JP2000306907A - Liquid source device - Google Patents
Liquid source deviceInfo
- Publication number
- JP2000306907A JP2000306907A JP11117655A JP11765599A JP2000306907A JP 2000306907 A JP2000306907 A JP 2000306907A JP 11117655 A JP11117655 A JP 11117655A JP 11765599 A JP11765599 A JP 11765599A JP 2000306907 A JP2000306907 A JP 2000306907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- liquid material
- line
- liquid
- purge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体液体材料、
例えば、ＴＥＯＳを加熱、加温し、気化させ、マスフロ
ーコントローラで高精度に発生流量を計測制御して、例
えば、減圧ＣＶＤ装置に安定に供給する液体材料気化装
置に交換可能な機構で接続されている液体ソース装置に
関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor liquid material,
For example, TEOS is heated, heated, vaporized, and the generated flow rate is measured and controlled with high accuracy by a mass flow controller. Liquid source device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液体材料、例えば、テトラエトキシシラ
ンSi(OC2H5)4（以下、「ＴＥＯＳ」と記す）を気化させ
て、一般のガスと同様に取り扱いができる機能を備えた
液体材料気化装置は、従来から半導体製造装置の一つで
あるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 装置の前段階
設備などに使用されている。図２は従来技術の液体ソー
ス装置が接続されている液体ソースコントローラの配管
図、図３はその従来技術の液体ソース装置の構成を配管
図である。2. Description of the Related Art A liquid material having a function of vaporizing a liquid material, for example, tetraethoxysilane Si (OC 2 H 5 ) 4 (hereinafter referred to as “TEOS”), and capable of handling the same as a general gas 2. Description of the Related Art A vaporizer is conventionally used in a pre-stage facility of a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus which is one of semiconductor manufacturing apparatuses. FIG. 2 is a piping diagram of a liquid source controller to which a conventional liquid source device is connected, and FIG. 3 is a piping diagram of the configuration of the conventional liquid source device.
【０００３】図２において、符号１は全体として液体ソ
ースコントローラ１を指す。この液体ソースコントロー
ラ１は液体材料気化装置１０、液体ソース装置３０及び
これらを接続する配管接続装置２０から構成されてい
る。前記液体材料気化装置１０は恒温室１１１内に配設
されたタンク１１２、予熱器１１３、マスフローメータ
１１４、マスフローコントローラ１１５、エアーバルブ
１１６、エアバルブであるストップバルブ１１７、１１
８、圧送ガス供給ライン１１９、液体材料供給ライン１
２０、液体ガス供給ライン１２１などから構成されてい
る。In FIG. 2, reference numeral 1 indicates the liquid source controller 1 as a whole. The liquid source controller 1 includes a liquid material vaporizing device 10, a liquid source device 30, and a pipe connecting device 20 for connecting these devices. The liquid material vaporizer 10 includes a tank 112, a preheater 113, a mass flow meter 114, a mass flow controller 115, an air valve 116, and stop valves 117 and 11, which are air valves, provided in a constant temperature chamber 111.
8. Pumping gas supply line 119, liquid material supply line 1
20, a liquid gas supply line 121 and the like.
【０００４】前記タンク１１２には、後記する液体ソー
ス装置３０からの液体材料Ｔが供給される、予熱器１１
３、ストップバルブ１１７とが介在した液体材料供給ラ
イン１２０と、後記する圧送ガス供給源からの圧送ガス
が供給される、マスフローメータ１１４とエアーバルブ
１１６とが介在した圧送ガス供給ライン１１９とが接続
されており、また、タンク１１２からは液体材料Ｔが気
化した反応ガスがマスフローコントローラ１１５及びス
トップバルブ１１８を通じて外部のＣＶＤ装置に供給さ
れるガス供給ライン１２１が配管されている。The tank 112 is supplied with a liquid material T from a liquid source device 30 described later.
3. The liquid material supply line 120 interposed with the stop valve 117 is connected to the pumped gas supply line 119 interposed between the mass flow meter 114 and the air valve 116, to which a pumped gas from a pumped gas supply source described later is supplied. A gas supply line 121 is provided from the tank 112 to supply a reaction gas, in which the liquid material T is vaporized, to an external CVD apparatus through a mass flow controller 115 and a stop valve 118.
【０００５】また、この液体材料気化装置１０のタンク
１１２に液体材料Ｔを供給する装置として、図３にも示
したような前記液体ソース装置３０が接続されている。
この液体ソース装置３０は液体材料アンプル３１１、重
量計３１２、圧送ガス供給ライン３１３、液体材料供給
ライン３１４、パージライン３１５Ａ，３１５Ｂ、圧送
ガス供給元バルブ３１６、エアバルブの液体材料供給元
バルブ３１７、パージバルブ３１８、３１９、ハンドバ
ルブであるイン側トグルバルブ３２０、やはりハンドバ
ルブであるアウト側トグルバルブ３２１、ジョイント３
２２、３２３、３２４、４２５、４２６などから構成さ
れている。As a device for supplying the liquid material T to the tank 112 of the liquid material vaporizing device 10, the liquid source device 30 as shown in FIG. 3 is connected.
