JP2000309888A - Ｉｔｏ膜除去用組成物及びこれを用いたｉｔｏ膜除去方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜除去用組成物及びこれを用いたｉｔｏ膜除去方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＴＯ膜を効率的に除去でき、且つ、ＩＴＯ
膜がメタルマスク等の金属上にある場合においても、実
用上該金属を腐食させること無くＩＴＯ膜を効率的に除
去することのできるＩＴＯ膜除去用組成物及びＩＴＯ膜
除去方法の提供。 【解決手段】 必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；及び界面活性剤０．０１〜
５重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩ
ＴＯ膜除去用組成物。
膜がメタルマスク等の金属上にある場合においても、実
用上該金属を腐食させること無くＩＴＯ膜を効率的に除
去することのできるＩＴＯ膜除去用組成物及びＩＴＯ膜
除去方法の提供。 【解決手段】 必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；及び界面活性剤０．０１〜
５重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩ
ＴＯ膜除去用組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＴＯ膜除去用組成
物及びこれを使用したＩＴＯ膜除去方法に関するもので
あり、特に金属上のＩＴＯ膜を除去するのに適したＩＴ
Ｏ膜除去用組成物及びＩＴＯ膜除去方法に関するもので
ある。例えば、本発明はメタルマスク上のスパッタＩＴ
Ｏ膜の剥離に利用する事ができる。
物及びこれを使用したＩＴＯ膜除去方法に関するもので
あり、特に金属上のＩＴＯ膜を除去するのに適したＩＴ
Ｏ膜除去用組成物及びＩＴＯ膜除去方法に関するもので
ある。例えば、本発明はメタルマスク上のスパッタＩＴ
Ｏ膜の剥離に利用する事ができる。
【０００２】
【従来の技術】フラットディスプレイパネルに使用され
る基板の製法には、ベースとなるガラス基板、ソ−ダガ
ラスまたは無機アルカリガラス基板上に、電極として透
明導電膜であるＩＴＯ膜（インジウムティンオキサイ
ド）をスパッタリングにより形成する工程がある。その
後、超音波洗浄、レジスト形成を経て、エッチングによ
る回路形成が一般的に行われている。このような方法に
おいては、例えば無機アルカリガラス基板上にＩＴＯ膜
をスパッタするにあたり、該基板を高周波マグネトロン
スパッタ装置に取り付けて行われるが、基板を固定し、
目的の蒸着をする箇所以外をマスクする目的でメタルマ
スク（金属マスク）が使用されている。一般的にメタル
マスクの材質として熱膨張率、強度、耐食性に優れたス
テンレス鋼ＳＵＳ４３０材、または４２アロイ合金材が
使用されている。このようなメタルマスクには、マスク
の性質上どうしてもＩＴＯ膜が付着することになるが、
このようなＩＴＯ膜がマスクから脱落しガラス基板上に
付着すると不良の原因になるので、スパッタリングが行
われる前にＩＴＯ膜の脱落防止を目的として、粉体によ
るサンドブラスト研磨処理による表面粗化が行われてい
るのが一般的である。ガラス基板は用途にも異なるが、
一枚当たり約１，０００〜３，０００ÅのＩＴＯ膜がス
パッタされ、メタルマスクはこのような処理を通常１０
〜２０サイクルにわたって使用される。この時点で、メ
タルマスク上からＩＴＯ膜の脱落が出始めるため、不良
防止のため使用メタルマスクを廃棄するか、または再使
用のため再生処理が行なわれている。最も普及している
再生法としては、粉体によるサンドブラスト研磨処理が
行われており、洗浄、乾燥工程を経て再利用されてい
る。
る基板の製法には、ベースとなるガラス基板、ソ−ダガ
ラスまたは無機アルカリガラス基板上に、電極として透
明導電膜であるＩＴＯ膜（インジウムティンオキサイ
ド）をスパッタリングにより形成する工程がある。その
後、超音波洗浄、レジスト形成を経て、エッチングによ
る回路形成が一般的に行われている。このような方法に
おいては、例えば無機アルカリガラス基板上にＩＴＯ膜
をスパッタするにあたり、該基板を高周波マグネトロン
スパッタ装置に取り付けて行われるが、基板を固定し、
目的の蒸着をする箇所以外をマスクする目的でメタルマ
スク（金属マスク）が使用されている。一般的にメタル
マスクの材質として熱膨張率、強度、耐食性に優れたス
テンレス鋼ＳＵＳ４３０材、または４２アロイ合金材が
使用されている。このようなメタルマスクには、マスク
の性質上どうしてもＩＴＯ膜が付着することになるが、
このようなＩＴＯ膜がマスクから脱落しガラス基板上に
付着すると不良の原因になるので、スパッタリングが行
われる前にＩＴＯ膜の脱落防止を目的として、粉体によ
るサンドブラスト研磨処理による表面粗化が行われてい
るのが一般的である。ガラス基板は用途にも異なるが、
一枚当たり約１，０００〜３，０００ÅのＩＴＯ膜がス
パッタされ、メタルマスクはこのような処理を通常１０
〜２０サイクルにわたって使用される。この時点で、メ
タルマスク上からＩＴＯ膜の脱落が出始めるため、不良
防止のため使用メタルマスクを廃棄するか、または再使
用のため再生処理が行なわれている。最も普及している
再生法としては、粉体によるサンドブラスト研磨処理が
