JP2000277679A - Semiconductor device - Google Patents
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームの
アイランド部に半導体素子を搭載し、該半導体素子を樹
脂にて包み込むようにモールドしてなる半導体装置いわ
ゆる樹脂封止型半導体装置に関し、特に、リードフレー
ムとモールド樹脂との密着性向上に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on an island portion of a lead frame and molded so as to wrap the semiconductor element with a resin. The present invention relates to improving the adhesion between a lead frame and a mold resin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、この種の樹脂封止型半導体装置
に用いられるリードフレームの材質は、主に銅、銅合
金、鉄−ニッケル合金、アルミニウム合金等のいわゆる
金属である。そして、例えば、リードフレームのアイラ
ンド部への半導体素子の装着、ワイヤボンディング、樹
脂封止等、所定の工程を経た後、モールド樹脂によりパ
ッケージ化され、半導体装置が完成する。この半導体装
置の基板への実装は、モールド樹脂外部に引き出された
リードフレームのリード部（ターミナル）により、基板
の電極部に電気的に接続されることで成される。2. Description of the Related Art In general, the material of a lead frame used in this type of resin-encapsulated semiconductor device is mainly a so-called metal such as copper, copper alloy, iron-nickel alloy, and aluminum alloy. Then, for example, after a predetermined process such as mounting of the semiconductor element on the island portion of the lead frame, wire bonding, resin sealing, and the like, the semiconductor device is packaged with a mold resin to complete the semiconductor device. The mounting of the semiconductor device on the substrate is performed by being electrically connected to the electrode portion of the substrate by a lead portion (terminal) of the lead frame drawn out of the mold resin.
【０００３】ところで、この樹脂封止型半導体装置にお
いて、金属製のリードフレームと樹脂であるパッケージ
材料（ゲル等の封止材料を含む）との界面では、材質が
異なりなじみ性が悪いことや熱膨張係数が異なる等の理
由から密着力が確保できず、半導体装置自身の耐湿性等
の劣化を招くという問題があった。密着力向上のために
パッケージ材料にシラン系添加剤を入れる例もあるが、
その効果は十分であるとは言えない。また、リードフレ
ーム材料を導電性樹脂とした例が特開昭５８−５６４４
９号公報に開示されているが、導電性樹脂自体が高価で
あるため大幅なコストアップとなる上、樹脂材料に金属
フィラーを混入させているため、そのフィラーが表面に
凹凸を発生させる等が原因で表面状態が良くないので、
密着力の大幅な改善も望めない。In the resin-sealed semiconductor device, the interface between the lead frame made of metal and the package material (including the sealing material such as gel) which is a resin is different due to poor adaptability or heat. There has been a problem that the adhesion cannot be ensured due to a difference in the expansion coefficient or the like, which causes deterioration of the moisture resistance of the semiconductor device itself. In some cases, silane-based additives are added to the package material to improve adhesion.
The effect is not enough. An example in which a lead frame material is made of a conductive resin is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-5644.
No. 9, the conductive resin itself is expensive, which significantly increases the cost. In addition, since a metal filler is mixed in the resin material, the filler may cause irregularities on the surface. Because the surface condition is not good due to
No significant improvement in adhesion can be expected.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記問題点に対して
は、リードフレームの材質の転換を図ることが考えられ
る。しかしながら、単なる材料変更では、リードフレー
ムの機能を満足させることは困難である。リードフレー
ムの主だった機能は、半導体素子（ダイ）の固定、
半導体素子と基板（外部基板）との電気的接続、半導
体素子の放熱、であるが、これら複数の機能を満足させ
つつ、モールド樹脂との密着性を満足させるような材料
を見出すことは困難である。To solve the above problems, it is conceivable to change the material of the lead frame. However, it is difficult to satisfy the function of the lead frame simply by changing the material. The main functions of the lead frame are fixing the semiconductor element (die),
Electrical connection between the semiconductor element and the substrate (external substrate) and heat dissipation of the semiconductor element. It is difficult to find a material that satisfies these multiple functions and satisfies the adhesiveness with the mold resin. is there.
