JP2000284493A - Exposure device and reticle used for it - Google Patents

Exposure device and reticle used for it

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JP2000284493A
JP2000284493A JP9321599A JP9321599A JP2000284493A JP 2000284493 A JP2000284493 A JP 2000284493A JP 9321599 A JP9321599 A JP 9321599A JP 9321599 A JP9321599 A JP 9321599A JP 2000284493 A JP2000284493 A JP 2000284493A
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JP
Japan
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exposure
optical system
stage
substrate
resolution
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JP9321599A
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Japanese (ja)
Inventor
Sumio Utsunomiya
純 夫 宇都宮
Satoshi Inoue
上 聡 井
Kazuo Yudasaka
一 夫 湯田坂
Mitsutoshi Miyasaka
坂 光 敏 宮
Yojiro Matsueda
枝 洋二郎 松
Kiyobumi Kitawada
清 文 北和田
Taku Hiraiwa
岩 卓 平
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance a throughput as high as possible even when a high- resolution pattern and a low-resolution pattern coexist. SOLUTION: This device is provided with a stage 40 for placing a substrate on which the pattern is transferred, an exposure optical system 1 having a light source 2, a collimator lens 0 changing light beams radiated from the light source 2 to the parallel light beams, an enlargement and reduction lens system 6 enlarging or reducing the light beams from the lens 4, a driving part 58 driving one out of the stage 40, the optical system 1 in a horizontal direction, a driving control part 56 controlling the position of the.stage 40 or the optical system 1 driven by the driving part 58, a substrate position detection part 50 detecting the position of the substrate placed on the stage 40, and an exposure control part 52 transferring the pattern of a reticle inserted in the optical path of the optical system 1 by controlling the position of the reticle and the lens system 6 based on the output of the detection part 50 and on the exposure data of the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置に関する
ものであって、特に液晶表示装置の製造に使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, and is particularly used for manufacturing a liquid crystal display.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は軽量かつ低消費電
力を達成するフラットパネルディスプレイとして注目を
集めている。これらの中でもアクティブマトリクス型液
晶表示装置は薄型、軽量、低電圧駆動が可能で、更にカ
ラー化も容易であるなどの特徴を備えているので、近
年、パーソルコンピュータ、ワープーロ、携帯情報端末
に用いられる。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have attracted attention as flat panel displays that achieve light weight and low power consumption. Among these, active matrix type liquid crystal display devices have features such as thinness, light weight, low-voltage driving, and easy colorization, and are recently used for persol computers, warpros, and portable information terminals. .

【0003】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置
の画素部のスイッチング素子として薄膜トランジスタ
(以下、TFT(Thin Film Transis
tor)ともいう)を用いたものは表示品位が高く、消
費電力が低いため、開発が盛んに行われている。
A thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT (Thin Film Transistor)) is used as a switching element in a pixel portion of the active matrix liquid crystal display device.
tor)) have high display quality and low power consumption, and are being actively developed.

【0004】TFTはアモルファスシリコンを用いたア
モルファスシリコンTFTと、ポリシリコンを用いたポ
リシリコンTFTの2種類がある。ポリシリコンTFT
はアモルファスシリコンTFTよりも移動度が10〜1
00倍程度高いという利点がある。このため、ポリシリ
コンTFTは画素スイッチング素子として最適なもので
ある。またポリシリコンTFTは、近年、周辺駆動回路
の構成素子としても用いられるようになり、この結果、
図15に示すような画素部320と周辺駆動回路330
a、330bとを同一基板301上に形成するという画
素部・駆動回路一体型の液晶表示装置300の開発が盛
んに行われている。
There are two types of TFTs, an amorphous silicon TFT using amorphous silicon and a polysilicon TFT using polysilicon. Polysilicon TFT
Has a mobility of 10 to 1 more than an amorphous silicon TFT.
There is an advantage that it is about 00 times higher. For this reason, the polysilicon TFT is optimal as a pixel switching element. Also, in recent years, the polysilicon TFT has been used as a component of a peripheral driving circuit, and as a result,
The pixel portion 320 and the peripheral driving circuit 330 as shown in FIG.
A liquid crystal display device 300 integrated with a pixel portion and a driving circuit, in which a and 330b are formed on the same substrate 301, has been actively developed.

【0005】一般に液晶表示装置を製造する際には、液
晶制御するのに必要な回路パターンをガラス基板上に転
写するための露光装置が使用される。この露光装置は、
微細なパターンを基板上に転写するための露光光学系、
マスクと基板を高精度に位置合わせするためのアライメ
ント系、マスクと基板を自動的に搬送する自動搬送系か
ら構成される。
Generally, when manufacturing a liquid crystal display device, an exposure device for transferring a circuit pattern necessary for controlling the liquid crystal onto a glass substrate is used. This exposure apparatus
An exposure optical system for transferring a fine pattern onto a substrate,
It is composed of an alignment system for positioning the mask and the substrate with high accuracy, and an automatic transport system for automatically transporting the mask and the substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述の画素部・駆動回
路一体型の液晶表示装置300においては、画素部32
0や端子部340は比較的単純な回路パターンであるた
め、低解像度(例えば2μm程度)の露光光学系を用い
て1ショット当たりの露光面積を大きく取ることが可能
である。これに対して周辺駆動回路330a,330b
は比較的複雑な回路パターンであるが現在のところ低解
像度の露光光学系が用いられている。しかし制御部35
0および将来同一基板上に設けられることになると思わ
れるメモリ(図示せず)や論理回路(図示せず)は複雑
な回路パターンであって、高解像度(例えば0.6μm
程度)の露光光学系を用いる必要があり、1ショット当
たりの露光面積が小さい。なお将来的にはTFTが微細
化されれば駆動回路330a,330bも高解像度が必
要となる。
In the above-described liquid crystal display device 300 with the integrated pixel portion and drive circuit, the pixel portion 32
Since the 0 and the terminal section 340 are relatively simple circuit patterns, it is possible to use a low-resolution (eg, about 2 μm) exposure optical system to increase the exposure area per shot. On the other hand, the peripheral driving circuits 330a and 330b
Is a relatively complicated circuit pattern, but a low-resolution exposure optical system is currently used. However, the control unit 35
The memory (not shown) and the logic circuit (not shown) which are expected to be provided on the same substrate in the future and have a high resolution (for example, 0.6 μm
), And the exposure area per shot is small. In the future, if the TFT is miniaturized, the driving circuits 330a and 330b also need to have high resolution.

【0007】このため、高解像度の露光装置を用いて画
素部320や端子部340をも露光する場合は、1ショ
ット当たりの露光面積が小さく、スループットが低いと
いう問題がある。例えば、基板サイズが550mm×6
50mmとした場合、スループットは1枚8分程度あ
る。
For this reason, when the pixel section 320 and the terminal section 340 are also exposed using a high-resolution exposure apparatus, there is a problem that the exposure area per shot is small and the throughput is low. For example, when the substrate size is 550 mm × 6
When the length is 50 mm, the throughput is about eight minutes per sheet.

【0008】スループットを向上させるために、低解像
度の露光装置と、高解像度の露光装置を使用することが
考えられるが、各露光装置のステージに基板を載置して
位置決めするための時間が各々必要であり、依然として
スループットが低いという問題があった。
In order to improve the throughput, it is conceivable to use a low-resolution exposure apparatus and a high-resolution exposure apparatus. However, the time required for mounting and positioning the substrate on the stage of each exposure apparatus is different. However, there is a problem that the throughput is still low.

【0009】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、高解像度と低解像度のパターンが混在してい
てもスループットが可及的に高い露光装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide an exposure apparatus having as high a throughput as possible even when high-resolution and low-resolution patterns are mixed.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による露光装置の
第1の態様は、パターンが転写される基板が載置される
ステージと、光源と、この光源から放射される光を平行
光に変えるコリメータレンズと、このコリメータレンズ
からの光を拡大または縮小する拡大・縮小レンズ系とを
有する露光光学系と、前記ステージおよび前記露光光学
系の一方を水平方向に駆動する駆動部と、前記駆動部に
よって駆動される前記ステージまたは前記露光光学系の
位置を制御する駆動制御部と、前記ステージ上に載置さ
れた基板の位置を検出する基板位置検出部と、前記基板
位置検出部の出力および前記基板の露光データに基づい
て、前記露光光学系の光路中に挿入されるレチクルの位
置および前記拡大・縮小レンズ系を制御して前記レチク
ルのパターンを前記基板上に転写する露光制御部と、を
備えたことを特徴とする。
A first aspect of an exposure apparatus according to the present invention is a stage on which a substrate on which a pattern is to be transferred is mounted, a light source, and light emitted from the light source is converted into parallel light. An exposure optical system having a collimator lens, an enlargement / reduction lens system for enlarging or reducing light from the collimator lens, a drive unit for driving one of the stage and the exposure optical system in a horizontal direction, and the drive unit A drive control unit for controlling the position of the stage or the exposure optical system driven by, a substrate position detection unit for detecting a position of a substrate mounted on the stage, an output of the substrate position detection unit, and Based on the exposure data of the substrate, the position of the reticle inserted into the optical path of the exposure optical system and the enlargement / reduction lens system are controlled so that the reticle pattern is Characterized by comprising a an exposure control unit for transferring the substrate.

【0011】なお、前記露光制御部はレチクルのパター
ンに応じて前記拡大・縮小レンズ系を制御することが好
ましい。
It is preferable that the exposure control section controls the enlargement / reduction lens system according to a reticle pattern.

【0012】なお、前記レチクルは第1の解像度用の第
1のパターンと前記第1の解像度よりも高い第2の解像
度用の第2のパターンとが前記第2の解像度に適合した
デザインルールで同一基板上に形成されていることが好
ましい。
In the reticle, a first pattern for a first resolution and a second pattern for a second resolution higher than the first resolution are designed according to the second resolution. It is preferable that they are formed on the same substrate.

【0013】なお、前記露光制御部は露光を実行する場
合には前記駆動制御部に指令信号を送出し、前記駆動制
御部は、前記露光制御部から指令信号を受信しないとき
は、前記駆動部によって駆動される前記ステージまたは
前記露光光学系を基準位置に位置させ、前記露光制御部
から前記指令信号を受信したときには前記ステージまた
は前記露光光学系を水平方向に移動させるように前記駆
動部を制御することが好ましい。
The exposure control section sends a command signal to the drive control section when performing the exposure, and the drive control section transmits the command signal to the drive section when the command signal is not received from the exposure control section. Controlling the driving unit to move the stage or the exposure optical system in the horizontal direction when the command signal is received from the exposure control unit. Is preferred.

【0014】なお、前記レチクルは前記コリメータレン
ズと前記拡大・縮小レンズ系の間に設けられることが好
ましい。
It is preferable that the reticle is provided between the collimator lens and the enlargement / reduction lens system.

