JP2000182766A - 有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法 - Google Patents
有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法Info
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Abstract
1を紫外線照射により洗浄する工程と、透明絶縁性基板
の一部を保護マスクでマスクしてシランカップリング剤
で処理する工程と、保護マスクをはずし、加熱し乾燥さ
せた後、有機薄膜EL素子を作製する工程と、封止キャ
ップの一部を上記保護マスクと同一または同一形状の保
護マスクでマスクしてシランカップリング剤で処理する
工程と、保護マスクをはずし、加熱し乾燥させて、紫外
線硬化接着剤8を塗布する工程とを含み、封止キャップ
7と透明絶縁基板とを貼り合わせ、紫外線を照射し紫外
線硬化接着剤を硬化させることにより、透明絶縁基板と
封止キャップとを接着する。
Description
ロルミネッセンスデバイスの製造方法に関し、特に、接
着性を改善した有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバ
イスの製造方法に関する。
て、発光表示体が設けられた基板に背面容器を接着する
に際し、接着部をシランカップリング剤を用いて処理す
る製造方法が特開昭57−208539号公報に示され
ている。この方法は、表示基板上に形成された表示物質
の表面にレジスト層を形成し、シランカップリング剤処
理を施しレジストを除去することにより表示物質の表面
がシランカップリング剤と反応することなく表示基板に
シランカップリング剤処理を施すことができる方法であ
る。
ンス(EL)デバイスに応用した場合、有機薄膜ELデ
バイスを形成した後、レジスト層を形成し、シランカッ
プリング剤処理を施し熱処理により乾燥させ、アセトン
などの溶剤によりレジストを除去することが考えられ
る。
部分にシラン系カップリング剤を塗布する製造方法が特
開昭58−102925号公報に記載されている。この
公報では周知の従来技術として、フォトレジストをパタ
ーニングし、一対の基板の接着部分にシラン系カップリ
ング剤を塗布し焼成硬化させ、フォトレジスト膜を溶剤
により除去し、一方の基板の接着部分にカップリング剤
上にシール材を塗布し、両基板を重合してシール材を焼
成硬化させ両基板を接着することが記載されている。
膜の剥離除去の際に、カップリング剤の層が剥離溶剤に
さらされてダメージを受ける欠点が指摘されている。
おいて、有機薄膜ELデバイスを形成する前にフォトレ
ジストをパターニングし基板の接着部分にシランカップ
リング剤処理を施し、熱処理し乾燥させ、溶剤によりフ
ォトレジストを除去し、その後有機薄膜ELデバイスを
形成することは容易に考えられる。ただし、フォトレジ
ストの除去の際に、カップリング剤の層が溶剤にさらさ
れてダメージを受けることは回避できない。
装置(有機薄膜ELデバイス)における構成部材を、真
空中で加熱し残留水分を除去し、不活性ガス雰囲気で充
填された気密空間内で貼り合わせ作業を行うことが特開
平10−233283号公報に記載されている。しか
し、上記有機エレクトロルミネッセンス積層構造体に用
いられる有機材料のガラス転移温度が75〜100℃程
度であるため、真空中の加熱は、60℃,3時間程度と
している。
上述した特開昭58−102925号公報記載の従来例
では、フォトレジスト膜の剥離除去の際に、カップリン
グ剤の層が剥離溶剤にさらされてダメージを受けるとい
う問題があった。
フォトレジストのパターニング,シランカップリング剤
処理をした場合、レジストを除去するための溶剤により
有機材料が溶融するため、レジストの除去はできないと
いう問題があった。
載の従来例では、有機薄膜ELデバイスを形成した後、
シランカップリング剤の水溶液で処理する場合残留水分
を除去するため真空中で加熱する温度は100℃以下で
ある必要があり、これは100℃以上の温度に比べ長い
加熱時間を要するという問題があった。
て処理する方法を有機薄膜エレクトロルミネッセンス・
デバイスに応用すると、有機薄膜ELデバイスに使用し
ている有機材料のガラス転移温度が100℃程度であ
り、シランカップリング剤処理後の熱処理温度が100
℃以上であれば、発光特性の劣化を引き起こすという問
