振装置に関
し、特にレーザガス励起用の電磁波としてマイクロ波を
用いたレーザ発振装置、これを備えた露光装置及びデバ
イスの製造方法に適用して好適である。
出力レーザとして、いわゆるエキシマレーザが注目され
ており、電子産業や化学産業、エネルギー産業等におい
て、具体的には金属、樹脂、ガラス、セラミックス、半
導体等の加工や化学反応等に応用が期待されている。
て説明する。先ず、マニホルド内に充填されたAr,K
r,Ne,F2 等のレーザガスを電子ビーム照射や放電
等により励起状態にする。このとき、励起されたF原子
は基底状態の不活性Kr,Ar原子と結合して励起状態
でのみ存在する分子であるKrF* ,ArF* を生成す
る。この分子がエキシマと呼ばれるものである。エキシ
マは不安定であり、直ちに紫外光を放出して基底状態に
落ちる。これをボンドフリー遷移あるいは自然発光とい
うが、この励起分子を利用して一対の反射鏡で構成され
る光共振器内で位相の揃った光として増幅し、レーザ光
として取り出すものがエキシマレーザ発振装置である。
置について、以下に列挙するような種々の問題がある。
代産業に用いられる光源の主流となりつつある反面、発
光に伴うレーザガスの枯渇によりその発光時間が極めて
短いという問題がある。即ち、エキシマレーザの中でも
特にKrFレーザやArFレーザ、F2 レーザにおいて
は、励起分子から発光がなされた状態から元の原料ガス
分子の状態に戻るまで比較的長時間を要するため、長時
間の発光を維持することが困難となる。
長させるには、当該レーザガスを高速度で絶えず供給す
る必要がある。しかしながら、高速流を発生させればそ
れに伴って衝撃波が生じてレーザ発振装置として機能不
能、具体的にはレーザガスの継ぎ手が緩んだり、セラミ
クスの破損や金属疲労等が発生するおそれがあり、例え
ば露光等を行なう場合、それ以上に衝撃波によって発生
する振動は致命的な外乱となる。現在のところ、衝撃波
を防止して高速流のレーザガスを実現する十分な技術は
確立しておらず、今後の鋭意検討が待たれる現況にあ
る。
の如くレーザガスの励起源としては主にマイクロ波が用
いられる。マイクロ波とは、発振周波数が数百MHz〜
数十GHzの電磁波である。この場合、導波管から導波
管壁に形成された間隙(スロット)を介してマイクロ波
をレーザ管内に導入し、これによりレーザ管内のレーザ
ガスをプラズマ状態に励起する。
ットからの電磁波の放射特性を、スロット上の全領域に
おいて均一にすることは困難であり、通常、スロット長
軸方向に正弦状もしくはそれに類似した分布となる。即
ち、図97(a)に示すように、スロット長軸方向の中
央部における電界強度分布が最も大きく、スロット長軸
方向の端部における電界強度分布が最も小さくなってし
まう。
て、図97(b)に示すように、励起されるプラズマは
スロット長軸方向の中心に集まるという性質があり、ス
ロット長軸方向の電界強度の不均一分布が助長されてし
まう。このことは、スロットの長手方向において励起さ
れるプラズマを均一にすることのできない大きな要因と
なる。
中央の位置で励起源である電磁波の強度が最も強いため
プラズマが中央の位置で励起され易いという性質、励起
したプラズマが表面積が最小となる球状に集まり易いと
いう性質に起因するものである。中央位置で励起したプ
ラズマにより、スロット中央に空間のインピーダンスの
低い領域が形成され、その部位で優先的にエネルギーが
消費されると共に、プラズマがシールドとして働き、マ
イクロ波が放出される長さに設計されていたスロット長
がマイクロ波にとって半分の長さとなり、マイクロ波が
スロット外部に放出されなくなる。これら2つの要因に
よりプラズマはスロットの中央のみで形成され易く、ス
ロット上で均一なプラズマを励起させることは極めて困
難であった。
の如くレーザガスの励起源としては主にマイクロ波が用
いられる。マイクロ波とは、発振周波数が数百MHz〜
数十GHzの電磁波である。この場合、導波管から導波
管壁に形成された間隙(スロット)を介してマイクロ波
をレーザ管内に導入し、これによりレーザ管内のレーザ
ガスをプラズマ状態に励起する。
クロ波の強度分布が均一であったとしても、レーザ光の
共振器長を満たすだけの長い空間にマイクロ波を供給す
るには、共振器長軸方向に沿って複数のスロットを配置
したスロットアレイ構造を形成する必要がある。この構
造を図98に示す。図98において、導波管壁201に
複数の微小間隙(スロット)202が等間隔に形成され
ており、便宜上レーザ管内を放出空間として略記する。
隣接するスロット202間の領域(図98中、楕円形の
斜線部で示す。)は必然的にマイクロ波の非照射領域と
なる。従って、マイクロ波により放出空間に存するレー
ザガスを励起する際にも非照射領域の存在に起因してマ
イクロ波強度にムラが生じ、全体として不均一な分布の
プラズマ放電が発生することになる。
にはプラズマが生成されるが、スロット上に形成される
プラズマシースにおいては、マイクロ波の伝播が可能で
あり、結果マイクロ波がシース領域を介してスロット短
軸方向に広がり、投入したパワーが分散してしまうため
にエキシマレーザの励起に必要なエネルギ密度を満たす
ことができなかった。このことは、プラズマを広い空間
に拡散すると、プラズマの生成に用いるためのエネルギ
が分散してエキシマを励起するだけのエネルギ密度を実
現することが困難となることに起因する。
波が伝播する様子を示す模式図であり、スロットの長手
方向に対し垂直となる方向に沿った断面を示している。
れていないが、その外側は基本的には直接導波管801
に接地しており、シースにおける電位差、シース幅など
が両者で異なってくる。このため、プラズマ密度が十分
でない場合、シースが厚くなり、マイクロ波が外側に不
均一に漏れ易くなる。この結果、スロット開口端の直上
はプラズマが薄く、外側において高密度になるという現
象が発生する。
れたものであり、以下に列挙する目的を有する。
を形成しつつも、衝撃波の発生を抑止することを可能と
するガス供給路構造(及びガス供給方法)を提供するこ
とを目的とし、更にはこのガス供給路構造を備え、発光
時間の長いレーザ発振装置や、このレーザ発振装置を備
えた高性能の露光装置、この露光装置を用いた高品質な
デバイスの製造方法を提供する。 (2)スロットアレイ構造を採用するも、個々のスロッ
トの長手方向にわたり全体的に均一なプラズマの励起を
実現し、エネルギー損失を極力抑えた均一なレーザ発光
を可能とするレーザ発振装置や、このレーザ発振装置を
備えた高性能の露光装置、この露光装置を用いた高品質
なデバイスの製造方法を提供する。
レーザ管の長手方向にわたり全体的に均一な電磁波の放
射を実現し、エネルギー損失を極力抑えた均一なレーザ
発光を可能とするレーザ発振装置や、このレーザ発振装
置を備えた高性能の露光装置、この露光装置を用いた高
品質なデバイスの製造方法を提供する。
スロット上に生成されるプラズマの拡散を抑止し、エネ
ルギー損失を極力抑えた均一なレーザ発光を可能とする
レーザ発振装置や、このレーザ発振装置を備えた高性能
の露光装置、この露光装置を用いた高品質なデバイスの
製造方法を提供することを目的とする。
は、導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を
介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レ
ーザ管内のレーザガスを励起させてプラズマを生成し、
前記プラズマから発せられる光を共振させてレーザ光を
発生させるレーザ発振装置であって、圧縮性気体を流入
出させる流路を形成し、前記流路途中の所定部位で前記
圧縮性気体を所定速度に制御するガス供給路構造を備
え、前記流路が前記所定部位で最も幅狭となる形状とさ
れており、前記圧縮性気体の流入口と流出口との圧力比
を両者の断面積比で与えられる臨界圧力比以下とし、前
記所定速度を亜音速に制御し、前記レーザ管内に、前記
レーザガスの流れる方向に向かって形成された開口から
なる前記プラズマの遮蔽構造を備えている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置であって、前記微小間隙上から前記レーザ管壁
までの間が所定距離離間され、前記電磁波の通路が形成
されており、前記レーザ管内に、前記レーザガスの流れ
る方向に向かって形成された開口からなる前記プラズマ
の遮蔽構造を備えている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置であって、圧縮性気体を流入出させる流路を形
成し、前記流路途中の所定部位で前記圧縮性気体を所定
速度に制御するガス供給路構造を備え、前記流路が前記
所定部位で最も幅狭となる形状とされており、前記圧縮
性気体の流入口と流出口との圧力比を両者の断面積比で
与えられる臨界圧力比以下とし、前記所定速度を亜音速
に制御し、前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間
が所定距離離間され、前記電磁波の通路が形成され、前
記レーザ管内に、前記レーザガスの流れる方向に向かっ
て形成された開口からなる前記プラズマの遮蔽構造を備
えている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置において、以下の(A)〜(I)からなる構成
要素群から選ばれた2つ以上の任意の構成要素を組み合
わせて備える。 (A)圧縮性気体を流入出させる流路を形成し、前記流
路途中の所定部位で前記圧縮性気体を所定速度に制御す
るガス供給路構造を備え、前記流路が前記所定部位で最
も幅狭となる形状とされており、前記圧縮性気体の流入
口と流出口との圧力比を両者の断面積比で与えられる臨
界圧力比以下とし、前記所定速度を亜音速に制御する構
成要素。 (B)前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所
定距離離間され、前記電磁波の通路が形成された構成要
素。 (C)前記各微小間隙が、当該微小間隙に依存した電磁
波の放出特性が前記導波管内で伝搬される電磁波の強度
分布と相反するような部位に形成された構成要素。 (D)前記微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管
を狭持するように一対の前記導波管が設けられ、前記各
導波管内に同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で
対向する双方向からレーザガスの励起を行なう構成要
素。 (E)前記微小間隙が、前記導波管の長端面に形成され
ており、当該長端面の長手方向の中心線に沿って所定間
隔をおいて左右に等間隔で配置された構成要素。 (F)前記微小間隙上に励起する前記プラズマが所定領
域外へ拡散しないように、前記レーザ管内に遮蔽構造が
設けられた構成要素。 (G)前記微小間隙の短辺方向の幅が、前記微小間隙の
開口から前記短辺方向への前記電磁波の通路となるシー
スの厚みよりも短く形成された構成要素。 (H)前記微小間隙の近傍に少なくとも1つの電極を備
え、前記電極に所定の電流密度を与えることにより、前
記微小間隙上において前記レーザガスから発せられる光
の強度分布を均一化する構成要素。 (I)前記微小間隙の長手方向の端部における幅が中央
部における幅に比して幅広に形成された構成要素。
流入出させる流路を形成し、前記流路途中の所定部位で
前記圧縮性気体を所定速度に制御するガス供給路構造で
あって、前記流路が前記所定部位で最も幅狭となる形状
とされており、前記圧縮性気体の流入口と流出口との圧
力比を両者の断面積比で与えられる臨界圧力比以下と
し、前記所定速度を亜音速に制御する。
流入口及び/又は前記流出口の圧力を調節することによ
り前記所定速度を亜音速に制御する。
て、前記所定部位は、前記圧縮性気体により生じる擾乱
が少なくなる形状とされている。
は、前記流路内における前記圧縮性気体の加速効率及び
/又は減速効率に対応して、臨界圧力比又は前記流入口
及び/又は前記流出口の圧力を補正する。
て、前記流路は、前記所定部位を中心とした対称形状と
されている。
て、前記流路は、前記所定部位の上下幅を可変とする上
下幅調整手段を有する。
流入出させる流路を形成し、前記流路途中の所定部位で
前記圧縮性気体を所定速度に制御するガス供給路構造で
あって、前記圧縮性気体の流入口近傍と前記圧縮性気体
の流出口近傍との少なくとも片方を加熱又は冷却するこ
とにより、前記圧縮性気体の流入速度及び流出速度をそ
れぞれ調節し、前記所定速度を前記流入速度及び前記流
出速度と異なる亜音速に制御する。
路に流入出させ、前記流路途中の所定部位で前記圧縮性
気体を所定速度に制御する方法であって、前記流路を前
記所定部位で最も幅狭となる形状とするとともに、前記
圧縮性気体の流入口と流出口との圧力比を両者の断面積
比で与えられる臨界圧力比以下とし、前記所定速度を亜
音速とする。
入口及び/又は前記流出口の圧力を調節することにより
前記所定速度を亜音速に制御する。
前記所定部位を、前記圧縮性気体により生じる擾乱が少
なくなる形状とする。
路内における前記圧縮性気体の加速効率及び/又は減速
効率に対応して、臨界圧力比又は前記流入口及び/又は
前記流出口の圧力を補正する。
前記流路を、前記所定部位を中心とした対称形状とす
る。
入出させる流路を形成し、前記流路途中の所定部位で前
記圧縮性気体を所定速度に制御するガス供給路構造であ
って、前記圧縮性気体の流入口近傍と前記圧縮性気体の
流出口近傍との少なくとも片方を加熱又は冷却すること
により、前記圧縮性気体の流入速度及び流出速度をそれ
ぞれ調節し、前記所定速度を前記流入速度及び前記流出
速度と異なる亜音速に制御する。
バ内で励起されたレーザガスから発する光を共振させて
レーザ光を発生させるものであって、前記レーザチャン
バは、前記ガス供給路構造を含み、前記圧縮性気体をレ
ーザガスとして前記所定部位から発する光を共振させ
る。
スを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくとも1種の
不活性ガスとF2 ガスとの混合ガスとするエキシマレー
ザ発振装置である。
ガス供給路構造の流入口及び流出口にそれぞれ接続され
たガス供給手段を備え、前記ガス供給路構造及び前記各
ガス供給手段により前記レーザガスの循環系を構成す
る。
ガス供給路構造と前記各ガス供給手段とを接続する前記
レーザガスの冷却手段を備える。
て、前記冷却手段は、加熱された前記レーザガスを冷却
するように機能する。
て、前記ガス供給手段は、複数のポンプがマトリクス状
に結合してなるものである。
て、前記ポンプはベローズポンプである。
て、前記ガス供給手段はシロッコファンである。
給系から発する光を共振させてレーザ光を発するもので
あって、前記レーザガス供給系は、前記レーザガスを流
入出させる流路を形成し、前記流路途中の所定部位で最
も幅狭となる形状を有する一対のガス供給路構造が直列
に接続され、中央部位が発光部となるように構成されて
なるガス供給路構造群を備えており、前記ガス供給路構
造群の前記発光部で前記レーザガスを超音速に制御し、
当該発光部から発した光を共振させる。
レーザガスを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくと
も1種の不活性ガスとF2 ガスとの混合ガスとするエキ
シマレーザ発振装置である。
ガス供給路構造群の流入口及び流出口にそれぞれ接続さ
れたガス供給手段を備え、前記ガス供給路構造及び前記
各ガス供給手段により前記レーザガスの循環系を構成す
る。
て、前記ガス供給手段は、複数のポンプがマトリクス状
に結合してなるものである。
て、前記ポンプはベローズポンプである。
て、前記ガス供給手段はシロッコファンである。
て、前記ガス供給路構造群の前記流路は、前記所定部位
の上下幅を可変とする上下幅調整手段を有する。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、前記
微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所定距離離間
され、前記電磁波の通路が形成されている。
て、前記微小間隙から前記レーザ管壁までの離間距離
は、前記導波管から導入される電磁波の管内における半
波長の整数倍である。
て、前記導波管から導入される電磁波がマイクロ波であ
る。
て、前記微小間隙上を含む前記通路を囲むように導電体
が設けられ、前記通路が前記レーザ管との接触部位で当
該レーザ管の長手方向にわたる所定幅の空隙とされてい
る。
て、前記空隙には、誘電体が充填されている。
て、前記空隙の幅は、前記導波管から導入される電磁波
の管内における半波長の整数倍である。
て、前記空隙は、その先端部位のみが幅狭とされてお
り、前記レーザ管との接触部位で当該レーザ管の長手方
向にわたるスリット形状とされている。
て、前記空隙は、その先端部位近傍のみが幅広とされて
おり、当該幅が前記導波管から導入される電磁波の波長
又は半波長にほぼ等しい値とされている。
て、前記空隙は、その先端部位近傍の幅が、前記微小間
隙から放出される電磁波の強度分布を反映して当該空隙
の長手方向に沿って異なる値とされている。
て、前記通路内の少なくとも前記微小間隙の上層に、当
該微小間隙に対して対称形状な構造を有する誘電体レン
ズが設けられている。
て、前記導波管内に誘電体レンズが充填されている。
ーザガスを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくとも
1種の不活性ガス、又は前記少なくとも1種の不活性ガ
スとF2 ガスとの混合ガスとするエキシマレーザ発振装
置である。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、前記
各微小間隙は、当該微小間隙に依存した電磁波の放出特
性が前記導波管内で伝搬される電磁波の強度分布と相反
するような部位に形成されている。
て、前記微小間隙に依存した電磁波の放出強度分布の最
小値が前記微小間隙のほぼ中央部位に位置する部位に、
前記各微小間隙が形成されている。
て、前記各微小間隙は、電磁波の導波管における管内波
長又はその半波長をピッチとして一列に形成されてい
る。
て、前記導波管から導入される電磁波がマイクロ波であ
る。
レーザガスを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくと
も1種の不活性ガス、又は前記少なくとも1種の不活性
ガスとF2 ガスとの混合ガスとするエキシマレーザ発振
装置である。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、前記
微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管を狭持する
ように一対の前記導波管が設けられ、前記各導波管内に
同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で対向する双
方向からレーザガスの励起を行なう。
て、前記微小間隙の形成面が前記導波管の短端面であ
り、前記各微小間隙が長手方向に等間隔で一列に形成さ
れている。
て、前記各導波管は、対向する前記各形成面間で各々対
応する前記微小間隙が相対的に所定距離シフトするよう
に配されている。
て、前記各導波管内に供給される電磁波の位相を両者間
で相対的にシフトさせる位相調節手段が設けられてい
る。
て、前記各導波管に電磁波を同調させる同調手段がそれ
ぞれ設けられている。
て、前記導波管から導入される電磁波がマイクロ波であ
る。
ーザガスを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくとも
1種の不活性ガス、又は前記少なくとも1種の不活性ガ
スとF2 ガスとの混合ガスとするエキシマレーザ発振装
置である。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、前記
微小間隙は、前記導波管の長端面に形成されており、当
該長端面の長手方向の中心線に沿って所定間隔をおいて
左右に等間隔で配置されている。
て、前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所定
距離離間され、前記電磁波の通路が形成されている。
て、前記微小間隙から前記レーザ管壁までの離間距離
は、前記導波管から導入される電磁波の半波長の整数倍
である。
て、前記導波管から導入される電磁波がマイクロ波であ
