JP2000234164A - Vacuum deposition method and vacuum deposition device - Google Patents

Vacuum deposition method and vacuum deposition device

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JP2000234164A
JP2000234164A JP11031410A JP3141099A JP2000234164A JP 2000234164 A JP2000234164 A JP 2000234164A JP 11031410 A JP11031410 A JP 11031410A JP 3141099 A JP3141099 A JP 3141099A JP 2000234164 A JP2000234164 A JP 2000234164A
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JP
Japan
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vacuum
chamber
substrate
base material
deposition
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JP11031410A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Seki
浩幸 関
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the formation of a vapor deposition film at a high temp. by subjecting a base material heated in a preliminary heating stage to a vapor depositing stage. SOLUTION: A preliminary heating stage of heating a plastic lens base material is executed in a spare chamber 300 to heat the lens base material to a desired temp., and then, the lens base material is carried into a vacuum deposition chamber 200 and is subjected to a vapor depositing stage. In the preliminary heating stage, for heating the vapor depositing face (lower side) of the lens base material, the lens base material can efficiently be heated, and the vapor depositing face can swiftly be heated. Namely, since the lower side of the lens base material is directly irradiated with a halogen lamp 311, infrared radiation is absorbed on the lower side of the lens base material, and its temp. increases from the side of the vapor depositing face. As a result, by the efficient heating, the vapor depositing face can swiftly be heated, and also, the vapor depositing face can be heated to a higher temp. In this way, the adhesion between an optical thin film as the vapor depositing film and the lens base material is improved to improve the crack resistance of the lens.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着方法及び
真空蒸着装置に関し、特に、プラスチックレンズ基材に
蒸着膜を形成するのに適した真空蒸着方法及び真空蒸着
装置に関する。
The present invention relates to a vacuum deposition method and a vacuum deposition apparatus, and more particularly, to a vacuum deposition method and a vacuum deposition apparatus suitable for forming a deposition film on a plastic lens substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、プラスチックレンズには、光
の透過率を向上させ表面の反射による煩わしさを防止す
るための反射防止膜、あるいはミラーコート等の光学薄
膜が成膜されている。これらの光学薄膜は、酸化シリコ
ン、酸化ジルコニウム等の酸化物の多層膜で構成され、
真空蒸着方法で成膜される。
2. Description of the Related Art Conventionally, plastic lenses have been formed with an anti-reflection film for improving light transmittance and preventing troublesomeness due to surface reflection, or an optical thin film such as a mirror coat. These optical thin films are composed of multilayer films of oxides such as silicon oxide and zirconium oxide,
The film is formed by a vacuum evaporation method.

【0003】図2に、プラスチックレンズ基材に蒸着膜
を成膜するための従来の真空蒸着装置の一例を示す。こ
の真空蒸着装置10は、3チャンバ方式であり、中央の
真空蒸着室20と、予備排気を行う予備室30と、真空
蒸着が終了した基材を冷却する冷却室40とを備える。
予備室と真空蒸着室20とは第1仕切11で、真空蒸着
室20と冷却室40とは第2仕切12でそれぞれ連通、
遮断ができるようになっている。レンズ基材は、基材ホ
ルダー50に複数個が載置され、基材ホルダー50ごと
外部から予備室30に配置し、図示しない搬送装置によ
り予備室30から真空蒸着室20へ、真空蒸着室20か
ら冷却室40へ搬送され、冷却室40から外部へ取り出
すことができるようになっている。
FIG. 2 shows an example of a conventional vacuum vapor deposition apparatus for forming a vapor deposition film on a plastic lens substrate. The vacuum vapor deposition apparatus 10 is of a three-chamber type, and includes a central vacuum vapor deposition chamber 20, a preliminary chamber 30 for performing preliminary exhaust, and a cooling chamber 40 for cooling a substrate on which vacuum vapor deposition has been completed.
The preliminary chamber and the vacuum deposition chamber 20 communicate with each other at a first partition 11, and the vacuum deposition chamber 20 and the cooling chamber 40 communicate with each other at a second partition 12,
It can be cut off. A plurality of lens substrates are placed on the substrate holder 50, and the lens substrates are placed together with the substrate holder 50 from the outside in the preliminary chamber 30, and are transferred from the preliminary chamber 30 to the vacuum vapor deposition chamber 20 by a transfer device (not shown). From the cooling chamber 40 to the outside.

【0004】予備室30は、図示しない真空装置に接続
され、真空引きができるようになっている。また、上下
に昇降できるようになっていて、下端側で基材ホルダー
50を大気中で外部から中に配置し、上端側で第1仕切
11を介して真空蒸着室20と連結できる構造となって
いる。
The preliminary chamber 30 is connected to a vacuum device (not shown) so that a vacuum can be drawn. In addition, it is configured to be able to move up and down, so that the base material holder 50 is arranged at the lower end side from the outside in the air and connected to the vacuum deposition chamber 20 via the first partition 11 at the upper end side. ing.

【0005】真空蒸着室20は、図示しない真空装置に
接続され、真空引きが可能になっている。基材ホルダー
50は部屋の上部側に配置される。基材ホルダー50の
上にはハロゲンランプ21が設置され、基材ホルダー5
0に載置されているレンズ基材を上から照射して加熱す
ることができるようになっている。チャンバの下側には
2個の蒸着源22が配置され、酸化シリコン、酸化ジル
コニウム等の蒸着物質を加熱して溶融させ、真空雰囲気
中で飛ばして、レンズ基材の下面に蒸着物質を成膜させ
ることができるようになっている。なお、図示しない
が、蒸着源22の上方にはそれぞれシャッターが設けら
れ、レンズ基材への蒸着物質の飛来を解放したり、遮断
することができるようになっている。
[0005] The vacuum deposition chamber 20 is connected to a vacuum device (not shown), and can be evacuated. The substrate holder 50 is arranged on the upper side of the room. On the substrate holder 50, the halogen lamp 21 is installed, and the substrate holder 5
The lens base mounted on the lens substrate 0 can be heated by irradiating it from above. Two evaporation sources 22 are arranged below the chamber, and the evaporation materials such as silicon oxide and zirconium oxide are heated and melted and blown in a vacuum atmosphere to form the evaporation material on the lower surface of the lens substrate. It can be made to be. Although not shown, shutters are provided above the evaporation sources 22, respectively, so that the evaporation material can be released from the lens substrate or blocked.

