JP2000182212A - Thin-film magnetic head and its manufacture - Google Patents

Thin-film magnetic head and its manufacture

Info

Publication number
JP2000182212A
JP2000182212A JP10353422A JP35342298A JP2000182212A JP 2000182212 A JP2000182212 A JP 2000182212A JP 10353422 A JP10353422 A JP 10353422A JP 35342298 A JP35342298 A JP 35342298A JP 2000182212 A JP2000182212 A JP 2000182212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin
magnetic
film
magnetic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10353422A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3830070B2 (en
Inventor
Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP35342298A priority Critical patent/JP3830070B2/en
Priority to US09/459,651 priority patent/US6353995B1/en
Publication of JP2000182212A publication Critical patent/JP2000182212A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3830070B2 publication Critical patent/JP3830070B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the magnetic path length of the magnetic head. SOLUTION: A lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer have 1st parts 8a and 15a which are arranged in areas including areas facing the whole thin-film coils 12 and 18, 2nd parts 8b and 15b which form magnetic pole parts and are connected to the 1st parts 8a and 15a, and 3rd parts 8c and 15c for connecting the 1st parts 8a and 15a to each other. The thin-film coils 12 and 18 are arranged facing the 1st parts 8a and 15a so that they partially pass between the 2nd parts 8b and 15b and 3rd parts 8c and 15c. The thin-film coil 12 is formed on the 1st part 8a of the lower magnetic pole layer having no step.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
The present invention relates to a thin-film magnetic head having at least an inductive magnetic transducer and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗(以下、MR(Magneto Resistive )と記す。)素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。MR素子としては、異方
性磁気抵抗(以下、AMR(Anisotropic Magneto Resi
stive )と記す。)効果を用いたAMR素子と、巨大磁
気抵抗(以下、GMR(Giant Magneto Resistive )と
記す。)効果を用いたGMR素子とがある。AMR素子
を用いた再生ヘッドはAMRヘッドあるいは単にMRヘ
ッドと呼ばれ、GMR素子を用いた再生ヘッドはGMR
ヘッドと呼ばれる。AMRヘッドは、面記録密度が1ギ
ガビット/(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用
され、GMRヘッドは、面記録密度が3ギガビット/
(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, as the areal recording density of a hard disk drive has been improved, the performance of a thin film magnetic head has been required to be improved. As the thin film magnetic head, a composite thin film having a structure in which a recording head having an inductive magnetic transducer for writing and a reproducing head having a magnetoresistive (MR) element for reading is stacked. Magnetic heads are widely used. As an MR element, an anisotropic magnetoresistance (hereinafter, AMR) is used.
stive). An AMR element using the effect and a GMR element using a giant magnetoresistance (hereinafter, referred to as GMR (Giant Magneto Resistive)) effect. A reproducing head using an AMR element is called an AMR head or simply an MR head. A reproducing head using a GMR element is a GMR head.
Called the head. The AMR head is used as a reproducing head having a surface recording density exceeding 1 gigabit / (inch) 2 , and the GMR head is used as a surface recording density of 3 gigabit / (inch) 2.
(Inch) Used as a playback head exceeding 2 .

【0003】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、MR膜をAMR膜からGMR膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、MR膜のパターン幅、特
に、MRハイトを適切化する方法等がある。このMRハ
イトとは、MR素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ(高さ)をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
As a method of improving the performance of the reproducing head, a method of changing the MR film from an AMR film to a material having excellent magnetoresistive sensitivity such as a GMR film, or a method of appropriately setting a pattern width of the MR film, particularly, an MR height. There are methods. The MR height refers to the length (height) from the end of the MR element on the air bearing surface side to the end on the opposite side, and is controlled by the amount of polishing when processing the air bearing surface. .
The air bearing surface referred to here is a surface of the thin-film magnetic head facing the magnetic recording medium, and is also called a track surface.

【0004】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロー
トハイト(Throat Height :TH)がある。スロートハイ
トは、2つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する
部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部ま
での長さ(高さ)をいう。記録ヘッドの性能向上のため
には、スロートハイトの縮小化が望まれている。このス
ロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量
によって制御される。
On the other hand, as the performance of the reproducing head is improved, the performance of the recording head is also required to be improved. Factors that determine the performance of the recording head include the pattern width, in particular, the throat height (TH). The throat height refers to the length (height) from the end on the air bearing surface side to the end on the opposite side of the portion where the two pole layers face each other via the recording gap layer. In order to improve the performance of the recording head, it is desired to reduce the throat height. This throat height is also controlled by the amount of polishing when processing the air bearing surface.

【0005】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭
くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があ
り、これを達成するために半導体加工技術が利用されて
いる。
In order to increase the recording density of the performance of the recording head, it is necessary to increase the track density in the magnetic recording medium. For this purpose, it is necessary to realize a recording head having a narrow track structure in which the width of the lower magnetic pole and the upper magnetic pole formed above and below the recording gap layer on the air bearing surface is reduced from several microns to submicron dimensions. Yes, semiconductor processing technology is used to achieve this.

【0006】ここで、図11ないし図16を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図11ないし図16において、(a)はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、(b)は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
Here, referring to FIGS. 11 to 16,
As an example of a conventional method of manufacturing a thin film magnetic head, an example of a method of manufacturing a composite thin film magnetic head will be described. 11 to 16, (a) shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, and (b) shows a cross section of the magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.

【0007】この製造方法では、まず、図11に示した
ように、例えばアルティック(Al2 3 ・TiC)よ
りなる基板101の上に、例えばアルミナ(Al
2 3 )よりなる絶縁層102を、約5〜10μm程度
の厚みで堆積する。次に、絶縁層102の上に、磁性材
料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層103を形成
する。
In this manufacturing method, first, as shown in FIG. 11, for example, alumina (Al 2 O 3 .TiC) is formed on a substrate 101 made of AlTiC (Al 2 O 3 .TiC).
An insulating layer 102 of 2 O 3 ) is deposited with a thickness of about 5 to 10 μm. Next, a lower shield layer 103 for a read head made of a magnetic material is formed on the insulating layer 102.

