JP2000269182A - Method and apparatus for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、ドライエッチング装置内に残留する有毒ガ
スを効果的に除去する方法を用いた半導体デバイスの製
造方法及び製造装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor device manufacturing method and a manufacturing apparatus using a method for effectively removing toxic gas remaining in a dry etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造にて用い
られるドライエッチング装置などにおいては、塩素ガス
などのプロセスガスを処理室内に導入し、プラズマを発
生させることによって、ウエハにエッチング処理を行っ
ている。ある一定量のウエハを処理していくと、処理室
内に堆積した付着異物の清掃や、部品交換あるいは不測
のトラブルなどにより、処理室を大気開放して作業者が
処理室内のメンテナンスを行う必要がある。2. Description of the Related Art For example, in a dry etching apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, a process gas such as a chlorine gas is introduced into a processing chamber to generate plasma, thereby performing an etching process on a wafer. . When processing a certain amount of wafers, it is necessary to open the processing chamber to the atmosphere and perform maintenance on the processing chamber due to cleaning of attached foreign matter accumulated in the processing chamber, replacement of parts, or unexpected trouble. is there.
【０００３】ところが、エッチング処理を行った直後に
処理室を大気開放すると、処理室内に残留しているプロ
セスガスの成分が徐々に放出されて、周辺の空気を汚染
する問題が生じている。However, if the processing chamber is opened to the atmosphere immediately after performing the etching process, there is a problem that the components of the process gas remaining in the processing chamber are gradually released, and the surrounding air is contaminated.
【０００４】一般に、プロセスガスには人体に有害なも
のが多く、例えば塩素ガスが含まれており、この塩素ガ
スは許容濃度が０．５ｐｐｍ以下とされている。これ以
上の濃度の塩素ガスを吸入し続けると呼吸器系の粘膜の
炎症などの障害を引き起こす恐れがある。このため、大
気開放後の数時間放置して、有毒ガス放出が収まってか
ら作業を開始するなどの対策が行われていた。しかしな
がら、放置時間が数時間にも及ぶことがあり、生産効率
上問題がある。[0004] Generally, many process gases are harmful to the human body, for example, chlorine gas, and the chlorine gas has an allowable concentration of 0.5 ppm or less. Continued inhalation of chlorine gas at a concentration higher than this may cause disorders such as inflammation of mucous membranes of the respiratory system. For this reason, measures have been taken such as leaving the apparatus open for several hours after opening to the atmosphere and starting work after the release of toxic gas has ceased. However, the standing time may be as long as several hours, and there is a problem in production efficiency.
【０００５】そこで、大気開放前に、特定のプラズマを
発生させて、残留する有毒ガスを除去する試みが行われ
ている。例えば、処理室内に付着している堆積膜を除去
するためにクリーニングプロセスと呼ばれるプラズマ処
理が知られており、ＳＦ6ガスのプラズマを処理室で発
生させるなどして、このとき同時に吸着ガスも除去して
しまおうとするものである。Therefore, an attempt has been made to generate a specific plasma to remove the remaining toxic gas before opening to the atmosphere. For example, a plasma process called a cleaning process is known to remove a deposited film attached to a processing chamber. At this time, an adsorption gas is also removed by generating plasma of SF 6 gas in the processing chamber. They are trying to do it.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術においては、大気開放前に、特定のプラズマを発生
させて、残留する有毒ガスを除去する試みも、その効果
は充分ではなかった。つまり、大気開放前に特定のプラ
ズマを発生させることによって吸着残留している有毒ガ
ス成分を除去する方法が最も効率的と考えられるが、ど
のようなプラズマを発生させれば、有効に吸着ガスを除
去できるのか検討が必要である。ところが、従来の技術
における分析、検査方法では、処理室内に吸着したガス
成分を大気開放前に検出することは極めて困難であった
ため、有効な対策が見いだされていなかった。However, in the prior art, even if an attempt is made to remove the remaining toxic gas by generating a specific plasma before opening to the atmosphere, the effect has not been sufficient. In other words, it is considered that the most efficient method is to remove the toxic gas components remaining by adsorption by generating a specific plasma before opening to the atmosphere. It is necessary to consider whether it can be removed. However, in the conventional analysis and inspection methods, it was extremely difficult to detect the gas component adsorbed in the processing chamber before opening to the atmosphere, so that no effective countermeasure was found.
【０００７】いったん大気開放してしまうと、大気の影
響で吸着状態が変化してしまうので、大気開放前に行う
べきであるはずの有効な対策を見いだすのは困難であっ
た。[0007] Once released to the atmosphere, the state of adsorption changes due to the influence of the atmosphere, and it has been difficult to find effective measures that should be taken before the release to the atmosphere.
【０００８】また、有毒ガス放出対策のための工程が長
時間となると、生産効率上好ましくないことであり、製
造装置の非生産時間が長くなることにより、装置の生産
性低下の原因となる。また、その影響で生産される半導
体デバイスのコスト高の原因ともなる。[0008] Further, if the process for taking measures to release toxic gas takes a long time, it is not preferable in terms of production efficiency, and the non-production time of the manufacturing device becomes longer, which causes a reduction in the productivity of the device. In addition, the cost of the semiconductor device produced due to the influence is increased.
【０００９】また、今後の０．１３μｍ以下の微細加工
プロセスでは臭化水素（ＨＢｒ）ガスの使用が必要にな
ってくると考えられているが、これを使用すると大気開
放後の有毒ガス放出に、さらに長時間必要であり、稼働
率が著しく低下することが懸念される。Further, it is considered that the use of hydrogen bromide (HBr) gas will be required in the future microfabrication process of 0.13 μm or less. It requires a longer time, and there is a concern that the operation rate may be significantly reduced.
