JP2000306696A - Ecr plasma device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）プラズマを利用してＣＶＤ成膜やス
パッタリングなどを行うＥＣＲプラズマ装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma apparatus for performing CVD film formation, sputtering, and the like by using plasma.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ハードディスク記録装置の磁気ディスク
やＭＲ／ＧＭＲヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔ
ａｎｃｅ Ｈｅａｄ／Ｇｉａｎｔ ＭＲ Ｈｅａｄ）の
製造プロセスでは、通常、基板に磁性層を形成した後、
基板表面をクリーニングした上、下地膜（主にＳｉ膜）
を形成し、その後で保護膜を形成する。保護膜として
は、優れた強度・耐腐食性・耐摩耗性・耐湿性を持つＤ
ＬＣ膜が一般的に用いられる。このＤＬＣ膜は炭素系の
ダイアモンド状薄膜であり、成膜法としてはいくつか知
られているが、ＥＣＲプラズマを利用したＣＶＤ法はそ
のうちの最も有効な成膜法となっている。ここで、保護
膜を形成する前に、基板表面をクリーニングし、さらに
下地膜を形成しているのは、保護膜と基板との密着性を
高めるためである。そのため、従来では、クリーニング
・下地膜成膜・保護膜成膜の各プロセスをそれぞれの真
空チャンバ内で行うようにしている。2. Description of the Related Art A magnetic disk or MR / GMR head (Magneto-Resist) of a hard disk recording device is used.
In the manufacturing process of (Ance Head / Giant MR Head), usually, after forming a magnetic layer on a substrate,
After cleaning the substrate surface, base film (mainly Si film)
Is formed, and then a protective film is formed. As a protective film, D with excellent strength, corrosion resistance, abrasion resistance, and moisture resistance
An LC film is generally used. This DLC film is a carbon-based diamond-like thin film and is known as a film forming method, but the CVD method using ECR plasma is the most effective film forming method. Here, the reason why the surface of the substrate is cleaned before the formation of the protective film and the base film is formed is to improve the adhesion between the protective film and the substrate. Therefore, conventionally, each process of cleaning, formation of a base film, and formation of a protective film is performed in respective vacuum chambers.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、クリーニング・下地膜成膜・保護膜成膜の各プ
ロセスを各真空チャンバ内で行う場合には、複数のチャ
ンバが必要になるとともに、それらのチャンバの間で基
板を移動させる機構が必要となり、さらには、その移動
のために時間がかかるという問題がある。However, when the processes of cleaning, formation of a base film, and formation of a protective film are performed in each vacuum chamber as in the prior art, a plurality of chambers are required. A mechanism for moving the substrate between these chambers is required, and furthermore, there is a problem that it takes time to move the substrate.
【０００４】また、一方で、近年、より薄い保護膜への
要求が高まっており、下地膜なしでも良好な密着性を持
つ保護膜が求められている。On the other hand, in recent years, a demand for a thinner protective film has been increased, and a protective film having good adhesion without a base film has been demanded.
【０００５】この発明は、上記に鑑み、一つのチャンバ
で複数のプロセスを行うことができるように改善した、
ＥＣＲプラズマ装置を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention has been improved so that a plurality of processes can be performed in one chamber.
An object of the present invention is to provide an ECR plasma device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるＥＣＲプラズマ装置においては、真
空チャンバと、該チャンバ内にＥＣＲプラズマを生成す
る手段と、該チャンバ内にスパッタ用ガスおよびＣＶＤ
用ガスを供給するガス供給手段と、該チャンバ内に配置
されたターゲットと、該チャンバ内で基板を保持するた
め該チャンバ内に配置された基板保持手段と、該ターゲ
ットおよび基板保持手段によって保持された基板にそれ
ぞれバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、
上記ガス供給手段およびバイアス電圧印加手段を制御す
る制御手段とが備えられることが特徴となっている。In order to achieve the above object, in an ECR plasma apparatus according to the present invention, there is provided a vacuum chamber, a means for generating ECR plasma in the chamber, and a sputtering gas and gas in the chamber. CVD
A gas supply unit for supplying a gas for use, a target disposed in the chamber, a substrate holding unit disposed in the chamber for holding a substrate in the chamber, and a substrate held by the target and the substrate holding unit. Bias voltage applying means for applying a bias voltage to each of the substrates,
A control means for controlling the gas supply means and the bias voltage applying means is provided.