【0008】次に、図12に示したように、下部シール
ド層103の上に、例えばアルミナを100〜200n
mの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シール
ドギャップ膜104を形成する。次に、下部シールドギ
ャップ膜104の上に、再生用のMR素子105を形成
するためのMR膜を、数十nmの厚みに形成する。次
に、このMR膜の上に、MR素子105を形成すべき位
置に選択的にフォトレジストパターンを形成する。この
とき、リフトオフを容易に行うことができるような形
状、例えば断面形状がT型のフォトレジストパターンを
形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとし
て、例えばイオンミリングによってMR膜をエッチング
して、MR素子105を形成する。なお、MR素子10
5は、GMR素子でもよいし、AMR素子でもよい。次
に、下部シールドギャップ膜104の上に、同じフォト
レジストパターンをマスクとして、MR素子105に電
気的に接続される一対の電極層106を形成する。
Next, as shown in FIG. 12, for example, alumina is coated on the lower shield layer 103 for 100 to 200 nm.
Then, a lower shield gap film 104 as an insulating layer is formed by sputtering to a thickness of m. Next, on the lower shield gap film 104, an MR film for forming an MR element 105 for reproduction is formed with a thickness of several tens nm. Next, a photoresist pattern is selectively formed on the MR film at a position where the MR element 105 is to be formed. At this time, a photoresist pattern having a shape such that the lift-off can be easily performed, for example, a T-shaped cross section is formed. Next, using the photoresist pattern as a mask, the MR film is etched by, for example, ion milling to form the MR element 105. The MR element 10
5 may be a GMR element or an AMR element. Next, a pair of electrode layers 106 electrically connected to the MR element 105 are formed on the lower shield gap film 104 using the same photoresist pattern as a mask.

【0009】次に、下部シールドギャップ膜104およ
びMR素子105の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜107を形成し、MR素子105をシールド
ギャップ膜104,107内に埋設する。
Next, an upper shield gap film 107 as an insulating layer is formed on the lower shield gap film 104 and the MR element 105, and the MR element 105 is embedded in the shield gap films 104, 107.

【0010】次に、上部シールドギャップ膜107の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層(以下、下部
磁極層と記す。)108を、約3μmの厚みに形成す
る。次に、下部磁極層108の上に、絶縁膜、例えばア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層109を0.3μmの
厚みに形成する。
Next, on the upper shield gap film 107, an upper shield layer and lower magnetic pole layer (hereinafter, referred to as a lower magnetic pole layer) 108 made of a magnetic material and used for both the read head and the write head is formed. It is formed to a thickness of about 3 μm. Next, on the lower magnetic pole layer 108, a recording gap layer 109 made of an insulating film, for example, an alumina film is formed to a thickness of 0.3 μm.

【0011】次に、図13に示したように、磁路形成の
ために、記録ギャップ層109を部分的にエッチングし
て、コンタクトホール109aを形成する。次に、磁極
部分における記録ギャップ層109の上に、記録ヘッド
用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパーマロイ
(NiFe)またはFeNよりなる上部磁極チップ11
0を、0.5〜1.0μmの厚みに形成する。上部磁極
チップ110は、上部磁極の一部をなす。このとき、同
時に、磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路
形成のための磁性材料からなる磁性層119を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 13, in order to form a magnetic path, the recording gap layer 109 is partially etched to form a contact hole 109a. Next, on the recording gap layer 109 in the magnetic pole part, the upper magnetic pole tip 11 made of a magnetic material for a recording head, for example, a permalloy (NiFe) or FeN of a high saturation magnetic flux density material.
0 is formed to a thickness of 0.5 to 1.0 μm. The upper magnetic pole tip 110 forms a part of the upper magnetic pole. At this time, a magnetic layer 119 made of a magnetic material for forming a magnetic path is simultaneously formed on the contact hole for forming a magnetic path.

【0012】次に、図14に示したように、上部磁極チ
ップ110をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層109と下部磁極層108をエッチング
する。図14(b)に示したように、上部磁極(上部磁
極チップ110)、記録ギャップ層109および下部磁
極層108の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成さ
れた構造は、トリム(Trim)構造と呼ばれる。このトリ
ム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁
束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止すること
ができる。
Next, as shown in FIG. 14, the upper magnetic pole tip 110 is used as a mask to perform ion milling.
The recording gap layer 109 and the lower magnetic pole layer 108 are etched. As shown in FIG. 14B, the structure in which the side walls of the upper magnetic pole (the upper magnetic pole tip 110), the write gap layer 109, and a part of the lower magnetic pole layer 108 are vertically formed in a self-aligned manner is a trim ( Trim) structure. According to this trim structure, it is possible to prevent the effective track width from increasing due to the spread of the magnetic flux generated when writing in a narrow track.

【0013】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層111を、約3μmの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層111を、上部磁極チップ110および磁性層
119の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の
研磨方法としては、機械的な研磨またはCMP(化学機
械研磨)が用いられる。この平坦化により、上部磁極チ
ップ110および磁性層119の表面が露出する。
Next, an insulating layer 111 made of, for example, an alumina film is formed on the entire surface to a thickness of about 3 μm. Next, the insulating layer 111 is polished and flattened to reach the surfaces of the upper pole tip 110 and the magnetic layer 119. As a polishing method at this time, mechanical polishing or CMP (chemical mechanical polishing) is used. By this planarization, the surfaces of the upper pole tip 110 and the magnetic layer 119 are exposed.

