JP2000310724A - 積層可能なマルチファイバフェルール - Google Patents

積層可能なマルチファイバフェルール

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JP2000310724A
JP2000310724A JP2000061140A JP2000061140A JP2000310724A JP 2000310724 A JP2000310724 A JP 2000310724A JP 2000061140 A JP2000061140 A JP 2000061140A JP 2000061140 A JP2000061140 A JP 2000061140A JP 2000310724 A JP2000310724 A JP 2000310724A
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fiber ferrule
fiber
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Muhammed A Shahid
エー シャヒッド ムハメッド
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Lucent Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 積層可能なマルチファイバフェルールの組立
方法および組立ツールを提供する。 【解決手段】 本発明は、積層体内の支持部材を正確に
整合させる。さらに本発明は、積層可能なマルチファイ
バフェルールを組み立てるのに高い精度でもって繰り返
すことができる。かくして、本発明により組み立てられ
たマルチファイバフェルールは、高効率の光学接続が常
に可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバコネク
タに関し、特に、光ファイバリンボンを終端する積層可
能なフェルールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の進歩により光ファイバは、
幅広いバンド幅のアプリケーションにおいて非常にポピ
ュラーな伝送媒体となっている。特に光学技術は、高速
の光学チャネル上で行われるシステム間の通信のような
ブロードバンドのシステムにさらに用いられている。こ
のような傾向がますます勢いづくと回路基板，ラック／
棚，バックプレーン，分配用キャビネット等の搭載表面
を効率よく利用する必要性がますます重要となってきて
いる。
【０００３】産業界に広がるこのような期待を満たすた
めに、光電子モジュールと光ファイバデバイスは、さら
に小型化する必要があり、それにより成熟したマイクロ
電子技術および光学電子技術を利用してブロードバンド
サービスと低コストでエンドユーザの幅広いバンド幅の
需要に対しサービスを、提供し、送り、管理し、分配し
ている。かくして、産業界は、ルーセントテクノロジー
社からのＩＣコネクタのような小型の光学コネクタの開
発に力を注いでいる。
【０００４】しかし、この小型化は、伝送効率の要件に
より抑制されている。例えば、ギガビットのイーサネッ
ト（登録商標）のような新たな標準規格の出現により、
伝送効率がより一層必要不可欠なものとなり、その結果
光コネクタの性能もそれに応じてシステムの適正な動作
にとって重要なものとなりつつある。かくして、伝送効
率を犠牲にすることなく、そしてときには伝送効率を上
げながら素子を小型化する必要がある。
【０００５】光学モジュールと光ファイバデバイスを小
型化するに伴い、光ファイバの管理の複雑さが光学イン
タフェースと接続分配点において重要な問題となってい
る。その１つの解決方法は、マルチファイバ用リボンを
用いることであり、このリボンにおいては複数の光ファ
イバが組織化されプラスチック製のリボン上に並べてモ
ールドされている。シリコンのような単結晶材料製の２
個の支持部材の間に光ファイバを支持することにより、
これらのリボンケーブルを相互接続できる。この支持部
材内には、光リソグラフマスクとエッチング技術を用い
て形成されたＶ型溝が形成されている。光ファイバはこ
の支持部材内の個々のＶ型溝内に並べて配置され、それ
に対応したＶ型溝を有する他の支持部材をその光ファイ
バの上に配置し、この光ファイバを対応するＶ型溝の間
に高精度に配置し結合する。
【０００６】マルチファイバ用リボンを挟み込む上部支
持部材と下部支持部材は、クランプあるいは接着剤によ
り接合してマルチファイバ用コネクタのフェルールを形
成する。その後、同一のファイバ間隙を具備する２つの
