JP2000235949A - Coating/developing equipment and its method - Google Patents

Coating/developing equipment and its method

Info

Publication number
JP2000235949A
JP2000235949A JP35174199A JP35174199A JP2000235949A JP 2000235949 A JP2000235949 A JP 2000235949A JP 35174199 A JP35174199 A JP 35174199A JP 35174199 A JP35174199 A JP 35174199A JP 2000235949 A JP2000235949 A JP 2000235949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating
processing unit
developing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35174199A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunie Ogata
久仁恵 緒方
Kimimoto Nishimukai
公基 西向
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP35174199A priority Critical patent/JP2000235949A/en
Publication of JP2000235949A publication Critical patent/JP2000235949A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating/developing equipment in which a wafer is prevented from being artificially contaminated at extraction of a substrate from a processing line, and inspecting it. SOLUTION: Coating/developing equipment 1 provided with a development processing unit for subjecting development processing to a wafer W is provided with an inspection device 48 for detecting a defect generated in the wafer W. The carrying of the wafer W between the development processing unit and the inspection device 48 is conducted by a main carrying device 13. The inspection device 48 transmits the inspected result to a controller 49 as a detection signal, and the controller 49 which receives the detection signal controls the exposure conditions of an aligner 4 based on the presence or absence of the defect, or controls inspection frequency by adjusting a frequency adjusting mechanism 50. Since the carrying of the wafer W is conducted between the development processing unit and the inspection device 48 is conducted by the main carrying device 13, the wafer W can be prevented from being contaminated by man-made means.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,基板を検査する検
査装置を備えた塗布現像処理装置及び当該塗布現像処理
装置を用いた塗布現像処理方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating and developing apparatus provided with an inspection device for inspecting a substrate, and a coating and developing method using the coating and developing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては,
例えば半導体ウエハ(以下,「ウエハ」という。)等の
表面にレジスト膜を形成するフォトリソグラフィ工程が
行われている。このフォトリソグラフィ工程は,ウエハ
に対してレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処
理や,レジスト塗布後のウエハを露光する露光処理や,
ウエハを加熱する加熱処理や,露光処理後のウエハを現
像する現像処理等の各種処理工程から成り立っており,
これらの各種処理工程は塗布現像処理装置にて行われて
いる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
For example, a photolithography process for forming a resist film on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) or the like is performed. This photolithography process includes a resist coating process in which a resist solution is applied to the wafer and processing, an exposure process in which the wafer after resist coating is exposed,
It consists of various processing steps such as heating processing for heating the wafer and development processing for developing the wafer after the exposure processing.
These various processing steps are performed in a coating and developing processing apparatus.

【0003】ところで従来より,レジスト塗布処理や現
像処理の終了した後のウエハに対して,例えばレジスト
膜の膜厚やパターンに形成された線幅が所定の厚さ,所
定の線幅に形成されているかどうかを検査するウエハの
検査工程が行われている。そして,かかるウエハ検査工
程は塗布現像処理装置とは独立に設置された検査装置に
て行われている。具体的には,レジスト塗布処理や現像
処理終了後等のウエハの中から,例えば一定時間もしく
は一定枚数毎に作業者がウエハを抜き出し,この抜き出
したウエハを検査装置の所まで持って行き,ウエハの表
面を検査するようにしている。
Conventionally, for example, the thickness of a resist film and the line width formed in a pattern are formed to a predetermined thickness and a predetermined line width on a wafer after completion of a resist coating process and a developing process. A wafer inspection process is performed to check whether or not the wafer has been inspected. The wafer inspection process is performed by an inspection device installed independently of the coating and developing processing device. Specifically, an operator extracts a wafer from the wafer after completion of the resist coating process or the developing process, for example, at regular time intervals or every predetermined number of wafers, takes the extracted wafer to an inspection device, and takes the wafer. Inspect the surface.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらそのよう
に,レジスト塗布装置や現像処理装置等から抜き出した
ウエハを作業者自身が検査装置に持っていって検査して
いるために,検査装置まで持っていく間や装置内への搬
入の際に,ウエハを人為的に汚染してしまうおそれがあ
った。
However, since the operator himself takes the wafer extracted from the resist coating device, the development processing device and the like into the inspection device for inspection, the operator holds the wafer with the inspection device. There is a possibility that the wafers may be artificially contaminated for some time or when the wafers are loaded into the apparatus.

【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり,基板に対する人為的な汚染を防止することのでき
る新規な塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法を提供
することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a novel coating and developing apparatus and a coating and developing method which can prevent artificial contamination of a substrate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に,請求項1によれば,基板に対して塗布現像処理に必
要な処理を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布
現像処理装置であって,特定の処理ユニットにて処理の
終了した基板を検査し,該基板に生じた欠陥の有無を検
出する検査装置と,各処理ユニットに対して基板を搬入
出し,かつ前記特定の処理ユニット及び検査装置の間で
基板を搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする,
塗布現像処理装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, there is provided a coating and developing apparatus including a plurality of processing units for individually performing processing required for coating and developing processing on a substrate. An inspection apparatus for inspecting a substrate which has been processed in a specific processing unit and detecting the presence / absence of a defect in the substrate; loading / unloading the substrate to / from each processing unit; And a transfer device for transferring the substrate between the unit and the inspection device.
A coating and developing apparatus is provided.

【0007】請求項1に記載の塗布現像処理装置にあっ
ては,例えばレジスト塗布装置等の特定の処理ユニット
で処理された基板を搬送装置が検査装置に搬送すること
ができる。従って,処理ユニットから検査装置まで基板
は作業者ではなくこの搬送装置によって搬送されるため
に,基板が人為的に汚染されることはない。
[0007] In the coating and developing apparatus according to the first aspect, the transfer apparatus can transfer the substrate processed by a specific processing unit such as a resist coating apparatus to an inspection apparatus. Therefore, since the substrate is transported from the processing unit to the inspection device by the transport device instead of the operator, the substrate is not artificially contaminated.

【0008】請求項2によれば,基板に対して塗布現像
処理に必要な処理を個別に行う複数の処理ユニットを備
えた塗布現像処理装置であって,特定の処理ユニットに
て処理の終了した基板を検査し,該基板に生じた欠陥の
有無を検出する検査装置と,各処理ユニットに対して基
板を搬入出する搬送装置と,前記特定の処理ユニットに
て処理の終了した基板を前記検査装置に搬送する他の搬
送装置とを備えたことを特徴とする,塗布現像処理装置
が提供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a coating and developing apparatus including a plurality of processing units for individually performing processing necessary for coating and developing processing on a substrate, wherein the processing is completed in a specific processing unit. An inspection device for inspecting a substrate and detecting the presence or absence of a defect in the substrate, a transport device for loading / unloading the substrate to / from each processing unit, and an inspection device for inspecting the substrate which has been processed by the specific processing unit A coating / developing apparatus is provided, which is provided with another transport apparatus for transporting the apparatus to the apparatus.

【0009】請求項2に記載の塗布現像処理装置にあっ
ては,搬送装置とは別の他の搬送装置によって基板を検
査装置に搬送することができる。従って,塗布現像処理
装置の外部に検査装置が設置されている場合でも請求項
1の場合と同様に,処理ユニット及び検査装置の間で基
板を搬送装置で搬送することができ,搬送中に基板が人
為的に汚染されることはない。ここで,他の搬送装置と
は搬送アームは勿論のこと,搬送ロボット等も含む。
In the coating and developing apparatus according to the second aspect, the substrate can be transported to the inspection apparatus by another transporting apparatus other than the transporting apparatus. Therefore, even when the inspection device is installed outside the coating and developing processing device, the substrate can be transported between the processing unit and the inspection device by the transport device as in the case of the first aspect. Is not artificially contaminated. Here, other transfer devices include not only transfer arms but also transfer robots and the like.

【0010】この場合,請求項3に記載したように,前
記検査装置にて欠陥の検出された基板が搬入される基板
収納体を備えればなお好ましい。即ち,請求項3に記載
の塗布現像処理装置にあっては,検査装置にて欠陥の検
出された基板を基板収納体に収納することにより,塗布
現像処理装置の処理ラインから取り除くことができる。
従って,欠陥のある基板に対して塗布現像処理が行われ
ず,しかも欠陥のある基板を所定の場所に集中させるこ
とができる。それゆえ,欠陥の検出された基板に対する
その後の対応が容易となる。
In this case, as described in claim 3, it is more preferable to provide a substrate container into which the substrate in which the defect has been detected by the inspection device is carried. That is, in the coating and developing apparatus according to the third aspect, the substrate in which the defect has been detected by the inspection apparatus is stored in the substrate housing, so that it can be removed from the processing line of the coating and developing apparatus.
Therefore, the coating and developing process is not performed on the defective substrate, and the defective substrate can be concentrated at a predetermined location. Therefore, subsequent handling of the substrate on which the defect has been detected is facilitated.

【0011】請求項4に記載の発明は,請求項1,2ま
たは3に記載の塗布現像処理装置において,前記検査装
置にて欠陥が検出された場合に,塗布処理によって基板
に形成されたレジスト膜を露光する露光装置の露光条件
を制御する制御装置を備えたことを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the coating and developing apparatus according to the first, second, or third aspect, when a defect is detected by the inspection apparatus, a resist formed on the substrate by the coating processing. It is characterized by including a control device for controlling exposure conditions of an exposure device for exposing a film.

【0012】この請求項4に記載の塗布現像処理装置に
あっては,例えば現像処理後の基板上に形成されたパタ
ーンの位置ずれ等の欠陥が検査装置で検出された際に
は,制御装置が露光装置に対して露光条件を修正する信
号を送信することができる。従って,以後この信号に応
じて好適な露光条件下でレジスト膜を露光することが可
能になる。
In the coating and developing apparatus according to the present invention, when a defect such as a positional shift of a pattern formed on the substrate after the developing processing is detected by the inspection apparatus, the control apparatus may be used. Can transmit a signal for correcting the exposure condition to the exposure apparatus. Therefore, it becomes possible to expose the resist film under suitable exposure conditions according to this signal.

【0013】ここで前記露光条件とは,例えば請求項5
に記載したような。焦点距離,露光量又は露光時間のう
ちの少なくとも1つである。
Here, the exposure condition may be, for example,
As described in. It is at least one of a focal length, an exposure amount, or an exposure time.

【0014】以上の各請求項記載の塗布現像処理装置に
おける塗布現像処理が,レジスト液塗布処理を伴う場
合,請求項6のように,検査装置によって欠陥が検出さ
れた基板のレジストを剥離する剥離装置を装備すれば,
検査装置によって欠陥が検出された基板であっても,再
処理に供することができる。
In a case where the coating and developing processing in the coating and developing apparatus described in each of the above claims involves a resist liquid coating processing, the peeling for peeling off the resist of the substrate on which a defect has been detected by the inspection apparatus is provided. If equipped with the device,
Even a substrate for which a defect has been detected by the inspection device can be subjected to reprocessing.

【0015】請求項7に記載の発明は,前記各請求項記
載の塗布現像処理装置において,前記検査装置にて検出
された欠陥の発生頻度に応じて,検査装置による検査の
頻度を調整する頻度調整機構を備えたことを特徴として
いる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the coating and developing apparatus according to the first aspect, the frequency of adjusting the frequency of inspection by the inspection apparatus according to the frequency of occurrence of defects detected by the inspection apparatus. It is characterized by having an adjusting mechanism.

