JP2000241444A - High frequency probe - Google Patents
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- JP2000241444A JP2000241444A JP11048325A JP4832599A JP2000241444A JP 2000241444 A JP2000241444 A JP 2000241444A JP 11048325 A JP11048325 A JP 11048325A JP 4832599 A JP4832599 A JP 4832599A JP 2000241444 A JP2000241444 A JP 2000241444A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被測定デバイスの
グラウンド電極と電気的導通がありグラウンド電極とし
て機能するデバイスステージ上に配置された被測定デバ
イスの信号電極に信号伝送路の先端を押し当て、この信
号伝送路の他端に接続されたコネクタにより外部計測器
と接続する高周波プローブに関し、特に、被測定デバイ
スで、表面にグラウンド電極がない場合、および狭いピ
ッチで信号電極が並ぶ場合に、信号電極との接触および
電気的特性を、より確実にかつ安定して得ることができ
る高周波プローブに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for pressing the tip of a signal transmission path against a signal electrode of a device to be measured which is electrically connected to a ground electrode of the device to be measured and which is arranged on a device stage functioning as a ground electrode. Regarding a high-frequency probe connected to an external measuring instrument by a connector connected to the other end of the signal transmission path, particularly, in a device under test, when there is no ground electrode on the surface, and when signal electrodes are arranged at a narrow pitch, The present invention relates to a high-frequency probe capable of more reliably and stably obtaining contact with a signal electrode and electrical characteristics.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の高周波プローブは、図8
に示されるように、高周波プローブ1000は、本体ブ
ロック1010、先端部1020、およびコネクタ10
30により構成されており、本体ブロック1010の内
部を貫通する同軸線路部1011により被測定デバイス
の信号電極と接触する先端部1020が、外部計測器と
接続するコネクタ1030まで電気的導通をもって接続
している。2. Description of the Related Art Conventionally, this kind of high-frequency probe is shown in FIG.
As shown in the figure, the high-frequency probe 1000 includes a main body block 1010, a tip 1020, and a connector 10
The distal end portion 1020 that contacts the signal electrode of the device under test by the coaxial line portion 1011 penetrating the inside of the main body block 1010 is electrically connected to the connector 1030 connected to the external measuring instrument. I have.
【0003】更に、図9に示されるように、先端部10
20はそれぞれが弾性を有する部材である信号導体10
21および二つのグラウンド導体1022を有し、これ
ら導体は、信号導体1021を中央にしてこの両側それ
ぞれにグラウンド導体1022を、弾性によりたわむ方
向に垂直なほぼ同一平面上に並列に配置したコプレーナ
構造を形成している。[0003] Further, as shown in FIG.
Reference numeral 20 denotes a signal conductor 10 which is a member having elasticity.
21 and two ground conductors 1022, and these conductors have a coplanar structure in which the ground conductors 1022 are arranged in parallel on substantially the same plane perpendicular to the direction in which the signal conductor 1021 is bent by elasticity, with the signal conductor 1021 at the center. Has formed.
【0004】このような導体の配置構造では、被測定デ
バイスは、信号電極およびグラウンド電極が高周波プロ
ーブの先端部にある導体と同一間隔および同一平面に配
置されているようなコプレーナ型デバイスに限定され
る。In such an arrangement of conductors, the device under test is limited to a coplanar type device in which signal electrodes and ground electrodes are arranged at the same interval and on the same plane as the conductor at the tip of the high-frequency probe. You.
【0005】しかし、このように同一平面上に一つの信
号電極の両側にグラウンド電極を配置するデバイスで
は、表面積が大きくなる。特に、ガリウムヒ素(GaA
s)などの化合物デバイスはシリコンに比べてウェハの
コストが高いので、1枚のウェハから得られるデバイス
の数が少なくなり、コストが上がる。従って、量産のデ
バイスでは、信号電極と同一の平面上にはグラウンド電
極を設けず、チップ面積を小さくかつウェハの厚みを薄
くして裏面をグラウンド電極面とし、コストの削減と高
周波特性の確保とを図っている。However, in such a device in which the ground electrodes are arranged on both sides of one signal electrode on the same plane, the surface area becomes large. In particular, gallium arsenide (GaAs)
Since compound devices such as s) have a higher wafer cost than silicon, the number of devices obtained from one wafer is reduced and the cost is increased. Therefore, in a mass-produced device, the ground electrode is not provided on the same plane as the signal electrode, the chip area is reduced, the thickness of the wafer is reduced, and the back surface is used as the ground electrode surface to reduce costs and secure high-frequency characteristics. Is being planned.
