JP2000214424A

JP2000214424A - 旋光光学素子パネルの製造方法

Info

Publication number: JP2000214424A
Application number: JP11018493A
Authority: JP
Inventors: Eiichi Tajima; 田島　　栄市
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1999-01-27
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】より実現可能な低コストで高性能の旋光光学
素子パネルの製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板１１中央に第１の円形透明電
極１３を設け、さらにその外側にリング状透明電極１５
を設け、リング状透明電極１５と外部端子への第１の引
き出し電極１６とを設け、その隣接した位置に第３の引
き出し電極２１を設け、それに接続する第２の円形透明
電極１８を設け、その上に配向膜を設け、配向処理を施
す工程と、第２の基板１２上に、第３の円形透明電極２
０を設け、さらにそれに接続して第２の引き出し電極１
７を設け、配向膜を設け、配向処理を施す工程と、ギャ
ップ材２６を散布する工程と、第２の円形透明電極１８
と第２の引き出し電極１７の上に導電接着材１９を設
け、重ね合わせる工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに用い
られる光ピックアップ用の旋光光学素子パネルの製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来技術の液晶レンズとしては、たとえ
ば特開平４−２４０８１７号公報に記載するものがあ
る。この公報に記載された液晶レンズ構造を図１７に示
す。この公報に記載された従来の空間光変調器を図１７
にを用いて説明する。この変調器の場合、表示エリア内
に３２０×２２０の画素が透明電極で格子状に配列され
ている。内部には、ＥＣＢモードの液晶をいれる。

【０００３】液晶空間変調器の光波変調特性は、印加電
圧に対し、位相が０〜２πまで間で連続的に変化する。
このとき、画素毎にそこの空間座標に対応する位相を与
える電圧信号を入力することによって、液晶空間変調器
に入射したレーザー光は、その画素毎の位相を記録しレ
ーザー光は、光軸上のＦ１に集光する。また、異なる電
圧信号を与えることにより、集光位置はＦ２へ動かすこ
とが可能となる。

【０００４】しかし、構成のみの記載で実施例の説明に
おいても、液晶空間変調素子の具体的な形状と構造およ
び材料の説明が記載されていない。また、コリメータレ
ンズを使用せず焦点深度を変える発明であり、今回の発
明は焦点深度を変更しないため、構成は似ているが異な
ったものである。

【０００５】また、さきの特開平３−２８４０号公報に
記載された液晶レンズを図１６に示す。この公報に記載
の透明電極のパターンは、同心円状に配置され、透明電
極の間には絶縁膜が形成されている。これによると各電
極は独立に配線される。

【０００６】ここで、透明電極に電圧を印加すると、そ
の電極上は、光の偏光面を９０゜回転させ、そうでない
ところは、そのまま光を通過させる。このことにより、
液晶レンズを出た光は、互いに干渉することがなく、そ
れぞれ独立に結像し、結像点は同一点となり、光の透過
効率を向上させることが可能となる。

【０００７】しかしながら、これも構成のみの記載であ
り、実施例においても具体的な形状や材料の説明、デー
タ等が記載されていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】旋光光学素子パネルの
製造方法は、従来、液晶空間変調素子等の名称で構成図
は考えられている。しかしながら、実際、現実に製造方
法を記載された例は無く、また、実現されている液晶空
間変調素子は、製造方法や構造が不明である。

【０００９】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、より実現可能な低コストで高性能の旋光光
学素子パネルの製造方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の旋光光学素子パネルの製造方法は、下記記
載の手段を提案する。本発明の旋光光学素子パネルの製
造方法においては、第１の基板の中央に第１の円形透明
電極を設け、さらにその外側にリング状透明電極を設
け、該リング状透明電極と外部端子への第１の引き出し
電極とを設け、その隣接した位置に第３の引き出し電極
を設け、さらにそれに接続する第２の円形透明電極を設
け、その上に配向膜を設け、配向処理を施す工程と、第
２の基板上に、第３の円形透明電極を設け、さらにそれ
に接続して第２の引き出し電極を設け、さらに配向膜を
設け、配向処理を施す工程と、さらにギャップ材を散布
する工程と、さらに第２の円形透明電極と第２の引き出
し電極の上に導電接着材を設け、重ね合わせる工程とを
有すること特徴とする。

