JP2000267137A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2000267137A
JP2000267137A JP7416499A JP7416499A JP2000267137A JP 2000267137 A JP2000267137 A JP 2000267137A JP 7416499 A JP7416499 A JP 7416499A JP 7416499 A JP7416499 A JP 7416499A JP 2000267137 A JP2000267137 A JP 2000267137A
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liquid crystal
electrode
scanning line
display device
line
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Kotaro Ando
藤 浩太郎 安
Nozomi Harada
田 望 原
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching element array substrate capable of preventing dielectric breakdown of switching elements and wiring, and a liquid crystal display device using the substrate. SOLUTION: An electrode Cm and an electrode X1 are oppositely disposed across an insulating film in the neighborhood of a scanning line 1, to form a protective electrostatic capacity. An electrostatic capacity line X connected with this electrode X1 does not hinder the circuit operation on an array substrate, and is connected with common wiring having a large wiring area. Thus, the protective electrostatic capacity has a large capacitance value, and can prevent dielectric breakdown by diffusing the electric charges stored on the scanning line 1 to the protective electrostatic capacity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、並
びに液晶表示装置等において用いられる絶縁基板上にス
イッチング素子が配置されたスイッチング素子アレイ基
板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a switching element array substrate having switching elements disposed on an insulating substrate used in a liquid crystal display device and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶表示装置等で用いられるスイ
ッチング素子アレイ基板を製造する行程において、工程
中に発生する静電気等が原因で過大電位差が生じ、絶縁
基板上の素子が静電破壊、あるいは層間絶縁膜を挟んで
互いに絶縁関係にある配線同士が交差部で絶縁破壊を起
こし、短絡するという問題があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of manufacturing a switching element array substrate used in a liquid crystal display device or the like, an excessive potential difference is generated due to static electricity or the like generated during a process, and an element on an insulating substrate is electrostatically damaged or There is a problem in that wirings that are insulated from each other with an interlayer insulating film interposed therebetween cause dielectric breakdown at intersections and are short-circuited.

【0003】そこで、各種ラインには、一般に保護ダイ
オードが形成される。しかし、製造工程によっては保護
ダイオードを形成する前の段階でいずれかのラインが形
成され、静電破壊を起こす場合があった。
Therefore, protection diodes are generally formed on various lines. However, depending on the manufacturing process, one of the lines is formed at a stage before the protection diode is formed, which may cause electrostatic breakdown.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記事
情に鑑み、スイッチング素子や配線の静電破壊を防止す
ることが可能なスイッチング素子アレイ基板及びこの基
板を用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, the present invention provides a switching element array substrate capable of preventing electrostatic breakdown of switching elements and wirings, and a liquid crystal display device using the substrate. With the goal.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、絶縁基板と、前記絶縁基板上において、互いに交差
するように配列された複数行の走査線及び複数列の信号
線と、前記絶縁基板上において、前記走査線と前記信号
線との交点近傍に配置された複数の画素電極および該画
素電極に対し液晶層を介して対向配置された共通電極か
らなる液晶画素と、前記絶縁基板上において、前記画素
電極毎に配置され、前記走査線、前記信号線及び前記画
素電極に接続されたスイッチング素子と、前記絶縁基板
上に形成され、前記走査線を駆動する走査線駆動回路
と、隣接する前記走査線間に該走査線と電気的に絶縁し
て配置された複数の保護静電容量電極と、前記複数の保
護静電容量電極に対し層間絶縁膜を介して対向配置され
た保護静電容量配線と、前記保護静電容量配線に接続さ
れた電源配線とを具備することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: an insulating substrate; a plurality of rows of scanning lines and a plurality of columns of signal lines arranged so as to cross each other on the insulating substrate; A liquid crystal pixel including a plurality of pixel electrodes disposed near an intersection of the scanning line and the signal line on the substrate and a common electrode opposed to the pixel electrode via a liquid crystal layer; A switching element disposed for each of the pixel electrodes and connected to the scanning line, the signal line, and the pixel electrode; and a scanning line driving circuit formed on the insulating substrate and driving the scanning line; A plurality of protective capacitance electrodes disposed between the scanning lines so as to be electrically insulated from the scanning lines, and a protective electrostatic electrode disposed opposite to the plurality of protective capacitance electrodes via an interlayer insulating film. Capacitance wiring and Characterized by comprising the connected power supply wiring to the protection capacitance wiring.