The liquid source device 30 includes a liquid material ampoule 311, a weighing machine 312, a compressed gas supply line 313, a liquid material supply line 314, purge lines 315A and 315B, a compressed gas supply source valve 316, a liquid material supply source valve 317 of an air valve, and a purge valve. 318, 319, an in-side toggle valve 320 which is a hand valve, an out-side toggle valve 321 which is also a hand valve, a joint 3
22, 323, 324, 425, 426 and the like.
【０００６】前記圧送ガス供給ライン３１３は、不活性
ガス源（不図示）から前記液体材料アンプル３１１に不
活性ガスを圧送するために、ジョイント３２２、３２４
を介して、前記不活性ガス源と前記イン側バルブ３２０
との間に接続されており、そして不活性ガス源側に圧送
ガス供給元バルブ３１６が接続されている。また、前記
液体材料供給ライン３１４は、前記液体材料アンプル３
１１から前記液体材料気化装置１０に液体材料Ｔを供給
するために、前記ジョイント３２３、３２５を介して、
前記アウト側バルブ３２１と前記液体材料気化装置１０
との間に接続されており、この中間部に前記液体材料供
給元バルブ３１７が接続されている。[0006] The pumping gas supply line 313 is provided with joints 322 and 324 for pumping inert gas from an inert gas source (not shown) to the liquid material ampoule 311.
Through the inert gas source and the in-side valve 320
And a feed gas supply valve 316 is connected to the inert gas source side. The liquid material supply line 314 is connected to the liquid material ampoule 3.
11 to supply the liquid material T to the liquid material vaporizer 10 via the joints 323 and 325;
The out side valve 321 and the liquid material vaporizer 10
The liquid material supply source valve 317 is connected to the intermediate portion.
【０００７】前記パージライン３１５Ａは、前記圧送ガ
ス供給元バルブ３１６と前記イン側トグルバルブ３２０
との間に一端が接続され、他端が前記液体材料供給元バ
ルブ３１７と前記アウト側トグルバルブ３２１との間に
接続されている。また、前記パージライン３１５Ｂは、
液体材料供給元バルブ３１７とアウト側トグルバルブ３
２１との間に一端が接続され、他端はジョイント３２６
を介して前記ベントライン２１５に接続されている。パ
ージバルブ３１８はパージライン３１５Ａに、パージバ
ルブ３１９はパージライン３１５Ｂに接続されている。[0007] The purge line 315A is connected to the compressed gas supply valve 316 and the in-side toggle valve 320.
Is connected at one end, and the other end is connected between the liquid material supply valve 317 and the out side toggle valve 321. Further, the purge line 315B is
Liquid material supply valve 317 and out side toggle valve 3
21 and one end is connected to the joint 326.
Through the vent line 215. The purge valve 318 is connected to a purge line 315A, and the purge valve 319 is connected to a purge line 315B.
【０００８】そして、パージバルブ３１８、３１９の下
方、イン側トグルバルブ３２０及びアウト側トグルバル
ブ３２１の上方の配管はジョイント３２２、４２３でそ
れぞれ接続されており、これらのジョイント３２２、３
２３を外すことにより液体材料アンプル３１１を交換で
きるように構成されている。この液体材料アンプル３１
１はガス充填メーカにより液体材料Ｔが充填されて半導
体メーカに供給される。The pipes below the purge valves 318 and 319 and above the in-side toggle valve 320 and the out-side toggle valve 321 are connected by joints 322 and 423, respectively.
The liquid material ampule 311 can be replaced by removing the liquid material ampule 311. This liquid material ampoule 31
1 is filled with a liquid material T by a gas filling maker and supplied to a semiconductor maker.
【０００９】また、前記圧送ガス供給元バルブ３１６の
上方の圧送ガス供給ライン３１３、液体材料供給元バル
ブ３１７の上方の液体材料供給ライン３１４、及びパー
ジバルブ３１９の上方のパージライン３１５Ｃはそれぞ
れジョイント３２４、４２５、４２６に接続されてい
る。A pumping gas supply line 313 above the pumping gas supply valve 316, a liquid material supply line 314 above the liquid material supply valve 317, and a purge line 315 C above the purge valve 319 are connected to a joint 324, respectively. 425, 426.
【００１０】前記ジョイント３２２、３２３はそれぞれ
イン側トグルバルブ３２０及びアウト側トグルバルブ３
２１に出来るだけ近接して設け、そして前記パージバル
ブ３１８、３１９もそれぞれジョイント３２２、３２３
に出来るだけ近接して設けられている。The joints 322 and 323 are provided with an in-side toggle valve 320 and an out-side toggle valve 3 respectively.
21 and the purge valves 318, 319 are also connected to the joints 322, 323, respectively.
It is provided as close as possible to
【００１１】そして前記配管接続装置２０は、圧送ガス
供給基幹ライン２１１から分岐され、前記液体ソース装
置３０の圧送ガス供給ライン３１３に接続される圧送ガ
ス供給分岐ライン２１２と、前記液体材料気化装置１０
の圧送ガス供給ライン１１９に接続される圧送ガス供給
分岐ライン２１３と、前記液体材料供給ライン３１４と
前記液体材料気化装置１０の液体材料供給ライン１２０
に接続される液体材料供給ライン２１４と、前記パージ
ライン３１５に接続されるパージライン２１５とから構
成されている。そして前記圧送ガス供給基幹ライン２１
１は液体材料供給源（不図示）に接続されており、ま
た、圧送ガス供給基幹ライン２１１にはガスフィルタ２
１６が接続されている。また、パージライン２１５に
は、ハンドバルブであるベントバルブ２１７が取り付け
られている。The pipe connection device 20 branches off from the pumping gas supply main line 211 and is connected to the pumping gas supply line 313 of the liquid source device 30, and the liquid material vaporizer 10.
