JP2000216504A - 回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産性高く、しかも精度高くファインパター
ンで回路を形成することができる回路基板を提供する。 【解決手段】 樹脂成形品を基材１として形成され、表
面に回路が形成される回路基板に関する。このものにお
いて、回路が形成される部分の輪郭に沿って基材１の表
面に凹部３と凸部の少なくとも一方が設けられている。
基材１に設けられた凹部３や凸部を輪郭として回路を形
成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂成形品で絶縁
基材が作製される回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】射出成形などで二次元形状や三次元立体
形状に成形した樹脂成形品を基材とし、この基材の表面
に回路を設けることによって形成したＭＩＤ（Molded I
nterconnection Device）が提供されている。そしてこ
のＭＩＤ用の基材に回路を形成するにあたって、特開平
７−６６５３３号公報で提供されている方法などがあ
る。

【０００３】図１６及び図１７（図１７は図１６の断面
図）はその一例を示すものであり、樹脂成形品で図１６
（ａ）や図１７（ａ）のように形成される基材１を用
い、まず基材１の表面の全面に無電解メッキ等で薄い下
地導電層６を図１６（ｂ）や図１７（ｂ）のように設け
る（図１６に下地導電層６を斜線で示す）。次に、回路
２を形成する部分の輪郭に沿って走査させながらレーザ
光Ｌを照射することによって、図１６（ｃ）や図１７
（ｃ）のように回路２を形成する部分の輪郭の下地導電
層６を除去する。この後、回路２を形成する部分の下地
導電層６に通電して電気メッキを行なうことによって、
図１６（ｄ）や図１７（ｄ）のようにこの下地導電層６
の上に導電体層５を積層して設け、回路２を形成する
（図１６に導電体層５をクロス斜線で示す）。そして、
ソフトエッチングして、図１６（ｅ）や図１７（ｅ）の
ように回路２以外の部分の下地導電層６を除去すること
によって、仕上げることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の方法では、下地
導電層６レーザ光Ｌを照射して除去した部分を輪郭とし
て回路２が形成されることになるので、回路パターンに
沿ってレーザ光Ｌを走査させなければならない。従っ
て、回路２の形成にはレーザ光Ｌを走査させるというパ
ターンニング工程が必要であり、回路形成の生産性が劣
るものであった。しかも、基材１に対してレーザ光Ｌの
走査位置が正確にマッチングしていないと、基材１に形
成される回路２のパターンニングの精度が悪くなり、Ｍ
ＩＤに電子部品を実装する際に実装精度が悪化して部品
実装ができなくなるという問題が生じるものであった。
またこのようにパターンニングの精度が悪いとファイン
パターンで回路形成することができず、高密度実装がで
きなくなるという問題が生じるものであった。

【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、生産性高く、しかも精度高くファインパターンで
回路を形成することができる回路基板を提供することを
目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
回路基板は、樹脂成形品を基材１として形成され、表面
に回路２が形成される回路基板において、回路２が形成
される部分の輪郭に沿って基材１の表面に凹部３と凸部
４の少なくとも一方が設けられて成ることを特徴とする
ものである。

【０００７】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、輪郭を形成する上記の凹部３又は凸部４の間におい
て基材１の表面に回路２となる導電体層５が形成されて
成ることを特徴とするものである。

【０００８】また請求項３の発明は、請求項１，２にお
いて、上記の凹部３又は凸部４の側面には導電体層５が
形成されていないことを特徴とするものである。

【０００９】また請求項４の発明は、請求項１乃至３に
おいて、基材１の樹脂成形品を成形する際に、回路２が
形成される部分の輪郭に凹部３が形成されて成ることを
特徴とするものである。

【００１０】また請求項５の発明は、請求項１乃至３に
おいて、基材１の樹脂成形品を成形する際に、回路２が
形成される部分の輪郭に凸部４が形成されて成ることを
特徴とするものである。

【００１１】また請求項６の発明は、請求項１乃至３に
おいて、基材１の樹脂成形品を成形する際に、回路２が
形成される部分の輪郭に凹部３と凸部４がそれぞれ形成
されて成ることを特徴とするものである。

【００１２】また請求項７の発明は、請求項１，２，
３，５，６において、上記の凸部４は断面形状がくさび
状に形成されていることを特徴とするものである。

【００１３】また請求項８の発明は、請求項１，２，
３，４，６において、上記の凹部３は基材１の表面の裏
側に隠れるように傾斜する側面を有して形成されている
ことを特徴とするものである。