【0015】また、本発明による露光装置の第2の態様
は、パターンが転写される基板が載置されるステージ
と、第1の光源、この第1の光源から放射される光を平
行光に変換する第1のコリメータレンズ、およびこの第
1のコリメータレンズからの光を拡大または縮小する第
1の拡大・縮小レンズ系を有する第1の光学系と、第2
の光源、この第2の光源から放射される光を平行光に変
換する第2のコリメータレンズ、およびこの第2のコリ
メータレンズからの光を拡大または縮小する第2の拡大
・縮小レンズ系を有する第2の光学系と、前記第1およ
び第2の光学系の各々からの光を前記ステージ上に載置
された前記基板上に投影する投影部と、を備えた露光光
学系と、前記ステージおよび前記露光光学系の一方を水
平方向に駆動する駆動部と、前記駆動部によって駆動さ
れる前記ステージまたは前記露光光学系の位置を制御す
る駆動制御部と、前記ステージ上に載置された基板の位
置を検出する基板位置検出部と、前記基板位置検出部の
出力および前記基板の露光データに基づいて、前記第1
および第2の光学系の光路中に各々挿入される第1およ
び第2のレチクルの位置を制御するとともに前記第1お
よび第2の拡大・縮小レンズ系を制御して前記第1およ
び第2のレチクルのパターンを前記基板上に転写する露
光制御部と、を備えたことを特徴とする。
In a second aspect of the exposure apparatus according to the present invention, a stage on which a substrate on which a pattern is transferred is placed, a first light source, and light emitted from the first light source is converted into parallel light. A first optical system having a first collimator lens for converting, and a first enlargement / reduction lens system for enlarging or reducing light from the first collimator lens;
, A second collimator lens that converts light emitted from the second light source into parallel light, and a second enlargement / reduction lens system that enlarges or reduces the light from the second collimator lens. An exposure optical system comprising: a second optical system; a projection unit configured to project light from each of the first and second optical systems onto the substrate mounted on the stage; And a drive unit for driving one of the exposure optical systems in the horizontal direction, a drive control unit for controlling the position of the stage or the exposure optical system driven by the drive unit, and a substrate mounted on the stage A substrate position detecting unit for detecting the position of the first position and the first position based on an output of the substrate position detecting unit and exposure data of the substrate.
And controlling the positions of the first and second reticles inserted into the optical path of the second optical system, respectively, and controlling the first and second magnifying / reducing lens systems. An exposure control unit for transferring a reticle pattern onto the substrate.

【0016】なお、前記第1の光学系の光軸と前記第2
の光学系の光軸は前記基板への入射前において平行とな
るように構成され、前記投影部は、前記第1の光学系か
らの光を反射する第1のミラーと、前記第2の光学系か
らの光を反射しかつ前記第1のミラーからの光を透過す
る第2のミラーとを備えているように構成しても良い。
The optical axis of the first optical system and the second optical system
The optical axis of the optical system is configured to be parallel before entering the substrate, and the projection unit includes a first mirror that reflects light from the first optical system, and a second optical system that reflects the light from the first optical system. A second mirror that reflects light from the system and transmits light from the first mirror may be provided.

【0017】なお、前記投影部は、回転可能となるよう
に設けられて、前記第1および第2の光学系からの光を
反射するミラーを有し、このミラーの回転位置は前記露
光制御部によって制御されるように構成しても良い。
The projection section has a mirror which is provided so as to be rotatable and reflects light from the first and second optical systems, and a rotation position of the mirror is determined by the exposure control section. May be configured to be controlled.

【0018】なお、前記投影部は、前記第1の光学系か
らの光を反射する第1のミラーと、前記第2の光学系か
らの光を反射する第2のミラーとを有しているように構
成しても良い。
The projection unit has a first mirror that reflects light from the first optical system and a second mirror that reflects light from the second optical system. It may be configured as follows.

【0019】なお、前記第1および第2のミラーは、固
定されているように構成しても良い。
The first and second mirrors may be configured to be fixed.

【0020】なお、前記第1および第2のミラーは水平
方向に移動可能となるように設けられ、前記第1および
第2のミラーの位置は前記露光制御部によって制御され
るように構成しても良い。
The first and second mirrors are provided so as to be movable in the horizontal direction, and the positions of the first and second mirrors are controlled by the exposure controller. Is also good.

【0021】なお、前記投影部はプリズムを有している
ように構成しても良い。
Incidentally, the projection section may be configured to have a prism.

【0022】なお、前記第1および第2の光学系の解像
度が異なるように構成してもよい。
The first and second optical systems may have different resolutions.

【0023】なお、前記露光制御部は露光を実行する場
合には前記駆動制御部に指令信号を送出し、前記駆動制
御部は、前記露光制御部から指令信号を受信しないとき
は、前記駆動部によって駆動される前記ステージまたは
前記露光光学系を基準位置に停止させ、前記露光制御部
から前記指令信号を受信したときには前記ステージまた
は前記露光光学系を水平方向に移動させるように前記駆
動部を制御するように構成しても良い。
The exposure control unit sends a command signal to the drive control unit when performing exposure, and the drive control unit sends the command signal to the drive unit when no command signal is received from the exposure control unit. Controlling the stage or the exposure optical system to be stopped at a reference position, and controlling the drive unit to move the stage or the exposure optical system in the horizontal direction when the command signal is received from the exposure control unit. May be configured.

【0024】なお、前記露光制御部は前記第1および第
2の光学系のうちの一方の光学系が動作しているときに
は他方の光学系の動作を停止させるように制御すること
が好ましい。
It is preferable that the exposure controller controls so that when one of the first and second optical systems is operating, the operation of the other optical system is stopped.

【0025】また本発明による露光装置の第3の態様
は、第1の光源、この第1の光源から放射される光を平
行光に変換する第1のコリメータレンズ、およびこの第
1のコリメータレンズからの光を拡大または縮小する第
1の拡大・縮小レンズ系を有し、第1の位置に配置され
た第1の露光光学系と、第2の光源、この第2の光源か
ら放射される光を平行光に変換する第2のコリメータレ
ンズ、およびこの第2のコリメータレンズからの光を拡
大または縮小する第2の拡大・縮小レンズ系を有し、第
2の位置に配置されて前記第1の露光光学系よりも解像
度の高い第2の露光光学系と、パターンが転写される基
板が載置される第1および第2のステージと、前記第1
および第2のステージを駆動するステージ駆動部と、前
記第1および第2のステージを前記第1および第2の露
光光学系の基準位置に停止するように前記ステージ駆動
部を制御する駆動制御部と、前記第1および第2の露光
光学系のうちの一方の露光光学系側に設けられ、前記一
方の露光光学系のステージ上に載置された基板の位置を
検出する基板位置検出部と、前記基板位置検出部の出力
および前記基板の露光データに基づいて、前記第1およ
び第2の露光光学系の光路中に各々挿入される第1およ
び第2のレチクルの位置を制御するとともに前記第1お
よび第2の拡大・縮小レンズ系を制御して前記第1およ
び第2のレチクルのパターンを前記基板上に転写する露
光制御部と、を備えたことを特徴とする。
In a third aspect of the exposure apparatus according to the present invention, a first light source, a first collimator lens for converting light emitted from the first light source into parallel light, and the first collimator lens A first exposure optical system arranged at a first position, a second light source, and a second light source, which is radiated from the second light source. A second collimator lens for converting light into parallel light, and a second enlargement / reduction lens system for enlarging or reducing light from the second collimator lens; A second exposure optical system having a resolution higher than that of the first exposure optical system, first and second stages on which a substrate onto which a pattern is to be transferred is placed,
And a stage drive unit for driving the second stage, and a drive control unit for controlling the stage drive unit so that the first and second stages are stopped at reference positions of the first and second exposure optical systems. And a substrate position detection unit provided on one of the first and second exposure optical systems for the exposure optical system and detecting a position of a substrate placed on a stage of the one exposure optical system; Controlling the positions of first and second reticles inserted into the optical paths of the first and second exposure optical systems, respectively, based on the output of the substrate position detector and the exposure data of the substrate. An exposure control unit for controlling first and second enlargement / reduction lens systems to transfer the patterns of the first and second reticle onto the substrate.

【0026】なお、前記第1の露光光学系側に設けら
れ、前記第1の露光光学系の近傍に停止しているステー
ジの停止位置と前記第1の露光光学系の基準位置との差
を検出する第1のステージ位置検出部と、前記第2の露
光光学系側に設けられ、前記第2の露光光学系の近傍に
停止しているステージの停止位置と、前記第2の露光光
学系の基準位置との差を検出する第2のステージ位置検
出部と、を備え、前記駆動制御部は前記第1および第2
のステージ位置検出部の出力に基づいて前記第1および
第2のステージを制御するように構成することが好まし
い。
The difference between the stop position of the stage provided on the first exposure optical system side and stopped near the first exposure optical system and the reference position of the first exposure optical system. A first stage position detector for detecting, a stop position of a stage provided on the side of the second exposure optical system, and stopped near the second exposure optical system, and a second exposure optical system. A second stage position detecting unit for detecting a difference from the reference position of the first stage and the second stage.
It is preferable to control the first and second stages based on the output of the stage position detecting section.

【0027】なお、前記露光制御部は前記第1および第
2のレチクルのパターンに応じて前記拡大・縮小レンズ
系を制御することが好ましい。
It is preferable that the exposure control section controls the enlargement / reduction lens system according to the patterns of the first and second reticles.

【0028】なお、前記第1のレチクルは前記第1のコ
リメータレンズと前記第1の拡大・縮小レンズ系との間
に設けられ、前記第2のレチクルは前記第2のコリメー
タレンズと前記第2の拡大・縮小レンズ系との間に設け
られることが好ましい。
The first reticle is provided between the first collimator lens and the first enlargement / reduction lens system, and the second reticle is provided between the second collimator lens and the second collimator lens. Is preferably provided between the zoom lens and the zoom lens system.

【0029】また本発明による露光装置に使用されるレ
チクルは、第1の解像度用の第1のパターンと、前記第
1の解像度よりも高い第2の解像度用の第2のパターン
とが前記第2の解像度に適合したデザインルールで同一
基板上に形成されたことを特徴とする。
The reticle used in the exposure apparatus according to the present invention includes a first pattern for a first resolution and a second pattern for a second resolution higher than the first resolution. It is characterized by being formed on the same substrate with a design rule adapted to the resolution of 2.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】本発明による露光装置の実施の形
態を図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0031】(第1の実施の形態)本発明による露光装
置の第1の実施の形態の構成を図1に示す。この実施の
形態の露光装置は露光光学系1と、ステージ40と、基
板位置検出部50と、露光制御部52と、露光データ記
憶部54と、駆動制御部56と、ステージ駆動部58と
を備えている。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. The exposure apparatus according to this embodiment includes an exposure optical system 1, a stage 40, a substrate position detection unit 50, an exposure control unit 52, an exposure data storage unit 54, a drive control unit 56, and a stage drive unit 58. Have.