【0016】この請求項7に記載の塗布現像処理装置に
よれば,例えば一定時間毎に塗布現像処理装置の処理ユ
ニットから抜き出した基板を検査装置で検査するような
場合,検査装置にて欠陥の検出される頻度が高い場合に
は,頻度調整機構を調整して検査装置の検査回数をより
多くした状態で,即ち検査頻度を高くして,基板の塗布
現像処理を行うことができる。逆に,検査装置にて欠陥
の検出される頻度が低い場合には,頻度調整機構を調整
して検査装置の検査回数をより少なくして,即ち検査頻
度を低くして,基板に対する塗布現像処理を行うことが
できる。従って,効率のよい検査を行うことができる。
According to the coating and developing apparatus according to the present invention, for example, when the inspection apparatus inspects a substrate extracted from the processing unit of the coating and developing apparatus at regular intervals, the inspection apparatus detects a defect. When the frequency of detection is high, it is possible to perform the coating and developing process on the substrate in a state where the frequency adjustment mechanism is adjusted to increase the number of inspections of the inspection apparatus, that is, the inspection frequency is increased. Conversely, when the frequency of detection of defects by the inspection device is low, the frequency adjustment mechanism is adjusted to reduce the number of inspections of the inspection device, that is, the inspection frequency is reduced, and the coating and developing process on the substrate is It can be performed. Therefore, efficient inspection can be performed.

【0017】請求項8によれば,請求項1〜7のいずれ
かに記載の塗布現像処理装置を使用して基板に塗布現像
処理を施す方法であって,塗布処理によって基板に形成
されたレジスト膜を剥離する剥離装置を用いると共に,
検査装置にて基板の欠陥の有無を検出する工程と,その
後,欠陥が検出された基板のレジスト膜を前記剥離装置
にて剥離する工程と,その後,レジスト膜の剥離された
基板を前記塗布現像処理装置において再処理する工程と
を有することを特徴とする,塗布現像処理方法が提供さ
れる。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method of applying and developing a substrate using the coating and developing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the resist formed on the substrate by the coating process is provided. Using a peeling device to peel off the film,
A step of detecting the presence or absence of a defect in the substrate by an inspection device, a step of removing the resist film of the substrate on which the defect has been detected by the peeling device, and a step of applying and developing the substrate from which the resist film has been removed. And a reprocessing step in a processing apparatus.

【0018】この請求項8に記載の塗布現像処理方法に
よれば,検査装置にて欠陥の検出された基板は剥離装置
にてレジスト膜が剥離される。次いで,レジスト膜の剥
離された基板を塗布現像処理装置で再処理することによ
り,検査装置にて欠陥の検出された基板を再利用するこ
とができる。
According to the coating and developing method of the present invention, the resist film is peeled off by the peeling device on the substrate on which the defect is detected by the inspection device. Next, the substrate from which the resist film has been removed is reprocessed by a coating and developing apparatus, whereby the substrate on which a defect is detected by the inspection apparatus can be reused.

【0019】請求項9によれば,基板上にレジスト液を
塗布し,露光装置によって露光された基板上のレジスト
を現像する塗布現像処理装置において,下記の処理部と
収容部とを有していることを特徴とする,塗布現像処理
装置が提供される。ここで処理部とは,基板上にレジス
ト液を塗布するための塗布処理ユニットと,露光装置に
よって露光された基板上のレジストを現像するための現
像処理ユニットと,基板に生じた欠陥の有無を検出する
検査装置と,前記塗布処理ユニット,前記現像処理ユニ
ット及び前記検査装置に対して基板を搬送可能な第1の
搬送装置とを有している。また収容部とは,前記処理部
に隣接して配置され,前記処理部において処理される
前,処理された後の基板,及び前記検査装置によって欠
陥が検出された基板を各々個別に収納する収納体が配置
される収納部と,前記処理部と前記収納部との間で基板
を搬送可能な第2の搬送装置とを備えているものであ
る。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a coating and developing apparatus for applying a resist solution onto a substrate and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, comprising: A coating and developing treatment apparatus is provided. Here, the processing unit includes a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a development processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, and a presence / absence of a defect on the substrate. An inspection device for detecting, and a first transport device capable of transporting a substrate to the coating processing unit, the development processing unit, and the inspection device are provided. The storage unit is a storage unit that is disposed adjacent to the processing unit and individually stores a substrate before and after processing in the processing unit and a substrate in which a defect is detected by the inspection device. A storage unit in which a body is disposed; and a second transfer device capable of transferring a substrate between the processing unit and the storage unit.

【0020】この塗布現像処理装置では,収容部に未処
理基板,既処理基板を各々個別に収納する例えばカセッ
ト,キャリアなどと称される収納体とともに,欠陥の検
出された基板を収納する収納体が収納部に配置されるの
で,欠陥の検出された基板を格別専用のスペースに集め
る必要はない。しかも第2の理搬送装置によって前記欠
陥基板を所定の収納体に搬入することができる。
In this coating and developing apparatus, for example, an unprocessed substrate and an unprocessed substrate are individually stored in a storage unit, for example, a storage unit called a cassette or a carrier, and a storage unit for storing a substrate in which a defect is detected. Is disposed in the storage section, so that it is not necessary to collect the board in which the defect is detected in a specially-specified space. In addition, the defective substrate can be carried into a predetermined storage body by the second physical transport device.

【0021】請求項10によれば,基板上にレジスト液
を塗布し,露光装置によって露光された基板上のレジス
トを現像する塗布現像処理装置において,下記の処理部
と収容部とを有していることを特徴とする,塗布現像処
理装置が提供される。すなわち,処理部は,基板上にレ
ジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと,露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像するため
の現像処理ユニットと,前記塗布処理ユニット及び前記
現像処理ユニットに対して基板を搬送可能な第1の搬送
装置とを有している。また収容部は,前記処理部に隣接
して配置され,基板に生じた欠陥の有無を検出する検査
装置と,前記処理部において処理される前,処理された
後の基板,及び前記検査装置によって欠陥が検出された
基板を各々個別に収納する収納体が配置される収納部
と,前記処理部と前記収納部との間で基板を搬送可能な
第2の搬送装置とを備えている。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a coating and developing apparatus for applying a resist solution on a substrate and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, comprising: A coating and developing treatment apparatus is provided. That is, the processing unit includes a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a developing processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, the coating processing unit and the developing processing unit. And a first transfer device capable of transferring a substrate to the first transfer device. The accommodation unit is disposed adjacent to the processing unit, and includes an inspection device that detects presence / absence of a defect occurring in the substrate, a substrate before and after processing in the processing unit, and the inspection device. The storage unit includes a storage unit in which storage units for individually storing the substrates in which the defects are detected are arranged, and a second transfer device that can transfer the substrate between the processing unit and the storage unit.

【0022】この請求項10の塗布現像処理装置では,
検査装置を収容部側に配置している。そのため,さらに
欠陥検出時点からこの欠陥基板を迅速に所定の収納体に
第2の搬送装置によって搬送して集中させることが可能
である。
In the coating and developing apparatus according to the tenth aspect,
The inspection device is arranged on the housing part side. Therefore, it is possible to quickly transport the defective substrate to a predetermined storage body by the second transport device and concentrate the defective substrate from the point of detecting the defect.

【0023】請求項11によれば,基板上にレジスト液
を塗布し,露光装置によって露光された基板上のレジス
トを現像する塗布現像処理装置において,下記の処理部
と収容部とを有していることを特徴とする,塗布現像処
理装置が提供される。すなわち,処理部は,基板上にレ
ジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと,露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像するため
の現像処理ユニットと,少なくとも基板を加熱処理する
ための加熱処理ユニット及び基板に生じた欠陥の有無を
検出する検査装置が多段に配置された多段処理ユニット
群と,前記塗布処理ユニット,前記現像処理ユニット及
び前記多段処理ユニット群の間で基板を搬送可能な第1
の搬送装置とを備えており,また収容部は,前記処理部
に隣接して配置され,前記処理部において処理される
前,処理された後の基板,及び前記検査装置によって欠
陥が検出された基板を各々個別に収納する収納体が配置
される収納部と,前記処理部と前記収納部との間で基板
を搬送可能な第2の搬送装置とを備えている。
According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a coating and developing apparatus for applying a resist solution onto a substrate and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, comprising: A coating and developing treatment apparatus is provided. That is, the processing unit includes a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a developing processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, and a heating unit for heating at least the substrate. A processing unit and a multi-stage processing unit group in which inspection devices for detecting the presence or absence of a defect generated in the substrate are arranged in multiple stages, and a substrate can be transported between the coating processing unit, the development processing unit, and the multi-stage processing unit group. First
The storage unit is disposed adjacent to the processing unit, and before and after processing in the processing unit, the substrate is processed, and a defect is detected by the inspection device. A storage section in which storage bodies for individually storing the substrates are arranged, and a second transfer device capable of transferring the substrate between the processing section and the storage section are provided.

【0024】この請求項11の塗布現像処理装置では,
処理部において,基板を加熱処理するための加熱処理ユ
ニットと多段になった多段処理ユニット群に,検査装置
が組み込まれており,床専有面積の節約が図られる。
In the coating and developing apparatus according to the eleventh aspect,
In the processing section, an inspection device is incorporated in a multi-stage processing unit group having a multi-stage heating processing unit and a heating processing unit for performing a heat treatment of a substrate, thereby saving floor occupation area.

【0025】この場合,請求項12のように,前記検査
装置と前記第2の搬送装置との間で基板の受け渡しが可
能に構成されていればなお好ましい。
In this case, it is more preferable that the substrate can be transferred between the inspection device and the second transfer device.

【0026】請求項13によれば,基板上に形成された
レジストを露光する露光装置と隣接して配置され,基板
上にレジスト液を塗布し,露光装置によって露光された
基板上のレジストを現像する塗布現像処理装置におい
て,下記の処理部とインターフェース部とを有している
ことを特徴とする,塗布現像処理装置が提供される。す
なわち,処理部は,基板上にレジスト液を塗布するため
の塗布処理ユニットと,前記露光装置によって露光され
た基板上のレジストを現像するための現像処理ユニット
と,基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットと,
前記塗布処理ユニット,前記現像処理ユニット及び前記
受け渡しユニットとに対して基板を搬送可能な第1の搬
送装置とを有しており,またインターフェース部は,前
記処理部と前記露光装置との間に配置され,前記露光装
置に対して搬入出する基板を一旦収納する収納部と,基
板に生じた欠陥の有無を検出する検査装置と,前記露光
装置,前記処理部の受け渡しユニット,前記収納部及び
前記検査装置との間で基板を搬送可能な第2の搬送装置
とを備えている。
According to the thirteenth aspect, the apparatus is disposed adjacent to an exposure apparatus for exposing a resist formed on a substrate, applies a resist liquid on the substrate, and develops the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus. A coating / developing apparatus having the following processing unit and interface unit is provided. That is, the processing unit includes a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a developing processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, and a delivery unit for delivering the substrate. Unit and
A first transfer device that can transfer the substrate to the coating processing unit, the development processing unit, and the transfer unit; and an interface unit is provided between the processing unit and the exposure device. A storage section for temporarily storing a substrate to be carried in and out of the exposure apparatus, an inspection apparatus for detecting the presence or absence of a defect in the substrate, a delivery unit of the exposure apparatus, the processing section, the storage section, A second transport device capable of transporting the substrate to and from the inspection device.

【0027】かかる構成の塗布現像処理装置によれば,
処理部と露光装置との間に配置されるインターフェース
部に検査装置が配置されているので,例えば露光後の基
板の欠陥検査を迅速に実施することが可能になってい
る。
According to the coating and developing apparatus having such a configuration,
Since the inspection device is disposed in the interface portion disposed between the processing unit and the exposure device, it is possible to quickly perform, for example, a defect inspection of the substrate after exposure.

【0028】この場合,請求項14のように,前記処理
部の雰囲気の温度を調節する第1の温度調節装置と,前
記インターフェース部の雰囲気の温度を調節する第2の
温度調節装置とを具備すれば,各々の環境に適した温度
調節を実施することができ,全体として塗布現像処理の
信頼性が向上する。ことにレジストは温度変化に敏感で
あるから,このように各々の温度調節装置があると,歩
留まりの向上が期待できる。
In this case, a first temperature control device for controlling the temperature of the atmosphere of the processing section and a second temperature control device for controlling the temperature of the atmosphere of the interface section are provided. Then, temperature adjustment suitable for each environment can be performed, and the reliability of the coating and developing process can be improved as a whole. In particular, since the resist is sensitive to a change in temperature, the improvement of the yield can be expected if each temperature control device is provided as described above.

