JP2000286608A - 積層型共用器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】共用器の小型化、高性能化を実現させ、かつ、
２種類のフィルタ間のシールド性を改善する。 【解決手段】受信フィルタ１４及び送信フィルタ１６
と、各フィルタ１４及び１６が共用する入出力端子１８
から見た他方のフィルタの中心周波数におけるインピー
ダンスが無限大になるようにした分波回路２０とが誘電
体基板１２中に一体的に形成された積層型共用器１０Ａ
において、受信フィルタ１４を構成する３本の共振素子
３０ａ〜３０ｃの電気長に沿った第１の長手方向と送信
フィルタ１６を構成する３本の共振素子３２ａ〜３２ｃ
の電気長に沿った第２の長手方向とを１つの面上におい
て互いに直交するように、受信フィルタ１４を構成する
３本の共振素子３０ａ〜３０ｃと送信フィルタ１６を構
成する３本の共振素子３２ａ〜３２ｃを配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型共用器に関
し、特に、１つのアンテナを送信側と受信側とで共用
し、送信信号と受信信号とを分離する機能を有する積層
型共用器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、共用器は、１つのアンテナを送
信と受信とで共用し、送信信号と受信信号を分離する機
能を有する。この特性を満足させるためには、送信側フ
ィルタと受信側フィルタが共用する入出力端子であるア
ンテナから見た他方のフィルタの中心周波数におけるイ
ンピーダンスが無限大となるようにして、互いのフィル
タの通過特性を妨げないようにする必要がある。

【０００３】そこで、従来から分波回路を２つのフィル
タの接続部分に挿入することが行われている。この分波
回路の構成としては、所定の電気長をもった伝送線路を
挿入する方法があるが、容量やコイル等の集中定数素子
を使用するのが一般的である。

【０００４】現在では、集中定数素子とフィルタとを誘
電体基板内に一体的に形成することによって小型化を図
るようにしている（例えば、特開平６−１１２７３５号
公報、特開平７−３１２５０３号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−１１２７３５号公報に開示された技術においては、
２種類のフィルタを各共振器が平行になるように左右に
並べて配置した構造のため、フィルタ間の結合が強くな
ってしまうおそれがあり、フィルタ間のシールド性が悪
化するという問題がある。また、共用器を小型化するた
めに、高誘電率の基板を使用すると、更にフィルタ間の
結合が強くなってしまう。

【０００６】特開平７−３１２５０３号公報に開示され
た技術では、２種類のフィルタを上下に配置し、フィル
タ間にシールド電極を介在させているため、フィルタ間
のシールド性は十分であるが、上下に２種類のフィルタ
を配置することから、共用器の厚みが厚くなってしまう
という問題が生じる。また、共用器の厚みを薄くする
と、フィルタを構成する共振器のＱが低下し、特性を劣
化させるという問題が生じ、小型化が困難である。

【０００７】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、２種類のフィルタを左右に配置すること
による効果、即ち、共用器の小型化、高性能化を実現で
き、しかも、２種類のフィルタ間のシールド性を改善す
ることができる積層型共用器を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、中心周波数の
異なる２種類のフィルタと、それぞれのフィルタが共用
する入出力端子から見た他方のフィルタの中心周波数に
おけるインピーダンスが無限大になるようにした分波回
路とが誘電体基板中に一体的に形成された積層型共用器
において、前記一方のフィルタを構成する共振器と他方
のフィルタを構成する共振器が互いに非平行となるよう
に配置して構成する。好ましくは前記一方のフィルタを
構成する共振器と他方のフィルタを構成する共振器が互
いに直角となるように配置して構成する。

【０００９】この場合、例えば前記一方のフィルタを構
成する共振器の共振器長に沿った第１の長手方向と前記
他方のフィルタを構成する共振器の共振器長に沿った第
２の長手方向とを１つの面上において互いに直交するよ
うに、前記一方のフィルタを構成する共振器と前記他方
のフィルタを構成する共振器とを配置する。

【００１０】通常、共振器の近傍では、共振器の軸方向
に対して、その垂直面内に電磁界が存在し、軸方向の成
分は存在しない。２種類の共振器を互いに平行に配置し
た場合は、それぞれの共振器近傍に存在する電磁界が同
一面上に存在するため、電磁界が干渉し合い、２種類の
共振器間のシールド性が悪化することになる。

