JP2000221525A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細表示可能な液晶表示装置およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、第１および第
２基板と、該第１基板と該第２基板との間に挟持された
液晶層と、該第１および第２基板にそれぞれ設けられ
た、該液晶層に電圧を印加するための第１および第２電
圧印加手段と、表示を行うための複数の絵素領域と、該
複数の絵素領域間に設けられた非絵素領域と、を有する
液晶表示装置であって、該第１電圧印加手段は、該第１
基板の表面上に形成された第１電極層と、該第１電極層
上に形成された該第２電極層とを有し、該第１電極層は
該第２電極層よりも低抵抗率を有する透明導電膜で形成
されており、該複数の絵素領域において、該第１電極層
と該第２電極層との間には有機絶縁膜が形成されてお
り、該非絵素領域において、該第１電極層と該第２電極
層とは電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。より詳しくは、例えば、直視型の大型表示装置のハ
イビジョンテレビや、高精細モニターなどに応用できる
液晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ駆動方式のＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）素子やＰＡＬＣ（プラズマアドレス液晶）素
子およびデューティー駆動方式のＳＴＮ（スーパーツイ
スティドネマチック）素子は、表示装置として多用され
ている。特にＰＡＬＣ素子は、プラズマ放電を用いたス
イッチング素子であり、超大型ディスプレイヘの適用が
注目されている。ＰＡＬＣ液晶パネルは、ＴＦＴのよう
な半導体素子を含まないので、低コストであり、また、
低消費電力の大型液晶表示装置としての可能性に注目を
集めている。上述した液晶表示装置は、軽量、薄型、低
消費電力等の特徴を有しており、このような液晶表示装
置は、来たるマルチメディア社会でのキーデバイスとし
て、各種ＯＡ、ＡＶ機器分野等で応用開発がなされてい
る。このような液晶表示装置には、電極を有する１対の
基板の近傍付近で、ネマティック液晶分子が約９０゜ね
じれているＴＮ表示モード、または、液晶分子が１８０
゜以上ねじれているＳＴＮ表示モードが多用されてい
る。

【０００３】２０型を超えるＰＡＬＣ表示装置におい
て、信号線、走査線等や絵素電極の電気抵抗値は、光の
透過率、視野角特性、特に消費電力、表示のスイッチン
グ速度や均一性などの液晶表示装置の表示性能に大きく
関係する。高精細の例えばハイビジョン表示（走査線数
（縦×横＝１９２０×１０８０））を行う場合には、信
号波形に対して１０μ秒以下の遅延で表示する必要があ
る。十分な電界を１０μ秒以下の表示遅延で液晶層に均
一にかけるためには、カラーフィルター基板の電極の低
電気抵抗化は必要不可欠となっている。

【０００４】カラーフィルター層にＩＴＯ（インジウム
錫酸化物）電極１４を真空蒸着（スパッタリング）する
プロセスは、オーバーコート材を含むカラーフィルター
層１６部分の耐熱性のために、２２０℃付近で行うこと
が当該技術で公知の方法となっている。高精細表示を行
うために、ＩＴＯの面抵抗値を３Ω／口程度まで十分に
下げるには、図１に示されるように、膜厚約１μｍもの
ＩＴＯ電極１４を必要とするので、後工程のパターンエ
ッチング性能が低下してしまう。また、図１に示される
ように、パターンエッチング工程後の膜厚段差が、液晶
層１２中の液晶分子１０の配向に大きな影響を与えてし
まう。さらに、一対の基板８および１８に設けられた偏
光板（不図示）がクロスニコル状態の時に、液晶分子１
０の存在する領域２２において光抜けが生じてしまう。
また、ＩＴＯ電極１４の膜厚が大きいので、カラーフィ
ルター基板１８全体の透過率が低下するという問題点が
あった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、図２に示されるように、絵素電極以外の信
号線および走査線の電極２４をＡｌやＣｕなどで形成す
ることが提案されている。しかしながら、これらの金属
は遮光性を有するために、絵素領域の開口部を狭くし、
絵素領域の開口率の低下を引き起こすという問題点があ
る。さらに、ファインピッチのパターニング工程のマー
ジンが狭いために生産性に欠け、また、製造工程におい
て、電極電位の異なる透明電極との間で電食反応を起こ
してしまうという問題点がある。

【０００６】特開昭６２−７９４２１号公報は、図３に
示されるように、カラーフィルター層１７の着色膜上の
保護膜３０上に上電極３２を設け、さらに、着色膜１７
にスルーホール３４を設けた液晶表示装置を開示してい
る。この液晶表示装置において、下電極３６に印加され
た信号が、スルーホール３４を介して上電極３２に導か
れるので、カラーフィルター層による電圧降下を起こす
ことなく、液晶層１２に十分な駆動電圧が印加される。

【０００７】しかしながら、表示行うための絵素領域の
着色膜１７にスルーホール３４を設けることにより、局
部的に、カラーフィルター層の段差が変化するために、
十分な色特性、すなわち、フルカラー表示をすることが
できない。また、フォトリソグラフィープロセスによっ
て形成されるスルーホール３４において、大面積のカラ
ーフィルター基板を用いる場合、スルーホール３４の製
造マージンが狭く、スルーホール３４部分において完全
には着色膜が除去されないことにより、下電極３６と上
電極３２との間のコンタクト不良が生じてしまう。さら
に、スルーホール３４のような傾斜が急峻な部位に局部
的に電極をスパッタリングすることは困難であり、断線
の原因となり、ＴＮモードやＳＴＮモードにおいては、
カラーフィルター層の着色膜の段差の影響により、表示
むらや色再現性不良を引き起こしてしまう。また、スル
ーホール３４は、液晶分子の配向に影響を及ぼし、液晶
分子の配向不良を引き起こし、表示品位を低下させると
いう問題が生じる。

