JP2000223507A - Stage for mounting semiconductor chip - Google Patents

Stage for mounting semiconductor chip

Info

Publication number
JP2000223507A
JP2000223507A JP11022581A JP2258199A JP2000223507A JP 2000223507 A JP2000223507 A JP 2000223507A JP 11022581 A JP11022581 A JP 11022581A JP 2258199 A JP2258199 A JP 2258199A JP 2000223507 A JP2000223507 A JP 2000223507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
stage
mounting
intermediate stage
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11022581A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Horai
幸生 宝来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP11022581A priority Critical patent/JP2000223507A/en
Publication of JP2000223507A publication Critical patent/JP2000223507A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve manufacturing yield and reliability, without lowering throughput by suppressing generation of various damages on a semiconductor chip in tentatively placing a semiconductor chip on a stage for chip mounting for purpose of position alignment or the like of the semiconductor chip, in an intermediate step of die bonding process for the semiconductor chip. SOLUTION: A recessed trench 12 is formed on the upper face of an interim stage 10 used for mounting a semiconductor chip. Because of this structure, in tentatively placing an extra long and narrow semiconductor chip 14 such as a linear sensor or the like on the upper face of the interim stage 10 with a side chuck 16, stresses generated when the bottom face of the semiconductor chip 14 contacts the upper face of the interim stage 10 escapes to the direction of the recessed trench 12, and the contact area between the bottom face of the semiconductor chip 14 and the upper face of the interim stage 10 is reduced. Therefore, the stresses applied from the contact plane to the bottom face of the semiconductor chip 14 are reduced. Consequently, generation of damages to the semiconductor chip 14 is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップ搭載用
ステージに係り、特にリニアセンサ等の極細タイプの半
導体チップをパッケージにダイボンディングする際に、
中間で半導体チップの位置決め等を行うために仮置きす
る半導体チップ搭載用ステージに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stage for mounting a semiconductor chip, and more particularly, to a method for die bonding an ultrafine semiconductor chip such as a linear sensor to a package.
The present invention relates to a semiconductor chip mounting stage which is temporarily placed in order to position a semiconductor chip in the middle.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常の半導体チップをパッケージにダイ
ボンディングする場合には、一般に、ウェーハからダイ
シングした個々の半導体チップをピックアップした後、
パッケージに移動して、予め接着剤が塗布されているダ
イパッド部に載置し固定する、所謂ダイレクトダイボン
ディング方式が採られている。
2. Description of the Related Art When a normal semiconductor chip is die-bonded to a package, generally, individual semiconductor chips diced from a wafer are picked up and then picked up.
A so-called direct die bonding method is adopted in which the material is moved to a package, placed on a die pad portion to which an adhesive is applied in advance, and fixed.

【0003】しかし、リニアセンサ等の極細タイプの半
導体チップをパッケージにダイボンディングする場合に
は、半導体チップをピックアップしてそのままパッケー
ジに移動することが不安定であることから、ダイレクト
ダイボンディング方式を採用することは困難である。
However, when a semiconductor chip of an extremely thin type such as a linear sensor is die-bonded to a package, it is unstable to pick up the semiconductor chip and move it directly to the package. It is difficult to do.

【0004】そのため、図5に示されるように、半導体
チップ14を例えばサイドチャック16を用いてピック
アップした後、一旦この半導体チップ14を半導体チッ
プ搭載用の中間ステージ10上面に仮置きする。そし
て、この中間ステージ10上面において、半導体チップ
14の姿勢を修正するチップアライメントを行う。その
後、このチップアライメントを行った半導体チップ14
を再びサイドチャック16を用いてピックアップし、パ
ッケージに移動して、予め接着剤が塗布されているダイ
パッド部に載置し固定する。このようにして、リニアセ
ンサ等の極細タイプの半導体チップ14をパッケージに
ダイボンディングする。
Therefore, as shown in FIG. 5, after picking up the semiconductor chip 14 using, for example, a side chuck 16, the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip. Then, chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip 14 is performed on the upper surface of the intermediate stage 10. Thereafter, the semiconductor chip 14 on which the chip alignment has been performed is performed.
Is picked up again using the side chuck 16, moved to a package, and placed and fixed on a die pad portion to which an adhesive has been applied in advance. In this way, the ultra-small semiconductor chip 14 such as a linear sensor is die-bonded to the package.

【0005】このとき、半導体チップ14をピックアッ
プして中間ステージ10上面に仮置きする手段としてサ
イドチャック16を用いる方法は、一般にサイドチャッ
ク方式と呼ばれている。具体的には、図6に示されるよ
うに、サイドチャック16の2つのアームを用い、図中
の矢印で表すように、半導体チップ14のパターンのな
い側壁部を挟んで両側からチャックするものである。そ
して、リニアセンサ等の極細タイプの半導体チップ14
をピックアップする際に、このサイドチャック方式を採
用するのは、半導体チップ14のパターンの形成されて
いる表面にダメージを与えないようにするためである。
At this time, a method of using the side chuck 16 as a means for picking up the semiconductor chip 14 and temporarily placing the semiconductor chip 14 on the upper surface of the intermediate stage 10 is generally called a side chuck method. Specifically, as shown in FIG. 6, two arms of the side chuck 16 are used to chuck the semiconductor chip 14 from both sides with a pattern-free side wall portion interposed therebetween, as indicated by arrows in the figure. is there. Then, an extra-fine semiconductor chip 14 such as a linear sensor
When picking up the semiconductor chip, the side chuck method is adopted to prevent the surface of the semiconductor chip 14 on which the pattern is formed from being damaged.