る。
て、前記微小間隙上を含む前記通路を囲むように導電体
が設けられ、前記通路が前記レーザ管との接触部位で当
該レーザ管の長手方向にわたる所定幅の空隙とされてい
る。
て、前記空隙は、前記微小間隙とほぼ同一幅に形成され
ている。
て、前記空隙は、相対応する左右の前記微小間隙を含む
幅に形成されており、その先端部位のみが幅狭で前記レ
ーザ管の長手方向にわたる1本のスリット形状とされて
いる。
て、前記空隙は、相対応する左右の前記微小間隙を含む
幅に形成されており、その先端部位のみが前記微小間隙
に対応した幅狭で前記レーザ管の長手方向にわたる偶数
本のスリット形状とされている。
て、前記空隙の幅が前記導波管から導入される電磁波の
半波長の整数倍である。
て、前記微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管を
狭持するように一対の前記導波管が設けられ、前記各導
波管内に同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で対
向する双方向からレーザガスの励起を行なう。
て、前記空隙には、誘電体が充填されている。
て、前記導波管の短端面に、前記微小間隙のインピーダ
ンスを調整するための微小金属体が埋め込まれている。
て、前記導波管内には、誘電体が充填されている。
て、前記微小間隙内には、その先端面が平坦化されるよ
うに誘電体が充填されている。
ーザガスを、Kr,Ar,Neから選ばれた少なくとも
1種の不活性ガス、又は前記少なくとも1種の不活性ガ
スとF2 ガスとの混合ガスとするエキシマレーザ発振装
置である。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置であって、前記微小間隙上に励起する前記プラ
ズマが所定領域外へ拡散しないように、前記レーザ管内
に遮蔽構造を設けている。
ては、前記遮蔽構造は、前記微小間隙の長手方向に対し
て垂直となる方向への前記プラズマの拡散を防止するよ
うに設けられている。
ては、前記遮蔽構造は、前記微小間隙から所定距離だけ
離間して配置された金属壁からなる。
て、前記遮蔽構造は、メッシュ状の板材から構成されて
いる。
て、前記遮蔽構造は、所定の開口を有する複数のノズル
からなる。
ては、前記ノズルが、前記レーザガスの通路とされてい
る。
ては、前記遮蔽構造が、磁場によって構成されている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置であって、前記微小間隙の短辺方向の幅が、前
記微小間隙の開口から前記短辺方向への前記電磁波の通
路となるシースの厚みよりも短く形成されている。
ては、前記短辺方向の幅が、10μm〜100μmの範
囲内の値である。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起させてプラズマを生成し、前記プラズマから
発せられる光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ
発振装置であって、前記微小間隙の各々が複数列のスリ
ットから構成されている。
ては、前記複数列のスリットにおいて、端の列における
スリットの幅が、中央近傍の列におけるスリットの幅よ
りも小さい。
ては、前記複数列のスリットにおいて、端の列における
スリットの長さが、中央近傍の列におけるスリットの長
さよりも短い。
ては、前記レーザ管に面した前記微小間隙の開口端の側
方に、前記プラズマの拡散を抑える遮蔽構造が設けられ
ている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発せられる光を共振
させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、
前記微小間隙の近傍に少なくとも1つの電極を備え、前
記電極に所定の電流密度を与えることにより、前記微小
間隙上において前記レーザガスから発せられる光の強度
分布を均一化するようにしている。
ては、前記電極は前記微小間隙の長手方向に沿って複数
箇所設けられ、前記電極に所定の電流密度を与えること
により、前記微小間隙の中央近傍に比して前記微小間隙
の端部近傍における予備電離密度を大きくしている。
ては、前記微小間隙に沿って配置された複数の前記電極
を備え、前記微小間隙の端部近傍に位置する前記電極の
電流密度を、前記微小間隙の中央近傍に位置する電極の
電流密度に比して大きくしている。
ては、前記電極は、前記微小間隙に近接して前記微小間
隙の長手方向に沿って一体に形成されており、前記微小
間隙の中央近傍における幅に比して前記微小間隙の端部
における幅が大きく形成されている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、前記
微小間隙の近傍に紫外線を照射するための光源を備え、
前記紫外線の照射により、前記微小間隙上において前記
レーザガスから発せられる光の強度分布を均一化してい
る。
ては、前記微小間隙と対向した位置における前記導波管
の壁面に前記光源からの前記紫外線を通過させるための
開孔を設けている。
ては、前記開孔を、前記電磁波が通過不能な大きさとし
ている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させ
てレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、前記
電磁波のレーザ管内への導入と独立して、前記微小間隙
の端部におけるレーザガスの励起を促進することによ
り、前記微小間隙上の全域におけるレーザー発光の強度
を均一化するようにしている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発せられる光を共振
させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、
前記微小間隙の長手方向の端部における幅が中央部にお
ける幅に比して幅広に形成されている。
ては、前記端部が前記中央部における幅よりも大きな直
径の円弧形状とされている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発せられる光を共振
させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、
前記微小間隙は前記導波管の長手方向に沿った中心軸か
ら離間した位置に形成されており、前記微小間隙の端部
が中央部に比してより前記導波管壁の側面に近接するよ
うに、前記微小間隙が湾曲している。
ては、前記電磁波が、前記導波管から前記導波管の長端
面の方向に放射される。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発せられる光を共振
させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、
前記微小間隙が形成された前記導波管壁に空隙構造が形
成されている。
て、前記空隙構造は、前記微小間隙の端部近傍において
は前記端部からλg/4(λgは前記電磁波の管内波
長)の距離の範囲まで形成されている。
て、前記空隙構造は、前記微小間隙の端部近傍において
は前記端部からλg/2(λgは前記電磁波の管内波
長)の距離の範囲まで形成されている。
て、前記空隙構造は、前記微小間隙の中央部においては
λg/2(λgは前記電磁波の管内波長)以下の距離の
範囲で形成されている。
て、前記空隙構造は、前記微小間隙の長手方向と垂直と
なる方向においては、λg/2(λgは前記電磁波の管
内波長)の整数倍の幅で形成されている。
波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレ
ーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザ
ガスを励起し、前記レーザガスから発せられる光を共振
させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、
前記導波管内における前記微小間隙の近傍に誘電体レン
ズ若しくは前記電磁波にとって実質的にレンズと等価と
なる構造を設けている。
である前記レーザ発振装置と、所定パターンの形成され
たレチクルに前記レーザ発振装置からの照明光を照射す
る第1光学系と、前記レチクルを通過した照明光を被照
射面に照射する第2光学系とを備え、前記被照射面に前
記レチクルの所定パターンを投影し露光を行う。
に感光材料を塗布する工程と、前記露光装置を用いて、
前記感光材料が塗布された前記被照射面に所定パターン
の露光を行う工程と、前記所定パターンの露光が行われ
た前記感光材料を現像する工程とを備える。
いては、前記被照射面をウェハ面とし、当該ウェハ面に
半導体素子を形成する。
を有する。
は、各微小間隙が、当該微小間隙の電磁波の放出特性が
導波管内で伝搬される電磁波の強度分布と相反するよう
な部位に形成される。ここで、微小間隙に依存した電磁
波の放出特性は、上記のように微小間隙の中央部位で電
磁波強度が最大値となり、微小間隙の端部へ近づくにつ
れて小さくなる分布を示すため、導波管内で伝搬される
電磁波の強度分布がこれと相反するような位置に微小間
隙を形成すれば、導波管内で伝搬される電磁波の強度分
布が微小間隙に依存した電磁波の放出特性による強度分
布の影響を受け、実際に各微小間隙から放出される電磁
波の強度分布の均一性が当該各微小間隙の全域にわたっ
て高まる。
し、各微小間隙を電磁波の導波管における管内波長又は
その半波長をピッチとして一列に形成した場合、導波管
内で伝搬される電磁波の強度分布の最小値が当該微小間
隙のほぼ中央部位に位置するように、各微小間隙を形成
する。即ち、導波管内で伝搬される電磁波の強度分布に
合わせて、各微小間隙の中央部位に電磁波の放出強度分
布の最大値が一致するように対応させた位置から、各微
小間隙を一律にλg /4(λg :管内波長)だけずらし
た部位に、当該微小間隙を形成する。このような比較的
容易に手法により、各微小間隙から放出される電磁波の
強度分布の更なる均一化を係ることが可能となる。
は、導波管壁に形成された複数の微小間隙(スロット)
上からレーザ管壁までの間が所定距離離間され、前記電
磁波の通路が形成されている。この場合、各微小間隙か
ら放出された電磁波はレーザ管壁の近傍では波面が平坦
化され、全体として平面波近似となってレーザ管内に伝
播する。従って、レーザ管内のレーザガスにはほぼ均一
の平面波とされた電磁波が到達することになり、レーザ
管の長手方向にわたって均一なプラズマ放電が実現さ
れ、レーザ発光の均一化に寄与する。
は、微小間隙(スロット)の形成面を対向させてレーザ
管を狭持するように一対の導波管を設け、レーザ管内で
対向する双方向からレーザガスの励起を行なう。このと
き、種々の要請に適合して対向する各形成面の微小間隙
が相対的に所定距離シフトするように、各導波管の空間
配置を調節したり、各導波管内に供給される電磁波の位
相を両者間で相対的にシフトさせる等により、微小間隙
の非連続性に起因する電磁波の波面のむらが各導波管間
で補間し合い、発光領域は実質的に増加して波面が平坦
化される。従って、レーザ管内のレーザガスには全空間
にほぼ均一に電磁波が到達することになり、レーザ管の
長手方向にわたって均一なプラズマ放電が実現され、レ
ーザ発光の均一化に寄与する。 (4)本発明のレーザ発振装置においては、微小間隙
(スロット)を導波管の長端面(H面)に形成し、当該
H面の長手方向の中心線に沿って所定間隔をおいて左右
に等間隔で配置する。この場合、微小間隙(スロット)
を導波管の短端面(E面)に形成した場合と異なり、電
磁波の位相の均一を保ちつつも前記所定間隔を狭める、
例えば前記所定間隔をλg /2(λg :導波管内におけ
る電磁波の管内波長)とすることができる。従って、全
てのスロットから放出される電磁波の位相を揃えてレー
ザ管の長手方向にわたり全体的に均一な電磁波の放射を
実現し、エネルギー損失を極力抑えた均一なレーザ発光
が可能となる。
比較的小さくとると、放出される電磁波の強度は増加す
るものの、各スロットに着目すれば電磁波の強度が中央
部位に集中するきらいがある。他方、前記スロット間隔
を比較的大きくとると、全体として均一な電磁波放出が
得られる。従って、満足な強度と均一性という2つの要
請を考慮して、前記スロット間隔の最適値を決定すれば
よい。
の具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に
説明する。
について説明する。この実施形態では、いわゆるエキシ
マレーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示す
る。図1〜図3は、それぞれ本実施形態のエキシマレー
ザ発振装置の主要構成を示す模式図である。
3に示すように、エキシマレーザガスが供給され、当該
レーザガスを放電により励起させ共振させることにより
レーザ光を発するレーザチャンバ1と、レーザチャンバ
1にレーザガスを供給するためのガス供給手段2と、加
熱させたレーザガスを冷却するための冷却器3とを備え
て構成されている。本例では、後述するようにレーザガ
スの流動方向が交互に変化することを考慮して、レーザ
チャンバ1をガスの流入口と流出口とで対称形状に構成
する。
28に冷却水を供給することで行い、ガス供給手段2に
も放熱フィン29を設けて行なう。レーザガスの温度上
昇が比較的少ない場合には、冷却器3を別途設ける必要
はない。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガスとF2 ガスとの混合気体であ
る。これらのうち、使用したい波長により適宜ガス種を
選択し組み合わせればよい。例えば、248nmの波長
のレーザ光を発生させたい場合には、Kr/Ne/F 2
とし、193nmの波長の場合にはAr/Ne/F2 、
157の波長の場合にはNe/F2 とすればよい。
うに、左右対称形状のいわゆるラバルノズル型のもので
ありレーザ管として機能するガス供給路構造11と、こ
のガス供給路構造11内のレーザガスを励起してプラズ
マ状態とするための導波管12とを備えて構成されてい
る。
1aからレーザガスを流入出させる流路を形成し、中央
部で最も幅狭となる形状とされており、この中央部でレ
ーザガスを後述するように所定の亜音速となるように制
御するノズルである。ここで、レーザガスの流速が亜音
速となる前記中央部がレーザ光の発光部21となる。そ
して、図3に示すように、この発光部21の図中上下部
位に一対の反射構造体22,23が設けられ、これら反
射構造体22,23により発光部21から発する光の位
相が揃えられてレーザ光が発生する。なお本実施形態で
は、ガス供給路構造11内におけるレーザガスの流れは
左右双方向とされるため、ガス供給路構造11は左右対
称形状とされており、ガス流の方向に応じて流入出口1
1aの一方が流入口に、他方が流出口となる。
1におけるレーザガスの通路の高さ(上下幅)は、図1
〜図3の例では所定値に固定されているが、例えば図4
に示すような当該発光部21の高さを可変とする上下幅
調整手段21aを設けてもよい。この上下幅調整手段2
1aは、上下方向に可変とされた一対の部材であり、各
々の先端部を対向させることにより発光部21の高さを
所定値に規定するものである。この上下幅調整手段21
aの代わりに、着脱可能なスペーサを発光部21に設け
て高さ規制を行なうようにしてもよい。また、ノズル部
分を取り替えることで、異なるガス供給路構造を実現し
てもよい。
造11内のレーザガスへ供給するための手段であり、下
面部に細長いスロットが複数形成されている。導波管1
2の上部より数GHz〜数十GHzの周波数のマイクロ
波が導入されると、このマイクロ波が導波管12内を伝
播しながら、前記スロットから導波管12の外部へ放出
される。放出されたマイクロ波は、ガス供給路構造11
に設けられた窓部24から当該ガス供給路構造11内へ
導入される。そして、導入されたマイクロ波により供給
路構造11内のレーザガスが励起され、共振してエキシ
マレーザ光が発生する。また、後述の低コンダクタンス
部27には高周波予備電極30が設けられている。
能について説明する。便宜上、レーザガスを圧縮性気体
であり且つ完全気体とし、定常1次元の等エントロピー
流れであることを前提として解析する。
の流速を加速するための先細り形状と減速するための先
太り形状とを組み合わせたいわゆるラバルノズル型のも
のである。この構造においては、発光部21におけるガ
スの流速が音速より大きい速度に達すると、流出口では
ほぼ必ず衝撃波が発生する。本実施形態では、発光部2
1のガス流速が亜音速となるように、ガス供給路構造1
1におけるガスの流入口と流出口における圧力比を両者
の断面積比で与えられる臨界圧力比以下とする。
と(流出口圧力/流出口圧力)との関係を示す特性図で
ある。ここで、エキシマレーザガスはその成分が殆ど単
原子ガスであるため、比熱比γを5/3とする。この図
5によれば、例えば流出口における高さ(流出口の上下
幅)を発光部21の高さ(最狭となる部位の上下幅)の
2倍(即ち、両者の空間断面積比が2)とすると、流出
口圧力を流出口圧力の約0.93倍以上とすればガス流
速は音速を超えることはなく衝撃波は生じない。ちなみ
に臨界状態での発光部21のガス流速は音速である。
F* エキシマレーザガスの場合、例えばNe:Kr:F
2 =94.9:5:0.1であると仮定すると、平均分
子量M(Ne:20.18/Kr:83.8/F2 :3
8)が23.4の理想気体と見做せば、音速aは、
速は、以下の表1のようになる。
(K)であり、比熱比γは単分子のものと同じと仮定し
ている。従って、この関係により、より高速のガス置換
を行なう場合、流入ガス温度を積極的に下げることは望
ましくないことが分かる。逆に言えば、亜音速以下の高
速置換のためには、むしろレーザガスを加熱しておいた
方が望ましい場合もあり得る。また同様の理由から、レ
ーザガスの冷却を行なうのであれば、ガスの流出口側で
行なうべきことが示唆される。
光部、流出口)における速度、マッハ数、ガス圧力、ガ
ス密度、ガス温度、及び音速との各条件の関係を図6に
示す。
における速度(亜音速又は音速)に対する発光部21の
前記各条件の変化を示し、Bブロックが発光部21にお
ける速度(亜音速又は音速)に対する流出口の前記各条
件の変化を示している。従って、流入口の速度が亜音速
ならば、発光部21へ向かうにつれてガス流速が増加し
て発光部21で最大速度となる。そして、この最大速度
が亜音速以下ならば、流出口へ向かうにつれてガス流速
が減少することになる。このように、ラバルノズル型の
ガス供給路構造11をレーザチャンバとして用い、各部
位における温度や圧力を調節することにより、衝撃波の
発生を抑止しつつ、発光部21の流速を流入口及び流出
口でのガス流速に比して大きな亜音速に制御することが
可能となる。
て、急拡大や急縮小等の変曲点が存在すると、発光部2
1以外の部位において音速域が形成されるおそれがある
ため、急拡大部を避けて比較的緩やかに拡大(又は縮
小)する形状とすることが望ましい。
速とするための具体的な条件設定等について説明する。
発光部21におけるガス流量は、以下に示すように、流
入口の圧力に依存する。ここで、fは発光部21のガス
流量、Pthroutはその圧力である。この場合、(流入口
圧力/発光部圧力)と(発光部の流速)との関係は図7
に示すようになる。
tm)、発光部圧力を1(atm)に設定することによ
り、発光部21の流速を300(m/s)とすることが
できる。また、図5を用いた上記の考察により、流入口
と発光部21との空間断面積比を2とすると、流出口圧
力は1.56(atm)であればよい。相対的に流出口
では圧力は低く温度は高いため、流入口側の圧力調整の
変位量より流出口側の変位量の方が大きいことが予想さ
れることから、レーザガスの充填圧を流出口圧力とし、
流入口圧力を昇圧、次いで流出口圧力を一定に保持する
ことが好適である。
め、数1において、Athrout→A*,Pout →P,A
out →A(A* :仮想臨界点の断面積、P,A:任意位
置の圧力及び断面積)と置き換えを行なって算出してい
る。
を任意部位におけるガス温度、Pを任意部位におけるガ
ス圧力とすると、以下の式が成り立つ。またこの場合、
(任意部位圧力/発光部圧力)と(任意部位温度/発光
部温度)との関係は図8に示すようになる。
℃とし、断熱状態を仮定すると、発光部温度は−30.