【００１０】本発明の目的は、ドライエッチング装置内
の表面に吸着しているガスの状態を、大気開放すること
なく分析し、大気解放前に吸着物質を除去することとが
可能な半導体デバイスの製造方法及び製造装置を実現す
ることである。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of analyzing the state of a gas adsorbed on a surface in a dry etching apparatus without opening to the atmosphere and removing adsorbed substances before opening to the atmosphere. The object is to realize a manufacturing method and a manufacturing apparatus.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のように構成される。 （１）大気から密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、上記処理室にて半導体デバイスを処理する半導体デ
バイスの製造方法において、上記処理室を大気開放する
直前に、Ｈ2Ｏ、ＣＨ3ＯＨ、Ｈ2またはＣＨ4のいずれか
を混入させたパージガスを上記処理室内に導入し、所定
の一定時間放置する、またはプラズマを発生させること
によって、処理室内部に吸着しているプロセスガスの成
分を除去する。In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. (1) In a method of manufacturing a semiconductor device in which a process gas is supplied from the atmosphere to a sealed processing chamber and a semiconductor device is processed in the processing chamber, H 2 O, CH 3 may be used immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere. A purge gas mixed with any one of OH, H 2 and CH 4 is introduced into the processing chamber and left for a predetermined period of time, or a plasma is generated, whereby a component of the process gas adsorbed in the processing chamber. Is removed.
【００１２】（２）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、Ｈ2Ｏ、ＣＨ3ＯＨ、Ｈ2またはＣＨ4
のいずれかを混入させたパージガスを上記処理室内に導
入する手段を備え、上記パージガスを上記処理室内に導
入してから所定の一定時間放置する、またはプラズマを
発生させることによって、処理室内部に吸着しているプ
ロセスガスの成分を除去する。(2) In a semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere, H 2 O , CH 3 OH, H 2 or CH 4
A means for introducing a purge gas into which any of the above is mixed into the processing chamber, and the purge gas is introduced into the processing chamber, and then left for a predetermined period of time, or by generating plasma, thereby adsorbing the inside of the processing chamber. The process gas components are removed.
【００１３】（３）好ましくは、上記（２）において、
加熱されたパージガスを導入する手段を備える。(3) Preferably, in the above (2),
A means for introducing a heated purge gas is provided.
【００１４】（４）また、好ましくは、上記（２）にお
いて、パージガスを加熱するための手段を備える。(4) Preferably, in the above (2), a means for heating the purge gas is provided.
【００１５】（５）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、処理室内のガスをサンプリングし
て、処理室内に残留する有毒ガス成分を計測し、処理室
が大気開放された後に発生する有毒ガス量を予測する手
段を備える。(5) In a semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and means for supplying a process gas to the processing chamber, immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere, Means are provided for sampling gas, measuring toxic gas components remaining in the processing chamber, and predicting the amount of toxic gas generated after the processing chamber is opened to the atmosphere.
【００１６】（６）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、処理室内にパージガスを導入してか
ら排気して、排気されるガス中に含まれる有毒ガス成分
を計測し、処理室が大気開放された後に発生する有毒ガ
ス量を予測する手段を備える。(6) In a semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, the processing chamber may be provided immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere. It is provided with a means for exhausting after introducing the purge gas, measuring a toxic gas component contained in the exhausted gas, and estimating an amount of toxic gas generated after the processing chamber is opened to the atmosphere.
【００１７】（７）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室内の
表面に残留または吸着するガス成分を、特定波長の光の
吸収量を測定し、処理室が大気開放された直後に発生す
る有毒ガス量を予測する手段を備える。(7) In a semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, a gas component remaining or adsorbed on a surface in the processing chamber is removed. Means for measuring the amount of light having a specific wavelength and predicting the amount of toxic gas generated immediately after the processing chamber is opened to the atmosphere.
【００１８】（８）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室内の
表面に残留または吸着するガス成分を、上記処理室の壁
面に入射してくる物質を測定し、処理室が大気開放され
た直後に発生する有毒ガス量を予測する手段を備える。(8) In a semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, a gas component remaining or adsorbed on the surface of the processing chamber may be removed. Means for measuring a substance incident on a wall surface of the processing chamber and estimating an amount of toxic gas generated immediately after the processing chamber is opened to the atmosphere.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。まず、ドライエッチング装置の
処理室を大気開放する際に、処理室内におけるガス吸着
状態をモニタする方法について説明する。この方法によ
り、吸着しているガスをプロセス中にモニタし、大気開
放前にどのような処理を行えば、吸着ガスを低減するこ
とができるかを、明確に判断することができるようにな
った。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. First, a method of monitoring a gas adsorption state in a processing chamber of a dry etching apparatus when the processing chamber is opened to the atmosphere will be described. With this method, the adsorbed gas can be monitored during the process, and it is possible to clearly determine what treatment should be performed before opening to the atmosphere to reduce the adsorbed gas. .
【００２０】図１は、本発明による実施形態であるガス
吸着状態モニタ装置の概略構成図である。図１におい
て、処理室１０１の側面に、入射ガス分析装置１０２を
取り付け、処理室１０１の壁面に、プロセスガス入射手
段（図示せず）から入射するガスやイオンなどをサンプ
リングできるようにしてある。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a gas adsorption state monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an incident gas analyzer 102 is attached to a side surface of a processing chamber 101 so that gas, ions, and the like incident from a process gas injection unit (not shown) can be sampled on a wall surface of the processing chamber 101.
