JP2000242188A - Method and device for manufacturing display panel - Google Patents

Method and device for manufacturing display panel

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JP2000242188A
JP2000242188A JP11045373A JP4537399A JP2000242188A JP 2000242188 A JP2000242188 A JP 2000242188A JP 11045373 A JP11045373 A JP 11045373A JP 4537399 A JP4537399 A JP 4537399A JP 2000242188 A JP2000242188 A JP 2000242188A
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Japan
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display panel
panel
data
unit
manufacturing
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JP11045373A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsutoshi Kuno
光俊 久野
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable process by measuring the thickness direction and a warp of a substrate after a precedent process, and feeding forward the measurement results to the following process. SOLUTION: This three-dimensional measuring device has a gate-type structure, and is provided with a guide side strut 2 integral with a Y-axis carriage 10, and a support side strut 3 having an air pad 9. A measuring probe 7 is attached to the bottom end of a Z-axis spindle 4 guided to about the center part of an X-axis carriage 5. The device measures the upper face data of a surface plate 8 as many as a predetermined number of measuring points, and stores the data in memory beforehand. After a panel 11, an object to be measured, has been set, range measurement is carried out to the panel 11 at the same position as the upper face of the surface plate 8. And, the warp data of the panel 11 is calculated from an arithmetic operation of the measured data and the data of only the surface plate 8 stored in memory. These panel data are transferred to a following process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源及びその応
用分野でもあるフラットディスプレイのマトリクス素子
の作製プロセスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for producing a matrix element of a flat display, which is an electron source and its application field.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、フラットディスプレイにおいて
は、液晶、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電
界電子放出型ディスプレイ(FED)、エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイ(ELP)等さまざまな方式の
ものが開発され、大面積化が進められている。特に、P
DP(プラズマディスプレイ)では、画面の大きさが4
0インチを超え、画質もXGA(1024×768画
素)並みの物も作られている。
2. Description of the Related Art In recent years, various types of flat displays have been developed such as a liquid crystal, a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and an electroluminescence display (ELP). Is underway. In particular, P
In DP (plasma display), the screen size is 4
Some products are larger than 0 inches and have image quality comparable to XGA (1024 x 768 pixels).

【0003】この様な、フラットディスプレイを製造す
る工程にあって、歩留まりの向上やディスプレイとして
の特性の均一性が求められている。
In the process of manufacturing such a flat display, improvement in yield and uniformity of characteristics as a display are required.

【0004】しかしながら、上記の要求に対して画素数
及び配線の増大に伴い、作製上の難しさも高まってい
く。例えば、基板上のX,Y方向に形成される配線電極
においても、電極本数の増大と配線密度の向上により、
配線間のオープンや隣接間のショート等といった不具合
も増加する傾向となる。更に、大面積ディスプレイで
は、配線電極の形成方法が従来のフォトリソプロセスで
は基板の大きさに限界があることから、近年では印刷技
術を使った方法が用いられている。
[0004] However, as the number of pixels and the number of wirings increase in response to the above-mentioned demands, the difficulty in fabrication increases. For example, even in the case of wiring electrodes formed in the X and Y directions on the substrate, the increase in the number of electrodes and the increase in wiring density have resulted in
Inconveniences such as open wiring and short circuit between adjacent wirings also tend to increase. Further, in the case of a large-area display, a method using a printing technique has been used in recent years because the method of forming wiring electrodes is limited in the size of a substrate in a conventional photolithography process.

【0005】そこで、次に従来技術として基板作製プロ
セスの一つである配線電極作製工程を例にとったフロー
チャートを図10として示す。
FIG. 10 is a flow chart showing a conventional example of a wiring electrode manufacturing step which is one of the substrate manufacturing processes.

【0006】図10を参照して、基板上に配線電極を設
ける製造工程として、まずステップS41、S42によ
り、作製プロセスへの青板ガラスやソーダガラス等の基
板を製造装置に投入し(S41)、当該基板の保管がさ
れる(S2)。次に、ステップS43で電極作製用の基
板に対して基板洗浄が行われる。基板洗浄は、一般にス
ピン洗浄といって、基板を回転させながらその表面をブ
ラッシングする方法が用いられ、表面上のごみや汚れ等
を除去した後、純水による超音波洗浄が施される。
Referring to FIG. 10, as a manufacturing process for providing wiring electrodes on a substrate, first, in steps S41 and S42, a substrate such as blue plate glass or soda glass for a manufacturing process is put into a manufacturing apparatus (S41). The substrate is stored (S2). Next, in step S43, the substrate for producing the electrode is cleaned. The substrate cleaning is generally called spin cleaning, and a method of brushing the surface of the substrate while rotating the substrate is used. After removing dust and dirt on the surface, ultrasonic cleaning with pure water is performed.

【0007】そして、次にS44で前アニール工程を行
う。前アニールは、予め基板に熱履歴を経験させておく
ことで、基板の収縮を行い、印刷配線後に行う焼成に対
して基板の歪みを最小限にするためのものである。アニ
ール温度としては、約500度前後で数時間おこなって
いる。
Next, a pre-annealing step is performed in S44. The pre-annealing is for causing the substrate to undergo thermal history in advance, thereby contracting the substrate and minimizing the distortion of the substrate with respect to the firing performed after the printed wiring. The annealing temperature is about 500 degrees for several hours.

【0008】その後、S45において、電極配線形成が
印刷配線によって行われる。印刷配線は、例えばスクリ
ーン印刷法を用いて行う場合や、オフセット印刷法があ
り配線の仕様に応じて各方法が選ばれる。
[0008] Thereafter, in S45, electrode wiring is formed by printed wiring. The printed wiring is performed by, for example, a screen printing method or an offset printing method, and each method is selected according to the specification of the wiring.

【0009】次に、S46において、前アニール後とほ
ぼ同じ条件で焼成が行われる。焼成は、印刷配線時での
配線材料内に含まれる溶媒等を気化させるためと、基板
等への配線の密着性を向上させる目的で行われる。
Next, in S46, baking is performed under substantially the same conditions as those after pre-annealing. The firing is performed for the purpose of evaporating the solvent and the like contained in the wiring material at the time of printed wiring and for the purpose of improving the adhesion of the wiring to the substrate and the like.

【0010】以上の様にして基板上には所定の配線材料
が形成されることとなる。
As described above, a predetermined wiring material is formed on the substrate.

【0011】次に、S47で配線のオープンや隣接間シ
ョートを行うためのオープンショート検査が行われる。
上記検査方法は、基板を基板ステージ上の所定の位置に
位置決めし、真空吸着を行って、基板をステージ上に吸
着した後、検査ワーク位置に移動する。ワーク位置で
は、例えば列方向に配線された配線のチェックを行うた
めのプローバユニットが用意されている。プローバユニ
ットは直接電極配線上に接触子をコンタクトするもの
で、配線電極と同ピッチの接触子が構成されており、例
えばスプリングタイプ等が使われる。
[0011] Next, in S47, an open short test is performed to open the wiring or short between adjacent wires.
In the above inspection method, the substrate is positioned at a predetermined position on a substrate stage, vacuum suction is performed, the substrate is suctioned on the stage, and then the inspection work position is moved. At the work position, for example, a prober unit for checking wiring arranged in the column direction is prepared. The prober unit directly contacts a contact on the electrode wiring, and has a contact having the same pitch as that of the wiring electrode. For example, a spring type is used.

【0012】そして、基板がワーク位置にきた後、プロ
ーブユニットをZ方向に下降移動することによって、各
電極配線の両側端部に接触され、所定の配線検査が行わ
れる。その後、配線電極の検査後、S48によるパター
ン検査等に進められていく。以上が基板上に配線形成を
行う場合のプロセスの一部である。
After the substrate comes to the work position, the probe unit is moved down in the Z direction so as to come into contact with both ends of each electrode wiring, and a predetermined wiring inspection is performed. Then, after the inspection of the wiring electrodes, the process proceeds to a pattern inspection or the like in S48. The above is a part of the process for forming a wiring on a substrate.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フラッ
トパネルディスプレイを構成するに当たっては、例えば
PDPの様に上記の様な印刷作製プロセスをX側、Y側
について別々の基板上に形成したり、液晶パネルでは一
方の基板に配線電極、そして対向側には透明電極が形成
された基板という様に、2枚の基板を貼りあわせて形成
されるものがほとんどである。
However, when constructing a flat panel display, for example, a printing process as described above, such as a PDP, is formed on separate substrates for the X and Y sides, or a liquid crystal panel is formed. In most cases, two substrates are bonded together, such as a substrate having a wiring electrode formed on one substrate and a transparent electrode formed on the opposite side.

【0014】そのため、上記S46の様に熱処理の影響
によって一旦基板に反りが生じた場合には、その反りを
維持した状態で貼りあわせが行われる可能性が大きい。
Therefore, when the substrate is once warped due to the influence of the heat treatment as in S46, there is a high possibility that the bonding is performed while maintaining the warpage.

【0015】貼り合わせ後のプロセスにおいても、例え
ばパネルをステージ面上に固定するための真空吸着や、
配線電極上にプローブユニット等を用いてコンタクトす
る場合がある。
In the process after bonding, for example, vacuum suction for fixing the panel on the stage surface,
A contact may be made on the wiring electrode using a probe unit or the like.

【0016】その様な状況で、パネルの反り状態を充分
把握しないでプロセスを通した場合には、吸着エラーの
発生や、コンタクト不良が生じることが懸念される。逆
に、パネルの反りに対して吸着力を過大にして、強制的
にステージ面にならわしたり、プローバの接触子の押圧
力を過大にしたりすると、反りの量によっては、パネル
が破損する危険も考えられ、計測系の問題によって、パ
ネルの作製プロセスの歩留まりにも影響してしまう。
In such a situation, if the process is performed without sufficiently grasping the warped state of the panel, there is a concern that a suction error may occur or a contact failure may occur. Conversely, if the suction force is excessive against the panel warpage and the stage surface is forcibly forced, or the pressing force of the prober contact is excessive, the panel may be damaged depending on the amount of warpage. It is conceivable that the problem of the measurement system affects the yield of the panel manufacturing process.

【0017】これらの問題点は、真空吸着やプローブユ
ニット等を使用されるプロセスに限ったことでなく、パ
ネルを固定したり、パネルの一部に力を作用させる他の
プロセスの場合についても同様である。
These problems are not limited to processes using vacuum suction or a probe unit, but also apply to other processes in which a panel is fixed or a force is applied to a part of the panel. It is.

【0018】そこで、本発明は、上記の様な問題点に対
して、基板単体や貼り合わせ後のフラットディスプレイ
において、前プロセスの後に、基板の厚み方向及び反り
等の計測を行い、次に前記計測結果を元に、後プロセス
にフィードフォワードする制御手段又は制御工程を設け
て、信頼性の高いプロセスを提供するものである。
In order to solve the above problems, the present invention measures the thickness direction and warpage of a substrate after a pre-process in a single substrate or a flat display after bonding. Control means or control steps for feeding forward to a post-process based on the measurement result are provided to provide a highly reliable process.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、大面積表示パ
ネルを作製する表示パネルの作製方法において、前プロ
セスが終了した後に前記表示パネル面の形状検査を行う
パネル検査工程と、前記検査工程でのデータを元にして
後プロセス開始時に前記表示パネル面の形状に対する制
御を行うデータ制御工程と、前記検査データ制御工程に
よって制御された後、制御結果の良否を判断する判断工
程が設けられたことを特徴とする。
According to the present invention, in a method of manufacturing a display panel for manufacturing a large-area display panel, a panel inspection step of inspecting a shape of the display panel surface after a previous process is completed; A data control step of controlling the shape of the display panel surface at the start of a post-process based on the data obtained in the step (a), and a judgment step of judging the quality of the control result after being controlled by the inspection data control step. It is characterized by the following.