3℃、流出口のガス温度は16.9℃となる。なお、レ
ーザガスの流動により生じる摩擦や、発光部21が加熱
されるなどして上記各条件に不測の変動が生じる場合が
ある。従って、当該摩擦が少なくなる形状、具体的には
ガス供給路構造11の表面を例えば平坦性の高い表面と
したり、機械研磨や電界複合研磨等により物理的な表面
粗さを小さくして当該表面を変曲点のない構造(滑らか
な表面構造)とすることが望ましい。このとき、ガス供
給路構造11の流路内(主に発光部21)に発生する温
度上昇に対応して、臨界圧力比又は前記流入口の圧力を
補正するため、例えば発光部21の温度をモニタ(間接
的に発光部21におけるガス流速をモニタ)し、流入口
圧力や流出口圧力を微調整する補正手段を設けることが
好適である。具体的な当該補正手段の機能としては、例
えば発光部21におけるガス流速が低い場合には流出口
圧力を上昇させる等が考えられる。
総括的に示す。このように、例えば発光部圧力を1(a
tm)に、発光部ガス流速を300(m/s)に設定し
たい場合には、流入口圧力を1.67(atm)とすれ
ばよく、更に(発光部断面積/流入口断面積)を1/2
に設計した場合には、発光部21における前記摩擦を無
視できる程度に低減させれば、流出口圧力を1.56
(atm)とすればよい。このような具体的条件を採る
ことにより、衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部21の
流速を流入口及び流出口のガス流速に比して大きな亜音
速、ここでは上記の300(m/s)に制御することが
できる。
の流入口及び流出口にそれぞれ接続され、冷却器3と一
体となって循環系を形成しており、上述したようにエキ
シマレーザガスの流速や圧力を流入口や流出口でそれぞ
れ制御するものであり、ここではマトリクス状に結合し
た複数のベローズポンプ25で構成されている。
すように、伸縮自在とされた長寿命のベローズ部25a
と、このベローズ部25aの伸縮を調節する高速精密動
作を行なうサーボモータ25bとを備えて構成されてい
る。ここで、発光部21の断面積を例えば250mm×
2mm(=5×10-4m2 )とすると、必要とされる発
光部21のガス流量は0.11m3 /s(=6.61m
3 /min)である。ベローズポンプ25の動作時間を
0.2s(露光時間を0.1sと仮定)とすると、ベロ
ーズポンプ25が一回当たり押し出すガス体積は、流入
口、流出口でそれぞれ2.21×10-2m3 、2.30
×10-2m3 である。内径50mmの長寿命のベローズ
ポンプ25の標準ブロック伸縮体積(最長時体積から最
短時体積を除いた体積)は、0.115×10-3m3 で
あることから、200ブロック程度のベローズポンプ2
5が必要となる。ここでは、初期動作や導入路等の体積
分も考慮して、片翼210ブロックのベローズポンプ2
5を用意する。このベローズポンプ25は、垂直方向に
5ブロックまでの直列接続が可能なものであるため、図
1及び図3に示すように、対称動作する5ブロックのベ
ローズポンプ25のセルが上下に21個マトリクス状に
配列され、各ガス供給手段2が構成される。
形状に合わせた放熱構造に形成されている。この構造と
しては、接ガス面積を減らす意味では円柱状とし、ベロ
ーズ部25aの外表面には放熱面積を高めるためのフィ
ン構造29を設けることが望ましく、レーザガスの温度
上昇が無視できない場合にはベローズ部25aの内表面
についてもフィン構造とすることで対応可能である。
列配置されるため、座屈を防止することを考慮してベロ
ーズポンプ25の外部の大気圧をベローズポンプ25内
の圧力より高く設定することが好ましい。
るには、当該ベローズポンプ25から発光部21に至る
供給系の体積を最小限に抑えることが必要である。そこ
で、図3に示すように、各ベローズポンプ25と発光部
21との間を結合する例えばφ4mm程度の中空流路2
6を設ける。更に、発光部21の直近に均一なガス流を
形成するための低コンダクタンス部及び高周波予備電離
部を設ける。これら低コンダクタンス部及び高周波予備
電離部は空間的に兼用とすることが可能であり、図示の
例では両者を一体として低コンダクタンス部27として
示す。ここでは、低コンダクタンス部27を例えば長さ
50mm〜100mm、高さ4mmとし、発光部21を
長さ4mm程度、高さ2mmとする。
れ、レーザガスを冷却する機能を有する。この冷却器3
と各ガス供給手段2、ガス供給路構造11とでガス循環
系を構成しており、ガス供給手段2のベローズポンプ2
5の駆動によりレーザガスの流動方向が交互に変化す
る。ここで、冷却器3によるレーザガスの冷却方法とし
ては、ガス供給路構造11を通過することにより加熱さ
れたレーザガスを冷却するという方式が好ましい。レー
ザガスをガス供給路構造11へ供給する前に予備的に冷
却するとガスの音速が低下して所期の亜音速の上限が低
下し、またレーザガスの加速中に冷却するとガス流速が
低下するためである。
路構造11及びガス供給手段2と個別に設置している
が、前述したように、場合によっては図1の送通部28
の中空流路26にて冷却を行なうことも可能である。更
に、ベローズ部25aの放熱フィン29やベローズ部2
5a自体が冷却器としての機能を有していることは言う
までもない。
上昇させるには有効であるが、特に発光部21の加熱
(マイクロ波に起因する加熱も含む)は、ガス流速の高
速化には寄与するものの、チョーク現象(加熱による見
かけ上の断面積の減少)が発生し、設計したガス流量を
満たすことが困難となるため、避けたほうがよい。この
加熱に起因する問題が顕著である場合には、実質的な断
面積比が変化することから、ベローズポンプ25の動作
圧力を変更しなければならない。
る入射エネルギーが1kW程度と仮定すると、発光部2
1におけるガス温度の上昇は10℃程度であると見積も
れる。その場合には、マイクロ波励起の発熱よりむしろ
シール部に使用される誘電体の誘電損による発熱等が問
題となる可能性がある。しかしながら、誘電体に入射す
るマイクロ波のパワーを見積もることは困難であり、現
状では正確な解析は不可能である。場合によっては、誘
電損の問題より熱伝導性や熱応力耐性等を優先する必要
性がある。
ーザ発振装置によれば、レーザチャンバ1にラバルノズ
ル型のガス供給路構造11を用い、流出入口におけるガ
ス圧力やガス流速を調節することにより、音速に近づく
ほどに懸念される衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部2
1におけるエキシマレーザガスの流速を所期の亜音速に
制御することが可能となる。従って、枯渇しがちなエキ
シマレーザガスを衝撃波の発生を懸念することなく迅速
に補給することができ、長時間の安定な発光を維持する
エキシマレーザ発振装置が実現される。
り、レーザガスへの不純物となる脱ガスを抑制するため
の表面処理や、F2 ガスの消費を抑制する完全な抑制下
で形成されるフッ素不動態処理を全ての面に施すことが
可能であり、レーザガスの長寿命化に対しても極めて有
効である。
ーザ発振装置のいくつかの変形例について説明する。な
お、第1の実施形態で説明した各部材等については同符
号を記して説明を省略する。
形態のそれとほぼ同様の構成を有するが、ガス供給路構
造に相当する部位の形状が異なる点で相違する。図10
は、変形例1のエキシマレーザ発振装置のガス供給路構
造のみを示す側断面図である。
路構造11が直列に接続されてなるものであり(個々の
ガス供給路構造11の大きさは第1の実施形態のガス供
給路構造11と異なる場合がある。)、前段のガス供給
路構造11が超音速加速部31a、後段のガス供給路構
造11が超音速減速部31bとされ、中央部位が発光部
32となる。このガス供給路構造群31においては、エ
キシマレーザガスの流出入口におけるガス流速やガス圧
力等を調整、例えば図5のPout を図10(a)のP
mid に置き換えて、臨界圧力比以上の圧力差をつけるこ
とにより、発光部32でガス流速を超音速に制御するこ
とができる。
面積がそれぞれAacc 及びAdef )において、始動時に
は、Aacc <Adef を満たす必要があることから、ガス
供給路構造群31のガス流動方向を双方向とする場合に
は必ずAacc 及びAdef を可変としなければならない。
そこで、このガス供給路構造11の一対の所定部位にお
けるレーザガスの通路の高さ(上下幅)を可変とするた
め、例えば図10(b)に示すような上下幅調整手段3
3を当該一対の所定部位にそれぞれ設ける。これら上下
幅調整手段33は、例えば断面三角形状の一対の部材か
らなり、支点Pを軸として回動させることにより上下幅
を変更させる。
振装置によれば、レーザチャンバ1に一対のラバルノズ
ル型のガス供給路構造群31を用い、流出入口における
ガス圧力やガス流速を調節することにより、音速を超え
ると殆どの条件で発生する衝撃波の発生を抑止しつつ、
発光部32におけるエキシマレーザガスの流速を所期の
超音速に制御することが可能となる。従って、枯渇しが
ちなエキシマレーザガスを衝撃波の発生を懸念すること
なく迅速に補給することができ、長時間の安定な発光を
維持するエキシマレーザ発振装置が実現される。
形態のそれとほぼ同様の構成を有するが、ガス供給路構
造に相当する部位の形状が異なる点で相違する。図11
は、変形例2のエキシマレーザ発振装置のガス供給路構
造のみを示す断面図である。
用いられている同一高さのガス供給路構造41を用い
る。そして、ガス供給路構造41のガスの流入口には加
熱・冷却手段42が、流出口には加熱・冷却手段43が
設けられている。ガス供給路構造41内のガス流による
摩擦の発生を無視すると、ガスの流入口を加熱すると共
に流出口を冷却することにより、ガス供給路構造41の
各部位(流入口、発光部、流出口)における速度、マッ
ハ数、ガス圧力、ガス密度、ガス温度、及び音速との各
条件の関係は図12のようになる。
説明した図6と同様に、Aブロックが流入口における速
度(亜音速又は音速)に対する発光部(ここでは、中央
部位近傍に存するものとする。)の前記各条件の変化を
示し、Bブロックが発光部における速度(亜音速又は音
速)に対する流出口の前記各条件の変化を示している。
従って、例えば流入口の速度が亜音速であり、加熱・冷
却手段42にて加熱した場合、発光部へ向かうにつれて
ガス流速が増加して発光部で最大速度となる。そして、
この最大速度が亜音速であって冷却した場合、流出口へ
向かうにつれてガス流速が減少することになる。このよ
うなガス供給路構造41をレーザチャンバ1に用い、各
部位における温度や圧力を調節することにより、衝撃波
の発生を抑止しつつ、発光部の流速を流入口及び流出口
に比して大きな亜音速に制御することが可能となる。
発振装置では、ガス供給路構造41の制御に大量の熱エ
ネルギーが必要であり、例えば変形例1のガス供給路構
造群31と組み合わせて用いる方がより現実的である。
振装置によれば、レーザチャンバ1に同一高さのガス供
給路構造41を用い、流出入口におけるガス圧力やガス
流速を調節することにより、音速に近づくほどに懸念さ
れる衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部におけるエキシ
マレーザガスの流速を所期の亜音速に制御することが可
能となる。従って、枯渇しがちなエキシマレーザガスを
衝撃波の発生を懸念することなく迅速に補給することが
でき、長時間の安定な発光を維持するエキシマレーザ発
振装置が実現される。
形態のそれとほぼ同様の構成を有するが、ガス供給手段
2に相当する部位の形状が異なる点で相違する。図13
は、変形例3のエキシマレーザ発振装置の概略構成を示
す側断面図である。
ーザチャンバ1にラバルノズル型のガス供給路構造11
を有しているが、各ガス供給手段51がシロッコファン
から構成されている。従って、エキシマレーザガスの流
動方向は一方向に規制されるため、必ずしもガス供給路
構造11のような左右対称形状とする必要はなく、流出
入口におけるガス流速やガス圧力等の制御を考慮して、
例えば図14のように、流入口の加速ノズル形状及び流
出口の減速ノズル形状の各々に最適化された形状のガス
供給路構造52を用いた方がよい。
振装置によれば、レーザチャンバ1にラバルノズル型の
ガス供給路構造11を用い、流出入口におけるガス圧力
やガス流速を調節することにより、音速に近づくほどに
懸念される衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部における
エキシマレーザガスの流速を所期の亜音速に制御するこ
とが可能となる。従って、枯渇しがちなエキシマレーザ
ガスを衝撃波の発生を懸念することなく迅速に補給する
ことができ、長時間の安定な発光を維持するエキシマレ
ーザ発振装置が実現される。
称形状とする要請がないため、その形状に対する規制が
緩和され、様々な条件に応じた形状のガス供給路構造を
用いることができる。
ガス供給路構造を所期の条件で用いたエキシマレーザ発
振装置について例示したが、本発明はこれに限定される
ものではない。当該ガス供給路構造は衝撃波の発生を懸
念することなく音速に近い亜音速のガス流を容易且つ安
全に形成できるという顕著な効果を奏し、この効果に対
する要請が最も強いものの一つとして本例ではエキシマ
レーザ発振装置を例示したのであって、他の各種装置や
システムに適用可能であることは言うまでもない。例え
ば、本実施形態で言及したように、ガス供給路構造11
を用いれば、流出入口におけるガス温度を常温程度とし
て所定の圧力等の条件に従えば、発光部では急激に低い
ガス温度を実現することができることを利用して、各種
の冷却装置にも適用可能である。
にクリーンルームなど低振動が要求される施設において
用いられるあらゆる高速ガス冷却や置換を行なう機器に
適用して好適である。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図15は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管3002と、レーザ
管3002内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ
状態とするための導波管3001と、導波管3001を
冷却するために、冷却水導入出口3009を有する冷却
容器3007とを備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
の管内への導入部となるレーザガス導入出口3008
と、各端部にそれぞれ反射構造体3005,3006が
設けられ、これら反射構造体3005,3006により
プラズマ放電による光の位相が揃えられてレーザ光が発
生する。
路構造3011内のレーザガスへ供給するための手段で
あり、図15中上面部に細長い複数のスロット3010
が形成されている。導波管3001の上部より数百MH
z〜数十GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、
このマイクロ波が導波管3001内を伝播しながら、ス
ロット3010から導波管3001の外部へ放出され
る。放出されたマイクロ波は、レーザ管3002に設け
られた窓部3015から当該レーザ管302内へ導入さ
れる。そして、導入されたマイクロ波によりレーザ管3
01内のエキシマレーザガスが励起され、共振してエキ
シマレーザ光が発生することになる。
壁とレーザ管壁との間のスロット3010上の領域を除
く部位に両者を所定距離離間させる導電体板、ここでは
金属壁3012(図16参照)が設けられている。
図17に示す。ここで、図16(a)は導波管1の模式
的な斜視図、図16(b)はその平面図であり、図17
(a)は図16(b)中の線分II−II’に沿った断
面図、図17(b)は図16(b)中の線分I−I’に
沿った断面図である。
010はその長手方向が導波管301の長手方向と一致
するように一列に配されており、これらスロット301
0の周囲を囲むように金属壁3012が設けられてい
る。図17(a),(b)に示すように、この金属壁3
012により、スロット3010からレーザ管壁の窓部
3015までの間にレーザ管302の長手方向に導波管
301の全域にわたる空隙が形成され、この空隙がマイ
クロ波の通路3011となる。
301のいわゆるE面に形成した場合を例示しており、
スロット3010をH面に形成する場合には、スロット
3010の形成部位に応じた通路が形成されるように金
属壁を設ける必要がある。
の窓部3015までの離間距離は、導波管1から導入さ
れるマイクロ波の管内における半波長の整数倍、即ちマ
イクロ波の管内波長をλg 、nを整数として、 d=n×λg /2 ・・・(1) で表される距離dとする。これにより、通路3011は
共振器として機能し、各スロット3010から放出され
たマイクロ波はレーザ管301内からの反射波と干渉し
弱め合うことがなくなる。
大きい値であると、後述するように通路3011をマイ
クロ波が伝播する際に、当該マイクロ波の金属壁301
2への吸収による損失が大きくなるため好ましくない。
従って、後述の如く整数nを3程度に規定することが最
も好適である。
から、導波管301から導入されるマイクロ波の管内に
おける半波長の整数倍、即ち、 w=n×λg /2 ・・・(2) で表される幅wとする。
能について説明する。マイクロ波が導波管301内を伝
播することにより、導波管壁には電流が流れる。マイク
ロ波は、導波管301の長手方向距離で規定された伝播
空間内で定在波として存在し、この定在波に起因して導
波管壁の前記電流も定在波の形態を採る。但し、マイク
ロ波の定在波の形態は立体的で複雑であり、一般的な分
布定数線路の電流の定在波を指標として考察するのが便
宜に利する。
8に示す。このように本例では、スロット3010はそ
の形成部位が前記電流の定在波(即ち、マイクロ波の定
在波に相当する。)の腹部位に相当するように配されて
いる。従って、図19に示すように、マイクロ波の波面
はスロット3010から放出された直後では、各スロッ
ト3010のアレイ形状に起因して各スロット3010
に対応した非連続の曲面形状となる。そして、マイクロ
波は各スロット3010から金属壁3012に規制され
た通路3011を伝播することで徐々に平面波に近づ
き、通路3011を通過して外部(即ち、レーザ管30
2内)に放出されるときには、その波面は各スロット3
010に沿った全体にわたってほぼ平面様形状となる。
ザガスにはほぼ均一の平面波とされたマイクロ波が到達
することになり、レーザ管302の長手方向にわたって
均一なプラズマ放電が実現され、レーザ発光の均一化に
寄与する。
する。なお、実施形態に対応する構成部材等については
同符号を記して説明を省略する。
(a),(b)(各図とも図17と同様の断面図)に示
すように、通路3011の先端部位13のみが幅狭とな
るように金属壁3012を形成する。この場合、通路3
011の先端部位3013は、レーザ管301との接触
部位(即ち窓部3015)で当該レーザ管301の長手
方向にわたるスリット形状とされている。
ことにより、マイクロ波のレーザ管1内への放出時に意
図しないエネルギーの散逸を更に抑止することができ
る。
(a)、図20(a)の構造に対して、それぞれ図2
1、図22に示すように、通路3011内を充填するよ
うに誘電体3014を設ける。誘電体3014の材料と
しては石英、フッ化カルシウム、窒化アルミニウム、ア
ルミナ、ジルコニアなどが好適である。
ることにより、プラズマの通路3011内部での生成を
防ぐことができる。なお、この際使用する誘電体301
4は、より効率よくマイクロ波を伝播させるために誘電
率が高く、誘電損が小さい方が望ましい。
熱を高速に外部に放出するため、誘電体3014は熱伝
導性が高いことが要求される。更には、エキシマレーザ
のように反応性の高いF2 等が含まれる雰囲気にさらさ
れることを考慮すると、そのような腐食系のガスに対す
る十分な耐性を持ち合わせていることも重要である。仮
にマイクロ波の放出端、即ちプラズマに接している面
は、高い温度100〜1000℃(入射エネルギーに依
存)に加えプラスマからの数〜数百eV(プラズマポテ
ンシャルに依存)のイオン照射によるスパッタリングな
ど極めて厳しい環境にある。したがって、場合によって
は熱伝導性が高く、比較的F2 耐性が高いAlNやアル
ミナを誘電体3014の材料として用い、その表面(プ
ラズマとの界面)に、CaF2 ,LiF2 ,MgF2 の
ようなフッ化物を数μm〜数百μmコーティングするこ
とで、熱伝導の同題と、腐食ガスへの耐性・スパッタリ
ング耐性などを両立できる。
つに分かれる。即ち充填された誘電体での誘電損と、描
道管壁での損失である。誘電損による減衰常数αは、 α=ωμσ/2β ・・・(3) で表される(ω:角周波数/μ:透磁率/σ:電気伝導
度/β:位相定数)。また、管壁における損失において
は、TE10モードに着目すると、
/δ:スキンデプス)この両者の内より支配的な損失
が、例えばプラズマに供給されるエネルギより小さけれ
ばよい。すなわち、プラズマでのマイクロ波の吸収率を
rとすると、プラズマがカットオフ状態の場合はr≪1
であり、スロット面とプラズマ界面との間を往復(多重
反射)することを考慮すると、 exp(−2α・nλg /2)<r ・・・(4) を満たすnを用いて、均一化線路の最大長を定義するこ
とができる。
吸収率rに対してより低い損失に設定することが重要で
ありrに対し、1/10〜1/100程度少なくなるよ
うな設計が好ましい(このような設定をすることで、よ
り損失の少ない系を設計できる。)。
充填した場合の具体的な実験例を以下にしめす。a=4
2mm,b=21mm、導波管共振器長(長手方向、即
ちレーザ発振方向)220.8mmのE面放出アンテナ
を用い、スロットの前面に金属壁3012を配した2.