【0006】冷却室40は、図示しない真空装置に連結
され、真空引きができるようになっている。また、上下
に昇降できるようになっていて、上端側で第2仕切12
を介して真空蒸着室20と連結でき、下端側で基材ホル
ダー50を大気中で外部に搬出できる構造となってい
る。
The cooling chamber 40 is connected to a vacuum device (not shown) so that a vacuum can be evacuated. Also, it can be moved up and down, and the second partition 12
And the substrate holder 50 can be carried out to the outside in the atmosphere at the lower end side.

【0007】基材ホルダー50は、図3に示すように、
ドーム状のホルダー本体51に最も直径が大きいレンズ
よりやや大きな円形の開口部52が複数個穿設されてい
る。開口部52にはリング状のアダプター53が装着さ
れる。このアダプター53は、異なる径のレンズに対応
するためのもので、アダプター53の内周縁には内方に
突出する突起部53aが設けられている。レンズ基材1
はこの突起部53aにレンズ基材1の端縁が乗った状態
で載置される。レンズ基材1を基材ホルダー50に載置
して基材ホルダー50が真空蒸着室20に配置される
と、レンズ基材1の下面側の大部分が蒸着源23に対し
て露出しており、レンズ基材1の上面側がハロゲンラン
プ21に対して露出する状態となる。
[0007] As shown in FIG.
A plurality of circular openings 52 slightly larger than the lens having the largest diameter are formed in the dome-shaped holder body 51. A ring-shaped adapter 53 is attached to the opening 52. The adapter 53 is for accommodating lenses having different diameters, and an inner peripheral edge of the adapter 53 is provided with a protruding portion 53a that protrudes inward. Lens substrate 1
Is placed with the edge of the lens substrate 1 on this projection 53a. When the lens substrate 1 is placed on the substrate holder 50 and the substrate holder 50 is placed in the vacuum evaporation chamber 20, most of the lower surface side of the lens substrate 1 is exposed to the evaporation source 23. Then, the upper surface side of the lens substrate 1 is exposed to the halogen lamp 21.

【0008】このような真空蒸着装置10でレンズ基材
1に蒸着膜を成膜する方法は、まず、2個の蒸着源22
に異なる蒸着物質を入れ、真空蒸着室20内を真空にす
ると共に、蒸着物質を加熱し、溶融させる。一方、下降
端に配置され、内部が大気圧になっている予備室30内
にレンズ基材1を載置した基材ホルダー50を搬入し、
配置する。その後、予備室30を上昇させ、真空引きを
行い、予備室30内を真空にする。予備室30内が真空
になったら、第1仕切11を解放して予備室30内と真
空蒸着室20とを連通させ、図示しない搬送装置で基材
ホルダー50を予備室30から真空蒸着室20へ搬送
し、真空蒸着室20の上方に基材ホルダー50を配置す
る。そして、ハロゲンランプ21でレンズ基材1を上か
ら加熱し、レンズ基材1が所定の温度になったときに、
シャッターを開放し、蒸着物質を飛ばしてレンズ基材1
の下面に成膜させる。2個の蒸着源22からシャッター
によって交互に蒸着物質を飛ばし、レンズ基材1の下面
に多層膜を成膜して蒸着工程を行う。
A method of forming a vapor deposition film on the lens substrate 1 by using such a vacuum vapor deposition apparatus 10 is as follows.
And a vacuum deposition chamber 20 is evacuated, and the deposition material is heated and melted. On the other hand, the substrate holder 50 on which the lens substrate 1 is placed is loaded into the preliminary chamber 30 which is disposed at the descending end and has an atmospheric pressure inside.
Deploy. Thereafter, the preliminary chamber 30 is raised, vacuum is drawn, and the inside of the preliminary chamber 30 is evacuated. When the inside of the preliminary chamber 30 is evacuated, the first partition 11 is released to allow communication between the inside of the preliminary chamber 30 and the vacuum vapor deposition chamber 20, and the substrate holder 50 is moved from the preliminary chamber 30 to the vacuum vapor deposition chamber 20 by a transfer device (not shown). And the substrate holder 50 is arranged above the vacuum evaporation chamber 20. Then, the lens base 1 is heated from above by the halogen lamp 21, and when the lens base 1 reaches a predetermined temperature,
Open the shutter and fly the deposition material to remove the lens substrate 1
Is formed on the lower surface of. The evaporation material is alternately blown off from the two evaporation sources 22 by a shutter, and a multilayer film is formed on the lower surface of the lens substrate 1 to perform an evaporation process.

【0009】蒸着工程が終了するときには、冷却室40
は真空引きされ、真空蒸着室20と連結されているが、
第2仕切12は閉じられている。蒸着工程終了後、シャ
ッターを閉じ、第2仕切12を解放して基材ホルダー5
0を図示しない搬送装置で真空蒸着室20から冷却室4
0へ搬送し、第2仕切12を閉じる。レンズ基材1が冷
却した後、冷却室40を大気圧に戻し、冷却室40を下
降させ、基材ホルダー50を取り出して蒸着が終了す
る。
When the vapor deposition step is completed, the cooling chamber 40
Is evacuated and connected to the vacuum deposition chamber 20,
The second partition 12 is closed. After the vapor deposition step, the shutter is closed, the second partition 12 is released, and the substrate holder 5 is opened.
0 is a transfer device (not shown) from the vacuum deposition chamber 20 to the cooling chamber 4
0 and the second partition 12 is closed. After the lens substrate 1 is cooled, the cooling chamber 40 is returned to the atmospheric pressure, the cooling chamber 40 is lowered, the substrate holder 50 is taken out, and the vapor deposition is completed.