【0020】また、本発明は、大面積表示パネルを作製
する表示パネルの作製装置において、前プロセスが終了
した後に表示パネル面の形状検査を行うパネル検査手段
と、前記検査手段でのデータを元にして後プロセス開始
時に前記表示パネル面の形状に対する制御を行うデータ
制御手段と、前記データ制御手段によって制御された
後、制御結果の良否を判断する判断手段が設けられたこ
とを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a display panel manufacturing apparatus for manufacturing a large-area display panel, wherein panel inspection means for inspecting the shape of the display panel surface after the previous process is completed, and data based on the inspection means. And a data control means for controlling the shape of the display panel surface at the start of the post-process, and a judgment means for judging the quality of the control result after being controlled by the data control means.

【0021】また、上記表示パネルの作製装置におい
て、前記データ制御手段は、データを取り込むデータメ
モリ部と、前記データより演算手段を行う演算部と、該
演算を行うためのプログラムが格納されたプログラムR
OMと、前記演算部からの信号の入出力を行う入出力I
/O部と、更に前記出力I/O部より前記接触子の駆動
を制御するドライバー部と、前記表示パネルの真空吸着
の排気量制御を行うための絞り弁コントローラ部と、前
記入力I/O部に前記パネルの吸着圧力信号を入力する
センサ回路とからなることを特徴とする。
In the above-described display panel manufacturing apparatus, the data control means includes a data memory unit for fetching data, a calculation unit for performing calculation means from the data, and a program storing a program for performing the calculation. R
OM and an input / output I for inputting / outputting a signal from the arithmetic unit.
An I / O unit, a driver unit for controlling the drive of the contact from the output I / O unit, a throttle valve controller unit for controlling the displacement of vacuum suction of the display panel, and the input I / O unit. And a sensor circuit for inputting a suction pressure signal of the panel to the unit.

【0022】また、本発明による表示パネルの作成方法
は、配線を有する表示パネルの作成方法であって、前記
配線に接触子を介して通電する工程を有しており、該工
程における前記接触子の前記配線への押し込み量を前記
表示パネルの形状に応じて制御することを特徴とする。
Further, a method of manufacturing a display panel according to the present invention is a method of manufacturing a display panel having a wiring, the method including a step of energizing the wiring through a contact. The amount of pushing into the wiring is controlled according to the shape of the display panel.

【0023】[本発明の作用]次に、本発明の目的を達
成するために用いられたパネル検査システムの作用につ
いて、図8、図9の作用図を用いて説明する。
[Operation of the Present Invention] Next, the operation of the panel inspection system used to achieve the object of the present invention will be described with reference to the operation diagrams of FIGS.

【0024】図8は、本発明の作用を示したフローチャ
ートである。まずS29の前プロセスにおいては、従来
技術でも述べた様に基板上に印刷配線を施した後の焼成
工程であったり、2枚の基板の貼りあわせを行ったあと
の基板組み立て工程であったり、特に基板に対して変形
を与える可能性のある作製プロセスが適用される。
FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the present invention. First, in the pre-process of S29, as described in the related art, a baking process after applying printed wiring on a substrate, a substrate assembling process after bonding two substrates, In particular, a manufacturing process which may deform the substrate is applied.

【0025】次に、S30の前プロセス後の検査では、
前プロセスによって受けた基板の変形量、特に基板の反
りや厚みなどの測定が行われる。本発明において検査装
置は、3次元形状検査装置を使用して、寸法的な数量で
表現できるデータを取得する。
Next, in the inspection after the pre-process of S30,
The amount of deformation of the substrate received by the pre-process, in particular, the measurement of the warpage or thickness of the substrate is measured. In the present invention, the inspection device uses a three-dimensional shape inspection device to acquire data that can be expressed in dimensional quantities.

【0026】ここで、基板の反りを可視化したデータの
一例を図9に示した。図9では、基板の各ポジションに
おける反り状態を3次元的に表したもので、横軸のPo
sitin方向を基板の長手方向とし、Sensor方
向を基板の短手方向としている。この検査装置での基板
内における計測点数は、45×17ポイントとし、ほぼ
基板全域に対して反り状態を把握できる。又、前記計測
値より各ポイントごとの変形量も算出することが可能と
なる。この基板の測定結果と元の測定結果とを各ポイン
トで差をとって、図9に示すような3次元座標で表現す
ることにより、前プロセスにおける基板の平面性の影響
を把握できる。
FIG. 9 shows an example of data obtained by visualizing the warpage of the substrate. In FIG. 9, the warp state at each position of the substrate is represented three-dimensionally, and Po on the horizontal axis.
The sitin direction is the longitudinal direction of the substrate, and the Sensor direction is the lateral direction of the substrate. The number of measurement points in the substrate in this inspection apparatus is 45 × 17 points, and the warping state can be grasped over almost the entire area of the substrate. Further, the amount of deformation for each point can be calculated from the measured value. By taking the difference between the measurement result of the substrate and the original measurement result at each point and expressing the difference in three-dimensional coordinates as shown in FIG. 9, the influence of the flatness of the substrate in the previous process can be grasped.

【0027】本データから明らかな様に基板の反りの状
況は、各4隅を下点とし、基板中央部が突き出したお椀
型に変形しており、3次元的に可視化することで、基板
の反りのプロファイルも知ることができる。
As is clear from this data, the warping state of the substrate is such that each of the four corners is a lower point, and the center of the substrate is deformed into a bowl shape protruding. You can also know the warpage profile.

【0028】以上より、検査結果のデータは、数値デー
タとして、後プロセス装置内のデータ取り込み部及び演
算制御部S31によって取り込まれメモリに蓄積され
る。メモリに蓄積された反りデータは、後プロセスで行
われる後プロセス装置の制御用入力信号として演算処理
される。前記でも述べた様に、後プロセスとしての対象
となる作製プロセスは、基板内の配線検査や、素子特性
評価、素子形成プロセス等であり、いずれも基板或は貼
りあわせ後の組み立て基板を、後プロセス装置内の基板
設置用のステージに真空吸着したり、配線電極上にプロ
ーブ針などの接触子のコンタクトを行う必要のあるプロ
セスとなる。
As described above, the inspection result data is captured as numerical data by the data capturing unit and the arithmetic control unit S31 in the post-processing apparatus, and is stored in the memory. The warp data stored in the memory is arithmetically processed as a control input signal of a post-process device performed in a post-process. As described above, the manufacturing processes to be processed as a post-process include a wiring inspection in a substrate, an evaluation of element characteristics, an element formation process, and the like. This is a process in which it is necessary to perform vacuum suction on a stage for setting a substrate in a process apparatus or to contact a contact such as a probe needle on a wiring electrode.

【0029】従って、S31の演算手段では基板の反り
量や、厚みむらを算出して、その値より真空吸着時での
吸着力制御や、プローブコンタクトの接触子のドライブ
量の制御などを行うための制御量をも算出している。
Accordingly, the calculating means in S31 calculates the amount of warpage and thickness unevenness of the substrate, and controls the suction force during vacuum suction and the drive amount of the contact of the probe contact based on the calculated values. Is also calculated.

【0030】また、上記データが各制御量に対する許容
値を超えていないかの判断も行い、後プロセスによる基
板等の破損防止や、プローブコンタクト等の接触子の保
護なども行っている。次に、図9に示した基板に対し
て、後プロセスで電極配線上にプローブコンタクトを用
い行う場合には、接触子が基板の各4辺の所定の位置に
正常に接触するように、基板の長手(Position)方向及
び、短手(Sensor)方向の各計測ポイントデータをデー
タ取り込み部のメモリ内から取り出す。例えば、短手方
向の「1」のポイントに対する長手方向の各ポイントデ
ータでは、最低(MIN):143.900mmから最
大(MAX):144.2mm間の数値データ45ポイ
ントが得られる。
It is also determined whether or not the above data does not exceed the allowable value for each control amount, to prevent damage to the substrate and the like in a later process, and to protect contacts such as probe contacts. Next, when using a probe contact on the electrode wiring in the post-process with respect to the substrate shown in FIG. 9, the substrate should be so contacted as to normally contact predetermined positions on each of four sides of the substrate. The measurement point data in the longitudinal (Position) direction and in the lateral (Sensor) direction are extracted from the memory of the data acquisition unit. For example, in each point data in the longitudinal direction corresponding to the point of “1” in the short direction, 45 points of numerical data between the minimum (MIN): 143.900 mm and the maximum (MAX): 144.2 mm are obtained.

【0031】S31の演算手段は、上記長手方向45ポ
イントの数値データから、プローブのコンタクト量の最
適押し込み量を算出する。押し込み量の算出は、通常標
準とされるプローブコンタクトのドライブ量を、基板の
反りの変化量の絶対値から最大反り量を算出し、最大反
り量と接触子の押し込み方向での標準設定位置との差を
プローブコンタクトのドライブ量に反映する形で行う方
法をとる。
The calculating means in S31 calculates the optimum pushing amount of the contact amount of the probe from the numerical data at the above-mentioned 45 points in the longitudinal direction. The amount of push-in is calculated by calculating the drive amount of the probe contact, which is usually standard, the maximum amount of warpage from the absolute value of the amount of change in the warp of the board, Is reflected in the drive amount of the probe contact.

【0032】従って、例えば反り量の最大値が+0.1
mmであれば、接触子の押し込み方向の位置を標準より
−0.1mmとすることで、標準ドライブ量になるよう
な制御を行う。
Therefore, for example, the maximum value of the amount of warpage is +0.1
mm, control is performed such that the standard drive amount is obtained by setting the position of the contact in the pushing direction to −0.1 mm from the standard.

【0033】以上の様な方法を残りの3辺にも適用し、
後プロセスを行うことが可能となる。
The above method is applied to the remaining three sides,
Post-processing can be performed.

【0034】又、上記の例では、後プロセス装置のプロ
ーブユニットが各辺の中で複数の分割ユニットで構成さ
れ、個々のユニットごとに制御をかける様な装置構成で
あることが好ましい。上記の方法は制御の一例を示した
に過ぎず、他の制御方法で行っても良い。
In the above example, it is preferable that the probe unit of the post-processing apparatus is constituted by a plurality of divided units in each side, and the apparatus is configured so as to control each individual unit. The above method is merely an example of control, and may be performed by another control method.

【0035】次に、吸着力を制御する場合を述べると、
図9に示した、お椀型に歪んだ基板に対して、後プロセ
ス装置で基板をステージ上に真空吸着して固定及び保持
する場合には、上記の反りを伴った基板に対しては、プ
ローブコンタクト部分は極力ステージ上にならった状態
とし、それ以外の基板中央部に相当する部分の真空吸着
力を弱め、基板に対して余分なストレスを与えない様に
する方法がとられる。
Next, the case of controlling the attraction force will be described.
In the case where the substrate is distorted into a bowl shape as shown in FIG. 9 and the substrate is fixed and held by vacuum suction on a stage in a post-processing device, a probe is applied to the substrate with the above-mentioned warpage A method is adopted in which the contact portion is placed on the stage as much as possible, and the vacuum suction force of the other portion corresponding to the central portion of the substrate is reduced so that no extra stress is applied to the substrate.

【0036】具体的には、ステージ上の吸着エリアを分
割し各エリアごとに真空排気系を用意し、個々の排気系
の途中に絞り弁を設けて、弁の開閉度をコントロールす
ることで実質的な吸着力の制御と基板の保護が可能とな
る。
Specifically, the suction area on the stage is divided, a vacuum exhaust system is prepared for each area, and a throttle valve is provided in the middle of each exhaust system to control the opening / closing degree of the valve. It is possible to control the attractive force and protect the substrate.

