JP2000239893A - ウェーハをめっきする装置及び方法 - Google Patents
ウェーハをめっきする装置及び方法Info
- Publication number
- JP2000239893A JP2000239893A JP11170018A JP17001899A JP2000239893A JP 2000239893 A JP2000239893 A JP 2000239893A JP 11170018 A JP11170018 A JP 11170018A JP 17001899 A JP17001899 A JP 17001899A JP 2000239893 A JP2000239893 A JP 2000239893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- plating solution
- support chamber
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 197
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 104
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっきしないでおくウェーハの縁部と側面を
めっき液から確実に保護し、その際の発生応力が低いウ
ェーハをめっきする装置及び方法を提供する。 【解決手段】 サポートチャンバーとめっき槽を有する
ウェーハをめっきする装置を提供する。サポートチャン
バーは、開口端と、めっき槽の上方にめっきされるウェ
ーハを支持する開口端に隣接した縮小された直径部分と
を備えた周囲壁を有し、更に、加圧された気体を受容す
る内部空間を有する。めっき槽は、めっき槽内のめっき
液に層流を与える手段を有する。ウェーハをサポートチ
ャンバーに移送して、サポートチャンバー内に加圧気体
を供給し、次いでめっきされるウェーハをめっき槽内の
めっき液に接触させ、予め選択した時間の間、ウェーハ
のめっき液との接触を維持し、次いでウェーハをめっき
液から分離する、ウェーハをめっきする方法を提供す
る。
めっき液から確実に保護し、その際の発生応力が低いウ
ェーハをめっきする装置及び方法を提供する。 【解決手段】 サポートチャンバーとめっき槽を有する
ウェーハをめっきする装置を提供する。サポートチャン
バーは、開口端と、めっき槽の上方にめっきされるウェ
ーハを支持する開口端に隣接した縮小された直径部分と
を備えた周囲壁を有し、更に、加圧された気体を受容す
る内部空間を有する。めっき槽は、めっき槽内のめっき
液に層流を与える手段を有する。ウェーハをサポートチ
ャンバーに移送して、サポートチャンバー内に加圧気体
を供給し、次いでめっきされるウェーハをめっき槽内の
めっき液に接触させ、予め選択した時間の間、ウェーハ
のめっき液との接触を維持し、次いでウェーハをめっき
液から分離する、ウェーハをめっきする方法を提供す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
製造に関し、特にサポートチャンバー及びめっき槽を利
用した半導体ウェーハの表面のめっき(plating) に関す
る。
製造に関し、特にサポートチャンバー及びめっき槽を利
用した半導体ウェーハの表面のめっき(plating) に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハの製造分野では、ウェー
ハ上の構成要素間を電気的に接続するために、ウェーハ
の一方の面に導電性の層を設けることが必要である。こ
のため、ウェーハの一方の側面を一様にコーティングす
る必要がある。本明細書では、コーティングされるウェ
ーハの側面をコート側と称する。コーティング工程の
間、ウェーハの縁部とウェーハのめっきされない側面
(本明細書でウェーハの反対側面と称する)は、めっき
液に接触しないように覆われるか、又はシールされなけ
ればならない。
ハ上の構成要素間を電気的に接続するために、ウェーハ
の一方の面に導電性の層を設けることが必要である。こ
のため、ウェーハの一方の側面を一様にコーティングす
る必要がある。本明細書では、コーティングされるウェ
ーハの側面をコート側と称する。コーティング工程の
間、ウェーハの縁部とウェーハのめっきされない側面
(本明細書でウェーハの反対側面と称する)は、めっき
液に接触しないように覆われるか、又はシールされなけ
ればならない。
【0003】ウェーハに導電性の層を設ける効果的な方
法は、化学めっき槽又は電気化学めっき槽を使用するこ
とである。これらのめっき槽で最も一般的なめっき槽
は、図1、2に示したファウンテンプレーター(fountai
n plater) として知られており、これを図1、2に示
す。図1に示すように、ファウンテンプレーターは、め
っき液32で満たされためっき槽14を有している。内
部又は外部ポンプが、めっき液32に層流を起こすため
に使用される。図1、2では、内部ポンプ35が示さ
れ、液の流れが矢印で示されている。図1に示した静止
しためっき液(staticfluid)のレベルと図2に示した循
環しているめっき液(circulating fluid) のレベルを比
較するとわかるように、めっき液32の流速が増すと、
めっき液32の表面が上昇する。
法は、化学めっき槽又は電気化学めっき槽を使用するこ
とである。これらのめっき槽で最も一般的なめっき槽
は、図1、2に示したファウンテンプレーター(fountai
n plater) として知られており、これを図1、2に示
す。図1に示すように、ファウンテンプレーターは、め
っき液32で満たされためっき槽14を有している。内
部又は外部ポンプが、めっき液32に層流を起こすため
に使用される。図1、2では、内部ポンプ35が示さ
れ、液の流れが矢印で示されている。図1に示した静止
しためっき液(staticfluid)のレベルと図2に示した循