【０００５】本発明は上記問題に鑑み、樹脂封止型半導
体装置において、リードフレームの機能を損なうことな
く、リードフレームとモールド樹脂との密着性を確保す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated semiconductor device that ensures the adhesion between a lead frame and a molding resin without impairing the function of the lead frame.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は、リードフレ
ームの材質として、樹脂を用いることを考えた。ここ
で、単なる材料変更としての樹脂化は、上記の複数のリ
ードフレームの機能から推して思い及ばないものであ
る。なぜならば、単なる樹脂化では、上記の及びの
機能は果たし得ないからである。本発明は、樹脂製のリ
ードフレームを土台に改良を加えることにより、上記目
的を達成しようとするものである。The inventor has considered using a resin as a material of the lead frame. Here, resinification as a mere material change is inconceivable based on the functions of the plurality of lead frames. This is because mere resinification cannot fulfill the above functions. An object of the present invention is to achieve the above object by improving a base made of a resin lead frame.
【０００７】即ち、請求項１記載の発明では、樹脂封止
型半導体装置において、リードフレーム（１０）を樹脂
より構成し、該リードフレームのうち少なくともリード
部（１２）の表面に導電性の金属薄層（１３）を固着形
成したことを特徴としている。本発明では、リードフレ
ーム（１０）とパッケージ材料とが共に樹脂であるた
め、相互の密着力が確保でき、高い耐湿信頼性を得るこ
とができる。また、該リードフレームとして、パッケー
ジ材料である樹脂に合わせた材料を選択することができ
る。According to the first aspect of the present invention, in the resin-encapsulated semiconductor device, the lead frame (10) is made of resin, and at least the surface of the lead portion (12) of the lead frame is made of a conductive metal. It is characterized in that the thin layer (13) is fixedly formed. In the present invention, since the lead frame (10) and the package material are both made of resin, mutual adhesion can be ensured, and high moisture resistance reliability can be obtained. Further, as the lead frame, a material suitable for a resin that is a package material can be selected.
【０００８】また、リードフレーム（１０）は樹脂より
なり、その表面を平滑化することが成形型の仕上げ精度
等により容易であるため、金属薄層（１３）が形成され
たリード部（１２）においても表面粗さを十分に小さく
でき、高い密着性が確保できる。さらに、モールド樹脂
外部に引き出され且つ外部基板と電気的に接続される部
分であるリード部（１２）に金属薄層（１３）が形成さ
れているため、金属材料の良好な導電作用及び伝熱作用
によって、半導体素子（５）と外部基板との電気的接続
及び該半導体素子の放熱性が確保できる。Further, the lead frame (10) is made of resin, and it is easy to smooth the surface of the lead frame (10) due to the finishing accuracy of the molding die. Therefore, the lead portion (12) on which the thin metal layer (13) is formed. In this case, the surface roughness can be made sufficiently small, and high adhesion can be ensured. Further, since the thin metal layer (13) is formed on the lead portion (12), which is a portion that is drawn out of the mold resin and is electrically connected to the external substrate, good conductive action and heat transfer of the metal material are achieved. By the action, electrical connection between the semiconductor element (5) and the external substrate and heat dissipation of the semiconductor element can be secured.
【０００９】従って、本発明によれば、リードフレーム
の機能を損なうことなく、リードフレームとモールド樹
脂との密着性を確保することができる。また、請求項２
記載の発明では、金属薄層（１３）を、リードフレーム
（１０）の表面全体に形成したことを特徴しており、請
求項１の発明と同様の作用効果を発揮できるとともに、
上記の電気的接続及び放熱性の各機能をより高いレベル
で確保でき、さらには、金属薄層の形成を選択的に行う
必要が無く、簡単に金属薄層を形成できるという効果も
ある。Therefore, according to the present invention, the adhesion between the lead frame and the molding resin can be ensured without impairing the function of the lead frame. Claim 2
The invention described in the above is characterized in that the thin metal layer (13) is formed on the entire surface of the lead frame (10).