【0037】以上の様に基板の反り量を計測し、その値
を元に後プロセス装置の制御部に反映させることで安定
したプロセスの実現が可能となる(S32,S33)。
As described above, a stable process can be realized by measuring the amount of warpage of the substrate and reflecting the measured value on the control unit of the post-processing apparatus (S32, S33).

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】本発明による実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments according to the present invention will be described.
This will be described in detail with reference to the drawings.

【0039】[実施形態1]次に、本発明における実施
形態1について説明する。まず、図1の前工程での3次
元計測装置について説明する。本発明での3次元計測装
置は門型構造体とし、Y軸キャリッジ10と一体になっ
ているガイド側支柱2と、エアパッド9を有したサポー
ト側支柱3と、ガイド側支柱2とサポート側支柱3との
上端にZ軸方向から複数のボルトで締結するX軸ビーム
1とから構成される。
[Embodiment 1] Next, Embodiment 1 of the present invention will be described. First, the three-dimensional measuring apparatus in the previous step of FIG. 1 will be described. The three-dimensional measuring apparatus according to the present invention has a portal structure, and has a guide-side support 2 integrated with a Y-axis carriage 10, a support-side support 3 having an air pad 9, a guide-side support 2, and a support-side support. 3 and an X-axis beam 1 fastened to the upper end with a plurality of bolts from the Z-axis direction.

【0040】定盤8上には、Y軸ガイド6が固定されて
おり、門型構造体はY軸キャリッジ10の有するエアパ
ッド(不図示)とY軸ガイド6の案内面及び定盤8との
間にエアギャップを形成すると共に、定盤8とエアパッ
ドとの間にエアギャップ形成して、Y軸ガイド6に沿っ
て定盤8上をY軸方向に移動可能である。
The Y-axis guide 6 is fixed on the surface plate 8. The portal structure is formed by an air pad (not shown) of the Y-axis carriage 10, the guide surface of the Y-axis guide 6 and the surface plate 8. An air gap is formed between the surface plate 8 and the air pad, and an air gap is formed between the surface plate 8 and the air pad.

【0041】X軸ビーム1は、略中央部にX軸方向へ長
孔が形成されている。X軸キャリッジ5はX軸ビーム1
の上面1aと、両側面1b、1cとに両持ちされる。X
軸キャリッジ5の略中央部に案内されるZ軸スピンドル
4は、X軸ビームの長孔を通してZ軸方向及びX軸方向
へ移動自在である。Z軸スピンドル4の下端には測定子
7が装着されている。
The X-axis beam 1 has an elongated hole in the X-axis direction substantially at the center. X-axis carriage 5 is X-axis beam 1
And both sides 1b, 1c. X
The Z-axis spindle 4 guided at a substantially central portion of the shaft carriage 5 is movable in the Z-axis direction and the X-axis direction through a long hole of the X-axis beam. A tracing stylus 7 is attached to the lower end of the Z-axis spindle 4.

【0042】本発明の接触子7は、非接触型の光学的な
測距センサを用いている。パネル11の計測を行うに
は、予め定盤8の上面データを所定の測定ポイント数だ
け計測し、3次元計測装置のコントローラ内(不図示)
メモリにストアしておく。
The contact 7 of the present invention uses a non-contact type optical distance measuring sensor. In order to measure the panel 11, the upper surface data of the surface plate 8 is measured in advance for a predetermined number of measurement points, and the data is measured in a controller (not shown) of the three-dimensional measuring device.
Store it in memory.

【0043】次に、被計測物であるパネル11をセット
した後、定盤8上面を計測した位置と同じ位置における
パネルの測距の計測を行う。そして、計測されたデータ
は、コントローラ内のメモリにストアされている定盤8
のみのデータとの演算を行うことで、パネル11の反り
データの計測が可能となる。
Next, after setting the panel 11 to be measured, the distance measurement of the panel is measured at the same position as the position where the upper surface of the surface plate 8 is measured. The measured data is stored in the surface plate 8 stored in the memory in the controller.
By performing an operation with only the data, the warpage data of the panel 11 can be measured.

【0044】接触子7は、非接触の測距センサを用いた
が、例えば静電容量型のセンサや超音波センサ等を用い
てもよい。又は、レーザー光を用いて反射光を受光して
往復時間を計測して距離を測る方式でもよい。
Although the contact 7 uses a non-contact distance measuring sensor, for example, a capacitance type sensor or an ultrasonic sensor may be used. Alternatively, the distance may be measured by receiving the reflected light using a laser beam and measuring the round-trip time.

【0045】以上、本実施形態では前プロセスでの3次
元計測装置によるパネルデータは、図9で示したグラフ
と同様にパネルの長手方向に45ポイント、短手方向に
17ポイント、計765ポイントのデータが得られ、計
測終了後に後工程の装置にデータが転送される。
As described above, in the present embodiment, the panel data obtained by the three-dimensional measuring apparatus in the pre-process includes 45 points in the longitudinal direction of the panel and 17 points in the short direction, a total of 765 points, as in the graph shown in FIG. The data is obtained, and after the measurement is completed, the data is transferred to a subsequent device.

【0046】データ転送は、各プロセスの装置間でネッ
トワークが設備され、取得データは、一旦データサーバ
にストアされた後、所定の装置に転送されるシステムと
なっている。但し、計測データが後プロセスのみ必要と
されるデータであれば、直接装置間どおしのデータ転送
も行うことが可能である。
In the data transfer, a network is provided between devices of each process, and acquired data is temporarily stored in a data server and then transferred to a predetermined device. However, if the measurement data is data required only for the post-process, data transfer between the devices can be directly performed.

【0047】尚、本実施形態の説明でもパネルのデータ
は、図9のデータを用いて説明する。
In the description of this embodiment, the panel data will be described with reference to the data shown in FIG.

【0048】次に、図2に後プロセスである基板プロセ
ス装置12の概要図を示している。現状各種さまざまな
方式で構成されているフラットパネルディスプレイにあ
って、本実施形態の基板プロセス装置では、表示部に電
子源を用いたデバイスを要し、所定の蛍光体に電子を衝
突させることで発光を行う方式を用いた、いわゆる自発
光型の電子源ディスプレイの作製としている。特に本実
施形態で扱う電子源ディスプレイのパネル11は、上下
2枚のガラス基板がある一定の間隙をもって貼りあわせ
られており、下基板には電子源部がX、Yのマトリクス
上に構成された配線の交点部に形成されている。
Next, FIG. 2 shows a schematic view of the substrate processing apparatus 12 which is a post-process. Currently, in a flat panel display configured by various various methods, the substrate processing apparatus of the present embodiment requires a device using an electron source in the display unit, and collides electrons with a predetermined phosphor by using electrons. A so-called self-luminous electron source display using a method of emitting light is manufactured. In particular, the panel 11 of the electron source display handled in this embodiment has two upper and lower glass substrates bonded to each other with a certain gap, and the lower substrate has an electron source portion formed on an X, Y matrix. It is formed at the intersection of the wiring.

【0049】電子源部は、原理的には下基板上に形成さ
れて小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用したものである。次に電子
源部に通電フォーミング処理と呼ばれる電圧印加を施
す、それにより電子放出部には、数十オングストローム
の亀裂が不規則に発生する。
The electron source portion utilizes a phenomenon in which electrons are emitted in principle by passing a current through a small area thin film formed on a lower substrate in parallel with the film surface. Next, a voltage called an energization forming process is applied to the electron source portion, whereby a crack of several tens of angstroms is irregularly generated in the electron emission portion.

【0050】通電フォーミング処理後さらにいくつかの
プロセスを行なった後、電子源部に駆動電圧を印加する
ことで亀裂付近より電子が放出する。以上より、本実施
形態の基板プロセス装置12では、下基板に電子源を形
成させるための通電フォーミング処理工程と、更にその
後、活性化処理工程や安定化処理工程等の電子を発生さ
せるための幾つかのプロセスを行うための装置としてい
る。
After performing several processes after the energization forming process, electrons are emitted from the vicinity of the crack by applying a drive voltage to the electron source. As described above, in the substrate processing apparatus 12 of the present embodiment, the energization forming step for forming an electron source on the lower substrate and the subsequent steps for generating electrons in the activation step and the stabilization step are performed. It is an apparatus for performing such a process.

【0051】図2の基板プロセス装置12の本体には、
パネル11を支持するステージ13と、パネル11にお
いて、下基板のX、Y方向の各配線電極に接触子をコン
タクトさせるX側プローブユニット14と、YLプロー
バユニット15、YRプローバユニット16が構成さ
れ、各々のプローブユニットの制御は、プローブ制御系
17からの制御によって行われ、所定のアクチュエータ
(不図示)の駆動によって上下方向に動作し、コンタク
トが行われる。
The main body of the substrate processing apparatus 12 shown in FIG.
A stage 13 for supporting the panel 11, an X-side probe unit 14 for contacting a contact with each wiring electrode of the lower substrate in the X and Y directions, a YL prober unit 15, and a YR prober unit 16; The control of each probe unit is performed under the control of the probe control system 17, and the probe unit is operated in the vertical direction by driving a predetermined actuator (not shown) to make contact.

【0052】次に、パネル11をステージ13に固定さ
せるために真空吸着を行なっており、吸着での固定は真
空排気制御系18によって吸着力の制御が行われる。
(真空吸着の制御については後述詳細に述べる)又、パ
ネル11内の雰囲気制御を行うために、パネル内真空排
気制御系18と雰囲気制御系19が設けられている。パ
ネル内11には、電子源を形成するに当たって通電処理
を施した後に幾つかのプロセスが行われる。
Next, vacuum suction is performed to fix the panel 11 to the stage 13, and the suction force is controlled by a vacuum exhaust control system 18 for fixing by suction.
(The control of vacuum suction will be described in detail later.) Further, in order to control the atmosphere in the panel 11, an in-panel evacuation control system 18 and an atmosphere control system 19 are provided. Several processes are performed on the inside of the panel 11 after applying an energizing process to form an electron source.

【0053】その際、パネル11内に各プロセスに対応
して適宜必要なガスを流入したり、或いは真空状態を維
持したりするため、上記制御系が必要とされる。
At this time, the above-described control system is required in order to appropriately flow necessary gas into the panel 11 corresponding to each process or to maintain a vacuum state.

【0054】更に、上記パネル内真空排気系18によっ
て、パネル11内を真空状態に維持した後、パネルの封
止を行うための真空封止制御系20が設置されている。
真空封止は、基板プロセス装置12で行われる最後のプ
ロセスとして行われる。
Further, a vacuum sealing control system 20 for sealing the panel is provided after the inside of the panel 11 is maintained in a vacuum state by the above-mentioned panel vacuum exhaust system 18.
Vacuum sealing is performed as the last process performed in the substrate processing apparatus 12.

【0055】HP(ホットプレート)21と熱処理制御
系22は、パネル11の熱処理を行う際に必要とされる
制御系で、X及びYのプローバユニットが待避した後、
HP21がパネル11の上面部まで下降し、熱処理制御
系22によって数百度の加熱が行われる。この熱処理プ
ロセスを施すことで、パネル11内の脱ガス効果や、水
分等の除去が行われ、表面伝導型放出素子の素子特性を
向上させるための必要不可欠なプロセスとされる。
An HP (hot plate) 21 and a heat treatment control system 22 are control systems required for performing heat treatment of the panel 11, and after the X and Y prober units have been evacuated.
The HP 21 descends to the upper surface of the panel 11, and the heat treatment control system 22 performs heating at several hundred degrees. By performing this heat treatment process, the degassing effect in the panel 11 and the removal of moisture and the like are performed, which is an indispensable process for improving the device characteristics of the surface conduction electron-emitting device.