【０００８】本発明は、上述のような従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、高精細表示可能な
液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願発明の液晶表示装置
は、第１および第２基板と、該第１基板と該第２基板と
の間に挟持された液晶層と、該第１および第２基板にそ
れぞれ設けられた、該液晶層に電圧を印加するための第
１および第２電圧印加手段と、表示を行うための複数の
絵素領域と、該複数の絵素領域間に設けられた非絵素領
域と、を有する液晶表示装置であって、該第１電圧印加
手段は、該第１基板の表面上に形成された第１電極層
と、該第１電極層上に形成された該第２電極層とを有
し、該第１電極層は該第２電極層よりも低抵抗率を有す
る透明導電膜で形成されており、該複数の絵素領域にお
いて、該第１電極層と該第２電極層との間には有機絶縁
膜が形成されており、該非絵素領域において、該第１電
極層と該第２電極層とは電気的に接続されており、この
ことにより、上記の目的が達成される。

【００１０】前記有機絶縁膜はカラーフィルター層を有
してもよい。

【００１１】前記有機絶縁膜が、前記カラーフィルター
層上に、さらに、可視光領域において透明なオーバーコ
ート層を有し、該オーバーコート層は感光性材料を含む
エポキシアクリレート、ポリグリシジルメタアクリレー
トおよびスチレン系からなるグループのうちの少なくと
も１つから形成されてもよい。

【００１２】前記第１および第２電極層の、膜厚３００
０Åにおける面抵抗値が、それぞれ、約３Ω／□および
約４Ω／□であってもよい。

【００１３】前記第１および第２電極層は、互いに平行
なストライプ状の電極であり、該第１電極層は該第２電
極層と重畳してもよい。

【００１４】前記第１および第２基板のうちの少なくと
も一方が、前記液晶層側表面に凸部を有し、該凸部によ
って該複数の絵素領域毎に液晶領域が規定されてもよ
い。

【００１５】前記複数の絵素領域の中央部に前記第１お
よび第２電圧印加手段のいずれかが形成されていない領
域を有し、電圧印加時に液晶分子は該第１および第２電
圧印加手段のいずれかが形成されていない領域を中心に
軸対称配向してもよい。

【００１６】前記有機絶縁膜は、前記複数の絵素領域毎
の中央部に、逆円錐状の凹部あるいはコンタクトホール
を有し、電圧印加時に液晶分子は該凹部あるいは該コン
タクトホールを中心に軸対称配向してもよい。

【００１７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
および第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に挟
持された液晶層と、該第１および第２基板にそれぞれ設
けられた、該液晶層に電圧を印加するための第１および
第２電圧印加手段と、表示を行うための複数の絵素領域
と、該複数の絵素領域間に設けられた非絵素領域と、を
有する液晶表示装置の製造方法であって、基板を提供す
る工程と、該第１基板の表面に温度Ｔ１で第１透明導電
膜を形成し、該第１透明導電膜ををパターニングするこ
とによって第１電極層を形成する工程と、該第１電極層
上に有機絶縁膜を形成し、パターニングすることによっ
て該複数の絵素領域に対応する領域に該有機絶縁膜を形
成する工程と、該有機絶縁膜を覆う第２透明導電膜を該
温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２で形成し、該第２透明導電
膜をパターニングすることによって該非絵素領域で該第
１電極層に接続された第２電極層を形成する工程と、を
含み、このことにより、上記の目的が達成される。

【００１８】前記第１および第２透明導電膜を形成する
工程の前に、前記第１基板をＵＶ／Ｏ₃または真空紫外
光を用いてドライ洗浄する工程をさらに包含してもよ
い。

【００１９】前記液晶層は、液晶材料、光硬化性樹脂お
よび反応開始剤の混合物を含み、前記複数の絵素領域の
液晶分子を軸対称配向に配向制御しながら、光照射して
光硬化性樹脂を硬化させて軸対称配向固定層を形成する
工程を含んでもよい。

【００２０】前記温度Ｔ１が約４００℃であってもよ
い。

【００２１】以下、作用を説明する。

【００２２】本発明の液晶表示装置は、第１および第２
基板にそれぞれ設けられた、液晶層に電圧を印加するた
めの第１および第２電圧印加手段を有し、第１電圧印加
手段は、第１基板の表面上に形成された第１電極層と、
第１電極層上に形成された第２電極層とを有している。
第１電極層は、第２電極層よりも低抵抗率を有する透明
導電膜で形成されており、表示を行うための複数の絵素
領域においては、第１電極層と第２電極層との間に有機
絶縁膜が形成されて絶縁されており、絵素領域間に設け
られた非絵素領域においては、第１電極層と第２電極層
とは電気的に接続されているので、第１基板に１つの電
極層しか有さない場合に比べて、電気抵抗値を大幅に低
くすることができる。例えば、４２型の超大型高精細液
晶表示装置に上記のような第１電圧印加手段を有する第
１基板を用いれば、信号入力波形に対して、電極層の抵
抗によって表示が大きく遅延することがなく、表示速度
のむらを抑制することができる。また、第１基板上に第
１電極層を形成することは、その製造工程において、マ
ージン（膜厚コントロール、高結晶性および低抵抗値
化）が非常に大きく、特別なガス雰囲気下にする必要が
ないので、所望の抵抗値を有する膜厚の電極を容易にか
つ精度良く製造することができる。

【００２３】有機絶縁膜がカラーフィルター層を有すれ
ば、カラー表示を行うことができ、別途有機絶縁膜を設
ける必要がない。

【００２４】有機絶縁膜がカラーフィルター層上にさら
に感光性材料を含むエポキシアクリレート、ポリグリシ
ジルメタアクリレートおよびスチレン系からなるグルー
プのうちの少なくとも１つから形成されたオーバーコー
ト層が形成されていれば、第２電極層をより高温下でス
パッタリングすることができるので、第２電極層のさら
なる低抵抗化が可能となる。

【００２５】膜厚３０００Åにおいて、第１および第２
電極層の面抵抗値がそれぞれ、約３Ω／□および約４Ω
／□であれば、例えば、ハイビジョン対応の走査線数
（縦×横＝１９２０×１０８０）を持つ液晶表示装置に
おいて、入力信号波形に対する遅延を約１０μ秒以内に
することができる。

【００２６】例えば、ＰＡＬＣ液晶表示装置またはＳＴ
Ｎ（スーパーツイステッドネマチック）表示装置のよう
に、第１および第２電極層が互いに平行にストライプ状
にパターニングされている液晶表示装置において、第１
電極層と対応する第２電極層とが互いに重なるか、第２
電極層が第１電極層を覆うように形成されていれば、第
１電極層が、対応する第２電極層に隣接の第２電極層と
交差することがなく、容量結合現象が生じることがな
い。また、隣接する電極の信号の影響を受けることもな
い。