【0029】請求項15の塗布現像処理装置では,基板
上に形成されたレジストを露光する露光装置と隣接して
配置され,基板上にレジスト液を塗布し,露光装置によ
って露光された基板上のレジストを現像する塗布現像処
理装置において,まず下記の処理部,収容部,インター
フェース部,及び基板に生じた欠陥の有無を検出する検
査装置とを有している。また(a)処理部は,基板上に
レジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと,前記
露光装置によって露光された基板上のレジストを現像す
るための現像処理ユニットと,基板の受け渡しを行うた
めの受け渡しユニットと,前記塗布処理ユニット,前記
現像処理ユニット及び前記受け渡しユニットとに対して
基板を搬送可能な第1の搬送装置と,前記検査装置によ
って欠陥が検出された基板のレジストを剥離する剥離装
置とを有している。そして(b)収容部は,前記処理部
に隣接して配置され,前記処理部において処理される
前,及び処理された後の基板を各々個別に収納する収納
体が配置される収納部と,前記処理部と前記収納部との
間で基板を搬送可能な第2の搬送装置とを備えている。
さらに(c)インターフェース部は,前記処理部と前記
露光装置との間に配置され,前記露光装置に対して搬入
出する基板を一旦収納する収納部と,前記露光装置,前
記処理部の受け渡しユニット及び前記収納部との間で基
板を搬送可能な第3の搬送装置とを備え,前記検査装置
によって欠陥が検出された基板を前記第3の搬送装置に
よって搬入可能で,かつ当該欠陥が検出された基板を収
納する欠陥基板収納部を有している。さらにこの塗布現
像処理装置は,前記欠陥基板収納部から前記剥離装置へ
基板を搬送する搬送手段とを有している。
According to a fifteenth aspect of the present invention, the coating and developing apparatus is disposed adjacent to an exposure apparatus for exposing a resist formed on the substrate, applies a resist solution on the substrate, and exposes the substrate on the substrate exposed by the exposure apparatus. The coating / developing apparatus for developing a resist includes a processing section, a housing section, an interface section, and an inspection apparatus for detecting presence / absence of a defect generated in a substrate. And (a) a processing unit for applying a resist solution onto the substrate, a developing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, and a processing unit for transferring the substrate. And a first transfer device capable of transferring the substrate to the coating processing unit, the developing processing unit, and the transfer unit; and a peeling-off method for peeling a resist of the substrate in which a defect is detected by the inspection device. Device. And (b) a storage unit disposed adjacent to the processing unit, and a storage unit configured to individually store substrates before and after processing in the processing unit, and A second transfer device capable of transferring the substrate between the processing unit and the storage unit.
Further, (c) an interface section is disposed between the processing section and the exposure apparatus, and a storage section for temporarily storing a substrate to be carried in and out of the exposure apparatus, and a transfer unit for the exposure apparatus and the processing section. And a third transport device capable of transporting the substrate to and from the storage unit, wherein the substrate in which the defect is detected by the inspection device can be loaded by the third transport device, and the defect is detected. A defective substrate storage unit for storing a defective substrate. Further, the coating and developing apparatus has a transfer means for transferring the substrate from the defective substrate storage section to the peeling device.

【0030】この請求項15の塗布現像処理装置によれ
ば,検査装置によって欠陥が検出された欠陥基板は,一
旦第3の搬送装置によって欠陥基板収納部に集められ,
その後適当な時期に搬送手段によって処理部の剥離装置
に搬送される。したがって,前記した各塗布現像処理装
置と同様,人為的な汚染が回避される。また検査装置の
配置は,任意であるから,設計の自由度も高い。
According to the coating and developing apparatus of the present invention, the defective substrates for which defects have been detected by the inspection device are once collected in the defective substrate storage section by the third transfer device.
Thereafter, at an appropriate time, the sheet is conveyed to the peeling device of the processing section by the conveying means. Therefore, as in the case of each of the above-described coating and developing apparatuses, artificial contamination is avoided. Further, since the arrangement of the inspection device is arbitrary, the degree of freedom in design is high.

【0031】搬送手段としては,請求項16に記載した
ように,前記欠陥基板収納部から前記剥離装置へ基板を
搬送する搬送ロボットであってもよく,この場合,欠陥
基板収納部に所定の数が集まった段階で搬送するように
すれば,効率的である。さらにまた剥離装置自体は,請
求項17のように,バッチ式の薬液洗浄処理装置とすれ
ば,前記所定の数毎にまとめて剥離処理することで,効
率のよい剥離処理を実施することが可能である。
The transfer means may be a transfer robot for transferring a substrate from the defective substrate storage section to the peeling device. In this case, a predetermined number of transfer robots may be stored in the defective substrate storage section. It is more efficient to transport at the stage where the pieces are gathered. Furthermore, if the stripping device itself is a batch type chemical solution cleaning device as described in claim 17, the stripping process can be performed efficiently by performing the stripping process at the predetermined number at a time. It is.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態につい
て説明する。図1〜3は本実施の形態にかかる塗布現像
処理装置の外観を示しており,図1は平面図,図2は正
面図,図3は背面図である。
Embodiments of the present invention will be described below. 1 to 3 show the appearance of a coating and developing apparatus according to the present embodiment. FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a front view, and FIG. 3 is a rear view.

【0033】塗布現像処理装置1は図1に示すように,
例えば25枚のウエハWをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置1に対して搬入出したり,カセットCに対
してウエハWを搬入出したりするための収容部として機
能させることができるカセットステーション2と,塗布
現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理
ユニットを多段配置してなる処理部としての処理ステー
ション3と,この処理ステーション3に隣接して設けら
れる露光装置4との間でウエハWの受け渡しをするため
のインターフェイス部5とを一体に接続した構成を有し
ている。
As shown in FIG.
For example, a cassette station 2 capable of functioning as an accommodating portion for carrying in / out 25 wafers W into / from the coating / developing apparatus 1 in cassette units and carrying in / out wafers W into / from the cassette C. A processing station 3 as a processing section in which various processing units for performing a predetermined processing in a single-wafer manner in a coating and developing process are arranged in multiple stages, and an exposure apparatus 4 provided adjacent to the processing station 3. It has a configuration in which an interface unit 5 for transferring wafers W between them is integrally connected.

【0034】カセットステーション2では,カセット載
置台6上の位置決め突起7の位置に例えば4個のカセッ
トCがウエハWの出入口を処理ステーション3側に向け
てX方向(図1中の上下方向)一列に載置自在である。
本実施の形態にあっては,収納部としてのカセット載置
台6上に,未処理のウエハWを収納したカセットCと,
後述する検査装置48にて欠陥の検出されたウエハWを
収納するカセットCDとがそれぞれ載置されるようにな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)及
びカセットCに収容されたウエハWのウエハ配列方向
(Z方向;垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体8が搬
送路9に沿って移動自在であり,カセットCやカセット
CDに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
In the cassette station 2, for example, four cassettes C are arranged in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 1) at the position of the positioning projection 7 on the cassette mounting table 6 with the entrance of the wafer W facing the processing station 3. It can be freely mounted on.
In the present embodiment, a cassette C containing unprocessed wafers W is placed on a cassette mounting table 6 serving as a storage unit.
A cassette CD for accommodating a wafer W in which a defect has been detected by an inspection device 48 to be described later is placed. A wafer carrier 8 movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C is movable along the transfer path 9. The cassette C and the cassette CD can be selectively accessed.

【0035】ウエハ搬送体8はθ方向(Z軸を中心とす
る回転方向)にも回転自在に構成されており,後述する
ように処理ステーション3側の第3の処理装置群G
多段ユニット部に属するアライメント装置32及びエク
ステンション装置33に対してもアクセスできるように
構成されている。
The wafer transfer body 8 is configured to freely be rotated in the (rotation direction around the Z axis) theta direction, in the processing station 3 side as described below the third processing unit group G 3 of the multi-tiered units It is configured to be able to access the alignment device 32 and the extension device 33 belonging to the section.

【0036】処理ステーション3では,ウエハWを保持
するピンセット10,11,12を上中下3本備えた主
搬送装置13が中心部に配置されており,主搬送装置1
3の周囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理
装置群を構成している。塗布現像処理装置1において
は,4つの処理装置群G,G,G,Gが配置可
能であり,第1及び第2の処理装置群G,Gは塗布
現像処理装置1の正面側に配置されており,第3の処理
装置群Gはカセットステーション2に隣接して配置さ
れており,第4の処理装置群Gはインターフェイス部
5に隣接して配置されている。この主搬送装置13は,
前記各処理装置群処理装置群G,G,G,G
搭載されている各種処理ユニットに対してウエハWを搬
送することが可能である。
In the processing station 3, a main carrier 13 having three sets of tweezers 10, 11, and 12 for holding a wafer W is disposed at the center.
Various processing units are arranged in multiple stages around 3 to constitute a processing apparatus group. In the coating and developing treatment apparatus 1, four processing unit groups G 1, G 2, G 3, G 4 are possible arrangement, the first and second processing unit groups G 1, G 2 is the coating and developing treatment apparatus 1 , The third processing unit group G 3 is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface unit 5. . This main carrier 13 is
It is possible to transfer the wafer W to various processing units mounted in the processing device groups G 1 , G 2 , G 3 , G 4 .

【0037】第1の処理装置群Gでは図2に示すよう
に,2種類のスピンナ型処理ユニット,例えばウエハW
に対してレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット
15と,ウエハWに対して現像液を供給する現像処理ユ
ニット16が下から順に2段に配置されている。第2の
処理装置群Gでは,ウエハWに形成されたレジスト膜
を剥離するレジスト膜剥離ユニット17と,現像処理ユ
ニット18とが下から順に2段に積み重ねられている。
[0037] In the first processing unit group G 1 as shown in FIG. 2, two spinner-type processing units, for example the wafer W
And a developing unit 16 for supplying a developing solution to the wafer W are arranged in two stages from the bottom. In the second processing unit group G 2, and the resist film peeling unit 17 for peeling the resist film formed on the wafer W, a developing unit 18 are two-tiered from the bottom in order.

【0038】第3の処理装置群Gでは図3に示すよう
に,ウエハWを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット,例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット30,レジストとウエハWとの定着性を高める
ためのアドヒージョンユニット31,ウエハWの位置合
わせを行うアライメントユニット32,ウエハWを待機
させるエクステンションユニット33,露光処理前の加
熱処理を行うプリベーキングユニット34,35及び現
像処理後の加熱処理を施すポストベーキングユニット3
6,37等が下から順に例えば8段に重ねられている。
As shown in the third processing unit group G 3 in FIG. 3, the cooling unit 30 carries out the oven-type processing units, for example, a cooling process by placing the mounting table of the wafer W is subjected to predetermined processing, the resist and the wafer An adhesion unit 31 for improving the fixability with W, an alignment unit 32 for positioning the wafer W, an extension unit 33 for holding the wafer W on standby, pre-baking units 34 and 35 for performing a heating process before the exposure process, and Post baking unit 3 that performs heat treatment after development
6, 37, etc. are stacked in, for example, eight stages from the bottom.

【0039】第4の処理装置群Gでは,例えばクーリ
ングユニット40,載置したウエハWを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット41,エクステ
ンションユニット42,クーリングユニット43,露光
処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキ
ングユニット44,45,ポストベーキングユニット4
6,47等が下から順に例えば8段に積み重ねられてい
る。
[0039] In the fourth processing unit group G 4, post carried out, for example, cooling unit 40, an extension and cooling unit 41 causes the wafer W to cool was placed, an extension unit 42, cooling unit 43, the heat treatment after the exposure processing Exposure baking units 44 and 45, post baking unit 4
6, 47 and the like are stacked in, for example, eight stages from the bottom.