環しているめっき液(circulating fluid) のレベルを比
較するとわかるように、めっき液32の流速が増すと、
めっき液32の表面が上昇する。
【0004】図3は、シリコンウェーハ10をめっき槽
14に入れ、ウェーハ10の表面11にめっき液32を
流している様子を示している。図3に示すように、ウェ
ーハは通常、チャック36等の剛的な機械的方法で保持
される。めっき液32は、ウェーハ10の一方の面1
1、つまりコート側にのみ接触させられなければなら
ず、又、ウェーハの縁部22から所定の距離、一般には
2から3mmには、めっき液32を接触させてはならな
い。めっき液が、ウェーハ10の縁部22や反対側面に
達すると、ウェーハは使用不可能になる。従って、自動
化された設備において、ウェーハをめっきする装置及び
方法は、信頼性が高く、脆弱なシリコンウェーハに損傷
を与えること無く、液を遮断してシールしなければなら
ない。
14に入れ、ウェーハ10の表面11にめっき液32を
流している様子を示している。図3に示すように、ウェ
ーハは通常、チャック36等の剛的な機械的方法で保持
される。めっき液32は、ウェーハ10の一方の面1
1、つまりコート側にのみ接触させられなければなら
ず、又、ウェーハの縁部22から所定の距離、一般には
2から3mmには、めっき液32を接触させてはならな
い。めっき液が、ウェーハ10の縁部22や反対側面に
達すると、ウェーハは使用不可能になる。従って、自動
化された設備において、ウェーハをめっきする装置及び
方法は、信頼性が高く、脆弱なシリコンウェーハに損傷
を与えること無く、液を遮断してシールしなければなら
ない。
【0005】ウェーハのめっきしないでおく部分をめっ
き液に接触させないようにシールする、又は覆うために
従来使用されている方法には、粘着テープの使用、Oリ
ングシール類やその他の様々な機械的シール類の使用等
がある。
き液に接触させないようにシールする、又は覆うために
従来使用されている方法には、粘着テープの使用、Oリ
ングシール類やその他の様々な機械的シール類の使用等
がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法及び装置を
使用した半導体ウェーハのめっきには、幾つかの欠点が
ある。ウェーハをシールするためにチャック等の剛体の
機械的構造物で締付け、過大な圧力をかけることは、め
っき中にウェーハを損傷し、割れを生じさせ、ウェーハ
を使用不可能にする可能性がある。その上、ウェーハ
は、中央部で支持されているのではなく、縁部で支持さ
れているので、めっき槽からの上向きのめっき液の流れ
は、ウェーハの中央部を撓ませ、変形又は割れを生じさ
せる可能性がある。
使用した半導体ウェーハのめっきには、幾つかの欠点が
ある。ウェーハをシールするためにチャック等の剛体の
機械的構造物で締付け、過大な圧力をかけることは、め
っき中にウェーハを損傷し、割れを生じさせ、ウェーハ
を使用不可能にする可能性がある。その上、ウェーハ
は、中央部で支持されているのではなく、縁部で支持さ
れているので、めっき槽からの上向きのめっき液の流れ
は、ウェーハの中央部を撓ませ、変形又は割れを生じさ
せる可能性がある。
【0007】更に、従来のウェーハを機械的にシールす
る又は覆う方法は信頼性が低く、めっき液がウェーハの
縁部に漏れ、めっきしてはならないウェーハの縁部とウ
ェーハの反対側面の両方にめっき液を接触させてしまう
可能性がある。
る又は覆う方法は信頼性が低く、めっき液がウェーハの
縁部に漏れ、めっきしてはならないウェーハの縁部とウ
ェーハの反対側面の両方にめっき液を接触させてしまう
可能性がある。
【0008】従って、めっきしないでおくウェーハの縁
部と側面が、めっき工程中にめっき液から保護されるよ
うなウェーハをめっきする装置及び方法が必要である。
部と側面が、めっき工程中にめっき液から保護されるよ
うなウェーハをめっきする装置及び方法が必要である。
【0009】又、めっき中にウェーハに生ずる応力が極
めて小さいウェーハをめっきする装置及び方法が必要で
ある。
めて小さいウェーハをめっきする装置及び方法が必要で
ある。
【0010】更に、めっき工程中にウェーハが、剛的な
機械的手段以外の方法で保持されるウェーハをめっきす
る装置及び方法が必要である。
機械的手段以外の方法で保持されるウェーハをめっきす
る装置及び方法が必要である。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、めっき液をウ
ェーハの縁部や反対側面に到達させないようにしながら
めっきすることが可能なサポートチャンバーとめっき槽
を有する装置を提供する。更に本発明は、ウェーハに不
必要な機械的圧力をかけないようにしながら、めっき工
程中にウェーハを支持するサポートチャンバーを有する
装置を提供する。
ェーハの縁部や反対側面に到達させないようにしながら
めっきすることが可能なサポートチャンバーとめっき槽
を有する装置を提供する。更に本発明は、ウェーハに不
必要な機械的圧力をかけないようにしながら、めっき工
程中にウェーハを支持するサポートチャンバーを有する
装置を提供する。
【0012】本発明の特徴を有する装置は、めっき槽の
上方にウェーハを支持するサポートチャンバーを有して
いる。サポートチャンバーは開口端を備えた周囲壁を有
している。周囲壁は開口端に隣接して直径が縮小されて
おり、めっき槽の上方にウェーハを支持するサポートを
形成する。上記サポートチャンバーは、加圧された気体
を受入れる内部空間を有している。
上方にウェーハを支持するサポートチャンバーを有して
いる。サポートチャンバーは開口端を備えた周囲壁を有
している。周囲壁は開口端に隣接して直径が縮小されて
おり、めっき槽の上方にウェーハを支持するサポートを
形成する。上記サポートチャンバーは、加圧された気体
を受入れる内部空間を有している。
【0013】めっき槽は、サポートチャンバーを受容す
