JP2000277911A - Manufacture of wiring board - Google Patents

Manufacture of wiring board

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JP2000277911A
JP2000277911A JP7866399A JP7866399A JP2000277911A JP 2000277911 A JP2000277911 A JP 2000277911A JP 7866399 A JP7866399 A JP 7866399A JP 7866399 A JP7866399 A JP 7866399A JP 2000277911 A JP2000277911 A JP 2000277911A
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JP
Japan
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layer
circuit
circuit layer
via hole
opening
Prior art date
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Pending
Application number
JP7866399A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Sato
光司 佐藤
Hiroshi Ogawa
浩史 小川
Masao Aotsu
政夫 青津
Masaharu Kubo
正治 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wiring board that can reduce the number of manufacturing steps for forming via hole, improve reliability of conductivity between the circuit layers through the via holes, and form an aperture of each circuit layer forming a part of the via hole with high positional accuracy. SOLUTION: A method of manufacturing a wiring board having a plurality of circuit layers 1 comprises the steps in which an insulation resin layer 2 and a circuit layer 1 are laminated on the circuit layer 1 of an interval layer substrate 5 that is formed on the surface of the insulation resin layer 2, by providing a circuit layer 1 and the circuit layer 1 is connected conductivity with a via hole 3 opened in the surface layer side. To the circuit layer 1 which is conductivity connected with the via hole 3, an aperture 4 forming a part of the via hole 3 is provided. Among the circuit layers 1 connected conductively, the diameter of the aperture 4 of the circuit layer 1 arranged in the surface layer side is formed larger by about 50 to 200 μm, than the diameter of aperture 4 of the circuit layers 1 which are arranged on the internal layer side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路層が積
層成形され、この回路層間の導通を、非貫通孔であるバ
イアホールにて確保する配線板の製造方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board in which a plurality of circuit layers are laminated and formed, and conduction between the circuit layers is secured by via holes which are non-through holes.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年携帯電話等の電気、電子機器の小型
化や軽量化が急速に進んでいる。そしてこのような電
気、電子機器の基板に用いられる多層配線板は、ビルド
アップ多層配線板によって高密度化、小型化、薄型化が
進められてきている。
2. Description of the Related Art In recent years, the size and weight of electric and electronic devices such as mobile phones have been rapidly reduced. The multilayer wiring board used for the substrate of such an electric or electronic device has been increasingly densified, miniaturized, and thinned by a build-up multilayer wiring board.

【0003】ビルドアップ多層配線板を製造するには各
種の方法が提供されているが、例えばその一つの方法と
して次のような方法がある。すなわち、樹脂積層板の表
面に金属箔や金属めっきで銅等の金属層を設けた内層基
板5を用い、この内層基板5の表面に金属層のパターン
ニング加工によって回路を形成し、次いで、銅箔等の金
属箔の片面に樹脂層を設けて形成した樹脂付き金属箔を
その樹脂層の側で内層基板5の表面に重ね、これを加熱
加圧成形することによって樹脂層を介して内層基板5に
金属箔を積層し、そして、金属箔をパターンニング加工
して回路をすることによって、ビルドアップ多層配線板
を得ることができる。また必要に応じて、樹脂付き金属
箔の積層及び回路のパターニング加工を繰り返すことに
よって、さらに回路を多層に形成することができる。
Various methods have been provided for manufacturing a build-up multilayer wiring board. For example, one of the methods is as follows. That is, a circuit is formed by patterning the metal layer on the surface of the inner substrate 5 using the inner substrate 5 having a metal layer such as copper formed by metal foil or metal plating on the surface of the resin laminate. A resin-coated metal foil formed by providing a resin layer on one side of a metal foil such as a foil is superimposed on the surface of the inner layer substrate 5 on the side of the resin layer, and is heated and pressed to form the inner layer substrate via the resin layer. By laminating a metal foil on 5 and patterning the metal foil to form a circuit, a build-up multilayer wiring board can be obtained. If necessary, the circuit can be further formed in multiple layers by repeating the lamination of the metal foil with resin and the patterning of the circuit.

【0004】ここで回路間の導通を確保するためには、
特公平4−3676号公報に開示されているような、バ
イアホール形成が一般的に行われている。このバイアホ
ール形成にあたっては、回路層1を逐次形成するごと
に、その回路層1と、その内層側の回路層1とを導通さ
せるバイアホール3を形成することができるが、製造工
数を削減という観点からは、回路層1をすべて積層成形
した後に、バイアホール3を形成することが望ましい。
この場合は、図6(a)に示すように積層成形された各
回路層1にあらかじめ開口部4を形成しておき、この開
口部4が形成された部分にレーザ光を照射することによ
り、内周に各回路層1の開口部4が露出するバイアホー
ル3を形成し、このバイアホール3内面にめっき層を形
成するものである。
Here, in order to secure conduction between circuits,
Via holes are generally formed as disclosed in Japanese Patent Publication No. Hei 4-3676. In forming the via hole, each time the circuit layer 1 is sequentially formed, the via hole 3 for electrically connecting the circuit layer 1 and the inner circuit layer 1 can be formed, but the number of manufacturing steps is reduced. From the viewpoint, it is desirable to form the via holes 3 after the circuit layers 1 are all laminated and formed.
In this case, as shown in FIG. 6A, an opening 4 is formed in advance in each of the circuit layers 1 laminated and formed, and a portion where the opening 4 is formed is irradiated with a laser beam. Via holes 3 are formed on the inner periphery so that the openings 4 of the circuit layers 1 are exposed, and plating layers are formed on the inner surfaces of the via holes 3.

【0005】しかし上記公報に開示されているような従
来技術では、図6(b)に示すように、各回路層1に形
成される開口部4の形成位置がわずかでもずれると、バ
イアホール3内周面に露出する各回路層1の面積が小さ
くなり、回路間の導通信頼性が損なわれるという問題が
あった。またこのようにして形成されるバイアホール3
の内周形状は、開口部4のずれが生じるほど複雑とな
り、また回路層1の積層数が増加するほど更に複雑な形
状となるものであって、このようなバイアホール3にめ
っき処理を施そうとしても、めっき液がバイアホール3
内周全面に行き渡ることが困難となり、やはり回路層1
間の導通信頼性が損なわれるものであった。
However, in the prior art disclosed in the above publication, as shown in FIG. 6B, if the formation position of the opening 4 formed in each circuit layer 1 is slightly shifted, the via hole 3 is not formed. There is a problem that the area of each circuit layer 1 exposed on the inner peripheral surface is reduced, and the conduction reliability between circuits is impaired. Also, the via hole 3 thus formed is formed.
The inner peripheral shape becomes more complicated as the opening 4 is displaced, and becomes more complicated as the number of stacked circuit layers 1 is increased. Even so, plating solution is via hole 3
It becomes difficult to reach the entire inner circumference, and the circuit layer 1
The reliability of conduction between them was impaired.