【０００７】チャンバ内には、スパッタ用ガスおよびＣ
ＶＤ用ガスが供給され、これらの流量が制御手段によっ
て制御される。また、ターゲットおよび基板に対するバ
イアス電圧も制御手段によって制御される。そのため、
基板に対するスパッタ成膜とＣＶＤ成膜とを一つのチャ
ンバ内で順次行うことが可能となり、基板を複数のチャ
ンバに移送する機構および手間・時間を省略することが
できる。[0007] A sputtering gas and C
VD gases are supplied, and their flow rates are controlled by control means. The bias voltage for the target and the substrate is also controlled by the control means. for that reason,
Sputter film formation and CVD film formation on a substrate can be sequentially performed in one chamber, so that a mechanism for transferring the substrate to a plurality of chambers and labor and time can be omitted.
【０００８】ガス供給手段およびバイアス電圧印加手段
を制御する制御手段は、ガス供給装置からスパッタ用ガ
スを供給するときに同時にバイアス電圧印加手段により
ターゲットにバイアス電圧を印加し、ガス供給手段から
ＣＶＤ用ガスを供給するときに同時にバイアス電圧印加
手段により基板にのみバイアス電圧を印加するよう制御
するものであることを特徴としてもよい。The control means for controlling the gas supply means and the bias voltage application means applies a bias voltage to the target by the bias voltage application means at the same time as supplying the sputtering gas from the gas supply device, It may be characterized in that the bias voltage is applied to only the substrate by the bias voltage applying means when the gas is supplied.
【０００９】チャンバ内にスパッタ用ガスが導入されて
いるときに、ターゲットにバイアス電圧が印加されてい
ると、チャンバ内のＥＣＲプラズマによってスパッタ用
ガスがイオン化してターゲット表面をスパッタし、スパ
ッタされたターゲット材の原子が基板に付着する。つま
りスパッタ成膜がなされて、たとえば下地膜の成膜がで
きる。これに対して、チャンバ内にＣＶＤ用ガスが導入
されているときに、ターゲットのバイアス電圧がオフ
で、基板にのみバイアス電圧が印加されているとき、チ
ャンバ内のＥＣＲプラズマによってＣＶＤ用ガスがイオ
ン化して基板に付着して成膜がなされる。これによりＣ
ＶＤ成膜がなされ、たとえば保護膜が形成される。When a bias voltage is applied to the target while the sputtering gas is being introduced into the chamber, the sputtering gas is ionized by the ECR plasma in the chamber, and the target surface is sputtered. The atoms of the target material adhere to the substrate. That is, a sputter film is formed, for example, a base film can be formed. On the other hand, when the bias voltage of the target is off when the CVD gas is introduced into the chamber and the bias voltage is applied only to the substrate, the CVD gas is ionized by the ECR plasma in the chamber. And adhere to the substrate to form a film. This gives C
A VD film is formed, for example, a protective film is formed.
【００１０】また、ガス供給手段およびバイアス電圧印
加手段を制御する制御手段は、ガス供給装置からスパッ
タ用ガスを供給するときに同時にバイアス電圧印加手段
により基板にバイアス電圧を印加するよう制御するもの
であることを特徴としてもよい。The control means for controlling the gas supply means and the bias voltage application means controls the bias voltage application means to apply a bias voltage to the substrate at the same time as supplying the sputtering gas from the gas supply device. There may be a feature.
