JP2000212746A - フッ化物薄膜 - Google Patents
フッ化物薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】効率の高い導波路型光増幅素子、導波路型レー
ザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波路型光
受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバージョ
ン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等に有用
な、フォノンエネルギーが低い、環境に対する負荷の小
さいフッ化物薄膜を提供する。 【解決手段】フッ化亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含有
量が１０モル％以下であるフッ化物薄膜。
ザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波路型光
受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバージョ
ン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等に有用
な、フォノンエネルギーが低い、環境に対する負荷の小
さいフッ化物薄膜を提供する。 【解決手段】フッ化亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含有
量が１０モル％以下であるフッ化物薄膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ化物薄膜に関
する。さらに詳しくは、本発明は、光増幅、レーザー等
の導波路型光機能素子、光機能素子に光合波、分岐等の
導波路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコ
ンバージョン現象、エレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）等を利用した表示デ
バイス等に用いることができるフッ化物薄膜に関する。
する。さらに詳しくは、本発明は、光増幅、レーザー等
の導波路型光機能素子、光機能素子に光合波、分岐等の
導波路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコ
ンバージョン現象、エレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）等を利用した表示デ
バイス等に用いることができるフッ化物薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フッ化物薄膜として、ＺｒＦ
4−ＢａＦ2系ガラス薄膜が知られており、例えば、特開
平４―２６０６４０号公報には、有機バリウム錯体化合
物とジルコニウム化合物を用いて薄膜を製造する方法が
開示されている。しかし、ＺｒＦ4−ＢａＦ2系ガラス
は、フォノンエネルギーが比較的高い。従って、これを
光機能イオンの母材として用いた場合、励起準位に励起
された電子が下位準位に多フォノン緩和する速度が大き
くなる。この多フォノン緩和速度は、発光効率を左右す
る要因である。例えば、希土類元素の一つであるプラセ
オジムイオンの光機能を用いた１.３μｍ帯光増幅の場
合、母材としてＺｒＦ4−ＢａＦ2系ガラスを用いると、
多フォノン緩和速度が大きいために輻射（発光）遷移量
子効率が低く、そのために光増幅効率が低い。光増幅効
率を高めるために、輻射（発光）遷移量子効率を大きく
すべく、低フォノンエネルギーを有する母材が推奨され
ている。このことは、ＯＨＩＳＨＩらによって、ＩＥＩ
ＣＥ ＴＲＡＮＳ．ＣＯＭＭＵＮ.、第Ｅ７７−Ｂ巻、第
４号、４２１頁（１９９４年４月）に報告されている通
りである。また、高原らは、日本化学会誌、１９９２
年，第１０号、１２２０頁に、フッ化亜鉛（ＺｎＦ2）
系ガラスのフォノンエネルギーが低いことを報告してい
る。すなわち、フッ化亜鉛を成分とするフッ化物を、光
増幅、レーザー等の光機能を有するイオンの母材として
用いた場合、光増幅効率が高くなることが予想される。
一方、特開平６―２９９３２４号公報の実施例Ｉ〜VII
には、ＺｎＦ2を成分とするＰｂＦ2―ＺｎＦ2―ＧａＦ3
系フッ化物ガラスフィルムが開示されている。また、特
開平１０−８２５２号公報の実施例３には、同じくＺｎ
Ｆ2を成分とするＩｎＦ3―ＰｂＦ2―ＺｎＦ2フッ化物ガ
ラス薄膜が開示されている。しかし、これらのいずれの
薄膜も有毒な鉛を多量に含有しており、環境保護上望ま
しくない。
4−ＢａＦ2系ガラス薄膜が知られており、例えば、特開
平４―２６０６４０号公報には、有機バリウム錯体化合
物とジルコニウム化合物を用いて薄膜を製造する方法が
開示されている。しかし、ＺｒＦ4−ＢａＦ2系ガラス
は、フォノンエネルギーが比較的高い。従って、これを
光機能イオンの母材として用いた場合、励起準位に励起
された電子が下位準位に多フォノン緩和する速度が大き
くなる。この多フォノン緩和速度は、発光効率を左右す
る要因である。例えば、希土類元素の一つであるプラセ
オジムイオンの光機能を用いた１.３μｍ帯光増幅の場
合、母材としてＺｒＦ4−ＢａＦ2系ガラスを用いると、
多フォノン緩和速度が大きいために輻射（発光）遷移量
子効率が低く、そのために光増幅効率が低い。光増幅効
率を高めるために、輻射（発光）遷移量子効率を大きく
すべく、低フォノンエネルギーを有する母材が推奨され
ている。このことは、ＯＨＩＳＨＩらによって、ＩＥＩ
ＣＥ ＴＲＡＮＳ．ＣＯＭＭＵＮ.、第Ｅ７７−Ｂ巻、第
４号、４２１頁（１９９４年４月）に報告されている通
りである。また、高原らは、日本化学会誌、１９９２
年，第１０号、１２２０頁に、フッ化亜鉛（ＺｎＦ2）
系ガラスのフォノンエネルギーが低いことを報告してい
る。すなわち、フッ化亜鉛を成分とするフッ化物を、光
増幅、レーザー等の光機能を有するイオンの母材として
用いた場合、光増幅効率が高くなることが予想される。
一方、特開平６―２９９３２４号公報の実施例Ｉ〜VII
には、ＺｎＦ2を成分とするＰｂＦ2―ＺｎＦ2―ＧａＦ3
系フッ化物ガラスフィルムが開示されている。また、特
開平１０−８２５２号公報の実施例３には、同じくＺｎ
Ｆ2を成分とするＩｎＦ3―ＰｂＦ2―ＺｎＦ2フッ化物ガ
ラス薄膜が開示されている。しかし、これらのいずれの
薄膜も有毒な鉛を多量に含有しており、環境保護上望ま
しくない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、効率の高い
導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素子、これらの
素子に光合波、分岐等の導波路型光受動素子を一体化し
た光集積回路、アップコンバージョン及びエレクトロル
ミネセンス表示デバイス等に有用な、フォノンエネルギ
ーが低い、環境に対する負荷の小さいフッ化物薄膜を提
供することを目的としてなされたものである。
導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素子、これらの
素子に光合波、分岐等の導波路型光受動素子を一体化し
た光集積回路、アップコンバージョン及びエレクトロル
ミネセンス表示デバイス等に有用な、フォノンエネルギ
ーが低い、環境に対する負荷の小さいフッ化物薄膜を提
供することを目的としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、フッ化亜鉛を主
成分とし、フッ化鉛の含有量が１０モル％以下であるフ
ッ化物薄膜は、フォノンエネルギーが低く、環境に対す
る負荷が小さいことを見いだし、さらに、含フッ素ガス
プラズマをフッ素源とし、揮発性有機亜鉛化合物ガスを
含む原料ガスとプラズマ発生領域外で反応させて基体上
に堆積させることにより、フッ化亜鉛を主成分とするフ
ッ化物薄膜を容易に形成し得ることを見いだし、この知
見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明は、（１）フッ化亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含
有量が１０モル％以下であるフッ化物薄膜、（２）電子
サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
形成される第(１)項記載のフッ化物薄膜、（３）フッ化
バリウムを含有する第(１)項又は第(２)項記載のフッ化
物薄膜、（４）希土類フッ化物、遷移金属フッ化物及び
フッ化アルミニウムの内の少なくとも１種を含有する第
(１)項、第(２)項又は第(３)項記載のフッ化物薄膜、
（５）希土類がＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選択され、遷
移金属がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕから選択される第(４)項記載のフッ化物薄膜、及び、
（６）含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下で
マイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラ
ズマをフッ素源とし、揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮
発性有機亜鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの
混合ガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上に