【００１１】〔作用〕本発明の旋光光学素子パネルは、
第１の基板に設けられた導通されていない中心の円形透
明電極パターンとその外側に設けられた同心円上の電極
パターンにより、高性能なスポット強度の変化が得られ
ることが可能となる。

【００１２】また、同心円状の電極パターン上にギャッ
プ材やホトリソによるギャップ材を形成することによ
り、消光比が高く光利用効率の高いスポット強度変化が
得られることが可能となる。

【００１３】また、第２のシールを液晶パネル周辺に形
成し、液晶注入前に第１の基板と第２の基板の透明電極
を形成した膜面とは反対側に蒸着により反射防止膜を形
成することにより、反射効率の高く、光利用効率の高い
スポット強度変化が得られることが可能となる。

【００１４】また、封孔後の液晶パネル単体を反射防止
用溶液にディップし、パネル全面に塗布することによ
り、反射効率が高く、光利用効率の高いスポット強度変
化が得られることが可能となる。

【００１５】また、第１の基板と第２の基板の材料に光
学等方性のプラスチック材料を用いることにより、ピッ
クアップ部品全体の軽量化が可能になり、小型製品の設
計に有用となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の最適な実施形態に
おける旋光光学素子パネルの製造方法を図面に基づいて
詳細に説明する。図１は、本実施形態に用いた旋光光学
素子パネルのレーザー入射角の逆方向からの見た透明電
極パターンの平面図である。図２は、本実施形態に用い
た旋光光学素子パネルのギャップ材を変更した平面図で
ある。図３は、本実施形態に用いた旋光光学素子パネル
のシール材を変更した平面図である。図４は、図１の本
実施形態に用いた旋光光学素子パネルの斜視図である。
図５〜図１２は、実施形態に用いた旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図である。図１３は、本発明の旋光光
学素子パネルの使用する方法を示す図である。図１４
は、本発明に使用した液晶の測定波長と屈折率の関係を
示す表である。図１５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実験
結果を示す図である。以下、図１〜図１５を用いて本発
明の実施形態を説明する。

【００１７】図１は、本実施形態に用いた旋光光学素子
パネルのレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パ
ターンの平面図である。

【００１８】まず、第１の基板１１上には、円形の透明
電極１３を備え、その周辺にはスペース１４を備え、さ
らにその周辺にリング状透明電極１５を備え、さらに端
子との第１の引き出し電極１６を備え、さらに第２の円
形電極１８を備え、さらに第３の引き出し電極２１を備
え、さらにその上に第２の基板１２と導通するための導
電接着材１９を備え、さらにその上に導電接着材の部分
だけを外した配向膜２１を備え、その上にギャップ材２
６を備え、その上に第１のシール２４を備え、さらに第
２の基板１２上には、第３の円形透明電極２０を備え、
さらにそれと接続する第２の引き出し電極１７を備え、
さらにその上に配向膜２１を備え、ツイストネマティッ
ク液晶を備える。

【００１９】図２は、本実施形態に用いた旋光光学素子
パネルのレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パ
ターンの平面図である。

【００２０】まず、第１の基板１１上には、円形の透明
電極１３を備え、その周辺にはスペース１４を備え、さ
らにその周辺にリング状透明電極１５を備え、さらに端
子との第１の引き出し電極１６を備え、さらに第２の円
形透明電極１８を備え、さらに第３の引き出し電極２１
を備え、さらにその上に第２の基板１２と導通するため
の導電接着材１９を備え、さらにその上に導電接着材の
部分だけを外した配向膜２１を備え、その上にフォトリ
ソ法で形成した固定位置のギャップ材２９を備え、その
上に第１のシール２４を備え、さらに第２の基板１２上
には、第３の円形透明電極２０を備え、さらにそれと接
続する第２の引き出し電極１７を備え、さらにその上に
配向膜２１を備え、ツイストネマティック液晶を備え
る。

