JP2000213975A - Semiconductor sensor and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィを
用いて薄膜配線パターンを形成する半導体センサに関す
る。特には、リフトオフ法（リバースエッチング法）を
用いて薄膜配線パターンを形成する半導体センサに好適
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor sensor for forming a thin film wiring pattern using photolithography. In particular, it is suitable for a semiconductor sensor in which a thin film wiring pattern is formed by using a lift-off method (reverse etching method).
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体センサは、エッチングやフォトリ
ソグラフィ等の技術を用いて、シリコンウエハ上に３次
元的に回路等を形成して得られるものである。近年は、
気体流量測定用のセンサとしての応用が期待されてい
る。流量センサの方式としてはコリオリ式と熱式の２種
類があるが、精度の面から、熱容量を減らすために薄肉
化したダイヤフラム上に白金からなる薄膜ヒータパター
ンを設けた熱式が主流となりつつある。2. Description of the Related Art A semiconductor sensor is obtained by forming a circuit or the like three-dimensionally on a silicon wafer by using a technique such as etching or photolithography. In recent years,
The application as a sensor for gas flow measurement is expected. There are two types of flow sensor types, Coriolis type and thermal type. From the viewpoint of accuracy, the thermal type in which a thin film heater pattern made of platinum is provided on a thinned diaphragm to reduce heat capacity is becoming the mainstream. .
【０００３】従来の半導体センサは、特公昭６３−３２
１３４号公報やＶ．Ｄｅｍａｒｎｅ等の報告（Ｓｅｎｓ
ｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，１３（１９８
８）３０１−３１３）にあるように、その薄膜配線パタ
ーンの屈曲部が角度９０°の直角で構成されていた。そ
の理由は、薄膜配線パターンを形成するためのフォトリ
ソグラフィに用いるガラスマスクの設計・製造や、半導
体センサの回路設計自体が容易だからである。A conventional semiconductor sensor is disclosed in JP-B-63-32.
No. 134 and V.V. Report by Demarne et al. (Sens
ors and Actuators, 13 (198
8) As described in 301-313), the bent portion of the thin film wiring pattern was formed at a right angle of 90 °. This is because the design and manufacture of a glass mask used for photolithography for forming a thin film wiring pattern and the circuit design itself of a semiconductor sensor are easy.
【０００４】しかし、薄膜配線パターンの屈曲部を角度
９０°の直角で構成するように設計した場合、得られる
半導体センサの薄膜配線パターンの屈曲部が正確に角度
９０°の直角で形成できない問題があった。また、前述
した薄膜ヒータパターンの屈曲部近傍のダイヤフラムに
は、加熱による熱応力集中に起因するクラックが発生し
やすいため、ダイヤフラムの更なる薄肉化が困難であっ
た。However, when the bent portion of the thin film wiring pattern is designed to be formed at a right angle of 90 °, there is a problem that the bent portion of the thin film wiring pattern of the obtained semiconductor sensor cannot be formed accurately at a right angle of 90 °. there were. Further, cracks are likely to occur in the diaphragm near the bent portion of the above-described thin film heater pattern due to thermal stress concentration due to heating, and it has been difficult to further reduce the thickness of the diaphragm.