【0056】次に、下基板上に形成されるX,Yマトリ
クス配線のオープン/ショート状態の検査を行うため
に、オープン/ショート(O/S)チェッカ計測器23
が用いられる。
Next, in order to inspect the open / short state of the X and Y matrix wirings formed on the lower substrate, an open / short (O / S) checker measuring device 23 is used.
Is used.

【0057】O/Sチェッカ計測器23は、X,Y方向
の配線電極上にコンタクトされたプローバユニット14
〜16内の接触子を通して、Y側配線のオープン/ショ
ート、配線抵抗の計測、X側配線のショート状態をチェ
ックすると共に、通電フォーミング処理前に電子源の薄
膜抵抗を個別に計測する個別抵抗計測を行なっている。
The O / S checker measuring device 23 is connected to the prober unit 14 which is in contact with the wiring electrodes in the X and Y directions.
Individual resistance measurement to measure open / short of Y-side wiring, measurement of wiring resistance, short-circuiting of X-side wiring, and individually measure thin-film resistance of electron source before energization forming process through contacts in ~ 16 Are doing.

【0058】又、プローブユニット14〜16が正常に
コンタクトしているかどうかのチェックもO/Sチェッ
カ計測器23で計測できる。
The O / S checker 23 can also check whether the probe units 14 to 16 are in normal contact.

【0059】そして、符号24は、表面伝導放出素子と
して電子放出部を形成するために、亀裂を生じさせるた
めの素子形成用ドライバー装置である。素子形成用ドラ
イバー24は、下基板上のX,Yのマトリクス配線電極
のコンタクトされているプローバユニット14,15,
16を通してX側、Y側に適宜亀裂が生じるための処置
電圧を印加する。
Reference numeral 24 denotes a device forming driver device for generating a crack in order to form an electron emission portion as a surface conduction emission device. The element forming driver 24 is connected to the prober units 14, 15, 15, which are in contact with the X and Y matrix wiring electrodes on the lower substrate.
A treatment voltage for generating cracks on the X side and the Y side through 16 is appropriately applied.

【0060】本実施形態での素子形成用ドライバー装置
24では、印加する直流電圧値は素子抵抗によって異な
るため、数msec〜数十msecのパルスをY配線側
に約10V〜20Vの範囲で印加制御し、X配線側には
Y側の配線抵抗の影響によって生じる電圧降下を補償す
るため、数Vの電圧が印加される。
In the device forming driver device 24 according to the present embodiment, the applied DC voltage varies depending on the device resistance, so that a pulse of several msec to several tens msec is applied to the Y wiring side in a range of about 10 V to 20 V. A voltage of several volts is applied to the X wiring side to compensate for a voltage drop caused by the influence of the wiring resistance on the Y side.

【0061】以上、通電フォーミング処理を行うことで
素子部に電子源を放出するための亀裂形成が可能とな
る。
As described above, by performing the energization forming process, a crack for emitting an electron source to the element portion can be formed.

【0062】次に、図3に基板プロセス装置12を構成
する制御系のブロック図を示す。各々の機能については
既に説明したため省略し、各制御系の系統のみの説明を
行う。また、図2と同一ブロックには同一符号を付し、
重複する説明を省略する。
Next, FIG. 3 shows a block diagram of a control system constituting the substrate processing apparatus 12. Since each function has already been described, a description thereof will be omitted, and only a system of each control system will be described. In addition, the same blocks as those in FIG.
A duplicate description will be omitted.

【0063】まず、パネルを装着しているステージ部1
3に対して、O/Sチェッカ計測器23、素子形成用ド
ライバ装置24が切り替え器25を通して繋がってい
る。切り替え器25は、プローブユニット(ブロック図
中では不図示)を通して繋がっているため、どちらかの
プロセスを行う時にはオペレータ等が切り替え器25の
切り替えSWを設定する。又、ステージ部13に対し
て、パネル吸着用の真空吸着制御系47と、真空封止制
御系20、更にプローブユニット制御系17が個別に繋
がっている。更に、パネルに熱処理を施すための熱処理
制御系22がHP(ホットプレート)21と繋がり、パ
ネル内の雰囲気制御を行うためのパネル内真空排気制御
系18、雰囲気制御系19がステージ部13に繋がって
いる。
First, the stage 1 on which the panel is mounted
3, an O / S checker measuring device 23 and an element forming driver device 24 are connected through a switch 25. Since the switch 25 is connected through a probe unit (not shown in the block diagram), an operator or the like sets a switch SW of the switch 25 when performing either process. Further, a vacuum suction control system 47 for panel suction, a vacuum sealing control system 20, and a probe unit control system 17 are individually connected to the stage unit 13. Further, a heat treatment control system 22 for performing heat treatment on the panel is connected to an HP (hot plate) 21, and an in-panel evacuation control system 18 for controlling the atmosphere in the panel and an atmosphere control system 19 are connected to the stage unit 13. ing.

【0064】以上の様な制御系に対して、前工程である
3次元計測装置からのデータが、プローブユニット制御
系17に入力される。3次元計測装置からのデータのや
りとりは、全てプローブユニット制御系が行い、入力さ
れたデータを元にステージ部にあるX,Y方向のプロー
ブユニットの制御を行なっている。
For the above-described control system, data from the three-dimensional measuring device, which is a pre-process, is input to the probe unit control system 17. The exchange of data from the three-dimensional measuring device is all performed by the probe unit control system, and the X and Y direction probe units on the stage are controlled based on the input data.

【0065】次に、図4に基板プロセス装置12のステ
ージ部13のプローブユニット回りの構成について説明
する。まず、ステージ13上に設置されたパネル11に
対して、X、Y側共にプローブユニットが下基板上の電
極配線上にコンタクトしている状態において、X側プロ
ーブユニット14は、14a,14b,14cの3分割
され、Y側においては15a,15b,16a,16b
のそれぞれ2分割の構成としている。X側を3分割にし
ているのは、電極配線数が多く下基板の長手方向に対す
る反りも大きいとするからである。
Next, the configuration around the probe unit of the stage section 13 of the substrate processing apparatus 12 will be described with reference to FIG. First, in a state where the probe units are in contact with the panel 11 placed on the stage 13 on both the X and Y sides on the electrode wirings on the lower substrate, the X-side probe units 14a, 14b, 14c And 15a, 15b, 16a, 16b on the Y side
Is divided into two. The reason why the X side is divided into three is that the number of electrode wirings is large and the warp in the longitudinal direction of the lower substrate is large.

【0066】次に、X側、Y側のプローブユニット14
〜16のZ方向(上下方向)の制御を行うためのアクチ
ュエータが、X側においては、符号25,26,27、
Y側においては、符号28,29,30,31で、これ
らは分割されているプローブユニットに対応して各々設
けられており、プローブユニット制御系17によってZ
方向の駆動を行う。
Next, the X-side and Y-side probe units 14
Actuators for performing control in the Z direction (vertical direction) of up to 16 are denoted by reference numerals 25, 26, 27 on the X side.
On the Y side, reference numerals 28, 29, 30, and 31 are provided corresponding to the divided probe units, respectively.
Drive in the direction.

【0067】本実施形態での制御では、ステップパルス
駆動による制御を行い、Z方向の送り精度を高めたため
パルスモータ等を使用しているが、他の方式のアクチュ
エータを用いることも可能である。
In the control according to the present embodiment, a pulse motor or the like is used because control by step pulse driving is performed to improve feed accuracy in the Z direction. However, an actuator of another type may be used.

【0068】次に、符号32,33,34は、X、Yの
各配線中継BOXで、使用目的としては、各プローブユ
ニット内部で接触子と結線されている信号ケーブルを一
旦配線中継BOX32〜34内に取り込み、そこから切
り替え器25の入力用のコネクタやケーブルに適した実
装配線を行うために設けられている。特に、接触子から
結線されているケーブルは細く、容易に断線することが
考えられることや、ケーブルの配線抵抗が、通電フォー
ミング時での電圧降下として影響することから引き回し
等の実装を最小にするため上記の様な中継BOXが必要
される。
Reference numerals 32, 33, and 34 denote X and Y wiring relay BOXes. The purpose of use is to temporarily connect a signal cable connected to a contact inside each probe unit to a wiring relay BOX 32 to 34. It is provided in order to carry out mounting wiring suitable for an input connector and a cable of the switch 25 from there. In particular, since the cable connected from the contact is thin and can be easily broken, and the wiring resistance of the cable affects as a voltage drop during energization forming, it minimizes the mounting such as routing. Therefore, a relay box as described above is required.

【0069】次に、符号38,39,40,41は、ス
テージ部13にパネル11を真空吸着させた時にステー
ジ吸着面上での吸着力の制御を行うための絞り弁であ
る。各絞り弁38〜41は、パネル11を吸着させた時
にパネルの反りに対して吸着力を個別に制御できるよう
に設けたもので、ステージ13上に4つに分割された吸
着エリアに対して各々排気管の真空吸着系47があり、
各排気管上に個別に備えられている。46は各絞り弁を
通した後の排気管を集結させ一括排気させるための排気
BOXである。排気BOX46の先には、真空排気系が
接続されている。
Reference numerals 38, 39, 40 and 41 denote throttle valves for controlling the suction force on the stage suction surface when the panel 11 is vacuum-sucked to the stage section 13. The throttle valves 38 to 41 are provided so that the suction force can be individually controlled with respect to the warpage of the panel when the panel 11 is sucked. There is a vacuum suction system 47 for each exhaust pipe,
It is provided individually on each exhaust pipe. Reference numeral 46 denotes an exhaust box for collecting the exhaust pipes after passing through the respective throttle valves and collectively exhausting the exhaust pipes. A vacuum exhaust system is connected to the end of the exhaust box 46.

【0070】更に、符号42,43,44,45は、各
排気管と絞り弁との間に設けられた圧力センサで、各々
の排気管内の圧力値を検出することでパネル11がステ
ージ13に吸着されている時の吸着圧力を検知すること
ができる。検知出力信号は、絞り弁の制御を行うためプ
ローブユニット制御系17の演算処理に入力され、真空
吸着制御系47の絞り弁の制御に反映される。尚、圧力
センサは、差圧でも絶対圧の両者のどちらを使用しても
構わない。
Reference numerals 42, 43, 44, and 45 denote pressure sensors provided between each exhaust pipe and the throttle valve. The panel 11 is connected to the stage 13 by detecting a pressure value in each exhaust pipe. The suction pressure at the time of suction can be detected. The detection output signal is input to the arithmetic processing of the probe unit control system 17 for controlling the throttle valve, and is reflected in the control of the throttle valve of the vacuum suction control system 47. The pressure sensor may use either a differential pressure or an absolute pressure.

【0071】又、符号35,36,37はプローブユニ
ットと配線電極とのアライメントをとるためのアライメ
ントスコープで、X、Y方向の各辺には2個のアライメ
ントスコープが配置され、下基板上の配線電極上には、
アライメントマークが配線電極と同一プロセスで形成さ
れている。プローバユニットの固定されたアライメント
スコープ35〜37は、配線電極上のアライメントマー
クを認識し、位置合わせを行うことで配線電極上の所定
の位置にプローバの接触子がコンタクトできる。
Reference numerals 35, 36, and 37 denote alignment scopes for aligning the probe unit with the wiring electrodes. Two alignment scopes are arranged on each side in the X and Y directions, and are arranged on the lower substrate. On the wiring electrode,
The alignment marks are formed in the same process as the wiring electrodes. The alignment scopes 35 to 37, to which the prober unit is fixed, recognize the alignment marks on the wiring electrodes and perform alignment to allow the prober contacts to contact predetermined positions on the wiring electrodes.