, A feed gas supply branch line 213 connected to the feed gas supply line 119, the liquid material supply line 314, and the liquid material supply line 120 of the liquid material vaporizer 10.
, And a purge line 215 connected to the purge line 315. Then, the compressed gas supply main line 21
Reference numeral 1 denotes a liquid material supply source (not shown), and a gas filter 2
16 are connected. A vent valve 217, which is a hand valve, is attached to the purge line 215.
【００１２】このような構成の液体ソースコントローラ
１のタンク１１２へ、液体材料（ＴＥＯＳ）Ｔを供する
には、図２及び図３において、液体材料気化装置１０の
３個のエアーバルブ１１６、ストップバルブ１１８、液
体ソース装置３０の圧送ガス供給元バルブ３１６、イン
側トグルバルブ３２０、液体材料供給元バルブ３１７及
びアウト側トグルバルブ３２１を開け、パージバルブ３
１８、３１９及びベントバルブ２１７を閉め、圧送ガス
供給基幹ライン２１１、圧送ガス供給分岐ライン２１２
及び圧送ガス供給ライン３１３を通じてＮ2 ガスのよう
な不活性ガスを圧送する。液体材料アンプル３１１内の
液体材料Ｔの液面は圧力を受け、液体材料Ｔは液体材料
供給ライン３１４、２１４及び１２０を通じて予熱器１
１３に供給され、ここでタンク１１２内の液体材料Ｔの
温度近辺まで加熱された後、そのタンク１１２内に供給
される。タンク１１２内にも、前記圧送ガス供給基幹ラ
イン２１１、圧送ガス供給分岐ライン２１３を通じ、マ
スフローメータ１１４で流量を監視しながら不活性ガス
を圧送し、タンク１１２内を加圧する。タンク１１２内
で所定の温度まで加熱された液体材料Ｔは気化し、反応
ガス（ＴＥＯＳのガス）としてマスフローコントローラ
１１５で流量を制御しながらガス供給ライン１２１及び
ストップバルブ１１８を通じてＣＶＤ装置（不図示）の
反応炉内へ供給される。In order to supply the liquid material (TEOS) T to the tank 112 of the liquid source controller 1 having such a configuration, three air valves 116 and a stop valve of the liquid material vaporizing apparatus 10 are shown in FIGS. 118, the pressure supply gas supply valve 316, the in-side toggle valve 320, the liquid material supply valve 317, and the out-side toggle valve 321 of the liquid source device 30 are opened, and the purge valve 3 is opened.
18, 319 and the vent valve 217 are closed, and the pumping gas supply main line 211, the pumping gas supply branch line 212
And an inert gas such as N 2 gas is pumped through a pumping gas supply line 313. The liquid surface of the liquid material T in the liquid material ampule 311 is under pressure, and the liquid material T is supplied to the preheater 1 through the liquid material supply lines 314, 214 and 120.
13, where the liquid material T is heated to near the temperature of the liquid material T in the tank 112 and then supplied into the tank 112. The inert gas is also pumped into the tank 112 while monitoring the flow rate with the mass flow meter 114 through the feed gas supply main line 211 and the feed gas supply branch line 213 to pressurize the inside of the tank 112. The liquid material T heated to a predetermined temperature in the tank 112 is vaporized, and is controlled as a reaction gas (TEOS gas) by a mass flow controller 115 while controlling a flow rate thereof through a gas supply line 121 and a stop valve 118 to a CVD apparatus (not shown) Is supplied into the reaction furnace.
【００１３】次に、液体材料アンプル３１１内の液体材
料Ｔが消費されると、重量計３１２の重量計測によりこ
れが判り、液体材料アンプル３１１の交換時機が判る。
この液体材料アンプル３１１を交換するには、先ず、前
記液体材料Ｔを供給する配管内に滞留している液体材料
Ｔをパージする必要がある。このため、圧送ガス供給元
バルブ３１６、パージバルブ３１８、３１９、イン側ト
グルバルブ３２０、アウト側トグルバルブ３２１、液体
材料供給元バルブ３１７を閉め、ベントバルブ２１７の
みを開け、パージバルブ３１９とベントバルブ２１７と
の間の配管内を真空ポンプ（不図示）で吸引し、真空状
態にする。次に、パージバルブ３１９を開け、その配管
内液体材料Ｔをパージライン２１５へ捨てる。その後
に、圧送ガス供給元バルブ３１６を開け、圧送ガス供給
基幹ライン２１１から不活性ガスを配管内に供給し、そ
の不活性ガスの圧力でパージバルブ３１８を開け、グル
バルブ３２１及び液体材料供給元バルブ３１７を閉め
る。そして前記配管内の液体材料Ｔを不活性ガスでパー
ジライン２１５へ押し出す。この動作を繰り返して配管
内の液体材料Ｔを抜き取った後、ジョイント３２２、３
２３を外して消費した液体材料アンプル３１１を新しい
液体材料アンプル３１１と交換する。Next, when the liquid material T in the liquid material ampule 311 has been consumed, this can be determined by measuring the weight of the weighing machine 312, and the timing of replacement of the liquid material ampule 311 can be determined.
