JP2000290772A - Sputtering target - Google Patents

Sputtering target

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JP2000290772A
JP2000290772A JP11131793A JP13179399A JP2000290772A JP 2000290772 A JP2000290772 A JP 2000290772A JP 11131793 A JP11131793 A JP 11131793A JP 13179399 A JP13179399 A JP 13179399A JP 2000290772 A JP2000290772 A JP 2000290772A
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JP
Japan
Prior art keywords
target
backing plate
sputtering
screwed
sputtering target
Prior art date
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Pending
Application number
JP11131793A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Chiba
勉 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kojundo Kagaku Kenkyusho KK
Original Assignee
Kojundo Kagaku Kenkyusho KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JP2000290772A publication Critical patent/JP2000290772A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To join a sputtering target without bonding and to facilitate the recovery of a backing plate by screwing a disk-shaped target helically threaded in the outer circumference of the bottom part and a backing plate helically threaded in the side face of the recessed part. SOLUTION: A helical thread is cut on the outer circumference of the bottom part of a disk-shaped target 1. On the other hand, the part to be fitted with the target 1 in a backing plate 2 of copper or the like is provided with a recessed part, and a helical thread corresponding to the thread of the target 1 is cut on the side face of the recessed part. This target 1 and backing plate 2 are screwed on a screw part 3, and the target 1 is rotated and is screwed into the backing plate 2 to join them. To this joined part 4, tin foil, indium foil or the like is interposed at need, and the cooling effect of the backing plate 2 is improved. The sputtering target obtd. by this can easily be removed and exchanged by rotating the target 1 after use.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成に用いる
スパッタリングターゲットに関する。さらに詳しくは、
ボンディングを必要としないスパッタリングターゲット
に関する。
The present invention relates to a sputtering target used for forming a thin film. For more information,
It relates to a sputtering target that does not require bonding.

【0002】[0002]

【従来の技術】スパッタリング法は、真空中にArガス
を導入し、陰極に負電圧を与えてグロー放電を発生させ
る。ここで生成したArイオンはターゲット(陰極)
に衝突し、ターゲットをスパッタし、被スパッタ粒子は
対向した陽極上の基板上に堆積し薄膜を形成する技術で
ある。
2. Description of the Related Art In a sputtering method, an Ar gas is introduced into a vacuum and a negative voltage is applied to a cathode to generate a glow discharge. The generated Ar + ion is the target (cathode)
This is a technique in which a target is sputtered and particles to be sputtered are deposited on a substrate on an opposed anode to form a thin film.

【0003】一般的に、このスパッタリング法で用いら
れるターゲットはボンディング材でバッキングプレート
と接合して使用される。通常、バッキングプレートは純
銅あるいは銅系合金が使用され、ボンディング材はイン
ジウムのような低融点金属、半田のような低融点合金、
樹脂等が使用される。
Generally, a target used in this sputtering method is used by bonding it to a backing plate with a bonding material. Normally, the backing plate is made of pure copper or a copper alloy, and the bonding material is a low melting point metal such as indium, a low melting point alloy such as solder,
A resin or the like is used.

【0004】この場合、ターゲットを使い終わるとバッ
キングプレートは回収され、使い残りのターゲットをバ
ッキングプレートから剥離して、また新しいターゲット
をボンディング材でそのバッキングプレートに接合す
る。つまり、バッキングプレートはその材質、形状等の
劣化による使用寿命がくるまで繰り返し再利用される。
したがって、バッキングプレートのメーカーとユーザー
間の移動、品質の管理等が必要になる欠点がある。ま
た、使い残りのターゲットをバッキングプレートから剥
離したのち、そのバッキングプレートを再利用するには
付着したボンディング材を完全に取り除く工程を必要と
する欠点がある。
[0004] In this case, the backing plate is recovered when the target is used, the remaining target is peeled off from the backing plate, and a new target is bonded to the backing plate with a bonding material. In other words, the backing plate is repeatedly reused until its service life comes due to deterioration of its material, shape and the like.
Therefore, there is a drawback that the transfer between the manufacturer and the user of the backing plate, quality control, and the like are required. Further, after the remaining target is peeled off from the backing plate, there is a drawback that a step of completely removing the adhered bonding material is required to reuse the backing plate.