【0014】次に、図15に示したように、平坦化され
た絶縁層111の上に、例えば銅(Cu)よりなる誘導
型の記録ヘッド用の第1層目の薄膜コイル112を形成
する。次に、絶縁層111およびコイル112の上に、
フォトレジスト層113を、所定のパターンに形成す
る。次に、フォトレジスト層113の表面を平坦にする
ために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト
層113の上に、第2層目の薄膜コイル114を形成す
る。次に、フォトレジスト層113およびコイル114
上に、フォトレジスト層115を、所定のパターンに形
成する。次に、フォトレジスト層115の表面を平坦に
するために所定の温度で熱処理する。
Next, as shown in FIG. 15, a first-layer thin-film coil 112 for an inductive recording head made of, for example, copper (Cu) is formed on the flattened insulating layer 111. . Next, on the insulating layer 111 and the coil 112,
A photoresist layer 113 is formed in a predetermined pattern. Next, heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the surface of the photoresist layer 113. Next, a second-layer thin-film coil 114 is formed on the photoresist layer 113. Next, the photoresist layer 113 and the coil 114
On top, a photoresist layer 115 is formed in a predetermined pattern. Next, heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the surface of the photoresist layer 115.

【0015】次に、図16に示したように、上部磁極チ
ップ110、フォトレジスト層113,115および磁
性層119の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層116を形成する。次に、
上部磁極層116の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層117を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面118を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
Next, as shown in FIG. 16, an upper magnetic pole layer 116 made of a magnetic material for a recording head, for example, permalloy is formed on the upper magnetic pole tip 110, the photoresist layers 113 and 115, and the magnetic layer 119. I do. next,
On the upper magnetic pole layer 116, an overcoat layer 117 made of, for example, alumina is formed. Finally, the slider is machined to form the air bearing surfaces 118 of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head.

【0016】図16において、THは、スロートハイト
を表し、MR−Hは、MRハイトを表している。また、
P2Wは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を表してい
る。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロ
ートハイトやMRハイト等の他に、図16においてθで
示したようなエイペックスアングル(Apex Angle)があ
る。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層1
13,115で覆われて山状に盛り上がったコイル部分
(以下、エイペックス部と言う。)における磁極側の側
面の角部を結ぶ直線と絶縁層110の上面とのなす角度
をいう。
In FIG. 16, TH indicates the throat height, and MR-H indicates the MR height. Also,
P2W represents the magnetic pole width, that is, the recording track width. As a factor that determines the performance of the thin-film magnetic head, there is an Apex Angle as indicated by θ in FIG. 16 in addition to the throat height and the MR height. This apex angle corresponds to the photoresist layer 1
The angle formed by a straight line connecting the corners of the side surface on the magnetic pole side in the coil portion (hereinafter, referred to as an apex portion) which is covered with 13, 115 and rises in a mountain shape and the upper surface of the insulating layer 110.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図16に示したようなスロートハイ
トTH、MRハイトMR−H、エイペックスアングルθ
およびトラック幅P2Wを正確に形成することが重要で
ある。
To improve the performance of the thin-film magnetic head, the throat height TH, MR height MR-H, apex angle θ as shown in FIG.
It is important to accurately form the track width P2W.

【0018】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、トラック幅P2Wには1.0μm以下のサブ
ミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工
技術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する
技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴っ
て、磁極にはより高い飽和磁束密度を持った磁性材料の
使用が望まれている。
In particular, in recent years, in order to enable high areal density recording, that is, to form a recording head having a narrow track structure, the track width P2W is required to have a submicron size of 1.0 μm or less. . For this purpose, a technology for processing the upper magnetic pole into a submicron size using a semiconductor processing technology is required. Also, with the narrow track structure, it is desired to use a magnetic material having a higher saturation magnetic flux density for the magnetic pole.

【0019】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
Here, the problem is that it is difficult to finely form the upper magnetic pole layer formed on the apex portion.

【0020】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平7−262519号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム(外枠)を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
As a method of forming the upper magnetic pole layer, for example, a frame plating method is used as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-262519. When the upper magnetic pole layer is formed by using the frame plating method, first, a thin electrode film made of, for example, permalloy is entirely formed on the apex portion by, for example, sputtering. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by a photolithography process to form a frame (outer frame) for plating. Then, the upper magnetic pole layer is formed by plating using the previously formed electrode film as a seed layer.

【0021】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば7〜10μm以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを3〜4μmの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低3μm以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば8〜10μm以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
However, there is a height difference of, for example, 7 to 10 μm or more between the apex portion and other portions. On this apex portion, a photoresist is applied in a thickness of 3 to 4 μm. If the thickness of the photoresist on the apex portion is required to be at least 3 μm or more, the photoresist having fluidity is gathered on the lower side. A resist film is formed.

【0022】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、8〜10μm以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
As described above, in order to realize a recording track width of a submicron size, it is necessary to form a frame pattern of a submicron width by a photoresist film. Therefore, a fine pattern having a submicron size must be formed on the apex portion by a photoresist film having a thickness of 8 to 10 μm or more. However, it is extremely difficult in the manufacturing process to form such a thick photoresist pattern with a narrow pattern width.

【0023】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
Further, at the time of photolithographic exposure,
Exposure light is reflected by a base electrode film as a seed layer,
The photoresist is also exposed to the reflected light, causing the photoresist pattern to be distorted and the like, making it impossible to obtain a sharp and accurate photoresist pattern.

【0024】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。
As described above, conventionally, when the magnetic pole width has a submicron size, there has been a problem that it is difficult to form the upper magnetic layer accurately.