題があった。
のため、接着性を改善した有機薄膜エレクトロルミネッ
センスデバイスを提供することにある。
縮した有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスを提
供することにある。
に、本発明の有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイ
スは、透明電極配線が形成された透明絶縁基板を紫外線
照射により洗浄する工程と、透明絶縁性基板の一部を第
1の保護マスクでマスクしてシランカップリング剤で処
理する工程と、第1の保護マスクをはずし、加熱し乾燥
させた後、有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子を作
製する工程と、封止キャップの一部を第2の保護マスク
でマスクしてシランカップリング剤で処理する工程と、
第2の保護マスクをはずし、加熱し乾燥させて、紫外線
硬化接着剤を塗布する工程とを含み、封止キャップと透
明絶縁基板とを貼り合わせ、紫外線を照射し紫外線硬化
接着剤を硬化させることにより、透明絶縁基板と封止キ
ャップとを接着することを特徴とする。
マスクが、同一の保護マスクであるのが好ましい。
護マスクが、同一形状の異なる保護マスクであるのが好
ましい。
マスクとして、粘着シートを使用するのが好ましい。
ガラスまたは金属製の金属キャップであるのが好まし
い。
素子を作製する工程は、第1の保護マスクをはずし、加
熱し乾燥させ、透明絶縁基板の上に透明電極配線,シラ
ンカップリング剤を残す工程と、透明電極配線上に有機
化合物薄膜を形成する工程と、有機化合物薄膜の上に導
電性金属よりなる陰極を形成する工程とを含むのが好ま
しい。
温度は、120〜250℃であるのが好ましい。
が形成されたガラス基板上にEL素子作成予定部をマス
クを用いてカバーして接着部分のみをシランカップリン
グ剤で処理してから有機EL素子を積層形成すると共
に、上記マスクを用いてキャップにも接着部分にのみシ
ランカップリング剤で処理し、基板とキャップとを接着
・封止する技術である。
を、有機EL素子の積層形成前に行うことと、基板にシ
ランカップリング剤の処理を行うのに使用したマスクを
キャップのシランカップリング剤処理にも使用すること
を特徴とする。
する前にフォトレジストを用いず保護マスクにより基板
の接着部分にシランカップリング剤処理を施し、熱処理
し乾燥させ、その後有機薄膜ELデバイスを形成する。
また基板と封止キャップとの接着部分は重なるので、接
着部分が対称的形状であれば、同一または同一形状の保
護マスクを基板と封止キャップとのマスクとして使用で
きる。
実施の形態について詳細に説明する。
レクトロルミネッセンス)デバイスの製造方法の実施の
形態を示す図である。図1,図3〜図5,図7は、本発
明の製造方法の実施の形態を工程順に示す断面図であ
り、図2は図1の平面図、図6は図5の平面図である。
基板1の上に透明電極配線2を形成する。次に、紫外線
を照射して透明絶縁基板1を洗浄した後、一部を保護マ
スク3によりマスクしてシランカップリング剤4で処理
する。
はずし、加熱し乾燥させ、透明絶縁基板1の上には、透
明電極配線2,シランカップリング剤4が残る。
上に有機化合物薄膜5を形成する。この有機化合物薄膜
5は、単層または積層構造をし、EL発光現象を示す。
成膜方法は真空蒸着法を用い、シランカップリング剤4
で処理された透明絶縁基板1の表面および透明電極配線
2の表面には有機化合物薄膜5が形成されないようにマ
スクを用いる。次に、有機化合物薄膜5の上に導電性金
属よりなる陰極6を形成する。陰極6の材料は、マグネ
シウム−銀やマグネシウム−インジウムなど仕事関数の
小さい金属合金を用いる。真空蒸着法とマスクを用い、
シランカップリング剤4で処理した透明絶縁基板1の表
面および透明電極配線2の表面には陰極6を形成しな
い。
ップ7を基板のシランカップリング剤処理に使用した同
一の保護マスク3でマスクしてシランカップリング剤4
で処理する。
をはずし加熱し乾燥させ、封止キャップ7に紫外線硬化
接着剤8を塗布し、透明絶縁基板1と貼り合わせる。次
に、紫外線を照射し紫外線硬化接着剤8を硬化させるこ
とにより透明絶縁基板1と封止キャップ7とを接着し、
有機薄膜ELデバイスを製造する。
は、透明電極配線2を形成した透明絶縁基板1を紫外線
照射により洗浄した後、一部を保護マスク3によりマス
