JP2000306769A - 積層セラミックコンデンサ結合体 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ結合体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電容量が大きく且つその温度特性が良好で
ある積層セラミックコンデンサ結合体を提供することに
ある。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ結合体５は、
静電容量の温度に対する変化率の異なる複数個の積層セ
ラミックコンデンサ１ａ，１ｂと金属支持部品２とが半
田３等によって電気的且つ機械的に結合されている。
ある積層セラミックコンデンサ結合体を提供することに
ある。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ結合体５は、
静電容量の温度に対する変化率の異なる複数個の積層セ
ラミックコンデンサ１ａ，１ｂと金属支持部品２とが半
田３等によって電気的且つ機械的に結合されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ形状の積層
セラミックコンデンサを用い金属部品により結合され
た、静電容量の温度特性が良好であるような積層セラミ
ックコンデンサ結合体に関するものである。
セラミックコンデンサを用い金属部品により結合され
た、静電容量の温度特性が良好であるような積層セラミ
ックコンデンサ結合体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、チップ形状の積層セラミックコ
ンデンサは、小型で静電容量が大きく、基板実装が可能
なため基板上の占有面積を小さくできる等という利点が
ある。
ンデンサは、小型で静電容量が大きく、基板実装が可能
なため基板上の占有面積を小さくできる等という利点が
ある。
【０００３】近年、さらに温度特性の良好なものの要求
が高まりつつある。積層セラミックコンデンサは一般に
次のような方法で製造される。
が高まりつつある。積層セラミックコンデンサは一般に
次のような方法で製造される。
【０００４】まず、誘電体粉末にバインダーを混練し、
得られたスラリーをドクターブレード法等の成膜機によ
りグリーンシートを作製する。得られたグリーンシート
に電極パターンを印刷し、それらを積層してプレスす
る。得られたプレス体を切断し、バインダーを分解除去
できる温度まで加熱したのち、さらに加熱焼成し端子電
極を焼き付ける工程を経て製造される。
得られたスラリーをドクターブレード法等の成膜機によ
りグリーンシートを作製する。得られたグリーンシート
に電極パターンを印刷し、それらを積層してプレスす
る。得られたプレス体を切断し、バインダーを分解除去
できる温度まで加熱したのち、さらに加熱焼成し端子電
極を焼き付ける工程を経て製造される。
【０００５】以上のような工程で製造される積層セラミ
ックコンデンサの静電容量を向上させるためには次の
（イ）〜（ハ）の方法が採られている。
ックコンデンサの静電容量を向上させるためには次の
（イ）〜（ハ）の方法が採られている。
【０００６】（イ）積層数を増加させる、（ロ）寸法を
大型化することで電極の対向面積を大きくする、（ハ）
層間厚みを小さくする。
大型化することで電極の対向面積を大きくする、（ハ）
層間厚みを小さくする。
【０００７】また、静電容量の変化率を小さくするため
には、次の（ニ）〜（ホ）のような方法が採られる。
には、次の（ニ）〜（ホ）のような方法が採られる。
【０００８】（ニ）相異なる誘電率の温度特性を有する
誘電体材料を一体化し焼成する。
誘電体材料を一体化し焼成する。
【０００９】（ホ）誘電率の温度変化率の小さな誘電体
を用いる。
を用いる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
方法には、以下に示すような問題がある。
方法には、以下に示すような問題がある。
【００１１】まず、上記（イ）の積層数を増大させるこ
とは、積層数の増加にともない、歩留まりが低下したり
する問題が生じる。
とは、積層数の増加にともない、歩留まりが低下したり
する問題が生じる。
【００１２】また、上記（ロ）の寸法を大きくし内部電
極の対向面積を増大させることは、例えば、ＥＩＡＪ
５７５０サイズ（ＪＩＳ Ｃ ６４２９外形寸法記号
６）の積層セラミックコンデンサの場合、基板実装時の
基板の熱歪み、あるいは、使用時の周辺温度の変動によ
る基板のたわみによりクラックが積層セラミックコンデ
ンサに生じ、信頼性が低下するという問題がある。この
問題を解決するために、金属支持部品を使用することに
より、熱歪みによるクラックを防止してきた。
極の対向面積を増大させることは、例えば、ＥＩＡＪ
５７５０サイズ（ＪＩＳ Ｃ ６４２９外形寸法記号
６）の積層セラミックコンデンサの場合、基板実装時の
基板の熱歪み、あるいは、使用時の周辺温度の変動によ