45GHzのAl合金筐体のマイクロ波照射アンテナを
製作した。導波管共振器、即ち通路3011内には、誘
電率9.8のアルミナが充填されている。このとき、導
波管共振器内の管内波長は、44.2mmである。した
がって、スロットピッチも44.2mmに設定してあ
る。
3011内に放出される。この通路3011は近似的に
は平行平板型の導波路であり、この近似のもとでは波長
は自由空間での波長と等しく(但し、誘電体内部)3
9.1mmである。実際は、通路3011のレーザ発振
方向の長さ235.3mmをaとする方形導波管である
が、このときの管内波長は39.2mmであり、自由空
間の波長に比べ3.5×10-3程度しか変わらないた
め、本構造では自由空間長の波長近似を用いることも可
能である。このときの半波長は19.6mmであり、通
路3011のスロット3010面から放出面までの距離
は、n:1,2,3…に対して19.6mm,39.2
mm,58.8mm…で与えられる。
誘電損によるαは、アルミナの抵抗卓が1011Ω・cm
のとき、5.22×10-7dB/mであり、管壁吸収に
よる損失は、アルミナの抵抗率を2.65×10-6Ω・
cmとして、0.234dB/mである。この場合、支
配的な損失は管壁の吸収であるため、これに着目する。
19.6mm進行する度に導波管を伝搬するエネルギー
に対して0.0053%の損失が発生する。従って、例
えば通路3011を1往復する際の損失を投入エネルギ
ーの0.02%程度に押さえるために、nを4(損失:
0.21%)より小さく最も均一化の効果が得られる3
に設定した。実際は、多重反射が起こるため、このよう
に低い損失レベルに抑え込む必要がある。
(a),図23(b)(図17(a),図17(b)と
同様の断面図)に示すように、通路3011の先端部位
3013の近傍のみが幅広、具体的には、その半値幅α
が、 α=λg /4 又は、 α=λg /2 となる幅広部3016を通路3011が有するように金
属壁3012を形成する。
に倣ってレーザ管302の長手方向に導波管301の全
域にわたるように形成されており、幅広部3016が上
記の如き幅に形成されていることから、この幅広部30
16でマイクロ波の共振のエネルギーを効率良く集中さ
せることが可能となる。
し、本構造を付加した導波路を製作した。このとき、α
がλg /4及びλg /2に対しそれぞれ19.6mm及
び39mmであり、3016の高さを5mmとして設計
した。また、通路3011の厚みは4mmとしている。
このとき、16に存在するエネルギーは、通路3011
及び3016に存在するエネルギーのそれぞれ31.3
%/47.7%であり、このことから窓部3015に近
い部位(即ち3016)にエネルギーが集中されている
ことが分かる。この比較では、αがλg /2である場合
の方がよりエネルギーが集中しているように思えるが、
3016の中心からλg /4の距離内(即ちスロット3
010近傍)に存在するマイクロ波のエネルギーに着目
すると、通路3011及び3016に存在するエネルギ
ーのそれぞれ31.3%/23.8%であり、αがλg
/4である場合の方がよりスロット3010近傍にエネ
ルギーを集中させる効果が高いと言える。
す。この場合、幅広部3016の幅が、スロット301
0から放出されるマイクロ波の強度分布を反映してレー
ザ管2の長手方向に沿って異なる値とされている。即ち
ここでは、金属壁3012を設けて通路3011を形成
するに加えて、更なるマイクロ波の波面の均一化を図る
ため、通路3011のマイクロ波放出部位での均一化を
より是正するように当該放出部位での不均一性に合わせ
て、幅広部3016の幅(又は半値幅α)を変化させた
構造とする。
レーザガスには更に均一な平面波とされたマイクロ波が
到達することになり、レーザ管302の長手方向にわた
って均一なプラズマ放電が実現され、レーザ発光の更な
る均一化に寄与する。
せることにより、伝播路の特性を変化できるというマイ
クロ波固有の性質によるものである。長さL特性インピ
ーダンスZ0 である終端短絡導波路のインピーダンスZ
は、 Z=jZ0 tan((2π/λg )L) となる。これは即ち如何なる値を持つ誘導性奏子(ディ
スクリートな素子でいうインダクタンス、コイル)及び
容量性素子(ディスクリートな素子でいうキャパシタン
ス、キャパシタ)をLを変化させるだけで形成すること
ができることを示している。スロットライン方向に半値
幅αを変化させるということは、電磁波にとってのスロ
ットのインピーダンスを付随的に変化させることになり
(等価回路的にみると、スロットに対して連続的にさま
ざまな値を持つコイルやキャパシタが並列に接続されて
いる)、結果的にスロットから放出される電磁波の分布
を制御することができる。
示すように、通路3011内の各スロット3010の上
部に、当該スロット3010に対して対称形状な曲面を
有する誘電体レンズ3017が設けられている。この曲
面形状としては、スロット3010の形状・サイズ及び
放出するマイクロ波に応じて、球面、非球面(楕円状、
双曲線状等)、矩形の組み合わせとすればよく、図示の
例では球面の場合を示す。この誘電体レンズ3017と
して適用可能なものとしては、ゾーンニングレンズをは
じめマイクロ波に対するレンズ効果を奏する全ての構造
を含む。
面形状の均一化を行なう際に、スロット3010を通過
するマイクロ波の行路差による位相ずれを解消するよう
な誘電率及び前記曲面形状をもつものである。通常マイ
クロ波は誘電体中を伝搬する際にはその速度が真空(又
は空気中)に比して遅くなるため、誘電体レンズ301
7を上記の如き構成に設計することで、行路差に比例し
て波面を調整することができ、均一化が可能となる。
射を考慮し、多重反射を見込んで誘電率及び前記曲面形
状の最適化を図ることが好適である。または、反射を最
小とするために誘電体レンズ3017のレンズ厚をλg
/2の整数倍(レンズ前後の誘電体の誘電率が両者共に
高い/低いとき)、あるいはλg /4の奇数倍(その他
のとき)とすることが望ましい。
5と同様の平面図)に示す。これは、誘電体レンズ30
18を各スロット3010の直上ではなく、通路301
1内で所定距離離間させて配し、その曲面形状を非球面
とした一例である。
011内に誘電体が充填された場合には、誘電体レンズ
3017,3018を用いる代わりに、誘電体レンズ3
017,3018の形状の空隙を通路3011内に誘電
体に形成することで、同様の効果を奏することができる
ことは言うまでもない。
(a),図27(b)(図17(a),図17(b)と
同様)に示すように、導波管1内に誘電体3019を充
填する。ここで、λc を遮断周波数とすると、放出され
るマイクロ波の波長λと管内波長λg との関係は、
ット3010の間隔がλg 又はλg /2であるため、導
波管301に高誘電率の誘電体を充填すると、誘電体3
019が強磁性体でなければ、誘電率の平方根に逆比例
して波長λが小さくなり、管内波長λg のピッチが狭く
なり、より均一なマイクロ波の放出が可能となる。
の表2に示すものが考えられる。但し、一般に誘電率が
高くなると誘電損が大きくなるため、これを考慮して選
択する必要がある。
ることで、導波管1内の管内波長は表2の比で記載され
た波長比で小さくなり、マイクロ波の波面の十分な均一
化を図ることが可能となる。
周波数、例えば2.45GHzの導波管301でのピッ
チに対して2倍としたい場合には、4.9GHz程度の
周波数のマイクロ波を採用する。これにより、当該周波
数に反比例して波長λが変化し、スロット3010のピ
ッチを狭めることが可能となる。
01のH面幅を可能な限り大きくする。励起周波数帯の
マイクロ波が遮断されないような範囲で導波管301の
遮断周波数λc を大きくするほど、管内波長λg は波長
λに近づき、小さくなる。従って、例えば導波管1内を
TE10モードのみ伝搬しているような場合、H面幅を
可能な限り大きくすることで、スロット3010のピッ
チを狭めることが可能となる。TE10モードのみ伝搬
する条件は、H面幅をaとすると、 a<λ(<2a) であることから、H面幅aは、 (λ/2<)a<λ で与えられる。ここで、( )内はTE10モードを通
らない、即ち全てのモードのマイクロ波が伝搬し得ない
条件を除くための条件である。従って、H面幅aを波長
λ程度に設定することで、TE20モードを励起するこ
となく管内波長λg が最小値2/31/2 λ(≒1.15
λ)に設定できる。なお、多モード励起を許容すると、
管内波長λg は最小値λに漸近するが、その際にはa→
∞となるため現実的でない。
諸変形例のエキシマレーザ発振装置によれば、スロット
アレイ構造を採用するも、レーザ管の長手方向にわたり
全体的に均一な電磁波の放射を実現し、エネルギー損失
を極力抑えた均一なレーザ発光が可能となる。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図28は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管402と、レーザ管
402内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態
とするための導波管401と、導波管401を冷却する
ために、冷却水導入出口409を有する冷却容器407
とを備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口408と、各
端部にそれぞれ反射構造体405,406が設けられ、
これら反射構造体405,406によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
構造4011内のレーザガスへ供給するための手段であ
り、図28中上面部に細長い複数のスロット4010が
形成されている。導波管401の上部より数百MHz〜
数十GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、この
マイクロ波が導波管1内を伝播しながら、スロット40
10からレーザ管2内へ導入される。そして、導入され
たマイクロ波によりレーザ管402内のエキシマレーザ
ガスが励起され、共振してエキシマレーザ光が発生する
ことになる。
いて、各スロット4010がλg (λg :管内波長)の
ピッチでその長手方向に一列に形成されており、各スロ
ット4010が、当該スロット4010に依存したマイ
クロ波の放出特性が導波管401内で伝搬されるマイク
ロ波の強度分布と相反するような部位に形成されてい
る。
9に示す。図29に示すように、比較例(a)では、ス
ロット4010の中央部位にマイクロ波の強度分布(図
示の例では、導波管1の壁面を流れる電流の密度分布を
マイクロ波の強度分布の指標として示す。)の最大値が
一致するように対応させた位置に各スロット4010が
形成されており、この場合には上述したように、スロッ
ト4010に依存したマイクロ波の放出特性による強度
分布と導波管401内で伝搬されるマイクロ波の強度分
布とがほぼ一致するため、マイクロ波の強度分布は図3
2(a)のようになる。
は、比較例(a)のスロット4010の中央部位にマイ
クロ波の強度分布の最大値が一致するように対応させた
位置から、各スロット4010を一律にλg /4だけず
らした部位に、当該スロット4010を形成する。
マイクロ波の強度分布の最小値が当該スロット4010
のほぼ中央部位に位置するように、各スロット4010
が存することになり、導波管401内で伝搬されるマイ
クロ波の強度分布がスロット4010に依存したマイク
ロ波の放出特性による強度分布の影響を受け、図30に
示すように、実際に各スロット4010から放出される
マイクロ波の強度分布の均一性が高まることになる。
401のいわゆるE面に形成した場合を例示しており、
スロット4010をH面に形成したいわゆるH面アンテ
ナを用いた場合でも同様の議論が成り立つことは言うま
でもない。
010をλg /2のピッチでその長手方向に一列に形成
した場合にも適用可能である。ここでも図29と同様
に、比較例(a)に対する実施例(b)を示す。この場
合も同様に、図30に示すように、実際に各スロット1
0から放出されるマイクロ波の強度分布の均一性が高ま
る。
サイズで、導波管共振器長220.8mm(レーザ発振
方向長)のE面放出アンテナを用い、2.45GHzの
アルミニウム合金筐体のマイクロ波照射アンテナを製作
した。導波管共振器長は、誘電率9.8のアルミナを充
填してある。このとき、導波管共振器内の管内波長は4
4.2mmである。従って、スロットピッチは、λg ピ
ッチ及びλg /2ピッチの場合、それぞれ44.2mm
及び22.1mmに設定してある。
応させた位置にスロットを形成した場合、図32(a)
に示すようなsin状の照射が得られる。
ットを形成した場合、図32(b)に示すような定在波
強度分布となる。
されるマイクロ波の強度分布は、図32(c)に示すよ
うになり、図32(a)の場合に比してより均一性の高
い照射が実現することがわかる。
況でのスロット単独の特性を見たものであり、実際には
プラズマが存在することから、シース部などにおける伝
播を考慮すれば、より均一な励起が起こることが期待で
きる。
マレーザ発振装置によれば、スロットアレイ構造を採用
するも、個々のスロットの長手方向にわたり全体的に均
一なプラズマの励起を実現し、エネルギー損失を極力抑
えた均一なレーザ発光が可能となる。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図33は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管402と、レーザ管
502を図中上下方向から狭持するように設けられ、レ
ーザ管502内のエキシマレーザガスを励起してプラズ
マ状態とするための一対の導波管501a,501b
と、各導波管501a,501bを冷却するために、冷
却水導入出口509を有する冷却容器507とを備えて
構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口508と、各
端部にそれぞれ反射構造体505,506が設けられ、
これら反射構造体505,506によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
波をガス供給路構造5011内のレーザガスへ供給する
ための手段であり、細長い複数の微小間隙(スロット)
5010が形成されている。導波管501の上部より数
百MHz〜数十GHzの周波数のマイクロ波が導入され
ると、このマイクロ波が導波管501a,501b内を
伝播しながら、スロット5010から導波管501a,
501bの外部へ放出される。放出されたマイクロ波
は、レーザ管2に設けられた窓部5015から当該レー
ザ管502内へ導入される。そして、導入されたマイク
ロ波によりレーザ管2内のエキシマレーザガスが励起さ
れ、共振してエキシマレーザ光が発生することになる。
に、スロット5010の形成面が各導波管501の短端
面、即ちE面であり、各スロット5010が長手方向に
等間隔で一列に形成されている場合について例示する。
501a,501bをレーザ管502を上下方向から狭
持するように設け、対向する前記各形成面間で各々対応
するスロット5010が相対的に所定距離だけシフト
(空間シフト;以下の表中等ではシフト)するように各
導波管501a,501bを配する。更には、各導波管
501a,501b内に供給されるマイクロ波の位相を
両者間で相対的にシフト(位相シフト;以下の表中等で
はシフタ)させる位相調節シフタを設ける。
位相シフト共になし)の場合、λg/4(λg :管内波
長)の距離シフトさせた場合、λg /4の距離シフトさ
せ且つλg /4の位相シフトさせた場合、λg /2の距
離シフトさせた場合、λg /2の距離シフトさせ且つλ
g /2の位相シフトさせた場合の各々について、各導波
管501a,501b内のマイクロ波の定在波を示す特
性図である。
ための計算式を以下の式に示す。この場合、位相調節シ
フタを通過してθだけ位相調節された入射波を、 exp(i(ωt−βz+θ−π/2)) と仮定すると、導波管端が距離dだけ移動したことによ
る行路差2dと導波管端での反射による位相反転を考慮
して反射波は、 exp(i(ωt+βz+θ+π/2−2βd)) となる。従って、減衰のない場合を仮定すると、生成さ
れる定在波は、 2exp(i(ωt+θ−βd))sin(βz−β
d) となる。但し、ω=2π/T,β=2π/λg である。
関係を得る。
0がE面に形成された導波管を用いた場合、隣接するス
ロットから放出されるマイクロ波は互いに逆位相とな
り、当該スロット間にマイクロ波が全く振動しない空間
ができる。また、λg ピッチでスロット5010がE面
に形成された導波管を用いた場合、隣接するスロットか
ら放出されるマイクロ波は同位相であり、互いに打ち消
し合うことはないが、スロット間隔がλg /2ピッチの
場合に比して2倍となるため、スロット長手方向の均一
性に劣る。
導波管を用いて、所定の空間シフト・位相シフトを行
い、上記した各導波管501a,501bのマイクロ波
放出の特性を相補うように、レーザ発振装置を構成す
る。
シフト、位相シフトなしで通常の対向配置した場合、各
導波管501a,501bを相対的に空間シフトさせた
場合、及び空間シフトと共に位相シフトを行なった場合
において、各導波管501a,501bのスロット50
10のピッチをλg /2,λg とした各々について説明
する。
2ピッチ)及び表4(λg ピッチ)に示す。表3,4に
おいて、各時間毎に上下にそれぞれ上部の導波管501
a内のマイクロ波のレーザ共振方向の分布と下部の導波
管501b内のマイクロ波の分布が示されている。+,
−は、マイクロ波の定在波の腹の部分での極性を示して
いる。各表中で斜線が付されている部位は、上下導波管
501a,501bに実際に形成されているスロット1
0を示し、この部位からマイクロ波が導波管外に放出さ
れる。なお、後述する表5〜表12についても斜線部分
について表3,4と同様である。
々が上記した性質を有し、しかも上下で同一の定在波と
なるため、マイクロ波の強度は増加するものの、表3に
おいて、z方向ではλg /2毎に極性が反転し、スロッ
ト間の中央部で必ず打ち消し合いが起こり、波面全体と
しての均一性はさほど良いとは言えない。
位相となるが、ピッチ間隔がλg /2であるため、打ち
消し合いは起こらないものの、均一性に問題がある。
合について説明する。図36は、これらシフトを行なう
際の導波管501a,501bの近傍を示す模式図であ
る。図36において、5012は導波管501a,50
1bの双方に共通に接続されたマイクロ波源、5013
は導波管501a,501bの各々に接続されたチュー
ナである。チューナ5013は、例えば3スタブチュー
ナやE−Hチューナ等のものであり、導波管501a,
501bからのマイクロ波源5012に対する反射を極
小とする機能をもつ。また、5014は各導波管501
a又は501b内に供給されるマイクロ波の位相を両者
間で相対的にシフトさせる位相調節シフタであり、導波
管501a,501bの一方、ここでは導波管501a
に接続されている。
シフトを行なった場合を表5に、λg /4の空間シフト
及びλg /4の位相シフトを行なった場合を表6に、更
にこれらの様子を図37(a)(図36における導波管
1a,1b部分の拡大図)に示す。また、λg /2の空
間シフトを行なった場合を表7に、λg /2の空間シフ
ト及びλg /2の位相シフトを行なった場合を表8にそ
れぞれ示す。
場合、上下のスリット10の位相関係がπ/2だけシフ
トするため、発光が2重周期となる。また、λg /2の
空間シフトを行なった場合、発光は1周期のみとなり2
重周期の問題は回避される。しかしながら、λg /2ピ
ッチの上記した性質、即ち各導波管501a,501b
における隣接するスロット5010で逆位相となるた
め、通常十分な強度を得ることは困難である。
間シフトを行なった場合を表9に、λg /4の空間シフ
ト及びλg /4の位相シフトを行なった場合を表10に
それぞれ示す。また、λg /2の空間シフトを行なった
場合を表11に、λg /2の空間シフト及びλg /2の
位相シフトを行なった場合を表12に示し、これらの様
子を図37(b)(図36における導波管501a,5
01b部分の拡大図)に示す。
場合、上記のごとく発光が2重周期となるものの、上下
の対応するスロット5010の一方が+又は−極性とな
るとき(発光するとき)には他方の極性が0(発光しな
い)であり、しかも各導波管501a,501bにおけ
る隣接するスロット5010で同位相となる。従って、
各導波管501a,501bの長手方向にわたって発光
の均一性に若干問題があることを勘案しても、相応の発
光均一性が期待できる。
の位相シフトを行なった場合、上記のごとく発光の2重
周期の問題は回避され、しかも各導波管501a,50
1bにおける隣接するスロット5010で同位相とな
る。従って、各導波管501a,501bの長手方向に
わたって発光の均一性に若干問題があることを勘案して
も、相応の発光均一性が期待できる。
合、各導波管501a,501bにおける隣接するスロ
ット5010で同位相となる。しかし、上下のスロット
5010が各導波管501a,501bの長手方向にわ
たって交互の極性を持つため、上下のスロット5010
間で打ち消し合いが起こる可能性がある。
2の位相シフトを行なった場合、上記のごとく発光の2
重周期の問題は回避され、しかも各導波管501a,5
01bにおける隣接するスロット5010で同位相とな
るのみならず、上下のスロット5010が各導波管50
1a,501bの長手方向にわたって同位相になってい
る。従って、上下のスロット5010から全て同位相で
均一にマイクロ波が放射されることになり、レーザ管5
02の長手方向にわたって均一なプラズマ放電が実現さ
れる。
シフト及びλg /2の位相シフトを行なった場合が最も
好適にプラズマ放電の均一化に寄与することがわかる。
なお、上述したように、その他の場合でも、例えば導波
管の形状やマイクロ波の性質等により、好適にプラズマ
放電の均一化を実現することができる。
ついて説明する。なお、実施形態に対応する構成部材等
については同符号を記して説明を省略する。
ロット5010の形成面が各導波管501a,501b
の長端面、即ちH面であり、各スロット5010がH面
の長手方向の中心線に沿って所定間隔(ここではλg /
2ピッチ)をおいて左右に等間隔dで配置形成されてい
る場合について例示する。
波管501a,501bを、対向する前記各形成面間で
各々対応するスロット5010が左右に位置するよう
に、レーザ管502を上下方向から狭持するように設け
る。この場合、基本的には、上記の実施形態のように空
間シフトや位相シフトは不要である。
電流を示す。マイクロ波は、導波管1の長手方向距離で
規定された伝播空間内で定在波として存在し、この定在
波に起因して導波管壁の前記電流も定在波の形態を採
