JP2000258491A - 加熱冷却装置及び電気特性評価装置 - Google Patents
加熱冷却装置及び電気特性評価装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】試料を低温から高温まで連続的に変化させる。
【解決手段】試料７を加熱するヒータ３と、試料７の冷
却を行う冷媒を流す冷媒配管２とこの冷媒配管２を流れ
る冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、ヒータ
３と一体的に形成された冷却部１とからなる。ヒータは
線状のヒータ線から構成され、ヒータ線と冷媒配管は同
一平面上に配置され、真空容器内に設置されている。上
記の加熱冷却装置と試料表面を接触させて、試料に電流
又は電圧を供給し、試料の電気特性の測定を行うプロー
ブを具備し、このプローブは真空用同軸型プローブであ
る。
却を行う冷媒を流す冷媒配管２とこの冷媒配管２を流れ
る冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、ヒータ
３と一体的に形成された冷却部１とからなる。ヒータは
線状のヒータ線から構成され、ヒータ線と冷媒配管は同
一平面上に配置され、真空容器内に設置されている。上
記の加熱冷却装置と試料表面を接触させて、試料に電流
又は電圧を供給し、試料の電気特性の測定を行うプロー
ブを具備し、このプローブは真空用同軸型プローブであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、導体
や絶縁体等の試料を低温から高温まで精度良く温度制御
する加熱冷却装置及び電気特性評価装置に関する。
や絶縁体等の試料を低温から高温まで精度良く温度制御
する加熱冷却装置及び電気特性評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や導体、絶縁体等の電気特性
を測定するとき、試料温度を変化させて測定することが
多く、その温度領域に合わせた様々な加熱・冷却装置が
知られている。
を測定するとき、試料温度を変化させて測定することが
多く、その温度領域に合わせた様々な加熱・冷却装置が
知られている。
【０００３】例えば低温領域においては、図８のような
冷却装置が知られている。試料台８１に設置された試料
７にプローブ移動機構６２によってプローブ６１を接触
させる。そして、試料台８１に液体窒素や液体ヘリウム
等の冷媒８２を試料７が浸かるように導入して試料７の
冷却を行い、電気信号の測定を行っている。この時の試
料７の温度は、液体窒素を用いた場合で約−１９５℃で
ある。
冷却装置が知られている。試料台８１に設置された試料
７にプローブ移動機構６２によってプローブ６１を接触
させる。そして、試料台８１に液体窒素や液体ヘリウム
等の冷媒８２を試料７が浸かるように導入して試料７の
冷却を行い、電気信号の測定を行っている。この時の試
料７の温度は、液体窒素を用いた場合で約−１９５℃で
ある。
【０００４】また、低温領域から室温領域までを連続的
に温度を変化させる方法として、例えば図９のような装
置が知られている。冷媒容器９１の中に冷媒８２を導入
し、ボンディングにより試料配線９２を取り付けられた
試料７をヒータが埋め込まれた試料台８１に取り付け、
銅等で作られたブロック９３の内部に設置し、そのブロ
ック９３を冷媒８２の中に設置する。試料台８１から取
り出したヒータ配線９４に電流を流すことによって、温
度制御を可能としている。この時の可変可能な温度範囲
は冷媒８２に液体窒素を用いたときで、−１９５℃〜＋
１５０℃程度である。
に温度を変化させる方法として、例えば図９のような装
置が知られている。冷媒容器９１の中に冷媒８２を導入
し、ボンディングにより試料配線９２を取り付けられた
試料７をヒータが埋め込まれた試料台８１に取り付け、
銅等で作られたブロック９３の内部に設置し、そのブロ
ック９３を冷媒８２の中に設置する。試料台８１から取
り出したヒータ配線９４に電流を流すことによって、温
度制御を可能としている。この時の可変可能な温度範囲
は冷媒８２に液体窒素を用いたときで、−１９５℃〜＋
１５０℃程度である。
【０００５】また、室温から＋５００℃程度の高温領域
においては、試料７をヒータ等の上に設置することによ
り試料７の加熱を行う方法等が知られている。
においては、試料７をヒータ等の上に設置することによ
り試料７の加熱を行う方法等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の電気測定に用い
る試料の加熱冷却装置には、以下のような問題があっ
た。図８の装置の場合、試料温度が冷媒８２の温度だけ