【0032】露光光学系1は、光源2と、コリメータレ
ンズ4と、拡大・縮小レンズ系6とを備えている。光源
2から放射された光はコリメータレンズ4によって平行
光にされ、レチクル200に送られる。この平行光はレ
チクル200によってパターン像に変換される。そして
このパターン像は拡大・縮小レンズ系6によって拡大ま
たは縮小されて、ステージ40上に載置されたガラス基
板80上に投影される。拡大・縮小レンズ系6の構成の
一例を図16に示す。図16(a)は拡大レンズ系の構
成例を示し、図16(b)は縮小レンズ系の構成例を示
す。
The exposure optical system 1 includes a light source 2, a collimator lens 4, and an enlargement / reduction lens system 6. The light emitted from the light source 2 is collimated by the collimator lens 4 and sent to the reticle 200. This parallel light is converted by the reticle 200 into a pattern image. The pattern image is enlarged or reduced by the enlargement / reduction lens system 6 and projected onto a glass substrate 80 placed on the stage 40. FIG. 16 shows an example of the configuration of the enlargement / reduction lens system 6. FIG. 16A shows a configuration example of a magnifying lens system, and FIG. 16B shows a configuration example of a reduction lens system.

【0033】ステージ40にはパターンを転写しようと
するガラス基板80が載置される。このガラス基板80
は例えば図2に示すように周辺に位置検出のためのアラ
イメントマーク85が設けられている。また図2に示す
ガラス基板80には、例えば図3に示す液晶表示装置の
アレイ基板100が6個形成される。なお図3に示すア
レイ基板100は透明なガラス基板110上に画素部1
20、駆動回路131〜134、端子部140、制御部
150、論理部152、およびメモリ153,154が
形成される構成とされていてる。
A glass substrate 80 on which a pattern is to be transferred is mounted on the stage 40. This glass substrate 80
For example, as shown in FIG. 2, an alignment mark 85 for position detection is provided around the periphery. On the glass substrate 80 shown in FIG. 2, for example, six array substrates 100 of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 are formed. The array substrate 100 shown in FIG. 3 has a pixel portion 1 on a transparent glass substrate 110.
20, drive circuits 131 to 134, a terminal unit 140, a control unit 150, a logic unit 152, and memories 153 and 154.

【0034】ステージ40上に載置されたガラス基板8
0のステージ40に対する相対位置が基板位置検出部5
0によって検出される。この相対位置の検出は、図2に
示すアライメントマーク85の位置検出に基づいて行
い、アライメントマーク85の検出は例えば画像処理技
術を用いて行う。
Glass substrate 8 placed on stage 40
0 is relative to the stage 40.
Detected by 0. The relative position is detected based on the position detection of the alignment mark 85 shown in FIG. 2, and the detection of the alignment mark 85 is performed using, for example, an image processing technique.

【0035】露光データ記憶部54には上記基板位置検
出部50によって検出された基板の相対位置データ(ア
ライメントデータ)、1ショットの位置データ、レチク
ル200のパターンおよびこれらのパターンの位置に関
する情報等の露光を実行するのに必要なデータや、基板
80の伸縮データも記憶されている。
The exposure data storage unit 54 stores relative position data (alignment data) of the substrate detected by the substrate position detection unit 50, position data of one shot, patterns of the reticle 200, and information on the positions of these patterns. Data necessary for performing the exposure and expansion / contraction data of the substrate 80 are also stored.

【0036】露光制御部52は露光データ記憶部54に
記憶されているデータに基づいて露光光学系1のレチク
ルの位置および拡大・縮小レンズ系6を制御するととも
に、駆動制御部56に指令信号を送り、ステージ40を
基準位置から上記指令信号に応じた方向および距離だけ
水平方向に移動させるように動作する。
The exposure control section 52 controls the position of the reticle of the exposure optical system 1 and the enlargement / reduction lens system 6 based on the data stored in the exposure data storage section 54, and sends a command signal to the drive control section 56. The stage 40 moves so as to move the stage 40 in the horizontal direction from the reference position by a direction and a distance according to the command signal.

【0037】本実施の形態の露光装置においては、パタ
ーン転写される液晶表示装置のアレイ基板100が図3
に示すような構成であるとするとき、画素部120と端
子部140は低解像度で露光され、駆動回路131〜1
34、制御部151、論理部152、およびメモリ15
3,154は高解像度で露光される。このとき、レチク
ル200には図4に示すように、画素部120および端
子部140に各々対応するパターン220および240
が形成されているとともに、駆動回路131〜134、
制御部151、論理部152、およびメモリ153,1
54に各々対応するパターン231〜234,251,
252,253,254が形成されている。これらのパ
ターン220,240,231〜234,251〜24
5は高解像度用のデザインルールで作成されている。そ
して、画素部および端子部に対応するパターン220,
240は縮小(例えば1/10に縮小)して形成され、
他のパターン231〜234,251〜254(1倍)
は等倍に形成されている。
In the exposure apparatus of the present embodiment, the array substrate 100 of the liquid crystal display to which the pattern is transferred is the same as that shown in FIG.
When the pixel unit 120 and the terminal unit 140 are exposed at low resolution, the driving circuits 131 to 1
34, control unit 151, logic unit 152, and memory 15
3,154 are exposed at high resolution. At this time, as shown in FIG. 4, reticle 200 has patterns 220 and 240 corresponding to pixel portion 120 and terminal portion 140, respectively.
Are formed, and the driving circuits 131 to 134,
Control unit 151, logic unit 152, and memory 153, 1
54 respectively correspond to the patterns 231 to 234, 251,
252, 253 and 254 are formed. These patterns 220, 240, 231-234, 251-24
5 is created according to the design rule for high resolution. Then, the pattern 220 corresponding to the pixel portion and the terminal portion,
240 is formed by reducing (for example, reducing to 1/10),
Other patterns 231-234, 251-254 (1x)
Are formed at the same magnification.

【0038】このため、画素部120および端子部14
0のパターン転写を行う場合には、これらのパターン画
像が得られるように露光制御部52によってレチクル2
00の位置が制御されるとともに、拡大・縮小レンズ系
6が拡大レンズ系として動作するように制御される。ま
た、駆動回路131〜134、制御部151、論理部1
52、およびメモリ153,154のパターン転写を行
う場合には、これらのパターン画像が得られるように露
光制御部52によってレチクル200の位置が制御され
るとともに、拡大・縮小レンズ系6が等倍レンズ系とし
て動作するように制御される。
For this reason, the pixel section 120 and the terminal section 14
When the pattern transfer of the reticle 2 is performed, the exposure controller 52 controls the reticle 2 so that these pattern images are obtained.
The position of 00 is controlled, and the enlargement / reduction lens system 6 is controlled to operate as an enlargement lens system. Further, the driving circuits 131 to 134, the control unit 151, the logic unit 1
When the pattern transfer of the memory 52 and the memories 153 and 154 is performed, the position of the reticle 200 is controlled by the exposure control unit 52 so that these pattern images can be obtained. It is controlled to operate as a system.

【0039】再び図1に戻り説明する。ステージ駆動部
58はステージ40が水平方向に移動するように駆動す
る。駆動制御部56は、露光制御部52からの指令信号
を受信しないときは、ステージ40を基準位置に位置さ
せるようにステージ駆動部58を制御する。そして露光
制御部52からの指令信号を受信したときにはこの指令
信号に基づいてステージ40が水平方向に移動するよう
にステージ駆動部58を制御する。
Returning to FIG. 1, the description will be continued. The stage driving unit 58 drives the stage 40 to move in the horizontal direction. When not receiving the command signal from the exposure control unit 52, the drive control unit 56 controls the stage drive unit 58 to position the stage 40 at the reference position. When a command signal is received from the exposure control unit 52, the stage driving unit 58 is controlled so that the stage 40 moves in the horizontal direction based on the command signal.

【0040】次に本実施の形態の作用を説明する。ま
ず、駆動制御部56によってステージ駆動部58を制御
してステージ40を基準位置に停止させる。続いてステ
ージ40上にガラス基板を載置した後、基板位置検出部
50によってステージ40上のガラス基板80の相対位
置を検出する。この検出データ(アライメントデータ)
は露光制御部52を介して露光データ記憶部54に記憶
される。そして、露光データ記憶部54に記憶されてい
る上記アライメントデータおよび露光データに基づいて
露光制御部52が露光光学系1を制御する。低解像度の
パターン、例えば図3に示す画素部120や端子部14
0のパターンを転写する場合は、図4に示すレチクル2
00内のパターン220やパターン240が選択されて
これらのパターン画像が得られるように、露光制御部5
2によってレチクル200の位置が制御されるととも
に、拡大・縮小レンズ系6が拡大レンズとして動作する
ように制御される。これにより、ガラス基板80上に上
記パターン画像が投影され、転写される。なお、パター
ン画像の転写は各々のパターン、例えばパターン220
を一括転写したり、マスク等を用いて分割転写すること
によって行う。なお、分割転写する際には合わせずれが
生じないように注意すべきである。
Next, the operation of the present embodiment will be described. First, the stage controller 58 is controlled by the drive controller 56 to stop the stage 40 at the reference position. Subsequently, after placing the glass substrate on the stage 40, the relative position of the glass substrate 80 on the stage 40 is detected by the substrate position detector 50. This detection data (alignment data)
Are stored in the exposure data storage unit 54 via the exposure control unit 52. The exposure control unit 52 controls the exposure optical system 1 based on the alignment data and the exposure data stored in the exposure data storage unit 54. A low-resolution pattern, for example, the pixel unit 120 and the terminal unit 14 shown in FIG.
0 is transferred, the reticle 2 shown in FIG.
The exposure control unit 5 is selected so that the pattern 220 or the pattern 240 in the pattern No. 00 is selected and these pattern images are obtained.
2 controls the position of the reticle 200 and controls the enlargement / reduction lens system 6 to operate as an enlargement lens. Thus, the pattern image is projected and transferred onto the glass substrate 80. The transfer of the pattern image is performed for each pattern, for example, the pattern 220.
By collective transfer or divided transfer using a mask or the like. At the time of division transfer, care should be taken so that misalignment does not occur.

【0041】また高解像度のパターン、例えば図3に示
す駆動回路131〜134、制御部151、論理部15
2、およびメモリ152,153のパターンを転写する
場合、図4に示すレチクル200内の対応するパターン
231〜234,251〜254が選択されて、この選
択されたパターン画像が得られるように、露光制御部5
2によってレチクル200の位置が制御されるととも
に、拡大・縮小レンズ系6が等倍レンズとして動作する
うよに制御される。なおこのときパターン画像の転写は
各々のパターン、例えばパターン231を一括転写した
り、マスク等を用いて分割転写することにより行う。
A high-resolution pattern, for example, the driving circuits 131 to 134, the control unit 151, and the logic unit 15 shown in FIG.
2 and the patterns of the memories 152 and 153 are transferred, the corresponding patterns 231 to 234 and 251 to 254 in the reticle 200 shown in FIG. 4 are selected, and the exposure is performed so that the selected pattern image is obtained. Control unit 5
2, the position of the reticle 200 is controlled, and the enlargement / reduction lens system 6 is controlled to operate as a 1 × lens. At this time, the transfer of the pattern image is performed by collectively transferring each pattern, for example, the pattern 231, or by dividing and transferring using a mask or the like.