【0025】このようなことから、上述の従来例の図1
3ないし図16の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ110によっ
て、1.0μm以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ110と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層116を形成する方法も採用されている(特開昭
62−245509号公報、特開昭60−10409号
号公報参照)。このように、通常の上部磁極層を、上部
磁極チップ110とヨーク部分となる上部磁極層116
とに分割することにより、トラック幅を決定する上部磁
極チップ110を、記録ギャップ層109の上の平坦な
面の上に、サブミクロン幅で微細に形成することが可能
になる。
From the above, FIG.
As shown in the steps of FIGS. 3 to 16, the upper pole tip 110 effective for forming a narrow track of the recording head forms a track width of 1.0 μm or less, and then is connected to the upper pole tip 110. A method of forming the upper magnetic pole layer 116 serving as a portion is also adopted (see Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-245509 and 60-10409). As described above, the normal upper magnetic pole layer is replaced with the upper magnetic pole tip 110 and the upper magnetic pole layer 116 serving as a yoke.
The upper magnetic pole chip 110 for determining the track width can be finely formed on the flat surface on the recording gap layer 109 with a submicron width.

【0026】しかしながら、このような薄膜磁気ヘッド
においても、依然として、以下のような問題点があっ
た。
However, such a thin film magnetic head still has the following problems.

【0027】(1)まず、従来の磁気ヘッドでは、上部
磁極チップ110のエアベアリング面118から遠い側
の端部においてスロートハイトを決定している。しか
し、この上部磁極チップ110の幅が狭くなると、フォ
トリソグラフィーにおいて、パターンエッジが丸みを帯
びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求される
スロートハイトが不均一となり、エアベアリング面11
8の加工、研磨工程において、MR素子のトラック幅と
の間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、
トラック幅として、0.5〜0.6μm必要なときに、
上部磁極チップ110のエアベアリング面118から遠
い側の端部がスロートハイトゼロ位置(スロートハイト
を決定する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置)
からエアベアリング面118側にずれ、大きく記録ギャ
ップが開き、記録データの書き込みができなくなるとい
う問題がしばしば発生していた。
(1) First, in the conventional magnetic head, the throat height is determined at the end of the upper pole tip 110 far from the air bearing surface 118. However, when the width of the upper magnetic pole tip 110 is reduced, the pattern edge is formed round in photolithography. Therefore, the throat height, which requires high-precision dimensions, becomes non-uniform, and the air bearing surface 11
In the processing and polishing steps of No. 8, a situation where the balance with the track width of the MR element was lacked occurred. For example,
When a track width of 0.5 to 0.6 μm is required,
The end of the upper pole tip 110 remote from the air bearing surface 118 is at the throat height zero position (the position of the end of the insulating layer on the air bearing surface side that determines the throat height).
From the air bearing surface 118 side, a large recording gap is opened, and writing of recording data becomes impossible.

【0028】(2)次に、図16に示した従来の薄膜磁
気ヘッドでは、上部磁極チップ110により記録ヘッド
のトラック幅が規定されるため、上部磁極層116は、
上部磁極チップ110ほどには微細に加工する必要はな
いと言える。しかしながら、上部磁極層116は、上部
磁極チップ110の上部にフォトリソグラフィの位置合
わせにより位置が決定されるため、エアベアリング面1
18側から見た場合、双方が片側に大きく位置ずれする
と、上部磁極層116側で書き込みが行われ、実効トラ
ック幅が広くなる場合がある。その結果、記録媒体に対
して、本来、データを記録すべき領域以外の領域にもデ
ータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトが発生
するという不具合があった。
(2) Next, in the conventional thin film magnetic head shown in FIG. 16, since the track width of the recording head is defined by the upper magnetic pole chip 110, the upper magnetic pole layer 116
It can be said that it is not necessary to process as finely as the upper pole tip 110. However, since the position of the upper magnetic pole layer 116 is determined by the photolithographic alignment on the upper magnetic pole chip 110, the air bearing surface 1
When viewed from the 18 side, if both are largely displaced to one side, writing is performed on the upper magnetic pole layer 116 side, and the effective track width may be increased. As a result, there is a problem that a so-called side write occurs in which data is written in a region other than the region where data should be originally recorded on the recording medium.

【0029】また、記録ヘッドのトラック幅が極微細、
特に0.5μm以下になってくると、上部磁極層116
においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。す
なわち、エアベアリング面118側から見た場合、上部
磁極チップ110と上部磁極層116との横方向の寸法
差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生
し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われるという不具合が発生する。
The track width of the recording head is extremely fine,
In particular, when the thickness becomes 0.5 μm or less, the upper magnetic pole layer 116
Also, a processing accuracy of a submicron width is required. That is, when viewed from the air bearing surface 118 side, if the lateral dimensional difference between the upper magnetic pole tip 110 and the upper magnetic pole layer 116 is too large, a side light is generated in the same manner as described above, and the area other than the original data recording area is generated. The problem that writing is performed also occurs in the region of.

【0030】このようなことから、上部磁極チップ11
0だけでなく、上部磁極層116もサブミクロン幅に加
工する必要があるが、上部磁極層116の下のエイペッ
クス部には、依然として、大きな高低差があるため、上
部磁極層116の微細加工が困難であった。
From the above, the upper magnetic pole tip 11
Not only the upper pole layer 116 but also the upper magnetic pole layer 116 needs to be processed to a submicron width. However, since the apex portion under the upper magnetic pole layer 116 still has a large height difference, the fine processing of the upper magnetic pole layer 116 is performed. Was difficult.

