JP2000206473A - 光送信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力電力の一定制御と高精度な波長制御を同
時に実現し、小型化を図る光送信器を提供する。 【解決手段】 バイアス電流の一定制御が行われた送信
光源２０から出力された光信号は、第１の光変調器２１
によってデータ信号変調が行われる。このデータ信号変
調が行われた光信号は第２の光変調器２２に入力され
る。一方、制御信号発生器２５によって、送信光源２０
から出力される光出力信号の光出力電力が監視されてい
る。第２の光変調器２２は、この制御信号発生器２５に
よって生成された制御信号２６によって出力電圧が一定
になるように制御されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光送信器に係わり、
詳細には波長分割多重伝送システムに適用される光送信
器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば光加入者系システムでは、
各加入者宅まで光ファイバを敷設して、異なる波長の光
信号をそれぞれ異なる複数チャンネルの伝送信号として
同時に伝送する波長分割多重（Wavelength Division Mu
ltiplex：以下、ＷＤＭと略す。）方式により、高速お
よび広帯域の通信を可能とする。このような光通信シス
テムでは、通信技術や光デバイス技術の進歩により、伝
送距離および通信容量の拡大が要求されている。そこ
で、このようなＷＤＭ伝送方式を用いた光通信システム
では、光送信器に光アンプを設け、この光アンプによっ
て各波長成分ごとに光送信信号の出力電力を一定に制御
するようにしている。これにより、各波長成分の光信号
の信号対雑音比（Signal-to-Noise Ratio：ＳＮＲ）の
最適化を図っている。一方、高速長距離伝送を行うため
に、このような光アンプによる強い光を減衰の少ない光
ファイバに伝送させると、波長分散や非線形光学効果に
より信号波形のひずみが発生し、これを無視できなくな
っている。このような種々の問題の解決を図る光通信シ
ステムにおける光送信器について、いくつか提案されて
いる。

【０００３】図９は従来提案された光送信器の構成要部
の概要を表わしたものである。このように光送信器は、
送信光源１０を備えており、この送信光源１０からの光
信号は強度変調器１１と位相変調器１２を通過して出力
される。またこの光送信器は、送信信号発生器１３と、
スペクトル拡散用信号発生器１４とを備えている。送信
信号発生器１３によって生成された送信信号は、強度変
調器１１に入力されている。スペクトル拡散用信号発生
器１４によって生成された信号は、位相変調器１２に入
力されている。したがって、送信光源１０からの光信号
は、送信信号発生器１３によって生成された送信信号に
したがって強度変調される。すなわち外部変調される。
このように外部変調された変調送信信号は、さらに位相
変調器１２でスペクトル拡散用信号発生器１４によって
生成された信号にしたがって、位相変調される。

【０００４】このように図９に示した光送信器では、波
長分散による波形劣化を低減させるため、光通信システ
ムにおける光送信器で外部変調方式により光信号の強度
変調を行うことで、チャーピングと呼ばれる光信号のス
ペクトルの広がりを抑えている。さらに、強度変調され
た光送信信号の位相を変調することにより、光スペクト
ルが拡大し、非線形光学効果の１つである誘導ブリュア
ン散乱をも抑えるようにしている。

【０００５】このような光送信器に関する技術は、例え
ば特開平５−２８９１２５号公報「光送信装置、光伝送
装置および光変調器」に開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年の光通信システム
では、伝送距離の長距離化と伝送容量の拡大が要求され
ている。したがって光通信システムにおける光送信器と
しては、送信信号の出力電力の最適化を図るべく、従来
のＷＤＭ方式の光アンプを用いた光送信器のように各光
送信信号の出力電力を一定に制御するようにしている。
ところが、伝送容量の拡大にともない、隣接する波長成
分との間隔が狭くなり、各信号の波長変動許容範囲が小
さくなっているため、高精度の波長制御が必要である。
また光アンプは、その増幅部における消費電力が非常に
大きく、小型化に不向きであるという欠点があり、光送
信器の大型化を招く。

