JP2000258905A - Pattern like resist layer for patterned plating - Google Patents
Pattern like resist layer for patterned platingInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、アパチャーグリル
などの製造において使用されるパターニングされためっ
きを行う際に用いられるパターン状のレジスト層に関す
るものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a patterned resist layer used when performing patterned plating used in manufacturing an aperture grill or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のパターニングされためっきを実施
する際に必要なパターン状のレジスト層は、その断面形
状の殆どが矩形をしている。例えばプリント配線板の場
合、その配線の高密度化を達成するために配線の細線化
やセミアディティブ法またはフルアディティブ法などの
配線の形成方法によって可能な限り隣接する配線との距
離を狭める試みが数多く提案されている。これらの方法
により配線密度を上げるにはパターニングされためっき
用のレジスト層の断面形状を矩形にする必要があり、し
たがって現在供給されているレジスト材料やその加工方
法は断面が矩形形状をしたレジスト層の形成に都合がよ
いものが主流となっている。2. Description of the Related Art A conventional pattern-like resist layer required for performing patterned plating has a rectangular cross-sectional shape. For example, in the case of a printed wiring board, an attempt to reduce the distance between adjacent wirings as much as possible by thinning the wiring or forming a wiring such as a semi-additive method or a full-additive method in order to achieve a higher density of the wiring. Many have been proposed. To increase the wiring density by these methods, it is necessary to make the cross-sectional shape of the patterned resist layer for plating rectangular. Therefore, the currently supplied resist material and its processing method are the same as those of the resist layer having a rectangular cross section. What is convenient for forming is mainly used.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところでパターニング
されためっき法で製造される製品には、その断面の一部
が矩形であるとその製品の特性を損ねてしまうばかり
か、製品として致命的欠陥になることがあり、したがっ
てパターニングされためっきを行う際にその製品に見合
った形状のパターン状のレジスト層を用いることが望ま
れている。例えば、ある種のブラウン管に用いられる色
選別機構をめっき法で製造する場合がその1つといえ
る。この色選別機構は電子銃から出る電子ビームを正し
く蛍光面に当てるためにスリット的な役割を果たす部材
で、このスリット部分が矩形であるとその壁面で電子ビ
ームが反射し、本来とは違った蛍光面に当たって色ずれ
を起こし、鮮明な画像が得られ難くなってしまう。一般
的なエッチング法で得られる色選別機構のスリット部分
の壁面は、色選別機構の法線方向に対して必要な角度の
テーパーが形成されるので、前記した画像の劣化が起き
ない。In a product manufactured by a patterned plating method, if a part of the cross-section is rectangular, not only the characteristics of the product are impaired, but also a fatal defect as a product is caused. Therefore, it is desired to use a patterned resist layer having a shape suitable for the product when performing patterned plating. For example, one example is a case where a color selection mechanism used for a certain type of cathode ray tube is manufactured by a plating method. This color selection mechanism is a member that plays the role of a slit in order to correctly hit the electron beam emitted from the electron gun on the phosphor screen. If the slit is rectangular, the electron beam reflects on the wall surface, which is different from the original. A color shift occurs on the phosphor screen, and it becomes difficult to obtain a clear image. Since the wall surface of the slit portion of the color selection mechanism obtained by a general etching method has a taper at a required angle with respect to the normal direction of the color selection mechanism, the above-described image deterioration does not occur.
【0004】その一方で近年、高精細な色選別機構の要
求が高まり、それを得る手段としてめっき法による製造
が行われている。この場合、パターン状のレジスト層を
用いて電気めっき法により製造しているので、そのスリ
ット部分の断面形状は矩形となり、前記した画像劣化が
起きてしまう。したがって後工程で前記矩形部分に対し
てエッチング処理を施してテーパーを形成するなどの対
応が必要である。同じくめっき法によって、スリット部
分のテープを2枚重ね構造にしてダンパー線が不要の色
選別機構も提案されているが、その構造上エッチング処
理によりテーパーを作ることが非常に難しく用いるパタ
ーン状のレジスト層の形状操作によるテーパーの形成が
望まれていた。On the other hand, in recent years, a demand for a high-definition color selection mechanism has been increasing, and as a means for obtaining the same, a plating method has been used. In this case, since the electrode is manufactured by the electroplating method using the patterned resist layer, the cross-sectional shape of the slit portion is rectangular, and the above-described image deterioration occurs. Therefore, it is necessary to take measures such as performing an etching process on the rectangular portion in a later step to form a taper. Similarly, a color selection mechanism that does not require a damper wire by using a two-layered tape with a slit portion by plating has also been proposed. However, it is very difficult to form a taper by etching because of its structure. It has been desired to form a taper by manipulating the shape of the layer.