【0031】(3)更に、従来の薄膜磁気ヘッドでは、
磁路長(Yoke Length )を短くすることが困難であると
いう問題点があった。すなわち、コイルピッチが小さい
ほど、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に
高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができる
が、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、ス
ロートハイトゼロ位置からコイルの外周端までの距離
が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因となって
いた。磁路長は、1層のコイルよりは2層のコイルの方
が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドで
は2層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁
気ヘッドでは、1層目のコイルを形成した後、コイル間
の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約2μ
mの厚みで形成している。そのため、1層目のコイルの
外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成さ
れる。次に、その上に2層目のコイルを形成するが、そ
の際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード
層のエッチングができず、コイルがショートするため、
2層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。
(3) Further, in the conventional thin film magnetic head,
There is a problem that it is difficult to shorten the magnetic path length (Yoke Length). That is, as the coil pitch is smaller, a head having a shorter magnetic path length can be realized. In particular, a recording head having excellent high-frequency characteristics can be formed. The distance from the height zero position to the outer peripheral end of the coil has been a major factor that prevents shortening the magnetic path length. Since the magnetic path length can be shorter in a two-layer coil than in a one-layer coil, many high-frequency recording heads employ a two-layer coil. However, in the conventional magnetic head, after forming the first-layer coil, a photoresist film is formed by about 2 μm in order to form an insulating film between the coils.
m. Therefore, a small rounded apex portion is formed at the outer peripheral end of the coil of the first layer. Next, a second-layer coil is formed thereon. At this time, the coil seed layer cannot be etched at the inclined portion of the apex portion, and the coil is short-circuited.
The second-layer coil needs to be formed on a flat portion.

【0032】従って、例えば、コイルの厚みを2〜3μ
mとし、コイル間絶縁膜の厚みを2μmとし、エイペッ
クスアングルを45°〜55°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
3〜4μmの距離の2倍(上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も3〜4μm
必要。)の6〜8μmが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。
Therefore, for example, the thickness of the coil is set to 2-3 μm.
m, the thickness of the inter-coil insulating film is 2 μm, and the apex angle is 45 ° to 55 °. In addition to the length of the portion corresponding to the coil, the magnetic path length is zero throat height from the outer peripheral end of the coil. Twice the distance of 3 to 4 μm which is the distance to the vicinity of the position (the distance from the contact portion between the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer to the inner peripheral end of the coil is also 3 to 4 μm)
necessary. ) Of 6 to 8 μm is required. The length other than the portion corresponding to the coil has been a factor that hinders the reduction of the magnetic path length.

【0033】ここで、例えば、コイルの線幅が1.5μ
m、スペースが0.5μmの11巻コイルを2層で形成
する場合を考える。この場合、図16に示したように、
1層目を6巻、2層目を5巻とすると、磁路長のうち、
2層目のコイル114に対応する部分の長さは9.5μ
mである。磁路長には、これに加え、2層目のコイル1
14の外周端および内周端より、2層目のコイル114
を絶縁するためのフォトレジスト層115の端部までの
距離として、合計6〜8μmの長さが必要になる。磁路
長には、更に、フォトレジスト層115の端部から、1
層目のコイル112を絶縁するためのフォトレジスト層
113の端部までの距離として、合計6〜8μmの長さ
が必要になる。なお、本出願では、磁路長を、磁極層の
うちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分の長
さで表す。図16では、磁路長L0 は、21.5μmと
なっている。従来技術では、これ以上、磁路長の縮小は
不可能であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
Here, for example, the line width of the coil is 1.5 μm.
Consider a case where an 11-turn coil having m and a space of 0.5 μm is formed in two layers. In this case, as shown in FIG.
If the first layer has 6 turns and the second layer has 5 turns, of the magnetic path lengths,
The length corresponding to the coil 114 of the second layer is 9.5 μm.
m. In addition to the magnetic path length, the coil 1 of the second layer
14 from the outer peripheral end and the inner peripheral end
A total length of 6 to 8 μm is required as the distance to the end of the photoresist layer 115 for insulating the substrate. The length of the magnetic path is further changed by 1 from the end of the photoresist layer 115.
A total length of 6 to 8 μm is required as the distance to the end of the photoresist layer 113 for insulating the coil 112 of the layer. In the present application, the magnetic path length is represented by the length of the magnetic pole layer excluding the magnetic pole portion and the contact portion. In FIG. 16, the magnetic path length L 0 is 21.5 μm. In the prior art, it is impossible to further reduce the magnetic path length, which has hindered the improvement of the high frequency characteristics.

【0034】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、記録ヘッドの磁路長の縮小を可能に
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head capable of reducing the magnetic path length of a recording head and a method of manufacturing the same.

【0035】[0035]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する2つの磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも1つの層からなる第1および第
2の磁性層と、この第1および第2の磁性層の間に絶縁
された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁
気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、第1の磁
性層は、薄膜コイルの全体に対向する面内領域を含む領
域に配置された第1の部分と、磁極部分を形成し、且つ
第1の部分に接続された第2の部分と、第1の部分と第
2の磁性層とを接続するための第3の部分とを有し、薄
膜コイルの少なくとも一部は、第1の部分に対向し、且
つ第2の部分と第3の部分の間を通過するように配置さ
れているものである。
A thin-film magnetic head according to the present invention includes two magnetic pole portions which are magnetically connected and a part of a side facing a recording medium is opposed via a gap layer. A thin film provided with an inductive magnetic transducer having first and second magnetic layers each composed of one layer, and a thin-film coil disposed insulated between the first and second magnetic layers In a magnetic head, a first magnetic layer forms a magnetic pole portion with a first portion disposed in a region including an in-plane region facing the entire thin film coil, and is connected to the first portion. A second portion, and a third portion for connecting the first portion and the second magnetic layer, at least a portion of the thin-film coil faces the first portion, and It is arranged so as to pass between the second part and the third part.