適合するフェルールをつきあわせて配置して、それぞれ
のフェルールの光ファイバの端部が互いに同軸上に整合
するようにしてマルチファイバ用接続を形成する。必要
によっては、このようなフェルールを積層して相互接続
の密度を上げることもできる。
【０００７】マルチファイバ用リボンとコネクタは、光
学通信システムで多くのアプリケーションを有してい
る。例えば、光学スイッチ，光学パワースプリッタ／コ
ンバイナ，ルータ等のある種の光電子と光アプリケーシ
ョン仕様の集積回路（opticalapplication specific in
tegrated circuits＝ＯＡＳＩＣ）は、複数のファイバ
が接続されるような線形のアレイとして配列された数個
の入力ポートおよび／または出力ポートを有する。
【０００８】さらにまた、光ファイバは光学信号をこれ
らのデバイスに送信し、そしてこれらのデバイスから光
学信号を取り出すために何らかの形で取り付けられるた
め、このようなデバイスへの光ファイバのアレイをスプ
ライスすること（即ち、マルチファイバリボンを形成す
ること）は、マルチファイバコネクタを用いて行われ
る。さらに別のアプリケーションは、光学ファンアウト
ファブリークに関連し、このファブリークにおいては、
マルチファイバリボン内の光ファイバのアレイが分配す
る為にシンプレクスチャネルあるいはデュープレクスチ
ャネル内に分割されるものである。
【０００９】積み重ねられるか否かにかかわらず、マル
チファイバフェルールの光学効率の重要な要素は、互い
に適合するフェルールの整合性である。このため整合ピ
ンが用いられる。整合ピンは、それぞれのフェルールの
整合ピン用ホール内あるいはスロット内に収納され、フ
ェルールを互いに正確に整合して保持する。この整合ピ
ンは、通常光ファイバに並列に延び、フェルールと同様
な熱膨張係数を有する材料で形成される。
【００１０】米国特許第４，９７３，１２７号に開示さ
れた実施例においては、整合ピン用のホールは、支持部
材の光ファイバ用Ｖ型溝の反対側で側面方向に形成され
た溝で形成され、２つの支持部材を合わせたときに整合
ピン用ホールは、適合用整合用溝で規定される。米国特
許第５，６２０，６３４号においては、支持部材を積層
して相互接続の密度を増加させており、整合用スロット
は、光ファイバの各列、即ち全ての支持用部材のインタ
フェースに具備されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、イン
タフェースの標準に適合しながら内部接続の密度を上げ
て光学接続を最小にする構造体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ファイバ列の
間に緊密に積層可能なマルチファイバフェルールであ
り、その結果相互接続密度が増加する。本発明は一方の
側にのみ整合ピン用溝を有する内側支持部材を組み込む
ことにより、より密な積層が可能となる。このため内側
支持部材の厚さは、従来の支持部材のそれよりも薄く、
その理由は、本発明の内側支持部材は両方の側に対向す
る整合ピン用溝を有する必要はないからである。かくし
て、本発明の積層可能なマルチファイバフェルールは、
光ファイバの各列に対し、整合ピン用ホールを有さず交
互のファイバの上にのみ整合ピン用ホールを有する、即
ち隣接する支持部材の間で１つおきのインタフェースに
有する。積層可能なフェルール当たり最小の２個の整合
ピン用のホールがあり、この数は整合を位置する最小数
であり、対向するフェルールあるいはデバイスに対する
積層可能なフェルールの回転方向の動きを阻止できる。
したがって、本発明の積層可能なマルチファイバフェル
ールは、高効率の光学接続が可能となる。
【００１３】本発明の一態様によれば、積層可能なマル
チファイバフェルールは、第１と第２の外側支持部材
と、それらの間に配置された少なくとも１つの内部支持
部材とを有する。各外側支持部材は、第１表面に形成さ
れた第１の並列溝の列と、少なくとも第１の整合ピン用
溝とを有する。さらにまた各内側支持部材は、その第１
表面に形成された第２の並列溝の列と、その第２表面に
形成された第３の並列溝の列とを有する。各内部支持部
材は、第２の整合ピン用溝と第３の整合ピン用溝とを有
する。この内部支持部材は、第１と第２の外側支持部材
の間に配置されてインタフェースを形成し、第１と第２
の外側支持部材の第１の整合ピン用溝の一方と、内側支
持部材の第２と第３の整合ピン用溝の一方とはその第１
インタフェースにおいて、整合ピン用ホールを形成す
る。この第２の整合ピン用溝は、内側支持部材の第１表
面に形成され、第３の整合ピン用溝は、内側支持部材の
第２表面に形成される。別の構成例として、第２の整合