【0042】また、低解像度または高解像度のパターン
を転写する際には、露光データおよび同一のアライメン
トデータに基づいて、露光制御部52から駆動制御部5
6に指令信号が送出され、ステージ40上に載置された
ガラス基板80上にパターン画像が適正に転写されるよ
うにステージ40が水平方向に移動される。
When a low-resolution or high-resolution pattern is transferred, the exposure control unit 52 sends a signal to the drive control unit 5 based on the exposure data and the same alignment data.
A command signal is sent to the stage 6, and the stage 40 is moved in the horizontal direction so that the pattern image is properly transferred onto the glass substrate 80 placed on the stage 40.

【0043】以上説明したように本実施の形態の露光装
置によれば、低解像度パターンおよび高解像度パターン
の転写の際には、同一のアライメントデータが使用され
るため、従来の場合と異なり、アライメントデータの測
定が1回で済み、スループットを向上させることができ
る。
As described above, according to the exposure apparatus of the present embodiment, the same alignment data is used when transferring a low-resolution pattern and a high-resolution pattern. Only one data measurement is required, and the throughput can be improved.

【0044】また、本実施の形態においては、1枚のレ
チクル200内に高解像度用パターンと低解像度用パタ
ーンが同一のデザインルールに従って形成されているた
め、レチクル200の製作が容易になるという利点があ
る。
Further, in this embodiment, since the high-resolution pattern and the low-resolution pattern are formed according to the same design rule in one reticle 200, the reticle 200 can be easily manufactured. There is.

【0045】なお、上記実施の形態においては、図3に
示す画素部120や端子部140に対応する、レチクル
200上のパターン220,240は縮小形成され、駆
動回路131等に対応するパターン231は等倍形成さ
れたが、パターン220,240を等倍形成し、パター
ン231等を拡大形成したレチクルを用いることも可能
である。この場合、画素部120や端子部140を露光
する際には、拡大・縮小レンズ系6は等倍レンズとして
動作し、駆動部131等を露光する際には拡大・縮小レ
ンズ系6は縮小レンズとして動作するように露光制御部
52によって制御される。この場合のレチクルも高解像
度用のデザインルールで形成される。
In the above embodiment, the patterns 220 and 240 on the reticle 200 corresponding to the pixel section 120 and the terminal section 140 shown in FIG. 3 are reduced, and the pattern 231 corresponding to the drive circuit 131 and the like are reduced. Although the reticle is formed at the same size, it is also possible to use a reticle in which the patterns 220 and 240 are formed at the same size and the pattern 231 and the like are formed in an enlarged manner. In this case, when exposing the pixel unit 120 and the terminal unit 140, the enlargement / reduction lens system 6 operates as a 1 × lens, and when exposing the drive unit 131 and the like, the enlargement / reduction lens system 6 Is controlled by the exposure control unit 52 to operate as. The reticle in this case is also formed according to the high resolution design rule.

【0046】(第2の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第2の実施の形態の構成を図5に示す。この第
2の実施の形態の露光装置は、図1に示す第1の実施の
形態の露光装置の露光光学系1を露光光学系1Aに置換
えた構成となっている。
(Second Embodiment) FIG. 5 shows the configuration of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention. The exposure apparatus of the second embodiment has a configuration in which the exposure optical system 1 of the exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1 is replaced with an exposure optical system 1A.

【0047】この露光光学系1Aは、低解像度露光光学
系10と、高解像度露光光学系20と、ハーフミラー1
8と、ミラー28とを備えている。低解像度露光光学系
10は光源12と、コリメータレンズ14と、拡大・縮
小レンズ系16と、を備えている。また、高解像度露光
光学系20は光源22と、コリメータレンズ24と、拡
大・縮小レンズ系26と、を備えている。低解像度露光
光学系10には低解像度用のパターンが形成されたレチ
クル201が用いられ、高解像度露光光学系20には高
解像度用のパターンが形成されたレチクル202が用い
られる。
The exposure optical system 1A includes a low-resolution exposure optical system 10, a high-resolution exposure optical system 20, and a half mirror 1
8 and a mirror 28. The low-resolution exposure optical system 10 includes a light source 12, a collimator lens 14, and an enlargement / reduction lens system 16. The high-resolution exposure optical system 20 includes a light source 22, a collimator lens 24, and an enlargement / reduction lens system 26. The low-resolution exposure optical system 10 uses a reticle 201 on which a low-resolution pattern is formed, and the high-resolution exposure optical system 20 uses a reticle 202 on which a high-resolution pattern is formed.

【0048】本実施の形態において、パターン転写され
る液晶表示装置のアレイ基板100が例えば図3に示す
ような構成であるとき、レチクル201には図6(a)
に示すように、画素部120および端子部140に各々
対応するパターン220およびパターン240が形成さ
れている。またレチクル202には図6(b)に示すよ
うに駆動回路131に対応するパターン231a,23
1bと、駆動回路132に対応するパターン232a,
232bと、駆動回路133,134に対応するパター
ン233,234と、制御部151、論理部152、お
よびメモリ153,154に各々対応するパターン25
1,252,253,254が形成されている。レチク
ル201上に形成されるパターン220,240はレチ
クル202上に形成されるパターン231a,…254
と同一のデザインルールで製造される。
In the present embodiment, when the array substrate 100 of the liquid crystal display device to which the pattern is to be transferred has, for example, the configuration shown in FIG. 3, the reticle 201 has the configuration shown in FIG.
As shown in FIG. 7, patterns 220 and 240 corresponding to the pixel portion 120 and the terminal portion 140 are formed. The reticle 202 has patterns 231a and 231 corresponding to the driving circuit 131 as shown in FIG.
1b and patterns 232a, 232a,
232b, patterns 233 and 234 corresponding to the driving circuits 133 and 134, and patterns 25 corresponding to the control unit 151, the logic unit 152, and the memories 153 and 154, respectively.
1, 252, 253 and 254 are formed. The patterns 220 and 240 formed on the reticle 201 are the same as the patterns 231a,.
It is manufactured with the same design rules as.

【0049】再び図5を参照する。光源12から放射さ
れた光はコリメータレンズ14によって平行にされ、レ
チクル201に送られる。この平行光はレチクル201
によってパターン像に変換される。そしてこのパターン
像は拡大・縮小レンズ系16によって拡大または縮小さ
れ、ハーフミラー18によって反射され、ステージ40
上に載置されたガラス基板80上に投影される。一方、
光源22から放射された光はコリメータレンズ24によ
って平行にされ、レチクル202に送られる。この平行
光はレチクル202によってパターン像に変換される。
そしてこのパターン像は拡大・縮小レンズ系26によっ
て拡大または縮小されミラー28によって反射される。
この反射されたパターン像はハーフミラー18を通過
し、ステージ40上に載置されたガラス基板80上に投
影される。
Referring back to FIG. Light emitted from the light source 12 is collimated by the collimator lens 14 and sent to the reticle 201. This collimated light is incident on reticle 201
Is converted into a pattern image. The pattern image is enlarged or reduced by the enlargement / reduction lens system 16, reflected by the half mirror 18, and
The image is projected onto the glass substrate 80 placed thereon. on the other hand,
Light emitted from the light source 22 is collimated by the collimator lens 24 and sent to the reticle 202. The parallel light is converted by the reticle 202 into a pattern image.
The pattern image is enlarged or reduced by an enlargement / reduction lens system 26 and reflected by a mirror 28.
The reflected pattern image passes through the half mirror 18 and is projected on a glass substrate 80 placed on the stage 40.

【0050】この実施の形態においては、露光制御部5
2は、第1の実施の形態の場合と同様に露光データ記憶
部に記憶されたデータに基づいてレチクル201および
レチクル202の位置の制御と、拡大・縮小レンズ系1
6,26の制御を行うとともに、駆動制御部56に指令
信号を送り、ステージ40を基準位置から上記指令信号
に応じた方向および距離だけ水平方向に移動させるよう
に動作する。更に低解像度露光光学系10と高解像度露
光光学系20のうちの一方の露光光学系をONし、他方
の露光光学系をOFFするように動作する。例えば、光
源12と光源22のうちの一方をONし、他方をOFF
するように制御するか、または、OFFすべき露光光学
系の光路に遮光マスク(図示せず)を挿入し、光を遮断
するように制御する。
In this embodiment, the exposure control unit 5
Reference numeral 2 denotes a control of the positions of the reticle 201 and the reticle 202 based on the data stored in the exposure data storage unit, as in the first embodiment, and an enlargement / reduction lens system 1.
6 and 26, and sends a command signal to the drive control section 56 to move the stage 40 from the reference position in the horizontal direction by a direction and a distance corresponding to the command signal. Further, it operates such that one of the low-resolution exposure optical system 10 and the high-resolution exposure optical system 20 is turned on and the other is turned off. For example, one of the light source 12 and the light source 22 is turned on and the other is turned off.
Or a light-blocking mask (not shown) is inserted into the optical path of the exposure optical system to be turned off, and the light is blocked.

【0051】この第2の実施の形態も第1の実施の形態
と同様の効果を奏することは云うまでもない。
It goes without saying that the second embodiment also has the same effects as the first embodiment.

【0052】なお、第2の実施の形態においては、高解
像度露光光学系20の光軸を低解像度露光光学系10の
光軸よりも上でかつ平行となるように設けたが、下でか
つ平行となるように設けるように構成しても良い。
In the second embodiment, the optical axis of the high-resolution exposure optical system 20 is provided above and parallel to the optical axis of the low-resolution exposure optical system 10. You may comprise so that it may be provided so that it may become parallel.

【0053】(第3の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第3の実施の形態の構成を図7に示す。この第
3の実施の形態の露光装置は図5に示す第2の実施の形
態の露光装置の露光光学系1Aを露光光学系1Bに置換
えた構成となっている。
(Third Embodiment) FIG. 7 shows the arrangement of an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention. The exposure apparatus according to the third embodiment has a configuration in which the exposure optical system 1A of the exposure apparatus according to the second embodiment shown in FIG. 5 is replaced with an exposure optical system 1B.

【0054】この露光光学系1Bは露光光学系1Aにお
いて、低解像度露光光学系10の光軸と高解像度露光光
学系20の光軸を、同一直線上にあるように構成すると
ともに、ハーフミラー18およびミラー28の代わり
に、上記光軸と図7の紙面とに直交する軸のまわりに回
転可能となるように構成されたミラー19が設けられて
いる。このミラー19の回転の制御は露光制御部52に
よって行われ、ミラー19の回転位置によって露光光学
系1Aまたは露光光学径1Bからの光を反射する。
The exposure optical system 1B is different from the exposure optical system 1A in that the optical axis of the low-resolution exposure optical system 10 and the optical axis of the high-resolution exposure optical system 20 are on the same straight line. In place of the mirror 28, there is provided a mirror 19 configured to be rotatable about an axis perpendicular to the optical axis and the plane of FIG. The rotation of the mirror 19 is controlled by the exposure control unit 52, and reflects light from the exposure optical system 1A or the exposure optical diameter 1B depending on the rotation position of the mirror 19.