【0005】本発明は、断面形状が矩形以外の所望の形
状に形成でき、かつ後工程でエッチング処理などの加工
を不要としたパターニングされためっきに用いるための
パターン状のレジスト層を提供することを目的とするも
のである。An object of the present invention is to provide a patterned resist layer which can be formed into a desired cross-sectional shape other than a rectangular shape and which is used for patterned plating which does not require processing such as etching in a later step. It is intended for.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は、既存のレジ
スト層やレジスト層の形成方法やその装置などを有効に
利用することを考慮した上で、パターン幅の異なる断面
形状が矩形のレジスト層を積層することにより、矩形以
外の断面形状を有するパターニングされためっき用のパ
ターン状のレジスト層を得ることができることを見出し
本発明を完成するに至った。すなわち前記課題を解決す
るため本発明に係るパターニングされためっき用のパタ
ーン状のレジスト層は、導体基板上にパターニングされ
ためっきを行う際に用いるパターン状のレジスト層であ
って、その断面形状が段差のある階段状となるよう積層
してなることを特徴とするものであり、前記レジスト層
は、紫外線硬化型、熱硬化型、加熱乾燥型、電着型のレ
ジストインク、液状レジスト、ドライフィルムレジス
ト、絶縁ペーストあるいはソルダーレジストからなるこ
とが好ましい。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has proposed a resist having a rectangular cross section having a different pattern width in consideration of effective use of existing resist layers, methods for forming a resist layer, and apparatuses therefor. The inventors have found that by laminating the layers, it is possible to obtain a patterned resist layer for plating having a cross-sectional shape other than a rectangle, and have completed the present invention. That is, in order to solve the above-mentioned problems, the patterned resist layer for plating according to the present invention is a patterned resist layer used when performing patterned plating on a conductive substrate, and has a sectional shape. The resist layer is characterized by being laminated so as to have a step-like shape with steps, wherein the resist layer is an ultraviolet-curing type, a thermosetting type, a heating drying type, an electrodeposition type resist ink, a liquid resist, a dry film. It is preferable to use a resist, an insulating paste or a solder resist.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】本発明は、導体基板上にそれぞれ
異なるスリット幅のレジスト層を積層することにより断
面形状が段差のある階段状となったパターン状のレジス
ト層を形成することを要旨とするものである。すなわち
異なるスリット幅を有するレジスト層を積層することに
より、その異なるスリット幅の差分と積層されたレジス
ト層の層厚によって段差が生じることになり、したがっ
てその断面形状は矩形とはならずに階段状となるのであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The gist of the present invention is to form a patterned resist layer having a stepped cross section by laminating resist layers having different slit widths on a conductive substrate. Is what you do. That is, by laminating resist layers having different slit widths, a step is generated due to the difference between the different slit widths and the layer thickness of the laminated resist layer, so that the cross-sectional shape is not rectangular but step-shaped. It becomes.
【0008】そして本発明では、パターン状のレジスト
層の形成はパターン精度を向上するためにフォトリソグ
ラフィーの技法を用いることが好ましく、また特に高精
度を要求されない場合や既存の装置の種類などの作業設
備を考慮し、実用上差し支えない範囲でレジスト層の材
料に赤外線硬化型、熱硬化型、加熱乾燥型、電着型のレ
ジストインク、液状レジスト、ドライフィルムレジス
ト、絶縁ペーストもしくはソルダーレジストなどを適宜
選んで使用して、当該材料に適した方法で適用すること
ができる。In the present invention, it is preferable to use a photolithography technique for forming a patterned resist layer in order to improve the pattern accuracy. In particular, when high accuracy is not required or when an existing device is used, Considering the equipment, the material of the resist layer should be infrared curable, thermosetting, heat drying, electrodeposition type resist ink, liquid resist, dry film resist, insulating paste or solder resist as appropriate for practical use. It can be selected for use and applied in a manner appropriate for the material.
