JP2000299551A - Method for forming bump - Google Patents

Method for forming bump

Info

Publication number
JP2000299551A
JP2000299551A JP11109273A JP10927399A JP2000299551A JP 2000299551 A JP2000299551 A JP 2000299551A JP 11109273 A JP11109273 A JP 11109273A JP 10927399 A JP10927399 A JP 10927399A JP 2000299551 A JP2000299551 A JP 2000299551A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
substrate
bump
upper layer
electrode portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11109273A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Fujino
純司 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP11109273A priority Critical patent/JP2000299551A/en
Publication of JP2000299551A publication Critical patent/JP2000299551A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a bump having high profile at an electrode part by pouring an upper layer liquid into a solder tank to form a layer with molten solder and immersing a substrate into the upper layer liquid such that the electrode part touches the molten solder. SOLUTION: Eutectic solder 4 and an upper layer liquid, i.e., diethylene glycol 6, are poured into a crucible 3 and heated such that the diethylene glycol 6 is laminated on the solder 4 in molten state and two layers are formed. A printed board 1 is then immersed into the diethylene glycol 6 and the electrode part 2 of the printed board 1 is brought into contact with the surface of the molten solder 4 so that the molten solder 4 adhere to the electrode part 2. Since the difference of density between a ball bump 5 and the diethylene glycol 6 is extremely small as compared with that between the ball bump 5 and the atmosphere, surface tension of the ball bump 5 to the printed board 1 is increased. Consequently, contact angle between the ball bump 5 and the printed board 1 is increased and the height of the ball bump 5 is increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ形成方法に
関する。詳細にはプリント基板の電極部にバンプを形成
するバンプ形成方法に関する。
[0001] The present invention relates to a bump forming method. More specifically, the present invention relates to a bump forming method for forming a bump on an electrode portion of a printed circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品の電極部にバンプを形成するバ
ンプ形成方法は、「ディップ法を用いた極微細ピッチバ
ンプの形成技術」(中岡由起子他、第25回マイクロ接合
研究委員会ソルダリング分科会、P51-61、98年7月、以
下、従来技術1と呼ぶ)で開示されている。従来技術1
は、図7(a)に示すようにるつぼ3で半田4を加熱し
溶解させ、図7(b)に示すようにプリント基板1の電
極部2をるつぼ3の溶解半田4に接触させ、図7(c)
に示すように、プリント基板1をるつぼ3から引き上げ
て、電極部2にボールバンプ5a(半田部)を形成する
ものであった。
2. Description of the Related Art A bump forming method for forming a bump on an electrode portion of an electronic component is described in "Technique for forming a very fine pitch bump using a dipping method" (Yukiko Nakaoka et al., 25th Micro Joining Research Committee, Soldering Division Association, P51-61, July 1998, hereinafter referred to as Prior Art 1). Conventional technology 1
7A, the solder 4 is heated and melted in the crucible 3 as shown in FIG. 7A, and the electrode portion 2 of the printed circuit board 1 is brought into contact with the molten solder 4 in the crucible 3 as shown in FIG. 7 (c)
As shown in FIG. 1, the printed board 1 is pulled up from the crucible 3 to form ball bumps 5a (solder portions) on the electrode portions 2.

【0003】また、特開平09−237963号公報で
は、プリント基板の電極部にバンプを形成するバンプ形
成方法が開示されている(以下、この技術を従来技術2
と呼ぶ)。従来技術2は、まず、貫通孔を有するマスク
を支持部材に重ねあわせ、貫通孔にソルダペーストを充
填し、次に、貫通孔と電極部が接触するようにプリント
基板を配置する。続いて、貫通孔のソルダペーストを溶
解させ、電極部にソルダペーストを転写して電極部にバ
ンプを形成していた。また、従来技術2では、フリップ
チップボンダを用いて、マスクに対してプリント基板を
一つずつ位置決めした後、ボンダヘッドによって、基板
を1つずつ加圧・加熱していた。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-237963 discloses a bump forming method for forming a bump on an electrode portion of a printed circuit board (hereinafter, this technique is referred to as Conventional Technique 2).
). In the prior art 2, first, a mask having a through hole is superimposed on a support member, a solder paste is filled in the through hole, and then a printed circuit board is arranged so that the through hole and the electrode portion are in contact with each other. Subsequently, the solder paste in the through holes was dissolved, and the solder paste was transferred to the electrode portions to form bumps on the electrode portions. Further, in the prior art 2, the printed circuit boards are positioned one by one with respect to the mask using a flip chip bonder, and then the substrates are pressurized and heated one by one by a bonder head.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術1及び従来技術2には、以下に説明するような課題が
あった。
However, the prior arts 1 and 2 have the following problems.

【0005】最初に従来技術1に関する課題について説
明する。プリント基板1をるつぼから引き上げた後、図
8に示すようにプリント基板1の電極部2に形成された
半田バンプ5aは大気11にさらされる。プリント基板
1に対する半田バンプ5の接触角αは、半田バンプ5a
と大気11との密度差(半田約10、大気約1.3×1
-3)による表面張力によって決定される。即ち、電極
部2に転写される半田量は、半田バンプ5と大気11と
の密度差に依存する。
[0005] First, the problem relating to the prior art 1 will be described. After lifting the printed board 1 from the crucible, the solder bumps 5a formed on the electrode portions 2 of the printed board 1 are exposed to the atmosphere 11 as shown in FIG. The contact angle α of the solder bump 5 with respect to the printed board 1 is
Density difference between air and air 11 (solder about 10, air about 1.3 × 1
0 -3) by is determined by the surface tension. That is, the amount of solder transferred to the electrode unit 2 depends on the density difference between the solder bump 5 and the atmosphere 11.