【0055】この第3の実施の形態も第2の実施の形態
と同様の効果を奏することは云うまでもない。なお、第
3の実施の形態において、低解像度露光光学系10の光
軸と高解像度露光光学系20の光軸を、ステージ40上
に位置するガラス基板80に平行な平面内にあるように
構成し、ミラー19を、上記光軸の交点を通り上記平面
に垂直な軸の回りに回転可能となるように構成してもよ
い。
Needless to say, the third embodiment has the same effect as the second embodiment. In the third embodiment, the configuration is such that the optical axis of the low-resolution exposure optical system 10 and the optical axis of the high-resolution exposure optical system 20 are in a plane parallel to the glass substrate 80 located on the stage 40. The mirror 19 may be configured to be rotatable around an axis passing through the intersection of the optical axes and perpendicular to the plane.

【0056】(第4の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第4の実施の形態の構成を図8に示す。この実
施の形態の露光装置は図7に示す第3の実施の形態の露
光装置の露光光学系1Bを露光光学系1Cに置換えた構
成となっている。
(Fourth Embodiment) FIG. 8 shows the arrangement of an exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. The exposure apparatus of this embodiment has a configuration in which the exposure optical system 1B of the exposure apparatus of the third embodiment shown in FIG. 7 is replaced with an exposure optical system 1C.

【0057】この露光光学系1Cは露光光学系1Bのミ
ラー19を回転しないようにするとともに新たにミラー
29を設けた構成となっている。ミラー19とミラー2
9は紙面に垂直な方向に移動可能となるように構成され
ている。低解像度露光光学系10から出たパターン像
(光)はミラー19によって反射され、高解像度露光光
学系20から出たパターン像(光)はミラー29によっ
て反射されるように移動制御される。ミラー19とミラ
ー29の位置の制御は、露光データ記憶部54に記憶さ
れているデータに基づいて行われる。
The exposure optical system 1C has a configuration in which the mirror 19 of the exposure optical system 1B is not rotated and a mirror 29 is newly provided. Mirror 19 and mirror 2
Reference numeral 9 is configured to be movable in a direction perpendicular to the paper surface. The movement of the pattern image (light) emitted from the low-resolution exposure optical system 10 is reflected by the mirror 19, and the movement of the pattern image (light) emitted from the high-resolution exposure optical system 20 is reflected by the mirror 29. The control of the positions of the mirror 19 and the mirror 29 is performed based on the data stored in the exposure data storage unit 54.

【0058】この第4の実施の形態も第3の実施の形態
と同様の効果を奏することは云うまでもない。
It goes without saying that the fourth embodiment also has the same effects as the third embodiment.

【0059】(第5の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第5の実施の形態の構成を図9に示す。この実
施の形態の露光装置は図8に示す第4の実施の形態の露
光装置の露光光学系1Cを露光光学系1Dに置換えた構
成となっている。
(Fifth Embodiment) FIG. 9 shows the arrangement of an exposure apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. The exposure apparatus of this embodiment has a configuration in which the exposure optical system 1C of the exposure apparatus of the fourth embodiment shown in FIG. 8 is replaced with an exposure optical system 1D.

【0060】この露光光学系1Dは露光光学系1Cのミ
ラー19,29をプリズム30に置換えた構成となって
いる。このため、本実施の形態においては低解像度露光
光学系10のパターン像と高解像度露光光学系20のパ
ターン像の、ステージ40に載置されたガラス基板80
上の投影位置は異なることになるが、露光制御部52か
ら指令信号を駆動制御部56に出力することにより、ス
テージ40を水平移動させることに補償することができ
る。
The exposure optical system 1D has a configuration in which the mirrors 19 and 29 of the exposure optical system 1C are replaced with prisms 30. For this reason, in the present embodiment, the glass substrate 80 placed on the stage 40 of the pattern image of the low-resolution exposure optical system 10 and the pattern image of the high-resolution exposure optical system 20 is used.
Although the upper projection position is different, by outputting a command signal from the exposure control unit 52 to the drive control unit 56, it is possible to compensate for horizontal movement of the stage 40.

【0061】この第5の実施の形態も第4の実施の形態
と同様の効果を奏することは云うまでもない。
It goes without saying that the fifth embodiment also has the same effect as the fourth embodiment.

【0062】(第6の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第6の実施の形態の構成を図10に示す。この
第6の実施の形態の露光装置は図9に示す第5の実施の
形態の露光装置の露光光学系1Dを露光光学系1Eに置
換えた構成となっている。
(Sixth Embodiment) FIG. 10 shows the configuration of an exposure apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. The exposure apparatus of the sixth embodiment has a configuration in which the exposure optical system 1D of the exposure apparatus of the fifth embodiment shown in FIG. 9 is replaced with an exposure optical system 1E.

【0063】この露光光学系1Eは露光光学系1Dのプ
リズム30を固定されたミラー19および29に置換え
た構成となっている。低解像度露光光学系10からの光
はミラー19によって反射されて、ガラス基板80に向
かうように構成されている。また高解像度露光光学系2
0からの光はミラー29によって反射されてガラス基板
80に向かうように構成されている。
The exposure optical system 1E has a configuration in which the prism 30 of the exposure optical system 1D is replaced by fixed mirrors 19 and 29. Light from the low-resolution exposure optical system 10 is reflected by the mirror 19 and is directed to the glass substrate 80. High resolution exposure optical system 2
The light from 0 is reflected by the mirror 29 and directed to the glass substrate 80.

【0064】この第6の実施の形態の露光制御部52は
第5の実施の形態の露光制御部と同様の動作をする。
The exposure controller 52 of the sixth embodiment operates in the same manner as the exposure controller of the fifth embodiment.

【0065】この第6の実施の形態も第5の実施の形態
と同様の効果を奏することは云うまでもない。
It goes without saying that the sixth embodiment has the same effect as the fifth embodiment.

【0066】なお上記第5乃至第6の実施の形態におい
ては、レチクル201,202は各々コリメータレンズ
と拡大・縮小レンズ系との間に置かれていたが例えば図
11に示すように拡大・縮小レンズ系をミラー(または
プリズム)の後におき、このミラーと拡大・縮小レンズ
系との間に設けても良い。
In the fifth and sixth embodiments, the reticles 201 and 202 are respectively disposed between the collimator lens and the enlargement / reduction lens system. However, for example, as shown in FIG. The lens system may be provided after the mirror (or prism), and may be provided between the mirror and the enlargement / reduction lens system.

【0067】また上記第1乃至第6の実施の形態におい
て、ステージ40の、基準位置からのずれを検出するス
テージ位置検出部(図示せず)を設け、このステージ位
置検出部の出力に基づいて駆動制御部56がステージ駆
動部58を制御するように構成しても良い。
In the first to sixth embodiments, a stage position detector (not shown) for detecting a deviation of the stage 40 from the reference position is provided, and based on the output of the stage position detector. The drive control unit 56 may be configured to control the stage drive unit 58.

【0068】(第7の実施の形態)次に本発明による露
光装置の第7の実施の形態の構成を図12に示す。この
実施の形態の露光装置は、低解像度露光光学系10と、
高解像度露光光学系20と、ステージ41,42と、基
板位置検出部50と、露光制御部52と、露光データ記
憶部54と、ステージ位置検出部55,57と、ステー
ジ駆動部58と、駆動制御部56とを備えている。
(Seventh Embodiment) FIG. 12 shows the arrangement of an exposure apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. The exposure apparatus according to this embodiment includes a low-resolution exposure optical system 10,
A high-resolution exposure optical system 20, stages 41 and 42, a substrate position detection unit 50, an exposure control unit 52, an exposure data storage unit 54, stage position detection units 55 and 57, a stage drive unit 58, And a control unit 56.

【0069】低解像度露光光学系10は所定の位置に設
けられており、例えば第2の実施の形態の低解像度光学
系10と同一の構成を有し、低解像度の回路パターンを
露光するのに用いられる。高解像度露光光学系20は、
低解像度露光光学系10とは異なる位置、図12上では
ステージ駆動部58を中心としたとき、低解像度露光光
学系10とは180度ずれた位置に設けられ、例えば第
2の実施の形態の高解像度光学系20と同一の構成を有
し、高解像度の回路パターンを露光するのに用いられ
る。例えば図3に示す液晶表示装置のアレイ基板100
においては、画素部120、端子部140は低解像度露
光光学系10によって露光され、駆動回路131〜13
4、制御部151、論理部152、メモリ153,15
4は高解像度露光光学系20によって露光される。
The low-resolution exposure optical system 10 is provided at a predetermined position and has, for example, the same configuration as the low-resolution optical system 10 of the second embodiment, and is used for exposing a low-resolution circuit pattern. Used. The high-resolution exposure optical system 20
The position is different from the low-resolution exposure optical system 10, and is provided at a position shifted by 180 degrees from the low-resolution exposure optical system 10 when the stage driving unit 58 is the center in FIG. 12, for example, in the second embodiment. It has the same configuration as the high-resolution optical system 20, and is used for exposing a high-resolution circuit pattern. For example, the array substrate 100 of the liquid crystal display device shown in FIG.
In, the pixel section 120 and the terminal section 140 are exposed by the low-resolution exposure optical system 10, and the driving circuits 131 to 13
4, control unit 151, logic unit 152, memories 153, 15
4 is exposed by the high-resolution exposure optical system 20.

【0070】ステージ41,42は各々、パターンが転
写されるガラス基板80が載置されてステージ駆動部5
8によって回転可能に駆動されるとともに各露光光学系
の基準位置に停止するように駆動される。なお、ステー
ジ41,42は水平方向(図面上では紙面と平行となる
方向)に所定距離平行移動可能なように構成されてい
る。
Each of the stages 41 and 42 has a stage driving unit 5 on which a glass substrate 80 on which a pattern is to be transferred is placed.
8, and is driven so as to stop at a reference position of each exposure optical system. The stages 41 and 42 are configured so as to be able to move in parallel in a horizontal direction (in the drawing, a direction parallel to the paper surface) by a predetermined distance.

【0071】基板位置検出部50は低解像度露光光学系
10の近くに設けられて、この低解像度露光光学系の基
準位置10aに停止しているステージ41まはたステー
ジ42に載置されたガラス基板80の上記ステージに対
する位置を検出する。この位置検出は図2に示すガラス
基板80においては、アライメントマーク85の位置検
出に基づいて行う。アライメントマーク85の検出は例
えば画像処理技術を用いて行う。なお、図2に示すガラ
ス基板80には、図3に示す液晶表示装置のアレイ基板
100が6個形成される。
The substrate position detecting section 50 is provided near the low-resolution exposure optical system 10, and is mounted on the stage 41 or the stage 42 stopped at the reference position 10a of the low-resolution exposure optical system. The position of the substrate 80 with respect to the stage is detected. This position detection is performed on the glass substrate 80 shown in FIG. The detection of the alignment mark 85 is performed using, for example, an image processing technique. Note that six array substrates 100 of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 are formed on the glass substrate 80 shown in FIG.

【0072】露光データ記憶部54には、上記基板位置
検出部50によって検出された基板の位置データ(アラ
イメントデータ)および1ショットの位置データ等の露
光を実行するのに必要なデータや、基板80の伸縮デー
タも記憶されている。
The exposure data storage unit 54 stores data necessary for performing exposure, such as substrate position data (alignment data) and one-shot position data detected by the substrate position detecting unit 50, and the substrate 80. Is also stored.