【００２１】また、処理室１０１内には、ガス吸着状態
を調べるための試料１０３が設置されており、赤外光導
入窓１０４から導入した赤外光を試料１０３に照射し
て、その反射吸収スペクトルを測定することによって、
処理室１０１内の吸着残留ガスの状態をモニタできるよ
うにしてある。A sample 103 for examining a gas adsorption state is installed in the processing chamber 101. The sample 103 is irradiated with infrared light introduced from an infrared light introduction window 104, and the reflected light is reflected and absorbed. By measuring the spectrum,
The state of the residual adsorption gas in the processing chamber 101 can be monitored.
【００２２】処理室１０１内には、プロセスガスとして
塩素ガスを分圧にして約１．８Ｐａ、酸素ガスを約０．
２Ｔｏｒｒ導入する。マイクロ波導入管１０７から周波
数が約２．５６ＧＨｚのマイクロ波を導入することによ
ってプラズマを処理室１０１内に発生させ、被処理物で
あるところのウエハ１０５の表面をエッチングする。プ
ラズマはコイル１０６が生成する磁場によって、その発
生状態が制御されている。In the processing chamber 101, chlorine gas is used as a process gas at a partial pressure of about 1.8 Pa, and oxygen gas is used at a pressure of about 0.1 Pa.
Introduce 2 Torr. By introducing a microwave having a frequency of about 2.56 GHz from the microwave introduction tube 107, plasma is generated in the processing chamber 101, and the surface of the wafer 105 as an object to be processed is etched. The generation state of the plasma is controlled by the magnetic field generated by the coil 106.
【００２３】赤外光の反射吸収スペクトルによる処理室
１０１内の表面状態のモニタリングについては、特開平
７−８６２５４号公報に記載されているが、本発明の一
実施形態においては、図２に示す平断面図のようなモニ
タ装置の構造としている。The monitoring of the surface state in the processing chamber 101 by the reflection and absorption spectrum of infrared light is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-86254, but in one embodiment of the present invention, it is shown in FIG. The structure of the monitor device is as shown in a plan sectional view.
【００２４】図２において、赤外光２０１は、赤外光導
入窓１０４から入射させる。この窓１０４には、ＫＲＳ
−５と呼ばれる赤外光の透過性の高い材質を用いてい
る。In FIG. 2, an infrared light 201 is made to enter from an infrared light introduction window 104. In this window 104, KRS
A material having a high transmittance of infrared light called -5 is used.
【００２５】また、窓の曇りによる測定値のばらつきを
抑えるため、上記特開平７−８６２５４号公報に記載さ
れているように、赤外光２０１を偏光子２０２によって
偏光させて偏光変調をかけ、赤外光２０１を分光するこ
とによって、吸収スペクトルを得ることができる。試料
１０３上で反射した赤外光２０１は検出器２０３により
検出される。処理室１０１の内面は石英内筒２０４によ
り覆われているので、処理室１０１内に吸着するガスの
状態は、石英上の挙動を調べればよい。Further, in order to suppress the dispersion of the measured values due to the fogging of the window, as described in JP-A-7-86254, the infrared light 201 is polarized by a polarizer 202 and subjected to polarization modulation. By splitting the infrared light 201, an absorption spectrum can be obtained. The infrared light 201 reflected on the sample 103 is detected by the detector 203. Since the inner surface of the processing chamber 101 is covered with the quartz inner cylinder 204, the state of the gas adsorbed in the processing chamber 101 may be determined by examining the behavior on the quartz.
【００２６】そこで、試料１０３は、反射効率の高いア
ルミ蒸着ミラーなどを用いているが、その表面には厚さ
約０．６μｍ程度の石英膜を付けてある。試料１０３の
表面の吸着ガス原子の結合状態によって、ある特定波長
の赤外光が吸収されるので、検出器２０３で検出された
赤外光の吸収スペクトルを調べることによって、ガスの
吸着状態をモニタすることが可能となる。Therefore, the sample 103 uses an aluminum vapor-deposited mirror or the like having a high reflection efficiency, and has a quartz film having a thickness of about 0.6 μm on its surface. The infrared light of a specific wavelength is absorbed depending on the bonding state of the adsorbed gas atoms on the surface of the sample 103. Therefore, the absorption state of the gas is monitored by examining the absorption spectrum of the infrared light detected by the detector 203. It is possible to do.
【００２７】処理室１０１の側面に取り付けた入射ガス
分析装置１０２は、石英内筒２０４に空けた直径が約
０．４ｍｍの穴を通じて、そこへ入射してくるガス分子
やイオンなどをサンプリングして、それらの質量分析や
入射エネルギー分析を行っている。磁気遮蔽管２０５に
よって、プラズマを制御するためのコイル１０６から発
生する磁場が、入射ガス分析装置１０２に影響を及ぼさ
ないようにしてある。The incident gas analyzer 102 attached to the side surface of the processing chamber 101 samples gas molecules and ions incident on the quartz inner cylinder 204 through a hole having a diameter of about 0.4 mm. And their mass spectrometry and incident energy analysis. The magnetic shield tube 205 prevents the magnetic field generated from the coil 106 for controlling the plasma from affecting the incident gas analyzer 102.
【００２８】また、入射ガス分析装置１０２は、試料１
０３と鉛直方向に対して同じ高さに配置されており、ウ
エハ１０５からの距離もほぼ等しい位置に取り付けてあ
る。処理室１０１の形状はウエハ１０５の円周方向に対
して対称形であるため、その中で発生するプラズマも円
周方向に対しては、ほぼ対称となり、試料１０３に入射
するガス分子やイオン等とほぼ同じものを、入射ガス分
析装置１０２によってサンプリングすることができる。In addition, the incident gas analyzer 102
03 and at the same height with respect to the vertical direction, and is mounted at a position where the distance from the wafer 105 is almost the same. Since the shape of the processing chamber 101 is symmetrical with respect to the circumferential direction of the wafer 105, the plasma generated therein is also substantially symmetrical with respect to the circumferential direction, and gas molecules, ions, and the like incident on the sample 103. Can be sampled by the incident gas analyzer 102.