【0006】上述した従来の高周波プローブでは、この
ような構造のデバイスを測定する場合、被測定デバイス
をいったん基板上に搭載し、この基板に設けられ上記高
周波プローブの導体配置と一致した間隔を有する測定用
の電極と接続するような、代替え手段が講じられてい
る。In the above-described conventional high-frequency probe, when measuring a device having such a structure, the device to be measured is first mounted on a substrate, and the device is provided on this substrate and has an interval corresponding to the conductor arrangement of the high-frequency probe. Alternatives have been taken, such as connecting to measuring electrodes.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述した高周波プロー
ブには、次のような問題点がある。The above-described high-frequency probe has the following problems.
【0008】第一の問題点は、被測定デバイスがコプレ
ーナ構造以外の場合には測定用の基板を用意する必要が
あり、測定に時間と手間がかかることである。The first problem is that when the device to be measured has a structure other than the coplanar structure, it is necessary to prepare a substrate for measurement, and the measurement takes time and effort.
【0009】その理由は、上述した高周波プローブで
は、被測定デバイスの信号電極に接触する信号導体およ
びグラウンド導体がコプレーナ構造を有しているので、
コプレーナ構造以外の被測定デバイスに対しては測定の
ために測定用基板を必要とし、被測定デバイスを測定用
基板に取り付けおよび取り外しを必要とするからであ
る。特に、狭いピッチで多数の信号電極が並ぶ構造のデ
バイスの場合、この配線作業には多大の時間と労力が必
要となる。The reason is that, in the above-described high-frequency probe, the signal conductor and the ground conductor that come into contact with the signal electrode of the device under test have a coplanar structure.
This is because a device to be measured other than the coplanar structure requires a measurement substrate for measurement, and the device to be measured needs to be attached to and detached from the measurement substrate. Particularly, in the case of a device having a structure in which a large number of signal electrodes are arranged at a narrow pitch, this wiring operation requires a great deal of time and labor.
【0010】第二の問題点は、被測定デバイスを測定す
るために信号電極に押し付ける場合に十分な接触圧が得
られず、電気的特性の測定が不安定なことである。The second problem is that when the device under test is pressed against the signal electrode, a sufficient contact pressure cannot be obtained, and the measurement of electrical characteristics is unstable.
【0011】その理由は、上述した高周波プローブで
は、被測定デバイスの信号電極に接触する信号導体およ
びグラウンド導体が自由空間をたわむ構造なので、安定
した測定を行なうために押圧力を強めた場合には先端部
の導体を傷める恐れがあるため、押圧に手加減を生じる
からである。The reason is that, in the above-described high-frequency probe, the signal conductor and the ground conductor that are in contact with the signal electrode of the device under test have a structure that bends in free space. Therefore, when the pressing force is increased to perform stable measurement, This is because there is a risk of damaging the conductor at the distal end, so that the pressing force is adjusted.
【0012】第三の問題点は、被測定デバイスの面積が
大きくなり、製品コストが高くなるということである。A third problem is that the area of the device to be measured increases and the product cost increases.
【0013】その理由は、上述した高周波プローブで被
測定デバイスを測定するためには高周波プローブにおけ
る信号導体とグラウンド導体との位置関係と同じ位置関
係で被測定デバイスにおいて信号電極の両側で同一平面
上にグラウンド電極を配置する必要があるからである。
すなわち、被測定デバイスの表面積が増加するので1枚
のウェハから取れるデバイス数が少なくなるためであ
る。特にこの問題点は、シリコンに比べて高価なガリウ
ムヒ素などの化合物デバイスの場合において顕著であ
る。The reason is that in order to measure a device under test with the above-described high-frequency probe, the same positional relationship between the signal conductor and the ground conductor in the high-frequency probe is required to be on the same plane on both sides of the signal electrode in the device under test. This is because it is necessary to dispose a ground electrode in the area.
That is, since the surface area of the device to be measured increases, the number of devices that can be obtained from one wafer decreases. In particular, this problem is remarkable in the case of a compound device such as gallium arsenide which is more expensive than silicon.