で決まり、試料７を加熱することはできない。図９の装
置の場合、ブロック９３が冷媒８２で覆われているた
め、試料７を加熱するには限界がある。また、小型・低
コストな加熱冷却装置で、試料７を低温から高温まで連
続的に変化させることができない。
る試料の加熱冷却装置には、以下のような問題があっ
た。図８の装置の場合、試料温度が冷媒８２の温度だけ
で決まり、試料７を加熱することはできない。図９の装
置の場合、ブロック９３が冷媒８２で覆われているた
め、試料７を加熱するには限界がある。また、小型・低
コストな加熱冷却装置で、試料７を低温から高温まで連
続的に変化させることができない。
【０００７】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、試料を低温から高
温まで連続的に変化させることができる加熱冷却装置を
提供することにある。
たもので、その目的とするところは、試料を低温から高
温まで連続的に変化させることができる加熱冷却装置を
提供することにある。
【０００８】また、本発明の別の目的は、上記加熱冷却
装置を備えた電気特性評価装置を提供することにある。
装置を備えた電気特性評価装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
加熱冷却装置は、試料を加熱するヒータと、前記試料の
冷却を行う冷媒を流す冷媒配管とこの冷媒配管を流れる
冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、前記ヒー
タと一体的に形成された冷却機構とを具備してなること
を特徴とする。
加熱冷却装置は、試料を加熱するヒータと、前記試料の
冷却を行う冷媒を流す冷媒配管とこの冷媒配管を流れる
冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、前記ヒー
タと一体的に形成された冷却機構とを具備してなること
を特徴とする。
【００１０】ここで、ヒータと冷却機構が一体的に形成
されるとは、ヒータと冷却機構が接触配置して形成され
ること、又は緩衝部材を介して形成されることをいう。
されるとは、ヒータと冷却機構が接触配置して形成され
ること、又は緩衝部材を介して形成されることをいう。
【００１１】本発明の望ましい形態を以下に示す。
【００１２】（１）ヒータは線状のヒータ線から構成さ
れ、該ヒータ線と冷媒配管は同一平面上に配置されてな
る。
れ、該ヒータ線と冷媒配管は同一平面上に配置されてな
る。
【００１３】（２）試料、ヒータ及び冷媒配管は真空容
器内に設置されてなる。
器内に設置されてなる。
【００１４】（３）試料は平面状であって、ヒータと冷
却機構は、試料の一方の表面から熱伝導により試料を加
熱及び冷却する。
却機構は、試料の一方の表面から熱伝導により試料を加
熱及び冷却する。
【００１５】また、本発明の請求項４に係る電気特性評
価装置は、上記加熱冷却装置と、試料表面に接触させる
ことにより該試料に電流又は電圧を供給し、該試料の電
気特性の測定を行うプローブとを具備してなることを特
徴とする。
価装置は、上記加熱冷却装置と、試料表面に接触させる
ことにより該試料に電流又は電圧を供給し、該試料の電
気特性の測定を行うプローブとを具備してなることを特
徴とする。
【００１６】本発明の望ましい形態を以下に示す。
【００１７】（１）プローブは真空用同軸型プローブで
ある。
ある。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００１９】（第１実施形態）図１は本発明の第１実施
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す断面図であ
る。図１に示すように、冷却部１内には冷媒配管２が設
けられている。冷却部１上にはヒータ３が配置される。
このヒータ３上には絶縁板４を介してサセプタ５が設け
られる。このサセプタ５の端部には試料電極６が設けら
れ、サセプタ５上に載置された試料７にサセプタ５を介
して電流・電圧を与えることができる。試料７はサセプ
タ５と接触するように固定され、試料７への熱伝導効率
と電気伝導効率を高くする。試料７は、半導体素子、導
体や絶縁体等である。
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す断面図であ
る。図１に示すように、冷却部１内には冷媒配管２が設
けられている。冷却部１上にはヒータ３が配置される。
このヒータ３上には絶縁板４を介してサセプタ５が設け
られる。このサセプタ５の端部には試料電極６が設けら
れ、サセプタ５上に載置された試料７にサセプタ５を介
して電流・電圧を与えることができる。試料７はサセプ