【０００５】また、リフトオフ法（リバースエッチング
法）を用いて屈曲部を角度９０°の直角で設計した薄膜
配線パターンを形成した場合、レジストの剥離が容易に
いかず、特に薄膜配線パターンの屈曲部のエッジ近傍に
レジスト残さが残る問題があった。リフトオフ法はエッ
チング工程を用いないため、サイドエッチングによる薄
膜配線パターンの細りがなく高精度なパターン形成が特
徴であるが、上記レジスト残さの問題により製品歩留ま
りが悪化する。Further, when a thin film wiring pattern whose bent portion is designed at a right angle of 90 ° is formed by a lift-off method (reverse etching method), peeling of the resist is not easy, and particularly, the bent portion of the thin film wiring pattern is not easily formed. There is a problem that a resist residue remains near the edge of the pattern. Since the lift-off method does not use an etching process, it is characterized by a high-precision pattern formation without thinning of a thin film wiring pattern by side etching. However, the above-described problem of resist residue deteriorates product yield.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、設計通りに薄膜配線パターンを形成可能
で、リフトオフ法を用いて製造しても製品歩留まりが低
下しない、高精度で安価な半導体センサ及びその製造方
法を提供することである。The problem to be solved by the present invention is that a thin film wiring pattern can be formed as designed, and the product yield does not decrease even when manufactured by the lift-off method. An object of the present invention is to provide a semiconductor sensor and a method for manufacturing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、薄膜
配線パターンの屈曲部が曲線で構成された半導体センサ
を要旨とする。ここにいう「屈曲部」とは、直線からな
る薄膜パターンの配線方向を変化させるために屈折する
部位のみならず、一の薄膜パターンに対して二の薄膜パ
ターンが交差或いは接続される部位や、薄膜パターンの
先端部の角部をも含む概念である。The gist of the present invention is to provide a semiconductor sensor in which a bent portion of a thin film wiring pattern is formed by a curved line. The term “bent portion” as used herein means not only a portion that is bent to change the wiring direction of a thin-film pattern formed of a straight line, but also a portion where two thin-film patterns cross or connect to one thin-film pattern, This is a concept including a corner at the tip of the thin film pattern.
【０００８】係る「屈折部」を９０°の直角ではなく
「曲線」で設計することで、設計値通りの薄膜配線パタ
ーンを有する半導体センサが得られる。リフトオフ法を
用いた場合においても、屈曲部へのレジスト残さを防止
できる。また、屈曲部を曲線化することで、ヒータ加熱
時の屈曲部近傍のダイヤフラムへの熱応力集中を緩和す
る効果も得られる。By designing such a “bending portion” not by a 90 ° right angle but by a “curve”, a semiconductor sensor having a thin film wiring pattern as designed can be obtained. Even when the lift-off method is used, it is possible to prevent the resist from remaining on the bent portion. Further, by making the bent portion curved, an effect of alleviating the concentration of thermal stress on the diaphragm near the bent portion when the heater is heated can be obtained.
【０００９】請求項２の発明は、薄膜配線パターンの屈
曲部が、曲線を介して連続する二以上の直線からなる擬
似曲線にて構成された半導体センサを要旨とする。ここ
にいう「擬似曲線」とは、例えば図９に示すような、複
数の連続する直線から形成される屈曲部１８をいう。但
し、擬似曲線を構成する二以上の直線において、その隣
り合う直線が形成する角度θは以下の範囲とする。 ９０°＜θ＜１８０°A second aspect of the present invention provides a semiconductor sensor in which a bent portion of a thin film wiring pattern is constituted by a pseudo curve composed of two or more straight lines continuous through a curve. The “pseudo curve” here refers to a bent portion 18 formed by a plurality of continuous straight lines, for example, as shown in FIG. However, in two or more straight lines constituting the pseudo curve, the angle θ formed by the adjacent straight lines is in the following range. 90 ° <θ <180 °
【００１０】角度θを上記の範囲に規定した理由は、角
度θが９０°以下では前述した従来技術の問題が解決で
きず、また、角度θが１８０°を越える場合は、角度θ
の定義より有り得ないからである。The reason for defining the angle θ in the above range is that if the angle θ is 90 ° or less, the above-mentioned problem of the prior art cannot be solved, and if the angle θ exceeds 180 °, the angle θ
Is not possible from the definition.
【００１１】薄膜配線パターンの屈曲部を係る擬似曲線
で構成することにより、請求項１に記載の発明と同様
に、設計値通りの薄膜配線パターンを有する半導体セン
サが得られる。特にはリフトオフ法を用いた場合におい
ても、屈曲部へのレジスト残さを防止できる。また、擬
似曲線中の屈曲部を曲線化することで、ヒータ加熱時の
屈曲部近傍のダイヤフラムへの熱応力集中を緩和する効
果も得られる。この場合、半導体センサに形成するマイ
クロヒータ用の薄膜配線パターンに特に好適である。By forming the bent portion of the thin film wiring pattern with the pseudo curve, a semiconductor sensor having a thin film wiring pattern as designed can be obtained in the same manner as the first aspect of the present invention. In particular, even when the lift-off method is used, it is possible to prevent the resist from remaining on the bent portion. In addition, by curving the bent portion in the pseudo curve, an effect of alleviating the concentration of thermal stress on the diaphragm near the bent portion during heating of the heater can be obtained. This case is particularly suitable for a thin film wiring pattern for a micro heater formed on a semiconductor sensor.