行われており、洗浄、乾燥工程を経て再利用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、粉体に
よるサンドブラスト研磨処理は、粉体を高圧で噴射して
行う方法で、処理は各１メタルマスク毎行い、場合によ
っては部品を解体して行うため処理枚数に限りがある。
また、粉体で処理を行うためメタルマスクの隙間に粉体
が入り、その除去の後処理を十分に行う必要がある。さ
らに、液晶用ガラス基板製造はクリーンルーム内で作業
を行うため、粉体によるサンドブラスト処理は工程に組
むのは難しいという問題がある。
よるサンドブラスト研磨処理は、粉体を高圧で噴射して
行う方法で、処理は各１メタルマスク毎行い、場合によ
っては部品を解体して行うため処理枚数に限りがある。
また、粉体で処理を行うためメタルマスクの隙間に粉体
が入り、その除去の後処理を十分に行う必要がある。さ
らに、液晶用ガラス基板製造はクリーンルーム内で作業
を行うため、粉体によるサンドブラスト処理は工程に組
むのは難しいという問題がある。
【０００４】一方で、酸性ＩＴＯ膜除去剤を用いる方法
もあるが、メタルマスク上にスパッタされたＩＴＯ膜は
度重なる処理により膜質が黒化した亜酸化物に変質し、
通常の酸処理では均一な剥離が難しいものであった。ま
た、メタルマスクの再生目的は、素地材料であるステン
レス鋼ＳＵＳ４３０材または４２アロイ材上にスパッタ
されたＩＴＯ膜を完全に除去（剥離）することにある
が、膜厚が数ミクロンに達する事もあり、完全に除去す
べく強力な酸性処理剤を使用するとメタルマスクを腐食
させやすく、メタルマスクにおいて素地材であるステン
レス鋼材または４２アロイ合金材上に腐食、ピンホー
ル、メタルマスク表面にスマット等の腐食絶縁膜が存在
すると不良の原因になり、また、腐食が進み金属表面が
滑らかになりすぎるた場合も、スパッタ時にＩＴＯ膜が
メタルマスク上から部分脱落し不良を起す原因になる。
なお、酸処理剤を希薄なものにしたり弱い酸処理剤を使
用した場合は腐食の問題はないものの、満足のいくＩＴ
Ｏ膜除去は不可能であった。これらのことから、クリー
ンルーム内で簡単にＩＴＯ膜の除去（剥離）処理がで
き、また素地材であるステンレス鋼材または４２アロイ
材を実質的に侵さないＩＴＯ膜除去剤が求められてい
る。
もあるが、メタルマスク上にスパッタされたＩＴＯ膜は
度重なる処理により膜質が黒化した亜酸化物に変質し、
通常の酸処理では均一な剥離が難しいものであった。ま
た、メタルマスクの再生目的は、素地材料であるステン
レス鋼ＳＵＳ４３０材または４２アロイ材上にスパッタ
されたＩＴＯ膜を完全に除去（剥離）することにある
が、膜厚が数ミクロンに達する事もあり、完全に除去す
べく強力な酸性処理剤を使用するとメタルマスクを腐食
させやすく、メタルマスクにおいて素地材であるステン
レス鋼材または４２アロイ合金材上に腐食、ピンホー
ル、メタルマスク表面にスマット等の腐食絶縁膜が存在
すると不良の原因になり、また、腐食が進み金属表面が
滑らかになりすぎるた場合も、スパッタ時にＩＴＯ膜が
メタルマスク上から部分脱落し不良を起す原因になる。
なお、酸処理剤を希薄なものにしたり弱い酸処理剤を使
用した場合は腐食の問題はないものの、満足のいくＩＴ
Ｏ膜除去は不可能であった。これらのことから、クリー
ンルーム内で簡単にＩＴＯ膜の除去（剥離）処理がで
き、また素地材であるステンレス鋼材または４２アロイ
材を実質的に侵さないＩＴＯ膜除去剤が求められてい
る。
【０００５】従って本発明の目的は、ＩＴＯ膜を効率的
に除去でき、且つ、ＩＴＯ膜がメタルマスク等の金属上
にある場合においても、実用上該金属を腐食させること
無くＩＴＯ膜を効率的に除去することのできるＩＴＯ膜
除去用組成物及びＩＴＯ膜除去方法を提供することにあ
る。
に除去でき、且つ、ＩＴＯ膜がメタルマスク等の金属上
にある場合においても、実用上該金属を腐食させること
無くＩＴＯ膜を効率的に除去することのできるＩＴＯ膜
除去用組成物及びＩＴＯ膜除去方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記した問
題点に鑑みて、鋭意研究の結果本発明に到達した。即
ち、本発明は、必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；及び界面活性剤０．０１〜
５重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩ
ＴＯ膜除去用組成物を提供するものである。また本発明
は、必須の成分として塩酸０．５〜１５重量％；燐酸及
びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以上の酸０．
５〜１５重量％；界面活性剤０．０１〜５重量％；及び
ポリアミン及び／又はその塩酸塩０．１〜５重量％を含
有する水溶液から成ることを特徴とするＩＴＯ膜除去用
組成物を提供するものである。また本発明は、カルボン
酸が、蟻酸、酢酸、乳酸及び蓚酸からなる群から選ばれ
る１種以上のカルボン酸である前記のＩＴＯ膜除去用組
成物を提供するものである。また本発明は、界面活性剤
が非イオン性界面活性剤及び／又は両性界面活性剤であ
る前記のＩＴＯ膜除去用組成物を提供するものである。
また本発明は、ポリアミン及び／又はその塩酸塩が、重
量平均分子量１００００〜１０００００のポリアクリル
アミン、ポリアリルアミン及びポリビニルピリジンから
なる群から選ばれる１種以上のポリアミン及び／又はそ
の塩酸塩である前記のＩＴＯ膜除去用組成物を提供する