る開口端を有している。めっき槽は、めっき槽に供給さ
れためっき液に層流を生じさせる手段を有しており、め
っき液を予め選択したレベルへ上昇させる。
る開口端を有している。めっき槽は、めっき槽に供給さ
れためっき液に層流を生じさせる手段を有しており、め
っき液を予め選択したレベルへ上昇させる。
【0014】又、ウェーハをめっきする方法も開示され
ている。この方法では、ウェーハがサポートチャンバー
に移送され、サポートチャンバーには加圧された気体が
供給される。めっき槽内のめっき液の流量が増加され、
めっき液のレベルが上昇させられてウェーハの表面に接
するようにされ、めっきされるウェーハがめっき液に接
触させられる。めっき液のウェーハのめっきされる表面
への接触が所定時間維持される。次いで、めっき槽内の
めっき液の流量が減少され、めっき液のレベルがウェー
ハの表面より下方へ下降させられる。
ている。この方法では、ウェーハがサポートチャンバー
に移送され、サポートチャンバーには加圧された気体が
供給される。めっき槽内のめっき液の流量が増加され、
めっき液のレベルが上昇させられてウェーハの表面に接
するようにされ、めっきされるウェーハがめっき液に接
触させられる。めっき液のウェーハのめっきされる表面
への接触が所定時間維持される。次いで、めっき槽内の
めっき液の流量が減少され、めっき液のレベルがウェー
ハの表面より下方へ下降させられる。
【0015】
【発明の実施の形態】図4、5及び図7は、ウェーハ1
0をめっきする装置を示しており、同じ構成要素は同じ
参照番号で示してある。この装置は、サポートチャンバ
ー12とめっき槽14を有している。サポートチャンバ
ー12は、開口端18を備えた周囲壁16を有してい
る。サポートチャンバー12は、めっき槽14に対し
て、水平、鉛直の両軸に沿って移動可能であるようにし
ても良い。このことは、サポートチャンバー12の位置
決めの自由度を増大させる。
0をめっきする装置を示しており、同じ構成要素は同じ
参照番号で示してある。この装置は、サポートチャンバ
ー12とめっき槽14を有している。サポートチャンバ
ー12は、開口端18を備えた周囲壁16を有してい
る。サポートチャンバー12は、めっき槽14に対し
て、水平、鉛直の両軸に沿って移動可能であるようにし
ても良い。このことは、サポートチャンバー12の位置
決めの自由度を増大させる。
【0016】好ましい実施形態では、サポートチャンバ
ー12は回転可能である。サポートチャンバー12を回
転させるために任意の適当な駆動システムを使用するこ
とができる。このようなシステムは、当業者にとって周
知であり、ここでは詳細に説明しない。
ー12は回転可能である。サポートチャンバー12を回
転させるために任意の適当な駆動システムを使用するこ
とができる。このようなシステムは、当業者にとって周
知であり、ここでは詳細に説明しない。
【0017】図5に示すように、周囲壁16は、開口端
18に隣接した縮小された直径部分17を有している。
縮小された直径部分17は、端部でリップ部(lip) 20
を形成しており、周囲壁16がめっき槽14の上方にウ
ェーハ10を支持し、ウェーハの縁部をシールすること
が、上記リップ部により可能になる。
18に隣接した縮小された直径部分17を有している。
縮小された直径部分17は、端部でリップ部(lip) 20
を形成しており、周囲壁16がめっき槽14の上方にウ
ェーハ10を支持し、ウェーハの縁部をシールすること
が、上記リップ部により可能になる。
【0018】図5、7に示すように、周囲壁16は、開
口端18に隣接した縮小された直径部分17を形成する
内部テーパを有していても良い。テーパの形成された周
囲壁16は、開口端18において、ウェーハ10を自動
的に中心へ案内するように作用する。
口端18に隣接した縮小された直径部分17を形成する
内部テーパを有していても良い。テーパの形成された周
囲壁16は、開口端18において、ウェーハ10を自動
的に中心へ案内するように作用する。
【0019】好ましい実施形態では、開口端18に隣接
して内方に延設された周縁のリップ部(peripheral lip)
20が設けられており、上記リップ部上にウェーハ10
を支持する。図5に示したようにサポートチャンバー1
2に配置されたウェーハ10は、リップ部20へ載せら
れ、ウェーハ10とリップ部20の間に剛的ではない機
械的シールを形成する。
して内方に延設された周縁のリップ部(peripheral lip)
20が設けられており、上記リップ部上にウェーハ10
を支持する。図5に示したようにサポートチャンバー1
2に配置されたウェーハ10は、リップ部20へ載せら
れ、ウェーハ10とリップ部20の間に剛的ではない機
械的シールを形成する。
【0020】本発明の他の好ましい実施形態では、図9
に示すような段状の周囲棚部(circumferential ledge)
23が、周囲壁16の内部テーパに形成されても良い。
前述した周縁のリップ部20のように、棚部23は、ウ
ェーハ10をめっき槽14の上方で支持し、ウェーハの
縁部をシールする支持面として作用する。
に示すような段状の周囲棚部(circumferential ledge)
23が、周囲壁16の内部テーパに形成されても良い。
前述した周縁のリップ部20のように、棚部23は、ウ
ェーハ10をめっき槽14の上方で支持し、ウェーハの
縁部をシールする支持面として作用する。
【0021】電解によるめっき方法では、ウェーハ10
の縁部は、リップ部20へ埋込まれた電極に接触してい
る(図示無し)。電極は、サポートチャンバーに配置さ
れたウェーハの縁部に接触するようになっている。電極
は、めっき工程の間、電極の機能を維持するため、めっ
き液から保護されなければならない。電極は、ウェーハ
縁部との適切な接触が維持可能であるように、サポート
チャンバーの任意の位置に配置して良いということは明
らかである。
の縁部は、リップ部20へ埋込まれた電極に接触してい