【００２７】少なくとも一方の基板び液晶層側表面に、
凸部が設けられ、凸部によって複数の絵素領域毎に液晶
領域が規定されれば、液晶層の液晶分子を軸対称配向さ
せることができる。

【００２８】絵素領域の中央部に第１および第２電圧印
加手段のいずれかが形成されていない領域を有すれば、
電圧印加時に液晶分子がこの領域を中心に軸対称（放射
状あるいは同心円状など）配向し、軸対称配向された液
晶分子の対称軸をこの領域に固定することができるの
で、広視野角でざらつきのない優れた表示品位を有する
液晶表示装置を提供することができる。

【００２９】有機絶縁膜が、複数の絵素領域毎の中央部
に逆円錐状の凹部あるいはコンタクトホールを有すれ
ば、電圧印加時に液晶分子が凹部あるいはコンタクトホ
ールの最深部を中心に軸対称配向し、凹部あるいはコン
タクトホールによって配向軸を固定することができるの
で、広視野角でざらつきのない優れた表示品位を有する
液晶表示装置を提供することができる。

【００３０】本願発明の液晶表示装置の製造方法による
と、第１基板の表面に温度Ｔ１で第１透明導電膜を形成
し、パターニングすることによって第１電極層を形成
し、第１電極層上において絵素領域に対応する領域に有
機絶縁膜を形成し、有機絶縁膜を覆う第２透明導電膜を
温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２で形成し、パターニングす
ることによって非絵素領域で第１電極層に接続された第
２電極層を形成するので、第１電極層を、第２電極層よ
りも低抵抗率を有する透明導電膜で形成することができ
る。図５（ａ）に示されるように、例えばＩＴＯのスパ
ッタリング温度を上昇させれば、その面積抵抗値は減少
するからである。従って、第１基板に１つの電極層しか
有さない場合に比べて、電気抵抗値を大幅に低くするこ
とができる。

【００３１】第１および第２透明導電膜を形成する前
に、第１基板をＵＶ／Ｏ₃または真空紫外光を用いてド
ライ洗浄すれば、基板の濡れ性が高くなり、基板と導電
膜間の密着性を高くすることができ、導電膜の膜剥がれ
を防ぐことができる。

【００３２】液晶層は、液晶材料、光硬化性樹脂および
反応開始剤の混合物を含み、絵素領域の液晶分子を軸対
称配向に配向制御しながら、光照射して光硬化性樹脂を
硬化させて軸対称配向固定層を形成すれば、より表示品
位の向上した液晶表示装置を提供することができる。

【００３３】第１電極層の面抵抗値をできるだけ低下さ
せるために、第１透明導電膜を第１基板の表面に形成す
る温度Ｔ１が約４００℃すなわち、ガラス（基板）の耐
熱温度付近であることが好ましい。

【００３４】

【発明の実施の形態】「絵素領域」という用語を説明す
る。本発明の液晶表示装置は、表示を行うための絵素領
域を複数有する。絵素領域は表示の最小単位である絵素
を構成する液晶表示装置の一部分（構成要素）を指す。
典型的には、対向電極と、マトリクス状に形成されアク
ティブ素子（ＴＦＴなど）のそれぞれによってスイッチ
ングされる複数の絵素電極とを有するアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、各絵素領域は、各絵素電
極とそれに対向する対向電極の領域とその間に位置する
液晶領域とを含む。また、それぞれの基板上に液晶層を
介して互いに交差するように形成されたストライブ状の
電極（走査電極及び信号電極）を有する単純マトリクス
型液晶表示装置においては、絵素領域は、ストライプ状
の電極が交差する領域とその交差部に位置する液晶領域
とを含む。

【００３５】カラー表示装置においては、絵素領域に対
応してカラーフィルタ領域を形成し、それぞれのカラー
フィルタ領域を通過する光を絵素領域で制御することに
よって、加法混色によってカラー表示を行う。典型的に
は、赤絵素領域、緑絵素領域、青絵素領域の３つの絵素
領域が１つのカラー画素領域を形成する。カラーフィル
タ領域はカラーフィルタ層の絵素領域に対応して設けら
れた領域を指し、例えば、赤フィルタ領域、緑フィルタ
領域、青フィルタ領域のそれぞれを指す。カラーフィル
タ領域は、例えば、ストライプ状に配置された着色層の
一部である。複数の着色層を含む層をカラーフィルタ層
と呼ぶ。ストライプ配列の場合には、巡回的に配置され
た複数の赤層、緑層及び青層を含む。カラーフィルタ層
は、各着色層または各カラーフィルタ領域間に設けられ
た遮光層（ブラックマスク）を含んでも良い。カラーフ
ィルタ層は、複数の異なる色の着色層を含み、各着色層
は、複数の絵素領域に対応して設けられたカラーフィル
タ領域を有する。また、本発明において、絵素領域毎に
設けれた着色層の無い領域を非カラーフィルタ領域と呼
ぶ。本願発明においては、カラーフィルタ層は、カラー
フィルタ領域と非カラーフィルタ領域とを含む。

【００３６】なお、絵素領域と液晶領域との対応関係
は、１つの絵素領域に１つの液晶領域を形成する場合に
限られない。但し、表示品位を向上するために液晶領域
は絵素領域に対応して形成されることが好ましい。縦横
比が大きい絵素（長絵素）の場合、一つの長絵素に対し
て、複数の液晶領域を形成してもよい。絵素に対応して
形成される液晶領域の数は、軸対称配向が安定に形成さ
れうる限り、できるだけ少ないほうが好ましい。

【００３７】本発明の液晶表示装置９０を図４（ａ）か
ら図４（ｃ）を参照しながら説明する。図４（ａ）は、
液晶表示装置９０の概略上面図を示す。図４（ｂ）およ
び図４（ｃ）は、それぞれ、図４（ａ）のＡ−Ａ部分
（絵素領域）およびＢ−Ｂ部分（非絵素領域）の断面図
を示す。