【0014】本発明の課題は、上記問題点を解決し、被
測定デバイスで、表面にグラウンド電極がない場合、お
よび狭いピッチで信号電極が並ぶ場合に、信号電極との
接触および電気的特性を、より確実にかつ安定して得る
ことができる高周波プローブを提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and to improve the contact with the signal electrodes and the electrical characteristics of the device under test when there are no ground electrodes on the surface and when the signal electrodes are arranged at a narrow pitch. Another object of the present invention is to provide a high-frequency probe that can be obtained more reliably and stably.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明による高周波プロ
ーブは、被測定デバイスのグラウンド電極と電気的導通
がありグラウンド電極として機能するデバイスステージ
上に配置された被測定デバイスの信号電極に信号伝送路
の先端を押し当てこの信号伝送路の他端に接続されたコ
ネクタにより外部計測器と接続する高周波プローブにあ
って、被測定デバイスの信号電極に押し当てる先端部
が、信号電極に接触する面に信号伝送路を有するフィル
ム状の先端基板と、この信号伝送路の先端を被測定デバ
イスの信号電極に押し当てた際にこの先端基板を押圧す
る位置にある板ばねと、信号伝送路の先端を被測定デバ
イスの信号電極に押し当てた際にこの信号伝送路とデバ
イスステージとの間に位置しこのデバイスステージに最
短距離で接触して電気的導通を得るグラウンドブロック
とを備えている。SUMMARY OF THE INVENTION A high frequency probe according to the present invention provides a signal transmission path to a signal electrode of a device under test arranged on a device stage which is electrically connected to a ground electrode of the device under test and functions as a ground electrode. In the high-frequency probe connected to the external measuring instrument by the connector connected to the other end of the signal transmission path, the tip pressed against the signal electrode of the device under test is pressed against the surface in contact with the signal electrode. A film-shaped tip substrate having a signal transmission path, a leaf spring at a position to press the tip substrate when the tip of the signal transmission path is pressed against the signal electrode of the device under test, and a tip of the signal transmission path. When pressed against the signal electrode of the device under test, it is located between this signal transmission path and the device stage and contacts the And a ground block to obtain conduction.
【0016】このような構成により、表面上に信号電極
のみが配置されている被測定デバイスに対しても、この
被測定デバイスのグラウンド電極をデバイスステージ面
上で電気的導通をとることにより測定が可能となる。ま
た、板ばねが先端基板と共に信号導体を被測定デバイス
の信号電極に押し当てるので、薄いフィルム状の先端基
板および信号導体を傷めることなく安定した押圧力がえ
られる。従って、安定した測定を行なうことができる。With such a configuration, even for a device under test having only a signal electrode disposed on its surface, measurement can be performed by electrically connecting the ground electrode of the device to be measured on the device stage surface. It becomes possible. Further, since the leaf spring presses the signal conductor together with the tip substrate against the signal electrode of the device under test, a stable pressing force can be obtained without damaging the thin film-shaped tip substrate and the signal conductor. Therefore, stable measurement can be performed.
【0017】また、具体的な手段として、信号伝送路
が、裏面をべたグラウンド面とする前記先端基板の表面
上でマイクロストリップラインを形成するマイクロスト
リップ構造を有し、被測定デバイスの信号電極に押し当
てる信号伝送路の先端が信号電極に接触する導電体突起
を備え、グラウンドブロックは、先端基板のべたグラウ
ンド面と共に信号伝送路の周囲を囲む形状を有してい
る。このような構造により、電気的特性、特に高周波に
おける安定した測定を実現することができる。Further, as a specific means, the signal transmission path has a microstrip structure in which a microstrip line is formed on the surface of the tip substrate having the back surface as a solid ground surface. The distal end of the signal transmission path to be pressed has a conductor projection that contacts the signal electrode, and the ground block has a shape surrounding the signal transmission path together with the solid ground surface of the distal end substrate. With such a structure, stable measurement of electrical characteristics, particularly at high frequencies, can be realized.
【0018】また、先端基板は前記被測定デバイスの信
号電極に押し当てる面で複数の信号電極に対応する複数
の信号伝送路を備えてもよい。またグラウンドブロック
が、先端基板のべたグラウンド面と共に信号伝送路の周
囲を囲む形状を有している。従って、複数の信号伝送路
を備えるような構成により、狭いピッチで並ぶ信号電極
に対して測定が可能であり、また更に、複数の信号伝送
路それぞれの間に隔壁を備えるような構成により、信号
伝送路間のクロストークを低減させることができるの
で、正確な高周波測定が可能である。Further, the tip substrate may include a plurality of signal transmission paths corresponding to the plurality of signal electrodes on a surface pressed against the signal electrodes of the device under test. The ground block has a shape surrounding the signal transmission path together with the solid ground surface of the tip substrate. Therefore, it is possible to measure the signal electrodes arranged at a narrow pitch by a configuration including a plurality of signal transmission paths, and further, by a configuration including a partition wall between each of the plurality of signal transmission paths, Since crosstalk between transmission lines can be reduced, accurate high-frequency measurement is possible.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0020】図1は本発明による高周波プローブの先端
部分における実施の一形態を示す部分断面側面図、また
図2は図1の先端部20の構造および動作を説明する斜
視図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional side view showing an embodiment of the distal end portion of the high-frequency probe according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view for explaining the structure and operation of the distal end portion 20 of FIG.