【０００７】また、従来の光送信器では送信光源のバイ
アス電流を制御することによって、送信信号の出力電力
を一定にしようとすると、バイアス電流の変動がそのま
ま出力波長変動が生じてしまうため、一定のバイアス電
流により送信光源から出力された光出力信号の強度を制
御するようにしている。しかしながら、送信光源の経時
劣化などによって光出力電力の変動が生じた場合、光送
信器の光出力電力も変化してしまうという問題がある。

【０００８】このように従来の光送信器では、出力電力
の一定制御と高精度な波長制御を同時に実現することが
できなかった。特開平９−２８９１２５号公報にはこれ
らの制御を同時に実現する技術については開示も示唆も
されていない。

【０００９】そこで本発明の目的は、出力電力の一定制
御と高精度な波長制御を同時に実現し、小型化を図る光
送信器を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）光信号を送信データで強度変調する第１の光
変調手段と、（ロ）光信号の強度を検出する光信号強度
検出手段と、（ハ）第１の光変調手段によって強度変調
された変調光信号の光損失量を変更する第２の光変調器
と、（ニ）光信号強度検出手段で検出された光強度に基
づいてこの第２の光変調器によって変調される出力信号
光の光電力が所定値になるように光損失量を変更する光
変調変更手段とを光送信器に具備させる。

【００１１】すなわち請求項１記載の発明では、第１の
光変調手段によって光信号を送信データで強度変調する
とともに、光信号強度検出手段でこの光信号の強度を検
出するようにした。そして、第２の光変調器では、第１
の光変調手段で強度変調された変調光信号の光損失量を
変更することによって変調するようにした。光変調変更
手段では、光信号強度検出手段で検出された光強度に基
づいて、第２の光変調器で変調される出力信号光の光電
力が所定値になるように光損失量を変更するようにし
た。これにより、従来のように光アンプのような駆動部
が不要となるため、消費電力が小さく、かつ小型化が可
能な光送信器を提供することができるようになる。

【００１２】請求項２記載の発明では、（イ）一定値の
電流を生成する電流生成手段と、（ロ）この電流生成手
段によって生成された一定電流をバイアス電流として光
信号を生成するレーザモジュールと、（ハ）このレーザ
モジュールによって生成された光信号を送信データで強
度変調する第１の光変調手段と、（ニ）レーザモジュー
ルによって生成された光信号の強度を検出する光信号強
度検出手段と、（ホ）印加される電圧の電圧値に応じて
第１の光変調手段によって強度変調された変調光信号の
光損失量を変更する第２の光変調器と、（ヘ）光信号強
度検出手段で検出された光強度に対応してこの第２の光
変調器によって変調された出力信号光の光電力が一定に
なるように印加電圧の電圧値を変更する光変調変更手段
とを光送信器に具備させる。

【００１３】すなわち請求項２記載の発明では、電流生
成手段で一定値の電流を生成するようにし、レーザモジ
ュールにこれをバイアス電流として光信号を生成するよ
うにした。そして、第１の光変調手段でこの光信号を送
信データで強度変調するようにするとともに、光信号強
度検出手段でこの光信号の強度を検出するようにした。
そして、第２の光変調器では、印加される電圧の電圧値
に応じて第１の光変調手段によって強度変調された変調
光信号の光損質量を変更するようにしている。これを光
変調変更手段では、光信号強度検出手段によって検出さ
れた光強度に対応して第２の光変調器によって変調され
る出力信号光の光電力が一定になるように、第２の光変
調器に印加する電圧値を変更するようにした。これによ
り、従来の光アンプのような駆動部が不要なため、消費
電力も小さく、かつ集積化に向いている。さらに、レー
ザモジュールからら発光される出力波長の安定化のため
にバイアス電流を一定に制御している場合でも、光送信
器から出力される光信号の光出力電力を一定に保つこと
が非常に簡素な構成で行うことができる。したがって、
波長の高精度な制御も可能となり、例えば狭帯波長分割
多重（Narrow Band-Wavelentgh Division Multiplex：
以下、ＮＢ−ＷＤＭと略す。）システム等の光波ネット
ワークシステムで安定な光伝送を行う光送信器を提供す
ることができるようになる。