タ５と接触するように固定され、試料７への熱伝導効率
と電気伝導効率を高くする。試料７は、半導体素子、導
体や絶縁体等である。
【００２０】サセプタ５は金をコーティングしたステン
レス等の熱伝導度と電気伝導度が高く、かつ融点の高い
材料が望ましい。絶縁板４はサファイヤやダイヤモンド
等の熱伝導度の高い絶縁体材料が望ましい。ヒータ３は
ＳｉＣヒータやＰＢＮヒータ等の薄型のものが望まし
い。
レス等の熱伝導度と電気伝導度が高く、かつ融点の高い
材料が望ましい。絶縁板４はサファイヤやダイヤモンド
等の熱伝導度の高い絶縁体材料が望ましい。ヒータ３は
ＳｉＣヒータやＰＢＮヒータ等の薄型のものが望まし
い。
【００２１】図２は冷却部１の詳細な構成を示す平面図
である。図２に示すように、冷却措置１は大別して本体
部と冷媒配管２から構成される。本体部は銅等の熱伝導
度の高い材料を用いるのが望ましい。冷媒配管２は本体
部内で折れ曲がった形で構成されており、本体部から外
部に導かれ、図示しない冷媒制御手段に接続される。冷
媒制御手段はポンプ等が用いられ、試料７に与える温度
に応じて冷媒配管２に導入する冷媒の流量を制御するこ
とができる。冷媒配管２内に冷媒制御手段により冷媒を
流すことで冷却部１全体を冷却する構造となっている。
試料温度計測センサ８は試料７に接触して取り付けられ
るもので、高温から低温まで計測可能な熱電対や白金抵
抗体等が用いられる。
である。図２に示すように、冷却措置１は大別して本体
部と冷媒配管２から構成される。本体部は銅等の熱伝導
度の高い材料を用いるのが望ましい。冷媒配管２は本体
部内で折れ曲がった形で構成されており、本体部から外
部に導かれ、図示しない冷媒制御手段に接続される。冷
媒制御手段はポンプ等が用いられ、試料７に与える温度
に応じて冷媒配管２に導入する冷媒の流量を制御するこ
とができる。冷媒配管２内に冷媒制御手段により冷媒を
流すことで冷却部１全体を冷却する構造となっている。
試料温度計測センサ８は試料７に接触して取り付けられ
るもので、高温から低温まで計測可能な熱電対や白金抵
抗体等が用いられる。
【００２２】本実施形態に係る加熱冷却装置の動作を以
下説明する。
下説明する。
【００２３】まず、試料温度計測センサ８により試料７
の温度を計測する。そして、計測値が目標とする温度よ
りも高い場合には、図示しない冷媒制御手段により冷媒
配管２内に冷媒を導入する。これにより、冷却部１の温
度が下がり、熱伝導により試料７は冷却され、試料７を
低温に保持することができる。このとき、ヒータ３には
電力を供給しないのが望ましいが、冷却部１による試料
７の冷却を緩やかに行う場合には、ヒータ３にも電力を
供給することもできる。
の温度を計測する。そして、計測値が目標とする温度よ
りも高い場合には、図示しない冷媒制御手段により冷媒
配管２内に冷媒を導入する。これにより、冷却部１の温
度が下がり、熱伝導により試料７は冷却され、試料７を
低温に保持することができる。このとき、ヒータ３には
電力を供給しないのが望ましいが、冷却部１による試料
７の冷却を緩やかに行う場合には、ヒータ３にも電力を
供給することもできる。
【００２４】一方、試料７の温度計測値が目標とする温
度よりも低い場合には、冷媒制御手段により冷媒配管２
内に流れる冷媒の導入を止め、ヒータ３に電力を供給す
る。この場合も、熱伝導により試料７の温度を上げるこ
とができる。
度よりも低い場合には、冷媒制御手段により冷媒配管２
内に流れる冷媒の導入を止め、ヒータ３に電力を供給す
る。この場合も、熱伝導により試料７の温度を上げるこ
とができる。
【００２５】この加熱冷却の際、冷却部１とヒータ３は
接触配置して形成され、かつ冷媒制御手段により冷媒流
量を制御することができるため、試料７を高温から低温
まで連続的に制御することが可能となる。また、従来の
ように冷媒が試料７をブロックを介して覆う構成をとら
ず、試料７の一面から冷却するため、試料７の充分な加
熱が可能となる。
接触配置して形成され、かつ冷媒制御手段により冷媒流
量を制御することができるため、試料７を高温から低温
まで連続的に制御することが可能となる。また、従来の
ように冷媒が試料７をブロックを介して覆う構成をとら
ず、試料７の一面から冷却するため、試料７の充分な加
熱が可能となる。
【００２６】このように本実施形態では、加熱機構と冷
却機構を一体化した装置で、温度制御された本装置に試
料を接触させることにより、２インチ程度の試料の加熱
冷却が可能となる。
却機構を一体化した装置で、温度制御された本装置に試
料を接触させることにより、２インチ程度の試料の加熱
冷却が可能となる。
【００２７】なお、本実施形態では冷却機構と加熱機構
が接触配置して形成されている場合を示したが、両者が