堆積させることにより形成される第(２)項、第(３)項、
第(４)項又は第(５)項記載のフッ化物薄膜、を提供する
ものである。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、フッ化亜鉛を主
成分とし、フッ化鉛の含有量が１０モル％以下であるフ
ッ化物薄膜は、フォノンエネルギーが低く、環境に対す
る負荷が小さいことを見いだし、さらに、含フッ素ガス
プラズマをフッ素源とし、揮発性有機亜鉛化合物ガスを
含む原料ガスとプラズマ発生領域外で反応させて基体上
に堆積させることにより、フッ化亜鉛を主成分とするフ
ッ化物薄膜を容易に形成し得ることを見いだし、この知
見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本
発明は、（１）フッ化亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含
有量が１０モル％以下であるフッ化物薄膜、（２）電子
サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマＣＶＤ法により
形成される第(１)項記載のフッ化物薄膜、（３）フッ化
バリウムを含有する第(１)項又は第(２)項記載のフッ化
物薄膜、（４）希土類フッ化物、遷移金属フッ化物及び
フッ化アルミニウムの内の少なくとも１種を含有する第
(１)項、第(２)項又は第(３)項記載のフッ化物薄膜、
（５）希土類がＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選択され、遷
移金属がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕから選択される第(４)項記載のフッ化物薄膜、及び、
（６）含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下で
マイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラ
ズマをフッ素源とし、揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮
発性有機亜鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの
混合ガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上に
堆積させることにより形成される第(２)項、第(３)項、
第(４)項又は第(５)項記載のフッ化物薄膜、を提供する
ものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のフッ化物薄膜は、フッ化
亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含有量が１０モル％以下
である。フッ化鉛の含有量が１０モル％以下のフッ化物
薄膜には、フッ化鉛を全く含有しないフッ化物薄膜も含
まれる。本発明のフッ化物薄膜は、フッ化鉛の含有量が
５モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であ
ることがより好ましい。フッ化鉛の含有量が１０モル％
を超えると、重大な環境汚染の問題を生ずるおそれがあ
る。本発明のフッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜の
組成としては、例えば、ＺｎＦ2のみからなるもの、フ
ッ化バリウムを含有するＺｎＦ2−ＢａＦ2、ＺｎＦ2−
ＢａＦ2−ＳｒＦ2、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＳｒＦ2−Ｉｎ
Ｆ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＳｒＦ2−ＣａＦ2、ＺｎＦ2−
ＢａＦ2−ＳｒＦ2−ＧａＦ3−ＮａＦ、ＺｎＦ2−ＢａＦ
2−ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＩｎＦ3−ＮａＦ、Ｚ
ｎＦ2−ＢａＦ2−ＩｎＦ3−ＹＦ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−
ＳｒＦ2−ＩｎＦ3−ＰｂＦ2等、さらにＺｎＦ2−Ｃｓ
Ｆ、ＺｎＦ2−ＳｒＦ2、ＺｎＦ2−ＧａＦ3、ＺｎＦ2−
ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−ＧａＦ3−ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−Ｉｎ
Ｆ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3、ＺｎＦ2−ＧａＦ3−ＰｂＦ2、
ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−ＰｂＦ2、ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−Ｇａ
Ｆ3−ＰｂＦ2、ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3−
ＰｂＦ2等を挙げることができる。本発明のフッ化物薄
膜には、希土類フッ化物、遷移金属フッ化物又はフッ化
アルミニウムを含有せしめることができる。これらのフ
ッ化物は、１種を含有せしめることができ、あるいは、
２種以上を組み合わせて含有せしめることもできる。含
有せしめる希土類フッ化物に特に制限はないが、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類フッ化物を好適に用いること
ができる。含有せしめる遷移金属フッ化物に特に制限は
ないが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ等の遷移金属フッ化物を好適に用いることができる。
亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含有量が１０モル％以下
である。フッ化鉛の含有量が１０モル％以下のフッ化物
薄膜には、フッ化鉛を全く含有しないフッ化物薄膜も含
まれる。本発明のフッ化物薄膜は、フッ化鉛の含有量が
５モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であ
ることがより好ましい。フッ化鉛の含有量が１０モル％
を超えると、重大な環境汚染の問題を生ずるおそれがあ
る。本発明のフッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜の
組成としては、例えば、ＺｎＦ2のみからなるもの、フ
ッ化バリウムを含有するＺｎＦ2−ＢａＦ2、ＺｎＦ2−
ＢａＦ2−ＳｒＦ2、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＳｒＦ2−Ｉｎ
Ｆ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＳｒＦ2−ＣａＦ2、ＺｎＦ2−
ＢａＦ2−ＳｒＦ2−ＧａＦ3−ＮａＦ、ＺｎＦ2−ＢａＦ
2−ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−ＩｎＦ3−ＮａＦ、Ｚ
ｎＦ2−ＢａＦ2−ＩｎＦ3−ＹＦ3、ＺｎＦ2−ＢａＦ2−
ＳｒＦ2−ＩｎＦ3−ＰｂＦ2等、さらにＺｎＦ2−Ｃｓ
Ｆ、ＺｎＦ2−ＳｒＦ2、ＺｎＦ2−ＧａＦ3、ＺｎＦ2−
ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−ＧａＦ3−ＩｎＦ3、ＺｎＦ2−Ｉｎ
Ｆ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3、ＺｎＦ2−ＧａＦ3−ＰｂＦ2、
ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−ＰｂＦ2、ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−Ｇａ
Ｆ3−ＰｂＦ2、ＺｎＦ2−ＩｎＦ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3−
ＰｂＦ2等を挙げることができる。本発明のフッ化物薄
膜には、希土類フッ化物、遷移金属フッ化物又はフッ化
アルミニウムを含有せしめることができる。これらのフ
ッ化物は、１種を含有せしめることができ、あるいは、
２種以上を組み合わせて含有せしめることもできる。含
有せしめる希土類フッ化物に特に制限はないが、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類フッ化物を好適に用いること
ができる。含有せしめる遷移金属フッ化物に特に制限は
ないが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ等の遷移金属フッ化物を好適に用いることができる。
【０００６】本発明の希土類フッ化物を含有するフッ化
物薄膜は、導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素
子、アップコンバージョン表示デバイス、エレクトロル
ミネセンス表示デバイスなどとして用いることができ
る。本発明の遷移金属フッ化物を含有するフッ化物薄膜
は、導波路型レーザー素子、エレクトロルミネセンス表
示デバイスなどとして用いることができる。本発明のフ
ッ化アルミニウムを含有するフッ化物薄膜は、エレクト
ロルミネセンス表示デバイスなどとして用いることがで
きる。希土類フッ化物として、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化物を含有する本発明の
フッ化物薄膜は、導波路型光増幅素子として好適に用い