The above-described functions of electrical connection and heat dissipation can be secured at a higher level, and further, there is an effect that it is not necessary to selectively form a thin metal layer, and a thin metal layer can be easily formed.
【００１０】また、半導体素子（５）をモールドする樹
脂（７）としては、通常、エポキシ系の樹脂材料が用い
られるが、そのような場合、請求項３記載の発明のよう
に、リードフレーム（１０）を構成する樹脂もエポキシ
系の材料とすれば、熱膨張係数を同程度とでき、耐冷熱
性等の面からも好ましい。なお、上記各手段の括弧内の
符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応
関係を示す一例である。An epoxy resin material is usually used as the resin (7) for molding the semiconductor element (5). In such a case, a lead frame (7) is used. If the resin constituting 10) is also an epoxy-based material, the thermal expansion coefficient can be made substantially the same, which is preferable also from the viewpoint of resistance to cold and heat. It should be noted that reference numerals in parentheses of the above-described units are examples showing the correspondence with specific units described in the embodiments described later.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
図に示す実施形態について説明する。図１は本発明の第
１実施形態に係る半導体装置１００が基板１にはんだ付
け実装された状態を示す概略断面図であり、図２は斯様
な半導体装置１００全体外観構造の一例を示す斜視図で
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) An embodiment of the present invention shown in the drawings will be described below. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor device 100 according to a first embodiment of the present invention is mounted on a substrate 1 by soldering, and FIG. 2 is a perspective view showing an example of the entire external structure of such a semiconductor device 100. FIG.
【００１２】５は半導体チップ（半導体素子）であり、
リードフレーム１０に形成されているアイランド部１１
に、銀ペースト４等を介在させて装着されている。リー
ドフレーム１０は、半導体チップ５を搭載するアイラン
ド部１１と、アイランド部１１の周囲からアイランド部
１１の外方に延びるリード部としてのターミナル１２を
備えている。このリードフレーム１０は、例えばエポキ
シ等の樹脂により形成された本体の表面全体に、金属表
面処理によって金属表面処理層としての導電性の金属薄
層１３が被覆形成されている。なお、図１中にて金属薄
層１３の厚さはデフォルメしてある。Reference numeral 5 denotes a semiconductor chip (semiconductor element).
Island portion 11 formed on lead frame 10
Is mounted with silver paste 4 or the like interposed therebetween. The lead frame 10 includes an island 11 on which the semiconductor chip 5 is mounted, and a terminal 12 as a lead extending from the periphery of the island 11 to the outside of the island 11. In the lead frame 10, for example, a conductive metal thin layer 13 as a metal surface treatment layer is formed on the entire surface of a main body formed of a resin such as epoxy by metal surface treatment. In FIG. 1, the thickness of the thin metal layer 13 is deformed.
【００１３】６は金やアルミ等のワイヤボンディングに
よって半導体チップ５とリードフレーム１０のターミナ
ル１２とを結線し、電気的に導通させるためのワイヤで
ある。また、半導体チップ５が搭載されたアイランド部
１１の全体及びターミナル１２の一部が、エポキシ等か
らなる樹脂封止体（本発明でいう樹脂）７によって、包
み込むようにモールドされている。それにより、樹脂封
止体７によりモールドされた部分は、外部から保護され
ている。Reference numeral 6 denotes a wire for connecting the semiconductor chip 5 and the terminal 12 of the lead frame 10 by wire bonding of gold, aluminum, or the like, to thereby electrically conduct the wire. Further, the entire island portion 11 on which the semiconductor chip 5 is mounted and a part of the terminal 12 are molded so as to be wrapped by a resin sealing body (resin in the present invention) 7 made of epoxy or the like. Thereby, the portion molded by the resin sealing body 7 is protected from the outside.