【００２１】図３は、本実施形態に用いた旋光光学素子
パネルのレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パ
ターンの平面図である。

【００２２】まず、第１の基板１１上には、円形の透明
電極１３を備え、その周辺にはスペース１４を備え、さ
らにその周辺にリング状透明電極１５を備え、さらに端
子との第１の引き出し電極１６を備え、さらに第２の円
形電極１８を備え、さらに第３の引き出し電極２１を備
え、さらにその上には配向膜２１を備え、その上にギャ
ップ材２６を備え、その上に導電粒子を混入した第３の
シール２７を備え、さらに第２の基板１２上には、第３
の円形透明電極２０を備え、さらにそれと接続する第２
の引き出し電極１７を備え、さらにその上に配向膜２１
を備え、ツイストネマティック液晶を備える。

【００２３】〔製造方法説明：図１と図５から図１０〕
図１と図５から図１０を用いて製造方法を説明する。ま
ずはじめに、第１の基板１１上に透明電極を低温スパッ
タ法や真空蒸着法を用い、１００Ω／□〜２００Ω／□
のシート抵抗で成膜する。その後、透明電極にあらかじ
め用意したホトマスクを用いて、円型のパターニングを
行う。

【００２４】この円型パターン形状は、光学中心とする
位置を基準にし、直径８００μｍから１０００μｍの第
１の円形透明電極１３を形成する。さらに、この部分は
第１の引き出し電極１６と導通させない。さらに、その
外周に向かい透明電極が無いスペース１４を１０μｍか
ら１００μｍの幅で形成する。さらに、光学中心を基準
にしてスペース１４の外側に、リング状透明電極１５を
直径５０００μｍの大きさで内側に幅４０００μｍでリ
ング上に形成する。

【００２５】さらに、この外側のリング状透明電極１５
を、外部端子への第１の引き出し電極１６に導通させ
る。

【００２６】さらに、外側のリング状透明電極１５の隣
接した位置に、第２の基板１２と銀点や導電粒子を使用
し導通させるための、第２の円形透明電極１８を直径５
００μｍ程度の大きさで隔離した位置に配置し形成す
る。

【００２７】さらに、その第２の円形透明電極１８を外
部の端子に接続するために第１の引き出し電極１６と離
した位置に第３の引き出し電極２１を形成する。

【００２８】また、第２の基板１２には、第１の基板１
１に形成した外側のリング状透明電極１５より直径が１
００μｍから５００μｍ程度大きな第３の円形透明電極
２０を形成する。このとき、円の中心は、第１の基板１
１上で使用した光学中心の位置と一致させる。さらに、
その第３の円形透明電極２０から、対になる第１の基板
１１上に形成されている第２の円形透明電極１８の円と
重なる位置に第２の引き出し電極１７を配置する。

【００２９】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
の上にポリイミドやポリアミック酸からなる配向膜２２
（Ｔ−１２０（日立化成製）を０．０５ｎｍ程度、オフ
セット印刷機を用い形成し、２００℃〜２５０℃で１時
間〜１．５時間焼成する。このとき、第２の円形透明電
極１８の上には、配向膜２２を膜形成しないようにす
る。

【００３０】その後、ラビング法を用い、コットンの布
材で配向処理を施す。図５に電極パターンに対するラビ
ングロール２３の位置と進入方向を示す。このとき、ラ
ビングロール進入方向２４は、第１の基板１１を基板下
方からとし、第２の基板１２は、第１の基板１１に直交
する横手方向からとし、互いに直交になるようにする。
このとき、配向膜２１のプレチルト角はラビングロール
進入方向２４とは逆向きになるように形成される。