【0006】一方、貫通孔であるスルーホールにて回路
層間の導通を確保する方法としては、米国特許第425
8468号に、積層成形される各回路層に開口部を設
け、この開口部を設けた部分にレーザ光を照射すること
によりスルーホールを形成する技術が開示されており、
また各回路層に形成する各開口部の口径を、表層側から
順次小さくすることにより回路層間の導通を向上するこ
とが記載されているが、この技術はあくまで貫通孔に関
する技術であって、バイアホール形成に関してはこのよ
うな技術は開示されていないものであった。またこの従
来技術では、各開口部間の口径の差に関しては何ら言及
されておらず、各開口部同士を位置精度よく形成するこ
とにより導通を確実に確保するという技術思想も存在し
ないものであった。
On the other hand, as a method of ensuring conduction between circuit layers by using a through-hole as a through-hole, US Pat.
No. 8468 discloses a technique of forming an opening in each circuit layer to be laminated and forming a through hole by irradiating a laser beam to a portion where the opening is provided.
Also, it is described that the conduction between circuit layers is improved by sequentially reducing the diameter of each opening formed in each circuit layer from the surface layer side. Regarding the formation of holes, such a technique has not been disclosed. Further, in this prior art, there is no mention of the difference in diameter between the openings, and there is no technical idea of ensuring the conduction by forming the openings with high positional accuracy. Was.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたものであり、バイアホール形成のための工
数を削減すると共に、バイアホールによる回路層間の導
通信頼性を向上することができ、更にバイアホールの一
部を構成する各回路層の開口部を位置精度よく形成する
ことができる配線板の製造方法を提供することを目的と
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to reduce the number of steps for forming a via hole and to improve the reliability of conduction between circuit layers by the via hole. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board that can form openings of each circuit layer constituting a part of a via hole with high positional accuracy.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
配線板の製造方法は、絶縁樹脂層2の表面に回路層1を
設けて形成される内層基板5の回路層1に、絶縁樹脂層
2及び回路層1を積層成形すると共に、表層側に開口す
るバイアホール3により回路層1間を導通して複数の回
路層1を有する配線板の製造方法であって、バイアホー
ル3にて導通される回路層1にバイアホール3の一部を
構成する開口部4を設けると共に、この導通されるべき
回路層1のうち、表層側に配置された回路層1の開口部
4の口径を、内層側に配置された回路層1の開口部4の
口径よりも50〜200μm大きく形成して成ることを
特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wiring board, wherein a circuit layer of an inner substrate formed by providing a circuit layer on a surface of an insulating resin layer is provided on an insulating substrate. A method for manufacturing a wiring board having a plurality of circuit layers 1 by laminating and forming a resin layer 2 and a circuit layer 1 and conducting between the circuit layers 1 through via holes 3 opened on the surface side. The circuit layer 1 to be electrically connected is provided with an opening 4 constituting a part of the via hole 3, and the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 disposed on the surface layer side of the circuit layer 1 to be electrically connected. Is formed to be 50 to 200 μm larger than the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 disposed on the inner layer side.

【0009】また本発明の請求項2に係る配線板の製造
方法は、請求項1構成に加えて、開口部4が形成された
回路層1をマスクとして絶縁樹脂層2にレーザ光を照射
することによりバイアホール3を形成することを特徴と
するものである。
According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the insulating resin layer 2 is irradiated with laser light using the circuit layer 1 in which the opening 4 is formed as a mask. In this case, a via hole 3 is formed.

【0010】また本発明の請求項3に係る配線板の製造
方法は、請求項2の構成に加えて、絶縁樹脂層2に照射
するレーザ光として炭酸ガスレーザを用いることを特徴
とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the second aspect, a carbon dioxide laser is used as a laser beam for irradiating the insulating resin layer 2. .

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1乃至5を示して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0012】内層基板5はガラス布基材エポキシ樹脂積
層板など樹脂積層板1の表面に回路層1を設けて形成さ
れるものであり、銅張り積層板のなどの両表面にアディ
ティブ法やサブトラクティブ法等により回路形成を行う
などして、絶縁樹脂層2の表層に回路層1を形成したも
のとして得ることができる。
The inner substrate 5 is formed by providing a circuit layer 1 on the surface of a resin laminate 1 such as a glass cloth base epoxy resin laminate, and is formed on both surfaces such as a copper-clad laminate by an additive method or a sub-transformer. The circuit layer 1 can be obtained by forming a circuit layer 1 on the surface layer of the insulating resin layer 2 by forming a circuit by an active method or the like.

【0013】この内層基板5に形成された回路層1のう
ちの一方の回路層1aの表面又は双方の回路層1a,1
a’の表面に、絶縁樹脂層2及び回路層1を逐次積層成
形し、更に表層側に開口するバイアホール3を形成し
て、配線板を形成する。
The surface of one circuit layer 1a of the circuit layers 1 formed on the inner substrate 5 or both circuit layers 1a, 1
An insulating resin layer 2 and a circuit layer 1 are successively laminated and formed on the surface of a ', and a via hole 3 opening to the surface layer side is formed to form a wiring board.

【0014】絶縁樹脂層2及び回路層1の形成方法とし
ては、金属箔の片面に絶縁樹脂を塗布して形成される樹
脂付き金属箔を積層すると共に、この樹脂付き金属箔の
金属箔に回路パターニングを施して金属箔を回路層1と
して形成する方法や、液状樹脂を塗布した後硬化させて
絶縁樹脂層2を形成し、この絶縁樹脂層2の表面に、セ
ミアディティブ法等により回路層1を形成する方法等を
採用することができる。
As a method of forming the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1, a metal foil with a resin formed by applying an insulating resin to one surface of a metal foil is laminated, and a circuit foil is formed on the metal foil of the metal foil with the resin. A method in which a metal foil is formed as a circuit layer 1 by patterning, or a liquid resin is applied and cured to form an insulating resin layer 2, and the circuit layer 1 is formed on the surface of the insulating resin layer 2 by a semi-additive method or the like. Can be adopted.

【0015】まず樹脂付き金属箔を用いて絶縁樹脂層2
及び回路層1を形成する方法を具体的に説明する。
First, an insulating resin layer 2 is formed using a metal foil with resin.
A method for forming the circuit layer 1 will be specifically described.

【0016】内層基板5に回路層1を形成した後、樹脂
付き金属箔を内層基板5の表面に積層成形する。樹脂付
き金属箔は、銅箔等の金属箔の片面にエポキシ樹脂など
の熱硬化性樹脂を塗布して半硬化状態にした樹脂層を設
けて形成されるものである。そしてこの樹脂付き金属箔
を樹脂層の側で、内層基板5に形成した回路層1のうち
の一方の回路層1aの表面又は双方の回路層1a,1
a’の表面に重ね、これを加熱加圧成形して樹脂層を溶
融・硬化させることによって、硬化した樹脂層を介して
内層基板5の表面に金属箔を積層することができるもの
であり、このとき硬化した樹脂付き金属箔の樹脂層は、
配線板の絶縁樹脂層2として形成される。このようにし
て樹脂付き金属箔を内層基板5の表面に成形した後、外
層の樹脂付き金属箔にパターンニング加工を行ない、こ
の金属箔を回路層1として形成する。パターンニング加
工は、金属箔の表面へのエッチングレジストの塗布、露
光、現像、エッチングの通常の手順で行なうことができ
る。このとき同時に、バイアホール3形成箇所において
金属箔に開口部4を形成するものである。このようにし
て内層基板5に絶縁樹脂層2及び回路層1を積層成形し
たら、必要に応じてこの新たに形成された回路層1の表
面に樹脂付き金属箔を樹脂層の側で重ね、同様にして絶
縁樹脂層2及び回路層1を積層成形する。このようにし
て絶縁樹脂層2及び回路層1の形成を逐次繰り返し行
い、回路層1を所望の段数成形する。但し最も表層側に
形成される回路層1dには、この段階では回路形成を行
わず、開口部4の形成のみを行う。
After forming the circuit layer 1 on the inner substrate 5, a metal foil with resin is laminated and formed on the surface of the inner substrate 5. The resin-attached metal foil is formed by applying a thermosetting resin such as an epoxy resin to one side of a metal foil such as a copper foil to provide a resin layer which is in a semi-cured state. Then, the resin-coated metal foil is placed on the resin layer side, on the surface of one of the circuit layers 1a of the circuit layers 1 formed on the inner layer substrate 5, or on both circuit layers 1a, 1a.
a ′ can be laminated on the surface of the inner substrate 5 via the cured resin layer by heating and press-molding the resin layer to melt and cure the resin layer. At this time, the resin layer of the cured metal foil with resin is
It is formed as the insulating resin layer 2 of the wiring board. After the metal foil with resin is formed on the surface of the inner layer substrate 5 in this manner, patterning is performed on the metal foil with resin of the outer layer, and this metal foil is formed as the circuit layer 1. The patterning process can be performed by a normal procedure of applying, exposing, developing, and etching an etching resist on the surface of the metal foil. At the same time, the opening 4 is formed in the metal foil at the place where the via hole 3 is formed. After the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are laminated and formed on the inner layer substrate 5 in this manner, if necessary, a metal foil with a resin is laminated on the surface of the newly formed circuit layer 1 on the resin layer side. Then, the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are laminated and formed. Thus, the formation of the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 is sequentially repeated, and the circuit layer 1 is formed in a desired number of steps. However, in the circuit layer 1d formed closest to the surface, no circuit is formed at this stage, and only the opening 4 is formed.