【００３８】本発明の液晶表示装置９０は、例えばガラ
スからなる第１基板５２および第２基板５４と、両基板
間に挟持された液晶層６２とを有する。第１および第２
基板５２、５４には、それぞれ、液晶層６２に電圧を印
加するための第１および第２電圧印加手段が設けられて
いる。第１電圧印加手段は、第１基板５４の表面上に形
成された第１電極層５６と、その上に形成された第２電
極層５８とを有する。第１電極層５６は第２電極層５８
よりも低抵抗率を有する透明導電膜で形成されている。

【００３９】図４（ｂ）に示されるように、表示を行う
ための複数の絵素領域７０において、第１電極層５６と
第２電極層５８との間には有機絶縁膜７６が形成されて
いる。一方、図４（ｃ）に示されるように、絵素領域間
に設けられた非絵素領域において、第１電極層５６と第
２電極層５８とは電気的に接続されている。

【００４０】なお、必要に応じて、基板の液晶層側に配
向膜（不図示）あるいは、絵素領域間に遮光層（ブラッ
クマスク）７８を設けても良い。

【００４１】本発明の液晶表示装置９０は、第１基板５
２の表面に、温度Ｔ１で第１透明導電膜を形成し、パタ
ーニングすることによって第１電極層５６を形成し、さ
らに、第１電極層５６上に有機絶縁膜を形成し、パター
ニングすることによって絵素領域に対応する領域に有機
絶縁膜７６を形成する。また、有機絶縁膜７６を覆う第
２透明導電膜を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２で形成し、
第２透明導電膜をパターニングすることによって、非絵
素領域で第１電極層５６に接続された第２電極層５８を
形成する。

【００４２】第１基板５２には、ＵＶ／Ｏ₃または真空
紫外光を用いてよく洗浄された素ガラス基板（接触角；
１０°以下）を用いることが好ましい。タクト時間（Ｕ
Ｖ照射時間（洗浄時間））は、数分程度の短時間であ
る。基板を洗浄すれば、基板表面の濡れ性が高くなり、
基板と表面に形成される導電膜との密着性を高くするこ
とができ、導電膜の膜剥がれを防ぐことができる。な
お、素ガラス基板にあらかじめＳｉＯ₂などの絶縁膜が
形成されていても良い。

【００４３】図５（ａ）は、スパッタリング温度と透明
導電膜の面積抵抗値との関係を表す実験結果を示す。図
５（ａ）に示されるように、透明導電膜は、スパッタリ
ング温度が高いほど、電気抵抗値が低下する。従って、
第１基板５２に耐熱温度が約４００℃の高温度である素
ガラスを用い、第１基板５２上に透明導電膜を約４００
℃（Ｔ１）で真空スパッタリングする（このとき、透明
導電膜の面積抵抗値は約３Ω／□（体積抵抗率は約１．
３μΩ・ｃｍ））ことが好ましい。高精細表示を行うた
めには、第１電極層を形成する第１透明導電膜の面積抵
抗値は、約３Ω／□以下であることが好ましい。続い
て、エッチング液（塩鉄、ＨＢｒあるいは王水等）を用
いて、所望の形状、例えばストライプ状に、パターニン
グして第１電極層５６を第１基板上に形成する。パター
ニングプロセスは当該技術で公知の方法で行う。

【００４４】第１電極層５６上に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）
および青（Ｂ）のカラーフィルター層を含む有機絶縁膜
を当該技術で公知の方法でパターニング形成してもよ
い。有機絶縁膜７６がカラーフィルター層を有する場
合、第２電極層５８の低抵抗化のためにスパッタリング
温度を上げるためには、カラーフィルター層上にさらに
高耐熱性を有するオーバーコート層を形成することが好
ましい。高温下で、第２透明導電膜（例えばＩＴＯ）を
スパッタリングすると、電気抵抗値が下がると共に透過
率が向上する（図５（ｂ））。なお、図５（ｂ）は、面
積抵抗値約３Ω／□の下で、ガラスをリファレンスとし
た透明導電膜の透過率を示す。例えばＩＴＯからなる第
２透明導電膜を、当該技術で公知の方法のプロセスで、
温度（Ｔ２）約２２０℃でスパッタリング後、例えばス
トライプ状にパターニングすることによって、第２電極
層５８は形成される。第２電極層を形成する第２透明導
電膜の面積抵抗率は、約６Ω／□以下であることが好ま
しい。

【００４５】カラーフィルター層上のオーバーコート層
は、エポキシ、フェノール、ウレタン、ポリイミド、ポ
リエステル、ラバー、ジアリルフタレート、ポリプロピ
レン、ＥＰＤＭ、メラミン、ＡＢＳ、塩化ビニル系等
の、感光性ポリマーで形成されることが好ましい。ま
た、感光剤とポリマーとの混合物でカラーフィルター層
上のオーバーコート層を形成する場合には、べースポリ
マーとして、ネガ型のものでクロルメチル化ポリスチレ
ン、クロルメチル化ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ
（クロルα−メチルスチレン）、ポリクロルメチルスチ
レン、ポリハロゲノスチレンあるいはエポキシアクリレ
ートを用いることが可能である。また、ポジ型のもので
は、ポリグリシジルメタクリレートあるいはポリメチル
メタクリレートを用いることが可能である。ポジ型感光
剤としてはナフトキノンジアジド、ネガ型感光材料とし
てはジアゾニウム塩系が用いられ得る。

【００４６】カラーフィルター層を形成するための樹脂
材料の耐熱性が充分高ければ、オーバーコート層は必要
ない。このような場合、プロセスを短縮することが可能
となり、低コスト化を実現することができる。

【００４７】なお、第１電極層５６および第２電極層５
８のパターンがストライプ状で、第１電極層５６と第２
電極層５８とが交差するような構造になっている場合、
正常な表示を行うことができない。絵素領域において、
電極層間に有機絶縁膜が挟まれているため、容量結合が
生じてしまうからである。従って、第１電極層５６およ
び第２電極層５８の幅が共に同じ大きさで、かつ、重畳
しているか、第２電極層が第１電極層を覆うように形成
されていれば、第１電極層が、対応する第２電極層に隣
接の第２電極層と重畳することがなく、容量結合現象が
生じない。また、隣接する電極の信号の影響を受けるこ
ともない。このような場合、液晶層に入力された信号波
形を正確に各絵素に送信することができ、正常表示され
る。

【００４８】例えば、ＰＡＬＣ液晶表示装置において、
ハイビジョン等の高精細表示を行う場合、例えば膜厚約
３０００ÅのＩＴＯからなる透明導電膜は、面積抵抗値
が約３Ω／□（体積抵抗率約１．３μΩ・cm）であるこ
とが好ましい。面抵抗値が約３Ω／□であるＩＴＯから
なる電極ライン間の容量と電極ラインの抵抗値をもと
に、シミュレーションにより、入力信号波形に対する表
示の遅延（なまり具合）を調べた結果を図６（ａ）に示
す。

【００４９】シミュレーション条件は下記の表１に示す
通りである。

【００５０】

【表１】

【００５１】ハイビジョン（走査線数（縦×横＝１９２
０×１０８０））対応で、ＩＴＯからなる電極ラインの
上下１２０ライン分の容量を測定して、ライン間の容量
を計算している。電極ラインの抵抗値はラインの長さお
よび幅から計算している。これをもとに単色表示の場合
におけるライン終端での波形なまりをシミュレーション
している。駆動波形は、立ち上がりおよび立ち下がりを
２．５μ秒の矩形波と仮定している。

【００５２】面抵抗値が約３Ω／□である場合、図６
（ａ）に示されるように、入力信号波形に対する表示の
遅延は、２μ秒程度であり、表示に問題のないレベルで
あることがわかった。図６（ｂ）に、様々な面積抵抗値
における、入力信号波形に対する末端部波形のずれ幅
（表示の遅延）を示す。

【００５３】なお、上述の、ガラス／第１電極層（ＩＴ
Ｏ）／有機絶縁膜（カラーフィルター層）／第２電極層
（ＩＴＯ）の２層電極層構造は、ＴＦＴ基板にも形成さ
せることが可能であり、低抵抗化を図ることができる。

【００５４】（ＡＳＭモードへの適用）図７（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら、本発明の液晶表示装置９０をＡ
ＳＭモード（Axially Symmetric Aligned Microcell Mo
de）に適用した場合について説明する。図７（ａ）及び
（ｂ）は、電圧無印加時の、（ｃ）及び（ｄ）は、電圧
印加時の状態を示し、（ａ）及び（ｃ）は液晶表示装置
９０の断面図、（ｂ）及び（ｄ）は上面をクロスニコル
状態の偏光顕微鏡で観察した結果を示す。

【００５５】液晶表示装置９０は、一対の基板５２と５
４との間に、例えば誘電異方性（Δε）が負（ｎ型）の
液晶分子６１からなる液晶層６２が挟持されている。

【００５６】液晶表示装置９０において、一対の基板５
２および５４の液晶層６２に接する表面に、垂直配向層
６８を形成し、一対の基板５２および５４の少なくとも
一方の液晶層６２側の面に、凸部７４が形成される。こ
の凸部７４によって、液晶層６２は、液晶層の絵素領域
内の厚さ（ｄin）と非絵素領域の液晶層の厚さ（ｄou
t）の２種類の異なる厚さを有する。ｄinはｄoutよりも
大きいことが好ましい。

【００５７】その結果、後述するように、電圧印加時に
軸対称配向を呈する液晶領域が、凸部７４によって包囲
される領域に規定される。なお、図７（ａ）および
（ｃ）において、液晶層６２に電圧を印加するための第
１および第２電圧印加手段は省略してある。

【００５８】電圧無印加時には、（ａ）に示すように、
液晶分子６１は、垂直配向層６８の配向規制力によっ
て、基板に垂直な方向に配向している。電圧無印加状態
の絵素領域をクロスニコル状態の偏光顕微鏡で観察する
と、（ｂ）に示したように、暗視野を呈する（ノーマリ
ーブラックモード）。電圧を印加すると、負の誘電異方
性を有する液晶分子６２に、液晶分子の長軸を電界の方
向に対して垂直に配向させる力が働くので、（ｃ）に示
すように、基板に垂直な方向から傾く（中間調表示状
態）。この状態の絵素領域をクロスニコル状態の偏光顕
微鏡で観察すると、（ｄ）に示すように、偏光軸に対し
て約４５°に沿った方向に消光模様が観察される。

【００５９】上述のようなＡＳＭモードの液晶表示装置
は、垂直配向と軸対称配向との間を電圧によって変化す
る液晶領域を有するので、優れた視角特性を有する。ま
た、誘電異方性が負の液晶材料を用い、電圧無印加時に
垂直配向状態をとるノーマリーブラックモードの表示を
行えば、高コントラストの表示を提供することができ
る。

【００６０】なお、後で説明するように、各絵素領域の
中心位置に、第１および第２電圧印加手段のいずれかが
形成されていない領域や、逆円錐状のテーパーまたはコ
ンタクトホールを設けることによって、軸対称配向して
いる液晶分子の軸位置を固定し、液晶分子の配向を安定
化すれば、表示品位のざらつき感が著しく低減される。
上記円錐状のテーパーまたはコンタクトホールは、逆円
錐形状で約１０°以下の傾斜がついていることが望まし
い。このように傾斜がついていると、電圧印加時に軸対
称配向の中心軸付近の液晶分子の配向が、基板に対して
垂直のままであるので、光ぬけが生じることがない。従
来のコンタクトホールを有するＴＮ配向の液晶表示装置
では、光抜けが生じていた。

【００６１】絶縁性のブラックマトリックスが、ストラ
イプ状にパターニングされ、隣の信号線と完全に絶縁さ
れていれば、導電性のカラーフィルター用樹脂材料をス
トライプ状にパターニングして使用できる。このとき、
導電性が十分高ければ、第２絵素電極は必要なくなる。
第２絵素電極を設けなければ、製造プロセスを短縮で
き、コスト削減に役立つ。しかしながら、実際的には、
導電性のカラーフィルター材料のカラー樹脂材料には、
金属粒子や導電性高分子などを混合させるので、色純度
や透明度等の光学性能が低下してしまう。また、このよ
うな不純物質が液晶層に溶出するために電圧保持率が低
下してしまい、通常の液晶駆動ができなくなってしま
う。従って、本願の液晶表示装置のように、第２電極層
を有することが好ましい。