【００３１】ラビングの条件は、バフ材の切り込み量を
０．６ｍｍに調整し、ロール回転数を１０００ｒｐｍと
する。基板送り速度は、２５ｍｍ／ｓｅｃとし、３回往
復させる。

【００３２】さらに、第１の基板１１のＦと第２の基板
１２の逆Ｆを重なるように張り合わせ、液晶の配向を９
０度交差するように設定する。このときのホモジニアス
配向は、ツイストネマティクになるように行う。

【００３３】また、配向膜２１のプレチルト角は、クリ
スタルローテーション法で測定した値で１°〜２．５°
程度になるように条件を設定する。

【００３４】つぎに、図６に示すように、第１基板１１
上に熱硬化型の接着剤を二重構造になるように形成す
る。まず、第３の円形透明電極２０の周辺にはＣ型もし
くはコの字型のパターンで第１のシール材２５を形成す
る。

【００３５】さらに、個々のシール材で囲まれている液
晶パネルの全体を取り囲むため、第２６のシール材で周
辺のパターンを形成する。

【００３６】つぎに、第１の基板１１にギャップ材２８
を乾式法もしくは湿式法のスペーサ散布機を用いて散布
する。使用するギャップ材は、球径７μｍ〜１０μｍの
プラスチックもしくはシリカビーズとする。このとき、
セルギャップを均一に出すためにプラビーズを１５０個
／ｍｍ²〜２００個／ｍｍ²散布する。シリカビーズを使
用する場合は、５０個／ｍｍ²〜１００個／ｍｍ²だけ散
布する。

【００３７】その後、第２の基板１２と第１の基板１１
を重ね合わせる。このとき、第１のシール材２５と第２
のシール材２６を硬化するために重ね合わせた基板をエ
アバック等で０．４〜１．２ｋｇ／ｃｍ²の圧力を掛
け、１２０℃〜１６０℃の温度で１〜２時間、炉の中で
焼成する。（図示せず）

【００３８】その後、完成した液晶パネルを所定の大き
さに切断せずに、第２のシール材２６のパターン形状の
ままで、真空注入法を用いて、ピッチが９０μｍ以上の
ツイストネマティック液晶ＣＺ−４５４９（チッソ石油
化学社製）を室温にてセル内に注入する。（図示せず）

【００３９】注入する液晶の２５℃における各波長に対
する屈折率差Δｎを図８に示す。このとき、使用する液
晶のΔｎの値は、使用するレーザー光の波長である６５
０ｎｍか７８０ｎｍにより調整する。

【００４０】図１４（ａ）に示す液晶では、６５０ｎｍ
の波長でのΔｎが０．１６９１であることから、液晶パ
ネルのセルギャップは、以下の（１）式により Δｎｄ／λ＝１．９３６…………（１）７．４４μｍを目的値とした。

【００４１】また、７８０ｎｍのレーザー光３５を用い
る場合は、同液晶の場合は、セルギャップを、９．１０
μｍを目的値とした。

【００４２】その後、第２のシール材２６のパターン形
状に適した所定のパネルサイズで個々の大きさに切断
し、注入孔を塞ぐために封孔を行い、旋光光学素子パネ
ル３１とする。

【００４３】さらに、これらのパネルをケースに入れ、
第１の基板１１と第２の基板１２の裏面に６５０ｎｍも
しくは７８０ｎｍの波長をもつレーザー光以外の波長の
光を反射する反射防止膜３０をディッピング法により膜
形成する。このとき、使用する液は、Ｌ−２０１（日産
化学社製）を用い、温度１００℃で２時間、炉内で焼成
する。このとき、レーザー光に対する反射率は、２％以
下になる。

【００４４】つぎに、図１５（ａ）に効果を測定するた
めの装置系を示す。まず、コリメータレンズ３２のつぎ
に旋光光学素子パネルを配置し、その後に対物レンズ３
３に配置する。さらに、そのつぎに検出器３４を配置す
る。レーザー光３５をコリメータレンズ３２でさらに平
行光に処理し、その次の旋光光学素子パネル３１を通過
させる。