【0006】また、半導体チップ搭載用の中間ステージ
10上面に仮置きした半導体チップ14の姿勢を修正す
るチップアライメントには、例えば半導体チップ14の
画像処理を用いて行うソフトアライメントや、サイドチ
ェック16等を用いて行うメカニカルアライメントがあ
る。
The chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip 14 temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip includes, for example, soft alignment using image processing of the semiconductor chip 14, a side check 16, and the like. There is a mechanical alignment performed by using.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体チップ
14をサイドチャック16を用いてピックアップする際
には、サイドチャック16の2つのアームを介して、半
導体チップ14の両側壁部から水平方向に荷重が印加さ
れるだけであるが、サイドチャック16によって両側壁
部を挟まれた状態で半導体チップ14を中間ステージ1
0上面に仮置きする際には、その半導体チップ14の中
間ステージ10上面への接触時において半導体チップ1
4に印加される荷重は様々な方向への応力となって伝搬
することになる。
However, when the semiconductor chip 14 is picked up by using the side chuck 16, a load is applied horizontally from both side walls of the semiconductor chip 14 via two arms of the side chuck 16. Is applied, but the semiconductor chip 14 is placed on the intermediate stage 1 with both side walls sandwiched by the side chuck 16.
When the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface, the semiconductor chip 1
The load applied to 4 propagates as stress in various directions.

【0008】即ち、半導体チップ14のカッティング状
態によってはその両側壁部が必ずしも垂直な形状をして
いなかったり、そのような傾斜した両側壁部をサイドチ
ャック16によってピックアップされた際の半導体チッ
プ14に傾きが生じたり、そしてそのためにサイドチャ
ック16によって挟まれている半導体チップ14の底面
と中間ステージ10上面とが平行な位置関係を保持して
いなかったりするなどの種々の要因により、半導体チッ
プ14が中間ステージ10上面に接触する際には、半導
体チップ14に中間ステージ10上面の接触面から様々
な方向への応力となる荷重が印加される。
That is, depending on the cutting state of the semiconductor chip 14, both side walls are not necessarily formed in a vertical shape, or the semiconductor chip 14 when such inclined side walls are picked up by the side chuck 16. The semiconductor chip 14 may be tilted due to various factors, such as inclination, and the bottom surface of the semiconductor chip 14 sandwiched between the side chucks 16 and the upper surface of the intermediate stage 10 may not maintain a parallel positional relationship. When the semiconductor chip 14 comes into contact with the upper surface of the intermediate stage 10, loads are applied to the semiconductor chip 14 in various directions from the contact surface of the upper surface of the intermediate stage 10.

【0009】こうして、上記図5のA部を拡大した図7
に示されるように、半導体チップ14底面の中間ステー
ジ10上面との接触面近傍、即ち図中に斜線で示した領
域に最大の応力が印加され、それによって種々のダメー
ジが発生し易くなる。
FIG. 7 is an enlarged view of part A of FIG.
As shown in FIG. 7, the maximum stress is applied to the vicinity of the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip 14 with the top surface of the intermediate stage 10, that is, the region indicated by oblique lines in the drawing, whereby various types of damage are likely to occur.

【0010】例えばこのときに半導体チップ14底面部
近傍に発生するダメージとしては、図8(a)、
(b)、(c)にそれぞれ示されるように、半導体チッ
プ14底面の一部が欠損する欠(カケ)18や、半導体
チップ14底面からバルク内に走るクラック20や、半
導体チップ14の側面に付く傷22などがある。
For example, at this time, the damage occurring near the bottom of the semiconductor chip 14 is as shown in FIG.
As shown in (b) and (c), a chip (break) 18 in which a part of the bottom surface of the semiconductor chip 14 is lost, a crack 20 running from the bottom surface of the semiconductor chip 14 into the bulk, and a side surface of the semiconductor chip 14 There are scratches 22 and the like.

【0011】以上、サイドチャック16によって両側壁
部を挟まれた状態で半導体チップ14を半導体チップ搭
載用の中間ステージ10上面に仮置きする際に半導体チ
ップ14底面部近傍にダメージが発生することについて
説明してきたが、こうした事態は、中間ステージ10上
面において半導体チップ14の姿勢を修正するチップア
ライメントを行った後、このチップアライメントを行っ
た半導体チップ14の両側壁部を再びサイドチャック1
6によって挟んでチャックし、ピックアップして、パッ
ケージに移動する際にも同様に発生する。
As described above, when the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip in a state where both side walls are sandwiched by the side chucks 16, damage occurs near the bottom of the semiconductor chip 14. As described above, such a situation is caused by performing chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip 14 on the upper surface of the intermediate stage 10 and then holding the side walls of the semiconductor chip 14 on which the chip alignment has been performed again to the side chuck 1.
6 also occurs when chucking, picking up, and moving to a package.

【0012】即ち、半導体チップ搭載用の中間ステージ
10上面の半導体チップ14の両側壁部を再びサイドチ
ャック16によって挟んでピックアップする際にも、半
導体チップ14底面の中間ステージ10上面との接触面
近傍に大きな応力が印加されて、ダメージが発生し易く
なる。
That is, when picking up both side walls of the semiconductor chip 14 on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip again by the side chuck 16, the lower surface of the semiconductor chip 14 near the contact surface with the upper surface of the intermediate stage 10. , A large stress is applied, and damage is likely to occur.