【0040】処理ステーション3の背面側には,ウエハ
Wを枚葉式に検査する検査装置48が備えられている。
検査装置48は現像処理後のウエハWの中から,例えば
一定枚数おきに抜き出されたウエハWに生じた欠陥の有
無を検出するように構成されており,具体的には以下の
検査が行われている。
On the back side of the processing station 3, an inspection device 48 for inspecting the wafer W in a single wafer manner is provided.
The inspection device 48 is configured to detect, for example, the presence or absence of a defect that has occurred in the wafers W extracted at regular intervals from the wafers W after the development processing. Have been done.

【0041】即ち,露光装置4にて生じるパターンの位
置ずれを検出するデフォーカス検査,レジスト液の塗布
ムラを検出する塗布ムラ検出検査,現像処理の不良を検
出する現像不良検出検査,ウエハWの表面に生じる微小
な傷を検出するスクラッチ検出検査,ウエハWに付着し
たパーティクルを検出するパーティクル検出検査,レジ
スト塗布後のウエハWの表面にレジスト液中の気泡や異
物によって発生するコメットを検出するコメット検出検
査,ウエハWの表面から飛び出したレジスト液の溶剤が
ウエハWに再付着するスプラッシュバックを検出するス
プラッシュバック検出検査,ウエハW表面の同一場所に
同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出検
査,現像処理後のウエハWに残るレジスト残渣を検出す
るスカム検出検査,フォトリソグラフィ工程の前行程で
ウエハエッジを保持(クランプ)することによって,ウ
エハエッジに残る傷跡を検出するクランプリング検査,
レジスト塗布処理及び現像処理がされていないことを検
出するNO RESIST,NO DEVELOP検
査,ウエハW上に形成されたレジスト膜の線幅を測定す
る線幅測定検査の計12種類の検査が1台の検査装置4
8にて行われるようになっている。
That is, a defocus inspection for detecting a positional shift of the pattern caused by the exposure device 4, an application unevenness detection inspection for detecting application unevenness of the resist solution, a development defect detection inspection for detecting a failure in the development processing, and a wafer W inspection. Scratch detection inspection to detect minute scratches on the surface, particle detection inspection to detect particles attached to wafer W, comet to detect comet generated by bubbles or foreign matter in resist liquid on the surface of wafer W after resist application Detection inspection, splashback detection inspection for detecting a splashback in which the solvent of the resist solution leached from the surface of the wafer W adheres to the wafer W, common defect for detecting a common defect appearing in the same shape and in the same place on the surface of the wafer W Scum detection inspection to detect resist residue remaining on wafer W after development processing By holding (clamping) the wafer edge before stroke photolithography process, clamp ring test to detect the scar remaining in the wafer edge,
A total of 12 types of inspections, namely, NO RESIST, NO DEVELOP inspection for detecting that resist coating processing and development processing are not performed, and line width measurement inspection for measuring the line width of a resist film formed on the wafer W are included in one unit. Inspection device 4
8 is performed.

【0042】また,上述した計12種類の検査以外に露
光装置4にて露光されたウエハWとフォトマスクとの重
ね合わせ精度を規格値と比較して検査する場合には,重
ね合わせ検査が,例えば図4に示したように,検査装置
48とは別個に備えられた専用の検査装置48’にて行
われるようになっている。また,これら一連の検査はマ
クロ検査とミクロ検査とに分かれており,マクロ検査で
は例えば20μm以上の欠陥が,ミクロ検査では例えば
0.1μm以上の欠陥が検出できるようになっている。
In addition to the above-described 12 kinds of inspections, when the overlay accuracy between the wafer W exposed by the exposure apparatus 4 and the photomask is compared with a standard value and inspected, the overlay inspection is performed by For example, as shown in FIG. 4, the inspection is performed by a dedicated inspection device 48 'separately provided from the inspection device 48. Further, these series of inspections are divided into a macro inspection and a micro inspection. The macro inspection can detect a defect of, for example, 20 μm or more, and the micro inspection can detect a defect of, for example, 0.1 μm or more.

【0043】検査装置48,48’にて検出される欠陥
の有無は検出信号として制御装置49に送信されるよう
になっている。ここで一連の検査の内で,デフォーカス
検査は例えば予め登録された正しいパターンとの比較に
よって露光装置4における焦点ぼけを検出するものであ
る。線幅測定検査とは,例えば予め登録された正しいパ
ターンとの比較によって露光装置4における露光量や露
光時間が適正かどうかを検出するものである。重ね合わ
せ検査は,例えば下層のパターンと比較できるようにさ
れた特定の部位のパターンを,予め登録された正しいパ
ターンと比較することによって露光装置4における露光
位置の位置ずれを検出するものである。
The presence or absence of a defect detected by the inspection devices 48, 48 'is transmitted to the control device 49 as a detection signal. Here, of the series of inspections, the defocus inspection is to detect a defocus in the exposure device 4 by comparing with a correct pattern registered in advance, for example. The line width measurement inspection is to detect whether the exposure amount and the exposure time in the exposure device 4 are appropriate, for example, by comparing with a registered correct pattern. In the overlay inspection, for example, a positional deviation of an exposure position in the exposure device 4 is detected by comparing a pattern of a specific portion, which can be compared with a pattern of a lower layer, with a correct pattern registered in advance.

【0044】そして,上述した一連の検査の内でデフォ
ーカス検査,重ね合わせ検査,線幅測定検査によって欠
陥が検出された場合には,露光装置4の露光条件が好適
に変更されるようになっている。特に,デフォーカス検
査によってパターンの位置ずれが検出された場合には,
露光装置4にて行われるフォーカス合わせが好適に調整
されるようになっている。
When a defect is detected by the defocus inspection, the overlay inspection, and the line width measurement inspection in the series of inspections described above, the exposure condition of the exposure device 4 is suitably changed. ing. In particular, when a pattern displacement is detected by the defocus inspection,
The focusing performed by the exposure device 4 is suitably adjusted.

【0045】インターフェイス部5の正面側には,例え
ば定置型のバッファカセットBR及び可般性のピックア
ップカセットCRが下から順に2段に配置されており,
インターフェイス部5の背面側には周辺露光装置51が
配設されている。そしてインターフェイス部5の中央部
には,上記両カセットBR,CRと周辺露光装置51と
に挟まれて配置するウエハ搬送体52が備えられてい
る。ウエハ搬送体52はX方向(図1中の上下方向),
Z方向(垂直方向)の移動と,θ方向(Z軸を中心とす
る回転方向)の回転とが夫々自在に形成されており,両
カセットBR,CR,露光装置4,周辺露光装置51,
エクステンション・クーリングユニット41,そしてエ
クステンションユニット42にアクセスできるようにな
っている。
On the front side of the interface section 5, for example, a stationary buffer cassette BR and a general pickup cassette CR are arranged in two stages from the bottom, in order from the bottom.
A peripheral exposure device 51 is provided on the back side of the interface unit 5. At the center of the interface unit 5, a wafer carrier 52 is provided which is sandwiched between the cassettes BR and CR and the peripheral exposure device 51. The wafer transfer body 52 is moved in the X direction (vertical direction in FIG.
The movement in the Z direction (vertical direction) and the rotation in the θ direction (rotation direction about the Z axis) are freely formed, and both cassettes BR, CR, exposure device 4, peripheral exposure device 51,
The extension cooling unit 41 and the extension unit 42 can be accessed.

【0046】塗布現像処理装置1は以上のように構成さ
れている。次に塗布現像処理装置1の動作について図5
に基づいて説明すると,先ずカセットステーション2に
おいてウエハ搬送体8がカセット載置台6に載置された
カセットCから未処理のウエハWを1枚抜き出す(ステ
ップS501)。そして抜き出されたウエハWは,ウエ
ハ搬送体8によって,処理ステーション3側の第3の処
理装置群Gに属するアライメントユニット32に搬送
される。位置合わせを終了したウエハWは,アドヒージ
ョンユニット31,クーリングユニット30に順次搬送
されて所定の処理が施された後,レジスト塗布処理ユニ
ット15に搬送されて,所定のレジスト塗布処理が施さ
れる(ステップS502)。
The coating and developing apparatus 1 is configured as described above. Next, the operation of the coating and developing treatment apparatus 1 will be described with reference to FIG.
First, in the cassette station 2, the wafer carrier 8 extracts one unprocessed wafer W from the cassette C mounted on the cassette mounting table 6 (step S501). The wafer W withdrawn is by the wafer transfer body 8 is conveyed to the alignment unit 32 included in the third processing unit group G 3 in the processing station 3 side. The wafer W for which alignment has been completed is sequentially transferred to the adhesion unit 31 and the cooling unit 30 and subjected to a predetermined process, and then transferred to the resist coating unit 15 to be subjected to a predetermined resist coating process. (Step S502).

【0047】レジスト塗布処理の終了したウエハWは,
プリベーキングユニット33,エクステンション・クー
リングユニット41,周辺露光装置51に順次搬送され
て所定の処理が施された後,露光装置4にて露光処理さ
れる(ステップS503)。露光処理後のウエハWは,
エクステンションユニット42,ポストエクスポージャ
ーベーキングユニット44に順次搬送され,これらの各
ユニットにて所定の処理が施される。次いで,ウエハW
は現像処理ユニット16にて現像処理された後(ステッ
プS504),ポストベーキングユニット46,クーリ
ングユニット30,エクステンションユニット33に順
次搬送されて,所定の処理が施された後(ステップS5
05),ウエハ搬送体8によってエクステンションユニ
ット33から取り出され,処理後のウエハWを収納する
カセットCに収納される(ステップS506)。こうし
て,ウエハWに対する一連の塗布現像処理が終了する。
The wafer W after the resist coating process is completed
After being sequentially transported to the pre-baking unit 33, the extension cooling unit 41, and the peripheral exposure device 51 and subjected to a predetermined process, the exposure process is performed by the exposure device 4 (step S503). The wafer W after the exposure processing is
It is sequentially conveyed to the extension unit 42 and the post-exposure baking unit 44, and each of these units performs predetermined processing. Next, the wafer W
Are subjected to development processing by the development processing unit 16 (step S504), and are sequentially conveyed to the post-baking unit 46, the cooling unit 30, and the extension unit 33 to be subjected to predetermined processing (step S5).
05), the wafer W is taken out of the extension unit 33 by the wafer carrier 8 and stored in the cassette C for storing the processed wafer W (step S506). Thus, a series of coating and developing processes on the wafer W is completed.

【0048】そして塗布現像処理装置1では,現像処理
ユニット16にて現像処理の終了したウエハWが,例え
ば一定の処理枚数毎に主搬送装置13によって1枚ずつ
抜き出され(ステップS507),この抜き出されたウ
エハWが検査装置48に搬送されて検査がなされる(ス
テップS508)。
In the coating / developing apparatus 1, the wafers W which have been subjected to the development processing in the development processing unit 16 are extracted one by one by the main transfer unit 13 for every predetermined number of processed sheets (step S507). The extracted wafer W is transferred to the inspection device 48 and inspected (Step S508).

【0049】即ち,現像処理ユニット16から抜き出し
た検査用のウエハWは主搬送装置13によって検査装置
48に搬送され,検査装置48において上述した一連の
検査が行われる。そして,検査用のウエハWにおける欠
陥の有無が検出信号として制御装置49に送信される。
That is, the inspection wafer W extracted from the development processing unit 16 is transferred to the inspection device 48 by the main transfer device 13, and the inspection device 48 performs the above-described series of inspections. Then, the presence or absence of a defect on the inspection wafer W is transmitted to the control device 49 as a detection signal.