【００４５】このとき、ＣＣＤを用いた検査器３４に受
光されるビームスポットプロファイルを図１５（ｂ）に
示す。旋光光学素子パネル３１に電圧が印加されないと
きは、レーザー光３５は旋光光学素子パネルと対物レン
ズをそのまま通過し、検査器のＦ１の位置に焦点を結
ぶ。このときのＦ１の位置でのビームスポット径の半値
幅を１とする。

【００４６】つぎに、旋光光学素子パネル３１に電圧を
印加する。このとき、旋光光学素子パネル中のツイスト
ネマティック液晶は、外側のリング状透明電極１５上の
み電圧は印加され、中心の第１の円形透明電極１３に電
圧は印加されない。このとき、同様に対物レンズ３３を
通過したレーザー光３５は、Ｆ１の位置に焦点を結ぶ
が、そのビームスポット径は、半値幅で０．７４の値に
なり２．５割程度小さくなる。

【００４７】旋光光学素子パネル３１に、電圧を印加し
た時は、中央に大きな光量のピークとその両側に小さな
光量のピークが観測される。また、電圧を無印加にした
ときには、中央に大きなピークが１つ観測される。電圧
を印加したときは、スポット径が小さくなることから、
波長が短くなった時と同様の効果が得られ、検出器３４
には強度変化が観測される。

【００４８】さらに、図２を図５〜図９および図１１を
用いて製造方法を説明する。まず、第１の基板１１上と
第２の基板１２に透明電極を、低温スパッタリング法や
真空蒸着法を用い、図１と同様に形成する。

【００４９】つぎに、図５に示すように、第１の基板１
１と第２の基板１２に同様な透明電極パターンを形成す
る。

【００５０】つぎに、図１１に示すようなフォトリソ法
ギャップ材を形成する。第１の基板１１の透明電極上に
アクリル系のネガ型感光性樹脂ＪＮＰＣ−４３（日本合
成ゴム製の商品名）をスピンナー法を用い、４００〜６
００ｒｐｍの回転数で塗布し、膜厚を５〜７μｍとす
る。

【００５１】その後、８０℃で１分間炉内でプレキュア
ーする。その後、フォトマスクのアライメントマークと
第１の基板１１に透明電極であらかじめ形成されたアラ
イメントマークを用いて重ね合わせ、露光機で波長３６
０ｎｍの光で露光する。フォトマスクに形成されている
パターン形状は、円形もしくは菱形を形取ったもので、
直径１０μｍもしくは１０μｍ□で設計する。

【００５２】その後、第１の基板１１を現像液（ＭＦ−
３１２／シプレイマイクロジャパン株式会社製）の中に
入れ、光の照射されなかった部分を落とす。さらに、第
１の基板１１をポストベイクのため、１２０℃の窒素雰
囲気中の炉内に１時間入れことにより、第１の基板１１
上にフォトリソ法ギャップ材２９が５μｍ〜７μｍの間
の指定ギャップで形成される

【００５３】その後、図６〜図９と同様な処理工程を行
い、液晶パネルとし、所定の液晶を注入する。

【００５４】その後、第２のシール材２６のパターン形
状に適した所定のパネルサイズで個々の大きさに切断
し、注入孔を塞ぐために封孔を行い旋光光学素子パネル
３１とする。

【００５５】さらに、これらのパネルをケースに入れ、
第１の基板１１と第２の基板１２の裏面に６５０ｎｍも
しくは７８０ｎｍの波長をもつレーザー光以外の波長の
光を反射する反射防止膜３０をディッピング法により膜
形成する。このとき、使用する液は、Ｌ−２０１（日産
化学社製）を用い、温度１００℃で２時間、炉内で焼成
する。このとき、レーザー光に対する反射率は、２％以
下になる。

【００５６】さらに、図３を図５〜図７および図１２を
用いて製造方法を説明する。まず、第１の基板１１上と
第２の基板１２に透明電極を低温スパッタリング法や真
空蒸着法を用い、図１２に示すパターンで形成する。