る(図示無し)。電極は、サポートチャンバーに配置さ
れたウェーハの縁部に接触するようになっている。電極
は、めっき工程の間、電極の機能を維持するため、めっ
き液から保護されなければならない。電極は、ウェーハ
縁部との適切な接触が維持可能であるように、サポート
チャンバーの任意の位置に配置して良いということは明
らかである。
【0022】ウェーハ10とリップ部20との間の十分
なシールを達成し、めっき液32がウェーハ10の縁部
22やウェーハ10の反対側面24へ到達出来ないよう
に、図8に示すように圧力源27によって、圧力媒体が
サポートチャンバー12内の内部空間26へ供給され
る。好ましい実施形態では、圧力媒体は気体である。図
5、7における矢印Gで示すように加圧気体がサポート
チャンバー12に供給されると、ウェーハ10はリップ
部20に押圧され、堅固なシール(firm seal) が形成さ
れる。気体の圧力を使用してウェーハ10をリップ部2
0に押圧し、堅固なシールを形成することは、ウェーハ
10に均一な圧力を加え、従来のめっき装置やめっき方
法よりウェーハ10に発生する応力を小さくする。
なシールを達成し、めっき液32がウェーハ10の縁部
22やウェーハ10の反対側面24へ到達出来ないよう
に、図8に示すように圧力源27によって、圧力媒体が
サポートチャンバー12内の内部空間26へ供給され
る。好ましい実施形態では、圧力媒体は気体である。図
5、7における矢印Gで示すように加圧気体がサポート
チャンバー12に供給されると、ウェーハ10はリップ
部20に押圧され、堅固なシール(firm seal) が形成さ
れる。気体の圧力を使用してウェーハ10をリップ部2
0に押圧し、堅固なシールを形成することは、ウェーハ
10に均一な圧力を加え、従来のめっき装置やめっき方
法よりウェーハ10に発生する応力を小さくする。
【0023】めっき工程の間にウェーハに局部的な圧力
を加える機械的装置とは異なり、サポートチャンバー内
の気体は、ウェーハ10の反対側面24に均一な圧力を
加える。ウェーハ10の反対側面24に均一な気体の圧
力を作用させることは、めっき工程の間のウェーハ10
の変形や割れの発生を防止する。
を加える機械的装置とは異なり、サポートチャンバー内
の気体は、ウェーハ10の反対側面24に均一な圧力を
加える。ウェーハ10の反対側面24に均一な気体の圧
力を作用させることは、めっき工程の間のウェーハ10
の変形や割れの発生を防止する。
【0024】本明細書で説明するサポートチャンバー1
2は、例えば図1から図5に示したような、めっき槽1
4に供給されためっき液32に層流を起こすことが可能
なめっき槽14と組合せて使用することを企図してい
る。この種のめっき槽14は、ファウンテンプレーター
として当業者にとって周知である。めっき槽14は、内
部タンク28と外部タンク30を有している。めっき槽
14に供給されためっき液32は、図4に示されたよう
に循環ポンプ35によって、循環され、層流が与えられ
る。ポンプ35により発生される乱れを最小化し、めっ
き液32に層流特性を与えるために、内部タンク28内
のポンプ35の上方にバッフル37が配設される。バッ
フル37を通過した後で、めっき液32は内部タンク2
8内を上昇して盛上がり、めっき槽14の中央部分で最
も高くなる液体分布を形成する。めっき槽14内のめっ
き液32の高さHは、ポンプ35によりめっき液32の
流量を調節することによって、上下させることが可能で
ある。めっき液32は外部タンク30へ溢れて、再循環
される。
2は、例えば図1から図5に示したような、めっき槽1
4に供給されためっき液32に層流を起こすことが可能
なめっき槽14と組合せて使用することを企図してい
る。この種のめっき槽14は、ファウンテンプレーター
として当業者にとって周知である。めっき槽14は、内
部タンク28と外部タンク30を有している。めっき槽
14に供給されためっき液32は、図4に示されたよう
に循環ポンプ35によって、循環され、層流が与えられ
る。ポンプ35により発生される乱れを最小化し、めっ
き液32に層流特性を与えるために、内部タンク28内
のポンプ35の上方にバッフル37が配設される。バッ
フル37を通過した後で、めっき液32は内部タンク2
8内を上昇して盛上がり、めっき槽14の中央部分で最
も高くなる液体分布を形成する。めっき槽14内のめっ
き液32の高さHは、ポンプ35によりめっき液32の
流量を調節することによって、上下させることが可能で
ある。めっき液32は外部タンク30へ溢れて、再循環
される。
【0025】一度、ウェーハがサポートチャンバー12
に配置されると、サポートチャンバー12は、めっき槽
14及びめっき液32に対してウェーハ10を適当に配
置するように、水平及び鉛直軸に沿って移動可能であ
る。
に配置されると、サポートチャンバー12は、めっき槽
14及びめっき液32に対してウェーハ10を適当に配
置するように、水平及び鉛直軸に沿って移動可能であ
る。
【0026】ウェーハ10がサポートチャンバー12に
配置される時、ポンプ35は停止され、めっき液のレベ
ルは、ウェーハ10の表面11の下方に降下し、静止し
ためっき液のレベルとなる。このことによりウェーハ1
0の配置及びサポートチャンバーの位置決めが、ウェー
ハ10を液に接触させること無く可能になる。一度、サ
ポートチャンバー12が位置決めされ加圧されると、ポ
ンプ35が起動される。
配置される時、ポンプ35は停止され、めっき液のレベ
ルは、ウェーハ10の表面11の下方に降下し、静止し
ためっき液のレベルとなる。このことによりウェーハ1
0の配置及びサポートチャンバーの位置決めが、ウェー
ハ10を液に接触させること無く可能になる。一度、サ
ポートチャンバー12が位置決めされ加圧されると、ポ
ンプ35が起動される。
【0027】めっき液の流れの適切な分散によって、層
流が達成され、液レベルが上昇して盛上がり、めっき槽
の中央部分で、噴水で形成された円筒のようになる。静