【0017】次に内層基板5の表面に、液状樹脂の硬化
物からなる絶縁樹脂層2と、セミアディティブ法等によ
り形成される回路層1を逐次積層成形する方法を具体的
に説明する。
Next, a method of sequentially laminating and forming an insulating resin layer 2 made of a cured liquid resin and a circuit layer 1 formed by a semi-additive method or the like on the surface of the inner substrate 5 will be specifically described.

【0018】内層基板5に形成した回路層1のうちの一
方の回路層1aの表面又は双方の回路層1a,1a’の
表面に液状樹脂をカーテンコータ、ロールコータ、スク
リーン印刷等により塗布する。この液状樹脂としては、
例えばブロム化ビスフェノールA型エポキシ樹脂モノマ
ー55〜70重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂
モノマー20〜35重量部、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂オリゴマー20〜35重量部、シアン系硬化剤1
〜2重量部、アミン系硬化剤5〜10重量部を配合し、
固形分35〜60重量%、好ましくは固形分52重量%
になるように、メチルエチルケトン、ジメチルホルムア
ミド等の溶剤を配合して調製したものを用いることがで
きる。そしてこのようにして得られる液状樹脂を、カー
テンコータを用いる場合は、粘度が60〜300cp
s、好ましくは110cpsとなるようにメチルエチル
ケトンで調製しながら、内層基板5の回路層1に塗布す
る。塗布後、80〜130℃で15〜45分間、好まし
くは120℃で30分間加熱して乾燥させた後、140
〜160℃で40〜80分間、好ましくは150℃で5
0分間加熱することにより硬化させて、絶縁樹脂層2を
形成する。
A liquid resin is applied to the surface of one of the circuit layers 1a of the circuit layers 1 formed on the inner substrate 5 or the surfaces of both circuit layers 1a and 1a 'by a curtain coater, a roll coater, screen printing, or the like. As this liquid resin,
For example, 55 to 70 parts by weight of a brominated bisphenol A type epoxy resin monomer, 20 to 35 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin monomer, 20 to 35 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin oligomer, and a cyan curing agent 1
22 parts by weight, 5-10 parts by weight of an amine curing agent,
35-60 wt% solids, preferably 52 wt% solids
A mixture prepared by blending a solvent such as methyl ethyl ketone and dimethylformamide can be used. When using a curtain coater, the liquid resin thus obtained has a viscosity of 60 to 300 cp.
s, preferably 110 cps, while applying it to the circuit layer 1 of the inner substrate 5 while adjusting with methyl ethyl ketone. After coating, the coating is dried by heating at 80 to 130 ° C. for 15 to 45 minutes, preferably at 120 ° C. for 30 minutes.
~ 160 ° C for 40-80 minutes, preferably 150 ° C for 5 minutes
The resin is cured by heating for 0 minutes to form the insulating resin layer 2.

【0019】この絶縁樹脂層2の表面を、研磨機を用い
て整面した後、無電解めっき前処理、無電解めっき処
理、めっきレジスト形成、電解めっき処理、めっきレジ
スト剥離、ソフトエッチング処理を順に行うセミアディ
ティブ工法による工程を経て回路層1の形成を行う。こ
のとき同時に、バイアホール3形成箇所において回路層
1に開口部4を形成するものである。このようにして内
層基板5に絶縁樹脂層2及び回路層1を積層成形した
ら、必要に応じてこの新たに形成された回路層1の表面
に液状樹脂の塗布、硬化による絶縁樹脂層2の形成及び
回路層1の形成を行う。このようにして絶縁樹脂層2及
び回路層1の形成を逐次繰り返し行い、回路層1を所望
の段数成形する。但し最も表層側に形成される回路層1
dには、この段階では回路形成を行わず、開口部4のみ
を形成する。
After the surface of the insulating resin layer 2 is leveled using a polishing machine, electroless plating pretreatment, electroless plating, plating resist formation, electrolytic plating, plating resist peeling, and soft etching are sequentially performed. The circuit layer 1 is formed through a process using a semi-additive method. At the same time, an opening 4 is formed in the circuit layer 1 at the location where the via hole 3 is formed. After the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are laminated and formed on the inner layer substrate 5 in this manner, the surface of the newly formed circuit layer 1 is coated with a liquid resin and cured to form the insulating resin layer 2 if necessary. Then, the circuit layer 1 is formed. Thus, the formation of the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 is sequentially repeated, and the circuit layer 1 is formed in a desired number of steps. However, the circuit layer 1 formed on the most surface side
At d, only the opening 4 is formed without forming a circuit at this stage.

【0020】前記に例示した2方法等により形成される
開口部4は、バイアホール3で導通されるべき回路層1
のうち、最も内層側に配置されるものを除いたすべての
回路層1に設けるものである。本発明においては、この
互いにバイアホールで導通されるべき回路層1に形成さ
れた開口部4は、表層側に配置されるものほどその口径
が大きくなるように形成するものであり、すなわちバイ
アール3の開口側に形成されるものほど口径が大きくな
るように形成するものである。ここで開口部4の形状
は、円形に限られるものではなく、矩形状等の種々の形
状を適用することができるものであり、また本明細書中
において開口部4の口径は、開口部4が円形の場合はそ
の直径を指し、開口部4が円形以外の形状の場合は、そ
の開口部4に外接する円の直径を指すものとする。また
各回路層1に形成する開口部4は、その中心がバイアホ
ール3の穿設方向に沿って略一直線状に並ぶように位置
合わせして形成することが好ましい。また絶縁樹脂層2
の厚みは特に制限されないが、レーザ加工によるバイア
ホール3形成を効率良く行うためには、20〜100μ
mの範囲とすることが好ましい。尚、開口部4は互いに
導通されるべき回路層1の間に配置された導通を確保し
ない回路層1にも形成されるものであるが、この点に関
しては後に詳述する。
The opening 4 formed by the two methods exemplified above is used for the circuit layer 1 to be electrically connected to the via hole 3.
Of these, the circuit layer 1 is provided on all circuit layers 1 except for the one disposed on the innermost layer side. In the present invention, the openings 4 formed in the circuit layer 1 to be electrically connected to each other through the via holes are formed such that the closer to the surface layer, the larger the diameter of the openings. Is formed so that the diameter formed on the opening side becomes larger. Here, the shape of the opening 4 is not limited to a circular shape, and various shapes such as a rectangular shape can be applied. In this specification, the diameter of the opening 4 is When the opening 4 has a shape other than a circle, it indicates the diameter of the circle circumscribing the opening 4. Further, it is preferable that the openings 4 formed in each circuit layer 1 are formed so as to be aligned so that the centers thereof are substantially linearly arranged along the direction in which the via holes 3 are formed. Insulating resin layer 2
Is not particularly limited, but in order to efficiently form via holes 3 by laser processing, 20 to 100 μm is required.
m. The opening 4 is also formed in the circuit layer 1 that does not ensure conduction, which is disposed between the circuit layers 1 to be connected to each other. This point will be described in detail later.