【００５７】つぎに、図７に示すように、第１の基板１
１と第２の基板１２とに同様な処理を施す。

【００５８】つぎに、図１２に示す様に第１基板１１上
に熱硬化型の接着剤を二重構造になる様に形成する。ま
ず、第３の円形透明電極２０の周辺にはＣ型もしくはコ
の字型のパターンで第１のシール材２５を形成する。

【００５９】さらに、個々のシール材で囲まれている液
晶パネルの全体を取り囲むため、第２６のシール材で周
辺のパターンを形成する。

【００６０】このとき、第１のシール材２５と第２のシ
ール材２６の代替え品として、ＸＮ−７０１（三井化学
株式会社製）の一液型エポキシ接着剤を用い、異方性導
電粒子ＡＵ-８０（積水ファインケミカル株式会社製）
をシール１００部にたいし、１．５重量部混入する。こ
の操作を終了して異方性導電シール材２７とする。

【００６１】つぎに、第１の基板１１にギャップ材２８
を乾式法もしくは湿式法のスペーサ散布機を用いて散布
する。使用するギャップ材は、球径７μｍ〜１０μｍの
プラスチックもしくはシリカビーズとする。このとき、
セルギャップを均一に出すためにプラビーズを１５０個
／ｍｍ²〜２００個／ｍｍ²散布する。シリカビーズを使
用する場合は、５０個／ｍｍ²〜１００個／ｍｍ²だけ散
布する。

【００６２】その後、第２の基板１２と第１の基板１１
を重ね合わせる。このとき、第１のシール材２５と第２
のシール材２６を硬化するために重ね合わせた基板をエ
アバック等で０．６〜１．２ｋｇ／ｃｍ²と通常のシー
ル材より強めの圧力を掛け、１２０〜１６０℃の温度で
１〜２時間、炉の中で焼成する。（図示せず）

【００６３】その後、貼り合わせた第１の基板１１と第
２の基板１２を異方性導電シール材２７の外側のパター
ンを使用し、所定の液晶を注入する。

【００６４】その後、異方性導電シール材２７の内側の
個々の小さなパターン形状に適したパネルサイズで個々
の大きさに切断し、注入孔を塞ぐために封孔を行い旋光
光学素子パネル３１とする。

【００６５】さらに、これらのパネルをケースに入れ、
第１の基板１１と第２の基板１２の裏面に６５０ｎｍも
しくは７８０ｎｍの波長をもつレーザー光以外の波長の
光を反射する反射防止膜３０をディッピング法により膜
形成する。このとき、使用する液は、Ｌ−２０１（日産
化学社製）を用い、温度１００℃で２時間、炉内で焼成
する。このとき、レーザー光に対する反射率は、２％以
下になる。

【００６６】また、第１の基板１１と第２の基板１２を
重ね合わせた後、蒸着装置に入れ、ＭｇＦ膜を膜形成す
る。このとき、第１のシールパターン３０の注入孔は、
液晶見注入のセルが真空中でパンクしない様に塞がず膜
形成する。

【００６７】さらに、第１の基板１１と第２の基板１２
にプラスチックス基板を使用する製造方法を図５〜図１
０を用いて説明する。まず、第１の基板１１上と第２の
基板１２に透明電極を低温スパッタリング法や真空蒸着
法を形成する。

【００６８】このとき、第１の基板１１と第２の基板１
２に光学的に等方な変性アクリル樹脂から作成される板
厚０．４〜０．５ｍｍのＤＲ５（三井化学製）シートを
使用する。

【００６９】このとき、プラスチックス基板の第１の基
板１１上にシランカップリング剤をスピンナーなどで塗
布し、その後、低温スパッタ法で酸化インジウム−スズ
の透明電極１６を膜形成する。このとき、チャンバー内
の膜形成温度はプラスチックス基板のガラス転移点温度
（Ｔｇ）以下で行う。今回の基板では、２００℃以下で
行う。