【0009】つぎに本発明に係るパターン状のレジスト
層を用いてアパチャーグリルを製造する方法について説
明する。本発明に係る断面形状が段差のある階段状とな
るように積層されたパターン状のレジスト層をスリット
部分として中央に配置して、所望のアパチャーグリルパ
ターンを導体基板上に形成し、続いて所望の膜厚まで電
気めっき法によってめっき皮膜を形成して得られたアパ
チャーグリルのテープ状めっき皮膜の断面形状は前記レ
ジスト層を反映して階段状になる。これによりテープ幅
の広い部分の端部と狭い部分の端部を結んでできる線は
擬似的ではあるが、テーパー角として働くので前記した
色ずれなどが起こらずに鮮明な画像が得られるのであ
る。この時、テープ幅の広い方が実質的に色選別機構と
して働くためこの部分のめつき皮膜の厚さはその壁面で
の電子ビームの反射が画像劣化に影響しないとされる1
0μm前後に止めることが必要となる。一方テープ幅の
狭い方はめっき皮膜の強度を支持する役割があるため、
それに見合った強度の膜厚のめっき皮膜とする必要があ
る。さらに上記した所望の断面形状の製品を得るために
はそれに対応したパターン状のレジスト層の層厚を決
め、該レジスト層のスリット幅をマスクの設計に反映さ
せるだけでなく、パターンめっきの特性上、パターニン
グされたレジスト層を精度良く形成する必要がある。し
たがってパターン精度を重視する関係上、前記した通り
フォトリソグラフィーの技法によってレジスト層の形成
を行うことが好ましい。Next, a method of manufacturing an aperture grill using the patterned resist layer according to the present invention will be described. A patterned resist layer laminated so that the cross-sectional shape according to the present invention has a stepped shape is disposed at the center as a slit portion, and a desired aperture grill pattern is formed on a conductive substrate. The sectional shape of the tape-like plating film of the aperture grill obtained by forming the plating film by the electroplating method up to the film thickness becomes a step-like shape reflecting the resist layer. As a result, although a line formed by connecting the end of the wide portion and the end of the narrow portion of the tape is simulated, it functions as a taper angle, so that a clear image can be obtained without the above-described color shift or the like. . At this time, since the wider tape substantially functions as a color selection mechanism, the thickness of the plating film in this portion is considered to be such that the reflection of the electron beam on the wall does not affect image deterioration.
It is necessary to stop around 0 μm. On the other hand, the narrower tape has a role to support the strength of the plating film,
It is necessary to provide a plating film having a thickness corresponding to the strength. Further, in order to obtain a product having a desired cross-sectional shape as described above, the layer thickness of a patterned resist layer corresponding to the product is determined, and not only is the slit width of the resist layer reflected in the design of the mask, but also the characteristics of pattern plating are reduced. It is necessary to form a patterned resist layer with high accuracy. Therefore, in view of emphasizing the pattern accuracy, it is preferable to form the resist layer by the photolithography technique as described above.
【0010】また本発明ではレジスト層を積層するとき
の位置精度もまた重要な要件となるが、このレジスト層
を積層する際の位置合わせは、例えば導体基板に予めア
ライメントマークを印してレジスト層を形成し、それを
基準に初めのマスクを位置合わせして露光し、さらにレ
ジスト層を形成してつぎのマスクの位置合わせをして露
光し、現像する方法を採用することができる。またレジ
スト層を形成した導体基板のパターンに関与しない位置
に、アライメントマークを盛り込んだマスクを使って露
光を行い、アライメントマークのみ現像し、さらにレジ
スト層を形成し、つぎのマスクは前記したアライメント
マークを基準にして位置合わせを行う方法なども使用す
ることができる。以上述べた工程に必要とされる数値
は、めっき皮膜の強度、アパチャーグリルの仕様などに
よって適宜最適値を予め決定しておけばよいが、スリッ
ト幅が広いレジスト層上に、スリット幅の狭いレジスト
層を積層し、その断面形状が上面に凸状であるパターン
状のレジスト層を形成する方が位置精度を得ることがで
き、かつめっき皮膜の形成も容易であるので好ましい。
また積層される上下のレジスト層の位置関係は特に限定
されないが、その製品の使用目的に応じてそれぞれの幅
方向の中心線を重ね、その中心線で対称形にしたり、あ
るいは製品の左右に遠ざかるほど互いの中心線をずらし
て積層して非対称形にするなどの方法を適宜採用するこ
とができる。In the present invention, the positional accuracy when laminating the resist layer is also an important requirement. For the alignment when laminating the resist layer, for example, an alignment mark is previously marked on the conductive substrate to form the resist layer. Is formed, the first mask is positioned on the basis of this, and exposure is performed. Further, a resist layer is formed, the next mask is positioned, exposed, and developed. In addition, exposure is performed using a mask containing alignment marks at positions not involved in the pattern of the conductor substrate on which the resist layer is formed, only the alignment marks are developed, and a resist layer is further formed. For example, a method of performing alignment based on the reference can be used. The numerical values required for the above-described steps may be determined in advance as appropriate in accordance with the strength of the plating film, the specifications of the aperture grille, etc. It is preferable to stack the layers and form a patterned resist layer having a cross-sectional shape that is convex on the upper surface because positional accuracy can be obtained and the formation of a plating film is easy.