【0021】まず、図1および図2を併せ参照して本発
明による高周波プローブ先端部分の構成概要について説
明する。First, the outline of the structure of the tip of the high-frequency probe according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【0022】図示される高周波プローブの先端部20
は、先端基板21、板ばね24、およびグラウンドブロ
ック25により構成されている。被測定デバイス30
は、マイクロストリップ構造で表面に信号電極31を有
する一方、裏面のグラウンド電極32によりデバイスス
テージ40面上との間で電気的導通を得ている。The tip 20 of the illustrated high frequency probe
Is composed of a tip substrate 21, a leaf spring 24, and a ground block 25. Device under test 30
Has a signal electrode 31 on the front surface in a microstrip structure, while the ground electrode 32 on the back surface provides electrical continuity with the surface of the device stage 40.
【0023】先端基板21は、誘電率の小さい例えばポ
リイミド系樹脂が用いられた薄いフィルム状をなしフィ
ルム面に垂直方向に対してたわみが得られる材質であ
る。先端基板21は、信号電極31と接する表面に信号
伝送路23、また裏面にべたグラウンド面22を配置し
たマイクロストリップ構造を形成している。The tip substrate 21 is formed of a thin film made of, for example, a polyimide resin having a small dielectric constant, and is made of a material which can bend in the direction perpendicular to the film surface. The tip substrate 21 has a microstrip structure in which a signal transmission path 23 is arranged on the surface in contact with the signal electrode 31 and a solid ground surface 22 is arranged on the back surface.
【0024】また、先端基板21がたわむ場合でも、信
号伝送路23とべたグラウンド面22とは等間隔を維持
できるので、特性インピーダンスの変動はない。また、
信号伝送路23の一方の先端はデバイスステージ40面
上に配置された被測定デバイス30の信号電極31に押
し当てられており、他方の端部は本体ブロック11を貫
通する中継基板12の信号ラインと電気的に接続されて
いる。従って、信号の電気的導通は、中継基板12を介
して外部計測器と接続するコネクタまで達している。Even when the tip substrate 21 bends, the signal transmission path 23 and the solid ground plane 22 can be maintained at equal intervals, so that the characteristic impedance does not fluctuate. Also,
One end of the signal transmission path 23 is pressed against the signal electrode 31 of the device under test 30 arranged on the surface of the device stage 40, and the other end is connected to the signal line of the relay board 12 that passes through the main body block 11. Is electrically connected to Therefore, the electrical conduction of the signal reaches the connector connected to the external measuring instrument via the relay board 12.
【0025】一方、板ばね24は、そのたわみ方向を先
端基板21のたわみ方向に一致させた平面を有し、一方
の端部を本体ブロック11にネジ13により固定し、他
方の先端を先端基板21の一面であるべたグラウンド面
22の先端近傍に押し付けて信号伝送路23の先端を信
号電極31に所定の押圧力をもって押し当てる役割を有
している。On the other hand, the leaf spring 24 has a plane whose bending direction matches the bending direction of the tip substrate 21, one end of which is fixed to the main body block 11 with screws 13, and the other tip of which is the tip substrate 21. The signal transmission path 23 is pressed against the signal electrode 31 with a predetermined pressing force by pressing the front end of the signal transmission path 23 against the vicinity of the front end of the solid ground surface 22 which is one surface of the signal transmission path 21.
【0026】また、先端基板21とグラウンドブロック
25とは、両者共に本体ブロック11および中継基板1
2に固定されている。この際、先端基板21の両面に配
備されるべたグラウンド面22と信号伝送路23との両
者も固定され、べたグラウンド面22はグラウンドブロ
ック25と電気的導通をとると共に中継基板12のグラ
ウンドラインと電気的導通を得ている。The tip substrate 21 and the ground block 25 are both connected to the main body block 11 and the relay substrate 1.
It is fixed to 2. At this time, both the solid ground surface 22 and the signal transmission path 23 provided on both surfaces of the tip substrate 21 are fixed, and the solid ground surface 22 is electrically connected to the ground block 25 and is connected to the ground line of the relay substrate 12. Has obtained electrical continuity.
【0027】信号伝送路23はこのグラウンドブロック
25の内側に一定の間隙をもって固定されると共に、中
継基板12の信号ラインと電気的導通をとっている。The signal transmission line 23 is fixed inside the ground block 25 with a certain gap, and is electrically connected to the signal lines of the relay board 12.