【００１１】チャンバ内にスパッタ用ガスが導入されて
いるときに、基板にバイアス電圧が印加されていると、
チャンバ内のＥＣＲプラズマによってイオン化したスパ
ッタ用ガスのイオンが基板に衝突して基板表面をスパッ
タする。このスパッタによって基板表面がエッチングさ
れ、基板表面のクリーニングがなされる。このとき、タ
ーゲットのバイアス電圧印加はオンにしても、オフにし
てもよい。オンになっていれば、ターゲットからスパッ
タされた原子が基板に付着するので、基板に対するスパ
ッタエッチングとスパッタ成膜とが同時に進行すること
になる。オフの場合は、基板に対するスパッタエッチン
グのみが行われる。When a bias voltage is applied to the substrate while the sputtering gas is being introduced into the chamber,
The ions of the sputtering gas ionized by the ECR plasma in the chamber collide with the substrate and sputter the substrate surface. The substrate surface is etched by this sputtering, and the substrate surface is cleaned. At this time, the bias voltage application to the target may be turned on or off. When it is turned on, atoms sputtered from the target adhere to the substrate, so that sputter etching and sputter deposition on the substrate proceed simultaneously. When off, only sputter etching is performed on the substrate.
【００１２】さらに、ガス供給手段およびバイアス電圧
印加手段を制御する制御手段は、ガス供給装置からスパ
ッタ用ガスおよびＣＶＤ用ガスを供給し、最初は前者の
流量を後者の流量に対して多くし、徐々に前者の流量を
後者の流量に対して減少させるよう制御するものである
ことを特徴としてもよい。Further, the control means for controlling the gas supply means and the bias voltage application means supplies the sputtering gas and the CVD gas from the gas supply device, and initially increases the former flow rate with respect to the latter flow rate. It may be characterized in that the former is controlled so as to gradually reduce the former flow rate with respect to the latter flow rate.
【００１３】スパッタ用ガスとＣＶＤ用ガスの流量比を
徐々に変え、最初、前者が後者より多くて、後になれば
なるほど前者が少なく後者が多いというようにすると、
基板の表面には最初スパッタ成膜がなされ、徐々にＣＶ
Ｄ成膜に移行する。これにより、より下地側ではスパッ
タ膜の特性を有し、より表面側ではＣＶＤ膜の特性を有
するような、混成膜を形成することができる。この混成
膜は、たとえば、スパッタによる基板への密着力の優れ
たＳｉ下地膜の性質と、ＣＶＤによる優れた強度・耐腐
食性・耐摩耗性・耐湿性を持つＤＬＣ膜の性質とを兼ね
備えたものとなるので、下地膜として別途設けていた層
が不要となって、保護膜の薄膜化およびトータルの成膜
時間の短縮・効率化が可能となる。If the flow ratio of the sputtering gas and the CVD gas is gradually changed so that the former is larger than the latter at first, and the later the former is smaller and the latter is more,
First, a sputter film is formed on the surface of the substrate, and the CV is gradually formed.
Shift to D film formation. Thereby, it is possible to form a mixed film having the characteristics of a sputtered film on the base side and the characteristics of a CVD film on the surface side. This mixed film has, for example, the properties of a Si underlayer film having excellent adhesion to a substrate by sputtering and the properties of a DLC film having excellent strength, corrosion resistance, abrasion resistance, and moisture resistance by CVD. Therefore, a layer separately provided as a base film is not required, so that the thickness of the protective film can be reduced, and the total film forming time can be reduced and the efficiency can be improved.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１には、
この発明を適用したＥＣＲプラズマ装置が示されてい
る。この図において、真空チャンバ１１は、その中に配
置された基板２０の表面にスパッタやＣＶＤによる成膜
等を行うための反応室であり、図示しない真空吸引装置
によって真空吸引されるようになっている。この真空チ
ャンバ１１の一側面の窓にキャビティ１２が連結され、
このキャビティ１２にマイクロ波を導入するための導波
管１３が取り付けられている。キャビティ１２には、そ
の周囲に電磁コイル１４が設けられて、キャビティ１２
内でＥＣＲプラズマが発生するようにされている。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In FIG.