The positional relationship between the upper and lower resist layers to be laminated is not particularly limited, but each center line in the width direction is overlapped according to the purpose of use of the product, and the center line is symmetrical, or moves away from the product to the left or right. For example, a method in which the center lines are shifted from each other and laminated to form an asymmetric shape can be appropriately adopted.
【0011】[0011]
【実施例】つぎに本発明の実施例を比較例とともに説明
する。 [実施例]導体基板に縦440mm、横560mm、厚
さ0.3mmのチタン板を用い、ネガ型フォトレジスト
を厚み25μmに形成し、スリット幅がそれぞれ140
μmの黒パターンと110μmの白パターンとアパチャ
ーグリルパターンに関与しない位置、すなわちここでは
マスクの四隅にアライメントマークを有する250μm
テープピッチの所望のアパチヤーグリルパターンを持つ
第1の写真製板用マスクを載置し、露光を行い、アライ
メントマーク部分だけ現像を行った。アライメント部分
にはマスキングを施し、このマスキング部および未現像
のレジスト層を含めた基板面にさらに同じネガ型フォト
レジストを第2層として形成し、前記マスキングを外し
てアライメントマークを露出させ、スリット幅がそれぞ
れ194μmの黒パターンと56μmの白パターンを有
する250μmテープピッチの所望のアパチャーグリル
パターンを持つ第2の写真製版用マスクを載置して前記
アライメントマークと位置合わせを行い、露光し、現像
を行い、スリット部分の断面が上面に凸状の段差を有す
るパターン状のレジスト層を形成した。Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples. [Example] Using a titanium plate having a length of 440 mm, a width of 560 mm, and a thickness of 0.3 mm as a conductive substrate, a negative photoresist was formed to a thickness of 25 μm, and the slit width was 140 mm.
250 μm having alignment marks at four corners of the mask, that is, positions not related to the black pattern of 110 μm, the white pattern of 110 μm and the aperture grill pattern
A first photolithographic mask having a desired aperture grill pattern with a tape pitch was placed, exposed, and developed only for the alignment mark portion. The alignment portion is masked, the same negative type photoresist is further formed as a second layer on the substrate surface including the masked portion and the undeveloped resist layer, the masking is removed to expose the alignment mark, and the slit width is reduced. A second photolithographic mask having a desired aperture grill pattern of a 250 μm tape pitch having a black pattern of 194 μm and a white pattern of 56 μm, respectively, is positioned with the alignment mark, exposed, and developed. This was performed to form a patterned resist layer in which the cross section of the slit portion had a convex step on the upper surface.
【0012】その後、露出した導体基板表面に下記する
表1に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっきを行
い、続いて下記する表2に示すめっき液組成および条件
で光沢電気ニッケルめっきを積層したパターン状のレジ
スト層の第1層表面の高さの少し手前まで行って第1の
めっき皮膜を形成した。ついで非スリット部分をマスキ
ングし、下記する表3に示す溶液組成と条件で浸漬によ
る酸化処理を行い、第1のめっき皮膜のニッケルめっき
表面に酸化皮膜を平均膜厚0.01μmに形成して剥離
層とした。つぎに非スリット部分のマスキングを外し、
アバチャーグリル全面を露出させ、第1のめっき皮膜お
よび酸化皮膜上に前記の2倍のめっき時間で光沢電気ニ
ッケルめっきを行い、その後前記した鉄めっき条件と同
条件のめっきを行って第2のめっき皮膜を形成した。Thereafter, the exposed surface of the conductive substrate was subjected to electric iron plating under the plating solution composition and conditions shown in Table 1 below, and subsequently, bright electro-nickel plating was laminated under the plating solution composition and conditions shown in Table 2 below. The first plating film was formed by proceeding a little short of the height of the first layer surface of the patterned resist layer. Next, the non-slit portion is masked, oxidized by dipping under the solution composition and conditions shown in Table 3 below, and an oxide film is formed on the nickel plating surface of the first plating film to an average film thickness of 0.01 μm and peeled off. Layers. Next, remove the masking of the non-slit part,
The entire surface of the aperture grill is exposed, bright electro-nickel plating is performed on the first plating film and the oxide film for twice the plating time as described above, and then plating under the same conditions as the iron plating conditions described above is performed. A plating film was formed.
