JP2000286663A - Surface acoustic wave element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子、
特に、通信機器等に用いられ、すだれ状電極の電極指の
交差部と弾性表面波の伝搬（群速度）方向とを規定した
弾性表面波素子に関する。The present invention relates to a surface acoustic wave device,
In particular, the present invention relates to a surface acoustic wave element used for a communication device or the like and defining an intersection of an electrode finger of an interdigital electrode and a propagation direction (group velocity) of a surface acoustic wave.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波素子は、軽量、小型の通信機
器の回路素子として、共振器、反射器フィルタ等として
広く利用されている。弾性表面波装置には、レイリー
（Rayleigh）波を利用する弾性表面波素子と、ラブ（Lo
ve）波等を利用する弾性表面波素子等がある。ラブ波を
利用する弾性表面波素子は、レイリー波を利用する弾性
表面波素子に比べて電気機械結合係数（ｋ2）が大きい
ことが知られている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element is widely used as a circuit element of a light and small communication device, such as a resonator and a reflector filter. A surface acoustic wave device includes a surface acoustic wave element using a Rayleigh wave and a
ve) There are surface acoustic wave devices utilizing waves and the like. It is known that a surface acoustic wave element using a Love wave has a larger electromechanical coupling coefficient (k 2 ) than a surface acoustic wave element using a Rayleigh wave.
【０００３】ラブ波型弾性表面波の共振器（ラブ波型弾
性表面波素子）として、図１及び図２に示す構造のもの
が知られている。図１はラブ波型弾性表面波共振器の基
本的電極構成を示す平面図である。圧電基板１の表面
に、バスバー２−１，２−２と電極指３と入出力端子
４、５で構成されたすだれ状電極変換器（Interdigital
Transducer（ＩＤＴ））が形成されている。図１の弾
性表面波共振器において、グレーティング部分９の電極
交差部８は表面波の伝搬方向に一定となるように構成さ
れている。A resonator having a structure shown in FIGS. 1 and 2 is known as a resonator of a Love wave type surface acoustic wave (Love wave type surface acoustic wave element). FIG. 1 is a plan view showing a basic electrode configuration of a Love wave type surface acoustic wave resonator. On the surface of the piezoelectric substrate 1, an interdigital transducer (Interdigital) composed of bus bars 2-1 and 2-2, electrode fingers 3, and input / output terminals 4 and 5 is provided.
Transducer (IDT)) is formed. In the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1, the electrode intersection 8 of the grating portion 9 is configured to be constant in the propagation direction of the surface wave.
【０００４】この電極交差部８では、バスバー２−１に
接続された電極指と、バスバー２−２に接続された電極
指が交互に配置されている。表面波の伝搬方向すなわち
群速度方向（図１の矢印方向）及び表面波伝搬方向に垂
直な方向とにそれぞれ縦モードと横モードの非調和高次
モードの振動が存在する。従って、図１の様な共振器の
インピーダンス特性は、図２にスミスチャートで示すよ
うに、その様な励振（定在波）に起因するプリアス応答
（図２の波状部分３０）が生じる欠点がある。[0004] At the electrode intersections 8, electrode fingers connected to the bus bar 2-1 and electrode fingers connected to the bus bar 2-2 are alternately arranged. In the propagation direction of the surface wave, that is, in the group velocity direction (the direction of the arrow in FIG. 1) and in the direction perpendicular to the surface wave propagation direction, there are vibrations of the longitudinal mode and the transverse mode inharmonic higher-order modes, respectively. Therefore, the impedance characteristic of the resonator as shown in FIG. 1 has a drawback that a spurious response (a wavy portion 30 in FIG. 2) caused by such an excitation (standing wave) as shown in a Smith chart in FIG. is there.
【０００５】上記非調和高次モードのスプリアス応答を
抑圧するために、図３に示すようなアポタイズ法を用い
た弾性表面波共振器がある（例えば、特開平６−８５６
０２号参照）。アポタイズ法は電極指３の交差部分８ａ
が、表面波の伝搬方向（図中の矢印方向）に対して、交
差部の中央部が最大の交差幅となり交差部の両端の電極
指対の交差幅がほぼ０となるような関数に従って分布さ
せたもので、上記スプリアス応答を抑圧することができ
（例えば、特開平６−８５６０２号公報、又は清水洋、
鈴木勇次「格段に小型、低容量比の高結合ラブ波型弾性
表面波共振素子」電子情報通信学会論文誌A Vol.j.75-A
No.3 第４５８頁−第４６６頁、１９９２年３月参
照）。[0005] In order to suppress the spurious response of the above-mentioned anharmonic higher-order mode, there is a surface acoustic wave resonator using an apotizing method as shown in FIG.
No. 02). In the apotizing method, the intersection 8a of the electrode finger 3 is used.
Is distributed according to a function such that the center of the intersection has the maximum intersection width with respect to the direction of propagation of the surface wave (the direction of the arrow in the figure), and the intersection width of the electrode finger pairs at both ends of the intersection is substantially zero. The spurious response can be suppressed by the above-described method (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-85602, or Hiroshi Shimizu,
Yuji Suzuki `` Highly coupled Love wave type surface acoustic wave resonator with extremely small size and low capacitance ratio '' IEICE Transactions A Vol.j.75-A
No. 3, pages 458 to 466, March 1992).
【０００６】電極指の交差部８ａの外側とバスバー２−
１，２−２との間のグレーティング部分９ａは弾性表面
波導波路としても機能している。この弾性表面波導波路
の影響は、従来殆ど検討されていなかった。このため、
圧電基板及び電極の電極指（グレーティング）部分９が
光導波路、電磁波導波路と同じ形状である長方形で構成
されてた。The outside of the electrode finger intersection 8a and the bus bar 2-
The grating portion 9a between 1 and 2-2 also functions as a surface acoustic wave waveguide. The effect of the surface acoustic wave waveguide has not been studied so far. For this reason,
The electrode finger (grating) portion 9 of the piezoelectric substrate and the electrode was formed in a rectangle having the same shape as the optical waveguide and the electromagnetic wave waveguide.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来のアポ
タイズ法による重み付けをした弾性表面波共振器は、非
調和高次モードのスプリアス応答の抑圧効果は大きい
が、依然として非調和高次モードのスプリアス応答があ
る。このような弾性表面波共振器を電圧制御発振器（Ｖ
ＣＯ）の発振素子として用い、高精度の電圧制御発振器
を構成すると、前述の縦モードと横モードの非調和高次
モードのスプリアス応答が原因と思われる発振周波数の
跳びが生じるという問題があった。The conventional surface acoustic wave resonator weighted by the apodizing method shown in FIG. 3 has a large effect of suppressing the spurious response of the anharmonic higher-order mode, but still has the effect of suppressing the spurious response of the anharmonic higher-order mode. There is a spurious response. Such a surface acoustic wave resonator is connected to a voltage controlled oscillator (V
When a high-precision voltage-controlled oscillator is used as an oscillation element of a CO), there is a problem that the oscillation frequency jumps, which is considered to be caused by the spurious response of the above-described inharmonic higher-order modes of the longitudinal mode and the transverse mode. .