1 shows an ECR plasma apparatus to which the present invention is applied. In this figure, a vacuum chamber 11 is a reaction chamber for performing film formation by sputtering or CVD on the surface of a substrate 20 disposed therein, and is vacuum-sucked by a vacuum suction device (not shown). I have. A cavity 12 is connected to a window on one side of the vacuum chamber 11,
A waveguide 13 for introducing microwaves is attached to the cavity 12. The cavity 12 is provided with an electromagnetic coil 14 around the cavity 12.
An ECR plasma is generated in the inside.
【００１５】真空チャンバ１１内には、スパッタ用ガス
供給装置１５からスパッタ用のたとえばＡｒガスが導入
されるようになっているとともに、ＣＶＤ用ガス供給装
置１６からＣＶＤ用のたとえばＣＨ4などの炭化水素ガ
スが導入されるようになっている。この真空チャンバ１
１内には基板２０が基板ホルダ２１によってホールドさ
れており、また、ターゲット２２がキャビティ１２の開
口の外に配置されている。基板２０には、基板用電圧印
加装置２３から基板ホルダ２１を介して所定の負のバイ
アス電圧（直流電圧または直流電圧に高周波電圧を重畳
したもの）が加えられるようになっている。ターゲット
２２にはターゲット用電圧印加装置２４により所定の負
のバイアス電圧が印加されるようになっている。Into the vacuum chamber 11, for example, an Ar gas for sputtering is introduced from a gas supply device 15 for sputtering, and a carbon gas such as CH 4 for CVD is supplied from a gas supply device 16 for CVD. Hydrogen gas is introduced. This vacuum chamber 1
In 1, a substrate 20 is held by a substrate holder 21, and a target 22 is arranged outside the opening of the cavity 12. A predetermined negative bias voltage (a DC voltage or a DC voltage with a high-frequency voltage superimposed thereon) is applied to the substrate 20 from the substrate voltage applying device 23 via the substrate holder 21. A predetermined negative bias voltage is applied to the target 22 by a target voltage application device 24.
【００１６】上記のスパッタ用ガス供給装置１５、ＣＶ
Ｄ用ガス供給装置１６、基板用電圧印加装置２３および
ターゲット用電圧印加装置２４は、コントローラ１７に
よってコントロールされるようになっている。The above-mentioned sputtering gas supply device 15, CV
The D gas supply device 16, the substrate voltage application device 23, and the target voltage application device 24 are controlled by the controller 17.
【００１７】このＥＣＲプラズマ装置において、導波管
１３により約２．４５ＧＨｚのマイクロ波をキャビティ
１２内に導入し、同時に電磁コイル１４により磁場を形
成することにより、ＥＣＲを発生させて活性なＥＣＲプ
ラズマを形成する。このＥＣＲプラズマは、電磁コイル
１４により真空チャンバ１１内に形成されたミラー磁場
あるいはカスプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ
１１内に引き出される。In this ECR plasma apparatus, microwaves of about 2.45 GHz are introduced into the cavity 12 by the waveguide 13 and at the same time, a magnetic field is formed by the electromagnetic coil 14 to generate ECR and generate active ECR plasma. To form The ECR plasma is drawn into the vacuum chamber 11 by an appropriate magnetic field such as a mirror magnetic field or a cusp magnetic field formed in the vacuum chamber 11 by the electromagnetic coil 14.
【００１８】基板２０として磁気ディスク基板を例にし
て説明する。この磁気ディスク基板２０は磁性膜の成膜
は終了し、その上に保護膜を形成する段階にあるものと
する。まず、スパッタ用ガス供給装置１５から、たとえ
ばＡｒガスを真空チャンバ１１内に導入する。ＥＣＲ条
件を満たすようにマイクロ波と磁場を印加し、Ａｒのプ
ラズマイオンを発生させる。The substrate 20 will be described using a magnetic disk substrate as an example. It is assumed that the magnetic disk substrate 20 has completed the formation of the magnetic film and is in a stage of forming a protective film thereon. First, for example, Ar gas is introduced into the vacuum chamber 11 from the sputtering gas supply device 15. A microwave and a magnetic field are applied so as to satisfy the ECR condition to generate Ar plasma ions.