る。但し、マイクロ波の定在波の形態は立体的で複雑で
あり、過渡的な進行波(若しくは反射波)の電場のみに
着目して考察するのが便宜に利する。
に着目すると、図38中矢印で示す導波管を流れる電流
の向きは、対応するスロット5010で同一方向(図
中、矢印100方向)となる。また、各導波管501
a,501bで隣接する上下、左右のスロット5010
間で電流方向は同一であり、スロット5010から放出
されるマイクロ波の位相が同位相となり、マイクロ波の
定在波が打ち消し合うこともない。
て簡易な構成で、上下のスロット5010から全て同位
相で均一にマイクロ波が放射されることになり、レーザ
管502の長手方向にわたって均一なプラズマ放電が実
現される。
変形例のエキシマレーザ発振装置によれば、スロットア
レイ構造を採用するも、レーザ管の長手方向にわたり全
体的に均一な電磁波の放射を実現し、エネルギー損失を
極力抑えた均一なレーザ発光が可能となる。
器端からマイクロ波電源までの立体回路がマイクロ波的
に対称であることを前提としており、仮に前記立体回路
が非対称である場合は、その非対称性を是正するための
位相シフト等が更に必要であることは言うまでもない。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図40は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。便宜上、スロット6010は
平面上に描かれているが、実際には紙面垂直方向に交互
に位置している。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管602と、レーザ管
602内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態
とするための導波管601と、導波管601を冷却する
ために、冷却水導入出口609を有する冷却容器607
とを備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口608と、各
端部にそれぞれ反射構造体605,606が設けられ、
これら反射構造体605,606によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
構造6011内のレーザガスへ供給するための手段であ
り、細長い複数の微小間隙(スロット)6010が形成
されている。導波管601の上部より数百MHz〜数十
GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、このマイ
クロ波が導波管601内を伝播しながら、スロット60
10から導波管601の外部へ放出される。放出された
マイクロ波は、レーザ管602に設けられた窓部601
5から当該レーザ管2内へ導入される。そして、導入さ
れたマイクロ波によりレーザ管602内のエキシマレー
ザガスが励起され、共振してエキシマレーザ光が発生す
ることになる。
(b)に示すように、スロット6010の形成面が各導
波管601の長端面、即ちH面であり、各スロット60
10がH面の長手方向の中心線mに沿って所定間隔をお
いて左右に等間隔(中心線mからの距離)dで配置され
た場合について例示する。
めるため、前記所定間隔をλg /2(λg :導波管内に
おけるマイクロ波の管内波長)とする。このように、前
記所定間隔を狭めても、全てのスロット6010から放
出される電磁波の位相が揃うことになる。
端面(E面)に長手方向に一列に形成した場合では、全
てのスロット6010から放出される電磁波の位相が揃
るには前記所定間隔をλg とする必要があり、レーザ光
の発光間隔を狭めることは困難である。それに対して、
本実施形態では、マイクロの位相の均一を保ちつつも所
定間隔をλg /2に狭めるとすることができる。従っ
て、全てのスロット6010から放出されるマイクロ波
の位相を揃えてレーザ管2の長手方向にわたり全体的に
均一なマイクロ波の放射を実現し、エネルギー損失を極
力抑えた均一なレーザ発光が可能となる。
0の間隔を比較的小さくとると、放出されるマイクロ波
の強度は増加するものの、各スロット6010に着目す
ればマイクロ波の強度が中央部位に集中するきらいがあ
る。他方、前記スロット間隔を比較的大きくとると、全
体として均一なマイクロ波放出が得られる。従って、満
足な強度と均一性という2つの要請を考慮して、前記ス
ロット間隔及び形状の最適値を決定すればよい。
充填しても好適である。これにより、管内波長λg のピ
ッチが狭くなり、より均一なマイクロ波の放出が可能と
なる。
の表13に示すものが考えられる。但し、一般に誘電率
が高くなると誘電損が大きくなるため、これを考慮して
選択する必要がある。
ることで、導波管601内の管内波長は表1の比で記載
された波長比で小さくなり、マイクロ波の波面の十分な
均一化を図ることが可能となる。
辺)=21mm、共振器長(レーザ発振方向長)22
0.8mmのサイズに導波管601を製作し、導波管1
内に誘電率9.8のアルミナを充填した。このとき、導
波管601内のマイクロ波の管内波長は44.2mmで
あり、従ってスロット6010のピッチ(前記所定距
離)を22.1mmに設定した。そして、レーザ発光を
試みたところ、十分に均一な発光が得られた。この導波
管601は、プリズムを備えた反射系を用いるレーザ発
振装置に適用して好適である。
する。なお、実施形態に示した構成部材等については同
一符号を記して説明を省略する。
に、導波管壁とレーザ管壁との間のスロット6010上
の領域を除く部位に両者を所定距離離間させる導電体
板、ここでは金属壁6012が設けられている。
2に示す。この図42は、スロット10の短手方向に沿
った断面を示す。
の長手方向の中心線mに沿ってλg/2ピッチで左右に
等間隔dで配置されており、従って中心線mを挟んで各
スロット6010がλg ピッチで互いにλg /2だけシ
フトした2列のスロット群が形成されており、図42に
示すように、これらスロット群をスロット6010とほ
ぼ同幅でスリット状に開放する金属壁12が設けられて
いる。従って、この金属壁6012により、スロット6
010からレーザ管壁の窓部15までの間にレーザ管2
の長手方向に導波管1の全域にわたる2列の空隙が形成
され、これら空隙がマイクロ波の通路6011となる。
なお、図42では、便宜上左右のスロット6010が同
一平面内に描かれている。
に誘電体を設けてもよい。誘電体としては石英、フッ化
カルシウム、窒化アルミニウム、アルミナ、ジルコニア
などが好適である。
より、プラズマの通路6011内部での生成を防ぐこと
ができる。なお、この際使用する誘電体は、より効率よ
くマイクロ波を伝播させるために誘電率が高く、誘電損
が小さい方が望ましい。
の窓部6015までの離間距離は、導波管601から導
入されるマイクロ波の管内における半波長の整数倍、即
ちマイクロ波の管内波長をλg 、nを整数として、 D=n×λg /2 ・・・(1) で表される距離Dとする。これにより、通路6011は
共振器として機能し、各スロット6010から放出され
たマイクロ波はレーザ管602内からの反射波と干渉し
弱め合うことがなくなる。
大きい値であると、後述するように通路6011をマイ
クロ波が伝播する際に、当該マイクロ波の金属壁601
2への吸収による損失が大きくなるため好ましくない。
従って、後述の如く整数nを3程度に規定することが最
も好適である。
0の短軸方向幅以上とする。その際の通路6011の幅
wは、導波管601から導入されるマイクロ波の管内に
おける半波長の整数倍、即ち、 w=n×λg /2 ・・・(2) で表される幅wとする。但し、n<0のときは、通路6
011の幅をスロット6010の短軸方向の幅と同程度
にとる。
放出された直後であっても、2列のスロット群が実質的
に緻密なλg /2ピッチに形成されているため、ほぼ満
足な均一化が得られる。そして、スロット6010とレ
ーザ管602との間に金属壁6012を備えた通路60
11を設けることで、マイクロ波は各スロット6010
から金属壁6012に規制された通路6011を伝播す
るするにつれて更に平面波に近づき、通路6011を通
過して外部(即ち、レーザ管602内)に放出されると
きには、その波面は各スロット6010に沿った全体に
わたってほぼ完全な平面様形状となる。
スには更なる均一の平面波とされたマイクロ波が到達す
ることになり、レーザ管602の長手方向にわたって均
一なプラズマ放電が実現され、レーザ発光の均一化に寄
与する。
辺)=21mm、共振器長(レーザ発振方向長)22
0.8mmのサイズに導波管601を製作し、導波管6
01内に誘電率9.8のアルミナを充填し、通路601
1の長手方向(レーザ発振方向)の幅を共振器長と同じ
220.8mmとした。このとき、導波管601内のマ
イクロ波の管内波長は39.2mmであり、通路長(ス
ロット10から発光部までの距離)を1.5管内波長で
ある58.9mmとした。そして、レーザ発光を試みた
ところ、十分に均一な発光が得られた。
様に導波管601に金属壁6012を設けるが、図43
に示すように、通路6011が、相対応する左右のスロ
ット6010を含む幅広に形成されており、その先端部
位6011aのみが幅狭でレーザ管602の長手方向に
わたる1本のスリット形状とされている。この場合も、
通路6011の厚みを管内波長の半波長の整数倍、ここ
では先端部位6011aの近傍のエネルギー密度が最も
高くなるλg /2とすることが望ましい。
レーザ管602内のエキシマレーザガスには更なる均一
の平面波とされたマイクロ波が到達することになり、レ
ーザ管602の長手方向にわたって均一なプラズマ放電
が実現され、レーザ発光の均一化に寄与する。
様に通路6011が、相対応する左右のスロット601
0を含む幅広に形成されているが、図44に示すよう
に、その先端部位6011aのみがスロット6010に
対応した幅狭で前記レーザ管602の長手方向にわたる
偶数本(ここでは2本)のスリット形状とされている。
適した複スリット状発光が実現できる。この場合、短ス
リット構造のように厳密に通路6011の放射源(スロ
ット)間隔がλg /2にはならないが、逆サイドのスロ
ット6010からの放射も関与するため(例えば、右側
のスリットに着目すると、主な放出源は右側のスロット
アレイであるが、左側のスロット6010からの放射も
右側スロット6010に到達し、励起に寄与する)、実
施例2に比べてより均一な放射が可能となる。左右のス
リット群がらの放射が均一であるには、スロット601
0(但し、H面アンテナの同位相放射を基本的に用いて
いることから、レーザ発振方向にλg/2ずつずれた位
置に配置されている。)及びスリットの位置が、軸対称
であることは言うまでもない。
リット間隔は同じである必要は無く、特に左右のスリッ
トの間隔は狭ければ狭いほど放射源ピッチがλg/2に
近くなり、均一化の効果が向上する。通路6011の厚
み(レーザ発振方向および軸に対して垂直な方向の長
さ)は、λg/2の整数倍がよい。スリットから放射さ
れるマイクロ波のエネルギーを向上するためには、通路
6011内のエネルギー密度が最も高くなるλg/2が
望ましい。比較例2と同様の導波管601及び通路幅・
通路長を採用した場合、当該厚みは、19.6mmとな
る。
レーザ管602内のエキシマレーザガスには更なる均一
の平面波とされたマイクロ波が到達することになり、レ
ーザ管602の長手方向にわたって均一なプラズマ放電
が実現され、レーザ発光の均一化に寄与する。
ように、レーザ管602(便宜上、図示を省略する。)
を図中上下方向からH面で狭持するように一対の導波管
601a,601bが設けられている。各導波管601
a,601bは、本実施形態の導波管601と同様に構
成されている。
bを、対向する前記各形成面間で各々対応するスロット
6010が左右に位置するように、レーザ管602を上
下方向から狭持するように設ける。この場合、上記の実
施形態のように空間シフトや位相シフトは不要である。
中の矢印は例えば進行波のみに着目した場合の導波管壁
に流れる電流を示す。マイクロ波は、導波管601の長
手方向距離で規定された伝播空間内で定在波として存在
し、この定在波に起因して導波管壁の前記電流も定在波
の形態を採る。但し、マイクロ波の定在波の形態は立体
的で複雑であり、一方向に伝搬する際の電流分布を指標
として考察するのが便宜に利する。
601a,601bの上面と下面で形成される電流の分
布が逆向きであることが挙げられる。H面を対向させて
共鳴導波管を構成すると、レーザ光を励起する空間の上
面と下面は、それぞれ上部に位置する導波管601aの
下面と下部に位置する導波管601bの上面である。従
って、上部及び下部の導波管601a,601bにおけ
るスロット6010の位置を相反して(例えば上部の導
波管1aが右側にスロット6010を切るとき、下部の
導波管601bは左にスロット6010を切る。)設け
ることにより、上下導波管601a,601bの位置関
係を変更することなく、λg/2ピッチで交互に位置す
る上下のスロット6010からマイクロ波が同位相で放
射される。
例で適応でき、それぞれの事例でより均一性の高い励起
が実現される。変形例4を変形例2に応用し、当該変形
例2の導波管601をレーザ管602の上下に配した例
を図46に、変形例3に応用した例を図47にそれぞれ
示す。
ト6010から全て同位相で均一にマイクロ波が放射さ
れることになり、レーザ管602の長手方向にわたって
均一なプラズマ放電が実現される。この技術に加え、図
46,47のように金属壁6012により通路6011
を形成すれば、更に均一なプラズマ放電が実現されるこ
とになる。
ように、導波管601の短端面(E面)に、スロット6
010のインピーダンスを調整するための微小金属体、
ここでは金属ネジ6013が埋め込まれている。
り、導波管601の壁面を流れる電流(図中、矢印で示
す。)の対称性が崩れ、結果的にスロット6010のイ
ンピーダンスを微調整することができる。また、複数の
スリットの加工の際に生じる機械的な寸法誤差を補償す
ることも可能である。
より、当該金属ネジ6013の近傍で電流の集中が生じ
る。従って、スロット6010の長手方向に複数本の金
属ネジ6013を配すれば、結果的にスロット6010
の長手方向のインピーダンスを微調整することができ
る。
ように、スロット6010内に誘電体6014を充填す
る。この場合、図49(b)のように、スロット601
0の先端面が平坦化されるように誘電体6014を充填
するのが最も好適である。
に形成した場合(図49(a))と、引っ込むように形
成した場合(図49(c))との比較として、スロット
板の鋭角部位の電界強度/中央部位の電界強度の比を求
めた例を図50に示す。このように、平坦の場合が鋭角
部位の電界強度比が最小となることがわかる。従って、
スロット6010の先端面を平坦とすることにより、鋭
角部位の電界を最も緩和して効率のよいレーザ発光が実
現する。更に、高速ガス循環の際にも平坦の場合が最も
デッドスペースが少なく、乱流も起こり難い。これは、
先端部位6011a等にも適用可能である。
を伝播するマイクロ波の電界EのエネルギーεE2 /2
はεに比例して増加する。従って、誘電率εが高いほ
ど、スロット6010を通過するマイクロ波のエネルギ
ーは増加する。
諸変形例のエキシマレーザ発振装置によれば、スロット
アレイ構造を採用するも、レーザ管の長手方向にわたり
全体的に均一な電磁波の放射を実現し、エネルギー損失
を極力抑えた均一なレーザ発光が可能となる。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図51は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管702と、レーザ管
2内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態とす
るための導波管701と、導波管701を冷却するため
に、冷却水導入出口709を有する冷却容器707とを
備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口708と、各
端部にそれぞれ反射構造体705,706が設けられ、
これら反射構造体705,706によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
構造7011内のレーザガスへ供給するための手段であ
り、図51中上面部に細長い複数のスロット7010が
形成されている。導波管701の上部より数百MHz〜
数十GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、この
マイクロ波が導波管1内を伝播しながら、スロット70
10から導波管701の外部へ放出される。放出された
マイクロ波は、レーザ管702内へ導入される。そし
て、導入されたマイクロ波によりレーザ管701内のエ
キシマレーザガスが励起され、共振してエキシマレーザ
光が発生することになる。
ここで、図52(a)は導波管701の模式的な斜視
図、図52(b)はその平面図である。
010はその長手方向が導波管1の長手方向と一致する
ように一列に配置されている。スロット7010は、導
波管7012の長手方向に沿って配置されており、各々
が導波管7012の長手方向に延在する形状とされてい
る。
導波管701のレーザ管702近傍の断面を示してい
る。ここで、図53(a)は、スロット7010の長手
方向に対して垂直となる方向に沿った断面を示してい
る。
射されるマイクロ波によってレーザ管702内のレーザ
ガスが励起されてプラズマ7011が発光する。
ット7010上の所定領域を囲むようにメッシュシール
ド7013が設けられている。メッシュシールド701
3は、金属製のメッシュから成るシールドであって、ス
ロット7010から放出されたマイクロ波の拡散を抑止
する役割を果たす。
とされているが、メッシュから成るシールドを採用する
ことによって、レーザ管702内を流れるレーザガスは
メッシュシールド7013を通過してスロット7010
上に到達することが可能である。
シュシールド7013上に、更に金属壁7015を設け
た例を示している。スロット7010に対して上方向に
はレーザガスが流れないため、金属壁7015を設ける
ことによって、より確実にマイクロ波を閉じ込めること
が可能である。
中をスキンデプスδ進行する間にエネルギが1/e
2 (≒0.135)倍に減少する。従って、プラズマが
マイクロ波を遮断している場合、有効なプラズマの励起
を行える領域は、シース領域での伝播を無視できる場
合、放出端の3δ程度の空間であり、その他の領域でプ
ラズマが存在している場合、存在するプラズマは拡散に
よるプラズマである。
ズマの閉じ込めを行うことで、全空間でプラズマが励起
されている状態が実現できる。図53に示す例では、メ
ッシュシールド7013をスロット7010の放出端か
らδ〜3δの距離に設定することによって、メッシュシ
ールド7013内の全域でプラズマを励起させることが
できる。
しまう場合もプラズマへのエネルギ供給密度が低下して
しまうが、これを防止する対策としても、メッシュシー
ルド7013等によるシールドによるプラズマの閉じ込
めが有効である。
波長がλc、シース領域を漏洩してくるマイクロ波の波
長をλとすると、シールドへの侵入長δsは、
るマイクロ波のエネルギとシールド外部に漏洩するマイ
クロ波のエネルギの割合pは、シールドの厚みをdとし
て、
が決まり、シールドの放射率pを決定すると、それに必
要なdの最小値が算出でき、従って必要なシールド厚の
下限が算出できる。簡便には、導波管内の波長の1/4
程度の径を採ることでシールド効果を得ることができ
る。
て、外部への電磁波のエネルギの漏洩を1%以下と設定
した場合、必要とされるシールドへの最長侵入長は、
0.43mmである。メッシュの基本単位が長方形でそ
の周辺の長さをaとすると、λc=2aであり、このと
き、aは1.4mm以下でなくてはならない。
10から放出されたマイクロ波により生成したプラズマ
の、特にシースを伝播するマイクロ波の拡散防止を図る
ことができる。従って、メッシュシールド7013の内
部にプラズマを生成することが可能である。
たプラズマは、同軸導波管の内軸として作用し、結果プ
ラズマが拡散している部分(プラズマの拡散長)が同軸
導波管として動作するため、マイクロ波がTEMモード
になり容易に伝播してしまう。
ており、シース厚に対しプラズマへの侵入長が無視でき
ない領域であり、伝播に伴う損失が大きいことからより
少ない距離で減衰してしまうが、閉じ込めを行う時には
問題となる場合がある。
ロ波遮断長δsに加えて、プラズマの拡散長も伝播する
ことになる。これらから、シールド長は、マイクロ波単
独の遮断長+プラズマの拡散長以上に設定する必要があ
る。
口率をα、動作圧力P、構造因子kとすると、シールド
を通過する気体のコンダクタンスC(ガスの流れ易さ)
は、粘性流体の場合、
決定すると、シールド厚の上限が算出できる。
コンダクタンスは、αとdに関して相反する関係にある
ため、両者よりそれぞれの最適値が規定できる。
なくするためにより抵抗率の低い材料が望ましい。ま
た、プラズマに接触していることから、高温になるた
め、熱抵抗が低い材料が望ましい。また、材料表面にフ
ッ素不動態処理を行ったり、材料表面をフッ素化合物で
覆ったりしてもよい。
形態によれば、スロット7010上を覆うようにメッシ
ュシールド7013を設けることによって、プラズマが
シースを介してスロット7010上から側方に拡散する
ことを抑止することができる。また、メッシュシールド
7013を使用することにより、プラズマ中の電界集中
を避けてより均一な放電を実現することができる。
実施形態を図面を参照しながら説明する。図54(b)
は、第7の実施形態における、スロット7010上で励
起されるプラズマを所定領域に閉じ込める遮蔽構造を示
す斜視図である。なお、第7の実施形態におけるエキシ
マレーザー発振装置の全体構成は、第7の実施形態のも
のと同一であるため説明を省略する。また、第7の実施
形態を説明する図面において、第6の実施形態と実質的
に同一の構成要素については同一の符号を記して説明を
省略する
たスロット7010上には、レーザ管702内において
ノズルシールド7014が構成されている。ここで、図
54(a)はスロット7010上からノズルシールド7
014を示す平面図、図54(b)は、ノズルシールド
を示す斜視図である。
に、ノズルシールド7014は複数の筒状のノズル70
14aから構成されており、それぞれのノズル7014
a内はレーザガスの通路とされている。図54(b)に
示す矢印Aはレーザガスの流れを示している。レーザガ
スはスロット7010の長手方向に対して垂直となる方
向に各ノズル7014a内を流れ、スロット7010か
ら放射されるマイクロ波によって励起される。
所定の大きさ以下の開口を通過できないという性質を利
用している。すなわち、放出されるマイクロ波の周波数
に対して開口を所定の大きさに設定したノズル7014