【0010】従来の真空蒸着装置10でのプラスチック
レンズ基材1に対する蒸着膜の成膜はこのようにして行
われる。
The deposition of a deposited film on the plastic lens substrate 1 in the conventional vacuum deposition apparatus 10 is performed in this manner.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の真空蒸着装置10では、レンズ基材1を十分
な温度にまで加熱することができず、比較的低い温度で
蒸着を行わなければならないという問題がある。
However, in such a conventional vacuum vapor deposition apparatus 10, the lens substrate 1 cannot be heated to a sufficient temperature, and vapor deposition must be performed at a relatively low temperature. There is a problem.

【0012】即ち、プラスチックレンズは合成樹脂であ
り、これに蒸着される蒸着膜は無機酸化物であることか
ら、基材と蒸着膜の熱膨張係数が異なる。そのため、プ
ラスチックレンズを車のダッシュボードに放置した場合
のようにプラスチックレンズが高温に曝された場合、プ
ラスチックレンズ表面に微細なクラックが生じる場合が
ある。このような高温でのクラックの発生を抑制するた
めには、真空蒸着時にできる限りレンズ基材温度を高く
することが有効であることが知られている。
That is, since the plastic lens is a synthetic resin and the deposited film deposited on the plastic lens is an inorganic oxide, the base material and the deposited film have different coefficients of thermal expansion. Therefore, when the plastic lens is exposed to a high temperature, such as when the plastic lens is left on a dashboard of a car, fine cracks may occur on the surface of the plastic lens. In order to suppress the occurrence of cracks at such a high temperature, it is known that it is effective to raise the temperature of the lens substrate as much as possible during vacuum deposition.

【0013】ところが、従来の真空蒸着装置10では、
40〜50℃程度にプラスチックレンズ基材1を加熱す
ることが限界であり、クラックの発生を抑制するには不
十分であった。
However, in the conventional vacuum deposition apparatus 10,
Heating the plastic lens substrate 1 to about 40 to 50 ° C. is the limit, and is insufficient to suppress the occurrence of cracks.

【0014】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、基材に対して従来より高温下で蒸着膜を成膜するこ
とができる真空蒸着方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a vacuum deposition method capable of forming a deposition film on a substrate at a higher temperature than conventionally.

【0015】また、本発明は、基材に対して従来より高
温下で蒸着膜を成膜することができる真空蒸着装置を提
供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a vacuum vapor deposition apparatus capable of forming a vapor deposition film on a substrate at a higher temperature than conventionally.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討を重ねた結果、従来の真空蒸着装
置の大気圧から真空雰囲気へ雰囲気を変換するための予
備室で、基材を予備加熱すること、予備加熱では基材に
蒸着膜を成膜する面(蒸着面)、即ち基材の下面側を加
熱することが有効であることを見い出した。
Means for Solving the Problems As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventor has found that a preliminary chamber for converting an atmosphere from the atmospheric pressure of a conventional vacuum deposition apparatus to a vacuum atmosphere has a basic structure. It has been found that it is effective to preheat the material, and in the preheating, it is effective to heat the surface on which the vapor deposition film is formed on the substrate (vapor deposition surface), that is, the lower surface side of the substrate.

【0017】即ち、従来の真空蒸着方法では、ハロゲン
ランプで基材の上面側を照射し、基材の下面側に対して
蒸着物質を成膜する方法が採用されてきた。これは、蒸
着物質が蒸着源から基材に向かって飛ぶため、ハロゲン
ランプを基材と蒸着源の間に配置する構造を採用するこ
とができないからである。ハロゲンランプを基材の下方
で、蒸着に影響のない場所に配設すると、基材との間が
離れすぎて十分に加熱することができない。
That is, in the conventional vacuum vapor deposition method, a method of irradiating the upper surface of the base material with a halogen lamp and forming a deposition material on the lower surface side of the base material has been adopted. This is because the structure in which the halogen lamp is arranged between the base material and the deposition source cannot be adopted because the deposition material flies from the deposition source toward the base material. If the halogen lamp is arranged below the base material at a place where the vapor deposition is not affected, the distance between the halogen lamp and the base material is too large to sufficiently heat the lamp.

【0018】ところが、予備室では、ハロゲンランプの
配置は自由であり、基材の直下にハロゲンランプを配置
し、基材を直ぐ下から加熱する方法が可能である。基材
の下面を加熱することにより、従来の上面側から加熱す
る方法と異なり、基材の蒸着すべき面を直接加熱するた
め、この蒸着面を速やかに加熱し、基材の蒸着面を従来
より高温にすることができる。
However, in the spare room, the arrangement of the halogen lamp is free, and a method of arranging the halogen lamp immediately below the base material and heating the base material from immediately below is possible. Unlike the conventional method of heating from the upper surface side by heating the lower surface of the substrate, the surface to be vapor-deposited of the substrate is directly heated. Higher temperatures can be used.

【0019】また、予備室では真空下で基材の蒸着面を
加熱するため、蒸着面に付着していた水分、その他のガ
スを除去できることから、この点でも蒸着膜と基材との
密着性が向上する。
In the preparatory room, the vapor deposition surface of the substrate is heated under vacuum, so that moisture and other gases adhering to the vapor deposition surface can be removed. Is improved.