【0072】次に、本実施形態で行なっている3次元計
測装置からの計測データを元にして、基板プロセス装置
でのプローブユニットの制御を行うための制御ブロック
図を図5に示す。図5は、プローブユニット制御系17
と真空排気制御系18の制御構成を示した図である。本
実施形態1では、プローブユニット制御系17について
の説明のみを行い、真空排気制御系18についての説明
は実施形態2で行うこととする。
Next, FIG. 5 shows a control block diagram for controlling the probe unit in the substrate processing apparatus based on the measurement data from the three-dimensional measuring apparatus performed in the present embodiment. FIG. 5 shows the probe unit control system 17.
FIG. 3 is a diagram illustrating a control configuration of a vacuum evacuation control system 18. In the first embodiment, only the probe unit control system 17 will be described, and the evacuation control system 18 will be described in the second embodiment.

【0073】図5において、まず、51は前プロセスで
ある3次元計測装置からの計測データ(45×17ポイ
ント)を入力するための入力インターフェース(I/
F)回路である。入力系は、各種のデータ転送に対して
ハードウェアが異なるが、本実施形態ではローカルネッ
トワークを介在しているため、シリアル転送に対応した
I/F回路となっている。
In FIG. 5, first, reference numeral 51 denotes an input interface (I / I) for inputting measurement data (45 × 17 points) from a three-dimensional measuring apparatus which is a pre-process.
F) Circuit. The input system has different hardware for various types of data transfer, but in the present embodiment, an I / F circuit corresponding to serial transfer is used because a local network is interposed.

【0074】3次元計測データは、I/F回路51を通
してデータメモリ部49に転送される。演算処理CPU
48はI/F回路51からの信号をうけて3次元計測デ
ータが入力されていることを検知し、データメモリ部4
9を書き込みモードとした後、データのストアを順次行
なう。
The three-dimensional measurement data is transferred to the data memory unit 49 through the I / F circuit 51. Arithmetic processing CPU
48 detects that three-dimensional measurement data is input in response to a signal from the I / F circuit 51,
After 9 is set to the write mode, data storage is performed sequentially.

【0075】以上の様にしてデータのストアが終了した
後、次にプローバユニット14,15,16のZ軸駆動
量の演算を行う。演算のアルゴリズムはプログラムRO
M50にストアされており、演算CPU48はプログラ
ムCPU50から適宜必要なアルゴリズムを読み出し、
CPU内部メモリに格納する。そして、演算CPU48
はデータメモリ部49にストアしたデータ値を読み出
し、パネルの反りの絶対値の演算を行う。計測データ
は、パネルの反りの量を相対的な値で計測していること
から、予め3次元計測装置のステージ表面を計測した値
をプログラムROM50内にストアさせておき、その値
と計測データとの差をとることで実際のパネルの反りデ
ータの絶対値を得ることができる。
After the data storage is completed as described above, the Z-axis drive amounts of the prober units 14, 15, and 16 are calculated. The algorithm of operation is program RO
The arithmetic CPU 48 reads out the necessary algorithm from the program CPU 50 as appropriate,
Store it in the CPU internal memory. Then, the arithmetic CPU 48
Reads the data value stored in the data memory unit 49 and calculates the absolute value of the warpage of the panel. Since the measurement data measures the amount of warpage of the panel as a relative value, a value obtained by measuring the stage surface of the three-dimensional measuring device is stored in the program ROM 50 in advance, and the measured value is compared with the measured data. By taking the difference, the absolute value of the actual panel warpage data can be obtained.

【0076】次に、パネルの反り状態が許容量を超えて
いないかどうかを判断した後、X,Y方向の各辺におけ
るプローブユニット14〜16のZ軸量の算出を行う。
Next, after judging whether the warp state of the panel does not exceed the allowable amount, the Z-axis amounts of the probe units 14 to 16 on each side in the X and Y directions are calculated.

【0077】本実施形態で用いているプローブユニット
接触子は、スプリングプローブタイプを採用している。
接触子のドライブ量はスプリングタイプの場合MAX1
mm以下とし、標準的なドライブ量をパネルと接触して
から約0.3mmとすると、最大ドライブ量を1mmと
した時約0.7mmのドライブマージンとなる。しかし
ながら、接触子のZ方向のばらつきを考慮すると0.6
mmとして見積もった方が安全である。
The probe unit contact used in this embodiment employs a spring probe type.
Contact drive MAX1 for spring type
mm and a standard drive amount of about 0.3 mm after contact with the panel, a drive margin of about 0.7 mm is obtained when the maximum drive amount is 1 mm. However, considering the variation in the Z direction of the contact, 0.6
It is safer to estimate as mm.

【0078】又、1本当たりの接触子のドライブ荷重は
標準的には約10g程度である。そのため、スプリング
プローブに過大なドライブ量がかかった場合には接触子
の耐久性に大きく影響する、更にピン数が多いとパネル
にかかる荷重も増加することからドライブ量はできる限
り標準的な値にすることが好ましい。
The drive load per contact is typically about 10 g. Therefore, if the spring probe has an excessive drive amount, it will greatly affect the durability of the contact.If the number of pins is large, the load applied to the panel will increase, so the drive amount should be as standard as possible. Is preferred.

【0079】従って、演算CPU48は、計測されたパ
ネルの反り量とプローブユニット14〜16の接触子の
Z方向のばらつきと、パネルの厚みむらを考慮し、各軸
のZ軸ドライブ量を算出する。算出した値は、パルスモ
ータ25〜31を駆動するためのパルス数に変換され
る。パルスモータ25〜31は、1パルス当たりの移動
量がメカ的な機構から決まってくることから、ドライブ
量から送りパルス量を算出し、出力I/O部52を通し
て各軸のドライバ53,54,55にパルス信号を出力
することで、Z軸方向の制御が可能となる。
Accordingly, the arithmetic CPU 48 calculates the Z-axis drive amount of each axis in consideration of the measured amount of warpage of the panel, the variation in the Z direction of the contacts of the probe units 14 to 16 and the unevenness of the thickness of the panel. . The calculated value is converted into the number of pulses for driving the pulse motors 25 to 31. Since the amount of movement per pulse is determined by a mechanical mechanism, the pulse motors 25 to 31 calculate the amount of feed pulses from the amount of drive and drive the drivers 53, 54, By outputting a pulse signal to 55, control in the Z-axis direction becomes possible.

【0080】又、演算CPU48は、X,Y共に各々分
割されたプローブユニットに対応した駆動量を逐次算出
し、制御信号パルスを出力している。又、本実施形態で
は多軸制御用のドライバを使用しドライバの規模を極力
減らしている。
The arithmetic CPU 48 sequentially calculates the drive amounts corresponding to the divided probe units for both X and Y, and outputs control signal pulses. In the present embodiment, a driver for multi-axis control is used to reduce the size of the driver as much as possible.

【0081】次に、図6に実施形態1で行われているシ
ーケンスのフローチャートを示す。本実施形態1では、
前プロセスで計測されたパネルの3次元計測データを元
に、後プロセスでの基板プロセス装置内のプローブユニ
ットのドライブ制御を行うものである。以下フローチャ
ートに沿って詳細に述べる。
Next, FIG. 6 shows a flowchart of the sequence performed in the first embodiment. In the first embodiment,
Based on the three-dimensional measurement data of the panel measured in the pre-process, drive control of the probe unit in the substrate processing apparatus in the post-process is performed. The details will be described below along the flowchart.

【0082】まず、前プロセスであるステップS1でパ
ネルの3次元計測を行い、計測データがS9であるパネ
ル反りデータとしてメモリ49に格納される。格納先
は、図5で示したI/F回路51を介したデータメモリ
49である。パネルの作製プロセスは後プロセスに進
み、3次元計測装置からパネルを搬出した後、S2で基
板プロセス装置12へパネルがセットされる。
First, in step S1 which is a previous process, three-dimensional measurement of the panel is performed, and the measurement data is stored in the memory 49 as panel warpage data of S9. The storage destination is the data memory 49 via the I / F circuit 51 shown in FIG. The panel manufacturing process proceeds to a post-process, and after the panel is unloaded from the three-dimensional measurement device, the panel is set on the substrate processing device 12 in S2.

【0083】本実施形態では、パネルは上下2枚のガラ
ス基板が一定の間隔をおいて張り合わされた状態となっ
ている。
In the present embodiment, the panel is in a state where upper and lower two glass substrates are stuck at a fixed interval.

【0084】パネルが基板プロセス装置の所定の位置に
セットされた後、S3でパネルの吸着を行う。パネル吸
着は、真空吸着によって行われる。次に、S4でパネル
X,Y側に対して各プローブユニットの位置決めが行わ
れる。
After the panel is set at a predetermined position of the substrate processing apparatus, the panel is sucked in S3. Panel suction is performed by vacuum suction. Next, in S4, each probe unit is positioned with respect to the panels X and Y.

【0085】位置決め方法は、図4のアライメントスコ
ープ35,36,37で示した様に、各辺2個所に設け
られたアライメントスコープを用いて下基板上に設けら
れているアライメントマークを認識することで行われ
る。
The positioning method is, as shown by the alignment scopes 35, 36, and 37 in FIG. 4, for recognizing the alignment marks provided on the lower substrate using the alignment scopes provided at two places on each side. Done in

【0086】認識された2つのマークの位置から、プロ
ーブユニットのX,Y方向のずれをアライメント処理系
(不図示)で検出し、プローブユニット14〜16を移
動させて位置決めが完了する。
From the positions of the two recognized marks, the displacement of the probe unit in the X and Y directions is detected by an alignment processing system (not shown), and the probe units 14 to 16 are moved to complete the positioning.

【0087】次に、各辺のアライメントが完了したら、
S5でプローブユニットを配線電極上にコンタクトさせ
る。
Next, when the alignment of each side is completed,
In S5, the probe unit is brought into contact with the wiring electrode.

【0088】まず、S9でストアした計測データを図5
の説明で述べた様に、演算CPU48によって絶対値に
変換する。本実施形態では、演算される3次元計測デー
タを図9で示した反りデータとして算出を行なった。
First, the measured data stored in S9 is shown in FIG.
As described in the above description, the data is converted into an absolute value by the arithmetic CPU 48. In the present embodiment, the calculated three-dimensional measurement data is calculated as the warpage data shown in FIG.

【0089】図9から、パネルは全体で最大0.4mm
の反りをもっていることが確認でき、S10でパネルの
反り状態を検知しているフローチャートでは、0.4m
mの反りがX,Yの各々のプローバユニットのドライブ
量のマージン以下であることからプローブコンタクトが
可能であることの判断がなされた。
As shown in FIG. 9, the panel has a maximum of 0.4 mm in total.
In the flow chart of detecting the warped state of the panel in S10.
Since the warpage of m was less than the drive amount margin of each of the X and Y prober units, it was determined that probe contact was possible.

【0090】仮に、パネルの反りが非常に大きく、プロ
ーバユニットのドライブ量を超えてしまう場合には、オ
ペレータの判断によって後工程の可否によるプロセスが
進められる。
If the warpage of the panel is very large and exceeds the drive amount of the prober unit, a process is performed according to the judgment of the operator depending on whether or not a post-process is possible.

【0091】次に、S11でX、Y側のプローブユニッ
トのZ方向のドライブ量の演算が行われる。まずY側に
おいては、図9から、パネルの短手方向が両側とも中央
付近が最も反っており、反り量が最大で0.3mmある
ことが判った。この反り量に対してプローブユニットの
ドライブ量としては、最大1mmに対して約0.6mm
のマージンとすると、0.3mmの反り量であれば標準
ドライブ量の0.3mmのZ方向の位置に制御すること
で、最大反り部の所で0.6mmのドライブ量、反りの
少ないところで0.3mmのドライブ量となり充分コン
タクトできたので両側とも標準位置に設定された。
Next, in step S11, the drive amount of the probe units on the X and Y sides in the Z direction is calculated. First, on the Y side, it can be seen from FIG. 9 that the lateral direction of the panel is the most warped near the center on both sides, and the amount of warpage is 0.3 mm at the maximum. The drive amount of the probe unit for this amount of warp is about 0.6 mm for a maximum of 1 mm.
If the warpage is 0.3 mm, the standard drive amount is controlled to the position of 0.3 mm in the Z direction, so that the drive amount is 0.6 mm at the maximum warp portion and 0 at the small warp. Since the drive amount was 0.3 mm and the contact was sufficient, both sides were set to the standard position.