【0050】ここで,検査用のウエハWに欠陥が検出さ
れない場合には(ステップS509),この検査用のウ
エハWに対して引き続き所定の処理が施される(ステッ
プS505)。即ち,検査用のウエハWは検査装置48
から主搬送装置13のピンセット11によって取り出さ
れ,次の処理工程を行うポストベーキングユニット36
に搬送される。
If no defect is detected on the inspection wafer W (step S509), a predetermined process is continuously performed on the inspection wafer W (step S505). That is, the inspection wafer W is supplied to the inspection device 48.
Post-baking unit 36 which is taken out of the main transfer device 13 by the tweezers 11 and performs the next processing step
Transported to

【0051】一方,検査用のウエハWに欠陥が検出され
た場合には(ステップS509),このウエハWは検査
装置48から主搬送装置13のピンセット11によって
取り出された後,第2の処理装置群Gに属するレジス
ト膜剥離ユニット17に搬送される。そして,このレジ
スト膜剥離ユニット17にて欠陥を有するレジスト膜が
剥離される(ステップS510)。このレジスト膜を剥
離されたウエハWは,主搬送装置13のピンセット11
によって取り出され,エクステンションユニット33に
搬送されてその場で待機する。次いで,ウエハWはウエ
ハ搬送体8によって取り出された後,欠陥の検出された
ウエハWを収納する専用のカセットCDに収納される
(ステップS511)。
On the other hand, if a defect is detected in the inspection wafer W (step S509), the wafer W is taken out of the inspection device 48 by the tweezers 11 of the main transfer device 13, and then is removed from the second processing device. It is transported to the resist film peeling unit 17 belonging to the group G 2. Then, the resist film having a defect is removed by the resist film removing unit 17 (step S510). The wafer W from which the resist film has been stripped is placed on the tweezers 11 of the main carrier 13.
And is transported to the extension unit 33 and waits there. Next, the wafer W is taken out by the wafer carrier 8, and then stored in a cassette CD dedicated to storing the wafer W in which a defect is detected (step S511).

【0052】こうして,検査装置48にて欠陥の検出さ
れたウエハWがカセットCDに収納されるために,欠陥
を有するウエハWには現像処理以降の塗布現像処理が行
われず,結果的に欠陥の検出されたウエハWは塗布現像
処理装置1の処理ラインから取り除かれる。そして,例
えば25枚のウエハWがカセットCDに収納されると,
このカセットCDに収納されたウエハWに対して上述し
た一連の塗布現像処理が当初から施される(ステップS
501)。即ち再処理される。
In this manner, since the wafer W having the defect detected by the inspection device 48 is stored in the cassette CD, the wafer W having the defect is not subjected to the coating and developing process after the developing process. The detected wafer W is removed from the processing line of the coating and developing apparatus 1. Then, for example, when 25 wafers W are stored in the cassette CD,
The above-described series of coating and developing processes are applied to the wafer W stored in the cassette CD from the beginning (step S).
501). That is, it is reprocessed.

【0053】また,検査用のウエハWに対して,デフォ
ーカス検査,線幅測定検査,重ね合わせ検査によって欠
陥が検出された際には,検査装置48の検出信号を受信
した制御装置49によって,露光装置4の露光条件が修
正される。特に,デフォーカス検査によってパターンの
位置ずれが検出された場合には,露光装置4にて行われ
るフォーカス合わせが好適に調整される。デフォーカス
検査によってパターンの位置ずれが検出された場合に
は,露光装置4にて行われるフォーカス合わせが好適に
調整される。かかる露光条件の修正により,このウエハ
W以降に塗布現像処理されるウエハに対して,好適な露
光条件下での露光処理が施される。
When a defect is detected in the inspection wafer W by the defocus inspection, the line width measurement inspection, and the overlay inspection, the control device 49 which has received the detection signal of the inspection device 48, The exposure condition of the exposure device 4 is modified. In particular, when a pattern misalignment is detected by the defocus inspection, the focusing performed by the exposure device 4 is suitably adjusted. When a pattern displacement is detected by the defocus inspection, the focusing performed by the exposure device 4 is adjusted appropriately. By correcting the exposure conditions, the wafers to be coated and developed after the wafer W are subjected to exposure processing under suitable exposure conditions.

【0054】さらに,検査装置48にて欠陥の検出され
る頻度が高い場合には,制御装置49が欠陥の検出検査
を密にするように頻度調整機構50を調整する。これに
より,検査装置48におけるウエハWの検査頻度がより
多くなり,欠陥を有するウエハWを事前に発見すること
ができ,歩留まりの低下を防止することが可能となる。
逆に,検査装置48における欠陥の検出頻度が低い場合
には,頻度調整機構50の調整により検査装置48にお
けるウエハWの検査頻度をより少なくする。これによ
り,検査装置48における検査が不要なウエハWの検査
回数を減らすことができる。こうして頻度調整機構50
を調整することによって,効率の良い検査が可能とな
る。
Further, when the frequency at which the defect is detected by the inspection device 48 is high, the control device 49 adjusts the frequency adjustment mechanism 50 so that the defect detection inspection is performed densely. As a result, the inspection frequency of the wafer W in the inspection device 48 is increased, the wafer W having a defect can be found in advance, and a decrease in the yield can be prevented.
Conversely, when the frequency of detecting a defect in the inspection device 48 is low, the frequency of the inspection of the wafer W in the inspection device 48 is reduced by adjusting the frequency adjustment mechanism 50. Thereby, the number of times of inspection of the wafer W which does not require the inspection in the inspection device 48 can be reduced. Thus, the frequency adjusting mechanism 50
By adjusting, efficient inspection becomes possible.

【0055】以上説明したように本実施の形態では,ま
ず現像処理ユニット16から検査装置48にウエハWを
搬送する際に,ウエハWの搬送を主搬送装置13で行う
ために,この搬送中におけるウエハWの人為的な汚染を
防止することができる。
As described above, in the present embodiment, first, when the wafer W is transferred from the development processing unit 16 to the inspection device 48, the transfer of the wafer W is performed by the main transfer device 13. The artificial contamination of the wafer W can be prevented.

【0056】検査装置48にて欠陥の検出されたウエハ
Wは,主搬送装置13によって検査装置48からレジス
ト膜剥離ユニット17に搬送され,レジスト膜が剥離さ
れた後にカセットCDに収納されて再処理される。従っ
て,欠陥の検出されたウエハWを塗布現像処理装置1の
処理ラインから取り除くことができる。また,欠陥の検
出されたウエハWがカセットCDに収納されるために,
ウエハWを一箇所に集中させることができ,以後の欠陥
のあったウエハWについての対応を効率よく行うことが
可能となる。そのうえ,欠陥を有するレジスト膜を剥離
した後にこのウエハWを再処理するために,再利用を図
ることができる。
The wafer W for which a defect has been detected by the inspection device 48 is transported from the inspection device 48 to the resist film peeling unit 17 by the main transport device 13 and, after the resist film is peeled, is stored in a cassette CD and reprocessed. Is done. Therefore, the wafer W in which the defect is detected can be removed from the processing line of the coating and developing processing apparatus 1. Further, since the wafer W in which the defect is detected is stored in the cassette CD,
The wafers W can be concentrated at one place, and it is possible to efficiently deal with the wafer W having a defect thereafter. In addition, the wafer W can be reused in order to reprocess the wafer W after removing the resist film having a defect.

【0057】また,デフォーカス検査,線幅測定検査,
重ね合わせ検査によって欠陥が検出された際には,露光
処理4の露光条件を制御装置49によって制御すること
ができる。従って,これらの欠陥の検出されたウエハW
以降塗布現像処理されるウエハWを,好適な露光条件下
で露光処理することができる。
Also, a defocus inspection, a line width measurement inspection,
When a defect is detected by the overlay inspection, the exposure condition of the exposure processing 4 can be controlled by the control device 49. Therefore, the wafer W in which these defects are detected
Thereafter, the wafer W to be coated and developed can be subjected to exposure processing under suitable exposure conditions.

【0058】なお,前記実施の形態では検査装置48を
処理ステーション3の背面側に配置した例を挙げて説明
したが,本発明はこのような例には限定されず,例えば
カセット載置台6上の2点鎖線Aの位置に検査装置48
を配置し,検査に供されるウエハWを主搬送装置13で
エクステンションユニット33に搬送し,その後このウ
エハWをウエハ搬送体8によって検査装置48に搬送す
るようにしてもよい。また,2点鎖線Bの位置に検査装
置48を配置してもよい。これらの場合にも,ウエハW
は人為的に搬送されないために,ウエハWの人為的な汚
染を防止することが可能となる。
In the above-described embodiment, an example has been described in which the inspection device 48 is arranged on the back side of the processing station 3. However, the present invention is not limited to such an example. Inspection device 48 at the position of the two-dot chain line A
May be arranged, the wafer W to be inspected is transferred to the extension unit 33 by the main transfer device 13, and then the wafer W is transferred to the inspection device 48 by the wafer transfer body 8. Further, the inspection device 48 may be arranged at the position of the two-dot chain line B. In these cases, the wafer W
Since the wafer W is not conveyed artificially, it is possible to prevent artificial contamination of the wafer W.

【0059】また,本発明にあっては図6に示すよう
に,インターフェイス部5の正面側にカセット55を配
置し,かつカセットステーション2の正面側にレジスト
膜除去ユニット56を隣接して配置させ,カセット55
とレジスト膜除去ユニット56との間におけるウエハW
の搬送を搬送ロボット57によって行うようにしてもよ
い。
In the present invention, as shown in FIG. 6, a cassette 55 is disposed in front of the interface section 5 and a resist film removing unit 56 is disposed adjacent to the front of the cassette station 2. , Cassette 55
W between the resist and the resist film removing unit 56
May be performed by the transfer robot 57.

【0060】かかる構成によれば,検査装置48にて欠
陥の検出されたウエハWは主搬送装置13によってエク
ステンションユニット42に搬送される。次いで,この
ウエハWはウエハ搬送体52によってエクステンション
ユニット42から取り出され,その後カセット55に収
納される。そして,カセット55に収納されたウエハW
は搬送ロボット57によってレジスト膜除去ユニット5
6に搬送されてレジスト膜が除去される。次いで,レジ
スト膜の除去されたウエハWがウエハ搬送体8によって
取り出され,カセット載置台6上のカセットCD内に収
納される。そして,このカセットCDに収納されたウエ
ハWが再処理される。
According to this configuration, the wafer W whose defect has been detected by the inspection device 48 is transferred to the extension unit 42 by the main transfer device 13. Next, the wafer W is taken out of the extension unit 42 by the wafer carrier 52 and then stored in the cassette 55. Then, the wafer W stored in the cassette 55
Is the resist film removing unit 5 by the transfer robot 57.
6 and the resist film is removed. Next, the wafer W from which the resist film has been removed is taken out by the wafer carrier 8 and stored in the cassette CD on the cassette mounting table 6. Then, the wafer W stored in the cassette CD is reprocessed.

【0061】このように,カセットステーション2の正
面側にいわゆる「外づけ」としてレジスト膜除去ユニッ
ト56を配置させることにより,例えばバッチ式の薬液
洗浄処理装置等もレジスト膜除去ユニット56として使
用することができる。従って,前記実施形態のようにレ
ジスト膜剥離ユニット17でレジスト膜を剥離する場合
よりも,一度により多くのウエハWのレジスト膜を剥離
することが可能となる。
As described above, by disposing the resist film removing unit 56 as a so-called “external” on the front side of the cassette station 2, for example, a batch type chemical cleaning apparatus can be used as the resist film removing unit 56. Can be. Therefore, it is possible to remove more resist films on the wafer W at one time than in the case where the resist film is removed by the resist film removing unit 17 as in the above embodiment.

【0062】また前記実施の形態にあっては,検査装置
48が塗布現像処理装置1に内蔵あるいは隣接した状態
で配置された例を示したが,検査装置48は,処理ステ
ーション3の各処理装置群G〜Gに組み込んでもよ
い。また本発明では検査装置48を塗布現像処理装置1
と離れた所に配置した他の実施の形態を提案することも
可能である。
Further, in the above-described embodiment, an example is shown in which the inspection device 48 is provided in the coating / developing processing device 1 so as to be built in or adjacent to the coating / development processing device 1. it may be incorporated into the group G 1 ~G 5. In the present invention, the inspection device 48 is a coating and developing treatment device 1.
It is also possible to propose another embodiment arranged at a place apart from the above.