【０００８】従って本発明の目的は、非調和高次モード
のスプリアス応答を更に抑圧した弾性表面波素子を実現
することである。本発明の他の目的は、上記目的を達成
すると共に、製造が容易で、小型化できる弾性表面波素
子を実現することである。Accordingly, it is an object of the present invention to realize a surface acoustic wave device in which spurious responses of anharmonic higher-order modes are further suppressed. Another object of the present invention is to achieve a surface acoustic wave device that achieves the above objects, is easy to manufacture, and can be reduced in size.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の一面では、ＩＤＴを圧電基板上に形成した
弾性表面波素子において、ＩＤＴのすだれ状電極を構成
するバスバーとグレーティング部との境界線を弾性表面
波の伝搬方向と非平行に配置した構造とする。According to one aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave device in which an IDT is formed on a piezoelectric substrate, wherein a bus bar and a grating portion forming IDT interdigital electrodes are provided. The structure is such that the boundary line is arranged non-parallel to the propagation direction of the surface acoustic wave.
【００１０】本発明の一実施例によれば、電極指の交差
部分が弾性表面波の伝搬（群速度）方向に関して重み付
けされた弾性表面波素子において、圧電基板を菱形と
し、バスバーが上記圧電基板上の外周部に沿って菱形に
配置された構造とする。更に、上記重み付けされた電極
指の交差部分が菱形の場合は、電極指交差部分の包絡線
からバスバーまでの距離を一定にする。また、バスバー
と弾性表面波の伝搬方向との角度は、約４５度が最も望
ましいが、約１８度ないし７２度の範囲においても非調
和高次モードのスプリアス応答を抑圧する時効果があ
る。According to one embodiment of the present invention, in a surface acoustic wave device in which the intersection of electrode fingers is weighted in the direction of propagation (group velocity) of a surface acoustic wave, the piezoelectric substrate has a rhombus shape, and the bus bar is formed of the piezoelectric substrate. The structure is arranged in a diamond shape along the upper outer periphery. Further, when the intersection of the weighted electrode fingers is diamond-shaped, the distance from the envelope of the electrode finger intersection to the bus bar is made constant. The angle between the bus bar and the propagation direction of the surface acoustic wave is most desirably about 45 degrees. However, even in the range of about 18 degrees to 72 degrees, the effect is obtained when the spurious response of the nonharmonic higher-order mode is suppressed.
【００１１】本発明の発明者逹は、重み付けされた弾性
表面波素子においても、なお非調和高次モードのスプリ
アスが発生する原因が、従来考慮されていない対向する
バスバー間に生じる歪んだ定在波の影響にあると考え
た。そこで発明者逹は、バスバー間で定在波が生じにく
いように、弾性表面波の伝搬方向に対して、定在波の周
波数や位相が異なるように、バスバーの形状配置を決定
した種々の表面波共振器を試作して、その効果を実証し
た。The inventors of the present invention have found that even in a weighted surface acoustic wave device, the cause of generation of anharmonic higher-order mode spurious is a distorted standing state generated between opposing bus bars, which has not been considered in the past. I thought it was in the influence of the waves. Therefore, the inventors of the present invention determined various surface arrangements of the bus bar so that the standing wave could be hardly generated between the bus bars and the frequency and phase of the standing wave were different from the propagation direction of the surface acoustic wave. A wave resonator was prototyped and its effect was demonstrated.
【００１２】前述の図３に示す従来の弾性表面波共振器
においては、グレーティング部分９は、電極交差部分８
ａと電極非交差部分９ａとを有し、その形状は、長方形
である。長方形の長軸は、弾性表面波の伝搬方向と平行
になっている。グレーティング部分９とバスバー２−
１，２−２との間の２つの境界線は、弾性表面波のある
成分（弾性表面波の伝搬方向（矢印方向）に対して垂直
方向の波数ベクトルをもつ弾性表面波の成分、即ち、横
モードの非調和高次モード成分）に対して反射面として
機能し、２つの境界線の間に点線で示すような横モード
の非調和高次モードの表面波Ｓ1，Ｓ2が発生し、これら
は周波数及び位相が揃っているため、共振して定在波と
なり、これが原因で横モードの非調和高次モードのスプ
リアス応答を発生しやすいことを発明者逹は見出した。In the above-described conventional surface acoustic wave resonator shown in FIG.
a and an electrode non-intersecting portion 9a, and the shape is rectangular. The long axis of the rectangle is parallel to the propagation direction of the surface acoustic wave. Grating part 9 and bus bar 2-
The two boundary lines between 1 and 2-2 are a component of the surface acoustic wave (a component of the surface acoustic wave having a wave vector in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave (the direction of the arrow), that is, acts as a reflective surface with respect to harmonic higher-order mode component of the lateral mode), the surface wave S 1 of anharmonic higher-order mode of transverse mode as shown by the dotted line between the two boundary lines, S 2 is generated The present inventors have found that since they have the same frequency and phase, they resonate to form a standing wave, which tends to generate spurious responses of the transverse mode anharmonic higher-order mode.
【００１３】また、上記長方形の他の両側の電極指３
ａ，３ｂは、弾性表面波の伝搬方向と垂直になってお
り、弾性表面波のある成分（弾性表面波の伝搬方向に対
して平行な方向の波数ベクトルをもつ弾性表面波の成
分、即ち、縦モードの非調和高次モード成分）に対して
反射面として機能する。従って、これらの両側の電極３
ａ，３ｂの間に縦モードの非調和高次モードの表面波Ｓ
3，Ｓ4'''が発生し定在波となり、共振を起こす。これ
が原因で縦モードの非調和高次モードのスプリアス応答
を発生すると考えられる。Further, the electrode fingers 3 on both sides of the other side of the above-mentioned rectangle.
a and 3b are perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave, and a component of the surface acoustic wave (a component of the surface acoustic wave having a wave number vector in a direction parallel to the propagation direction of the surface acoustic wave, that is, It functions as a reflecting surface for the non-harmonic higher-order mode component of the longitudinal mode. Therefore, these three electrodes 3
a, 3b, longitudinal mode anharmonic higher mode surface wave S
3 , S 4 ′ ″ is generated and becomes a standing wave, causing resonance. It is considered that this causes a spurious response of the inharmonic higher-order mode of the longitudinal mode.
【００１４】これに対し、本発明の弾性表面波素子は、
対向するバスバーの方向が、弾性表面波の伝搬方向に対
し、傾斜するよう構成しているため、定在波の元となる
波動の周波数が異なったり、あるいは位相が異なり、定
在波と成り難い。すなわち非調和高次モードの共振を起
こし難く、これによってスプリアス応答を著しく低減す
ることができる。On the other hand, the surface acoustic wave device of the present invention
Since the direction of the opposing bus bar is configured to be inclined with respect to the propagation direction of the surface acoustic wave, the frequency of the wave that is the source of the standing wave is different or the phase is different, and it is difficult to become a standing wave . That is, resonance of anharmonic higher-order mode is unlikely to occur, whereby the spurious response can be significantly reduced.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下本発明による弾性表面波素子
の実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of a surface acoustic wave device according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１６】本発明の実施例の説明に先立ち、本発明の
基本原理を図４（ａ），（ｂ）を参照して説明する。即
ち、本発明による弾性表面波素子は、図４（ａ），
（ｂ）に示すように、対向するバスバー２−１、２−２
とグレーティング部との境界線１７−１、１７−２（及
び各境界線の延長方向）は、弾性表面波の伝播方向ｘに
対し傾斜するように構成されている。なお、図４（ａ）
の例においては、バスバー２−１、２−２が互いに非平
行、即ち、バスバー２−１、２−２間の距離が境界線１
７−１と１７−２で等しくないようになっている。従っ
て、定在波の発生原因となる表面波Ｓ１−Ｓ３の周波数
が互いに異なったり（図４（ａ））、あるいは表面波Ｓ
１−Ｓ３の位相が互いに異なったり（図４（ｂ））する
ため、定在波が発生しにくくなる。従って、非調和高次
モードの共振を起こしにくくなり、これにより、スプリ
アス応答を著しく低減できる。Prior to the description of the embodiment of the present invention, the basic principle of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). That is, the surface acoustic wave device according to the present invention has the structure shown in FIG.