る基板のたわみによりクラックが積層セラミックコンデ
ンサに生じ、信頼性が低下するという問題がある。この
問題を解決するために、金属支持部品を使用することに
より、熱歪みによるクラックを防止してきた。
【００１３】また、上記（ハ）の層間厚みを小さくする
ことは、グリーンシートの厚みを小さくしなければなら
ず高度な成膜および積層の技術が必要である。また、層
間厚みを小さくすることによりバイアス特性が劣化する
という欠点がある。また、コンデンサの耐電圧性も低く
なる。
ことは、グリーンシートの厚みを小さくしなければなら
ず高度な成膜および積層の技術が必要である。また、層
間厚みを小さくすることによりバイアス特性が劣化する
という欠点がある。また、コンデンサの耐電圧性も低く
なる。
【００１４】一方、上記（ニ）の相異なる誘電率の温度
変化率を有する材料を一体焼成する方法では、組成粉末
同士が相互拡散してしまい容量の温度変化率を安定にす
るには困難であつた。
変化率を有する材料を一体焼成する方法では、組成粉末
同士が相互拡散してしまい容量の温度変化率を安定にす
るには困難であつた。
【００１５】また、上記（ホ）の誘電率の温度変化の小
さい材料は一般に、誘電率が小さい。故に、その応用に
おいては、薄膜化および多積層化が必要となる。そのた
め積層ずれやバイアス特性が低いという問題が発生す
る。
さい材料は一般に、誘電率が小さい。故に、その応用に
おいては、薄膜化および多積層化が必要となる。そのた
め積層ずれやバイアス特性が低いという問題が発生す
る。
【００１６】そこで、本発明の技術的課題は、静電容量
が大きく且つその温度特性が良好である積層セラミック
コンデンサ結合体を提供することにある。
が大きく且つその温度特性が良好である積層セラミック
コンデンサ結合体を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
課題を解決するために提案するものである。
課題を解決するために提案するものである。
【００１８】本発明によれば、静電容量の温度に対所す
る変化率の異なる複数個の積層セラミックコンデンサと
金属支持部品とが、電気的かつ機械的に結合されている
ことにより、静電容量の大きく且つの温度変化が小さ
く、充分な信頼性の有することのできる積層セラミック
コンデンサ結合体が得られる。
る変化率の異なる複数個の積層セラミックコンデンサと
金属支持部品とが、電気的かつ機械的に結合されている
ことにより、静電容量の大きく且つの温度変化が小さ
く、充分な信頼性の有することのできる積層セラミック
コンデンサ結合体が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２０】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態による積層セラミックコンデンサ結合体
の斜視図である。図２はリフロー半田付けした積層セラ
ミックコンデンサ結合体および結合前の積層セラミック
コンデンサの容量の温度特性を示す図である。図１及び
図２を参照しながら、本発明の第１の実施の形態による
積層セラミックコンデンサ結合体の製造について具体的
に説明する。
１の実施の形態による積層セラミックコンデンサ結合体
の斜視図である。図２はリフロー半田付けした積層セラ
ミックコンデンサ結合体および結合前の積層セラミック
コンデンサの容量の温度特性を示す図である。図１及び
図２を参照しながら、本発明の第１の実施の形態による
積層セラミックコンデンサ結合体の製造について具体的
に説明する。
【００２１】なお、一方の組成を、Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ
1/2 ）Ｏ3 が４６ｍｏｌ％、ＰｂＺｒＯ3 が３２ｍｏ１
％、およびＰｂＴｉＯ3 が２４ｍｏｌ％（組成１）、も
う一方の組成をＰｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 が４６ｍｏ
ｌ％、ＰｂＺｒＯ3 が２４ｍｏｌ％およびＰｂＴｉＯ3
が３０ｍｏｌ％（組成２）とした。
1/2 ）Ｏ3 が４６ｍｏｌ％、ＰｂＺｒＯ3 が３２ｍｏ１
％、およびＰｂＴｉＯ3 が２４ｍｏｌ％（組成１）、も
う一方の組成をＰｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 が４６ｍｏ
ｌ％、ＰｂＺｒＯ3 が２４ｍｏｌ％およびＰｂＴｉＯ3
が３０ｍｏｌ％（組成２）とした。
【００２２】まず、ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＷＯ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 を上記組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混合し、脱水・乾燥した後、仮焼した。仮焼さ
れた粉末をボールミルにより再粉砕し所定の組成の粉末