【００１１】一方、本発明においては、２種類の共振器
を互いに直角となるように配置しているため、それぞれ
の共振器近傍に存在する電磁界は同一平面に存在せずに
直交することになる。直交する電磁界は互いに干渉し合
うことがないため、２種類の共振器が結合することなく
シールド性を改善することができる。

【００１２】従って、本発明においては、２種類のフィ
ルタを左右に配置することによる効果、即ち、共用器の
小型化、高性能化を実現でき、しかも、２種類のフィル
タ間のシールド性を改善することができる。

【００１３】そして、前記構成において、前記２種類の
フィルタを有する部分を、前記誘電体基板の上部又は下
部のいずれか一方に形成し、前記分波回路を有する部分
を、前記誘電体基板の上部又は下部のうち、前記フィル
タ部が形成されていない部分に形成するようにしてもよ
い。

【００１４】また、前記構成において、前記２種類のフ
ィルタのうち、一方のフィルタを構成する共振器を１つ
の誘電体層から別の誘電体層にかけて折り返して形成す
るようにしてもよい。各共振器を互いに直角となるよう
に配置したことによって一方の共振器の共振器長が短く
なる場合がある。この場合、共振器長の短い方の共振器
を１つの誘電体層から別の誘電体層にかけて折り返して
形成すれば、共振器長が長くなり、十分に共振器長を確
保することができる。

【００１５】なお、前記一方のフィルタを送信側のバン
ド・パス・フィルタとし、他方のフィルタを受信側のバ
ンド・パス・フィルタとしてもよく、前記一方のフィル
タを送信側の帯域阻止フィルタとし、他方のフィルタを
受信側のバンド・パス・フィルタとしてもよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型共用器
のいくつかの実施の形態例を図１〜図１０を参照しなが
ら説明する。

【００１７】第１の実施の形態に係る共用器１０Ａは、
図１に示すように、複数枚の板状の誘電体層が積層、焼
成されて構成された誘電体基板１２内に、中心周波数の
異なる受信フィルタ１４及び送信フィルタ１６と、これ
ら受信フィルタ１４及び送信フィルタ１６が共用する入
出力端子１８から見た他方のフィルタの中心周波数にお
けるインピーダンスが無限大になるようにした分波回路
２０（図３参照）とを有して構成され、特に、この第１
の実施の形態に係る共用器１０Ａは、前記誘電体基板１
２の上部に分波回路２０が配置され、誘電体基板１２の
下部に受信フィルタ１４と送信フィルタ１６が配置され
ている。

【００１８】前記受信フィルタ１４と送信フィルタ１６
は、前記誘電体基板１２の下部において、横方向に並べ
られ、この実施の形態では、受信フィルタ１４が左側に
配置され、送信フィルタ１６が右側に配置された例を示
している。

【００１９】具体的に、この第１の実施の形態に係る共
用器１０Ａの構成について図１〜図４を参照しながら説
明する。なお、図３及び図４は、第１の実施の形態に係
る共用器１０Ａの分解斜視図であり、１つの共用器１０
Ａを２枚の図面にわたって描いたものである。

【００２０】誘電体基板１２は、図３及び図４に示すよ
うに、上から順に、第１〜第１４の誘電体層Ｓ１〜Ｓ１
４が積み重ねられて構成されている。これら第１〜第１
４の誘電体層Ｓ１〜Ｓ１４は１枚あるいは複数枚の層に
て構成される。

【００２１】また、図１に示すように、誘電体基板１２
の外周面のうち、例えばその左側面（図２では右側面）
に受信側出力端子２２が形成され、その右側面（図２で
は左側面）に送信側入力端子２４が形成され、正面に共
用の入出力端子１８（図２参照）が形成され、これら各
種端子を除く全面にアース電極２６が形成されている。
もちろん、これら各種端子とアース電極２６との間に
は、絶縁をとるための領域が確保されている。

【００２２】そして、この第１の実施の形態に係る共用
器１０Ａにおいては、図４に示すように、第１０の誘電
体層Ｓ１０の一主面に受信側の３本の片端開放型の１／
４波長共振素子（第１〜第３の共振素子３０ａ〜３０
ｃ）がそれぞれ平行に形成され、送信側の３本の共振素
子（第１〜第３の共振素子３２ａ〜３２ｃ）がそれぞれ
平行に形成されている。

【００２３】受信フィルタ１４を構成する３本の共振素
子３０ａ〜３０ｃと送信フィルタ１６を構成する３本の
共振素子３２ａ〜３２ｃは、互いに直角となるように第
１０の誘電体層Ｓ１０の一主面に形成されている。