As shown in (b), opposed bus bars 2-1 and 2-2
The boundary lines 17-1 and 17-2 (and the extending directions of the boundary lines) between the surface and the grating portion are configured to be inclined with respect to the propagation direction x of the surface acoustic wave. FIG. 4 (a)
In the example, the bus bars 2-1 and 2-2 are not parallel to each other, that is, the distance between the bus bars 2-1 and 2-2 is the boundary line 1
7-1 and 17-2 are not equal. Accordingly, the frequencies of the surface waves S1 to S3 which cause the generation of the standing wave are different from each other (FIG. 4A), or
Since the phases of 1-S3 are different from each other (FIG. 4B), it is difficult to generate a standing wave. Accordingly, resonance of the non-harmonic higher-order mode is unlikely to occur, whereby the spurious response can be significantly reduced.
【００１７】図５は、本発明による弾性表面波素子の一
実施例の構成を示す平面図である。本実施例における弾
性表面波素子は、一例として、伝搬する弾性表面波の位
相速度の方向と群速度の方向が一致する（パワーフロー
角が零）擬似弾性表面波用の圧電基板として用いられて
いる回転Ｙカットの回転ＹカットＸ伝搬又は回転Ｙカッ
トＺ’伝搬ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）圧電基板
上に金又はアルミニウムのＩＤＴ電極を付着させて構成
したラブ波型弾性表面波共振器である。FIG. 5 is a plan view showing the structure of an embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention. As an example, the surface acoustic wave element in the present embodiment is used as a piezoelectric substrate for a pseudo-surface acoustic wave in which the direction of the phase velocity and the direction of the group velocity of the propagating surface acoustic wave match (the power flow angle is zero). This is a Love wave type surface acoustic wave resonator formed by attaching a gold or aluminum IDT electrode to a rotating Y cut X propagation or rotation Y cut Z ′ propagation lithium niobate (LiNbO 3) piezoelectric substrate.
【００１８】図５において、圧電基板１１の一平面に
は、２つのバスバー１２−１、１２−２にそれぞれ複数
の電極指１３が設けられたすだれ状電極が以下のように
構成されている。即ち、バスバー１２は、２個のバスバ
ー１２−１、１２−２から成り、バスバー１２−１は所
定の角度（好ましくは９０度）を有して配置された連続
する２辺のバスバー１２−１ａ、１２−１ｂを、同様
に，バスバー１２−２は、上記の所定の角度を有して配
置された連続する２辺のバスバー１２−２ａ、１２−２
ｂを有する。これらバスバー１２−１ａ、１２−１ｂ、
１２−２ａ、１２−２ｂは、バスバー１２−１ａ、１２
−２ａが対向するように、バスバー１２−１ｂ、１２−
２ｂが対向するように配置され全体として菱形を形成し
ている。従って、本実施例は、図４（ａ）のすだれ状電
極を２つ組合わせたものに相当する。In FIG. 5, on one plane of the piezoelectric substrate 11, a plurality of interdigital electrodes having a plurality of electrode fingers 13 provided on two bus bars 12-1 and 12-2, respectively, are configured as follows. That is, the bus bar 12 includes two bus bars 12-1 and 12-2, and the bus bar 12-1 has two continuous bus bars 12-1a arranged at a predetermined angle (preferably 90 degrees). , 12-1b, and similarly, the bus bar 12-2 includes two continuous bus bars 12-2a, 12-2 arranged at the above-described predetermined angle.
b. These bus bars 12-1a, 12-1b,
12-2a and 12-2b are bus bars 12-1a and 12-1
Bus bars 12-1b, 12-
2b are arranged so as to face each other to form a rhombus as a whole. Therefore, the present embodiment corresponds to a combination of two interdigital electrodes in FIG.
【００１９】また、各バスバー１２−１、１２−２に設
けられた複数の電極指１３の交差部１８（図中、包絡線
１６−１ａ，１６−１ｂ，１６−２ａ，１６−２ｂで囲
まれた部分）がバスバー１２−１、１２−２の菱形と相
似する菱形となるようにバスバー１２−１、１２−２の
菱形の内側に形成されている。この電極交差部１８にお
いては、バスバー１２−１に接続された電極指と、バス
バー１２−２に接続された電極指とが交互に配置されて
いる。ここで、バスバー１２−１ａ、１２−１ｂ、１２
−２ａ、１２−２ｂとそれぞれ対応する（対向する）包
絡線１６−１ａ，１６−１ｂ，１６−２ａ，１６−２ｂ
との間は一定距離であり平行に配置されている。The intersections 18 of the plurality of electrode fingers 13 provided on each of the bus bars 12-1 and 12-2 (surrounded by envelopes 16-1a, 16-1b, 16-2a and 16-2b in the figure). Are formed inside the rhombuses of the bus bars 12-1 and 12-2 so as to be similar to the rhombuses of the bus bars 12-1 and 12-2. In the electrode intersection 18, the electrode fingers connected to the bus bar 12-1 and the electrode fingers connected to the bus bar 12-2 are alternately arranged. Here, the bus bars 12-1a, 12-1b, 12
-2a, 12-2b and envelopes 16-1a, 16-1b, 16-2a, 16-2b corresponding to (opposite to) each other
Are fixed distances and are arranged in parallel.
【００２０】すなわち、交差部１８の交差幅Ｗは、中心
部で大きく、図中左右両側に行くにしたがって漸次に小
さくなっている。すなわちアポタイズ法により重み付け
がなされている。上記すだれ状電極のバスバー１２−１
ａ、１２−１ｂ、１２−２ａ、１２−２ｂとそれぞれ対
応する（対向する）包絡線１６−１ａ，１６−１ｂ，１
６−２ａ，１６−２ｂの境界線１７−１ａ，１７−１
ｂ，１７−２ａ，１７−２ｂ（及び各境界線の延長方
向）とが上記２つのすだれ状電極で励振される弾性表面
波の群速度方向（矢印の方向）とのなす角度が±４５度
に設定されている。That is, the intersection width W of the intersection 18 is large at the center and gradually decreases toward the left and right sides in the figure. That is, weighting is performed by the apotize method. Bus bar 12-1 of IDT
a, 12-1b, 12-2a, and 12-2b respectively correspond to (oppose) envelopes 16-1a, 16-1b, 1
Boundary lines 17-1a and 17-1 of 6-2a and 16-2b
b, 17-2a, 17-2b (and the extension direction of each boundary line) and the group velocity direction (the direction of the arrow) of the surface acoustic wave excited by the two interdigital electrodes are ± 45 degrees. Is set to
【００２１】また、各部の寸法について、周波数帯が８
００ＭＨｚの実施例で例示すると、電極ピッチλ＝４μ
ｍ、交差幅Ｗ＝０〜１１０λ、グレーティング部の高さ
ＬＨ＝１１５λ、幅ＬＷ＝１１０×λである。Further, regarding the dimensions of each part, the frequency band is 8
For example, in the embodiment of 00 MHz, the electrode pitch λ = 4 μ
m, the intersection width W = 0 to 110λ, the height LH of the grating part = 115λ, and the width LW = 110 × λ.
