JP2000260744A - ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 - Google Patents
ウエットエッチング制御方法、および半導体装置Info
- Publication number
- JP2000260744A JP2000260744A JP11058064A JP5806499A JP2000260744A JP 2000260744 A JP2000260744 A JP 2000260744A JP 11058064 A JP11058064 A JP 11058064A JP 5806499 A JP5806499 A JP 5806499A JP 2000260744 A JP2000260744 A JP 2000260744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- gaas
- ascorbic acid
- wet etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】選択性を劣化させることなくエッチング速度を
素子設計に合せて制御できるウエットエッチング制御方
法を提供する。 【解決手段】有機酸に対して０〜７５％程度のアスコル
ビン酸を混合し、従来の有機酸系エッチング液と同様な
ｐＨ、過酸化水素濃度条件においてエッチング加工を行
う。
素子設計に合せて制御できるウエットエッチング制御方
法を提供する。 【解決手段】有機酸に対して０〜７５％程度のアスコル
ビン酸を混合し、従来の有機酸系エッチング液と同様な
ｐＨ、過酸化水素濃度条件においてエッチング加工を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造技術
に係り、特に化合物半導体ヘテロ構造を有し、これらの
選択エッチングを必要とする化合物半導体装置製造技術
に関する。
に係り、特に化合物半導体ヘテロ構造を有し、これらの
選択エッチングを必要とする化合物半導体装置製造技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ等化合物半導体素子の製作工程
において、エッチング加工は重要で、とりわけヘテロ構
造の一方の半導体のみを選択的に加工する選択エッチン
グ技術は現在のヘテロ接合素子形成には必要不可欠とな
っている。
において、エッチング加工は重要で、とりわけヘテロ構
造の一方の半導体のみを選択的に加工する選択エッチン
グ技術は現在のヘテロ接合素子形成には必要不可欠とな
っている。
【０００３】従来、ドライエッチングによる方法、例え
ばジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス・２０
巻・１１冊・Ｌ８４７−Ｌ８５０頁・１９８１年（Jour
nalof Applied Physics,vol.20,No.11,p.L847-L850）
に記載されているように、高選択性と加工形状制御の面
で優れていた。しかしながら、これらの方法ではエッチ
ング加工時に印加する高周波プラズマの影響で活性層に
損傷が侵入することが分かり、問題となった。
ばジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス・２０
巻・１１冊・Ｌ８４７−Ｌ８５０頁・１９８１年（Jour
nalof Applied Physics,vol.20,No.11,p.L847-L850）
に記載されているように、高選択性と加工形状制御の面
で優れていた。しかしながら、これらの方法ではエッチ
ング加工時に印加する高周波プラズマの影響で活性層に
損傷が侵入することが分かり、問題となった。
【０００４】そこで、例えばジャーナル・オブ・ヴァキ
ューム・サイエンス・テクノロジー・Ｂ１５巻・１冊・
１６７−１７０頁（Journal of Vacuum Science Te
chnology,B15,1,p.167-170）に記載されているような、
有機酸を用いてｐＨを制御することにより選択加工する
方法が提案され、損傷とは無縁の加工方法として利用さ
れている。しかしながら、この方法においても高性能化
され薄層化された素子の加工においてはエッチング速度
が約２００nm／minと高速過ぎ、サイドエッチング量の
制御等が困難であり、高選択性を維持しながらデバイス
設計に合せてエッチング速度を調節できる高度なウエッ
トエッチング制御方法が望まれていた。
ューム・サイエンス・テクノロジー・Ｂ１５巻・１冊・
１６７−１７０頁（Journal of Vacuum Science Te
chnology,B15,1,p.167-170）に記載されているような、
有機酸を用いてｐＨを制御することにより選択加工する
方法が提案され、損傷とは無縁の加工方法として利用さ
れている。しかしながら、この方法においても高性能化
され薄層化された素子の加工においてはエッチング速度
が約２００nm／minと高速過ぎ、サイドエッチング量の
制御等が困難であり、高選択性を維持しながらデバイス
設計に合せてエッチング速度を調節できる高度なウエッ
トエッチング制御方法が望まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、選択ウエットエッチングにより化合物半導
体ヘテロ構造を加工する際、選択性能を低下させること
なくエッチング速度の制御を行い、エッチング制御性・
歩留まり向上を可能とするウエットエッチング制御方法
を提供することにある。
する課題は、選択ウエットエッチングにより化合物半導
体ヘテロ構造を加工する際、選択性能を低下させること
なくエッチング速度の制御を行い、エッチング制御性・
歩留まり向上を可能とするウエットエッチング制御方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
ヘテロ構造において、ＧａＡｓのみを選択的に加工する
手段としてクエン酸−過酸化水素−アンモニア−水系の
ウエットエッチング液があり、ｐＨを６〜８に調節する
ことにより選択加工が可能となる。このエッチング液の
クエン酸にアスコルビン酸を混合すると、エッチング選
択性を低下させることなく、エッチング速度をクエン酸
のみの場合の値から約１／２まで低下させることができ
る。
ヘテロ構造において、ＧａＡｓのみを選択的に加工する
手段としてクエン酸−過酸化水素−アンモニア−水系の
ウエットエッチング液があり、ｐＨを６〜８に調節する
ことにより選択加工が可能となる。このエッチング液の
クエン酸にアスコルビン酸を混合すると、エッチング選
択性を低下させることなく、エッチング速度をクエン酸
のみの場合の値から約１／２まで低下させることができ
る。
【０００７】図１に上記クエン酸とアスコルビン酸の混
合割合とＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓエッチング速度の関係
を示す。これによると、アスコルビン酸０％（クエン酸
１００％）の場合のＧａＡｓエッチング速度約２４０nm
／minがアスコルビン酸７５％では約１１０nm／minと、
１／２以下に低下している。ＡｌＧａＡｓのエッチング
速度もアスコルビン酸５０％までは低下する傾向にあ