【００１４】ここで、リードフレーム１０について、図
３も参照して更に詳述する。図３は、リードフレーム１
０の組付前の状態を示す単体平面図である。アイランド
部１１は、吊りピン１５によって外周の枠部分に連結支
持され、インナーリード部１２ａとアウターリード部１
２ｂとからなる複数本のターミナル１２は、互いに連結
部１４にて連結されている。Here, the lead frame 10 will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 3 shows the lead frame 1
FIG. 7 is a plan view of a single unit showing a state before assembly of No. 0; The island portion 11 is connected to and supported by the outer peripheral frame portion by a suspension pin 15, and the inner lead portion 12 a and the outer lead portion 1 are connected to each other.
2b are connected to each other by a connecting portion 14.
【００１５】リードフレーム１０は、エポキシ等の樹脂
を、図３に示す形状（例えば厚さが千μｍオーダー）に
成形した後、この樹脂成形体の表面にめっきや蒸着等の
金属表面処理によって上記金属薄層１３を被覆形成（例
えば厚さが数〜数十μｍ）することにより、形成され
る。その後、アイランド部１１に半導体チップ５をダイ
マウントし、インナーリード部１２ａに対してワイヤボ
ンディングを行い、樹脂モールドを行った後、複数本の
ターミナル１２の連結部１４をカットして互いに分離す
る。こうして、リードフレーム１０は図１に示す状態と
なる。The lead frame 10 is formed by molding a resin such as epoxy into the shape shown in FIG. 3 (for example, having a thickness of the order of 1,000 μm), and then plating the surface of the resin molded body with a metal surface treatment such as plating or vapor deposition. The thin metal layer 13 is formed by coating (for example, having a thickness of several to several tens of μm). Thereafter, the semiconductor chip 5 is die-mounted on the island portion 11, wire-bonded to the inner lead portion 12a, and resin-molded, and then the connecting portions 14 of the plurality of terminals 12 are cut and separated from each other. Thus, the lead frame 10 is in the state shown in FIG.
【００１６】また、リードフレーム１０を構成する樹脂
は、どうのような樹脂材料でもよいが、一般に、樹脂封
止体７の材料がエポキシ系材料が多いため、エポキシ系
材料であることが好ましく、それによって互いの熱膨張
係数を同程度とでき、耐冷熱性についても高い信頼性が
得られる。また、金属薄層１３を構成する金属として
は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ等があり、これらを
用いれば、金属薄層１３は単層でも多層化したものであ
っても良い。The resin constituting the lead frame 10 may be any resin material, but generally, the material of the resin sealing body 7 is an epoxy-based material. As a result, the coefficients of thermal expansion can be made equal to each other, and high reliability can be obtained with respect to cold / heat resistance. The metal constituting the thin metal layer 13 includes Ni, Pd, Sn, Ag, Au and the like. If these are used, the thin metal layer 13 may be a single layer or a multilayer.
【００１７】かかる構成を有する半導体装置１００は、
リードフレーム１０のターミナル１２（アウターリード
部１２ｂ）と、基板１上に配設された銅等よりなる配線
２とを、はんだ材料３によって接合することにより、基
板１上に実装される。このような実装構成とすることに
より、半導体チップ５を中心とした電気信号の伝達経路
は、半導体チップ５上に形成されているコンタクト部分
からワイヤ６を経て、リードフレーム１０の表面に形成
されている金属薄層１３及びはんだ材料３を介して、基
板１上の配線２へ至ることとなる。The semiconductor device 100 having such a configuration is:
The terminal 12 (outer lead portion 12 b) of the lead frame 10 and the wiring 2 made of copper or the like provided on the substrate 1 are mounted on the substrate 1 by joining with a solder material 3. With such a mounting configuration, a transmission path of an electric signal centering on the semiconductor chip 5 is formed on a surface of the lead frame 10 through a wire 6 from a contact portion formed on the semiconductor chip 5. Through the thin metal layer 13 and the solder material 3, the wiring 2 on the substrate 1 is reached.