aを複数配列することによって、金属壁もしくは第6の
実施形態で説明したメッシュシールドと同様にマイクロ
波を空間的に閉じ込めることが可能である。
ガスの流れに沿って配置されているため、レーザガスの
流れを妨げることはない。従って、超高速ガス置換を行
う際にもレーザガス流に抵抗を生じさせにくく、圧力損
失の発生を抑止することができる。
ドを用いた場合よりも効果的にプラズマの閉じ込め、マ
イクロ波の閉じ込めを行うことができる。メッシュシー
ルドを用いた場合、マイクロ波単独の閉じ込めは可能で
あっても、プラズマが拡散してメッシュ構造内に侵入し
た場合、閉じ込めの効果に限界が生じる場合があるから
である。
流の方向に沿った断面を示す模式図である。ノズルシー
ルド7014によってスロット7010の側方へのマイ
クロ波、プラズマの拡散を抑止することができ、スロッ
ト7010上の所定範囲に励起されたプラズマを閉じ込
めることができる。
へのマイクロ波、プラズマの拡散防止を目的として、ス
ロット7010上に金属壁7015を設けた例を示して
いる。金属壁7015によって、スロット7010の側
方のみならず上方へのマイクロ波、プラズマの拡散を抑
止することができるため、スロット7010の開口端か
ら所定距離内にプラズマを閉じ込めることが可能であ
る。
明する。例えば長さ20mmのノズルを用いて、外部へ
の電磁波の漏洩を1%以下と設定する。この時必要とさ
れるシールドへの最長侵入長は、8.7mmである。
長さをaとすると、λc=2aである。この時、aは3
0mm以下でなければならない。従って、各ノズル間の
間隔は25mm以下という比較的広いマージンが設定で
きる。
ると、仮にプラズマが4.5mm程度拡散してきたとし
ても、外部への電磁波の漏洩を1%以下に保つことがで
きる。また、本構造においては、コンダクタンスがより
大きくとれるという利点があり、高速なガスを流す際に
より有効である。
つメッシュと、20mm×2mm長さ20mmの基本構
造をもつノズルのコンダクタンスを比べると、(メッシ
ュ及びノズル壁の厚みを両者1mmと仮定すると、両者
の開口率はそれぞれ25%及び91%)、同じ断面積を
持つ場合、ノズルのコンダクタンスは厚み(長さ)場2
0倍にもかかわらず3.3倍も高い。すなわち、ノズル
構造を採用することで、はるかにガスが流れ易い構造と
することができる。これに加えて実際のガス流では乱流
が発生する場合も多く、それを避けるためにはなるべく
構造体間隔を大きくすることが望ましい。
いては、マイクロ波が通過不能となる開口を有するノズ
ル7014aを複数個配列して、ノズルシールド701
4を構成することによって、生成されたプラズマを所定
領域に閉じ込めることが可能であり、且つ、各ノズル7
014a内にレーザガスを流すことによって、シールド
構造を設けたにも関わらずガス流に抵抗を生じさせるこ
とがない。これにより、圧損の発生を最小限に抑えるこ
とができる。
について図面を参照しながら説明する。図56は、第8
の実施形態に係る磁場シールドの構成を示す模式図であ
り、図57及び図58は、スロット7010の長手方向
に対して垂直となる方向に沿った断面を示す模式図であ
る。なお、第8の実施形態におけるエキシマレーザー発
振装置の全体構成も、第6の実施形態のものと同一であ
るため説明を省略する。また、第8の実施形態を説明す
る図面において、第6の実施形態と実質的に同一の構成
要素については同一の符号を記して説明を省略する
10上に励起されるプラズマを所定範囲に閉じ込めるた
めに磁場を用いている。磁場は、図56(a)に示すよ
うにソレノイドを用いて形成しても良いし、図56
(b)に示すように通常の磁石を配置することによって
形成しても良い。
7016を用いた例を示している。ソレノイド7016
の配置は、図56(a)に示すようにソレノイド701
6の延在する方向がレーザ発振方向と同一となるように
配置する。すなわち、図52に示す導波管701、スロ
ット7010の長手方向とソレノイド7015の延在す
る方向は同一方向である。
がプラズマ中の電子と原子の衝突周期よりも短くなるよ
うに定める(磁場プラズマの条件)。電子のラーマー角
速度は、磁束密度をB、電子の質量をm、素電荷をeと
して、
n、原子半径をr、電子温度をT、ボルツマン係数をk
として、
力等を考慮すると、磁束密度は約1T以上必要である。
すると、形成された磁束に沿ってプラズマの電子が歳差
運動する。レーザの振動方向と同じ向きに磁束が形成さ
れているため、プラズマの電子はレーザ振動方向に対し
て垂直となる方向には拡散しにくくなり、プラズマの閉
じ込めを実現することができる。図56(b)に示す磁
石7017を用いて磁場を形成した場合でも同様の効果
を得ることができる。
におけるソレノイド7016あるいは磁石7017の配
置を示す概略断面図である。スロット7010上にプラ
ズマを閉じ込めるためにはスロット7010上を囲むよ
うに、例えば4ケ所の位置に磁石7017を設けること
が望ましい。これにより、生成されたプラズマをスロッ
ト7010上に閉じ込めることが可能となる。
に金属壁7015を設けた例を示している。金属壁70
15によってスロット7010の上方へのプラズマの拡
散を抑止することができ、また、ソレノイド7016あ
るいは磁石7017によってスロット7010から横方
向へのプラズマの拡散を抑止することができる。
し、更にノズルシールド7014を付加した構成を示し
ている。この構成によれば、ソレノイド7016あるい
は磁石7017とノズルシールド7014の相乗効果に
より、プラズマがスロット7010の横方向へ拡散する
ことを抑止することができる。このように、第8の実施
形態では、マイクロ波の閉じ込め効果を補填するため
に、第6の実施形態あるいは第7の実施形態に係る遮蔽
構造を併用することが望ましい。
れば、レーザの振動方向と同じ向きに磁束を形成するこ
とにより、プラズマの電子がレーザ振動方向に対して垂
直方向に拡散することを抑止して、スロット7010上
におけるプラズマの閉じ込めを実現することができる。
について説明する。本実施形態では、いわゆるエキシマ
レーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示する。
図59は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の主要
構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管802と、レーザ管
802内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態
とするための導波管801と、導波管801を冷却する
ために、冷却水導入出口809を有する冷却容器807
とを備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口808と、各
端部にそれぞれ反射構造体805,806が設けられ、
これら反射構造体805,806によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
8011内のレーザガスへ供給するための手段であり、
図59中上面部に細長い複数のスロット8010が形成
されている。導波管801の上部より数百MHz〜数十
GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、このマイ
クロ波が導波管801内を伝播しながら、スロット80
10から導波管801の外部へ放出される。放出された
マイクロ波は、レーザ管2内へ導入される。そして、導
入されたマイクロ波によりレーザ管801内のエキシマ
レーザガスが励起され、共振してエキシマレーザ光が発
生することになる。
す。ここで、図60(a)は導波管801の模式的な斜
視図、図60(b)はその平面図である。
010はその長手方向が導波管801の長手方向と一致
するように一列に配置されている。スロット8010
は、導波管8012の長手方向に沿って配置されてお
り、各々が導波管8012の長手方向に延在する形状と
されている。
801のレーザ管802近傍の断面を示している。ここ
で、図61は、スロット8010の長手方向に対して垂
直となる方向に沿った断面を示している。
らマイクロ波が放射されてスロット8010上にプラズ
マが生成される。そして、プラズマとスロット8010
の開口端との間には、シースが形成される。本実施形態
では、マイクロ波の均一な伝搬を考慮して、スロット8
010の径(幅)はシースの厚さと同程度以下(10μ
m〜100μm)としている。従って、スロット801
0の側方へのマイクロ波の伝播を抑止して、スロット8
010上のみにプラズマを生成することが可能である。
ここで、スロット8010上でのプラズマのせり出しの
大きさは、例えばレーザビーム径の1/10以下の大き
さとしてレーザ発振に影響が少ないことが好ましい。
形態によれば、スロット8010の幅をマイクロ波の波
長よりも小さくすることによって、プラズマがシースを
介してスロット8010上から側方に拡散することを抑
止することができる。
0の実施形態を図面を参照しながら説明する。第10の
実施形態は、スロット8010を複数のスリット801
1から構成した態様である。なお、第10の実施形態に
おけるエキシマレーザー発振装置の全体構成は、第9の
実施形態のものと同一であるため説明を省略する。ま
た、第10の実施形態を説明する図面において、第9の
実施形態と実質的に同一の構成要素については同一の符
号を記して説明を省略する。
ト8010の幅をマイクロ波の波長以下の極細形状とし
た場合には、スロット8010の短辺方向の幅が狭いた
め、開口率が取れず放出効率が落ちる場合が想定され
る。第10の実施形態では、これを防止するためにスロ
ット8010を複数のスリット8011を並列に配置し
た構成とし、放出効率を高めた点で第9の実施形態と相
違する。
成されるスロット8010が形成された導波管801の
平面図を示している。また、図63は、スリット801
1の長手方向に対して垂直方向の断面を示す模式図であ
る。
を並列に複数個配置することによって、所望の開口率を
得ることができ、並列に配置されたスロット8010上
に均一にプラズマを生成させることが可能となる。
した場合において、端部のスリット8011aの幅を中
央部のスリット8011の幅よりも狭くした例を示して
いる。
プラズマが拡散することの防止を目的として、スロット
8010(スリット8011)の開口端の短辺方向に金
属壁8015等を形成した場合には、金属壁8015に
沿った位置でより多くのプラズマの生成が行われるため
プラズマの均一性の確保に問題が生じる場合がある。図
64に示すように、端部に位置するスリット8011の
短辺方向の幅を、中央部に位置するスリット8011の
短辺方向の幅よりも狭くすることによって、スリット8
011aから放射されるマイクロ波の放射強度を低下さ
せることができるため、スロット8010上に生成され
るプラズマを全体として均一化することができる。
ト8011bの長さを短くすることによっても、金属壁
8015近傍でのプラズマの生成を抑制して、スロット
8010上での均一なプラズマの生成を実現することが
できる。なお、本効果はマイクロ波にとって金属壁と同
等の、すなわちマイクロ波の閉じ込めを可能とする構造
であれば同様の結果が得られることは言うまでもない。
よれば、極細スリット8011aを並列に配置すること
によって、マイクロ波の放出効率を高めることができ、
スロット8010上に均一にプラズマを生成すること可
能となる。
形態について説明する。本実施形態では、いわゆるエキ
シマレーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示す
る。図66は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の
主要構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管902と、レーザ管
2内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態とす
るための導波管901と、導波管901を冷却するため
に、冷却水導入出口909を有する冷却容器907とを
備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
管内への導入部となるレーザガス導入出口908と、各
端部にそれぞれ反射構造体905,906が設けられ、
これら反射構造体905,906によりプラズマ放電に
よる光の位相が揃えられてレーザ光が発生する。
構造9011内のレーザガスへ供給するための手段であ
り、図66中上面部に細長い複数のスロット9010が
形成されている。導波管901の上部より数百MHz〜
数十GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、この
マイクロ波が導波管1内を伝播しながら、スロット90
10から導波管901の外部へ放出される。放出された
マイクロ波は、レーザ管902内へ導入される。そし
て、導入されたマイクロ波によりレーザ管901内のエ
キシマレーザガスが励起され、共振してエキシマレーザ
光が発生することになる。
す。ここで、図67(a)は導波管901の模式的な斜
視図、図67(b)はその平面図である。
010はその長手方向が導波管901の長手方向と一致
するように一列に配されており、これらスロット901
0の周囲を囲むように電極9013が設けられている。
の周囲に形成された電極9013の配置の例を示した図
である。ここで、図68(a)は、図67(b)と同様
にスロット9010の周囲の6箇所に電極を配置した例
を示している。
に印加される電流密度を示している。図68(b)に示
すように、スロット9010の長手方向の中央近傍に配
置された電極9013の電流密度をJc とし、スロット
の長手方向の端部に配置された電極13の電流密度をJ
e とする。そして、Jc <Je となるように電流密度を
調整しておく。
りもスロット9010の端部における電流密度を大きく
することによって、予備電離により発生する電子の密度
に分布をもたせて、スロット9010の端部においてプ
ラズマが励起し易い状態とすることができる。すなわ
ち、プラズマが励起することによるスロット9010の
幅方向における電気的な導通状態の形成を、電極901
3により生じる電子密度分布によって補填することが可
能となる。図68(b)では、スロット9010端にお
ける電子密度をスロット9010の中央部よりも大きく
する例を示したが、電子密度分布の形成はこれに限定さ
れるものではない。電極9013を用いて使用状況に応
じた適切な電子密度分布を形成することが可能である。
方向の中央近傍においては、元々プラズマが励起し易い
状態とされている。従って、スロット9010の端部に
おけるプラズマの励起を促進することにより、スロット
9010上の全領域において均一なプラズマを形成する
ことが可能となる。
励起を均一化した様子を模式的に示す特性図である。こ
こで、図70(a)は電極9013を用いない場合にお
いて、スロット9010の長手方向のプラズマ励起の状
態を比較のため示している。また、図70(b)は、各
電極9013に与えられた電流密度に起因して生じる、
スロット9010の長手方向における電子密度の分布
(予備電離補償)を模式的に示す特性図である。
示す予備電離補償を電極9013によって与えた場合に
おいて、スロット9010から放出されるマイクロ波に
より励起されたプラズマの強度を示している。このよう
に、図70(b)に示す電界を与えることによって、特
にスロット9010の長手方向の端部におけるプラズマ
の励起を促進することができ、図70(c)に示すよう
にスロット9010の全領域におけるプラズマ励起の状
態を均一化することができる。
配置の他の例を示している。図68(c)は、スロット
9010の端部におけるプラズマ励起を更に容易に行う
ために、スロット9010の端部の電極9013の数を
増やした例を示している。これにより、スロット901
0の端部においてプラズマ励起をより効果的に行うこと
が可能である。
ロット9010の中央部には電極9013を配置せず
に、スロット9010の端部のみに電極9013を設け
た例を示している。このように、プラズマが励起しにく
いスロット9010の端部のみに電極9013を設ける
ことで、スロット9010の中央部と同等のプラズマの
励起を可能として、スロット9010上の全領域におい
てプラズマの励起を均一に行うことが可能となる。
方向に沿って一体に形成された電極9013を用いた例
を示している。ここで、スロット9010の長手方法の
中央部における電極9013の面積を小さく形成するこ
とにより、スロット9010の端部における電子密度の
分布を大きくすることができる。
スロット9010端において、電極9013をよりスロ
ット9010に近接させた例を示している。スロット9
010の端部における電子密度を大きくすることによっ
て、スロット9010の端部におけるプラズマの励起を
促進することができ、スロット9010上におけるプラ
ズマの励起を均一化することができる。
0から離間させて配置する場合の構成を示している。こ
のように、電極9013をスロット9010から離間さ
せる場合、反射鏡9014を用いてスロット9010側
の電流密度を高くすることによって、効率の高い予備電
離が実現できる。この場合、導波管901の上部にはレ
ーザーガスが流れているため、反射鏡9014はレーザ
ーガスの流路の上部に設置するのが望ましい。
施形態においては、スロット9010の近傍に電極90
13を設け、スロット9010の長手方向における端部
の電子密度を、スロット9010の長手方向における中
央部における電子密度よりも高くすることによって、特
にスロット9010の長手方向の端部におけるプラズマ
の励起を促進することができ、スロット9010の全領
域におけるプラズマ励起の状態を均一化することができ
る。
2の実施形態について説明する。図72は、本発明の第
12の実施形態に係るエキシマレーザ発振装置の導波管
を示す概略断面図である。なお、第12の実施形態にお
けるエキシマレーザー発振装置の全体構成は、第11の
実施形態のものと同一であるため説明を省略する。ま
た、第12の実施形態を説明する図面において、第11
の実施形態と実質的に同一の構成要素については同一の
符号を記して説明を省略する。
3を用いて間接的に紫外線励起を行う方法を示したが、
この第12の実施形態では紫外線光源を用いてUV光照
射補償を行う方法について説明する。
向と垂直な方向に沿った断面を示している。このよう
に、第12の実施形態に係るエキシマレーザ発振装置の
導波管9021は、略L字状の断面形状とされている。
10が形成されている。マイクロ波は図72の矢印Aの
方向から導波管1内を伝播し、スロット9010からレ
ーザー管2へ放出されてスロット9010上でプラズマ
が励起される。
10と対向する位置にはUV透過窓9021aが設けら
れている。そして、UV透過窓9021aの外側にはU
V光源9022、反射鏡9023が設けられている。
略L字状の断面形状とすることにより、スロット901
0と対向した位置から直接的にUV照射を行うことが可
能である。また、UV透過窓9021aを所定の大きさ
で形成しておくことにより、マイクロ波がUV透過窓9
021aから漏れだすことを抑止することができる。
を使用した場合において、ベンド導波管9021’の長
手方向と垂直な方向に沿った断面を示している。ベンド
導波管9021’を使用した場合には、斜面部902
1’bにUV透過窓9021’aを設けることによっ
て、図72(a)に示す導波管9021と同様にスロッ
ト9010と対向した位置から直接的にUV照射を行う
ことが可能である。
向に沿った断面を示している。UV透過窓9021a
は、導波管9021の長手方向に沿って形成されてお
り、UV透過窓9021aの位置に対応してUV光源9
022、反射鏡9023が設置されている。そして、U
V光源9022、反射鏡9023は、スロット9010
の長手方向の端部に集中的にUV照射が可能となる位置
に配置されている。
の端部に集中的にUV照射を行うことにより、スロット
9010の端部におけるプラズマの励起を促進すること
ができ、スロット9010上において均一にプラズマを
励起させることが可能となる。
(楕円、双曲線など)の反射鏡を用いることが可能であ
る。また、プラズマが不均一な場合等においては、スロ
ット長軸方向にも反射鏡の構造を採用することが好まし
い。また、単一光源を用いて、反射鏡9023の代わり
に複数のレンズを用いてもよい。
て、E面、H面を使用した場合に好適な、UV透過窓9
021aの配置を示している。ここで、E面とは通常の
TE10モードのみを伝播する導波管における長端面で
あり、H面とは導波管での短端面である。図73(b)
に示すように、E面の場合にはスロット9010の長手
方向に沿ってUV透過窓9021aを形成するのが望ま
しく、この配置により、スロット9010端に集中的に
UV照射を行うことができる。
長手方向に沿って、且つ2列のスロット10の間に配置
することが望ましい。H面の場合に2列の発光ラインを
とる場合には、左右のスロット9010それぞれに対
し、E面と同様の透過窓を配置する。
を均一化した場合の様子を模式的に示す特性図である。
ここで、図74(a)はUV照射を行わない場合のプラ
ズマ励起の状態を比較のため示している。また、図74
(b)は、スロット9010近傍において、UV光源9
022によるUV照射強度を模式的に示した特性図であ
る。
示すUV照射を行った場合に、スロット9010から放
射されるマイクロ波により励起されたプラズマの強度を
示している。このように、図74(b)に示すUV照射
を行うことによって、特にスロット9010の長手方向
の端部におけるプラズマの励起を促進することができ、
図74(c)に示すように、スロット9010の全領域
におけるプラズマ励起の状態を均一化することができ
る。
施形態においては、スロット9010の長手方向の端部
に集中的にUV照射を行うようにUV光源9022を配
置し、UV照射によってプラズマが励起しにくいスロッ
ト9010端においてプラズマの励起を促進することが
できる。これにより、スロット9010の長手方向の中
央部と、スロット9010の端部におけるプラズマの励
起を同等とすることができ、スロット9010上の全範
囲において均一にプラズマを励起させることができる。
本発明において、照射する光の代わりにX線若しくはR
F(高周波)予備電離を用いても同様の効果を得ること
ができる。
形態について説明する。本実施形態では、いわゆるエキ
シマレーザ光を発するエキシマレーザ発振装置を例示す
る。図75は、本実施形態のエキシマレーザ発振装置の
主要構成を示す模式図である。
示すように、エキシマレーザガスの励起による発光を共
振させてレーザ光を発するレーザ管1002と、レーザ
管2内のエキシマレーザガスを励起してプラズマ状態と