【0028】従って、グラウンドブロック25は、信号
伝送路23の先端がデバイスステージ40面上の被測定
デバイス30の信号電極31に押し当てられ電気的導通
が得られた際、先端をデバイスステージ40面上に押し
当ててグラウンド電極32との電気的接触を得ると共に
先端基板21のグラウンドパターンであるべたグラウン
ド面22と最短距離で接続し、中継基板12のグラウン
ドパターンおよびコネクタを介して外部計測器に接続し
ている。Accordingly, when the tip of the signal transmission path 23 is pressed against the signal electrode 31 of the device 30 to be measured on the surface of the device stage 40 and electrical conduction is obtained, the tip of the signal transmission path 23 is brought into contact with the surface of the device stage 40. It is pressed upward to obtain electrical contact with the ground electrode 32 and is connected to the solid ground surface 22 which is the ground pattern of the tip substrate 21 at the shortest distance, and to the external measuring instrument via the ground pattern of the relay substrate 12 and the connector. Connected.
【0029】次に、図2を参照して動作および機能につ
いて説明する。Next, the operation and functions will be described with reference to FIG.
【0030】まず、先端基板21の信号伝送路23が被
測定デバイス30の信号電極31に接触して押し付けら
れた場合、先端基板21がたわむ。このたわんだ先端基
板21は板ばね24により押さえられ、信号電極31に
一定の接触圧が与えられる。First, when the signal transmission path 23 of the tip substrate 21 is pressed against the signal electrode 31 of the device under test 30, the tip substrate 21 bends. The bent tip substrate 21 is pressed by a leaf spring 24 and a constant contact pressure is applied to the signal electrode 31.
【0031】また、この際、グラウンドブロック25
は、被測定デバイス30のグラウンド電極32と接触す
るデバイスステージ40の面上に押し付けられる。従っ
て、べたグラウンド面22は、グラウンドブロック25
により被測定デバイス30のグラウンド電極32と接触
しているデバイスステージ40と最短距離で電気的接触
を得ており、かつ薄いフィルム状の先端基板21のたわ
みが生じても、べたグラウンド面22と信号伝送路23
とは同時にたわむので、高周波プローブの伝送路におけ
る特性インピーダンスの変動はない。At this time, the ground block 25
Is pressed onto the surface of the device stage 40 that comes into contact with the ground electrode 32 of the device under test 30. Therefore, the solid ground plane 22 is
As a result, electrical contact is obtained at the shortest distance with the device stage 40 that is in contact with the ground electrode 32 of the device under test 30, and even if the thin film-shaped tip substrate 21 bends, the solid ground surface 22 and the signal Transmission line 23
At the same time, there is no variation in the characteristic impedance in the transmission path of the high-frequency probe.
【0032】[0032]
【実施例】次に、図3を参照し、図2を参照して説明し
た発明とは別の実施例について説明する。Next, another embodiment different from the invention described with reference to FIG. 2 will be described with reference to FIG.
【0033】図3が図2と相違する点は、上述した高周
波プローブの先端部20に備えられる信号伝送路23が
被測定デバイス30の信号電極31に接触する先端に金
属などの導電材料による接触突起26を設けていること
である。この接触突起26により信号電極31に対する
電気的導通がより確実になる。FIG. 3 is different from FIG. 2 in that the signal transmission path 23 provided at the distal end portion 20 of the above-described high-frequency probe is brought into contact with the signal electrode 31 of the device under test 30 by a conductive material such as metal. That is, the projection 26 is provided. Due to the contact protrusions 26, electrical conduction to the signal electrodes 31 is further ensured.
【0034】次に、図4を参照して図2および図3とは
異なり、複数の信号伝送路を有する実施例について説明
する。Next, with reference to FIG. 4, an embodiment having a plurality of signal transmission lines different from FIGS. 2 and 3 will be described.
【0035】図4が図2と相違する点は、三本の信号伝
送路231が先端基板211の一方の面に平行に並べら
れていることである。従って、先端基板211およびこ
の先端基板211を取り囲む形状のグラウンドブロック
251は、複数の信号伝送路23の流れ方向に図2に示
される先端基板21より幅広い構造を有している。ま
た、この幅の広い先端基板211に対応する板ばね24
1も、同様に広い幅をもってもよい。このような構造に
より、裏面にグラウンド電極321を有し表面にピッチ
の狭い多数の信号電極31を有する被測定デバイス30
1を、グラウンド電位となるデバイスステージ40上に
配置して測定することができる。FIG. 4 differs from FIG. 2 in that three signal transmission paths 231 are arranged in parallel to one surface of the end substrate 211. Therefore, the front substrate 211 and the ground block 251 surrounding the front substrate 211 have a wider structure in the flow direction of the plurality of signal transmission paths 23 than the front substrate 21 shown in FIG. The leaf spring 24 corresponding to the wide end substrate 211
1 may likewise have a wide width. With such a structure, the device under test 30 having the ground electrode 321 on the back surface and the many signal electrodes 31 with a narrow pitch on the front surface
1 can be placed on the device stage 40 at the ground potential and measured.