り、アスコルビン酸７５％までは良好な選択性が維持さ
れていることが分かる。
合割合とＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓエッチング速度の関係
を示す。これによると、アスコルビン酸０％（クエン酸
１００％）の場合のＧａＡｓエッチング速度約２４０nm
／minがアスコルビン酸７５％では約１１０nm／minと、
１／２以下に低下している。ＡｌＧａＡｓのエッチング
速度もアスコルビン酸５０％までは低下する傾向にあ
り、アスコルビン酸７５％までは良好な選択性が維持さ
れていることが分かる。
【０００８】図２にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択性とア
スコルビン酸混合割合の関係を示す。選択性はアスコル
ビン酸混合割合２５％〜５０％までの範囲でアスコルビ
ン酸無添加の場合よりも約２０％程向上している。アス
コルビン酸混合割合７５％まではＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓで
８０以上、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓで３５以上と十分な選択
性が維持されるが、８０％以上では急激に低下し、選択
比はほとんど１に近づいている。このアスコルビン酸混
合割合０〜７５％までの効果を利用すれば、ＧａＡｓ／
ＡｌＧａＡｓ選択性を十分維持しながら、ＧａＡｓエッ
チング速度を応用しやすい値に調節することができ、薄
層化された高性能素子を加工する場合などにプロセスマ
ージンを大きくとることが可能となる。
スコルビン酸混合割合の関係を示す。選択性はアスコル
ビン酸混合割合２５％〜５０％までの範囲でアスコルビ
ン酸無添加の場合よりも約２０％程向上している。アス
コルビン酸混合割合７５％まではＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓで
８０以上、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓで３５以上と十分な選択
性が維持されるが、８０％以上では急激に低下し、選択
比はほとんど１に近づいている。このアスコルビン酸混
合割合０〜７５％までの効果を利用すれば、ＧａＡｓ／
ＡｌＧａＡｓ選択性を十分維持しながら、ＧａＡｓエッ
チング速度を応用しやすい値に調節することができ、薄
層化された高性能素子を加工する場合などにプロセスマ
ージンを大きくとることが可能となる。
【０００９】また、アスコルビン酸の混合割合が２５〜
５０％の範囲では、選択性が約２０％向上しており、従
来法では困難であったＡｌ混晶比が０．１５以下のＡｌ
ＧａＡｓに対しても６５以上の高選択性が確保される。
これらの現象を応用し、エッチング条件を最適化するこ
とでこれまで作製困難であった新規素子への応用や、エ
ッチング停止層の薄層化やＡｌ混晶比の低下が可能にな
ることによるソース抵抗抑制効果等の素子性能向上や歩
留まり向上が期待できる。
５０％の範囲では、選択性が約２０％向上しており、従
来法では困難であったＡｌ混晶比が０．１５以下のＡｌ
ＧａＡｓに対しても６５以上の高選択性が確保される。
これらの現象を応用し、エッチング条件を最適化するこ
とでこれまで作製困難であった新規素子への応用や、エ
ッチング停止層の薄層化やＡｌ混晶比の低下が可能にな
ることによるソース抵抗抑制効果等の素子性能向上や歩
留まり向上が期待できる。
【００１０】さらに、クエン酸以外のｐＨ調整を利用す
る有機酸系エッチング液に対しても同様な効果が得られ
る。例えば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓヘテロ構造の
ＩｎＧａＡｓのみを選択的に加工するアジピン酸系エッ
チング液においても、アスコルビン酸混合によりエッチ
ング速度制御や選択性向上の効果が得られる。
る有機酸系エッチング液に対しても同様な効果が得られ
る。例えば、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓヘテロ構造の
ＩｎＧａＡｓのみを選択的に加工するアジピン酸系エッ
チング液においても、アスコルビン酸混合によりエッチ
ング速度制御や選択性向上の効果が得られる。
【００１１】図３はｐＨ５．５、アジピン酸＋アスコル
ビン酸濃度１７％、過酸化水素濃度３％、３０℃の条件
におけるアスコルビン酸混合割合Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ、
Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓエッチング速度、選択性の関係を示
す。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系選択エッチングと同様
に、エッチング速度は低下する傾向にあり、アスコルビ
ン酸混合割合０％〜７５％までの間に約１／２まで変化
する。選択比としてはやはりアスコルビン酸２５〜５０
％において、アスコルビン酸無添加に比較して２５％程
度向上している。アスコルビン酸を混合し、０〜７５％
までの範囲で最適化した条件を選ぶことで、これまで作
製が困難であったＩｎＰ系電子デバイスの実現や製作歩
留まりの大幅な向上が期待できる。
ビン酸濃度１７％、過酸化水素濃度３％、３０℃の条件
におけるアスコルビン酸混合割合Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ、
Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓエッチング速度、選択性の関係を示
す。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系選択エッチングと同様
に、エッチング速度は低下する傾向にあり、アスコルビ
ン酸混合割合０％〜７５％までの間に約１／２まで変化
する。選択比としてはやはりアスコルビン酸２５〜５０
％において、アスコルビン酸無添加に比較して２５％程
度向上している。アスコルビン酸を混合し、０〜７５％
までの範囲で最適化した条件を選ぶことで、これまで作
製が困難であったＩｎＰ系電子デバイスの実現や製作歩
留まりの大幅な向上が期待できる。
【００１２】これらの現象は、アスコルビン酸の添加が
ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓのエッチング速度を低下させる
が、それ以上にエッチング停止層に用いているＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＡｌＡｓのエッチング速度を低下させるため
に生ずるものである。アスコルビン酸８０％以上の条件
では選択性が発現しないため、エッチング反応自体の変
化ではなく、エッチング停止反応に影響を与えることで
本発明の効果が得られるものである。エッチング反応に
は影響を与えないため、エッチング加工後の断面形状は
アスコルビン酸添加前後で全く変化は見られなかった。
ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓのエッチング速度を低下させる