【００１４】請求項３記載の発明では、請求項２記載の
光送信器で、レーザモジュールおよび第１の光変調手段
および第２の光変調器の表面温度を一定にする温度制御
手段を備えることを特徴としている。

【００１５】すなわち請求項３記載の発明では、レーザ
モジュールおよび第１の光変調手段および第２の光変調
器を温度制御手段でそれぞれの表面温度を一定にするよ
うにしたので、それぞれの動作温度を一定に保つことが
でき、安定した動作を保証することができるようにな
り、出力電力の一定制御の際にも高精度な制御を容易に
行うことができるようになる。

【００１６】請求項４記載の発明では、請求項２または
請求項３記載の光送信器で、第１の光変調手段と第２の
光変調器は同じ半導体型光変調器であることを特徴とし
ている。

【００１７】すなわち請求項４記載の発明では、第１の
光変調手段と第２の光変調器を同じ半導体型光変調器と
したので、さらに集積化が容易となり光送信器の小型化
を測ることができる。

【００１８】請求項５記載の発明では、請求項２〜請求
項４記載の光送信器で、レーザモジュールによって生成
された光信号は１．５５μｍ帯の光信号であることを特
徴としている。

【００１９】すなわち請求項５記載の発明では、レーザ
モジュールによって生成される光信号を１．５５μｍ帯
とすることにより、従来のＷＤＭシステムに容易に適用
することが可能となる。

【００２０】請求項６記載の発明では、請求項２〜請求
項５記載の光送信器で、レーザモジュールと第１および
第２の光変調器とは同一チップ内に集積化されているこ
とを特徴としている。

【００２１】すなわち請求項６記載の発明では、レーザ
モジュールを例えば半導体レーザで構成するなどするこ
とにより、同一チップ内に集積化することができるよう
になり、装置の小型化と低コスト化に貢献することがで
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】

【００２３】

【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。

【００２４】図１は本発明の一実施例における光送信器
の原理的な構成の概要を表わしたものである。本実施例
における光送信器は、送信光源２０によって出力された
光信号は、順に第１および第２の光変調器２１、２２を
経て外部に出力される。送信光源２０は、レーザダイオ
ードを備えており、一定制御されたバイアス電流が供給
されている。第１および第２の光変調器２１、２２は、
半導体型光変調器であり、直列に並べて配置することが
できるようになっている。またこの光送信器は、データ
信号発生器２３を有している。このデータ信号発生器２
３によって生成されたデータ信号２４は、第１の光変調
器２１に入力されている。さらに光送信器は、制御信号
発生器２５を有している。この制御信号発生器２５は、
送信光源２０の光出力電力の監視結果が入力されるよう
になっており、この監視結果に応じた制御信号２６を第
２の光変調器２２に対して出力することができるように
なっている。第１および第２の光変調器２１、２２は、
それぞれ印加されるデータ信号２４および制御信号２６
の電圧値に応じて、変調器内での光損失量を変更できる
ようになっているため、データ信号２４および制御信号
２６によって光変調器の出力信号の変調を行うことがで
きる。

【００２５】このようにバイアス電流の一定制御が行わ
れた送信光源２０から出力された光信号は、第１の光変
調器２１によってデータ信号変調が行われる。このデー
タ信号変調が行われた光信号は第２の光変調器２２に入
力される。一方、制御信号発生器２５によって、送信光
源２０から出力される光出力信号の光出力電力が監視さ
れている。第２の光変調器２２は、この制御信号発生器
２５によって生成された制御信号２６によって出力電圧
が一定になるように制御されている。