【0006】ここで、前記保護静電容量電極は、前記走
査線の延在方向に略直交する方向に配列されていてもよ
い。
Here, the protection capacitance electrodes may be arranged in a direction substantially perpendicular to a direction in which the scanning lines extend.

【0007】あるいは、前記保護静電容量電極は、前記
走査線と同一の層で形成されていてもよい。
[0007] Alternatively, the protection capacitance electrode may be formed in the same layer as the scanning line.

【0008】あるいはまた、前記保護静電容量電極は、
前記液晶画素の配置された有効表示領域と前記走査線駆
動回路形成領域との間に形成されていてもよい。
Alternatively, the protective capacitance electrode is
It may be formed between the effective display area where the liquid crystal pixels are arranged and the scanning line drive circuit formation area.

【0009】また、前記電源ラインは、前記共通電極に
電圧を供給する電源ラインであってもよい。
Further, the power supply line may be a power supply line for supplying a voltage to the common electrode.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態に
ついて、図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0011】図2に、本実施の形態における液晶表示装
置の概略構成を示す。
FIG. 2 shows a schematic configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment.

【0012】ガラスなどの絶縁基板10上には、複数の
走査線1及び信号線23が図示しない層間絶縁膜を介し
て互いに交差するように配置され、それぞれの交点部分
に配置された画素電極22は、TFT21を介して信号
線23に接続されている。このTFT21は、いわゆる
スタガ型構造で構成され、基板面から順に、多結晶シリ
コン半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁
膜、ソース電極及びドレイン電極が積層されてなる。ソ
ース電極及びドレイン電極は、多結晶シリコン半導体層
中に不純物を導入して形成されたソース領域及びドレイ
ン領域に接続される。またゲート電極は走査線1に接続
され、一方ドレイン電極は信号線23に接続される。
A plurality of scanning lines 1 and signal lines 23 are arranged on an insulating substrate 10 made of glass or the like so as to intersect with each other via an interlayer insulating film (not shown), and a pixel electrode 22 arranged at each intersection. Are connected to a signal line 23 via a TFT 21. The TFT 21 has a so-called staggered structure, and is formed by stacking a polycrystalline silicon semiconductor layer, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film, a source electrode, and a drain electrode in order from the substrate surface. The source electrode and the drain electrode are connected to a source region and a drain region formed by introducing impurities into the polycrystalline silicon semiconductor layer. The gate electrode is connected to the scanning line 1, while the drain electrode is connected to the signal line 23.

【0013】また基板10の周辺部には、走査線を駆動
する走査線駆動回路25及び信号線を駆動する信号線駆
動回路24が一体的に形成されている。これら走査線駆
動回路25及び信号線駆動回路24は、TFT21と同
一の層構造を有している。
A scanning line driving circuit 25 for driving the scanning lines and a signal line driving circuit 24 for driving the signal lines are integrally formed on the periphery of the substrate 10. The scanning line driving circuit 25 and the signal line driving circuit 24 have the same layer structure as the TFT 21.

【0014】また図示しない対向基板が基板10に液晶
層を介して対向配置され、この対向基板内主面に形成さ
れた対向共通電極が画素電極22と液晶層を介して容量
結合することにより液晶画素を構成している。
An opposing substrate (not shown) is disposed opposite the substrate 10 with a liquid crystal layer interposed therebetween, and an opposing common electrode formed on the main surface of the opposing substrate is capacitively coupled to the pixel electrode 22 via the liquid crystal layer, thereby forming a liquid crystal. A pixel.

【0015】また基板10の外周に沿って対向共通電極
に電圧を供給するためのコモン配線26が形成されてい
る。コモン配線26はTFT21の電極と同一の層で形
成され、本実施の形態においてはソース及びドレイン電
極形成時にこれら電極の層と同一の層で形成される。こ
のコモン配線26は銀ペーストなどの導電接続手段によ
り対向共通電極と接続される。
A common wiring 26 for supplying a voltage to the opposing common electrode is formed along the outer periphery of the substrate 10. The common wiring 26 is formed in the same layer as the electrodes of the TFT 21. In the present embodiment, the common wiring 26 is formed in the same layer as the layers of these electrodes when forming the source and drain electrodes. The common wiring 26 is connected to the opposing common electrode by conductive connection means such as silver paste.