【0020】従って、請求項1記載の発明は、真空雰囲
気中で蒸着物質を飛ばして基材に前記蒸着物質を成膜す
る蒸着工程を有する真空蒸着方法において、前記蒸着工
程の前に、前記基材を加熱する予備加熱工程を有し、前
記予備加熱工程で加熱した基材に対して前記蒸着工程を
行うことを特徴とする真空蒸着方法を提供する。
Therefore, the invention according to claim 1 is a vacuum deposition method having a vapor deposition step of depositing the vapor deposition material on a substrate by blowing the vapor deposition material in a vacuum atmosphere. There is provided a vacuum deposition method, comprising: a preheating step of heating a material; and performing the deposition step on the substrate heated in the preheating step.

【0021】請求項2記載の発明は、請求項1記載の真
空蒸着方法において、前記予備加熱工程が、前記基材の
前記蒸着物質が成膜される面を加熱することを特徴とす
る真空蒸着方法を提供する。
According to a second aspect of the present invention, in the vacuum deposition method of the first aspect, the preheating step heats a surface of the base material on which the deposition material is formed. Provide a way.

【0022】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載の真空蒸着方法において、前記予備加熱工程が真空中
で行われることを特徴とする真空蒸着方法を提供する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the vacuum deposition method according to the first or second aspect, wherein the preheating step is performed in a vacuum.

【0023】請求項4記載の発明は、真空雰囲気中で蒸
着物質を飛ばして基材に前記蒸着物質を成膜する真空蒸
着室と、前記真空蒸着室と連通及び遮断可能で、前記基
材を中に配置して真空雰囲気を形成し、前記基材を前記
真空蒸着室内へ搬送可能に構成されている予備室とを備
える真空蒸着装置において、前記予備室が、前記基材を
加熱する加熱手段を備えることを特徴とする真空蒸着装
置を提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a vacuum vapor deposition chamber in which a vapor deposition substance is blown in a vacuum atmosphere to form a film of the vapor deposition substance on a substrate, and the vacuum vapor deposition chamber can be communicated with and blocked from the substrate. A vacuum chamber disposed in the vacuum deposition chamber, wherein the preliminary chamber is configured to be capable of transporting the substrate into the vacuum vapor deposition chamber. The present invention provides a vacuum evaporation apparatus characterized by comprising:

【0024】請求項5記載の発明は、請求項4記載の真
空蒸着装置において、前記加熱手段が、前記基材の下方
に配設され、前記基材の下面を加熱することを特徴とす
る真空蒸着装置を提供する。
According to a fifth aspect of the present invention, in the vacuum vapor deposition apparatus of the fourth aspect, the heating means is disposed below the base material and heats a lower surface of the base material. An evaporation apparatus is provided.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の真空蒸着方法及び
真空蒸着装置の実施の形態について図面を参照しながら
説明するが、本発明は、下記の実施の形態に制限される
ものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the vacuum evaporation method and the vacuum evaporation apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.

【0026】図1は、本発明の真空蒸着装置の一実施形
態を示す構成図である。この真空蒸着装置100は、図
2に示した真空蒸着装置10とは、レンズ基材の加熱方
法が異なるだけで、基本的には同一の構造を有する。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the vacuum evaporation apparatus of the present invention. The vacuum deposition apparatus 100 has basically the same structure as the vacuum deposition apparatus 10 shown in FIG. 2 except for the method of heating the lens substrate.

【0027】この真空蒸着装置100は、3チャンバ方
式であり、中央の蒸着工程を行う真空蒸着室200と、
予備排気工程と予備加熱工程を行う予備室300と、真
空蒸着が終了したレンズ基材を冷却する冷却工程を行う
冷却室400とを備える。予備室と真空蒸着室200と
は第1仕切110で、真空蒸着室200と冷却室400
とは第2仕切120でそれぞれ連通、遮断ができるよう
になっている。図3に示したように、レンズ基材1は、
基材ホルダー50に複数個が載置され、基材ホルダー5
0ごと搬送、処理される。基材ホルダー50は、中心上
面にある突起部54を備え、予備室300の図示しない
搬送装置に取り付けて予備室300の上部に配置するこ
とができるようになっている。基材ホルダー50は、下
降端にある予備室300内に搬入され、上昇した予備室
300から搬送装置により真空蒸着室200へ水平に搬
送され、更に、真空蒸着室200から冷却室400へ水
平に搬送され、下降した冷却室400から外部へ大気中
で搬出される。
The vacuum deposition apparatus 100 is of a three-chamber type, and includes a vacuum deposition chamber 200 for performing a central deposition step,
A preliminary chamber 300 for performing a preliminary exhausting step and a preliminary heating step, and a cooling chamber 400 for performing a cooling step of cooling the lens substrate on which the vacuum deposition has been completed are provided. The preliminary chamber and the vacuum deposition chamber 200 are a first partition 110, and the vacuum deposition chamber 200 and the cooling chamber 400
And the second partition 120 can communicate and shut off respectively. As shown in FIG. 3, the lens substrate 1
A plurality of base material holders 50 are placed on the base material holder 50.
It is transported and processed every zero. The substrate holder 50 has a projection 54 on the center upper surface, and can be attached to a transport device (not shown) of the preliminary chamber 300 and can be disposed above the preliminary chamber 300. The substrate holder 50 is carried into the preliminary chamber 300 at the lower end, and is horizontally transported from the elevated preliminary chamber 300 to the vacuum deposition chamber 200 by the transport device, and further horizontally from the vacuum deposition chamber 200 to the cooling chamber 400. It is conveyed and carried out from the lowered cooling chamber 400 to the outside in the atmosphere.