【００２４】具体的には、受信フィルタ１４を構成する
３本の共振素子３０ａ〜３０ｃの電気長に沿った第１の
長手方向と、送信フィルタ１６を構成する３本の共振素
子３２ａ〜３２ｃの電気長に沿った第２の長手方向と
が、第１０の誘電体層Ｓ１０の一主面上において互いに
直交するように、受信フィルタ１４を構成する３本の共
振素子３０ａ〜３０ｃと送信フィルタ１６を構成する３
本の共振素子３２ａ〜３２ｃが形成されている。

【００２５】受信フィルタ１４を構成する３本の共振素
子３０ａ〜３０ｃは、各一方の端部が開放端とされ、各
他方の端部がそれぞれスルーホール３４ａ〜３４ｃを介
して誘電体基板１２の下面に形成されたアース電極２６
に電気的に接続されている。３本の共振素子３０ａ〜３
０ｃのうち、出力側の共振素子３０ａの短絡寄りの部分
がリード電極３６を介して直接受信側出力端子２２と電
気的に接続されている。

【００２６】送信フィルタ１６を構成する３本の共振素
子３２ａ〜３２ｃは、各一方の端部が開放端とされ、各
他方の端部がそれぞれスルーホール３８ａ〜３８ｃを介
して誘電体基板１２の下面に形成されたアース電極２６
に電気的に接続されている。３本の共振素子３２ａ〜３
２ｃのうち、入力側の共振素子３２ａの短絡寄りの部分
がリード電極４０を介して直接送信側入力端子２４と電
気的に接続されている。 前記第１０の誘電体層Ｓ１０
の上層に位置する第９の誘電体層Ｓ９の一主面には、ア
ース電極２６、受信側出力端子２２、送信側入力端子２
４等に対して電位的にフローティング状態とされた２つ
の結合調整電極（受信側の第１の結合調整電極４２と、
送信側の第１の結合調整電極４４）が形成されている。

【００２７】受信側の第１の結合調整電極４２は、受信
側の第２の共振素子３０ｂに対向する第１の電極本体と
受信側の第３の共振素子３０ｃに対向する第２の電極本
体とが、その間に形成されたリード電極によって電気的
に接続された形状を有する。

【００２８】送信側の第１の結合調整電極４４は、送信
側の第２の共振素子３２ｂに対向する第１の電極本体と
送信側の第３の共振素子３２ｃに対向する第２の電極本
体とが、その間に形成されたリード電極によって電気的
に接続された形状を有する。

【００２９】前記第９の誘電体層Ｓ９の上層に位置する
第８の誘電体層Ｓ８の一主面には、受信側の３本の共振
素子３０ａ〜３０ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つ
の内層アース電極４６ａ〜４６ｃが形成され、第８の誘
電体層Ｓ８の他主面には、送信側の３本の共振素子３２
ａ〜３２ｃの各開放端に対向してそれぞれ３つの内層ア
ース電極４８ａ〜４８ｃが形成されている。

【００３０】第８の誘電体層Ｓ８の一主面に形成された
内層アース電極４６ａ〜４６ｃは、誘電体基板１２の側
面に形成されたアース電極２６に接続され、第８の誘電
体層Ｓ８の他主面に形成された内層アース電極４８ａ〜
４８ｃは、それぞれスルーホール５０ａ〜５０ｃを介し
て後述するアース電極６６（第６の誘電体層Ｓ６の一主
面に形成されたアース電極）に電気的に接続されてい
る。

【００３１】前記第１０の誘電体層Ｓ１０の下層に位置
する第１１の誘電体層Ｓ１１の一主面には、アース電極
２６、受信側出力端子２２、送信側入力端子２４等に対
して電位的にフローティング状態とされた２つの結合調
整電極（受信側の第２の結合調整電極５２と、送信側の
第２の結合調整電極５４）が形成されている。

【００３２】受信側の第２の結合調整電極５２は、受信
側の第１の共振素子（出力側の共振素子）３０ａに対向
する第１の電極本体と受信側の第２の共振素子３０ｂに
対向する第２の電極本体とが、その間に形成されたリー
ド電極によって電気的に接続された形状を有する。

【００３３】送信側の第２の結合調整電極５４は、送信
側の第１の共振素子（入力側の共振素子）３２ａに対向
する第１の電極本体と送信側の第２の共振素子３２ｂに
対向する第２の電極本体とが、その間に形成されたリー
ド電極によって電気的に接続された形状を有する。