ものである。また本発明は、金属上のＩＴＯ膜除去にあ
たり、前記のＩＴＯ膜除去用組成物を用いて金属上のＩ
ＴＯ膜を除去することを特徴とするＩＴＯ膜除去方法を
提供するものである。
題点に鑑みて、鋭意研究の結果本発明に到達した。即
ち、本発明は、必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；及び界面活性剤０．０１〜
５重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩ
ＴＯ膜除去用組成物を提供するものである。また本発明
は、必須の成分として塩酸０．５〜１５重量％；燐酸及
びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以上の酸０．
５〜１５重量％；界面活性剤０．０１〜５重量％；及び
ポリアミン及び／又はその塩酸塩０．１〜５重量％を含
有する水溶液から成ることを特徴とするＩＴＯ膜除去用
組成物を提供するものである。また本発明は、カルボン
酸が、蟻酸、酢酸、乳酸及び蓚酸からなる群から選ばれ
る１種以上のカルボン酸である前記のＩＴＯ膜除去用組
成物を提供するものである。また本発明は、界面活性剤
が非イオン性界面活性剤及び／又は両性界面活性剤であ
る前記のＩＴＯ膜除去用組成物を提供するものである。
また本発明は、ポリアミン及び／又はその塩酸塩が、重
量平均分子量１００００〜１０００００のポリアクリル
アミン、ポリアリルアミン及びポリビニルピリジンから
なる群から選ばれる１種以上のポリアミン及び／又はそ
の塩酸塩である前記のＩＴＯ膜除去用組成物を提供する
ものである。また本発明は、金属上のＩＴＯ膜除去にあ
たり、前記のＩＴＯ膜除去用組成物を用いて金属上のＩ
ＴＯ膜を除去することを特徴とするＩＴＯ膜除去方法を
提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のＩＴＯ膜除去用組成物及
びこれを用いたＩＴＯ膜除去方法は、液晶用ガラス基板
にスパッタＩＴＯ膜を蒸着する場合等、マスクとして使
用され蒸着されたメタルマスク上等の金属上のＩＴＯ膜
を除去（剥離）、再生するのに有用であるが、必ずしも
これらのみに限定されるものでない。説明の都合上、以
下にメタルマスク上にスパッタされたＩＴＯ膜の除去
（剥離）を例にして、さらに本発明について詳しく説明
する。
びこれを用いたＩＴＯ膜除去方法は、液晶用ガラス基板
にスパッタＩＴＯ膜を蒸着する場合等、マスクとして使
用され蒸着されたメタルマスク上等の金属上のＩＴＯ膜
を除去（剥離）、再生するのに有用であるが、必ずしも
これらのみに限定されるものでない。説明の都合上、以
下にメタルマスク上にスパッタされたＩＴＯ膜の除去
（剥離）を例にして、さらに本発明について詳しく説明
する。
【０００８】メタルマスクに使用される素地材料は、ス
テンレス鋼ＳＵＳ４３０材で、Ｆｅ−１８％Ｃｒ合金、
あるいは、４２アロイ材はＦｅ−４２％Ｎｉ合金が多く
使用されている。液晶パネルに使用されるガラス基板
は、駆動電極としてＩＴＯ透明導電膜がスパッタされ
る。ここで使用されるメタルマスクはマスクとしてまた
取り付けジグを兼ねており、高周波スパッタリング装置
に取り付け、ＩＴＯ膜のスパッタを行うが、処理サイク
ルを重ねていくとメタルマスク上にＩＴＯ膜が堆積さ
れ、ある時点で蒸着ＩＴＯ膜の一部が脱落し、ガラス基
板への付着を起こし不良の原因になるため、この時点で
メタルマスクの交換となる。本発明はこの工程で使用さ
れるメタルマスクの再使用を目的としたスパッタＩＴＯ
膜除去（剥離）に有用である。
テンレス鋼ＳＵＳ４３０材で、Ｆｅ−１８％Ｃｒ合金、
あるいは、４２アロイ材はＦｅ−４２％Ｎｉ合金が多く
使用されている。液晶パネルに使用されるガラス基板
は、駆動電極としてＩＴＯ透明導電膜がスパッタされ
る。ここで使用されるメタルマスクはマスクとしてまた
取り付けジグを兼ねており、高周波スパッタリング装置
に取り付け、ＩＴＯ膜のスパッタを行うが、処理サイク
ルを重ねていくとメタルマスク上にＩＴＯ膜が堆積さ
れ、ある時点で蒸着ＩＴＯ膜の一部が脱落し、ガラス基
板への付着を起こし不良の原因になるため、この時点で
メタルマスクの交換となる。本発明はこの工程で使用さ
れるメタルマスクの再使用を目的としたスパッタＩＴＯ
膜除去（剥離）に有用である。
【０００９】本発明で使用する組成物中の塩酸は、組成
物中に純分として０．５〜１５重量％配合され、好まし
くは孔喰性、ピンホール、スマット（絶縁不導体膜形
成）の点から０．５〜５重量％がよい。なお、本発明で
いう重量％は、組成物全体の重量を基準にしている。
０．５重量％未満であるとＩＴＯ膜除去効果が不充分で
あり、１５重量％を超えると孔喰、ピンホールの腐食性
の観点から問題となる。塩酸は３５重量％水溶液として
市場から入手できるものが使用でき、比重は１．１８０
である。組成物中の塩酸は、ＩＴＯ膜を破壊する作用を
有し、本発明の組成物中において上記範囲で任意に調整
することで膜厚、膜質に応じた除去（剥離）速度を調節
できる。
物中に純分として０．５〜１５重量％配合され、好まし
くは孔喰性、ピンホール、スマット（絶縁不導体膜形
成）の点から０．５〜５重量％がよい。なお、本発明で
いう重量％は、組成物全体の重量を基準にしている。
０．５重量％未満であるとＩＴＯ膜除去効果が不充分で
あり、１５重量％を超えると孔喰、ピンホールの腐食性
の観点から問題となる。塩酸は３５重量％水溶液として
市場から入手できるものが使用でき、比重は１．１８０