【００１２】請求項３の発明は、薄膜配線パターンの屈
曲部を構成する曲線が円弧からなる半導体センサを要旨
とし、請求項１または請求項２に記載の半導体センサの
より好ましい構成を例示したものである。屈曲部を構成
する曲線を最も簡易な曲線である円弧で形成すること
で、設計・製造を容易するのみならず、画像処理装置を
用いて外観検査が自動化できるメリットがある。According to a third aspect of the present invention, a gist of the present invention is a semiconductor sensor in which a curved line constituting a bent portion of a thin film wiring pattern is an arc, and illustrates a more preferable configuration of the semiconductor sensor according to the first or second aspect. It is. By forming the curved line as a curved line, which is the simplest curved line, not only is it easy to design and manufacture, but also there is an advantage that the visual inspection can be automated using an image processing apparatus.
【００１３】請求項４の発明は、請求項３の発明のより
好ましい形態を例示したものであり、具体的には図１５
に示すように、薄膜配線パターンの屈曲部を構成する円
弧の長さＬ1、前記円弧の始点ａと前記円弧の終点ｂ間
の直線距離であるＬ2、前記始点ａと前記終点ｂとの中
点ｃから前記円弧の中点ｄまでの直線距離であるＬ3の
関係を規定したものである。薄膜配線パターンの屈曲部
を構成する円弧を係る関係式を満足するように構成する
ことで、屈曲部の設計、製造、画像処理装置を用いた外
観検査を容易に行うことができる。The invention of claim 4 exemplifies a more preferable embodiment of the invention of claim 3, and more specifically, FIG.
As shown in FIG. 5, the length L 1 of the arc forming the bent portion of the thin film wiring pattern, L 2 which is the linear distance between the start point a of the arc and the end point b of the arc, and the distance L between the start point a and the end point b in which from the midpoint c defines the relationship between L 3 is a straight line distance to the arc midpoint d. By configuring the arc forming the bent portion of the thin film wiring pattern to satisfy the relational expression, the bent portion can be easily designed, manufactured, and visually inspected using an image processing apparatus.
【００１４】請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４
に記載の半導体センサの製造方法を例示したものであ
る。半導体基板上に薄膜配線パターンを形成するために
レジストを形成するが、そのレジストの露光工程におい
て、前記薄膜配線パターンの屈曲部が曲線で構成される
フォトマスクを用いるものである。薄膜配線パターンを
形成する方法としては、通常のエッチング法を用いるこ
とができる。特に、リフトオフ法（リバースエッチング
法）を用いた場合は、リフトオフ法で発生しがちな薄膜
配線パターンの屈曲部へのレジスト残さの問題を解決で
きる。The invention according to claim 5 is the invention according to claims 1 to 4.
3 illustrates a method for manufacturing a semiconductor sensor described in (1). A resist is formed to form a thin-film wiring pattern on a semiconductor substrate. In the step of exposing the resist, a photomask in which a bent portion of the thin-film wiring pattern has a curved line is used. As a method of forming a thin film wiring pattern, a normal etching method can be used. In particular, when the lift-off method (reverse etching method) is used, the problem of the resist remaining on the bent portion of the thin-film wiring pattern, which tends to be generated by the lift-off method, can be solved.
【００１５】[0015]
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。図１は薄
膜配線パターン形成に用いるフォトマスクの全体図であ
る。薄膜配線パターン形成の主要部は図１中の円弧で囲
んだ２の部分である。試験には図２、図３、図４の３種
類を用意した。薄膜配線パターン主要部のパターン幅及
び間隔はともに２０μmとした。各フォトマスクの詳細
は以下のようである。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is an overall view of a photomask used for forming a thin film wiring pattern. The main part of the thin-film wiring pattern formation is a part 2 surrounded by an arc in FIG. For the test, three types shown in FIGS. 2, 3, and 4 were prepared. The pattern width and interval of the main part of the thin film wiring pattern were both 20 μm. Details of each photomask are as follows.