【００３４】前記第１１の誘電体層Ｓ１１の下層に位置
する第１２の誘電体層Ｓ１２の一主面には、受信側の３
本の共振素子３０ａ〜３０ｃの各開放端に対向してそれ
ぞれ３つの内層アース電極５６ａ〜５６ｃが形成され、
第１２の誘電体層Ｓ１２の他主面には、送信側の３本の
共振素子３２ａ〜３２ｃの各開放端に対向してそれぞれ
３つの内層アース電極５８ａ〜５８ｃが形成されてい
る。

【００３５】第１２の誘電体層Ｓ１２の一主面に形成さ
れた内層アース電極５６ａ〜５６ｃは、誘電体基板１２
の側面に形成されたアース電極２６に接続され、第１２
の誘電体層Ｓ１２の他主面に形成された内層アース電極
５８ａ〜５８ｃは、それぞれスルーホール６０ａ〜６０
ｃを介して誘電体基板１２の下面に形成されたアース電
極２６に電気的に接続されている。

【００３６】更に、第１０の誘電体層Ｓ１０の一主面に
形成された受信側の３本の共振素子３０ａ〜３０ｃのう
ち、第３の共振素子３０ｃはスルーホール６２を介して
第４の誘電体層Ｓ４の一主面に形成された分波回路２０
を構成する第１のコイル７０に電気的に接続され、送信
側の３本の共振素子３２ａ〜３２ｃのうち、第３の共振
素子３２ｃはスルーホール６４を介して前記分波回路２
０を構成する第２のコイル７２に電気的に接続されてい
る。

【００３７】次に、分波回路２０についてみると、図３
に示すように、まず、第６の誘電体層Ｓ６の一主面に
は、受信側出力端子２２、送信側入力端子２４、共用の
入出力端子１８並びにスルーホール６２及び６４を除く
全面にアース電極６６が形成されている。もちろん、受
信側出力端子２２、送信側入力端子２４、共用の入出力
端子１８並びにスルーホール６２及び６４とアース電極
６６との間には、絶縁をとるための領域が確保されてい
る。このアース電極６６は、各フィルタ１４及び１６を
構成している電極と分波回路２０を構成している電極間
の不要な結合を抑制する効果がある。

【００３８】第４の誘電体層Ｓ４の一主面には、一端に
共用の入出力端子１８が接続されたリード電極６８が形
成され、該リード電極６８から左側にストリップライン
の蛇行引回しによる第１のコイル７０が形成、接続さ
れ、該リード電極６８から右側にストリップラインの蛇
行引回しによる第２のコイル７２が形成、接続されてい
る。

【００３９】更に、前記リード電極６８の左側の根元部
分に、第１のコイル７０によるインダクタンスに対して
並列に容量を接続するための第１の電極７４が形成さ
れ、前記リード電極６８の右側の根元部分に、第２のコ
イル７２によるインダクタンスに対して並列に容量を接
続するための第２の電極７６が形成されている。

【００４０】そして、第３の誘電体層Ｓ３の一主面に
は、一端が受信側のスルーホール６２に接続され、か
つ、下層の第１の電極７４と対向する第３の電極７８
と、一端が送信側のスルーホール６４に接続され、か
つ、下層の第２の電極７６と対向する第４の電極８０と
が形成されている。

【００４１】第１の実施の形態に係る共用器１０Ａは、
基本的には以上のように構成されるものであるが、ここ
で、各電極の電気的な結合について図５の等価回路図を
参照しながら説明する。

【００４２】まず、受信フィルタ１４においては、受信
側出力端子２２と接地間に第１〜第３の共振素子３０ａ
〜３０ｃによる３つの共振器２００ａ〜２００ｃがそれ
ぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器２０
０ａ〜２００ｃ同士は互いに誘導結合され、これによ
り、等価回路上では、隣接する共振器２００ａ〜２００
ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ１及びＬ２が挿入され
たかたちとなる。

【００４３】一方、送信フィルタ１６においては、送信
側入力端子２４と接地間に第１〜第３の共振素子３２ａ
〜３２ｃによる３つの共振器２０２ａ〜２０２ｃがそれ
ぞれ並列に接続され、更に、これら隣接する共振器２０
２ａ〜２０２ｃ同士は互いに誘導結合され、これによ
り、等価回路上では、隣接する共振器２０２ａ〜２０２
ｃ間にそれぞれインダクタンスＬ３及びＬ４が挿入され
たかたちとなる。