【0063】図7はそのような構成の塗布現像処理装置
60を示しており,塗布現像処理装置60の外部に配置
された検査装置61と,最大4台のカセット62,6
3,64,65を載置自在なカセット載置台66と,ウ
エハ搬送体8と検査装置61との間でウエハWを搬送可
能な搬送ロボット67とを備えている。
FIG. 7 shows a coating / developing apparatus 60 having such a configuration. An inspection apparatus 61 arranged outside the coating / developing apparatus 60 and a maximum of four cassettes 62, 6
A cassette mounting table 66 on which 3, 64, 65 can be mounted, and a transfer robot 67 that can transfer the wafer W between the wafer transfer body 8 and the inspection device 61 are provided.

【0064】かかる構成によれば,先ず現像処理の終了
した検査用のウエハWが一定枚数毎に主搬送装置13に
よって現像処理ユニット16から取り出された後,エク
ステンションユニット33に搬送される。次いで,この
ウエハWはエクステンションユニット33からウエハ搬
送体8によって取り出された後に,搬送ロボット67に
受け渡される。そして,搬送ロボット67に受け渡され
たウエハWは,その後検査装置61に搬送されて,所定
の検査が施される。
According to this configuration, first, the inspection wafers W having undergone the development process are taken out of the development processing unit 16 by the main carrier unit 13 every fixed number of wafers, and then carried to the extension unit 33. Next, the wafer W is taken out of the extension unit 33 by the wafer transfer body 8 and then transferred to the transfer robot 67. Then, the wafer W transferred to the transfer robot 67 is then transferred to the inspection device 61 and subjected to a predetermined inspection.

【0065】ここで,検査装置61にて欠陥の検出され
なかったウエハWは搬送ロボット67によって検査装置
61から取り出された後に,ウエハ搬送体8に受け渡さ
れる。そして,ウエハ搬送体8に受け渡されたウエハW
は,エクステンションユニット33に搬送された後,主
搬送装置13によってポストベーキングユニット37に
搬送され,現像処理以降の一連の塗布現像処理が施され
る。
Here, the wafer W from which no defect is detected by the inspection device 61 is taken out of the inspection device 61 by the transfer robot 67 and then transferred to the wafer transfer body 8. Then, the wafer W transferred to the wafer transfer body 8
Is transported to the post-baking unit 37 by the main transport unit 13 after being transported to the extension unit 33, and is subjected to a series of coating and developing processes after the developing process.

【0066】一方,検査装置61にて欠陥の検出された
ウエハWは搬送ロボット67によって検査装置61から
取り出された後に,搬送ロボット67からウエハ搬送体
8に受け渡される。そして,ウエハ搬送体8に受け渡さ
れたウエハWは,エクステンションユニット33に搬入
された後,主搬送装置13によってレジスト膜剥離ユニ
ット17に搬送され,レジスト膜が剥離される。次い
で,レジスト膜の剥離されたウエハWは,主搬送装置1
3によってレジスト膜剥離ユニット17からエクステン
ションユニット33に搬送された後,ウエハ搬送体8に
よって取り出され,カセット62内に収納される。こう
して,例えば25枚のウエハWがカセット62内に収納
された後,これらのウエハWに対して再処理が施され
る。
On the other hand, the wafer W for which a defect has been detected by the inspection device 61 is taken out of the inspection device 61 by the transfer robot 67 and then transferred to the wafer transfer body 8 from the transfer robot 67. Then, the wafer W transferred to the wafer carrier 8 is carried into the extension unit 33, and then carried by the main carrier 13 to the resist film peeling unit 17, where the resist film is peeled. Next, the wafer W from which the resist film has been peeled off is transferred to the main carrier 1
After being transferred from the resist film stripping unit 17 to the extension unit 33 by 3, it is taken out by the wafer transfer body 8 and stored in the cassette 62. Thus, for example, after 25 wafers W are stored in the cassette 62, these wafers W are reprocessed.

【0067】以上のように前記他の実施形態にあって
は,塗布現像処理装置1と,この塗布現像処理装置1か
ら離れて配置された検査装置61との間において,ウエ
ハWは搬送ロボット67によって搬送される。従って,
前記実施の形態の場合と同様に,検査装置61に対する
ウエハWの搬送中にウエハWが人為的に汚染されること
を防止することができる。
As described above, in the other embodiment, the transfer robot 67 moves the wafer W between the coating and developing apparatus 1 and the inspection apparatus 61 arranged at a distance from the coating and developing apparatus 1. Conveyed by Therefore,
As in the case of the above-described embodiment, it is possible to prevent the wafer W from being artificially contaminated while the wafer W is being transferred to the inspection device 61.

【0068】なお検査装置48は,例えば図8に示すよ
うに,処理ステーション3における第3の処理装置群G
の例えば最下段に配置してもよい。この検査装置48
に対しては,主搬送装置13ばかりでなく,ウエハ搬送
体8からもウエハWの搬入出が可能とされている。この
ような構成によれば,図1に示した構成と比べると,検
査装置48専用のスペースが空くことになり,このスペ
ースに多段の処理装置群をさらに配置する事ができるよ
うになる。また欠陥が検出されたウエハをウエハ搬送体
8により直接テクに外部に取り出すことが可能となる。
The inspection device 48 includes a third processing device group G in the processing station 3 as shown in FIG.
3 , for example, may be arranged at the lowest stage. This inspection device 48
The wafer W can be carried in and out of the wafer carrier 8 as well as the main carrier 13. According to such a configuration, as compared with the configuration shown in FIG. 1, a space dedicated to the inspection device 48 becomes available, and a multi-stage processing device group can be further arranged in this space. Further, it becomes possible to directly take out the wafer in which the defect is detected to the outside by the wafer transfer body 8 using the technique.

【0069】また検査装置48は,例えば図9に示すよ
うに,インターフェース部5におけるバッファカセット
BRの上に配置してもよい。これらカセットステーショ
ン2,処理ステーション3及びインターフェース部5の
上部には,各々別個のエアー供給部92,93,95が
配置されている。
The inspection device 48 may be arranged on the buffer cassette BR in the interface section 5 as shown in FIG. 9, for example. Above the cassette station 2, the processing station 3 and the interface section 5, separate air supply sections 92, 93 and 95 are arranged.

【0070】各エアー供給部92,93,95は温度調
節された清浄なエアーを下方に向けて供給するものでは
あるが,特にインターフェース部5におけるエアー供給
部95は,温度調節が最も正確に要求される露光装置4
に隣接しているインターフェース部5を温度調節するも
のであり,温度調節が他の部位よりもより厳格に行われ
る。したがって検査装置48をインターフェース部5に
配置することによって正確に温度調節された適切な環境
で所定の検査が実施でき,検査の信頼性を向上させるこ
とが可能である。
Each of the air supply units 92, 93, and 95 supplies clean air whose temperature has been adjusted downward. Particularly, the air supply unit 95 in the interface unit 5 requires the most accurate temperature adjustment. Exposure equipment 4
The temperature of the interface section 5 adjacent to the section is controlled, and the temperature control is performed more strictly than other sections. Therefore, by arranging the inspection device 48 in the interface unit 5, a predetermined inspection can be performed in an appropriate environment where the temperature is accurately adjusted, and the reliability of the inspection can be improved.

【0071】なお前記実施の形態にあっては,現像処理
ユニット16から抜き出したウエハWを検査する例を挙
げて説明したが,本発明はかかる例には限定されず,例
えば他の現像処理ユニット18から抜き出したウエハW
を検査する場合にも,もちろん適用が可能である。ま
た,塗布現像処理装置1に検査装置48を,塗布現像処
理装置60に検査装置61をそれぞれ複数備えて,一連
の検査を分担させて行うようにすることも可能である。
In the above-described embodiment, an example in which the wafer W extracted from the developing unit 16 is inspected has been described. However, the present invention is not limited to this example. Wafer W extracted from 18
Of course, it is also applicable to the inspection of Further, it is also possible to provide a plurality of inspection devices 48 in the coating and developing treatment device 1 and a plurality of inspection devices 61 in the coating and developing treatment device 60, respectively, so that a series of inspections are shared.

【0072】また前出実施の形態においては,現像処理
ユニット16から一定枚数おきに抜き出したウエハWを
検査用のウエハWとしたが,本発明ではこれに替えて,
例えば塗布現像処理装置1,60の処理ラインを流れる
ロット毎に抜き出したウエハWや,一定時間おきに抜き
出したウエハWを検査用のウエハWとして使用してもよ
い。
In the above-described embodiment, the wafers W extracted from the development processing unit 16 at regular intervals are used as inspection wafers W.
For example, a wafer W extracted for each lot flowing through the processing lines of the coating and developing processing apparatuses 1 and 60 or a wafer W extracted at regular intervals may be used as a wafer W for inspection.

【0073】さらに上記実施の形態にあっては,使用す
る基板をウエハWで説明したが,本発明は例えばLCD
基板,CD基板等の他の基板を使用する場合にも応用が
可能である。
Further, in the above-described embodiment, the substrate to be used has been described as a wafer W.
The present invention can be applied to the case where other substrates such as a substrate and a CD substrate are used.

【0074】[0074]

【発明の効果】請求項1〜17に記載の発明によれば,
特定の処理ユニットから検査装置に対する基板の搬送を
搬送装置もしくは他の搬送装置によっていわばインライ
ンで行うために,かかる搬送中における基板の人為的な
汚染を防止することができる。
According to the invention as set forth in claims 1 to 17,
Since the transfer of the substrate from the specific processing unit to the inspection apparatus is performed in a so-called inline manner by the transfer device or another transfer device, it is possible to prevent the artificial contamination of the substrate during the transfer.

【0075】特に請求項3に記載の発明によれば,欠陥
の検出された基板を基板収納体に収納することにより,
欠陥のある基板を塗布現像処理装置の処理ラインから取
り除くことができる。また,基板収納体に複数の欠陥を
有する基板が集められるために,これらの欠陥を有する
基板に対してその後の処理や対応が容易となる。
In particular, according to the third aspect of the present invention, the substrate in which the defect has been detected is stored in the substrate storage body.
The defective substrate can be removed from the processing line of the coating and developing processing apparatus. In addition, since substrates having a plurality of defects are collected in the substrate housing, subsequent processing and handling of the substrates having these defects are facilitated.

【0076】特に請求項4に記載の発明によれば,制御
装置によって露光処理の露光条件を調整することができ
るために,欠陥の検出以後は好適な露光条件下で基板に
対する露光処理を行うことができる。また請求項6の場
合には,欠陥が発見された基板の再使用を図ることが容
易である。
According to the fourth aspect of the present invention, since the exposure condition of the exposure process can be adjusted by the control device, the exposure process on the substrate is performed under a suitable exposure condition after the defect is detected. Can be. In the case of claim 6, it is easy to reuse the substrate in which the defect is found.

【0077】特に請求項7に記載の発明によれば,検査
装置による基板の検査回数を頻度調整機構によって調整
することができるために,欠陥の発生頻度に応じた効率
のよい検査を行うことができる。
In particular, according to the present invention, the number of times of inspection of the substrate by the inspection apparatus can be adjusted by the frequency adjusting mechanism, so that an efficient inspection according to the frequency of occurrence of defects can be performed. it can.

【0078】特に請求項8に記載の発明によれば,検査
装置にて欠陥の検出された基板を有効に再利用すること
ができる。
In particular, according to the eighth aspect of the present invention, a substrate in which a defect is detected by an inspection device can be effectively reused.