【0006】半田バンプ5と大気11との密度差が大き
く、電極部2に供給される半田量が少ないので、このよ
うに形成されたバンプ5aの高さはわずか30μmであ
った。従って、従来技術1で形成した半田バンプ5a
は、FEGAデザインガイド(EIAJ EDR−73
16)を満たすことは不可能であった。
Since the density difference between the solder bump 5 and the atmosphere 11 is large and the amount of solder supplied to the electrode portion 2 is small, the height of the bump 5a formed in this way is only 30 μm. Therefore, the solder bumps 5a formed in the prior art 1
Is the FEGA Design Guide (EIAJ EDR-73)
It was impossible to satisfy 16).

【0007】また、従来技術2では、ボンダヘッドが、
加圧・加熱の工程においても使用される。従って、複数
のプリント基板にバンプを形成して生産性を向上させる
ためには、ボンダヘッドを複数用意する必要があった。
しかしながら、フリップチップボンダの製造コストにお
いて、ボンダヘッドが占める割合は50%を越えるた
め、このようにボンダヘッドを複数個装備することは、
フリップチップボンダの高コスト化につながるといった
課題があった。
In the prior art 2, the bonder head is
It is also used in the process of pressurization and heating. Therefore, in order to improve productivity by forming bumps on a plurality of printed boards, it is necessary to prepare a plurality of bonder heads.
However, in the manufacturing cost of the flip chip bonder, the ratio occupied by the bonder head exceeds 50%.
There was a problem that the cost of the flip chip bonder was increased.

【0008】本発明の第1の目的は、電極部に充分な半
田を供給することにより、電極部に高さの大きなバンプ
を形成することができるバンプ形成方法を提供すること
である。
A first object of the present invention is to provide a bump forming method capable of forming a bump having a large height on an electrode portion by supplying sufficient solder to the electrode portion.

【0009】本発明の第2の目的は、低コストかつ生産
性の高いバンプ形成方法を提供することである。
A second object of the present invention is to provide a low cost and high productivity bump forming method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成方法
は、上記課題を鑑みてなされたものであり、具体的に
は、複数の電極部が形成された基板を半田槽の溶融半田
に接触させ、各電極部にバンプを形成するバンプ形成方
法であって、半田槽には、溶融半田と2層になるように
上層液が注入されていて、基板を上記電極部が溶融半田
に接触するように、上層液に浸漬させてバンプを形成す
ることを含むことを特徴とする。本発明の方法によれ
ば、電極部に形成された半田を、該半田との密度差が小
さい上層液に浸漬させることで電極部に充分な量の半田
を供給し、充分な高さのバンプを電極部に形成すること
ができる。
SUMMARY OF THE INVENTION The bump forming method of the present invention has been made in view of the above problems, and specifically, a method in which a substrate having a plurality of electrode portions is contacted with molten solder in a solder bath. A method for forming a bump on each electrode part, wherein an upper layer liquid is injected into the solder bath so as to form two layers with molten solder, and the electrode part contacts the molten solder with the substrate. As described above, the method is characterized in that the method includes immersing in an upper layer solution to form a bump. According to the method of the present invention, a sufficient amount of solder is supplied to the electrode portion by immersing the solder formed on the electrode portion in an upper liquid having a small density difference from the solder, and a bump having a sufficient height is provided. Can be formed on the electrode portion.

【0011】本発明のバンプ形成方法において、上層液
の比重を0.5以上とするのが好ましい。
In the bump forming method of the present invention, the specific gravity of the upper layer liquid is preferably 0.5 or more.

【0012】また、本発明のバンプ形成方法において、
上層液の気化を抑制するように半田槽が密閉されている
のが好ましい。こうすることで上層液の沸点以上に半田
を加熱することができるので、融点の高い半田と沸点の
低い上層液とを組み合わせて用いることができる。具体
的には、半田をSn―3.5Ag共晶半田とし、上層液
をジエチレングリコールとするのが好ましい。
Further, in the bump forming method of the present invention,
It is preferable that the solder bath is sealed so as to suppress vaporization of the upper layer liquid. By doing so, the solder can be heated to a temperature higher than the boiling point of the upper layer liquid, so that a solder having a higher melting point and an upper layer liquid having a lower boiling point can be used in combination. Specifically, it is preferable that the solder is Sn-3.5Ag eutectic solder and the upper layer liquid is diethylene glycol.

【0013】本発明の別のバンプ形成方法は、基板の電
極部に対応するように貫通孔が形成されたマスクに支持
部材に重ねて貫通孔の一方の開口端を塞いで凹部を形成
して、凹部にソルダペーストを充填する工程と、基板の
電極部が対応する凹部上に位置するように位置合わせを
して基板を板状部材に吸着させる吸着工程と、支持部材
と板状部材との間で、凹部に充填されたソルダペースト
と対応する電極部が接触するように基板とマスクとを密
着させる工程を含み、基板の電極部にバンプを形成する
バンプ形成方法であって、マスクに、複数の基板の電極
のそれぞれに対応する貫通孔を形成し、板状部材に複数
の基板を同時に吸着させることにより、複数の基板の各
電極部に同時にバンプを形成することを特徴とする。
According to another bump forming method of the present invention, a concave portion is formed by superposing a mask having a through-hole corresponding to an electrode portion of a substrate on a support member and closing one opening end of the through-hole. A step of filling the recess with solder paste, a step of aligning the substrate so that the electrode portion of the substrate is positioned on the corresponding recess, and a step of attracting the substrate to the plate-like member; Including, between the solder paste filled in the concave portion and the corresponding electrode portion includes a step of bringing the substrate and the mask into close contact with each other, a bump forming method of forming a bump on the electrode portion of the substrate, the mask, By forming through holes corresponding to the respective electrodes of the plurality of substrates and simultaneously adsorbing the plurality of substrates to the plate-like member, bumps are simultaneously formed on the respective electrode portions of the plurality of substrates.