【0021】このようにして図1(a)に示すように内
層基板5に絶縁樹脂層2及び回路層1を逐次形成した
後、最も表層側に形成された回路層1の開口部4から露
出する絶縁樹脂層2に向けてレーザ光を照射し、絶縁樹
脂層2の、レーザ光が照射された部分を分解除去して、
図1(b)に示すようにバイアホール3を穿設する。こ
のときレーザ光は、表層側に配置された回路層1がコン
フォーマルマスクとなってこの回路層1が形成された開
口部4を通過し、この回路層1よりも内層側に形成され
た絶縁樹脂層2を除去する。その後レーザ光は、この回
路層1よりも内層側に配置された、この回路層1と導通
されるべき回路層1に達し、レーザ光はこの内層側に配
置された回路層1がコンフォーマルマスクとなってこの
回路層1が形成された開口部4を通過し、この回路層1
よりも更に内層側に形成された絶縁樹脂層2を除去す
る。このように、バイアホール3にて導通されるべき回
路層1が順次コンフォーマルマスクとなって、内面が階
段状に多段に形成され、底面に、導通されるべき回路層
1のうちの最も内層側の回路層1、すなわち図1の場合
は内層基板5の回路層1aが露出するバイアホール3が
形成される。ここでレーザ光としては、炭酸ガスレーザ
を用いることが好ましく、この場合、レーザ光は回路層
1、特に銅にて形成される回路層1にて反射されやすい
と共に、絶縁樹脂層2に吸収されやすくなり、回路層1
をコンフォーマルマスクとするバイアホール3の形成を
確実に行うことができる。このバイアホール3に必要に
応じてデスミアー処理を施した後、バイアホール3の内
面に無電解めっき及び電解めっきを施すパネルめっきを
施すことによって、バイアホール3の内面に所望の導通
すべき回路層1と導通するめっき層が形成される。そし
て最も表層側の回路層1に回路形成を行うことにより、
配線板が作製される。
After the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are successively formed on the inner layer substrate 5 as shown in FIG. 1A in this manner, the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are exposed from the opening 4 of the circuit layer 1 formed on the outermost side. Is irradiated with the laser beam toward the insulating resin layer 2 to be decomposed, and the portion of the insulating resin layer 2 irradiated with the laser beam is decomposed and removed.
A via hole 3 is formed as shown in FIG. At this time, the laser light passes through the opening 4 in which the circuit layer 1 is formed with the circuit layer 1 disposed on the surface layer serving as a conformal mask, and the insulating layer formed on the inner layer side with respect to the circuit layer 1. The resin layer 2 is removed. Thereafter, the laser light reaches the circuit layer 1 which is disposed on the inner layer side of the circuit layer 1 and is to be electrically connected to the circuit layer 1, and the laser light is transmitted to the circuit layer 1 disposed on the inner layer side by the conformal mask. And passes through the opening 4 in which the circuit layer 1 is formed.
The insulating resin layer 2 formed on the inner layer side is further removed. As described above, the circuit layers 1 to be conducted through the via holes 3 are sequentially formed as a conformal mask, the inner surface is formed in multiple steps in a stepped manner, and the innermost layer of the circuit layers 1 to be conducted is formed on the bottom surface. In the case of FIG. 1, a via hole 3 exposing the circuit layer 1a of the inner substrate 5 is formed. Here, it is preferable to use a carbon dioxide gas laser as the laser light. In this case, the laser light is easily reflected by the circuit layer 1, particularly the circuit layer 1 formed of copper, and is easily absorbed by the insulating resin layer 2. And circuit layer 1
Can be reliably formed with the use of a conformal mask. After subjecting the via hole 3 to desmear treatment as necessary, the inner surface of the via hole 3 is subjected to panel plating for electroless plating and electrolytic plating, so that the inner surface of the via hole 3 has a desired circuit layer to be electrically connected. 1 is formed. By forming a circuit on the circuit layer 1 closest to the surface,
A wiring board is manufactured.

【0022】図1に示す例では、回路層1a,1a’が
形成された内層基板5の一方の回路層1aの表面に更に
3層の回路層1を形成し、内層基板5の一方の回路層1
a及びこれより表層側に形成されたすべての回路層1を
バイアホール3にて導通させるようにしたものであり、
内層基板5の一方の回路層1aよりも表層側に形成され
た回路層1すべてに開口部4を形成すると共に、各開口
部4の口径を、そのすぐ内層側の回路層1の開口部4の
口径よりも大きく形成したものである。このようにする
と、一つのバイアホール3にてすべての回路層1間の導
通を確保することができるが、各回路層1における開口
部4の形成の有無及び各開口部4の口径を制御すること
により、所望の回路層1間のみの導通を確保することが
できる。
In the example shown in FIG. 1, three circuit layers 1 are further formed on the surface of one circuit layer 1a of the inner substrate 5 on which the circuit layers 1a and 1a 'are formed, and one circuit of the inner substrate 5 is formed. Layer 1
a, and all the circuit layers 1 formed on the surface layer side thereof are electrically connected to each other through the via hole 3.
The openings 4 are formed in all of the circuit layers 1 formed on the surface layer side of the one circuit layer 1a of the inner layer substrate 5, and the diameter of each opening 4 is adjusted to the opening 4 of the circuit layer 1 immediately inside. It was formed larger than the caliber of. In this way, conduction between all the circuit layers 1 can be ensured by one via hole 3, but the presence or absence of the openings 4 in each circuit layer 1 and the diameter of each opening 4 are controlled. Thereby, conduction only between desired circuit layers 1 can be secured.

【0023】例えば図2に示す例は、回路層1a,1
a’が形成された内層基板5の一方の回路層1aの表面
に更に3層の回路層1を形成し、この回路層1のうちの
最も内層側の回路層1である内層基板5の回路層1aを
除いた、3層の回路層1b、1c、1d間の導通を確保
するものである。かかる例では、内層基板5に形成した
回路層1a及びこれより表層側に形成した回路層1b、
1c、1dのうち内層側から2層目までの回路層1a,
1bには開口部4を形成せず、それより表層側の2層の
回路層1c,1dのみに開口部4を形成すると共に、表
層側の回路層1dの開口部4の口径を、そのすぐ内層の
回路層1cの開口部4の口径よりも大きく形成したもの
である。
For example, in the example shown in FIG. 2, the circuit layers 1a, 1
Three circuit layers 1 are further formed on the surface of one circuit layer 1a of the inner substrate 5 on which the a ′ is formed, and the circuit of the inner substrate 5 which is the innermost circuit layer 1 of the circuit layers 1 is formed. This is to ensure conduction between the three circuit layers 1b, 1c and 1d excluding the layer 1a. In such an example, a circuit layer 1a formed on the inner layer substrate 5 and a circuit layer 1b formed on the surface layer side therefrom,
Circuit layers 1a, 1c, 1c, 1d,
The opening 4 is not formed in 1b, and the opening 4 is formed only in the two circuit layers 1c and 1d on the surface side thereof, and the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1d on the surface side is adjusted immediately. It is formed larger than the diameter of the opening 4 of the inner circuit layer 1c.

【0024】このようにある回路層1よりも内層側に配
置されたすべての回路層1との導通を確保しない場合
は、その回路層1に開口部4を形成しないようにするも
のである。
In the case where conduction with all the circuit layers 1 arranged on the inner layer side with respect to a certain circuit layer 1 is not ensured, the opening 4 is not formed in the circuit layer 1.

【0025】また図3に示す例は、回路層1a,1a’
が形成された内層基板5の一方の回路層1aの表面に更
に3層の回路層1を形成し、この回路層1のうちの内層
側から第1層目、第3層目、第4層目の回路層1a,1
c,1dのみを互いに導通させるようにしたものであ
る。かかる例では、内層側から第1層目の回路層1であ
る内層基板5に形成した回路層1aを除いた表層側のす
べての回路層1b,1c,1dに開口部4を形成すると
共に、導通を確保しない内層側から第2層目の回路層1
bの開口部4の口径を、そのすぐ表層側の回路層1であ
る第3層目の回路層1cの開口部4の口径よりも大きく
形成し、また互いに導通を確保すべき回路層1である第
3層目の回路層1cと第4層目の回路層1dでは、表層
側の第4層目の回路層1dに形成された開口部4の口径
を、そのすぐ内層の第3層目の回路層1cの開口部4の
口径よりも大きく形成したものである。このようにする
と、バイアホール3の口径は、第3層目の回路層1cよ
りも内層側では、レーザ光の照射時に第3層目の回路層
1cがコンフォーマルマスクとなって第3層目の回路層
1cの開口部4の口径と同一となり、第2層目の回路層
1bの開口部4の口径よりも小さくなる。その結果、バ
イアホール3の内面において第2層目の回路層1bが露
出しなくなり、バイアホール3における第2層目の回路
層1bと他の回路層1a,1c,1dとの導通が確保さ
れないようにすることができる。
FIG. 3 shows an example of the circuit layers 1a and 1a '.
Are further formed on the surface of one circuit layer 1a of the inner layer substrate 5 on which the first layer, the third layer, and the fourth layer are formed from the inner side of the circuit layer 1. Eye circuit layers 1a, 1
Only c and 1d are made conductive to each other. In such an example, the openings 4 are formed in all the circuit layers 1b, 1c, 1d on the surface layer except for the circuit layer 1a formed on the inner layer substrate 5, which is the first circuit layer 1, from the inner layer side, Second circuit layer 1 from the inner layer side that does not secure conduction
The diameter of the opening 4b is formed larger than the diameter of the opening 4 of the third circuit layer 1c, which is the circuit layer 1 immediately on the surface side, and the circuit layers 1 to be electrically connected to each other. In a certain third circuit layer 1c and a fourth circuit layer 1d, the diameter of the opening 4 formed in the fourth circuit layer 1d on the surface side is determined by changing the diameter of the opening 4 immediately inside the third circuit layer 1d. Of the opening 4 of the circuit layer 1c. In this case, the diameter of the via hole 3 is set such that the third circuit layer 1c functions as a conformal mask on the inner layer side with respect to the third circuit layer 1c at the time of laser light irradiation. Of the opening 4 of the circuit layer 1c of the second layer, and smaller than the diameter of the opening 4 of the second circuit layer 1b. As a result, the second circuit layer 1b on the inner surface of the via hole 3 is not exposed, and conduction between the second circuit layer 1b and the other circuit layers 1a, 1c, 1d in the via hole 3 is not ensured. You can do so.

【0026】また図4に示す例では、4層の回路層1を
形成し、この回路層1のうちの内層側から第1層目、第
2層目、第4層目の回路層1a,1b,1dのみを互い
に導通させるようにしたものである。かかる例では、内
層側から第1層目の回路層1である内層基板5に形成し
た回路層1aを除いた表層側のすべての回路層1b,1
c,1dに開口部4を形成すると共に、導通を確保しな
い内層側から第3層目の回路層1cの開口部4の口径
を、そのすぐ表層の回路層1である第4層目の回路層1
dの開口部4の口径よりも大きく形成し、また互いに導
通を確保すべき回路層1である第2層目の回路層1bと
第4層目の回路層1dでは、表層側の第4層目の回路層
1dの開口部4の口径を、その内層の第2層目の回路層
1bの開口部4の口径よりも大きく形成したものであ
る。このようにすると、バイアホール3の口径は、第1
層目の回路層1aと第3層目の回路層1cの間において
は、レーザ光の照射時に第4層目の回路層1dがコンフ
ォーマルマスクとなって第4層目の回路層1dの開口部
4の口径と同一となり、第3層目の回路層1cの口径よ
りも小さくなる。その結果、バイアホール3の内面にお
いて第3層目の回路層1cが露出しなくなり、バイアホ
ール3における第3層目の回路層1cと他の回路層1
a,1b,1dとの導通が確保されないようすることが
できる。
In the example shown in FIG. 4, four circuit layers 1 are formed, and the first, second, and fourth circuit layers 1a, 1a, Only 1b and 1d are electrically connected to each other. In this example, all the circuit layers 1b, 1 on the surface layer excluding the circuit layer 1a formed on the inner layer substrate 5, which is the first circuit layer 1, from the inner layer side.
The openings 4 are formed in the circuit layers c and 1d, and the diameter of the opening 4 of the third circuit layer 1c from the inner layer side where conduction is not secured is determined by the circuit of the fourth layer, which is the circuit layer 1 immediately above the circuit layer 1c. Tier 1
In the second circuit layer 1b and the fourth circuit layer 1d, which are formed to be larger than the diameter of the opening portion 4d and are to be electrically connected to each other, the fourth layer on the surface side The diameter of the opening 4 of the first circuit layer 1d is larger than the diameter of the opening 4 of the inner second circuit layer 1b. In this case, the diameter of the via hole 3 becomes the first diameter.
Between the first circuit layer 1a and the third circuit layer 1c, the opening of the fourth circuit layer 1d becomes a conformal mask when the laser light is irradiated. The diameter becomes the same as the diameter of the portion 4 and becomes smaller than the diameter of the third circuit layer 1c. As a result, the third circuit layer 1c on the inner surface of the via hole 3 is not exposed, and the third circuit layer 1c and the other circuit layers 1 in the via hole 3 are not exposed.
a, 1b, 1d can be prevented from being secured.

【0027】この図3、4に示す場合のように、導通を
確保すべき回路層1の間に、導通を確保しない回路層1
が配置されている場合は、導通を確保しない回路層1の
開口部4の口径を、そのすぐ表層側に配置されている、
導通を確保すべき回路層1の開口部4の口径よりも大き
く形成し、バイアホール3の内面から、この導通を確保
しない回路層1が露出しないようにするものである。
As shown in FIGS. 3 and 4, between the circuit layers 1 for which conduction is to be ensured, the circuit layer 1 for which conduction is not ensured.
Is arranged, the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 that does not secure conduction is arranged immediately on the surface layer side.
The diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 for which conduction is to be ensured is formed larger than the diameter of the opening 4 so that the circuit layer 1 which does not ensure conduction is not exposed from the inner surface of the via hole 3.

