JP2000228166A - 試料観察装置 - Google Patents
試料観察装置Info
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 試料観察装置に関し、粒子線装置の対物レン
ズの内径を小さくかつ試料との距離を小さくして低加速
電圧であっても高分解能かつ明るい粒子線像を生成した
状態で、試料を透過あるいは反射した光をもとに高分解
能かつ明るい光学像を同時に生成する。 【解決手段】 粒子線を発生する粒子線源と、発生され
た粒子線を細く絞って試料に照射する粒子線用の対物レ
ンズと、粒子線を面走査する偏向系と、粒子線を試料に
照射したときに放出される荷電粒子を検出あるいは吸収
された電流を検出してディスプレイ上に輝度変調して粒
子線像を表示する粒子線像表示手段とを備え、試料の裏
面の近傍に配置した光学顕微鏡用の対物レンズと、試料
の上面から光を照射、あるいは上記試料の裏面から光を
照射する光照射手段と、光学顕微鏡用の対物レンズによ
って結像した光学像を表示する光学像表示手段とを備え
るように構成する。
ズの内径を小さくかつ試料との距離を小さくして低加速
電圧であっても高分解能かつ明るい粒子線像を生成した
状態で、試料を透過あるいは反射した光をもとに高分解
能かつ明るい光学像を同時に生成する。 【解決手段】 粒子線を発生する粒子線源と、発生され
た粒子線を細く絞って試料に照射する粒子線用の対物レ
ンズと、粒子線を面走査する偏向系と、粒子線を試料に
照射したときに放出される荷電粒子を検出あるいは吸収
された電流を検出してディスプレイ上に輝度変調して粒
子線像を表示する粒子線像表示手段とを備え、試料の裏
面の近傍に配置した光学顕微鏡用の対物レンズと、試料
の上面から光を照射、あるいは上記試料の裏面から光を
照射する光照射手段と、光学顕微鏡用の対物レンズによ
って結像した光学像を表示する光学像表示手段とを備え
るように構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光によってIC
やLSIの回路をウエハ上に焼き付けるときに原盤とな
るフォトマスクやステンシルマスクなどの試料の表面観
察、寸法測定、および欠陥検査を電子線やイオンビーム
などの荷電粒子を用いる粒子線装置および光を用いる顕
微鏡からなる試料観察装置に関するものである。
やLSIの回路をウエハ上に焼き付けるときに原盤とな
るフォトマスクやステンシルマスクなどの試料の表面観
察、寸法測定、および欠陥検査を電子線やイオンビーム
などの荷電粒子を用いる粒子線装置および光を用いる顕
微鏡からなる試料観察装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、LSIの集積度は、向上の一途を
辿っており、LSIの製造工程においてその原盤となる
マスクパターンは微細化し、光学顕微鏡による微細観察
では不可能になったため、走査型電子顕微鏡などの粒子
線装置による表面観察が行われている。
辿っており、LSIの製造工程においてその原盤となる
マスクパターンは微細化し、光学顕微鏡による微細観察
では不可能になったため、走査型電子顕微鏡などの粒子
線装置による表面観察が行われている。
【0003】しかし、広い視野の像を確保するために、
また、位置決め補正を行うために、光学顕微鏡を粒子線
装置である例えば走査型電子顕微鏡に組み込むことが行
われており、図3に示すような構造を持つものがある。
以下図3の構造を簡単に説明する。
また、位置決め補正を行うために、光学顕微鏡を粒子線
装置である例えば走査型電子顕微鏡に組み込むことが行
われており、図3に示すような構造を持つものがある。
以下図3の構造を簡単に説明する。
【0004】図3は、従来技術の説明図を示す。図3に
おいて、粒子線31は、図示外の例えば電子銃から放射
された電子を集束したものである。
おいて、粒子線31は、図示外の例えば電子銃から放射
された電子を集束したものである。
【0005】対物レンズ32は、粒子線31を細く絞っ
て試料33上を照射するものである。試料33は、対物
レンズ32によって細く絞った電子線で照射された状態
で、図示外の偏向系によって面走査されるものである。
て試料33上を照射するものである。試料33は、対物
レンズ32によって細く絞った電子線で照射された状態
で、図示外の偏向系によって面走査されるものである。
【0006】照明ランプ41は、光を放射するものであ
る。コンデンサレンズ42は、照明ランプ41から放射
された光を集束して試料33を照射するものである。
る。コンデンサレンズ42は、照明ランプ41から放射
された光を集束して試料33を照射するものである。
【0007】ハーフミラー43は、コンデンサレンズ4
2によって集束された光をここでは右方向に反射した
り、試料33から反射して帰ってきた光を透過させて撮
像装置47に入射させたりするものである。
2によって集束された光をここでは右方向に反射した
り、試料33から反射して帰ってきた光を透過させて撮
像装置47に入射させたりするものである。
【0008】ミラー44は、左方向から入射した光をこ
こでは下方向に反射したり、下から上方向に向かう光を
左方向に反射したりするものであって、中央に小さな穴
を設けて粒子線31を下方向に通過させるようにしたも
のである。
こでは下方向に反射したり、下から上方向に向かう光を
左方向に反射したりするものであって、中央に小さな穴
を設けて粒子線31を下方向に通過させるようにしたも
のである。
【0009】対物レンズ45は、ミラー44によって反
射した光を試料33上に照射したり、試料33から反射
した光を結像したりなどするものであって、中央に小さ
な粒子線31の通過する穴を設けた対物レンズである。
射した光を試料33上に照射したり、試料33から反射