【0014】本発明の別のバンプ形成方法において、板
状部材は一方の主面に各基板を吸着する基板吸着部と基
板吸着部の一部に貫通領域とを有し、吸着工程におい
て、ボンダヘッドを板状部材の他方の主面側から挿入し
て、一方の主面側にある各基板をボンダヘッドによって
移動させて位置合わせをした後、基板吸着部の所定の位
置に固定するのが好ましい。
In another bump forming method of the present invention, the plate-shaped member has a substrate suction portion for sucking each substrate on one main surface and a penetrating region in a part of the substrate suction portion. Is preferably inserted from the other main surface side of the plate-shaped member, and each substrate on the one main surface side is moved and aligned by a bonder head, and then fixed at a predetermined position of the substrate suction portion.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】実施の形態1.最初に、図面を参
照して、本発明の実施の形態1にかかるバンプ形成方法
について説明する。図1及び図2に示すように、基板1
には複数の電極部2が形成されていて、各電極部2には
ボールバンプ5が形成される。本実施の形態で利用され
るプリント基板1は、例えばガラスエポキシ製であり、
例えばその外形寸法は16.0mm×16.0mm×1.
0mmである。また、プリント基板1の一方の面には、
例えば直径0.25mmの電極部2が、ピッチ0.5m
mで1024個形成されている。電極部2は、厚さ16
μmのCuからなり、Cuの表面には、厚さ0.5μm
のNiと厚さ0.1μmのAuとがメッキで形成されて
いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 First, a bump forming method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1 and FIG.
Are formed with a plurality of electrode portions 2, and a ball bump 5 is formed on each electrode portion 2. The printed circuit board 1 used in the present embodiment is made of, for example, glass epoxy,
For example, its outer dimensions are 16.0mm x 16.0mm x 1.
0 mm. Also, on one surface of the printed circuit board 1,
For example, the electrode section 2 having a diameter of 0.25 mm is formed at a pitch of 0.5 m.
1024 are formed with m. The electrode part 2 has a thickness of 16
made of Cu having a thickness of 0.5 μm
Ni and Au having a thickness of 0.1 μm are formed by plating.

【0016】バンプを形成するためには、最初に図1
(a)に示すように、寸法100mm×100mm×5
0mmのるつぼ3(半田槽)に組成63%のSn―Pb
の共晶半田4(比重約9.6、融点183℃)と上層液
としてジエチレングリコール6(比重1.1、沸点244
℃)とを注入する。さらに、るつぼ3を210℃に加熱
し、半田4及びジエチレングリコール6を210℃に加
熱する。上述したように、半田の融点は183℃であ
り、ジエチレングリコール6の沸点は244℃であるか
ら、るつぼ3内では、半田4は融解するが、エチレング
リコール6は沸騰することはない。さらに、半田4の比
重は、エチレングリコール6の比重よりも大きいので、
エチレングリコール6と半田4とは混合することなく、
図1(a)に示すように、エチレングリコール6は溶融
状態の半田4に積み重なり、るつぼ3において、エチレ
ングリコール6と半田4とは二層をなす。
In order to form a bump, first, FIG.
As shown in (a), dimensions 100 mm × 100 mm × 5
63% Sn-Pb in crucible 3 (solder tank) of 0 mm
Eutectic solder 4 (specific gravity about 9.6, melting point 183 ° C.) and diethylene glycol 6 (specific gravity 1.1, boiling point 244) as an upper layer liquid
° C). Further, the crucible 3 is heated to 210 ° C., and the solder 4 and diethylene glycol 6 are heated to 210 ° C. As described above, since the melting point of the solder is 183 ° C. and the boiling point of diethylene glycol 6 is 244 ° C., the solder 4 melts in the crucible 3 but the ethylene glycol 6 does not boil. Furthermore, since the specific gravity of the solder 4 is larger than the specific gravity of the ethylene glycol 6,
Without mixing ethylene glycol 6 and solder 4
As shown in FIG. 1A, ethylene glycol 6 is stacked on the molten solder 4, and in the crucible 3, the ethylene glycol 6 and the solder 4 form two layers.

【0017】本実施の形態1では、溶融半田4に積み重
なる上層液6としてエチレングリコールを用いたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、比重が半田4よ
りも小さい液体であればよい。具体的に検証したとこ
ろ、比重が0.5以上の液体を上層液6として用いる
と、充分な高さのバンプを得たことから、比重が0.5
以上である液体を上層液とするのが好ましい。
In the first embodiment, ethylene glycol is used as the upper layer liquid 6 stacked on the molten solder 4. However, the present invention is not limited to this, and any liquid having a specific gravity smaller than that of the solder 4 may be used. . Specifically, when a liquid having a specific gravity of 0.5 or more was used as the upper layer liquid 6, bumps having a sufficient height were obtained.
The above liquid is preferably used as the upper layer liquid.

【0018】さらに、本実施の形態1では、るつぼ3を
210℃に加熱したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、半田4の融点よりも高い温度に半田4及び上
層液6を保持し、るつぼ3内で液体状態の上層液6が溶
解した半田4表面を覆うような状態、即ち、上層液6と
半田4とが二層をなす状態にすれば、本実施の形態と同
様の作用・効果を得ることができる。
Furthermore, in the first embodiment, the crucible 3 is heated to 210 ° C., but the present invention is not limited to this, and the solder 4 and the upper liquid 6 are heated to a temperature higher than the melting point of the solder 4. As long as the liquid is held in the crucible 3 so as to cover the surface of the solder 4 in which the liquid 6 is dissolved, that is, the liquid 6 and the solder 4 form two layers, the same as in the present embodiment. Function and effect can be obtained.

【0019】次に、図1(b)に示すように、プリント
基板1をエチレングリコール6に浸漬させ、プリント基
板1の電極部2と溶融半田4の表面とを接触させ、電極
部2に溶融半田4を付着させる。こうすることで、電極
部2にボールバンプを形成することができる。さらに、
基板1をるつぼ3から引き上げる際、基板1はエチレン
グリコール6の液中を通過する。つまり、図2(a)に
示すように、エチレングリコール6と電極部2に形成さ
れたボールバンプ5とが接触するように、基板1はエチ
レングリコール6に浸漬される。
Next, as shown in FIG. 1B, the printed circuit board 1 is immersed in ethylene glycol 6 so that the electrode portion 2 of the printed circuit board 1 is brought into contact with the surface of the molten solder 4 so that the electrode portion 2 is melted. The solder 4 is attached. By doing so, a ball bump can be formed on the electrode portion 2. further,
When the substrate 1 is lifted from the crucible 3, the substrate 1 passes through a liquid of ethylene glycol 6. That is, as shown in FIG. 2A, the substrate 1 is immersed in the ethylene glycol 6 so that the ethylene glycol 6 and the ball bump 5 formed on the electrode portion 2 are in contact with each other.