In order to replace the liquid material ampule 311, first, it is necessary to purge the liquid material T staying in the pipe for supplying the liquid material T. Therefore, the pumping gas supply source valve 316, the purge valves 318 and 319, the in-side toggle valve 320, the out-side toggle valve 321 and the liquid material supply valve 317 are closed, only the vent valve 217 is opened, and the purge valve 319 and the vent valve 217 are opened. The inside of the pipe is sucked by a vacuum pump (not shown) to make a vacuum state. Next, the purge valve 319 is opened, and the liquid material T in the pipe is discarded to the purge line 215. Thereafter, the pumping gas supply source valve 316 is opened, an inert gas is supplied into the pipe from the pumping gas supply main line 211, and the purge valve 318 is opened with the pressure of the inert gas, and the glue valve 321 and the liquid material supply valve 317 are opened. Close. Then, the liquid material T in the pipe is pushed out to the purge line 215 with an inert gas. This operation is repeated to extract the liquid material T from the pipe, and then the joints 322, 3
23, the consumed liquid material ampule 311 is replaced with a new liquid material ampule 311.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】ところが、この液体材
料アンプル３１１の交換時、アウト側トグルバルブ３２
１と液体材料供給元バルブ３１７との間に抜け切れない
液体材料Ｔが残留しており、ジョイント３２３を外す
と、その残留している液体材料Ｔが漏洩する。液体材料
Ｔとしては、前記ＴＥＯＳのような薬品や、極僅かでは
あるが、半導体ウエハへの不純物拡散源の膜を形成する
場合、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、或いはヒ素（Ａｓ）
などのドーピング原料を含んだ有機系液体材料も使用さ
れることがある。このような液体材料はパージ不足であ
ると、有毒ガス発生の原因になり、危険であり、作業上
特に注意が必要である。However, when the liquid material ampoule 311 is replaced, the out-side toggle valve 32 is required.
The liquid material T that cannot be removed remains between the liquid material supply valve 1 and the liquid material supply valve 317. When the joint 323 is removed, the remaining liquid material T leaks. As the liquid material T, a chemical such as the above-mentioned TEOS, or a very small amount of phosphorus (P), boron (B), or arsenic (As) when forming a film of an impurity diffusion source on a semiconductor wafer.
In some cases, an organic liquid material containing a doping material such as the above is also used. If such a liquid material is insufficiently purged, it may cause toxic gas generation, which is dangerous, and requires special care in operation.
【００１５】本発明は、これらの課題を解決しようとす
るものであって、液体材料アンプルの交換作業時に液体
材料の液漏れが少ない液体ソース装置を得ることを目的
とする。An object of the present invention is to solve these problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid source device in which a liquid material leaks less during a replacement operation of a liquid material ampule.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】従って、本発明では、液
体材料の供給元と使用先との間で液体材料を運搬するた
めの、イン側バルブ、アウト側バルブ及び一部のドレイ
ンラインを備えた液体材料アンプルを装着し、液体材料
気化装置などに前記液体材料を供給できる液体ソース装
置において、その液体ソース装置を、不活性ガス源と、
その不活性ガス源から前記液体材料アンプルに不活性ガ
スを圧送するために前記不活性ガス源と前記イン側バル
ブとの間に接続された圧送ガス供給ラインと、前記液体
材料アンプルから前記液体材料気化装置などに液体材料
を供給するために前記アウト側バルブと前記液体材料気
化装置などとの間に接続された液体材料供給ラインと、
前記圧送ガス供給ラインに圧送ガス源側から順次接続さ
れた圧送ガス供給元バルブ及び第１の三方弁バルブと、
前記液体材料供給ラインに前記液体材料アンプル側から
順次接続された第２の三方弁バルブ及び液体材料供給元
バルブと、前記圧送ガス供給元バルブと前記第１の三方
弁バルブとの間に一端が接続され、他端が前記液体材料
供給元バルブと前記第２の三方弁バルブとの間に接続さ
れている第１のパージラインと、前記液体材料供給元バ
ルブと前記第２の三方弁バルブとの間に一端が接続さ
れ、他端が外部のベントバルブが接続されているベント
ラインに接続されている第２のパージラインと、前記第
１のパージラインに接続されている第１のパージバルブ
と、前記第２のパージラインに接続されている第２のパ
ージバルブと、前記第１の三方弁バルブに一端が接続さ
れ、他端が第２のパージラインの他端及び前記ベントバ
ルブに接続された第３のパージラインと、前記第２の三
方弁バルブに一端が接続され、他端が前記液体材料アン
プル内に導入されていて、中間部で第２の第３のジョイ
ントで接続されているドレインラインと、前記イン側バ
ルブ側に近い位置で前記第１の三方弁バルブと前記イン
側バルブとの間に接続された第１のジョイントと、前記
アウト側バルブ側に近い位置で前記第２の三方弁バルブ
と前記アウト側バルブとの間に接続された第２のジョイ
ントとから構成して、前記課題を解決している。Accordingly, the present invention comprises an in-side valve, an out-side valve and a part of a drain line for transporting a liquid material between a supply source and a use destination of the liquid material. In a liquid source device capable of supplying the liquid material to a liquid material vaporizer or the like, which is equipped with a liquid material ampoule, the liquid source device includes an inert gas source,
A pressurized gas supply line connected between the inert gas source and the in-side valve for pumping an inert gas from the inert gas source to the liquid material ampule; and A liquid material supply line connected between the out-side valve and the liquid material vaporizer or the like to supply a liquid material to the vaporizer or the like,
A pumping gas supply source valve and a first three-way valve which are sequentially connected to the pumping gas supply line from the pumping gas source side,
A second three-way valve and a liquid material supply source valve sequentially connected to the liquid material supply line from the liquid material ampule side, and one end between the pumping gas supply source valve and the first three-way valve valve. A first purge line connected to the other end between the liquid material supply valve and the second three-way valve valve, the liquid material supply valve and the second three-way valve valve; A second purge line connected at one end to a vent line connected at the other end to an external vent valve, and a first purge valve connected to the first purge line. A second purge valve connected to the second purge line, and one end connected to the first three-way valve, and the other end connected to the other end of the second purge line and the vent valve. No. And a drain line, one end of which is connected to the second three-way valve and the other end of which is introduced into the liquid material ampoule and which is connected at the intermediate portion by a second third joint. A first joint connected between the first three-way valve and the in-side valve at a position near the in-side valve, and a second joint at a position near the out-side valve; The above-mentioned object is attained by comprising a valve and a second joint connected between the out-side valve.