である。組成物中の塩酸は、ＩＴＯ膜を破壊する作用を
有し、本発明の組成物中において上記範囲で任意に調整
することで膜厚、膜質に応じた除去（剥離）速度を調節
できる。
【００１０】本発明の組成物においては塩酸以外のその
他の酸として、燐酸、カルボン酸の群から選ばれる１種
以上の酸０．５〜１５重量％、好ましくは、０．５０〜
５．０重量％を配合する。０．５重量％未満では配合の
効果が無く、１５重量％を超えるとメタルマスクの金属
を変色（酸化膜を形成）させ、再生した後のメタルマス
クからのＩＴＯ膜の脱落が早まる。これらの酸は素地材
であるステンレス鋼ＳＵＳ４３０材或いは４２アロイ材
の表面清浄効果があり、また塩酸液中での緩衝剤として
作用するものである。特にメタルマスク上のＩＴＯ膜は
亜酸化物に変質しているため、上記塩酸のみでは部分的
に除去（剥離）残さを生じ、これら残さを均一に除去
（剥離）するのにこれらの酸の配合が効果的である。上
記カルボン酸としては、特に限定されず、脂肪族一価カ
ルボン酸、脂肪族多価カルボン酸、水酸基含有カルボン
酸、などが使用でき、具体的には、例えば、蟻酸、酢
酸、乳酸、蓚酸等を好ましく使用することができる。
他の酸として、燐酸、カルボン酸の群から選ばれる１種
以上の酸０．５〜１５重量％、好ましくは、０．５０〜
５．０重量％を配合する。０．５重量％未満では配合の
効果が無く、１５重量％を超えるとメタルマスクの金属
を変色（酸化膜を形成）させ、再生した後のメタルマス
クからのＩＴＯ膜の脱落が早まる。これらの酸は素地材
であるステンレス鋼ＳＵＳ４３０材或いは４２アロイ材
の表面清浄効果があり、また塩酸液中での緩衝剤として
作用するものである。特にメタルマスク上のＩＴＯ膜は
亜酸化物に変質しているため、上記塩酸のみでは部分的
に除去（剥離）残さを生じ、これら残さを均一に除去
（剥離）するのにこれらの酸の配合が効果的である。上
記カルボン酸としては、特に限定されず、脂肪族一価カ
ルボン酸、脂肪族多価カルボン酸、水酸基含有カルボン
酸、などが使用でき、具体的には、例えば、蟻酸、酢
酸、乳酸、蓚酸等を好ましく使用することができる。
【００１１】本発明の組成物に使用される界面活性剤
は、０．０１〜５重量％、好ましくは０．３〜１．５重
量％配合される。０．０１重量％未満では効果が不充分
であり、５重量％を超えると起泡の問題が生じてくる。
界面活性剤は本発明の組成物の液浸透性を上げ、また後
工程の洗浄性を上げる効果を有するが、好ましくは非イ
オン性若しくは両性の界面活性剤又はこれらの混合物で
あると主剤である酸への影響が少ないので好ましい。非
イオン性界面活性剤としては特に限定されず、アルキル
フェノール・エチレンオキサイド付加型、アルコール・
エチレンオキサイド付加型、プロピレンオキサイド・エ
チレンオキサイド・ブロック共重合型、脂肪酸エステル
型、アマイド型、及びポリエチレングリコール等種々の
非イオン性界面活性剤が使用できるが、なかでも、エチ
レンオキサイド付加数の異なるアルコール・エチレンオ
キサイド付加型、とくに２級アルコール・エチレンオキ
サイド付加型非イオン性界面活性剤を複数併用すると好
ましい。エチレンオキサイドの付加数は５〜２０／分子
ほど異なるのが好ましい。両性界面活性剤としては各種
ベタイン系両性界面活性剤を使用することができるが、
特にフルオロアルキルベタイン系両性界面活性剤を使用
することで、好ましい結果が得られる。
は、０．０１〜５重量％、好ましくは０．３〜１．５重
量％配合される。０．０１重量％未満では効果が不充分
であり、５重量％を超えると起泡の問題が生じてくる。
界面活性剤は本発明の組成物の液浸透性を上げ、また後
工程の洗浄性を上げる効果を有するが、好ましくは非イ
オン性若しくは両性の界面活性剤又はこれらの混合物で
あると主剤である酸への影響が少ないので好ましい。非
イオン性界面活性剤としては特に限定されず、アルキル
フェノール・エチレンオキサイド付加型、アルコール・
エチレンオキサイド付加型、プロピレンオキサイド・エ
チレンオキサイド・ブロック共重合型、脂肪酸エステル
型、アマイド型、及びポリエチレングリコール等種々の
非イオン性界面活性剤が使用できるが、なかでも、エチ
レンオキサイド付加数の異なるアルコール・エチレンオ
キサイド付加型、とくに２級アルコール・エチレンオキ
サイド付加型非イオン性界面活性剤を複数併用すると好
ましい。エチレンオキサイドの付加数は５〜２０／分子
ほど異なるのが好ましい。両性界面活性剤としては各種
ベタイン系両性界面活性剤を使用することができるが、
特にフルオロアルキルベタイン系両性界面活性剤を使用
することで、好ましい結果が得られる。
【００１２】本発明の組成物中の塩酸は、メタルマスク
上のＩＴＯ膜を破壊するために使用しているが、ＩＴＯ
の膜質、膜厚によっては長時間浸漬することになり、そ
の場合、素地であるステンレス鋼または４２アロイ材は
化学的腐食を受けやすい。しかし、本発明に使用される
ポリアミン類を添加する事で、素地への腐食を大幅に抑
制できる。すなわち本発明の組成物にポリアミン類を添
加することで、さらにステンレス鋼材、４２アロイ材の
孔喰、ピンホール、腐食絶縁膜を防止できることを見い
だした。ここで使用されるポリアミン類は、重量平均分
子量として１００００〜１０００００のポリアクリルア
ミン、ポリアリルアミン、ポリビニルピリジン及びこれ
らの塩酸塩等が好ましいものとして挙げられる。使用濃
度としては、０．１〜５重量％であり、好ましくは０．
５〜１重量％である。０．１重量％未満では有意な腐食
抑制効果が得られず、５重量％を超えると組成物が分離