止しためっき液のレベルより上方へのめっき液の鉛直方
向の上昇は、ウェーハの直径とめっき液の流量に依存す
る。層流系においては、鉛直方向のめっき液の上昇Zは
次の式により概算可能である。
流が達成され、液レベルが上昇して盛上がり、めっき槽
の中央部分で、噴水で形成された円筒のようになる。静
止しためっき液のレベルより上方へのめっき液の鉛直方
向の上昇は、ウェーハの直径とめっき液の流量に依存す
る。層流系においては、鉛直方向のめっき液の上昇Zは
次の式により概算可能である。
【0028】 Z=[ {Q/( πD√g) }・( 2/3)3/2]2/3 ここで、Qはめっき液の流量、Dはめっきされるウェー
ハの直径である。直径300mmのウェーハで、0.0
04m3 /秒(4liters/sec)の流量の場合には、めっ
き液は18mm上昇する。ウェーハのめっきされる表面
は、この高さの約6mm下方にサポートチャンバーによ
って配置される。これにより、静止しためっき液のレベ
ルの上方12mmにおいて、ウェーハとめっき液との必
要な接触が行われ、所望のめっきがなされる。
ハの直径である。直径300mmのウェーハで、0.0
04m3 /秒(4liters/sec)の流量の場合には、めっ
き液は18mm上昇する。ウェーハのめっきされる表面
は、この高さの約6mm下方にサポートチャンバーによ
って配置される。これにより、静止しためっき液のレベ
ルの上方12mmにおいて、ウェーハとめっき液との必
要な接触が行われ、所望のめっきがなされる。
【0029】ウェーハ10のめっきされる表面11が、
めっき液32と接触させられる時、ウェーハ/めっき液
の接触部において圧力が発生する。システムの適当な作
動は、サポートチャンバー12内に供給される気体の圧
力と、上方へ流れるめっき液によってウェーハ10のコ
ーティングされる表面11上に作用するめっき液の圧力
との間の圧力の釣合いに依存する。めっき液の流れとウ
ェーハ10上にめっき液によって作用する圧力の方向
は、図中に流れ線Fとして描かれている。サポートチャ
ンバー12内でウェーハ10に作用する気体の圧力G
は、ウェーハ10の縁部22において、めっき液32の
上方への流れによって作用するめっき液の圧力より高く
なければならない。同時に、ウェーハ10に過大な応力
が発生するのを防止するために、サポートチャンバー1
2内の気体の圧力とめっき液の圧力との間に大きな圧力
差があってはならない。
めっき液32と接触させられる時、ウェーハ/めっき液
の接触部において圧力が発生する。システムの適当な作
動は、サポートチャンバー12内に供給される気体の圧
力と、上方へ流れるめっき液によってウェーハ10のコ
ーティングされる表面11上に作用するめっき液の圧力
との間の圧力の釣合いに依存する。めっき液の流れとウ
ェーハ10上にめっき液によって作用する圧力の方向
は、図中に流れ線Fとして描かれている。サポートチャ
ンバー12内でウェーハ10に作用する気体の圧力G
は、ウェーハ10の縁部22において、めっき液32の
上方への流れによって作用するめっき液の圧力より高く
なければならない。同時に、ウェーハ10に過大な応力
が発生するのを防止するために、サポートチャンバー1
2内の気体の圧力とめっき液の圧力との間に大きな圧力
差があってはならない。
【0030】上述の両方の目的が、本明細書で開示する
発明によって達成される。ウェーハ10の縁部22にお
いて、サポートチャンバー12の気体の圧力をめっき液
の圧力より高く維持することにより、ウェーハ10の縁
部22に表面欠陥が存在する場合に、めっき液がサポー
トチャンバー12の中へ漏れるのではなく、気体がサポ
ートチャンバー12からめっき液28の中へ漏れるとい
うことが確実になる。漏れた気体の気泡は、めっき槽1
4内に生じている循環するめっき液の流れによってウェ
ーハ10のコーティングされる表面11から運び去られ
る。
発明によって達成される。ウェーハ10の縁部22にお
いて、サポートチャンバー12の気体の圧力をめっき液
の圧力より高く維持することにより、ウェーハ10の縁
部22に表面欠陥が存在する場合に、めっき液がサポー
トチャンバー12の中へ漏れるのではなく、気体がサポ
ートチャンバー12からめっき液28の中へ漏れるとい
うことが確実になる。漏れた気体の気泡は、めっき槽1
4内に生じている循環するめっき液の流れによってウェ
ーハ10のコーティングされる表面11から運び去られ
る。
【0031】システムの本来の性能を保証するために、
気体圧力は、図8に示すように、外部レギュレータ29
によって設定、監視されても良い。上記レギュレータ2
9が、サポートチャンバー内の圧力を測定し、この圧力
を監視、調整、調節して、ウェーハ10の反対側面24
に渡って圧力を均一に維持するようにしても良い。
気体圧力は、図8に示すように、外部レギュレータ29
によって設定、監視されても良い。上記レギュレータ2
9が、サポートチャンバー内の圧力を測定し、この圧力
を監視、調整、調節して、ウェーハ10の反対側面24
に渡って圧力を均一に維持するようにしても良い。
【0032】気体がサポートチャンバー12内に供給さ
れている時、気体の圧力は、ウェーハ10の反対側面2
4に渡って均一である。めっき液32からの液体圧力
は、ウェーハ10のコーティングされる表面がめっき液
32に接触している時、この表面に渡って均一ではな
い。めっき槽14内において流れが均一である時、めっ
き槽の中央で噴水で形成された円筒(fountain cylinde
r) が生じ、めっき液の圧力は、ウェーハ10の縁部2
2より中央において高いということがベルヌーイの式に
よって示される。ベルヌーイの式は、当業者にとって周
知であり、本明細書では説明しない。ウェーハ10の中
央部において、気体とめっき液の圧力を釣合わせること
により、ウェーハ10での発生応力が低く、ウェーハ1
0の縁部22において気体の圧力がめっき液の圧力より
高いという望ましい結果が得られる。図6は、半径30
0mmのウェーハ10の半径方向の圧力分布を示したグ