ることができる。希土類フッ化物として、Ｃｅ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化物を含
有する本発明のフッ化物薄膜、及び、遷移金属フッ化物
として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等のフッ化
物を含有する本発明のフッ化物薄膜は、導波路型レーザ
ー素子として好適に用いることができる。希土類フッ化
物として、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｔｍ等のフッ化物
を含有する本発明のフッ化物薄膜は、アップコンバージ
ョン表示デバイスとして好適に用いることができる。希
土類フッ化物として、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化
物を含有する本発明のフッ化物薄膜、遷移金属フッ化物
として、Ｍｎ、Ｃｕ等のフッ化物を含有する本発明のフ
ッ化物薄膜、及び、フッ化アルミニウムを含有する本発
明のフッ化物薄膜は、エレクトロルミネセンス表示デバ
イスとして好適に用いることができる。本発明のフッ化
物薄膜は、アモルファス薄膜とすることができ、あるい
は、結晶薄膜とすることもできる。薄膜を堆積させる基
体の種類や温度等の薄膜形成条件を選択することによ
り、アモルファス薄膜又は結晶薄膜を目的に応じて形成
することができる。本発明のフッ化物薄膜は、ＰＶＤ、
ＣＶＤ等の気相法により形成することができる。本発明
のフッ化物薄膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
条件下でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形成された
ものであることが好ましい。本発明のフッ化亜鉛を主成
分とするフッ化物薄膜は、含フッ素ガスを電子サイクロ
トロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られ
る含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機亜
鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと他の揮発
性金属化合物ガスの混合ガスとプラズマ発生領域外で反
応させて、基体上に堆積させることにより形成されたフ
ッ化物薄膜であることが特に好ましい。
物薄膜は、導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素
子、アップコンバージョン表示デバイス、エレクトロル
ミネセンス表示デバイスなどとして用いることができ
る。本発明の遷移金属フッ化物を含有するフッ化物薄膜
は、導波路型レーザー素子、エレクトロルミネセンス表
示デバイスなどとして用いることができる。本発明のフ
ッ化アルミニウムを含有するフッ化物薄膜は、エレクト
ロルミネセンス表示デバイスなどとして用いることがで
きる。希土類フッ化物として、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化物を含有する本発明の
フッ化物薄膜は、導波路型光増幅素子として好適に用い
ることができる。希土類フッ化物として、Ｃｅ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｅｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化物を含
有する本発明のフッ化物薄膜、及び、遷移金属フッ化物
として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等のフッ化
物を含有する本発明のフッ化物薄膜は、導波路型レーザ
ー素子として好適に用いることができる。希土類フッ化
物として、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｔｍ等のフッ化物
を含有する本発明のフッ化物薄膜は、アップコンバージ
ョン表示デバイスとして好適に用いることができる。希
土類フッ化物として、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等のフッ化
物を含有する本発明のフッ化物薄膜、遷移金属フッ化物
として、Ｍｎ、Ｃｕ等のフッ化物を含有する本発明のフ
ッ化物薄膜、及び、フッ化アルミニウムを含有する本発
明のフッ化物薄膜は、エレクトロルミネセンス表示デバ
イスとして好適に用いることができる。本発明のフッ化
物薄膜は、アモルファス薄膜とすることができ、あるい
は、結晶薄膜とすることもできる。薄膜を堆積させる基
体の種類や温度等の薄膜形成条件を選択することによ
り、アモルファス薄膜又は結晶薄膜を目的に応じて形成
することができる。本発明のフッ化物薄膜は、ＰＶＤ、
ＣＶＤ等の気相法により形成することができる。本発明
のフッ化物薄膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
条件下でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形成された
ものであることが好ましい。本発明のフッ化亜鉛を主成
分とするフッ化物薄膜は、含フッ素ガスを電子サイクロ
トロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られ
る含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機亜
鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと他の揮発
性金属化合物ガスの混合ガスとプラズマ発生領域外で反
応させて、基体上に堆積させることにより形成されたフ
ッ化物薄膜であることが特に好ましい。
【０００７】図１は、本発明のフッ化物薄膜を形成する
ための装置の一態様の説明図である。反応容器１は、ロ
ータリーポンプ２及び拡散ポンプ３からなる排気系によ
り、高真空に圧力調整されるステンレス製のチャンバで
あり、内部は通常１０-2Torr以下の圧力に保持され、真
空ゲージ２８でモニターされる。この反応容器内には基
体４が設置され、ヒーター５により加熱される。反応容
器には、片封じの石英管６が開口部１２を反応容器に向
けて取り付けられている。石英管の周囲にはコイル７が
巻いてあり、コイルに電流を流すことにより石英管内部
に電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場、すなわち
８７５ガウスの磁場を発生させる。含フッ素ガスが、含
フッ素ガスボンベ８からガス流量コントローラー９を介
し、反応容器に設けられた導入口１ａ及びノズル６ａを
経由して石英管内部に導入される。２.４５GHzのマイク
ロ波が、導波管１０を通じて空洞共振器１１に導入さ
れ、電子サイクロトロン共鳴原理により含フッ素ガスプ
ラズマが石英管内部に発生し、石英管の開口部から反応
容器内の加熱された基体に向かって吹き出す。フッ化亜
鉛を主成分とするフッ化物薄膜を製造するための主原料
である揮発性有機亜鉛化合物１３ａは、ステンレス製の
気化器１４ａ内部に充填される。気化器には、ヒーター
１５ａが取り付けられ、気化器内部の揮発性有機亜鉛化
合物はヒーターで加熱され蒸気圧が上昇する。キャリヤ
ガスとして、不活性ガスが、不活性ガスボンベ１６から
ガス流量コントローラー１７ａを経由して気化器に入
り、気化器内部の揮発性有機亜鉛化合物を所要量含有す
る不活性ガスを形成し、揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送
管１８ａ及び揮発性金属化合物混合ガス搬送管１９及び
２１を経由して、導入口１ｂから反応容器内部に入り、
ノズル２２から加熱された基体に向かって吹き出す。
ための装置の一態様の説明図である。反応容器１は、ロ
ータリーポンプ２及び拡散ポンプ３からなる排気系によ
り、高真空に圧力調整されるステンレス製のチャンバで
あり、内部は通常１０-2Torr以下の圧力に保持され、真
空ゲージ２８でモニターされる。この反応容器内には基
体４が設置され、ヒーター５により加熱される。反応容
器には、片封じの石英管６が開口部１２を反応容器に向
けて取り付けられている。石英管の周囲にはコイル７が
巻いてあり、コイルに電流を流すことにより石英管内部
に電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場、すなわち
８７５ガウスの磁場を発生させる。含フッ素ガスが、含
フッ素ガスボンベ８からガス流量コントローラー９を介
し、反応容器に設けられた導入口１ａ及びノズル６ａを
経由して石英管内部に導入される。２.４５GHzのマイク
ロ波が、導波管１０を通じて空洞共振器１１に導入さ
れ、電子サイクロトロン共鳴原理により含フッ素ガスプ
ラズマが石英管内部に発生し、石英管の開口部から反応
容器内の加熱された基体に向かって吹き出す。フッ化亜
鉛を主成分とするフッ化物薄膜を製造するための主原料
である揮発性有機亜鉛化合物１３ａは、ステンレス製の
気化器１４ａ内部に充填される。気化器には、ヒーター
１５ａが取り付けられ、気化器内部の揮発性有機亜鉛化
合物はヒーターで加熱され蒸気圧が上昇する。キャリヤ
ガスとして、不活性ガスが、不活性ガスボンベ１６から
ガス流量コントローラー１７ａを経由して気化器に入
り、気化器内部の揮発性有機亜鉛化合物を所要量含有す
る不活性ガスを形成し、揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送
管１８ａ及び揮発性金属化合物混合ガス搬送管１９及び
２１を経由して、導入口１ｂから反応容器内部に入り、
ノズル２２から加熱された基体に向かって吹き出す。