【0016】また液晶がその配置された有効表示領域と
走査線駆動回路25との間の領域には、保護静電容量が
配置される。図2には保護静電容量を形成する保護静電
容量配線Xの形成位置が示されている。この保護静電容
量配線Xは図1に図示するように隣接走査線間に配置さ
れた保護静電容量電極と対向配置されることにより保護
静電容量を構成する。保護静電容量配線XはTFT21
の半導体層と同一の層で形成され、一方保護静電容量電
極はTFT21のゲートと同一の層で形成される。そし
て保護静電容量配線と保護静電容量電極とは、ゲート絶
縁膜を挟んで対向配置される。
In a region between the effective display region where the liquid crystal is disposed and the scanning line driving circuit 25, a protection capacitance is disposed. FIG. 2 shows the formation position of the protection capacitance wiring X that forms the protection capacitance. As shown in FIG. 1, the protection capacitance wiring X constitutes a protection capacitance by being arranged opposite to a protection capacitance electrode arranged between adjacent scanning lines. The protection capacitance wiring X is a TFT 21
The protective capacitance electrode is formed in the same layer as the gate of the TFT 21. The protection capacitance wiring and the protection capacitance electrode are arranged to face each other with the gate insulating film interposed therebetween.

【0017】図1に、本実施の形態による液晶表示装置
の保護静電容量形成部位の構成を示す。絶縁基板10上
において、複数列の走査線1と、図示されていない複数
行の信号線とが配列され、交点において図示されていな
い画素電極が配置され、画素電極近傍にTFTから成る
スイッチング素子が配置されている。TFTのゲートは
走査線1に接続され、ドレインは信号線に接続され、ソ
ースは画素電極に接続されている。さらに、画素電極の
近傍には、図示されていない補助容量Csが形成されて
いる。
FIG. 1 shows a configuration of a protection capacitance forming portion of the liquid crystal display device according to the present embodiment. On the insulating substrate 10, scanning lines 1 in a plurality of columns and signal lines in a plurality of rows (not shown) are arranged, pixel electrodes (not shown) are arranged at intersections, and switching elements made of TFTs are provided near the pixel electrodes. Are located. The gate of the TFT is connected to the scanning line 1, the drain is connected to the signal line, and the source is connected to the pixel electrode. Further, an auxiliary capacitance Cs (not shown) is formed near the pixel electrode.

【0018】補助容量Csには、モリブデンタングステ
ンから成る下層の補助容量線2mと、絶縁膜を介してそ
の上層に配置され、コンタクトホール2cにおいて接続
されたアルミニウムから成る補助容量線2aとで構成さ
れた補助容量線2が接続されている。
The auxiliary capacitance Cs is composed of a lower auxiliary capacitance line 2m made of molybdenum tungsten and an auxiliary capacitance line 2a made of aluminum and arranged in an upper layer via an insulating film and connected at a contact hole 2c. The auxiliary capacitance line 2 is connected.

【0019】走査線1は、モリブデンタングステンから
成る下層の走査線1mと、絶縁膜を介してその上層に配
置され、コンタクトホール1cにおいて接続されたアル
ミニウムから成る走査線1aとが接続されている。この
走査線1は、図示されていない走査線駆動回路に接続さ
れ、TFTのゲートにゲート信号を供給する。
The scanning line 1 is connected to a lower scanning line 1m made of molybdenum tungsten and an upper scanning line 1a made of aluminum connected through a contact hole 1c via an insulating film. The scanning line 1 is connected to a scanning line driving circuit (not shown) and supplies a gate signal to the gate of the TFT.

【0020】走査線1に蓄積された電荷を拡散させるた
めに、走査線1の近傍に島状の第1電極Cmを配置す
る。この第1電極Cmと絶縁膜を介して第2電極X1が
配置され、第1電極Cmと第2電極X1とで保護用の静
電容量を構成している。第2電極X1には、保護静電容
量線Xが接続されている。
In order to diffuse the electric charge stored in the scanning line 1, an island-shaped first electrode Cm is arranged near the scanning line 1. The second electrode X1 is arranged via the first electrode Cm and the insulating film, and the first electrode Cm and the second electrode X1 constitute a protective capacitance. The protection capacitance line X is connected to the second electrode X1.