【００１４】また請求項９の発明は、請求項１，２，
３，７，８において、基材１の樹脂成形品を成形した後
に、回路２が形成される部分の輪郭に沿って基材１の表
面に凹部３と凸部４の少なくとも一方が設けられて成る
ことを特徴とするものである。

【００１５】また請求項１０の発明は、請求項１乃至９
において、回路２が形成される部分の輪郭に凹部３と凸
部４の少なくとも一方が設けられた基材１の表面に下地
導電層６を形成した後に、輪郭を形成する凹部３又は凸
部４の間において下地導電層６の上に回路２となる導電
体層５が形成されて成ることとを特徴とするものであ
る。

【００１６】また請求項１１の発明は、請求項１０にお
いて、基材１の表面に下地導電層６を形成した後に、輪
郭を形成する凹部３又は凸部４の間において下地導電層
６の上に電気メッキして回路２となる導電体層５を形成
し、この後、回路２とならない不要部分の下地導電層６
がソフトエッチングで除去されて成ることとを特徴とす
るものである。

【００１７】また請求項１２の発明は、請求項１０又は
１１において、基材１の表面に下地導電層６を形成した
後、凹部３又は凸部４の側面に付着する下地導電層６が
ソフトエッチングで除去されて成ることを特徴とするも
のである。

【００１８】また請求項１３の発明は、請求項１２にお
いて、ソフトエッチングの際に基材１には機械的振動が
与えられていることを特徴とするものである。

【００１９】また請求項１４の発明は、請求項１０乃至
１３において、電気メッキがＰＲメッキで行なわれて回
路２となる導電体層５が形成されて成ることを特徴とす
るものである。

【００２０】また請求項１５の発明は、請求項１０乃至
１４において、基材１の表面にスパッタリングあるいは
真空蒸着で導体粒子７を付着させることによって下地導
電層６を形成するにあたって、基材１の表面と導体粒子
供給源８の表面が平行にならないように傾斜させて対向
させた状態で、スパッタリングあるいは真空蒸着して下
地導電層６が形成されて成ることを特徴とするものであ
る。

【００２１】また請求項１６の発明は、請求項１０，１
５において、基材１の表面に下地導電層６を形成した後
に、輪郭を形成する凹部３又は凸部４の間において下地
導電層６の上に無電解メッキして回路となる導電体層５
が形成されて成ることを特徴とするものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００２３】基材１は射出成形などで成形した樹脂成形
品によって形成されるものであり、その表面は三次元立
体形状に形成してある。そして図１（ａ）（ｂ）に示す
ように、基材１の表面には溝として凹部３が形成してあ
る。この凹部３は基材１の表面の回路２を形成する部分
Ｃの輪郭に沿って形成されるものである。尚、９は基材
１の上面と裏面の間に貫通して設けられたスルーホール
である。

【００２４】基材１の表面の回路２を形成する部分Ｃの
輪郭に沿って凹部３を設ける他、凹部３の代わりに図２
（ａ）のように凸部４を設けるようにしてもよい。図２
（ａ）の実施の形態では、２本の平行な突条を一組とし
て凸部４を形成するようにしてある。

【００２５】また、図２（ｂ）のように、基材１の表面
の回路２を形成する部分Ｃの輪郭に沿って凹部３と凸部
４を設けるようにしてよい。図２（ｂ）の実施の形態で
は、回路２を形成する部分Ｃの輪郭の一方に凹部３を、
他方に凸部４を設けるようにしてある。

【００２６】上記の各実施の形態では、凹部３の両側の
内側面や凸部４の立ち上がる両側の側面は、それぞれ基
材１の表面と垂直な面に形成してあるが、図２（ｃ）に
示すように、凸部４を断面くさび形状に形成し、凸部４
の立ち上がる側面を傾斜面に形成するようにしてもよ
い。図２（ｃ）の実施の形態では、凸部４の一方の側面
は傾斜面に、他方の側面は基材１の表面に対して垂直な
面に形成してある。

【００２７】ここで、上記の凹部３や凸部４のアスペク
ト比は１．０以上であることが好ましい。尚、凹部３の
アスペクト比は、（凹部３の深さ／凹部３の溝幅）とし
て定義されるものであり、凸部４のアスペクト比は、
（凸部４の高さ／凸部４の基部の幅）として定義される
ものである。

【００２８】上記の凹部３や凸部４は、基材１を形成す
る樹脂成形品を射出成形などで成形する際に、同時に成
形金型内で成形して形成することができる。このように
樹脂成形品の成形と同時に凹部３や凸部４を一体に成形
することによって、凹部３や凸部４を形成する工程が不
要になるものである。基材１の三次元立体形状や、凹部
３、凸部４の形状は、成形金型から樹脂成形品を抜く際
の容易さを考慮して設計すればよいものであるが、特に
凸部４を上記のように断面くさび形に形成すると、成形
金型からの抜きが容易になるものである。

【００２９】また、三次元立体形状の樹脂成形品を射出
成形などで成形して基材１を作製した後、凹部３に対応
する箇所において凸の、あるいは凸部４に対応する箇所
において凹の成形部２１を設けた図３（ａ）のような成
形用型２２を用い、基材１の表面にこの成形用型２２を
加圧することによって、成形用型２２で成形して基材１
の表面に凹部３あるは凸部４を図３（ｂ）のように形成
することもできる。このとき、加熱しながら、あるいは
成形用型２２を振動させながら成形することによって、
成形用型２２で凹部３や凸部４を容易に成形することが
できる。このように、予め成形された基材１の表面に凹
部３や凸部４を成形用型２２で形成するようにすれば、
基材１を射出成形等するマスターの成形金型を変更しな
くても、成形用型２２を変更するだけで、基材１に各種
の回路パターンに応じた輪郭で凹部３や凸部４を形成す
ることができるものであり、回路の引き回しの変更を安
価に行なうことができるものである。

【００３０】上記のように回路２が形成される部分の輪
郭に沿って凹部３や凸部４が設けられた基材１を用い、
この基材１の表面にスパッタリング法や真空蒸着法で数
十〜数百ｎｍの薄い厚みの下地導電層６を形成する。下
地導電層６を形成する材料はＣｕ、Ａｌ、Ｓｎ等の金属
など、導電性材料であれば何でもよい。このように下地
導電層６をスパッタリング法や真空蒸着法で形成する
と、スパッタリングターゲットからのスパッタリング粒
子や蒸発源からの蒸発粒子（スパッタリング粒子と蒸発
粒子を総称して導体粒子という）は基板１の表面に付着
し易いが、基板１の表面と垂直な面には付着し難く、ま
た導体粒子は凹部３内に入りにくいので、凹部３や凸部
４の側面、さらに凹部３の底面には導体粒子は付着し難
い。従って、図５（ａ）（ｂ）に示すように、下地導電
層６は基板１の表面にのみ形成され、凹部３や凸部４の
側面、さらに凹部３の底面には形成されない（図５
（ａ）において下地導電層６を斜線で示す）。特に、凹
部３や凸部４をアスペクト比が１．０以上になるように
形成することによって、凹部３や凸部４の側面、さらに
凹部３の底面に下地導電層６が形成され難くすることが
できるものである。尚、図２（ｃ）のように凸部４を断
面くさび形状に形成した場合には、その傾斜した側面に
は下地導電層６は薄く形成されることがあるが、垂直に
形成した側面には下地導電層６は形成されない。

【００３１】基材１の表面には回路２を形成する部分Ｃ
の他に、回路を形成しない部分Ｄにおいても下地導電層
６は形成されるが、回路形成部分Ｃの下地導電層６と回
路非形成部分Ｄの下地導電層６とは、下地導電層６が形
成されない凹部３や凸部４において縁が切られており、
回路形成部分Ｃの下地導電層６と回路非形成部分Ｄの下
地導電層６は連続してない。そこで、回路形成部分Ｃの
下地導電層６にのみ給電して通電しながら電気メッキを
することによって、回路形成部分Ｃの下地導電層６の上
にのみ図６（ａ）（ｂ）のように導電体層５を積層して
設けることができる。回路形成部分Ｃの下地導電層６と
電気的に縁の切れている回路非形成部分Ｄの下地導電層
６には通電されないので、回路非形成部分Ｄの下地導電
層６には導電体層５は形成されない（図６（ａ）におい
て下地導電層６を斜線で、導電体層５をクロス斜線で示
す）。下地導電層６を形成する材料は導電性材料であれ
ば何でもよいが、Ｃｕが好ましい。

【００３２】このようにして基材１の表面の回路形成部
分Ｃに回路２を形成する導電体層５を設けた後、過硫酸
塩類エッチング液（過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリ
ウム等）や過酸化水素／硫酸エッチング液などのソフト
エッチング液を用いて処理することによって、回路非形
成部分Ｄの下地導電層６を溶解して図７（ａ）（ｂ）の
ように剥離除去し（図７（ａ）において導電体層５をク
ロス斜線で示す）、ＭＩＤの回路形成を行なうものであ
る。ここで、回路２は上記のように基材１に設けられた
凹部３や凸部４を輪郭として形成されるものであり、レ
ーザ光を回路２の輪郭沿って走査させるというようなパ
ターンニング工程が不要になり、回路形成の生産性を高
めることができるものである。また回路２のパターンは
凹部３や凸部４によって決定されるものであるが、この
凹部３や凸部４は基材１を形成する樹脂成形品に成形に
よって設けられているものであり、基材１に対する回路
２のパターンのマッチングを考慮する必要がなくなり、
回路２のパターン精度は凹部３や凸部４の成形精度のみ
で決まることになる。そして高い精度で成形を行なうこ
とは容易であって、回路２を精度高くファインパターン
で形成することができるものである。特に、基材１の表
面が三次元立体形状であっても、回路２は凹部３や凸部
４を輪郭として三次元的に形成することができるもので
あり、三次元的な回路２をファインなパターンで形成す
ることが容易になるものである。従って、ＭＩＤに電子
部品を実装する際の実装精度を高く得ることができ、ま
た高密度実装を行なうことができるものである。

【００３３】上記のようにして基材１の表面に回路２を
形成した後、回路２にＩＣ等を金ワイヤーでワイヤーボ
ンディングする場合には、回路２に通電して電気ニッケ
ルメッキや電気金メッキを行なって、図８（ａ）（ｂ）
のようにニッケルメッキ層２４や金メッキ層２５を形成
するようにするのがよい（図８（ａ）において金メッキ
層２４を点々で示す）。

【００３４】上記の図５のように、基材１の表面にスパ
ッタリング法や真空蒸着法で下地導電層６を形成するに
あたって、凹部３の幅を狭く形成してアスペクト比を
１．０以上にすることによって、凹部３の内側面に導体
粒子がより付着し難くなり、凹部３の内側面に下地導電
層６が形成されないようにすることができるが、図４
（ａ）（ｂ）のように凹部３の幅を広く形成してアスペ
クト比が１．０以上になると、凹部３の内側面に下地導
電層６が形成され易くなる。そこでこのように凹部３の
幅を広く形成する場合には、図４（ａ）（ｃ）のよう
に、凹部３の内側面を基材１の表面に対して傾斜する傾
斜面として形成するのが好ましい。凹部３の両側の内側
面は成形の際の型抜きを容易にするために平行に形成さ
れるが、凹部３の内側面をこのように傾斜面に形成する
と、凹部３の両側の内側面のうち一方は、基材１の表面
の裏側に隠れるように傾斜することになり、この基材１
の表面の裏側に隠れる内側面３ａには導体粒子が付着し
難くなり、この内側面３ａに下地導電層６が形成されな
いようにすることができる。従って、回路形成部分Ｃの
下地導電層６に給電して電気メッキをすることによっ
て、回路形成部分Ｃの下地導電層６の上にのみ回路２と
なる導電体層５を形成することができるものである。

【００３５】また、上記の図４（ａ）（ｂ）のように凹
部３や凸部４のアスペクト比が１．０以上になるように
幅を広く形成するにあたって、凹部３や凸部４の側面が
基材１の表面に対して垂直面になるように形成されてい
る場合は、図９に示すように、基材１の表面にスパッタ
リング法あるいは真空蒸着法で導体粒子７を付着させる
ことによって下地導電層６を形成するに際して、基材１
の表面とスパッタリングゲートなどの導体粒子供給源８
の表面が平行にならないように、基材１と導体粒子供給
源８の一方を傾斜させて対向させた状態で、スパッタリ
ングあるいは真空蒸着するようにするのが好ましい。こ
のように基材１の表面と導体粒子供給源８の表面を傾斜
させて対向させると、導体粒子供給源８から出て基材１
へ移動する導体粒子７の移動方向（矢印で示す）に対し
て、基材１の凹部３や凸部４の両側の側面のうち一方の
側面が陰になって、この陰になる側面に導体粒子７が付
着し難くなり、この側面に下地導電層６が形成されない
ようにすることができるものである。

【００３６】また、基材１の表面にスパッタリング法や
真空蒸着法で下地導電層６を形成するにあたって、凹部
３や凸部４の側面には下地導電層６が形成され難いが、
凹部３や凸部４の側面の上端部には数μｍ厚程度ではあ
るが、わずかに下地導電層６が形成されることになる。
そして回路形成部分Ｃの下地導電層６に給電して電気メ
ッキを行なうことによって、回路形成部分Ｃの下地導電
層６に回路２となる導電体層５を形成するにあたって、
凹部３や凸部４の側面の上端部に薄く付着している下地
導電層６にもこれを核としてメッキ膜５ａが図１０のよ
うに成長することになる。そしてこの成長したメッキ膜
５ａが回路非形成部分Ｄの下地導電層６に近接して、回
路形成部分Ｃの下地導電層６と回路非形成部分Ｄの下地
導電層６の間の絶縁を確保できなくなって短絡不良を起
こす場合がある。

【００３７】そこで、これを回避するために、図１１
（ａ）のように基材１の表面にスパッタリング法や真空
蒸着法で下地導電層６を形成した後、既述のようなソフ
トエッチング液を用いてソフトエッチングを行ない、凹
部３や凸部４の側面の上端部に薄く形成されている下地
導電層６を溶解除去するのが好ましい。凹部３や凸部４
の側面の上端部に形成される下地導電層６の厚みは、基
板１の表面に形成される下地導電層６の０〜３０％程度
であって薄いので、基板１の表面の下地導電層６がエッ
チングされない程度のソフトエッチングで凹部３や凸部
４の側面の上端部の下地導電層６を溶解除去することが
できるものである。

【００３８】このとき、微細な凹部３や凸部４にはソフ
トエッチング液が入り難いので、基材１に超音波振動や
揺動などを与えて機械的に振動させることによって、図
１２の矢印のようにソフトエッチング液が凹部３や凸部
４に入り易くなるようにして、凹部３や凸部４の側面の
上端部の下地導電層６を効率良く溶解除去できるように
するのが好ましい。

【００３９】そして上記のようにして、凹部３や凸部４
の側面の上端部に付着する下地導電層６を図１１（ｂ）
のように除去した後、回路形成部分Ｃの下地導電層６に
通電して電気メッキを行なうことによって、回路２とな
る導電体層５を回路形成部分Ｃの下地導電層６の上に形
成する。凹部３や凸部４の側面の上端部には下地導電層
６は存在しないので、図１１（ｃ）のように回路形成部
Ｃの端縁でシャープなエッジに導電体層５を形成するこ
とができるものである。この後、回路非形成部分Ｄの下
地導電層６をソフトエッチングで除去し、さらに導電体
層５の上にニッケルメッキ層２４や金メッキ層２５を設
けて図１１（ｄ）のようなＭＩＤを作製することができ
るものである。

【００４０】ここで、回路形成部分Ｃの下地導電層６に
通電して電気メッキを行なうことによって、回路２とな
る導電体層５を回路形成部分Ｃの下地導電層６の上に形
成するにあたって、電気メッキはＰＲメッキ（periodic
reverse current plating）で行なうのが好ましい。す
なわち電気メッキは下地導電層６にマイナス電荷を印可
して行なわれるが、通常の電気メッキのようにマイナス
電荷の印可を継続してメッキを成長させると、メッキエ
ッジ部に電界集中を起こして、図１３（ｂ）のように導
電体層５の端部が成長して膨れ、短絡不良を起こすおそ
れがある。これに対して、ＰＲメッキでは、下地導電層
６にマイナス電荷を印可してメッキを成長させるところ
は同じであるが、メッキの途中に電流の向きを周期的に
変えて、逆電界のプラス電荷を下地導電層６に周期的に
かけるようにするものであり、このようにプラス電荷を
下地導電層６に印可するとエッジ部が逆電界集中を起こ
して、端部が成長して膨れるようなことなく図１３
（ａ）のように導電体層５を形成することができるので
ある。

【００４１】図１４及び図１５は本発明の他の実施の形
態を示すものであり、図１４（ａ）や図１５（ａ）のよ
うに回路形成部Ｃの輪郭に沿って凹部３や凸部４を設け
た樹脂成形品の基材１を用い、基材１の表面にスパッタ
リング法や真空蒸着法で図１４（ｂ）や図１５（ｂ）の
ように下地導電層６を形成する（図１４（ｂ）に下地導
電層６を斜線で示す）。既述のように凹部３や凸部４の
側面には下地導電層６は形成されない。次に、基材１の
表面に触媒核を塗布して付与し、無電解メッキを行な
う。凹部３や凸部４の側面には触媒核は塗布されないの
で、下地導電層６の上においてのみ、無電解メッキが行
なわれるものである。この無電界メッキは、無電解銅メ
ッキ、無電解ニッケルメッキ、無電解金メッキとして行
なうことができるものであり、無電解銅メッキによって
導電体層５を、無電解ニッケルメッキによってニッケル
メッキ層２４を、無電解金メッキによって金メッキ層２
５をそれぞれ図１４（ｃ）及び図１５（ｃ）のように形
成することができるものである（図１４（ｃ）に金メッ
キ層２５を点々で示す）。回路形成部Ｃと回路非形成部
Ｄとは凹部３や凸部４で縁が切れているので、凹部３や
凸部４を輪郭として回路形成部Ｃに回路２を形成するこ
とができるものである。そしてこのように、回路２の形
成を無電解メッキで行なうようにすることによって、電
気メッキの場合のような通電を行なう必要が無くなるの
で、通電のための給電部の引き回しが不要になり、基材
１の形状の設計の自由度が高くなるものである。

【００４２】

【発明の効果】上記のように請求項１に係る回路基板
は、樹脂成形品を基材として形成され、表面に回路が形
成される回路基板において、回路が形成される部分の輪
郭に沿って基材の表面に凹部と凸部の少なくとも一方が
設けられたものであるので、基材に設けられた凹部や凸
部を輪郭として回路を形成することができ、パターンニ
ング工程が不要になって回路形成の生産性を高めること
ができるものであり、しかも回路のパターンは基材に設
けられている凹部や凸部によって決定されるものであっ
て、基材に対する回路のパターンのマッチングを考慮す
る必要がなくなると共に、回路のパターン精度は凹部や
凸部の成形精度のみで決まることになり、回路を精度高
くファインパターンで形成することが可能になるもので
ある。

【００４３】また請求項２の発明は、輪郭を形成する上
記の凹部又は凸部の間において基材の表面に回路となる
導電体層が形成されているので、基材に設けられた凹部
や凸部を輪郭として回路を形成することができ、パター
ンニング工程が不要になって回路形成の生産性を高める
ことができるものであり、しかも回路のパターンは基材
に設けられている凹部や凸部によって決定されるもので
あって、基材に対する回路のパターンのマッチングを考
慮する必要がなくなると共に、回路のパターン精度は凹
部や凸部の成形精度のみで決まることになり、回路を精
度高くファインパターンで形成することが可能になるも
のである。

【００４４】また請求項３の発明は、上記の凹部又は凸
部の側面には導電体層が形成されていないことを特徴と
するので、基材に設けられた凹部や凸部を輪郭として回
路を形成することができ、パターンニング工程が不要に
なって回路形成の生産性を高めることができるものであ
り、しかも回路のパターンは基材に設けられている凹部
や凸部によって決定されるものであって、基材に対する
回路のパターンのマッチングを考慮する必要がなくなる
と共に、回路のパターン精度は凹部や凸部の成形精度の
みで決まることになり、回路を精度高くファインパター
ンで形成することが可能になるものである。

【００４５】また請求項４の発明は、基材の樹脂成形品
を成形する際に、回路が形成される部分の輪郭に凹部が
形成されているので、樹脂成形品の成形と同時に凹部を
形成することができ、凹部を形成する工程が不要になる
ものである。

【００４６】また請求項５の発明は、基材の樹脂成形品
を成形する際に、回路が形成される部分の輪郭に凸部が
形成されているので、樹脂成形品の成形と同時に凸部を
形成することができ、凸部を形成する工程が不要になる
ものである。

【００４７】また請求項６の発明は、基材の樹脂成形品
を成形する際に、回路が形成される部分の輪郭に凹部と
凸部がそれぞれ形成されているので、樹脂成形品の成形
と同時に凹部や凸部を形成することができ、凹部や凸部
を形成する工程が不要になるものである。

【００４８】また請求項７の発明は、上記の凸部は断面
形状がくさび状に形成されているので、凸部を成形する
にあたって型抜きが容易になるものである。

【００４９】また請求項８の発明は、上記の凹部は基材
の表面の裏側に隠れるように傾斜する側面を有して形成
されているので、基材の表面にスパッタリングや真空蒸
着で下地導電層を形成するにあたって、凹部のこの基材
の表面の裏側に隠れるように傾斜する側面には下地導電
層が確実に形成されないようにすることができるもので
ある。

【００５０】また請求項９の発明は、基材の樹脂成形品
を成形した後に、回路が形成される部分の輪郭に沿って
基材の表面に凹部と凸部の少なくとも一方が設けられて
いるので、基材を射出成形等するマスターの成形金型を
変更しなくても、基材に凹部や凸部を成形する型を変更
するだけで、基材に各種の回路パターンに応じた輪郭で
凹部や凸部を形成することができるものであり、回路の
引き回しの変更を安価に行なうことができるものであ
る。

【００５１】また請求項１０の発明は、回路が形成され
る部分の輪郭に凹部と凸部の少なくとも一方が設けられ
た基材の表面に下地導電層を形成した後に、輪郭を形成
する凹部又は凸部の間において下地導電層の上に回路と
なる導電体層が形成されているので、基材に設けられた
凹部や凸部を輪郭として下地導電層の上に回路を形成す
ることができ、パターンニング工程が不要になって回路
形成の生産性を高めることができるものである。

【００５２】また請求項１１の発明は、基材の表面に下
地導電層を形成した後に、輪郭を形成する凹部又は凸部
の間において下地導電層の上に電気メッキして回路とな
る導電体層を形成し、この後、回路とならない不要部分
の下地導電層がソフトエッチングで除去されているの
で、回路の部分以外には導体は存在しないようにするこ
とができ、回路の信頼性を高めることができるものであ
る。

【００５３】また請求項１２の発明は、基材の表面に下
地導電層を形成した後、凹部又は凸部の側面に付着する
下地導電層がソフトエッチングで除去されているので、
凹部又は凸部の側面に付着する下地導電層によって短絡
不良が発生することを防ぐことができるものである。

【００５４】また請求項１３の発明は、ソフトエッチン
グの際に基材には機械的振動が与えられているので、凹
部や凸部にソフトエッチング液が流れ易くなり、ソフト
エッチングの効率を高めることができるものである。

【００５５】また請求項１４の発明は、電気メッキがＰ
Ｒメッキで行なわれて回路となる導電体層が形成されて
いるので、端部が成長して膨れるようなことなく導電体
層を形成することができるものであり、短絡不良を防ぐ
ことができるものである。

【００５６】また請求項１５の発明は、基材の表面にス
パッタリングあるいは真空蒸着で導体粒子を付着させる
ことによって下地導電層を形成するにあたって、基材の
表面と導体粒子供給源の表面が平行にならないように傾
斜させて対向させた状態で、スパッタリングあるいは真
空蒸着して下地導電層が形成されているので、導体粒子
供給源から基材へ移動する導体粒子の移動方向に対し
て、基材の凹部や凸部の側面が陰になるようにすること
ができ、この陰になる側面に下地導電層が形成されない
ようにすることができるものであり、短絡不良を防ぐこ
とができるものである。

【００５７】また請求項１６の発明は、基材の表面に下
地導電層を形成した後に、輪郭を形成する凹部又は凸部
の間において下地導電層の上に無電解メッキして回路と
なる導電体層が形成されているので、回路を無電解メッ
キで形成することができ、電気メッキを行なう場合のよ
うな給電のための引き回しを考慮して基材を成形する金
型の設計を行なう必要がなくなるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はぞれぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ
線に対応する箇所の断面図である。

【図３】本発明の実施の形態における凹部や凸部の成形
を示すものであり、（ａ）は成形前の断面図、（ｂ）は
成形後の断面図である。

【図４】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は一部の破断斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ矢視
図、（ｃ）は（ａ）のＢ矢視図である。

【図５】本発明の実施の形態の一例における下地導電層
を形成した状態を示すものであり、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図６】本発明の実施の形態の一例における導電体層を
形成した状態を示すものであり、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図７】本発明の実施の形態の一例における不要箇所の
下地導電層を除去した状態を示すものであり、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図８】本発明の実施の形態の一例におけるニッケルメ
ッキ層や金メッキ層を形成した状態を示すものであり、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【図９】本発明の実施の形態の一例における下地導電層
を形成する工程を示す概略図である。

【図１０】下地導電層の上に導電体層を設けた基材の断
面図である。

【図１１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はそれぞれ断面図であ
る。

【図１２】本発明の実施の形態の一例におけるソフトエ
ッチングの工程での断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態の一例での導電体層の電
気メッキの工程を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそ
れぞれ断面図である。