【００１６】図２（実施例１）は、薄膜配線パターンの
屈曲部を円弧で形成した実施例である。図２中の５及び
７はＲ３０μｍの円弧で形成した屈曲部である。図２中
の６及び８はＲ１０μｍの円弧で形成した屈曲部であ
る。図３（比較例１）は、薄膜配線パターンの屈曲部を
従来の直角（９０°）で形成した比較例である。実施例
１（図２）の５、６、７、８に対応する箇所はそれぞれ
９、１０、１１、１２である。図４（実施例２）は、比
較例１（図３）の屈曲部をＲ３μｍの円弧で形成した実
施例である。薄膜配線パターンの形成はリフトオフ法
（リバースエッチング法）にて行った。以下、本実施例
の薄膜配線パターンの形成工程を順次説明する。FIG. 2 (Embodiment 1) is an embodiment in which the bent portion of the thin film wiring pattern is formed by an arc. Reference numerals 5 and 7 in FIG. 2 denote bent portions formed by arcs of R 30 μm. Reference numerals 6 and 8 in FIG. 2 indicate bent portions formed by arcs of R10 μm. FIG. 3 (Comparative Example 1) is a comparative example in which the bent portion of the thin film wiring pattern is formed at a conventional right angle (90 °). Locations corresponding to 5, 6, 7, and 8 in the first embodiment (FIG. 2) are 9, 10, 11, and 12, respectively. FIG. 4 (Example 2) is an example in which the bent portion of Comparative Example 1 (FIG. 3) is formed by an arc of R3 μm. The formation of the thin film wiring pattern was performed by a lift-off method (reverse etching method). Hereinafter, the steps of forming a thin film wiring pattern according to the present embodiment will be sequentially described.
【００１７】．絶縁膜形成工程 まず、７０℃に加熱したアンモニア−過酸化水素系の洗
浄液中に４インチ径のシリコンウェハを１０分間浸漬す
る（図示せず）。次いで、超純水にて洗浄後、前記シリ
コンウェハを５０％弗化水素酸液中に３０秒間浸漬し、
更に超純水にて洗浄した後、乾燥する（図示せず）。そ
して、図１０に示すように、前記シリコンウェハ１９を
１１４０℃に加熱して、表面に厚み１μｍの二酸化ケイ
素の絶縁膜２０を形成する。[0017] First, a 4-inch diameter silicon wafer is immersed in an ammonia-hydrogen peroxide-based cleaning solution heated to 70 ° C. for 10 minutes (not shown). Next, after washing with ultrapure water, the silicon wafer is immersed in a 50% hydrofluoric acid solution for 30 seconds,
Further, after being washed with ultrapure water, it is dried (not shown). Then, as shown in FIG. 10, the silicon wafer 19 is heated to 1140 ° C. to form a 1 μm-thick silicon dioxide insulating film 20 on the surface.
【００１８】．フォトリソ工程 次いで、図１１に示すように、前記シリコンウェハの表
面にスピンコーターを用いて感光性樹脂からなるレジス
ト２１を塗布する。そして、図２、図３、図４の３種類
のフォトマスクを露光機に配置する（図示せず）。レジ
スト塗布した前記シリコンウェハを９０℃に加熱し、露
光機の紫外線ランプで露光（露光量３０ｍＪ／ｃｍ2）
・現像を行う（図示せず）。そして、１５０℃で加熱、
乾燥を行う。これにより、図１２に示すように、シリコ
ンウェハ全体を覆うレジスト２１のうち、薄膜配線パタ
ーンを形成する箇所２２のレジストのみを除去する。[0018] Photolithography Step Next, as shown in FIG. 11, a resist 21 made of a photosensitive resin is applied to the surface of the silicon wafer using a spin coater. Then, the three types of photomasks shown in FIGS. 2, 3 and 4 are arranged in an exposure machine (not shown). The silicon wafer coated with the resist is heated to 90 ° C. and exposed by an ultraviolet lamp of an exposure machine (exposure amount: 30 mJ / cm 2 ).