【0021】そして、本実施の形態によれば、保護静電
容量線Xの両端はコモン配線に接続している。コモン配
線は、スイッチング素子アレイ基板の周辺領域に設けら
れ、対向基板に設けられた対向電極に共通電位を給電す
るための配線であって、一般にアレイ基板上で最も太く
長い配線である。従って、ある一定電荷を与えたときの
電位変動がスイッチング素子アレイ基板上で最も小さい
配線である。このようなコモン配線に配線Xの両端を接
続することによって、配線Xに一定電荷を与えたときの
電位変動が小さくなるので、走査線1に蓄積された電荷
を安全に拡散させることができる。従って、走査線1の
静電破壊を確実に防止することができる。また、コモン
配線はアレイ基板上の駆動回路素子やTFTには直接接
続されていない。したがって、この配線に保護静電容量
線Xを接続してもアレイ基板の回路動作に支障を与えな
い。
According to the present embodiment, both ends of the protection capacitance line X are connected to the common wiring. The common wiring is provided in a peripheral region of the switching element array substrate, and is a wiring for supplying a common potential to a counter electrode provided on the counter substrate, and is generally the thickest and longest wiring on the array substrate. Therefore, this is the wiring with the smallest potential variation on the switching element array substrate when a certain constant charge is applied. By connecting both ends of the wiring X to such a common wiring, a change in potential when a constant charge is applied to the wiring X is reduced, so that the charges accumulated in the scanning line 1 can be safely diffused. Accordingly, electrostatic breakdown of the scanning line 1 can be reliably prevented. Further, the common wiring is not directly connected to the driving circuit elements and the TFTs on the array substrate. Therefore, even if the protection capacitance line X is connected to this wiring, it does not affect the circuit operation of the array substrate.

【0022】上述した実施の形態は一例であって、本発
明を限定するものではない。例えば、上記実施の形態で
は保護静電容量を構成する線Xの両端が、共通配線に接
続されている。しかし、共通配線に限らずスイッチング
素子アレイ基板上で比較的面積の大きい配線パターンで
あって、アレイ基板の回路動作に支障を与えないもので
あれば、他の電源配線に接続していても同様な効果が得
られる。
The above-described embodiment is merely an example, and does not limit the present invention. For example, in the above embodiment, both ends of the line X constituting the protection capacitance are connected to the common wiring. However, as long as the wiring pattern is not limited to the common wiring and has a relatively large area on the switching element array substrate and does not interfere with the circuit operation of the array substrate, the same applies to the case where the wiring pattern is connected to another power supply wiring. Effects can be obtained.

【0023】また、上記実施の形態では保護対象を走査
線1とし、走査線1の近傍に保護用静電容量として第1
電極Cmと第2電極X1とを絶縁膜を介して対向配置し
ている。しかし、保護対象を信号線や補助容量線等の他
の配線、あるいはスイッチング素子としてのTFT付近
とすることも可能である。この場合には、保護対象の近
傍に上記実施の形態で示したような保護静電容量を配置
すればよい。図1に示した上記実施の形態においても、
第1電極Cm及び第2電極X1は、走査線1のみならず
補助容量線2の近傍にも位置している。従って、走査線
1のみならず補助容量線2に蓄積された電荷をも確実に
拡散させることが可能である。
In the above embodiment, the scanning line 1 is the object to be protected, and the first line is provided near the scanning line 1 as a protection capacitance.
The electrode Cm and the second electrode X1 are arranged to face each other via an insulating film. However, the object to be protected can be another wiring such as a signal line or an auxiliary capacitance line, or the vicinity of a TFT as a switching element. In this case, the protection capacitance as described in the above embodiment may be arranged near the protection target. In the above embodiment shown in FIG.
The first electrode Cm and the second electrode X1 are located not only near the scanning line 1 but also near the auxiliary capacitance line 2. Therefore, it is possible to reliably diffuse not only the scanning line 1 but also the electric charge accumulated in the auxiliary capacitance line 2.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のスイッチ
ング素子アレイ基板及び液晶表示装置によれば、走査
線、信号線、スイッチング素子、又は補助容量線の少な
くともいずれか一つの近傍に配置された保護静電容量の
一方の電極に接続された保護静電容量線が、絶縁基板上
の配線のうち回路動作に支障を与えないいずれかの配線
と電気的に接続しているため保護静電容量の容量が大き
く、走査線等に蓄積された電荷が保護静電容量に拡散し
た場合にも電位の変化が小さく、走査線等の静電破壊を
確実に防止することができる。
As described above, according to the switching element array substrate and the liquid crystal display device of the present invention, the switching element array substrate and the liquid crystal display device are arranged near at least one of the scanning line, the signal line, the switching element, and the auxiliary capacitance line. The protection capacitance line connected to one electrode of the protection capacitance is electrically connected to one of the wirings on the insulating substrate that does not interfere with the circuit operation. Is large, the change in potential is small even when the charge accumulated in the scanning line or the like diffuses into the protective capacitance, and the electrostatic breakdown of the scanning line or the like can be reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による液晶表示装置に用
いられるスイッチング素子アレイ基板の構成を示した平
面図。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a switching element array substrate used in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の液晶表示装置に用いられるスイッチング
素子アレイ基板の構成を示した平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a switching element array substrate used in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 走査線 1m モリブデンタングステン配線(走査線) 1a アルミニウム配線(走査線) 1c、2c コンタクトホール 2 補助容量線 10 絶縁基板 2m モリブデンタングステン配線(補助容量線) 2a アルミニウム配線(補助容量線) Cm、X1 第1電極 X1 第2電極 X 保護静電容量線 21 TFT 22 画素電極 23 信号線 24 信号線駆動回路 25 走査線駆動回路 26 コモン配線 Reference Signs List 1 scanning line 1m molybdenum tungsten wiring (scanning line) 1a aluminum wiring (scanning line) 1c, 2c contact hole 2 auxiliary capacitance line 10 insulating substrate 2m molybdenum tungsten wiring (auxiliary capacitance line) 2a aluminum wiring (auxiliary capacitance line) Cm, X1 First electrode X1 Second electrode X Protection capacitance line 21 TFT 22 Pixel electrode 23 Signal line 24 Signal line drive circuit 25 Scan line drive circuit 26 Common wiring