【００２９】次に、本発明の方法によるガス吸着状態の
モニタリング値の例を図３にグラフで示す。このような
モニタリングは、本発明の方法により初めて可能となっ
たものである。Next, FIG. 3 is a graph showing an example of monitoring values of the gas adsorption state according to the method of the present invention. Such monitoring is only possible with the method according to the invention.
【００３０】なお、図３の縦軸はガス吸着量の変化量を
示し、横軸は波長を示す。また、図３に示した結果が得
られたプロセスでは、塩素ガスを分圧にして約１．８Ｐ
ａ、酸素ガスを約０．２Ｔｏｒｒ導入し、μ波を３５０
Ｗ印加してプラズマを発生させた。ウエハにはシリコン
ウエハを用い、シリコンウエハの下部に周波数が２ＭＨ
ｚの高周波を６０Ｗ印加した。The vertical axis in FIG. 3 indicates the amount of change in the gas adsorption amount, and the horizontal axis indicates the wavelength. Further, in the process in which the result shown in FIG.
a, Oxygen gas is introduced at about 0.2 Torr,
Plasma was generated by applying W. A silicon wafer is used as the wafer, and the frequency is 2 MHz below the silicon wafer.
A z frequency of 60 W was applied.
【００３１】また、上記プロセスの前後に、試料１０３
上の赤外吸収スペクトルを測定した。そして、その差分
を取ることによって、プロセス中に起きた試料上の変化
をスペクトルから読み取った。Before and after the above process, the sample 103
The upper infrared absorption spectrum was measured. Then, by taking the difference, the change on the sample that occurred during the process was read from the spectrum.
【００３２】図３の測定スペクトル３０１は、上記プロ
セスを約７００ｓ行った前後の差分をとったもので、上
向きのピークは試料上の吸着物が増加したことを、下向
きのピークは減少したことを示している。図３におい
て、約６３０ｃｍ-1前後と７００ｃｍ-1付近に正の向き
のピークが見られ、プロセス中に何かが試料上に吸着し
ていることがわかった。The measured spectrum 301 in FIG. 3 shows the difference before and after performing the above process for about 700 s. The upward peak indicates that the adsorbate on the sample has increased, and the downward peak has decreased. Is shown. 3, about 630 cm -1 was observed peak in the positive direction in the vicinity of the front and rear and 700 cm -1, something in the process has been found to be adsorbed on the sample.
【００３３】この約６３０ｃｍ-1前後と７００ｃｍ-1付
近部分の吸収ピークは、石英表面のＳｉ原子に対してＣ
ｌ原子が結合している場合に、生じるものであること
が、Ｓ．Ｊ．ＬａｎｇらによってＪｏｕｎａｌ ｏｆ
Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，９８巻（１９
９４年）の１３３１４ページに報告されている。[0033] For this absorption peak at about 630 cm -1 before and after the 700 cm -1 vicinity portion, Si atoms in the quartz surface C
what occurs when the l atoms are attached is described in S.H. J. Journal of by Lang et al.
Physical Chemistry, vol. 98 (19
1994) at page 13314.
【００３４】すなわち、Ｓｉ−Ｃｌ3、Ｓｉ−Ｃｌ2及び
Ｓｉ−Ｃｌのそれぞれの結合状態が存在すると、６２５
ｃｍ-1、６３５ｃｍ-1及び７１０ｃｍ-1に吸収ピークが
生じることが確認されている。よって、差分スペクトル
上のピークは、試料表面の吸着塩素原子のピーク３０２
であり、本発明による方法でガスの吸着状態をモニタで
きることを示している。That is, if the bonding state of Si—Cl 3 , Si—Cl 2 and Si—Cl exists, 625
cm -1, that absorption peak at 635cm -1 and 710 cm -1 occurs have been identified. Therefore, the peak on the difference spectrum is the peak 302 of the adsorbed chlorine atom on the sample surface.
This shows that the gas adsorption state can be monitored by the method according to the present invention.
【００３５】また、図２の入射ガス分析装置１０２によ
って処理室１０１の壁面への入射イオンもサンプリング
されており、その結果を図４に示す。なお、図４の縦軸
は＋イオンの信号強度を示し、横軸は質量数／荷電数を
示す。図４において、ＳｉＣｌ+の信号４０１、ＳｉＣ
ｌ2 +の信号４０２及びＳｉＣｌ3 +の信号４０３が非常に
大きく、これらが壁面に入射していることがわかった。
また、これらの入射エネルギーを入射ガス分析装置１０
２にて測定してみると、約４ｅＶあることもわかった。Also, ions incident on the wall surface of the processing chamber 101 are sampled by the incident gas analyzer 102 of FIG. 2, and the results are shown in FIG. Note that the vertical axis in FIG. 4 indicates the signal intensity of + ions, and the horizontal axis indicates mass number / charge number. In FIG. 4, a signal 401 of SiCl + , SiC
The l 2 + signal 402 and the SiCl 3 + signal 403 were very large, indicating that they were incident on the wall surface.
Further, these incident energies are converted to the incident gas analyzer 10.
When measured at 2, it was also found that there was about 4 eV.