【0079】請求項9によれば,欠陥の検出された基板
を格別専用のスペースに集める必要はなく,第2の理搬
送装置によって前記欠陥基板を所定の収納体に搬入する
ことができる。請求項10の塗布現像処理装置によれ
ば,さらに欠陥が発見された基板を迅速に所定の収納体
に収納することが可能である。請求項11の場合には,
さらに床専有面積の節約が図れる。請求項12の場合に
は,円滑な基板の搬送が実施できる。また請求項13の
場合には,露光後の欠陥検査を迅速に実施することが可
能である。請求項14の場合には,温度面から見て歩留
まりの向上が図れる。請求項15の場合には,基板の再
使用,塗布現像処理装置ないの処理,欠陥基板の円滑な
搬送,さらには設計の自由度の向上を図ることができ
る。請求項16の場合には,装置外の搬送ロボットによ
る搬送によって欠陥基板を搬送するので,装置内の処
理,搬送に影響を与えない。請求項17の場合には,効
率のよい剥離処理を実施することが可能である。
According to the ninth aspect, it is not necessary to collect the substrate in which the defect has been detected in a special space, and the defective substrate can be carried into a predetermined storage body by the second physical transport device. According to the coating and developing apparatus of the tenth aspect, it is possible to quickly store a substrate in which a defect is found in a predetermined storage body. In the case of claim 11,
Furthermore, the floor occupied area can be saved. In the case of the twelfth aspect, the substrate can be smoothly transferred. In the case of the thirteenth aspect, it is possible to quickly perform the defect inspection after the exposure. In the case of claim 14, the yield can be improved in terms of temperature. In the case of the fifteenth aspect, reuse of the substrate, processing without the coating and developing processing apparatus, smooth transport of the defective substrate, and improvement in design flexibility can be achieved. In the case of the sixteenth aspect, the defective substrate is transferred by the transfer robot outside the apparatus, so that the processing and transfer in the apparatus are not affected. In the case of the seventeenth aspect, efficient peeling processing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the appearance of a coating and developing apparatus according to an embodiment.

【図2】図1の塗布現像処理装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図3】図1の塗布現像処理装置の背面図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図4】多段構成の検査装置の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a multistage inspection apparatus.

【図5】図1の塗布現像処理装置による処理の流れを示
すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing the flow of processing by the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図6】外づけのレジスト膜除去ユニットを具備した図
1の塗布現像処理装置の外観を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing the appearance of the coating and developing apparatus of FIG. 1 including an external resist film removing unit.

【図7】本発明の他の実施の形態にかかる塗布現像処理
装置の平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a coating and developing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図8】検査装置を加熱処理ユニットと多段構成にした
他の実施の形態にかかる塗布現像処理装置の背面図であ
る。
FIG. 8 is a rear view of a coating and developing apparatus according to another embodiment in which the inspection apparatus has a multi-stage configuration with a heat processing unit.

【図9】検査装置をバッファカセット上に配置した他の
実施の形態にかかる塗布現像処理装置の背面図である。
FIG. 9 is a rear view of a coating and developing apparatus according to another embodiment in which the inspection apparatus is arranged on a buffer cassette.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 8 ウエハ搬送体 13 主搬送装置 16,18 現像処理ユニット 17 レジスト膜剥離ユニット 48,48’ 検査装置 49 制御装置 50 頻度調整機構 56 レジスト膜除去ユニット C カセット W ウエハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / development processing device 8 wafer transfer body 13 main transfer device 16, 18 development processing unit 17 resist film peeling unit 48, 48 ′ inspection device 49 control device 50 frequency adjustment mechanism 56 resist film removal unit C cassette W wafer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 569C Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 21/30 569C

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布現像処理
装置であって,特定の処理ユニットにて処理の終了した
基板を検査し,該基板に生じた欠陥の有無を検出する検
査装置と,各処理ユニットに対して基板を搬入出し,か
つ前記特定の処理ユニット及び検査装置の間で基板を搬
送する搬送装置とを備えたことを特徴とする,塗布現像
処理装置。
1. A coating and developing apparatus comprising a plurality of processing units for individually performing processing required for coating and developing processing on a substrate, wherein a specific processing unit inspects the processed substrate, An inspection device for detecting the presence or absence of a defect occurring in the substrate; and a transfer device for transferring the substrate into and out of each processing unit and transferring the substrate between the specific processing unit and the inspection device. Characteristic coating and developing equipment.
【請求項2】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布現像処理
装置であって,特定の処理ユニットにて処理の終了した
基板を検査し,該基板に生じた欠陥の有無を検出する検
査装置と,各処理ユニットに対して基板を搬入出する搬
送装置と,前記特定の処理ユニットにて処理の終了した
基板を前記検査装置に搬送する他の搬送装置とを備えた
ことを特徴とする,塗布現像処理装置。
2. A coating and developing apparatus comprising a plurality of processing units for individually performing processing required for coating and developing processing on a substrate, wherein the processing unit inspects the substrate which has been processed by a specific processing unit. An inspection device for detecting the presence or absence of a defect in the substrate, a transport device for loading and unloading the substrate to and from each processing unit, A coating and developing apparatus comprising:
【請求項3】 前記検査装置にて欠陥の検出された基板
が搬入される基板収納体を備えたことを特徴とする,請
求項1または2に記載の塗布現像処理装置。
3. The coating and developing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate container into which a substrate having a defect detected by said inspection apparatus is carried.
【請求項4】 前記検査装置にて欠陥が検出された場合
に,塗布処理によって基板に形成されたレジスト膜を露
光する露光装置の露光条件を制御する制御装置を備えた
ことを特徴とする,請求項1,2または3に記載の塗布
現像処理装置。
4. A control device for controlling exposure conditions of an exposure device for exposing a resist film formed on a substrate by a coating process when a defect is detected by the inspection device. The coating and developing apparatus according to claim 1, 2 or 3.
【請求項5】 前記露光条件は,前記露光装置における
焦点距離,露光量又は露光時間のうちの少なくとも1つ
であることを特徴とする,請求項4に記載の塗布現像処
理装置。
5. The coating and developing apparatus according to claim 4, wherein the exposure condition is at least one of a focal length, an exposure amount, and an exposure time in the exposure apparatus.
【請求項6】 前記塗布現像処理がレジスト液塗布処理
を伴い,検査装置によって欠陥が検出された基板のレジ
ストを剥離する剥離装置を有することを特徴とする,請
求項1,2,3,4又は5のいずれかに記載の塗布現像
処理装置。
6. The method according to claim 1, wherein said coating and developing process involves a resist liquid coating process, and further comprises a peeling device for peeling a resist on a substrate on which a defect has been detected by an inspection device. Or the coating and developing treatment apparatus according to any one of the above items 5.
【請求項7】 前記検査装置にて検出された欠陥の発生
頻度に応じて,検査装置による検査の頻度を調整する頻
度調整機構を備えたことを特徴とする,請求項1,2,
3,4,5又は6のいずれかに記載の塗布現像処理装
置。
7. A frequency adjusting mechanism for adjusting the frequency of inspection by an inspection apparatus according to the frequency of occurrence of defects detected by the inspection apparatus.
7. The coating and developing apparatus according to any one of 3, 4, 5, and 6.
【請求項8】 請求項1,2,3,4,5,6,又は7
のいずれかに記載の塗布現像処理装置を使用して基板に
塗布現像処理を施す方法であって,塗布処理によって基
板に形成されたレジスト膜を剥離する剥離装置を用いる
と共に,検査装置にて基板の欠陥の有無を検出する工程
と,その後,欠陥が検出された基板のレジスト膜を前記
剥離装置にて剥離する工程と,その後,レジスト膜の剥
離された基板を前記塗布現像処理装置において再処理す
る工程とを有することを特徴とする,塗布現像処理方
法。
8. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, or 7.
A method for applying and developing a substrate using the coating and developing apparatus according to any one of the above, wherein a peeling apparatus for peeling a resist film formed on the substrate by the coating processing is used, and the substrate is inspected by an inspection apparatus. Detecting the presence / absence of a defect in the substrate, thereafter, removing the resist film of the substrate on which the defect has been detected by the above-described peeling device, and then reprocessing the substrate from which the resist film has been removed in the coating and developing device. A coating and developing treatment method.
【請求項9】基板上にレジスト液を塗布し,露光装置に
よって露光された基板上のレジストを現像する塗布現像
処理装置において,下記の処理部と収容部とを有してい
ることを特徴とする,塗布現像処理装置。 処理部:基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
ユニットと,露光装置によって露光された基板上のレジ
ストを現像するための現像処理ユニットと,基板に生じ
た欠陥の有無を検出する検査装置と,前記塗布処理ユニ
ット,前記現像処理ユニット及び前記検査装置に対して
基板を搬送可能な第1の搬送装置とを有している。 収容部:前記処理部に隣接して配置され,前記処理部に
おいて処理される前,処理された後の基板,及び前記検
査装置によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納
する収納体が配置される収納部と,前記処理部と前記収
納部との間で基板を搬送可能な第2の搬送装置とを備え
ている。
9. A coating and developing apparatus for applying a resist solution onto a substrate and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus, comprising a processing section and a storage section described below. Coating and developing equipment. Processing unit: a coating processing unit for applying a resist solution on the substrate, a development processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, and an inspection device for detecting the presence or absence of defects on the substrate And a first transport device capable of transporting the substrate to the coating processing unit, the developing processing unit, and the inspection device. Storage unit: A storage unit that is disposed adjacent to the processing unit and individually stores a substrate before and after processing in the processing unit and a substrate in which a defect is detected by the inspection device. And a second transfer device capable of transferring the substrate between the processing unit and the storage unit.
【請求項10】 基板上にレジスト液を塗布し,露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像する塗布
現像処理装置において,下記の処理部と収容部とを有し
ていることを特徴とする,塗布現像処理装置。 処理部:基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
ユニットと,露光装置によって露光された基板上のレジ
ストを現像するための現像処理ユニットと,前記塗布処
理ユニット及び前記現像処理ユニットに対して基板を搬
送可能な第1の搬送装置とを有している。 収容部:前記処理部に隣接して配置され,基板に生じた
欠陥の有無を検出する検査装置と,前記処理部において
処理される前,処理された後の基板,及び前記検査装置
によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納する収
納体が配置される収納部と,前記処理部と前記収納部と
の間で基板を搬送可能な第2の搬送装置とを備えてい
る。
10. A coating and developing apparatus for applying a resist solution onto a substrate and developing a resist on the substrate exposed by an exposure apparatus, comprising a processing unit and a storage unit described below. Coating and developing equipment. Processing unit: a coating processing unit for coating a resist solution on a substrate, a developing processing unit for developing a resist on the substrate exposed by an exposure device, and a processing unit for the coating processing unit and the developing processing unit. A first transfer device that can transfer the substrate. Housing unit: an inspection device arranged adjacent to the processing unit to detect the presence or absence of a defect on a substrate; a substrate before and after processing in the processing unit; The apparatus includes a storage unit in which storage units for individually storing the detected substrates are arranged, and a second transfer device that can transfer the substrate between the processing unit and the storage unit.
【請求項11】 基板上にレジスト液を塗布し,露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像する塗布
現像処理装置において,下記の処理部と収容部とを有し
ていることを特徴とする,塗布現像処理装置。 処理部:基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
ユニットと,露光装置によって露光された基板上のレジ
ストを現像するための現像処理ユニットと,少なくとも
基板を加熱処理するための加熱処理ユニット及び基板に
生じた欠陥の有無を検出する検査装置が多段に配置され
た多段処理ユニット群と,前記塗布処理ユニット,前記
現像処理ユニット及び前記多段処理ユニット群の間で基
板を搬送可能な第1の搬送装置とを備えている。 収容部:前記処理部に隣接して配置され,前記処理部に
おいて処理される前,処理された後の基板,及び前記検
査装置によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納
する収納体が配置される収納部と,前記処理部と前記収
納部との間で基板を搬送可能な第2の搬送装置とを備え
ている。
11. A coating and developing treatment apparatus for applying a resist solution onto a substrate and developing a resist on the substrate exposed by an exposure device, comprising a processing unit and a storage unit described below. Coating and developing equipment. Processing unit: a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a developing processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, a heating processing unit for heating at least the substrate, and A first stage capable of transporting a substrate between a multi-stage processing unit group in which inspection devices for detecting the presence or absence of a defect generated on the substrate are arranged in multiple stages, and the coating processing unit, the development processing unit, and the multi-stage processing unit group; And a transfer device. Storage unit: A storage unit that is disposed adjacent to the processing unit and individually stores a substrate before and after processing in the processing unit and a substrate in which a defect is detected by the inspection device. And a second transfer device capable of transferring the substrate between the processing unit and the storage unit.
【請求項12】 前記検査装置と前記第2の搬送装置と
の間で基板の受け渡しが可能に構成されていることを特
徴とする,請求項11に記載の塗布現像処理装置。
12. The coating and developing apparatus according to claim 11, wherein a substrate can be transferred between said inspection apparatus and said second transfer apparatus.
【請求項13】 基板上に形成されたレジストを露光す
る露光装置と隣接して配置され,基板上にレジスト液を
塗布し,露光装置によって露光された基板上のレジスト
を現像する塗布現像処理装置において,下記の処理部と
インターフェース部とを有していることを特徴とする,
塗布現像処理装置。 処理部:基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
ユニットと,前記露光装置によって露光された基板上の
レジストを現像するための現像処理ユニットと,基板の
受け渡しを行うための受け渡しユニットと,前記塗布処
理ユニット,前記現像処理ユニット及び前記受け渡しユ
ニットとに対して基板を搬送可能な第1の搬送装置とを
有している。 インターフェース部:前記処理部と前記露光装置との間
に配置され,前記露光装置に対して搬入出する基板を一
旦収納する収納部と,基板に生じた欠陥の有無を検出す
る検査装置と,前記露光装置,前記処理部の受け渡しユ
ニット,前記収納部及び前記検査装置との間で基板を搬
送可能な第2の搬送装置とを備えている。
13. A coating and developing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus for exposing a resist formed on a substrate, applying a resist liquid on the substrate, and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus. , Characterized by having the following processing unit and interface unit:
Coating and development processing equipment. Processing unit: a coating processing unit for coating a resist solution on the substrate, a development processing unit for developing the resist on the substrate exposed by the exposure device, a delivery unit for delivering the substrate, A first transport device capable of transporting the substrate to the coating processing unit, the developing processing unit, and the transfer unit; An interface unit: a storage unit that is disposed between the processing unit and the exposure apparatus and temporarily stores a substrate that is carried in and out of the exposure apparatus; an inspection device that detects whether a defect has occurred in the substrate; An exposure device, a transfer unit of the processing unit, a second transfer device capable of transferring the substrate between the storage unit and the inspection device.
【請求項14】 前記処理部の雰囲気の温度を調節する
第1の温度調節装置と,前記インターフェース部の雰囲
気の温度を調節する第2の温度調節装置とを有している
ことを特徴とする,請求項13に記載の塗布現像処理装
置。
14. The apparatus according to claim 1, further comprising a first temperature controller for controlling the temperature of the atmosphere in the processing section, and a second temperature controller for controlling the temperature of the atmosphere in the interface section. 14. The coating and developing apparatus according to claim 13.
【請求項15】 基板上に形成されたレジストを露光す
る露光装置と隣接して配置され,基板上にレジスト液を
塗布し,露光装置によって露光された基板上のレジスト
を現像する塗布現像処理装置において,下記の処理部,
収容部,インターフェース部,及び基板に生じた欠陥の
有無を検出する検査装置とを有し, (a)処理部:基板上にレジスト液を塗布するための塗
布処理ユニットと,前記露光装置によって露光された基
板上のレジストを現像するための現像処理ユニットと,
基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットと,前記
塗布処理ユニット,前記現像処理ユニット及び前記受け
渡しユニットとに対して基板を搬送可能な第1の搬送装
置と,前記検査装置によって欠陥が検出された基板のレ
ジストを剥離する剥離装置とを有している。 (b)収容部:前記処理部に隣接して配置され,前記処
理部において処理される前,及び処理された後の基板を
各々個別に収納する収納体が配置される収納部と,前記
処理部と前記収納部との間で基板を搬送可能な第2の搬
送装置とを備えている。 (c)インターフェース部:前記処理部と前記露光装置
との間に配置され,前記露光装置に対して搬入出する基
板を一旦収納する収納部と前記露光装置,前記処理部の
受け渡しユニット及び前記収納部との間で基板を搬送可
能な第3の搬送装置とを備え,前記検査装置によって欠
陥が検出された基板を前記第3の搬送装置によって搬入
可能で,かつ当該欠陥が検出された基板を収納する欠陥
基板収納部を有している。さらに,前記欠陥基板収納部
から前記剥離装置へ基板を搬送する搬送手段とを有して
いることを特徴とする,塗布現像処理装置。
15. A coating and developing apparatus disposed adjacent to an exposure apparatus for exposing a resist formed on a substrate, applying a resist liquid on the substrate, and developing the resist on the substrate exposed by the exposure apparatus. In the following processing section,
An inspection device for detecting the presence or absence of a defect generated in the housing, the interface, and the substrate; (a) a processing unit: an application processing unit for applying a resist liquid onto the substrate; A development processing unit for developing the resist on the substrate,
A delivery unit for delivering the substrate, a first transport device capable of transporting the substrate to the coating processing unit, the development processing unit, and the delivery unit, and a substrate having a defect detected by the inspection device And a stripping device for stripping the resist. (B) storage section: a storage section which is disposed adjacent to the processing section and in which storage bodies for individually storing substrates before and after processing in the processing section are respectively disposed; A second transfer device capable of transferring the substrate between the unit and the storage unit. (C) an interface unit: a storage unit that is disposed between the processing unit and the exposure apparatus and temporarily stores a substrate that is carried in and out of the exposure apparatus, the exposure apparatus, a transfer unit of the processing unit, and the storage. A third transport device capable of transporting the substrate to and from the unit, wherein the substrate in which the defect is detected by the inspection device can be carried in by the third transport device, and the substrate in which the defect is detected is transferred to the third transport device. It has a defective substrate storage section for storing. The coating and developing apparatus further includes a transfer unit that transfers the substrate from the defective substrate storage unit to the peeling device.
【請求項16】 前記搬送手段は,前記欠陥基板収納部
から前記剥離装置へ基板を搬送する搬送ロボットである
ことを特徴とする,請求項15に記載の塗布現像処理装
置。
16. The coating and developing apparatus according to claim 15, wherein the transfer unit is a transfer robot that transfers the substrate from the defective substrate storage unit to the peeling device.
【請求項17】 前記剥離装置は,バッチ式の薬液洗浄
処理装置であることを特徴とする,請求項6,15又は
16に記載の塗布現像処理装置。
17. The coating and developing apparatus according to claim 6, wherein said stripping apparatus is a batch type chemical cleaning apparatus.
JP35174199A 1998-12-17 1999-12-10 Coating/developing equipment and its method Pending JP2000235949A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35174199A JP2000235949A (en) 1998-12-17 1999-12-10 Coating/developing equipment and its method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37558098 1998-12-17
JP10-375580 1998-12-17
JP35174199A JP2000235949A (en) 1998-12-17 1999-12-10 Coating/developing equipment and its method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000235949A true JP2000235949A (en) 2000-08-29