を得た。得られた粉末にバインダーを混合しスラリーを
作製し、ドクターブレード法にてグリーンシート化し、
内部電極を印刷したものを打ち抜き、積層し熱圧着プレ
スし、切断した。個々の切断された積層体のバインダー
を熱分解し焼成し、端子電極３を焼き付け、夫々の積層
セラミックコンデンサ１ａ，１ｂ（まとめて呼ぶ場合は
符号１で示す）を作製した。セラミックコンデンサのサ
イズは、ＥＩＡＪ ５７５０サイズを選んだ。
Ｏ2 、ＴｉＯ2 を上記組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混合し、脱水・乾燥した後、仮焼した。仮焼さ
れた粉末をボールミルにより再粉砕し所定の組成の粉末
を得た。得られた粉末にバインダーを混合しスラリーを
作製し、ドクターブレード法にてグリーンシート化し、
内部電極を印刷したものを打ち抜き、積層し熱圧着プレ
スし、切断した。個々の切断された積層体のバインダー
を熱分解し焼成し、端子電極３を焼き付け、夫々の積層
セラミックコンデンサ１ａ，１ｂ（まとめて呼ぶ場合は
符号１で示す）を作製した。セラミックコンデンサのサ
イズは、ＥＩＡＪ ５７５０サイズを選んだ。
【００２３】このように作製した組成１及び組成２の積
層セラミックコンデンサ１ａ，１ｂを互いに接着し、ク
リーム半田を金属支持部品２、２に塗布しもしくは積層
セラミックコンデンサ１ａ，１ｂに塗布し図示しない治
具にて固定し、リフロー半田付けし、積層セラミックコ
ンデンサ結合体７を得た。
層セラミックコンデンサ１ａ，１ｂを互いに接着し、ク
リーム半田を金属支持部品２、２に塗布しもしくは積層
セラミックコンデンサ１ａ，１ｂに塗布し図示しない治
具にて固定し、リフロー半田付けし、積層セラミックコ
ンデンサ結合体７を得た。
【００２４】その積層セラミックコンデンサ結合体５お
よび結合前の積層セラミックコンデンサの容量の温度特
性を図２及び図３に示した。
よび結合前の積層セラミックコンデンサの容量の温度特
性を図２及び図３に示した。
【００２５】図２から、本発明の第１の実施の形態によ
れば、符号３１で示された枠内であるＸ７Ｒ（ＥＩＡ規
格−５５〜１２５℃ ΔＣ／Ｃ＝±１５％）を満足しか
つ静電容量の大きな積層セラミックコンデンサの結合体
の提供が可能となることが判明した。
れば、符号３１で示された枠内であるＸ７Ｒ（ＥＩＡ規
格−５５〜１２５℃ ΔＣ／Ｃ＝±１５％）を満足しか
つ静電容量の大きな積層セラミックコンデンサの結合体
の提供が可能となることが判明した。
【００２６】また、図４及び図５は比較例として、組成
１および組成２の粉末を混合し、一体化して積層セラミ
ックコンデンサを作製したときの容量の温度特性を示す
図である。
１および組成２の粉末を混合し、一体化して積層セラミ
ックコンデンサを作製したときの容量の温度特性を示す
図である。
【００２７】図５に示すように、容量の変化は、符号３
１で示された枠内のＸ７Ｒを満足しない。これは組成の
相互拡散が起きたためと考えられる。
１で示された枠内のＸ７Ｒを満足しない。これは組成の
相互拡散が起きたためと考えられる。
【００２８】なお、本第１の実施の形態では、金属支持
部品２と積層セラミックコンデンサ１の接合にはクリー
ム半田を用いたが、他の低融点の金属を用いてもよく、
また導電性の樹脂を用いても同様の結果が得られる。
部品２と積層セラミックコンデンサ１の接合にはクリー
ム半田を用いたが、他の低融点の金属を用いてもよく、
また導電性の樹脂を用いても同様の結果が得られる。
【００２９】（第２の実施の形態）第２の実施の形態に
おいても、図１と同様な構造を有する積層セラミックコ
ンデンサ結合体７を作製した。図１を参照して、まず、
市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当（−２５〜＋８５℃ ΔＣ
／Ｃ：−１０〜＋１０％）積層セラミックコンデンサ
２．２μＦおよびＪＩＳ−Ｅ特性相当（−２５〜＋８５
℃ ΔＣ／Ｃ：−５５〜＋２０％）の積層セラミックコ
ンデンサ２．２μＦを準備した。この２個の積層セラミ
ックコンデンサ１ａ，１ｂを接着剤で接着し、クリーム
半田を金属支持部品２もしくは積層セラミックコンデン
サ１に塗布し、図示しない治具にて固定しリフロー半田
付けをした。
おいても、図１と同様な構造を有する積層セラミックコ
ンデンサ結合体７を作製した。図１を参照して、まず、
市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当（−２５〜＋８５℃ ΔＣ
／Ｃ：−１０〜＋１０％）積層セラミックコンデンサ
２．２μＦおよびＪＩＳ−Ｅ特性相当（−２５〜＋８５
℃ ΔＣ／Ｃ：−５５〜＋２０％）の積層セラミックコ
ンデンサ２．２μＦを準備した。この２個の積層セラミ
ックコンデンサ１ａ，１ｂを接着剤で接着し、クリーム
半田を金属支持部品２もしくは積層セラミックコンデン
サ１に塗布し、図示しない治具にて固定しリフロー半田
付けをした。