するしやすくなる。
上のＩＴＯ膜を破壊するために使用しているが、ＩＴＯ
の膜質、膜厚によっては長時間浸漬することになり、そ
の場合、素地であるステンレス鋼または４２アロイ材は
化学的腐食を受けやすい。しかし、本発明に使用される
ポリアミン類を添加する事で、素地への腐食を大幅に抑
制できる。すなわち本発明の組成物にポリアミン類を添
加することで、さらにステンレス鋼材、４２アロイ材の
孔喰、ピンホール、腐食絶縁膜を防止できることを見い
だした。ここで使用されるポリアミン類は、重量平均分
子量として１００００〜１０００００のポリアクリルア
ミン、ポリアリルアミン、ポリビニルピリジン及びこれ
らの塩酸塩等が好ましいものとして挙げられる。使用濃
度としては、０．１〜５重量％であり、好ましくは０．
５〜１重量％である。０．１重量％未満では有意な腐食
抑制効果が得られず、５重量％を超えると組成物が分離
するしやすくなる。
【００１３】本発明のＩＴＯ膜除去方法は、上記の組成
物を用いてＩＴＯ膜を除去するものである。使用方法と
しては、従来の酸処理における酸処理剤の使用方法と同
様にして使用することができ、特に制限はないが、例え
ば、一般的にウェット処理で行われている浸漬法、スプ
レイ法、浸漬して超音波を作用させる方法などで、温度
２０〜４０℃で使用できる。界面活性剤の起泡性を考え
ると浸漬法が適しているが、スプレイ法で行う場合は、
さらに消泡剤として非イオン系の消泡剤を通常の使用量
の範囲で添加することが可能である。
物を用いてＩＴＯ膜を除去するものである。使用方法と
しては、従来の酸処理における酸処理剤の使用方法と同
様にして使用することができ、特に制限はないが、例え
ば、一般的にウェット処理で行われている浸漬法、スプ
レイ法、浸漬して超音波を作用させる方法などで、温度
２０〜４０℃で使用できる。界面活性剤の起泡性を考え
ると浸漬法が適しているが、スプレイ法で行う場合は、
さらに消泡剤として非イオン系の消泡剤を通常の使用量
の範囲で添加することが可能である。
【００１４】本発明の組成物を用いて連続的にＩＴＯ膜
を除去（剥離）する場合、次のようにして容易に組成物
の劣化を管理することができる。即ち、本発明の組成物
をサンプリングし、シュウ酸で錯塩化して金属イオンな
どをマスクし、ｐＨ５．０〜６．０として安定させた上
で１／２０Ｎ・ＮａＯＨの滴定量を測定し、あらかじめ
所望とする処理能力の限界点における滴定量を得ておく
ことで、処理能力の変化を管理し、適切にＩＴＯ膜除去
液の交換が可能となる。ＩＴＯ膜除去組成物を使用する
条件、用途、目的によっても異なるが、例えば塩酸８重
量％を含有する本発明のＩＴＯ膜除去組成物３ミリリッ
トルに対する１／２０Ｎ・ＮａＯＨの滴定量としては概
ね、５０ミリリットル程度を交換時期とするのが好まし
い。
を除去（剥離）する場合、次のようにして容易に組成物
の劣化を管理することができる。即ち、本発明の組成物
をサンプリングし、シュウ酸で錯塩化して金属イオンな
どをマスクし、ｐＨ５．０〜６．０として安定させた上
で１／２０Ｎ・ＮａＯＨの滴定量を測定し、あらかじめ
所望とする処理能力の限界点における滴定量を得ておく
ことで、処理能力の変化を管理し、適切にＩＴＯ膜除去
液の交換が可能となる。ＩＴＯ膜除去組成物を使用する
条件、用途、目的によっても異なるが、例えば塩酸８重
量％を含有する本発明のＩＴＯ膜除去組成物３ミリリッ
トルに対する１／２０Ｎ・ＮａＯＨの滴定量としては概
ね、５０ミリリットル程度を交換時期とするのが好まし
い。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を示して本発明の詳細について
説明するが、また本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。本発明の実験に用いた材料（メタルマス
ク）についてのべる。メタルマスクは、液晶パネル１
２.１インチ用ガラス基板が取り付けられるもので、サ
イズ３８０ｍｍ×５００ｍｍ品を用いた。
説明するが、また本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。本発明の実験に用いた材料（メタルマス
ク）についてのべる。メタルマスクは、液晶パネル１
２.１インチ用ガラス基板が取り付けられるもので、サ
イズ３８０ｍｍ×５００ｍｍ品を用いた。
【００１６】実施例１ ガラス基板をメタルマスクに取り付け、高周波マグネト
ロンスパッタ装置に入れ、真空加熱乾燥を行い、ＩＴＯ
膜を１サイクル約２０００Å成膜し、さらに同じメタル
マスクを用いて１０サイクルＩＴＯ膜を成膜した。メタ
ルマスク材料としてステンレス鋼ＳＵＳ４３０を使用し
た。スパッタ条件は、以下の表１の通りである。
ロンスパッタ装置に入れ、真空加熱乾燥を行い、ＩＴＯ
膜を１サイクル約２０００Å成膜し、さらに同じメタル
マスクを用いて１０サイクルＩＴＯ膜を成膜した。メタ
ルマスク材料としてステンレス鋼ＳＵＳ４３０を使用し
た。スパッタ条件は、以下の表１の通りである。
【００１７】
【表１】スパッタ条件 １）スパッタリングガス＝Ａｒ−Ｏ2混合ガス ２）Ａｒ／Ｏ2比＝２００／１ ３）ガス圧＝０．８Ｐａ ４）高周波出力＝１００Ｗ ５）基板温度＝５７３Ｋ
【００１８】以上のようにＩＴＯ成膜に使用したメタル
マスクを、次の表２の処方により調整したＩＴＯ膜除去
用組成物１に浸漬した。
マスクを、次の表２の処方により調整したＩＴＯ膜除去
用組成物１に浸漬した。
【００１９】