【００４４】そして、受信側の第１の共振素子３０ａと
第２の共振素子３０ｂ間には、受信側の第２の結合調整
電極５２による合成容量Ｃ１が形成され、受信側の第２
の共振素子３０ｂと第３の共振素子３０ｃ間には、受信
側の第１の結合調整電極４２による合成容量Ｃ２が形成
される。即ち、各共振器２００ａ〜２００ｃ間には、イ
ンダクタンスＬ１と容量Ｃ１によるＬＣ並列共振回路
と、インダクタンスＬ２と容量Ｃ２によるＬＣ並列共振
回路が接続されたかたちとなる。

【００４５】送信側の第１の共振素子３２ａと第２の共
振素子３２ｂ間には、送信側の第２の結合調整電極５４
による合成容量Ｃ３が形成され、送信側の第２の共振素
子３２ｂと第３の共振素子３２ｃ間には、送信側の第１
の結合調整電極４４による合成容量Ｃ４が形成される。
即ち、各共振器２０２ａ〜２０２ｃ間には、インダクタ
ンスＬ３と容量Ｃ３によるＬＣ並列共振回路と、インダ
クタンスＬ４と容量Ｃ４によるＬＣ並列共振回路が接続
されたかたちとなる。

【００４６】また、受信側の第１〜第３の共振素子３０
ａ〜３０ｃの各開放端と対応する内層アース電極（４６
ａ、５６ａ）、（４６ｂ、５６ｂ）及び（４６ｃ、５６
ｃ）との間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ５〜Ｃ７が
形成され、送信側の第１〜第３の共振素子３２ａ〜３２
ｃの各開放端と対応する内層アース電極（４８ａ、５８
ａ）、（４８ｂ、５８ｂ）及び（４８ｃ、５８ｃ）との
間にはそれぞれ容量（合成容量）Ｃ８〜Ｃ１０が形成さ
れる。

【００４７】分波回路２０においては、共用の入出力端
子１８と受信側の第３の共振素子３０ｃとの間に第１の
コイル７０によるインダクタンスＬ５が形成され、共用
の入出力端子１８と送信側の第３の共振素子３２ｃとの
間に第２のコイル７２によるインダクタンスＬ６が形成
される。

【００４８】更に、第１の電極７４と第３の電極７８間
には、前記インダクタンスＬ５と並列接続される静電容
量Ｃ１１が形成され、第２の電極７６と第４の電極８０
間には、前記インダクタンスＬ６と並列接続される静電
容量Ｃ１２が形成される。前記共用の入出力端子１８に
は、例えばアンテナ２０４が接続される。

【００４９】つまり、第１の実施の形態に係る共用器１
０Ａにおいては、受信フィルタ１４及び送信フィルタ１
６が共にバンド・パス・フィルタであって、これら受信
側のバンド・パス・フィルタと送信側のバンド・パス・
フィルタ間に分波回路２０が挿入接続された回路構成を
有する。

【００５０】このように、第１の実施の形態に係る共用
器１０Ａにおいては、受信フィルタ１４を構成する３本
の共振素子３０ａ〜３０ｃと送信フィルタ１６を構成す
る３本の共振素子３２ａ〜３２ｃが互いに直角となるよ
うに第１０の誘電体層Ｓ１０の一主面に形成するように
している。

【００５１】通常、共振素子の近傍では、共振素子の軸
方向に対して、その垂直面内に電磁界が存在し、軸方向
の成分は存在しない。２種類の共振素子（３０ａ〜３０
ｃ）及び（３２ａ〜３２ｃ）を互いに平行に配置した場
合は、それぞれの共振素子（３０ａ〜３０ｃ）及び（３
２ａ〜３２ｃ）の近傍に存在する電磁界が同一面上に存
在するため、電磁界が干渉し合い、２種類の共振素子
（３０ａ〜３０ｃ）及び（３２ａ〜３２ｃ）間のシール
ド性が悪化することになる。

【００５２】一方、第１の実施の形態に係る共用器１０
Ａにおいては、２種類の共振素子（３０ａ〜３０ｃ）及
び（３２ａ〜３２ｃ）を互いに直角となるように配置し
ているため、それぞれの共振素子（３０ａ〜３０ｃ）及
び（３２ａ〜３２ｃ）の近傍に存在する電磁界は同一平
面に存在せずに直交することになる。直交する電磁界は
互いに干渉し合うことがないため、２種類の共振素子
（３０ａ〜３０ｃ）及び（３２ａ〜３２ｃ）が結合する
ことなくシールド性を改善することができる。