【００１７】従って、本発明の実施形態の液体ソース装
置によれば、液体材料アンプルの交換時、液体材料供給
ラインに残留している液体材料をパージできる他、特に
液体材料供給元バルブ及びアウト側バルブ間に残留して
いる液体材料を液体材料アンプル内にドレインすること
ができる。Therefore, according to the liquid source device of the embodiment of the present invention, when the liquid material ampule is replaced, the liquid material remaining in the liquid material supply line can be purged. Liquid material remaining between the valves can be drained into the liquid material ampoule.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の液体ソ
ース装置を図１を用いて説明する。図１は本発明の実施
形態の液体ソース装置の構成を示す配管図である。な
お、本発明の液体ソース装置の構成において、従来技術
の液体ソース装置の構成と同一の構成部分には同一の符
号を付、それらの説明は省略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A liquid source device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a piping diagram illustrating a configuration of a liquid source device according to an embodiment of the present invention. In the configuration of the liquid source device of the present invention, the same components as those of the liquid source device of the related art are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００１９】図１において、符号３０Ａは本発明の液体
ソース装置を指す。この液体ソース装置３０Ａは、従来
技術の液体ソース装置３０において、ドレインライン３
２８、三方弁バルブ３２９、３３０、ジョイント３３１
が追加されて構成されている。即ち、本発明の液体ソー
ス装置３０Ａは、従来技術の液体ソース装置３０におい
て、圧送ガス供給ライン３１３のパージバルブ３１８の
接続点とジョイント３２２との間に前記三方弁バルブ３
２９が、そのＡ方向側及びＢ方向側がそれぞれ接続さ
れ、そのＣ方向側がパージライン３１５Ｃの一端を接続
されて配設されている。そしてそのパージライン３１５
Ｃの他端を前記パージライン３１５Ｂと前記ジョイント
４２６との中間部に接続されている。In FIG. 1, reference numeral 30A indicates the liquid source device of the present invention. This liquid source device 30A is different from the liquid source device 30 of the prior art in that the drain line 3
28, three-way valve 329, 330, joint 331
Has been added. That is, the liquid source device 30A of the present invention is different from the liquid source device 30 of the prior art in that the three-way valve 3 is connected between the connection point of the purge valve 318 of the pumping gas supply line 313 and the joint 322.
Reference numeral 29 is disposed such that the A direction side and the B direction side are connected to each other, and the C direction side is connected to one end of the purge line 315C. And the purge line 315
The other end of C is connected to an intermediate portion between the purge line 315B and the joint 426.
【００２０】また、液体材料供給ライン３１４の液体材
料供給元バルブ３１７とジョイント３２３との間に他の
三方弁バルブ３３０を、その三方弁バルブ３３０のＣ側
から液体材料アンプル３１１に向けドレインライン３２
８を、そしてそのドレインライン３２８の中間部にジョ
イント３３１を接続して構成されている。ジョイント３
３１も他のジョイント３２２、３２３と同様に出来るだ
け液体材料アンプル３１１側に近接して設け、そして三
方弁バルブ３２９、３３０もそれぞれジョイント３２
２、３２３に近接して設ける。Further, another three-way valve 330 is provided between the liquid material supply source valve 317 of the liquid material supply line 314 and the joint 323, and a drain line 32 is provided from the C side of the three-way valve 330 to the liquid material ampoule 311.
8 and a joint 331 connected to an intermediate portion of the drain line 328. Joint 3
31 is provided as close as possible to the liquid material ampoule 311 similarly to the other joints 322 and 323, and the three-way valve valves 329 and 330 are also connected to the joint 32, respectively.
It is provided close to 2, 323.