Perform development (not shown). And heating at 150 ° C,
Perform drying. Thereby, as shown in FIG. 12, of the resist 21 covering the entire silicon wafer, only the resist at the portion 22 where the thin film wiring pattern is formed is removed.
【００１９】．スパッタ工程 図１３に示すように、前記シリコンウェハのレジスト形
成面の全面にＴｉ（２５０オンク゛ストローム）／Ｐｔ（２００
０オンク゛ストローム）からなるスパッタ膜２３を形成する。[0019] Sputtering process As shown in FIG. 13, Ti (250 angstroms) / Pt (200
A sputtered film 23 of 0 Å is formed.
【００２０】．レジスト除去工程 前記シリコンウェハをアセトン中に入れ、超音波振動を
加えることによりレジストを除去する。これによって、
図１４に示すように、シリコンウェハ上に薄膜配線パタ
ーン２３が形成される。[0020] Resist removing step The silicon wafer is put in acetone, and the resist is removed by applying ultrasonic vibration. by this,
As shown in FIG. 14, a thin film wiring pattern 23 is formed on a silicon wafer.
【００２１】．薄膜配線パターンの形状測定 以上の〜によって得られた薄膜配線パターンの形状
を、投影機を用いて測定・評価した。但し、比較例１の
Ｌ1については屈曲部が正常な円弧状ではないため、屈
曲部の拡大写真（例えば図７）に曲線定規を用いて測定
した。測定項目は、薄膜配線パターンの屈曲部の曲率半
径Ｒ、Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3である。図１５は実施例１の屈曲
部５を例に用いて始点ａ、終点ｂ、中点ｃ、頂点ｄ、Ｌ
1、Ｌ2、Ｌ3の関係を例示した説明図である。実施例
１、実施例２及び比較例１の屈曲部の測定結果を表１
に、また、実施例１及び実施例２のＬ1、Ｌ2、Ｌ3の実
測値及び（Ｌ2＋２Ｌ3）の計算結果を表２に示す。[0021] Measurement of Shape of Thin-Film Wiring Pattern The shape of the thin-film wiring pattern obtained in the above (1) was measured and evaluated using a projector. However, since the L 1 of Comparative Example 1 the bent portion is not the normal arcuate, it was measured using the curve ruler enlarged photograph of the bent portion (e.g., Fig. 7). The measurement items are the radii of curvature R, L 1 , L 2 , and L 3 of the bent portion of the thin film wiring pattern. FIG. 15 shows the start point a, the end point b, the midpoint c, the vertex d, and the L using the bent portion 5 of the first embodiment as an example.
1 is an explanatory diagram illustrating a relationship between L 2, L 3. Table 1 shows the measurement results of the bent portions of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1.
Table 2 shows the measured values of L 1 , L 2 , and L 3 and the calculation results of (L 2 + 2L 3 ) in Examples 1 and 2.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】[0023]
【表２】 [Table 2]
【００２４】表１の結果より、薄膜配線パターンの屈曲
部に予め曲面を設けたフォトマスクを用いた実施例１及
び実施例２では、設計値通りの曲面を有する屈曲部が得
られることがわかる。実施例２の屈曲部（図４中の１
３）の外観写真を図５に、屈曲部１３の外観写真の説明
図を図６に示す。リフトオフ法を用いた場合において
も、屈曲部にレジスト残さがまったく無いことがわか
る。From the results shown in Table 1, it can be seen that in the first and second embodiments using the photomask in which the curved portion of the thin film wiring pattern is provided with a curved surface in advance, a bent portion having a curved surface as designed is obtained. . The bent portion of Example 2 (1 in FIG. 4)
FIG. 5 shows an appearance photograph of 3), and FIG. 6 shows an explanatory view of the appearance photograph of the bent portion 13. It can be seen that even when the lift-off method is used, there is no resist residue at the bent portion.