ピン用溝と第３の整合ピン用溝の両方は、内側支持部材
の第１表面の上に形成しても良い。
【００１４】本発明はさらに請求項２に記載した特徴を
有する。この積層可能なマルチファイバフェルールは、
前記第１と第２の外側支持部材の間に配置された複数の
同一の内側支持部材を有し、整合ピン用ホールは、全て
のインタフェースに形成されるのではなく、１つおきの
インタフェースに形成される。さらにまた、内側支持部
材は、請求項１４に記載した特徴を有する。
【００１５】本発明の他の態様によれば、本発明の積層
可能なマルチファイバフェルールシステムは、少なくと
も第１と第２の光ファイバリボンを終端し、その第１表
面に形成された第１の平行溝の列と、その第２表面に形
成された第２の平行溝の列を有する内側支持部材を有す
る。このフェルールシステムは、さらに内部支持部材を
挟み込むほぼ同一の第１と第２の外側支持部材を有し、
前記第１と第２の外側支持部材の各々は、その第１表面
に第３の平行溝の列を有する。
【００１６】第１光ファイバリボンは、前記第１の外側
支持部材の第１平行溝の列と、第３平行溝の列の間の第
１インタフェースで終端保持される。しかし、第２の光
ファイバリボンは、第２外側支持部材の第２平行溝の列
と第３平行溝の列との間に保持される。さらに内側支持
部材と第１の外側支持部材は、その第１インタフェース
に第１と第２の整合ピン用ホールを形成する適合した整
合ピン用溝を有する。本発明はさらに請求項１７，１８
に記載した特徴を有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施例の積層可
能なマルチファイバ用フェルール１０を示す。このフェ
ルール１０は同一の内部支持部材１４を挟み込んだ２個
の外側支持部材１２を有する。図１に示した実施例にお
いては、フェルール１０はマルチファイバリボン１６を
５個終端しているが、いかなる数のマルチファイバリボ
ン１６も終端可能である。
【００１８】この支持部材１２，１４は、マルチファイ
バリボン１６の光ファイバを互いに正確に離間して整合
して保持する平行なＶ型溝を有し、そして隣接する支持
部材のＶ型溝が適合するように合わせられる。かくし
て、マルチファイバリボン１６の個々のファイバは、フ
ェルール１０のフロントエンドフェース１８に対しほぼ
同一面となり、その結果ファイバは別のフェルールある
いはデバイスに光学的に結合される。
【００１９】本発明の一態様においては、支持部材１
２，１４内の整合ピン用の溝により形成された整合ピン
ホール２０が光ファイバの１つおきの列に形成され、即
ち隣接する支持部材の交互のインタフェースに形成され
る（言い換えると、整合ピンホール２０は積み重ねられ
た対向面に１つおきに形成される）。特に、内部支持部
材１４の整合ピン用の溝は、内部支持部材の反対側には
形成されない。ここに示した実施例においては、整合ピ
ン用の溝は一面にのみ形成されている。別の構成例とし
て、整合ピン用の溝は、対向する面上では互いに４５度
の角度をなすようにしてもよい。整合ピン用の溝は一面
にのみ形成されるため、内部支持部材１４は２つの対向
する整合ピン用の溝が形成できる程の厚さは必要ではな
く、従来の構成より薄くできる。したがってフェルール
１０の全体高さ即ち厚さが低減しそして全相互接続密度
が増加する。
【００２０】図２Ａ，Ｂに、外側支持部材１２の内側表
面３０と外側表面３２がそれぞれ示されている。外側支
持部材１２は前端部分３４と後端部分３６とを含む。マ
ルチファイバリボン１６の光ファイバを互いに整合した
位置で収納し保持する平行なＶ型溝３８の列が内側表面
３０の前端部分３４に形成されている。さらに内側表面
３０は、整合ピン用のＶ型溝４０と称する深いＶ型溝を
有し、これがＶ型溝３８の何れかの側に側面方向に配置
され、整合ピンを保持する大きさと形状をしている。
【００２１】整合ピン用のＶ型溝４０は、前端部分３４
から後端部分３６の方向に延びるが前端部分３４から後
端部分３６の方向に延び、そして内側表面３０の一端か
ら他端に延びている。Ｖ型溝３８，４０の間の側面方向
のスペースは、必要により光ファイバコネクタインタフ
ェースの標準に従って規定される。さらに、外側支持部
材１２が１２個のＶ型溝３８を具備しているが、１２個
よりも大きな数あるいは少ない数でもよい。例えば、デ
ュープレックスシステムにおいては、２個のＶ型溝３８
を有するが、他のシステムにおいては最大３２個のＶ型
溝を有する。
【００２２】後端部分３６はリボン用凹部４２を有し、
このリボン用凹部４２はリボンの個々の光ファイバが分
離されはぎ取られた点あるいはその近傍でマルチファイ
バリボン１６を保持する。このリボン用凹部４２は、隣
接する支持部材を接着するのに用いられる接着剤用のス