【0005】また近年、スパッタリング装置はマグネト
ロンスパッタリング装置のように、高スパッタレイトを
得るために高出力でスパッタする装置が産業界の主流で
あるが、高出力でスパッタすると陰極の発熱量が多くな
り、高温のためボンディング材が溶けてターゲットがバ
ッキングプレートから剥離するという欠点がある。ま
た、この剥離はスパッタリング装置内において、バッキ
ングプレートの冷却水による冷却不足でも起こる。
In recent years, the mainstream of the industry is a sputtering apparatus, such as a magnetron sputtering apparatus, which sputters at a high output in order to obtain a high sputter rate. However, when the sputtering is performed at a high output, the calorific value of the cathode increases. However, there is a disadvantage that the bonding material is melted due to the high temperature and the target is separated from the backing plate. Further, this peeling also occurs due to insufficient cooling of the backing plate by the cooling water in the sputtering apparatus.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記のよ
うな欠点を克服するためボンディングを必要としないス
パッタリングターゲットとして、底部外周に螺旋状のネ
ジを切ったターゲットと内周に螺旋状のネジを切った円
環状のツバ部とを、各ネジ合わせによって接合した一体
構造型スパッタリングターゲットを先に特許出願した
(特願平10−303171号)。本発明は、この特許
出願の改良に関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The inventor of the present invention has proposed a sputtering target which does not require bonding in order to overcome the above-mentioned drawbacks. A patent application was filed earlier for an integral structure type sputtering target in which a threaded annular collar portion was joined by screwing (Japanese Patent Application No. 10-303171). The present invention relates to improvements in this patent application.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、底部外周に螺
旋状のネジを切った円盤状のターゲットと、該ターゲッ
トがネジ込まれる部分に凹部を設け該凹部側面に螺旋状
のネジが切ってあるバッキングプレートとを、各ネジ合
わせによって接合したスパッタリングターゲットであ
る。
According to the present invention, there is provided a disk-shaped target having a spiral thread formed on the outer periphery of a bottom, a concave portion provided in a portion where the target is screwed, and a spiral thread formed on a side surface of the concave portion. This is a sputtering target in which a backing plate is joined by screwing.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、図1に基づいて本発明を説
明する。図1は、本発明になるスパッタリングターゲッ
トの断面図である。図中、1はターゲットであり、該タ
ーゲットの底部外周は螺旋状のネジが切ってある。2は
バッキングプレートであり、該バッキングプレートの中
央部は、図2のバッキングプレートの加工断面図(a)
に示すように、凹状に旋盤加工され、その後加工断面図
(b)に示すように、その凹状部側面にターゲットのネ
ジと一致するように螺旋状のネジを切った。ターゲット
とバッキングプレートはネジ部3でネジ合わせし、ター
ゲットを回転させながらバッキングプレートにネジ入
れ、図1に示すように、バッキングプレートに接合し固
定する。次にターゲットを使い終わった時には、ターゲ
ットを逆回転させることによってターゲットをバッキン
グプレートから取り外すことができる。さらに、このバ
ッキングには新しいターゲットが取り付けられ、バッキ
ングプレートは繰り返し再利用される。これらの操作は
バッキングプレートをスパッタリング装置に装着したま
までも、脱着後でも、何人も簡単に行うことができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of a sputtering target according to the present invention. In the drawing, reference numeral 1 denotes a target, and the outer periphery of the bottom of the target is spirally threaded. Reference numeral 2 denotes a backing plate, and a central portion of the backing plate is a processed sectional view of the backing plate of FIG. 2 (a).
Then, as shown in Fig. 7, the lathe was processed into a concave shape, and then a spiral screw was cut on the side surface of the concave portion so as to match the screw of the target, as shown in the processed sectional view (b). The target and the backing plate are screwed together with the screw portion 3 and screwed into the backing plate while rotating the target, and are joined and fixed to the backing plate as shown in FIG. Then, when the target has been used, the target can be removed from the backing plate by reversing the target. In addition, a new target is attached to this backing and the backing plate is reused repeatedly. These operations can be easily performed by any person, whether the backing plate is attached to the sputtering device or after the backing plate is attached or detached.

【0009】本発明においては、ターゲット1およびバ
ッキングプレート2にはどのような金属材料も使用する
ことができる。ただし、バッキングプレートは機械的強
度や熱伝導のよい金属を選択することが好ましい。一般
的には銅、銅合金、ステンレス等が使用される。
In the present invention, any metal material can be used for the target 1 and the backing plate 2. However, it is preferable to select a metal having good mechanical strength and heat conductivity for the backing plate. Generally, copper, copper alloy, stainless steel, etc. are used.

【0010】本発明においては、ターゲットとバッキン
グプレートとをボンディング材で接合することなく、ネ
ジ合わせにより接合しているため、スパッタ中の発熱に
よりターゲットやバッキングプレートの反りや歪みが発
生した場合、接合部4で接合があまくなり冷却水による
冷却効率が落ちる場合が考えられる。この場合は、ター
ゲットとバッキングプレートとの接合部4の間にインジ
ウム箔、錫箔あるいはこれらの合金箔を挟み込むような
簡単な対策により、冷却効率の低下を防止することが可
能である。
In the present invention, since the target and the backing plate are joined by screwing together without joining with a bonding material, if the target or the backing plate is warped or distorted due to heat generated during sputtering, the joining is performed. It is conceivable that the joining becomes loose in the part 4 and the cooling efficiency by the cooling water decreases. In this case, it is possible to prevent a decrease in cooling efficiency by a simple measure such as sandwiching an indium foil, a tin foil, or an alloy foil thereof between the joining portion 4 between the target and the backing plate.