【0020】ボールバンプ(半田)5と大気との密度差
に比較して、ボールバンプ5とエチレングリコール6と
の密度差は極めて小さいので、ボールバンプ5のプリン
ト基板1に対する表面張力は大きくなり、図3に示すよ
うに、ボールバンプ5とプリント基板1とでなす接触角
αは大きくなる。つまり、電極部2に付着する半田の量
が増大しするので、ボールバンプ5の高さが大きくな
る。詳細には、半田バンプ高さは200μm以上とな
り、FBGAデザインガイド(EIAJ EDR−73
16)を満たすものとなった。
Since the density difference between the ball bump 5 and the ethylene glycol 6 is extremely small as compared with the density difference between the ball bump (solder) 5 and the atmosphere, the surface tension of the ball bump 5 on the printed circuit board 1 increases. As shown in FIG. 3, the contact angle α between the ball bump 5 and the printed circuit board 1 increases. That is, since the amount of solder adhering to the electrode portion 2 increases, the height of the ball bump 5 increases. Specifically, the solder bump height is 200 μm or more, and the FBGA design guide (EIAJ EDR-73
16).

【0021】図2(b)に示すように、このように形成
されたボールバンプ5を備えている基板1をるつぼ3か
ら引き上げることでボールバンプ形成工程は終了する。
As shown in FIG. 2B, the substrate 1 having the ball bumps 5 thus formed is pulled up from the crucible 3 to complete the ball bump forming step.

【0022】実施の形態2.さらに、近年Pb使用の規
制に備えて、Pbを含有しない半田を利用する方法が検
討されている。具体的にはSn―3.5Ag半田等を利
用することが検討されている。しかしながら、上述した
Sn―Pb半田と比較して、Sn―3.5Ag半田の融
点は221℃と高温である。従って、実施の形態1にお
いて、半田としてSn―3.5Ag半田を利用し、上層
液として沸点が比較的低いジエチレングリコールを利用
して、Sn―3.5Ag半田が実質的に融解する温度ま
で加熱すると、ジエチレングリコールが沸騰し気化する
ので上層液の役割を果たさない。このため、半田の融点
に対応する沸点を有する上層液を用意する必要がある。
つまり、半田の融点に対応して上層液を交換する必要が
あるので、工程が煩わしくなる。本発明の実施の形態2
にかかるバンプ形成方法は、このような課題を対処する
ものである。
Embodiment 2 FIG. Further, in recent years, a method of using a Pb-free solder has been studied in preparation for the regulation of Pb use. Specifically, the use of Sn-3.5Ag solder or the like has been studied. However, the melting point of Sn-3.5Ag solder is as high as 221 ° C. as compared with the above-described Sn-Pb solder. Therefore, in the first embodiment, when Sn-3.5Ag solder is used as the solder and diethylene glycol having a relatively low boiling point is used as the upper layer liquid, the Sn-3.5Ag solder is heated to a temperature at which it is substantially melted. However, since diethylene glycol boils and evaporates, it does not serve as an upper layer liquid. For this reason, it is necessary to prepare an upper layer liquid having a boiling point corresponding to the melting point of the solder.
That is, it is necessary to replace the upper layer liquid in accordance with the melting point of the solder, so that the process becomes complicated. Embodiment 2 of the present invention
The bump forming method according to (1) addresses such a problem.

【0023】本実施の形態2にかかるバンプ形成方法
は、図4に示すよう密閉型のるつぼ3aを用いるもので
ある。密閉型るつぼ3aは、るつぼ本体3bと蓋3cか
らなり、るつぼ本体3bを蓋3cで閉じることで、るつ
ぼ本体3bの気相部7は密閉される。本実施の形態は、
るつぼ本体3bに、Sn―3.5Ag共晶半田(融点2
21℃)とジエチレングリコール6とを注入し、半田4
aとジエチレングリコール6とを250℃に加熱して、
実施の形態1同様のバンプ形成を行うものである。
The bump forming method according to the second embodiment uses a closed crucible 3a as shown in FIG. The hermetic crucible 3a includes a crucible body 3b and a lid 3c. By closing the crucible body 3b with the lid 3c, the gas phase portion 7 of the crucible body 3b is sealed. In this embodiment,
The Sn-3.5Ag eutectic solder (melting point 2
21 ° C.) and diethylene glycol 6 and solder 4
a and diethylene glycol 6 heated to 250 ° C.
The bump formation is performed in the same manner as in the first embodiment.