【００２２】２個のバスバー１２−１、１２−２には、
それぞれ入出力端子１４及び１５が設けられている。ま
た、長方形の圧電基板１１の４辺の何れの辺の方向も、
群速度の方向と４５度の角度をなしており、群速度の方
向と直交関係又は平行関係になっていない。The two bus bars 12-1 and 12-2 have:
Input / output terminals 14 and 15 are provided, respectively. Also, the direction of any of the four sides of the rectangular piezoelectric substrate 11 is
It forms an angle of 45 degrees with the direction of the group velocity, and is not orthogonal or parallel to the direction of the group velocity.
【００２３】図５において、電極指１３の交差部分１８
の包絡線は菱形をなしており、縦モードと横モードの非
調和高次モードのスプリアス応答の原因と考えられる定
在波が生じにくいものとなっている。また、表面波導波
路（グレーティング部分１９）の形状も菱形をなしてい
るため、より強力にスプリアス応答を抑圧している。In FIG. 5, the intersection 18 of the electrode finger 13
Has a rhombic shape, and a standing wave, which is considered to be a cause of spurious responses of the inharmonic higher-order modes of the longitudinal mode and the transverse mode, is hardly generated. Further, since the surface wave waveguide (grating portion 19) also has a diamond shape, the spurious response is more strongly suppressed.
【００２４】図６は、上記実施例における包絡線の近傍
部分を拡大して示す図である。電極指１３の交差部分の
包絡線１６とバスバー１２との間のグレーティング部分
１９ａは、弾性表面波の反射器として機能している。包
絡線１６近傍の電極指対（例えば、図５の楕円で囲んだ
部分２０）で励振された弾性表面波は、バスバー１２に
到達する前に、例えば、５本の電極指と会う。これらの
電極指は反射器として機能するため、例えば、図５の電
極構成の例は、スプリアス応答を除いた電気特性におい
て、５本の反射器を有するＩＤＴ電極と等価な特性を示
す。なお図６において、符号１７はバスバー１２とグレ
ーティング部分１９との境界を示す。また、上述した周
波数帯が８００ＭＨｚの実施例で例示すると、電極ピッ
チλ＝４μｍ、電極指１３の幅ω＝１μｍである。FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the envelope in the above embodiment. A grating portion 19a between the envelope 16 at the intersection of the electrode fingers 13 and the bus bar 12 functions as a surface acoustic wave reflector. The surface acoustic wave excited by the pair of electrode fingers near the envelope 16 (for example, the portion 20 surrounded by the ellipse in FIG. 5) meets, for example, five electrode fingers before reaching the bus bar 12. Since these electrode fingers function as reflectors, for example, the example of the electrode configuration in FIG. 5 shows characteristics equivalent to an IDT electrode having five reflectors in electrical characteristics excluding spurious responses. In FIG. 6, reference numeral 17 indicates a boundary between the bus bar 12 and the grating portion 19. Further, when the above-mentioned frequency band is exemplified by the example of 800 MHz, the electrode pitch λ is 4 μm, and the width ω of the electrode finger 13 is 1 μm.
【００２５】本実施形態は、図３に示される従来の弾性
表面波共振器と比較した場合、グレーティング部分の面
積が約半分になっているため、圧電基板１１の面積、従
ってチップ面積も３８％程小さくできている。一般に、
一枚のニオブ酸リチウム等のウエハから生産できる共振
器の個数は、圧電基板１１のチップ面積に逆比例する。
このため、本実施例によれば、スプリアスを軽減すると
共に、量産性が良く、また低価格にすることが出来、弾
性表面波共振器の利点である装置の小型化を実現でき
る。In this embodiment, as compared with the conventional surface acoustic wave resonator shown in FIG. 3, since the area of the grating portion is reduced to about half, the area of the piezoelectric substrate 11 and therefore the chip area is 38%. It is small enough. In general,
The number of resonators that can be produced from a single wafer of lithium niobate or the like is inversely proportional to the chip area of the piezoelectric substrate 11.
For this reason, according to the present embodiment, the spurious can be reduced, the mass productivity can be improved, the price can be reduced, and the size reduction of the device, which is an advantage of the surface acoustic wave resonator, can be realized.
【００２６】本実施例は、バスバー１２と群速度の方向
がなす角度は、最も望ましい４５度の例について示した
が、これに限定されない。グレーティング部分１９の高
さ（図５のＬＨ）と幅（図５のＬＷ）の比ＬＨ／ＬＷが
１／４（バスバーと群速度の方向がなす角度（図５の
θ）は１４度：tan 14°＝１／４）、１／３（tan １８
°）、１／２（tan ２７°）、１／１（tan ４５°）、
２／１（tan ６３°）、３／１（tan ７２°）、４／１
（tan ７６°）の共振器を試作し、評価した。その結
果、ＬＨ／ＬＷ＝１／４の共振器では、横モードの非調
和高次モードのスプリアス応答の抑圧が不十分であっ
た。また４／１の共振器では、縦モードの非調和高次モ
ードのスプリアス応答の抑圧が不十分であった。ＬＨ／
ＬＷ＝１／３（θ＝１８度に相当）から３（ＬＨ／ＬＷ
＝３（θ＝７２度に相当）の共振器では、縦モードと横
モードの非調和高次モードのスプリアス応答を同時に抑
圧する事が出来た。In the present embodiment, the angle between the bus bar 12 and the direction of the group velocity is described as the most desirable example of 45 degrees. However, the present invention is not limited to this. The ratio LH / LW of the height (LH in FIG. 5) and the width (LW in FIG. 5) of the grating portion 19 is ４ (the angle (θ in FIG. 5) formed by the direction of the bus bar and the group velocity is 14 degrees: tan). 14 ° = 1/4), 1/3 (tan 18
°), 1/2 (tan 27 °), 1/1 (tan 45 °),
2/1 (tan 63 °), 3/1 (tan 72 °), 4/1
A prototype (tan 76 °) resonator was manufactured and evaluated. As a result, in the resonator with LH / LW = 1/4, the suppression of the spurious response of the inharmonic higher-order mode in the transverse mode was insufficient. Also, in the 4/1 resonator, the suppression of the spurious response of the inharmonic higher-order mode in the longitudinal mode was insufficient. LH /
LW = 1/3 (corresponding to θ = 18 degrees) to 3 (LH / LW
= 3 (corresponding to θ = 72 degrees), it was possible to simultaneously suppress the spurious responses of the inharmonic higher-order modes in the longitudinal mode and the transverse mode.