ペースを提供する。さらにまた、リボン用凹部４２は、
歪み開放素子用凹部４３を有し、マルチファイバリボン
の外部の応力開放素子の一端で、リップあるいは他の保
持用構造台を収納し係合している。
【００２３】ピン４４とスロット４６は、リボン用凹部
４２の何れかの側に具備され、隣接する支持部材を根元
部で整合し保持する。ピン４４とスロット４６は、隣接
する支持部材の側面方向の整合性を与え、その結果Ｖ型
溝の対応する列が互いに整合する。適合するＶ型溝は、
以下に述べるようにＶ型溝が個々のファイバに正確に整
合するような精度で製造される。
【００２４】これは、Ｖ型溝の側で正確に所定の整合性
をもって保持される個々の光ファイバを収納するため
に、各Ｖ型溝のオープンエンドあるいは上部で収納領域
を有するようにしたＶ型の設計に固有のものである。隣
接する支持部材の正確な整合性により隣接する支持部材
の適合するＶ型溝は、互いに見当が合わせられる。後端
部分３６の位置にある隆起部４８がフェルールが用いら
れるようなハウジング（図示せず）内のエンドストップ
を規定する。
【００２５】図２Ｃ、Ｄを参照すると、内部支持部材１
４の対向する第１表面５０と第２表面５２が示されてい
る。内部支持部材１４は前端部分５４と後端部分５６と
を有する。平行なＶ型溝５８の第１列は、前端部分５４
の第１表面５０に形成され、マルチファイバリボン１６
の光ファイバを収納し保持し、そしてより深い整合ピン
用の溝６０がＶ型溝５８の第１列の何れかの側の側面に
形成されている。さらにまた内部支持部材１４の第２表
面５２は並列なＶ型溝６２の第２列を有する。
【００２６】かくして内部支持部材１４は、隣接する支
持部材内に形成されたＶ型溝の対応する列に適合するよ
うに反対表面上のＶ型溝５８，６２の同一の整合列を含
む。さらにまたピン６４，６６とスロット６８，７０
は、内部支持部材１４のＶ型溝５８の位置における表面
５０，５２の上に形成され、外側支持部材１２について
説明したように隣接する支持部材を整合し保持する。さ
らにまた、リボン用凹部７１と歪み開放素子用凹部７３
が表面５０，５２の両方に形成され、これは外側支持部
材１２に説明したのと同じである。
【００２７】本発明によれば、内部支持部材１４は反対
表面上に整合ピン用の溝は有さない。具体的に図２Ｃと
Ｄの実施例を例に説明すると、第２表面５２は整合ピン
用のＶ型溝を有さない。しかし、別の構成例では、この
第２表面５２は第１表面５０内の整合ピン用溝６０に対
しずれている整合ピン用溝を有してもよい。しかし、ず
れた位置にある整合ピン用の溝を用いた場合には、Ｖ型
溝の列の何れかの側にある側面スペースが増加しある種
のアプリケーションにおいてはこれは受け入れられない
ものである。
【００２８】かくして、ある表面が整合ピン用の溝を有
している場合、あるいは反対側の表面上にずれた位置に
ある整合ピン用溝を有している場合の何れかにおいて
も、内側支持部材の厚さは従来の支持部材の厚さよりも
薄できるが、その理由は、支持部材は対向する整合ピン
用溝を収納できるほど厚くなる必要はないからである。
例えば図３を参照すると、内部支持部材の厚さ７２は、
この実施例においては、７４０μｍであるが、一方従来
の支持部材は２５００μｍの厚さを有する。したがって
内側支持部材の厚さを減らすことにより、より多くのマ
ルチファイバリボンを同一サイズのフェルールで終端で
き相互接続の密度が増加する。
【００２９】さらにまた、内部支持部材の厚さ７２は、
アレイ内の隣接するＶ型溝の中心間の距離７４がインタ
フェースにおけるＶ型溝の中心と隣接するインタフェー
スにおけるＶ型溝の中心との間の距離７６の正数倍とな
るようにするのが望ましい。したがって内部支持部材の
厚さ７２は約７４０μｍで、隣接する支持部材間のイン
タフェースにおけるスペースは約１０μｍで、その結
果、距離７６は、７５０（＝７４０＋１０）μｍとなり
２５０μｍの距離７４の正数倍（３倍）である。
【００３０】隣接する支持部材間に１０μｍの距離（隙
間）が存在することにより、２つの適合する支持部材
が、マルチファイバリボンを収納するよう配置されたと
きに、ファイバが圧縮状態にあるようになる。これによ
りその外径が公称偏差を有する光ファイバを適合するＶ
型溝の間に正確に整合できる。Ｖ型溝の制御は、適用可
能な相互接続インタフェース標準により制御するのが好
ましい。本明細書においては、Ｖ型溝の中心はＶ型溝内
に保持される光ファイバの中心である。かくしてより大
きなフレキシビリティは、積層可能なフェルールのイン
タフェース面が接続用フェルールのインタフェースに平
行あるいは直交するかによて得られる。
【００３１】かくして、フェルール積層体に各積み重ね