【0024】半田4aの融点は221℃であるから、る
つぼ3a内で半田4aは溶融する。また、ジエチレング
リコール6の沸点は244℃であるから、るつぼ3aに
おいて、ジエチレングリコール6は沸騰して気化する。
さらに、加熱を続けると気化したジエチレングリコール
は気相部7を充満し、気相部7は大気圧以上に加圧され
る。このように、気相部7の圧力が大気圧以上になる
と、ジエチレングリコール6の気化が停止する。従っ
て、半田4aとジエチレングリコール6とを、ジエチレ
ングリコール6の沸点以上である250℃に加熱して
も、図4に示すように、液体状態のジエチレングリコー
ル6は、溶融した半田4aに重なるように残存する。即
ち、密閉型るつぼ3aを利用することで、ジエチレング
リコール6の気化は抑制されるので液体状態のジエチレ
ングリコール6を残存した状態で、ジエチレングリコー
ル6の沸点よりも高い温度に半田4aを加熱し溶解させ
ることができる。
Since the melting point of the solder 4a is 221 ° C., the solder 4a is melted in the crucible 3a. Also, since the boiling point of diethylene glycol 6 is 244 ° C., diethylene glycol 6 boils and evaporates in crucible 3a.
Further, when heating is continued, the vaporized diethylene glycol fills the gas phase 7, and the gas phase 7 is pressurized to an atmospheric pressure or higher. Thus, when the pressure of the gas phase part 7 becomes higher than the atmospheric pressure, the vaporization of the diethylene glycol 6 stops. Therefore, even if the solder 4a and the diethylene glycol 6 are heated to 250 ° C., which is equal to or higher than the boiling point of the diethylene glycol 6, as shown in FIG. 4, the liquid state diethylene glycol 6 remains so as to overlap the molten solder 4a. That is, since the vaporization of diethylene glycol 6 is suppressed by using the closed crucible 3a, it is possible to heat and melt the solder 4a to a temperature higher than the boiling point of diethylene glycol 6 with the liquid state of diethylene glycol 6 remaining. it can.

【0025】即ち、本実施の形態2によれば、半田の融
点によって上層液を変更する必要が不用になる。具体的
には、63%Sn―Pb共晶半田及びSn―3.5Ag
共晶半田のいずれに対しても、ジエチレングリコールを
上層液として利用することができる。
That is, according to the second embodiment, it is unnecessary to change the upper layer liquid depending on the melting point of the solder. Specifically, 63% Sn-Pb eutectic solder and Sn-3.5Ag
For any of the eutectic solders, diethylene glycol can be used as the upper layer liquid.

【0026】実施の形態3.本発明の実施の形態3にか
かるバンプ形成方法は、以下に図5及び図6を参照して
説明するように、複数の基板に同時に電極を形成するも
のである。
Embodiment 3 FIG. The bump forming method according to the third embodiment of the present invention forms electrodes on a plurality of substrates at the same time as described below with reference to FIGS.

【0027】本実施の形態では、SUS製のマスク部材
8(厚さ0.15mm)と支持部材10とを用いる。マ
スク部材8には、複数のプリント基板1の電極部2に対
応する貫通孔9(φ0.4mm)が形成されている。バ
ンプを形成するため、まず、図5(a)に示すように、
支持部材10とマスク部材8とを重ね合わせ、貫通孔9
の一方の開口端を塞いで、貫通孔9と支持部材10の表
面とで凹部11を形成する。上述したように、貫通孔9
は、基板1の電極部2に対応するように形成されたもの
であるから、凹部11も複数の基板1の電極部2に対応
するように形成される。さらに、このように形成された
凹部11にスキージ12によってソルダペースト13を
充填する。
In this embodiment, a SUS mask member 8 (0.15 mm thick) and a support member 10 are used. In the mask member 8, through holes 9 (φ0.4 mm) corresponding to the electrode portions 2 of the plurality of printed circuit boards 1 are formed. In order to form a bump, first, as shown in FIG.
The support member 10 and the mask member 8 are overlapped, and the through holes 9
The opening 11 is closed, and the recess 11 is formed by the through hole 9 and the surface of the support member 10. As described above, the through hole 9
Are formed so as to correspond to the electrode portions 2 of the substrate 1, so that the concave portions 11 are also formed to correspond to the electrode portions 2 of the plurality of substrates 1. Further, the squeegee 12 is used to fill the solder paste 13 into the recess 11 thus formed.

【0028】次に、図5(b)に示すように、マスク部
材8の上方に複数のプリント基板(本実施の形態では1
6個、但し、図示するのは4つ)をトレイ14で搬送す
る。さらに、プリント基板1の上方に板状部材15を配
置する。板状部材15は、マスク8の所定の位置に複数
の基板1を一括して配置するものであり、基板1を1つ
ずつ吸着固定する基板固定部20を備えている。基板固
定部20は、板状部材10の基板1側の表面(以下、第
1の主面と呼ぶ)に形成されている。さらに、吸着装置
(図示せず)でプリント基板1を吸着して固定するよう
に、各基板固定部20には吸着装置に接続された吸着溝
17が形成されている。また、各基板固定部20には、
板状部材側貫通孔16が形成されている。
Next, as shown in FIG. 5 (b), a plurality of printed circuit boards (in this embodiment, one
6 (4 shown in the figure) are conveyed by the tray 14. Further, the plate-like member 15 is arranged above the printed board 1. The plate-like member 15 is for arranging a plurality of substrates 1 at predetermined positions of the mask 8 at a time, and includes a substrate fixing portion 20 for adsorbing and fixing the substrates 1 one by one. The substrate fixing portion 20 is formed on a surface of the plate-shaped member 10 on the substrate 1 side (hereinafter, referred to as a first main surface). Further, a suction groove 17 connected to the suction device is formed in each substrate fixing portion 20 so that the printed circuit board 1 is suctioned and fixed by a suction device (not shown). In addition, each substrate fixing portion 20 includes:
A plate-like member side through hole 16 is formed.