一体的に形成されていれば、例えば緩衝部材を介して形
成される場合であっても本発明を適用できる。
が接触配置して形成されている場合を示したが、両者が
一体的に形成されていれば、例えば緩衝部材を介して形
成される場合であっても本発明を適用できる。
【００２８】（第２実施形態）図３は本発明の第２実施
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す図であり、図
４はその加熱冷却部を詳細に示した図である。第１実施
形態と共通する部分には同一の符号を付し、詳細な説明
は省略する。
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す図であり、図
４はその加熱冷却部を詳細に示した図である。第１実施
形態と共通する部分には同一の符号を付し、詳細な説明
は省略する。
【００２９】図３に示すように、本実施形態に係る加熱
冷却装置は、第１実施形態に係る加熱冷却装置のヒータ
３を加熱冷却部４１内に内蔵した構成となる。
冷却装置は、第１実施形態に係る加熱冷却装置のヒータ
３を加熱冷却部４１内に内蔵した構成となる。
【００３０】図４に示すように、加熱冷却部４１は大別
して本体部、冷媒配管２及びヒータ線４２から構成され
る。冷媒配管２とヒータ線４２が交互に折れ曲がった形
で本体部内に同一平面上に収められている。
して本体部、冷媒配管２及びヒータ線４２から構成され
る。冷媒配管２とヒータ線４２が交互に折れ曲がった形
で本体部内に同一平面上に収められている。
【００３１】液体窒素等の冷媒を冷媒配管２に流すこと
で本体部を冷却し、ヒータ線４２に電力を供給すること
で本体部を加熱することができる。試料７を本体に取り
付けることにより、熱伝導で試料７の温度制御を行う点
は第１実施形態と同様である。ヒータ線４２は、表面に
セラミック等で絶縁コーティングしたものを用いるのが
望ましく、本体部は銅等の熱伝導度の高い材料を用いる
のが望ましい。
で本体部を冷却し、ヒータ線４２に電力を供給すること
で本体部を加熱することができる。試料７を本体に取り
付けることにより、熱伝導で試料７の温度制御を行う点
は第１実施形態と同様である。ヒータ線４２は、表面に
セラミック等で絶縁コーティングしたものを用いるのが
望ましく、本体部は銅等の熱伝導度の高い材料を用いる
のが望ましい。
【００３２】このように、冷媒配管２とヒータ線４２が
同一平面上に収められていることで、試料７へ温度制御
を敏速に行うことが可能となり、装置全体の大きさもコ
ンパクトとなる。
同一平面上に収められていることで、試料７へ温度制御
を敏速に行うことが可能となり、装置全体の大きさもコ
ンパクトとなる。
【００３３】（第３実施形態）図５は本発明の第３実施
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す図である。第
１実施形態と共通する部分には同一の符号を付し、詳細
な説明は省略する。
形態に係る加熱冷却装置の全体構成を示す図である。第
１実施形態と共通する部分には同一の符号を付し、詳細
な説明は省略する。
【００３４】図５に示すように、本実施形態の加熱冷却
装置は、第１実施形態に示した加熱冷却機構５１上に試
料７が接触配置される。加熱冷却機構５１は、図１に示
す冷却部１，ヒータ３，絶縁板４，サセプタ５及び試料
電極６からなる。この加熱冷却機構５１内の冷却部１か
ら取り出された冷媒配管２には冷媒容器５２が接続さ
れ、この冷媒容器５２から冷媒配管２を介して加熱冷却
機構５１に冷媒が導入される。また、加熱冷却機構５１
のヒータ３には配線５３を介してヒータ電源５４が取り
付けられる。ヒータ電源５４により配線５３を介してヒ
ータ３に電力が供給され、ヒータ３は加熱される。この
加熱冷却機構５１は、真空容器５５内に設置される。こ
の真空容器５５には真空ポンプ５６が取り付けられる。
この真空ポンプ５６を用いて真空容器５５内を排気する
ことにより真空容器５５内を真空に保持することができ
る。
装置は、第１実施形態に示した加熱冷却機構５１上に試
料７が接触配置される。加熱冷却機構５１は、図１に示
す冷却部１，ヒータ３，絶縁板４，サセプタ５及び試料
電極６からなる。この加熱冷却機構５１内の冷却部１か
ら取り出された冷媒配管２には冷媒容器５２が接続さ
れ、この冷媒容器５２から冷媒配管２を介して加熱冷却
機構５１に冷媒が導入される。また、加熱冷却機構５１
のヒータ３には配線５３を介してヒータ電源５４が取り
付けられる。ヒータ電源５４により配線５３を介してヒ
ータ３に電力が供給され、ヒータ３は加熱される。この
加熱冷却機構５１は、真空容器５５内に設置される。こ
の真空容器５５には真空ポンプ５６が取り付けられる。