が、それ以上にエッチング停止層に用いているＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＡｌＡｓのエッチング速度を低下させるため
に生ずるものである。アスコルビン酸８０％以上の条件
では選択性が発現しないため、エッチング反応自体の変
化ではなく、エッチング停止反応に影響を与えることで
本発明の効果が得られるものである。エッチング反応に
は影響を与えないため、エッチング加工後の断面形状は
アスコルビン酸添加前後で全く変化は見られなかった。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施例１）図４は本発明のウエ
ットエッチングをＧａＡｓ系ＨＥＭＴ（High Electron
Mobility Transistor）素子作製に応用した一例であ
る。このＨＥＭＴ素子は３段リセスオフセットゲート構
造となっており、ゲート電極形成までに３回のリセス工
程を行う。図において１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャリア供給層、３はＩｎ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓチャネル層、４はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャ
リア供給層、５はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層、６は
Ｐｌａｎａｒドープ層、７はｎ−ＧａＡｓカバー層、８
はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッチング停止層、９はｎ+−
ＧａＡｓキャップ層、１０はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッ
チング停止層、１１はｎ+−ＧａＡｓキャップ層、１２
はＳｉＯ2、１３はＰＳＧ、１４はソース・ドレイン電
極、１５はゲートリセス用マスク（ＳｉＯ2／ＰＳＧ多
層膜）、１６はゲート電極である。
ットエッチングをＧａＡｓ系ＨＥＭＴ（High Electron
Mobility Transistor）素子作製に応用した一例であ
る。このＨＥＭＴ素子は３段リセスオフセットゲート構
造となっており、ゲート電極形成までに３回のリセス工
程を行う。図において１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は
Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャリア供給層、３はＩｎ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓチャネル層、４はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャ
リア供給層、５はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層、６は
Ｐｌａｎａｒドープ層、７はｎ−ＧａＡｓカバー層、８
はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッチング停止層、９はｎ+−
ＧａＡｓキャップ層、１０はＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッ
チング停止層、１１はｎ+−ＧａＡｓキャップ層、１２
はＳｉＯ2、１３はＰＳＧ、１４はソース・ドレイン電
極、１５はゲートリセス用マスク（ＳｉＯ2／ＰＳＧ多
層膜）、１６はゲート電極である。
【００１４】まず、レジストマスクを利用して本発明の
ウエットエッチングにより予め１段目と２段目のリセス
エッチングを行う。エッチング液としてはクエン酸−Ｌ
アスコルビン酸−過酸化水素−アンモニア−水系エッチ
ング液を利用した。エッチング条件は、クエン酸＋アス
コルビン酸濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割合４
０％、過酸化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（アンモ
ニアにより調整）、エッチング温度３０±０．１℃であ
る。厚さ３nmのＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層８、１０をエッ
チング停止層として、それぞれ幅０．４５μm・厚さ７
０nm、幅１．２μm、厚さ８０nmの加工寸法でｎ+−Ｇａ
Ａｓキャップ層９、１１の加工を行う（図４（ａ））。
ウエットエッチングにより予め１段目と２段目のリセス
エッチングを行う。エッチング液としてはクエン酸−Ｌ
アスコルビン酸−過酸化水素−アンモニア−水系エッチ
ング液を利用した。エッチング条件は、クエン酸＋アス
コルビン酸濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割合４
０％、過酸化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（アンモ
ニアにより調整）、エッチング温度３０±０．１℃であ
る。厚さ３nmのＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ層８、１０をエッ
チング停止層として、それぞれ幅０．４５μm・厚さ７
０nm、幅１．２μm、厚さ８０nmの加工寸法でｎ+−Ｇａ
Ａｓキャップ層９、１１の加工を行う（図４（ａ））。
【００１５】ここで、本発明のウエットエッチング制御
方法により選択性の良好なアスコルビン酸混合割合４０
％の条件で加工を行ったため、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ停
止層厚３nmでも有効にエッチング停止が可能となり、大
幅に歩留まりが向上した。
方法により選択性の良好なアスコルビン酸混合割合４０
％の条件で加工を行ったため、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ停
止層厚３nmでも有効にエッチング停止が可能となり、大
幅に歩留まりが向上した。
【００１６】次に絶縁膜１２と平坦化膜１３による多層
膜構造と電子線描画、絶縁膜ドライエッチングによりゲ
ートマスク１５の形成を行い（図４（ｂ）、（ｃ））、
本発明のウエットエッチング制御方法により３段目のゲ
ートリセス加工を行った（図４（ｄ））。
膜構造と電子線描画、絶縁膜ドライエッチングによりゲ
ートマスク１５の形成を行い（図４（ｂ）、（ｃ））、
本発明のウエットエッチング制御方法により３段目のゲ
ートリセス加工を行った（図４（ｄ））。
【００１７】厚さ３０nmのｎ−ＧａＡｓカバー層７を選
択的にエッチング除去し、サイドエッチングにより幅
０．４５μmの開口を形成する。エッチング停止層とし
ては１５nmのＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層５を利用し
ている。エッチング条件は、クエン酸＋アスコルビン酸
濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割合７０％、過酸
化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（アンモニアにより
調整）、エッチング温度３０±０．１℃である。このエ
ッチング条件を選択することにより、ＧａＡｓエッチン
グ速度を従来の２３０nm／minから１１０nm／minに抑制
でき、サイドエッチング量の厳密な制御とエッチング停
止層での有効な停止が可能となった。最後にゲート電極
１６を形成した（図４（ｅ））。
択的にエッチング除去し、サイドエッチングにより幅
０．４５μmの開口を形成する。エッチング停止層とし
ては１５nmのＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層５を利用し
ている。エッチング条件は、クエン酸＋アスコルビン酸
濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割合７０％、過酸
化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（アンモニアにより
調整）、エッチング温度３０±０．１℃である。このエ
ッチング条件を選択することにより、ＧａＡｓエッチン
グ速度を従来の２３０nm／minから１１０nm／minに抑制
でき、サイドエッチング量の厳密な制御とエッチング停
止層での有効な停止が可能となった。最後にゲート電極
１６を形成した（図４（ｅ））。
【００１８】本発明の効果により歩留まりが従来に比較
して約４０％向上した。本実施例はＧａＡｓ系ＨＥＭＴ
素子について述べたが、もちろんこのＨＥＭＴ素子を基
本構造とするＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integ
rated Circuit）などの集積回路にも有効である。実際
に本発明を本実施例のＧａＡｓ系ＨＥＭＴを基本構造と
するミリ波ＭＭＩＣに応用したところ、７７ＧＨｚにお
いて１０ｄＢ以上の高周波利得が得られた。
して約４０％向上した。本実施例はＧａＡｓ系ＨＥＭＴ
素子について述べたが、もちろんこのＨＥＭＴ素子を基
本構造とするＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integ
rated Circuit）などの集積回路にも有効である。実際
に本発明を本実施例のＧａＡｓ系ＨＥＭＴを基本構造と
するミリ波ＭＭＩＣに応用したところ、７７ＧＨｚにお
いて１０ｄＢ以上の高周波利得が得られた。
【００１９】また、さらに本発明によるＡｌxＧａ1-xＡ
ｓバリア層５のＡｌ混晶比率ｘの低下や膜厚の低下を行
うことで、より高性能な化合物半導体素子や集積回路が
達成できる。例えば上記実施例の３段目のリセス加工に
おいて（図４（ｄ））、ＡｌＧａＡｓ停止層のＡｌ混晶
比率ｘを０．１、膜厚を１０nm、またはＡｌ混晶比率x
を０．２５、膜厚を３nmと結晶構造を設計し、本発明の
ウエットエッチング制御方法を利用することによりソー
ス抵抗が大幅に抑制され、さらに集積回路の高周波特性
が改善される。実際に、ミリ波ＭＭＩＣに応用したとこ
ろ、７７ＧＨｚにおいて１３ｄＢ以上という高周波利得
を達成できた。
ｓバリア層５のＡｌ混晶比率ｘの低下や膜厚の低下を行
うことで、より高性能な化合物半導体素子や集積回路が
達成できる。例えば上記実施例の３段目のリセス加工に
おいて（図４（ｄ））、ＡｌＧａＡｓ停止層のＡｌ混晶
比率ｘを０．１、膜厚を１０nm、またはＡｌ混晶比率x
を０．２５、膜厚を３nmと結晶構造を設計し、本発明の
ウエットエッチング制御方法を利用することによりソー
ス抵抗が大幅に抑制され、さらに集積回路の高周波特性
が改善される。実際に、ミリ波ＭＭＩＣに応用したとこ
ろ、７７ＧＨｚにおいて１３ｄＢ以上という高周波利得
を達成できた。
【００２０】本実施例では３段リセス構造のＨＥＭＴ素
子への応用について述べたが、基本的なＨＥＭＴ構造や
２段リセス構造ＨＥＭＴなど、その他の構造のＨＥＭＴ
素子についても同様な効果が得られる。また、ＭＥＳＦ
ＥＴ（Metal SemiconductorField Effect Transisto
r）など、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチングを用
いる素子や集積回路においても同様の効果が得られる。
子への応用について述べたが、基本的なＨＥＭＴ構造や
２段リセス構造ＨＥＭＴなど、その他の構造のＨＥＭＴ
素子についても同様な効果が得られる。また、ＭＥＳＦ
ＥＴ（Metal SemiconductorField Effect Transisto
r）など、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択エッチングを用
いる素子や集積回路においても同様の効果が得られる。
【００２１】（実施例２）図５は本発明をＩｎＰ系ＨＥ
ＭＴ素子形成に応用した一例である。ＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＡｌＡｓヘテロ構造のＩｎＧａＡｓ層のみを選択的に
加工する工程で、エッチング液としては本発明のアジピ
ン酸−Ｌアスコルビン酸−過酸化水素−アンモニア−水
系エッチング液を用いる。図において２１はＩｎＰ基
板、２２はＩｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓバッファ層、２３はｕｎ
―Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓバリア層、２４はｕｎ―Ｉｎ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ、２５はｎ−Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓキャリア
供給層、２６はｕｎ―Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓエッチング停
止層、２７はｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓカバー層、２８は
ソース・ドレイン電極、２９はゲート電極である。
ＭＴ素子形成に応用した一例である。ＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＡｌＡｓヘテロ構造のＩｎＧａＡｓ層のみを選択的に
加工する工程で、エッチング液としては本発明のアジピ
ン酸−Ｌアスコルビン酸−過酸化水素−アンモニア−水
系エッチング液を用いる。図において２１はＩｎＰ基
板、２２はＩｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓバッファ層、２３はｕｎ
―Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓバリア層、２４はｕｎ―Ｉｎ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ、２５はｎ−Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓキャリア
供給層、２６はｕｎ―Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓエッチング停
止層、２７はｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓカバー層、２８は
ソース・ドレイン電極、２９はゲート電極である。
【００２２】エッチング加工を行うｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5
Ａｓ層２７の厚さは１６０nmで、開口寸法は０．４５μ
mであり、停止層であるｕｎ−Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層２
６は厚さ１０nmとなっている。工程としては電子線描画
装置を用いて開口寸法０．１５μmのレジストマスクを
形成し、本発明のウエットエッチング技術を用いて１６
０nmのｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層２７のみを選択的に加
工する。
Ａｓ層２７の厚さは１６０nmで、開口寸法は０．４５μ
mであり、停止層であるｕｎ−Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層２
６は厚さ１０nmとなっている。工程としては電子線描画
装置を用いて開口寸法０．１５μmのレジストマスクを
形成し、本発明のウエットエッチング技術を用いて１６
０nmのｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層２７のみを選択的に加
工する。
【００２３】その後、蒸着装置によりゲート金属２９を
被着し、リフトオフ法によりゲート電極形成を行う。エ
ッチング条件を、アジピン酸＋アスコルビン酸濃度１５
％、アスコルビン酸混合割合４０％、過酸化水素濃度
１．２％、ｐＨ５．５以下、エッチング温度３０±０．
１℃と設定することで、従来のアジピン酸系エッチング
液に比較してＩｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ／Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
選択比を２５％向上することが可能となった。これによ
り従来方法よりもエッチング精度が改善され、３インチ
ウェハ面内についてしきい電位で８０ｍＶ以内、エッチ
ング量にして１．０nm以内に制御することが可能となっ
た。また、均一性としてはしきい電位の標準偏差２２ｍ
Ｖという良好な値が得られており、従来方法に比較して
５０％以上の高歩留まり化が達成された。
被着し、リフトオフ法によりゲート電極形成を行う。エ
ッチング条件を、アジピン酸＋アスコルビン酸濃度１５
％、アスコルビン酸混合割合４０％、過酸化水素濃度
１．２％、ｐＨ５．５以下、エッチング温度３０±０．
１℃と設定することで、従来のアジピン酸系エッチング
液に比較してＩｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ／Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
選択比を２５％向上することが可能となった。これによ
り従来方法よりもエッチング精度が改善され、３インチ
ウェハ面内についてしきい電位で８０ｍＶ以内、エッチ
ング量にして１．０nm以内に制御することが可能となっ
た。また、均一性としてはしきい電位の標準偏差２２ｍ
Ｖという良好な値が得られており、従来方法に比較して
５０％以上の高歩留まり化が達成された。
【００２４】本実施例は基本的なＩｎＰ系ＨＥＭＴ素子
への応用例を述べたが、２段リセス構造、３段リセス構
造等複雑な構造を有するＨＥＭＴ素子およびこれらのＨ
ＥＭＴ素子を基本構造とするＭＭＩＣ等集積回路の製作
においても有効である。特に、本実施例のＩｎＰ系ＨＥ
ＭＴ素子を基本構造とするＭＭＩＣの製作には有効で、
従来方法に比較して８０％以上の高歩留まり化が達成さ
れている。
への応用例を述べたが、２段リセス構造、３段リセス構
造等複雑な構造を有するＨＥＭＴ素子およびこれらのＨ
ＥＭＴ素子を基本構造とするＭＭＩＣ等集積回路の製作
においても有効である。特に、本実施例のＩｎＰ系ＨＥ
ＭＴ素子を基本構造とするＭＭＩＣの製作には有効で、
従来方法に比較して８０％以上の高歩留まり化が達成さ
れている。
【００２５】（実施例３）図６はＣ−Ｔｏｐ構造ＨＢＴ
（Heterojunction Bipolar Transistor）素子作製に
本発明を応用した一例である。この素子はエミッタコン
タクト層のエミッタ層側の面積をベース・コレクタ面積
以下とし、反対側の面積を大きくすることでエミッタ接
地電流増幅率を大きくすることが可能であり、ベース下
のサイドエッチング量の制御が重要となる。図におい
て、３１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、３２はｎ+−ＧａＡ
ｓエミッタコンタクト層、３３はｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ層、３４はｎ+−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、
３５はｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３６はｎ−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ｐエミッタ層、３７はｐ+−ＧａＡｓ0.5Ｐ0.5ベ
ース層、３８はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、３９はｎ+−
ＧａＡｓコレクタ層、４０はｎ+−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
コレクタコンタクト層、４１はコレクタ電極、４２はＳ
ｉＯ2側壁、４３はレジストマスク、４４はベース電
極、４５はＳｉＯ2、４６はエミッタ電極である。
（Heterojunction Bipolar Transistor）素子作製に
本発明を応用した一例である。この素子はエミッタコン
タクト層のエミッタ層側の面積をベース・コレクタ面積
以下とし、反対側の面積を大きくすることでエミッタ接
地電流増幅率を大きくすることが可能であり、ベース下
のサイドエッチング量の制御が重要となる。図におい
て、３１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、３２はｎ+−ＧａＡ
ｓエミッタコンタクト層、３３はｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7
Ａｓ層、３４はｎ+−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、
３５はｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３６はｎ−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ｐエミッタ層、３７はｐ+−ＧａＡｓ0.5Ｐ0.5ベ