【００２１】次に、前記の本発明の液体ソース装置３０
Ａの機能を説明する。先ず、この液体ソース装置３０Ａ
から液体ソースコントローラ１のタンク１１２（図２）
に液体材料Ｔを供給する場合の操作を説明する。この場
合は、パージバルブ３１８、３１９、ベントバルブ２１
７を閉め、圧送ガス供給元バルブ３１６、イン側トグル
バルブ３２０を開け、三方弁バルブ３２９をＢ方向側に
切り換え、また、アウト側トグルバルブ３２１、液体材
料供給元バルブ３１７を開け、三方弁バルブ３３０をＢ
方向側に切り換える。Next, the liquid source device 30 of the present invention is described.
The function of A will be described. First, the liquid source device 30A
To the tank 112 of the liquid source controller 1 (FIG. 2)
The operation when the liquid material T is supplied to the apparatus will be described. In this case, the purge valves 318 and 319 and the vent valve 21
7 is closed, the pumping gas supply source valve 316 and the in-side toggle valve 320 are opened, the three-way valve 329 is switched to the direction B, and the out-side toggle valve 321 and the liquid material supply valve 317 are opened. 330 to B
Switch to the direction side.
【００２２】そして、従来技術と同様に、圧送ガス供給
基幹ライン２１１、圧送ガス供給分岐ライン２１２及び
圧送ガス供給ライン３１３を通じてＮ2 ガスのような不
活性ガスを圧送する。液体材料アンプル３１１内の液体
材料Ｔの液面は圧力を受け、液体材料Ｔは液体材料供給
ライン３１４、２１４及び１２０を通じて予熱器１１３
に供給され、ここでタンク１１２内の液体材料Ｔの温度
近辺まで加熱された後、そのタンク１１２内に供給され
る。その液体材料Ｔはこのタンク１１２で気化され、所
定の流量でＣＶＤ装置の反応炉内に供給される。Then, as in the prior art, an inert gas such as N 2 gas is pumped through the pumping gas supply main line 211, the pumping gas supply branch line 212 and the pumping gas supply line 313. The liquid surface of the liquid material T in the liquid material ampule 311 is under pressure, and the liquid material T is supplied to the preheater 113 through the liquid material supply lines 314, 214 and 120.
Is heated to near the temperature of the liquid material T in the tank 112 and then supplied into the tank 112. The liquid material T is vaporized in the tank 112 and supplied at a predetermined flow rate into the reaction furnace of the CVD apparatus.
【００２３】次に、前記液体材料アンプル３１１の液体
材料Ｔが消費され、その液体材料アンプル３１１を交換
する場合には、先ず、イン側トグルバルブ３２０、アウ
ト側トグルバルブ３２１、パージバルブ３１８、３１
９、液体材料供給元バルブ３１７が閉め、ベントバルブ
２１７を開けた状態で、パージバルブ３１９までの配管
内の真空引きを行い、真空度が、例えば、０ＭＰａ（メ
ガパスカル）程度になった時点でパージバルブ３１８、
３１９を開け、液体材料供給元バルブ３１７からアウト
側トグルバルブ３２１までの配管内に溜まっている液体
材料Ｔをベントライン２１５を通じてベント側に引いて
捨て、再び真空度が０ＭＰａ程度になった時点で、三方
弁バルブ３３０を閉め、イン側トグルバルブ３２０及び
アウト側トグルバルブ３２１を開け、液体材料アンプル
３１１内の内圧を下げた状態にし、その三方弁バルブ３
３０をＣ方向側に切り換えて配管内に溜まっている液体
材料Ｔをドレインライン３２８を通じて液体材料アンプ
ル３１１内に戻す。Next, when the liquid material T of the liquid material ampule 311 is consumed and the liquid material ampule 311 is replaced, first, the in-side toggle valve 320, the out-side toggle valve 321, the purge valves 318, 31
9. While the liquid material supply valve 317 is closed and the vent valve 217 is opened, the inside of the pipe up to the purge valve 319 is evacuated. When the degree of vacuum becomes, for example, about 0 MPa (megapascal), the purge valve is opened. 318,
319 is opened, and the liquid material T accumulated in the pipe from the liquid material supply valve 317 to the out side toggle valve 321 is drawn to the vent side through the vent line 215 and discarded. When the degree of vacuum becomes about 0 MPa again, , The three-way valve 330 is closed, the in-side toggle valve 320 and the out-side toggle valve 321 are opened, and the internal pressure in the liquid material ampule 311 is reduced, and the three-way valve 3
The liquid material T stored in the pipe is returned to the liquid material ampule 311 through the drain line 328 by switching 30 to the C direction side.
【００２４】次に、パージバルブ３１８、３１９を閉
め、圧送ガス供給元バルブ３１６を開け、前記圧送ガス
供給基幹ライン２１１から圧送ガス供給分岐ライン２１
２を通じて配管内に不活性ガスを入れ、その後、圧送ガ
ス供給元バルブ３１６を閉め、真空度が０ＭＰａ程度に
なった時点で、その圧送ガス供給元バルブ３１６を開
け、三方弁バルブ３２９をＢ方向側に、三方弁バルブ３
３０をＣ方向側に切り換え、不活性ガスをパージバルブ
３１８から液体材料アンプル３１１内に入れ、配管内に
残留している液体材料Ｔを液体材料アンプル３１１内に
戻す。次に、液体材料Ｔを戻し終わると、三方弁バルブ
３２９をＣ方向側に、そして三方弁バルブ３３０をＢ方
向側に切り換え、他の全てのバルブを閉めた後、ジョイ
ント３２２、３２３、３３１を外せば、満杯の液体材料
アンプル３１１と交換することができる。Next, the purge valves 318 and 319 are closed, the pumping gas supply source valve 316 is opened, and the pumping gas supply main line 211 is connected to the pumping gas supply branch line 21.