【0013】そして、このようにサイドチャック16に
よって両側壁部を挟んだ半導体チップ14を中間ステー
ジ10上面に仮置きする際や、中間ステージ10上面の
半導体チップ14の両側壁部を再びサイドチャック16
によって挟んでチャックする際に半導体チップ14に発
生する種々のダメージは、製造歩留まりや信頼性を低下
させる大きな原因となる。
When the semiconductor chips 14 sandwiching both side walls by the side chuck 16 are temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10, the side walls of the semiconductor chip 14 on the upper surface of the intermediate stage 10 are again
Various damages that occur in the semiconductor chip 14 when the semiconductor chip 14 is chucked by being sandwiched between the semiconductor chips 14 are a major cause of lowering the manufacturing yield and the reliability.

【0014】また、こうした種々のダメージが半導体チ
ップ14に発生する割合は、半導体チップ14の一連の
ダイボンディング処理のスピードが増大するにつれて増
加する傾向にあるため、ダメージの発生を抑制するため
にダイボンディング処理のスピードを低下させると、ダ
イボンディング工程のスループットの低下を招くことに
なる。
The rate of occurrence of such various types of damage on the semiconductor chip 14 tends to increase as the speed of a series of die bonding processes on the semiconductor chip 14 increases. When the speed of the bonding process is reduced, the throughput of the die bonding process is reduced.

【0015】更にまた、こうした種々のダメージが半導
体チップ14に発生する割合は、ダイボンディング作業
者のスキルや熟練度にも依存するため、作業者のスキル
や熟練度によっては、大きなダウンタイムを生じること
になる。
Furthermore, the rate at which such various types of damage occur in the semiconductor chip 14 also depends on the skill and skill of the die bonding operator, and thus a large downtime occurs depending on the skill and skill of the operator. Will be.

【0016】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、リニアセンサ等の極細タイプの半導体
チップをパッケージにダイボンディングする工程におい
て、中間で半導体チップの位置決め等を行うために半導
体チップ搭載用ステージに仮置きする際に半導体チップ
に種々のダメージが発生することを抑制して、ダイボン
ディング工程のスループットの低下を招くことなく、製
造歩留まり及び信頼性を向上させると共に、作業者のス
キルや熟練度に依存しないダイボンディング処理を可能
にする半導体チップ搭載用ステージを提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-described problems. In the process of die-bonding an ultra-fine type semiconductor chip such as a linear sensor to a package, the semiconductor is used for positioning the semiconductor chip in the middle. It suppresses various damages to the semiconductor chip when the semiconductor chip is temporarily placed on the chip mounting stage, improves the production yield and reliability without lowering the throughput of the die bonding process, and improves the worker's It is an object of the present invention to provide a semiconductor chip mounting stage that enables die bonding processing independent of skill and skill.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る半導体チップ搭載用ステージによって達成され
る。即ち、請求項1に係る半導体チップ搭載用ステージ
は、半導体チップをパッケージにダイボンディングする
際に、半導体チップを仮置きする半導体チップ搭載用ス
テージであって、この半導体チップ搭載用ステージの半
導体チップを搭載する上面に、凹状の溝が形成されてい
ることを特徴とする。
The above object is achieved by the following semiconductor chip mounting stage according to the present invention. That is, the semiconductor chip mounting stage according to claim 1 is a semiconductor chip mounting stage for temporarily placing a semiconductor chip when the semiconductor chip is die-bonded to a package. It is characterized in that a concave groove is formed on the upper surface for mounting.

【0018】このように請求項1に係る半導体チップ搭
載用ステージにおいては、半導体チップを搭載する上面
に凹状の溝が形成されていることにより、サイドチャッ
クによって両側壁部を挟まれた半導体チップを半導体チ
ップ搭載用ステージ上面に仮置きする際に、半導体チッ
プ底面の半導体チップ搭載用ステージ上面への接触時に
発生する応力は凹状の溝方向に逃げてしまい、凹状の溝
の形成によって従来よりも面積が減少した半導体チップ
搭載用ステージ上面の接触面から半導体チップ底面に印
加される応力も減少するため、半導体チップ底面の半導
体チップ搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメージ
が発生することは抑制される。
In the semiconductor chip mounting stage according to the first aspect of the present invention, since the concave groove is formed on the upper surface on which the semiconductor chip is mounted, the semiconductor chip whose both side walls are sandwiched by the side chuck can be used. When temporarily placed on the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip, the stress generated when the bottom surface of the semiconductor chip comes into contact with the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip escapes in the direction of the concave groove. Since the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip from the contact surface on the top surface of the mounting stage for semiconductor chips is also reduced, damage to the vicinity of the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip with the top surface of the mounting stage for semiconductor chips is suppressed. You.

【0019】同様にして、半導体チップ搭載用ステージ
上面において半導体チップの姿勢を修正するチップアラ
イメントを行った後、このチップアライメントを行った
半導体チップを再びサイドチャックによって両側壁部を
挟んでピックアップする際にも、凹状の溝の形成によっ
て従来よりも面積が減少した半導体チップ搭載用ステー
ジ上面の接触面から半導体チップ底面に印加される応力
が減少するため、半導体チップ底面の半導体チップ搭載
用ステージ上面との接触面近傍にダメージが発生するこ
とは抑制される。
Similarly, after performing chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip on the upper surface of the semiconductor chip mounting stage, the semiconductor chip on which the chip alignment has been performed is again picked up with the side chucks sandwiching both side walls. In addition, the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip from the contact surface of the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip, which has a reduced area due to the formation of the concave groove, is reduced. The occurrence of damage in the vicinity of the contact surface is suppressed.