【００１９】このとき、コントローラ１７により基板用
電圧印加装置２３をコントロールして基板２０にのみ負
のバイアス電圧を印加する。ターゲット用電圧印加装置
２４はオフにしておき、ターゲット２２にはバイアス電
圧を印加しない。すると、プラズマイオンＡｒ+は、こ
の負にバイアスされた基板２０に引き込まれて、基板２
０の表面をスパッタする。すなわち、いわゆる逆スパッ
タエッチングを基板２０に対して施し、これにより基板
２０の表面のクリーニングを行うことができる。At this time, the controller 17 controls the substrate voltage application device 23 to apply a negative bias voltage only to the substrate 20. The target voltage applying device 24 is turned off, and no bias voltage is applied to the target 22. Then, the plasma ions Ar + are drawn into the negatively biased substrate 20, and the substrate 2
0 surface is sputtered. That is, so-called reverse sputter etching is performed on the substrate 20, whereby the surface of the substrate 20 can be cleaned.
【００２０】つぎに、コントローラ１７によって基板用
電圧印加装置２３をオフにして基板２０にバイアス電圧
が印加されないようにするとともに、ターゲット用電圧
印加装置２４をオンにしてターゲット２２に負の所定の
バイアス電圧が印加されるようにする。すると、プラズ
マイオンＡｒ+は、今度は、この負にバイアスされたタ
ーゲット２２に引き込まれて、ターゲット２２の表面を
スパッタする。このターゲット２２は、この場合、Ｓｉ
板により形成されており、スパッタされることによりＳ
ｉ+が弾き出され、このＳｉ+が基板２０の表面に付着す
る。こうして、ＥＣＲスパッタによって基板２０の表面
に下地層であるＳｉ膜を形成することができる。Next, the controller 17 turns off the substrate voltage applying device 23 to prevent the bias voltage from being applied to the substrate 20, and turns on the target voltage applying device 24 to turn the target 22 on the target 22. The voltage is applied. Then, the plasma ions Ar + are now drawn into the negatively biased target 22 and sputter the surface of the target 22. This target 22 is, in this case, Si
Plate, and S
i + is ejected, and the Si + adheres to the surface of the substrate 20. Thus, a Si film as a base layer can be formed on the surface of the substrate 20 by ECR sputtering.
【００２１】ここで、コントローラ１７によって基板用
電圧印加装置２３とターゲット用電圧印加装置２４とを
ともにオンにして基板２０とターゲット２２に負のバイ
アス電圧を印加するようにすると、基板２０に対して逆
スパッタエッチングによるクリーニングを行いながら、
基板２０へのスパッタによる下地膜の成膜を同時に行う
ことができる。Here, when the controller 17 turns on both the substrate voltage applying device 23 and the target voltage applying device 24 to apply a negative bias voltage to the substrate 20 and the target 22, While performing cleaning by reverse sputter etching,
The formation of the base film by sputtering on the substrate 20 can be performed simultaneously.
【００２２】その後、コントローラ１７によってスパッ
タ用ガス供給装置１５をオフにして、代わりにＣＶＤ用
ガス供給装置１６をオンにする。このとき、基板用電圧
印加装置２３のみオンにし、ターゲット用電圧印加装置
２４はオフにする。真空チャンバ１１内に導入された炭
化水素ガスは、ＥＣＲプラズマによってイオン化され
る。Ｃ+イオンは、負のバイアス電圧の印加された基板
２０に吸引され、基板２０の表面において、先に形成し
た下地膜の上に、ＤＬＣ保護膜が形成される。Thereafter, the controller 17 turns off the sputtering gas supply device 15 and turns on the CVD gas supply device 16 instead. At this time, only the substrate voltage application device 23 is turned on, and the target voltage application device 24 is turned off. The hydrocarbon gas introduced into the vacuum chamber 11 is ionized by the ECR plasma. The C + ions are attracted to the substrate 20 to which the negative bias voltage is applied, and a DLC protective film is formed on the surface of the substrate 20 on the previously formed base film.