【０００８】フッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜
に、フッ化バリウム、希土類フッ化物、遷移金属フッ化
物、フッ化アルミニウム等を含有せしめる場合には、こ
れらの金属原料である他の揮発性金属化合物１３ｂ〜１
３ｃは、ステンレス製の気化器１４ｂ〜１４ｃ内部に充
填される。気化器には、ヒーター１５ｂ〜１５ｃが取り
付けられ、気化器内部の他の揮発性金属化合物はヒータ
ーで加熱され蒸気圧が上昇する。キャリヤガスとして、
不活性ガスが、不活性ガスボンベ１６からガス流量コン
トローラー１７ｂ〜１７ｃを経由して気化器に入り、気
化器内部の各々のフッ化物薄膜を製造するための金属原
料である他の揮発性金属化合物を所要量含有する不活性
ガスを形成し、他の揮発性金属化合物ガス搬送管１８ｂ
〜１８ｃ及び揮発性金属化合物混合ガス搬送管１９を通
り、混合器２０で揮発性有機亜鉛化合物ガスを所要量含
有する不活性ガスと十分混合され、揮発性金属化合物混
合ガス搬送管２１を経由して、導入口１ｂから反応容器
内部に入り、ノズル２２から加熱された基体に向かって
吹き出す。揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送管、他の揮発
性金属化合物ガス搬送管、揮発性金属化合物混合ガス搬
送管、混合器及びノズルには保温ヒーター２３ａ〜２３
ｃ、２４及び２５が設けられており、揮発性有機亜鉛化
合物及び他の揮発性金属化合物の気化器における加熱温
度の内の最高の温度より３０℃高い温度に加熱して、揮
発性有機亜鉛化合物及び他の揮発性金属化合物のガスの
凝集を防止する。揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性
有機亜鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合
ガスは、気相又は基体上で含フッ素ガスプラズマと反応
し、加熱された基体上にフッ化亜鉛を主成分とするフッ
化物薄膜が堆積する。なお、安定した気化を図るため、
気化器内部の圧力、揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送管内
部の圧力、他の揮発性金属化合物ガス搬送管内部の圧
力、揮発性金属化合物混合ガス搬送管内部の圧力及び混
合器内部の圧力を、バルブ２６ａ〜２６ｃ及び２７で調
整する。
に、フッ化バリウム、希土類フッ化物、遷移金属フッ化
物、フッ化アルミニウム等を含有せしめる場合には、こ
れらの金属原料である他の揮発性金属化合物１３ｂ〜１
３ｃは、ステンレス製の気化器１４ｂ〜１４ｃ内部に充
填される。気化器には、ヒーター１５ｂ〜１５ｃが取り
付けられ、気化器内部の他の揮発性金属化合物はヒータ
ーで加熱され蒸気圧が上昇する。キャリヤガスとして、
不活性ガスが、不活性ガスボンベ１６からガス流量コン
トローラー１７ｂ〜１７ｃを経由して気化器に入り、気
化器内部の各々のフッ化物薄膜を製造するための金属原
料である他の揮発性金属化合物を所要量含有する不活性
ガスを形成し、他の揮発性金属化合物ガス搬送管１８ｂ
〜１８ｃ及び揮発性金属化合物混合ガス搬送管１９を通
り、混合器２０で揮発性有機亜鉛化合物ガスを所要量含
有する不活性ガスと十分混合され、揮発性金属化合物混
合ガス搬送管２１を経由して、導入口１ｂから反応容器
内部に入り、ノズル２２から加熱された基体に向かって
吹き出す。揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送管、他の揮発
性金属化合物ガス搬送管、揮発性金属化合物混合ガス搬
送管、混合器及びノズルには保温ヒーター２３ａ〜２３
ｃ、２４及び２５が設けられており、揮発性有機亜鉛化
合物及び他の揮発性金属化合物の気化器における加熱温
度の内の最高の温度より３０℃高い温度に加熱して、揮
発性有機亜鉛化合物及び他の揮発性金属化合物のガスの
凝集を防止する。揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性
有機亜鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合
ガスは、気相又は基体上で含フッ素ガスプラズマと反応
し、加熱された基体上にフッ化亜鉛を主成分とするフッ
化物薄膜が堆積する。なお、安定した気化を図るため、
気化器内部の圧力、揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送管内
部の圧力、他の揮発性金属化合物ガス搬送管内部の圧
力、揮発性金属化合物混合ガス搬送管内部の圧力及び混
合器内部の圧力を、バルブ２６ａ〜２６ｃ及び２７で調
整する。
【０００９】含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条
件下でマイクロ波により活性化することにより、強酸化
性のフッ素ラジカル比率が約１０モル％と非常に高い、
含フッ素ガスプラズマが発生する。含フッ素ガスプラズ
マは、プラズマ発生領域外にある反応容器に吹き出し、
揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガ
スと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスと反応して、
反応容器内に設置されている加熱された基体上にフッ化
亜鉛を主成分とするフッ化物が堆積し、フッ化亜鉛を主
成分とするフッ化物薄膜が形成される。含フッ素ガスプ
ラズマと揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛
化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスとを
プラズマ発生領域外で反応させることにより、プラズマ
発生領域に存在する高エネルギー電子の衝撃による揮発
性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと
他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスの分解を抑えるこ
とができる。また、含フッ素ガスプラズマに含まれる強
酸化性のフッ素ラジカルのために、含フッ素ガスと揮発
性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと
他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスとの反応が十分に
進む。この結果、基体上に、炭素、酸素、有機物、無機
物等の不純物混入が極めて少ない、高純度で透明なフッ
化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することがで
きる。プラズマ発生領域において生成したイオンは、低
磁場側に向かう力を受けて加速され、２０〜３０ｅＶ程
度の運動エネルギーを得て反応容器内の基体と衝突す
る。その衝撃力により、基体面に形成されるフッ化亜鉛
を主成分とするフッ化物薄膜は、緻密で密度の高い構造
となる。反応容器内の圧力は、１０-2Torr以下とするこ
とが好ましい。１０-2Torr以下の減圧下で反応させるこ
とにより、成膜面近傍に存在する揮発性有機亜鉛化合物
ガス、他の揮発性金属化合物ガス、副生する有機物や無
機物のガス、含フッ素ガスプラズマ、キャリヤガス等の
密度を減らすことができる。その結果、揮発性有機亜鉛
化合物ガス、他の揮発性金属化合物ガスや、副生する有
機物や無機物のガス等の成膜面からの離脱確率が向上
し、炭素、酸素、有機物、無機物等の不純物混入が極め
て少なく、高純度で透明なフッ化亜鉛を主成分とするフ
ッ化物薄膜を形成することができる。
件下でマイクロ波により活性化することにより、強酸化
性のフッ素ラジカル比率が約１０モル％と非常に高い、
含フッ素ガスプラズマが発生する。含フッ素ガスプラズ
マは、プラズマ発生領域外にある反応容器に吹き出し、
揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガ
スと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスと反応して、
反応容器内に設置されている加熱された基体上にフッ化
亜鉛を主成分とするフッ化物が堆積し、フッ化亜鉛を主
成分とするフッ化物薄膜が形成される。含フッ素ガスプ
ラズマと揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛
化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスとを
プラズマ発生領域外で反応させることにより、プラズマ
発生領域に存在する高エネルギー電子の衝撃による揮発
性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと
他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスの分解を抑えるこ
とができる。また、含フッ素ガスプラズマに含まれる強
酸化性のフッ素ラジカルのために、含フッ素ガスと揮発
性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと
他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスとの反応が十分に
進む。この結果、基体上に、炭素、酸素、有機物、無機
物等の不純物混入が極めて少ない、高純度で透明なフッ
化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することがで
きる。プラズマ発生領域において生成したイオンは、低