【００２６】以下では、このような本実施例における光
送信器の構成要部についてさらに具体的に説明する。

【００２７】図２は本実施例における光送信器の構成要
部の概要を表わしたものである。この光送信器３０は、
レーザモジュール３１を備えており、バイアス電流制御
部３２によって生成される一定のレーザモジュールバイ
アス電流３３によって内部のレーザーダイオードから光
信号３４を出力する。レーザモジュール３１によって出
力された光信号３４は、第１の光変調器３５に入力され
る。第１の光変調器３５には、データ信号変調駆動部３
６によって生成されたデータ信号変調駆動信号３７が入
力されている。この第１の光変調器３５は、半導体型光
変調器であり、入力されるデータ信号変調駆動信号３７
の電圧値により、内部における光損失量を変更すること
ができるようになっている。このような第１の光変調器
３５としては、近年、光通信システムで注目されている
電界吸収型光外部変調器（Electro Absorption 変調
器：以下、ＥＡ変調器と略す。）がある。このＥＡ変調
器の採用により、光源となるレーザダイオードとしての
半導体レーザとの集積化が可能となり、さらにその量産
化による低コスト化を実現する。データ信号変調駆動部
３６は、外部の図示しないデータ信号発生部からデータ
信号３８が入力されており、第１の光変調器３５ではレ
ーザモジュール３１から出力された光信号３４がこのデ
ータ信号による強度変調が行われている。第１の光変調
器３５によって強度変調された第１の変調信号３９は、
第２の光変調器４０に入力される。第２の光変調器４０
には、光出力電力制御部４１によって生成された光出力
電力制御信号４２が入力されている。この第２の光変調
器４０も、半導体型光変調器であり、入力される光出力
電力制御信号４２の電圧値により、内部における光損失
量を変更することができるようになっている。このよう
な第２の光変調器４０としては、第１の光変調器３５と
同じＥＡ変調器がある。このＥＡ変調器の採用により、
光源となる半導体レーザとの集積化が可能となり、さら
にその量産化による低コスト化を実現する。

【００２８】光出力電力制御部４１は、レーザモジュー
ル３１からレーザダイオード出力電力モニタ信号４３が
入力される。光出力電力制御部４１は、このレーザダイ
オード出力電力モニタ信号４３の変動に追随して第２の
光変調器４０から出力される光出力信号４４の光出力電
力が一定になるように光出力電力制御信号４２を生成す
る。レーザモジュール３１から出力されるレーザダイオ
ード出力電力モニタ信号４３は、レーザモジュール内で
レーザダイオードより出力されたモニタ光の強度に応じ
て発生されたモニタ電流である。

【００２９】さらに本実施例における光送信器３０は、
温度制御部４５を備えている。温度制御部４５は、レー
ザモジュール３１、第１の光変調器３５および第２の光
変調器４０の表面温度が一定になるように制御できるよ
うになっている。これにより、レーザモジュール３１内
のレーザダイオード、半導体型の第１および第２の光変
調器３５、４０の動作温度を一定にすることができる。
このような温度制御部４５には、レーザモジュール３１
から内部に温度検出素子によって検出された第１の温度
モニタ信号４６が入力され、この第１の温度モニタ信号
４６の大きさに応じた第１のペルチェ駆動電流４７を出
力する。また温度制御部４５は、第１の光変調器３５か
らは第２のモニタ信号４８が入力され、この第２のモニ
タ信号４８に応じた第２のペルチェ駆動電流４９を出力
する。さらに温度制御部４５は、第２の光変調器４０か
らは第３のモニタ信号５０が入力され、この第３のモニ
タ信号５０に応じた第３のペルチェ駆動電流５１を出力
する。

【００３０】以下では、図２に示した光送信器３０の構
成要部であるレーザモジュール３１、第１の光変調器３
５、第２の光変調器４０および温度制御部４５について
詳細に説明する。