ース層、３８はｎ−ＧａＡｓコレクタ層、３９はｎ+−
ＧａＡｓコレクタ層、４０はｎ+−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
コレクタコンタクト層、４１はコレクタ電極、４２はＳ
ｉＯ2側壁、４３はレジストマスク、４４はベース電
極、４５はＳｉＯ2、４６はエミッタ電極である。
【００２６】まず、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層３８および
高ドープｎ−ＧａＡｓコレクタ層３９、高ドープｎ−Ｉ
ｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓコレクタコンタクト層４０をコレクタ
電極４１であるＷＳｉをマスクとしてドライエッチング
により自己整合的に加工する(図６（ａ）)。
高ドープｎ−ＧａＡｓコレクタ層３９、高ドープｎ−Ｉ
ｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓコレクタコンタクト層４０をコレクタ
電極４１であるＷＳｉをマスクとしてドライエッチング
により自己整合的に加工する(図６（ａ）)。
【００２７】側壁ＳｉＯ2４２を形成した後、レジスト
４３をマスクとして高ドープｐ−ＧａＡｓ0.5Ｐ0.5ベー
ス層３７から、ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐエミッタ層３６、
高ドープｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層３５の途中までをド
ライエッチングにより除去する。
４３をマスクとして高ドープｐ−ＧａＡｓ0.5Ｐ0.5ベー
ス層３７から、ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐエミッタ層３６、
高ドープｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層３５の途中までをド
ライエッチングにより除去する。
【００２８】その後本発明のクエン酸−アスコルビン酸
−過酸化水素−アンモニア−水系ウエットエッチング液
によりエッチング停止層である高ドープｎ−Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ層３３までの高ドープｎ−ＧａＡｓエミッタ
コンタクト層３４を除去する（図６（ｂ））。
−過酸化水素−アンモニア−水系ウエットエッチング液
によりエッチング停止層である高ドープｎ−Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ層３３までの高ドープｎ−ＧａＡｓエミッタ
コンタクト層３４を除去する（図６（ｂ））。
【００２９】この際、ベース下のサイドエッチング量を
３００nmまでに抑制する必要があるが、本発明のウエッ
トエッチング制御方法により選択性を損なうことなくエ
ッチング速度を抑制できるため、制御性が大幅に向上し
た（図６（ｃ））。
３００nmまでに抑制する必要があるが、本発明のウエッ
トエッチング制御方法により選択性を損なうことなくエ
ッチング速度を抑制できるため、制御性が大幅に向上し
た（図６（ｃ））。
【００３０】具体的なエッチング条件は、クエン酸＋Ｌ
アスコルビン酸濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割
合６０％、過酸化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（ア
ンモニアにより調整）、エッチング温度５±０．１℃で
ある。クエン酸にアスコルビン酸を混合することによ
り、選択性を維持しながらエッチング速度を３０nm／mi
nまで低下できるため、制御性が従来よりも５０％以上
向上し、製作歩留まりとしては８０％以上の向上が達成
できた。
アスコルビン酸濃度２．３wt％、アスコルビン酸混合割
合６０％、過酸化水素濃度２．０wt％、ｐＨ６．５（ア
ンモニアにより調整）、エッチング温度５±０．１℃で
ある。クエン酸にアスコルビン酸を混合することによ
り、選択性を維持しながらエッチング速度を３０nm／mi
nまで低下できるため、制御性が従来よりも５０％以上
向上し、製作歩留まりとしては８０％以上の向上が達成
できた。
【００３１】その後、ＳｉＯ2層４５を堆積し、ベース
電極４４およびエミッタ電極４６を形成して素子とした
（図６（ｄ））。なお、本実施例はＣ−Ｔｏｐ構造ＨＢ
Ｔ素子への応用例を述べたが、その他の構造のＨＢＴ素
子やこれらを基本構造とする集積回路等についても同様
の効果が得られる。
電極４４およびエミッタ電極４６を形成して素子とした
（図６（ｄ））。なお、本実施例はＣ−Ｔｏｐ構造ＨＢ
Ｔ素子への応用例を述べたが、その他の構造のＨＢＴ素
子やこれらを基本構造とする集積回路等についても同様
の効果が得られる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、アスコルビン酸混合割
合の増減により、選択的に加工したい材料のエッチング
速度を１／２以下まで低下させることができる。また、
エッチング停止したい材料のエッチング速度もそれ以上
に低下させるため、高い選択性を維持することが可能で
ある。これにより高い選択性を維持したまま、デバイス
設計に合せてエッチング速度を調節することが可能とな
る。
合の増減により、選択的に加工したい材料のエッチング
速度を１／２以下まで低下させることができる。また、
エッチング停止したい材料のエッチング速度もそれ以上
に低下させるため、高い選択性を維持することが可能で
ある。これにより高い選択性を維持したまま、デバイス
設計に合せてエッチング速度を調節することが可能とな
る。
【００３３】すなわち本発明により、従来方法では困難
であったエッチング量やサイドエッチング量制御が容易
になり、ＨＥＭＴやＨＢＴ、ＭＥＳＦＥＴ素子またはこ
れらを基本構造とする集積回路の製作歩留まりを大幅に
改善できる。また、アスコルビン酸混合割合によっては
選択性向上効果が得られるため、エッチング停止層の薄
層化等が可能となり、よりソース抵抗を抑制した新規高
性能素子や集積回路を実現できる。
であったエッチング量やサイドエッチング量制御が容易
になり、ＨＥＭＴやＨＢＴ、ＭＥＳＦＥＴ素子またはこ
れらを基本構造とする集積回路の製作歩留まりを大幅に
改善できる。また、アスコルビン酸混合割合によっては
選択性向上効果が得られるため、エッチング停止層の薄
層化等が可能となり、よりソース抵抗を抑制した新規高
性能素子や集積回路を実現できる。
【図１】クエン酸系エッチング液におけるアスコルビン
酸混合割合とＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓエッチング速度の
関係を説明する図。
酸混合割合とＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓエッチング速度の
関係を説明する図。
【図２】クエン酸系エッチング液におけるアスコルビン
