JP2000209038A5 - - Google Patents

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JP2000209038A5
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Claims (4)

  1. 入力端子と、
    出力端子と、
    バイアス電位が供給されるバイアス端子と、
    上記入力端子に接続された制御端子および上記入力端子に供給される信号に応じた信号を出力する第1端子とを有する第1の半導体増幅素子と、
    上記第1の半導体増幅素子の上記第1端子から出力された信号に応じた信号を受ける制御端子、および上記制御端子に供給される信号に従った信号を上記出力端子に出力する第1端子とを有する第2の半導体増幅素子と、
    上記バイアス端子に接続された、上記第1の半導体増幅素子の制御端子にバイアス電位を印加する第1の抵抗分圧回路と、
    上記バイアス端子に接続された、上記第2の半導体増幅素子の制御端子にバイアス電位を供給するための第2の抵抗分圧回路とを具備して成り、
    上記第1の抵抗分圧回路に含まれた、電圧を分圧するための第1の抵抗が、上記第1の半導体増幅素子が形成された半導体チップ上に形成され、電圧を分圧するための第2の抵抗が上記半導体チップから分離され、
    上記第2の抵抗が、上記バイアス端子と上記第1の半導体増幅素子の上記制御端子の間に設けられ、上記第1の抵抗が、上記第1の半導体増幅素子の上記制御端子と所定の電位ポイントの間に設けられ、
    上記第2の抵抗分圧回路に含まれた、電圧を分圧するための第3の抵抗が、上記第2の半導体増幅素子が形成された半導体チップ上に形成され、電圧を分圧するための第4の抵抗が上記半導体チップから分離されたことを特徴とする高周波電力増幅装置。
  2. 記第1の半導体増幅素子はA級増幅で動作することを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅装置。
  3. 入力端子と、
    出力端子と、
    バイアス電位が供給されるバイアス端子と、
    上記入力端子に接続された制御端子および上記入力端子に供給される信号に応じた信号を出力する第1端子とを有する第1の半導体増幅素子と、
    上記第1の半導体増幅素子の上記第1端子から出力された信号に応じた信号を受ける制御端子、および上記制御端子に供給される信号に従った信号を上記出力端子に出力する第1端子とを有する第2の半導体増幅素子と、
    上記バイアス端子に接続された、上記第1の半導体増幅素子の制御端子にバイアス電位を印加する第1の抵抗分圧回路と、
    上記バイアス端子に接続された、上記第2の半導体増幅素子の制御端子にバイアス電位を供給するための第2の抵抗分圧回路とを含む高周波電力増幅装置を具備して成り、
    上記第1の抵抗分圧回路に含まれた、電圧を分圧するための第1の抵抗が、上記第1の半導体増幅素子が形成された半導体チップ上に形成され、電圧を分圧するための第2の抵抗が上記半導体チップから分離され、
    上記第2の抵抗が、上記バイアス端子と上記第1の半導体増幅素子の上記制御端子の間に設けられ、上記第1の抵抗が、上記第1の半導体増幅素子の上記制御端子と所定の電位ポイントの間に設けられ、
    上記第2の抵抗分圧回路に含まれた、電圧を分圧するための第3の抵抗が、上記第2の半導体増幅素子が形成された半導体チップ上に形成され、電圧を分圧するための第4の抵抗が上記半導体チップから分離されたことを特徴とする無線通信機。
  4. 上記第1の半導体増幅素子はA級増幅で動作することを特徴とする請求項3に記載の 線通信機。
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