【００２３】このように、一つの真空チャンバ１１に基
板２０を固定したまま、この基板２０に対するクリーニ
ング、Ｓｉ下地膜形成、ＤＬＣ膜形成を順次行うことが
できる。そのため、複数のチャンバの間で基板２０を移
動させたりすることがなくなる。その結果、移動機構が
不要になるとともに、移動のための時間がなくなって効
率化され、プロセス全体の処理時間が短縮される。As described above, while the substrate 20 is fixed in one vacuum chamber 11, the cleaning, the formation of the Si underlayer, and the formation of the DLC film can be sequentially performed on the substrate 20. Therefore, there is no need to move the substrate 20 between a plurality of chambers. As a result, a moving mechanism is not required, the time for moving is eliminated, the efficiency is improved, and the processing time of the entire process is shortened.
【００２４】なお、上記では、ＥＣＲスパッタによるＳ
ｉ下地膜形成と、ＥＣＲ−ＣＶＤによるＤＬＣ膜形成と
を別プロセスとして時間的に順次行うようにしている
が、真空チャンバ１１に導入するガスを、スパッタ用の
たとえばＡｒガスから、ＣＶＤ用のたとえばＣＨ4に徐
々に変えていくようにすれば、最初につまりより下地側
にＳｉ膜の性質を有し、終了時つまり表面側にＤＬＣ膜
の性質の有する、いわば混成膜を形成することができ
る。このとき、バイアス電圧は、ターゲット２２に関し
ては負の電圧から徐々に零に近づけ、逆に基板２０に関
しては零から徐々に負の電圧としていく。In the above description, SCR by ECR sputtering
Although the formation of the i-underlying film and the formation of the DLC film by ECR-CVD are sequentially and sequentially performed as separate processes, the gas introduced into the vacuum chamber 11 is changed from, for example, Ar gas for sputtering to, for example, Ar gas for CVD. By gradually changing to CH 4 , it is possible to form a so-called mixed film having the properties of the Si film at the beginning, that is, the underlying side, and having the properties of the DLC film at the end, that is, the surface side. . At this time, the bias voltage of the target 22 is gradually reduced from a negative voltage to zero, and the bias voltage of the substrate 20 is gradually reduced from zero to a negative voltage.
【００２５】こうして形成される混成膜は、Ｓｉ下地膜
による基板への密着力と、ＤＬＣ膜の優れた強度・耐腐
食性・耐摩耗性・耐湿性とを併せ持ったものとなる。そ
のため、ＤＬＣ膜の下地層として必要であったＳｉ下地
膜が不要となって保護膜全体の薄膜化が達成されるとと
もに、独立の成膜プロセスが不要となるためプロセスの
効率化および成膜時間の短縮を図ることができる。The mixed film formed in this way has both the adhesion of the Si underlayer to the substrate and the excellent strength, corrosion resistance, abrasion resistance and moisture resistance of the DLC film. This eliminates the need for a Si underlayer, which was necessary as an underlayer for the DLC film, and achieves a reduction in the overall thickness of the protective film. Can be reduced.
【００２６】上記の記述は、一つの実施の形態に関する
ものであって、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々
に変更できることは言うまでもない。たとえば、ターゲ
ット２２として上記ではＳｉを材料としたが、その他の
金属材料を用いることもできる。たとえば、Ｃｒあるい
はＣｒとＮｉの合金等を用いれば、基板２０に対して磁
性膜を形成することもできる。この場合、基板２０に対
して、磁性膜から形成することができるので、一つの真
空チャンバ１１内に基板２０を固定したままで、磁気デ
ィスクの製造プロセスをすべて一貫して行うことができ
る。The above description relates to one embodiment, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the target 22 is made of Si in the above, but other metal materials can be used. For example, if Cr or an alloy of Cr and Ni is used, a magnetic film can be formed on the substrate 20. In this case, since the substrate 20 can be formed of a magnetic film, the manufacturing process of the magnetic disk can be performed consistently while the substrate 20 is fixed in one vacuum chamber 11.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＥＣＲ
プラズマ装置によれば、一つのチャンバで複数のプロセ
スを行うことができるため、そのプロセスごとに基板を
チャンバ間で移動させる必要がなくなって移動機構が不
要となるとともにチャンバも単一で済み、装置の簡単
化、低価格化を図ることができる。基板のチャンバ間移
動がなくなるので、その移動にかかる時間を省いて効率
化を図り、プロセス全体の時間を短縮することができ
る。As described above, the ECR of the present invention is
According to the plasma apparatus, a plurality of processes can be performed in one chamber. Therefore, it is not necessary to move a substrate between the chambers for each process, so that a moving mechanism is not required and a single chamber can be used. Can be simplified and the price can be reduced. Since the movement of the substrate between the chambers is eliminated, the time required for the movement can be saved, the efficiency can be improved, and the time of the entire process can be shortened.