磁場側に向かう力を受けて加速され、２０〜３０ｅＶ程
度の運動エネルギーを得て反応容器内の基体と衝突す
る。その衝撃力により、基体面に形成されるフッ化亜鉛
を主成分とするフッ化物薄膜は、緻密で密度の高い構造
となる。反応容器内の圧力は、１０-2Torr以下とするこ
とが好ましい。１０-2Torr以下の減圧下で反応させるこ
とにより、成膜面近傍に存在する揮発性有機亜鉛化合物
ガス、他の揮発性金属化合物ガス、副生する有機物や無
機物のガス、含フッ素ガスプラズマ、キャリヤガス等の
密度を減らすことができる。その結果、揮発性有機亜鉛
化合物ガス、他の揮発性金属化合物ガスや、副生する有
機物や無機物のガス等の成膜面からの離脱確率が向上
し、炭素、酸素、有機物、無機物等の不純物混入が極め
て少なく、高純度で透明なフッ化亜鉛を主成分とするフ
ッ化物薄膜を形成することができる。
【００１０】本発明のフッ化亜鉛を主成分とするフッ化
物薄膜の形成においては、基体の温度を金属イオンに配
位した有機分子の沸点以上とすることが好ましい。含フ
ッ素ガスと揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜
鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスと
の反応は減圧下に行われるが、基体の温度を金属イオン
に配位した有機分子の沸点以上とすることにより、有機
分子のフッ化物薄膜への取り込みが減少し、高純度のフ
ッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することが
できる。本発明において、フッ化物薄膜をフッ化物アモ
ルファス薄膜とする場合には、基体の温度をそのフッ化
物の結晶化温度未満とすることが好ましい。本発明にお
いて、フッ化物薄膜をフッ化物結晶薄膜とする場合に
は、基体の温度をフッ化物の結晶化温度以上に保ち、基
体の特定の結晶面上にフッ化物薄膜を形成することが好
ましい。本発明のフッ化物薄膜においては、揮発性有機
亜鉛化合物及び他の揮発性金属化合物を用い、それぞれ
のガス流量を調節することにより、フッ化物薄膜の厚さ
方向に組成分布を形成することができる。例えば、揮発
性有機亜鉛化合物及び他の２種の揮発性金属化合物を用
い、成膜の初期段階及び最終段階では揮発性有機亜鉛化
合物ガスと他の１種の揮発性金属化合物ガスを供給し、
成膜の中間段階で揮発性有機亜鉛化合物ガスと他の２種
の揮発性金属化合物ガスを供給することにより、基体面
近傍及び表面近傍においてはフッ化亜鉛及び他の１種の
フッ化物を含有し、中間部においてフッ化亜鉛及び他の
２種のフッ化物を含有するフッ化物薄膜を形成すること
ができる。あるいは、他の揮発性金属化合物のガス流量
を連続的に変化させることにより、他のフッ化物の濃度
がフッ化物薄膜の厚さ方向に連続的に変化するフッ化亜
鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することができ
る。例えば、フッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜内
の中間部にフッ化鉛を含有させることにより、中間部の
屈折率を増大させることができ、グレーデッド型、ステ
ップ型等の導波路を形成することができる。本発明のフ
ッ化物薄膜を形成せしめる基体の材質は、成膜温度に耐
える材料であれば特に制限はなく、例えば、フッ化カル
シウムＣａＦ2、フッ化物ガラス、酸化物ガラス、シリ
コン、酸化マグネシウムＭｇＯ等を挙げることができ
る。また、これらの基体上に、気相法、液相法等で、硼
化物、炭化物、窒化物、酸化物、フッ化物、珪化物、硫
化物、金属等の透明性、絶縁性、導電性等の薄膜を形成
せしめたものを、本発明のフッ化物薄膜の基体として用
いることができる。さらに、本発明のフッ化物薄膜の上
に、気相法、液相法等で、硼化物、炭化物、窒化物、酸
化物、フッ化物、珪化物、硫化物、金属等の透明性、絶
縁性、導電性等の薄膜を形成せしめることもできる。本
発明に使用する含フッ素ガスは、フッ素原子を有する気
化性の化合物であれば特に制限はなく、例えば、三フッ
化窒素ＮＦ3、六フッ化硫黄ＳＦ6、四フッ化炭素ＣＦ4
等を挙げることができる。これらの中で、三フッ化窒素
ＮＦ3は不純物の混入を少なくすることができるので、
特に好適に使用することができる。本発明に使用する揮
発性有機亜鉛化合物に特に制限はなく、例えば、ジエチ
ル亜鉛、ジメチル亜鉛等の揮発性アルキル亜鉛化合物、
そのアダクト化合物、ビス(ジピバリルメタナト)亜鉛
［Ｚｎ(ＤＰＭ)2］等の揮発性亜鉛β−ジケトネート、
亜鉛Ｎ,Ｎ−ジメチルアミノエトキシド［Ｚｎ(ＯＣＨ2
ＣＨ2ＮＭｅ2)2］等の揮発性亜鉛アルコキシド等を挙げ
ることができる。
物薄膜の形成においては、基体の温度を金属イオンに配
位した有機分子の沸点以上とすることが好ましい。含フ
ッ素ガスと揮発性有機亜鉛化合物ガス又は揮発性有機亜
鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物ガスの混合ガスと
の反応は減圧下に行われるが、基体の温度を金属イオン
に配位した有機分子の沸点以上とすることにより、有機
分子のフッ化物薄膜への取り込みが減少し、高純度のフ
ッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することが
できる。本発明において、フッ化物薄膜をフッ化物アモ
ルファス薄膜とする場合には、基体の温度をそのフッ化
物の結晶化温度未満とすることが好ましい。本発明にお
いて、フッ化物薄膜をフッ化物結晶薄膜とする場合に
は、基体の温度をフッ化物の結晶化温度以上に保ち、基
体の特定の結晶面上にフッ化物薄膜を形成することが好
ましい。本発明のフッ化物薄膜においては、揮発性有機
亜鉛化合物及び他の揮発性金属化合物を用い、それぞれ
のガス流量を調節することにより、フッ化物薄膜の厚さ
方向に組成分布を形成することができる。例えば、揮発
性有機亜鉛化合物及び他の２種の揮発性金属化合物を用
い、成膜の初期段階及び最終段階では揮発性有機亜鉛化
合物ガスと他の１種の揮発性金属化合物ガスを供給し、
成膜の中間段階で揮発性有機亜鉛化合物ガスと他の２種
の揮発性金属化合物ガスを供給することにより、基体面
近傍及び表面近傍においてはフッ化亜鉛及び他の１種の
フッ化物を含有し、中間部においてフッ化亜鉛及び他の
２種のフッ化物を含有するフッ化物薄膜を形成すること
ができる。あるいは、他の揮発性金属化合物のガス流量
を連続的に変化させることにより、他のフッ化物の濃度
がフッ化物薄膜の厚さ方向に連続的に変化するフッ化亜
鉛を主成分とするフッ化物薄膜を形成することができ
る。例えば、フッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜内
の中間部にフッ化鉛を含有させることにより、中間部の
屈折率を増大させることができ、グレーデッド型、ステ
ップ型等の導波路を形成することができる。本発明のフ
ッ化物薄膜を形成せしめる基体の材質は、成膜温度に耐
える材料であれば特に制限はなく、例えば、フッ化カル
シウムＣａＦ2、フッ化物ガラス、酸化物ガラス、シリ
コン、酸化マグネシウムＭｇＯ等を挙げることができ
る。また、これらの基体上に、気相法、液相法等で、硼
化物、炭化物、窒化物、酸化物、フッ化物、珪化物、硫
化物、金属等の透明性、絶縁性、導電性等の薄膜を形成
せしめたものを、本発明のフッ化物薄膜の基体として用
いることができる。さらに、本発明のフッ化物薄膜の上
に、気相法、液相法等で、硼化物、炭化物、窒化物、酸
化物、フッ化物、珪化物、硫化物、金属等の透明性、絶
縁性、導電性等の薄膜を形成せしめることもできる。本
発明に使用する含フッ素ガスは、フッ素原子を有する気
化性の化合物であれば特に制限はなく、例えば、三フッ
化窒素ＮＦ3、六フッ化硫黄ＳＦ6、四フッ化炭素ＣＦ4
等を挙げることができる。これらの中で、三フッ化窒素
ＮＦ3は不純物の混入を少なくすることができるので、
特に好適に使用することができる。本発明に使用する揮
発性有機亜鉛化合物に特に制限はなく、例えば、ジエチ
ル亜鉛、ジメチル亜鉛等の揮発性アルキル亜鉛化合物、
そのアダクト化合物、ビス(ジピバリルメタナト)亜鉛
［Ｚｎ(ＤＰＭ)2］等の揮発性亜鉛β−ジケトネート、
亜鉛Ｎ,Ｎ−ジメチルアミノエトキシド［Ｚｎ(ＯＣＨ2
ＣＨ2ＮＭｅ2)2］等の揮発性亜鉛アルコキシド等を挙げ
ることができる。
【００１１】本発明においては、他の揮発性金属化合物
ガスの１種として、１個のバリウムイオンに配位可能な
ヘテロ原子を３〜１２個有する有機分子を少なくとも１
個配位させた揮発性バリウム化合物のガスを使用して、
フッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜中にフッ化バリ
ウムを含有させることが好ましい。揮発性バリウム化合
物は、通常１個のバリウムイオンに、β−ジケトン、ア
ルコキシド、アルキル基、アルケニル基、ベンジル基、
フッ素置換ベンジル基、シクロペンタジエニル基、置換
シクロペンタジエニル基等の有機分子又は有機基が２個
結合したものが知られているが、バリウムイオンはイオ
ン半径が大きいために、これらの有機分子又は有機基２
個によっては、バリウムイオンを完全に覆うことは困難
である。このような２個の有機分子又は有機基が結合し
た１個のバリウムイオンに、さらに１個のバリウムイオ
ンに配位可能なヘテロ原子を３〜１２個有する有機分子
を少なくとも１個配位させることにより、バリウムイオ
ンを有機分子又は有機基により完全に覆うことができ
る。１個のバリウムイオンに配位可能なヘテロ原子を３
個以上有する有機分子は、バリウムイオンとの結合力が
強く、熱による配位有機分子の脱離が少ないため重合が
減り、加熱時の熱安定性が改善され、フッ化バリウムを
含有するフッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を再現
