JP2000216078A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

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JP2000216078A
JP2000216078A JP1497499A JP1497499A JP2000216078A JP 2000216078 A JP2000216078 A JP 2000216078A JP 1497499 A JP1497499 A JP 1497499A JP 1497499 A JP1497499 A JP 1497499A JP 2000216078 A JP2000216078 A JP 2000216078A
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Makoto Tsuchiya
誠 土屋
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光方法において、パターンをつなぎ合わす
場合に補正後の残留誤差をさらに小さくすること。 【解決手段】 投影光学系4を介してマークの位置を検
出する工程と、検出されたマークの位置に基づいて、投
影光学系を構成する光学素子32の少なくとも一部を駆
動して投影光学系の結像特性を補正する工程とを含むの
で、レチクル3や基板6の位置のみを補正してシフト補
正や回転補正等を行う場合とは別に、光学素子について
光軸方向、光軸回りのチルトおよび光軸に垂直な平面内
等の駆動を行って倍率補正、糸巻き補正および台形補正
等を行うことで、さらに高い精度で重ね合わせや画面合
成が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
製造用や半導体製造用の投影露光方法に関し、特に投影
光学系の結像特性を補正する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイ(LCD)を製
造する投影露光方法として、レチクル上に形成されたL
CDパターンをプレートの所定領域に露光した後、プレ
ートを一定距離だけステッピングさせて、再びレチクル
のLCDパターンを露光することを繰り返す、いわゆる
ステッピングアンドリピート方式のものがある。
【0003】この投影露光方法を用いたLCD用露光装
置は、照明光学系より照明されてレチクル上に形成され
たLCDのパターンが投影レンズによってXYステージ
上に載置されたプレートに転写されるようになってお
り、XYステージは、レーザ干渉計によって正確に位置
座標がモニタされて位置制御されている。また、位置合
わせを行うアライメント系として、レチクルをアライメ
ントするレチクルアライメント系、プレートをアライメ
ントするプレートアライメント系がそれぞれ配置されて
いる。さらに、LCD用露光装置では、レチクルを交換
しながらつなぎ合わせ露光するため、レチクルを交換す
るレチクル交換機構が装備されている。
【0004】LCDのパターンは、LCD用露光装置で
通常画面合成法により形成する。例えば、4分割露光の
場合、LCDパターンを4つのパターンに分割し、各パ
ターンを4つのレチクルに対応させる。この4枚のレチ
クルを交換しながらプレート上に露光し、各パターンを
合成してLCDのパターンを形成する。
【0005】通常の露光工程では、各レイヤー毎にLC
D用露光装置を変えて露光を行う。このため装置間のレ
ンズディストーションの差が重ね併せ精度に大きく影響
する。また、レチクルのパターンニング誤差、レチクル
アライメント誤差、投影レンズの倍率誤差も重ね合わせ
精度の原因となる。特に、TFT−LCDの場合、継ぎ
部境界でのゲート層とソース・ドレイン層の重ね合わせ
精度の差(以降、この差を重ね差と呼ぶ)が大きいと、
継ぎ部境界で左右の画質が異なる現象が発生する。この
現象を、画面分かれ又は分割ムラと呼ぶ。
【0006】従来、この問題を解決する手段として、例
えば、特開平7−321026号公報に記載されたもの
がある。これによると、レチクルのLCDパターンの外
周部に複数の座標計測用マークを設け、このマークが投
影光学系を介してプレート上に結像する位置を検出し
て、レチクルのパターンニング誤差と投影レンズのディ
ストーションとを含めて、設計上あるべき位置とのずれ
量を求める。このずれ量からシフト、回転、倍率の補正
量を最小二乗法により求め、レチクルやプレートの位置
又は投影光学系の結像特性を補正し、露光するものであ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の露光手段において、次のような課題が残されてい
る。すなわち、任意に定めたマークの計測位置から、シ
フト、回転、倍率を最小二乗法により求めた補正量にお
いては、補正後の座標計測用マークが投影される位置と
設計上の理想位置との間に残留誤差が残る場合がある。
【0008】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、パターンをつなぎ合わす場合に補正後の残留誤差
をさらに小さくできる露光方法を提供することを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、図1か
ら図7とに対応づけて説明すると、請求項1記載の露光
方法では、投影光学系(4)を介してレチクル(3)に
形成された第1のパターン(A、B、C、D)と第2の
パターン(A、B、C、D)との少なくとも一部をつな
ぎ合わせて基板(6)に露光する露光方法において、前
記第1のパターンの前記つなぎ合わせ部分の周辺にマー
ク(22)を設け、前記投影光学系を介して前記マーク
の位置を検出する工程と、前記検出された前記マークの
位置に基づいて、前記投影光学系を構成する光学素子の
少なくとも一部(32)を駆動して前記投影光学系の結
像特性を補正する工程とを含む技術が採用される。
【0010】この露光方法では、投影光学系(4)を介
してマーク(22)の位置を検出する工程と、検出され
たマーク(22)の位置に基づいて、投影光学系を構成
する光学素子の少なくとも一部を駆動して投影光学系の
結像特性を補正する工程とを含むので、レチクルや基板
の位置のみを補正してシフト補正や回転補正等を行う場
合とは別に、光学素子(32)について光軸方向、光軸
回りのチルトおよび光軸に垂直な平面内等の駆動を行っ
て倍率補正、糸巻き補正および台形補正等を行うこと
で、さらに高い精度で重ね合わせや画面合成が可能とな
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る露光方法の一
実施形態を図1から図7を参照しながら説明する。
【0012】まず、本実施形態の露光方法を実施するL
CD用露光装置1について、図1から図4を参照しなが
ら説明する。このLCD用露光装置1は、図1に示すよ
うに、照明光学系2でレチクル3上に照射し、レチクル
上のパターンが投影レンズ(投影光学系)4を通ってX
Yステージ5上のプレート(基板)6に結像するように
なっている。前記XYステージ5は、その表面の結像位
置に受光部マーク11が設けられている。
【0013】また、従来と同様に、レチクル3をアライ
メントするレチクルアライメント系8、プレート6をア
ライメントするプレートアライメント系9およびレチク
ル3を交換するレチクル交換機構10が装備されてい
る。前記投影レンズ4は、複数のレンズ(光学素子)で
構成され、その一部にその位置および傾きが調整可能に
アクチュエータ(図示略)で支持された倍率補正用レン
ズ31および非線形補正用レンズ32を備えている。
【0014】該受光部マーク11は、図2の(a)に示
すように、スリット形状の開口パターンとされている。
この受光部マーク11を通過した光は、光電変換素子1
2により光電交換され電気信号として処理される。XY
ステージ5はレーザ干渉計7で精密に位置決め制御さ
れ、このレーザ干渉計7で決定される座標系に沿って移
動する。
【0015】前記レチクル3には、図2の(b)に示す
ように、スリット形状の開口パターンで形成された座標
計測用マーク22が配置されている。この開口パターン
による座標計測用マーク22を投影レンズ4を介して投
影し、XYステージ5上の受光部マーク11でスリット
形状の座標計測用マーク22の長手方向と直交する方向
に走査すると、図3に示すような出力信号が得られる。
この波形を処理してレチクル3上の受光部マーク11の
投影像の位置を求めることができる。
【0016】座標計測用マーク22は、XおよびY方向
を計測するためのマークであり、図4に示すように、レ
チクル3上の所定位置、すなわちLCD用のパターン
(第1のパターン、第2のパターン)23の周囲に複数
点配置される。なお、図4中の符号24は、レチクルア
ライメントマークである。
【0017】次に、本実施形態における露光方法につい
て、図5から図7を参照して説明する。
【0018】まず、レチクルアライメント系8によりレ
チクル3上のアライメントマーク24を検出し、レチク
ル3をアライメントする。次に、レチクル3上の複数の
座標計測用マーク22を、レチクル座標計測手段、すな
わち受光部マーク11および光電変換素子12で計測す
る。そして、この計測結果に基づいて、重ね合わせや画
面合成に最適な補正パラメータを導出する。
【0019】すなわち、座標計測用マーク22を用いて
計測されるレチクル3の座標と、これらの座標計測用マ
ーク22が実際にプレート6上に投影されるべき設計位
置との誤差を求め、求めた誤差量(ずれ量)に基づいて
レチクル3の位置に関する補正量、プレート6の位置に
関する補正量、および投影レンズ4の結像特性に関する
補正量をそれぞれ求める。上記の計測は、レチクル3の
パターンニング誤差と投影レンズ4のディストーション
とを含めて、実際にプレート6上に転写される位置で計
測して補正量や偏差をだすため、これらの誤差を含めて
補正することができる。
【0020】図5の(a)(b)は、LCDを4分割で
露光する場合のショットレイアウトを示したものであ
る。4枚のレチクル3A、3B、3C、3Dには、補正
に使用する座標計測用マーク22の位置がそれぞれ示し
てある。すなわち、座標計測用マーク22のうち、レチ
クル3A、3B、3C、3Dのパターン(第1のパター
ンおよび第2のパターン)A、B、C、Dのつなぎ合わ
せ部分の周辺に位置している座標計測用マーク22の位
置に基づいて、投影レンズ4の結像特性の補正を行う。
したがって、この露光の際は、レチクル3A、3B、3
C、3Dの座標計測用マーク22をレチクル座標計測手
段で計測し、各レチクルについて補正パラメータを導出
し、各レチクルを露出する毎に、求めた補正パラメータ
に基づいてレチクル3A、3B、3C、3Dおよびプレ
ート6を位置決めし、投影レンズ4の結像特性を補正
し、露光を行う。
【0021】このときの補正手段について、次に説明す
る。倍率補正については、倍率補正用レンズ31を光軸
方向に駆動することにより行い、糸巻き補正および台形
補正等の非線形補正については、非線形補正用レンズ3
2を光軸方向に駆動することにより糸巻き補正を行うと
ともに、非線形補正用レンズ32を光軸回りのチルトお
よび光軸に垂直な平面で駆動することにより台形補正を
行う。このように非線形補正用レンズ32を駆動して上
記各補正をした場合の結果を、図6の(a)(b)
(c)に示す。
【0022】LCDを4分割で作る場合の座標計測用マ
ーク22を用いて上記のように補正したときのシミュレ
ーション結果を図7に示す。図7において、実線が設計
上の理想的な露光位置であり、点線が実際の露光位置で
ある。無補正の場合は、図7の(a)に示すように、大
きいずれが生じているのに対し、従来のシフト、回転、
倍率補正のみの場合は、図7の(b)に示すように、ず
れがある程度補正されるが、本実施形態の露光方法によ
る補正、すなわちシフト、回転、倍率の補正に加えて非
線形補正を行った場合は、図7の(c)に示すように、
シフト、回転、倍率を補正パラメータとして補正する従
来の方法に比べ、補正後の残留誤差をさらに小さくな
る。
【0023】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 (1)座標計測用マーク22のうち特定のマークについ
て、重み付けを行って非線形補正を行っても構わない。
例えば、複数の座標計測用マークのうちでパターンをつ
なぎ合わせた場合に中心に近いものを特定し、これら特
定マークのずれ量を他のマークのものより高く重み付け
をして、非線形補正を行ってもよい。この場合、つなぎ
合わせる部分の重ね合わせ精度をより高くすることが可
能となる。
【0024】(2)つなぎ合わせるパターンをそれぞれ
別々のレチクルに形成したが、一つの同じレチクルに形
成しても構わない。 (3)露光方法の用途としては角型のガラスプレートに
液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光方法に限
定されることなく、例えば、半導体製造用の露光方法
や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光方法にも広く
適用できる。
【0025】(4)本実施形態の露光方法の光源は、g
線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシ
マレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(19
3nm)、F2レーザ(157nm)のみならず、X線
や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例え
ば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射
型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(T
a)を用いることができる。(5)投影光学系の倍率は
縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもいい。
【0026】(6)投影光学系としては、エキシマレー
ザなどの遠赤外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石
などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX
線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし
(レチクルも反射型タイプのものを用いる)、また、電
子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏
向器からなる電子光学系を用いればいい。なお、電子線
が通過する光路は真空状態にすることはいうまでもな
い。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 (1)請求項1記載の露光方法によれば、投影光学系を
介してマークの位置を検出する工程と、検出されたマー
クの位置に基づいて、投影光学系を構成する光学素子の
少なくとも一部を駆動して投影光学系の結像特性を補正
する工程とを含むので、レチクルや基板の位置のみを補
正する場合より、光学素子の駆動によって倍率補正、糸
巻き補正および台形補正等を行うことで、さらに高い精
度で重ね合わせや画面合成を行うことができ、補正後の
残留誤差をより小さくして重ね合わせ精度の不良による
LCD製造等の歩留まりの低下を抑えることができる。
【0028】(2)請求項2記載の露光方法によれば、
光学素子の少なくとも一部を駆動して投影光学系の非線
形補正をするので、単に線形性補正をする場合に比べ
て、より重ね合わせ精度を高めることができる。
【0029】(3)請求項3記載の露光方法によれば、
第1のパターンと第2のパターンとがそれぞれ異なるレ
チクルに形成されているので、一方のパターンを変更す
る場合に一方のレチクルを変えるだけで対応することが
できる。
【0030】(4)請求項4記載の露光方法によれば、
非線形補正において、光学素子の光軸方向への駆動、光
軸回りのチルト駆動または光軸に垂直な平面に沿った方
向への駆動を行うので、倍率補正、糸巻き補正または台
形補正を行うことができ、より高精度な重ね合わせを行
うことができる。
【0031】(5)請求項5記載の露光方法によれば、
投影光学系の結像特性を補正する工程が、マークの設計
位置と、マークを投影光学系を介して検出した位置との
ずれ量に基づいて行われるので、レチクルのパターンニ
ング誤差と投影光学系のディストーションとを含めて、
実際に基板上に転写される位置で計測して補正量や偏差
をだすため、これらの誤差を含めて補正することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る露光方法の一実施形態を実施す
るための投影露光装置を示す構成図である。
【図2】 本発明に係る露光方法の一実施形態における
受光部マークおよび座標計測用マークを示す平面図であ
る。
【図3】 本発明に係る露光方法の一実施形態における
マーク検出信号を示すグラフ図である。
【図4】 本発明に係る露光方法の一実施形態における
レチクル上の座標計測用マークの配置図である。
【図5】 本発明に係る露光方法の一実施形態における
4分割の時のショットレイアウトおよび各レチクルの計
測ポイントを示す平面図である。
【図6】 本発明に係る露光方法の一実施形態における
非線形補正用レンズについて、光軸方向の駆動、光軸回
りのチルト駆動および光軸に垂直な平面内の駆動をそれ
ぞれ行って補正した結果を示す結像図である。
【図7】 本発明に係る露光方法の一実施形態において
無補正の場合、シフト、回転、倍率補正の場合およびシ
フト、回転、倍率と非線形補正の場合のそれぞれのシミ
ュレーション結果を示す結像図である。
【符号の説明】
1 LCD用露光装置 2 照明光学系 3、3A、3B、3C、3D レチクル 4 投影レンズ(投影光学系) 5 XYステージ 6 プレート(基板) 11 受光部マーク 22 座標計測用マーク 23 A、B、C、D パターン(第1のパターン、第
2のパターン) 31 倍率補正用レンズ(光学素子) 32 非線形補正用レンズ(光学素子)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 投影光学系を介してレチクルに形成され
    た第1のパターンと第2のパターンとの少なくとも一部
    をつなぎ合わせて基板に露光する露光方法において、 前記第1のパターンの前記つなぎ合わせ部分の周辺にマ
    ークを設け、前記投影光学系を介して前記マークの位置
    を検出する工程と、 前記検出された前記マークの位置に基づいて、前記投影
    光学系を構成する光学素子の少なくとも一部を駆動して
    前記投影光学系の結像特性を補正する工程とを含むこと
    を特徴とする露光方法。
  2. 【請求項2】 前記光学素子の少なくとも一部を駆動し
    て前記投影光学系の非線形補正をすることを特徴とする
    請求項1記載の露光方法。
  3. 【請求項3】 前記第1のパターンと前記第2のパター
    ンとはそれぞれ異なるレチクルに形成されていることを
    特徴とする請求項1または2記載の露光方法。
  4. 【請求項4】 前記非線形補正は、前記光学素子の光軸
    方向への駆動、光軸回りのチルト駆動または光軸に垂直
    な平面に沿った方向への駆動を行うことを特徴とする請
    求項2記載の露光方法。
  5. 【請求項5】 前記投影光学系の結像特性を補正する工
    程は、前記マークの設計位置と、前記マークを前記投影
    光学系を介して検出した位置とのずれ量に基づいて行わ
    れることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100413112C (zh) * 2001-12-19 2008-08-20 卡尔蔡司;Smt;股份公司 投影曝光设备中的成像装置

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