【図１】この発明の実施の形態を示す模式図。FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of the present invention.
１１ 真空チャンバ １２ キャビティ １３ 導波管 １４ 電磁コイル １５ スパッタ用ガス供給装置 １６ ＣＶＤ用ガス供給装置 １７ コントローラ ２０ 基板 ２１ 基板ホルダ ２２ ターゲット ２３ 基板用電圧印加装置 ２４ ターゲット用電圧印加装置 Reference Signs List 11 vacuum chamber 12 cavity 13 waveguide 14 electromagnetic coil 15 gas supply device for sputtering 16 gas supply device for CVD 17 controller 20 substrate 21 substrate holder 22 target 23 voltage applying device for substrate 24 voltage applying device for target
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ ５Ｆ０４５ 21/31 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4K029 CA13 DC48 EA09 4K030 FA02 JA17 KA41 4K057 DA01 DA19 DD02 DE14 DM28 DM29 DN01 5D112 AA07 AA24 FA05 FA10 FB08 FB26 FB28 KK01 5F004 BB14 BB16 BD03 BD04 BD05 DA23 5F045 AA10 AB07 AC01 BB08 DP09 EH17 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3065 H01L 21/31 C 5F045 21/31 21/302 B F term (Reference) 4K029 CA13 DC48 EA09 4K030 FA02 JA17 KA41 4K057 DA01 DA19 DD02 DE14 DM28 DM29 DN01 5D112 AA07 AA24 FA05 FA10 FB08 FB26 FB28 KK01 5F004 BB14 BB16 BD03 BD04 BD05 DA23 5F045 AA10 AB07 AC01 BB08 DP09 EH17
Claims (1)
プラズマを生成する手段と、該チャンバ内にスパッタ用
ガスおよびＣＶＤ用ガスを供給するガス供給手段と、該
チャンバ内に配置されたターゲットと、該チャンバ内で
基板を保持するため該チャンバ内に配置された基板保持
手段と、該ターゲットおよび基板保持手段によって保持
された基板にそれぞれバイアス電圧を印加するバイアス
電圧印加手段と、上記ガス供給手段およびバイアス電圧
印加手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とす
るＥＣＲプラズマ装置。A vacuum chamber and an ECR in the chamber.
Means for generating plasma; gas supply means for supplying a sputtering gas and a CVD gas into the chamber; a target disposed in the chamber; and a target disposed in the chamber for holding a substrate in the chamber. Substrate holding means, a bias voltage applying means for applying a bias voltage to the substrate held by the target and the substrate holding means, respectively, and a control means for controlling the gas supply means and the bias voltage applying means. Characteristic ECR plasma device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113449A JP2000306696A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Ecr plasma device |
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| JP11113449A JP2000306696A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Ecr plasma device |
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| JP2000306696A true JP2000306696A (en) | 2000-11-02 |
Family
ID=14612524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113449A Pending JP2000306696A (en) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | Ecr plasma device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306696A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007314838A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Method for manufacturing carbon film |
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| CN100593585C (en) * | 2007-08-21 | 2010-03-10 | 西安电子科技大学 | Microwave electron cyclotron resonance plasma chemistry gas phase sedimentation device |
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-
1999
- 1999-04-21 JP JP11113449A patent/JP2000306696A/en active Pending
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