JP2000223911A - 集中定数型非可逆回路素子 - Google Patents
集中定数型非可逆回路素子Info
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- JP2000223911A JP2000223911A JP11024682A JP2468299A JP2000223911A JP 2000223911 A JP2000223911 A JP 2000223911A JP 11024682 A JP11024682 A JP 11024682A JP 2468299 A JP2468299 A JP 2468299A JP 2000223911 A JP2000223911 A JP 2000223911A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、薄型化が可能な集中定数型非可逆回
路素子を提供する。 【解決手段】 永久磁石として、(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ
［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)２Ｏ ３］（原子比率）(ＡはＳｒお
よび／またはＢａ、ＲはＹを含む希土類元素の少なくと
も１種であり、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる
群から選ばれた少なくと1種）、０.０１≦ｘ≦０.４、
[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ≦[ｘ／(１.６ｎ)]、５≦ｎ≦６で
表される基本組成を有し、実質的にマグネトプランバイ
ト型結晶構造を有するフェライト磁石を用いた集中定数
型非可逆回路素子。
路素子を提供する。 【解決手段】 永久磁石として、(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ
［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)２Ｏ ３］（原子比率）(ＡはＳｒお
よび／またはＢａ、ＲはＹを含む希土類元素の少なくと
も１種であり、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる
群から選ばれた少なくと1種）、０.０１≦ｘ≦０.４、
[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ≦[ｘ／(１.６ｎ)]、５≦ｎ≦６で
表される基本組成を有し、実質的にマグネトプランバイ
ト型結晶構造を有するフェライト磁石を用いた集中定数
型非可逆回路素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波通信機
器に使用されるアイソレータ、サーキュレータなどの集
中定数型非可逆回路素子に関する。
器に使用されるアイソレータ、サーキュレータなどの集
中定数型非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にアイソレータ、サーキュレータ等
の非可逆回路素子は、信号の伝送方向にはほとんど減衰
がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなるような機能を
有しており、例えばマイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用され
る携帯電話、自動車電話等の移動体通信機器の送受信回
路部に用いられている。
の非可逆回路素子は、信号の伝送方向にはほとんど減衰
がなく、かつ逆方向には減衰が大きくなるような機能を
有しており、例えばマイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用され
る携帯電話、自動車電話等の移動体通信機器の送受信回
路部に用いられている。
【０００３】図４に、従来例の集中定数型アイソレータ
の分解斜視図を示す。この従来例は、下ケース２１上に
アース板３０を配置し、その上にセラミック基板４０が
配置される。このセラミック基板４０は、容量素子を構
成する電極パターン４３、４４、４５が形成され、中央
に貫通穴４１を有する。この容量素子用電極パターンの
一つ４５は、ダミー抵抗４６に接続され、更にダミー抵
抗４６はアース電極４７に接続されている。このアース
電極４７はスルーホール４９でアース板３０に接続され
る。このセラミック基板４０の貫通穴４１には、中心導
体部が配置される。この中心導体部は、フェライト円板
（フェリ磁性体）５０を包むように折り込まれた中心導
体５６、５７、５８からなり、各中心導体間は絶縁され
ている。そして、永久磁石６０が接着された上ケース６
１を下ケース２１にはめ合わせ、構成されている。中心
導体５７、５８は、上ケース６１と下ケース２１の間６
２から外部に引き出され、入出力端子を構成している。
の分解斜視図を示す。この従来例は、下ケース２１上に