【００３０】図６及び図７に、この積層セラミックコン
デンサ結合体５の容量の温度特性を示す。図６におい
て、曲線２１、２２、２３は、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性
相当の静電容量の温度特性、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相
当の静電容量の温度特性、及び第２の実施の形態による
積層セラミックコンデンサ結合体の静電容量の温度特性
を夫々示している。また、図７において、曲線２４、２
５、２６は、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当の静電容量の
温度特性、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当の静電容量の温
度特性、第２の実施の形態による積層セラミックコンデ
ンサ結合体の静電容量の温度特性を夫々示している。
デンサ結合体５の容量の温度特性を示す。図６におい
て、曲線２１、２２、２３は、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性
相当の静電容量の温度特性、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相
当の静電容量の温度特性、及び第２の実施の形態による
積層セラミックコンデンサ結合体の静電容量の温度特性
を夫々示している。また、図７において、曲線２４、２
５、２６は、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当の静電容量の
温度特性、市販品のＪＩＳ−Ｂ特性相当の静電容量の温
度特性、第２の実施の形態による積層セラミックコンデ
ンサ結合体の静電容量の温度特性を夫々示している。
【００３１】図６及び図７に示す結果より、４．４μＦ
のＪＩＳ−Ｄ特性相当（−２５〜＋８５℃ ΔＣ／Ｃ＝
−３０〜＋２０％）積層セラミックコンデンサ結合体が
できることが分かる。
のＪＩＳ−Ｄ特性相当（−２５〜＋８５℃ ΔＣ／Ｃ＝
−３０〜＋２０％）積層セラミックコンデンサ結合体が
できることが分かる。
【００３２】なお、本第２の実施の形態では、金属支持
部品７と積層セラミックコンデンサ１（１ａ，１ｂ）の
結合には、クリーム半田を用いたが、他の低融点の金属
を用いてもよく、また導電性の樹脂を用いても同様の結
果が得られる。
部品７と積層セラミックコンデンサ１（１ａ，１ｂ）の
結合には、クリーム半田を用いたが、他の低融点の金属
を用いてもよく、また導電性の樹脂を用いても同様の結
果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、静
電容量の温度特性を改善するために、相異なる複数個の
静電容量の温度特性を有する積層セラミックコンデンサ
を金属支持部品とで、電気的に且つ機械的に結合させ、
静電容量が高く、その温度変化率の小さく且つ熱歪みに
も強い積層セラミックコンデンサ結合体を提供すること
ができる。
電容量の温度特性を改善するために、相異なる複数個の
静電容量の温度特性を有する積層セラミックコンデンサ
を金属支持部品とで、電気的に且つ機械的に結合させ、
静電容量が高く、その温度変化率の小さく且つ熱歪みに
も強い積層セラミックコンデンサ結合体を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサ結合体の斜視図である。
クコンデンサ結合体の斜視図である。
【図２】リフロー半田付けした図１の積層セラミックコ
ンデンサ結合体および結合前の積層セラミックコンデン
サの容量の温度特性を示す図である。
ンデンサ結合体および結合前の積層セラミックコンデン
サの容量の温度特性を示す図である。
【図３】リフロー半田付けした図１の積層セラミックコ
ンデンサ結合体および結合前の積層セラミックコンデン
サの容量の温度特性を示す図である。
ンデンサ結合体および結合前の積層セラミックコンデン
サの容量の温度特性を示す図である。
【図４】比較例による積層セラミックコンデンサ結合体
の容量の温度特性を示す図である。
の容量の温度特性を示す図である。
【図５】比較例による積層セラミックコンデンサ結合体
の容量の温度特性を示す図である。
の容量の温度特性を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサ結合体の容量の温度特性を示す図である。
クコンデンサ結合体の容量の温度特性を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による積層セラミッ
クコンデンサ結合体の容量の温度特性を示す図である。
クコンデンサ結合体の容量の温度特性を示す図である。