【００１８】ところで、上記半導体装置１００によれ
ば、樹脂よりなるリードフレーム１０は、型成形する際
の条件を最適化する等によって、その表面を平滑化する
ことが容易である。そして、表面粗さが十分小さくされ
た樹脂成形体の表面に薄い表面処理が施される結果、表
面粗さが劣化されることなく、樹脂封止体７との密着性
が高いレベルで確保できる。According to the semiconductor device 100, the surface of the lead frame 10 made of resin can be easily smoothed by optimizing the conditions for molding. Then, as a result of performing the thin surface treatment on the surface of the resin molded body whose surface roughness has been sufficiently reduced, the adhesion to the resin sealing body 7 can be secured at a high level without deteriorating the surface roughness. .
【００１９】さらに、リードフレーム１０の表面に金属
薄層１３が形成されているため、金属薄層１３の材料や
厚さ、更には多層化を考慮することによって、金属材料
の良好な導電作用及び伝熱作用が得られ、基板１の配線
２との電気的接続及び半導体チップ５の放熱性の機能が
確保できる。従って、上記半導体装置１００によれば、
リードフレームの機能を損なうことなく、リードフレー
ムとモールド樹脂との密着性を確保することができる。Further, since the thin metal layer 13 is formed on the surface of the lead frame 10, by considering the material and the thickness of the thin metal layer 13 and further considering the multi-layer structure, it is possible to obtain a good conductive action of the metal material. The heat transfer function is obtained, and the function of electrical connection with the wiring 2 of the substrate 1 and the function of heat dissipation of the semiconductor chip 5 can be secured. Therefore, according to the semiconductor device 100,
The adhesion between the lead frame and the molding resin can be ensured without impairing the function of the lead frame.
【００２０】また、上記半導体装置１００によれば、リ
ードフレーム１０、パッケージ材料（樹脂封止体７）が
共に樹脂であるため、両者の熱膨張係数が合わせ易く、
耐冷熱性についても高い信頼性が得られる。また、上記
半導体装置１００によれば、リードフレーム１０を成形
する金型費用のコストダウンが可能である。これは、一
般に、従来の金属製リードフレームの量産用プレス型は
数千万円するのに対して、樹脂成形用金型は数百万円と
安価であるためである。Further, according to the semiconductor device 100, since both the lead frame 10 and the package material (resin sealing body 7) are made of resin, the thermal expansion coefficients of the two are easily matched.
High reliability is also obtained for cold / heat resistance. Further, according to the semiconductor device 100, it is possible to reduce the cost of a mold for molding the lead frame 10. This is because, in general, a conventional die for mass production of a metal lead frame costs tens of millions of yen, whereas a resin molding die is inexpensive to several millions of yen.
【００２１】また、リードフレーム１０の本体を樹脂で
成形しているため、金属製リードフレームに比べて軽量
化が可能であり、個数取り対応（量産化）も容易であ
る。また、図１及び図２に示す様に、樹脂封止体（モー
ルド樹脂）７の外部にて、ターミナル１２は曲げられて
いるが、その曲げ加工は、リードフレーム１０自身の成
形時にも可能であるし、半導体装置１００完成後の後加
工でも加熱加工等によって可能である。Further, since the main body of the lead frame 10 is formed of resin, it is possible to reduce the weight as compared with a metal lead frame, and it is easy to cope with mass production (mass production). As shown in FIGS. 1 and 2, the terminal 12 is bent outside the resin sealing body (mold resin) 7, but the bending can be performed when the lead frame 10 itself is formed. Alternatively, post-processing after completion of the semiconductor device 100 can be performed by heating or the like.
【００２２】また、半導体装置１００を基板１へ実装し
た後のターミナル１２に残る応力も、基本的にリードフ
レーム１０の材質が樹脂であるため、クリープして、結
果的に低応力化が進み、信頼性が良くなる。また、ワイ
ヤボンダビリティについては、表面処理部である金属薄
層１３へのボンディングのため問題はなく、温度的にも
低温ボンディング法（１２０℃以下）の採用によって対
応が可能である。The stress remaining in the terminal 12 after the semiconductor device 100 is mounted on the substrate 1 is also creeped because the material of the lead frame 10 is basically a resin, and as a result, the stress is reduced. Improves reliability. There is no problem with wire bondability due to bonding to the thin metal layer 13 which is a surface treatment part, and it can be dealt with by adopting a low-temperature bonding method (120 ° C. or lower) in terms of temperature.