Family

ID=26579473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35174199A Pending JP2000235949A (en) 1998-12-17 1999-12-10 Coating/developing equipment and its method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000235949A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077828A (en) * 2001-07-11 2003-03-14 Samsung Electronics Co Ltd System and method for photolithography process
JP2004031929A (en) * 2002-04-30 2004-01-29 Canon Inc Control system, controller and control method, and method for manufacturing device
JPWO2003077291A1 (en) * 2002-03-12 2005-07-07 オリンパス株式会社 Semiconductor manufacturing method and apparatus
JP2007273792A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Sokudo:Kk Substrate treating device
WO2007135834A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, device inspecting method, device inspecting program and recording medium having the program recorded therein
US7411669B2 (en) 2006-02-08 2008-08-12 Tokyo Electron Limited Substrate defect inspection method, computer readable storage medium, and defect inspection apparatus
JP2009016657A (en) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd Method for re-forming resist pattern
US7488127B2 (en) 2000-09-28 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming apparatus and method thereof
JP2009032887A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk Substrate-treating device
JP2009032886A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk Substrate-treating device
JP2010050140A (en) * 2008-08-19 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd Processing system
US7694649B2 (en) 2005-06-24 2010-04-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
CN101872717B (en) * 2007-08-28 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method
KR101443946B1 (en) 2009-05-25 2014-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Resist coating method and resist pattern forming method
JP2018060942A (en) * 2016-10-06 2018-04-12 昭和電工株式会社 Resist removal method and method of manufacturing semiconductor element
JP2023513270A (en) * 2020-02-10 2023-03-30 上海集成電路研発中心有限公司 Semiconductor device defect inspection method, apparatus, and readable storage medium

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8231285B2 (en) 2000-09-28 2012-07-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US7488127B2 (en) 2000-09-28 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming apparatus and method thereof
US7780366B2 (en) 2000-09-28 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming method
JP2003077828A (en) * 2001-07-11 2003-03-14 Samsung Electronics Co Ltd System and method for photolithography process
JPWO2003077291A1 (en) * 2002-03-12 2005-07-07 オリンパス株式会社 Semiconductor manufacturing method and apparatus
JP4842513B2 (en) * 2002-03-12 2011-12-21 オリンパス株式会社 Semiconductor manufacturing method and apparatus
JP2004031929A (en) * 2002-04-30 2004-01-29 Canon Inc Control system, controller and control method, and method for manufacturing device
JP4532845B2 (en) * 2002-04-30 2010-08-25 キヤノン株式会社 Management system and method and device manufacturing method
US7694649B2 (en) 2005-06-24 2010-04-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
US7985448B2 (en) 2005-06-24 2011-07-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
US7411669B2 (en) 2006-02-08 2008-08-12 Tokyo Electron Limited Substrate defect inspection method, computer readable storage medium, and defect inspection apparatus
JP2007273792A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Sokudo:Kk Substrate treating device
JP2007317705A (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device, device inspection method, device inspection program, and recording medium storing the program
US8326559B2 (en) 2006-05-23 2012-12-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, system inspecting method, system inspecting program and recording medium storing the program recorded therein
WO2007135834A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, device inspecting method, device inspecting program and recording medium having the program recorded therein
JP2009016657A (en) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd Method for re-forming resist pattern
JP2009032887A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk Substrate-treating device
JP2009032886A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk Substrate-treating device
CN101872717B (en) * 2007-08-28 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 Coating and developing apparatus, coating and developing method
JP2010050140A (en) * 2008-08-19 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd Processing system
KR101443946B1 (en) 2009-05-25 2014-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Resist coating method and resist pattern forming method
JP2018060942A (en) * 2016-10-06 2018-04-12 昭和電工株式会社 Resist removal method and method of manufacturing semiconductor element
JP2023513270A (en) * 2020-02-10 2023-03-30 上海集成電路研発中心有限公司 Semiconductor device defect inspection method, apparatus, and readable storage medium
JP7448671B2 (en) 2020-02-10 2024-03-12 上海集成電路研発中心有限公司 Defect inspection method, apparatus and readable storage medium for semiconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6880364B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
US6313903B1 (en) Resist coating and developing unit
TWI598975B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US8302556B2 (en) Coating and developing apparatus
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2000235949A (en) Coating/developing equipment and its method
US6281962B1 (en) Processing apparatus for coating substrate with resist and developing exposed resist including inspection equipment for inspecting substrate and processing method thereof
JP4877075B2 (en) Coating, developing device, coating, developing device operating method, and storage medium
JP2003209154A (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2006229184A5 (en)
JP2006229183A5 (en)
TWI828772B (en) Coating and developing apparatus, and coating and developing method
US8941809B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI682432B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4357861B2 (en) Substrate processing equipment
JP4298238B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP2001167996A (en) Substrate treatment apparatus
JP2010147361A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3801849B2 (en) Substrate processing apparatus and method
JP5371413B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH10308428A (en) Processor with nonelectrifying method and function
JP3523819B2 (en) Substrate processing equipment
JP4381290B2 (en) Substrate processing equipment
JP3653418B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2001168167A (en) Treating system and method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040525

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041207