られた内部支持部材１４を積み重ねるすることにより、
整合ピン用の溝により形成された整合ピン用ホール２０
は、１つおきのインタフェース７５に形成される。この
構造体は図１と３に示したような光ファイバの列と称す
る。フェルール１０を光学的に結合される他のフェルー
ルに対し動かしながら十分に整合し固着するためには少
なくとも２本の整合ピンが必要である。本発明は光ファ
イバの各列に２つの整合用ホールを必ずしも具備しない
が、大部分のアプリケーションにおいては、十分な正確
さと剛性を与えかつ従来の設計に対しフェルール積層体
の全体圧さを低減させている。
【００３２】したがって本発明のフェルール１０は、２
個の外側支持部材１２と適宜の数の内部支持部材１４と
を用いることにより理論的には無数のマルチファイバリ
ボンを終端できる。２つの構造体素子のみが必要とされ
るが、本発明による積層可能なマルチファイバフェルー
ルの全体コストは、３個の構成素子を必要とするような
ほぼ同機能の積層可能なフェルールのそれよりも安い。
即ち支持部材は、２つのモールド（即ち、外側支持部材
１２用のものと内部支持部材１４用のもの）を使うプラ
スチック注入モールド技術を用いて形成されているから
である。これはさらにＶ型溝の精度を上げることができ
るが、その理由は隣り合う部品は同一のモールドから形
成されるからである。
【００３３】特に支持部材１２，１４は、米国特許第
５，３８８，１７４号、第５，６２０，６３４号、第
５，６０３，８７０号に記載された技術を用いて形成さ
れている。このプロセスは、１μｍのオーダーの精度で
もって、信頼性高く特徴物を形成できることが示されて
いる。一般的にこのプロセスは、次の通りである。まず
シリコンチップのような単結晶ボディを従来のマスキン
グとエッチング技術を用いて異方性エッチングを行いＶ
型溝を形成する。
【００３４】例えば、ＫＯＨ／水またはＥＤＰ／水の水
溶液がエッチング剤として用いられる。シリコンのエッ
チングレートは、マスク層のエッチングレートよりも数
桁速いので、マスクされていない部分は、エッチング溶
剤に曝されたときには、エッチングで除去され、それに
よりシリコンの｛１１１｝結晶面に沿ってＶ型溝が形成
される。マスクパターンとエッチングプロセスを正確に
制御することにより、所定の間隔，幅，深さが正確な溝
がシリコンウェハに形成される。
【００３５】光ファイバ用のＶ型溝は、必ずしもＶ字形
状をしているわけではない。例えば、光ファイバと整合
ピンは断面が丸いためにＶ型の底部は、整合ピン用のＶ
型溝４０，６０と同様に台形となっている。台形の場合
には、整合ピン用のＶ型溝４０，６０は、整合ピン用に
十分なクリアランスを提供できるほど深くなければなら
ない。溝の深さと底部は機能的には問題とならない。し
かし、溝の深さは支持部材の必要な構造強度により制限
され、特に支持部材の一部が整合ピン用の溝を規定して
いる場合にはその深さは制限される。
【００３６】後続のモールドプロセスの間、プラスチッ
クが収縮するために、シリコンチップ上のＶ型溝および
その間隔のような特徴物は、意図した最終支持部材の寸
法よりも若干大きく作らなければならない。その後薄い
金属層をＶ型溝の上に電気的手法により形成する。その
後、シリコンボディを例えばＨＦ，ＨＮＯ3と水あるい
はＫＯＨと水（あるいは他のシリコンのエッチング剤）
でエッチングすることにより除去する。
【００３７】この実施例においては、金属層はシリコン
ウェハ上に電気メッキによるニッケル層として形成され
る。ニッケルが好ましいのは、適正な硬度（例えば、〜
５０ロックウェル）で従来の電気的方法により形成され
るという理由からである。電気的に形成された金属層は
シリコンウェハチップの逆レプリカを構成し、これはＶ
型溝を規定する注入モデルの挿入物としておよび支持部
材１２，１４の他の特徴物として用いるために機械加工
される。
【００３８】最適なモールド条件を見つけ出すために、
注入モールドについて実験を行った。この実験は最も適
切なモールド用化合物と平滑な表面を形成するためのモ
ールドパラメータそして最も重要なモールドの収縮率を
選択するためである。この実験により最適な結果が得ら
れる動作パラメータが決定される。支持部材を形成する
好ましい材料は フッ化ポリフェニレン（polyphenylene
sulfide：ＰＰＳ）であり、この収縮率は元のシリコン
マスタの寸法に対し０．４％収縮するだけである。した
がってシリコンマスタの寸法は最終の所望の寸法よりも
０．４％大きくなければならない。支持部材１２，１４
を結合するために様々な種類の光学接着剤は用いられ
た。例えば、Ｅｐｏ−Ｔｅｋ３５３ＮＤであり、これは
マサチューセッツ州ビレリカのエポキシテクノロジー社
から市販されている。
【００３９】次に図４を参照すると、本発明の積層可能
なマルチファイバ用フェルール１０が用いられる代表的
なアプリケーションが示されており、このアプリケーシ
ョンは、マルチファイバリボン１６がフェルール１０で
終端し、２個の単一リボン用フェルール１１０，２１０
と３リボン用フェルール３１０にファンアウトされる分
配点が示されている。光ファイバは、独立の光学回路ま
たは全ての光ファイバを照射する１個のブロード光学ソ
ースに結合されるかあるいはスイッチまたは分配点で選
択的にタップオフされる。
【００４０】さらにまた、単一リボン用フェルール１１
０は、別の単一リボン用フェルール４１０に接続され、
このフェルール４１０が個々の光ファイバ１１６を終端
する。光ファイバ１１６は、シングルファイバあるいは
マルチファイバのフェルール５１０が複数からなる構成
にファンアウトされる。かくして、光ファイバ１１６は
シングル光ファイバあるいはマルチ光ファイバである。
しかし、この実施例は本発明による積層可能なフェルー
ルにより効率よく達成されるファンアウトの数個の組合
せを示したものである。
【００４１】本発明の他の実施例においては接続密度が
増加し、本発明により組み立てられたマルチファイバの
積層可能なフェルールの正確なファイバの整合性のため
に、積層可能なマルチファイバフェルールは、面発光レ
ーザ（surface emitting lasers＝ＳＥＬ）あるいは回
路基板上に正確な間隔をもって形成された個別のディス
クリート部品のような面発光／受光デバイスのアレイに
そのフェース端部を搭載できる。積層可能なマルチファ
イバフェルールで終端される光ファイバは、表面デバイ
スに接続され、それにより単一の素子が各光ファイバと
当接して配置される。これにより低いプロファイルのデ
バイスの接続が達成できる。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の組立体ツー
ルとその組立方法により複数の内側支持部材と２個の外
側支持部材を正確に整合して本発明のマルチファイバフ
ェルールが形成される。特に、本発明は余分の部品ある
いはプロセスを必要とせずに、効率的にかつ繰り返し可
能に複数の内側支持部材と外側支持部材を組み立てるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による積層可能なマルチファ
イバフェルールの斜視図
【図２】Ａ 本発明の一実施例による外側支持部材の上
面斜視図 Ｂ 本発明の一実施例による外側支持部材の底面斜視図 Ｃ 本発明の一実施例による内部支持部材の上面斜視図 Ｄ 本発明の一実施例による内部支持部材の底部斜視図
【図３】図１の積層可能なマルチファイバフェルールの
前面図
【図４】本発明の一実施例による積層可能なマルチファ
イバフェルールを用いたマルチファイバリボンのファン
アウトと個々のファイバを示す図
【符号の説明】
１０ 積層可能なマルチファイバ用フェルール １２ 外側支持部材 １４ 内部支持部材 １６ マルチファイバリボン １８ フロントエンドフェース ３０ 内側表面 ３２ 外側表面 ３４，５４ 前端部分 ３６，５６ 後端部分 ３８，５８，６２ Ｖ型溝 ４０ 整合ピン用のＶ型溝 ４２，７１ リボン用凹部 ４３，７３ 歪み開放素子用凹部 ４４，６４，６６ ピン ４６，６８，７０ スロット ４８ 隆起部 ５０ 第１表面 ５２ 第２表面 ７２ 厚さ ７４，７６ 距離 ７５ インタフェース １１０，２１０，４１０ 単一リボン用フェルール １１６ 光ファイバ ３１０ ３リボン用フェルール ５１０ フェルール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ムハメッド エー シャヒッド アメリカ合衆国、30078 ジョージア、ス ネルビル、マナー ブルック コート 2880

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１表面（３０）に形成された第１の平
    行な溝の列（３８）と第１の整合ピン用溝（４０）とを
    有する第１と第２の外側支持部材（１２）と、 第１表面（５０）に形成された第２の平行な溝の列（５
    ８）と、第２表面（５２）に形成されたに形成された第
    ３の平行な溝の列（６２）とを有する内側支持部材（１
    ４）と、を有する積層可能なマルチファイバフェルール
    （１０）において、 前記内側支持部材（１４）は、第２の整合ピン用溝（６
    ０）と第３の整合ピン用溝（６０）とを有し、 前記内側支持部材（１４）は、前記第１と第２の外側支
    持部材（１２）の間に配置されて少なくとも１つのイン
    タフェース（７５）を形成し、 前記第１と第２の外側支持部材（１２）の一方の前記第
    １の整合ピン用溝（４０）の１つと前記内部支持部材の
    前記第２と第３の整合ピン用溝（６０）の一方が前記第
    １のインタフェースにおいて整合ピン用ホール（２０）
    を形成することを特徴とする積層可能なマルチファイバ
    フェルール。
  2. 【請求項２】 前記内側支持部材（１４）と、前記第１
    と第２の外側支持部材（１２）の一方との間に配置され
    た第２の内側支持部材（１４）をさらに有し、 前記第２の内側支持部材（１４）と前記第１と第２の外
    側支持部材（１２）の一方との間に第２のインタフェー
    ス（７５）を形成し、 前記内側支持部材と前記第２の内側支持部材との間に第
    ３のインタフェース（７５）を形成し、 前記第２の内側支持部材（１４）は、さらに第４と第５
    の整合ピン用溝（６０）を有し、 前記第１と第２の外側支持部材の一方の前記第１の整合
    ピン用溝の１つと、前記第４と第５の整合ピン用溝の一
    方とが前記第２インタフェース（７５）において、第２
    の整合ピン用ホール（２０）を形成することを特徴とす
    る請求項１記載の積層可能なマルチファイバフェルー
    ル。
  3. 【請求項３】 前記第２の平行溝の列は、中心間が所定
    の等距離側面方向に離間しているＶ型溝を有し、 前記所定距離は、前記第１インタフェースと前記第２イ
    ンタフェースとの間の距離の整数倍あるいは整数分の１
    であることを特徴とする請求項２記載の積層可能なマル
    チファイバフェルール。
  4. 【請求項４】 前記第２の整合ピン用溝は、第１表面に
    形成され、 前記第３の整合ピン用溝は、前記内側支持部材の第２表
    面に形成されることを特徴とする請求項１記載の積層可
    能なマルチファイバフェルール。
  5. 【請求項５】 前記第２の整合ピン用溝と第３の整合ピ
    ン用溝は、前記内側支持部材の第１表面に形成されるこ
    とを特徴とする請求項１記載の積層可能なマルチファイ
    バフェルール。
  6. 【請求項６】 前記第１外側支持部材の第１の平行溝列
    と前記内側支持部材の第２の平行溝列は、前記第１イン
    タフェースで互いに整合していることを特徴とする請求
    項１記載の積層可能なマルチファイバフェルール。
  7. 【請求項７】 前記第１と第２の外側支持部材（１２）
    の間に実質的に同一の内側支持部材（１４）を複数個有
    し、 それにより形成された整合ピン用溝のホールが交互のイ
    ンタフェースに形成されることを特徴とする請求項１記
    載の積層可能なマルチファイバフェルール。
  8. 【請求項８】 前記第１と第２の外側支持部材の各々
    は、その第１表面にノッチ（６４）とスロット（６８）
    とを有することを特徴とする請求項１記載の積層可能な
    マルチファイバフェルール。
  9. 【請求項９】 前記内側支持部材は、前記第１と第２の
    表面にノッチ（６４、６６）とスロット（６８、７０）
    を有することを特徴とする請求項１記載の積層可能なマ
    ルチファイバフェルール。
  10. 【請求項１０】 前記第１と第２の外側支持部材（１
    ２）は同一であることを特徴とする請求項１記載の積層
    可能なマルチファイバフェルール。
  11. 【請求項１１】 前記第１と第２の外側支持部材（１
    ２）と前記内部支持部材（１４）は注入モールドされた
    プラスチック製であることを特徴とする請求項１記載の
    積層可能なマルチファイバフェルール。
  12. 【請求項１２】 前記積層可能なマルチファイバフェル
    ールは、基板に搭載された面発光レーザの列に光学的に
    結合されることを特徴とする請求項１記載の積層可能な
    マルチファイバフェルール。
  13. 【請求項１３】 前記内側支持部材（１４）の厚さは７
    ４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の積
    層可能なマルチファイバフェルール。
  14. 【請求項１４】 前記第２整合ピン用溝は、前記内側支
    持部材の第１表面に形成され、 前記第２整合ピン用溝の深さは、前記内側支持部材用の
    厚さに関し、整合ピン用溝が前記第２整合ピン用溝に対
    向する前記内側支持部材の第２表面に形成されないよう
    にすることを特徴とする請求項１記載の積層可能なマル
    チファイバフェルール。
  15. 【請求項１５】 第１と第２の光ファイバリボンを終端
    する積層可能なマルチファイバフェルールシステムにお
    いて、 第１表面に形成された第１の平行な溝の列と第２表面に
    形成された第２の平行な溝の列とを有する内側支持部材
    と、 前記内側支持部材を挟み込む同一の第１と第２の外側支
    持部材と、を有し、 前記第１と第２の外側支持部材は、その第１表面に形成
    された第３の平行な溝の列を有し、 前記第１の光ファイバリボンは、前記第１の外側支持部
    材の第１の並列溝の列と第３の並列溝の列との間の第１
    インタフェースで終端しかつ保持され、 前記内側支持部材と前記第１の外側支持部材は、前記第
    １インタフェースで整合ピン用のホールを形成する適合
    した整合ピン用溝を含むことを特徴とする積層可能なマ
    ルチファイバフェルールシステム。
  16. 【請求項１６】 前記第２の光ファイバリボンは、前記
    第２の外側支持部材の前記第２の平行溝の列と第３の平
    行溝の列との間に保持されることを特徴とする請求項１
    ５記載の積層可能なマルチファイバフェルールシステ
    ム。
  17. 【請求項１７】 前記内側支持部材と前記第１の外側支
    持部材は、前記第１インタフェースで第２整合ピン用ホ
    ールを形成する適合した整合ピン用溝を含むことを特徴
    とする請求項１５記載の積層可能なマルチファイバフェ
    ルールシステム。
  18. 【請求項１８】 前記第１の光ファイバリボンは、 前記積層可能なマルチファイバフェルールで終端する第
    一端と、 前記積層可能なマルチファイバフェルールで終端する第
    二端とを有することを特徴とする請求項１５記載の積層
    可能なマルチファイバフェルールシステム。
  19. 【請求項１９】 前記第１の光ファイバリボンは、それ
    ぞれの端部を有する複数の光ファイバを有し、 前記光ファイバの第１部分は、第２の積層可能なマルチ
    ファイバフェルールによりそれぞれの端部で終端し、前
    記複数の光ファイバフェルールの第２部分は、第３の積
    層可能なマルチファイバフェルールによりそれぞれの端
    部で終端することを特徴とする請求項１５記載の積層可
    能なマルチファイバフェルールシステム。
  20. 【請求項２０】 前記第１と第２の外側支持部材の間に
    複数の内側支持部材を有し、 それにより形成された整合ピン用溝のホールが交互のイ
    ンタフェースに形成されることを特徴とする請求項１５
    記載の積層可能なマルチファイバフェルールシステム。
  21. 【請求項２１】 前記積層可能なマルチファイバフェル
    ールは、基板に搭載された表面放射レーザの列に光学的
    に結合されることを特徴とする請求項１５記載の積層可
    能なマルチファイバフェルールシステム。
  22. 【請求項２２】 前記内側支持部材は、第１整合ピン用
    溝を有し、 前記第１整合ピン用溝の深さは、前記内側支持部材の厚
    さに対し、第２整合ピン用溝が前記第１整合ピン用溝に
    対向して前記内側支持部材の第２表面上に形成されない
    ようにすることを特徴とする請求項１５記載の積層可能
    なマルチファイバフェルールシステム。
  23. 【請求項２３】 積層可能なマルチファイバフェルール
    の内側支持部材において、 第１と第２の対向した表面を有する内側支持部材と、 前記内側支持部材ボディと、 前記内側支持部材ボディは、第１と第２のそれぞれの表
    面内に平行な溝の列を規定し、前記内側支持部材ボディ
    は、前記第１表面を介して少なくとも１つの整合ピン用
    溝開口を有し、第２表面により規定された整合ピン用溝
    と整合している前記内側支持部材ボディの第２表面の一
    部は平面状であり、第２整合ピン用溝が形成されていな
    いことを特徴とする積層可能なマルチファイバフェルー
    ルの内部支持部材。
  24. 【請求項２４】 前記整合ピン用溝の深さはその厚さに
    対し、第２整合ピン用溝は、整合ピン用溝が対向する内
    側支持部材の第２表面内には形成されないことを特徴と
    する請求項２３記載の支持部材。
  25. 【請求項２５】 前記整合ピン用溝の深さは、内側支持
    部材の厚さの５０％以上であることを特徴とする請求項
    ２３記載の支持部材。
  26. 【請求項２６】 前記内側支持部材ボディの厚さは、７
    ４０μｍ以下であることを特徴とする請求項２３記載の
    支持部材。
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