この真空ポンプ５６を用いて真空容器５５内を排気する
ことにより真空容器５５内を真空に保持することができ
る。
【００３５】本実施形態では、真空容器５５内に設置し
た加熱冷却機構５１上に試料７を接触させ、真空容器５
５を真空ポンプ５６で真空状態にする。その後、ヒータ
電源５４によるヒータ３への電力供給、冷媒配管２への
冷媒導入により、試料７の加熱冷却を行う。
た加熱冷却機構５１上に試料７を接触させ、真空容器５
５を真空ポンプ５６で真空状態にする。その後、ヒータ
電源５４によるヒータ３への電力供給、冷媒配管２への
冷媒導入により、試料７の加熱冷却を行う。
【００３６】このように、本実施形態では真空容器５５
内に加熱冷却機構５１を設置して真空状態にすることに
より、加熱時の試料７の酸化、冷却時の試料７の霜付き
を防止することができ、試料７の損傷を無くし、正確な
測定が可能となる。
内に加熱冷却機構５１を設置して真空状態にすることに
より、加熱時の試料７の酸化、冷却時の試料７の霜付き
を防止することができ、試料７の損傷を無くし、正確な
測定が可能となる。
【００３７】なお、本実施形態では加熱冷却機構５１と
して図１に示す構成を用いる場合を示したが、第２実施
形態の図３に示した構成で置換することも勿論可能であ
る。
して図１に示す構成を用いる場合を示したが、第２実施
形態の図３に示した構成で置換することも勿論可能であ
る。
【００３８】（第４実施形態）図６は本発明の第４実施
形態に係る電気特性評価装置の全体構成を示す図であ
る。第３実施形態と共通する部分には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。
形態に係る電気特性評価装置の全体構成を示す図であ
る。第３実施形態と共通する部分には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。
【００３９】本実施形態では第３実施形態の加熱冷却機
構５１にプローブ６１及びプローブ移動機構６２が設置
された構成となっており、他の構成は第３実施形態と同
様である。プローブ６１はプローブ移動機構６２によ
り、試料７表面のいかなる位置にも自由に接触させるこ
とが可能となる。また、プローブ６１は真空容器５５外
部に電流計、電圧計及び電源等の電気測定機器（図示せ
ず）が接続されている。
構５１にプローブ６１及びプローブ移動機構６２が設置
された構成となっており、他の構成は第３実施形態と同
様である。プローブ６１はプローブ移動機構６２によ
り、試料７表面のいかなる位置にも自由に接触させるこ
とが可能となる。また、プローブ６１は真空容器５５外
部に電流計、電圧計及び電源等の電気測定機器（図示せ
ず）が接続されている。
【００４０】このように、本実施形態ではプローブ６
１，プローブ移動機構６２を用いることにより、試料７
への電流と電圧の供給及び測定ができるようになり、試
料７の電流−電圧特性、容量−電圧特性等の電気特性を
温度可変した状態で測定することが可能となる。
１，プローブ移動機構６２を用いることにより、試料７
への電流と電圧の供給及び測定ができるようになり、試
料７の電流−電圧特性、容量−電圧特性等の電気特性を
温度可変した状態で測定することが可能となる。
【００４１】（第５実施形態）図７は本発明の第５実施
形態に係る電気特性評価装置に用いられるプローブの全
体構成を示す図である。本実施形態の電気特性評価装置
の基本構成は図６と同様であるので説明は省略する。
形態に係る電気特性評価装置に用いられるプローブの全
体構成を示す図である。本実施形態の電気特性評価装置
の基本構成は図６と同様であるので説明は省略する。
【００４２】図７に示すように、本実施形態では図６の
電気特性評価装置のプローブ６１の部分に真空用同軸型
プローブ７１を用いたものである。真空用同軸型プロー
ブ７１は、タングステンやモリブデン等の高伝導度・高
融点材料のプローブ針７４の周囲に、アルミナ等の真空
用のセラミックス７２がコーティングされ、さらにその
周囲にステンレス等の高融点金属７３がコーティングさ
れたものである。但し、プローブ先端部分は試料７に接
触しやすいように、プローブ針７４のみが飛び出した構
造になっている。同軸プローブの根元、すなわちプロー
ブ針７４と反対側の先端部分には高周波用や高電力用の
同軸コネクタ７５が取り付けてある。
電気特性評価装置のプローブ６１の部分に真空用同軸型
プローブ７１を用いたものである。真空用同軸型プロー
ブ７１は、タングステンやモリブデン等の高伝導度・高
融点材料のプローブ針７４の周囲に、アルミナ等の真空
用のセラミックス７２がコーティングされ、さらにその
周囲にステンレス等の高融点金属７３がコーティングさ