【0020】また、請求項2に係る半導体チップ搭載用
ステージは、半導体チップをパッケージにダイボンディ
ングする際に、この半導体チップを仮置きする半導体チ
ップ搭載用ステージであって、半導体チップ搭載用ステ
ージの半導体チップを搭載する上面が、鏡面仕上げされ
ていることを特徴とする。
The semiconductor chip mounting stage according to a second aspect of the present invention is a semiconductor chip mounting stage for temporarily placing the semiconductor chip when the semiconductor chip is die-bonded to a package. The upper surface on which the semiconductor chip is mounted is mirror-finished.

【0021】このように請求項2に係る半導体チップ搭
載用ステージにおいては、半導体チップを搭載する上面
が鏡面仕上げされていることにより、サイドチャックに
よって両側壁部を挟まれた半導体チップを半導体チップ
搭載用ステージ上面に仮置きする際に、半導体チップ底
面の半導体チップ搭載用ステージ上面への接触時の摩擦
が大幅に減少するため、半導体チップ底面の半導体チッ
プ搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメージが発生
することは抑制される。
In the semiconductor chip mounting stage according to the second aspect of the present invention, since the upper surface on which the semiconductor chip is mounted is mirror-finished, the semiconductor chip whose side walls are sandwiched by the side chuck can be mounted. When the semiconductor chip is temporarily placed on the top surface, the friction at the time of contact between the bottom surface of the semiconductor chip and the top surface of the semiconductor chip mounting stage is greatly reduced. Is suppressed.

【0022】同様にして、半導体チップ搭載用ステージ
上面において半導体チップの姿勢を修正するチップアラ
イメントを行った後、このチップアライメントを行った
半導体チップを再びサイドチャックによって両側壁部を
挟んでピックアップする際にも、半導体チップ底面と半
導体チップ搭載用ステージ上面との接触面における摩擦
が大幅に減少するため、半導体チップ底面の半導体チッ
プ搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメージが発生
することは抑制される。
Similarly, after performing chip alignment for correcting the posture of the semiconductor chip on the upper surface of the stage for mounting the semiconductor chip, the semiconductor chip on which the chip alignment has been performed is again picked up by the side chuck with both side walls interposed therebetween. In addition, since the friction at the contact surface between the bottom surface of the semiconductor chip and the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip is greatly reduced, damage to the vicinity of the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip with the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip is suppressed. You.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 (第1の実施の形態)図1は本発明の第1の実施の形態
に係る半導体チップ搭載用の中間ステージを示す断面図
であり、図2は図1の半導体チップ搭載用の中間ステー
ジに半導体チップを搭載した状態を示す断面図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described. (First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view showing an intermediate stage for mounting a semiconductor chip according to a first embodiment of the present invention, and FIG. It is sectional drawing which shows the state which mounted the semiconductor chip.

【0024】図1に示されるように、第1の実施の形態
に係る半導体チップ搭載用の中間ステージ10は、その
半導体チップを搭載する上面に凹状の溝12が設けられ
ている点に特徴がある。そして、この凹状の溝12は、
中間ステージ10上面に搭載する半導体チップの形状に
対応してその外形よりも少し小さな長方形の平面形状
と、所定の深さの長方形の断面形状をなしている。
As shown in FIG. 1, the intermediate stage 10 for mounting a semiconductor chip according to the first embodiment is characterized in that a concave groove 12 is provided on the upper surface on which the semiconductor chip is mounted. is there. And this concave groove 12
It has a rectangular planar shape slightly smaller than the outer shape of the semiconductor chip mounted on the upper surface of the intermediate stage 10 and a rectangular cross-sectional shape of a predetermined depth.

【0025】このため、図2に示されるように、ウェー
ハからダイシングしたリニアセンサ等の極細タイプの半
導体チップ14をサイドチャック16を用いてピックア
ップした後、半導体チップ搭載用の中間ステージ10上
面に仮置きする場合、半導体チップ14底面が中間ステ
ージ10上面に接触する際に発生する応力は、図中に矢
印で表すように、下方の凹状の溝12方向に逃げてしま
う。また、中間ステージ10上面に凹状の溝12が設け
られている分だけ半導体チップ14底面と中間ステージ
10上面との接触面積が減少するため、その接触面から
半導体チップ14底面に印加される応力も減少する。
For this reason, as shown in FIG. 2, an ultrafine semiconductor chip 14 such as a linear sensor diced from a wafer is picked up using a side chuck 16, and is temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip. When placing, the stress generated when the bottom surface of the semiconductor chip 14 comes into contact with the top surface of the intermediate stage 10 escapes in the direction of the lower concave groove 12 as indicated by the arrow in the figure. Further, since the contact area between the bottom surface of the semiconductor chip 14 and the top surface of the intermediate stage 10 is reduced by the provision of the concave groove 12 on the top surface of the intermediate stage 10, the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip 14 from the contact surface is also reduced. Decrease.

【0026】従って、サイドチャック16によって両側
壁部を挟まれている半導体チップ14を中間ステージ1
0上面に仮置きする際に、半導体チップ14底面の中間
ステージ10上面との接触面近傍に、上記図8(a)、
(b)、(c)にそれぞれ示されるような欠(カケ)1
8やクラック20や傷22等の種々のダメージが発生す
ることが抑制される。
Therefore, the semiconductor chip 14 sandwiched between the side walls by the side chuck 16 is moved to the intermediate stage 1.
When the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface, the lower surface of the semiconductor chip 14 is placed near the contact surface with the upper surface of the intermediate stage 10 as shown in FIG.
Missing (cut) 1 as shown in (b) and (c) respectively
8, cracks 20 and scratches 22 are suppressed from occurring.