【0028】予備室300は、図示しない真空装置に接
続され、真空引きができるようになっている。また、上
下に昇降できるようになっていて、下降端側で基材ホル
ダー50を大気中で外部から予備室300内に配置し、
上昇端側で第1仕切110を介して真空蒸着室200と
連結できる構造となっている。
The preliminary chamber 300 is connected to a vacuum device (not shown) so as to be able to evacuate. Further, it is configured to be able to move up and down, and the substrate holder 50 is arranged in the preliminary chamber 300 from the outside in the atmosphere at the lower end side,
The structure is such that it can be connected to the vacuum deposition chamber 200 via the first partition 110 on the rising end side.

【0029】予備室300は、従来は、基材ホルダー5
0が置かれている環境を大気雰囲気から真空雰囲気へ変
える予備排気行程を行うためのチャンバであるが、本発
明においては、予備加熱室を兼用し、予備加熱工程を行
えるようになっている。予備室300の床側には、例え
ば500Wのハロゲンランプ311と反射鏡312を組
み合わせた加熱手段313が6個配設され、予備室30
0の上部に配置される基材ホルダー50に載置されるレ
ンズ基材1の下面を照射できるようになっている。予備
室300内での加熱手段313の配設は自由であり、基
材ホルダー50の上方にも配設し、レンズ基材を上下方
向から加熱しても良い。
The preliminary chamber 300 is conventionally provided with the substrate holder 5.
This is a chamber for performing a pre-evacuation step for changing the environment where 0 is placed from the atmospheric atmosphere to a vacuum atmosphere. In the present invention, the pre-heating chamber is also used so that the pre-heating step can be performed. On the floor side of the preparatory room 300, for example, six heating means 313 combining a halogen lamp 311 of 500 W and a reflecting mirror 312 are arranged.
The lower surface of the lens substrate 1 placed on the substrate holder 50 disposed on the upper portion of the lens substrate 0 can be irradiated. The arrangement of the heating means 313 in the preliminary chamber 300 is free, and it may be arranged above the substrate holder 50 to heat the lens substrate from above and below.

【0030】真空蒸着室200は、図示しない真空装置
に接続され、真空引きが可能になっている。図示しない
搬送装置により予備室300から搬送された基材ホルダ
ー50はチャンバの上部側に配置される。チャンバの床
側には2個の蒸着源210が基材ホルダー50と対向す
るように配設されている。2個の蒸着源210は、それ
ぞれ異なる蒸着物質、例えば酸化シリコン、酸化ジルコ
ニウム等の蒸着物質が入れられる。それぞれの蒸着源は
210は、図示しない抵抗加熱や電子銃加熱、あるいは
これらを組み合わせた加熱手段で蒸着物質を加熱して溶
融させ、真空雰囲気中で蒸着物質を飛ばして、基材ホル
ダー50に載置されているレンズ基材1に堆積させる蒸
着工程を行えるようになっている。なお、図示しない
が、それぞれの蒸着源210の上方にはそれぞれシャッ
ターが設けられ、レンズ基材1への蒸着物質の飛来をそ
れぞれ遮断し、解放することができるようになってい
る。
The vacuum deposition chamber 200 is connected to a vacuum device (not shown), and can be evacuated. The substrate holder 50 transferred from the preliminary chamber 300 by a transfer device (not shown) is disposed on the upper side of the chamber. On the floor side of the chamber, two evaporation sources 210 are provided so as to face the substrate holder 50. The two deposition sources 210 contain different deposition materials such as silicon oxide and zirconium oxide. Each of the evaporation sources 210 heats and melts the evaporation material by heating means (not shown) such as resistance heating, electron gun heating, or a combination thereof, and flies the evaporation material in a vacuum atmosphere to mount the evaporation material on the substrate holder 50. A vapor deposition process for depositing on the placed lens substrate 1 can be performed. Although not shown, a shutter is provided above each of the vapor deposition sources 210 so that the vaporized substance can be prevented from coming to the lens substrate 1 and released.

【0031】本発明における真空蒸着室200は、従来
と異なり、基材ホルダー50の上方にはハロゲンランプ
が設けられておらず、蒸着源210の側方の蒸着源から
飛来する蒸発物質が当たらないような位置に、例えば5
00Wのハロゲンランプ221と反射鏡222が組み合
わされた加熱手段223が4個配設されている。この加
熱手段223は、基材ホルダー50から比較的離れてい
るので、レンズ基材1を加熱してレンズ基材1の温度を
上昇させるというよりも、予備室300で予備加熱され
たレンズ基材1の温度が下がらないように保温する目的
に用いられる。勿論、従来と同様に、基材ホルダー50
の上方にも加熱手段を設け、レンズ基材1を上方からも
加熱するようにしても良い。
In the vacuum deposition chamber 200 according to the present invention, unlike the related art, a halogen lamp is not provided above the substrate holder 50, so that the evaporation material flying from the deposition source on the side of the deposition source 210 does not hit. In a position like
Four heating means 223 in which a 00 W halogen lamp 221 and a reflecting mirror 222 are combined are provided. Since the heating means 223 is relatively far away from the base material holder 50, the lens base material pre-heated in the pre-chamber 300 rather than heating the lens base material 1 to increase the temperature of the lens base material 1 It is used for the purpose of keeping warm so that the temperature of 1 does not fall. Of course, as in the prior art, the substrate holder 50
A heating means may also be provided above the lens substrate to heat the lens substrate 1 from above.

【0032】冷却室400は、従来の装置と同様であ
り、図示しない真空装置に連結され、真空引きができる
ようになっている。また、上下に昇降できるようになっ
ていて、上端側で第2仕切120を介して真空蒸着室2
00と連結でき、下端側で基材ホルダー50を大気中で
外部に搬出できる構造となっている。
The cooling chamber 400 is the same as a conventional apparatus, and is connected to a vacuum device (not shown) so that a vacuum can be evacuated. Further, it can be moved up and down, and a vacuum deposition chamber 2 is provided at the upper end via a second partition 120.
00, so that the base material holder 50 can be carried out to the outside in the atmosphere at the lower end side.