れたものである。但し、プローブ先端部分は試料７に接
触しやすいように、プローブ針７４のみが飛び出した構
造になっている。同軸プローブの根元、すなわちプロー
ブ針７４と反対側の先端部分には高周波用や高電力用の
同軸コネクタ７５が取り付けてある。
【００４３】このように、真空用同軸型プローブ７１を
用いることによって、真空中で高温かつ非常に微弱な信
号を測定する場合に、精度良く電気特性測定を行うこと
ができる。
用いることによって、真空中で高温かつ非常に微弱な信
号を測定する場合に、精度良く電気特性測定を行うこと
ができる。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の加熱冷却装
置によれば、試料を加熱するヒータに試料の冷却を行う
冷媒を収容する冷媒配管を接触配置し、このヒータと冷
媒配管を一体的に形成することにより、小型・低コスト
な加熱冷却装置で、試料を低温から高温まで連続的に変
化させることができる。
置によれば、試料を加熱するヒータに試料の冷却を行う
冷媒を収容する冷媒配管を接触配置し、このヒータと冷
媒配管を一体的に形成することにより、小型・低コスト
な加熱冷却装置で、試料を低温から高温まで連続的に変
化させることができる。
【００４５】また、本発明の電気特性評価装置によれ
ば、試料と加熱冷却装置をプローブを取り付けた真空容
器内に設置し、真空容器内を真空状態にすることによ
り、容易にかつ正確に電気特性の温度依存性測定を実現
することができる。
ば、試料と加熱冷却装置をプローブを取り付けた真空容
器内に設置し、真空容器内を真空状態にすることによ
り、容易にかつ正確に電気特性の温度依存性測定を実現
することができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る加熱冷却装置の全
体構成を示す図。
体構成を示す図。
【図２】同実施形態に係る冷却部の詳細な構成を示す
図。
図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る加熱冷却装置の全
体構成を示す図。
体構成を示す図。
【図４】同実施形態に係る加熱冷却装置の詳細な構成を
示す図。
示す図。
【図５】本発明の第３実施形態に係る加熱冷却装置の全
体構成を示す図。
体構成を示す図。
【図６】本発明の第４実施形態に係る電気特性評価装置
の全体構成を示す図。
の全体構成を示す図。
【図７】本発明の第５実施形態に係る真空用同軸型プロ
ーブの全体構成を示す図。
ーブの全体構成を示す図。
【図８】従来の電気特性評価装置の概略構成を示す図。
【図９】従来の電気特性評価装置の概略構成を示す図。
１…冷却装置 ２…冷媒配管 ３…ヒータ ４…絶縁板 ５…サセプタ ６…試料電極 ７…試料 ８…試料温度計測センサ ４１…本体 ４２…ヒータ線 ５１…加熱冷却機構 ５２…冷媒容器 ５３…配線 ５４…ヒータ電源 ５５…真空容器 ５６…真空ポンプ ６１…プローブ ６２…プローブ移動機構 ７１…真空用同軸型プローブ ７２…真空用セラミックス ７３…高融点金属 ７４…プローブ針 ７５…同軸コネクタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月１８日（１９９９．６．１
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年５月２６日（２０００．５．２
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
加熱冷却装置は、試料を加熱するヒータと、前記試料の
冷却を行う冷媒を流す冷媒配管とこの冷媒配管を流れる
冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、前記ヒー
タと一体的に形成された冷却機構とを具備してなり、前
記ヒータは線状のヒータ線から構成され、該ヒータ線と
前記冷媒配管は交互に折れ曲がった形で同一平面上に配
置されてなることを特徴とする。
加熱冷却装置は、試料を加熱するヒータと、前記試料の
冷却を行う冷媒を流す冷媒配管とこの冷媒配管を流れる
冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備え、前記ヒー
タと一体的に形成された冷却機構とを具備してなり、前
記ヒータは線状のヒータ線から構成され、該ヒータ線と
前記冷媒配管は交互に折れ曲がった形で同一平面上に配
置されてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、本発明の請求項３に係る電気特性評
価装置は、上記加熱冷却装置と、試料表面に接触させる
ことにより該試料に電流又は電圧を供給し、該試料の電