【００７０】その後、図１に示す、それぞれの円形透明
電極や、リング状透明電極１５や、その他引き出し電極
を形成するために、第１の基板１１にホトレジストＺＰ
Ｐ−１７００（日本ゼオン製）を塗布し８５℃で２０分
間プリベイクする。その後、クロムにより電極パターン
を形成したホトマスクを用いて、透明電極上のレジスト
を１０秒〜３０秒露光し、ＭＦ−３１２（シプレー・フ
ァーイースト製）現像する。その後、１３０℃で２０分
間ポストベイクを行い、塩化第二鉄と塩酸と水をそれぞ
れ４：３：１の割合で混合したＩＴＯエッチング液中に
入れ約１分間浸積、揺動させ感光性レジストの光に当た
っていない部分のレジストとＩＴＯを取り去る。その
後、６０℃に暖めた剥離液Ａ−１５０（コダマ製）中に
入れレジストを取り、プラスチックス基板上に透明電極
膜を形成する。

【００７１】その後、同様な工程で第２の基板１２もパ
ターニングし、第１の基板１１と張り合わせる。

【００７２】このとき、プラスチックスの熱による歪や
変形を考慮し第１のシール材２５と第２のシール材２６
とは、温度１２０℃以下で硬化する低温熱硬化型接着剤
を使用する。

【００７３】第２のシール材２６の外形パターンを使用
し、注入した後、液晶パネルを個々のパネルに切断す
る。まず、はじめにプラスチックス基板の両面を一緒に
切り落とし、その後、片側の端子部を出すために、

【００７４】このときの切断は、炭酸ガスレーザー装置
ＣＡＭＭ−４（ローランド社製）を用いる。第１の基板
１１と第２の基板１２の両方を一緒に切り落とす場合で
も、片側を切り落とす場合でも、レーザー出力を最大２
５Ｗに設定し、その後、出力を３５〜４５％の間で調整
して、３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃの切断速度で切
り落とす。

【００７５】その後、液晶の注入孔を塞ぐため、封孔を
行い、旋光光学素子パネル３１とする。

【００７６】

【発明の効果】本発明の旋光光学素子パネルは、第１の
基板の中央に円形の透明電極を設け、さらにその外側に
リング状透明電極を設け、リング状透明電極から外部端
子への引き出し電極を設け、ギャップ材を散布し、さら
に第２の基板上に、リング状透明電極より一回り大きな
円形透明電極を設け、配向膜処理を対になる基板に施し
た後、ツイストネマティック液晶を注入し駆動すること
により、あらかじめ設置されてレンズを通過するレーザ
ー光のビームスポット径を可変することが可能になる。

【００７７】さらに、ギャップ材をフォトリソ法ギャッ
プ材にすることにより、液晶駆動部のギャップ材の個数
が制御が可能となり低減できる事から、入射したレーザ
ー光がギャップ材に照射した時に生じるギャップ材輪郭
部の光の回折や散乱が無くなる。このことから、レーザ
ー光の透過光量が増えて、検知される光強度は、強くな
るため、効率の良い旋光光学素子パネルが可能となる。

【００７８】また、反射防止膜を入射側と出光側に塗布
することから、レーザー光の反射率が低下し強度が上が
るため、検知される光強度は、強くなるため、効率の良
い旋光光学素子パネルが可能となる。

【００７９】また、第１の基板と第２の基板に光学的に
等方なプラスチックス材料を使用することで、部品自体
の軽量化が可能となり、組み込む製品の小型軽量化が可
能となる。

【００８０】上記製造方法により、旋光光学素子パネル
のセルギャップｄ×（液晶のΔｎ）／（使用するレーザ
ー光の波長）にすることにより、効率の良いビームスポ
ット径の可変が可能となる。

【００８１】また、上記製造方法において、第２のシー
ルパターンを設けることにより注入工程の簡略化が可能
となり、低コストかが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
のレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パターン
を示す平面図である。

【図２】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
のレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パターン
を示す平面図である。

【図３】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
のレーザー入射角の逆方向からの見た透明電極パターン
を示す平面図である。

【図４】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図面である。

【図６】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図面である。

【図７】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図面である。

【図８】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図面である。

【図９】本発明の実施形態における旋光光学素子パネル
の製造方法を示す図面である。

【図１０】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルの製造方法を示す図面である。

【図１１】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルの製造方法を示す図面である。

【図１２】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルの製造方法を示す図面である。

【図１３】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルの使用方法を説明するための斜視図である。

【図１４】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルに用いた液晶の測定波長と屈折率の値を示した図面で
ある。

【図１５】本発明の実施形態における旋光光学素子パネ
ルの効果を説明するための図面である。

【図１６】従来技術の液晶空間変調器を示した図面であ
る。

【図１７】従来技術の液晶空間変調器を示した図面であ
る。

【符号の説明】

１１：第１の基板１２：第２の基板１３：第１の円形透明電極１４：スペース１５：リング状透明電極１６：第１の引き
出し電極１７：第２の引き出し電極１８：第２の円
形透明電極１９：導電性接着材２０：第３の円形透
明電極２１：第３の引き出し電極２２：配向膜２３：ラビングロール２４：ラビングロー
ル進入方向２５：第１のシール材２６：第２のシール
材２７：異方性導電シール材２８：ギャップ
材２９：フォトリソ法ギャップ材３０：反射
防止膜３１：ツイストネマティク液晶３２：旋光
光学素子パネル３３：コリメタリーレンズ３４：対物レン
ズ３５：検出器３６：レーザー光３７：透明電極３８：絶縁体
３９：表示領域４０：焦点距離可変液晶レンズパネル４
１：フレネルレンズ４２：電圧信号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板の中央に第１の円形透明電極
を設け、さらにその外側にリング状透明電極を設け、該
リング状透明電極と外部端子への第１の引き出し電極と
を設け、その隣接した位置に第３の引き出し電極を設
け、さらにそれに接続する第２の円形透明電極を設け、
その上に配向膜を設け、配向処理を施す工程と、第２の基板上に、第３の円形透明電極を設け、さらにそ
れに接続して第２の引き出し電極を設け、さらに配向膜
を設け、配向処理を施す工程と、さらにギャップ材を散布する工程と、さらに第２の円形透明電極と第２の引き出し電極の上に
導電接着材を設け、重ね合わせる工程とを有すること特
徴とする旋光光学素子パネルの製造方法。
【請求項２】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、ギャップ材としてフォトリソ法でパターニングを行いギ
ャップ材用スペーサを形成することを特徴とする光学素
子パネルの製造方法。
【請求項３】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、第１の基板と第２の基板の外部への引き出し電極を異方
性導電シールを用い、片側の基板のみにすることを特徴
とする旋光光学素子パネルの製造方法。
【請求項４】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、外部電極の外周に第１のシールパターンを設け、さらに
個々のパネルを覆う第２のシールパターンを設けること
を特徴とする旋光光学素子パネルの製造方法。
【請求項５】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、第１の基板と第２の基板の透明電極部と反対側の基板表
面に使用するレーザー光の反射防止膜を重ね合わせた後
に真空蒸着装置で塗布することを特徴とする旋光光学素
子パネルの製造方法。
【請求項６】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、第１の基板と第２の基板の透明電極部と反対側の基板表
面に使用するレーザー光の反射防止膜を液晶注入、封止
後にディッピング塗布することを特徴とする旋光光学素
子パネルの製造方法。
【請求項７】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、第１の基板と第２の基板が光学的に等方性なプラスチッ
クス材料であることを特徴とする旋光光学素子パネルの
製造方法。
【請求項８】請求項１記載の旋光光学素子パネルの製
造方法であって、旋光光学素子セルのΔｎｄが使用するレーザー光の波長
に１．９３６を掛けた値になるツイストネマティク配向
であることを特徴とする旋光光学素子パネルの製造方
法。