Inert gas is introduced into the pipe through 2 and thereafter, the pressure-feed gas supply valve 316 is closed, and when the degree of vacuum becomes about 0 MPa, the pressure-feed gas supply valve 316 is opened, and the three-way valve 329 is moved in the B direction. On the side, three-way valve 3
30 is switched to the C direction side, an inert gas is introduced into the liquid material ampule 311 from the purge valve 318, and the liquid material T remaining in the pipe is returned to the liquid material ampule 311. Next, when the liquid material T has been returned, the three-way valve 329 is switched to the C direction and the three-way valve 330 is switched to the B direction, and after closing all other valves, the joints 322, 323, and 331 are closed. If removed, it can be replaced with a full liquid material ampoule 311.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の実施形態の液体ソース装置によれば、僅かな構成部品
の追加のみで、 １．液体材料アンプルの交換作業時に、液体材料を漏洩
することなく交換でき、作業者の安全を確保できる ２．配管内の残留液体材料を液体材料アンプル内に戻す
構成を採ったため、配管内の真空引きの回数を最小限に
抑え、作業効率が改善される ３．真空ポンプへ入り込む液体材料を最小量に抑えるこ
とができ、このため真空ポンプの負荷が減り、真空ポン
プの寿命を延ばすことができる など、数々の優れた効果が得られる。As is clear from the above description, according to the liquid source device of the embodiment of the present invention, only a few additional components are required. 1. During the replacement work of the liquid material ampule, the liquid material can be replaced without leaking, and the safety of the worker can be ensured. 2. Since the liquid material remaining in the pipe is returned to the liquid material ampule, the number of evacuations in the pipe is minimized and the work efficiency is improved. Numerous excellent effects can be obtained, such as minimizing the amount of liquid material entering the vacuum pump, thereby reducing the load on the vacuum pump and extending the life of the vacuum pump.
【図１】 本発明の実施形態の液体ソース装置の構成を
示す配管図である。FIG. 1 is a piping diagram illustrating a configuration of a liquid source device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 従来技術の液体ソース装置が接続されている
液体ソースコントローラの配管図である。FIG. 2 is a piping diagram of a liquid source controller to which a conventional liquid source device is connected.
【図３】 従来技術の液体ソース装置の構成を示す配管
図である。FIG. 3 is a piping diagram showing a configuration of a conventional liquid source device.
２１７…ベントバルブ、３０Ａ…本発明の実施形態の液
体ソース装置、３１１…液体材料アンプル、３１３…圧
送ガス供給ライン、３１２…重量計、３１４…液体材料
供給ライン、３１５Ａ，３１５Ｂ，３１５Ｃ…パージラ
イン、３１６…圧送ガス供給元バルブ、３１７…液体材
料供給元バルブ、３１８，３１９…パージバルブ、３２
０…イン側トグルバルブ、３２１…アウト側トグルバル
ブ、３２０，３３０…三方弁バルブ、３２２，３２３，
３３１…ジョイント、Ｔ…液体材料217: vent valve, 30A: liquid source device according to the embodiment of the present invention, 311: liquid material ampule, 313: compressed gas supply line, 312: weight scale, 314: liquid material supply line, 315A, 315B, 315C: purge line 316: compressed gas supply valve, 317: liquid material supply valve, 318, 319: purge valve, 32
0: In side toggle valve, 321: Out side toggle valve, 320, 330: Three-way valve valve, 322, 323
331: Joint, T: Liquid material
Claims (1)
材料を運搬するための、イン側バルブ、アウト側バルブ
及び一部のドレインラインを備えた液体材料アンプルを
装着し、液体材料気化装置などに前記液体材料を供給で
きる液体ソース装置において、 不活性ガス源と、 該不活性ガス源から前記液体材料アンプルに不活性ガス
を圧送するために前記不活性ガス源と前記イン側バルブ
との間に接続された圧送ガス供給ラインと、 前記液体材料アンプルから前記液体材料気化装置などに
液体材料を供給するために前記アウト側バルブと前記液
体材料気化装置などとの間に接続された液体材料供給ラ
インと、 前記圧送ガス供給ラインに圧送ガス源側から順次接続さ
れた圧送ガス供給元バルブ及び第１の三方弁バルブと、 前記液体材料供給ラインに前記液体材料アンプル側から
順次接続された第２の三方弁バルブ及び液体材料供給元
バルブと、 前記圧送ガス供給元バルブと前記第１の三方弁バルブと
の間に一端が接続され、他端が前記液体材料供給元バル
ブと前記第２の三方弁バルブとの間に接続されている第
１のパージラインと、 前記液体材料供給元バルブと前記第２の三方弁バルブと
の間に一端が接続され、他端がベントバルブが接続され
た外部のベントラインに接続されている第２のパージラ
インと、 前記第１のパージラインに接続されている第１のパージ
バルブと、 前記第２のパージラインに接続されている第２のパージ
バルブと、 前記第１の三方弁バルブに一端が接続され、他端が第２
のパージラインの他端及び前記ベントバルブに接続され
た第３のパージラインと、 前記第２の三方弁バルブに一端が接続され、他端が前記
液体材料アンプル内に導入されていて、中間部で第２の
第３のジョイントで接続されているドレインラインと、 前記イン側バルブ側に近い位置で前記第１の三方弁バル
ブと前記イン側バルブとの間に接続された第１のジョイ
ントと、 前記アウト側バルブ側に近い位置で前記第２の三方弁バ
ルブと前記アウト側バルブとの間に接続された第２のジ
ョイントとから構成されていることを特徴とする液体ソ
ース装置。1. A liquid material ampoule having an in-side valve, an out-side valve, and a part of a drain line for transporting a liquid material between a supply source and a use destination of the liquid material is provided. A liquid source device capable of supplying the liquid material to a vaporizer or the like, comprising: an inert gas source; the inert gas source for pumping an inert gas from the inert gas source to the liquid material ampule; and the in-side valve. And a pressurized gas supply line connected between the liquid material ampule and the out-side valve and the liquid material vaporizer for supplying a liquid material from the liquid material ampule to the liquid material vaporizer or the like. A liquid material supply line, a compressed gas supply source valve and a first three-way valve sequentially connected to the compressed gas supply line from the compressed gas source side, and the liquid material supply line A second three-way valve and a liquid material supply valve sequentially connected from the liquid material ampule side; one end connected between the compressed gas supply source valve and the first three-way valve; A first purge line connected between the liquid material supply valve and the second three-way valve valve; one end connected between the liquid material supply valve and the second three-way valve valve; A second purge line having the other end connected to an external vent line connected to a vent valve; a first purge valve connected to the first purge line; and a second purge line. One end is connected to the second purge valve connected to the first three-way valve, and the other end is connected to the second purge valve.