性よく形成することができる。バリウムイオンに配位可
能なヘテロ原子としては、例えば、酸素、窒素、硫黄等
を挙げることができ、ヘテロ原子を有する有機分子とし
ては、例えば、ポリエーテル、クラウンエーテル、ポリ
アミン等を挙げることができる。このような有機分子が
配位した揮発性バリウム化合物としては、例えば、ビス
(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)バリウムトリグリ
ムアダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｒｉｇｌｙｍｅ)］、 ビ
ス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)バリウムテトラ
グリムアダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍ
ｅ)］、ビス(ジピバリルメタナト)バリウムトリエンア
ダクト［Ｂａ(ＤＰＭ)2(Ｔｒｉｅｎ)］、ビス(ジピバリ
ルメタナト)バリウムテトラエンアダクト［Ｂａ(ＤＰ
Ｍ)2(Ｔｅｔｒａｅｎ)］等を挙げることができる。
ガスの１種として、１個のバリウムイオンに配位可能な
ヘテロ原子を３〜１２個有する有機分子を少なくとも１
個配位させた揮発性バリウム化合物のガスを使用して、
フッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜中にフッ化バリ
ウムを含有させることが好ましい。揮発性バリウム化合
物は、通常１個のバリウムイオンに、β−ジケトン、ア
ルコキシド、アルキル基、アルケニル基、ベンジル基、
フッ素置換ベンジル基、シクロペンタジエニル基、置換
シクロペンタジエニル基等の有機分子又は有機基が２個
結合したものが知られているが、バリウムイオンはイオ
ン半径が大きいために、これらの有機分子又は有機基２
個によっては、バリウムイオンを完全に覆うことは困難
である。このような２個の有機分子又は有機基が結合し
た１個のバリウムイオンに、さらに１個のバリウムイオ
ンに配位可能なヘテロ原子を３〜１２個有する有機分子
を少なくとも１個配位させることにより、バリウムイオ
ンを有機分子又は有機基により完全に覆うことができ
る。１個のバリウムイオンに配位可能なヘテロ原子を３
個以上有する有機分子は、バリウムイオンとの結合力が
強く、熱による配位有機分子の脱離が少ないため重合が
減り、加熱時の熱安定性が改善され、フッ化バリウムを
含有するフッ化亜鉛を主成分とするフッ化物薄膜を再現
性よく形成することができる。バリウムイオンに配位可
能なヘテロ原子としては、例えば、酸素、窒素、硫黄等
を挙げることができ、ヘテロ原子を有する有機分子とし
ては、例えば、ポリエーテル、クラウンエーテル、ポリ
アミン等を挙げることができる。このような有機分子が
配位した揮発性バリウム化合物としては、例えば、ビス
(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)バリウムトリグリ
ムアダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｒｉｇｌｙｍｅ)］、 ビ
ス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)バリウムテトラ
グリムアダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍ
ｅ)］、ビス(ジピバリルメタナト)バリウムトリエンア
ダクト［Ｂａ(ＤＰＭ)2(Ｔｒｉｅｎ)］、ビス(ジピバリ
ルメタナト)バリウムテトラエンアダクト［Ｂａ(ＤＰ
Ｍ)2(Ｔｅｔｒａｅｎ)］等を挙げることができる。
【００１２】本発明に使用する揮発性希土類化合物とし
ては、例えば、トリス(イソプロピルシクロペンタジエ
ニル)ネオジム［(ｉ−Ｃ3Ｈ7Ｃ5Ｈ4)3Ｎｄ］等の揮発性
希土類シクロペンタジエニル化合物、トリス(１,１,１,
２,２,３,３−ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］、
トリス(ジピバリルメタナト)プラセオジム［Ｐｒ(ＤＰ
Ｍ)3］等の揮発性希土類β−ジケトネート等を挙げるこ
とができる。本発明に使用する揮発性遷移金属化合物と
しては、例えば、四塩化チタン等の揮発性遷移金属ハロ
ゲン化物、ビス(メチルシクロペンタジエニル)クロム等
の揮発性遷移金属シクロペンタジエニル化合物、ビス
(アセチルアセトナト)マンガン等の揮発性遷移金属β−
ジケトネート等を挙げることができる。本発明に使用す
る揮発性アルミニウム化合物としては、例えば、トリス
(ジピバリルメタナト)アルミニウム［Ａｌ(ＤＰＭ)3］
等の揮発性アルミニウムβ−ジケトネート、トリメチル
アルミニウム等の揮発性アルキルアルミニウム化合物、
トリエトキシアルミニウム等の揮発性アルミニウムアル
コキシド等を挙げることができる。さらに、その他の揮
発性金属化合物としては、例えば、ガリウム、インジウ
ム等の揮発性アルキル金属化合物、イットリウム、ラン
タン等の揮発性金属シクロペンタジエニル化合物、イッ
トリウム、ランタン、カルシウム、ナトリウム、セシウ
ム、ガリウム、インジウム等の揮発性金属β−ジケトネ
ート、ビス(ジピバリルメタナト)ストロンチウムトリエ
ンアダクト［Ｓｒ(ＤＰＭ)2(Ｔｒｉｅｎ)］等のアダク
ト化合物等を挙げることができる。
ては、例えば、トリス(イソプロピルシクロペンタジエ
ニル)ネオジム［(ｉ−Ｃ3Ｈ7Ｃ5Ｈ4)3Ｎｄ］等の揮発性
希土類シクロペンタジエニル化合物、トリス(１,１,１,
２,２,３,３−ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］、
トリス(ジピバリルメタナト)プラセオジム［Ｐｒ(ＤＰ
Ｍ)3］等の揮発性希土類β−ジケトネート等を挙げるこ
とができる。本発明に使用する揮発性遷移金属化合物と
しては、例えば、四塩化チタン等の揮発性遷移金属ハロ
ゲン化物、ビス(メチルシクロペンタジエニル)クロム等
の揮発性遷移金属シクロペンタジエニル化合物、ビス
(アセチルアセトナト)マンガン等の揮発性遷移金属β−
ジケトネート等を挙げることができる。本発明に使用す
る揮発性アルミニウム化合物としては、例えば、トリス
(ジピバリルメタナト)アルミニウム［Ａｌ(ＤＰＭ)3］
等の揮発性アルミニウムβ−ジケトネート、トリメチル
アルミニウム等の揮発性アルキルアルミニウム化合物、
トリエトキシアルミニウム等の揮発性アルミニウムアル
コキシド等を挙げることができる。さらに、その他の揮
発性金属化合物としては、例えば、ガリウム、インジウ
ム等の揮発性アルキル金属化合物、イットリウム、ラン
タン等の揮発性金属シクロペンタジエニル化合物、イッ
トリウム、ランタン、カルシウム、ナトリウム、セシウ
ム、ガリウム、インジウム等の揮発性金属β−ジケトネ
ート、ビス(ジピバリルメタナト)ストロンチウムトリエ
ンアダクト［Ｓｒ(ＤＰＭ)2(Ｔｒｉｅｎ)］等のアダク
ト化合物等を挙げることができる。
【００１３】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 含フッ素ガスとして三フッ化窒素ＮＦ3、揮発性有機亜
鉛化合物としてビス(ジピバリルメタナト)亜鉛［Ｚｎ
(ＤＰＭ)2］、他の揮発性金属化合物としてビス(ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト)バリウムテトラグリムア
ダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)］を用
いて、フッ化物薄膜を作製した。Ｚｎ(ＤＰＭ)2及びＢ
ａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)は、それぞれ１３
０℃及び１６５℃に加熱して気化させ、アルゴンをキャ
リヤガスとして供給した。揮発性有機亜鉛化合物ガス搬
送管、他の揮発性金属化合物ガス搬送管、揮発性金属化
合物混合ガス搬送管、混合器及びノズルは、すべて２２
０℃に加熱した。キャリヤガス流量は、Ｚｎ(ＤＰＭ)2
に対して４.０sccm（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃ
ｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）、Ｂａ(Ｈ
ＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)に対して１.０sccmとし
た。三フッ化窒素ＮＦ3はガス流量６０sccmで送り、マ
イクロ波出力１０Ｗの電子サイクロトロン共鳴条件下で
含フッ素ガスプラズマを発生させた。圧力２×１０-3To
rrで薄膜の形成を行い、３００℃に加熱した２０mm×２
０mmのＣａＦ2基板からなる基体上に、１時間で良好な
鏡面を示す１.５μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得
た。エレクトロンプローブＸ線マイクロアナライザを用
いて、このフッ化物薄膜の組成を分析したところ、Ｚｎ
Ｆ2が９２モル％、ＢａＦ2が８モル％であった。図２
は、得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定し
た薄膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターン
から、得られたフッ化物薄膜がアモルファスであること
が分かる。図３は、得られたフッ化物薄膜の赤外線吸収
スペクトルである。中赤外域に有機物不純物に起因する
ピークが認められないことから、フッ化物薄膜中の有機