【0033】このような本発明の真空蒸着装置100で
レンズ基材1に蒸着膜を成膜するには、まず、2個の蒸
着源210に異なる蒸着物質を入れ、真空蒸着室200
内を真空にすると共に、蒸着源210内の蒸着物質を加
熱し、溶融させる。
In order to form a vapor deposition film on the lens substrate 1 using the vacuum vapor deposition apparatus 100 of the present invention, first, two vapor deposition sources 210 are charged with different vapor deposition materials, and the vacuum vapor deposition chamber 200
The inside is evacuated, and the deposition material in the deposition source 210 is heated and melted.

【0034】その一方、下降端に配置され内部が大気圧
になっている予備室300内に、図1の破線で示すよう
に、レンズ基材1を載置した基材ホルダー50を搬入
し、配置する。その後、予備室300を上昇させ、真空
引きを行い、予備室内を真空にすると共に、ハロゲンラ
ンプ311を点灯してレンズ基材1の下面を照射する。
ハロゲンランプ311から照射された赤外線は、主とし
てレンズ基材1下面側で吸収されるため、下面側からレ
ンズ基材1を加熱することになる。加熱時間は概ね10
〜15分程度であり、これによりレンズ基材1下面を6
0〜80℃程度の温度に加熱することができる。なお、
レンズ基材1の加熱温度は、蒸着膜とレンズ基材の密着
性からはガラス転移温度未満であればできる限り高くす
ることが好ましい。この加熱と真空引きにより、レンズ
基材1の下面側の表面から水、炭酸ガス、低分子の有機
物等が蒸発し、レンズ基材1表面の蒸着面が清浄にな
る。
On the other hand, as shown by the broken line in FIG. 1, a substrate holder 50 on which the lens substrate 1 is placed is loaded into the preliminary chamber 300 which is disposed at the lower end and has an atmospheric pressure inside. Deploy. Thereafter, the preliminary chamber 300 is raised and evacuated to evacuate the preliminary chamber, and the halogen lamp 311 is turned on to irradiate the lower surface of the lens substrate 1.
The infrared rays emitted from the halogen lamp 311 are mainly absorbed on the lower surface side of the lens substrate 1, so that the lens substrate 1 is heated from the lower surface side. Heating time is about 10
About 15 minutes, so that the lower surface of the lens substrate 1
It can be heated to a temperature of about 0 to 80 ° C. In addition,
The heating temperature of the lens substrate 1 is preferably set to be as high as possible as long as it is lower than the glass transition temperature in view of the adhesion between the deposited film and the lens substrate. By this heating and evacuation, water, carbon dioxide, low molecular organic substances, and the like evaporate from the lower surface of the lens substrate 1, and the vapor deposition surface of the lens substrate 1 is cleaned.

【0035】レンズ基材1を所定の温度に加熱した後、
第1仕切110を解放して予備室300内と真空蒸着室
200とを連通させ、図示しない搬送装置で基材ホルダ
ー50を予備室300から真空蒸着室200へ搬送し、
真空蒸着室200の上方に基材ホルダー50を配置す
る。そして、2個の蒸着源210のシャッターを交互に
解放し、交互に異なる蒸着物質をレンズ基材1に蒸着
し、レンズ基材1の下面に多層膜を成膜する。この蒸着
工程の間、ハロゲンランプ221でレンズ基材1を下か
ら加熱し、レンズ基材1の下面側を保温する。
After heating the lens substrate 1 to a predetermined temperature,
The first partition 110 is released to allow the inside of the preliminary chamber 300 to communicate with the vacuum deposition chamber 200, and the substrate holder 50 is transported from the preliminary chamber 300 to the vacuum deposition chamber 200 by a transport device (not shown).
The substrate holder 50 is arranged above the vacuum deposition chamber 200. Then, the shutters of the two evaporation sources 210 are alternately opened, and different evaporation materials are alternately evaporated on the lens substrate 1, and a multilayer film is formed on the lower surface of the lens substrate 1. During this vapor deposition step, the lens substrate 1 is heated from below by the halogen lamp 221 to keep the lower surface of the lens substrate 1 warm.

【0036】蒸着工程終了時には、冷却室400は上端
側に配置され、真空引きされ、真空蒸着室200と連結
されているが、第2仕切120は閉じられている。
At the end of the vapor deposition step, the cooling chamber 400 is placed on the upper end side, evacuated and connected to the vacuum vapor deposition chamber 200, but the second partition 120 is closed.

【0037】蒸着工程が終了した後、シャッターを閉
じ、第2仕切120を解放して基材ホルダー50を図示
しない搬送装置で真空蒸着室200から冷却室400へ
搬送し、第2仕切120を閉じる。レンズ基材1が冷却
した後、冷却室400を大気圧に戻し、冷却室400を
下降させ、基材ホルダー50を取り出してレンズ基材1
の一面側の蒸着が終了する。レンズ基材1の両面に蒸着
膜を成膜するには、レンズ基材1を裏返して基材ホルダ
ー50に載置し、同じ工程を繰り返す。
After the deposition step is completed, the shutter is closed, the second partition 120 is released, and the substrate holder 50 is transported from the vacuum deposition chamber 200 to the cooling chamber 400 by a transport device (not shown), and the second partition 120 is closed. . After the lens substrate 1 is cooled, the cooling chamber 400 is returned to the atmospheric pressure, the cooling chamber 400 is lowered, the substrate holder 50 is taken out, and the lens substrate 1 is removed.
Is completed on one side. In order to form a vapor deposition film on both surfaces of the lens substrate 1, the lens substrate 1 is turned upside down and placed on the substrate holder 50, and the same process is repeated.