【００３６】以上のことから、本発明によるガス吸着モ
ニタ装置によって、初めて以下のことが明らかになっ
た。すなわち、プロセス中には、石英表面と反応を起こ
すのに充分なエネルギーをもった塩素原子が、石英表面
に多量に供給されており、その結果、石英表面にＳｉと
Ｃｌ原子とが結合するかたちで、Ｃｌ原子が吸着してい
ることが、本発明による方法によってモニタリングでき
た。このような詳細な情報をプロセス中に、処理室を大
気開放せずに得ることができるようになったため、大気
開放後の有毒ガス発生の防止方法を、余分な試行錯誤を
せずに容易に見つけることが可能になった。From the above, the following has been clarified for the first time by the gas adsorption monitoring device according to the present invention. That is, during the process, a large amount of chlorine atoms having sufficient energy to cause a reaction with the quartz surface are supplied to the quartz surface, and as a result, Si and Cl atoms are bonded to the quartz surface. Thus, the adsorption of Cl atoms could be monitored by the method according to the present invention. Since such detailed information can be obtained during the process without opening the processing chamber to the atmosphere, a method for preventing the generation of toxic gas after opening to the atmosphere can be easily performed without extra trial and error. It is now possible to find it.
【００３７】以下に、大気開放後の有毒ガス発生の防止
方法を示す。先に引用したＳ．Ｊ．Ｌａｎｇらの報告で
は、これら塩素原子の結合は、水蒸気（Ｈ2Ｏ）やメタ
ノール（ＣＨ3ＯＨ）などに摂氏１００度から１５０度
の温度で曝されると、塩酸（ＨＣｌ）となって気化し、
消滅してしまうことが報告されている。これは、処理室
１０１を大気開放したときに、有毒なＨＣｌガスが発生
し続ける原因に該当するものである。Hereinafter, a method for preventing generation of toxic gas after opening to the atmosphere will be described. S. cited above. J. According to the report of Lang et al., When these chlorine atoms are bonded to water vapor (H 2 O) or methanol (CH 3 OH) at a temperature of 100 to 150 ° C., they are converted into hydrochloric acid (HCl). And
It has been reported that it will disappear. This corresponds to the cause of the continued generation of toxic HCl gas when the processing chamber 101 is opened to the atmosphere.
【００３８】この原因も、本発明によるガス吸着モニタ
装置のデータから、明らかになったことである。このこ
とから、水蒸気やメタノールなどを処理室１０１内に導
入してプラズマを発生させれば、これら石英上に結合し
た塩素原子は、容易に除去することが可能である。なぜ
なら、水蒸気やメタノールガスをプラズマ化すると、摂
氏数百度以上のエネルギーを持つため、結合している塩
素原子を容易にＨＣｌとして気化させ、ガスとして処理
室１０１外に排気することが可能だからである。The reason for this is also clear from the data of the gas adsorption monitoring device according to the present invention. Thus, if plasma is generated by introducing water vapor, methanol, or the like into the processing chamber 101, the chlorine atoms bonded to the quartz can be easily removed. This is because when steam or methanol gas is turned into plasma, it has an energy of several hundred degrees Celsius or more, so that the bound chlorine atoms can be easily vaporized as HCl and exhausted out of the processing chamber 101 as a gas. .
【００３９】また、プラズマ化せずとも、単に水蒸気を
含んだ大気に曝すだけでも、石英上に吸着した塩素原子
を除去することが可能である。In addition, it is possible to remove chlorine atoms adsorbed on quartz by simply exposing to the atmosphere containing water vapor without forming plasma.
【００４０】図５は、処理室１０１を大気に曝したとき
のモニタ装置により検出された例を示す。なお、図５の
縦軸はガス吸着量の変化量を示し、横軸は波長を示す。
この図５に示す結果は、図３のスペクトルがモニタされ
た後、そのまま処理室１０１を大気開放し、同様な方法
で得られた測定スペクトル５０１である。FIG. 5 shows an example in which the detection is performed by the monitor device when the processing chamber 101 is exposed to the atmosphere. The vertical axis in FIG. 5 indicates the amount of change in the gas adsorption amount, and the horizontal axis indicates the wavelength.
The result shown in FIG. 5 is a measured spectrum 501 obtained by monitoring the spectrum of FIG. 3 and then opening the processing chamber 101 to the atmosphere as it is and obtaining the same by the same method.
【００４１】図５において、６２０ｃｍ-1から６３０ｃ
ｍ-1前後、及び７１０ｃｍ-1付近に負の向きのピークが
現れている。差分スペクトルで負の向きは減少を表して
おり、石英表面の吸着塩素原子が除去されたことを示す
ピーク５０２であることがわかる。図５に示したもの
は、実際のエッチング装置において、装置内に残留する
吸着ガスの除去効果を本発明により初めてモニタリング
できた例である。In FIG. 5, from 620 cm -1 to 630 c
Negative peaks appear around m -1 and around 710 cm -1 . In the difference spectrum, the negative direction indicates a decrease, and it can be seen that the peak 502 indicates that the adsorbed chlorine atoms on the quartz surface have been removed. FIG. 5 shows an example in which the effect of removing an adsorbed gas remaining in an actual etching apparatus can be monitored for the first time by the present invention in an actual etching apparatus.
【００４２】実際の半導体デバイスの生産プロセスにお
いては、これら吸着した塩素原子をさらに多く、かつ短
時間で除去するためには、大気開放前に水蒸気やメタノ
ールなどを含んだプラズマを処理室１０１内で発生さ
せ、その後、大気を導入しては排気するサイクルを繰り
返す手順が必要である。In an actual semiconductor device production process, in order to further remove these adsorbed chlorine atoms and remove the chlorine atoms in a short time, a plasma containing water vapor, methanol, or the like is generated in the processing chamber 101 before opening to the atmosphere. It is necessary to repeat the cycle of generating and then introducing and exhausting air.
【００４３】図６は、本発明の実施形態である吸着残留
ガスの除去方法の手順を示すフローチャートである。図
６において、通常のエッチングプロセス６０１が行われ
る。このエッチングプロセス６０１は、例えば、上述し
た実施形態にて説明したようなプロセスである。FIG. 6 is a flowchart showing the procedure of the method for removing adsorbed residual gas according to an embodiment of the present invention. In FIG. 6, a normal etching process 601 is performed. The etching process 601 is, for example, a process as described in the above embodiment.
【００４４】次に、吸着残留ガスのプラズマクリーニン
グプロセス６０２を行う。このプロセス６０２では、例
えば希釈ガスであるＨｅガス中に、混入ガスとしてＨ2
Ｏを２００ｐｐｍ程度混入させた混合ガスを、処理室１
０１内の圧力が２Ｐａ程度になるように導入する。そし
て、約５００Ｗのマイクロ波を印加してプラズマを発生
させ、約５分程度保持する。このとき、ウエハは生産物
となるウエハである必要はなく、酸化膜をコーティング
したダミーウエハでよい。また、ウエハに高周波を印加
する必要もない。Next, a plasma cleaning process 602 for the residual gas adsorbed is performed. In this process 602, for example, H 2 as a mixed gas is mixed in He gas which is a dilution gas.
A mixed gas containing about 200 ppm of O is supplied to the processing chamber 1
The pressure is introduced so that the pressure in the pressure 01 becomes about 2 Pa. Then, a microwave of about 500 W is applied to generate plasma, and the plasma is held for about 5 minutes. At this time, the wafer does not need to be a product wafer, but may be a dummy wafer coated with an oxide film. Also, there is no need to apply a high frequency to the wafer.
【００４５】混合ガスは、他にも効果的なものがあり、
例えば希釈ガスをＡｒガスやチッソがすなどにしても良
い。混入ガスは、メタノール、水素やメタンガス等にし
ても良い。濃度はなるべく高くするほうが、処理時間が
短くて済むが、Ｈ2Ｏは配管や処理室１０１内に結露す
る恐れがあり、メタノールや水素ガスなどは爆発や燃焼
の恐れがあるので、それぞれ安全な濃度以下で使用しな
ければならない。There are other effective gas mixtures.
For example, the dilution gas may be Ar gas or nitrogen gas. The mixed gas may be methanol, hydrogen, methane gas, or the like. The higher the concentration is, the shorter the processing time is. However, H 2 O may condense in the piping and the processing chamber 101, and methanol and hydrogen gas may explode or burn. It must be used below its concentration.
【００４６】次に、吸着量判定６０５を行う。これは、
上述した本発明の実施形態のようなガス吸着状態のモニ
タリング方法により、処理室１０１内の吸着残留ガスの
モニタリング方法を用いる。特定の吸着ガスまたは原子
の吸収ピーク高さをあらかじめ測定しておき、それと比
較することで判定する。もし、判定基準を満たしていな
かったら、吸着残留ガスのプラズマクリーニングプロセ
ス６０２に戻り、プロセス６０２を繰り返す。プロセス
６０３で判定基準を満たしていたら、次のステップ６０
４に進む。Next, an adsorption amount determination 605 is performed. this is,
The monitoring method of the residual gas in the processing chamber 101 is used by the monitoring method of the gas adsorption state as in the embodiment of the present invention described above. The absorption peak height of a specific adsorbed gas or atom is measured in advance, and the determination is made by comparing the measured height. If the determination criteria are not satisfied, the process returns to the plasma cleaning process 602 for the residual gas adsorbed, and the process 602 is repeated. If the judgment criteria are satisfied in the process 603, the next step 60
Proceed to 4.
【００４７】次に、吸着残留ガス置換ガスを処理室１０
１に導入する手順６０４を行う。この手順６０４におい
ては、例えば、Ｈ2Ｏを摂氏約８０度程度に加熱したも
のを導入しても良い。置換ガスは高温であるほど、吸着
残留ガスの除去が早く進行するが、処理室１０１内の部
品を損傷させる恐れも考慮して、その上限温度を決め
る。また、ガス導入管に加熱用ヒータを取り付けても良
い。Next, the adsorbed residual gas replacement gas is supplied to the processing chamber 10.
Step 604 to be introduced into the first step is performed. In this step 604, for example, H 2 O heated to about 80 degrees Celsius may be introduced. The higher the temperature of the replacement gas, the faster the removal of the adsorbed residual gas proceeds. However, the upper limit temperature is determined in consideration of the possibility of damaging components in the processing chamber 101. Further, a heater for heating may be attached to the gas introduction pipe.
【００４８】そこで、図１に示したように、パージガス
供給ライン１０９に加熱装置１１０を入れて、パージガ
スを加熱しても良い。例えば、ガス供給ライン１０９の
チューブのまわりに温度調節可能なヒータを取り付けて
も良い。Therefore, as shown in FIG. 1, a heating device 110 may be inserted into the purge gas supply line 109 to heat the purge gas. For example, a heater whose temperature can be adjusted may be attached around the tube of the gas supply line 109.
【００４９】次に、処理室１０１内を排気する手順６０
５を行い、次に、排気ガス判定６０６を行う。この判定
６０６においては、処理室１０１内から排気されたガス
中の有毒ガス成分を、センサなどで測定し、この後に大
気開放をした場合に有毒ガスが安全値以下、つまり、所
定の判定基準以下となるかを推定する。Next, a procedure 60 for exhausting the inside of the processing chamber 101
5 and then an exhaust gas determination 606 is performed. In this determination 606, the toxic gas component in the gas exhausted from the processing chamber 101 is measured by a sensor or the like, and when the toxic gas is released to the atmosphere thereafter, the toxic gas is equal to or less than a safe value, that is, equal to or less than a predetermined determination criterion. Is estimated.
【００５０】判定６０６において、所定の判定基準が満
たされなければ、手順６０４に戻り、吸着残留ガス置換
ガスを処理室１０１に導入する手順６０４を繰り返す。
判定６０６において、所定の判定基準が満たされれば、
次の大気またはパージガスを導入する手順６０７に進
む。そして、この手順６０７において、処理室１０１内
の圧力が処理室１０１の外圧とほぼ等しくなったら、処
理室１０１を開ける手順６０８へ進む。If it is determined in the determination 606 that the predetermined criterion is not satisfied, the procedure returns to the procedure 604, and the procedure 604 for introducing the adsorbed residual gas replacement gas into the processing chamber 101 is repeated.
In the judgment 606, if a predetermined judgment criterion is satisfied,
Proceed to step 607 for introducing the next atmosphere or purge gas. Then, in this step 607, when the pressure in the processing chamber 101 becomes substantially equal to the external pressure of the processing chamber 101, the procedure proceeds to the step 608 for opening the processing chamber 101.
【００５１】図６に示した手順を行うために、図１に示
すように、処理室１０１の排気ライン１１１の途中に、
有毒ガスセンサ１１２を設けたり、あるいは処理室１０
１の中に直接センサを設置するなどする。In order to carry out the procedure shown in FIG. 6, as shown in FIG.
A toxic gas sensor 112 may be provided or the processing chamber 10
For example, a sensor may be directly installed in 1.
【００５２】以上のように、本発明の実施形態によれ
ば、ドライエッチング装置内の表面に吸着しているガス
の状態を、大気開放することなく分析し、大気解放前に
吸着物質を除去することとが可能な半導体デバイスの製
造方法及び製造装置を実現することができる。As described above, according to the embodiment of the present invention, the state of the gas adsorbed on the surface in the dry etching apparatus is analyzed without opening to the atmosphere, and the adsorbed substance is removed before opening to the atmosphere. And a method and apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of performing the above-described steps.
【００５３】なお、上記に示したような、吸着残留ガス
の除去手順を経て大気開放を始めるための一連の作業
を、半導体デバイスの製造装置の作業者が簡便に行うこ
とができるように、作業開始のためのスイッチを、例え
ば装置の制御部分に設けてもよい。A series of operations for starting the release to the atmosphere through the procedure for removing the adsorbed residual gas as described above is performed so that the operator of the semiconductor device manufacturing apparatus can easily perform the operations. A switch for starting may be provided, for example, in the control part of the device.
【００５４】また、上記パージガスは、Ｈ2Ｏ、ＣＨ3Ｏ
Ｈ、Ｈ2またはＣＨ4のいずれかを混入させたガスであれ
ばよい。The purge gas is H 2 O, CH 3 O
Any gas containing any of H, H 2 and CH 4 may be used.
【００５５】さらに、処理室１０１を大気開放後に発生
する有毒ガスを予測し、予測した有毒ガスの発生を警告
する手段を設けることもできる。Further, it is also possible to provide a means for predicting the toxic gas generated after the processing chamber 101 is opened to the atmosphere, and warning the predicted generation of the toxic gas.
【００５６】[0056]
【発明の効果】ドライエッチング装置内の表面に吸着し
ているガスの状態を、大気開放することなく分析し、大
気解放前に吸着物質を除去することとが可能な半導体デ
バイスの製造方法及び製造装置を実現することができ
る。According to the present invention, a method and a method for manufacturing a semiconductor device capable of analyzing a state of a gas adsorbed on a surface in a dry etching apparatus without opening to the atmosphere and removing adsorbed substances before opening to the atmosphere. The device can be realized.
【００５７】つまり、本発明によれば、処理室を開けた
後でも、処理室から発生する有毒ガスの濃度は、安全基
準値を下回っており、作業者は安全に処理室内のメンテ
ナンス作業などを始めることができる。That is, according to the present invention, even after the processing chamber is opened, the concentration of the toxic gas generated from the processing chamber is lower than the safety standard value, and the operator can safely perform maintenance work in the processing chamber. You can get started.
【００５８】また、本発明による手順の全てまたは一部
の手順を行わずに大気開放していた従来の方法に比べ
て、本発明においては、大気開放後の処理室から発生す
る有毒ガスが安全基準を下回るまでの時間は、大幅に短
縮され、装置が生産稼働をしていない休止時間が短縮さ
れるため、装置の稼働率が向上し、半導体デバイスの生
産コストを削減することができる。Also, in the present invention, the toxic gas generated from the processing chamber after opening to the atmosphere is safer than in the conventional method in which the procedure is opened to the atmosphere without performing all or a part of the procedure according to the present invention. The time until the value falls below the standard is greatly reduced, and the downtime during which the apparatus is not in production operation is reduced, so that the operation rate of the apparatus is improved and the production cost of the semiconductor device can be reduced.
【図１】本発明による実施形態であるガス吸着状態モニ
タ装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a gas adsorption state monitoring device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明によるガス吸着状態のモニタ装置の概略
平断面図である。FIG. 2 is a schematic plan sectional view of a monitoring device in a gas adsorption state according to the present invention.
【図３】本発明によるガス吸着状態をモニタした例を示
すグラフである。FIG. 3 is a graph showing an example of monitoring a gas adsorption state according to the present invention.
【図４】処理室壁面へ入射したイオンをモニタした例を
示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing an example in which ions incident on a processing chamber wall surface are monitored.
【図５】処理室を大気に曝したときのモニタ装置により
検出された例を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing an example detected by a monitor device when a processing chamber is exposed to the atmosphere.
【図６】本発明による吸着残留ガスの除去手順を示すフ
ローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a procedure for removing adsorbed residual gas according to the present invention.