酸混合割合とＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択性の関係を説
明する図。
酸混合割合とＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ選択性の関係を説
明する図。
【図３】アジピン酸エッチング液におけるアスコルビン
酸混合割合とＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓエッチング速
度、選択性の関係を説明する図。
酸混合割合とＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓエッチング速
度、選択性の関係を説明する図。
【図４】３段リセスオフセットゲート構造ＨＥＭＴ素子
とその製作工程を説明する図。
とその製作工程を説明する図。
【図５】ＩｎＰ系ＨＥＭＴ素子の構造を説明する図。
【図６】Ｃ−Ｔｏｐ構造ＨＢＴ素子とその製作工程を説
明する図。
明する図。
１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、２…Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
キャリア供給層、３…Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓチャネル層、
４…Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャリア供給層、５…Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層、６…Ｐｌａｎａｒドープ
層、７…ｎ−ＧａＡｓカバー層、８…Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓエッチング停止層、９…ｎ+−ＧａＡｓキャップ
層、１０…Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッチング停止層、１
１…ｎ+−ＧａＡｓキャップ層、１２…ＳｉＯ2、１３…
ＰＳＧ、１４…ソース・ドレイン電極、１５…ゲートリ
セス用マスク（ＳｉＯ2／ＰＳＧ多層膜）、１６…ゲー
ト電極、２１…ＩｎＰ基板、２２…Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
バッファ層、２３…ｕｎ―Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓバリア
層、２４…ｕｎ―Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ、２５…ｎ−Ｉｎ
0.5Ａｌ0.5Ａｓキャリア供給層、２６…ｕｎ―Ｉｎ0.5
Ａｌ0.5Ａｓエッチング停止層、２７…ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ
0.5Ａｓカバー層、２８…ソース・ドレイン電極、２９
…ゲート電極、３１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、３２…ｎ
+−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、３３…ｎ+−Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３４…ｎ+−ＧａＡｓエミッタコン
タクト層、３５…ｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３６…
ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐエミッタ層、３７…ｐ+−ＧａＡ
ｓ0.5Ｐ0.5ベース層、３８…ｎ−ＧａＡｓコレクタ層、
３９…ｎ+−ＧａＡｓコレクタ層、４０…ｎ+−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ａｓコレクタコンタクト層、４１…コレクタ電
極、４２…ＳｉＯ2側壁、４３…レジストマスク、４４
…ベース電極、４５…ＳｉＯ2、４６…エミッタ電極。
キャリア供給層、３…Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓチャネル層、
４…Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓキャリア供給層、５…Ａｌ
0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層、６…Ｐｌａｎａｒドープ
層、７…ｎ−ＧａＡｓカバー層、８…Ａｌ0.25Ｇａ0.75
Ａｓエッチング停止層、９…ｎ+−ＧａＡｓキャップ
層、１０…Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓエッチング停止層、１
１…ｎ+−ＧａＡｓキャップ層、１２…ＳｉＯ2、１３…
ＰＳＧ、１４…ソース・ドレイン電極、１５…ゲートリ
セス用マスク（ＳｉＯ2／ＰＳＧ多層膜）、１６…ゲー
ト電極、２１…ＩｎＰ基板、２２…Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ
バッファ層、２３…ｕｎ―Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ａｓバリア
層、２４…ｕｎ―Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ａｓ、２５…ｎ−Ｉｎ
0.5Ａｌ0.5Ａｓキャリア供給層、２６…ｕｎ―Ｉｎ0.5
Ａｌ0.5Ａｓエッチング停止層、２７…ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ
0.5Ａｓカバー層、２８…ソース・ドレイン電極、２９
…ゲート電極、３１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、３２…ｎ
+−ＧａＡｓエミッタコンタクト層、３３…ｎ+−Ａｌ
0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３４…ｎ+−ＧａＡｓエミッタコン
タクト層、３５…ｎ+−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層、３６…
ｎ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐエミッタ層、３７…ｐ+−ＧａＡ
ｓ0.5Ｐ0.5ベース層、３８…ｎ−ＧａＡｓコレクタ層、
３９…ｎ+−ＧａＡｓコレクタ層、４０…ｎ+−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ａｓコレクタコンタクト層、４１…コレクタ電
極、４２…ＳｉＯ2側壁、４３…レジストマスク、４４
…ベース電極、４５…ＳｉＯ2、４６…エミッタ電極。
Claims (5)
- 【請求項１】有機酸−過酸化水素−アンモニア系エッチ
ング液を用い、ｐＨを制御することにより互いに異なる
化合物半導体ヘテロ構造の一方を選択的に加工する工程