【0036】次に、図5に図6を併せ参照して複数の信
号伝送路231を備え、かつ先端基板211の周囲にグ
ラウンド壁を形成した構造について説明する。この構造
により、高周波特性を、より正確に安定して測定するこ
とができる。ここでは複数の信号伝送路の場合について
図示し説明するが、既に図面を参照して説明した一本の
信号伝送路の場合についても同様な構造を備えている。Next, a structure in which a plurality of signal transmission paths 231 are provided and a ground wall is formed around the tip substrate 211 will be described with reference to FIGS. With this structure, high-frequency characteristics can be measured more accurately and stably. Here, the case of a plurality of signal transmission lines is shown and described, but the same structure is provided for the case of one signal transmission line already described with reference to the drawings.
【0037】図5は、図4における先端部201のみを
示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing only the tip portion 201 in FIG.
【0038】図6は図5のC−C断面図であり、薄いフ
ィルム状の先端基板211(図5では図示されていな
い)は、図4を参照して説明したように、平面図におけ
る裏面に三本の信号伝送路231を配備し、表面にべた
グラウンド面221を有している。この先端基板211
は、信号伝送路231を内側にして、断面がコの字型で
樋状のグラウンドブロック251における内側空間部の
蓋を形成している。この構造により、信号伝送路231
は被測定デバイスの信号電極に接触する最先端部を除い
てべたグラウンド面221とグラウンドブロック251
とにより一定の間隙を有して囲まれている。従って、構
造が単純であるため製造コストを低く押さえることがで
きる。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 5, and the thin film-shaped tip substrate 211 (not shown in FIG. 5) is, as described with reference to FIG. Are provided with three signal transmission paths 231 and have a solid ground plane 221 on the surface. This tip substrate 211
Has a U-shaped cross section and a gutter-shaped ground block 251, with the signal transmission path 231 inside, to form a lid for an inner space portion. With this structure, the signal transmission path 231
Is a solid ground plane 221 and a ground block 251 except for the foremost part that contacts the signal electrode of the device under test.
And are enclosed with a certain gap. Therefore, the manufacturing cost can be kept low because the structure is simple.
【0039】次に、図7を参照して図6と異なる実施例
について説明する。Next, an embodiment different from FIG. 6 will be described with reference to FIG.
【0040】図7が図6と異なる点はグラウンドブロッ
ク252にある。すなわち、図示されるグラウンドブロ
ック252が、平行に並ぶ信号伝送路231それぞれを
電磁的に隔離するため信号伝送路231相互の間隙部分
にグラウンド壁を追加形成していることである。この構
造により、信号伝送路231それぞれが形成する信号伝
送路間のクロストークノイズの低減を図ることができ
る。FIG. 7 differs from FIG. 6 in the ground block 252. That is, the illustrated ground block 252 additionally forms a ground wall at a gap between the signal transmission paths 231 in order to electromagnetically isolate the signal transmission paths 231 arranged in parallel. With this structure, it is possible to reduce crosstalk noise between the signal transmission lines formed by the signal transmission lines 231.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【0042】第一の効果は、マイクロストリップ構造の
被測定デバイスを測定する際、測定時間および労力を軽
減できることである。The first effect is that measurement time and labor can be reduced when measuring a device to be measured having a microstrip structure.
【0043】その理由は、本発明による高周波プローブ
先端の信号導体とグラウンド導体とが、被測定デバイス
の信号電極に押圧される方向を縦方向としてこの縦方向
に並んでおり、マイクロストリップ構造の被測定デバイ
スに直接接触できるからである。The reason is that the signal conductor and the ground conductor at the tip of the high-frequency probe according to the present invention are arranged in the vertical direction with the direction pressed by the signal electrode of the device under test as the vertical direction, and the microstrip structure is used. This is because it can directly contact the measuring device.
【0044】第二の効果は、信号電極との確実な電気的
接触が得られることである。The second effect is that a reliable electric contact with the signal electrode can be obtained.
【0045】その理由は、弾性を有する板ばねの先端が
先端基板の先端近傍で信号電極に接触している先端基板
を所定の接触圧により押さえているからである。The reason is that the tip of the elastic leaf spring presses the tip substrate in contact with the signal electrode near the tip of the tip substrate by a predetermined contact pressure.