クしてシランカップリング剤4で処理し、保護マスク3
をはずし加熱し乾燥させ、有機薄膜EL素子を作製す
る。その後、封止キャップ7の一部を同一保護マスク3
でマスクしてシランカップリング剤4で処理し、保護マ
スク3をはずし加熱し乾燥させ、紫外線硬化接着剤8を
塗布し封止キャップ7と透明絶縁基板1を貼り合わせ、
紫外線を照射し紫外線硬化接着剤8を硬化させることに
より透明絶縁基板1と封止キャップ7とが接着されたこ
とを特徴とする有機薄膜ELデバイスの製造方法であ
る。
いて詳細に説明する。
膜ELデバイスの製造方法の第1の実施例を示す図であ
る。図8,図10〜図12,図14は、本発明の製造方
法の第1の実施例を工程順に示す断面図であり、図9は
図8の平面図、図13は図12の平面図である。本実施
例では、透明絶縁基板1としてガラス基板1aを用い、
封止キャップ7として封止ガラス7aを用いている。
0mmのガラス基板1aに、インジウム−錫酸化物(I
TO)を20nmスパッタし、リソグラフィー技術およ
びウェットエッチングにより透明電極配線2を形成す
る。その後、紫外線によりガラス基板1aを洗浄する。
例えば、酸素を流しながら100℃で10分間1000
Wの高圧水銀ランプで紫外線を照射する。
板1aの一部を保護マスク3によりマスクしてシランカ
ップリング剤4で処理する。例えば、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン1重量%水溶液を、保護マスク3
で覆われていない部分にスピンコーターを用いて塗布す
る。γ−アミノプロピルトリエトキシシランは、0.5
〜2.0重量%水溶液が望ましく、エタノール等の有機
溶剤で希釈してもよい。またN−β(アミノエチル)γ
アミノプロピルメチルジメトキシシラン等の他のシラン
カップリング剤も選択できる。
を取り外し、150℃で2時間加熱し乾燥させる。この
加熱は120〜250℃が望ましく、減圧すると時間を
短縮できる。次に、紫外線によりガラス基板1aを洗浄
する。この工程でシランカップリング剤4が除去されな
い程度の洗浄を行う。例えば酸素を流しながら100℃
で10分間1000Wの高圧水銀ランプで紫外線を照射
する。また保護マスク取り付けから加熱乾燥工程までガ
ラス基板1aの清浄度が保てればこの洗浄工程は不要で
ある。
り有機化合物薄膜5と陰極6とを堆積する。有機化合物
薄膜5は、正孔輸送層5aとして、ジアミン誘導体(T
PD)を50nm、発光層および電子輸送層5bとし
て、トリス(8−キノリノ―ル)アルミニウム(Alq
3)を50nm蒸着する。次に、マグネシウムとインジ
ウムとを共蒸着し、原子比10:1の合金からなる厚さ
200nmの陰極6を形成する。
素を流しながら100℃で10分間1000Wの高圧水
銀ランプで紫外線を照射し、封止ガラス7aを洗浄す
る。その後、封止ガラス7aをガラス基板1aのシラン
カップリング剤処理に使用した同一保護マスク3でマス
クしてシランカップリング剤4で処理する。その後、γ
−アミノプルピルトリエトキシシラン1重量%水溶液
を、保護マスク3で覆われていない部分にスピンコータ
ーを用いて塗布する。
をはずし、150℃で2時間加熱し乾燥させる。封止ガ
ラス7aに波長350nmの積算光量が6000mJ/
cm 2 程度で硬化するエポキシを主成分とする樹脂から
なる紫外線により硬化する紫外線硬化接着剤8をディス
ペンサーによって塗布する。次に、ジグを用いてガラス
基板1aと紫外線硬化接着剤6を塗布した封止ガラス7
aを位置合わせして貼り合わせる。その後、高圧水銀ラ
ンプにより紫外線を照射し、紫外線硬化接着剤6の硬化
反応が起き、ガラス基板1aと封止ガラス7aとが接着
される。図14は、ジグをはずした様子を示す。なお封
止ガラス7aは、図12と上下が反転していることに注
意すべきである。
ンカップリング剤で処理しているので、透明電極配線2
を形成した透明絶縁基板1と、紫外線硬化接着剤8およ
び封止キャップ7との接着性を改善できる。また保護マ
スク3を使用するため、透明絶縁基板1および封止キャ
ップ7のシランカップリング剤処理が不要な部分にシラ
ンカップリング剤4を塗布する必要がないので、シラン
カップリング剤4の使用量を減らすことができる。
止キャップ7のシランカップリング剤処理に使用するこ
とで、保護マスク3が1つで済み、スピンコーター等の
塗布装置も透明絶縁基板用と封止キャップ7用と共用で
きる。