【表２】 ＩＴＯ膜除去用組成物１ 塩 酸 ５．０重量％ 燐 酸 １．８重量％ ２級アルコール・エチレンオキサイド付加型界面活性剤 アデカトールＳＯ−１０５ ０．３重量％ （旭電化工業（株）製、エチレンオキサイドの付加数は１分子あたり平均５個 ） アデカトールＳＯ−１６０ ０．５重量％ （旭電化工業（株）製、エチレンオキサイドの付加数は１分子あたり平均１５ 個） 水 残部
【００２０】処理温度は室温（２５℃）で浸漬し、水
洗、乾燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状態及び素
地材であるＳＵＳ４３０材の腐食状態を評価した。結果
は、メタルマスク上の黒化したＩＴＯ膜は３０分で完全
に剥離し、素地のＳＵＳ４３０は均一にくもり、スパッ
タ前と同様白色を呈した。また素地であるＳＵＳ４３０
材の顕微鏡観察でも孔喰は見られなかった。
洗、乾燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状態及び素
地材であるＳＵＳ４３０材の腐食状態を評価した。結果
は、メタルマスク上の黒化したＩＴＯ膜は３０分で完全
に剥離し、素地のＳＵＳ４３０は均一にくもり、スパッ
タ前と同様白色を呈した。また素地であるＳＵＳ４３０
材の顕微鏡観察でも孔喰は見られなかった。
【００２１】実施例２ メタルマスク材料として４２アロイ合金材を使用し、実
施例１と同条件でスパッタ成膜し、次の表３の処方によ
り調整したＩＴＯ膜除去用組成物２に浸漬した。
施例１と同条件でスパッタ成膜し、次の表３の処方によ
り調整したＩＴＯ膜除去用組成物２に浸漬した。
【００２２】
【表３】ＩＴＯ膜除去用組成物２ 塩 酸 ５．０重量％ 乳 酸 １．４重量％ 蓚 酸 ０．９重量％ フルオロベタイン型両性界面活性剤 ＦＴ−４００ ０．１０重量％ （ネオス社製） 水 残部
【００２３】処理は室温（２５℃）で浸漬し、水洗、乾
燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状態及び素地であ
る４２アロイ材の腐食状態を評価した。結果は、メタル
マスク上の黒化したＩＴＯ膜は５０分で完全に剥離し、
素地の４２アロイ材は均一にくもり、スパッタ前と同様
白色を呈した。また顕微鏡観察でも孔喰は全くみられな
かった。
燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状態及び素地であ
る４２アロイ材の腐食状態を評価した。結果は、メタル
マスク上の黒化したＩＴＯ膜は５０分で完全に剥離し、
素地の４２アロイ材は均一にくもり、スパッタ前と同様
白色を呈した。また顕微鏡観察でも孔喰は全くみられな
かった。
【００２４】実施例３ メタルマスク材料としてステンレス鋼ＳＵＳ４３０材を
使用し、ＩＴＯ膜を１サイクル３０００Å、同メタルマ
スクを使用して２０サイクル成膜した。スパッタ条件は
以下の表４の通りである。
使用し、ＩＴＯ膜を１サイクル３０００Å、同メタルマ
スクを使用して２０サイクル成膜した。スパッタ条件は
以下の表４の通りである。
【００２５】
【表４】スパッタ条件 １）スパッタリングガス＝Ａｒ−Ｏ2混合ガス ２）Ａｒ／Ｏ2比＝２００／１ ３）ガス圧＝１Ｐａ ４）高周波出力＝２００Ｗ ５）基板温度＝５７３Ｋ
【００２６】以上のようにＩＴＯ成膜したメタルマスク
を、次の表５の処方により調整した各種ＩＴＯ膜除去用
組成物に浸漬した。
を、次の表５の処方により調整した各種ＩＴＯ膜除去用
組成物に浸漬した。
【００２７】
【表５】ＩＴＯ膜除去用組成物Ａ 塩 酸 ８．０重量％ 燐 酸 １．８重量％ アデカＳＯ−１０５ ０．３０重量％ アデカＳＯ−１６０ ０．５０重量％ 水 残部ＩＴＯ膜除去用組成物Ｂ さらに重量平均分子量２１０００のポリアクリルアミド
を０．９重量％含有させた以外はＡと同様。ＩＴＯ膜除去用組成物Ｃ さらに重量平均分子量１００００のポリアリルアミン塩
酸塩を０．６重量％含有させた以外はＡと同様。
を０．９重量％含有させた以外はＡと同様。ＩＴＯ膜除去用組成物Ｃ さらに重量平均分子量１００００のポリアリルアミン塩
酸塩を０．６重量％含有させた以外はＡと同様。
【００２８】ＩＴＯ膜厚が厚いため処理温度３０℃で浸
漬し、水洗、乾燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状
態及び素地材であるＳＵＳ４３０材の腐食状態を試験し
た。結果は、次の表６に示す。
漬し、水洗、乾燥後メタルマスク上のＩＴＯ膜の剥離状
態及び素地材であるＳＵＳ４３０材の腐食状態を試験し
た。結果は、次の表６に示す。
【００２９】
【表６】
【００３０】組成物Ａ、Ｂ、Ｃともメタルマスク上のＩ
ＴＯ膜を完全に剥離できた。また、組成物Ａにおいては
一部孔喰は見られたものの、実質問題ないレベルであっ
た。組成物Ｂ、Ｃにおいては、ＳＵＳ４３０の表面状態
は白色化し、孔喰がなく表面粗さが維持できていること
が確認できた。
ＴＯ膜を完全に剥離できた。また、組成物Ａにおいては
一部孔喰は見られたものの、実質問題ないレベルであっ
た。組成物Ｂ、Ｃにおいては、ＳＵＳ４３０の表面状態
は白色化し、孔喰がなく表面粗さが維持できていること
が確認できた。
【００３１】実施例４ 試験片として幅３０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍ
のステンレス鋼板ＳＵＳ４３０及び４２アロイ材を研
磨、脱脂処理を行い作製した。これら試験片を、実施例
３で使用した組成物に２４時間浸漬し、試験片の腐食状
態を外観及び重量法により評価した。比較例として、塩