【0011】[0011]

【実施例】170mφ×15mtの銀のターゲット1を
作成し、ターゲットの底部から10mmの高さまでピッ
チ1で螺旋状にネジ切りした。次に、225mφ×15
mtの銅のバッキングプレートを用意し、ターゲットが
ネジ込まれる寸法の凹部を旋盤加工で作成し、その凹部
側面にターゲットのネジに合致するようなピッチ1の螺
旋状のネジ切りした。ターゲットを回転させながらバッ
キングプレートにネジ入れ、ターゲットを固定した。こ
のターゲットをスパッタリング装置に装着しスパッタし
た。ターゲットを使い終わったのち、ターゲットをバッ
キングプレートから取り外し、新しいターゲットをバッ
キングプレートにネジ入れスパッタに供した。この操作
を繰り返したところ、バッキングプレートは30回繰り
返し再使用することができた。
EXAMPLE A silver target 1 of 170 mφ × 15 mt was prepared, and was spirally threaded at a pitch of 1 from the bottom of the target to a height of 10 mm. Next, 225mφ × 15
An mt copper backing plate was prepared, and a recess having a dimension into which the target was screwed was formed by lathe processing, and a spiral thread having a pitch of 1 was formed on the side surface of the recess so as to match the screw of the target. The target was fixed by screwing it into the backing plate while rotating the target. This target was mounted on a sputtering apparatus and sputtered. After using the target, the target was removed from the backing plate, and a new target was screwed into the backing plate and subjected to sputtering. When this operation was repeated, the backing plate could be reused repeatedly 30 times.

【0012】[0012]

【発明の効果】本発明によれば、ターゲットとバッキン
グプレートをボンディング法を用いずに、ネジ合わせに
より接合しているため、高出力でスパッタしてもターゲ
ットがバッキングプレートから剥離するということは生
じない特徴がある。また、バッキングプレートとターゲ
ットの取り付け、取り外しが容易であるため、ターゲッ
トの交換効率が向上する効果がある。さらに、ボンディ
ング工程がなく、バッキングプレートに付着したボンデ
ィング材を取り除く工程もないので、加工コストが安価
になる利点がある。
According to the present invention, since the target and the backing plate are joined by screwing without using a bonding method, the target may be separated from the backing plate even when sputtered at a high output. There are no features. Further, since the attachment and detachment of the backing plate and the target are easy, there is an effect that the exchange efficiency of the target is improved. Further, since there is no bonding step and no step of removing the bonding material adhered to the backing plate, there is an advantage that the processing cost is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明になるスパッタリングターゲットの断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view of a sputtering target according to the present invention.

【図2】バッキングプレートの加工断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a processing of a backing plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1. ターゲット 2. バッキングプレート 3. ネジ部 4. 接合部 1. Target 2. Backing plate 3. Screw part 4. Joint

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 底部外周に螺旋状のネジを切った円盤状
のターゲットと、該ターゲットがネジ込まれる部分に凹
部を設け該凹部側面に螺旋状のネジが切ってあるバッキ
ングプレートとを、各ネジ合わせによって接合したこと
を特徴とするスパッタリングターゲット。
1. A disk-shaped target having a spiral thread cut on the outer periphery of a bottom, and a backing plate having a concave portion provided in a portion into which the target is screwed and having a spiral screw thread formed on a side surface of the concave portion. A sputtering target which is joined by screwing.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101112982B1 (en) * 2009-04-11 2012-03-14 (주)국민진공 arc vapor apparatus having improved use of target efficiency
CN112059345A (en) * 2020-08-31 2020-12-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 Brazing method of high-purity aluminum target material assembly and high-purity aluminum target material assembly
CN112958864A (en) * 2021-02-18 2021-06-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 Brazing welding method for circular target and back plate
CN113458728A (en) * 2021-07-05 2021-10-01 宁波江丰电子材料股份有限公司 Target material assembly and preparation method and application thereof

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101112982B1 (en) * 2009-04-11 2012-03-14 (주)국민진공 arc vapor apparatus having improved use of target efficiency
CN112059345A (en) * 2020-08-31 2020-12-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 Brazing method of high-purity aluminum target material assembly and high-purity aluminum target material assembly
CN112958864A (en) * 2021-02-18 2021-06-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 Brazing welding method for circular target and back plate
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