【0027】また、半導体チップ搭載用の中間ステージ
10上面に仮置きした半導体チップ14の姿勢を修正す
るチップアライメントを行った後、このチップアライメ
ントを行った半導体チップ14の両側壁部を再びサイド
チャック16によって挟んで中間ステージ10上面から
ピックアップする際にも、中間ステージ10上面に凹状
の溝12が設けられているため、その凹状の溝12の面
積の分だけ半導体チップ14底面と中間ステージ10上
面との接触面積が減少し、その接触面から半導体チップ
14底面に印加される応力が減少する。
After the chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip 14 temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip is performed, the side walls of the semiconductor chip 14 on which the chip alignment has been performed are again side-chucked. Since the concave groove 12 is provided on the upper surface of the intermediate stage 10 when picking up from the upper surface of the intermediate stage 10 while being sandwiched between the semiconductor chip 14 and the upper surface of the intermediate stage 10 by the area of the concave groove 12. And the stress applied from the contact surface to the bottom surface of the semiconductor chip 14 decreases.

【0028】従って、中間ステージ10上面からパッケ
ージに移動させるため、再びサイドチャック16によっ
て半導体チップ14の両側壁部を挟んでチャックし、中
間ステージ10上面からピックアップする際にも、半導
体チップ14底面の中間ステージ10上面との接触面近
傍に種々のダメージが発生することが抑制される。
Therefore, in order to move the semiconductor chip 14 from the upper surface of the intermediate stage 10 to the package, the semiconductor chip 14 is again chucked by sandwiching both side walls of the semiconductor chip 14 by the side chuck 16 and picked up from the upper surface of the intermediate stage 10. The occurrence of various types of damage near the contact surface with the upper surface of the intermediate stage 10 is suppressed.

【0029】このように第1の実施の形態によれば、半
導体チップ搭載用の中間ステージ10上面に凹状の溝1
2が設けられていることにより、サイドチャック16に
よって両側壁部を挟んだ半導体チップ14を中間ステー
ジ10上面に仮置きする際や、再びサイドチャック16
によって半導体チップ14の両側壁部を挟んで中間ステ
ージ10上面からピックアップする際に、中間ステージ
10上面との接触面積から半導体チップ14底面に印加
される応力が減少するため、半導体チップ14に種々の
ダメージが発生することを抑制することができる。
As described above, according to the first embodiment, the concave groove 1 is formed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip.
When the semiconductor chip 14 having both side walls sandwiched by the side chuck 16 is temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10, the side chuck 16 is provided again.
When the semiconductor chip 14 is picked up from the upper surface of the intermediate stage 10 across both side walls of the semiconductor chip 14, the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip 14 is reduced due to the contact area with the upper surface of the intermediate stage 10. The occurrence of damage can be suppressed.

【0030】従って、この半導体チップ14に発生する
種々のダメージに起因する製造歩留まりや信頼性の低下
を防止し、従来以上の製造歩留まりや信頼性の向上を実
現することができる。また、半導体チップ14への種々
のダメージの発生を抑制するために一連のダイボンディ
ング処理のスピードを低下させる必要がなくなることか
ら、ダイボンディング工程のスループットの向上を実現
することができる。更にまた、半導体チップ14への種
々のダメージの発生を抑制するためにダイボンディング
作業者に対する高いスキルや熟練度が要求されなくなる
ことから、通常の作業者のスキルや熟練度により大きな
ダウンタイムを生じることなく容易にダイボンディング
作業を行うことが可能になる。
Therefore, it is possible to prevent a reduction in the manufacturing yield and reliability due to various types of damage occurring in the semiconductor chip 14, and to realize an improvement in the manufacturing yield and reliability more than before. In addition, since it is not necessary to reduce the speed of a series of die bonding processes in order to suppress the occurrence of various types of damage to the semiconductor chip 14, it is possible to improve the throughput of the die bonding process. Furthermore, since high skill and skill for the die bonding operator are no longer required to suppress the occurrence of various damages to the semiconductor chip 14, a large downtime is caused by the skill and skill of the ordinary worker. This makes it possible to easily perform the die bonding operation without using a die.

【0031】なお、上記第1の実施の形態においては、
半導体チップ搭載用の中間ステージ10上面に設けられ
ている凹状の溝12は、中間ステージ10上面に搭載す
る半導体チップの形状に対応してその外形よりも少し小
さな長方形の平面形状と長方形の断面形状をなしている
が、こうした形状に限定される必要はない。例えば、こ
の凹状の溝12の代わりに、図3に示されるように、中
間ステージ10上面に搭載する半導体チップの形状に対
応してその外形よりも少し小さな長方形の平面形状と所
定の曲率の弓形の断面形状をなしている凹状の溝12a
を用いてもよい。この場合においても、上記図2に示さ
れる凹状の溝12の場合と同様の作用効果を奏すること
ができる。
In the first embodiment,
The concave groove 12 provided on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip has a rectangular planar shape and a rectangular cross-sectional shape slightly smaller than the outer shape corresponding to the shape of the semiconductor chip mounted on the intermediate stage 10. However, the shape need not be limited to this. For example, instead of this concave groove 12, as shown in FIG. 3, a rectangular planar shape slightly smaller than the outer shape and an arc shape having a predetermined curvature corresponding to the shape of the semiconductor chip mounted on the upper surface of the intermediate stage 10 are provided. Groove 12a having a cross-sectional shape of
May be used. Also in this case, the same operation and effect as in the case of the concave groove 12 shown in FIG. 2 can be obtained.