【0029】次に、各プリント基板1を板状部材15に
吸着固定する。図6(a)に示すように、ハーフミラー
18でソルダペースト13が充填された凹部11の位置
と電極部2の位置とを検出し、凹部11の直上に電極部
2が位置するように、プリント基板1を水平方向に移動
させ、板状部材15の基板固定部16の直下にプリント
基板1を配置する。さらに、第1の主面と対向する主面
(以下第2の主面と呼ぶ)からボンダヘッド19を板状
部材側貫通孔16に貫通させ、基板固定部20の直下に
配置され、第1の主面側に位置するプリント基板1をボ
ンダヘッド19で吸着させ、プリント基板1を上方に移
動させ、基板固定部16に配置する。続いて、基板固定
部16に配置されたプリント基板1を吸着溝17で真空
吸着することで、プリント基板1は、板状部材15の基
板固定部20に固定される。プリント基板1を基板固定
部20に固定させた後、ハーフミラー18とボンダヘッ
ド19は水平方向に移動し、上述した方法で別のプリン
ト基板1を板状部材15の基板固定部20に固定する。
このような吸着固定工程を繰り返し、トレイ14に配置
されたプリント基板は板状部材15に同時に吸着固定さ
れる。
Next, each printed circuit board 1 is fixed to the plate member 15 by suction. As shown in FIG. 6A, the position of the concave portion 11 filled with the solder paste 13 and the position of the electrode portion 2 are detected by the half mirror 18, and the electrode portion 2 is positioned immediately above the concave portion 11. The printed board 1 is moved in the horizontal direction, and the printed board 1 is disposed immediately below the board fixing portion 16 of the plate member 15. Further, the bonder head 19 is passed through the plate-like member side through hole 16 from a main surface (hereinafter, referred to as a second main surface) opposite to the first main surface, and is disposed immediately below the substrate fixing portion 20. The printed board 1 located on the main surface side is sucked by the bonder head 19, the printed board 1 is moved upward, and placed on the board fixing section 16. Subsequently, the printed board 1 placed on the board fixing section 16 is vacuum-sucked by the suction groove 17, so that the printed board 1 is fixed to the board fixing section 20 of the plate member 15. After fixing the printed board 1 to the board fixing section 20, the half mirror 18 and the bonder head 19 move in the horizontal direction, and fix another printed board 1 to the board fixing section 20 of the plate member 15 by the above-described method.
By repeating such a suction fixing step, the printed circuit boards arranged on the tray 14 are simultaneously fixed to the plate member 15 by suction.

【0030】さらに、図6(b)に示すように、プリン
ト基板1が固定された板状部材15を直下に移動させ、
板状部材15とマスク部材8と密着させる。こうするこ
とで、貫通孔11に充填されたソルダペースト13とプ
リント基板1の電極部2とを接触させることができる。
続いて、板状部材15、マスク部材8及び支持部材10
を加圧しながら加熱することで、貫通孔11に充填され
たソルダペースト13を融解させて、融解したソルダペ
ースト13を電極部2に転写する。
Further, as shown in FIG. 6B, the plate-like member 15 to which the printed circuit board 1 is fixed is moved directly below,
The plate member 15 and the mask member 8 are brought into close contact with each other. By doing so, the solder paste 13 filled in the through holes 11 can be brought into contact with the electrode portions 2 of the printed circuit board 1.
Subsequently, the plate member 15, the mask member 8, and the support member 10
Is heated while pressurizing, so that the solder paste 13 filled in the through holes 11 is melted, and the melted solder paste 13 is transferred to the electrode unit 2.

【0031】最後に、プリント基板1と吸着している板
状部材15を上方に移動させ、マスク部材8と板状部材
15とを分離することにより、図6(c)に示すよう
に、16個のプリント基板1の電極部2にバンプ5を同
時に形成することができる。
Finally, the plate member 15 adsorbed on the printed circuit board 1 is moved upward to separate the mask member 8 and the plate member 15 from each other, as shown in FIG. The bumps 5 can be simultaneously formed on the electrode portions 2 of the printed circuit boards 1.

【0032】本実施の形態は、複数の基板1に対応する
マスク部材8を用いるものであるから、同時に複数の基
板1にバンプを形成することができる。また、本実施の
形態においては、ソルダペースト13を基板1の電極部
2に転写する際、ボンダヘッドを必要としないから、多
数のボンダヘッド19を必要とせず、安価に複数の基板
1にバンプ5を形成することができる。
In this embodiment, since the mask member 8 corresponding to the plurality of substrates 1 is used, bumps can be formed on the plurality of substrates 1 at the same time. Further, in the present embodiment, when transferring the solder paste 13 to the electrode portion 2 of the substrate 1, no bonder head is required, so that a large number of bonder heads 19 are not required, and the bumps 5 can be formed on a plurality of substrates 1 at low cost. Can be formed.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の方法によれば、電極部に形成さ
れた半田を、この半田との密度差が小さい上層液に浸漬
させることで電極部に充分な量の半田を供給し、FBG
Aデザインガイド(EIAJ EDR−7316)を満
足する充分な高さのバンプを電極部に形成することがで
きる。
According to the method of the present invention, a sufficient amount of solder is supplied to the electrode portion by immersing the solder formed on the electrode portion in the upper layer liquid having a small density difference from the solder.
A bump having a height sufficient to satisfy the A design guide (EIAJ EDR-7316) can be formed on the electrode portion.

【0034】本発明のバンプ形成方法において、上層液
の比重を0.5以上とすることで、より高さの高いバン
プを形成することができる。
In the bump forming method of the present invention, by setting the specific gravity of the upper layer liquid to 0.5 or more, a bump having a higher height can be formed.

【0035】本発明のバンプ形成方法において、上層液
の気化を抑制するように半田槽を密閉することで、融点
の高い半田と沸点の低い上層液とを組み合わせて用いる
ことができる。即ち、低融点の半田と高融点の半田のい
ずれに対しても、同じ上層液を利用することができる。
In the bump forming method of the present invention, the solder bath is sealed so as to suppress vaporization of the upper layer solution, so that a solder having a higher melting point and an upper layer solution having a lower boiling point can be used in combination. That is, the same upper layer liquid can be used for both the low melting point solder and the high melting point solder.

【0036】本発明のバンプ形成方法においては、ジエ
チレングリコールを上層液として用いつつ、脱Pb半田
であるSn―3.5Ag共晶半田を用いることができ
る。
In the bump forming method of the present invention, Sn-3.5Ag eutectic solder, which is Pb-free solder, can be used while using diethylene glycol as the upper layer solution.

【0037】本発明の別のバンプ形成方法は、複数の基
板の電極部に対応するように形成された貫通孔を有する
マスク及び支持部材を用いることで、生産性高く複数の
基板に同時にバンプを形成することができる。
Another method of forming a bump according to the present invention uses a mask and a supporting member having through holes formed so as to correspond to electrode portions of a plurality of substrates, so that bumps can be simultaneously formed on a plurality of substrates with high productivity. Can be formed.