酸濃度が５．０重量％含有する水溶液を用いた。試験結
果を表７及び８に示す。
のステンレス鋼板ＳＵＳ４３０及び４２アロイ材を研
磨、脱脂処理を行い作製した。これら試験片を、実施例
３で使用した組成物に２４時間浸漬し、試験片の腐食状
態を外観及び重量法により評価した。比較例として、塩
酸濃度が５．０重量％含有する水溶液を用いた。試験結
果を表７及び８に示す。
【００３２】
【表７】
【００３３】
【表８】
【００３４】表７及び表８の結果から明らかなように、
ポリアミンを添加した剥離水溶液は、添加しない組成液
に比べて、素地であるステンレス鋼ＳＵＳ４３０材及び
４２アロイ材の腐食を抑制するとともに、ＩＴＯ膜の剥
離時間の影響も受けない優れた抑制効果が分かった。さ
らに、実施例４の組成物Ａ、Ｂ、ＣでＩＴＯ膜除去処理
したメタルマスクを使用し、ガラス基板を取り付け、１
サイクル約２０００ÅのＩＴＯ膜を２０サイクル行った
が、メタルマスク上からＩＴＯ膜の脱落もなく良品が得
られた。
ポリアミンを添加した剥離水溶液は、添加しない組成液
に比べて、素地であるステンレス鋼ＳＵＳ４３０材及び
４２アロイ材の腐食を抑制するとともに、ＩＴＯ膜の剥
離時間の影響も受けない優れた抑制効果が分かった。さ
らに、実施例４の組成物Ａ、Ｂ、ＣでＩＴＯ膜除去処理
したメタルマスクを使用し、ガラス基板を取り付け、１
サイクル約２０００ÅのＩＴＯ膜を２０サイクル行った
が、メタルマスク上からＩＴＯ膜の脱落もなく良品が得
られた。
【００３５】実施例５ ガラス基板をメタルマスクに取り付け、高周波マグネト
ロンスパッタ装置に入れ、真空加熱乾燥を行い、ＩＴＯ
膜を１サイクル約２０００Å成膜し、さらに同じメタル
マスクを用いて１０サイクルＩＴＯ膜を成膜した。メタ
ルマスク材料としてステンレス鋼ＳＵＳ４３０を使用し
た。スパッタ条件は、以下の表９の通りである。
ロンスパッタ装置に入れ、真空加熱乾燥を行い、ＩＴＯ
膜を１サイクル約２０００Å成膜し、さらに同じメタル
マスクを用いて１０サイクルＩＴＯ膜を成膜した。メタ
ルマスク材料としてステンレス鋼ＳＵＳ４３０を使用し
た。スパッタ条件は、以下の表９の通りである。
【００３６】
【表９】スパッタ条件 １）スパッタリングガス＝Ａｒ−Ｏ2混合ガス ２）Ａｒ／Ｏ2比＝２００／１ ３）ガス圧＝０．８Ｐａ ４）高周波出力＝１００Ｗ ５）基板温度＝５７３Ｋ
【００３７】以上のようにＩＴＯ成膜に使用したメタル
マスクを、実施例３の組成物Ｃに浸漬し再生を行った。
全再生処理シート数は４０００枚である。組成物の劣化
状態を１０％シュウ酸カリウムにシュウ酸を加えｐＨ
６．０に調整し、処理液を添加、１／２０Ｎ・ＮａＯＨ
で滴定を行った。試験結果を図１に示す。図１からわか
る通り本発明のＩＴＯ膜除去用組成物は、容易に液管理
をすることができる。
マスクを、実施例３の組成物Ｃに浸漬し再生を行った。
全再生処理シート数は４０００枚である。組成物の劣化
状態を１０％シュウ酸カリウムにシュウ酸を加えｐＨ
６．０に調整し、処理液を添加、１／２０Ｎ・ＮａＯＨ
で滴定を行った。試験結果を図１に示す。図１からわか
る通り本発明のＩＴＯ膜除去用組成物は、容易に液管理
をすることができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＴＯ膜を効率的に除
去でき、且つ、ＩＴＯ膜がメタルマスク等の金属上にあ
る場合においても、実用上該金属を腐食させること無く
ＩＴＯ膜を効率的に除去することのできるＩＴＯ膜除去
用組成物及びＩＴＯ膜除去方法が提供される。
去でき、且つ、ＩＴＯ膜がメタルマスク等の金属上にあ
る場合においても、実用上該金属を腐食させること無く
ＩＴＯ膜を効率的に除去することのできるＩＴＯ膜除去
用組成物及びＩＴＯ膜除去方法が提供される。
【図１】実施例５において、メタルマスクの再生処理枚
数における処理液の酸性度の変化を示す図である。
数における処理液の酸性度の変化を示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；及び界面活性剤０．０１〜
５重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩ
ＴＯ膜除去用組成物。 - 【請求項２】 必須の成分として塩酸０．５〜１５重量
％；燐酸及びカルボン酸からなる群から選ばれる１種以
上の酸０．５〜１５重量％；界面活性剤０．０１〜５重
量％；及びポリアミン及び／又はその塩酸塩０．１〜５
重量％を含有する水溶液から成ることを特徴とするＩＴ
Ｏ膜除去用組成物。 - 【請求項３】 カルボン酸が、蟻酸、酢酸、乳酸及び蓚
酸からなる群から選ばれる１種以上のカルボン酸である
請求項１又は２に記載のＩＴＯ膜除去用組成物。 - 【請求項４】 界面活性剤が非イオン性界面活性剤及び
／又は両性界面活性剤である請求項１ないし３のいずれ
か１項に記載のＩＴＯ膜除去用組成物。 - 【請求項５】 ポリアミン及び／又はその塩酸塩が、重
量平均分子量１００００〜１０００００のポリアクリル
アミン、ポリアリルアミン及びポリビニルピリジンから
なる群から選ばれる１種以上のポリアミン及び／又はそ
の塩酸塩である請求項２ないし４のいずれか１項に記載
のＩＴＯ膜除去用組成物。 - 【請求項６】 金属上のＩＴＯ膜除去にあたり、請求項
１ないし５のいずれか１項に記載のＩＴＯ膜除去用組成
物を用いて金属上のＩＴＯ膜を除去することを特徴とす