１，１ａ，１ｂ 積層セラミックコンデンサ ２ 金属支持部材 ３ 半田結合部 ７ 積層セラミックコンデンサ結合体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AE00 AE03 AF06 AZ01 5E082 AA02 AB03 BC15 CC05 EE04 EE35 FG06 FG26 FG54 GG08 JJ03 JJ09 JJ23 JJ27 MM22 MM24
Claims (1)
- 【請求項１】 静電容量の温度に対する変化率の異なる
複数個の積層セラミックコンデンサと金属支持部品とが
電気的且つ機械的に結合されていることを特徴とする積
層セラミックコンデンサ結合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114128A JP2000306769A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 積層セラミックコンデンサ結合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114128A JP2000306769A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 積層セラミックコンデンサ結合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306769A true JP2000306769A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14629848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11114128A Pending JP2000306769A (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 積層セラミックコンデンサ結合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306769A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014140028A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-31 | Canon Inc | 振動波駆動装置、撮像装置、光学機器、液体吐出装置及び電子機器 |
| KR20170066019A (ko) | 2015-12-04 | 2017-06-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 적층 전자부품 실장 기판 |
| KR101853134B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2018-05-02 | 삼성전기주식회사 | 적층형 세라믹 커패시터 |
| CN110828174A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | Tdk株式会社 | 电子部件的制造方法及导体层的形成方法 |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11114128A patent/JP2000306769A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101853134B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2018-05-02 | 삼성전기주식회사 | 적층형 세라믹 커패시터 |
| JP2014140028A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-31 | Canon Inc | 振動波駆動装置、撮像装置、光学機器、液体吐出装置及び電子機器 |
| KR20170066019A (ko) | 2015-12-04 | 2017-06-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 적층 전자부품 실장 기판 |
| US9887040B2 (en) | 2015-12-04 | 2018-02-06 | Samsung Electro-Mechanics, Co. Ltd. | Multilayer electronic component and board having the same |
| CN110828174A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | Tdk株式会社 | 电子部件的制造方法及导体层的形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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