【００６２】以下に具体的な実施例と、比較例とを説明
する。なお、本発明は、下記の実施例に限定されるもの
ではない。

【００６３】（実施例１）本実施例１では、上述の本発
明の液晶表示装置を、ハイビジョン対応のドットピッチ
および走査線数（縦×横＝１９２０×１０８０）を有す
る高精細ＰＡＬＣ液晶表示装置に適用した例について述
べる。

【００６４】図８（ａ）に示されるＰＡＬＣ１００は、
第１基板１１０を含む液晶セル１２０と、プラズマセル
基板１３０（第２基板）とを積層した構成をしている。
第１基板１１０とプラズマセル基板１３０との間には液
晶層１３６が挟持されており、第１基板１１０の液晶層
１３６側には第１電極層１１２および第２電極層１１６
と、有機絶縁膜１１４（カラーフィルタ層）が形成され
ている。

【００６５】プラズマセル基板１３０は、基板１４０と
誘電体セパレータ１３８との間隙が複数のリブ隔壁１４
２で分割された複数のプラズマ放電チャネル１４４を含
む第２電圧印加手段を有する。プラズマ放電チャネル１
４４には、イオン化可能なガスが封入されており、カソ
ード１４６とアノード１４６との間に放電パルス電圧を
印加することによって、プラズマが発生する。複数のプ
ラズマ放電チャネル１４４は、信号電極（列電極）１１
２および１１６と直交する方向に延びており、カソード
１４６とアノード１４６とが走査電極（行電極）として
機能し、線順次走査される。信号電極（列電極）１１２
および１１６と、誘電体セパレータ１３８との間の電位
差によって、液晶層１３６が駆動される。

【００６６】ＰＡＬＣ１００は、プラズマ放電チャネル
１４４と信号電極（列電極）１１２および１１６とが交
差する領域によって形成される表示を行うための複数の
絵素領域、および絵素領域間の非絵素領域を有する。本
実施例において、各絵素領域の大きさは、約１４４μｍ
×１１９μｍとした。

【００６７】絵素領域において、第１電極層１１２と第
２電極層１１６とは、その間に絶縁性を有するカラーフ
ィルター層１１４を挟み、絶縁されている。非絵素領域
においては、第１電極層と第２電極層とは電気的に接続
されている。

【００６８】次に本実施例１のＰＡＬＣ１００の製造方
法を説明する。

【００６９】ＵＶ／Ｏ₃または真空紫外光であらかじめ
ドライ洗浄された４２型のガラス基板１１０（接触角は
１０°以下）に、約４００℃（Ｔ１）でＩＴＯからなる
厚み約３００ｎｍの第１透明導電膜をスパッタリングす
る。この第１透明導電膜の面積抵抗値は約３Ω／□（体
積抵抗率は約１．３μΩ・cm）であった。続いて、第１
透明導電膜をストライプ状にパターニングして、第１電
極層１１２を形成する。続いて、再び基板１１０を上記
と同様の方法でドライ洗浄する。

【００７０】感光性ブラック樹脂（樹脂は上述した、カ
ラーフィルタ層上のオーバーコート層の材料と同様の材
料を用いて形成される）を用いて、フォトマスク位置合
わせマーカーと遮光部のブラックマトリクス（ＢＭ）を
形成する。続いて、再び基板１１０を上記と同様の方法
でドライ洗浄する。さらに、第１電極層、フォトマスク
位置合わせマーカーおよび遮光部のブラックマトリクス
（ＢＭ）の上に、カラーフィルター層１１４を形成し、
カラーフィルター層１１４上にポリイミド樹脂材料から
なるオーバーコート層を形成する。カラーフィルター層
１１４およびオーバーコート層を含む有機絶縁膜を覆う
ＩＴＯからなる第２透明導電膜を、上記Ｔ１よりも低い
約２２０℃（Ｔ２）で、厚み約３００ｎｍスパッタリン
グする。この第２透明導電膜の面積抵抗値は約４Ω／□
（体積抵抗率は約１．５５μΩ・cm）であった。さら
に、第２透明導電膜をストライプ状にパターニングし
て、非絵素領域で第１電極層に接続された第２電極層１
１６を形成する。

【００７１】両基板１１０及び１３０の液晶層１３６側
表面には、水平配向膜１１８（ＡＬ４５５２、日本合成
ゴム製）が形成されている。配向膜の塗布後、ラビング
等により希望のツイスト角度になるよう配向処理を施し
てある。さらに、水平配向層１１８上にプラスチックビ
ーズを用いて、高さ約６μｍのスペーサーを形成する。
以上のようにして作製された液晶セル１２０を、所定
の方法で作製されたプラズマセル基板１３０とを貼り合
わせ、液晶セル１２０中に、誘電異方性が正の液晶材料
（△ε＝１．９、△ｎ＝０．０６７、セルギャップ６μ
ｍで９０°ツイストとなるように液晶材料固有のツイス
ト角を設定）を注入し、加熱急冷した。

【００７２】全面点灯を確認するために電圧を印加して
いくと偏光板クロスニコル下で表示領域が均一に白から
黒に変化したのが観察された。この時の信号入力波形に
対する表示の遅延は、許容範囲の約１０μ秒以下であ
り、ハイビジョン表示のような高精細表示において、良
好な表示品位を得ることができた。

【００７３】（実施例２）図８（ｂ）に示される実施例
２の４２型ＰＡＬＣ２００は、凸部２０５を基板１１０
上に有し、複数の絵素領域毎に液晶領域が規定され、液
晶分子は軸対称配向している。

【００７４】ＰＡＬＣ２００は、第１基板１１０を含む
液晶セル２２０と、プラズマセル基板１３０（第２基
板）とを積層した構成をしている。図８（ａ）のＰＡＬ
Ｃ１００とは、ＰＡＬＣ２００が凸部２０５および垂直
配向膜２１８を有することにおいて異なる。

【００７５】ＰＡＬＣ２００の有する凸部２０５は、光
感光性樹脂材料をパターニングすることによって形成さ
れた高さ約３μｍの格子状の壁である。第２透明導電膜
が格子状の凸部２０５を形成した後に基板１１０上にス
パッタリングされ、第１電圧印加手段の有する第２電極
層１１６が形成され得る。高さ約３μｍのスペーサ（セ
ル厚保持材となる柱、不図示）を凸部２０５上の所望の
位置に形成した。さらに、ＪＡＬＳ−２０４（日本合成
ゴム製）をスピンコートし、両基板１１０及び１３０の
液晶層１３６側表面に、垂直配向層２１８（ＪＡＬＳ−
２０４、日本合成ゴム製）を形成した。

【００７６】作製した液晶セル２２０中に、誘電異方性
が負の液晶材料（△ε＝−４、△ｎ＝０．０８、セルギ
ャップ６μｍで９０°ツイストとなるように液晶材料固
有のツイスト角を設定）と光重合開始材と光重合モノマ
ーの混合物である前駆体を注入した。

【００７７】凸部２０５およびスペーサーには感光性の
アクリル、メタクリレート、ポリイミド、ゴム系の材料
を使用してもよい。感光性を有し、筆圧（４００ｇ／ｍ
ｍ²）程度の押圧に対して、凸部およびスペーサーが破
壊されない強度を有することができれば、どのような材
料を用いて形成してもよい。

【００７８】液晶層１３６に含まれる液晶分子がＡＳＭ
配向するように、軸対称状配向中心軸出し電圧として、
４０Ｖを液晶セル２２０に印加した。軸対称状配向中心
軸出し電圧を印加し続けると、絵素領域毎に１つの軸対
称領域（モノドメイン）が形成された。

【００７９】液晶セル２２０の両側に、面内リタデーシ
ョンが約４３ｎｍかつ法線方向のリタデーションが約１
９１ｎｍの２軸性位相差板（不図示）を設け、さらにそ
の両側に偏向板をクロスニコル状態になるように配置
し、液晶表示装置を作製した。

【００８０】全面点灯を確認するために電圧を印加して
いくと偏光板がクロスニコル状態で、表示領域が白から
黒に均一に変化するのが観察され、入力波形に対するス
イッチング表示遅延は約１０μ秒以下であり、ハイビジ
ョン走査線数（縦×横＝１９２０×１０８０）表示にお
いて、全く問題が無かった。

【００８１】ＰＡＬＣ２００による電気光学特性（電圧
−透過率特性）を図９（ａ）に示す。図９（ａ）から明
らかなように、ＰＡＬＣ２００によると、ＯＦＦ状態に
おける透過率が低く、良好な電圧−透過率比が得られ
た。

【００８２】また、図９（ｂ）は、ＰＡＬＣ２００によ
るコントラストの視野角特性を示す。図９（ｂ）におい
て、ψは方位角（表示面内の角度）、θは視角（表示面
法線からの傾き角）であり、ハッチングは、コントラス
ト比が１０：１以上の領域を示す。図９（ｂ）から明ら
かなように、ＰＡＬＣ２００によると、広い視野角範囲
において高いコントラスト比が得られており、ほぼ円形
の視野角特性を得ることができた。

【００８３】（実施例３）実施例３の４２型ＰＡＬＣの
有する液晶セルの上面図を図１０（ａ）に示し、図１０
（ａ）におけるＡ−Ａ断面図（絵素領域）を図１０
（ｂ）に示す。

【００８４】実施例３のＰＡＬＣは、第１電極層と第２
電極層とを接続するコンタクトホール３２６を各絵素領
域７０のカラーフィルタ層３２２中央部に有することに
おいて、実施例２のＰＡＬＣ２００と異なる。

【００８５】コンタクトホール３２６の傾斜角αは、約
１０°以下であるように形成されている。

【００８６】実施例３のＰＡＬＣに電圧を印加しなが
ら、絵素領域を偏光顕微鏡（クロスニコル状態）の透過
モードで観察した。電圧をかけ始めてまもなくでは、軸
対称状に配向した液晶分子の配向中心軸が、絵素領域の
ほぼ中心部に位置している液晶分子の割合が、全液晶分
子の１０％程度であった。電圧を加え続けることによっ
て、図７（ｃ）に示すように、各絵素領域において液晶
分子が軸対称状に配向し、かつ、軸対称状配向中心軸
が、絵素領域のほぼ中央部に対応する位置に形成される
のが観察された。すなわち、コンタクトホール３２６の
位置に液晶分子の配向軸が集中することが確認された。

【００８７】（比較例１）比較例１では高精細ＰＡＬＣ
液晶表示装置のハイビジョン走査線数（縦×横＝１９２
０×１０８０）対応のもので、従来のＶＧＡ用の電気抵
抗値を有する図１に示されるようなＩＴＯ電極構造を有
する装置ででハイビジョン表示を行った例について説明
する。

【００８８】比較例１の液晶表示装置に含まれるカラー
フィルター基板は、ＩＴＯからなる膜厚３００ｎｍ、面
積抵抗値６Ω／□のストライプ状に形成された透明電極
を有する。比較例１において、上述のカラーフィルター
基板を、実施例１と同様の４２型プラズマセル基板と貼
り合わせ、ＴＮ液晶セルを作製した。表示スイッチング
を確認したところ、不均一な表示となり、液晶層に十分
な電圧がかからず、電圧−透過率（Ｖ−Ｔ）特性でサチ
ュレーションが得られなかった。また、信号入力波形に
対して表示の遅延が１０μ秒以上であった。

【００８９】（比較例２）比較例２の装置において、図
１１に示されるように、第１電極層５６’と第２電極層
５８’が非絵素領域Ｂで交差している。なお、図１１
は、本比較例２の液晶表示装置の非絵素領域Ｂを特に拡
大した一部上面図を示す。