【0046】第三の効果は、被測定デバイスの信号電極
が狭いピッチで多数配置される場合でも対応できること
である。The third effect is that it can cope with a case where a large number of signal electrodes of the device under test are arranged at a narrow pitch.
【0047】その理由は、このような被測定デバイスに
おける複数の信号電極に対応した複数の信号伝送路を先
端基板に配置できるからである。The reason is that a plurality of signal transmission paths corresponding to a plurality of signal electrodes in such a device under test can be arranged on the tip substrate.
【0048】第四の効果は、被測定デバイスの製品コス
トを低減できることである。The fourth effect is that the product cost of the device under test can be reduced.
【0049】その理由は、被測定デバイスの電極構造を
マイクロストリップ構造とすることにより、デバイス面
積を小さくできるからである。The reason is that the device area can be reduced by making the electrode structure of the device under test a microstrip structure.
【0050】第五の効果は、被測定デバイスの信号電極
と電源電極とが混在して並置される場合、信号測定およ
び電源供給の両者を一つのプローブにより同時に行なえ
ることである。特に、複数の電源電極が並置される場合
においても電源供給用として対応できる。The fifth effect is that when a signal electrode and a power supply electrode of a device under test are mixed and juxtaposed, both signal measurement and power supply can be performed simultaneously by one probe. In particular, even when a plurality of power supply electrodes are juxtaposed, it can be used for power supply.
【0051】その理由は、被測定デバイスの複数の信号
電極および電源電極に対応した複数の信号伝送路を先端
基板に配置できるので、広い動作周波数帯域と低い信号
伝送路間のクロストークとにより、先端基板の信号伝送
路先端が接触した際の被測定デバイスに対する影響を最
小限に抑えることができるからである。The reason is that a plurality of signal transmission lines corresponding to a plurality of signal electrodes and a power supply electrode of the device under test can be arranged on the tip substrate, so that a wide operating frequency band and low signal crosstalk between the signal transmission lines cause This is because the influence on the device to be measured when the tip of the signal transmission path of the tip substrate comes into contact can be minimized.
【図1】本発明の実施の一形態を示す部分断面図であ
る。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing one embodiment of the present invention.
【図2】図1における先端部の構造および動作機能を説
明する斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a structure and an operation function of a distal end portion in FIG.
【図3】図2とは別の先端部における一つの実施の形態
を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing one embodiment at a tip portion different from FIG. 2;
【図4】図2において複数の信号路を有する場合におけ
る先端部の構造を説明する斜視図である。FIG. 4 is a perspective view illustrating a structure of a distal end portion when a plurality of signal paths are provided in FIG.
【図5】図4に示される先端部の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the distal end shown in FIG. 4;
【図6】図5のC−C断面における一つの実施の形態を
示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing one embodiment along the line CC in FIG. 5;
【図7】図6とは別の構造による実施の形態を示す断面
図である。FIG. 7 is a sectional view showing an embodiment having a structure different from that of FIG. 6;
【図8】従来の高周波プローブの一例を示す平面図およ
び側面図である。FIG. 8 is a plan view and a side view showing an example of a conventional high-frequency probe.
【図9】図8における先端部の一例を示す機能ブロック
図である。FIG. 9 is a functional block diagram illustrating an example of a distal end portion in FIG.