【００５３】従って、第１の実施の形態に係る共用器１
０Ａにおいては、受信フィルタ１４と送信フィルタ１６
を左右に配置することによる効果、即ち、共用器１０Ａ
の小型化、高性能化を実現でき、しかも、２種類のフィ
ルタ１４及び１６間のシールド性を改善することができ
る。

【００５４】次に、第２の実施の形態に係る共用器１０
Ｂについて図６及び図７を参照しながら説明する。な
お、図３及び図４と対応するものについては同符号を付
してその重複説明を省略する。

【００５５】この第２の実施の形態に係る共用器１０Ｂ
は、図６及び図７に示すように、第１の実施の形態に係
る共用器１０Ａ（図３及び図４参照）とほぼ同じ構成を
有するが、誘電体基板１２を構成する誘電体層の積層数
が多くなっている点と、送信フィルタ１６を構成する３
本の共振素子３２ａ〜３２ｃが第１４の誘電体層Ｓ１４
から第１０の誘電体層Ｓ１０にかけて折り返して形成さ
れている点で異なる。

【００５６】送信フィルタ１６を構成する３本の共振素
子３２ａ〜３２ｃは、第１４の誘電体層Ｓ１４の一主面
に形成された３本の下層側共振素子３２ａ１〜３２ｃ１
と、第１０の誘電体層Ｓ１０の一主面に形成された３本
の上層側共振素子３２ａ２〜３２ｃ２と、これら下層側
共振素子３２ａ１〜３２ｃ１と上層側共振素子３２ａ２
〜３２ｃ２とを電気的に接続する３本のスルーホール９
０ａ〜９０ｃにて構成されている。

【００５７】この第２の実施の形態に係る共用器１０Ｂ
においては、第１の実施の形態に係る共用器１０Ａと同
様に、共用器１０Ｂの小型化、高性能化を実現でき、し
かも、２種類のフィルタ１４及び１６間のシールド性を
改善することができる。

【００５８】特に、この第２の実施の形態に係る共用器
１０Ｂにおいては、受信フィルタ１４を構成する３本の
共振素子３０ａ〜３２０と、送信フィルタ１６を構成す
る３本の共振素子３２ａ〜３２ｃを互いに直角となるよ
うに配置した際に、いずれか一方のフィルタ、例えば送
信フィルタ１６を構成する共振素子３２ａ〜３２ｃの電
気長が短くなる場合に有利となる。

【００５９】即ち、各共振素子３０ａ〜３０ｃ及び３２
ａ〜３２ｃを互いに直角となるように形成することによ
って電気長が短くなる共振素子（例えば送信フィルタ１
６の共振素子３２ａ〜３２ｃ）を１つの誘電体層（第１
４の誘電体層Ｓ１４）から別の誘電体層（第１０の誘電
体層Ｓ１０）にかけて折り返して形成することで、送信
フィルタ１６の共振素子３２ａ〜３２ｃの電気長が長く
なり、十分に電気長を確保することができる。

【００６０】図７の例では、送信フィルタ１６を構成す
る３本の共振素子３２ａ〜３２ｃに対して内層アース電
極を形成しない場合を示しているが、もちろん、内層ア
ース電極を形成するようにしてもよい。この場合、第９
の誘電体層Ｓ９の一主面のうち、第１０の誘電体層Ｓ１
０に形成された第１〜第３の上層側共振素子３２ａ２〜
３２ｃ２の各開放端に対向するように内層アース電極を
形成すればよい。

【００６１】次に、第３の実施の形態に係る共用器１０
Ｃについて図８及び図９を参照しながら説明する。な
お、図６及び図７と対応するものについては同符号を付
してその重複説明を省略する。

【００６２】この第３の実施の形態に係る共用器１０Ｃ
は、図８及び図９に示すように、第２の実施の形態に係
る共用器１０Ｂ（図６及び図７参照）とほぼ同じ構成を
有するが、送信フィルタ１６がバンド・パス・フィルタ
ではなく、帯域阻止フィルタ（バンド・エリミネーショ
ン・フィルタ）である点で異なる。