アース板３０を配置し、その上にセラミック基板４０が
配置される。このセラミック基板４０は、容量素子を構
成する電極パターン４３、４４、４５が形成され、中央
に貫通穴４１を有する。この容量素子用電極パターンの
一つ４５は、ダミー抵抗４６に接続され、更にダミー抵
抗４６はアース電極４７に接続されている。このアース
電極４７はスルーホール４９でアース板３０に接続され
る。このセラミック基板４０の貫通穴４１には、中心導
体部が配置される。この中心導体部は、フェライト円板
（フェリ磁性体）５０を包むように折り込まれた中心導
体５６、５７、５８からなり、各中心導体間は絶縁され
ている。そして、永久磁石６０が接着された上ケース６
１を下ケース２１にはめ合わせ、構成されている。中心
導体５７、５８は、上ケース６１と下ケース２１の間６
２から外部に引き出され、入出力端子を構成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この集中定数型非可逆
回路素子が用いられる携帯電話などのマイクロ波通信機
器の小型、薄型化の要求は強く、低コストで、かつ小
型、薄型の集中定数型非可逆回路素子が強く望まれてい
る。もちろん、非可逆回路素子としての特性を満足させ
る必要がある。このため、面実装タイプとすること、チ
ップコンデンサ、平板コンデンサを用いることなど、種
々の構成が検討されている。
回路素子が用いられる携帯電話などのマイクロ波通信機
器の小型、薄型化の要求は強く、低コストで、かつ小
型、薄型の集中定数型非可逆回路素子が強く望まれてい
る。もちろん、非可逆回路素子としての特性を満足させ
る必要がある。このため、面実装タイプとすること、チ
ップコンデンサ、平板コンデンサを用いることなど、種
々の構成が検討されている。
【０００５】また、従来用いていた永久磁石は、フェラ
イト磁石（ＳｒＯ・ｎＦｅ２Ｏ３）が一般的であり、フ
ェリ磁性体として用いるガーネットフェライトとの相性
もあって、その他の磁石はあまり検討されなかった。
イト磁石（ＳｒＯ・ｎＦｅ２Ｏ３）が一般的であり、フ
ェリ磁性体として用いるガーネットフェライトとの相性
もあって、その他の磁石はあまり検討されなかった。
【０００６】本発明は、以上のことから、小型化、薄型
化が可能な集中定数型非可逆回路素子を提供することを
目的とする。
化が可能な集中定数型非可逆回路素子を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の中心導
体、該中心導体に近接して配置されるフェリ磁性体、前
記中心導体に接続される容量成分、前記フェリ磁性体に
直流磁界を印可する永久磁石を有し、これらを磁性ヨー
クを兼ねる金属ケース内に配置してなる集中定数型非可
逆回路素子であって、前記永久磁石として、(Ａ１−ｘ
Ｒｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)２Ｏ３］（原子比率）
(ＡはＳｒおよび／またはＢａ、ＲはＹを含む希土類元
素の少なくとも１種であり、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及び
Ｚｎからなる群から選ばれた少なくと1種）、０.０１≦
ｘ≦０.４、[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ≦[ｘ／(１.６ｎ)]、
５≦ｎ≦６で表される基本組成を有し、実質的にマグネ
トプランバイト型結晶構造を有するフェライト磁石を用
いたことを特徴とする集中定数型非可逆回路素子であ
る。
体、該中心導体に近接して配置されるフェリ磁性体、前
記中心導体に接続される容量成分、前記フェリ磁性体に
直流磁界を印可する永久磁石を有し、これらを磁性ヨー
クを兼ねる金属ケース内に配置してなる集中定数型非可
逆回路素子であって、前記永久磁石として、(Ａ１−ｘ
Ｒｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)２Ｏ３］（原子比率）
(ＡはＳｒおよび／またはＢａ、ＲはＹを含む希土類元
素の少なくとも１種であり、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及び
Ｚｎからなる群から選ばれた少なくと1種）、０.０１≦
ｘ≦０.４、[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ≦[ｘ／(１.６ｎ)]、
５≦ｎ≦６で表される基本組成を有し、実質的にマグネ
トプランバイト型結晶構造を有するフェライト磁石を用
いたことを特徴とする集中定数型非可逆回路素子であ
る。
【０００８】
【０００９】本発明では、フェリ磁性体に直流磁界を印
可する永久磁石として、以下に示す永久磁石を用いるこ
とにより、小型化、薄型化が可能となることを見出した
ものである。(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)
２Ｏ３］（原子比率）(ＡはＳｒおよび／またはＢａ、
ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、Ｍは
Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる群から選ばれた少な
くと1種）、０.０１≦ｘ≦０.４、[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ
≦[ｘ／(１.６ｎ)]、５≦ｎ≦６で表される基本組成を
有し、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有す
るフェライト磁石である。
可する永久磁石として、以下に示す永久磁石を用いるこ
とにより、小型化、薄型化が可能となることを見出した
ものである。(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙＭｙ)
２Ｏ３］（原子比率）(ＡはＳｒおよび／またはＢａ、
ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、Ｍは
Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる群から選ばれた少な
くと1種）、０.０１≦ｘ≦０.４、[ｘ／(２.６ｎ)]≦ｙ
≦[ｘ／(１.６ｎ)]、５≦ｎ≦６で表される基本組成を
有し、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有す
るフェライト磁石である。
【００１０】上記永久磁石において、Ｒ元素及び／又は
Ｍ元素が化合物の状態で仮焼後の粉砕工程で添加されて
いることが好ましい。またＲ元素及び／又はＭ元素が化
合物の状態で仮焼前の混合工程で添加されているととも
に、仮焼後の粉砕工程でも添加されていることが好まし
い。
Ｍ元素が化合物の状態で仮焼後の粉砕工程で添加されて
いることが好ましい。またＲ元素及び／又はＭ元素が化
合物の状態で仮焼前の混合工程で添加されているととも
に、仮焼後の粉砕工程でも添加されていることが好まし
い。
【００１１】いずれの場合も、Ｒ元素の濃度がマグネト
プランバイト型結晶粒内よりも粒界の方が高くなってい
るのが好ましい。Ｒ元素がＬａでＭ元素がＣｏのとき、
又Ｒ元素がＬａでＭ元素がＣｏとＭｎ及び／又はＺｎで
あるとき、特に優れた磁気特性を得ることができる。
プランバイト型結晶粒内よりも粒界の方が高くなってい
るのが好ましい。Ｒ元素がＬａでＭ元素がＣｏのとき、
又Ｒ元素がＬａでＭ元素がＣｏとＭｎ及び／又はＺｎで
あるとき、特に優れた磁気特性を得ることができる。
【００１２】ｎ値が６を超える場合にはマグネトプラン
バイト相以外の異相（例えばα−Ｆｅ２Ｏ３）が生成
し、磁気特性が大きく低下する。またｎ値が５未満の場
合にはＢｒが大きく低下する。ｘ値が０．０１未満であ
れば、後添加又は前／後添加の効果が不十分であり、ま
た０．４を超えれば逆に磁気特性が低下する。またＭ元
素はＣｏ単独であるか、ＣｏとＭｎ及び／又はＮｉであ
るのが好ましい。
バイト相以外の異相（例えばα−Ｆｅ２Ｏ３）が生成
し、磁気特性が大きく低下する。またｎ値が５未満の場
合にはＢｒが大きく低下する。ｘ値が０．０１未満であ
れば、後添加又は前／後添加の効果が不十分であり、ま
た０．４を超えれば逆に磁気特性が低下する。またＭ元
素はＣｏ単独であるか、ＣｏとＭｎ及び／又はＮｉであ
るのが好ましい。
【００１３】この本発明の磁石によれば、従来のフェラ
イト磁石に比較し、高い磁力を有し、しかもフェリ磁性
体との相性も良く、集中定数型非可逆回路素子の小型
化、薄型化を達成することができる。
イト磁石に比較し、高い磁力を有し、しかもフェリ磁性
体との相性も良く、集中定数型非可逆回路素子の小型
化、薄型化を達成することができる。
【００１４】また、従来の集中定数型非可逆回路素子の
用いられる周波数は、１ＭＨｚから２ＧＨｚ付近であ
り、２ＧＨｚを超える高い周波数に対しては、満足する
特性が得られる集中定数型非可逆回路素子を構成するこ
とは出来なかった。そのため、このような高い周波数で
は、分布定数型の非可逆回路素子が用いられている。本
発明によれば、上記した永久磁石を用いることにより、
２ＧＨｚを超える周波数帯で用いることができる集中定
数型非可逆回路素子を得ることができ、しかも小型に構
成することができた。
用いられる周波数は、１ＭＨｚから２ＧＨｚ付近であ
り、２ＧＨｚを超える高い周波数に対しては、満足する
特性が得られる集中定数型非可逆回路素子を構成するこ
とは出来なかった。そのため、このような高い周波数で
は、分布定数型の非可逆回路素子が用いられている。本
発明によれば、上記した永久磁石を用いることにより、
２ＧＨｚを超える周波数帯で用いることができる集中定
数型非可逆回路素子を得ることができ、しかも小型に構
成することができた。
【００１５】本発明に係る一実施例の分解斜視図を図１
に示す。この実施例は、円板状のシールド板から放射状
に３つの中心導体４、５、６が突出した構造の導電板を
用意し、その導電板の円板状部にフェライト円板３（フ
ェリ磁性体）を配置する。そして、３つの中心導体４、
５、６を折り曲げて重ねる。このとき、各中心導体４、
５、６は絶縁されて重ねられる。このようにして、中心
導体部分が構成される。
に示す。この実施例は、円板状のシールド板から放射状
に３つの中心導体４、５、６が突出した構造の導電板を
用意し、その導電板の円板状部にフェライト円板３（フ
ェリ磁性体）を配置する。そして、３つの中心導体４、
５、６を折り曲げて重ねる。このとき、各中心導体４、
５、６は絶縁されて重ねられる。このようにして、中心
導体部分が構成される。
【００１６】次に樹脂ケース７は、中央に、中心導体部
分用の円形状の凹部１３ａを有し、その周囲に容量素子
用の凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを有する。この凹部１
３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの底部には、アース電極
１４ａが形成されている。そして、このアース電極１４
ａは、一体の導体板で構成されており、底面側では露出
し、かつ側面部の外部端子のうちアース用の外部端子
（１５ａ、１５ｂ等）を構成している。また、中心導体
が接続される端子電極部１６ａ、１６ｂ、１６ｃが形成
されている。この端子電極部１６ａ、１６ｂ、１６ｃは
側面の外部端子（１５ｃ等）に導通している。また、抵
抗素子を配置するための貫通凹部１７が形成されてい
る。
分用の円形状の凹部１３ａを有し、その周囲に容量素子
用の凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを有する。この凹部１
３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの底部には、アース電極
１４ａが形成されている。そして、このアース電極１４
ａは、一体の導体板で構成されており、底面側では露出
し、かつ側面部の外部端子のうちアース用の外部端子
（１５ａ、１５ｂ等）を構成している。また、中心導体
が接続される端子電極部１６ａ、１６ｂ、１６ｃが形成
されている。この端子電極部１６ａ、１６ｂ、１６ｃは
側面の外部端子（１５ｃ等）に導通している。また、抵
抗素子を配置するための貫通凹部１７が形成されてい
る。
【００１７】そして、下ケース１２上に樹脂ケース７が
配置される。このとき、下ケース１２と樹脂ケース７の
アース電極１４ａとは導通する。このアース電極１４ａ
と下ケース１２とは、広い設置面積で対向し、十分なア
ースをとることが出来る。下ケース１２は、樹脂ケース
７の底部の凹部１８に合致する構造となっている。これ
により、樹脂ケース７の外部端子での面実装を可能とし
ている。
配置される。このとき、下ケース１２と樹脂ケース７の
アース電極１４ａとは導通する。このアース電極１４ａ
と下ケース１２とは、広い設置面積で対向し、十分なア
ースをとることが出来る。下ケース１２は、樹脂ケース
７の底部の凹部１８に合致する構造となっている。これ
により、樹脂ケース７の外部端子での面実装を可能とし
ている。
【００１８】この樹脂ケース７の容量素子用の凹部１３
ｂ、１３ｃ、１３ｄにそれぞれ容量素子８、９、１０を
挿入する。この容量素子は、その上下面に電極が形成さ
れた平板コンデンサであり、下面の電極と凹部の底部に
形成されたアース電極１４ａとは半田接続される。ま
た、抵抗素子用の貫通凹部１７に抵抗素子１１が配置さ
れ、抵抗素子１１の一方の電極は、貫通凹部１７の下に
ある下ケース１２上に配置され、半田接続される。
ｂ、１３ｃ、１３ｄにそれぞれ容量素子８、９、１０を
挿入する。この容量素子は、その上下面に電極が形成さ
れた平板コンデンサであり、下面の電極と凹部の底部に
形成されたアース電極１４ａとは半田接続される。ま
た、抵抗素子用の貫通凹部１７に抵抗素子１１が配置さ
れ、抵抗素子１１の一方の電極は、貫通凹部１７の下に
ある下ケース１２上に配置され、半田接続される。
【００１９】次いで、樹脂ケース７の中央の中心導体部
分用の円形状の凹部１３ａに、上記した中心導体部分を
配置する。このとき、中心導体部分の円板状のシールド
板は、アース電極１４ａと半田接続される。これによ
り、中心導体の一端はアース接続される。
分用の円形状の凹部１３ａに、上記した中心導体部分を
配置する。このとき、中心導体部分の円板状のシールド
板は、アース電極１４ａと半田接続される。これによ
り、中心導体の一端はアース接続される。
【００２０】そして、中心導体４の一端は、容量素子８
の上面の電極と抵抗素子１１の一方の端子電極２５に接
続される。また、中心導体５の一端は、容量素子９の上
面の電極と端子電極部１６ｂに接続される。また、中心
導体６の一端は、容量素子１０の上面の電極と端子電極
部１６ｃに接続される。このとき、端子電極部１６ｂ、
１６ｃの高さは、容量素子９、１０の上面の電極の高さ
と一致するように構成し、中心導体の接続性を良くして
いる。
の上面の電極と抵抗素子１１の一方の端子電極２５に接
続される。また、中心導体５の一端は、容量素子９の上
面の電極と端子電極部１６ｂに接続される。また、中心
導体６の一端は、容量素子１０の上面の電極と端子電極
部１６ｃに接続される。このとき、端子電極部１６ｂ、
１６ｃの高さは、容量素子９、１０の上面の電極の高さ
と一致するように構成し、中心導体の接続性を良くして
いる。
【００２１】そして、フェライト円板３に直流磁界を印
加する永久磁石２を上ケース１に位置決めし、上ケース
１と下ケース１２を接合させて、アイソレータを構成し
た。
加する永久磁石２を上ケース１に位置決めし、上ケース
１と下ケース１２を接合させて、アイソレータを構成し
た。
【００２２】本実施例では、永久磁石２は、矩形状であ
り、上ケース１の内面に位置決めされ、永久磁石２の側
面の周囲と上ケースの内面とはほぼ密着状態で配置され
ている。永久磁石を矩形状とし、上ケースとほぼ密着状
態とすることにより、ケース内いっぱいに永久磁石を配
置でき、小型化に際し、有利である。
り、上ケース１の内面に位置決めされ、永久磁石２の側
面の周囲と上ケースの内面とはほぼ密着状態で配置され
ている。永久磁石を矩形状とし、上ケースとほぼ密着状
態とすることにより、ケース内いっぱいに永久磁石を配
置でき、小型化に際し、有利である。
【００２３】この実施例の永久磁石２について、以下に
説明する。ＳｒＣＯ３及びＦｅ２Ｏ３をＳｒＯ・ｎＦｅ
２Ｏ３（ｎ＝５．９）の基本組成になるように配合し、
湿式混合した後、１２５０℃で２時間大気中で仮焼し
た。仮焼粉をローラーミルで乾式粉砕を行い粗粉とし
た。その後アトライターにより湿式微粉砕を行い、平均
粒径が約０．８μｍの微粉を含むスラリーを得た。粗粉
の微粉砕工程の初期に、粗粉重量を基準にして２．５重
量％のＬａ２Ｏ３及び１．２重量％のＣｏ３Ｏ４を添加
するとともに、２〜８重量％のＦｅ３Ｏ４（マグネタイ
ト）を添加した。さらに粗粉の微粉砕工程の初期に、粗
粉重量を基準にして０．１重量%のＳｒＣＯ３、１．０
重量%のＣａＣＯ３及び０．３重量%のＳｉＯ２を焼結助
剤として添加した。得られた各微粉スラリーを１０ｋＯ
ｅの磁場中で湿式成形し、得られた成形体を１２１０〜
１２３０℃で２時間焼結した。得られた焼結体の基本組
成は、ほぼ下記組成式に対応している。 （Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＣｏｙ）２
Ｏ３］ ｘ＝０．１５、ｙ＝ｘ／２ｎ、ｎ＝５．３２〜５．６７ この得られた一例の磁石と従来の磁石との磁気特性を表
１に示す。
説明する。ＳｒＣＯ３及びＦｅ２Ｏ３をＳｒＯ・ｎＦｅ
２Ｏ３（ｎ＝５．９）の基本組成になるように配合し、
湿式混合した後、１２５０℃で２時間大気中で仮焼し
た。仮焼粉をローラーミルで乾式粉砕を行い粗粉とし
た。その後アトライターにより湿式微粉砕を行い、平均
粒径が約０．８μｍの微粉を含むスラリーを得た。粗粉
の微粉砕工程の初期に、粗粉重量を基準にして２．５重
量％のＬａ２Ｏ３及び１．２重量％のＣｏ３Ｏ４を添加
するとともに、２〜８重量％のＦｅ３Ｏ４（マグネタイ
ト）を添加した。さらに粗粉の微粉砕工程の初期に、粗
粉重量を基準にして０．１重量%のＳｒＣＯ３、１．０
重量%のＣａＣＯ３及び０．３重量%のＳｉＯ２を焼結助
剤として添加した。得られた各微粉スラリーを１０ｋＯ
ｅの磁場中で湿式成形し、得られた成形体を１２１０〜
１２３０℃で２時間焼結した。得られた焼結体の基本組
成は、ほぼ下記組成式に対応している。 （Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＣｏｙ）２
Ｏ３］ ｘ＝０．１５、ｙ＝ｘ／２ｎ、ｎ＝５．３２〜５．６７ この得られた一例の磁石と従来の磁石との磁気特性を表
１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】このように、本発明に使用する永久磁石
は、従来よりも高い磁気特性を有している。
は、従来よりも高い磁気特性を有している。
【００２６】この実施例によると、５ｍｍ×５ｍｍ×高
さ２ｍｍといった非常に小型、薄型の集中定数型非可逆
回路素子を得ることが出来た。また、実施例の挿入損失
特性を図２に、アイソレーション特性を図３に示す。本
実施例によれば、２．４ＧＨｚ帯の集中定数型非可逆回
路素子を５ｍｍ×５ｍｍ×高さ２ｍｍといった非常に小
型に構成することができた。また、本発明は、２ＧＨｚ
以下の周波数であっても効果を発揮し、特に本発明によ
れば、高さ２ｍｍ以下の薄型の集中定数型非可逆回路素
子を図ることに有効な技術である。
さ２ｍｍといった非常に小型、薄型の集中定数型非可逆
回路素子を得ることが出来た。また、実施例の挿入損失
特性を図２に、アイソレーション特性を図３に示す。本
実施例によれば、２．４ＧＨｚ帯の集中定数型非可逆回
路素子を５ｍｍ×５ｍｍ×高さ２ｍｍといった非常に小
型に構成することができた。また、本発明は、２ＧＨｚ
以下の周波数であっても効果を発揮し、特に本発明によ
れば、高さ２ｍｍ以下の薄型の集中定数型非可逆回路素
子を図ることに有効な技術である。
【００２７】上記実施例は、アイソレータで説明した
が、サーキュレータを同様の技術で構成できることは言
うまでもない。また、本発明の永久磁石は、上記した基
本組成を満足していれば、上記実施例の如く所望の特性
の集中定数型非可逆回路素子を得ることができる。もち
ろん、永久磁石は円板形であっても良い。
が、サーキュレータを同様の技術で構成できることは言
うまでもない。また、本発明の永久磁石は、上記した基
本組成を満足していれば、上記実施例の如く所望の特性
の集中定数型非可逆回路素子を得ることができる。もち
ろん、永久磁石は円板形であっても良い。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、集中定数型非可逆回路
素子の小型、薄型化を可能とするものであり、又２ＧＨ
ｚ以上の高周波に対応した集中定数型非可逆回路素子を
得ることができるものである。
素子の小型、薄型化を可能とするものであり、又２ＧＨ
ｚ以上の高周波に対応した集中定数型非可逆回路素子を
得ることができるものである。
【図１】本発明に係る一実施例の分解斜視図である。
【図２】本発明に係る実施例の挿入損失特性である。
【図３】本発明に係る実施例のアイソレーション特性で
ある。
ある。
【図４】従来例の分解斜視図である。
１ 上ケース ２ 永久磁石 ３ フェライト円板 ４、５、６ 中心導体 ７ 樹脂ケース ８、９、１０ 容量素子 １１ 抵抗素子 １２ 下ケース １３ａ 中心導体部分用凹部 １３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 容量素子用凹部 １４ａ アース電極 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ 外部端子 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ 端子電極部 １７ 抵抗素子用貫通凹部 １８ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の中心導体、該中心導体に近接して
配置されるフェリ磁性体、前記中心導体に接続される容
量成分、前記フェリ磁性体に直流磁界を印可する永久磁
石を有し、これらを磁性ヨークを兼ねる金属ケース内に
配置してなる集中定数型非可逆回路素子であって、前記
永久磁石として、(Ａ１−ｘＲｘ)Ｏ・ｎ［(Ｆｅ１−ｙ
Ｍｙ)２Ｏ３］（原子比率）(ＡはＳｒおよび／またはＢ
ａ、ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、
ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＺｎからなる群から選ばれた
少なくと1種）、０.０１≦ｘ≦０.４、[ｘ／(２.６ｎ)]
≦ｙ≦[ｘ／(１.６ｎ)]、５≦ｎ≦６で表される基本組
成を有し、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を
有するフェライト磁石を用いたことを特徴とする集中定
数型非可逆回路素子。
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| JP02468299A JP4650962B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02468299A JP4650962B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Related Child Applications (2)
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| JP2003295932A Division JP4650996B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 集中定数型非可逆回路素子およびこれを用いた移動体通信機器 |
| JP2003295930A Division JP4650995B2 (ja) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000223911A true JP2000223911A (ja) | 2000-08-11 |
| JP4650962B2 JP4650962B2 (ja) | 2011-03-16 |
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ID=12144935
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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-
1999
- 1999-02-02 JP JP02468299A patent/JP4650962B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4650962B2 (ja) | 2011-03-16 |
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