【００２５】一方、薄膜配線パターンの屈曲部を直角
（９０°）にしたフォトマスクを用いた比較例１では、
得られる屈曲部が正確に直角ではなく、変形しているこ
とがわかる。比較例１の屈曲部（図３中の９）の外観写
真を図７に、屈曲部９の外観写真の説明図を図８に示
す。リフトオフ法を用いた場合、屈曲部近傍にレジスト
残さ（図８中の１７を参照）が発生することがわかる。On the other hand, in Comparative Example 1 using a photomask in which the bent portion of the thin film wiring pattern was made a right angle (90 °),
It can be seen that the obtained bent portion is not exactly a right angle but is deformed. FIG. 7 shows an appearance photograph of the bent portion (9 in FIG. 3) of Comparative Example 1, and FIG. It can be seen that when the lift-off method is used, a resist residue (see 17 in FIG. 8) is generated in the vicinity of the bent portion.
【００２６】表２の結果より、設計値通りの屈曲部が得
られる実施例１及び実施例２においては、Ｌ2＜Ｌ1＜
（Ｌ2＋２Ｌ3）の関係式を満たすことがわかる。一方、
屈曲部に変形が発生して設計値通りの屈曲部が得られな
い比較例１においては、上記関係式を満たさないことが
わかる。From the results shown in Table 2, in Examples 1 and 2 where a bent portion as designed was obtained, L 2 <L 1 <
It can be seen that the relational expression of (L 2 + 2L 3 ) is satisfied. on the other hand,
It can be seen that in Comparative Example 1, in which the bent portion was deformed and a bent portion as designed was not obtained, the above relational expression was not satisfied.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、設計通りの屈曲部を有
する薄膜配線パターンを形成可能である。特に、リフト
オフ法を用いて製造した場合においても、屈曲部近傍の
レジスト残さ等の不具合がない、高精度で安価な半導体
センサを提供できる。According to the present invention, a thin film wiring pattern having a bent portion as designed can be formed. In particular, even when manufactured using the lift-off method, it is possible to provide a high-precision and inexpensive semiconductor sensor free from defects such as a resist residue near a bent portion.
【図１】実施例及び比較例に用いたフォトマスクののパ
ターン全体図。FIG. 1 is an overall pattern diagram of a photomask used in Examples and Comparative Examples.
【図２】実施例１に用いたフォトマスクのパターン主要
部の拡大図。FIG. 2 is an enlarged view of a main part of a pattern of a photomask used in Example 1.
【図３】比較例１に用いたフォトマスクのパターン主要
部の拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of a main part of a pattern of a photomask used in Comparative Example 1.
【図４】実施例２に用いたフォトマスクのパターン主要
部の拡大図。FIG. 4 is an enlarged view of a main part of a pattern of a photomask used in Example 2.
【図５】実施例２の屈曲部１３の拡大写真。FIG. 5 is an enlarged photograph of a bent portion 13 of Example 2.
【図６】実施例２の屈曲部１３の拡大写真の説明図。FIG. 6 is an explanatory view of an enlarged photograph of a bent portion 13 according to the second embodiment.
【図７】比較例１の屈曲部９の拡大写真。7 is an enlarged photograph of a bent portion 9 of Comparative Example 1. FIG.
【図８】比較例１の屈曲部９の拡大写真の説明図。FIG. 8 is an explanatory view of an enlarged photograph of a bent portion 9 of Comparative Example 1.
【図９】請求項２の擬似曲線の説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram of a pseudo curve according to claim 2;
【図１０】リフトオフ法による薄膜配線パターン形成の
説明図。FIG. 10 is an explanatory view of forming a thin film wiring pattern by a lift-off method.
【図１１】リフトオフ法による薄膜配線パターン形成の
説明図。FIG. 11 is an explanatory view of forming a thin film wiring pattern by a lift-off method.
【図１２】リフトオフ法による薄膜配線パターン形成の
説明図。FIG. 12 is an explanatory view of forming a thin film wiring pattern by a lift-off method.
【図１３】リフトオフ法による薄膜配線パターン形成の
説明図。FIG. 13 is an explanatory diagram of forming a thin film wiring pattern by a lift-off method.
【図１４】リフトオフ法による薄膜配線パターン形成の
説明図。FIG. 14 is an explanatory view of forming a thin film wiring pattern by a lift-off method.