【0073】露光制御部52は露光データ記憶部54に
記憶されているデータに基づいて低解像度露光光学系1
0および高解像度露光光学系20のレチクルの位置を制
御するとともに、駆動制御部56に指令信号を送り、各
ステージ41,42を水平方向に微小移動させるに動作
する。なお、レチクルは例えば第2の実施の形態と同様
に、コリメターレンズと拡大・縮小レンズ系との間に設
けられる。
The exposure control section 52 controls the low-resolution exposure optical system 1 based on the data stored in the exposure data storage section 54.
In addition to controlling the position of the reticle 0 and the reticle of the high-resolution exposure optical system 20, a command signal is sent to the drive control section 56 to operate the respective stages 41 and 42 for minute movement in the horizontal direction. The reticle is provided between the collimator lens and the enlargement / reduction lens system, for example, as in the second embodiment.

【0074】また、露光制御部は第2の実施の形態と同
様にレチクルのパターンに応じて拡大・縮小レンズ系を
制御する。
The exposure control unit controls the enlargement / reduction lens system according to the reticle pattern as in the second embodiment.

【0075】ステージ位置検出部55,57は各々低解
像度露光光学系10、高解像度露光光学系204の基準
位置10a,20aとステージの停止位置との差を検出
する。
The stage position detectors 55 and 57 detect the difference between the reference positions 10a and 20a of the low-resolution exposure optical system 10 and the high-resolution exposure optical system 204 and the stop position of the stage, respectively.

【0076】駆動制御部56は、露光制御部52からの
指令信号を受信しないときは、ステージ位置検出部5
5,57の検出結果に基づいて、各ステージを低解像度
露光光学系10および高解像度露光光学系20の基準位
置10a,20aに停止させるようにステーシ駆動部5
8を制御する。そして露光制御部52からの指令信号を
受信したときにはこの指令信号およびステージ位置検出
部55,57の検出出力に基づいてステージ41,42
を水平方向に微小移動させるようにステージ駆動部58
を制御する。
When the drive control unit 56 does not receive the command signal from the exposure control unit 52, the drive control unit 56
Based on the detection results of 5, 57, the stage driving unit 5 stops each stage at the reference positions 10a, 20a of the low-resolution exposure optical system 10 and the high-resolution exposure optical system 20.
8 is controlled. When a command signal from the exposure control unit 52 is received, the stages 41, 42 are detected based on the command signal and the detection outputs of the stage position detecting units 55, 57.
Stage driving unit 58 so as to slightly move
Control.

【0077】次に本実施の形態の作用を説明する。ま
ず、駆動制御部56によってステージ駆動部58を制御
してステージ41を低解像度露光光学系10の基準位置
10aに停止させる。続いてステージ41上にガラス基
板80を載置した後、基板位置検出部55によってステ
ージ41上のガラス基板80の位置を検出する。この検
出データ(アライメントデータ)は露光制御部52を介
して露光データ記憶部54に記憶される。そして、露光
データ記憶部54に記憶されている上記アライメントデ
ータおよび露光テータに基づいて露光制御部52が低解
像度露光光学系10を制御して、低解像度の回路パター
ンがガラス基板80上に転写される。
Next, the operation of the present embodiment will be described. First, the stage controller 58 is controlled by the drive controller 56 to stop the stage 41 at the reference position 10a of the low-resolution exposure optical system 10. Subsequently, after placing the glass substrate 80 on the stage 41, the position of the glass substrate 80 on the stage 41 is detected by the substrate position detector 55. This detection data (alignment data) is stored in the exposure data storage unit 54 via the exposure control unit 52. The exposure control unit 52 controls the low-resolution exposure optical system 10 based on the alignment data and the exposure data stored in the exposure data storage unit 54, so that the low-resolution circuit pattern is transferred onto the glass substrate 80. You.

【0078】低解像度の回路パターンの転写が終了する
と、ステージ41は高解像度露光光学系20の基準位置
20aに停止するようにステージ駆動部58を介して駆
動制御部56によって制御される。このとき、ステージ
42は低解像度露光光学系10の基準位置10aに停止
するようにステージ駆動部58を介して駆動制御部56
によって制御される。
When the transfer of the low-resolution circuit pattern is completed, the drive control unit 56 controls the stage 41 via the stage drive unit 58 so as to stop at the reference position 20 a of the high-resolution exposure optical system 20. At this time, the stage 42 is stopped at the reference position 10a of the low-resolution exposure optical system 10 by the drive control unit 56 via the stage drive unit 58.
Is controlled by

【0079】次に露光データ記憶部54に記憶されてい
る、ステージ41上に載置されているガラス基板80の
アライメントデータおよび露光データに基づいて露光制
御部52によって高解像度露光光学系20が制御され、
高解像度の回路パターンがステージ41上のガラス基板
80上に転写される。その後、ガラス基板80がステー
ジ41から取り外される。
Next, the high-resolution exposure optical system 20 is controlled by the exposure control unit 52 based on the alignment data and the exposure data of the glass substrate 80 placed on the stage 41 stored in the exposure data storage unit 54. And
The high-resolution circuit pattern is transferred onto the glass substrate 80 on the stage 41. Thereafter, the glass substrate 80 is removed from the stage 41.

【0080】一方、ステージ42には低解像度の回路パ
ターンを転写すべきガラス基板80が載置された後、基
板位置検出部50によってステージ42上のガラス基板
80の位置が検出される。この検出されたデータ(アラ
イメントデータ)は上述したように露光制御部52を介
して露光データ記憶部54に記憶される。そして上記ア
ライメントデータおよび露光データに基づいて露光制御
部52によって低解像度露光光学系10が制御され、低
解像度の回路パターンがステージ42上のガラス基板8
0上に転写される。
On the other hand, after a glass substrate 80 on which a low-resolution circuit pattern is to be transferred is placed on the stage 42, the position of the glass substrate 80 on the stage 42 is detected by the substrate position detector 50. The detected data (alignment data) is stored in the exposure data storage unit 54 via the exposure control unit 52 as described above. The low-resolution exposure optical system 10 is controlled by the exposure control section 52 based on the alignment data and the exposure data, and the low-resolution circuit pattern is
0.

【0081】そして、低解像度の回路パターンの転写が
終了するとステージ42は高解像度露光光学系20の基
準位置20aに停止するように駆動され、ステージ41
は低解像度露光光学系10の基準位置10aに停止する
ように駆動される。その後、ステージ41には回路パタ
ーンを転写すべき新しいガラス基板80が載置されて上
述したと同様にして低解像度の回路パターンが転写さ
れ、ステージ42上のガラス基板80上には高解像度の
回路パターンが転写される。高解像度の回路パターンが
転写されたガラス基板80はステージ42から取り外さ
れる。以降上述したことが繰り返される。
When the transfer of the low-resolution circuit pattern is completed, the stage 42 is driven to stop at the reference position 20a of the high-resolution exposure optical system 20, and the stage 41 is driven.
Is driven to stop at the reference position 10a of the low-resolution exposure optical system 10. Thereafter, a new glass substrate 80 on which a circuit pattern is to be transferred is placed on the stage 41, and a low-resolution circuit pattern is transferred in the same manner as described above, and a high-resolution circuit The pattern is transferred. The glass substrate 80 onto which the high-resolution circuit pattern has been transferred is removed from the stage 42. Thereafter, the above is repeated.

【0082】本実施の形態の露光装置においては、低解
像度露光光学系10と、この光学系10の基準位置10
aに停止しているときのステージ、例えばステージ41
との相対的位置関係は、高解像度露光光学系20と、こ
の光学系20の基準位置10aに停止しているステージ
41との相対的位置関係と同一であるかまたは所定の関
係にあるように構成されているため、低解像度露光光学
系10側でステージ(例えばステージ41)上での基板
80の位置を基板位置検出部50によって検出すれば、
この検出されたアライメントデータは、上記ステージ4
1が回転移動して高解像度露光光学系20の基準位置2
0aに位置しているときにはこのステージ41上の基板
のアライメントデータとして用いることが可能となる。
このため、高解像度露光光学系20において再度アライ
メントデータを測定する必要がなくなり、スループット
を向上させることができる。
In the exposure apparatus of this embodiment, a low-resolution exposure optical system 10 and a reference position 10
a stage when stopped at a, for example, stage 41
Relative positional relationship between the high-resolution exposure optical system 20 and the stage 41 stopped at the reference position 10a of the optical system 20 or in a predetermined relationship. Therefore, if the position of the substrate 80 on the stage (for example, the stage 41) is detected by the substrate position detecting unit 50 on the low-resolution exposure optical system 10 side,
The detected alignment data is stored in the stage 4
1 rotates and moves to the reference position 2 of the high-resolution exposure optical system 20.
When it is located at 0a, it can be used as alignment data of the substrate on the stage 41.
Therefore, it is not necessary to measure the alignment data again in the high-resolution exposure optical system 20, and the throughput can be improved.

【0083】またスループットが向上したことにより、
従来よりもスループットを劣化させることなく駆動回路
等を構成するTFTを微細化することが可能となる。こ
れにより単位機能当たりの基板面積が低減し、省資源化
を実現できるとともに低消費電力化を実現することがで
きる。
Further, the improvement in the throughput
It is possible to miniaturize the TFT constituting the driving circuit and the like without lowering the throughput than before. As a result, the board area per unit function is reduced, so that resources can be saved and power consumption can be reduced.

【0084】また上記実施の形態においては、低解像度
露光光学系10における1ショットの面積は高解像度露
光光学系20における1ショットの面積よりも広く、低
解像度露光光学系10における焦点深度は高解像度露光
光学系20のそれに比べて深い。
In the above embodiment, the area of one shot in the low-resolution exposure optical system 10 is larger than the area of one shot in the high-resolution exposure optical system 20, and the depth of focus in the low-resolution exposure optical system 10 is high. It is deeper than that of the exposure optical system 20.

【0085】また上記実施の形態においては、基板位置
検出部50は低解像度露光光学系10側に設けたが、高
解像度露光光学系20側に設けても良い。
Further, in the above embodiment, the substrate position detecting section 50 is provided on the low resolution exposure optical system 10 side, but may be provided on the high resolution exposure optical system 20 side.

【0086】なお上記実施の形態においては、2つの露
光光学系の間を2つのステージ41,42は回転移動す
るように構成されていたが、図13に示すように平行移
動するように構成しても良い。また、平行移動と回転移
動とを組合せるように構成しても良い。
In the above embodiment, the two stages 41 and 42 are configured to rotate and move between the two exposure optical systems. However, the two stages 41 and 42 are configured to move in parallel as shown in FIG. May be. Moreover, you may comprise so that parallel movement and rotation movement may be combined.