ラフを示している。
れている時、気体の圧力は、ウェーハ10の反対側面2
4に渡って均一である。めっき液32からの液体圧力
は、ウェーハ10のコーティングされる表面がめっき液
32に接触している時、この表面に渡って均一ではな
い。めっき槽14内において流れが均一である時、めっ
き槽の中央で噴水で形成された円筒(fountain cylinde
r) が生じ、めっき液の圧力は、ウェーハ10の縁部2
2より中央において高いということがベルヌーイの式に
よって示される。ベルヌーイの式は、当業者にとって周
知であり、本明細書では説明しない。ウェーハ10の中
央部において、気体とめっき液の圧力を釣合わせること
により、ウェーハ10での発生応力が低く、ウェーハ1
0の縁部22において気体の圧力がめっき液の圧力より
高いという望ましい結果が得られる。図6は、半径30
0mmのウェーハ10の半径方向の圧力分布を示したグ
ラフを示している。
【0033】本発明の特徴を用いるウェーハ10をめっ
きする方法は、以下の工程を有している。
きする方法は、以下の工程を有している。
【0034】めっき槽ポンプ35が停止される。ウェー
ハ10が、雰囲気圧(ambient pressure)においてサポー
トチャンバー12に配置される。次いで、サポートチャ
ンバー12内に加圧された気体が供給され、ウェーハ1
0が周縁のリップ部20に対して堅固に押圧される。次
いで、ウェーハ10がめっき槽14の上方に移動され
る。サポートチャンバー12が加圧されると、ポンプ3
5が起動され、めっき槽14内のめっき液32の流量が
増加し、めっき液32の鉛直方向の高さが上昇して、予
め選択した時間の間、ウェーハの表面11と所望の接触
が行われる。めっき工程の最後に、ポンプ35が停止さ
れ、めっき液レベルが降下させられる。ウェーハサポー
トチャンバー12が、加圧状態のままで回転され、ウェ
ーハ10やサポートチャンバー12の周縁のリップ部2
0から余分なめっき液が取り除かれても良い。
ハ10が、雰囲気圧(ambient pressure)においてサポー
トチャンバー12に配置される。次いで、サポートチャ
ンバー12内に加圧された気体が供給され、ウェーハ1
0が周縁のリップ部20に対して堅固に押圧される。次
いで、ウェーハ10がめっき槽14の上方に移動され
る。サポートチャンバー12が加圧されると、ポンプ3
5が起動され、めっき槽14内のめっき液32の流量が
増加し、めっき液32の鉛直方向の高さが上昇して、予
め選択した時間の間、ウェーハの表面11と所望の接触
が行われる。めっき工程の最後に、ポンプ35が停止さ
れ、めっき液レベルが降下させられる。ウェーハサポー
トチャンバー12が、加圧状態のままで回転され、ウェ
ーハ10やサポートチャンバー12の周縁のリップ部2
0から余分なめっき液が取り除かれても良い。
【図1】めっき液が充填された従来技術のめっき槽の断
面図で、めっき液が静止している状態を示す。
面図で、めっき液が静止している状態を示す。
【図2】めっき液が充填された従来技術のめっき槽の断
面図で、めっき液が層流で流れている状態を示す。
面図で、めっき液が層流で流れている状態を示す。
【図3】従来技術のめっき槽の断面図で、剛体の機械的
部材がめっき槽の上方にめっきされるウェーハを保持し
ている様子を示す。
部材がめっき槽の上方にめっきされるウェーハを保持し
ている様子を示す。
【図4】本発明のサポートチャンバーとめっき槽の断面
図である。
図である。
【図5】図4に示したサポートチャンバーとめっき槽の
一部の拡大詳細断面図である。
一部の拡大詳細断面図である。
【図6】半径300mmのウェーハの半径方向の圧力分
布を示したグラフである。
布を示したグラフである。
【図7】図5に示したサポートチャンバーの一部の拡大
詳細断面図である。
詳細断面図である。
【図8】圧力源とレギュレータを有する本発明のめっき
装置の略示ブロック図である。
装置の略示ブロック図である。
【図9】本発明のサポートチャンバーの他の実施形態の
一部の拡大詳細断面図である。
一部の拡大詳細断面図である。
10…ウェーハ 12…サポートチャンバー 14…めっき槽 16…周囲壁 17…縮小された直径部分 18…開口端 26…内部空間 32…めっき液 35…循環ポンプ
Claims (21)
- 【請求項1】 ウェーハをめっきする装置であって、 a.開口端を備えた周囲壁を有し、前記周囲壁がめっき
槽の上方でウェーハを支持する支持部を形成する、前記
開口端に隣接した縮小された直径の部分を有すると共
に、更に圧力媒体を受容する内部空間を有しているサポ
ートチャンバーと、 b.前記サポートチャンバーを受容するための開口端を
有するめっき槽で、更に前記めっき槽内に供給されため
っき液へ層流を与える手段を有する前記めっき槽と、 を有する装置。 - 【請求項2】 前記圧力媒体が気体である請求項1に記
載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項3】 前記周囲壁が更に、前記めっき槽の上方
でウェーハを支持する、開口端に隣接した内方に延設さ
れている周縁のリップ部を有する請求項1に記載のウェ
ーハをめっきする装置。 - 【請求項4】 前記周縁のリップ部が、めっき液が前記
ウェーハのめっきしないでおく部分と接触することを防
止している請求項3に記載のウェーハをめっきする装
置。 - 【請求項5】 前記周囲壁が内部にテーパを有し、前記
開口端に隣接して前記縮小された直径部分を形成する請
求項1に記載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項6】 前記内部のテーパが、前記めっき槽の上
方に前記ウェーハを支持する周囲棚部(circumferential
ledge) を有している請求項5に記載のウェーハをめっ
きする装置。 - 【請求項7】 前記サポートチャンバーが更に、加圧さ
れた気体の供給源を有している請求項1に記載のウェー