において、有機酸にアスコルビン酸を混合し、その割合
を変化させることで、エッチング速度を制御しながら上
記エッチングの選択性を向上させることを特徴とするウ
エットエッチング制御方法。 - 【請求項２】請求項１記載の方法において、有機酸に対
するアスコルビン酸混合割合を０．１〜７５％に設定す
ることを特徴とするウエットエッチング制御方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載の方法において、Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロ構造のＧａＡｓを選択的に
エッチングすることを目的とし、上記有機酸がクエン酸
で上記ｐＨ設定範囲が６〜８であるか、またはＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓヘテロ構造のＩｎＧａＡｓを選択的
にエッチングすることを目的として、上記有機酸がアジ
ピン酸で上記ｐＨ設定範囲が６．５以下であることを特
徴とするウエットエッチング制御方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれか記載のウエッ
トエッチング制御方法を利用して製作したことを特徴と
する化合物半導体装置。 - 【請求項５】ＧａＡｓとＡｌxＧａ1-xＡｓとが接した積
層構造を有する化合物半導体装置において、上記Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ層のＡｌ混晶比ｘが０．０５〜０．１５の
範囲にあるとき、上記ＡｌxＧａ1-xＡｓ層の膜厚は８〜
１０nmの範囲にあり、上記Ａｌ混晶比ｘが０．２５〜
０．３の範囲にあるとき、上記膜厚は２〜５nmの範囲に
あることを特徴とする化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058064A JP2000260744A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058064A JP2000260744A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260744A true JP2000260744A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13073490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058064A Pending JP2000260744A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260744A (ja) |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11058064A patent/JP2000260744A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6573129B2 (en) | Gate electrode formation in double-recessed transistor by two-step etching | |
| US5468343A (en) | Etching solution and etching method for semiconductors and method for evaluating GaAs surface | |
| US6797994B1 (en) | Double recessed transistor | |
| Suemitsu et al. | High-performance 0.1-/spl mu/m gate enhancement-mode InAlAs/InGaAs HEMT's using two-step recessed gate technology | |
| JP2009224801A (ja) | 増強／空乏モード擬似形態高電子移動度トランジスタデバイス | |
| JP2002343814A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| US6410945B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor and its manufacturing process | |
| EP1573796B1 (en) | Sulfide encapsulation passivation technique | |
| JPH09321063A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003163226A (ja) | 電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2004193273A (ja) | ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH11163316A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP3684321B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000260744A (ja) | ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 | |
| JP3380139B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2000223504A (ja) | 電界効果型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002270821A (ja) | 電界効果型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0574813A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP3077653B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH10270463A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH1092846A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07211730A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1098180A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH04321237A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| JPH11354544A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |