JP2000277906A - リフロー炉 - Google Patents

リフロー炉

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JP2000277906A
JP2000277906A JP11082679A JP8267999A JP2000277906A JP 2000277906 A JP2000277906 A JP 2000277906A JP 11082679 A JP11082679 A JP 11082679A JP 8267999 A JP8267999 A JP 8267999A JP 2000277906 A JP2000277906 A JP 2000277906A
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悟 田中
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 全ての投入電子回路基板の所定の箇所の温度
が的確に測定でき、正しい温度プロファイル下で半田付
けすることができるリフロー炉を得ること。 【解決手段】 本発明のリフロー炉1Aは、プリヒート
ゾーンHp、リフローゾーンHrのいずれかの、或いは
双方の炉壁7の上方に、炉内を搬送されてくる投入電子
回路基板Btの位置を検出できる電子回路基板検出器1
3と、投入電子回路基板Btの所定の位置の加熱温度を
非接触で測定できる非接触型温度計14とが配設されて
いる。非接触型温度計14は電子回路基板検出器13に
対して搬送方向にスライドできる機構で、その電子回路
基板検出器13と所定の間隔を開けて搬送方向の上流側
に配設されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板に印
刷されたソルダーペーストをリフローさせてチップ部品
のような電子部品と電子回路基板に形成されている電子
回路のランド部とを半田付けにより接続するリフロー炉
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的なリフロー炉は、電子回路基板に
チップ部品のような電子部品を半田付けするためにソル
ダーペーストを電子回路基板の必要箇所に予め塗布し、
そのソルダーペーストの上に電子部品を搭載したものを
加熱し、前記ソルダーペーストを溶融させ、その後、溶
融した半田を冷却して、電子部品を電子回路基板の所定
の位置に半田付けするためのものである。
【0003】図4に、前記のようなリフロー炉に投入す
る前の電子回路基板Bを示した。この電子回路基板B上
には電子回路パターンBpが形成されており、その表面
にソルダーペーストSが印刷などで塗布されている。そ
してそのソルダーペーストSの上に電子部品Pが搭載さ
れている。なお、このように電子回路基板B上にソルダ
ーペーストSを介して電子部品Pが搭載された状態のも
のを、以下、「投入電子回路基板Bt」と記す。このよ
うな電子回路基板Bを前記のようにしてリフロー炉内に
投入し、所定の温度プロファイルの下に温度管理されて
ソルダーペーストSが溶融され、そして冷却されて、そ
のリフロー炉から搬出された電子回路基板Bは、図5に
示したように、電子回路パターンBp上に電子部品Pが
好ましい形状の半田フィレットSfを形成して半田付け
された状態の電子回路基板が得られる。電子部品Pが半
田付けされた電子回路基板を「完成電子回路基板Bc」
と記す。
【0004】図6に前記のようなリフロー炉の一例を挙
げた。このリフロー炉1は、所定の長さで形成された基
台部2と、この上部に設けられた前記所定の長さで形成
された炉本体3とから構成されている。そして前記基台
部2内には制御装置、その他の付属装置(以下、単に
「制御装置」と略記する)4が取り付けられている。ま
た、前記炉本体3は電子回路基板Bを搬入するための入
口5と、搬出するための出口6とが設けられており、そ
の入口5部分と出口6部分とを除き炉壁7に囲われてい
る。そして炉本体3の内部下方には、投入電子回路基板
Btを搬送するためのコンベア8が炉壁7の入口5側か
ら出口6側にわたって配設されている。
【0005】炉本体3の内部空間は、コンベア8の移動
方向に沿ってプリヒートゾーンHpとリフローゾーンH
rとに大別されており、そしてリフローゾーンHrに続
いて冷却ゾーンHcが設けられている。前記プリヒート
ゾーンHpは常温で炉本体3へ搬入された投入電子回路
基板Btと、その電子回路上に塗布されたソルダーペー
ストを介して搭載された電子部品Pとを、前記ソルダー
ペースト中のフラックスの活性化温度付近まで加熱する
ためのゾーンである。コンベア8の上方に複数のヒータ
9を配設して雰囲気の気体を加熱するとともに、その上
方には下向きに気流を撹拌するためのファン(不図示)
が配設されている。前記複数のヒータ9は温度を可変で
きるように構成されていて、投入電子回路基板Btの種
類に応じて一定の温度を維持する。
【0006】また、前記リフローゾーンHrはプリヒー
トゾーンHpの下流に配設されており、電子回路基板B
を更に加熱し、半田を溶融させるためのゾーンで、コン
ベア8の上方に、必要に応じて下方にも複数のヒータ1
0が配設されている。このヒータ10の上方にも下向き
に気流を循環させるためのファン(不図示)が配設され
ている。そして冷却ゾーンHcは前記リフローゾーンH
rで加熱された投入電子回路基板Btを冷却するゾーン
である。このための冷却ファン11が炉壁7の出口6側
側壁に設けられている。
【0007】以上のような構成のリフロー炉1で投入電
子回路基板Btに搭載した電子部品Pを半田付けするた
めには、炉内の温度管理が十分に行われていなければな
らない。その温度管理は、半田付けしようとする投入電
子回路基板Btをリフロー炉1に投入する前に、温度プ
ロファイル測定用電子回路基板Bpを用いて行われてい
る。即ち、図6に示したように、温度プロファイル測定
用電子回路基板Bpに熱電対Tを取り付け、その温度プ
ロファイル測定用電子回路基板Bpをコンベア8に載置
してリフロー炉1内を移動させ、ヒータ9、10で加熱
し、冷却ファン11で冷却して、図7に示したような所
定の温度プロファイルになるようにコンベア8のスピー
ド、ヒータ9、10の温度、冷却を調整する。
【0008】しかし、実際にリフロー炉1に投入する全
ての投入電子回路基板Btに熱電対Tを取り付けること
が困難なために、リフロー炉1の各種設定条件出しの時
のみ温度プロファイル測定用電子回路基板Bpに熱電対
Tを取り付けて測定を代表させる方法を採っている。従
って、実際にリフロー炉1に投入する投入電子回路基板
Btが正しい温度プロファイル下で半田付けされている
かどうかは判らないという問題が生じている。なお、符
号12はレコーダであって、熱電対Tで測定した温度プ
ロファイルを記録するものである。
【0009】リフロー炉1に投入される全ての投入電子
回路基板Btの加熱された温度を測定して炉内の温度を
制御する方法は、特開平6−21643「リフロー炉」
の公開特許公報に公開されている。このリフロー炉は、
コンベアにより搬送された個々の電子回路基板に対応し
て赤外線温度計のような放射温度計(非接触型温度計)
でコンベアの速度に応じて所定の時間間隔で投入電子回
路基板上の複数箇所の温度を測定し、それらの測定温度
の平均で炉内のヒータを制御し、炉内の温度を適正化す
る方法を採っている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】電子部品Pを良好な状
態で半田付けするためには、投入電子回路基板Bt及び
その上に搭載されている電子部品Pの要部が的確に加熱
されていることが必要である。そのためには、図8に示
したように、投入電子回路基板Bt及び電子部品Pのど
のポイントを測定するかで、設定する炉内の温度及びそ
の温度を測定した後の処理が異なるため、温度の測定ポ
イントを正確に設定する必要がある。即ち、符号Lは電
子部品Paの部品表面部分、符号Mは電子部品Pの電極
部分、そして符号Nは投入電子回路基板Bt上のランド
部分を指す。リフロー炉内では、これらの部分の適正温
度はそれぞれ異なるものである。例えば、部品表面部分
Lや投入電子回路基板Btそのものの加熱温度が、通
常、245°C以下であることが必要であり、この温度
より高い温度で加熱されると、その電子部品Paや投入
電子回路基板Btが劣化してしまう。適正温度は電子部
品Pや投入電子回路基板Btの前記各部分の材質、熱容
量、厚さ、搬送速度などによって異なるものである。ま
た、他の異なる電子部品Pbにおいても、それぞれ同様
のことが言える。なお、矢印Xは投入電子回路基板Bt
の搬送方向を指す。
【0011】従って、前記特許公開公報特開平6−21
643「リフロー炉」に開示されている従来技術では、
全ての投入電子回路基板Btのそれぞれについて複数箇
所の表面温度を測定することができるが、個々の投入電
子回路基板Btが測定される前記複数箇所は一定しない
し、また、測定箇所を特定できない。従って、投入電子
回路基板Btごとに、図8に示したような、例えば、電
子部品Paの電極部分Mを必ず測定できるとは限らな
い。このため適正な温度で半田付けすることができない
という問題点がある。
【0012】本発明は、これらのような課題を解決しよ
うとするものであって、投入する全ての投入電子回路基
板の所定の箇所の温度が的確に測定でき、正しい温度プ
ロファイル下で半田付けすることができるリフロー炉を
得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】従って、前記請求項1に
記載の本発明のリフロー炉では、ソルダーペーストを介
して電子部品が装着されている電子回路基板がプリヒー
トゾーン、リフローゾーンからなる炉内を順次搬送され
て加熱され、前記ソルダーペーストが溶融して前記電子
部品が前記電子回路基板に半田付けされるリフロー炉に
おいて、前記プリヒートゾーン及びまたは前記リフロー
ゾーンに臨んで配設され、前記炉内を搬送されてきた前
記電子回路基板の位置を検出する電子回路基板検出器
と、その電子回路基板検出器で検出、生成された制御信
号により作動し、前記電子回路基板の搬送方向の上流側
に前記電子回路基板検出器と所定の間隔を開けて配設さ
れ、搬送されてくる前記電子回路基板の特定箇所の加熱
温度を非接触で測定する非接触型温度計とから構成し
て、前記課題を解決している。また、前記請求項2に記
載の本発明のリフロー炉では、請求項1に記載のリフロ
ー炉における前記非接触型温度計の位置が可変できる可
動装置により支持するように構成して、前記課題を解決
している。更にまた、前記電子回路基板検出器と前記非
接触型温度計との対が前記電子回路基板の搬送方向を横
断する方向に複数対配設して構成し、前記課題を解決し
ている。
【0014】従って、請求項1に記載の本発明のリフロ
ー炉によれば、炉内に投入された全ての投入電子回路基
板の所定の箇所の加熱温度を非接触で、しかも的確に、
そして常時測定することができる。また、請求項2に記
載の本発明のリフロー炉によれば、非接触型温度計の位
置を微細に可変できることから投入電子回路基板の大
小、その投入電子回路基板に搭載されている電子部品の
大小及び形状にも対応して、その所定の位置の加熱温度
を的確に測定することができる。更にまた、請求項3に
記載の本発明のリフロー炉によれば、投入電子回路基板
の全面に形成されている電子回路パターン及びまたは前
記電子部品の所定部分の加熱温度を的確に測定すること
ができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態のリフロ
ー炉の構成を図1乃至図3を用いて説明する。図1は本
発明の一実施形態のリフロー炉の構成を示す略線的な断
面側面図、図2は図1の矢印Aで示した部分の非接触型
温度計と電子回路基板検出器との取付け構造を示す一部
拡大断面図、そして図3は表面温度の測定箇所を示した
電子部品と電子回路基板との斜視図である。なお、本発
明の一実施形態のリフロー炉において、従来技術のリフ
ロー炉1の構成部分と同一の構成部分には同一の符号を
付し、それらの説明を省略する。
【0016】図1において、符号1Aは本発明のリフロ
ー炉を指す。このリフロー炉1Aには、リフローゾーン
Hrの上方の炉壁7に電子回路基板検出器13とこれと
対になる非接触型温度計14とが隣接するヒータ10間
の間に所定の間隔を開けて取り付けられている。電子回
路基板検出器13はリフローゾーンHrの出口6側に、
非接触型温度計14はこの電子回路基板検出器13より
上流側に配設されている。そしてリフロー炉1Aには、
これら一対の電子回路基板検出器13と非接触型温度計
14とが、リフローゾーンHrのコンベア8の移動方向
に対して横断する方向に必要な対の数だけ配設されてい
る。なお、前記非接触型温度計14の一例として赤外線
温度計を挙げることができる。図2に示したように、炉
壁7の上方には細孔131と長孔141とが開けられて
いる。細孔131の直径は1〜2mm程度の孔であり、
長孔141の長さは投入する投入電子回路基板Bt及び
それに搭載されている電子部品Pの種類や大きさなどで
決められる。
【0017】前記電子回路基板検出器13は細孔131
に臨むように、その細孔131の近傍にL字型取付けブ
ラケット132を用いて炉壁7に取り付けられている。
一方の非接触型温度計14は、炉壁7に開けた長孔14
1を炉壁7の外方から覆い、その外表面をスライドで
き、そしてその一部に細孔144が開けられた外装カバ
ー142に、前記非接触型温度計14が前記細孔144
に臨むよう、その細孔144の近傍にL字型取付けブラ
ケット143を用いて取り付けられている。前記細孔1
44の直径は1〜2mm程度のものである。また、前記
細孔131、長孔141、細孔144は貫通孔のままで
あってもよいが、赤外線透過ガラスで覆ってもよい。
【0018】次に、前記の構成のリフロー炉1Aの動作
を図3乃至図5及び図7をも参照しながら説明する。先
ず、リフロー炉1Aに投入される種類の投入電子回路基
板Btを図4に示したような状態のもので、その投入電
子回路基板Btの温度プロファイルは図7に示したよう
な特性のものとする。そして、この投入電子回路基板B
tの加熱温度を監視する測定ポイントは、例えば、電極
部分Mとする。投入電子回路基板Btの端縁からのこの
電極部分MまでのXY座標は決まっているので、Y軸方
向の一組の電子回路基板検出器13と非接触型温度計1
4とを選び、そして投入電子回路基板Btの端縁からの
この電極部分Mまでの距離Dに合致するように、前記外
装カバー142をX軸方向にスライドさせて微調整し、
電子回路基板検出器13と非接触型温度計14との間隔
を距離Dに合致させておく。一方、前記投入電子回路基
板Btの電極部分Mの加熱温度は予め判明しているの
で、リフロー炉1AのリフローゾーンHrの加熱温度を
電極部分Mが図7に示した温度Fになるように設定して
おく。
【0019】次に、前記のように非接触型温度計14が
予め設定され、そしてリフローゾーンHrの加熱温度を
電極部分Mが温度Fになるように予め設定されているリ
フロー炉1Aに、その入口5から前記投入電子回路基板
Btをコンベア8に載置する。その投入電子回路基板B
tは予め設定されている速度でリフロー炉1Aの出口6
へ向かって(矢印Xの方向に)搬送される。投入電子回
路基板Btは炉内を搬送されて行く間に、プリヒートゾ
ーンHpで複数のヒータ9により加熱され、ソルダーペ
ーストS中の溶剤を蒸発させたり、電子部品Pに対する
熱衝撃を和らげるプリヒートが行われる。
【0020】そして続くリフローゾーンHrに搬送され
てくると、電子回路基板検出器13が投入電子回路基板
BtのX軸方向の端縁を検出し、その検出された情報は
制御装置4に供給され、その情報に基づく制御信号が生
成され、その制御信号により非接触型温度計14が作動
し、リフローゾーンHrの複数のヒータ10により加熱
された投入電子回路基板Btの電極部分Mの温度Fを測
定する。測定温度が温度F及びその許容値内にあれば、
ソルダーペーストSが溶融し、電子回路基板Bの電子回
路パターンBpのランド部Nに半田付けされる。
【0021】前記測定ポイントの加熱温度が適正であれ
ば、投入電子回路基板Btは次の冷却ゾーンHcで冷却
ファン11により溶融した半田は冷却され、凝固され
る。このようにしてリフロー炉1Aの出口6から搬出さ
れた完成電子回路基板Bcは、図5に示したように、ソ
ルダーペーストSが半田フィレットSfとなって電子部
品Pの電極部分Mがランド部分Nに半田付けされた状態
になる。
【0022】もし、加熱温度が温度Fの許容範囲から外
れていると、その検出情報が制御装置4に供給され、そ
れに基づいて生成した制御信号により視覚警報及び又は
聴覚警報が発せられ、作業者に異常を表示し、リフロー
炉1Aの異常を知らせるとともに、その時に測定した投
入電子回路基板Btが良品に半田付けされていないこと
も伝達される。
【0023】図示の例では、一対の電子回路基板検出器
13と非接触型温度計14とをリフローゾーンHrの隣
接するヒータ10間に配設したが、投入電子回路基板B
tの種類やリフロー炉1Aの構造によっては、一方の、
例えば、非接触型温度計14を隣接するヒータ10間か
ら外し、1個のヒータ10を挟む位置に配設するように
構成してもよく、また、リフローゾーンHrにだけ配設
するのではなく、プリヒートゾーンHpに配設して、そ
のプリヒートゾーンHpの測定ポイントGの温度Gや測
定ポイントHの温度H(図7)を測定できるように構成
してもよい。このように構成すると、より精度の高い測
定ができるようになる。
【0024】本発明のリフロー炉1Aでは、投入電子回
路基板Btの種類に応じて、その温度測定ポイントを任
意に選定でき、リフロー炉1Aが作動中でも、その温度
測定ポイントの加熱温度を非接触で測定することができ
る。
【0025】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の実施形態のリフロー炉によれば、炉内に投入された全
ての投入電子回路基板の所定の箇所の表面温度を非接触
で直接、しかも正確に、そして常時測定することができ
る。また、非接触型温度計の位置を微細に可変できるこ
とから投入電子回路基板の大小、その投入電子回路基板
に搭載されている電子部品の大小及び形状にも対応し
て、その所定の位置の表面温度を的確に測定することが
できる。このため半田付けの品質を安定化でき、そして
リフロー温度の管理が容易に行うことができるなど、数
々の優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態のリフロー炉の構成を示
す略線的な断面図である。
【図2】 図1の矢印Aで示した部分の非接触型温度計
と電子回路基板検出器との取付け構造を示す一部拡大断
面図である。
【図3】 表面温度の測定箇所と非接触型温度計及び電
子回路基板検出器との位置関係を示した電子部品と電子
回路基板との斜視図である。
【図4】 半田付けしようとする電子部品とそれが搭載
された電子回路基板の断面側面図である。
【図5】 半田付けされた状態の図4に示した電子部品
と電子回路基板との断面側面図である。
【図6】 従来技術のリフロー炉の構成を示す略線的な
断面側面図である。
【図7】 半田付けしようとする電子部品が搭載された
電子回路基板の一例の温度プロファイルである。
【図8】 表面温度の測定箇所を示した電子部品と電子
回路基板との斜視図である。
【符号の説明】
1A…本発明の一実施形態のリフロー炉、2…基台部、
3…炉本体、4…制御装置、5…リフロー炉1Aの入
口、6…リフロー炉1Aの出口、7…炉壁、8…コンベ
ア、9,10…ヒータ、11…冷却ファン、13…電子
回路基板検出器、131,144…細孔、132…取付
けブラケット、14…非接触型温度計、141…長孔、
143…取付けブラケット、B…電子回路基板、Bt…
投入電子回路基板、Bc…完成電子回路基板、P,P
a,Pb…電子部品、L…電子部品の表面部分、M…電
子部品Pの電極部分、L…電子回路基板のランド部分

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ソルダーペーストを介して電子部品が装
    着されている電子回路基板がプリヒートゾーン、リフロ
    ーゾーンからなる炉内を順次搬送されて加熱され、前記
    ソルダーペーストが溶融して前記電子部品が前記電子回
    路基板に半田付けされるリフロー炉において、 前記プリヒートゾーン及びまたは前記リフローゾーンに
    臨んで配設され、前記炉内を搬送されてきた前記電子回
    路基板の位置を検出する電子回路基板検出器と、 該電子回路基板検出器で検出、生成された制御信号によ
    り作動し、前記電子回路基板の搬送方向の上流側に前記
    電子回路基板検出器と所定の間隔を開けて配設され、搬
    送されてくる前記電子回路基板の特定箇所の加熱温度を
    非接触で測定する非接触型温度計とから構成されている
    ことを特徴とするリフロー炉。
  2. 【請求項2】 前記非接触型温度計の位置が可変できる
    可動装置により支持されていることを特徴とする請求項
    1に記載のリフロー炉。
  3. 【請求項3】 前記電子回路基板検出器と前記非接触型
    温度計との対が前記電子回路基板の搬送方向を横断する
    方向に複数対配設されていることを特徴とする請求項1
    及び請求項2に記載のリフロー炉。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222784A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Senju Metal Ind Co Ltd はんだ付け装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222784A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Senju Metal Ind Co Ltd はんだ付け装置

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