ハをめっきする装置。 - 【請求項8】 前記サポートチャンバー内の前記気体
が、前記ウェーハの縁部の近傍と前記めっき液との接触
部におけるめっき液の圧力より高い圧力で供給される請
求項7に記載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項9】 前記サポートチャンバーが更に、前記サ
ポートチャンバーの気体供給源によって供給される気体
の圧力を監視、調整、調節するレギュレータを有してい
る請求項8に記載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項10】 前記サポートチャンバーが回転可能で
ある請求項1に記載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項11】 前記サポートチャンバーが前記めっき
槽に対して移動可能である請求項1に記載のウェーハを
めっきする装置。 - 【請求項12】 前記めっき槽に供給されためっき液に
層流を与える前記手段が、前記めっき液を予め選択した
レベルに上昇させる請求項1に記載のウェーハをめっき
する装置。 - 【請求項13】 前記めっき槽に供給されためっき液に
層流を与える前記手段がポンプである請求項11に記載
のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項14】 前記サポートチャンバーが更に、前記
ウェーハの縁部に接触する電極を有している請求項1に
記載のウェーハをめっきする装置。 - 【請求項15】 前記サポートチャンバーが更に、前記
ウェーハの縁部に接触する前記リップ部に埋込まれた電
極を有している請求項3に記載のウェーハをめっきする
装置。 - 【請求項16】 ウェーハをめっきする方法で、 a.めっきされるウェーハをサポートチャンバーへ移送
し、 b.前記サポートチャンバーに加圧された気体を供給
し、 c.前記めっきされるウェーハをめっき槽内のめっき液
に接触させ、 d.前記めっき液の前記ウェーハの表面との接触を、予
め選択された時間の間維持し、 e.前記めっきされるウェーハを前記めっき液から分離
する、 ウェーハをめっきする方法。 - 【請求項17】 更に前記サポートチャンバーを回転す
る後工程を含んでいる請求項16に記載のウェーハをめ
っきする方法。 - 【請求項18】 前記サポートチャンバー内の前記気体
が、前記ウェーハの縁部の近傍と前記めっき液との接触
部におけるめっき液の圧力より高い圧力で供給される請
求項16に記載のウェーハをめっきする方法。 - 【請求項19】 前記サポートチャンバーを前記めっき
槽に対して移動して位置決めすることによって、前記め
っきされるウェーハが前記めっき槽内のめっき液と接触
させられる請求項16に記載のウェーハをめっきする方
法。 - 【請求項20】 前記めっき槽内のめっき液の流量を増
加させて、めっき液のレベルを予め選択したレベルに上
昇させ、前記ウェーハのめっきされる表面に接するよう
にすることによって、前記めっきされるウェーハが前記
めっき槽内のめっき液と接触させられる請求項16に記
載のウェーハをめっきする方法。 - 【請求項21】 前記めっき槽内の前記めっき液の流量
を減少させ、前記めっき液のレベルを前記ウェーハの表
面の下方に降下させることによって、前記ウェーハが前
記めっき液から分離される請求項16に記載のウェーハ
をめっきする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25321799A | 1999-02-19 | 1999-02-19 | |
US09/253217 | 1999-02-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000239893A true JP2000239893A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=22959362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11170018A Pending JP2000239893A (ja) | 1999-02-19 | 1999-06-16 | ウェーハをめっきする装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1031647A3 (ja) |
JP (1) | JP2000239893A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322596A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア用電気めっき装置 |
KR101133085B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2012-04-24 | 레나 게엠베하 | 하나 이상의 기판상에 금속층들을 형성하기 위한 공정 반응기의 조립용 키트 및 이를 이용한 방법 |
JP2015001007A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | カヤバ工業株式会社 | 保持装置及びそれを備えた高速めっき装置 |
US10006143B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-06-26 | Kyb Corporation | Power supplying member and high-speed plating machine provided with the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3187011B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2000032835A2 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6136163A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