【0038】本発明の別のバンプ形成方法において、板
状部材の貫通領域からボンダヘッドを挿入して、基板の
位置合わせを行い、ボンダヘッドの個数を低減させるこ
とでバンプ形成のコストを低減させる。
In another bump forming method of the present invention, a bonder head is inserted from a penetrating region of a plate-like member, the substrate is aligned, and the number of bonder heads is reduced, thereby reducing the cost of bump formation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1にかかるバンプ形成方
法を示すもので、(a)は半田を溶解させる工程を示
し、(b)は電極部と溶融半田とを接触させる工程を示
す。
FIG. 1 shows a bump forming method according to a first embodiment of the present invention, in which (a) shows a step of melting solder and (b) shows a step of bringing an electrode portion into contact with molten solder.

【図2】 本発明の実施の形態1にかかるバンプ形成方
法を示すもので、(a)はバンプが形成された基板を上
層液に浸漬させる工程を示し、(b)はバンプが形成さ
れた基板を上層液から引き上げる工程を示す。
FIGS. 2A and 2B show a bump forming method according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A shows a step of immersing a substrate on which bumps are formed in an upper layer liquid, and FIG. 4 shows a step of lifting a substrate from an upper layer solution.

【図3】 バンプが形成された基板を上層液に浸漬させ
る工程の拡大断面図を示す。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a step of immersing a substrate on which bumps are formed in an upper layer solution.

【図4】 本発明の実施の形態2のバンプ形成方法を示
す。
FIG. 4 shows a bump forming method according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態3にかかるバンプ形成方
法を示すもので、(a)はマスク部材と支持部材とを重
ね合わせる工程を示し、(b)は基板と板状部材とを配
置する工程を示す。
FIGS. 5A and 5B show a bump forming method according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A shows a step of overlapping a mask member and a support member, and FIG. The following shows the steps performed.

【図6】 本発明の実施の形態3にかかるバンプ形成方
法を示すもので、(a)は板状部材に基板を固定する工
程を示し、(b)は板状部材とマスクとを接触させる工
程を示し、(c)は板状部材とマスクとを分離する工程
を示す。
6A and 6B show a bump forming method according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A shows a step of fixing a substrate to a plate-like member, and FIG. 6B shows a step of bringing the plate-like member into contact with a mask. The step (c) shows the step of separating the plate member and the mask.

【図7】 従来技術にかかるバンプ形成方法を示すもの
で、(a)は半田を溶解させる工程を示し、(b)は電
極部と溶融半田とを接触させる工程を示し、(c)はバ
ンプが形成された基板を溶融半田に接触させる工程を示
す。
7A and 7B show a bump forming method according to the prior art, wherein FIG. 7A shows a step of melting solder, FIG. 7B shows a step of bringing an electrode portion into contact with molten solder, and FIG. Shows the step of contacting the substrate on which is formed with molten solder.

【図8】 従来技術にかかるバンプ形成方法を示すもの
で、基板に形成されたバンプを大気にさらす工程を示す
拡大断面図である。
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a step of exposing a bump formed on a substrate to the atmosphere, showing a bump forming method according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板、 2 電極部、 3 半田槽、3a 半田
槽、 3b 半田槽本体、3c 蓋 4 半田、 4a
半田、 6 上層液、 8 マスク部材、 9貫通
孔、 10 支持部材、11 凹部、12 スキージ、
13 ソルダペースト、 15 板状部材。
Reference Signs List 1 board, 2 electrode section, 3 solder tank, 3a solder tank, 3b solder tank body, 3c lid 4 solder, 4a
Solder, 6 upper layer liquid, 8 mask member, 9 through hole, 10 support member, 11 concave portion, 12 squeegee,
13 Solder paste, 15 Plate member.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の電極部が形成された基板を半田槽
の溶融半田に接触させ、該各電極部にバンプを形成する
バンプ形成方法であって、 上記半田槽には、上記溶融半田と2層になるように上層
液が注入されていて、 上記基板を上記電極部が上記溶融半田に接触するよう
に、上記上層液に浸漬させて上記バンプを形成すること
を含むことを特徴とするバンプ形成方法。
1. A bump forming method in which a substrate having a plurality of electrode portions formed thereon is brought into contact with molten solder in a solder bath and bumps are formed on each of the electrode portions. An upper layer solution is injected so as to form two layers, and the method includes immersing the substrate in the upper layer solution to form the bumps so that the electrode portion contacts the molten solder. Bump formation method.
【請求項2】 上記上層液の比重が0.5以上であるこ
とを特徴とする請求項1記載のバンプ形成方法。
2. The bump forming method according to claim 1, wherein the specific gravity of the upper layer liquid is 0.5 or more.
【請求項3】 上記上層液の気化を抑制するように上記
半田槽が密閉されていることを特徴とする請求項1又は
2のいずれか一つに記載のバンプ形成方法。
3. The bump forming method according to claim 1, wherein the solder bath is sealed so as to suppress vaporization of the upper layer liquid.
【請求項4】 上記半田がSn―3.5Ag共晶半田で
あり、上記上層液がジエチレングリコールであることを
特徴とする請求項3記載のバンプ形成方法。
4. The bump forming method according to claim 3, wherein said solder is Sn-3.5Ag eutectic solder, and said upper layer liquid is diethylene glycol.
【請求項5】 基板の電極部に対応するように貫通孔が
形成されたマスクに支持部材に重ねて上記貫通孔の一方
の開口端を塞いで凹部を形成して、該凹部にソルダペー
ストを充填する工程と、上記基板の電極部が対応する凹
部上に位置するように位置合わせをして上記基板を板状
部材に吸着させる吸着工程と、上記支持部材と上記板状
部材との間で、上記凹部に充填されたソルダペーストと
対応する電極部が接触するように上記基板と上記マスク
とを密着させる工程を含み、上記基板の電極部にバンプ
を形成するバンプ形成方法であって、 上記マスクに、複数の基板の電極のそれぞれに対応する
貫通孔を形成し、上記板状部材に上記複数の基板を同時
に吸着させることにより、上記複数の基板の各電極部に
同時にバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方
法。
5. A recess having a through hole formed so as to correspond to an electrode portion of a substrate, which is overlapped on a support member and one opening end of the through hole is closed to form a recess, and solder paste is applied to the recess. A filling step, an adsorption step of aligning the electrode portion of the substrate so as to be positioned on a corresponding concave portion, and adsorbing the substrate to a plate-like member, and a step between the support member and the plate-like member. A method of forming a bump on an electrode portion of the substrate, the method including: adhering the substrate and the mask so that the electrode portion corresponding to the solder paste filled in the concave portion is in contact with the electrode portion; Forming a through hole corresponding to each of the electrodes of the plurality of substrates on the mask, and simultaneously adsorbing the plurality of substrates on the plate-like member, thereby simultaneously forming bumps on each electrode portion of the plurality of substrates. Features Bump forming method.
【請求項6】 上記板状部材は一方の主面に上記各基板
を吸着する基板吸着部と該基板吸着部の一部に貫通領域
とを有し、 上記吸着工程において、ボンダヘッドを上記板状部材の
他方の主面側から挿入して、上記一方の主面側にある上
記各基板を上記ボンダヘッドによって移動させて位置合
わせをした後、上記基板吸着部の所定の位置に固定する
ことを特徴とする請求項5記載のバンプ形成方法。
6. The plate-shaped member has, on one main surface, a substrate suction portion for sucking each of the substrates and a penetrating region in a part of the substrate suction portion. The substrate is inserted from the other main surface side of the member, and the respective substrates on the one main surface side are moved and aligned by the bonder head, and then fixed at a predetermined position of the substrate suction portion. The bump forming method according to claim 5, wherein
JP11109273A 1999-04-16 1999-04-16 Method for forming bump Pending JP2000299551A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11109273A JP2000299551A (en) 1999-04-16 1999-04-16 Method for forming bump