【００６３】具体的には、まず、送信フィルタ１６を構
成する３本の共振素子３２ａ〜３２ｃが第１３の誘電体
層Ｓ１３から第８の誘電体層Ｓ８にかけて折り返して形
成され、該送信フィルタ１６を構成する３本の共振素子
３２ａ〜３２ｃは、第１３の誘電体層Ｓ１３の一主面に
形成された３本の下層側共振素子３２ａ１〜３２ｃ１
と、第８の誘電体層Ｓ８の一主面に形成された３本の上
層側共振素子３２ａ２〜３２ｃ２と、これら下層側共振
素子３２ａ１〜３２ｃ１と上層側共振素子３２ａ２〜３
２ｃ２とを電気的に接続する３本のスルーホール９０ａ
〜９０ｃにて構成されている。

【００６４】そして、第１０の誘電体層Ｓ１０の一主面
には、送信側の第１の共振素子３２ａと第２の共振素子
３２ｂ間に容量を形成するための第１１の電極１００
と、該第１１の電極１００の一端からストリップライン
の蛇行引回しによる第１１のコイル１０２が形成、接続
され、送信側の第２の共振素子３２ｂと第３の共振素子
３２ｃ間に容量を形成するための第１２の電極１０４
と、該第１２の電極１０４の一端からストリップライン
の蛇行引回しによる第１２のコイル１０６が形成、接続
されている。

【００６５】第９の誘電体層Ｓ９の一主面には、第１の
上層側共振素子３２ａ２と容量を形成するための第１３
の電極１０８と、第１１の電極１００と容量を形成する
ための第１４の電極１１０と、これら第１３の電極１０
８と第１４の電極１１０とを電気的に接続するためのリ
ード電極が形成され、第３の上層側共振素子３２ｃ２と
容量を形成するための第１５の電極１１２と、前記第１
２の電極１０４と容量を形成するための第１６の電極１
１４と、これら第１５の電極１１２と第１６の電極１１
４とを電気的に接続するためのリード電極が形成され、
更に、第２の上層側共振素子３２ｂ２と容量を形成する
ための第１７の電極１１６が形成されている。

【００６６】第１３の電極１０８と第１４の電極１１０
はスルーホール１１８を介して第１１のコイル１０２の
一端に電気的に接続され、第１５の電極１１２と第１６
の電極１１４はスルーホール１２０を介して第１２のコ
イル１０６の一端に電気的に接続され、第１７の電極１
１６は２本のスルーホール１２２及び１２４を介してそ
れぞれ第１１のコイル１０２の他端と第１２のコイル１
０６の他端に電気的に接続されている。また、第１３の
電極１０８と第１４の電極１１０は、リード電極を介し
て送信側入力端子２４に接続されている。

【００６７】第３の実施の形態に係る共用器１０Ｃにお
ける各電極の電気的な結合は、図１０に示すように、第
１の実施の形態に係る共用器１０Ａ（図５参照）とほぼ
同じ回路構成を有するが、送信フィルタ１６の回路構成
が以下のように異なる。

【００６８】即ち、送信側入力端子２４と第１の共振素
子３２ａ間に、第１１の電極１００による静電容量ＣＳ
１が形成され、第１７の電極１１６にて構成される接点
ＣＮ１と第２の共振素子３２ｂとの間に静電容量ＣＳ２
が形成され、スルーホール６４にて構成される分波回路
２０との接点ＣＮ２と第３の共振素子３２ｃ間に静電容
量ＣＳ３が形成される。

【００６９】更に、送信側入力端子２４と接点ＣＮ１と
の間には、第１１の電極１００と第１３の電極１０８と
の間の静電容量ＣＰ１と第１１のコイル１０２によるイ
ンダクタンスＬＰ１との並列共振回路が接続され、接点
ＣＮ１と接点ＣＮ２との間には、第１２の電極１０４と
第１６の電極１１４間の静電容量ＣＰ２と第１２のコイ
ル１０６によるインダクタンスＬＰ２との並列共振回路
が接続されたかたちとなる。

【００７０】つまり、この第３の実施の形態に係る共用
器１０Ｃにおいては、受信フィルタ１４がバンド・パス
・フィルタ、送信フィルタ１６が帯域阻止フィルタであ
って、これら受信側のバンド・パス・フィルタと送信側
の帯域阻止フィルタ間に分波回路２０が挿入接続された
回路構成を有する。

【００７１】このように、第３の実施の形態に係る共用
器１０Ｃにおいても、第１の実施の形態に係る共用器１
０Ａと同様に、共用器１０Ｃの小型化、高性能化を実現
でき、しかも、２種類のフィルタ１４及び１６間のシー
ルド性を改善することができる。