【0013】その後前記パターン状のレジスト層を0.
5%アルカリ溶液に浸漬して除去し、ついでチタン板を
弯曲させてめっき皮膜全体をチタン板から剥離した。こ
の時めっき皮膜に応力が加わりめっき皮膜のスリット部
分で離型層を介して第1と第2のめっき皮膜が分離し、
テープ状めっき皮膜が2枚重ね構造となったアパチャー
グリルを得た。このようにして得られた2枚重ね構造の
アパチャーグリルをテレビフレームに装着し、ダンバー
線を装着せずにブラウン管とし、画像投影試験を行った
結果、スリット状のテープ壁面で反射した電子ビームは
蛍光面に当たることがなく色ずれのない鮮明な画像が得
られた。After that, the above-mentioned patterned resist layer is placed on a substrate.
The titanium plate was bent by immersing it in a 5% alkaline solution, and the entire plating film was peeled off from the titanium plate. At this time, stress is applied to the plating film, and the first and second plating films are separated via the release layer at the slit portion of the plating film,
An aperture grill having a two-layered tape-like plating film was obtained. The aperture grille of the two-layer structure obtained in this way was mounted on a TV frame, and a cathode ray tube was mounted without a damper wire. As a result of an image projection test, the electron beam reflected on the slit-shaped tape wall was found to be A clear image without color shift was obtained without hitting the phosphor screen.
【0014】[0014]
【表1】 鉄めっき液組成および条件 (液組成) FeCl2・4H2O 2.01M CaCl2 1.62M サッカリン 9.13M ラウリル硫酸ナトリウム 0.30mM (めっき条件) 温度 90℃ 陰極電流密度 3A/dm2 陽極 Pt 時間 2分間Table 1 Composition and conditions of iron plating solution (solution composition) FeCl 2 .4H 2 O 2.01 M CaCl 2 1.62 M saccharin 9.13 M Sodium lauryl sulfate 0.30 mM (plating conditions) Temperature 90 ° C. Cathode current density 3 A / dm 2 anode Pt time 2 minutes
【0015】[0015]
【表2】 電気ニッケルめっき液組成および条件 (液組成) Ni(NH2SO3)2・4H2O 600g/リットル NiCl2・6H2O 5g/リットル ほう酸 30g/リットル CoCl2・6H2O 40g/リットル 光沢剤 適量 (めっき条件) 温度 60℃ 陰極電流密度 3A/dm2 陽極 Ni 時間 24分間Table 2 nickel electroplating solution composition and conditions (liquid composition) Ni (NH 2 SO 3) 2 · 4H 2 O 600g / l NiCl 2 · 6H 2 O 5g / l boric acid 30 g / l CoCl 2 · 6H 2 O 40 g / Liter Brightener appropriate amount (plating conditions) Temperature 60 ° C Cathode current density 3A / dm 2 Anode Ni Time 24 minutes
【0016】[0016]
【表3】 (液組成) 重クロム酸カリウム 5g/リットル (処理条件) 温度 25℃ 処理形態 基板浸潰 時間 3分間[Table 3] (Liquid composition) Potassium dichromate 5g / L (Treatment conditions) Temperature 25 ° C Treatment form Substrate immersion time 3 minutes
【0017】[比較例]スリット幅がそれぞれ194μ
mの黒パターンと56μmの白パターンを有する250
μmテープピッチの所望のアパチャーグリルパターンを
持つ写真製板用マスクを載置し、露光を行い、現像を行
って、その断面が矩形状のフォトレジスト層を形成し、
電気ニッケルめっきのめっき時間が酸化処理を挟んで3
6分間と28分間とした以外は実施例1と同様な手順で
アパチャーグリルを作製し、画像投影試験を行った。そ
の結果、スリット状のテープ壁面で反射した電子ビーム
が蛍光面の不適当な位置に当たり、色ずれが起こってや
や見づらい画像となった。なお上記実施例では2枚重ね
構造のアパテャーグリルについて説明したが、本発明は
1枚構造のアパチャーグリルにも適用できることはいう
までもなく、さらに板状のめっき可能な金属からなる製
品で、数μmオーダー以上の溝、凹部や凸部、非貫通穴
や貫通穴などが混在し、従来プレス成形や切削などの機
械加工を必要とした製品にも応用可能である。[Comparative Example] Each slit width was 194 μm.