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11109273A JP2000299551A (en) 1999-04-16 1999-04-16 Method for forming bump

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000299551A true JP2000299551A (en) 2000-10-24

Family

ID=14505998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11109273A Pending JP2000299551A (en) 1999-04-16 1999-04-16 Method for forming bump

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000299551A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527989B1 (en) * 2003-07-25 2005-11-09 동부아남반도체 주식회사 Mounting method of semiconductor device
KR101138585B1 (en) 2010-07-21 2012-05-10 삼성전기주식회사 Method for forming bump

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179622A (en) * 1990-11-09 1992-06-26 Sanyo Electric Co Ltd Conveyor device
JPH0745934A (en) * 1993-07-27 1995-02-14 Mec Kk Solder coating method and device used therefor
JPH07195661A (en) * 1993-12-31 1995-08-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Plate instrument for one operation printing of solder paste for pad of a plurality of semiconductor devices
JPH08281415A (en) * 1995-04-10 1996-10-29 Aisin Seiki Co Ltd Method for maintaining non-oxidation of liquid metal
JPH08293665A (en) * 1995-04-21 1996-11-05 Hitachi Ltd Manufacture of electronic circuit
JPH0997971A (en) * 1995-09-29 1997-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of circuit module
JPH09246324A (en) * 1996-03-08 1997-09-19 Hitachi Ltd Method for forming electronic component and bump thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179622A (en) * 1990-11-09 1992-06-26 Sanyo Electric Co Ltd Conveyor device
JPH0745934A (en) * 1993-07-27 1995-02-14 Mec Kk Solder coating method and device used therefor
JPH07195661A (en) * 1993-12-31 1995-08-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Plate instrument for one operation printing of solder paste for pad of a plurality of semiconductor devices
JPH08281415A (en) * 1995-04-10 1996-10-29 Aisin Seiki Co Ltd Method for maintaining non-oxidation of liquid metal
JPH08293665A (en) * 1995-04-21 1996-11-05 Hitachi Ltd Manufacture of electronic circuit
JPH0997971A (en) * 1995-09-29 1997-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of circuit module
JPH09246324A (en) * 1996-03-08 1997-09-19 Hitachi Ltd Method for forming electronic component and bump thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527989B1 (en) * 2003-07-25 2005-11-09 동부아남반도체 주식회사 Mounting method of semiconductor device
KR101138585B1 (en) 2010-07-21 2012-05-10 삼성전기주식회사 Method for forming bump

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5807221B2 (en) Bonded structure manufacturing method, heat-melt treatment method, and system thereof
EP0263222B1 (en) Method of forming solder terminals for a pinless ceramic module
US6995469B2 (en) Semiconductor apparatus and fabricating method for the same
JP3320979B2 (en) How to mount a device directly on a device carrier
JPWO2008078631A1 (en) Method of mounting semiconductor components on a circuit board
US20070007323A1 (en) Standoff structures for surface mount components
EP0042417A1 (en) Fabrication of circuit packages.
JP2000299551A (en) Method for forming bump
JP4326105B2 (en) Flip chip mounting method
JP2004281634A (en) Method for manufacturing stacked package semiconductor device
JPH09246324A (en) Method for forming electronic component and bump thereof
JP4590783B2 (en) Method for forming solder balls
US20240314939A1 (en) Method of bonding column type deposits
JP2001135660A (en) Method and apparatus for ball transfer
JPH11135552A (en) Manufacture of semiconductor device
US5537739A (en) Method for electoconductively connecting contacts
JP2000100868A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP3024506B2 (en) Connection method between Si chip and package
JP2002368038A (en) Flip-chip mounting method
US20100230152A1 (en) Method of soldering electronic component, and electronic component
JP3468876B2 (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
JPH02165633A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2001250904A (en) Method of manufacturing electronic component
JPH05218044A (en) Forming method for bump
JPH0621147A (en) Method for packaging electronic parts

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040824

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041221