11 本体ブロック 12 中継基板 20、201 先端部 21、211 先端基板 22、221 べたグラウンド面 23、231 信号伝送路 24、241 板ばね 25、251、252 グラウンドブロック 26 接触突起 30、301 被測定デバイス 31 信号電極 40 デバイスステージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Main body block 12 Relay board 20, 201 Tip part 21, 211 Tip board 22, 221 Solid ground surface 23, 231 Signal transmission path 24, 241 Leaf spring 25, 251, 252 Ground block 26 Contact protrusion 30, 301 Device under measurement 31 Signal electrode 40 Device stage
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 博文 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 松永 幸治 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 二階堂 正彦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 山岸 祐一 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アンリ ツ株式会社内 (72)発明者 早川 聡 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アンリ ツ株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AE03 AG03 AG05 AG12 AH09 2G011 AA13 AA15 AA21 AB09 AC32 4M106 AA02 AA07 BA09 BA14 DJ33 DJ40 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hirofumi Inoue 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Inside NEC Corporation (72) Koji Matsunaga 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Japan Inside Electric Company (72) Inventor Masahiko Nikaido 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation Inside (72) Inventor Yuichi Yamagishi 5-27, Minamiazabu 5-chome, Minato-ku, Tokyo Anritsu shares In-house (72) Inventor Satoshi Hayakawa 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo F-term in Anritsu Corporation (reference) 2G003 AE03 AG03 AG05 AG12 AH09 2G011 AA13 AA15 AA21 AB09 AC32 4M106 AA02 AA07 BA09 BA14 DJ33 DJ40
Claims (6)
的導通がありグラウンド電極として機能するデバイスス
テージ上に配置された被測定デバイスの信号電極に信号
伝送路の先端を押し当て、この信号伝送路の他端に接続
されたコネクタにより外部計測器と接続する高周波プロ
ーブにおいて、前記被測定デバイスの信号電極に接する
面に前記信号伝送路を有するフィルム状の先端基板と、
この信号伝送路の先端を前記被測定デバイスの信号電極
に押し当てた際にこの先端基板を押圧する位置にある板
ばねと、前記信号伝送路の先端を前記被測定デバイスの
信号電極に押し当てた際にこの信号伝送路と前記デバイ
スステージとの間に位置しこのデバイスステージに接触
して電気的導通を得るグラウンドブロックとを備えるこ
とを特徴とする高周波プローブ。An end of a signal transmission path is pressed against a signal electrode of a device to be measured disposed on a device stage which is electrically connected to a ground electrode of the device to be measured and functions as a ground electrode. In a high-frequency probe connected to an external measuring instrument by a connector connected to the other end, a film-shaped tip substrate having the signal transmission path on a surface in contact with a signal electrode of the device under test,
When the tip of the signal transmission path is pressed against the signal electrode of the device under test, the leaf spring is at a position to press the tip substrate, and the tip of the signal transmission path is pressed against the signal electrode of the device under test. A high-frequency probe, comprising: a ground block that is located between the signal transmission path and the device stage when the device stage is in contact with the device stage to obtain electrical continuity.
て、被測定デバイスの信号電極に押し当てる信号伝送路
の先端に、前記信号電極に接触する導電材料による接触
突起を備えることを特徴とする高周波プローブ。2. The high-frequency probe according to claim 1, further comprising: a contact protrusion made of a conductive material that comes into contact with said signal electrode at a tip of a signal transmission path pressed against a signal electrode of a device under test. probe.
て、信号伝送路が、裏面をべたグラウンド面とする前記
先端基板の表面上でマイクロストリップラインを形成す
ることを特徴とする高周波プローブ。3. The high-frequency probe according to claim 1, wherein the signal transmission path forms a microstrip line on the surface of the tip substrate whose back surface is a solid ground surface.
て、グラウンドブロックは、前記先端基板のべたグラウ
ンド面と電気的導通を有しかつこのべたグラウンド面と
共に所定の間隙をもって前記信号伝送路の周りを囲む形
状を有することを特徴とする高周波プローブ。4. The high-frequency probe according to claim 3, wherein the ground block has electrical continuity with the solid ground surface of the tip substrate and surrounds the signal transmission path with the solid ground surface with a predetermined gap. A high-frequency probe having a surrounding shape.
て、先端基板が、前記被測定デバイスの信号電極に押し
当てる面で複数の信号電極に対応する複数の前記信号伝
送路を備えることを特徴とする高周波プローブ。5. The high-frequency probe according to claim 1, wherein the tip substrate includes a plurality of signal transmission paths corresponding to a plurality of signal electrodes on a surface pressed against the signal electrodes of the device under test. High frequency probe.
て、信号伝送路が、裏面をべたグラウンド面とする前記
先端基板の表面上でマイクロストリップラインを形成
し、かつグラウンドブロックが、前記先端基板のべたグ
ラウンド面と電気的導通を有し、このべたグラウンド面
と共に所定の間隙をもって前記信号伝送路の周りを囲む
と共に前記複数の信号伝送路それぞれの間に隔壁を備え
る形状を有することを特徴とする高周波プローブ。6. The high-frequency probe according to claim 5, wherein the signal transmission path forms a microstrip line on a surface of the tip substrate whose back surface is a solid ground surface, and a ground block is formed on the tip substrate. It has an electrical continuity with the solid ground plane, and has a shape surrounding the signal transmission path with a predetermined gap together with the solid ground plane and having a partition wall between each of the plurality of signal transmission paths. High frequency probe.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11048325A JP2000241444A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | High frequency probe |
US09/328,362 US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 1999-06-09 | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
US09/886,033 US6400168B2 (en) | 1998-06-09 | 2001-06-22 | Method for fabricating probe tip portion composed by coaxial cable |
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Family Applications (1)
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Country | Link |
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- 1999-02-25 JP JP11048325A patent/JP2000241444A/en active Pending
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