【0092】次に、X側のプローブユニットのドライブ
量の算出であるが、図9からみると、パネル中央付近に
おける反りが最も大きく、プローブユニットがコンタク
トする位置に対して最大で0.5mmの反りが生じてい
る。
Next, the drive amount of the probe unit on the X side is calculated. As shown in FIG. 9, the warp near the center of the panel is the largest, and the maximum warp is 0.5 mm with respect to the position where the probe unit contacts. Warpage has occurred.

【0093】X側のプローバユニットは、パネルの長手
方向に対して3分割となっており、それぞれのユニット
ごとにドライブ量の制御が可能である。従って、上記パ
ネルの反りに対しては中央部ユニットの14bのドライ
ブ量とその両側のユニット14a,14cと異なる値で
制御を行った。
The X-side prober unit is divided into three in the longitudinal direction of the panel, and the drive amount can be controlled for each unit. Therefore, the warpage of the panel was controlled with a drive amount of the central unit 14b and a different value from the units 14a and 14c on both sides thereof.

【0094】上記0.5mmの反り量に対して、14
a,14cは標準位置とし、14bに関しては標準値に
対して−0.2mm上方向の位置に設定された。それに
より最大反り量が発生しているところの14bのプロー
ブユニットのドライブ量は約0.7mmとなり、14
a,14cについては0.6mmのドライブ量となっ
た。
For the above-mentioned warpage of 0.5 mm, 14
a and 14c are standard positions, and 14b is set at a position -0.2 mm above the standard value. As a result, the drive amount of the probe unit 14b where the maximum amount of warpage occurs is about 0.7 mm, and
As for a and 14c, the drive amount was 0.6 mm.

【0095】以上の様なプローブユニットの位置制御後
に、各配線電極にプローブユニットの接触子が正常にコ
ンタクトしているかどうかのチェックがS6の計測によ
って行われる。パネル計測はO/Sチェック計測器23
によって行われ、マトリクス配線されたX,Y方向の配
線に対して、配線抵抗或いは隣接間抵抗計測を行うこと
でコンタクトの確認が行われる。そして、S7ではX,
Y側のコンタクトチェックの判断がなされ、正常にコン
タクトされている場合には素子形成のためのプロセスS
8に進み、コンタクトに不具合が生じた場合には各プロ
ーバユニットのドライブ量をO/Sチェッカ計測器23
の結果を元に、再度Z方向の設定値を算出し、位置決め
制御を行うシーケンスが繰り返される。その際、リトラ
イシーケンスは例えば、コンタクト不良が発生している
ユニットをオペレータが判断した後、予め決まったドラ
イブ量を逐次演算CPU48によって制御する方式や、
オペレータ自身がドライブ量を決定し、Z方向の位置を
決定する方式がある。
After the position control of the probe unit as described above, whether or not the contact of the probe unit normally contacts each wiring electrode is checked by the measurement in S6. Panel measurement is O / S check measuring instrument 23
The contact is confirmed by measuring the wiring resistance or the resistance between adjacent wirings in the matrix wiring in the X and Y directions. Then, in S7, X,
The Y-side contact check is determined, and if the contact is normal, the process S for forming the element is performed.
Then, if a problem occurs in the contact, the drive amount of each prober unit is measured by the O / S checker measuring device 23.
Based on the result, the set value in the Z direction is calculated again, and the sequence of performing the positioning control is repeated. At this time, the retry sequence includes, for example, a method in which the operator determines a unit in which a contact failure has occurred, and then controls a predetermined drive amount by the sequential calculation CPU 48,
There is a method in which the operator himself determines the drive amount and determines the position in the Z direction.

【0096】以上のプロセスにより、パネルに対しての
過度な荷重がかかることを防止するとともに、プローバ
ユニットの接触子の耐久性に対しても配慮することがで
きる。こうして、基板プロセス装置12へパネルがセッ
トされ、後プロセス工程を信頼性高く、また規定値以外
の表示パネルを早期に排除でき、歩留まりの向上のため
に効果的な工程処理が実行される。
By the above process, it is possible to prevent an excessive load from being applied to the panel and to consider the durability of the contacts of the prober unit. In this way, the panel is set on the substrate processing apparatus 12, the post-process steps can be performed with high reliability, and display panels other than the specified values can be eliminated at an early stage, and effective process processing can be performed to improve the yield.

【0097】[実施形態2]次に、本発明における実施
形態2を説明する。実施形態2では、実施形態1で示し
たプローブユニットのドライブ量の他に、3次元計測デ
ータを元にして、ステージ13に真空吸着する際の吸着
力の制御も行なうことを目的としている。従って、装置
構成及び制御系ブロック図等は、実施形態1と同じであ
るため、図1〜図4までの説明は省略する。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment aims at controlling the suction force when vacuum suction is performed on the stage 13 based on three-dimensional measurement data in addition to the drive amount of the probe unit shown in the first embodiment. Therefore, since the device configuration and the control system block diagram are the same as those of the first embodiment, the description of FIGS. 1 to 4 is omitted.

【0098】図5における真空排気制御系47のブロッ
ク図を説明する。実施形態2では真空吸着力の制御をパ
ネルの反りに応じてコントロールすることから、実際に
行われる制御系はプローブユニット制御系17内にある
演算CPU48が行なっており、プローブユニットの駆
動制御とあわせて演算処理を担っている。まず、パネル
の反りの絶対値としてデータを演算した後、反りデータ
値を参考にして、真空吸着力を制御している絞り弁CT
R1〜4(57〜60)の値を設定する。
A block diagram of the evacuation control system 47 in FIG. 5 will be described. In the second embodiment, since the control of the vacuum suction force is controlled according to the warpage of the panel, the control system actually performed is performed by the arithmetic CPU 48 in the probe unit control system 17, and is combined with the drive control of the probe unit. It is responsible for arithmetic processing. First, after calculating data as the absolute value of the panel warpage, the throttle valve CT controlling the vacuum suction force is referred to with reference to the warpage data value.
The values of R1 to R4 (57 to 60) are set.

【0099】実施形態1でも述べた様に図4より、ステ
ージ部13では真空吸着を行うエリア部分が4分割され
ており、プローブユニット14〜16がなされるX、Y
側の各辺を吸着する部分と、それ以外でほぼパネル中央
部付近の吸着部からなり、各々に対して、絞り弁38〜
41と圧力センサ42〜45が装着されており、それら
の制御を行うことで排気量が変化し吸着力の制御を可能
としている。
As described in the first embodiment, as shown in FIG. 4, in the stage section 13, the area for performing vacuum suction is divided into four parts, and X and Y in which the probe units 14 to 16 are formed.
And a suction portion in the vicinity of the center of the panel.
41 and pressure sensors 42 to 45 are mounted, and by controlling them, the amount of exhaust gas changes and the suction force can be controlled.

【0100】そのため、演算CPU48はまず、絞り弁
CTR57〜60に対して絞り弁38〜41の開度に対
する設定信号を出力I/O部52を通して出力する。絞
り弁開度信号は、開度信号に応じて絞り弁の開度が決定
するため、開度信号を大きくすれば弁の開度が増して排
気能力は高まり、逆に開度信号を小さくすれば弁の開度
が小さくなり、排気能力が弱まることになる。従って吸
着力は開度信号を制御することでコントロールが可能と
なる。
Therefore, the arithmetic CPU 48 first outputs a setting signal for the opening degree of the throttle valves 38 to 41 to the throttle valves CTR 57 to 60 through the output I / O section 52. In the throttle valve opening signal, since the opening of the throttle valve is determined according to the opening signal, if the opening signal is increased, the opening of the valve is increased and the exhaust capability is increased, and conversely, the opening signal is reduced. In this case, the opening degree of the valve becomes small, and the exhaust capacity becomes weak. Therefore, the attraction force can be controlled by controlling the opening signal.

【0101】又、絞り弁CTR57〜60は、演算CP
U48よりデジタル的な信号を受けた後、内部のD/A
コンバータによって絞り弁38〜41に対してアナログ
的な信号を出力している。そして、絞り弁CTR57〜
60によって制御された吸着力を検出するために、演算
CPU48は、各排気管に装着されている圧力センサ4
2〜45の値を読み込んでいる。圧力センサ42〜45
は絞り弁と吸着力との間の圧力を検出しており、実際に
パネルを吸着しているステージ面とほぼ同じ圧力を計測
していると考えられる。
The throttle valves CTR57 to CTR60 are calculated by the calculation CP.
After receiving digital signal from U48, internal D / A
The converter outputs analog signals to the throttle valves 38 to 41. And, the throttle valve CTR57 ~
In order to detect the attraction force controlled by the control unit 60, the arithmetic CPU 48 operates the pressure sensor 4 mounted on each exhaust pipe.
The value of 2-45 is read. Pressure sensors 42 to 45
Indicates that the pressure between the throttle valve and the suction force is detected, and it is considered that the pressure is substantially the same as that of the stage surface on which the panel is actually sucked.

【0102】圧力センサ42〜45は、本実施形態では
差圧タイプを使用し、VAC−S1〜S4により差圧を
検出してセンサ回路42〜45によって電気信号として
A/D変換してデジタル信号として差圧信号を取得して
いる。差圧タイプは大気圧に対する差圧を検出し、電気
的な信号として出力しており、圧力センサ42〜45内
では上記差圧出力をA/Dコンバートし、演算CPU4
8に出力している。従って、演算CPU48は圧力セン
サの値を読み込み、各吸着エリアの吸着状態の把握を行
なっている。例えば、プローブユニット部に対応する吸
着エリアは、極力パネルの反りの影響を避けるため、ス
テージ13面にならった状態でコンタクトが必要となる
ため、絞り弁の開度を開けて排気能力を高める必要があ
る。その様な制御を行なった時の圧力センサの差圧値
は、およそ500Torr以上の値となる。
In the present embodiment, the pressure sensors 42 to 45 use a differential pressure type. The pressure sensors 42 to 45 detect the differential pressure by VAC-S 1 to S 4, and A / D-convert as an electric signal by the sensor circuits 42 to 45 to obtain a digital signal. As a differential pressure signal. The differential pressure type detects a differential pressure with respect to the atmospheric pressure and outputs it as an electric signal. The differential pressure output is A / D-converted in the pressure sensors 42 to 45, and the arithmetic CPU 4
8 is output. Therefore, the arithmetic CPU 48 reads the value of the pressure sensor and grasps the suction state of each suction area. For example, the suction area corresponding to the probe unit needs to be in contact with the surface of the stage 13 in order to minimize the effect of panel warpage. Therefore, it is necessary to open the throttle valve to increase the exhaust capacity. There is. When such control is performed, the differential pressure value of the pressure sensor becomes a value of about 500 Torr or more.

【0103】逆に、ステージ部分の中央部では、プロー
ブユニットへの影響はないため吸着力を他のエリアと同
じにする必要はないため、むしろ排気能力をおとし吸着
力を弱めた値の制御を行う。
Conversely, at the center of the stage, there is no effect on the probe unit, so it is not necessary to make the suction force the same as in other areas. Do.

【0104】従って、この場合においては圧力センサの
差圧値は他のエリアの1/2以下くらい(200Tor
r前後)となる。以上より、3次元計測データからのパ
ネルの反りに対して、最も最適となる様な排気制御の設
定とその時のパネルの吸着状態が妥当であるかどうかの
検知が行なわれる。
Therefore, in this case, the differential pressure value of the pressure sensor is about half or less of the other area (200 Torr).
r). As described above, the exhaust control is set so as to be optimal for the warpage of the panel based on the three-dimensional measurement data, and it is detected whether the suction state of the panel at that time is appropriate.