【００２３】（第２実施形態）上記第１実施形態におい
ては、リードフレーム１０の表面全体に金属薄層１３を
形成することで、上記の種々の効果を奏するが、リード
フレーム１０のうちリード部としてのターミナル１２の
表面にのみ金属薄層１３を形成した構成（部分的な金属
表面処理構成）としてもよい。(Second Embodiment) In the first embodiment, various effects described above can be obtained by forming the thin metal layer 13 on the entire surface of the lead frame 10. A configuration in which the thin metal layer 13 is formed only on the surface of the terminal 12 (partial metal surface treatment configuration) may be adopted.
【００２４】図４は本実施形態に係るリードフレーム１
０の断面構成を示すもので、上記図３のＡ−Ａ断面に相
当する断面を示すものである。図４に示すリードフレー
ム１０は、アイランド部１１の表面に金属表面処理を行
わないものである。これは、例えば、図３に示す形状の
樹脂成形体を形成した後、アイランド部１１の表面をマ
スキングした状態で上記の金属表面処理を行うことで、
作ることができる。FIG. 4 shows a lead frame 1 according to this embodiment.
0 shows a cross-sectional configuration, and shows a cross section corresponding to the AA cross section in FIG. The lead frame 10 shown in FIG. 4 does not perform a metal surface treatment on the surface of the island portion 11. This is performed, for example, by forming the resin molded body having the shape shown in FIG. 3 and then performing the above-described metal surface treatment in a state where the surface of the island portion 11 is masked.
Can be made.
【００２５】本実施形態によるリードフレーム１０も、
少なくともリード部としてのターミナル１２の表面に金
属薄層１３が形成されているから、基板１の配線２との
電気的接続機能は確保される。また、アイランド部１１
において樹脂封止体７と接する界面は、樹脂同士の接触
となるので、相互の密着力が確保でき、高い耐湿信頼性
を得ることができる。The lead frame 10 according to the present embodiment also
Since the thin metal layer 13 is formed at least on the surface of the terminal 12 as a lead portion, an electrical connection function with the wiring 2 of the substrate 1 is ensured. Island 11
In this case, the interface in contact with the resin sealing body 7 is a contact between the resins, so that mutual adhesion can be secured, and high humidity resistance reliability can be obtained.
【００２６】また、樹脂封止体７の外部に引き出されて
いるターミナル１２に金属薄層１３が形成されているた
め、全体に金属薄層１３を形成した上記第１実施形態に
比べて若干劣るが、半導体チップ５の放熱性も確保でき
る。従って、本実施形態においても、リードフレームの
機能を損なうことなく、リードフレームとモールド樹脂
との密着性を確保するという効果を奏することができ、
また、上記第１実施形態にて述べたその他の効果も同様
に発揮することができる。Further, since the thin metal layer 13 is formed on the terminal 12 drawn out of the resin sealing body 7, it is slightly inferior to the first embodiment in which the thin metal layer 13 is entirely formed. However, the heat dissipation of the semiconductor chip 5 can also be ensured. Therefore, also in the present embodiment, it is possible to achieve the effect of securing the adhesion between the lead frame and the mold resin without impairing the function of the lead frame,
Further, the other effects described in the first embodiment can be similarly exhibited.
【００２７】また、上記第１実施形態では、図１及び図
３に示す様に、リードフレーム１０において、ターミナ
ル１２のインナーリード部１２ａとアイランド部１１と
が、分離された状態となっているが、本実施形態では、
半導体チップ５の裏面（アイランド部１１に搭載される
側の面）に電極（裏面電極）が形成されていない場合に
は、インナーリード部１２ａとアイランド部１１とがつ
ながった構成となっていても良い。In the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3, the lead frame 10 has the inner lead portion 12a of the terminal 12 and the island portion 11 separated from each other. In this embodiment,
When no electrode (back surface electrode) is formed on the back surface (the surface on the side mounted on the island portion 11) of the semiconductor chip 5, even if the inner lead portion 12a and the island portion 11 are connected to each other. good.