-
1999
- 1999-05-11 EP EP99303648A patent/EP1031647A3/en not_active Withdrawn
- 1999-06-16 JP JP11170018A patent/JP2000239893A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322596A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア用電気めっき装置 |
KR101133085B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2012-04-24 | 레나 게엠베하 | 하나 이상의 기판상에 금속층들을 형성하기 위한 공정 반응기의 조립용 키트 및 이를 이용한 방법 |
JP2015001007A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | カヤバ工業株式会社 | 保持装置及びそれを備えた高速めっき装置 |
US10006143B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-06-26 | Kyb Corporation | Power supplying member and high-speed plating machine provided with the same |
US10006137B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-06-26 | Kyb Corporation | Holding device and high-speed plating machine provided with the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1031647A2 (en) | 2000-08-30 |
EP1031647A3 (en) | 2002-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8172989B2 (en) | Prevention of substrate edge plating in a fountain plating process | |
US6248222B1 (en) | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces | |
US6585876B2 (en) | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method | |
US4931135A (en) | Etching method and etching apparatus | |
US20060070884A1 (en) | Electrochemical processing apparatus and method | |
US20050230260A1 (en) | Plating apparatus and method | |
KR20080089293A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20020005480A (ko) | 애노드 코팅 장치 및 방법 | |
JP2002540011A (ja) | 基板キャリヤ | |
JP2004536217A (ja) | 金属蒸着のためのエントリーにあたって半導体基板を傾けるための方法と関連する装置 | |
JP7004589B2 (ja) | 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置 | |
JP2008199017A (ja) | チャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置 | |
KR20200078361A (ko) | 기판 홀더의 시일로부터 액체를 제거하기 위한 방법 | |
US20190378697A1 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
JP2000239893A (ja) | ウェーハをめっきする装置及び方法 | |
JP2000124181A (ja) | 基板処理装置 | |
US20210319988A1 (en) | Substrate support stage, plasma processing system, and method of mounting edge ring | |
KR100562005B1 (ko) | 도금 처리 장치 및 도금 처리 방법 | |
KR20050025986A (ko) | 일정한 웨이퍼 침지 각도를 갖는 경사진 전기화학적 도금 셀 | |
JP3272458B2 (ja) | 基板冷却装置及び基板冷却方法 | |
JP2002343764A (ja) | ウェーハ背面をエッチングする装置 | |
KR20160086271A (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법, 및 컴퓨터 기억 매체 | |
KR102466975B1 (ko) | 도금 장치 | |
KR102473906B1 (ko) | 기판지지대 및 그가 설치된 기판처리장치 | |
JP4171368B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |