JP2000216251A - Method of designing semiconductor integrated circuit - Google Patents

Method of designing semiconductor integrated circuit

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JP2000216251A
JP2000216251A JP1387299A JP1387299A JP2000216251A JP 2000216251 A JP2000216251 A JP 2000216251A JP 1387299 A JP1387299 A JP 1387299A JP 1387299 A JP1387299 A JP 1387299A JP 2000216251 A JP2000216251 A JP 2000216251A
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JP
Japan
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wiring
clock
block
integrated circuit
semiconductor integrated
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JP1387299A
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Kazuhiro Sato
和弘 佐藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress speed performance deterioration caused by a wiring capacity, etc., by adopting a relay buffer insertion method, and in addition, to realize a low-clock skew that does not rely upon voltage or temperature characteristics. SOLUTION: In a block 1 adjoining the route from a clock-supplying source to a clock-supplying destination, the disturbance to a signal line passing through a wiring inhibiting region 5 can be avoided by generating an arrangement inhibiting region 5 and the wiring inhibiting region 5 in the block 1 along the clock-wiring path-side edge. In addition, since relay buffers 4 are arranged in the regions 7 and 5, delay adjustment can be performed without correcting the arranged positions of cells. Moreover, a circuit which does not rely upon voltage or temperature characteristics is generated, by making a wiring delay and a cell delay equal to each other, by making the wiring of clock signals to each destination with the same length and the same capacity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、クロックに同期し
て動作する半導体集積回路のレイアウトに関し、クロッ
クスキューを低減することができる半導体集積回路の設
計方法に関する。特に、クロックの供給源から基板上に
配置された複数の論理回路にクロック信号を供給すると
きのスキュー対策に有効な技術に関する。
The present invention relates to a layout of a semiconductor integrated circuit operating in synchronization with a clock, and more particularly to a method of designing a semiconductor integrated circuit capable of reducing clock skew. In particular, the present invention relates to a technique effective for skew measures when a clock signal is supplied from a clock supply source to a plurality of logic circuits arranged on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路のレイアウトは、
ビルディングブロック方式のレイアウト及びフラットレ
イアウトのいずれのレイアウト手法においても、複数の
論理セルからなるブロックとブロック間の2段階に分け
て配置配線が行なわれてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, the layout of a semiconductor integrated circuit is as follows.
In both of the layout method of the building block method and the flat layout, the arrangement and wiring have been performed in two stages between blocks composed of a plurality of logic cells.

【0003】また、ブロック内のスキュー調整に関して
は市販のVADツールにおいてもクロックツリーを生成
することにより、十分スキューを抑えることができてい
たが、ブロック間のスキュー調整はブロック内部での配
線手法と同様に2つのブロックをバッファリングして、
その中間点をノードとして接続しスキューを抑える手法
が提案されている。
[0003] In addition, with regard to skew adjustment within a block, a skew can be sufficiently suppressed by generating a clock tree even with a commercially available VAD tool, but skew adjustment between blocks is performed by a wiring method inside the block. Buffer two blocks in the same way,
A method has been proposed in which the intermediate point is connected as a node to suppress skew.

【0004】さらに、図2に示すようにブロック1の内
部に同一サイズでセル遅延値の異なった遅延調整用セル
2を用意しておき、ブロック間の配線遅延に応じて遅延
調整セルを変更してスキューを抑える手法も提案されて
いる。
Further, as shown in FIG. 2, delay adjusting cells 2 of the same size and different cell delay values are prepared in a block 1, and the delay adjusting cells are changed according to the wiring delay between the blocks. A technique for suppressing the skew by using the same has been proposed.

【0005】また、ブロック間の長距離配線による速度
性能劣化に対しては、ある一定の間隔で中継バッファを
挿入する手法として、特開平6−334042号公報に
記載されているような提案がある。この中継バッファ挿
入手法は、図1に示すようにチップ3内に縦横に中継バ
ッファセル4の列を格子状に配置してクロック信号中の
一定間隔毎に中継バッファを経由するようにレイアウト
する手法であった。
As a method for inserting a relay buffer at a certain interval with respect to speed performance degradation due to long-distance wiring between blocks, there is a proposal as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 6-334442. . This relay buffer insertion method is a method of arranging columns of relay buffer cells 4 vertically and horizontally in a chip 3 as shown in FIG. 1 and laying them out at regular intervals in a clock signal via a relay buffer. Met.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したようなブロッ
ク間のスキューの調整手法では、自動配線ツールで配線
を行なおうとした場合、前者の方法では、チャネルラウ
ターでは同一チャネルに複数の同一ネットが存在する配
線となるため不可能となる。
In the skew adjustment method between blocks as described above, when wiring is to be performed by an automatic wiring tool, in the former method, a plurality of the same nets are placed in the same channel by the channel router. This is impossible because of existing wiring.

【0007】また、遅延調整セルにおいてスキューを調
整する手法では、電源電圧及び温度の変動に対してセル
遅延と配線遅延が別々に変動するのでスキューの調整が
困難である。さらには、中継バッファを格子状に配置し
て長距離配線による速度性能劣化に対応する手法では、
配線長が各クロック配線経路において異なるため、前述
のスキュー調整が困難である。
In the method of adjusting the skew in the delay adjustment cell, it is difficult to adjust the skew because the cell delay and the wiring delay vary separately with respect to the power supply voltage and the temperature. Furthermore, in the method of arranging the relay buffers in a grid pattern to cope with the speed performance degradation due to long-distance wiring,
Since the wiring length is different in each clock wiring path, the skew adjustment described above is difficult.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明ではブロックのレイアウトを行なう際に、あ
らかじめ上位階層でクロック信号の経路を考慮した辺に
縦方向レイヤまたは横方向レイヤに限定した配線禁止領
域を形成することにより、等長・等容量配線を行なうよ
うにする。
In order to solve the above problem, in the present invention, when laying out a block, the upper layer is limited to a vertical layer or a horizontal layer in advance in consideration of a clock signal path in an upper hierarchy. By forming a wiring prohibited area, equal-length and equal-capacity wiring is performed.

【0009】また、前記配線禁止領域と同様の領域に対
して配置禁止領域を形成し、中継バッファセルを配置す
ることにより、長距離配線による速度性能劣化に対応で
きる。
In addition, by forming an arrangement prohibited area in the same area as the wiring prohibited area and arranging the relay buffer cells, it is possible to cope with the speed performance degradation due to long distance wiring.

【0010】さらに、ブロック間スキュー調整の際に上
記配線領域と組合わせることにより、スキューを調整で
きる。
Further, the skew can be adjusted by combining the above-mentioned wiring area when adjusting the skew between the blocks.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明に関わる請求項1の半導体
集積回路の設計方法は、複数の回路へ同期してクロック
信号を供給するために、クロック信号の供給源と供給先
の間を等長・等容量配線を行なう設計手法であって、ブ
ロックレイアウトを行なう際に上位階層でのクロック信
号経路を考慮して、ブロック内部の特定の辺付近に対し
て縦方向レイヤあるいは横方向レイヤに限定した配線禁
止領域を作成して配置配線を行ない、ブロック間のスキ
ュー調整の際に作成した配線禁止領域内に、禁止した配
線レイヤを使用することにより既存のブロック内配線を
変更することなく、スキューを満す等長・等容量の配線
を行なうことができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of designing a semiconductor integrated circuit, in which a clock signal is supplied to a plurality of circuits in synchronization with a clock signal supply source and a destination. This is a design method for long and equal-capacity wiring. In consideration of the clock signal path in the upper layer when performing the block layout, the vicinity of a specific side inside the block is limited to a vertical layer or a horizontal layer. Create a prohibited routing area and perform placement and routing, and use the prohibited routing layer in the routing prohibited area created when adjusting the skew between blocks without changing the existing intra-block routing. Wiring of equal length and equal capacity can be performed.

【0012】本発明に関わる請求項2の半導体集積回路
装置の設計方法は、複数の回路へ信号を供給する際に、
長距離配線による速度性能劣化に対応するために、中継
バッファセルを配置する設計手法であって、ブロックレ
イアウトを行なう際に請求項1と同様の領域に対して配
置禁止領域を作成して配置配線を行ない、ブロック間の
配線抵抗及び容量が規定の値を越えた場合に中継バッフ
ァセルを配置することにより、ブロック内のセル配置を
変更することなく長距離配線による速度性能劣化を低減
できる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for designing a semiconductor integrated circuit device, comprising:
A design method for arranging relay buffer cells in order to cope with speed performance degradation due to long-distance wiring, wherein a layout prohibited area is created in the same area as in claim 1 when performing block layout. By arranging the relay buffer cells when the wiring resistance and capacitance between the blocks exceed the specified values, it is possible to reduce the speed performance degradation due to long-distance wiring without changing the cell arrangement in the block.

【0013】以下、本発明にかかわる半導体集積回路装
置の設計方法の具体的な実施の形態を図面に基づいて詳
細に説明する。具体的には、半導体集積回路装置として
スタンダードセル形の設計によるCMOSLSIを例に
挙げる。
Hereinafter, specific embodiments of a method of designing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Specifically, a CMOS LSI with a standard cell design is taken as an example of a semiconductor integrated circuit device.

【0014】(実施の形態1)図3は請求項1に関わる
半導体集積回路装置の設計方法を説明する図で、図3の
(a)は半導体集積回路のチップレイアウトパターンを
示し、図3の(b)は(a)における配線禁止領域5内
の配線禁止のパターンを示す。
(Embodiment 1) FIG. 3 is a view for explaining a method of designing a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment. FIG. 3 (a) shows a chip layout pattern of the semiconductor integrated circuit. (B) shows a wiring prohibition pattern in the wiring prohibition area 5 in (a).

【0015】図3において、ブロック内のH型の配線経
路はブロック内部のクロックツリーシンセシスを行なっ
た後の配線形状を表わしている。H型の配線経路の先に
は図示していないが、クロックツリーの段数に応じてさ
らに細かなH型の配線が施されクロック信号の供給先と
なるフリップフロップ等のセルまで接続している。
In FIG. 3, an H-shaped wiring path in the block represents a wiring shape after clock tree synthesis has been performed in the block. Although not shown at the end of the H-shaped wiring path, further fine H-shaped wirings are provided according to the number of stages of the clock tree, and are connected to cells such as flip-flops to which clock signals are supplied.

【0016】通常、半導体集積回路のチップレイアウト
を行なうためにブロック分割を行ない、ブロックのレイ
アウトを行なう前にはフロアプランを行ない、ある程度
各信号の配線経路を決定しブロック1の外部ピン位置を
決定する。
Normally, a block is divided to perform a chip layout of a semiconductor integrated circuit, a floor plan is performed before a block layout is performed, and a wiring route of each signal is determined to some extent to determine an external pin position of the block 1. I do.

【0017】次に、各ブロック1のレイアウトを行なう
際に、このフロアプランの際に決定したクロック信号の
配線経路に隣接するように配線禁止領域5を図3の
(a)に示すように作成する。このとき、作成する配線
禁止領域5内の配線禁止レイヤは、図3の(b)に示す
ように、配線禁止領域5が縦方向のチャネルに隣接する
ブロックの左右辺の場合は縦方向配線レイヤ、横方向の
チャネルに隣接するブロックの上下辺の場合は横方向配
線レイヤのみとする。
Next, when laying out each block 1, a wiring prohibited area 5 is created as shown in FIG. 3A so as to be adjacent to the wiring path of the clock signal determined in the floor plan. I do. At this time, the wiring prohibition layer in the wiring prohibition area 5 to be created is, as shown in FIG. 3B, a vertical wiring layer when the wiring prohibition area 5 is on the left and right sides of a block adjacent to the vertical channel. In the case of the upper and lower sides of a block adjacent to the channel in the horizontal direction, only the horizontal wiring layer is used.

【0018】ここで、それぞれ縦方向あるいは横方向の
みの配線レイヤを配線禁止とすることにより、配線禁止
領域5を通過してブロック1の内部と外部を接続するた
めの信号線の経路を遮らずに済むために、配線禁止領域
5を作成したことによる他の信号線への影響を最小限に
抑えることができる。
Here, by prohibiting the wiring layers only in the vertical direction or the horizontal direction, respectively, the path of the signal line for connecting the inside and the outside of the block 1 through the wiring prohibited area 5 is not blocked. Therefore, the influence on other signal lines due to the creation of the wiring prohibited area 5 can be minimized.

【0019】そして、ブロックの配置配線が終了しブロ
ック間の遅延調整処理の段階で、クロック信号供給源か
ら最長距離にあるブロックまでのクロック信号経路と他
の各ブロックまでのクロック信号の経路での配線容量お
よび配線抵抗の差を計算し、算出された差の分に相当す
るだけの配線パターンを確保しておいた配線禁止領域内
の配線禁止レイヤーにおいて形成することにより、クロ
ック信号供給源からクロック信号供給先までの等長・等
容量配線を実現することができる。
Then, at the stage of the delay adjustment processing between the blocks after the arrangement and wiring of the blocks are completed, the clock signal path from the clock signal supply source to the block at the longest distance and the clock signal path to each of the other blocks are changed. The difference between the wiring capacitance and the wiring resistance is calculated, and a wiring pattern corresponding to the calculated difference is formed in the wiring prohibited layer in the wiring prohibited area where the clock signal is supplied from the clock signal supply source. Equal length and equal capacity wiring to the signal supply destination can be realized.

【0020】(実施の形態2)図4は請求項2に関わる
半導体集積回路装置の設計方法を説明する図で、図4の
(a)は半導体集積回路のチップレイアウトパターンを
示し、図4の(b)は(a)における配置禁止領域内の
中継バッファセル4及び回路修正用セル6の配置図を示
す。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a diagram for explaining a method of designing a semiconductor integrated circuit device according to the second aspect. FIG. 4A shows a chip layout pattern of the semiconductor integrated circuit. (B) shows an arrangement diagram of the relay buffer cell 4 and the circuit correction cell 6 in the arrangement prohibited area in (a).

【0021】図4の(a)において、ブロック内のH型
の配線経路に関しては実施の形態1と同様にブロック内
のレイアウトを行なった際のクロックツリーの配線形状
を示す。また、フロアプラン及びクロック信号の経路決
定までを実施の形態1と同様に行なう。続いて、実施の
形態1で配線禁止領域5を決定した方法と同様の方法で
ブロック1の周辺部に配置禁止領域7を作成する。ま
た、この配置禁止領域7を作成した領域と同じ領域を実
施の形態1と同様に縦方向配線レイヤあるいは横方向配
線レイヤの配線禁止領域5とし、ブロック内部の配置配
線を完了させる。そして、ブロック間配線を行なう際に
まず概略配線を行ない、クロック信号の供給源と供給先
の間で最長になるものの配線負荷容量を算出し、クロッ
ク信号供給源の駆動セル能力に対して配線負荷容量が許
容値を越える場合には中継バッファセル4を挿入する。
In FIG. 4A, the H-shaped wiring path in the block shows the wiring shape of the clock tree when the layout in the block is performed as in the first embodiment. Further, the processes up to the floor plan and the route determination of the clock signal are performed in the same manner as in the first embodiment. Subsequently, an arrangement prohibited area 7 is created around the block 1 by the same method as the method for determining the wiring prohibited area 5 in the first embodiment. The same area as the area where the placement prohibited area 7 is created is set as the wiring prohibited area 5 of the vertical wiring layer or the horizontal wiring layer as in the first embodiment, and the placement and wiring inside the block is completed. When performing inter-block wiring, first, general wiring is performed, and a wiring load capacity of a clock signal supply source and a destination which is the longest is calculated. If the capacity exceeds the allowable value, a relay buffer cell 4 is inserted.

【0022】ここで、配線付加容量に対して中継バッフ
ァセル4を挿入する個数での配線経路を等分割するよう
に、配線経路に隣接するブロックの配置禁止領域7に中
継バッファセル4を挿入し最長配線に対して速度性能の
劣化を低減することができる。
Here, the relay buffer cells 4 are inserted into the placement prohibition areas 7 of the blocks adjacent to the wiring paths so that the wiring paths are equally divided by the number of the inserted relay buffer cells 4 with respect to the additional wiring capacity. Deterioration of speed performance can be reduced for the longest wiring.

【0023】そして、最長クロック配線経路上に挿入し
た中継バッファセル4と同数の中継バッファセル4を他
のクロック配線経路上にも挿入し、上記で作成しておい
た配線禁止領域5を使用して最長クロック配線経路と等
長・等容量の配線パターンを形成することにより、クロ
ック信号のスキューを最小限に抑えかつ、長距離配線に
対しての速度性能の劣化を低減させた設計を行なうこと
ができる。
Then, the same number of relay buffer cells 4 as the relay buffer cells 4 inserted on the longest clock wiring path are also inserted on other clock wiring paths, and the wiring prohibited area 5 created above is used. By designing the longest clock wiring path and the wiring pattern of the same length and the same capacity to minimize the skew of the clock signal and to reduce the speed performance degradation for long distance wiring Can be.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明は以上説明したように、同期型の
半導体集積回路装置においてブロック内部にレイヤーを
限定した配線禁止領域あるいは配置禁止領域を一定の法
則にしたがって作成し、ブロック間の遅延調整処理時に
その領域を使用することにより、ブロック内部の配置及
び配線を変更することなく、遅延調整を行なうことがで
きる。その結果、半導体設計のTATを短縮することが
できる。
As described above, according to the present invention, in a synchronous semiconductor integrated circuit device, a wiring prohibited area or a layout prohibited area having a limited layer inside a block is created according to a certain rule, and delay between blocks is adjusted. By using the area at the time of processing, delay adjustment can be performed without changing the arrangement and wiring inside the block. As a result, the TAT of the semiconductor design can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の技術にかかる、中継バッファ列を配置す
る設計手法を表わす図
FIG. 1 is a diagram showing a design technique for arranging a relay buffer array according to a conventional technique.

【図2】従来の技術に関し、遅延調整セルを使用する設
計手法を表わす図
FIG. 2 is a diagram showing a design technique using a delay adjustment cell according to the related art.

【図3】本発明の実施の形態1にかかわる半導体集積回
路装置の設計手法の説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of a design method of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention;

【図4】本発明の実施の形態2にかかわる半導体集積回
路装置の設計手法の説明図
FIG. 4 is an explanatory diagram of a design method for a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ブロック 2 遅延調整用セル 3 チップ 4 中継バッファセル 5 配線禁止領域 6 回路修正用セル 7 配置禁止領域 1 block 2 delay adjustment cell 3 chip 4 relay buffer cell 5 wiring prohibited area 6 circuit correction cell 7 placement prohibited area

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 クロック信号の供給源と供給先の間を等
長・等容量配線を行なう設計手法であって、クロック配
線の経路を考慮して配線経路に隣接する領域に領域の形
状に合わせて、垂直方向または水平方向の配線禁止領域
をあらかじめ確保しておき、その領域を使用して等長・
等容量配線を行なうことを特徴とする半導体集積回路の
設計方法。
1. A design method for performing equal-length and equal-capacity wiring between a clock signal supply source and a clock signal supply destination, wherein a shape of a region is adjusted to a region adjacent to a wiring route in consideration of a clock wiring route. A vertical or horizontal wiring prohibited area in advance, and use that area to
A method for designing a semiconductor integrated circuit, wherein equal capacitance wiring is performed.
【請求項2】 配線禁止領域と同様の領域を配置禁止領
域として、この配置禁止領域に信号を増幅する中継バッ
ファセルを配置して、等長・等容量配線を行なうことを
特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の設計方法。
2. An equal-length / equal-capacity wiring is performed by setting a region similar to the wiring-prohibited region as a placement-prohibited region, arranging a relay buffer cell for amplifying a signal in the layout-prohibited region. 2. The method for designing a semiconductor integrated circuit according to 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100989102B1 (en) 2003-02-26 2010-10-25 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 Semiconductor integrated circuit and method of designing semiconductor integrated circuit
JP2016517170A (en) * 2013-03-14 2016-06-09 クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated Method and apparatus for congestion aware buffering using power supply isolation pathway for integrated circuit design with multiple power domains

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