するための導波管1001と、導波管1001を冷却す
るために、冷却水導入出口1009を有する冷却容器1
007とを備えて構成されている。
なるエキシマレーザガスは、Kr,Ar,Neから選ば
れた1種以上の不活性ガス、又は前記1種以上の不活性
ガスとF2 ガスとの混合気体である。これらのうち、使
用したい波長により適宜ガス種を選択し組み合わせれば
よい。例えば、248nmの波長のレーザ光を発生させ
たい場合には、Kr/Ne/F2 とし、193nmの波
長の場合にはAr/Ne/F2 、157nmの波長の場
合にはNe/F2 とすればよい。
の管内への導入部となるレーザガス導入出口1008
と、各端部にそれぞれ反射構造体1005,1006が
設けられ、これら反射構造体1005,1006により
プラズマ放電による光の位相が揃えられてレーザ光が発
生する。
路構造10011内のレーザガスへ供給するための手段
であり、図75中上面部に細長い複数のスロット100
10が形成されている。導波管1の上部より数百MHz
〜数十GHzの周波数のマイクロ波が導入されると、こ
のマイクロ波が導波管1001内を伝播しながら、スロ
ット10010から導波管1001の外部へ放出され
る。放出されたマイクロ波は、レーザ管1002内へ導
入される。そして、導入されたマイクロ波によりレーザ
管1001内のエキシマレーザガスが励起され、共振し
てエキシマレーザ光が発生することになる。
示す。ここで、図76(a)は導波管1001の模式的
な斜視図、図76(b)はその平面図である。
0010はその長手方向が導波管1の長手方向と一致す
るように一列に配置されている。スロット10010
は、導波管10012の長手方向に沿って配置されてお
り、各々が導波管10012の長手方向に延在する形状
とされている。ここで、第13の実施形態においては、
導波管1001の長端面であるE面から放出されるマイ
クロ波を放出するスロット10010に本発明を適用し
た例を示す。
により、導波管1001の壁内表面に生じる電流を示す
模式図である。導波管1001の壁内表面においてスロ
ット10010と垂直方向の電流を生じさせる。ここで
図80(c)は、導波管1001におけるE面及びH面
を示す模式図である。E面とは、導波管1001の短端
面をいい、H面とは、導波管1001の長端面をいう。
0010の形状を示す概略平面図である。このように、
スロット10010は長手方向の端部に向かうにつれて
幅広の形状とされている。
示すスロット10010の長手方向に沿った位置と、ス
ロット10010の開口率の関係を示す模式図である。
図77(a)、図77(c)に示すように、開口率はス
ロット10010の端部に向かうにつれて大きくなる。
示すスロット10010によってマイクロ波を放射した
場合の放射エネルギーの強度を示した模式図である。こ
のように、端部において開口率が大きく形成されたスロ
ット10010を用いることによって、特にスロット1
0010端部における放射エネルギーを大きくすること
ができる。すなわち、図80(b)に示すようなスロッ
ト10010を横切る電流密度に対してスロット100
10の幅を変化させることによって、放出されるマイク
ロ波の放射エネルギをスロット10010の長手方向の
各部位において制御することが可能となる。そして、図
77(d)に示すように均一化された放射を実現するこ
とが可能となる。
布はプラズマとの干渉等があり、測定や解析が極めて困
難である。従って、図77(d)においてはプラズマが
励起されていない状態でのスリットからの均一性を評価
することで、均一性を評価している。
ロット10010は、電流の密度分布がスロット100
10の短軸方向に対称となる、E面に放出されるマイク
ロ波に用いて好適である。
向の各部位における幅を異なるようにし、長手方向の端
部における幅を中央部に比して大きくしたことによっ
て、特に、スロット10010の端部においてマイクロ
波の放射を強くすることができる。これにより、図77
(b)に示すような均一なマイクロ波の放出が可能とな
る。
状の他の例を示す概略平面図である。図78(a)に示
すスロット10010は、長手方向の端部を局所的に円
形に広げたダンベル形状とされている。
示すスロット10010の長手方向に沿った位置と、ス
ロット10010の開口率の関係を示す模式図である。
図78(a)、図78(b)に示すように、開口率はス
ロット10010の端部において大きくなる。
示すスロット10010によってマイクロ波を放射した
場合の放射エネルギーの強度を示した模式図である。こ
のように、端部において開口率が大きく形成されたスロ
ット10010を用いることによって、円形部1001
0aにおいてマイクロ波の放出を高め、特にスロット1
0010端部における放射エネルギーを大きくすること
ができる。すなわち、図80(a)に示すようなスロッ
ト10010を横切る電流密度に対してスロット10の
幅を変化させることによって、放出されるマイクロ波の
強度をスロット10010の長手方向の各部位において
制御することが可能となり、図77(c)に示すように
均一化された放射を実現することが可能となる。
を付加することにより、半径rを大きくすることによっ
て、スロット10010の長さを等価的に長くすること
が可能である。これにより、実質的にλg/4の長さの
スロット長としなくてもQをより小さくすることができ
る。また、スロット10010の端部が円形であること
から、スロット10010を形成する際の機械加工を容
易且つ精密に行うことが可能である。
ット10010の形状をより滑らかに曲線でつなげた形
状のスロット10010を示している。
示すスロット10010の長手方向に沿った位置と、ス
ロット10010の開口率の関係を示す模式図である。
図79(a)、図79(b)に示すように、開口率はス
ロット10010の端部に近接する程増大する。
示すスロット10010によってマイクロ波を放射した
場合の放射エネルギーの強度を示した模式図である。こ
のように、端部において開口率が大きく形成されたスロ
ット10010を用いることによって、円形部1001
0aにおいてマイクロ波の放出を高め、特にスロット1
0010端部における放射エネルギーを大きくすること
ができる。すなわち、図80(a)に示すようなスロッ
ト10010を横切る電流密度に対してスロット100
10の幅を変化させることによって、放出されるマイク
ロ波の強度をスロット10010の長手方向の各部位に
おいて制御することが可能となる。そして、図79
(c)に示すように均一化された放射を実現することが
可能となる。
10は、図78(a)に示すスロット10と同様に端部
を円弧状としているため、スロット10010の長さを
等価的に長くすることが可能であり、また、機械加工を
容易且つ精密に行うことが可能である。
10010の形状では、放射されるマイクロ波の均一性
は、図78に示すスロット10010、図77に示すス
ロット10010、図79に示すスロット10010の
順に良好となる。また、マイクロ波の最大強度も、図7
8に示すスロット10010、図78に示すスロット1
0010、図79に示すスロット10010の順に大き
くなる。しかし、この傾向は、実際にはスロット100
10のサイズと励起源である導波路とのサイズの関係
や、曲線形状などにより変化する。なお、上述した開口
率分布は、なるべく広い範囲での均一性を重視して設定
したが、仮に端部を強励起し中央部の強度を弱めたい場
合は、より中央部での開口率を下げることで対応できる
ことは言うまでもない。
の中央部の幅を端部の幅よりも広くしたスロット100
10の例を示す。導波管1001内においては導波管1
001の長手方向と垂直となる方向にも均一でない電界
が分布しており、この電界を考慮した場合等において
は、図84に示す形状のスロット10010によって
も、スロット10010から放出されるマイクロ波の強
度を均一化することができる。
施形態によれば、スロット10010の長手方向におけ
る各部位の幅を異ならせ、スロット10010の端部に
おける開口を大きくすることによって、スロット100
10の端部から放射されるマイクロ波の強度を高めるこ
とが可能となる。これによって、スロット10010上
の全領域において、マイクロ波の均一化な放射を行うこ
とが可能となる。
4の実施形態について説明する。第22の実施形態にお
いては、導波管1001の短端面からマイクロ波を放出
するスロットに本発明を適用した例を示す。なお、第1
4の実施形態におけるエキシマレーザー発振装置の全体
構成は、第13の実施形態のものと同一であるため説明
を省略する。また、第14の実施形態を説明する図面に
おいて、第13の実施形態と実質的に同一の構成要素に
ついては同一の符号を記して説明を省略する。
により導波管壁に生じる電流の向きを示す模式図であ
る。このように、H面における管壁内表面を流れる電流
は導波管1001の長手方向に対して垂直方向の幅の中
心に位置する節から、λg/2だけ離れた位置における
節に向かって流れる。
直方向の幅の中心線(一点鎖線C)からdだけ離間させ
た位置にスロット10010をλg/2ピッチで交互に
設けることで全てのスロット10010からの放射が同
位相となる。
用いて好適なスロット10010の形状を示している。
図80(b)で説明したように、マイクロ波により生じ
る電流は節から放射状に放出されるため、電流の向きに
対してスロット10010が延在する方向を垂直となる
ようにする。すなわち、図81(a)に示す形状のスロ
ット10010を、図81(b)に示す位置に配置する
ことによってスロット10010が延在する方向と電流
の向きを垂直とすることができ、スロット10010か
ら効率良くマイクロ波を放出することができる。
10の形状の他の例を示す平面図である。図82(a)
に示すスロット10010は、端部における開口幅が広
げられているため、図81(b)に示す位置に配置する
ことによって、スロット10010端におけるマイクロ
波の放射強度を高めることができ、スロット10010
上に放射されるマイクロ波の強度を均一化することがで
きる。
10は、端部よりも中央部における開口幅を広げた態様
を示している。
3の実施形態の図78、図79において説明したスロッ
ト10010と同様に、スロット10010端に半径r
の円を形成した例を示している。この形状により、第1
3の実施形態と同様に、円形部10010aにおいてマ
イクロ波の放出を高めることができ、スロット1001
0上に放射されるマイクロ波を均一化することができ
る。
を付加することにより、半径rを大きくすることによっ
て、スロット10010の長さを等価的に長くすること
が可能である。これにより、実質的にλg/2の長さの
スロット長としなくてもQをより小さくすることができ
る。また、スロット10010の端部を円弧状とするこ
とによって、スロット10010を形成する際の機械加
工を容易かつ精密に行うことが可能である。
施形態においては、H面から放出されるマイクロ波に対
し、スロット10010を導波管1の中心(図80
(b)における中心線C)から所定距離離間させた位置
に配置することによって、スロット10010からマイ
クロ波の放射を行うことが可能となる。
せ、マイクロ波により導波管1001の壁面に生じる電
流の方向と垂直となる方向へ延在させることによって、
より効率良くマイクロ波の放射を行うことが可能とな
る。
スロット10010の幅を広げることによって、スロッ
ト10010の端部におけるマイクロ波の放射を高め、
スロット10010上の全領域に放射されるマイクロ波
の強度を均一化することができる。
5の実施形態について説明する。なお、第15の実施形
態におけるエキシマレーザー発振装置の全体構成は、第
13の実施形態のものと同一であるため説明を省略す
る。また、第15の実施形態を説明する図面において、
第13の実施形態と実質的に同一の構成要素については
同一の符号を記して説明を省略する。
均一化するために、スロット10010の開口形状は通
常の矩形形状として、スロット10010が形成されて
いる導波管1の壁の内部の形状をスロット10010の
開口形状と異ならせ、空隙構造10015を設けたこと
を特徴としている。ここで、空隙構造15は図85
(b)において後述するように、スロット10010の
形成された導波管1壁に形成された空隙である。
ている。この例においては空隙構造10015の全範囲
をスロット10010からλg/4離間させている。こ
れにより、空隙構造10015内におけるスロット10
010と垂直となる方向の空間の長さがλg/2となる
ため、空隙構造10015内においてマイクロ波を共振
させることができ、放射効率を向上させることができ
る。
をスロット10010からλg/2離間させている。こ
の構成においても、空隙構造10015内におけるスロ
ット10010と垂直となる方向の空間の長さがλgと
なるため、空隙構造10015内においてマイクロ波を
共振させることができ、放射効率を向上させることがで
きる。
態様のスロット10010、空隙構造10015を示す
平面図である。また、図85(b)は、図85(a)に
示す一点鎖線I−I’に沿った断面を示す概略断面図で
ある。
形態に係るスロット10010は、矩形形状に形成さ
れ、その長手方向は導波管1の長手方向と同一である。
囲むような形状で、インピーダンス変更空隙構造100
15が形成されている。図85(b)に示すように、空
隙構造10015はスロット10010が形成されてい
る導波管1の内壁に形成されたものであり、図85
(a)に示す点線で示す領域まで延在する空隙である。
015の端は、スロット10010の端部から半径がλ
g/4となる円形形状とされており、スロット1001
0の長手方向の中央部においては、スロット10010
の端部からλg/4以下の距離とされている。
10の距離をスロット10010長軸方向に変化させる
ことにより、スロット10010の長軸方向のマイクロ
波の放出特性を変化させることができる。
で共振条件がくずれるため、更には、空間的な間隙の形
状を変化させることにより、伝播路の特性を変化できる
というマイクロ波特有の性質によるものである。長さ
L、特性インピーダンスZ0 である終端短絡導波路のイ
ンピーダンスZは、 Z=jZ0 tan(2π・L/λg) となる。
性素子(単体素子でいうコイル)及び容量性素子(単体
素子でいうキャパシタ)をLを変化させるだけで形成す
ることができることを示している。スロットライン方向
に半値幅αを変化させるということは、電磁波にとって
のインピーダンスを付随的に変化させることになり(等
価回路的にみると、スロットに対して連続的に様々な値
を持つコイルやキャパシタが並列に接続されてみえ
る)、結果的にスロットから放出される電磁波の分布を
制御することができる。
スロット10010の長手方向の中央におけるマイクロ
波の放射を抑制することが可能となり、スロット100
10上に放射されるマイクロ波の強度を均一化すること
ができる。
向上させるために、スロット10010の長手方向の長
さをλg/2とした構成を示している。ここで、図88
(a)はH面に適用した例を、図88(b)はE面に適
用した例を示している。スロット10010の長さをλ
g/2とすることによって、マイクロ波をスロット10
010の長手方向において共鳴させることができ、マイ
クロ波の放射効率を向上させることが可能である。
して、導波管1001の内部に向かって幅広としたスロ
ット10010を示している。スロット10010の下
方に向かうにつれて幅広となるテーパー形状を形成する
ことによって、空間のインピーダンスがゆるやかに変化
するため反射が起こりにくくなり、より多くのマイクロ
波をスロット10010内へ導くことができ、スロット
10010からのマイクロ波の放射効率を向上させるこ
とができる。
ット10010のテーパー部に誘電体レンズ10016
を挿入した例を示している。誘電体レンズ10016に
よってマイクロ波をスロット10010へ集中させるこ
とができ、スロット10010からのマイクロ波の放射
効率を向上させることができる。
レンズ10016を通常のスロット10010の直下に
配置することによっても、マイクロ波をスロット100
10へ集中させることができ、スロット10010から
のマイクロ波の放射効率を向上させることができる。
よればスロット10010の開口形状とは異なる形状で
あって、スロット10010の形成された導波管100
1の壁面に空隙構造10015を形成することによっ
て、スロット10010内のインピーダンスを可変する
ことができる。従って、空隙構造10015を形成する
ことによって、スロット10010上への均一なマイク
ロ波の放出を実現することが可能となる。また、空隙領
域10015を所定の大きさに設定することによって、
空隙領域10015内でマイクロ波を共振させることが
でき、マイクロ波の放射特性を向上させることが可能で
ある。
ーパー状として、導波管1の内部に向かって幅広となる
ように形成することで、より多くのマイクロ波をスロッ
ト10010へ導くことができ、放射効率を向上させる
ことができる。更に、スロット10010内あるいはス
ロット10010の下部に誘電体レンズを設けることに
よっても、マイクロ波の放射効率を向上させることが可
能である。
6の実施形態について説明する。第16の実施形態は、
第1の実施形態におけるラバルノズル型のガス供給路構
造と、第7の実施形態におけるノズルシールドの構造を
共に備えたレーザ発振装置である。
るレーザ発振装置の全体構成を示す模式図である。図9
0に示すレーザ発振装置の全体構成は、第1の実施形態
で説明した構成と同一である。また、図91は、図90
に示すレーザ発振装置のレーザチャンバ1の一部を示す
斜視図である。なお、レーザ発振装置の全体構成は、第
1の実施形態の図13に示すシロッコファンを用いたも
のでもよい。
主要構成は第1の実施形態で説明したものと同一であ
る。すなわち、レーザチャンバ1は、ラバルノズル型の
ガス供給路構造11と、ガス供給路構造11を挟んで対
向するように設けられた導波管12とを備えている。な
お、図90及び図91において、上述した第1の実施形
態、第7の実施形態で説明した構成要素と同一の構成要
素には同一の符号を記す。
供給路構造11を用い、流出入口におけるガス圧力やガ
ス流速を調節することにより、音速に近づくほどに懸念
される衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部21における
エキシマレーザガスの流速を初期の亜音速に制御するこ
とが可能となる。従って、枯渇しがちなエキシマレーザ
ガスを衝撃波の発生を懸念することなく迅速に補給する
ことができ、長時間の安定な発光を維持するエキシマレ
ーザ発振装置が実現される。
1に、第7の実施形態で説明したノズルシールド701
4が設けられている。ノズルシールド7014は、マイ
クロ波が所定の大きさ以下の開口を通過することができ
ないという性質を利用したシールドである。放出される
マイクロ波の周波数に対してノズルシールド7014の
開口を設定することでスロット7010から放出される
マイクロ波を空間的に閉じ込めることが可能となる。
る方向をガス供給路構造11に流れるレーザガスの方向
と同一とすることで、マイクロ波を遮蔽しつつ、ガス供
給路構造11からのレーザガスの供給を行うことができ
る。
ガスの流れを妨げることはなく、ラバルノズル型のガス
供給路構造11を用いて超高速ガス置換を行った場合に
レーザガス流に抵抗を生じさせることはない。従って、
圧力損失の発生を抑止することができる。
スロット7010上に形成されるプラズマ7011の拡
散を抑止することができ、生成されたプラズマ7011
をスロット7010の両脇のノズルシールド7014間
の間隙に確実に閉じ込めることが可能である。
施形態によれば、第1の実施形態で説明したラバルノズ
ル型のガス供給路構造11と、第7の実施形態で説明し
たノズルシールドの構造を共に備えることにより、レー
ザガスを高速に循環させてプラズマの励起を促進するこ
とができ、且つ、レーザガスの流れを妨げることなくプ
ラズマが発光領域外に拡散することを抑止することがで
きる。
て、先に説明した各実施形態の構成を更に付加すること
により、各実施形態の構成特有の効果を得ることが可能
である。
7の実施形態について説明する。第17の実施形態は、
第2の実施形態におけるマイクロ波の通路と、第7の実
施形態におけるノズルシールドの構造を共に備えたレー
ザ発振装置である。
るレーザ発振装置の全体構成を示す模式図である。ま
た、図92は、図90に示すエキシマレーザ発振装置の
主要部であるレーザチャンバ1の一部を示す斜視図であ
る。
施形態で説明したものと同様の構成である。すなわち、
レーザチャンバ1は、ラバルノズル型のガス供給路構造
11と、ガス供給路構造11を挟んで対向するように設
けられた導波管12とを備えている。ただし、本実施形
態ではガス供給路構造11がラバルノズル型とされてい
ない点で第1の実施形態と相違する。なお、図90及び
図92において、上述した第2の実施形態、第7の実施
形態で説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符
号を記す。
で説明したノズルシールド7014が設けられている。
ノズルシールド7014は、マイクロ波が所定の大きさ
以下の開口を通過することができないという性質を利用
したシールドである。放出されるマイクロ波の周波数に
対してノズルシールド7014の開口を設定することで
スロット7010から放出されるマイクロ波を空間的に
閉じ込めることが可能となる。
る方向をガス供給路構造11に流れるレーザガスの方向
と同一とすることで、マイクロ波を遮蔽しつつ、ガス供
給路構造11からのレーザガスの供給を行うことができ
る。
ガスの流れを妨げることはなく、ラバルノズル型のガス
供給路構造11を用いて超高速ガス置換を行った場合に
レーザガス流に抵抗を生じさせることはない。従って、
圧力損失の発生を抑止することができる。
スロット7010上に形成されるプラズマ7011の拡
散を抑止することができ、生成されたプラズマ7011
をスロット7010の両脇のノズルシールド7014間
の間隙に確実に閉じ込めることが可能である。
金属壁には、第2の実施形態で説明したマイクロ波の通
路3011が形成されている。これにより、スロット7
010から放出されたマイクロ波は、金属壁に規制され
た通路3011を伝播することで徐々に平面波に近づ
き、通路を通過してレーザ管内に放出されるときには、
その波面を各スロット7010に沿った全体にわたって
ほぼ平面様形状とすることができる。
ザガスには、ほぼ均一の平面波とされたマイクロ波が到
達することになり、レーザ管302の長手方向にわたっ
て均一なプラズマ放電が実現され、レーザ発光を均一す
ることができる。
施形態によれば、第2の実施形態で説明したマイクロ波
の通路と、第7の実施形態で説明したノズルシールドの
構造を共に備えることにより、発光部21においてプラ
ズマの拡散を抑止することができ、且つ、導波管12の
長手方向の全域において放射エネルギが均一化されたプ