【００７２】また、この第３の実施の形態に係る共用器
１０Ｃにおいては、第２の実施の形態に係る共用器１０
Ｂと同様に、送信フィルタ１６を構成する３本の共振素
子３２ａ〜３２ｃを折り返して形成するようにしている
ため、これら３本の共振素子３２ａ〜３２ｃの電気長を
十分に確保することができる。

【００７３】上述の第１〜第３の実施の形態に係る共用
器１０Ａ〜１０Ｃにおいては、片端開放型の１／４波長
共振素子を用いた例を示しているが、その他、両端開放
型の１／２波長共振素子を用いるようにしてもよい。

【００７４】なお、この発明に係る積層型共用器は、上
述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱するこ
となく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る積層
型共用器によれば、２種類のフィルタを左右に配置する
ことによる効果、即ち、共用器の小型化、高性能化を実
現でき、しかも、２種類のフィルタ間のシールド性を改
善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係る共用器を正面側から見
て示す斜視図である。

【図２】第１の実施の形態に係る共用器を背面側から見
て示す斜視図である。

【図３】第１の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その１）であって、特に、分波回路の部分を示す分
解斜視図である。

【図４】第１の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その２）であって、特に、フィルタの部分を示す分
解斜視図である。

【図５】第１の実施の形態に係る共用器を示す等価回路
図である。

【図６】第２の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その１）であって、特に、分波回路の部分を示す分
解斜視図である。

【図７】第２の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その２）であって、特に、フィルタの部分を示す分
解斜視図である。

【図８】第３の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その１）であって、特に、分波回路の部分を示す分
解斜視図である。

【図９】第３の実施の形態に係る共用器を示す分解斜視
図（その２）であって、特に、フィルタの部分を示す分
解斜視図である。

【図１０】第３の実施の形態に係る共用器を示す等価回
路図である。

【符号の説明】

１０Ａ〜１０Ｃ…共用器 １２…誘電体基板 １４…受信フィルタ １６…送信フィルタ １８…入出力端子 ２０…分波回路 ２２…受信側出力端子 ２４…送信側入力端
子 ２６…アース電極 ３０ａ〜３０ｃ…受
信側の共振素子 ３２ａ〜３２ｃ…送信側の共振素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 和幸 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 5J006 HB05 HB21 HB22 JA01 JA02 KA02 KA12 KA13 LA13 LA23 NA03 NB07 NB09 NC03

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】中心周波数の異なる２種類のフィルタと、
   それぞれのフィルタが共用する入出力端子から見た他方
   のフィルタの中心周波数におけるインピーダンスが無限
   大になるようにした分波回路とが誘電体基板中に一体的
   に形成された積層型共用器において、 前記一方のフィルタを構成する共振器と他方のフィルタ
   を構成する共振器が互いに非平行となるように配置され
   ていることを特徴とする積層型共用器。
2. 【請求項２】請求項１記載の積層型共用器において、 前記一方のフィルタを構成する共振器と他方のフィルタ
   を構成する共振器が互いに直角となるように配置されて
   いることを特徴とする積層型共用器。
3. 【請求項３】請求項２記載の積層型共用器において、 前記一方のフィルタを構成する共振器の共振器長に沿っ
   た第１の長手方向と、前記他方のフィルタを構成する共
   振器の共振器長に沿った第２の長手方向とが、１つの面
   上において互いに直交するように、前記一方のフィルタ
   を構成する共振器と前記他方のフィルタを構成する共振
   器とが配置されていることを特徴とする積層型共用器。
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層
   型共用器において、 前記２種類のフィルタを有する部分は、前記誘電体基板
   の上部又は下部のいずれか一方に形成され、 前記分波回路を有する部分は、前記誘電体基板の上部又
   は下部のうち、前記フィルタ部が形成されていない部分
   に形成されていることを特徴とする積層型共用器。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層
   型共用器において、 前記２種類のフィルタのうち、一方のフィルタを構成す
   る共振器が１つの誘電体層から別の誘電体層にかけて折
   り返されて形成されていることを特徴とする積層型共用
   器。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層
   型共用器において、 前記一方のフィルタが送信側のバンド・パス・フィルタ
   であり、他方のフィルタが受信側のバンド・パス・フィ
   ルタであることを特徴とする積層型共用器。
7. 【請求項７】請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層
   型共用器において、 前記一方のフィルタが送信側の帯域阻止フィルタであ
   り、他方のフィルタが受信側のバンド・パス・フィルタ
   であることを特徴とする積層型共用器。