した光を結像したりなどするものであって、中央に小さ
な粒子線31の通過する穴を設けた対物レンズである。
【0010】光線46は、対物レンズ45によって試料
33上に光を集束したり、試料33からの反射光を結像
したりする光の軌跡の例である。撮像装置47は、ハー
フミラー43を通過して結像された試料33の像を電気
信号に変換して図示外の表示装置上に表示させるもので
ある。
33上に光を集束したり、試料33からの反射光を結像
したりする光の軌跡の例である。撮像装置47は、ハー
フミラー43を通過して結像された試料33の像を電気
信号に変換して図示外の表示装置上に表示させるもので
ある。
【0011】次に、試料33の像を表示するときの動作
を簡単に説明する。 (1) 図示外の粒子線源(例えば電子線源)から放射
された粒子線31がミラー44の中心の穴および対物レ
ンズ45の中心の穴を通過すると共に、対物レンズ32
によって集束されて試料33上に細く絞られて照射され
る。この状態で、図示外の走査系によって試料33上を
照射した粒子線31を面走査し、そのときに放出された
2次電子などを収集して輝度変調し、ディスプレイ上に
画像(例えば2次電子像)を表示する。
を簡単に説明する。 (1) 図示外の粒子線源(例えば電子線源)から放射
された粒子線31がミラー44の中心の穴および対物レ
ンズ45の中心の穴を通過すると共に、対物レンズ32
によって集束されて試料33上に細く絞られて照射され
る。この状態で、図示外の走査系によって試料33上を
照射した粒子線31を面走査し、そのときに放出された
2次電子などを収集して輝度変調し、ディスプレイ上に
画像(例えば2次電子像)を表示する。
【0012】(2) 一方、照射ランプ41から放射さ
れた光線は、コンデンサレンズ42によって集束され、
ハーフミラー43、ミラー44により反射され、対物レ
ンズ45で集束され、光線46として試料33を照射す
る。試料33から反射した光は、対物レンズ45で結像
され、ミラー44で反射し、ハーフミラー43を通過し
て撮像装置47に入射する。入射した光は、図示外のレ
ンズ系によって試料33上の像を生成して観察者が直接
に観察したり、あるいは撮像面に結像し電子線で走査し
て試料33上の像を電気信号に変換してディスプレイ装
置上に表示する。
れた光線は、コンデンサレンズ42によって集束され、
ハーフミラー43、ミラー44により反射され、対物レ
ンズ45で集束され、光線46として試料33を照射す
る。試料33から反射した光は、対物レンズ45で結像
され、ミラー44で反射し、ハーフミラー43を通過し
て撮像装置47に入射する。入射した光は、図示外のレ
ンズ系によって試料33上の像を生成して観察者が直接
に観察したり、あるいは撮像面に結像し電子線で走査し
て試料33上の像を電気信号に変換してディスプレイ装
置上に表示する。
【0013】以上のようにして、粒子線31例えば電子
線で試料33上を面走査して生成した2次電子像と、光
を試料33に照射して反射して生成した光学像とをディ
スプレイ上に表示し、低倍かつ広視野の光学像で広い範
囲に渡って全体を観察し、一方、高分解能の2次電子像
で非常に微細な構造を観察することで、全体の観察(位
置決め)と、微細な欠陥などの詳細観察とを両者を用い
て行うようにしていた。
線で試料33上を面走査して生成した2次電子像と、光
を試料33に照射して反射して生成した光学像とをディ
スプレイ上に表示し、低倍かつ広視野の光学像で広い範
囲に渡って全体を観察し、一方、高分解能の2次電子像
で非常に微細な構造を観察することで、全体の観察(位
置決め)と、微細な欠陥などの詳細観察とを両者を用い
て行うようにしていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかし、試料33が半
導体ウエハやマスクなどのように、高加速電圧の電子線
(粒子線31)を照射するとダメージを与えたりあるい
はチャージして分解能が低下してしまう試料であるある
場合、低加速電圧の粒子線を用いて試料33を照射して
像を得て観察しなければならず、そのために、粒子線装
置の特に対物レンズ32の内径と試料33との距離をで
きるだけ小さく(焦点距離fを小さく)して良質の画像
を得る必要がある。その結果、光学顕微鏡用の対物レン
ズ45を設置する空間がなくなり、試料33からはるか
離れた位置に対物レンズ45を移動しなければならな
い。このような条件では、光学像の分解能は低下し(試
料33に対する開き角度が小さくなり分解能が低下
し)、かつ暗い像となり、光学像を用いた高精度の位置
決めや、焦点位置の位置決めが正確に出来なくなるとい
う問題がある。
導体ウエハやマスクなどのように、高加速電圧の電子線
(粒子線31)を照射するとダメージを与えたりあるい
はチャージして分解能が低下してしまう試料であるある
場合、低加速電圧の粒子線を用いて試料33を照射して
像を得て観察しなければならず、そのために、粒子線装
置の特に対物レンズ32の内径と試料33との距離をで
きるだけ小さく(焦点距離fを小さく)して良質の画像
を得る必要がある。その結果、光学顕微鏡用の対物レン
ズ45を設置する空間がなくなり、試料33からはるか
離れた位置に対物レンズ45を移動しなければならな
い。このような条件では、光学像の分解能は低下し(試
料33に対する開き角度が小さくなり分解能が低下
し)、かつ暗い像となり、光学像を用いた高精度の位置
決めや、焦点位置の位置決めが正確に出来なくなるとい
う問題がある。
【0015】本発明は、これらの問題を解決するため、
粒子線装置の対物レンズの内径を小さくかつ試料との距
離を小さくして低加速電圧であっても高分解能かつ明る
い粒子線像を生成した状態で、かつウエハなどの試料の
裏面の近傍に光学顕微鏡用の対物レンズを配置し、試料