A third purge line connected to the other end of the purge line and the vent valve, one end connected to the second three-way valve, and the other end introduced into the liquid material ampule, and an intermediate portion A drain line connected by a second third joint, and a first joint connected between the first three-way valve valve and the in-side valve at a position close to the in-side valve side. A liquid source device, comprising: a second joint connected between the second three-way valve valve and the out-side valve at a position close to the out-side valve side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11117655A JP2000306907A (en) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | Liquid source device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11117655A JP2000306907A (en) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | Liquid source device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306907A true JP2000306907A (en) | 2000-11-02 |
Family
ID=14717042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11117655A Pending JP2000306907A (en) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | Liquid source device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306907A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031562A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus |
| KR100495837B1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-06-16 | 주식회사 야스 | Refillable source for thermal evaporation process |
| JP2015177186A (en) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 江蘇南大光電材料股▲ふん▼有限公司 | Liquid-metal organic compound supply system |
| US9758867B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling gas supply apparatus and substrate processing system |
| CN114152322A (en) * | 2021-12-06 | 2022-03-08 | 中国科学院光电技术研究所 | Monitoring device for chemical vapor deposition liquid source material |
-
1999
- 1999-04-26 JP JP11117655A patent/JP2000306907A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031562A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus |
| KR100495837B1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-06-16 | 주식회사 야스 | Refillable source for thermal evaporation process |
| US9758867B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-09-12 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling gas supply apparatus and substrate processing system |
| JP2015177186A (en) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 江蘇南大光電材料股▲ふん▼有限公司 | Liquid-metal organic compound supply system |
| CN114152322A (en) * | 2021-12-06 | 2022-03-08 | 中国科学院光电技术研究所 | Monitoring device for chemical vapor deposition liquid source material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2614338B2 (en) | Liquid source container | |
| KR100377705B1 (en) | Process gas supply apparatus | |
| CN100523296C (en) | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films | |
| KR101463295B1 (en) | Raw material supplying device and film forming apparatus | |
| JP2553946B2 (en) | Gas supply method for substrate surface treatment | |
| TW468020B (en) | Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels | |
| US6572706B1 (en) | Integrated precursor delivery system | |
| US10551004B2 (en) | Refillable ampoule with purge capability | |
| TW200815702A (en) | Low release rate cylinder package | |
| JP5305328B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JPH11165060A (en) | Method for transporting ultrapure gas to point of use and system therefor | |
| KR102122786B1 (en) | Storage device, vaporizer, substrate processing device and method for manufacturing semiconductor device | |
| WO2014157071A1 (en) | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and method for processing substrate | |
| JP2000306907A (en) | Liquid source device | |
| TWI257461B (en) | Purgeable container for low vapor pressure chemicals | |
| TW200422555A (en) | Multiple dispensing check valve delivery system | |
| TW201523764A (en) | Remote delivery of chemical reagents | |
| JP2002095955A (en) | Feeding device for liquid material | |
| JP2004111787A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2010040845A (en) | Substrate treating apparatus | |
| JP5078280B2 (en) | Film forming apparatus and MO-CVD method | |
| JP6817911B2 (en) | Cleaning method for wafer boat support, heat treatment equipment and heat treatment equipment | |
| KR20120011582A (en) | Depositing apparatus having vaporizer and depositing method | |
| CN219013998U (en) | Precursor delivery system and precursor supply package | |
| JP6081904B2 (en) | Development processing apparatus, development processing method, program, and computer storage medium |