【0038】本実施形態の真空蒸着装置100によれ
ば、予備室300でレンズ基材1を加熱する予備加熱工
程を行って、レンズ基材1を所望の温度に加熱し、所望
の温度に加熱したレンズ基材を真空蒸着室200に搬入
して、蒸着工程を行う。予備加熱工程では、レンズ基材
1の蒸着面(下面)を加熱するため、効率的にレンズ基
材1を加熱し、速やかにレンズ基材1の蒸着面を加熱す
ることができる。
According to the vacuum vapor deposition apparatus 100 of the present embodiment, the preliminary heating step of heating the lens substrate 1 in the preliminary chamber 300 is performed to heat the lens substrate 1 to a desired temperature and to heat the lens substrate 1 to a desired temperature. The lens substrate thus obtained is carried into the vacuum evaporation chamber 200 to perform an evaporation step. In the preheating step, since the vapor deposition surface (lower surface) of the lens substrate 1 is heated, the lens substrate 1 can be efficiently heated, and the vapor deposition surface of the lens substrate 1 can be quickly heated.

【0039】即ち、従来のレンズ基材の上方からハロゲ
ンランプで照射する方法では、ハロゲンランプから照射
された赤外線はレンズ基材1の上面側で吸収され、しか
も、樹脂は熱伝導性が良くないため、反対側の蒸着面側
の温度が上がり難く、間接的に加熱していることにな
る。これに対し、本実施形態ではレンズ基材1の下面に
直接ハロゲンランプを照射しているため、赤外線はレン
ズ基材1の下面側で吸収され、蒸着面側から温度が上昇
していく。そのため、効率的な加熱により、蒸着面を速
やかに加熱でき、従来より高温にレンズ基材1の蒸着面
を加熱することができる。
That is, in the conventional method of irradiating a halogen lamp from above a lens substrate, infrared rays radiated from the halogen lamp are absorbed on the upper surface side of the lens substrate 1, and the resin has poor thermal conductivity. Therefore, the temperature on the opposite side of the deposition surface is unlikely to rise, and the heating is indirect. On the other hand, in the present embodiment, since the lower surface of the lens substrate 1 is directly irradiated with the halogen lamp, infrared rays are absorbed on the lower surface side of the lens substrate 1 and the temperature rises from the vapor deposition surface side. Therefore, the vapor deposition surface can be quickly heated by efficient heating, and the vapor deposition surface of the lens substrate 1 can be heated to a higher temperature than before.

【0040】表1に、レンズ基材の真空蒸着時の基材表
面温度とクラックの発生状況を示す。この基材表面温度
は、蒸着面の温度である。
Table 1 shows the substrate surface temperature and the occurrence of cracks during vacuum deposition of the lens substrate. This substrate surface temperature is the temperature of the deposition surface.

【0041】[0041]

【表1】 [Table 1]

【0042】表1に示した実験で用いたレンズ基材はポ
リカーボネートであり、そのガラス転移温度は120℃
である。レンズ基材の蒸着面の温度が上昇すると、12
0℃耐熱性試験で、クラックの発生が抑制されることが
明瞭に認められる。レンズ基材と蒸着膜との密着性が向
上し、耐クラック性が向上したものと考えられる。
The lens substrate used in the experiment shown in Table 1 was polycarbonate, and its glass transition temperature was 120 ° C.
It is. When the temperature of the deposition surface of the lens substrate rises, 12
In the 0 ° C. heat resistance test, it is clearly recognized that the generation of cracks is suppressed. It is considered that the adhesion between the lens substrate and the deposited film was improved, and the crack resistance was improved.

【0043】このように、本発明の真空蒸着装置及び真
空蒸着方法では、レンズ基材の蒸着時の蒸着面の温度
を、実際に行った結果では、従来の40〜50℃から6
0〜80℃へ上げることができ、蒸着膜である光学薄膜
とレンズ基材の密着力を向上させ、プラスチックレンズ
の耐クラック性を向上させることができる。
As described above, according to the vacuum deposition apparatus and the vacuum deposition method of the present invention, the temperature of the deposition surface at the time of deposition of the lens base material is set to 6
The temperature can be raised to 0 to 80 ° C., and the adhesion between the optical thin film as a vapor-deposited film and the lens substrate can be improved, and the crack resistance of the plastic lens can be improved.

【0044】また、本実施形態の真空蒸着装置では、レ
ンズ基材1の蒸着面から予めガス抜きを行える。従来
は、加熱しながら蒸着を行っていたため、蒸着中に加熱
されたレンズ基材1から表面に吸着されていたガス類あ
るいは内部にあるガス類が飛び出し、蒸着膜の密着を妨
げていたと考えられる。そのため、この点でもレンズ基
材1と蒸着膜の密着力が従来よりも向上し、耐クラック
性が良好になる。
Further, in the vacuum deposition apparatus of the present embodiment, gas can be vented from the deposition surface of the lens substrate 1 in advance. Conventionally, since vapor deposition was performed while heating, it was considered that gases adsorbed on the surface or gases inside the lens substrate 1 heated during vapor deposition jumped out and hindered adhesion of the deposited film. . Therefore, also in this respect, the adhesion between the lens substrate 1 and the deposited film is improved as compared with the conventional case, and the crack resistance is improved.

【0045】更に、レンズ基材1のガス抜きにより、真
空蒸着室200の真空度を下げることがない。しかも、
真空蒸着室200で真空蒸着している間に予備室300
で予備加熱することができるため、生産性も良好であ
る。
Further, the degree of vacuum in the vacuum evaporation chamber 200 is not reduced by degassing the lens substrate 1. Moreover,
During vacuum deposition in the vacuum deposition chamber 200, the preliminary chamber 300
, The productivity is also good.