を透過あるいは反射した光をもとに高分解能かつ明るい
光学像を同時に生成することを目的としている。
粒子線装置の対物レンズの内径を小さくかつ試料との距
離を小さくして低加速電圧であっても高分解能かつ明る
い粒子線像を生成した状態で、かつウエハなどの試料の
裏面の近傍に光学顕微鏡用の対物レンズを配置し、試料
を透過あるいは反射した光をもとに高分解能かつ明るい
光学像を同時に生成することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】図1および図2を参照し
て課題を解決するための手段を説明する。図1および図
2において、粒子線1は、加速された荷電粒子(例えば
電子やイオンなどの荷電粒子)である。
て課題を解決するための手段を説明する。図1および図
2において、粒子線1は、加速された荷電粒子(例えば
電子やイオンなどの荷電粒子)である。
【0017】対物レンズ3は、粒子線1を試料4上に細
く絞るものである。試料4は、粒子線1を照射した状態
で平面走査してそのときに放出あるいは吸収された電子
やイオンなどを検出して粒子線像を表示したり、光を照
射して透過あるいは反射した光の像(光学像)を表示し
たりする対象の試料である。
く絞るものである。試料4は、粒子線1を照射した状態
で平面走査してそのときに放出あるいは吸収された電子
やイオンなどを検出して粒子線像を表示したり、光を照
射して透過あるいは反射した光の像(光学像)を表示し
たりする対象の試料である。
【0018】対物レンズ15、25は、試料4の裏面の
近傍に設けて光を試料4に照射し、透過あるいは反射し
た光を結像して光学像を生成するためのものである。次
に、動作を説明する。
近傍に設けて光を試料4に照射し、透過あるいは反射し
た光を結像して光学像を生成するためのものである。次
に、動作を説明する。
【0019】図1において、図示外の粒子線源から放出
された粒子線1は対物レンズ3によって細く絞られて試
料4上を照射した状態で、図示外の偏向系によって当該
試料4上で平面走査し、そのときに放出された荷電粒子
(例えば反射されて放出された1次電子/1次イオン、
放出された2次電子/2次イオン)やX線、光などを検
出あるいは吸収された電流を検出してディスプレイ装置
の画面上に輝度変調して粒子線像を表示する。同時に、
光を試料4の上から下の方向に照射して透過した光を、
当該試料4の裏面に配置した対物レンズ15によって結
像し撮像装置17で電気信号に変換してディスプレイ装
置の画面上に輝度変調して光学像を表示する。
された粒子線1は対物レンズ3によって細く絞られて試
料4上を照射した状態で、図示外の偏向系によって当該
試料4上で平面走査し、そのときに放出された荷電粒子
(例えば反射されて放出された1次電子/1次イオン、
放出された2次電子/2次イオン)やX線、光などを検
出あるいは吸収された電流を検出してディスプレイ装置
の画面上に輝度変調して粒子線像を表示する。同時に、
光を試料4の上から下の方向に照射して透過した光を、
当該試料4の裏面に配置した対物レンズ15によって結
像し撮像装置17で電気信号に変換してディスプレイ装
置の画面上に輝度変調して光学像を表示する。
【0020】また、図2において、光を試料4の裏面か
ら照射して反射した光を物レンズ25によって結像し撮
像装置27で電気信号に変換してディスプレイ装置の画
面上に輝度変調して光学像を表示する。
ら照射して反射した光を物レンズ25によって結像し撮
像装置27で電気信号に変換してディスプレイ装置の画
面上に輝度変調して光学像を表示する。
【0021】この際、試料4の上面から光を照射して透
過した透過光あるいは試料4の裏面から光を照射して反
射した反射光のうちの前者あるいは後者のいずれか一方
の光学像の信号を反転した後の光学像を表示すようにし
ている。
過した透過光あるいは試料4の裏面から光を照射して反
射した反射光のうちの前者あるいは後者のいずれか一方
の光学像の信号を反転した後の光学像を表示すようにし
ている。
【0022】また、倍率表示指示が、所定倍率以下のと
きに光学像を表示し、所定倍率以上のときに粒子線像に
切り替えて表示するようにしている。また、粒子線像と
光学像とを1つの表示装置に2分割して表示、あるいは
2つの表示装置にそれぞれ表示するようにしている。
きに光学像を表示し、所定倍率以上のときに粒子線像に
切り替えて表示するようにしている。また、粒子線像と
光学像とを1つの表示装置に2分割して表示、あるいは
2つの表示装置にそれぞれ表示するようにしている。
【0023】また、光学像の焦点があった位置の情報を
もとに、粒子線用の対物レンズ3の電流あるいは電圧を
制御して焦点合わせするようにしている。また、試料4
を板状にした、あるいは試料4を光学的に透明な板状支
持体の上に載置するようにしている。
もとに、粒子線用の対物レンズ3の電流あるいは電圧を
制御して焦点合わせするようにしている。また、試料4
を板状にした、あるいは試料4を光学的に透明な板状支
持体の上に載置するようにしている。
【0024】また、試料4を透過する波長の光を照射す
るようにしている。従って、粒子線装置の対物レンズ3
の内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速
電圧であっても高分解能かつ明るい粒子線像を生成した
状態で、かつウエハなどの試料4の裏面の近傍に光学顕
微鏡用の対物レンズ15、25を配置し、試料4の上面
から光を照射して透過した光あるいは試料の裏面から光
を照射して反射した光をもとに高分解能かつ明るい光学
像を生成することが可能となる。
るようにしている。従って、粒子線装置の対物レンズ3
の内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速
電圧であっても高分解能かつ明るい粒子線像を生成した
状態で、かつウエハなどの試料4の裏面の近傍に光学顕
微鏡用の対物レンズ15、25を配置し、試料4の上面
から光を照射して透過した光あるいは試料の裏面から光
を照射して反射した光をもとに高分解能かつ明るい光学
像を生成することが可能となる。
【0025】
【実施例】次に、図1および図2を用いて本発明の実施
の形態および動作を順次詳細に説明する。
の形態および動作を順次詳細に説明する。
【0026】図1は、本発明の1実施例構成図を示す。
これは、光を試料4の上から下の方向に照射し、当該試
料4を透過した透過光を対物レンズ15によって結像す
るときの構成図である。
これは、光を試料4の上から下の方向に照射し、当該試
料4を透過した透過光を対物レンズ15によって結像す
るときの構成図である。
【0027】図1において、粒子線1は、図示外の粒子
線源で加速された荷電粒子(例えば電子やイオンなどの
荷電粒子)である。中心軸2は、装置の光学系(ここで
は、粒子線1を対物レンズ3で試料4に結像するいわゆ
る光学系)の軸(収差などが最も小さくなる軸)であ
る。
線源で加速された荷電粒子(例えば電子やイオンなどの
荷電粒子)である。中心軸2は、装置の光学系(ここで
は、粒子線1を対物レンズ3で試料4に結像するいわゆ
る光学系)の軸(収差などが最も小さくなる軸)であ
る。
【0028】対物レンズ3は、粒子線1を試料4上で細
く絞って照射するものである。ここでは、対物レンズ3
は、低加速電圧の粒子線1を試料4上に細く絞るため
に、特に、収差(球面収差、色収差などの収差)を非常
に小さくする必要があり、そのために、当該対物レンズ
3の内径は小さくかつ当該対物レンズ3と試料4との距
離(焦点距離に対応するもの)を非常に小さくして、低
加速であっても十分な輝度(強度)を持つ細く絞った粒
子線スポットを試料4に照射するようにしている。この
ため、従来の図3の対物レンズ45を配置する場所がな
くなってしまったので、それを解決したものが、図1、
図2であって、光学像用の対物レンズ15,25を試料
4の裏面の近傍に配置している。
く絞って照射するものである。ここでは、対物レンズ3
は、低加速電圧の粒子線1を試料4上に細く絞るため
に、特に、収差(球面収差、色収差などの収差)を非常
に小さくする必要があり、そのために、当該対物レンズ
3の内径は小さくかつ当該対物レンズ3と試料4との距
離(焦点距離に対応するもの)を非常に小さくして、低
加速であっても十分な輝度(強度)を持つ細く絞った粒
子線スポットを試料4に照射するようにしている。この
ため、従来の図3の対物レンズ45を配置する場所がな
くなってしまったので、それを解決したものが、図1、
図2であって、光学像用の対物レンズ15,25を試料
4の裏面の近傍に配置している。
【0029】試料4は、高分解能の粒子線像および高視
野の光学像を表示する対象の試料であって、平板状、あ
るいは光学的に透明な平板状支持体(例えばプレパラー
ト)上に微小な試料(粉末や小さな生物試料など)を載
置したものである。この際、シリコンウエハなどの平板
状の試料では、その性質上、光を良く透過する波長が存
在、例えば1μmから数μm程度の赤外線(近赤外線)
では、可視光よりもよく通過するので、この良く通過す
る波長の光を試料4に合わせて照射することで、試料4
上に形成したマスクの形状や欠陥の形状などの良好な光
学像を表示することが可能となる。また、プレパラート
の上に載置した小さな粉末や有機物の表面を導電性処理
(例えば金やカーボンなどの薄い膜を生成して導電性処
理)を行うことで、高分可能の粒子線像と、高視野で位
置合わせがし易い光学像とを同時に表示することが可能
となる。
野の光学像を表示する対象の試料であって、平板状、あ
るいは光学的に透明な平板状支持体(例えばプレパラー
ト)上に微小な試料(粉末や小さな生物試料など)を載
置したものである。この際、シリコンウエハなどの平板
状の試料では、その性質上、光を良く透過する波長が存
在、例えば1μmから数μm程度の赤外線(近赤外線)
では、可視光よりもよく通過するので、この良く通過す
る波長の光を試料4に合わせて照射することで、試料4
上に形成したマスクの形状や欠陥の形状などの良好な光
学像を表示することが可能となる。また、プレパラート
の上に載置した小さな粉末や有機物の表面を導電性処理
(例えば金やカーボンなどの薄い膜を生成して導電性処
理)を行うことで、高分可能の粒子線像と、高視野で位
置合わせがし易い光学像とを同時に表示することが可能
となる。
【0030】ステージ5は、試料4を平面(X方向およ
びY方向)上で移動およびZ方向に移動し、所望の試料
4の場所の粒子線像および光学像を表示させるものであ
る。照明ランプ11は、光を放出するものであって、可
視光の他に、試料4を良く透過する波長の光(例えば1
μm程度の赤外線)を放出するものである。
びY方向)上で移動およびZ方向に移動し、所望の試料
4の場所の粒子線像および光学像を表示させるものであ
る。照明ランプ11は、光を放出するものであって、可
視光の他に、試料4を良く透過する波長の光(例えば1
μm程度の赤外線)を放出するものである。
【0031】コンデンサレンズ12は、照明ランプ11
から放出された光を集束するものである。ミラー13
は、コンデンサレンズ12によって集束(例えば平行に
近い光線に集束)した光を反射、ここでは、中心軸12
の下方向に反射すると共に、中央の中心軸12の部分に
粒子線1が通過する穴を設けたものである。
から放出された光を集束するものである。ミラー13
は、コンデンサレンズ12によって集束(例えば平行に
近い光線に集束)した光を反射、ここでは、中心軸12
の下方向に反射すると共に、中央の中心軸12の部分に
粒子線1が通過する穴を設けたものである。
【0032】入射線14は、ミラー13によって反射さ
れ、試料4に向けて放射される光線である。対物レンズ
15は、試料4の裏面の近傍に配置し、試料4を透過し
た光を結像するものである。この対物レンズ15は、図
示しないが、Z軸方向に移動可能とし、焦点合わせする
ようにしている。この際、焦点があったときのZ方向の
位置を検出して、粒子線用の対物レンズ3の電流あるい
は電圧を制御して粒子線1の焦点合わせを自動的に行っ
て粒子線像を得るようにしている(光学像用の対物レン
ズ15の焦点位置(Z位置)と、粒子線用の対物レンズ
3に印加する電流あるいは電圧との関係を予め測定して
おき、その測定値に対応する電流あるいは電圧を自動的
に対物レンズ3に供給/印加することで、自動焦点合せ
する)。
れ、試料4に向けて放射される光線である。対物レンズ
15は、試料4の裏面の近傍に配置し、試料4を透過し
た光を結像するものである。この対物レンズ15は、図
示しないが、Z軸方向に移動可能とし、焦点合わせする
ようにしている。この際、焦点があったときのZ方向の
位置を検出して、粒子線用の対物レンズ3の電流あるい
は電圧を制御して粒子線1の焦点合わせを自動的に行っ
て粒子線像を得るようにしている(光学像用の対物レン
ズ15の焦点位置(Z位置)と、粒子線用の対物レンズ
3に印加する電流あるいは電圧との関係を予め測定して
おき、その測定値に対応する電流あるいは電圧を自動的
に対物レンズ3に供給/印加することで、自動焦点合せ
する)。
【0033】透過光線16は、試料4を透過して対物レ
ンズ15で結像された光である。撮像装置17は、対物
レンズ15で結合された試料4を透過した透過光の像を
電気信号に変換し、図示外のディスプレイ装置の画面上
に輝度変調して光学像として表示するためのものであ
る。
ンズ15で結像された光である。撮像装置17は、対物
レンズ15で結合された試料4を透過した透過光の像を
電気信号に変換し、図示外のディスプレイ装置の画面上
に輝度変調して光学像として表示するためのものであ
る。
【0034】次に、図1の構成のもとで、粒子線像およ
び光学像を表示する動作を説明する。 (1) 図示外の粒子線源から放出された粒子線1が対
物レンズ3によって試料4上に細く絞られてスポット状
に照射された状態で、図示外の偏向系(偏向器とその制
御回路)によって当該粒子線スポットが面走査(X方向
およびY方向に走査)され、そのときに放出された粒子
線(反射電子/反射イオン、2次電子/2次イオン、X
線、光線)を検出、あるいは吸収された電流を検出し、
ディスプレイ装置の画面上に輝度変調して、試料4の拡
大した高分解能の粒子線像を表示する。
び光学像を表示する動作を説明する。 (1) 図示外の粒子線源から放出された粒子線1が対
物レンズ3によって試料4上に細く絞られてスポット状
に照射された状態で、図示外の偏向系(偏向器とその制
御回路)によって当該粒子線スポットが面走査(X方向
およびY方向に走査)され、そのときに放出された粒子
線(反射電子/反射イオン、2次電子/2次イオン、X
線、光線)を検出、あるいは吸収された電流を検出し、
ディスプレイ装置の画面上に輝度変調して、試料4の拡
大した高分解能の粒子線像を表示する。
【0035】(2) 照明ランプ11から放射された光
は、コンデンサレンズ12によって集束されてほぼ平行
光線となってミラー13で下方向に反射されて試料4を
照射する。試料4を通過した光は、当該試料4の裏面の
近傍に配置した対物レンズ15によって結像され、撮像
装置17によって結像された像が走査されて電気信号に
変換され、図示外のディスプレイ装置の画面上に輝度変
調され高視野の光学像を表示する。この際、電気信号の
極性を随時反転可能にしておき、必要に応じて反転した
光学像を表示する。また、倍率は、対物レンズ15を図
示外の交換機構によって交換して、異なる焦点距離の対
物レンズにして任意の倍率に調整する。また、撮像装置
17で像を所定の撮像管面に結像するときの倍率で若干
の倍率を変えるようにしてもよい。
は、コンデンサレンズ12によって集束されてほぼ平行
光線となってミラー13で下方向に反射されて試料4を
照射する。試料4を通過した光は、当該試料4の裏面の
近傍に配置した対物レンズ15によって結像され、撮像
装置17によって結像された像が走査されて電気信号に
変換され、図示外のディスプレイ装置の画面上に輝度変
調され高視野の光学像を表示する。この際、電気信号の
極性を随時反転可能にしておき、必要に応じて反転した
光学像を表示する。また、倍率は、対物レンズ15を図
示外の交換機構によって交換して、異なる焦点距離の対
物レンズにして任意の倍率に調整する。また、撮像装置
17で像を所定の撮像管面に結像するときの倍率で若干
の倍率を変えるようにしてもよい。
【0036】(3) 図示外のディスプレイ装置の画面
上には、試料4の同一位置を中心に、低倍率のときは高
視野の光学像を表示し、高倍率になると高分解能の粒子
線像に切り替えて表示する。この際、ディスプレイ装置
の画面を2つに分割あるいは2つのディスプレイ装置の
画面上に、光学像と、粒子線像とをそれぞれ同時にリア
ルタイムに表示するようにしてもよい。この同時表示の
場合には、試料4の同一場所を中心に、低倍率の高視野
の光学像と、高倍率の高分解能の粒子線像とを同時にリ
アルタイムに表示され、特に、高倍率で表示されている
粒子線像の場所を、低倍率の光学像で確認できる。
上には、試料4の同一位置を中心に、低倍率のときは高
視野の光学像を表示し、高倍率になると高分解能の粒子
線像に切り替えて表示する。この際、ディスプレイ装置
の画面を2つに分割あるいは2つのディスプレイ装置の
画面上に、光学像と、粒子線像とをそれぞれ同時にリア
ルタイムに表示するようにしてもよい。この同時表示の
場合には、試料4の同一場所を中心に、低倍率の高視野
の光学像と、高倍率の高分解能の粒子線像とを同時にリ
アルタイムに表示され、特に、高倍率で表示されている
粒子線像の場所を、低倍率の光学像で確認できる。
【0037】以上のように、粒子線用の対物レンズ3の
内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速電
圧であっても高分解能の粒子線像を表示すると同時に、
試料4の裏面に光学像用の対物レンズ15を配置して透
過光を当該対物レンズ15で結像して高視野の光学像を
表示することで、フォトマスクやステンシルマスクなど
の平板状の試料4について、特に、低加速電圧で高分解
能の粒子線像の表示と同時かつリアルタイムに試料4の
同一場所の高視野の明るい光学像を表示することが可能
となった。これにより、光学像による高精度の位置合せ
や位置の確認を行いつつ、高分解能の粒子線像によって
微細なパターン欠陥などを見つけたり、その位置を特定
したりすることが容易に可能となった。
内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速電
圧であっても高分解能の粒子線像を表示すると同時に、
試料4の裏面に光学像用の対物レンズ15を配置して透
過光を当該対物レンズ15で結像して高視野の光学像を
表示することで、フォトマスクやステンシルマスクなど
の平板状の試料4について、特に、低加速電圧で高分解
能の粒子線像の表示と同時かつリアルタイムに試料4の
同一場所の高視野の明るい光学像を表示することが可能
となった。これにより、光学像による高精度の位置合せ
や位置の確認を行いつつ、高分解能の粒子線像によって
微細なパターン欠陥などを見つけたり、その位置を特定
したりすることが容易に可能となった。
【0038】図2は、本発明の他の実施例構成図を示
す。これは、光を試料4の裏面から照射して反射した反
射光を対物レンズ25によって結像するときの構成図で
ある。ここで、図2の粒子線1、中心軸2、対物レンズ
3、試料4、ステージ5、照明ランプ21、コンデンサ
レンズ22は、図1の粒子線1、中心軸2、対物レンズ
3、試料4、ステージ5、照明ランプ11、コンデンサ
レンズ12に対応してそれぞれ同一であるので、説明を
省略する。
す。これは、光を試料4の裏面から照射して反射した反
射光を対物レンズ25によって結像するときの構成図で
ある。ここで、図2の粒子線1、中心軸2、対物レンズ
3、試料4、ステージ5、照明ランプ21、コンデンサ
レンズ22は、図1の粒子線1、中心軸2、対物レンズ
3、試料4、ステージ5、照明ランプ11、コンデンサ
レンズ12に対応してそれぞれ同一であるので、説明を
省略する。
【0039】図2において、ハーフミラー23は、コン
デンサレンズ22によって集束(例えば平行に近い光線
に集束)した光を反射、ここでは、中心軸12の上方向
に反射したり、試料4から反射して対物レンズ25によ
って結像された反射光線をここでは下方向に通過させた
りするものである。
デンサレンズ22によって集束(例えば平行に近い光線
に集束)した光を反射、ここでは、中心軸12の上方向
に反射したり、試料4から反射して対物レンズ25によ
って結像された反射光線をここでは下方向に通過させた
りするものである。
【0040】入射線24は、ハーフミラー23によって
上方向に反射された光線である。対物レンズ25は、ハ
ーフミラー23で反射された入射線24を試料4の背面
から照射したり、反射して帰ってきた光線を結像したり
するものである。
上方向に反射された光線である。対物レンズ25は、ハ
ーフミラー23で反射された入射線24を試料4の背面
から照射したり、反射して帰ってきた光線を結像したり
するものである。
【0041】反射光線26は、対物レンズ25によって
結像されハーフミラー23を透過した光線である。撮像
装置27は、反射光線26を入射して像を撮像管などの
結像面に結像し、走査して電気信号に変換してディスプ
レイ装置の画面上で輝度変調して光学像を表示させるも
のである。
結像されハーフミラー23を透過した光線である。撮像
装置27は、反射光線26を入射して像を撮像管などの
結像面に結像し、走査して電気信号に変換してディスプ
レイ装置の画面上で輝度変調して光学像を表示させるも
のである。
【0042】次に、図2の構成のもとで、粒子線像およ
び光学像を表示する動作を説明する。 (1) ここで、粒子線像の表示は、既述した図1の
(1)と同一であるので、説明を省略する。
び光学像を表示する動作を説明する。 (1) ここで、粒子線像の表示は、既述した図1の
(1)と同一であるので、説明を省略する。
【0043】(2) 照明ランプ21から放射された光
は、コンデンサレンズ22によって集束されてほぼ平行
光線となってハーフミラー23で上方向に反射されて対
物レンズ25を介して試料4の裏面から照射する。試料
4から反射された光は、対物レンズ25によって結像さ
れ、ハーフミラー23をここでは透過して撮像装置27
に入射し、当該撮像装置27の撮像管の結像面に結像さ
れた像が走査されて電気信号に変換され、図示外のディ
スプレイ装置の画面上に輝度変調され高視野の光学像を
表示する。この際、電気信号の極性を随時反転可能にし
ておき、必要に応じて反転した光学像を表示する。ま
た、倍率は、対物レンズ25を図示外の交換機構によっ
て交換して、異なる焦点距離の対物レンズ25にして任
意の倍率に調整する。また、撮像装置27で像を所定の
撮像管面に結像するときの倍率で若干の倍率を変えるよ
うにしてもよい。
は、コンデンサレンズ22によって集束されてほぼ平行
光線となってハーフミラー23で上方向に反射されて対
物レンズ25を介して試料4の裏面から照射する。試料
4から反射された光は、対物レンズ25によって結像さ
れ、ハーフミラー23をここでは透過して撮像装置27
に入射し、当該撮像装置27の撮像管の結像面に結像さ
れた像が走査されて電気信号に変換され、図示外のディ
スプレイ装置の画面上に輝度変調され高視野の光学像を
表示する。この際、電気信号の極性を随時反転可能にし
ておき、必要に応じて反転した光学像を表示する。ま
た、倍率は、対物レンズ25を図示外の交換機構によっ
て交換して、異なる焦点距離の対物レンズ25にして任
意の倍率に調整する。また、撮像装置27で像を所定の
撮像管面に結像するときの倍率で若干の倍率を変えるよ
うにしてもよい。
【0044】(3) 図示外のディスプレイ装置の画面
上には、試料4の同一位置を中心に、低倍率のときは高
視野の光学像を表示し、高倍率になると高分解能の粒子
線像に切り替えて表示する。この際、ディスプレイ装置
の画面を2つに分割あるいは2つのディスプレイ装置の
画面上に、光学像と、粒子線像とをそれぞれ同時にリア
ルタイムに表示するようにしてもよい。この同時表示の
場合には、試料4の同一場所を中心に、低倍率の高視野
の光学像と、高倍率の高分解能の粒子線像とを同時にリ
アルタイムに表示され、特に、高倍率で表示されている
粒子線像の場所を、低倍率の光学像で確認できる。
上には、試料4の同一位置を中心に、低倍率のときは高
視野の光学像を表示し、高倍率になると高分解能の粒子
線像に切り替えて表示する。この際、ディスプレイ装置
の画面を2つに分割あるいは2つのディスプレイ装置の
画面上に、光学像と、粒子線像とをそれぞれ同時にリア
ルタイムに表示するようにしてもよい。この同時表示の
場合には、試料4の同一場所を中心に、低倍率の高視野
の光学像と、高倍率の高分解能の粒子線像とを同時にリ
アルタイムに表示され、特に、高倍率で表示されている
粒子線像の場所を、低倍率の光学像で確認できる。
【0045】以上のように、粒子線用の対物レンズ3の
内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速電
圧であっても高分解能の粒子線像を表示すると同時に、
試料4の裏面に光学像用の対物レンズ15を配置して反
射光を当該対物レンズ15で結像して高視野の光学像を
表示することで、フォトマスクやステンシルマスクなど
の平板状の試料4について、特に、低加速電圧で高分解
能の粒子線像の表示と同時かつリアルタイムに試料4の
同一場所の高視野の明るい光学像を表示することが可能
となった。これにより、光学像による高精度の位置合せ
や位置の確認を行いつつ、高分解能の粒子線像によって
微細なパターン欠陥などを見つけたり、その位置を特定
したりすることが容易に可能となった。
内径を小さくかつ試料4との距離を小さくして低加速電
圧であっても高分解能の粒子線像を表示すると同時に、
試料4の裏面に光学像用の対物レンズ15を配置して反
射光を当該対物レンズ15で結像して高視野の光学像を
表示することで、フォトマスクやステンシルマスクなど
の平板状の試料4について、特に、低加速電圧で高分解
能の粒子線像の表示と同時かつリアルタイムに試料4の
同一場所の高視野の明るい光学像を表示することが可能
となった。これにより、光学像による高精度の位置合せ
や位置の確認を行いつつ、高分解能の粒子線像によって
微細なパターン欠陥などを見つけたり、その位置を特定
したりすることが容易に可能となった。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
粒子線装置の対物レンズ3の内径を小さくかつ試料4と
の距離を小さくして低加速電圧であっても高分解能かつ
明るい粒子線像を生成した状態で、かつウエハなどの試
料4の裏面の近傍に光学顕微鏡用の対物レンズ15、2
5を配置し、試料4の上面から光を照射して透過した光
あるいは試料4の裏面から光を照射して反射した光をも
とに高分解能かつ明るい光学像を生成することが可能と
なる。これにより、低加速電圧で高分解能の粒子線像の
表示と同時かつリアルタイムに、試料4の同一場所の高
視野の明るい光学像を表示することが可能となり、見慣
れた光学像による高精度の位置合せや位置の確認を行い
つつ、かつ高分解能の粒子線像によって微細なパターン
欠陥などを見つけたり、その位置を特定したりすること
が容易に可能となった。
粒子線装置の対物レンズ3の内径を小さくかつ試料4と
の距離を小さくして低加速電圧であっても高分解能かつ
明るい粒子線像を生成した状態で、かつウエハなどの試
料4の裏面の近傍に光学顕微鏡用の対物レンズ15、2
5を配置し、試料4の上面から光を照射して透過した光
あるいは試料4の裏面から光を照射して反射した光をも
とに高分解能かつ明るい光学像を生成することが可能と
なる。これにより、低加速電圧で高分解能の粒子線像の
表示と同時かつリアルタイムに、試料4の同一場所の高
視野の明るい光学像を表示することが可能となり、見慣
れた光学像による高精度の位置合せや位置の確認を行い
つつ、かつ高分解能の粒子線像によって微細なパターン
欠陥などを見つけたり、その位置を特定したりすること
が容易に可能となった。
【図1】本発明の1実施例構成図である。
【図2】本発明の他の実施例構成図である。
【図3】従来技術の説明図である。
1:粒子線 2:中心軸(軸) 3:対物レンズ 4:試料 5:ステージ 11、21:照明ランプ 12、22:コンデンサレンズ 13:ミラー 14、24:入射線 15、25:対物レンズ 16:透過光線 17、27:撮像装置 23:ハーフミラー 26:反射光線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 21/36 G02B 21/36 G03F 1/00 G03F 1/00 V H01J 37/21 H01J 37/21 B 37/28 37/28 B H01L 21/66 H01L 21/66 J Fターム(参考) 2G001 AA03 AA05 AA07 AA09 AA10 AA20 BA06 BA07 BA11 BA15 CA01 CA03 CA05 CA07 CA10 GA06 GA09 GA11 HA09 HA12 HA20 JA02 JA13 KA03 KA20 LA01 LA11 LA20 MA05 RA08 SA29 2H052 AB01 AC01 AC30 AF21 2H095 AB28 BA01 BA08 BB09 BB10 BB12 BD02 BD14 4M106 AA01 AA09 BA02 BA04 BA08 CA38 CA39 DB04 DB05 DB07 DB12 DB13 DB18 DJ04 DJ05 DJ23 5C033 MM01 UU03 UU05 UU06
Claims (7)
- 【請求項1】粒子線を発生する粒子線源と、 上記発生された粒子線を細く絞って試料に照射する粒子
線用の対物レンズと、 上記細く絞って試料に粒子線を照射した状態で、当該粒
子線を面走査する偏向系と、 上記粒子線を試料に照射したときに放出される荷電粒子
を検出あるいは吸収された電流を検出してディスプレイ
上に輝度変調して粒子線像を表示する粒子線像表示手段
とを備えた観察装置において、 上記試料の裏面の近傍に配置した光学顕微鏡用の対物レ
ンズと、 上記試料の上面から光を照射、あるいは上記試料の裏面
から光を照射する光照射手段と、 上記光学顕微鏡用の対物レンズによって結像した光学像
を表示する光学像表示手段とを備えたことを特徴とする
試料観察装置。 - 【請求項2】上記試料の上面から光を照射して透過した
透過光あるいは上記試料の裏面から光を照射して反射し
た反射光のうちの前者あるいは後者のいずれか一方の光
学像の信号を反転した後の光学像を表示することを特徴
とする請求項1記載の試料観察装置。 - 【請求項3】倍率表示指示が、所定倍率以下のときに上
記光学像を表示し、所定倍率以上のときに上記粒子線像
に切り替えて表示する手段を備えたことを特徴とする請
求項1あるいは請求項2記載の試料観察装置。 - 【請求項4】上記粒子線像と上記光学像とを1つの表示
装置に2分割して表示、あるいは2つの表示装置にそれ
ぞれ表示することを特徴とする請求項1あるいは請求項
2記載の試料観察装置。 - 【請求項5】上記光学像の焦点があった位置の情報をも
とに、上記粒子線用の対物レンズの電流あるいは電圧を
制御して焦点合わせする制御手段を備えたことを特徴と
する請求項1から請求項4のいずれかに記載の試料観察
装置。 - 【請求項6】上記試料を板状にした、あるいは試料を光
学的に透明な板状支持体の上に載置したことを特徴とす
る請求項1から請求項5のいずれかに記載の試料観察装
置。 - 【請求項7】上記試料を透過する波長の光を照射するこ
とを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載
の試料観察装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2881199A JP2000228166A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 試料観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2881199A JP2000228166A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 試料観察装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000228166A true JP2000228166A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12258807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2881199A Pending JP2000228166A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 試料観察装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000228166A (ja) |
Cited By (7)
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---|---|---|---|---|
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JP2004340631A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Sony Corp | 基板検査装置 |
JP2006310223A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ebara Corp | 試料検査装置 |
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WO2013051357A1 (ja) * | 2011-10-05 | 2013-04-11 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 検査又は観察装置及び試料の検査又は観察方法 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP2881199A patent/JP2000228166A/ja active Pending
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