物含有量は極めて少ないことが分かる。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 含フッ素ガスとして三フッ化窒素ＮＦ3、揮発性有機亜
鉛化合物としてビス(ジピバリルメタナト)亜鉛［Ｚｎ
(ＤＰＭ)2］、他の揮発性金属化合物としてビス(ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト)バリウムテトラグリムア
ダクト［Ｂａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)］を用
いて、フッ化物薄膜を作製した。Ｚｎ(ＤＰＭ)2及びＢ
ａ(ＨＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)は、それぞれ１３
０℃及び１６５℃に加熱して気化させ、アルゴンをキャ
リヤガスとして供給した。揮発性有機亜鉛化合物ガス搬
送管、他の揮発性金属化合物ガス搬送管、揮発性金属化
合物混合ガス搬送管、混合器及びノズルは、すべて２２
０℃に加熱した。キャリヤガス流量は、Ｚｎ(ＤＰＭ)2
に対して４.０sccm（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃ
ｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）、Ｂａ(Ｈ
ＦＡ)2(Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ)に対して１.０sccmとし
た。三フッ化窒素ＮＦ3はガス流量６０sccmで送り、マ
イクロ波出力１０Ｗの電子サイクロトロン共鳴条件下で
含フッ素ガスプラズマを発生させた。圧力２×１０-3To
rrで薄膜の形成を行い、３００℃に加熱した２０mm×２
０mmのＣａＦ2基板からなる基体上に、１時間で良好な
鏡面を示す１.５μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得
た。エレクトロンプローブＸ線マイクロアナライザを用
いて、このフッ化物薄膜の組成を分析したところ、Ｚｎ
Ｆ2が９２モル％、ＢａＦ2が８モル％であった。図２
は、得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定し
た薄膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターン
から、得られたフッ化物薄膜がアモルファスであること
が分かる。図３は、得られたフッ化物薄膜の赤外線吸収
スペクトルである。中赤外域に有機物不純物に起因する
ピークが認められないことから、フッ化物薄膜中の有機
物含有量は極めて少ないことが分かる。
【００１４】実施例２ 他の揮発性金属化合物として、さらにトリス(１,１,１,
２,２,３,３―ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］を
追加して用い、その加熱温度を１３０℃、キャリヤガス
流量を０.３sccmとした以外は、実施例１と同様にし
て、１.４μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得た。エ
レクトロンプローブＸ線マイクロアナライザを用いて、
このフッ化物薄膜の組成を分析したところ、ＺｎＦ2が
８９モル％、ＢａＦ2が８モル％、ＥｒＦ3が３モル％で
あった。ＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パタ
ーンから、得られたフッ化物薄膜がアモルファスである
ことが分かった。また、ルチルプリズムを用いたプリズ
ムカップリング法により、このフッ化物薄膜中に８００
ｎｍの赤外線レーザー光を導入してエルビウムイオンを
励起したところ、アップコンバージョン原理に基づく緑
色の蛍光がフッ化物薄膜中に見られた。
２,２,３,３―ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］を
追加して用い、その加熱温度を１３０℃、キャリヤガス
流量を０.３sccmとした以外は、実施例１と同様にし
て、１.４μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得た。エ
レクトロンプローブＸ線マイクロアナライザを用いて、
このフッ化物薄膜の組成を分析したところ、ＺｎＦ2が
８９モル％、ＢａＦ2が８モル％、ＥｒＦ3が３モル％で
あった。ＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パタ
ーンから、得られたフッ化物薄膜がアモルファスである
ことが分かった。また、ルチルプリズムを用いたプリズ
ムカップリング法により、このフッ化物薄膜中に８００
ｎｍの赤外線レーザー光を導入してエルビウムイオンを
励起したところ、アップコンバージョン原理に基づく緑
色の蛍光がフッ化物薄膜中に見られた。
【００１５】実施例３ 含フッ素ガスとして三フッ化窒素ＮＦ3、揮発性有機亜
鉛化合物としてビス(ジピバリルメタナト)亜鉛［Ｚｎ
(ＤＰＭ)2］を用いて、フッ化物薄膜を作製した。Ｚｎ
(ＤＰＭ)2を１３０℃に加熱して気化させ、アルゴンを
キャリヤガスとして供給した。揮発性有機亜鉛化合物ガ
ス搬送管、混合器及びノズルは、２２０℃に加熱した。
キャリヤガス流量は、Ｚｎ(ＤＰＭ)2に対して４.０sccm
とした。三フッ化窒素ＮＦ3はガス流量６０sccmで送
り、マイクロ波出力３０Ｗの電子サイクロトロン共鳴条
件下で含フッ素ガスプラズマを発生させた。圧力２×１
０-3Torrで薄膜の形成を行い、３００℃に加熱した２０
mm×２０mmの（１１１）ＣａＦ2基板からなる基体上
に、１時間で良好な鏡面を示す０.８μｍ厚の無色透明
なフッ化物薄膜を得た。図４(ａ)は、得られたフッ化物
薄膜のＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パター
ンである。このＸ線回折パターンのピーク角度から、フ
ッ化物薄膜は正方晶ＺｎＦ2結晶であることが分かる。
２θ＝２６.８°、３４.４°、３８.２°及び５２.４°
の大きいピークは、それぞれ正方晶ＺｎＦ2結晶の（１
１０）面、（１０１）面、（２００）面及び（２１１）
面に帰属される。図５は、得られたフッ化物薄膜の赤外
線吸収スペクトルである。中赤外域に有機物不純物に起
因するピークが認められないことから、フッ化物薄膜中
の有機物含有量は極めて少ないことが分かる。
鉛化合物としてビス(ジピバリルメタナト)亜鉛［Ｚｎ
(ＤＰＭ)2］を用いて、フッ化物薄膜を作製した。Ｚｎ
(ＤＰＭ)2を１３０℃に加熱して気化させ、アルゴンを
キャリヤガスとして供給した。揮発性有機亜鉛化合物ガ
ス搬送管、混合器及びノズルは、２２０℃に加熱した。
キャリヤガス流量は、Ｚｎ(ＤＰＭ)2に対して４.０sccm
とした。三フッ化窒素ＮＦ3はガス流量６０sccmで送
り、マイクロ波出力３０Ｗの電子サイクロトロン共鳴条
件下で含フッ素ガスプラズマを発生させた。圧力２×１
０-3Torrで薄膜の形成を行い、３００℃に加熱した２０
mm×２０mmの（１１１）ＣａＦ2基板からなる基体上
に、１時間で良好な鏡面を示す０.８μｍ厚の無色透明
なフッ化物薄膜を得た。図４(ａ)は、得られたフッ化物
薄膜のＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パター
ンである。このＸ線回折パターンのピーク角度から、フ
ッ化物薄膜は正方晶ＺｎＦ2結晶であることが分かる。
２θ＝２６.８°、３４.４°、３８.２°及び５２.４°
の大きいピークは、それぞれ正方晶ＺｎＦ2結晶の（１
１０）面、（１０１）面、（２００）面及び（２１１）
面に帰属される。図５は、得られたフッ化物薄膜の赤外
線吸収スペクトルである。中赤外域に有機物不純物に起
因するピークが認められないことから、フッ化物薄膜中
の有機物含有量は極めて少ないことが分かる。
【００１６】実施例４ マイクロ波出力を１０Ｗとした以外は、実施例３と同様
にして、良好な鏡面を示す０.５μｍ厚の無色透明なフ
ッ化物薄膜を得た。図４(ｂ)は、得られたフッ化物薄膜
のＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パターンで
ある。このＸ線回折パターンの２θ＝２６.８°ピーク
が相対的に強くなっており、このフッ化物薄膜は（１１
０）配向の強い正方晶ＺｎＦ2結晶であることが分か
る。 実施例５ Ｚｎ(ＤＰＭ)2のキャリヤガス流量を２.０sccmとした以
外は、実施例４と同様にして、良好な鏡面を示す０.２
μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得た。図４(ｃ)は、
得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定した薄
膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターンに
は、２θ＝２６.８°ピーク以外は殆ど認められず、こ
のフッ化物薄膜は、極めて（１１０）配向の強い正方晶
ＺｎＦ2結晶であることが分かる。
にして、良好な鏡面を示す０.５μｍ厚の無色透明なフ
ッ化物薄膜を得た。図４(ｂ)は、得られたフッ化物薄膜
のＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回折パターンで
ある。このＸ線回折パターンの２θ＝２６.８°ピーク
が相対的に強くなっており、このフッ化物薄膜は（１１
０）配向の強い正方晶ＺｎＦ2結晶であることが分か
る。 実施例５ Ｚｎ(ＤＰＭ)2のキャリヤガス流量を２.０sccmとした以
外は、実施例４と同様にして、良好な鏡面を示す０.２
μｍ厚の無色透明なフッ化物薄膜を得た。図４(ｃ)は、
得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定した薄
膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターンに
は、２θ＝２６.８°ピーク以外は殆ど認められず、こ
のフッ化物薄膜は、極めて（１１０）配向の強い正方晶
ＺｎＦ2結晶であることが分かる。
【００１７】実施例６ 基板温度を１００℃とした以外は、実施例３と同様にし
て、１０.０μｍ厚のフッ化物薄膜を得た。図４(ｄ)
は、得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定し
た薄膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターン
から、このフッ化物薄膜はアモルファスであることが分
かる。 実施例７ 他の揮発性金属化合物として、さらにトリス(１,１,１,
２,２,３,３―ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］を
追加して用い、その加熱温度を１３０℃、キャリヤガス
流量を０.３sccmとした以外は、実施例４と同様にし
て、良好な鏡面を示す０.６μｍ厚の無色透明なフッ化
物薄膜を得た。ＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回
折パターンから、得られたフッ化物薄膜が結晶であるこ
とが分かった。また、ルチルプリズムを用いたプリズム
カップリング法により、このフッ化物薄膜中に８００ｎ
ｍの赤外線レーザー光を導入してエルビウムイオンを励
起したところ、アップコンバージョン原理に基づく緑色
の蛍光がフッ化物薄膜中に見られた。
て、１０.０μｍ厚のフッ化物薄膜を得た。図４(ｄ)
は、得られたフッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測定し
た薄膜Ｘ線回折パターンである。このＸ線回折パターン
から、このフッ化物薄膜はアモルファスであることが分
かる。 実施例７ 他の揮発性金属化合物として、さらにトリス(１,１,１,
２,２,３,３―ヘプタフルオロ−７,７−ジメチルオクタ
ン−４,６−ジオナト)エルビウム［Ｅｒ(ＦＯＤ)3］を
追加して用い、その加熱温度を１３０℃、キャリヤガス
流量を０.３sccmとした以外は、実施例４と同様にし
て、良好な鏡面を示す０.６μｍ厚の無色透明なフッ化
物薄膜を得た。ＣｕＫα線を用いて測定した薄膜Ｘ線回
折パターンから、得られたフッ化物薄膜が結晶であるこ
とが分かった。また、ルチルプリズムを用いたプリズム
カップリング法により、このフッ化物薄膜中に８００ｎ
ｍの赤外線レーザー光を導入してエルビウムイオンを励
起したところ、アップコンバージョン原理に基づく緑色
の蛍光がフッ化物薄膜中に見られた。
【００１８】
【発明の効果】本発明のフッ化物薄膜は、フォノンエネ
ルギーが低く、効率の高い導波路型光増幅素子、導波路
型レーザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波
路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバ
ージョン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等と
して有用である。また、フッ化鉛の含有量が少なく、あ
るいは全く含有していないので、環境汚染上の問題が少
ない。
ルギーが低く、効率の高い導波路型光増幅素子、導波路
型レーザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波
路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバ
ージョン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等と
して有用である。また、フッ化鉛の含有量が少なく、あ
るいは全く含有していないので、環境汚染上の問題が少
ない。
【図１】図１は、本発明のフッ化物薄膜を形成するため
の装置の一態様の説明図である。
の装置の一態様の説明図である。
【図２】図２は、フッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測
定した薄膜Ｘ線回折パターンである。
定した薄膜Ｘ線回折パターンである。
【図３】図３は、フッ化物薄膜の赤外線吸収スペクトル
である。
である。
【図４】図４は、フッ化物薄膜のＣｕＫα線を用いて測
定した薄膜Ｘ線回折パターンである。
定した薄膜Ｘ線回折パターンである。
【図５】図５は、フッ化物薄膜の赤外線吸収スペクトル
である。
である。
１ 反応容器 １ａ 導入口 １ｂ 導入口 ２ ロータリーポンプ ３ 拡散ポンプ ４ 基体 ５ ヒーター ６ 片封じの石英管 ６ａ ノズル ７ コイル ８ 含フッ素ガスボンベ ９ ガス流量コントローラー １０ 導波管 １１ 空洞共振器 １２ 開口部 １３ａ 揮発性有機亜鉛化合物 １３ｂ〜１３ｃ 他の揮発性金属化合物 １４ａ〜１４ｃ ステンレス製の気化器 １５ａ〜１５ｃ ヒーター １６ 不活性ガスボンベ １７ａ〜１７ｃ ガス流量コントローラー １８ａ 揮発性有機亜鉛化合物ガス搬送管 １８ｂ〜１８ｃ 他の揮発性金属化合物ガス搬送管 １９ 揮発性金属化合物混合ガス搬送管 ２０ 混合器 ２１ 揮発性金属化合物混合ガス搬送管 ２２ ノズル ２３ａ〜２３ｃ 保温ヒーター ２４ 保温ヒーター ２５ 保温ヒーター ２６ａ〜２６ｃ バルブ ２７ バルブ ２８ 真空ゲージ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 3/06 Ｈ０１Ｓ 5/028 3/10 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｎ 5/028 Ｍ (72)発明者 若林 肇 兵庫県西宮市浜松原町２番21号 日本山村 硝子株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】フッ化亜鉛を主成分とし、フッ化鉛の含有
量が１０モル％以下であるフッ化物薄膜。 - 【請求項２】電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズ
マＣＶＤ法により形成される請求項１記載のフッ化物薄
膜。 - 【請求項３】フッ化バリウムを含有する請求項１又は請
求項２記載のフッ化物薄膜。 - 【請求項４】希土類フッ化物、遷移金属フッ化物及びフ
ッ化アルミニウムの内の少なくとも１種を含有する請求
項１、請求項２又は請求項３記載のフッ化物薄膜。 - 【請求項５】希土類がＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選択さ
れ、遷移金属がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕから選択される請求項４記載のフッ化物薄膜。 - 【請求項６】含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条
件下でマイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガ
スプラズマをフッ素源とし、揮発性有機亜鉛化合物ガス
又は揮発性有機亜鉛化合物ガスと他の揮発性金属化合物
ガスの混合ガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基
体上に堆積させることにより形成される請求項２、請求
項３、請求項４又は請求項５記載のフッ化物薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP982999A JP2000212746A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | フッ化物薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP982999A JP2000212746A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | フッ化物薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212746A true JP2000212746A (ja) | 2000-08-02 |
Family
ID=11731031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP982999A Pending JP2000212746A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | フッ化物薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000212746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011514433A (ja) * | 2007-11-06 | 2011-05-06 | リンデ アクチエンゲゼルシヤフト | 原子層堆積法のための溶液系ランタン前駆体 |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP982999A patent/JP2000212746A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011514433A (ja) * | 2007-11-06 | 2011-05-06 | リンデ アクチエンゲゼルシヤフト | 原子層堆積法のための溶液系ランタン前駆体 |
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