250 having a black pattern of m and a white pattern of 56 μm
A photolithographic mask having a desired aperture grill pattern with a μm tape pitch is placed, exposed, developed, and a photoresist layer having a rectangular cross section is formed,
Electroplating time of nickel plating is 3 after oxidation treatment
An aperture grill was prepared in the same procedure as in Example 1 except that the time was set to 6 minutes and 28 minutes, and an image projection test was performed. As a result, the electron beam reflected by the slit-shaped tape wall hit an inappropriate position on the phosphor screen, causing color misregistration and an image which was slightly hard to see. In the above embodiment, an aperture grill having a two-layer structure has been described. However, it is needless to say that the present invention can be applied to an aperture grill having a one-layer structure. Grooves, recesses and protrusions, non-through holes and through holes that are larger than the order are mixed, and can be applied to products that conventionally require machining such as press molding and cutting.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば、断面形
状が矩形以外の所望の形状に形成でき、かつ後工程での
加工を不要としたパターニングされためっきに用いるた
めのパターン状のレジスト層が得られるので、このパタ
ーン状のレジスト層を用いてめっき法により製造された
アパチャーグリルはスリット状のテープ壁面で反射した
電子ビームが蛍光面に当たること無く鮮明な画像を得る
ことが可能となった。As described above, according to the present invention, a patterned resist which can be formed into a desired cross-sectional shape other than a rectangular shape and is used for patterned plating which does not require a post-process. The aperture grille manufactured by plating using this patterned resist layer makes it possible to obtain a clear image without the electron beam reflected on the slit-shaped tape wall hitting the phosphor screen. Was.
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成11年4月8日(1999.4.8)[Submission date] April 8, 1999 (1999.4.8)
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[The scope of the appended billed]
【請求項2】 前記レジスト層は、紫外線硬化型、熱硬
化型、加熱乾燥型、電着型のレジストインク、液状レジ
スト、ドライフィルムレジスト、絶縁ペーストあるいは
ソルダーレジストからなることを特徴とする請求項1記
載のパターニングされためっき用のパターン状のレジス
ト層。 [請 Motomeko 2 wherein the resist layer is UV-curable, thermosetting, heat drying type, electrodeposition type resist ink, liquid resist, claims, characterized in that it consists of a dry film resist, an insulating paste or a solder resist Item 4. A patterned resist layer for plating, which is patterned according to Item 1.
Claims (1)
を行う際に用いるパターン状のレジスト層であって、そ
の断面形状が段差のある階段状となるよう積層してなる
ことを特徴とするパターニングされためっき用のパター
ン状のレジスト層。 【講求項2】 前記レジスト層は、紫外線硬化型、熱硬
化型、加熱乾燥型、電着型のレジストインク、液状レジ
スト、ドライフィルムレジスト、絶縁ペーストあるいは
ソルダーレジストからなることを特徴とする請求項1記
載のパターニングされためっき用のパターン状のレジス
ト層。1. A patterned resist layer used for performing patterned plating on a conductive substrate, wherein the patterned resist layer is laminated so as to have a step-like cross-sectional shape. Patterned resist layer for plating. 2. The resist layer according to claim 1, wherein the resist layer is made of an ultraviolet curing type, a thermosetting type, a heat drying type, an electrodeposition type resist ink, a liquid resist, a dry film resist, an insulating paste or a solder resist. 2. The patterned resist layer for plating according to 1 above.
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Publications (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6340399A Pending JP2000258905A (en) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Pattern like resist layer for patterned plating |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000258905A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8105763B2 (en) | 2004-06-30 | 2012-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming plated product using negative photoresist composition and photosensitive composition used therein |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP6340399A patent/JP2000258905A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8105763B2 (en) | 2004-06-30 | 2012-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming plated product using negative photoresist composition and photosensitive composition used therein |
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