１０１ 処理室 １０２ 入射ガス分析装置 １０３ 試料 １０４ 赤外光導入窓 １０５ ウエハ １０６ コイル １０７ マイクロ波導入管 １０９ パージガス供給ライン １１０ 加熱装置 １１１ 排気ライン １１２ 有毒ガスセンサ ２０１ 赤外光 ２０２ 偏光子 ２０３ 検出器 ２０４ 石英内筒 ２０５ 磁気遮蔽管 101 processing chamber 102 incident gas analyzer 103 sample 104 infrared light introduction window 105 wafer 106 coil 107 microwave introduction tube 109 purge gas supply line 110 heating device 111 exhaust line 112 toxic gas sensor 201 infrared light 202 polarizer 203 detector 204 quartz Inner tube 205 Magnetic shield tube
フロントページの続き (72)発明者 山根 未有希 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 鈴木 慎一 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 勝山 雅則 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 Ｆターム(参考） 5F004 AA00 BA14 BA16 BB11 BB18 CA01 CB02 CB03 CB04 DA00 DA04 DA18 DA22 DA23 DA24 DA25 DB01 DB03 Continued on the front page (72) Inventor Miki Yamane 502 Kandachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref. Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Shinichi Suzuki 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. (72) Inventor Masanori Katsuyama 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo F-term in the Device Development Center, Hitachi, Ltd. 5F004 AA00 BA14 BA16 BB11 BB18 CA01 CB02 CB03 CB04 DA00 DA04 DA18 DA22 DA23 DA24 DA25 DB01 DB03
Claims (8)
を供給し、上記処理室にて半導体デバイスを処理する半
導体デバイスの製造方法において、 上記処理室を大気開放する直前に、Ｈ2Ｏ、ＣＨ3ＯＨ、
Ｈ2またはＣＨ4のいずれかを混入させたパージガスを上
記処理室内に導入し、所定の一定時間放置する、または
プラズマを発生させることによって、処理室内部に吸着
しているプロセスガスの成分を除去することを特徴とす
る半導体デバイスの製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising supplying a process gas from the atmosphere to a sealed processing chamber and processing the semiconductor device in the processing chamber, wherein H 2 O, H 2 O, CH 3 OH,
A purge gas mixed with either H 2 or CH 4 is introduced into the processing chamber and left for a predetermined period of time, or plasma is generated to remove components of the process gas adsorbed in the processing chamber. A method of manufacturing a semiconductor device.
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、 上記処理室を大気開放する直前に、Ｈ2Ｏ、ＣＨ3ＯＨ、
Ｈ2またはＣＨ4のいずれかを混入させたパージガスを上
記処理室内に導入する手段を備え、上記パージガスを上
記処理室内に導入してから所定の一定時間放置する、ま
たはプラズマを発生させることによって、処理室内部に
吸着しているプロセスガスの成分を除去することを特徴
とする半導体デバイスの製造装置。2. A semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, wherein H 2 O and CH 3 are added immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere. OH,
Means for introducing a purge gas into which either H 2 or CH 4 is mixed into the processing chamber, and leaving the purge gas into the processing chamber for a predetermined period of time, or by generating plasma, An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein a component of a process gas adsorbed in a processing chamber is removed.
において、加熱されたパージガスを導入する手段を備え
ることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising means for introducing a heated purge gas.
において、パージガスを加熱するための手段を備えるこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造装置。4. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, further comprising means for heating a purge gas.
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、 上記処理室を大気開放する直前に、処理室内のガスをサ
ンプリングして、処理室内に残留する有毒ガス成分を計
測し、処理室が大気開放された後に発生する有毒ガス量
を予測する手段を備えることを特徴とする半導体デバイ
スの製造装置。5. A semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, wherein the gas in the processing chamber is sampled immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere. And a means for measuring a toxic gas component remaining in the processing chamber and predicting an amount of toxic gas generated after the processing chamber is opened to the atmosphere.
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、 上記処理室を大気開放する直前に、処理室内にパージガ
スを導入してから排気して、排気されるガス中に含まれ
る有毒ガス成分を計測し、処理室が大気開放された後に
発生する有毒ガス量を予測する手段を備えることを特徴
とする半導体デバイスの製造装置。6. A semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, wherein a purge gas is introduced into the processing chamber immediately before the processing chamber is opened to the atmosphere. Manufacturing the semiconductor device, comprising: estimating the amount of toxic gas contained in the exhausted gas after exhausting the exhaust gas and predicting the amount of toxic gas generated after the processing chamber is opened to the atmosphere. apparatus.
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、 上記処理室内の表面に残留または吸着するガス成分を、
特定波長の光の吸収量を測定し、処理室が大気開放され
た直後に発生する有毒ガス量を予測する手段を備えるこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造装置。7. A semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, wherein a gas component remaining or adsorbed on the surface of the processing chamber is
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: means for measuring an absorption amount of light having a specific wavelength and predicting an amount of toxic gas generated immediately after a processing chamber is opened to the atmosphere.
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、 上記処理室内の表面に残留または吸着するガス成分を、
上記処理室の壁面に入射してくる物質を測定し、処理室
が大気開放された直後に発生する有毒ガス量を予測する
手段を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造装
置。8. A semiconductor device manufacturing apparatus having a processing chamber sealed from the atmosphere and a means for supplying a process gas to the processing chamber, wherein a gas component remaining or adsorbed on the surface of the processing chamber is
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: means for measuring a substance incident on a wall surface of the processing chamber and estimating an amount of toxic gas generated immediately after the processing chamber is opened to the atmosphere.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11070506A JP2000269182A (en) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070506A JP2000269182A (en) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269182A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002044696A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Advantest Corporation | Method and apparatus for monitoring environment and apparatus for producing semiconductor |
| JP2008205436A (en) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | Method of manufacturing fine structure |
| WO2023002854A1 (en) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP11070506A patent/JP2000269182A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002044696A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Advantest Corporation | Method and apparatus for monitoring environment and apparatus for producing semiconductor |
| JP2008205436A (en) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | Method of manufacturing fine structure |
| WO2023002854A1 (en) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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