【００２７】図７、８はそれぞれ図５の弾性表面波素子
のインピーダンス特性を示すスミスチャートであり、図
７はＬＨ／ＬＷ＝１／１（θ＝４５度）とした場合、図
８はＬＨ／ＬＷ＝１／３（θ＝３０度）とした場合のイ
ンピーダンス特性である。図７においては波状部分は全
く見られず、従って、縦モードと横モードの非調和高次
モードのスプリアス応答は全く生じていない。図８にお
いては、領域３０においてはわずかな波状部分が見られ
る。従って、縦モードと横モードの非調和高次モードの
スプリアス応答がわずかに生じているが、その程度は低
く、十分なスプリアス抑圧が行われているといえる。FIGS. 7 and 8 are Smith charts showing the impedance characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 5, respectively. FIG. 7 shows the case where LH / LW = 1/1 (θ = 45 degrees), and FIG. It is an impedance characteristic when / LW = 1/3 (θ = 30 degrees). In FIG. 7, no wavy portion is seen, and therefore, no spurious response occurs in the inharmonic higher-order modes of the longitudinal mode and the transverse mode. In FIG. 8, a slight wavy portion is seen in the region 30. Therefore, spurious responses in the inharmonic higher-order modes of the longitudinal mode and the transverse mode are slightly generated, but the degree is low, and it can be said that sufficient spurious suppression is performed.
【００２８】以上の様に、一般に、バスバーと群速度の
方向がなす角度θが４５度の場合を最良とし、約４５±
２７度の範囲で良好なスプリアス抑圧効果が認められ
る。また、交差部１３の形状が菱形の例を示したが、本
発明はこれに限らず、交差部の形状を円形、余弦波形、
余弦二乗波形、他の関数波形として重み付けされたもの
を用いてもよい。As described above, in general, the case where the angle θ between the direction of the bus bar and the group velocity is 45 degrees is best, and about 45 ±
A good spurious suppression effect is observed in the range of 27 degrees. Further, the example of the shape of the intersection 13 is a rhombus, but the present invention is not limited to this, and the shape of the intersection is circular, cosine waveform,
A weighted cosine squared waveform or another function waveform may be used.
【００２９】図９は、本発明の弾性表面は素子の第一実
施例の変形例の構成を示す平面図であり、交差部１８の
形状を円形とした例であり、バスバー１２−１と包絡線
１６−１との間、及びバスバー１２−２と包絡線１６−
２との間は一定の距離になるように構成されている。FIG. 9 is a plan view showing the structure of a modification of the first embodiment of the elastic surface of the present invention, in which the shape of the intersection 18 is circular and the bus bar 12-1 and the envelope Between the wire 16-1 and the bus bar 12-2 and the envelope 16-
It is configured to have a fixed distance between the two.
【００３０】図１０は、本発明の弾性表面は素子の第一
実施例の別の変形例の構成を示す平面図であり、交差部
１８の形状を余弦波形とした例であり、バスバー１２−
１と包絡線１６−１との間、及びバスバー１２−２と包
絡線１６−２との間は一定の距離になるように構成され
ている。FIG. 10 is a plan view showing the configuration of another modification of the first embodiment of the element of the elastic surface of the present invention, in which the shape of the intersection 18 is a cosine waveform.
1 and the envelope 16-1 and between the bus bar 12-2 and the envelope 16-2 are configured to have a certain distance.
【００３１】上述のように図５の例においては、バスバ
ー１２−１ａ，１２−１ｂ，１２−２ａ，１２−２ｂと
グレーティング部との境界線１７−１ａ，１７−１ｂ，
１７−２ａ，１７−２ｂ（及び各境界線の延長方向）が
弾性表面波の伝搬方向（図中の矢印方向）に対し約４５
±２７度の範囲内で傾斜する様に構成されている。As described above, in the example of FIG. 5, the boundary lines 17-1a, 17-1b between the bus bars 12-1a, 12-1b, 12-2a, 12-2b and the grating portion are formed.
17-2a and 17-2b (and the extension direction of each boundary line) are approximately 45 degrees with respect to the propagation direction of the surface acoustic wave (the direction of the arrow in the figure).
It is configured to incline within the range of ± 27 degrees.
【００３２】図９、図１０の各例においては、バスバー
１２−１、１２−２とグレーティング部との境界線１７
の大部分（好ましくは各境界線においてその全長野役１
／２以上）が、弾性表面波の伝搬方向（図中の矢印方
向）に対し約４５±２７度の範囲内で傾斜する様に構成
されている。これにより、縦モードと横モードの非調和
高次モードのスプリアスを十分に抑圧しうるものであ
る。9 and 10, the boundary line 17 between the bus bars 12-1 and 12-2 and the grating portion is shown.
(Most preferably the full length field 1 at each borderline)
/ 2 or more) is inclined within a range of about 45 ± 27 degrees with respect to the propagation direction of the surface acoustic wave (the direction of the arrow in the figure). This makes it possible to sufficiently suppress spurious components in the non-harmonic higher-order modes of the vertical mode and the horizontal mode.
【００３３】図１１は、本発明の弾性表面は素子の第２
実施例の構成を示す平面図であり、図４（ｂ）のすだれ
状電極に相当する。図１１に示すように、すだれ状電極
の対向するバスバー２２−１及び２２−２が平行で、各
バスバー２２−１、２２−２とグレーティング部２９と
の境界線２７−１、２７−２（及び各境界線の延長方
向）と、弾性表面波の群速度の方向（矢印の方向）と
は、約４５度の角度αをなし、すだれ状電極の電極指２
３は弾性表面波の群速度の方向（矢印の方向）と直交し
て形成されている。また、電極指２３の交差部分２８の
包絡線２６−１、２６−２から一定の距離にそれらに対
向するように平行にバスバー２２−１、２２−２がそれ
ぞれ形成されている。圧電基板１１の四辺形は、何れの
辺においても境界線２７−１、２７−２（及び各境界線
の延長方向）は、群速度の方向と一致せず、バスバー２
２−１、２２−２の平行な２辺と、電極指２３に平行な
２辺からなる四辺形をなしている。電極指２３の交差部
分２８で励振された弾性表面波の群速度の方向は電極指
２３に対し直角方向（図１１の矢印方向）であるから、
境界線２７−１、２７−２及び各境界線の延長方向は、
群速度の方向から約４５度の角度をなして設置されてい
る。FIG. 11 shows that the elastic surface of the present invention is the second element of the element.
FIG. 5 is a plan view illustrating a configuration of an example, and corresponds to the interdigital electrode of FIG. As shown in FIG. 11, bus bars 22-1 and 22-2 facing the IDTs are parallel, and boundaries 27-1 and 27-2 between the bus bars 22-1 and 22-2 and the grating portion 29 ( And the direction of the group velocity of the surface acoustic wave (the direction of the arrow) forms an angle α of about 45 degrees, and the electrode fingers 2 of the interdigital electrode
Numeral 3 is formed perpendicular to the direction of the group velocity of the surface acoustic wave (the direction of the arrow). Further, bus bars 22-1 and 22-2 are respectively formed in parallel with each other at predetermined distances from the envelopes 26-1 and 26-2 of the intersections 28 of the electrode fingers 23 so as to face them. In the quadrilateral of the piezoelectric substrate 11, the boundary lines 27-1 and 27-2 (and the extension direction of each boundary line) on any side do not match the direction of the group velocity, and the bus bar 2
A quadrilateral consisting of two parallel sides 2-1 and 22-2 and two sides parallel to the electrode finger 23 is formed. Since the direction of the group velocity of the surface acoustic wave excited at the intersection 28 of the electrode finger 23 is a direction perpendicular to the electrode finger 23 (the direction of the arrow in FIG. 11),
The boundary lines 27-1, 27-2 and the extending direction of each boundary line are as follows.