【0032】(第2の実施の形態)図4は本発明の第2
の実施の形態に係る半導体チップ搭載用の中間ステージ
を示す断面図である。
(Second Embodiment) FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an intermediate stage for mounting a semiconductor chip according to the embodiment.

【0033】図4に示されるように、第2の実施の形態
に係る半導体チップ搭載用の中間ステージ10は、その
半導体チップを搭載する上面が鏡面仕上げされている点
に特徴がある。
As shown in FIG. 4, an intermediate stage 10 for mounting a semiconductor chip according to the second embodiment is characterized in that the upper surface on which the semiconductor chip is mounted is mirror-finished.

【0034】このため、ウェーハからダイシングしたリ
ニアセンサ等の極細タイプの半導体チップ14をサイド
チャック16を用いてピックアップした後、半導体チッ
プ搭載用の中間ステージ10上面に仮置きする場合、半
導体チップ14底面が中間ステージ10上面に接触する
際の摩擦が大幅に減少する。
For this reason, when the ultrafine semiconductor chip 14 such as a linear sensor diced from a wafer is picked up using the side chuck 16 and temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip, the bottom surface of the semiconductor chip 14 is required. Is significantly reduced when contacting the upper surface of the intermediate stage 10.

【0035】従って、サイドチャック16によって両側
壁部を挟まれている半導体チップ14を中間ステージ1
0上面に仮置きする際に、半導体チップ14底面の中間
ステージ10上面との接触面近傍にダメージが発生する
ことが抑制される。
Accordingly, the semiconductor chip 14 sandwiched between the side walls by the side chuck 16 is moved to the intermediate stage 1.
When the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface, the occurrence of damage near the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip 14 with the upper surface of the intermediate stage 10 is suppressed.

【0036】また、半導体チップ搭載用の中間ステージ
10上面に仮置きした半導体チップ14の姿勢を修正す
るチップアライメントを行った後、このチップアライメ
ントを行った半導体チップ14の両側壁部を再びサイド
チャック16によって挟んで中間ステージ10上面から
ピックアップする際にも、半導体チップ14と中間ステ
ージ10上面との接触面における摩擦が大幅に減少す
る。
After the chip alignment for correcting the attitude of the semiconductor chip 14 temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip is performed, the side walls of the semiconductor chip 14 on which the chip alignment has been performed are again subjected to the side chuck. Even when the semiconductor chip 14 is picked up from the upper surface of the intermediate stage 10 by being sandwiched by 16, the friction at the contact surface between the semiconductor chip 14 and the upper surface of the intermediate stage 10 is greatly reduced.

【0037】従って、中間ステージ10上面からパッケ
ージに移動させるため、再びサイドチャック16によっ
て半導体チップ14の両側壁部を挟んでチャックし、中
間ステージ10上面からピックアップする際にも、半導
体チップ14底面の中間ステージ10上面との接触面近
傍に種々のダメージが発生することが抑制される。
Therefore, in order to move the semiconductor chip 14 from the upper surface of the intermediate stage 10 to the package, the semiconductor chip 14 is again chucked by sandwiching both side walls of the semiconductor chip 14 by the side chuck 16. The occurrence of various types of damage near the contact surface with the upper surface of the intermediate stage 10 is suppressed.

【0038】このように第2の実施の形態によれば、半
導体チップ搭載用の中間ステージ10上面が鏡面仕上げ
されていることにより、サイドチャック16によって両
側壁部を挟んだ半導体チップ14を中間ステージ10上
面に仮置きする際や、中間ステージ10上面の半導体チ
ップ14の両側壁部を再びサイドチャック16によって
挟んで中間ステージ10上面からピックアップする際
に、半導体チップ14と中間ステージ10上面との接触
面における摩擦が大幅に減少するため、半導体チップ1
4に種々のダメージが発生することを抑制することがで
きる。
As described above, according to the second embodiment, since the upper surface of the intermediate stage 10 for mounting the semiconductor chip is mirror-finished, the semiconductor chip 14 sandwiching both side walls by the side chuck 16 can be moved to the intermediate stage. The contact between the semiconductor chip 14 and the upper surface of the intermediate stage 10 when the semiconductor chip 14 is temporarily placed on the upper surface of the intermediate stage 10 or when the side walls of the semiconductor chip 14 on the upper surface of the intermediate stage 10 are again sandwiched by the side chuck 16 and picked up from the upper surface of the intermediate stage 10. Since the friction on the surface is greatly reduced, the semiconductor chip 1
4 can be prevented from causing various damages.