【図１５】実施例１の屈曲部５の始点ａ、終点ｂ、中点
ｃ、頂点ｄ、Ｌ2、Ｌ3の測定箇所の説明図。FIG. 15 is an explanatory diagram of measurement points of a start point a, an end point b, a middle point c, a vertex d, L 2 , and L 3 of the bent portion 5 in the first embodiment.
３ Ｒ３０μｍの屈曲部 ４ Ｒ３０μｍの屈曲部 ５ Ｒ３０μｍの屈曲部 ６ Ｒ１０μｍの屈曲部 ７ Ｒ３０μｍの屈曲部 ８ Ｒ１０μｍの屈曲部 3 R30 μm bend 4 R30 μm bend 5 R30 μm bend 6 R10 μm bend 7 R30 μm bend 8 R10 μm bend
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 千栄 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 前田 俊介 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 幸村 由彦 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 2F035 EA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Chie Hayashi 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture Inside Nihon Special Ceramics Co., Ltd. 18 Japan Special Ceramics Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihiko Yukimura 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi F-term (reference) 2F035 EA08
Claims (5)
る半導体センサであって、前記薄膜配線パターンの屈曲
部が曲線で構成されることを特徴とする半導体センサ。1. A semiconductor sensor having a thin film wiring pattern on a semiconductor substrate, wherein a bent portion of the thin film wiring pattern is constituted by a curve.
る半導体センサであって、前記薄膜配線パターンの屈曲
部が、曲線を介して連続する二以上の直線からなる擬似
曲線にて構成されることを特徴とする半導体センサ。但
し、前記擬似曲線を構成する二以上の直線において、隣
り合う直線が形成する角度θは以下の範囲とする。 ９０°＜θ＜１８０°2. A semiconductor sensor having a thin-film wiring pattern on a semiconductor substrate, wherein a bent portion of the thin-film wiring pattern is constituted by a pseudo curve composed of two or more straight lines continuous through the curve. Characteristic semiconductor sensor. However, in two or more straight lines constituting the pseudo curve, an angle θ formed by adjacent straight lines is in the following range. 90 ° <θ <180 °
センサであって、 前記薄膜配線パターンの屈曲部を構成する曲線が円弧か
らなることを特徴とする半導体センサ。3. The semiconductor sensor according to claim 1, wherein a curve forming a bent portion of the thin film wiring pattern is formed by an arc.
て、 前記円弧の長さをＬ1、前記円弧の始点ａと前記円弧の
終点ｂ間の直線距離をＬ2、前記始点ａと前記終点ｂと
の中点ｃから前記円弧の中点ｄまでの直線距離をＬ3と
した場合において、 前記Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3が以下の関係式を満たすことを特徴
とする半導体センサ。 Ｌ2＜Ｌ1＜（Ｌ2＋２Ｌ3）4. The semiconductor sensor according to claim 3, wherein the length of the arc is L 1 , the linear distance between the starting point a of the arc and the ending point b of the arc is L 2 , and the starting point a and the in the case where the linear distance from the midpoint c of the end point b to the arc midpoint d was L 3, a semiconductor sensor, characterized in that said L 1, L 2, L 3 satisfies the following relationship. L 2 <L 1 <(L 2 + 2L 3 )
ンサの製造方法であって、 半導体基板上に薄膜配線パターンを形成するためのレジ
ストの露光工程において、前記薄膜配線パターンの屈曲
部が曲線で構成されるフォトマスクを用いることを特徴
とする半導体センサの製造方法。5. The method for manufacturing a semiconductor sensor according to claim 1, wherein in the step of exposing a resist for forming a thin film wiring pattern on a semiconductor substrate, a bent portion of the thin film wiring pattern is formed. A method for manufacturing a semiconductor sensor, comprising using a photomask composed of curves.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11019985A JP2000213975A (en) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | Semiconductor sensor and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11019985A JP2000213975A (en) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | Semiconductor sensor and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000213975A true JP2000213975A (en) | 2000-08-04 |
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ID=12014487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11019985A Pending JP2000213975A (en) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | Semiconductor sensor and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000213975A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020191399A (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Test wafer and test method |
-
1999
- 1999-01-28 JP JP11019985A patent/JP2000213975A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020191399A (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Test wafer and test method |
| JP7257880B2 (en) | 2019-05-23 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Test Wafer and Test Method |
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