【００９０】液晶駆動用ドライバーを第２電極層配線に
ＴＡＢ付けすると、対応しない異なる第１電極層を接続
してしまい、容量結合により表示が正常ではなかった。

【００９１】（比較例３）比較例３では、高精細ＰＡＬ
Ｃ液晶表示装置の製造工程において、第１および第２電
極層（ＩＴＯ電極）とカラーフィルター層を形成する前
に、カラーフィルター基板を従来の方法（２０％ＮａＯ
Ｈａｑ＋ＵＳ（超音波）で２０分、純水リンス、ＩＰＡ
洗浄乾燥（１０分））で洗浄を行った。各層の接触角は
１０°以上であり、第２電極層をパターニングする工程
で、構造の欠損や膜剥れが生じてしまった。

【００９２】

【発明の効果】上述したように、本発明によると、電気
抵抗値の低い、高透過率を有する高精細表示可能な液晶
表示装置およびその製造方法を提供することができる。
本発明は、ＨＤＴＶやＸＧＡ等の高精細ディスプレイ表
示対応の液晶表示装置に好適に用いられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の液晶表示装置を示す断面図である。

【図２】従来の液晶表示装置を示す断面図である。

【図３】従来の液晶表示装置を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の液晶表示装置を示
す図である。

【図５】（ａ）は、スパッタリング温度と透明導電膜の
面積抵抗率との関係を表すグラフ、（ｂ）は、スパッタ
リング温度と透明導電膜の透過率との関係を表すグラフ
である。

【図６】（ａ）は、入力信号波形に対する表示の遅延の
シミュレーション結果を表すグラフ、（ｂ）は、面積抵
抗値と表示の遅延との関係を示すグラフである。

【図７】（ａ）及び（ｃ）は本発明のある液晶表示装置
の断面図、（ｂ）及び（ｄ）は上面をクロスニコル状態
の偏光顕微鏡で観察した結果を示す図である。

【図８】（ａ）および（ｂ）は、本発明のある実施例の
液晶表示装置の断面図である。

【図９】（ａ）は、本発明の液晶表示装置の電気光学特
性（電圧−透過率特性）、（ｂ）は、コントラストの視
野角特性を示す。

【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明のある実施例
の液晶表示装置を示す図である。

【図１１】比較例の液晶表示装置の一部上面図である。

【符号の説明】

５４ 第２基板 ５６ 第１電極層 ５８ 第２電極層 ６２ 液晶層 ７０ 絵素領域 ７８ 遮光層 ９０ 液晶表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA17 GA34 HA27 JA24 JA46 JB52 KB06 KB15 MA05 MA09 MA13 NA22 NA27 NA28 PA01 PA03 PA06 PA08 QA07

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１および第２基板と、 該第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層と、 該第１および第２基板にそれぞれ設けられた、該液晶層
   に電圧を印加するための第１および第２電圧印加手段
   と、 表示を行うための複数の絵素領域と、 該複数の絵素領域間に設けられた非絵素領域と、を有す
   る液晶表示装置であって、 該第１電圧印加手段は、該第１基板の表面上に形成され
   た第１電極層と、該第１電極層上に形成された該第２電
   極層とを有し、該第１電極層は該第２電極層よりも低抵
   抗率を有する透明導電膜で形成されており、 該複数の絵素領域において、該第１電極層と該第２電極
   層との間には有機絶縁膜が形成されており、 該非絵素領域において、該第１電極層と該第２電極層と
   は電気的に接続されている、液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記有機絶縁膜はカラーフィルター層を
   有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記有機絶縁膜が、前記カラーフィルタ
   ー層上に、さらに、可視光領域において透明なオーバー
   コート層を有し、該オーバーコート層は感光性材料を含
   むエポキシアクリレート、ポリグリシジルメタアクリレ
   ートおよびスチレン系からなるグループのうちの少なく
   とも１つから形成された、請求項２に記載の液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】 前記第１および第２電極層の、膜厚３０
   ００Åにおける面抵抗値が、それぞれ、約３Ω／□およ
   び約４Ω／□である、請求項１から３のいずれかに記載
   の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記第１および第２電極層は、互いに平
   行なストライプ状の電極であり、該第１電極層は該第２
   電極層と重畳している、請求項１から４のいずれかに記
   載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１および第２基板のうちの少なく
   とも一方が、前記液晶層側表面に凸部を有し、該凸部に
   よって該複数の絵素領域毎に液晶領域が規定される、請
   求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記複数の絵素領域の中央部に前記第１
   および第２電圧印加手段のいずれかが形成されていない
   領域を有し、電圧印加時に液晶分子は該第１および第２
   電圧印加手段のいずれかが形成されていない領域を中心
   に軸対称配向する、請求項１から６のいずれかに記載の
   液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記有機絶縁膜は、前記複数の絵素領域
   毎の中央部に、逆円錐状の凹部あるいはコンタクトホー
   ルを有し、電圧印加時に液晶分子は該凹部あるいは該コ
   ンタクトホールを中心に軸対称配向する、請求項１から
   ６のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 第１および第２基板と、 該第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層と、 該第１および第２基板にそれぞれ設けられた、該液晶層
   に電圧を印加するための第１および第２電圧印加手段
   と、 表示を行うための複数の絵素領域と、 該複数の絵素領域間に設けられた非絵素領域と、を有す
   る液晶表示装置の製造方法であって、 基板を提供する工程と、 該第１基板の表面に温度Ｔ１で第１透明導電膜を形成
   し、該第１透明導電膜ををパターニングすることによっ
   て第１電極層を形成する工程と、 該第１電極層上に有機絶縁膜を形成し、パターニングす
   ることによって該複数の絵素領域に対応する領域に該有
   機絶縁膜を形成する工程と、該有機絶縁膜を覆う第２透
   明導電膜を該温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２で形成し、該
   第２透明導電膜をパターニングすることによって該非絵
   素領域で該第１電極層に接続された第２電極層を形成す
   る工程と、を含む液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１および第２透明導電膜を形成
    する工程の前に、前記第１基板をＵＶ／Ｏ₃または真空
    紫外光を用いてドライ洗浄する工程をさらに包含する、
    請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記液晶層は、液晶材料、光硬化性樹
    脂および反応開始剤の混合物を含み、 前記複数の絵素領域の液晶分子を軸対称配向に配向制御
    しながら、光照射して光硬化性樹脂を硬化させて軸対称
    配向固定層を形成する工程を含む、 請求項９および１０のいずれかに記載の液晶表示装置の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記温度Ｔ１が約４００℃である、請
    求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。