ラズマを生成することが可能となる。
て、先に説明した各実施形態の構成を更に付加すること
により、各実施形態の構成特有の効果を得ることが可能
である。
8の実施形態について説明する。第18の実施形態は、
第1の実施形態におけるラバルノズル型のガス供給路構
造、第2の実施形態におけるマイクロ波の通路及び及び
第6の実施形態におけるノズルシールドの構造を全て備
えたレーザ発振装置である。
るレーザ発振装置の全体構成を示す模式図である。ま
た、図93は、図90に示すレーザ発振装置のレーザ発
振部を拡大して示す斜視図である。
振装置の主要部であるレーザチャンバ1の一部を示す斜
視図である。レーザチャンバ1は、第1の実施形態で説
明したものと同一である。すなわち、レーザチャンバ1
は、ラバルノズル型のガス供給路構造11と、ガス供給
路構造11を挟んで対向するように設けられた導波管1
2とを備えている。なお、図90及び図93において
は、上述した第1の実施形態、第2の実施形態及び第7
の実施形態で説明した構成要素と同一の構成要素には同
一の符号を記す。
供給路構造11を用い、流出入口におけるガス圧力やガ
ス流速を調節することにより、音速に近づくほどに懸念
される衝撃波の発生を抑止しつつ、発光部21における
エキシマレーザガスの流速を初期の亜音速に制御するこ
とが可能となる。従って、枯渇しがちなエキシマレーザ
ガスを衝撃波の発生を懸念することなく迅速に補給する
ことができ、長時間の安定な発光を維持するエキシマレ
ーザ発振装置が実現される。
で説明したノズルシールド7014が設けられている。
ノズルシールド7014は、マイクロ波が所定の大きさ
以下の開口を通過することができないという性質を利用
したシールドである。放出されるマイクロ波の周波数に
対してノズルシールド7014の開口を設定することで
スロット7010から放出されるマイクロ波を空間的に
閉じ込めることが可能となる。
る方向をガス供給路構造11に流れるレーザガスの方向
と同一とすることで、マイクロ波を遮蔽しつつ、ガス供
給路構造11からのレーザガスの供給を行うことができ
る。
ガスの流れを妨げることはなく、ラバルノズル型のガス
供給路構造11を用いて超高速ガス置換を行った場合に
レーザガス流に抵抗を生じさせることはない。従って、
圧力損失の発生を抑止することができる。
スロット7010上に形成されるプラズマ7011の拡
散を抑止することができ、生成されたプラズマ7011
をスロット7010の両脇のノズルシールド7014間
の間隙に確実に閉じ込めることが可能である。
供給路構造11との間の金属壁には、第2の実施形態で
説明したマイクロ波の通路3011が形成されている。
これにより、スロット7010から放出されたマイクロ
波は、金属壁に規制された通路3011を伝播すること
で徐々に平面波に近づき、通路を通過してレーザ管内に
放出されるときには、その波面は各スロット7010に
沿った全体にわたってほぼ平面様形状とすることができ
る。
には、ほぼ均一の平面波とされたマイクロ波が到達する
ことになり、レーザ管の長手方向にわたって均一なプラ
ズマ放電が実現され、レーザ発光を均一することができ
る。
においては、RF(高周波)予備電離を行うための電極
7030がガス供給路構造11に近接して設けられてい
る。ここで、電極7030はスロット7010の位置に
対応して設けられている。
に沿って流れるが、電極7030によって予備電離を与
えることによって、予めレーザガスの励起を行うことが
でき、発光部21に到達したレーザガスの励起を容易に
行うことが可能となる。
予備電離の相乗効果により、発光部21においてより確
実且つ均一にプラズマ7011を生成することが可能と
なる。なお、高周波の代わりにX線を用いることも可能
であり、マイクロ波を用いてもよい。また、第11の実
施形態で説明したようなピン電極を用いて予備電離を行
ってもよい。更に、ノズルシールド7014に予備電離
のための電極を接続することにより、発光部21の近傍
でレーザガスを予め励起状態として発光効率を高めるこ
とが可能である。
施形態によれば、第1の実施形態で説明したラバルノズ
ル型のガス供給路構造11、第2の実施形態で説明した
マイクロ波の通路及び第7の実施形態で説明したノズル
シールドの構造を全て備えることにより、レーザガスを
高速に循環させてプラズマの励起を促進することがで
き、発光部21においてプラズマの拡散を抑止し、更
に、導波管12の長手方向の全域において放射エネルギ
が均一化されたプラズマを生成することが可能となる。
て、先に説明した各実施形態の構成を更に付加すること
により、各実施形態の構成特有の効果を得ることが可能
である。
形態について説明する。この第19の実施形態では、上
述した各実施形態(及びその諸変形例)で述べたエキシ
マレーザ発振装置をレーザ光源として有する露光装置
(ステッパー)を例示する。図94は、このステッパー
の主要構成を示す模式図である。
れたレチクル101に照明光を照射するための光学系1
11と、レチクル101を通過した照明光が入射して当
該レチクル101のパターンをウェハ102の表面に縮
小投影するための投影光学系112と、ウェハ102が
載置固定されるウェハチャック113と、ウェハチャッ
ク113が固定されるウェハステージ114とを有して
構成されている。
エキシマレーザー光を発する光源である上述した各実施
形態のエキシマレーザ発振装置121と、光源121か
らの照明光を所望の光束形状に変換するビーム形状変換
手段122と、複数のシリンドリカルレンズや微小レン
ズを2次元的に配置されてなるオプティカルインテグレ
ータ123と、不図示の切替手段により任意の絞りに切
替可能とされ、オプティカルインテグレータ123によ
り形成された2次光源の位置近傍に配置された絞り部材
124と、絞り部材124を通過した照明光を集光する
コンデンサーレンズ125と、例えば4枚の可変ブレー
ドにより構成され、レチクル101の共役面に配置され
てレチクル101の表面での照明範囲を任意に決定する
ブラインド127と、ブラインド127で所定形状に決
定された照明光をレチクル101の表面に投影するため
の結像レンズ128と、結像レンズ128からの照明光
をレチクル101の方向へ反射させる折り曲げミラー1
29とを有して構成されている。
い、レチクル101のパターンをウェハ102の表面に
縮小投影する動作について説明する。
ーム形状変換手段122で所定形状に変換された後、オ
プティカルインテグレータ123に指向される。このと
き、その射出面近傍に複数の2次光源が形成される。こ
の2次光源からの照明光が、絞り部材124を介してコ
ンデンサーレンズ125で集光され、ブラインド127
で所定形状に決定された後に結像レンズ128を介して
折り曲げミラー129で反射してレチクル101に入射
する。続いて、レチクル101のパターンを通過して投
影光学系122に入射する。そして、投影光学系122
を通過して前記パターンが所定寸法に縮小されてウェハ
102の表面に投影され、露光が施される。
光源として上述した各実施形態のエキシマレーザ発振装
置を用いるので、高出力のエキシマレーザ光の比較的長
時間の発光が可能となり、ウェハ102に対する露光を
迅速且つ正確に行なうことができる。
置を利用した半導体装置(半導体デバイス)の製造方法
の一例を説明する。
等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやCCD等)の
製造工程のフローを示す。先ず、ステップ1(回路設
計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップ3(ウェハ製造)で
はシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステッ
プ4(ウェハプロセス)は前工程と称され、上記の如く
用意したマスクとウェハを用いて、フォトリソグラフィ
ー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ5(組み立て)は後工程と称され、ステップ4
によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンプリ工程(ダイシング、ボンディ
ング)、パッケージンク工程(チップ封入)等の工程を
含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウェハ表面に気
相反応を用いて導電膜や絶縁膜を形成する。ステップ1
3(PVD)ではウェハ上に導電膜や絶縁膜をスパッタ
リングや蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウェハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した投影露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステ
ップ17(現像)では露光したウェハを現像する。ステ
ップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエ
ッチングが終了して不要となったレジストを除去する。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウェ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
しかった高集積度の半導体デバイスを容易且つ確実に高
い歩止まりをもって製造することが可能となる。
を奏する。
を形成しつつも、衝撃波の発生を抑止することを可能と
するガス供給路構造(及びガス供給方法)を提供するこ
とが可能となり、特にこのガス供給路構造をエキシマレ
ーザ発振装置に適用することにより、枯渇しがちなエキ
シマレーザガスを衝撃波の発生を懸念することなく迅速
に補給することができ、長時間の安定な発光を維持する
ことが可能となる。
レーザ管の長手方向にわたり全体的に均一な電磁波の放
射が実現され、エネルギー損失を極力抑えた均一なレー
ザ発光が可能となる。
個々の微小間隙(スロット)の長手方向にわたり全体的
に均一な電磁波の放射が実現され、エネルギー損失を極
力抑えた均一なレーザ発光が可能となる。
プラズマが拡散することを抑止できる。従って、エネル
ギー損失を極力抑えた均一なレーザ発光を可能とするレ
ーザ発振装置、このレーザ発振装置を備えた高性能の露
光装置、この露光装置を用いた高品質なデバイスの製造
方法を提供することができる。
の主要構成を示す模式図である。
の主要構成を示す模式図である。
整手段を示す模式図である。
光部断面積)と(流出口圧力/流出口圧力)との関係を
示す特性図である。
出口)における速度、マッハ数、ガス圧力、ガス密度、
ガス温度、及び音速との各条件の関係を示す図である。
部圧力)と(発光部の流速)との関係を示す特性図であ
る。
(発光部圧力)と(任意部位温度)/(発光部温度)と
の関係を示す特性図である。
を総括的に示すブロック図である。
ーザ発振装置のガス供給路構造のみを示す断面図であ
る。
ーザ発振装置のガス供給路構造のみを示す断面図であ
る。
流出口)における速度、マッハ数、ガス圧力、ガス密
度、ガス温度、及び音速との各条件の関係を示す図であ
る。
ーザ発振装置の概略構成を示す側断面図である。
供給路構造の他の例を示す側断面図である。
置の主要構成を示す模式図である。
る。
じる電流密度との関係を示す模式図である。
示す概略断面図である。
す概略断面図である。
す概略断面図である。
す概略断面図である。
す概略断面図である。
様子を示す概略平面図である。
す概略断面図である。
様子を示す概略断面図である。
す模式図である。
置の主要構成を示す模式図である。
の壁面を流れる電流の密度との関係を示す模式図であ
る。
るマイクロ波の強度分布を示す特性図である。
ットの形成部位と導波管の壁面を流れる電流の密度との
関係を示す模式図である。
トについて、スロット位置と放射エネルギー又は定在波
強度との関係を示す特性図である。
置の主要構成を示す模式図である。
を示す斜視図である。
々についてマイクロ波の定在波の相対関係を示す特性図
である。
置において、通常配置の導波管近傍を示す模式図であ
る。
置において、λg ピッチでλg /2の空間シフト及びλ
g /2の位相シフトを行なった場合の導波管近傍を示す
模式図である。
を示す斜視図である。
置の変形例において、通常配置の導波管近傍を示す模式
図である。
置の主要構成を示す模式図である。
式図である。
れてなる導波管近傍を示す概略断面図である。
れてなる導波管近傍を示す概略断面図である。
れてなる導波管近傍を示す概略断面図である。
である。
が形成されてなる導波管近傍を示す概略断面図である。
通路が形成されてなる導波管近傍を示す概略断面図であ
る。
が配された様子を示す概略断面図である。
填された様子を示す概略断面図である。
電界強度/中央部位の電界強度の比を示す特性図であ
る。
ザ発振装置の主要構成を示す模式図である。
ザ発振装置の導波管の具体的な様子を示す模式図であ
る。
置における遮蔽構造を示す模式図である。
置における遮蔽構造を示す概略断面図である。
置における遮蔽構造を示す概略断面図である。
置における遮蔽構造を示す模式図である。
置における遮蔽構造を示す概略断面図である。
置における遮蔽構造を示す概略断面図である。
ザ発振装置の主要構成を示す模式図である。
ザ発振装置の導波管の具体的な様子を示す模式図であ
る。
置におけるスロットを示す概略断面図である。
置におけるスロットを示す概略平面図である。
装置におけるスロットを示す概略断面図である。
装置におけるスロットを示す模式図である。
装置におけるスロットを示す概略平面図である。
ーザ発振装置の主要構成を示す模式図である。
ーザ発振装置の導波管の具体的な様子を示す模式図であ
る。
いて、スロット近傍に形成された電極の具体例を示す平
面図である。
いて、スロット近傍に形成された電極の具体例を示す平
面図である。
離補償によりプラズマの励起を均一化する様子を示す模
式図である。
を用いて予備電離補償を行う様子を示す模式図である。
射機構を示す断面図である。
照射を行う位置及び紫外線照射のための透過窓の位置を
示す模式図である。
照射によりプラズマの励起を均一化する様子を示す模式
図である。
ーザ発振装置の主要構成を示す模式図である。
ーザ発振装置の導波管の具体的な様子を示す模式図であ
る。
と、放射エネルギーを示す模式図である。
と、放射エネルギーを示す模式図である。
と、放射エネルギーを示す模式図である。
おけるマイクロ波により導波管壁に生じる電流を示す模
式図である。
と、導波管における配置を示す模式図である。
他の形状を示す模式図である。
他の形状を示す模式図である。
他の形状を示す模式図である。
示す模式図である。
示す模式図である。
示す模式図である。
スロットを示す斜視図である。
形状を示す概略断面図である。
振装置の主要構成を示す模式図である。
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
である。
体デバイスの製造工程のフロー図である。
フロー図である。
形成されるシースを説明するための概略断面図である。
図である。
ロット近傍での電界強度分布及びプラズマ強度を示す模
式図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 導波管から導波管壁に形成された複数の
微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することに
より前記レーザ管内のレーザガスを励起させてプラズマ
を生成し、前記プラズマから発せられる光を共振させて
レーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、 圧縮性気体を流入出させる流路を形成し、前記流路途中
の所定部位で前記圧縮性気体を所定速度に制御するガス
供給路構造を備え、 前記流路が前記所定部位で最も幅狭となる形状とされて
おり、 前記圧縮性気体の流入口と流出口との圧力比を両者の断
面積比で与えられる臨界圧力比以下とし、前記所定速度
を亜音速に制御し、 前記レーザ管内に、前記レーザガスの流れる方向に向か
って形成された開口からなる前記プラズマの遮蔽構造を
備えたことを特徴とするレーザ発振装置。 - 【請求項2】 導波管から導波管壁に形成された複数の
微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することに
より前記レーザ管内のレーザガスを励起させてプラズマ
を生成し、前記プラズマから発せられる光を共振させて
レーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、 前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所定距離
離間され、前記電磁波の通路が形成されており、 前記レーザ管内に、前記レーザガスの流れる方向に向か
って形成された開口からなる前記プラズマの遮蔽構造を
備えたことを特徴とするレーザ発振装置。 - 【請求項3】 導波管から導波管壁に形成された複数の
微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することに
より前記レーザ管内のレーザガスを励起させてプラズマ
を生成し、前記プラズマから発せられる光を共振させて
レーザ光を発生させるレーザ発振装置であって、 圧縮性気体を流入出させる流路を形成し、前記流路途中
の所定部位で前記圧縮性気体を所定速度に制御するガス
供給路構造を備え、 前記流路が前記所定部位で最も幅狭となる形状とされて
おり、 前記圧縮性気体の流入口と流出口との圧力比を両者の断
面積比で与えられる臨界圧力比以下とし、前記所定速度
を亜音速に制御し、 前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所定距離
離間され、前記電磁波の通路が形成され、 前記レーザ管内に、前記レーザガスの流れる方向に向か
って形成された開口からなる前記プラズマの遮蔽構造を
備えたことを特徴とするレーザ発振装置。 - 【請求項4】 導波管から導波管壁に形成された複数の
微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することに
より前記レーザ管内のレーザガスを励起させてプラズマ
を生成し、前記プラズマから発せられる光を共振させて
レーザ光を発生させるレーザ発振装置において、 以下の(A)〜(I)からなる構成要素群から選ばれた
2つ以上の任意の構成要素を組み合わせて備えることを
特徴とするレーザ発振装置。 (A)圧縮性気体を流入出させる流路を形成し、前記流
路途中の所定部位で前記圧縮性気体を所定速度に制御す
るガス供給路構造を備え、 前記流路が前記所定部位で最も幅狭となる形状とされて
おり、 前記圧縮性気体の流入口と流出口との圧力比を両者の断
面積比で与えられる臨界圧力比以下とし、前記所定速度
を亜音速に制御する構成要素。 (B)前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間が所
定距離離間され、前記電磁波の通路が形成された構成要
素。 (C)前記各微小間隙が、当該微小間隙に依存した電磁
波の放出特性が前記導波管内で伝搬される電磁波の強度
分布と相反するような部位に形成された構成要素。 (D)前記微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管
を狭持するように一対の前記導波管が設けられ、前記各
導波管内に同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で
対向する双方向からレーザガスの励起を行なう構成要
素。 (E)前記微小間隙が、前記導波管の長端面に形成され
ており、当該長端面の長手方向の中心線に沿って所定間
隔をおいて左右に等間隔で配置された構成要素。 (F)前記微小間隙上に励起する前記プラズマが所定領
域外へ拡散しないように、前記レーザ管内に遮蔽構造が
設けられた構成要素。 (G)前記微小間隙の短辺方向の幅が、前記微小間隙の
開口から前記短辺方向への前記電磁波の通路となるシー
スの厚みよりも短く形成された構成要素。 (H)前記微小間隙の近傍に少なくとも1つの電極を備
え、前記電極に所定の電流密度を与えることにより、前
記微小間隙上において前記レーザガスから発せられる光
の強度分布を均一化する構成要素。 (I)前記微小間隙の長手方向の端部における幅が中央
部における幅に比して幅広に形成された構成要素。 - 【請求項5】 照明光を発する光源である請求項1〜4
のいずれか1項に記載のレーザ発振装置と、 所定パターンの形成されたレチクルに前記レーザ発振装
置からの照明光を照射する第1光学系と、 前記レチクルを介した照明光を被照射面に照射する第2
光学系とを備え、 前記被照射面に前記レチクルの所定パターンを投影し露
光を行うことを特徴とする露光装置。 - 【請求項6】 被照射面に感光材料を塗布する工程と、 請求項5に記載の露光装置を用いて、前記感光材料が塗
布された前記被照射面に所定パターンの露光を行う工程
と、 前記所定パターンの露光が行われた前記感光材料を現像
する工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方
法。 - 【請求項7】 前記被照射面をウェハ面とし、当該ウェ
ハ面に半導体素子を形成することを特徴とする請求項6
に記載のデバイスの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN114698218A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-07-01 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 瞬态等离子体电子密度分布的七通道微波干涉仪测量方法 |
CN115068836A (zh) * | 2021-03-15 | 2022-09-20 | 湖南华创医疗科技有限公司 | 用于施源器的剂量调制方法 |
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-
1999
- 1999-03-19 JP JP07665499A patent/JP4295855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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US7723637B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-05-25 | Tohoku University | Plasma processing apparatus |
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