【0087】上記第2乃至第7の実施の形態において
は、低解像度露光光学系10に用いられる例えば図6
(a)に示すレチクル201のパターン220,240
が例えば1/10に縮小されて形成されていれば、第1
の実施の形態の場合と同様に低解像度露光光学系10の
拡大・縮小レンズ系16は10倍の拡大レンズとして動
作し、パターン220,240が等倍(1倍)で形成さ
れていれば拡大・縮小レンズ系16は等倍レンズとして
動作するように制御される。高解像度露光光学系20
も、用いられるレチクル202のパターン、例えば図6
(b)に示すパターン231a〜254に応じて拡大・
縮小レンズ系26が動作するように制御される。なお、
レチクルが決定されればレンズ16,26の動作は固定
される。
In the second to seventh embodiments, the low-resolution exposure optical system 10 shown in FIG.
The patterns 220 and 240 of the reticle 201 shown in FIG.
Is reduced to 1/10, for example, the first
As in the case of the first embodiment, the enlargement / reduction lens system 16 of the low-resolution exposure optical system 10 operates as a magnifying lens with a magnification of 10 times. The reduction lens system 16 is controlled to operate as a 1 × lens. High-resolution exposure optical system 20
The pattern of the reticle 202 used, for example, FIG.
Enlargement according to the patterns 231a to 254 shown in FIG.
The reduction lens system 26 is controlled to operate. In addition,
Once the reticle is determined, the operations of the lenses 16, 26 are fixed.

【0088】また、上記第1乃至第7の実施の形態にお
いては、各露光光学系のレンズの開口数はショット面積
に応じて選択することが好ましい。
In the first to seventh embodiments, the numerical aperture of the lens of each exposure optical system is preferably selected according to the shot area.

【0089】なお上記実施の形態において、等倍で露光
する場合は、基板80に近接してレチクルを配置して露
光するように構成しても良い。
In the above-described embodiment, when performing exposure at the same magnification, a reticle may be arranged close to the substrate 80 and exposure may be performed.

【0090】また、上記第1乃至第6の実施の形態にお
いてはステージ40が移動するように構成したが、露光
光学系がステージに対して移動可能となるように構成し
ても良い。この場合、例えば図1に示す第1の実施の形
態においては、ステージ駆動部58、駆動制御部56
は、各々図14に示すように露光系駆動部58A、駆動
制御部56Aとなる。露光系駆動部58Aは露光光学系
を水平方向に移動し、駆動制御部56Aは露光系駆動部
58Aを介して露光光学系が基準位置に停止するように
制御する。
In the first to sixth embodiments, the stage 40 is configured to move. However, the exposure optical system may be configured to be movable with respect to the stage. In this case, for example, in the first embodiment shown in FIG. 1, the stage driving unit 58 and the driving control unit 56
Are an exposure system drive unit 58A and a drive control unit 56A, respectively, as shown in FIG. The exposure system drive unit 58A moves the exposure optical system in the horizontal direction, and the drive control unit 56A controls the exposure optical system to stop at the reference position via the exposure system drive unit 58A.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば高解
像度と低解像度のパターンが混在していてもスループッ
トを可及的に向上させることができる。
As described above, according to the present invention, the throughput can be improved as much as possible even when high-resolution and low-resolution patterns are mixed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による露光装置の第1の実施の形態の構
成を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.

【図2】本発明の露光装置に使用されるガラス基板とア
ライメントマークとの関係を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a glass substrate and an alignment mark used in the exposure apparatus of the present invention.

【図3】本発明の露光装置によって露光される液晶表示
装置のアレイ基板の回路配置を示す模式図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit arrangement of an array substrate of a liquid crystal display device exposed by the exposure apparatus of the present invention.

【図4】図3に示すアレイ基板を形成するのに使用され
るレチクルの構成を示す模式図。
FIG. 4 is a schematic view showing a configuration of a reticle used to form the array substrate shown in FIG.

【図5】本発明による露光装置の第2の実施の形態の構
成を示すブロック図。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の露光装置に使用されるレチクルの構成
を示す模式図。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a reticle used in the exposure apparatus of the present invention.

【図7】本発明による露光装置の第3実施の形態の構成
を示すブロック図。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明による露光装置の第4実施の形態の構成
を示すブロック図。
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明による露光装置の第5実施の形態の構成
を示すブロック図。
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明による露光装置の第6実施の形態の構
成を示すブロック図。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】第6の実施の形態の変形例の構成を示すブロ
ック図。
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a modification of the sixth embodiment.

【図12】本発明による露光装置の第7実施の形態の構
成を示すブロック図。
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図13】第7の実施の形態の露光装置の変形例の構成
を示すブロック図。
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of a modification of the exposure apparatus according to the seventh embodiment.

【図14】第1の実施の形態の露光装置の変形例の構成
を示すブロック図。
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a modified example of the exposure apparatus of the first embodiment.

【図15】画素部・駆動回路一体型の液晶表示装置のア
レイ基板の回路配置を示す模式図。
FIG. 15 is a schematic diagram showing a circuit arrangement of an array substrate of a liquid crystal display device integrated with a pixel portion and a driving circuit.

【図16】拡大・縮小レンズ系の構成の一例を示す図。FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a configuration of an enlargement / reduction lens system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A〜1F 露光光学系 2,12 光源 4,14,24 コリメータレンズ 6,16,26 拡大・縮小レンズ系 10 低解像度露光光学系 18 ハーフミラー 19,28,29 ミラー 20 高解像度露光光学系 30 プリズム 40 ステージ 50 基板位置検出部 52 露光制御部 54 露光データ記憶部 56 駆動制御部 58 ステージ駆動部 80,110 ガラス基板 85 アライメントマーク 100 液晶表示装置のアレイ基板 120 画素部 131〜134 駆動回路 140 端子部 151 制御部 152 論理部 153,154 メモリ 200 レチクル 201 レチクル(低解像度用) 202 レチクル(高解像度用) 220,240,231〜234,240,251〜2
54 パターン
1,1A-1F Exposure optical system 2,12 Light source 4,14,24 Collimator lens 6,16,26 Magnification / reduction lens system 10 Low resolution exposure optical system 18 Half mirror 19,28,29 Mirror 20 High resolution exposure optical system Reference Signs List 30 prism 40 stage 50 substrate position detection unit 52 exposure control unit 54 exposure data storage unit 56 drive control unit 58 stage drive unit 80, 110 glass substrate 85 alignment mark 100 array substrate of liquid crystal display device 120 pixel units 131 to 134 drive circuit 140 Terminal unit 151 Control unit 152 Logic unit 153, 154 Memory 200 Reticle 201 Reticle (for low resolution) 202 Reticle (for high resolution) 220, 240, 231-234, 240, 251-2
54 patterns

フロントページの続き (72)発明者 湯田坂 一 夫 長野県諏訪市大和三丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 宮 坂 光 敏 長野県諏訪市大和三丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 松 枝 洋二郎 長野県諏訪市大和三丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 北和田 清 文 長野県諏訪市大和三丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 平 岩 卓 長野県諏訪市大和三丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA12 BB02 BE03 2H097 AA11 AB07 GB01 JA02 KA13 KA18 KA29 LA12 5F046 AA25 BA03 CB02 CB05 CB07 CB10 CB12 CB17 CB25 CC01 CC02 CC03 CC05 DA06 DA07 DA12 DA13 DB05 DD06 EB01 FA10 Continued on the front page (72) Inventor Kazuo Yudasaka 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Seiko Epson Corporation (72) Inventor Mitsutoshi Miyasaka 3-5-35 Yamato, Suwa-shi, Suwa, Nagano Seiko -Within Epson Corporation (72) Inventor Yojiro Matsueda 3-5-5 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture Seiko-Within Epson Corporation (72) Kiyofumi Kitawada 3-5-5 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture Seiko Epson Corporation (72) Inventor Taku Hiraiwa 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano F-term (reference) in Seiko Epson Corporation 2H095 BA12 BB02 BE03 2H097 AA11 AB07 GB01 JA02 KA13 KA18 KA29 LA12 5F046 AA25 BA03 CB02 CB05 CB07 CB10 CB12 CB17 CB25 CC01 CC02 CC03 CC05 DA06 DA07 DA12 DA13 DB05 DD06 EB01 FA10