【0036】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギ
ャップ層を介して対向する2つの磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも1つの層からなる第1および第2の磁性
層と、この第1および第2の磁性層の間に絶縁された状
態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素
子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第1の
磁性層を形成する工程と、第1の磁性層の上にギャップ
層を形成する工程と、ギャップ層の上に第2の磁性層を
形成する工程と、第1の磁性層と第2の磁性層の間に絶
縁された状態で配置されるように薄膜コイルを形成する
工程とを含み、第1の磁性層を形成する工程は、薄膜コ
イルの全体に対向する面内領域を含む領域に配置された
第1の部分と、磁極部分を形成し、且つ第1の部分に接
続された第2の部分と、第1の部分と他方の磁性層とを
接続するための第3の部分とを有するように、第1の磁
性層を形成し、薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイ
ルの少なくとも一部が、第1の部分に対向し、且つ第2
の部分と第3の部分の間を通過するように配置されるよ
うに、薄膜コイルを形成するものである。
The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention includes two magnetic pole portions which are magnetically connected and a part of the side facing the recording medium is opposed via a gap layer, and each has at least one layer. Of a thin-film magnetic head having an inductive magnetic conversion element having first and second magnetic layers made of the following, and a thin-film coil disposed insulated between the first and second magnetic layers: A manufacturing method, comprising: forming a first magnetic layer; forming a gap layer on the first magnetic layer; forming a second magnetic layer on the gap layer; Forming a thin-film coil so as to be insulated between the first magnetic layer and the second magnetic layer, wherein the step of forming the first magnetic layer faces the entire thin-film coil. A first portion disposed in a region including an in-plane region to be formed; A first magnetic layer having a second portion connected to the first portion and a third portion for connecting the first portion and the other magnetic layer; Forming a thin film coil, wherein at least a part of the thin film coil is opposed to the first portion and
The thin film coil is formed so as to be disposed so as to pass between the portion and the third portion.

【0037】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、薄膜コイルの全体に対向する面内領域を含む領
域に配置された第1の部分と、磁極部分を形成し、且つ
第1の部分に接続された第2の部分と、第1の部分と第
2の磁性層とを接続するための第3の部分とを有する第
1の磁性層が設けられ、薄膜コイルの少なくとも一部
が、第1の部分に対向し、且つ第2の部分と第3の部分
の間を通過するように配置される。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the first portion and the magnetic pole portion are formed in a region including an in-plane region opposed to the entire thin-film coil, and the first portion is formed. A first magnetic layer having a connected second portion and a third portion for connecting the first portion and the second magnetic layer is provided, and at least a part of the thin-film coil is formed of a first magnetic layer. It is arranged so as to face the first part and pass between the second part and the third part.

【0038】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第1の磁性層の第2の部分がスロートハ
イトを規定するようにしてもよい。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the second portion of the first magnetic layer may define the throat height.

【0039】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第2の磁性層が、薄膜コイルに対向する
面内領域を含む領域に配置された第1の部分と、磁極部
分を形成し、且つ第1の部分に接続された第2の部分
と、第1の部分と第1の磁性層とを接続するための第3
の部分とを有するようにしてもよい。
Further, in the thin film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the second magnetic layer forms the first portion disposed in the region including the in-plane region facing the thin film coil, and the magnetic pole portion. A second portion connected to the first portion, and a third portion for connecting the first portion to the first magnetic layer.
May be included.

【0040】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第2の磁性層における第1の部分の記録
媒体に対向する側の端面が、薄膜磁気ヘッドの記録媒体
に対向する面から離れた位置に配置されるようにしても
よい。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the end face of the first portion of the second magnetic layer facing the recording medium is separated from the surface of the thin-film magnetic head facing the recording medium. May be arranged at different positions.

【0041】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第2の磁性層における第2の部分の長さ
が、第1の磁性層における第2の部分の長さ以上となる
ようにしてもよい。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the length of the second portion in the second magnetic layer is set to be longer than the length of the second portion in the first magnetic layer. You may.

【0042】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜コイルが、第1の磁性層における第
2の部分と第3の部分の間を通過するように配置された
第1層部分と、第2の磁性層における第2の部分と第3
の部分の間を通過するように配置された第2層部分とを
有するようにしてもよい。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the first-layer portion in which the thin-film coil is arranged to pass between the second portion and the third portion in the first magnetic layer. And a second portion and a third portion of the second magnetic layer.
And a second layer portion disposed so as to pass between the portions.

【0043】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜磁気ヘッドが、更に、磁気抵抗素子
と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟ん
で対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドす
るための第1および第2のシールド層とを備えるように
してもよい。この場合、第2のシールド層が、第1の磁
性層を兼ねるようにしてもよい。
In the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the same according to the present invention, the thin-film magnetic head is further disposed so that the magneto-resistive element is partially opposed to the recording medium with the magneto-resistive element interposed therebetween. And a first and a second shield layer for shielding the magnetoresistive element. In this case, the second shield layer may also serve as the first magnetic layer.

【0044】[0044]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 [本発明の第1の実施の形態]まず、図1ないし図7を
参照して、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。なお、図1ないし図6において、
(a)はエアベアリング面に垂直な断面を示し、(b)
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. [First Embodiment of the Invention] First, referring to FIGS. 1 to 7, a method of manufacturing a composite thin film magnetic head as a method of manufacturing a thin film magnetic head according to a first embodiment of the invention will be described. Will be described. 1 to 6,
(A) shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, (b)
Indicates a cross section of the magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.