It is installed at an angle of about 45 degrees from the direction of the group velocity.
【００３４】図１１において、ＩＤＴの電極指２３の交
差部２８のＷは境界線２７−１、２７−２及び各境界線
の延長方向に渡り、全て同じであるが、電極指２３の交
差部分の包絡線２６−１、２６−２は４つの内角それぞ
れが９０度でない平行四辺形をなしており、これによ
り、縦モードと横モードの非調和高次モードのスプリア
ス応答を抑圧している。また、表面波導波路（グレーテ
ィング部分）２９の形状も交差部に相似した平行四辺形
をなしているため、より強力にスプリアス応答を抑圧し
ている。In FIG. 11, the width W of the intersection 28 of the electrode finger 23 of the IDT is the same across the boundaries 27-1 and 27-2 and the extending direction of each boundary, but the intersection W of the electrode fingers 23 is the same. The envelopes 26-1 and 26-2 form a parallelogram in which each of the four interior angles is not 90 degrees, thereby suppressing spurious responses in the non-harmonic higher-order modes in the longitudinal mode and the transverse mode. In addition, since the shape of the surface wave waveguide (grating portion) 29 is also a parallelogram similar to the intersection, the spurious response is more strongly suppressed.
【００３５】本実施例を図２に示される従来の弾性表面
波共振器と比較した場合、グレーティング部分２９の面
積が約半分になっているため、チップ面積も２８％程小
さくできている。パワーフロー角が零でない場合、電極
指２３の交差部分２８で励振された弾性表面波の群速度
の方向は電極指に対して垂直な方向からずれる。図１１
の場合では、境界線２７−１、２７−２（及び各境界線
の延長方向）方向を第１実施例と同様に、弾性表面波の
群速度の方向から４５±２７度の範囲とすることによ
り、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。When this embodiment is compared with the conventional surface acoustic wave resonator shown in FIG. 2, since the area of the grating portion 29 is reduced to about half, the chip area can be reduced by about 28%. When the power flow angle is not zero, the direction of the group velocity of the surface acoustic wave excited at the intersection 28 of the electrode finger 23 deviates from the direction perpendicular to the electrode finger. FIG.
In the case of, the direction of the boundary lines 27-1 and 27-2 (and the extension direction of each boundary line) is set to be within a range of 45 ± 27 degrees from the direction of the group velocity of the surface acoustic wave as in the first embodiment. Thereby, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００３６】以上、本発明弾性表面波素子の実施例とし
て弾性表面波共振器に適用した場合に付いて述べたが、
本発明は上記実施例に限定されるものではない。即ち、
本発明の弾性表面波素子は、弾性表面波フィルタ、コン
ボルバ等、すだれ状電極を用いた弾性表面波素子に適用
することにより、同様の効果を得ることができる。As described above, the case where the present invention is applied to a surface acoustic wave resonator as an embodiment of the surface acoustic wave device has been described.
The present invention is not limited to the above embodiment. That is,
The same effect can be obtained by applying the surface acoustic wave element of the present invention to a surface acoustic wave element using an interdigital electrode, such as a surface acoustic wave filter or a convolver.
【００３７】また本発明はラブ波型弾性表面波共振器に
適用することに限定されるものではない。本発明は電気
機械結合係数ｋ2の大きさに関わらず様々な弾性表面波
を用いた共振器（例えばレイリー波、擬似弾性表面波等
を用いた共振器）にも適用でき、より強力にスプリアス
応答を抑圧する効果があることは、明白である。The present invention is not limited to the application to the Love wave type surface acoustic wave resonator. The present invention can be applied to a resonator using various surface acoustic waves (for example, a resonator using a Rayleigh wave, a pseudo surface acoustic wave, etc.) regardless of the magnitude of the electromechanical coupling coefficient k 2 , and more powerful spurious The effect of suppressing the response is clear.
【００３８】上記各実施例においては、圧電基板にニオ
ブ酸リチウムを用いたが、本発明はこれに限定されず、
例えば、タンタル酸リチウム、水晶、ニオブ酸カリウ
ム、ランガサイトなどを用いてもよく、その場合にも同
様の効果が得られる。In each of the above embodiments, lithium niobate was used for the piezoelectric substrate, but the present invention is not limited to this.
For example, lithium tantalate, quartz, potassium niobate, langasite, and the like may be used, and the same effect can be obtained in that case.
【００３９】ラブ波型弾性表面波共振器の場合、弾性表
面波の電気機械結合係数ｋ2は３０％前後と格段に大き
いため、電極指一本当たりの反射係数は極めて大きい。
従って比較的少ない対数のＩＤＴ例えば数十対程度のＩ
ＤＴで共振器が構成される場合、上記反射器として機能
する電極指は５〜１０本程度でその効果は十分に得られ
る。In the case of the Love-wave type surface acoustic wave resonator, the electromechanical coupling coefficient k 2 of the surface acoustic wave is remarkably large at about 30%, so that the reflection coefficient per electrode finger is extremely large.
Therefore, a relatively small logarithmic IDT, for example, several tens of
When a resonator is formed by DT, the effect is sufficiently obtained with about 5 to 10 electrode fingers functioning as the reflector.
【００４０】しかしこの反射器として機能する電極指の
本数は、５〜１０本の間に限定するするものではなくそ
れ以上の本数でもよいが、あまり多いと電極全体の形状
が大きくなるためチップ面積が大きくなってしまう。実
際には、この反射器として機能する電極指の数は最小の
チップ面積で最大の効果を得るように設定される。具体
的な例で示すと、圧電基板に１５度回転ＹカットＸ伝搬
ニオブ酸リチウム、電極にはアルミニウム（波長換算膜
厚０．１２５）を用いた本発明の構成のラブ波型弾性表
面波共振器では、ＩＤＴ対数を１１０対とし、反射器と
して機能する電極指の本数を１０本程度にした構成でそ
の効果が十分であった。However, the number of electrode fingers functioning as the reflector is not limited to between 5 and 10, but may be more. However, if the number is too large, the shape of the entire electrode becomes large, so that the chip area is increased. Becomes large. In practice, the number of electrode fingers functioning as the reflector is set so as to obtain the maximum effect with the minimum chip area. As a specific example, a Love wave type surface acoustic wave resonance according to the present invention using a 15-degree rotated Y-cut X-propagating lithium niobate as a piezoelectric substrate and aluminum (wavelength-converted film thickness 0.125) as an electrode. In the device, the effect was sufficient with a configuration in which the number of IDT pairs was 110 and the number of electrode fingers functioning as a reflector was about ten.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
縦モードと横モードの非調和高次モードのスプリアス応
答をすだれ電極のバスバーの配置を変えることによっ
て、スプリアスの原因と考えられるバスバー間に発生す
る定在波の発生を抑圧する事が出来る。またチップ面積
を小さくすることが出来る。チップ面積を小さく出来る
ため、量産性に優れた小型で低価格の弾性表面波素子を
提供できる。As described above, according to the present invention,
By changing the arrangement of the bus bars of the interdigital transducers for the spurious responses of the inharmonic higher-order modes of the longitudinal mode and the transverse mode, it is possible to suppress the generation of the standing wave generated between the bus bars which is considered to be the cause of the spurious. Further, the chip area can be reduced. Since the chip area can be reduced, a small and inexpensive surface acoustic wave device excellent in mass productivity can be provided.