【0039】従って、上記第1の実施の形態の場合と同
様に、従来以上の製造歩留まりや信頼性の向上を実現す
ることができ、またダイボンディング工程のスループッ
トの向上を実現することができ、更にまた通常の作業者
のスキルや熟練度により大きなダウンタイムを生じるこ
となく容易にダイボンディング作業を行うことが可能に
なる。
Therefore, as in the case of the first embodiment, it is possible to achieve an improvement in the production yield and reliability more than before, and to achieve an improvement in the throughput of the die bonding step. Furthermore, the die bonding operation can be easily performed without a large downtime due to the skill and skill of a normal worker.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体チップ搭載用ステージによれば、次のような効
果を奏することができる。即ち、請求項1に係る半導体
チップ搭載用ステージによれば、半導体チップを搭載す
る上面に凹状の溝が形成されていることにより、サイド
チャックによって両側壁部を挟まれた半導体チップを半
導体チップ搭載用ステージ上面に仮置きする際に、半導
体チップの半導体チップ搭載用ステージ上面への接触時
に発生する応力は凹状の溝方向に逃げてしまい、凹状の
溝の形成によって従来よりも面積が減少した半導体チッ
プ搭載用ステージ上面の接触面から半導体チップ底面に
印加される応力も減少するため、半導体チップ底面の半
導体チップ搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメー
ジが発生することを抑制することができる。
As described above in detail, according to the semiconductor chip mounting stage of the present invention, the following effects can be obtained. In other words, according to the semiconductor chip mounting stage of the first aspect, since the concave groove is formed on the upper surface on which the semiconductor chip is mounted, the semiconductor chip whose both side walls are sandwiched by the side chuck is mounted on the semiconductor chip. When the semiconductor chip is temporarily placed on the upper surface of the stage, the stress generated when the semiconductor chip comes into contact with the upper surface of the stage for mounting the semiconductor chip escapes in the direction of the concave groove, and the area of the semiconductor is reduced compared to the conventional semiconductor device due to the formation of the concave groove. Since the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip from the contact surface on the top surface of the chip mounting stage is also reduced, it is possible to suppress the occurrence of damage near the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip with the top surface of the semiconductor chip mounting stage.

【0041】同様にして、半導体チップの両側壁部をサ
イドチャックによって挟んで半導体チップ搭載用ステー
ジ上面からピックアップする際にも、凹状の溝の形成に
よって従来よりも面積が減少した半導体チップ搭載用ス
テージ上面の接触面から半導体チップ底面に印加される
応力が減少するため、半導体チップ底面の半導体チップ
搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメージが発生す
ることを抑制することができる。
Similarly, when the semiconductor chip mounting stage is picked up from the upper surface of the semiconductor chip mounting stage by sandwiching both side walls of the semiconductor chip with side chucks, the semiconductor chip mounting stage whose area is reduced as compared with the prior art by forming concave grooves. Since the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip from the contact surface on the top surface is reduced, it is possible to suppress the damage near the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip with the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip.

【0042】従って、半導体チップに発生する種々のダ
メージに起因する製造歩留まりや信頼性の低下を防止
し、従来以上の製造歩留まりや信頼性の向上を実現する
ことができる。また、半導体チップへの種々のダメージ
の発生を抑制するために一連のダイボンディング処理の
スピードを低下させる必要がなくなることから、ダイボ
ンディング工程のスループットの向上を実現することが
できる。更にまた、半導体チップへの種々のダメージの
発生を抑制するためにダイボンディング作業者に対する
高いスキルや熟練度が要求されなくなることから、通常
の作業者のスキルや熟練度により大きなダウンタイムを
生じることなく容易にダイボンディング作業を行うこと
が可能になる。
Accordingly, it is possible to prevent a reduction in the manufacturing yield and reliability due to various types of damage occurring in the semiconductor chip, and to realize an improvement in the manufacturing yield and reliability more than before. In addition, since it is not necessary to reduce the speed of a series of die bonding processes in order to suppress the occurrence of various types of damage to the semiconductor chip, it is possible to improve the throughput of the die bonding process. Furthermore, since high skills and proficiency for die bonding workers are no longer required to suppress the occurrence of various damages to the semiconductor chip, a large downtime is caused by the skills and proficiency of ordinary workers. It is possible to easily perform the die bonding operation without any additional steps.

【0043】また、請求項2に係る半導体チップ搭載用
ステージによれば、半導体チップを搭載する上面が鏡面
仕上げされていることにより、サイドチャックによって
両側壁部を挟まれた半導体チップを半導体チップ搭載用
ステージ上面に仮置きする際に、半導体チップの半導体
チップ搭載用ステージ上面への接触時の摩擦が大幅に減
少するため、半導体チップ底面の半導体チップ搭載用ス
テージ上面との接触面近傍にダメージが発生することを
抑制することができる。
According to the semiconductor chip mounting stage of the present invention, since the upper surface for mounting the semiconductor chip is mirror-finished, the semiconductor chip sandwiched on both side walls by the side chuck can be mounted on the semiconductor chip. When the semiconductor chip is temporarily placed on the upper surface of the stage, the friction when the semiconductor chip contacts the upper surface of the stage for mounting the semiconductor chip is greatly reduced. The occurrence can be suppressed.

【0044】同様にして、半導体チップの両側壁部をサ
イドチャックによって挟んで半導体チップ搭載用ステー
ジ上面からピックアップする際にも、半導体チップと半
導体チップ搭載用ステージ上面との接触面における摩擦
が大幅に減少するため、半導体チップ底面の半導体チッ
プ搭載用ステージ上面との接触面近傍にダメージが発生
することを抑制することができる。
Similarly, when the semiconductor chip is picked up from the upper surface of the stage for mounting the semiconductor chip by sandwiching both side walls of the semiconductor chip with the side chuck, the friction at the contact surface between the semiconductor chip and the upper surface of the stage for mounting the semiconductor chip is significantly increased. Due to the reduction, it is possible to suppress the occurrence of damage near the contact surface of the bottom surface of the semiconductor chip with the top surface of the stage for mounting a semiconductor chip.