に説明する。
デバイスの製造方法の第2の実施例の工程を順に示す断
面図である。本発明の第2の実施例では、保護マスク3
として粘着シート3a,3bを使用する。
aの一部を第1の粘着シート3aからなる保護マスクに
よりマスクして、シランカップリング剤4で処理する。
は金属キャップ7bからなり、第2の粘着シート3bか
らなる保護マスクによりマスクしてシランカップリング
剤4で処理する。紫外線硬化接着剤により基板ガラス1
aと金属キャップ7bとを接着する際、紫外線は、ガラ
ス基板1a側から照射する。上記以外は第1の実施例と
同様である。なお、第1の粘着シート3aと第2の粘着
シート3bとは同一形状である。これらは、一回毎に使
い捨てでもよいが、複数回使用しても構わない。また、
粘着シート3aは、ガラス基板1aおよび金属キャップ
7bの保護マスクとして共用できる。
も、紫外線硬化接着剤は、透明絶縁基板に塗布してもよ
い。また1枚の透明絶縁基板に複数の有機薄膜ELデバ
イスを製造する場合にも本発明は適用できる。
薄膜ELデバイスを形成する前にフォトレジストを用い
ず保護マスクにより基板の接着部分にシランカップリン
グ剤処理を施し、熱処理し乾燥させ、その後有機薄膜E
Lデバイスを形成する。従って、接着性を改善できると
いう効果を奏する。
なるので、接着部分が対称的形状であれば、同一または
同一形状の保護マスクを、基板および封止キャップのマ
スクとして使用できるという効果を奏する。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
Claims (7)
- 【請求項1】透明電極配線が形成された透明絶縁基板を
紫外線照射により洗浄する工程と、 前記透明絶縁性基板の一部を第1の保護マスクでマスク
してシランカップリング剤で処理する工程と、 前記第1の保護マスクをはずし、加熱し乾燥させた後、
有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子を作製する工程
と、 封止キャップの一部を第2の保護マスクでマスクしてシ
ランカップリング剤で処理する工程と、 前記第2の保護マスクをはずし、加熱し乾燥させて、紫
外線硬化接着剤を塗布する工程と、 を含み、前記封止キャップと前記透明絶縁基板とを貼り
合わせ、紫外線を照射し前記紫外線硬化接着剤を硬化さ
せることにより、前記透明絶縁基板と前記封止キャップ
とを接着することを特徴とする有機薄膜エレクトロルミ
ネッセンスデバイスの製造方法。 - 【請求項2】前記第1の保護マスクおよび前記第2の保
護マスクが、同一の保護マスクであることを特徴とす
る、請求項1に記載の有機薄膜エレクトロルミネッセン
スデバイスの製造方法。 - 【請求項3】前記第1の保護マスクおよび前記第2の保
護マスクが、同一形状の異なる保護マスクであることを
特徴とする、請求項1に記載の有機薄膜エレクトロルミ
ネッセンスデバイスの製造方法。 - 【請求項4】前記第1の保護マスクおよび前記第2の保
護マスクとして、粘着シートを使用することを特徴とす
る、請求項1〜3のいずれかに記載の有機薄膜エレクト
ロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 【請求項5】前記封止キャップは、ガラス製の封止ガラ
スまたは金属製の金属キャップであることを特徴とす
る、請求項1〜4のいずれかに記載の有機薄膜エレクト
ロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 【請求項6】前記有機薄膜エレクトロルミネッセンス素
子を作製する工程は、 前記第1の保護マスクをはずし、加熱し乾燥させ、前記
透明絶縁基板の上に前記透明電極配線,前記シランカッ
プリング剤を残す工程と、 前記透明電極配線上に有機化合物薄膜を形成する工程
と、 前記有機化合物薄膜の上に導電性金属よりなる陰極を形
成する工程と、 を含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記
載の有機薄膜エレクトロルミネセンスデバイスの製造方
法。 - 【請求項7】前記シランカップリング剤の乾燥加熱温度
は、120〜250℃であることを特徴とする、請求項
1〜6のいずれかに記載の有機薄膜エレクトロルミネッ
センスデバイスの製造方法。
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