【００３１】図３は図２に示したレーザモジュール３１
の構成要部の概要を表わしたものである。ただし、図２
に示す光送信器の構成図と同一部分には同一符号を付し
ている。本実施例におけるレーザモジュール３１は、
１．５５μｍ帯の光波長の光信号を発光するレーザダイ
オード（Laser Diode：以下、ＬＤと略す。）５２と、
ＬＤ５２からのモニタ光５３を受光しこの受光パワーに
応じたモニタ電流を発生させる光出力電力モニタ５４と
を備えている。ＬＤ５２は、バイアス電流制御部３２に
よって生成された一定のレーザモジュールバイアス電流
３３の電流値に応じた光出力電力の光信号３４を送出す
る。ＬＤ５２からは、光信号３４の一部がモニタ光とし
て光出力電力モニタ５４に入力されている。光出力電力
モニタ５４は光受光素子を備えており、これに入力され
たモニタ光の強度に応じたモニタ電流が、レーザダイオ
ード出力電力モニタ信号４３として光出力電力制御部４
１に対して出力される。

【００３２】さらにレーザモジュール３１には、温度検
出素子５５と、ペルチェ素子５６とを備えている。温度
検出素子５５は、ＬＤ５２の表面温度を検出することが
できるようになっており、その検出した表面温度に対応
した第１の温度モニタ信号４６を出力する。一方、ペル
チェ素子５６は入力される第１のペルチェ駆動電流４７
の大きさにより、ペルチェ効果で自在に熱の発生あるい
は吸収を行うことでＬＤ５２の表面温度を変更できるよ
うになっている。

【００３３】このようなレーザモジュール３１は、表面
温度が一定に保たれたＬＤ５２からレーザモジュールバ
イアス電流３３の電流値に応じた光出力電力の光信号３
４を送出する。一方、光信号３４の光出力電力はそのモ
ニタ光を受光する光出力電力モニタ５４に入力され、こ
こで生成されたモニタ電流がレーザダイオード出力電力
モニタ信号４３として出力される。

【００３４】図４は図２に示した第１の光変調器３５の
構成要部の概要を表わしたものである。ただし、図２に
示す光送信器の構成図と同一部分には同一符号を付して
いる。本実施例における第１の光変調器３５は、第１の
光変調素子５７を備えている。この第１の光変調素子５
７としては、上述したＥＡ変調器がある。このＥＡ変調
器は、集積化が容易であるため、レーザモジュール３１
のＬＤ５２として半導体レーザを用いることによって、
光送信器の小型化に貢献することができる。このような
第１の光変調素子５７では、光信号３４が入力され、デ
ータ信号変調駆動信号３７によりデータ信号変調され、
第１の変調信号３９として出力する。また、第１の光変
調器３５は、温度検出素子５８と、ペルチェ素子５９と
を備えている。温度検出素子５８は、第１の光変調素子
５７の表面温度を検出することができるようになってお
り、その検出した表面温度に対応した第２の温度モニタ
信号４８を出力する。一方、ペルチェ素子５９は入力さ
れる第２のペルチェ駆動電流４９の大きさにより、ペル
チェ効果で自在に熱の発生あるいは吸収を行うことで第
１の光変調素子５７の表面温度を変更できるようになっ
ている。

【００３５】このように第１の光変調素子３５は、表面
温度が一定に保たれ、データ信号変調駆動信号３７によ
ってデータ信号変調された第１の変調信号３９が出力さ
れる。

【００３６】図５は図２に示した第２の光変調器４０の
構成要部の概要を表わしたものである。ただし、図２に
示す光送信器の構成図と同一部分には同一符号を付して
いる。本実施例における第２の光変調器４０は、第２の
光変調素子６０を備えている。この第２の光変調素子６
０としては、第１の光変調器３５と同様のＥＡ変調器が
ある。これにより、第１の変調信号３９は、光出力電力
制御信号４２が入力される第２の光変調素子４２でデー
タ信号変調され、光出力信号４４として出力される。ま
た、第２の光変調器４０は、温度検出素子６１と、ペル
チェ素子６２とを備えている。温度検出素子６１は、第
２の光変調素子６０の表面温度を検出することができる
ようになっており、その検出した表面温度に対応した第
３の温度モニタ信号５０を出力する。一方、ペルチェ素
子６２は入力される第３のペルチェ駆動電流５１の大き
さにより、ペルチェ効果で自在に熱の発生あるいは吸収
を行うことで第２の光変調素子６０の表面温度を変更で
きるようになっている。