【0105】次に、図7に実施形態2で行われているシ
ーケンスのフローチャートを示した。実施形態2では、
前プロセスで計測されたパネルの3次元計測データを元
に、後工程での基板プロセス装置内のプローブユニット
のドライブ制御と、パネル吸着を最適化するための絞り
弁の制御が行われる。以下フローチャートに沿って詳細
に述べるが、プローブユニット部の制御については実施
形態1と同じであるため簡単な説明とする。まず前工程
であるS12でパネルの3次元計測を行い、計測データ
はS21であるパネル反りデータとしてメモリに格納さ
れる。格納先等は、実施形態1と同様である。
Next, FIG. 7 shows a flowchart of a sequence performed in the second embodiment. In the second embodiment,
Based on the three-dimensional measurement data of the panel measured in the previous process, drive control of the probe unit in the substrate processing apparatus in the subsequent process and control of the throttle valve for optimizing panel suction are performed. Hereinafter, a detailed description will be given along the flowchart. However, since the control of the probe unit is the same as that of the first embodiment, a brief description will be given. First, the panel is subjected to three-dimensional measurement in S12, which is the previous process, and the measurement data is stored in the memory as panel warpage data in S21. The storage destination is the same as in the first embodiment.

【0106】パネル作製プロセスは、後プロセスに進
み、S13でパネルが基板プロセス装置にセットされ
る。実施形態2においてもパネルは上下2枚の基板が貼
りあわされた状態となっている。
The panel manufacturing process proceeds to a post-process, and the panel is set in the substrate processing apparatus in S13. In the second embodiment as well, the panel is in a state in which two upper and lower substrates are bonded to each other.

【0107】次に、ステージ部13へのパネル吸着が行
われる(S14)。実施形態2では、実施形態1と同様
に、図9で示したパネルの3次元データを元に制御を行
なっている。まず、演算CPU48によってパネルの反
り状態を検知する。その際、パネルの反りを絶対値に変
換し、最大反り量の算出と算出値からプローブユニット
の許容範囲と、吸着制御が可能かどうかの判断を行う。
図9では反り形状が中央に凸のお椀形状をしていること
から、パネルに対してストレスを緩和させるため分割さ
れた各吸着エリアに対して個々に制御が行われる。
Next, the panel is attracted to the stage section 13 (S14). In the second embodiment, as in the first embodiment, control is performed based on the three-dimensional data of the panel shown in FIG. First, the warping state of the panel is detected by the arithmetic CPU 48. At this time, the warpage of the panel is converted into an absolute value, the maximum warpage amount is calculated, and the allowable range of the probe unit and whether suction control is possible is determined from the calculated value.
In FIG. 9, since the warp shape is a bowl shape convex in the center, individual control is performed on each of the divided suction areas in order to reduce stress on the panel.

【0108】まず、Y側のプローブユニットに対応した
吸着面では、パネル短手方向から実施形態1よりその最
大反り量が約0.3mmであることから、パネルはステ
ージ面に極力吸着するような制御を施すために圧力セン
サ42,45の差圧値を約300Torr前後になるよ
うな絞り弁38,41の開度調整を行う。
First, on the suction surface corresponding to the probe unit on the Y side, since the maximum amount of warpage is about 0.3 mm from the short side of the panel as compared with the first embodiment, the panel is attracted to the stage surface as much as possible. In order to perform the control, the opening degrees of the throttle valves 38 and 41 are adjusted so that the differential pressure value between the pressure sensors 42 and 45 becomes about 300 Torr.

【0109】次に、X側のプローバユニットであるが、
パネル長手方向における最大反り量は、やはり実施形態
1より約0.5mmの反り量となっていることから、そ
の場合の吸着力は、パネル短手方向における吸着力より
も弱めとし、圧力センサ44の差圧値で約200Tor
r前後になるような絞り弁40の開度としている。
Next, regarding the X-side prober unit,
Since the maximum amount of warpage in the longitudinal direction of the panel is also about 0.5 mm as compared with the first embodiment, the suction force in this case is set to be weaker than the suction force in the short direction of the panel. About 200 Torr
The opening of the throttle valve 40 is set to be about r.

【0110】更に、上記のエリア以外の部分に対応する
所は、パネルの最大反り量が生じているパネル中央部に
対応することから、圧力センサ43の差圧値で約100
Torr前後になるような絞り弁39の開度としてい
る。
Further, since the portion corresponding to the portion other than the above-mentioned area corresponds to the central portion of the panel where the maximum warpage of the panel occurs, the differential pressure value of the pressure sensor 43 is about 100.
The opening of the throttle valve 39 is set to be about Torr.

【0111】従って、ステップS15の吸着状態チェッ
クでは上記に設定した絞り弁38〜41の開度に対し
て、圧力センサ42〜45の値を検知し、各々最適な吸
着圧力となっているかの判断と、設定圧力が充分でない
場合には再度絞り弁の開度制御が行われる。
Therefore, in the suction state check in step S15, the values of the pressure sensors 42 to 45 are detected with respect to the opening degrees of the throttle valves 38 to 41 set as described above, and it is determined whether or not the respective suction pressures are optimum. When the set pressure is not sufficient, the opening control of the throttle valve is performed again.

【0112】以上の様に、絞り弁38〜41の制御を行
い、パネルの反りに応じて吸着力を変えることでパネル
に対してのストレスが緩和され、且つプローバユニット
部分に対しては安定した吸着作用を施すことが可能とな
る。
As described above, by controlling the throttle valves 38 to 41 and changing the attraction force in accordance with the warpage of the panel, the stress on the panel is alleviated, and the stabilization of the prober unit is achieved. It becomes possible to perform an adsorption action.

【0113】次に、ステップS16でパネルX、Y側に
対して各プローバユニット14〜16に位置決めが行わ
れる。
Next, in step S16, positioning is performed on each of the prober units 14 to 16 with respect to the panels X and Y.

【0114】位置決め方法は、実施形態1と同様な方法
で行われる。そして、アライメントが終了した後、S1
7でプローブコンタクトが行われる。プローブコンタク
トの方法に関しても実施形態1と同じであることから説
明は省略する。プローブコンタクト終了後、ステップS
18で計測チェックを行い、電極配線位置に正常にコン
タクトされているかどうかの確認がステップS19でな
される。正常にコンタクトがなされている場合には、S
20の素子形成プロセスに進み、コンタクトに不具合が
生じている場合には、実施形態1と同様にS24の工程
に戻され、再度コンタクト制御が行われる。
The positioning method is performed in the same manner as in the first embodiment. Then, after the alignment is completed, S1
At 7, probe contact is made. Since the method of the probe contact is the same as that of the first embodiment, the description is omitted. Step S after probe contact
A measurement check is performed at 18, and it is confirmed at step S19 whether or not the electrode wiring position is normally contacted. If the contact is made normally, S
When the process proceeds to the device forming process of No. 20 and a failure occurs in the contact, the process returns to the step S24 as in the first embodiment, and the contact control is performed again.

【0115】以上により、実施形態2ではステージ13
上へのパネル吸着の際に各領域ごとに絞り弁の制御を行
い、吸着状態をパネルの反りに応じて制御していること
から、パネルに対してのストレスを無くすことが可能と
なり、プローバユニットの接触子の耐久性にも配慮する
ことができる。
As described above, in the second embodiment, the stage 13
The throttle valve is controlled for each area when the panel is sucked upward, and the suction state is controlled according to the warpage of the panel, so it is possible to eliminate stress on the panel, and the prober unit The durability of the contact can also be considered.

【0116】真空吸着の分割制御に関して、熱処理プロ
セスを行う場合には、パネルをステージ部13とHP2
1に均一に接触させ、熱分布のムラをなくすことが必要
とされることから、真空吸着はパネル全面がステージ面
にならうような吸着制御となる。
When performing a heat treatment process with respect to the division control of vacuum suction, the panel is moved to the stage 13 and the HP 2
Since it is necessary to uniformly contact the substrate 1 and eliminate unevenness in heat distribution, vacuum suction is a suction control in which the entire surface of the panel follows the stage surface.

【0117】こうして、基板プロセス装置12へパネル
がセットされ、通電フォーミング処理や、活性化処理、
安定化処理が施されて、電子放出素子及び電子放出素子
をX,Y方向のマトリクス状に形成した電子源を形成す
ることにより、品質的にバラツキの少ない、安定した画
像表示装置を製造できる。また、このような後プロセス
工程を信頼性高く、また規定値以外の表示パネルを早期
に排除でき、この工程処理が実行されることにより歩留
まりが著しく向上する。
In this way, the panel is set on the substrate processing apparatus 12, and the energization forming process, the activation process,
By forming the electron-emitting devices and the electron sources in which the electron-emitting devices are formed in a matrix in the X and Y directions by performing the stabilization process, it is possible to manufacture a stable image display device with less variation in quality. Further, such post-process steps can be performed with high reliability, and a display panel having a value other than the specified value can be eliminated at an early stage. By performing this process, the yield can be significantly improved.

【0118】[0118]

【発明の効果】本発明において、前プロセスでの3次元
計測装置で計測されたパネルの反り状態のデータを、後
プロセスのパネルプロセス工程でのプローブユニットの
コンタクトシーケンス及び、ステージ部へのパネル吸着
制御に反映させることで以下の効果を得ることができ
る。
According to the present invention, the data on the warp state of the panel measured by the three-dimensional measuring apparatus in the pre-process is used for the contact sequence of the probe unit in the panel process step of the post-process and the panel adsorption to the stage. The following effects can be obtained by reflecting the results in the control.

【0119】(1)パネルに対しては、反りを生じてい
る場合でのプローブコンタクト時での局所的な負荷や、
パネル吸着時でのストレス等が緩和され、過負荷によっ
て起るパネル破損等の事故を防止しひいていはパネル作
製での歩留まりの向上にもつながる。
(1) With respect to the panel, a local load at the time of probe contact when warping occurs,
Stress at the time of panel suction is alleviated, and accidents such as panel breakage caused by overload are prevented, which leads to an improvement in yield in panel production.

【0120】(2)作製装置においては、プローブユニ
ット等のドライブ量を最適化することで、コンタクト部
の安定性が増し耐久性の向上も期待でき装置の信頼性が
増す。
(2) In the manufacturing apparatus, by optimizing the drive amount of the probe unit and the like, the stability of the contact portion can be increased, the durability can be improved, and the reliability of the apparatus can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明で用いられた前プロセスでの3次元計測
装置である。
FIG. 1 shows a three-dimensional measuring apparatus in a pre-process used in the present invention.

【図2】本発明で用いられた後プロセスでの基板プロセ
ス装置の概観図である。
FIG. 2 is a schematic view of a substrate processing apparatus in a post-process used in the present invention.

【図3】基板プロセス装置の制御ブロック図である。FIG. 3 is a control block diagram of the substrate processing apparatus.

【図4】基板プロセス装置のステージ回りの構成図であ
る。
FIG. 4 is a configuration diagram around a stage of the substrate processing apparatus.

【図5】本発明で行われた、プローブユニット及び吸着
力制御を行うためのプローブユニット制御系と真空排気
制御系のブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of a probe unit control system and a vacuum exhaust control system for controlling the probe unit and the suction force, which are performed in the present invention.

【図6】本発明の実施形態1で行われたプローブユニッ
トの制御におけるシーケンスを示したフローチャートで
ある。
FIG. 6 is a flowchart showing a sequence in the control of the probe unit performed in the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施形態2で行われた吸着力の制御を
追加したシーケンスを示したフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a sequence in which the control of the attraction force performed in the second embodiment of the present invention is added.