るＩＴＯ膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11490099A JP4055923B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Ｉｔｏ膜除去用組成物及びこれを用いたｉｔｏ膜除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11490099A JP4055923B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Ｉｔｏ膜除去用組成物及びこれを用いたｉｔｏ膜除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000309888A true JP2000309888A (ja) | 2000-11-07 |
| JP4055923B2 JP4055923B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=14649457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11490099A Expired - Fee Related JP4055923B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Ｉｔｏ膜除去用組成物及びこれを用いたｉｔｏ膜除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4055923B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624087B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-09-23 | Lg. Philips Co., Ltd. | Etchant for patterning indium tin oxide and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
| KR100765140B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄과 아이티오를 동시에 식각하기 위한 식각액 조성물 |
| US8048331B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-11-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching composition and etching process |
| JP4998619B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 導電膜除去剤および導電膜除去方法 |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11490099A patent/JP4055923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624087B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-09-23 | Lg. Philips Co., Ltd. | Etchant for patterning indium tin oxide and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
| KR100765140B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄과 아이티오를 동시에 식각하기 위한 식각액 조성물 |
| US8048331B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-11-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching composition and etching process |
| TWI409318B (zh) * | 2006-05-25 | 2013-09-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | 蝕刻組成物及蝕刻方法 |
| JP4998619B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-08-15 | 東レ株式会社 | 導電膜除去剤および導電膜除去方法 |
| US8617418B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-12-31 | Toray Industries, Inc. | Conductive film removal agent and conductive film removal method |
| TWI494415B (zh) * | 2009-03-30 | 2015-08-01 | Toray Industries | 導電膜除去劑及導電膜除去方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4055923B2 (ja) | 2008-03-05 |
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