【００３７】図６はこのような第２の光変調素子６０の
構成の概要を表わしたものである。この第２の光変調素
子６０には、第１の変調信号３９が入力されている。こ
の第１の変調信号３９の光信号電力は、Ｐ_inであるとす
る。そして、第２の光変調素子６０は、第１の変調信号
３９を光出力電力制御信号４２でデータ信号変調し、光
出力信号４４として出力する。この光出力信号４４の光
信号電力を、Ｐ_outであるとする。ここで、光出力電力
制御信号４２の電圧値をＣとすると、第２の光変調素子
６０はこの電圧値Ｃの大きさに応じて、第１の変調信号
３９の光信号電力であるＰ_inから光出力信号４４の光信
号電力であるＰ_outを減算した第２の光変調素子６０に
おける内部損失Ｐ_Lを変更させていることになる。

【００３８】図７は図６に示した第２の光変調素子６０
の動作特性の概要を表わしたものである。縦軸は、光出
力信号４４の光信号電力で、単位がミリワット（［ｍ
Ｗ］）である。横軸は、光出力電力制御信号４２の電圧
値Ｃであり、単位がボルト（［Ｖ］）である。このよう
に、第２の光変調素子６０は光出力電力制御信号４２が
“０”のとき、最大電力の光出力信号４４を出力するこ
とができる。そして、光出力電力制御信号４２を負電圧
として、その絶対値を大きくすればするほど、内部損失
ＰＬの大きさが大きくなる。これにより光出力信号４４
の光信号電力を減少させることができる。

【００３９】このように第２の光変調素子４０も、表面
温度が一定に保たれ、光出力電力制御信号４２によって
変調された光出力信号４４が出力される。

【００４０】図８は図２に示した温度制御部４５の構成
要部の概要を表わしたものである。ただし、図２に示す
光送信器の構成図と同一部分には同一符号を付してい
る。本実施例における温度制御部４５は、温度設定回路
６３と、ペルチェ駆動回路６４とを備えている。温度設
定回路６３は、レーザモジュール３１、第１の光変調器
３５および第２の光変調器４０それぞれの温度検出素子
５５、５８、６１によって各部で検出された表面温度に
対応した第１〜第３の温度モニタ信号４６、４８、５０
が入力されている。そして、温度設定回路６３は入力さ
れた各温度モニタ信号を参照して、各部の表面温度が一
定になるようにペルチェ駆動回路６４に対して制御信号
６５を出力する。これを受けたペルチェ駆動回路６４
は、対応するペルチェ素子を制御するために、第１〜第
３のペルチェ駆動信号４７、４９、５１を出力する。

【００４１】このような構成の光送信器では、レーザモ
ジュール３１は、バイアス電流制御部３２によって一定
制御されたレーザモジュールバイアス電流３３が供給さ
れ、所定の光信号電力の光信号３４を発光する。この光
信号３４は、半導体型光変調器である第１の光変調器３
７でデータ信号変調駆動部３６から供給されたデータ信
号変調駆動信号３７によりデータ信号変調され、第１の
変調信号３９として第２の光変調器４０に供給される。
第２の光変調器４０には、レーザモジュール３１で発光
した光信号４４の光出力電力をモニタした光出力電力制
御部４１から光出力電力制御信号４２が入力されてい
る。光出力電力制御部４１は、レーザモジュール３１の
モニタ光の変動を検出し、これが変動したときにこれを
補償して光出力電力４４の光出力電力が変動しないよう
に、第２の光変調器４０を制御する。したがって、第２
の光変調器４０には、まず光出力電力制御部４１から予
め設定された光出力電力になるように光出力電力制御信
号４２が供給されている。そして、レーザモジュール３
１内のＬＤ５２の経時変化などで光信号３４の光信号電
力が変動すると、第２の光変調器４０から出力される光
出力信号４４の光出力信号電力も変動する。そこで、こ
の光出力信号４４の光出力信号電力が変動前の値に戻る
ように、光出力電力制御部４１は光出力電力制御信号４
２の電圧値を変更して第２の光変調器４０に供給する。