【0046】上記説明では、レンズ基材1を保持する基
材ホルダー50は、従来と同様に開口部52を有する穴
あきのホルダー本体51を用いているが、レンズ基材1
の上方から加熱しなくても良いので、上方から落下して
くるゴミや埃がレンズ基材1に付着するのを防止するた
めに、防塵カバーを取り付けることが可能になる。ま
た、ホルダー本体を開口部がない反射鏡として構成し、
例えば板バネでレンズ基材1を保持させるようにするこ
とで、同様にゴミ、埃の付着を防止することが可能にな
る。
In the above description, as the substrate holder 50 for holding the lens substrate 1, a perforated holder body 51 having an opening 52 is used as in the conventional case.
Since it is not necessary to heat from above, it is possible to attach a dustproof cover to prevent dust and dust falling from above from adhering to the lens substrate 1. Also, the holder body is configured as a reflector with no opening,
For example, by holding the lens substrate 1 with a leaf spring, it is possible to prevent dust and dust from being attached.

【0047】また、上記説明では、基材としてプラスチ
ックレンズ基材を用いているが、基材の種類はこれに限
定されるものではない。
In the above description, the plastic lens substrate is used as the substrate, but the type of the substrate is not limited to this.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明の真空蒸着方法によれば、基材の
予備加熱工程を設けたことにより、基材に対して従来よ
り高温下で蒸着膜を成膜することができる。
According to the vacuum vapor deposition method of the present invention, the provision of the preheating step of the base material allows the formation of a vapor deposited film on the base material at a higher temperature than before.

【0049】また、本発明の真空蒸着装置は、予備室で
基材の予備加熱を行うようにしたことにより、基材に対
して従来より高温下で蒸着膜を成膜することができる。
Further, in the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, the pre-heating of the substrate is performed in the pre-chamber, so that the vapor-deposited film can be formed on the substrate at a higher temperature than before.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の真空蒸着装置の一実施形態を示す構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a vacuum deposition apparatus of the present invention.

【図2】従来の真空蒸着装置の一例を示す構成図であ
る。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating an example of a conventional vacuum evaporation apparatus.

【図3】基材ホルダーによるレンズ基材の保持方法を示
す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of holding a lens substrate by a substrate holder.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…プラスチックレンズ(レンズ)基材 50…基材ホルダー 100…真空蒸着装置 110…第1仕切 120…第2仕切 200…真空蒸着室 210…蒸着源 221…ハロゲンランプ 222…反射鏡 223…加熱手段 300…予備室 311…ハロゲンランプ 312…反射鏡 313…加熱手段 400…冷却室 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plastic lens (lens) base material 50 ... Substrate holder 100 ... Vacuum deposition device 110 ... First partition 120 ... Second partition 200 ... Vacuum deposition chamber 210 ... Deposition source 221 ... Halogen lamp 222 ... Reflection mirror 223 ... Heating means 300: preliminary room 311: halogen lamp 312: reflecting mirror 313: heating means 400: cooling room

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空雰囲気中で蒸着物質を飛ばして基材
に前記蒸着物質を成膜する蒸着工程を有する真空蒸着方
法において、 前記蒸着工程の前に、前記基材を加熱する予備加熱工程
を有し、前記予備加熱工程で加熱した基材に対して前記
蒸着工程を行うことを特徴とする真空蒸着方法。
1. A vacuum deposition method comprising a vapor deposition step of forming a vapor deposition material on a substrate by blowing the vapor deposition material in a vacuum atmosphere, wherein a preliminary heating step of heating the substrate is performed before the vapor deposition step. A vacuum deposition method comprising: performing the deposition step on the substrate heated in the preheating step.
【請求項2】 請求項1記載の真空蒸着方法において、 前記予備加熱工程が、前記基材の前記蒸着物質が成膜さ
れる面を加熱することを特徴とする真空蒸着方法。
2. The vacuum deposition method according to claim 1, wherein the preheating step heats a surface of the substrate on which the deposition material is formed.
【請求項3】 請求項1又は2記載の真空蒸着方法にお
いて、 前記予備加熱工程が真空中で行われることを特徴とする
真空蒸着方法。
3. The vacuum deposition method according to claim 1, wherein the preheating step is performed in a vacuum.
【請求項4】 真空雰囲気中で蒸着物質を飛ばして基材
に前記蒸着物質を成膜する真空蒸着室と、前記真空蒸着
室と連通及び遮断可能で、前記基材を中に配置して真空
雰囲気を形成し、前記基材を前記真空蒸着室内へ搬送可
能に構成されている予備室とを備える真空蒸着装置にお
いて、 前記予備室が、前記基材を加熱する加熱手段を備えるこ
とを特徴とする真空蒸着装置。
4. A vacuum deposition chamber in which a deposition material is blown in a vacuum atmosphere to form the deposition material on a substrate, and a vacuum deposition chamber capable of communicating with and interrupting the vacuum deposition chamber. A vacuum deposition apparatus that forms an atmosphere and includes a preliminary chamber configured to be able to transport the substrate into the vacuum vapor deposition chamber, wherein the preliminary chamber includes a heating unit that heats the substrate. Vacuum deposition equipment.
【請求項5】 請求項4記載の真空蒸着装置において、 前記加熱手段が、前記基材の下方に配設され、前記基材
の下面を加熱することを特徴とする真空蒸着装置。
5. The vacuum deposition apparatus according to claim 4, wherein said heating means is disposed below said base material and heats a lower surface of said base material.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007212948A (en) * 2006-02-13 2007-08-23 Mitsubishi Electric Corp Antireflection film deposition method and substrate with antireflection film
JP2010032297A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Toshiba Corp Manufacturing method of scintillator panel

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