【００２８】これは、半導体チップ５に裏面電極が形成
されていない場合には、信号経路は半導体チップの表面
側にてワイヤボンディング等によって確保できるため、
インナーリード部１２ａとアイランド部１１とがつなが
った構成となっていても、何ら電気的な障害（短絡等）
が発生しないためである。さらに、この構成とすること
で、かえって強度（リードフレーム１０自身の強度と密
着力向上によるパッケージの強度）が上昇するというメ
リットがある。This is because when the back electrode is not formed on the semiconductor chip 5, the signal path can be secured by wire bonding or the like on the front surface side of the semiconductor chip.
Even if the inner lead portion 12a and the island portion 11 are connected to each other, there is no electrical failure (short circuit, etc.).
Is not generated. Further, by adopting this configuration, there is an advantage that the strength (the strength of the package due to the strength of the lead frame 10 itself and the improvement of the adhesion) is increased.
【００２９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、リードフレームのアイランド部に半導
体素子を搭載し、該半導体素子を樹脂にて包み込むよう
にモールドしてなる半導体装置であれば、適用可能であ
る。The present invention is not limited to the above embodiment, but may be applied to a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on an island portion of a lead frame and the semiconductor element is molded so as to be wrapped with resin. If applicable.
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の実装
状態を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a mounted state of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す半導体装置の全体外観構造の一例を
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of the entire external structure of the semiconductor device shown in FIG.
【図３】上記第１実施形態に係るリードフレームの組付
前状態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state before assembly of the lead frame according to the first embodiment.
【図４】本発明の第２実施形態に係るリードフレームの
組付前状態を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a state before assembly of a lead frame according to a second embodiment of the present invention.
５…半導体チップ、７…樹脂封止体、１０…リードフレ
ーム、１１…アイランド部、１２…ターミナル、１３…
金属薄層。5: Semiconductor chip, 7: Resin sealing body, 10: Lead frame, 11: Island part, 12: Terminal, 13 ...
Thin metal layer.
Claims (3)
（１１）に半導体素子（５）を搭載し、前記半導体素子
を樹脂（７）にて包み込むようにモールドしてなる半導
体装置において、 前記リードフレームは樹脂よりなり、前記リードフレー
ムのうち少なくともリード部（１２）の表面には導電性
の金属薄層（１３）が固着形成されていることを特徴と
する半導体装置。1. A semiconductor device comprising a semiconductor element (5) mounted on an island portion (11) of a lead frame (10) and molded so as to wrap the semiconductor element with a resin (7). Is a resin, and a conductive thin metal layer (13) is fixedly formed on at least the surface of the lead portion (12) of the lead frame.
レーム（１０）の表面全体に形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the thin metal layer is formed on the entire surface of the lead frame.
記樹脂（７）と前記リードフレーム（１０）を構成する
樹脂とがエポキシ系の材料よりなることを特徴とする請
求項１または２に記載の半導体装置。3. The resin according to claim 1, wherein the resin for molding the semiconductor element and the resin for forming the lead frame are made of an epoxy-based material. Semiconductor device.
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|---|---|---|---|
| JP8218299A JP2000277679A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP8218299A JP2000277679A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277679A true JP2000277679A (en) | 2000-10-06 |
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ID=13767309
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8218299A Pending JP2000277679A (en) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277679A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269903A (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JP2008218472A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Denso Corp | Semiconductor device |
| DE112021000726T5 (en) | 2020-01-23 | 2022-11-10 | Rohm Co., Ltd. | ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC COMPONENT |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8218299A patent/JP2000277679A/en active Pending
Cited By (5)
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| KR101224935B1 (en) | 2005-03-25 | 2013-01-22 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | Leadframe for semiconductor device |
| JP2008218472A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Denso Corp | Semiconductor device |
| JP4715772B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-07-06 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
| DE112021000726T5 (en) | 2020-01-23 | 2022-11-10 | Rohm Co., Ltd. | ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MAKING AN ELECTRONIC COMPONENT |
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