【００４２】これまで説明したように本実施例における
光送信器では、光変調器を２つ直列に配置し、一方をデ
ータ信号変調、他方を光出力電力の一定制御を行ってい
る。従来の光アンプを用いた光送信器では、その駆動部
の消費電力が非常に大きく、かつ規模も大きい。これに
対して光変調器は、特に光アンプのような駆動部が不要
なため、消費電力も小さく、かつ集積化に向いている。
さらに、ＬＤから発光される出力波長の安定化のために
ＬＤのバイアス電流を一定に制御している場合でも、光
送信器から出力される光信号の光出力電力を一定に保つ
ことが非常に簡素な構成で可能とすることができる。し
たがって、波長の高精度な制御も可能となり、例えばＮ
Ｂ−ＷＤＭシステム等の光波ネットワークシステムで安
定な光伝送を行う光送信器を提供することができる。

【００４３】なお本実施例における光送信器では、第１
および第２の光変調器として半導体型光変調器を２つ直
列に配置するものとして説明したがこれに限定されるも
のではない。たとえば、直接変調されたＬＤと第２の光
変調器との組み合わせで合っても良い。また、第１の光
変調器の代わりにＤＣドリフトフリーや低電圧駆動が可
能なＬＮ（Lithium Niobate）変調器を用いることも可
能である。さらに、第１の光変調器の代わりに光アンプ
を用いていも良い。いずれにしろ、モニタ光の強度に応
じて、半導体型光変調器の第２の光変調器により出力電
力の一定制御ができれば良い。一方、第１および第２の
光変調器を同一構造とすることで、集積化によるメリッ
トが大きい。

【００４４】なお本実施例における光送信器では、１．
５５μｍ帯の光信号を用いるものとして説明したが、こ
れに限定されるものではない。１．５５μｍ帯の光信号
を用いることによって、従来のＷＤＭシステムに適用で
き、さらに１．５５μｍ帯のデバイスが数多く開発され
ていることから、第２の光変調器への適用による装置の
小型化と低コスト化に貢献することができる。

【００４５】なお本実施例では、第２の光変調素子につ
いてのみ説明したが、第１の光変調素子の動作特性につ
いても同様である。

【００４６】また半導体型光変調集積光源素子に組み込
むことで、光源と光変調器とを同一素子内に形成でき、
集積化による光送信器、通信システムの小型化を図るこ
とができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、従来のように光アンプのような駆動部が不要
となるため、消費電力が小さく、かつ小型化が可能な光
送信器を提供することができるようになる。

【００４８】また請求項２記載の発明によれば、従来の
光アンプのような駆動部が不要なため、消費電力も小さ
く、かつ集積化に向いている。さらに、レーザモジュー
ルからら発光される出力波長の安定化のためにバイアス
電流を一定に制御している場合でも、光送信器から出力
される光信号の光出力電力を一定に保つことが非常に簡
素な構成で行うことができる。したがって、波長の高精
度な制御も可能となり、例えばＮＢ−ＷＤＭシステム等
の光波ネットワークシステムで安定な光伝送を行う光送
信器を提供することができるようになる。

【００４９】さらに請求項３記載の発明によれば、レー
ザモジュールおよび第１の光変調手段および第２の光変
調器を温度制御手段でそれぞれの表面温度を一定にする
ようにしたので、それぞれの動作温度を一定に保つこと
ができ、安定した動作を保証することができるようにな
り、出力電力の一定制御の際にも高精度な制御を容易に
行うことができるようになる。

【００５０】さらにまた請求項４記載の発明によれば、
第１の光変調手段と第２の光変調器を同じ半導体型光変
調器としたので、さらに集積化が容易となり光送信器の
小型化を測ることができる。

【００５１】さらに請求項５記載の発明によれば、レー
ザモジュールによって生成される光信号を１．５５μｍ
帯とすることにより、従来のＷＤＭシステムに容易に適
用することが可能となる。