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パターンが転写される基板が載置されるス
テージと、 光源と、この光源から放射される光を平行光に変えるコ
リメータレンズと、このコリメータレンズからの光を拡
大または縮小する拡大・縮小レンズ系とを有する露光光
学系と、 前記ステージおよび前記露光光学系の一方を水平方向に
駆動する駆動部と、 前記駆動部によって駆動される前記ステージまたは前記
露光光学系の位置を制御する駆動制御部と、 前記ステージ上に載置された基板の位置を検出する基板
位置検出部と、 前記基板位置検出部の出力および前記基板の露光データ
に基づいて、前記露光光学系の光路中に挿入されるレチ
クルの位置および前記拡大・縮小レンズ系を制御して前
記レチクルのパターンを前記基板上に転写する露光制御
部と、 を備えたことを特徴とする露光装置。
1. A stage on which a substrate on which a pattern is transferred is mounted, a light source, a collimator lens for converting light emitted from the light source into parallel light, and an enlargement for enlarging or reducing the light from the collimator lens. An exposure optical system having a reduction lens system; a drive unit for driving one of the stage and the exposure optical system in the horizontal direction; and controlling a position of the stage or the exposure optical system driven by the drive unit. A drive control unit, a substrate position detection unit that detects a position of a substrate placed on the stage, and an output path of the substrate position detection unit and exposure data of the substrate, based on an exposure path of the exposure optical system. An exposure control unit that controls the position of the reticle to be inserted and the enlargement / reduction lens system to transfer the reticle pattern onto the substrate. And to the exposure device.
【請求項2】前記露光制御部はレチクルのパターンに応
じて前記拡大・縮小レンズ系を制御することを特徴とす
る請求項1記載の露光装置。
2. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said exposure control section controls said enlargement / reduction lens system according to a reticle pattern.
【請求項3】前記レチクルは第1の解像度用の第1のパ
ターンと前記第1の解像度よりも高い第2の解像度用の
第2のパターンとが前記第2の解像度に適合したデザイ
ンルールで同一基板上に形成されていることを特徴とす
る請求項1または2記載の露光装置。
3. The reticle according to claim 1, wherein a first pattern for a first resolution and a second pattern for a second resolution higher than the first resolution conform to a design rule adapted to the second resolution. 3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is formed on the same substrate.
【請求項4】前記露光制御部は露光を実行する場合には
前記駆動制御部に指令信号を送出し、 前記駆動制御部は、前記露光制御部から指令信号を受信
しないときは、前記駆動部によって駆動される前記ステ
ージまたは前記露光光学系を基準位置に位置させ、前記
露光制御部から前記指令信号を受信したときには前記ス
テージまたは前記露光光学系を水平方向に移動させるよ
うに前記駆動部を制御することを特徴とする請求項1乃
至3のいずれかに記載の露光装置。
4. The exposure control section sends a command signal to the drive control section when performing exposure, and the drive control section, when not receiving the command signal from the exposure control section, Controlling the driving unit to move the stage or the exposure optical system in the horizontal direction when the command signal is received from the exposure control unit. 4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure is performed.
【請求項5】パターンが転写される基板が載置されるス
テージと、 第1の光源、この第1の光源から放射される光を平行光
に変換する第1のコリメータレンズ、およびこの第1の
コリメータレンズからの光を拡大または縮小する第1の
拡大・縮小レンズ系を有する第1の光学系と、第2の光
源、この第2の光源から放射される光を平行光に変換す
る第2のコリメータレンズ、およびこの第2のコリメー
タレンズからの光を拡大または縮小する第2の拡大・縮
小レンズ系を有する第2の光学系と、前記第1および第
2の光学系の各々からの光を前記ステージ上に載置され
た前記基板上に投影する投影部と、 を備えた露光光学系と、 前記ステージおよび前記露光光学系の一方を水平方向に
駆動する駆動部と、 前記駆動部によって駆動される前記ステージまたは前記
露光光学系の位置を制御する駆動制御部と、 前記ステージ上に載置された基板の位置を検出する基板
位置検出部と、 前記基板位置検出部の出力および前記基板の露光データ
に基づいて、前記第1および第2の光学系の光路中に各
々挿入される第1および第2のレチクルの位置を制御す
るとともに前記第1および第2の拡大・縮小レンズ系を
制御して前記第1および第2のレチクルのパターンを前
記基板上に転写する露光制御部と、 を備えたことを特徴とする露光装置。
5. A stage on which a substrate on which a pattern is to be transferred is mounted, a first light source, a first collimator lens for converting light emitted from the first light source into parallel light, and a first collimator lens. A first optical system having a first enlarging / reducing lens system for enlarging or reducing light from the collimator lens, a second light source, and a second light source for converting light emitted from the second light source into parallel light. A second optical system having a second collimator lens, a second enlargement / reduction lens system for enlarging or reducing light from the second collimator lens, and a second optical system having a first optical system and a second optical system. A projection unit for projecting light onto the substrate mounted on the stage; an exposure optical system comprising: a drive unit for driving one of the stage and the exposure optical system in a horizontal direction; and the drive unit Driven by the A drive control unit that controls the position of a stage or the exposure optical system, a substrate position detection unit that detects the position of a substrate placed on the stage, and an output of the substrate position detection unit and exposure data of the substrate. Controlling the positions of the first and second reticles respectively inserted into the optical paths of the first and second optical systems, and controlling the first and second enlargement / reduction lens systems based on the An exposure apparatus, comprising: an exposure controller configured to transfer patterns of first and second reticles onto the substrate.
【請求項6】前記第1の光学系の光軸と前記第2の光学
系の光軸は前記基板への入射前において平行となるよう
に構成され、前記投影部は、前記第1の光学系からの光
を反射する第1のミラーと、前記第2の光学系からの光
を反射しかつ前記第1のミラーからの光を透過する第2
のミラーとを備えていることを特徴とする請求項5記載
の露光装置。
6. An optical axis of said first optical system and an optical axis of said second optical system are configured to be parallel before incidence on said substrate, and said projection unit comprises said first optical system. A first mirror that reflects light from the system, and a second mirror that reflects light from the second optical system and transmits light from the first mirror.
6. The exposure apparatus according to claim 5, further comprising a mirror.
【請求項7】前記投影部は、回転可能となるように設け
られて、前記第1および第2の光学系からの光を反射す
るミラーを有し、このミラーの回転位置は前記露光制御
部によって制御されることを特徴とする請求項5記載の
露光装置。
7. The exposure unit includes a mirror provided to be rotatable and reflecting light from the first and second optical systems. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure apparatus is controlled by:
【請求項8】前記投影部は、前記第1の光学系からの光
を反射する第1のミラーと、前記第2の光学系からの光
を反射する第2のミラーとを有していることを特徴とす
る請求項5記載の露光装置。
8. The projection unit has a first mirror that reflects light from the first optical system, and a second mirror that reflects light from the second optical system. The exposure apparatus according to claim 5, wherein:
【請求項9】前記第1および第2のミラーは、固定され
ていることを特徴とする請求項8記載の露光装置。
9. An exposure apparatus according to claim 8, wherein said first and second mirrors are fixed.
【請求項10】前記第1および第2のミラーは水平方向
に移動可能となるように設けられ、前記第1および第2
のミラーの位置は前記露光制御部によって制御されるこ
とを特徴とする請求項8記載の露光装置。
10. The first and second mirrors are provided so as to be movable in a horizontal direction, and the first and second mirrors are provided.
9. The exposure apparatus according to claim 8, wherein the position of the mirror is controlled by the exposure control unit.
【請求項11】前記投影部はプリズムを有していること
を特徴とする請求項5記載の露光装置。
11. An exposure apparatus according to claim 5, wherein said projection section has a prism.
【請求項12】前記第1および第2の光学系の解像度が
異なることを特徴とする請求項5乃至11のいずれかに
記載の露光装置。
12. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the first and second optical systems have different resolutions.
【請求項13】前記露光制御部は露光を実行する場合に
は前記駆動制御部に指令信号を送出し、 前記駆動制御部は、前記露光制御部から指令信号を受信
しないときは、前記駆動部によって駆動される前記ステ
ージまたは前記露光光学系を基準位置に位置させ、前記
露光制御部から前記指令信号を受信したときには前記ス
テージまたは前記露光光学系を水平方向に移動させるよ
うに前記駆動部を制御することを特徴とする請求項5乃
至12のいずれかに記載の露光装置。
13. The exposure control section sends a command signal to the drive control section when performing exposure, and the drive control section, when not receiving a command signal from the exposure control section, Controlling the driving unit to move the stage or the exposure optical system in a horizontal direction when the command signal is received from the exposure control unit. 13. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure is performed.
【請求項14】前記露光制御部は前記第1および第2の
光学系のうちの一方の光学系が動作しているときには他
方の光学系の動作を停止させるように制御することを特
徴とする請求項5乃至13のいずれかに記載の露光装
置。
14. The exposure control section controls so that when one of the first and second optical systems is operating, the operation of the other optical system is stopped. An exposure apparatus according to any one of claims 5 to 13.
【請求項15】第1の光源、この第1の光源から放射さ
れる光を平行光に変換する第1のコリメータレンズ、お
よびこの第1のコリメータレンズからの光を拡大または
縮小する第1の拡大・縮小レンズ系を有し、第1の位置
に配置された第1の露光光学系と、 第2の光源、この第2の光源から放射される光を平行光
に変換する第2のコリメータレンズ、およびこの第2の
コリメータレンズからの光を拡大または縮小する第2の
拡大・縮小レンズ系を有し、第2の位置に配置されて前
記第1の露光光学系よりも解像度の高い第2の露光光学
系と、 パターンが転写される基板が載置される第1および第2
のステージと、 前記第1および第2のステージを駆動するステージ駆動
部と、 前記第1および第2のステージを前記第1および第2の
露光光学系の基準位置に停止するように前記ステージ駆
動部を制御する駆動制御部と、 前記第1および第2の露光光学系のうちの一方の露光光
学系側に設けられ、前記一方の露光光学系のステージ上
に載置された基板の位置を検出する基板位置検出部と、 前記基板位置検出部の出力および前記基板の露光データ
に基づいて、前記第1および第2の露光光学系の光路中
に各々挿入される第1および第2のレチクルの位置を制
御するとともに前記第1および第2の拡大・縮小レンズ
系を制御して前記第1および第2のレチクルのパターン
を前記基板上に転写する露光制御部と、を備えたことを
特徴とする露光装置。
15. A first light source, a first collimator lens for converting light emitted from the first light source into parallel light, and a first collimator for expanding or reducing light from the first collimator lens. A first exposure optical system having an enlargement / reduction lens system and arranged at a first position, a second light source, and a second collimator for converting light emitted from the second light source into parallel light A lens, and a second enlargement / reduction lens system for enlarging or reducing light from the second collimator lens. And the first and second exposure optical systems, and the first and second
A stage driving unit that drives the first and second stages; and a stage driving unit that stops the first and second stages at reference positions of the first and second exposure optical systems. A drive control unit for controlling a unit, provided on one of the first and second exposure optical systems on the side of the exposure optical system, and controlling the position of a substrate mounted on the stage of the one exposure optical system. A substrate position detecting section to be detected, and first and second reticles respectively inserted into optical paths of the first and second exposure optical systems based on an output of the substrate position detecting section and exposure data of the substrate. And an exposure control unit for controlling the position of the first and second enlargement / reduction lens systems and transferring the patterns of the first and second reticle onto the substrate. Exposure equipment Place.
【請求項16】前記第1の露光光学系側に設けられ、前
記第1の露光光学系の近傍に停止しているステージの停
止位置と前記第1の露光光学系の基準位置との差を検出
する第1のステージ位置検出部と、 前記第2の露光光学系側に設けられ、前記第2の露光光
学系の近傍に停止しているステージの停止位置と、前記
第2の露光光学系の基準位置との差を検出する第2のス
テージ位置検出部と、 を備え、前記駆動制御部は前記第1および第2のステー
ジ位置検出部の出力に基づいて前記第1および第2のス
テージを制御することを特徴とする請求項15記載の露
光装置。
16. A difference between a stop position of a stage provided on the side of the first exposure optical system and stopped near the first exposure optical system and a reference position of the first exposure optical system. A first stage position detection unit for detecting, a stop position of a stage provided on the side of the second exposure optical system and stopped near the second exposure optical system, and a second exposure optical system. A second stage position detecting unit for detecting a difference from the reference position of the first and second stages, wherein the drive control unit is configured to control the first and second stages based on outputs of the first and second stage position detecting units. 16. The exposure apparatus according to claim 15, wherein the control is performed.
【請求項17】前記露光制御部は前記第1および第2の
レチクルのパターンに応じて前記拡大・縮小レンズ系を
制御することを特徴とする請求項5乃至16のいずれか
に記載の露光装置。
17. An exposure apparatus according to claim 5, wherein said exposure control section controls said enlargement / reduction lens system according to the patterns of said first and second reticles. .
【請求項18】前記レチクルは前記コリメータレンズと
前記拡大・縮小レンズ系の間に設けられることを特徴と
する請求項1乃至4のいずれかに記載の露光装置。
18. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said reticle is provided between said collimator lens and said enlargement / reduction lens system.
【請求項19】前記第1のレチクルは前記第1のコリメ
ータレンズと前記第1の拡大・縮小レンズ系との間に設
けられ、前記第2のレチクルは前記第2のコリメータレ
ンズと前記第2の拡大・縮小レンズ系との間に設けられ
ることを特徴とする請求項5乃至17のいずれかに記載
の露光装置。
19. The first reticle is provided between the first collimator lens and the first enlargement / reduction lens system, and the second reticle is provided between the second collimator lens and the second collimator lens. The exposure apparatus according to any one of claims 5 to 17, wherein the exposure apparatus is provided between a zoom lens system and a zoom lens system.
【請求項20】第1の解像度用の第1のパターンと、前
記第1の解像度よりも高い第2の解像度用の第2のパタ
ーンとが前記第2の解像度に適合したデザインルールで
同一基板上に形成されたことを特徴とするレチクル。
20. A first pattern for a first resolution and a second pattern for a second resolution higher than the first resolution are formed on the same substrate according to a design rule adapted to the second resolution. A reticle formed on the reticle.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7362410B2 (en) 2002-10-19 2008-04-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for designing mask and fabricating panel
US7400375B2 (en) 2002-10-19 2008-07-15 Lg Display Co., Ltd. Method for designing mask and fabricating panel

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