【図１】従来の弾性表面波共振器を示した平面図。FIG. 1 is a plan view showing a conventional surface acoustic wave resonator.
【図２】図１の弾性表面は素子のインピーダンス特性を
示しスミスチャート。FIG. 2 is a Smith chart in which the elastic surface of FIG. 1 shows impedance characteristics of the element.
【図３】アポタイズ法により重み付けがなされた従来の
弾性表面波共振器を示した平面図。FIG. 3 is a plan view showing a conventional surface acoustic wave resonator weighted by an apotizing method.
【図４】本発明による弾性表面波素子の原理説明のため
の図。FIG. 4 is a view for explaining the principle of the surface acoustic wave device according to the present invention.
【図５】本発明による弾性表面波素子の一実施例の構成
を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a configuration of one embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention.
【図６】図５の弾性表面波素子の部分拡大図。FIG. 6 is a partially enlarged view of the surface acoustic wave device of FIG. 5;
【図７】図５の弾性表面波素子のインピーダンス特性を
示しスミスチャート。FIG. 7 is a Smith chart showing impedance characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 5;
【図８】図５の弾性表面波素子のインピーダンス特性を
示しスミスチャート。FIG. 8 is a Smith chart showing impedance characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 5;
【図９】本発明による弾性表面波素子の第一実施例の変
形例の構成を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a modification of the first embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.
【図１０】本発明による弾性表面波素子の第一実施例の
別の変形例の構成を示す平面図。FIG. 10 is a plan view showing the configuration of another modified example of the first embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.
【図１１】本発明による弾性表面波素子の別の第実施例
の構成を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing the configuration of another embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.
１１…圧電基板、 １２…バスバー、 １３…電極指、 １４、１５…入出力端子、 １６…電極指交差部分の包絡線、 １７…バスバーの長手方向。 11: piezoelectric substrate, 12: bus bar, 13: electrode finger, 14, 15: input / output terminal, 16: envelope of electrode finger intersection, 17: longitudinal direction of bus bar.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 疋田 光孝 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 浅井 健吾 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 住岡 淳司 東京都小平市御幸町32番地 日立電子株式 会社小金井工場内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Mitsutaka Hikita 1-280 Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Inside the Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Kengo Asai 1-1-280 Higashi Koikekubo, Kokubunji-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor Junji Sumioka 32nd Miyukicho, Kodaira City, Tokyo Inside Koganei Plant of Hitachi Electronics Co., Ltd.
Claims (19)
形成され、第１と第２のバスバーと、該第１のバスバー
に接続された第１の複数の電極指と、該第２のバスバー
に接続された第２の複数の電極指とを有するすだれ状電
極とを備え、 上記すだれ状電極の上記第１、第２の複数の電極指が交
互に配置された交差部を有し、上記第１、第２のバスバ
ーと、上記第１、第２の複数の電極指のグレーティング
との間の各境界線は、上記すだれ状電極から励振される
弾性表面波の群速度方向と非平行であることを特徴とす
る弾性表面波素子。A piezoelectric substrate, a first and a second bus bar formed on a plane of the piezoelectric substrate, and a first plurality of electrode fingers connected to the first bus bar; A second plurality of electrode fingers connected to the second bus bar, and an intersecting portion in which the first and second plurality of electrode fingers of the interdigital electrode are alternately arranged. The boundaries between the first and second bus bars and the gratings of the first and second pluralities of electrode fingers are defined by the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from the interdigital transducer. A surface acoustic wave device which is non-parallel.
て、上記各境界線は、上記すだれ状電極から励振される
弾性表面波の群速度方向と４５±２７度の範囲内の角度
をなすことを特徴とする弾性表面波素子。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein each of the boundary lines forms an angle within a range of 45 ± 27 degrees with the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from the interdigital transducer. A surface acoustic wave device characterized by the above-mentioned.
て、その全長の１／２以上において、上記すだれ状電極
から励振される弾性表面波の群速度方向と非平行である
ことを特徴とする弾性表面波素子。3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein at least half of the entire length thereof is not parallel to the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from said interdigital transducer. Surface acoustic wave device.
て、上記交差部は、アポタイズ法により重み付けされて
いることを特徴とする弾性表面波素子。4. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the intersection is weighted by an apodizing method.
て、上記交差部の包絡線の形状は菱形であり、上記各境
界線は対応する包絡線とそれぞれ平行であることを特徴
とする弾性表面波素子。5. The surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the shape of the envelope at the intersection is a rhombus, and each of the boundaries is parallel to the corresponding envelope. Surface wave element.
て、上記圧電基板が平行４辺形であり、上記各境界線は
上記圧電性基板の対応する辺と平行であることを特徴と
する弾性表面波素子。6. The surface acoustic wave device according to claim 5, wherein the piezoelectric substrate is a parallelogram, and each of the boundary lines is parallel to a corresponding side of the piezoelectric substrate. Surface acoustic wave device.
て、上記圧電基板が平行４辺形であり、 該平行４辺形
の各辺は、上記すだれ状電極から励振される弾性表面波
の群速度方向と非平行であることを特徴とする弾性表面
波素子。7. The surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the piezoelectric substrate is a parallelogram, and each side of the parallelogram is a surface of the surface acoustic wave excited from the IDT. A surface acoustic wave device which is not parallel to a group velocity direction.
て、上記第１、第２の複数の電極指の上記グレーティン
グ部分の形状が平行四辺形であることを特徴とする弾性
表面波素子。8. The surface acoustic wave device according to claim 7, wherein the shape of the grating portion of the first and second plurality of electrode fingers is a parallelogram.
て、上記圧電性基板がニオブ酸リチウムで形成されてい
ることを特徴とする弾性表面波素子。9. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein said piezoelectric substrate is formed of lithium niobate.
に形成され、第１と第２のバスバーと、該第１のバスバ
ーに接続された第１の複数の電極指と、該第２のバスバ
ーに接続された第２の複数の電極指とを有するすだれ状
電極とを備え、 上記すだれ状電極の上記第１、第２の複数の電極指が交
互に配置された交差部を有し、上記第１と第２のバスバ
ーの間における上記第１、第２の複数の電極指に沿った
距離は、すだれ状電極から励振される弾性表面波の群速
度方向に沿って変化することを特徴とする弾性表面波素
子。10. A piezoelectric substrate, first and second bus bars formed on a plane of the piezoelectric substrate, a first plurality of electrode fingers connected to the first bus bar, and A second plurality of electrode fingers connected to the second bus bar, and an intersecting portion in which the first and second plurality of electrode fingers of the interdigital electrode are alternately arranged. The distance between the first and second bus bars along the first and second pluralities of electrode fingers varies along the group velocity direction of the surface acoustic waves excited from the interdigital transducer. A surface acoustic wave device.
いて、上記各境界線は、上記すだれ状電極から励振され
る弾性表面波の群速度方向と４５±２７度の範囲内の角
度をなすことを特徴とする弾性表面波素子。11. The surface acoustic wave element according to claim 10, wherein each of the boundary lines forms an angle within a range of 45 ± 27 degrees with the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from the interdigital transducer. A surface acoustic wave device characterized by the above-mentioned.
いて、上記各境界線は、その全長の１／２以上におい
て、上記すだれ状電極から励振される弾性表面波の群速
度方向と非平行であることを特徴とする弾性表面波素
子。12. The surface acoustic wave device according to claim 10, wherein each of the boundary lines is not parallel to the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from the interdigital transducer at least one half of its entire length. A surface acoustic wave device characterized by the following.
いて、上記交差部はアポタイズ法により重み付けされて
いることを特徴とする弾性表面波素子。13. The surface acoustic wave device according to claim 10, wherein the intersection is weighted by an apodizing method.
いて、上記交差部の包絡線の形状は菱形であり、上記各
境界線は対応する包絡線とそれぞれ平行であることを特
徴とする弾性表面波素子。14. The surface acoustic wave device according to claim 11, wherein the shape of the envelope at the intersection is a rhombus, and each of the boundaries is parallel to the corresponding envelope. Surface wave element.
いて、上記圧電基板が平行４辺形であり、上記各境界線
は上記圧電性基板の対応する辺と平行であることを特徴
とする弾性表面波素子。15. The surface acoustic wave device according to claim 14, wherein the piezoelectric substrate is a parallelogram, and each of the boundary lines is parallel to a corresponding side of the piezoelectric substrate. Surface acoustic wave device.
いて、上記圧電基板が平行４辺形であり、該平行４辺形
の各辺は、上記すだれ状電極から励振される弾性表面波
の群速度方向と非平行であることを特徴とする弾性表面
波素子。16. A surface acoustic wave device according to claim 11, wherein said piezoelectric substrate is a parallelogram, and each side of said parallelogram is a surface of a surface acoustic wave excited from said interdigital transducer. A surface acoustic wave device which is not parallel to a group velocity direction.
いて、上記第１、第２の複数の電極指の上記グレーティ
ング部の形状が平行四辺形であることを特徴とする弾性
表面波素子。17. The surface acoustic wave device according to claim 16, wherein the shape of the grating portion of the first and second plurality of electrode fingers is a parallelogram.
いて、上記圧電性基板がニオブ酸リチウムで形成されて
いることを特徴とする弾性表面波素子。18. A surface acoustic wave device according to claim 10, wherein said piezoelectric substrate is formed of lithium niobate.
に形成され、第１と第２のバスバーと、該第１のバスバ
ーに接続された第１の複数の電極指と、該第２のバスバ
ーに接続された第２の複数の電極指とを有するすだれ状
電極とを備え、第１と第２のバスバーと上記すだれ状電
極から励振される弾性表面波の群速度方向とが非平行で
あることを特徴とする弾性表面波素子。19. A piezoelectric substrate, first and second bus bars formed on a plane of the piezoelectric substrate, a first plurality of electrode fingers connected to the first bus bar, and A second interdigital electrode having a second plurality of electrode fingers connected to the second bus bar, wherein the first and second bus bars and the group velocity direction of the surface acoustic wave excited from the interdigital electrode are non-uniform. A surface acoustic wave device which is parallel.
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187324A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-13 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP2002353762A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Manufacturing method for surface acoustic wave element |
| KR20050112689A (en) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성전기주식회사 | Surface acoustic wave filter |
| JPWO2006078001A1 (en) * | 2005-01-21 | 2008-06-19 | 国立大学法人 千葉大学 | Surface acoustic wave device |
| JP2008148338A (en) * | 2001-03-04 | 2008-06-26 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave functional element |
| WO2009050932A1 (en) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and ladder type filter |
| WO2010116995A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 株式会社村田製作所 | Elastic boundary wave resonator and ladder filter |
| US8222973B2 (en) | 2009-06-04 | 2012-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer |
| JP2012257019A (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic wave device |
| WO2013002033A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 京セラ株式会社 | Elastic wave element and elastic wave device using same |
| KR20170134623A (en) | 2015-06-24 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Filter device |
| US10447240B2 (en) | 2013-12-26 | 2019-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and filter device |
| US10476470B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter device |
| US11038484B2 (en) | 2017-04-20 | 2021-06-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device, band pass filter, and multiplexer |
| WO2021187537A1 (en) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170610A (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPH09116378A (en) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Idt excitation device |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000023270A patent/JP3950611B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02170610A (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPH09116378A (en) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Idt excitation device |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187324A3 (en) * | 2000-09-06 | 2009-03-11 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| EP1187324A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-13 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP2008148338A (en) * | 2001-03-04 | 2008-06-26 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave functional element |
| JP2002353762A (en) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Manufacturing method for surface acoustic wave element |
| KR20050112689A (en) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성전기주식회사 | Surface acoustic wave filter |
| JPWO2006078001A1 (en) * | 2005-01-21 | 2008-06-19 | 国立大学法人 千葉大学 | Surface acoustic wave device |
| JP4590642B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-12-01 | 国立大学法人 千葉大学 | Surface acoustic wave device |
| JP4831235B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-12-07 | 株式会社村田製作所 | Surface acoustic wave resonator and ladder type filter |
| WO2009050932A1 (en) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and ladder type filter |
| US7915976B2 (en) | 2007-10-18 | 2011-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and ladder-type filter |
| JP5093402B2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-12-12 | 株式会社村田製作所 | Boundary acoustic wave resonator and ladder filter |
| WO2010116995A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 株式会社村田製作所 | Elastic boundary wave resonator and ladder filter |
| US8421560B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave resonator and ladder filter |
| US8222973B2 (en) | 2009-06-04 | 2012-07-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave resonator, ladder filter and duplexer |
| JP2012257019A (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic wave device |
| WO2013002033A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 京セラ株式会社 | Elastic wave element and elastic wave device using same |
| JPWO2013002033A1 (en) * | 2011-06-28 | 2015-02-23 | 京セラ株式会社 | Elastic wave device and elastic wave device using the same |
| US9319023B2 (en) | 2011-06-28 | 2016-04-19 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element and acoustic wave device using same |
| USRE47991E1 (en) | 2011-06-28 | 2020-05-12 | Kyocera Corporation | Acoustic wave element and acoustic wave device using same |
| US10447240B2 (en) | 2013-12-26 | 2019-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and filter device |
| DE112014006013B4 (en) | 2013-12-26 | 2024-06-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and filter device |
| US10476470B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter device |
| US10469055B2 (en) | 2015-06-24 | 2019-11-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter device including longitudinally coupled resonator elastic wave filter and elastic wave resonator |
| KR20170134623A (en) | 2015-06-24 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Filter device |
| DE112016002880B4 (en) | 2015-06-24 | 2021-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter device |
| US11038484B2 (en) | 2017-04-20 | 2021-06-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device, band pass filter, and multiplexer |
| WO2021187537A1 (en) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3950611B2 (en) | 2007-08-01 |
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