【００５２】さらに請求項６記載の発明によれば、レー
ザモジュールを例えば半導体レーザで構成するなどする
ことにより、同一チップ内に集積化することができるよ
うになり、装置の小型化と低コスト化に貢献することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光送信器の原理的構
成の概要を示す構成図である。

【図２】本実施例における光送信器の構成の概要を示す
ブロック図である。

【図３】本実施例におけるレーザモジュールの構成要部
の概要を示すブロック図である。

【図４】本実施例における第１の光変調器の構成要部の
概要を示すブロック図である。

【図５】本実施例における第２の光変調器の構成要部の
概要を示すブロック図である。

【図６】本実施例における第２の光変調素子の構成の概
要を示す説明図である。

【図７】本実施例における第２の光変調素子の動作特性
の概要を示す説明図である。

【図８】本実施例における温度制御部の構成要部の概要
を示すブロック図である。

【図９】従来提案された光送信器の構成の概要を示すブ
ロック図である。

【符号の説明】

２０ 送信光源 ２１、３５ 第１の光変調器 ２２、４０ 第２の光変調器 ２３ データ信号発生器 ２４、３８ データ信号 ２５ 制御信号発生器 ２６ 制御信号 ３０ 光送信器 ３１ レーザモジュール ３２ バイアス電流制御部 ３３ レーザモジュールバイアス電流 ３４ 光信号 ３６ データ信号変調駆動部 ３７ データ信号変調駆動信号 ３９ 第１の変調信号 ４１ 光出力電力制御部 ４２ 光出力電力制御信号 ４３ レーザダイオード出力電力モニタ信号 ４４ 光出力信号 ４５ 温度制御部 ４６ 第１の温度モニタ信号 ４７ 第１のペルチェ駆動電流 ４８ 第２の温度モニタ信号 ４９ 第２のペルチェ駆動電流 ５０ 第３の温度モニタ信号 ５１ 第３のペルチェ駆動電流

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光信号を送信データで強度変調する第１
   の光変調手段と、 前記光信号の強度を検出する光信号強度検出手段と、 前記第１の光変調手段によって強度変調された変調光信
   号の光損失量を変更する第２の光変調器と、 前記光信号強度検出手段で検出された光強度に基づいて
   この第２の光変調器によって変調される出力信号光の光
   電力が所定値になるように前記光損失量を変更する光変
   調変更手段とを具備することを特徴とする光送信器。
2. 【請求項２】 一定値の電流を生成する電流生成手段
   と、 この電流生成手段によって生成された一定電流をバイア
   ス電流として光信号を生成するレーザモジュールと、 このレーザモジュールによって生成された光信号を送信
   データで強度変調する第１の光変調手段と、 前記レーザモジュールによって生成された光信号の強度
   を検出する光信号強度検出手段と、 印加される電圧の電圧値に応じて前記第１の光変調手段
   によって強度変調された変調光信号の光損失量を変更す
   る第２の光変調器と、 前記光信号強度検出手段で検出された光強度に対応して
   この第２の光変調器によって変調された出力信号光の光
   電力が一定になるように前記印加電圧の電圧値を変更す
   る光変調変更手段とを具備することを特徴とする光送信
   器。
3. 【請求項３】 前記レーザモジュールおよび第１の光変
   調手段および第２の光変調器の表面温度を一定にする温
   度制御手段を備えることを特徴とする請求項２記載の光
   送信器。
4. 【請求項４】 前記第１の光変調手段と前記第２の光変
   調器は同じ半導体型光変調器であることを特徴とする請
   求項２または請求項３記載の光送信器。
5. 【請求項５】 前記レーザモジュールによって生成され
   た光信号は１．５５μｍ帯の光信号であることを特徴と
   する請求項２〜請求項４記載の光送信器。
6. 【請求項６】 前記レーザモジュールと前記第１および
   第２の光変調器とは同一チップ内に集積化されているこ
   とを特徴とする請求項２〜請求項５記載の光送信器。