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板と、 前記絶縁基板上において、互いに交差するように配列さ
れた複数行の走査線及び複数列の信号線と、 前記絶縁基板上において、前記走査線と前記信号線との
交点近傍に配置された複数の画素電極および該画素電極
に対し液晶層を介して対向配置された共通電極からなる
液晶画素と、 前記絶縁基板上において、前記画素電極毎に配置され、
前記走査線、前記信号線及び前記画素電極に接続された
スイッチング素子と、 前記絶縁基板上に形成され、前記走査線を駆動する走査
線駆動回路と、 隣接する前記走査線間に該走査線と電気的に絶縁して配
置された複数の保護静電容量電極と、前記複数の保護静
電容量電極に対し層間絶縁膜を介して対向配置された保
護静電容量配線と、 前記保護静電容量配線に接続された電源配線とを具備す
ることを特徴とする液晶表示装置。
An insulating substrate; a plurality of rows of scanning lines and a plurality of columns of signal lines arranged to intersect with each other on the insulating substrate; and the scanning lines and the signal lines on the insulating substrate. A plurality of pixel electrodes arranged in the vicinity of the intersection of and a liquid crystal pixel consisting of a common electrode opposed to the pixel electrode via a liquid crystal layer, and on the insulating substrate, arranged for each of the pixel electrodes,
A switching element connected to the scanning line, the signal line, and the pixel electrode; a scanning line driving circuit formed on the insulating substrate to drive the scanning line; and a scanning line between adjacent scanning lines. A plurality of protection capacitance electrodes arranged electrically insulated; a protection capacitance wiring disposed opposite to the plurality of protection capacitance electrodes via an interlayer insulating film; A liquid crystal display device, comprising: a power supply wiring connected to the wiring.
【請求項2】前記保護静電容量電極は、前記走査線の延
在方向に略直交する方向に配列されていることを特徴と
する請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said protection capacitance electrodes are arranged in a direction substantially orthogonal to a direction in which said scanning lines extend.
【請求項3】前記保護静電容量電極は、前記走査線と同
一の層で形成されていることを特徴とする請求項1記載
の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said protective capacitance electrode is formed in the same layer as said scanning line.
【請求項4】前記保護静電容量電極は、前記液晶画素の
配置された有効表示領域と前記走査線駆動回路形成領域
との間に形成されていることを特徴とする請求項1記載
の液晶表示装置。
4. The liquid crystal according to claim 1, wherein said protection capacitance electrode is formed between an effective display area where said liquid crystal pixels are arranged and said scanning line drive circuit formation area. Display device.
【請求項5】前記電源ラインは、前記共通電極に電圧を
供給する電源ラインであることを特徴とする請求項1記
載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said power supply line is a power supply line for supplying a voltage to said common electrode.
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