【図8】本発明による前プロセスでのデータ結果を後プ
ロセスに反映させるための作用を示した作製プロセスの
フローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart of a manufacturing process showing an operation for reflecting a data result in a pre-process to a post-process according to the present invention.

【図9】本発明による前プロセスでの3次元計測装置か
ら計測された基板の反り状態を示した3次元のデータ図
である。
FIG. 9 is a three-dimensional data diagram showing a warped state of a substrate measured by a three-dimensional measuring device in a pre-process according to the present invention.

【図10】従来技術における作製プロセスのフローチャ
ートである。
FIG. 10 is a flowchart of a manufacturing process in a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 X軸ビーム 2 ガイド側支柱 3 サポート側支柱 4 Z軸スピンドル 5 X軸キャリッジ 6 Y軸ガイド 7 測定子 8 定盤 9 エアパッド 10 Y軸キャリッジ 11 表示パネル 12 基板プロセス装置 13 ステージ 17 プローブユニット制御系 18 パネル内真空排気制御系 19 雰囲気制御系 20 真空封止制御系 21 ホットプレート 22 熱処理制御系 23 オープン/ショート計測器 24 素子形成ドライバ装置 25 切り替え器 47 真空吸着系 48 演算処理CPU 49 データメモリ 50 プログラムROM 51 インターフェース部(I/F部) 52 出力I/O部 53−55 ドライバ 56 入力I/O部 REFERENCE SIGNS LIST 1 X-axis beam 2 guide-side support 3 support-side support 4 Z-axis spindle 5 X-axis carriage 6 Y-axis guide 7 Measuring element 8 Surface plate 9 Air pad 10 Y-axis carriage 11 Display panel 12 Substrate process device 13 Stage 17 Probe unit control system Reference Signs List 18 Vacuum exhaust control system in panel 19 Atmosphere control system 20 Vacuum sealing control system 21 Hot plate 22 Heat treatment control system 23 Open / short measurement device 24 Element formation driver device 25 Switching device 47 Vacuum suction system 48 Operation CPU 49 Data memory 50 Program ROM 51 Interface (I / F) 52 Output I / O 53-55 Driver 56 Input I / O

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 大面積表示パネルを作製する表示パネル
の作製方法において、前プロセスが終了した後に前記表
示パネル面の形状検査を行うパネル検査工程と、前記検
査工程でのデータを元にして後プロセス開始時に前記表
示パネル面の形状に対する制御を行うデータ制御工程
と、前記検査データ制御工程によって制御された後、制
御結果の良否を判断する判断工程が設けられたことを特
徴とした表示パネルの作製方法。
1. A display panel manufacturing method for manufacturing a large-area display panel, comprising: a panel inspection step of performing a shape inspection of the display panel surface after a previous process is completed; and a post-processing based on data in the inspection step. A data control step of controlling the shape of the display panel surface at the start of the process, and a determination step of determining whether the control result is good or not after being controlled by the inspection data control step. Production method.
【請求項2】 請求項1に記載の表示パネルの作製方法
において、 前記前プロセス後のパネル検査工程が、前記表示パネル
全域での形状状態を検出する工程であり、前記データ制
御工程が、前記検査工程からのデータを元にして後プロ
セスで前記表示パネルをステージ上の所定の位置に位置
決め後、表示パネルのマトリクス配線の行方向配線及び
列方向配線の各配線電極上にコンタクトされる接触子の
押し込み量を制御することを特徴とする表示パネルの作
製方法。
2. The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the panel inspection step after the pre-process is a step of detecting a shape state over the entire display panel, and the data control step is After positioning the display panel at a predetermined position on the stage in a post-process based on data from an inspection step, a contact is made to contact each row electrode and row electrode of matrix wiring of the display panel. A method for manufacturing a display panel, characterized by controlling the amount of indentation.
【請求項3】 請求項1に記載の表示パネルの作製方法
において、 前記前プロセス後のパネル検査工程が、前記表示パネル
全域での形状状態を検出する工程であり、前記データ制
御手段が、前記検査工程からのデータを元にして後プロ
セスで前記表示パネルをステージ上の所定の位置に位置
決め後、真空吸着して固定する際、前記表示パネルの形
状に応じて真空吸着部の排気量を決定する工程であるこ
とを特徴とする表示パネルの作製方法。
3. The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the panel inspection step after the pre-process is a step of detecting a shape state of the entire display panel, and wherein the data control means includes: Based on the data from the inspection process, after positioning the display panel at a predetermined position on the stage in a post-process, and then fixing by vacuum suction, the displacement of the vacuum suction unit is determined according to the shape of the display panel. A method for manufacturing a display panel.
【請求項4】 請求項1又は、2,3に記載の表示パネ
ルの作製方法において、 前記データ制御工程は、データを取り込むデータメモリ
部と、前記データより演算を行う演算部と、前記演算を
行うためのプログラムが格納されたプログラムROM
と、前記演算部からの信号の入出力を行う入出力I/O
部と、更に前記出力I/O部より前記接触子の駆動を制
御するドライバー部と、前記パネルの真空吸着の排気量
制御を行うための絞り弁コントローラ部と、前記入力I
/O部に前記パネルの吸着圧力信号を入力するセンサ回
路とを制御することを特徴とする表示パネルの作製方
法。
4. The method of manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the data control step includes: a data memory unit that captures data; a calculation unit that performs a calculation from the data; Program ROM storing a program for execution
And an input / output I / O for inputting and outputting signals from the arithmetic unit
A driver unit for controlling the driving of the contactor from the output I / O unit, a throttle valve controller for controlling the displacement of vacuum suction of the panel, and the input I / O unit.
And a sensor circuit for inputting a suction pressure signal of the panel to the / O section.
【請求項5】 前記パネル検査工程で計測されたデータ
は、パネルの反りや厚み方向を計測するための3次元計
測装置を用いたことを特徴とする請求項1記載の表示パ
ネルの作製方法。
5. The method of manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the data measured in the panel inspection step uses a three-dimensional measuring device for measuring a warpage or a thickness direction of the panel.
【請求項6】 前記後プロセス時に前記表示パネルのマ
トリクス配線上にコンタクトされる接触子が、行方向と
列方向の各々に分割されたプローブユニットであり、各
々のユニット内の接触子の押し込み量を個別に制御され
ることを特徴とする請求項1項記載の表示パネルの作製
方法。
6. The probe contacted on the matrix wiring of the display panel at the time of the post-processing is a probe unit divided in each of a row direction and a column direction, and the amount of pushing of the contact in each unit. 2. The method for manufacturing a display panel according to claim 1, wherein the control is individually performed.
【請求項7】 前記後プロセス時に、前記表示パネルを
ステージ上に真空吸着する際、ステージ上に吸着する領
域が複数分割されており、各々の領域において個別に真
空排気量を制御することを特徴とする請求項3項記載の
表示パネルの作製方法。
7. When the display panel is vacuum-sucked on a stage during the post-process, a plurality of areas to be sucked on the stage are divided, and the amount of evacuation is individually controlled in each area. The method for manufacturing a display panel according to claim 3.
【請求項8】 大面積表示パネルを作製する表示パネル
の作製装置において、 前プロセスが終了した後に表示パネル面の形状検査を行
うパネル検査手段と、前記検査手段でのデータを元にし
て後プロセス開始時に前記表示パネル面の形状に対する
制御を行うデータ制御手段と、前記データ制御手段によ
って制御された後、制御結果の良否を判断する判断手段
が設けられたことを特徴とする表示パネルの作製装置。
8. An apparatus for manufacturing a display panel for manufacturing a large-area display panel, comprising: panel inspection means for inspecting the shape of the display panel surface after a previous process is completed; and post-processing based on data from the inspection means. An apparatus for manufacturing a display panel, comprising: data control means for controlling the shape of the display panel surface at the time of start; and judgment means for judging the quality of the control result after being controlled by the data control means. .
【請求項9】 請求項8に記載の表示パネルの作製装置
において、 前記前プロセス後のパネル検査手段が、前記表示パネル
全域での形状状態を検出する手段であり、前記データ制
御手段が、前記検査手段からのデータを元にして前記後
プロセスで前記表示パネルをステージ上の所定の位置に
位置決め後前記表示パネルのマトリクス配線の行方向配
線及び列方向配線の各配線電極上にコンタクトされる接
触子の押し込み量を制御することを特徴とする表示パネ
ルの作製装置。
9. The apparatus for manufacturing a display panel according to claim 8, wherein the panel inspection unit after the pre-process is a unit for detecting a shape state of the entire display panel, and the data control unit is After the display panel is positioned at a predetermined position on the stage in the post-process based on the data from the inspection means, the contact is made to be in contact with each of the row electrodes and the column electrodes of the matrix wiring of the display panel. An apparatus for manufacturing a display panel, characterized by controlling a pushing amount of a child.
【請求項10】 請求項8に記載の表示パネルの作製装
置において、 前記前プロセス後のパネル検査手段が、前記表示パネル
全域での形状状態を検出する手段であり、前記データ制
御手段が、前記検査手段からのデータを元にして前記後
プロセスで前記表示パネルをステージ上の所定の位置に
位置決め後真空吸着して固定する際に前記表示パネルの
形状に応じて真空吸着部の排気量を決定する手段である
ことを特徴とする表示パネルの作製装置。
10. The apparatus for manufacturing a display panel according to claim 8, wherein the panel inspection unit after the pre-process is a unit for detecting a shape state over the entire display panel, and the data control unit is configured to: Based on the data from the inspection means, when the display panel is positioned at a predetermined position on the stage in the post-process and then vacuum-adsorbed and fixed, the displacement of the vacuum suction unit is determined according to the shape of the display panel. A manufacturing apparatus for a display panel.
【請求項11】 前記データ制御手段は、データを取り
込むデータメモリ部と、前記データより演算手段を行う
演算部と、該演算を行うためのプログラムが格納された
プログラムROMと、前記演算部からの信号の入出力を
行う入出力I/O部と、更に前記出力I/O部より前記
接触子の駆動を制御するドライバー部と、前記表示パネ
ルの真空吸着の排気量制御を行うための絞り弁コントロ
ーラ部と、前記入力I/O部に前記パネルの吸着圧力信
号を入力するセンサ回路とからなる第8又は、9、10
項記載の表示パネルの作製装置。
11. The data control unit includes: a data memory unit that fetches data; an operation unit that performs an operation unit based on the data; a program ROM that stores a program for performing the operation; An input / output I / O unit for inputting / outputting a signal, a driver unit for controlling the driving of the contactor from the output I / O unit, and a throttle valve for controlling a displacement of vacuum suction of the display panel Eighth or ninth, tenth, and tenth parts comprising a controller unit and a sensor circuit for inputting the suction pressure signal of the panel to the input I / O unit.
An apparatus for manufacturing a display panel according to the above item.
【請求項12】 配線を有する表示パネルの作成方法で
あって、前記配線に接触子を介して通電する工程を有し
ており、該工程における前記接触子の前記配線への押し
込み量を前記表示パネルの形状に応じて制御することを
特徴とする表示パネルの作成方法。
12. A method of manufacturing a display panel having a wiring, comprising a step of energizing the wiring through a contact, and displaying the amount of pushing of the contact into the wiring in the step. A method for producing a display panel, wherein the method is controlled according to the shape of the panel.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007026697A (en) * 2005-07-12 2007-02-01 Rohm Co Ltd Field emission type display device and method of manufacturing same
CN113035076A (en) * 2021-03-08 2021-06-25 深圳市研宏光电科技有限公司 OLED microdisplay glass pasting process method and device
CN113211768A (en) * 2021-05-24 2021-08-06 芜湖新泉汽车饰件系统有限公司 Automobile ornament injection molding shaping test device

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