気特性の測定を行うプローブとを具備してなることを特
徴とする。
価装置は、上記加熱冷却装置と、試料表面に接触させる
ことにより該試料に電流又は電圧を供給し、該試料の電
気特性の測定を行うプローブとを具備してなることを特
徴とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ ４Ｍ１０６ (72)発明者 坂本 仁志 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者 吉村 俊秋 埼玉県入間市大字中神1063−１ サイエン ステクノロジー株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA00 AB01 AB07 AC03 AC04 AD01 AD03 AG03 AH05 2G011 AA02 AA22 AB06 AB10 AC06 AE01 AF07 2G032 AA00 AB01 AB13 AD01 AE14 AF01 AK05 AL00 3L044 AA04 BA06 CA14 DB02 FA04 FA10 KA04 KA05 4G075 AA22 AA63 CA02 CA03 CA12 CA65 DA01 EA05 EB01 4M106 AA01 AA02 AA04 BA01 BA14 CA31 CA60 CA62 DD01 DD23 DH02 DH14 DH44 DH45 DH46 DJ01
Claims (5)
- 【請求項１】 試料を加熱するヒータと、 前記試料の冷却を行う冷媒を流す冷媒配管とこの冷媒配
管を流れる冷媒の流量を制御する冷媒制御手段とを備
え、前記ヒータと一体的に形成された冷却機構とを具備
してなることを特徴とする加熱冷却装置。 - 【請求項２】 前記ヒータは線状のヒータ線から構成さ
れ、該ヒータ線と前記冷媒配管は同一平面上に配置され
てなることを特徴とする請求項１に記載の加熱冷却装
置。 - 【請求項３】 前記試料、前記ヒータ及び前記冷媒配管
は真空容器内に設置されてなることを特徴とする請求項
１又は２に記載の加熱冷却装置。 - 【請求項４】 前記請求項１又は２に記載の加熱冷却装
置と、前記試料表面に接触させることにより該試料に電
流又は電圧を供給し、該試料の電気特性の測定を行うプ
ローブとを具備してなることを特徴とする電気特性評価
装置。 - 【請求項５】 前記プローブは真空用同軸型プローブで
あることを特徴とする請求項４に記載の電気特性評価装
置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11064912A JP3129417B2 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 加熱冷却装置及び電気特性評価装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009063380A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | 電子部品の温度制御装置、電子部品の温度制御方法及びｉｃハンドラ |
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| JP2011514008A (ja) * | 2008-03-12 | 2011-04-28 | セミックス インク | 冷却装置を含んだウエハー検査システム |
| CN102494811A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-06-13 | 上海海事大学 | 精确测试太阳能吸附制冷管中高温工况下热损失的装置 |
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| CN115950975A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-11 | 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 | 一种可连续监测的混合气体气液相平衡转变检测系统 |
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-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064912A patent/JP3129417B2/ja not_active Expired - Fee Related
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