【0045】従って、上記請求項1の場合と同様の効果
を奏し、従来以上の製造歩留まりや信頼性の向上を実現
することができ、またダイボンディング工程のスループ
ットの向上を実現することができ、更にまた通常の作業
者のスキルや熟練度により大きなダウンタイムを生じる
ことなく容易にダイボンディング作業を行うことが可能
になる。
Therefore, the same effects as those of the first aspect can be obtained, and the production yield and the reliability can be improved more than before, and the throughput of the die bonding step can be improved. Furthermore, the die bonding operation can be easily performed without a large downtime due to the skill and skill of a normal worker.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体チップ
搭載用の中間ステージを示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an intermediate stage for mounting a semiconductor chip according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の半導体チップ搭載用の中間ステージに半
導体チップを搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where a semiconductor chip is mounted on an intermediate stage for mounting the semiconductor chip of FIG. 1;

【図3】本発明の第1の実施の形態に係る半導体チップ
搭載用の中間ステージの変形例を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a modification of the intermediate stage for mounting a semiconductor chip according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態に係る半導体チップ
搭載用の中間ステージを示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an intermediate stage for mounting a semiconductor chip according to a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の半導体チップをサイドチャックを用いて
半導体チップ搭載用の中間ステージ上面に仮置きする状
態を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where a conventional semiconductor chip is temporarily placed on an upper surface of an intermediate stage for mounting a semiconductor chip using a side chuck.

【図6】サイドチャックの2つのアームを用いて半導体
チップの側壁部を両側から挟んでチャックするサイドチ
ャック方式を説明するための断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a side chuck system in which a side wall of a semiconductor chip is sandwiched from both sides using two arms of the side chuck.

【図7】図5のA部を拡大した部分拡大図である。FIG. 7 is a partially enlarged view of a portion A in FIG. 5;

【図8】半導体チップに発生するダメージを例示する断
面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating damage that occurs in a semiconductor chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……半導体チップ搭載用の中間ステージ、12、1
2a……凹状の溝、14……半導体チップ、16……サ
イドチャック、18……欠(カケ)、20……クラッ
ク、22……傷。
10: Intermediate stage for mounting semiconductor chip, 12, 1
2a: concave groove, 14: semiconductor chip, 16: side chuck, 18: chipped, 20: crack, 22: scratch.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップをパッケージにダイボンデ
ィングする際に、前記半導体チップを仮置きする半導体
チップ搭載用ステージであって、 前記半導体チップ搭載用ステージの前記半導体チップを
搭載する上面に、凹状の溝が形成されていることを特徴
とする半導体チップ搭載用ステージ。
1. A semiconductor chip mounting stage for temporarily placing a semiconductor chip when the semiconductor chip is die-bonded to a package, wherein the semiconductor chip mounting stage has a concave surface on an upper surface on which the semiconductor chip is mounted. A stage for mounting a semiconductor chip, wherein a groove is formed.
【請求項2】 半導体チップをパッケージにダイボンデ
ィングする際に、前記半導体チップを仮置きする半導体
チップ搭載用ステージであって、 前記半導体チップ搭載用ステージの前記半導体チップを
搭載する上面が、鏡面仕上げされていることを特徴とす
る半導体チップ搭載用ステージ。
2. A semiconductor chip mounting stage for temporarily placing the semiconductor chip when the semiconductor chip is die-bonded to a package, wherein an upper surface of the semiconductor chip mounting stage on which the semiconductor chip is mounted has a mirror finish. Stage for mounting a semiconductor chip.
JP11022581A 1999-01-29 1999-01-29 Stage for mounting semiconductor chip Pending JP2000223507A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11022581A JP2000223507A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Stage for mounting semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11022581A JP2000223507A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Stage for mounting semiconductor chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000223507A true JP2000223507A (en) 2000-08-11

Family

ID=12086835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11022581A Pending JP2000223507A (en) 1999-01-29 1999-01-29 Stage for mounting semiconductor chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000223507A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211258A (en) * 2008-06-06 2008-09-11 Athlete Fa Kk Bonding device for electronic component

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211258A (en) * 2008-06-06 2008-09-11 Athlete Fa Kk Bonding device for electronic component
JP4682225B2 (en) * 2008-06-06 2011-05-11 アスリートFa株式会社 Electronic component bonding equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6294439B1 (en) Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US7060532B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US20020037631A1 (en) Method for manufacturing semiconductor devices
US6184109B1 (en) Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
KR100199293B1 (en) Semiconductor package manufacturing apparatus
US6699774B2 (en) Wafer splitting method using cleavage
US7285864B2 (en) Stack MCP
US6459152B1 (en) Semiconductor device having a chip, reinforcing plate, and sealing material sharing a common rear surface
JP4664150B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP2000164534A (en) Wafer separating device and its method
JP2003031524A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20010080201A (en) Semiconductor device and method of manufacture thereof
EP1026735A2 (en) Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US6933211B2 (en) Semiconductor device whose semiconductor chip has chamfered backside surface edges and method of manufacturing the same
JPH09167779A (en) Semiconductor production machine
KR20190032180A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor, method of manufacturing semiconductor device and collet
EP1022778A1 (en) Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US20080092360A1 (en) Thin semiconductor chip pickup apparatus and method
JP2001060591A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2000223507A (en) Stage for mounting semiconductor chip
JP3803214B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5431533B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH0745568A (en) Grinding of semiconductor wafer
JP3584539B2 (en) Cutting method of semiconductor wafer with glass
KR20210094688A (en) Semiconductor chip attaching method