【0028】また上記図1乃至4に示した例では、内層
基材5に形成した回路層1a,1a’のうちの一方の回
路層1aのみに絶縁樹脂層2及び回路層1を順次積層成
形したものであるが、図5に示すような、内層基材5の
両面の回路層1a,1a’双方に絶縁樹脂層2及び回路
層1を順次積層成形する場合は、内層基材5の一方の面
の回路層1aの表面に積層成形された絶縁樹脂層2及び
回路層1b,1c,1dと、内層基材5の他方の面の回
路層1a’の表面に積層成形された絶縁樹脂層2及び回
路層1b’,1c’,1d’に、それぞれ図1乃至4に
例示するような開口部4の形成及びバイアホール3の形
成を行うものである。
In the example shown in FIGS. 1 to 4, the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are sequentially laminated only on one of the circuit layers 1a and 1a 'formed on the inner layer base material 5. As shown in FIG. 5, when the insulating resin layer 2 and the circuit layer 1 are sequentially laminated and formed on both the circuit layers 1a and 1a 'on both sides of the inner layer substrate 5, one of the inner layer substrates 5 is used. The insulating resin layer 2 and the circuit layers 1b, 1c, and 1d laminated on the surface of the circuit layer 1a on the surface of the inner layer substrate 5 and the insulating resin layer laminated on the surface of the circuit layer 1a 'on the other surface of the inner layer base material 5 2 and the circuit layers 1b ', 1c', and 1d 'are formed with openings 4 and via holes 3 as illustrated in FIGS.

【0029】上記のようにしてバイアホール3を形成す
ると、バイアホール3の内面の面積が大きくなり、また
バイアホール3は内面が階段状に形成されるためその内
面に形成されるめっき層のある段の面に応力がかかった
場合、めっき層の剥離が他の段の面における摩擦力によ
り抑制されるものであり、バイアホール3内面とめっき
層との密着性が向上して、回路層1間の導通信頼性が向
上する。また互いに導通されるべき各回路層1の開口部
4は、バイアホール3の開口側ほどその口径を大きく形
成しているため、各回路層1の開口部4形成位置の位置
あわせが容易であり、開口部4の位置ずれによる回路層
1間の導通不良を防止することができる。また形成され
たバイアホール3の内面には、表層側の回路層1の開口
部4の内層側において、内層側の回路層1の開口部4の
外縁全周が露出することとなり、バイアホール3の内面
において、互いに導通されるべき各回路層1の露出面積
が大きくなる。従ってこのバイアホール3の内面に形成
されるめっき層による各回路層1間の導通信頼性を向上
することができる。またこのような複数の回路層1を導
通させるバイアホール3を作製するにもかかわらず、そ
の内面形状が複雑化することを防ぎ、バイアホール3内
面にめっき層を形成する場合にめっき液がバイアホール
3の内面全面に行き渡りやすくなるものであり、この点
においてもバイアホール3による各回路層1間の導通信
頼性を向上することができるものである。
When the via hole 3 is formed as described above, the area of the inner surface of the via hole 3 increases, and since the inner surface of the via hole 3 is formed stepwise, there is a plating layer formed on the inner surface. When a stress is applied to the step surface, the peeling of the plating layer is suppressed by the frictional force at the other step surface, and the adhesion between the inner surface of the via hole 3 and the plating layer is improved, and the circuit layer 1 is removed. The reliability of conduction between them is improved. The openings 4 of the circuit layers 1 to be electrically connected to each other are formed to have a larger diameter toward the opening of the via hole 3, so that the positions of the openings 4 of the circuit layers 1 can be easily adjusted. In addition, poor conduction between the circuit layers 1 due to displacement of the opening 4 can be prevented. On the inner surface of the formed via hole 3, the entire outer periphery of the opening 4 of the circuit layer 1 on the inner layer side is exposed on the inner layer side of the opening 4 of the circuit layer 1 on the surface layer side. The exposed area of each circuit layer 1 to be electrically connected to each other increases. Therefore, the reliability of conduction between the circuit layers 1 by the plating layer formed on the inner surface of the via hole 3 can be improved. In addition, despite the formation of the via hole 3 for conducting the plurality of circuit layers 1, the inner shape of the via hole 3 is prevented from being complicated, and when the plating layer is formed on the inner surface of the via hole 3, the plating solution is not used. This makes it easier to spread over the entire inner surface of the hole 3, and in this regard, the reliability of conduction between the circuit layers 1 by the via hole 3 can be improved.

【0030】ここでバイアホール3にて互いに導通され
るべき回路層1のうち、表層側に配置される回路層1の
開口部4の口径は、そのすぐ内層側に配置される回路層
1の開口部4の口径よりも、50〜200μm大きく形
成するものである。すなわち回路層1を積層成形する際
の回路層1の開口部4形成位置の成形精度は、±25μ
m以内であり、表層側に配置される回路層1の開口部4
の口径を、そのすぐ内層側に配置される回路層1の開口
部4の口径よりも50μm以上大きく形成すると、内層
側の回路層1の開口部4の外縁全周を確実にバイアホー
ル3の内面に露出させることができるものである。一
方、この開口部4の口径の差が200μmを超えると、
開口部4の口径が大きくなりすぎ、回路層1における配
線密度が低下するものである。またレーザ光の口径は、
一般的には350μmであるが、回路層1をコンフォー
マルマスクとしてバイアホール3を形成するためには、
開口部4の口径を350μmよりも大きくすると、一回
のレーザ光照射によりバイアホール3を形成することが
できず、また開口部4の口径が350μmよりも小さい
場合であってもその口径の差が僅少な場合は形成される
バイアホール3の内周がテーパ状になるなどして、均一
な形状のバイアホール3を得ることが困難であるため、
レーザ光を一回照射することにより均一な形状のバイア
ホール3を形成するためには、最も表層側に形成される
開口部4の口径を300μm以下にすることが好まし
く、この場合、この最も表層側に形成される開口部4の
口径に従って他の開口部4の口径が適宜設計される。ま
た一方、バイアホール3の内部形状が狭すぎる場合は、
バイアホール3の内面にめっき層を形成する場合にめっ
き液が内部まで行き渡らず、導通不良が発生するおそれ
があるため、互いに導通を確保すべき回路層1に形成さ
れる開口部4のうち最も内層側に形成される開口部4の
口径は、50μm以上とすることが好ましく、この場
合、バイアホール3の内周面の口径はいずれの深さにお
いても50μm以上となって、めっき層形成の際にバイ
アホール3の内面すべてにめっき液を容易に行き渡らせ
ることができ、バイアホール3による回路層1間の導通
を確実に確保することができるものである。
Here, the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 arranged on the surface layer of the circuit layers 1 to be electrically connected to each other in the via hole 3 is determined by the diameter of the circuit layer 1 arranged immediately on the inner layer side. The opening 4 is formed to be 50 to 200 μm larger than the diameter of the opening 4. That is, when the circuit layer 1 is laminated and formed, the forming accuracy of the opening 4 of the circuit layer 1 is ± 25 μm.
m and the opening 4 of the circuit layer 1 disposed on the surface layer side.
Is formed to be 50 μm or more larger than the diameter of the opening 4 of the circuit layer 1 disposed immediately on the inner layer side, the entire circumference of the outer edge of the opening 4 of the circuit layer 1 on the inner layer side is surely formed. It can be exposed on the inner surface. On the other hand, when the difference between the diameters of the openings 4 exceeds 200 μm,
The diameter of the opening 4 becomes too large, and the wiring density in the circuit layer 1 decreases. The diameter of the laser beam is
Generally, it is 350 μm, but in order to form the via hole 3 using the circuit layer 1 as a conformal mask,
If the diameter of the opening 4 is larger than 350 μm, the via hole 3 cannot be formed by a single irradiation of the laser beam, and even if the diameter of the opening 4 is smaller than 350 μm, the difference between the diameters will not increase. Is small, it is difficult to obtain a via hole 3 having a uniform shape because the inner periphery of the via hole 3 to be formed is tapered.
In order to form the via hole 3 having a uniform shape by irradiating the laser light once, it is preferable that the diameter of the opening 4 formed on the most surface layer side be 300 μm or less. The diameter of the other opening 4 is appropriately designed according to the diameter of the opening 4 formed on the side. On the other hand, when the internal shape of the via hole 3 is too narrow,
When the plating layer is formed on the inner surface of the via hole 3, the plating solution does not reach the inside and there is a possibility that a conduction failure may occur. The diameter of the opening 4 formed on the inner layer side is preferably 50 μm or more. In this case, the diameter of the inner peripheral surface of the via hole 3 becomes 50 μm or more at any depth, and At this time, the plating solution can be easily spread over the entire inner surface of the via hole 3, and the conduction between the circuit layers 1 by the via hole 3 can be reliably ensured.

【0031】[0031]

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。The present invention will be described below in detail with reference to examples.

【0032】(実施例1)内層基板5として、FR−4
相当のガラス布基材銅張エポキシ樹脂積層板(松下電工
株式会社製「R1766」)を用い、この内層基板5の
金属層2の表面へのエッチングレジストの塗布、露光、
現像、エッチングを行なって、内層基板53の表面の金
属層2をパターンニング加工することによって、内層基
板5の表面に回路層1を形成した。
(Example 1) As the inner substrate 5, FR-4
Using an equivalent glass cloth substrate copper-clad epoxy resin laminate (“R1766” manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd.), applying an etching resist to the surface of the metal layer 2 of the inner substrate 5, exposing,
The circuit layer 1 was formed on the surface of the inner substrate 5 by developing and etching to pattern the metal layer 2 on the surface of the inner substrate 53.

【0033】次に、樹脂付き金属板として銅箔にエポキ
シ樹脂を塗布して作製した松下電工株式会社製「R08
80」を用い、この樹脂付き金属箔を樹脂層の側で内層
基板5の回路層1に重ね、これを180℃、40kg/
cm2、90分の条件で加熱加圧成形することによっ
て、樹脂付き金属箔を内層基板5に積層した。この樹脂
付き金属箔の金属箔にパターニング加工を行うと共に直
径50μmの円形状の開口部4を形成して金属箔を回路
層1として成形した。更にこの新たに成形された回路層
1の表面に樹脂付き金属箔を樹脂層の側で重ね、前回と
同一の条件で加熱加圧することよって樹脂付き金属箔を
更に積層成形した。この樹脂付き金属箔の金属箔に、そ
の内層側に形成した開口部4と位置合わせして直径10
0μmの円形状の開口部4を形成して金属箔を回路層1
として成形した。
Next, "R08" manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd., prepared by applying an epoxy resin to a copper foil as a metal plate with a resin.
80 ", the resin-coated metal foil was laminated on the circuit layer 1 of the inner substrate 5 on the side of the resin layer,
The metal foil with resin was laminated on the inner layer substrate 5 by heating and pressing under the conditions of cm 2 and 90 minutes. A patterning process was performed on the metal foil of the resin-coated metal foil, and a circular opening 4 having a diameter of 50 μm was formed to form the metal foil as the circuit layer 1. Further, a metal foil with resin was laminated on the surface of the newly formed circuit layer 1 on the side of the resin layer, and heated and pressed under the same conditions as the previous time to further laminate and mold the metal foil with resin. The metal foil of the resin-coated metal foil is aligned with the opening 4 formed in the inner layer side to have a diameter of 10 mm.
A metal opening is formed in the circuit layer 1 by forming a 0 μm circular opening 4.
Molded as

【0034】この表層側の回路層1の開口部4に炭酸ガ
スレーザ光を照射し、バイアホール3を形成した。この
バイアホール3の内周をデスミアー処理した後、無電解
めっきと電解めっきからなるパネルめっきを施して、バ
イアホール3内面に厚み20μmのめっき層を形成し
た。
The opening 4 of the circuit layer 1 on the surface layer was irradiated with carbon dioxide laser light to form a via hole 3. After the inner periphery of the via hole 3 was desmeared, panel plating consisting of electroless plating and electrolytic plating was performed to form a plating layer having a thickness of 20 μm on the inner surface of the via hole 3.

【0035】この後、表層の回路層1の表面へのエッチ
ングレジストの塗布、露光、現像、エッチングを行なっ
てパターンニング加工し、4層の配線板を得た。
Thereafter, application, exposure, development, and etching of an etching resist on the surface of the surface circuit layer 1 were performed to perform patterning processing to obtain a four-layer wiring board.

【0036】(実施例2)表層側の回路層1に形成する
開口部4の直径を175μmとした以外は、実施例1と
同様にして4層の配線板を得た。
Example 2 A four-layer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1, except that the diameter of the opening 4 formed in the circuit layer 1 on the surface layer side was 175 μm.

【0037】(実施例3)表層側の回路層1に形成する
開口部4の直径を250μmとした以外は、実施例1と
同様にして4層の配線板を得た。
Example 3 A four-layer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the diameter of the opening 4 formed in the circuit layer 1 on the surface layer side was changed to 250 μm.

【0038】(実施例4)内層側の回路層1に形成する
開口部4の直径を80μmとし、表層側の回路層1に形
成する開口部4の直径を180μmとした以外は、実施
例1と同様にして4層の配線板を得た。
Example 4 Example 1 was the same as Example 1 except that the diameter of the opening 4 formed in the inner circuit layer 1 was 80 μm, and the diameter of the opening 4 formed in the surface layer 1 was 180 μm. In the same manner as in the above, a four-layer wiring board was obtained.

【0039】(比較例1)表層側の回路層1に形成する
開口部4の直径を50μmとした以外は、実施例1と同
様にして4層の配線板を得た。
Comparative Example 1 A four-layer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1, except that the diameter of the opening 4 formed in the circuit layer 1 on the surface layer side was changed to 50 μm.

【0040】(比較例2)表層側の回路層1に形成する
開口部4の直径を80μmとした以外は、実施例1と同
様にして4層の配線板を得た。
Comparative Example 2 A four-layer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the diameter of the opening 4 formed in the circuit layer 1 on the surface layer side was changed to 80 μm.

【0041】(バイアホール形状評価)実施例1〜4及
び比較例1、2で得られた各配線板につき、バイアホー
ル3形成後、パネルめっき形成前に、バイアホール3内
周を開口上方から観察し、内層基板5の回路層1に形成
した開口部4が全周にわたって露出しているか否かを確
認し、全周にわたって露出しているものを「○」、露出
していない部分があるものを「×」として評価した。
(Evaluation of Via Hole Shape) With respect to each of the wiring boards obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, after forming the via hole 3 and before forming the panel plating, the inner periphery of the via hole 3 was viewed from above the opening. Observation is made to confirm whether or not the opening 4 formed in the circuit layer 1 of the inner layer substrate 5 is exposed over the entire circumference. Those were evaluated as "x".

【0042】(導通信頼性評価)実施例1〜4及び比較
例1、2で得られた各配線板につき、気相中において−
55℃の温度から30分間かけて125℃に加熱し、更
に30分間かけて−55℃の温度に冷却する操作を1サ
イクルとするヒートサイクル試験を300サイクル行
い、試験後の各配線板の回路層1間の導通の有無を検査
し、導通が維持されているものを「○」、導通が維持さ
れていないものを「×」として評価した。ここで回路層
1に形成する回路パターンはデージーチェーンパターン
とした。
(Evaluation of conduction reliability) Each wiring board obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 was subjected to
A heat cycle test was performed for 300 cycles in which heating was performed from a temperature of 55 ° C. to 125 ° C. over 30 minutes, and further cooling to a temperature of −55 ° C. over 30 minutes was performed for 300 cycles. The presence or absence of conduction between the layers 1 was inspected, and the case where conduction was maintained was evaluated as “○”, and the case where conduction was not maintained was evaluated as “×”. Here, the circuit pattern formed on the circuit layer 1 was a daisy chain pattern.

【0043】以上の結果を表1に示す。Table 1 shows the above results.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】[0045]

【発明の効果】上記のように本発明の請求項1に係る配
線板の製造方法は、絶縁樹脂層の表面に回路層を設けて
形成される内層基板の回路層に、絶縁樹脂層及び回路層
を積層成形すると共に、表層側に開口するバイアホール
により回路層間を導通して複数の回路層を有する配線板
を製造する配線板の製造方法であって、バイアホールに
て導通される回路層にバイアホールの一部を構成する開
口部を設けると共に、この導通されるべき回路層のう
ち、表層側に配置された回路層の開口部の口径を、内層
側に配置された回路層の開口部の口径よりも50〜20
0μm大きく形成するものであり、バイアホールの内面
の面積が大きくなり、またバイアホールは内面が階段状
に形成されるためバイアホール内面とめっき層との密着
性を向上し、また回路層の開口部形成位置の位置あわせ
が容易であり、開口部の位置ずれを防止することがで
き、また形成されたバイアホールの内面には、表層側の
回路層の開口部の内層側において、内層側の回路層の開
口部の外縁全周が露出することとなり、バイアホールの
内面において、互いに導通されるべき各回路層の露出面
積が大きくなるものであり、またバイアホールの内面形
状が複雑化することを防ぎ、バイアホール内面にめっき
層を形成する場合にめっき液がバイアホールの内面全面
に行き渡りやすくなるものであり、従ってバイアホール
の内面に形成されるめっき層による各回路層間の導通信
頼性を向上することができるものである。
As described above, according to the method for manufacturing a wiring board according to the first aspect of the present invention, the insulating resin layer and the circuit are formed on the circuit layer of the inner substrate formed by providing the circuit layer on the surface of the insulating resin layer. A method of manufacturing a wiring board for manufacturing a wiring board having a plurality of circuit layers by laminating and forming layers and conducting between circuit layers by via holes opened to the surface layer side, wherein the circuit layers conducted by the via holes In the circuit layer to be conducted, the diameter of the opening of the circuit layer arranged on the surface layer is set to the opening of the circuit layer arranged on the inner layer side. 50-20 than the diameter of the part
The via hole is formed to be larger by 0 μm, the area of the inner surface of the via hole is increased, and since the inner surface of the via hole is formed in a stepped shape, the adhesion between the inner surface of the via hole and the plating layer is improved, and the opening of the circuit layer is increased It is easy to adjust the position of the part forming position, and it is possible to prevent the position of the opening from being shifted.In addition, the inner surface of the formed via hole has the inner layer side of the inner layer side of the opening of the circuit layer on the surface layer side. The entire outer periphery of the opening of the circuit layer is exposed, and the exposed area of each circuit layer to be electrically connected to each other is increased on the inner surface of the via hole, and the inner surface shape of the via hole is complicated. When the plating layer is formed on the inner surface of the via hole, the plating solution can easily spread over the entire inner surface of the via hole, and thus is formed on the inner surface of the via hole. In which it is possible to improve the continuity reliability of each circuit layers by Tsu Ki layer.

【0046】また本発明の請求項2に係る配線板の製造
方法は、請求項1の構成に加えて、開口部が形成された
回路層をマスクとして絶縁樹脂層にレーザ光を照射する
ことによりバイアホールを形成するものであり、すべて
の回路層の積層成形を行った後にレーザ光を照射して回
路層間の導通を確保するためのバイアホールを形成する
ことができ、バイアホール形成の工数を削減することが
できるものである。
According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the insulating resin layer is irradiated with laser light using the circuit layer having the opening as a mask. A via hole is formed, and after lamination molding of all circuit layers is performed, a via hole for securing conduction between circuit layers can be formed by irradiating a laser beam. It can be reduced.

【0047】また本発明の請求項3に係る発明は、請求
項2の構成に加えて、絶縁樹脂層に照射するレーザ光と
して炭酸ガスレーザを用いるものであり、この炭酸ガス
レーザは回路層にて反射されやすいと共に絶縁樹脂層に
吸収されやすいものであって、回路層をマスクとするバ
イアホールの形成を容易に行うことができるものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the second aspect, a carbon dioxide laser is used as a laser beam for irradiating the insulating resin layer, and the carbon dioxide laser is reflected by the circuit layer. The via hole is easily formed and easily absorbed by the insulating resin layer, and the via hole using the circuit layer as a mask can be easily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)(b)は本発明の実施の形態の一例を示
す断面図である。
FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing an example of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の他例を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view showing another example of the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態の更に他例を示す断面図で
ある。
FIG. 5 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the present invention.

【図6】従来技術を示す図であり、(a)は断面図、
(b)は開口部の配置状態を説明する概念図である。
6A and 6B are diagrams showing a conventional technique, in which FIG.
(B) is a conceptual diagram explaining an arrangement state of an opening.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回路層 2 絶縁樹脂層 3 バイアホール 4 開口部 5 内層基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit layer 2 Insulating resin layer 3 Via hole 4 Opening 5 Inner substrate

フロントページの続き (72)発明者 青津 政夫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 久保 正治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Fターム(参考) 5E346 AA35 AA43 CC04 CC09 CC32 DD22 DD25 DD44 EE13 EE33 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 GG28 HH22 HH31 Continuing on the front page (72) Inventor Masao Aozu 1048, Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works Co., Ltd. 5E346 AA35 AA43 CC04 CC09 CC32 DD22 DD25 DD44 EE13 EE33 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 GG28 HH22 HH31

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁樹脂層の表面に回路層を設けて形成
される内層基板の回路層に、絶縁樹脂層及び回路層を積
層成形すると共に、表層側に開口するバイアホールによ
り回路層間を導通して複数の回路層を有する配線板を製
造する配線板の製造方法であって、バイアホールにて導
通される回路層にバイアホールの一部を構成する開口部
を設けると共に、この導通されるべき回路層のうち、表
層側に配置された回路層の開口部の口径を、内層側に配
置された回路層の開口部の口径よりも50〜200μm
大きく形成して成ることを特徴とする配線板の製造方
法。
An insulating resin layer and a circuit layer are laminated and formed on a circuit layer of an inner substrate formed by providing a circuit layer on the surface of an insulating resin layer, and the circuit layers are electrically connected by a via hole opened on the surface side. A method of manufacturing a wiring board having a plurality of circuit layers by providing an opening that constitutes a part of the via hole in the circuit layer that is conducted by the via hole and conducting the conduction. Of the circuit layers to be formed, the diameter of the opening of the circuit layer arranged on the surface layer side should be 50 to 200 μm larger than the diameter of the opening of the circuit layer arranged on the inner layer side.
A method for manufacturing a wiring board, characterized by being formed large.
【請求項2】 開口部が形成された回路層をマスクとし
て絶縁樹脂層にレーザ光を照射することによりバイアホ
ールを形成することを特徴とする請求項1に記載の配線
板の製造方法。
2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein a via hole is formed by irradiating the insulating resin layer with a laser beam using the circuit layer in which the opening is formed as a mask.
【請求項3】 絶縁樹脂層に照射するレーザ光として炭
酸ガスレーザを用いることを特徴とする請求項2に記載
の配線板の製造方法。
3. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein a carbon dioxide laser is used as a laser beam for irradiating the insulating resin layer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183952A (en) * 2003-12-18 2005-07-07 Endicott Interconnect Technologies Inc Manufacturing method of printed circuit board having conductive holes and board thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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