【図１４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ），（ｃ）は各工程での斜視図であ
る。

【図１５】（ａ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線断面図、
（ｂ）は図１４（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は図１
４（ｃ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図１６】従来例を示すものであり、（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は各工程での斜視図である。

【図１７】従来例を示すものであり、（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は各工程での断面図である。

【符号の説明】

１ 基材 ２ 回路 ３ 凹部 ４ 凸部 ５ 導電体層 ６ 下地導電層 ７ 導体粒子 ８ 導体粒子供給源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 浩之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 松山 純 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5E338 AA05 AA16 BB02 BB19 BB28 BB61 BB63 BB75 CC01 CD01 CD02 CD05 CD19 EE32

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂成形品を基材として形成され、表面
   に回路が形成される回路基板において、回路が形成され
   る部分の輪郭に沿って基材の表面に凹部と凸部の少なく
   とも一方が設けられて成ることを特徴とする回路基板。
2. 【請求項２】 輪郭を形成する上記の凹部又は凸部の間
   において基材の表面に回路となる導電体層が形成されて
   成ることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
3. 【請求項３】 上記の凹部又は凸部の側面には導電体層
   が形成されていないことを特徴とする請求項１又は２に
   記載の回路基板。
4. 【請求項４】 基材の樹脂成形品を成形する際に、回路
   が形成される部分の輪郭に凹部が形成されて成ることを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基
   板。
5. 【請求項５】 基材の樹脂成形品を成形する際に、回路
   が形成される部分の輪郭に凸部が形成されて成ることを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基
   板。
6. 【請求項６】 基材の樹脂成形品を成形する際に、回路
   が形成される部分の輪郭に凹部と凸部がそれぞれ形成さ
   れて成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
   記載の回路基板。
7. 【請求項７】 上記の凸部は断面形状がくさび状に形成
   されていることを特徴とする請求項１，２，３，５，６
   のいずれかに記載の回路基板。
8. 【請求項８】 上記の凹部は基材の表面の裏側に隠れる
   ように傾斜する側面を有して形成されていることを特徴
   とする請求項１，２，３，４，６のいずれかに記載の回
   路基板。
9. 【請求項９】 基材の樹脂成形品を成形した後に、回路
   が形成される部分の輪郭に沿って基材の表面に凹部と凸
   部の少なくとも一方が設けられて成ることを特徴とする
   請求項１，２，３，７，８のいずれかに記載の回路基
   板。
10. 【請求項１０】 回路が形成される部分の輪郭に凹部と
    凸部の少なくとも一方が設けられた基材の表面に下地導
    電層を形成した後に、輪郭を形成する凹部又は凸部の間
    において下地導電層の上に回路となる導電体層が形成さ
    れて成ることとを特徴とする請求項１乃至９のいずれか
    に記載の回路基板。
11. 【請求項１１】 基材の表面に下地導電層を形成した後
    に、輪郭を形成する凹部又は凸部の間において下地導電
    層の上に電気メッキして回路となる導電体層を形成し、
    この後、回路とならない不要部分の下地導電層がソフト
    エッチングで除去されて成ることを特徴とする請求項１
    ０に記載の回路基板。
12. 【請求項１２】 基材の表面に下地導電層を形成した
    後、凹部又は凸部の側面に付着する下地導電層がソフト
    エッチングで除去されて成ることを特徴とする請求項１
    ０又は１１に記載の回路基板。
13. 【請求項１３】 ソフトエッチングの際に基材には機械
    的振動が与えられていることを特徴とする請求項１２に
    記載の回路基板。
14. 【請求項１４】 電気メッキがＰＲメッキで行なわれて
    回路となる導電体層が形成されて成ることを特徴とする
    請求項１０乃至１３のいずれかに記載の回路基板。
15. 【請求項１５】 基材の表面にスパッタリングあるいは
    真空蒸着で導体粒子を付着させることによって下地導電
    層を形成するにあたって、基材の表面と導体粒子供給源
    の表面が平行にならないように傾斜させて対向させた状
    態で、スパッタリングあるいは真空蒸着して下地導電層
    が形成されて成ることを特徴とする請求項１０乃至１４
    のいずれかに記載の回路基板。
16. 【請求項１６】 基材の表面に下地導電層を形成した後
    に、輪郭を形成する凹部又は凸部の間において下地導電
    層の上に無電解メッキして回路となる導電体層が形成さ
    れて成ることを特徴とする請求項１０，１５に記載の回
    路基板。