【0045】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図1に示したように、例えばアルティック(Al2 3
・TiC)よりなる基板1の上に、例えばアルミナ(A
23 )よりなる絶縁層2を、約5μmの厚みで堆積
する。次に、絶縁層2の上に、磁性材料、例えばパーマ
ロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層3を、約3
μmの厚みに形成する。下部シールド層3は、例えば、
フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、
絶縁層2の上に選択的に形成する。次に、図示しない
が、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば
4〜5μmの厚みに形成し、例えばCMP(化学機械研
磨)によって、下部シールド層3が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。
In the manufacturing method according to the present embodiment, first,
As shown in FIG. 1, for example, Altic (Al 2 O 3
On a substrate 1 made of TiC, for example, alumina (A
An insulating layer 2 of l 2 O 3 ) is deposited with a thickness of about 5 μm. Next, a lower shield layer 3 for a reproducing head made of a magnetic material, for example, permalloy is formed on the insulating layer 2 by about 3 μm.
It is formed to a thickness of μm. The lower shield layer 3 is, for example,
Using the photoresist film as a mask, plating
It is selectively formed on the insulating layer 2. Next, although not shown, an insulating layer made of, for example, alumina is entirely formed to a thickness of, for example, 4 to 5 μm, and polished by, for example, CMP (chemical mechanical polishing) until the lower shield layer 3 is exposed. Is flattened.

【0046】次に、図2に示したように、下部シールド
層3の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウム
をスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャッ
プ膜4を形成する。次に、下部シールドギャップ膜4の
上に、再生用のMR素子5を形成するためのMR膜を、
数十nmの厚みに形成する。次に、このMR膜の上に、
MR素子5を形成すべき位置に選択的にフォトレジスト
パターンを形成する。次に、フォトレジストパターンを
マスクとして、例えばイオンミリングによってMR膜を
エッチングして、MR素子5を形成する。なお、MR素
子5は、GMR素子でもよいし、AMR素子でもよい。
次に、下部シールドギャップ膜4の上に、同じフォトレ
ジストパターンをマスクとして、MR素子5に電気的に
接続される一対の電極層6を、数十nmの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜4およびMR素子5
の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜7を形
成し、MR素子5をシールドギャップ膜4,7内に埋設
する。次に、上部シールドギャップ膜7の上に、磁性材
料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられ
る上部シールド層兼下部磁極層(以下、下部磁極層と記
す。)の第1の部分8aを、約1.0〜1.5μmの厚
みで、選択的に形成する。下部磁極層の第1の部分8a
は、後述する薄膜コイルの全体に対向する面内領域を含
む領域に配置される部分である。
Next, as shown in FIG. 2, for example, alumina or aluminum nitride is sputter deposited on the lower shield layer 3 to form a lower shield gap film 4 as an insulating layer. Next, on the lower shield gap film 4, an MR film for forming the reproducing MR element 5 is formed.
It is formed to a thickness of several tens nm. Next, on this MR film,
A photoresist pattern is selectively formed at a position where the MR element 5 is to be formed. Next, using the photoresist pattern as a mask, the MR film is etched by, for example, ion milling to form the MR element 5. Note that the MR element 5 may be a GMR element or an AMR element.
Next, a pair of electrode layers 6 electrically connected to the MR element 5 are formed on the lower shield gap film 4 with a thickness of several tens nm using the same photoresist pattern as a mask. Next, the lower shield gap film 4 and the MR element 5
An upper shield gap film 7 as an insulating layer is formed thereon, and the MR element 5 is embedded in the shield gap films 4 and 7. Next, on the upper shield gap film 7, a first portion 8a of an upper shield layer and a lower magnetic pole layer (hereinafter, referred to as a lower magnetic pole layer) made of a magnetic material and used for both the read head and the write head. Is selectively formed with a thickness of about 1.0 to 1.5 μm. First portion 8a of lower pole layer
Is a portion arranged in a region including an in-plane region facing the entire thin film coil described later.

【0047】次に、図3に示したように、下部磁極層の
第1の部分8aの上に、下部磁極層の第2の部分8bお
よび第3の部分8cを、1.5〜2.5μmの厚みに形
成する。第2の部分8bは、下部磁極層の磁極部分を形
成し、第1の部分8aに接続される。第3の部分8c
は、第1の部分8aと上部磁極層とを接続するための部
分である。本実施の形態において、第2の部分8bのエ
アベアリング面とは反対側(図において右側)の端部の
位置は、スロートハイトを規定する。すなわち、この位
置が、スロートハイトゼロ位置となる。
Next, as shown in FIG. 3, the second portion 8b and the third portion 8c of the lower magnetic pole layer are formed on the first portion 8a of the lower magnetic pole layer in a range of 1.5 to 2. It is formed to a thickness of 5 μm. The second portion 8b forms the pole portion of the lower pole layer and is connected to the first portion 8a. Third part 8c
Is a portion for connecting the first portion 8a and the upper magnetic pole layer. In the present embodiment, the position of the end of the second portion 8b on the opposite side (right side in the drawing) from the air bearing surface defines the throat height. That is, this position is the throat height zero position.

【0048】下部磁極層の第2の部分8bおよび第3の
部分8cは、NiFe(Ni:80重量%,Fe:20
重量%)や、高飽和磁束密度材料であるNiFe(N
i:45重量%,Fe:55重量%)の材料を用い、め
っき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるFeN,FeZrN等の材料を用い、スパッタに
よって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材
料であるCoFe,Co系アモルファス材等を用いても
よい。
The second portion 8b and the third portion 8c of the lower pole layer are made of NiFe (Ni: 80% by weight, Fe: 20).
Wt%) or NiFe (N
i: 45% by weight, Fe: 55% by weight), and may be formed by plating, or may be formed by sputtering using a material such as FeN or FeZrN which is a high saturation magnetic flux density material. . In addition, CoFe, Co-based amorphous material or the like, which is a high saturation magnetic flux density material, may be used.

【0049】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜10を形成する。この絶縁膜10の厚みは、1μm
以下が好ましい。その理由は、これ以上厚くなると、磁
路長が大きくなりすぎるからである。本実施の形態で
は、絶縁膜10の厚みを、約0.3〜0.6μmの厚み
に形成する。
Next, an insulating film 10 made of, for example, alumina is formed entirely. The thickness of the insulating film 10 is 1 μm
The following is preferred. The reason is that if the thickness is further increased, the magnetic path length becomes too large. In the present embodiment, the thickness of the insulating film 10 is formed to a thickness of about 0.3 to 0.6 μm.

【0050】次に、図示しないが、めっき法によって薄
膜コイルの第1層部分を形成するためのシード層を、例
えばスパッタリングによって形成する。次に、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によ
りパターニングして、めっきのためのフレーム11を形
成する。
Next, although not shown, a seed layer for forming the first layer portion of the thin-film coil by plating is formed by, for example, sputtering. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by a photolithography process to form a frame 11 for plating.

【0051】本実施の形態では、薄膜コイルの第1層部
分が、下部磁極層の第3の部分8cの上において、下部
磁極層の第3の部分8cの周囲に配置され、その一部
が、下部磁極層の第2の部分8bと第3の部分8cとの
間を通過するように形成されるように、フレーム11を
形成する。
In the present embodiment, the first layer portion of the thin-film coil is disposed above the third portion 8c of the lower pole layer, around the third portion 8c of the lower pole layer, and a part thereof is formed. The frame 11 is formed so as to pass between the second portion 8b and the third portion 8c of the lower pole layer.

【0052】次に、このフレーム11を用いて、フレー
ムめっき法によって、例えば銅(Cu)よりなる薄膜コ
イルの第1層部分12を、例えば約1.0〜2.0μm
の厚みに形成する。この第1層部分12のピッチは、例
えば約1.2〜2.0μmとする。
Next, using the frame 11, the first layer portion 12 of the thin film coil made of, for example, copper (Cu) is formed to a thickness of about 1.0 to 2.0 μm by frame plating.
Formed to a thickness of The pitch of the first layer portion 12 is, for example, about 1.2 to 2.0 μm.

【0053】このようにして、本実施の形態では、薄膜
コイルの第1層部分12は、下部磁極層の第3の部分8
cの上において、下部磁極層の第3の部分8cの周囲に
配置され、その一部が、下部磁極層の第2の部分8bと
第3の部分8cとの間を通過するように配置される。
As described above, in the present embodiment, the first layer portion 12 of the thin-film coil is formed by the third portion 8 of the lower pole layer.
c, around the third portion 8c of the lower pole layer, a portion of which is arranged to pass between the second portion 8b and the third portion 8c of the lower pole layer. You.

【0054】次に、図4に示したように、フレーム11
とその下のシード層を除去した後、全体に、例えばアル
ミナよりなる絶縁層13を、約3〜4μmの厚みで形成
する。次に、例えばCMPによって、下部磁極層の第2
の部分8bおよび第3の部分8cが露出するまで、絶縁
層13を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図
4では、平坦化処理によって、薄膜コイルの第1層部分
12は露出していないが、露出するようにしてもよい。
ただし、平坦化処理によって、第1層部分12のうち、
後述する薄膜コイルの第2層部分と接続される部分12
aが露出しない場合には、フォトリソグラフィ技術によ
って、この部分12aを露出させる。
Next, as shown in FIG.
Then, after removing the seed layer therebelow, an insulating layer 13 made of, for example, alumina is formed with a thickness of about 3 to 4 μm on the whole. Next, for example, by CMP, the second
Until the portion 8b and the third portion 8c are exposed, the insulating layer 13 is polished to flatten the surface. Here, in FIG. 4, the first layer portion 12 of the thin film coil is not exposed by the flattening process, but may be exposed.
However, of the first layer portion 12 due to the planarization process,
Portion 12 connected to the second layer portion of the thin film coil described later
If a is not exposed, this portion 12a is exposed by photolithography.

【0055】次に、図5に示したように、下部磁極層の
第2の部分8bおよび第3の部分8c、および絶縁層1
3の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層14を、
0.2〜0.3μmの厚みで形成する。記録ギャップ層
14に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコ
ン窒化物系材料がある。
Next, as shown in FIG. 5, the second portion 8b and the third portion 8c of the lower pole layer and the insulating layer 1
3, a recording gap layer 14 made of an insulating material,
It is formed with a thickness of 0.2 to 0.3 μm. Insulating materials used for the recording gap layer 14 generally include alumina, aluminum nitride, silicon oxide-based materials, and silicon nitride-based materials.

【0056】次に、磁路形成のために、下部磁極層の第
3の部分8cの上の部分において、記録ギャップ層14
を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する
と共に、薄膜コイルの第1層部分における部分12aと
第2層部分とを接続するために、部分12aの上の部分
において、記録ギャップ層14を部分的にエッチングし
てコンタクトホールを形成する。
Next, in order to form a magnetic path, the recording gap layer 14 is formed in a portion above the third portion 8c of the lower magnetic pole layer.
Is partially etched to form a contact hole, and in order to connect the portion 12a in the first layer portion and the second layer portion of the thin-film coil, the recording gap layer 14 is partially formed above the portion 12a. Etching to form a contact hole.

【0057】次に、記録ギャップ層14の上に、上部磁
極層の第2の部分15bを、2.0〜3.0μmの厚み
に形成すると共に、下部磁極層の第3の部分8cの上
に、上部磁極層の第3の部分15cを、2.0〜3.0
μmの厚みに形成する。第2の部分15bは、上部磁極
層の磁極部分を形成し、後述する上部磁極層の第1の部
分に接続される。第3の部分15cは、後述する上部磁
極層の第1の部分と下部磁極層とを接続するための部分
である。本実施の形態では、上部磁極層の第2の部分1
5bの長さは、下部磁極層の第2の部分8bの長さ以上
に形成される。また、上部磁極層の第2の部分15b
は、記録ギャップ層14を介して、薄膜コイルの第1層
部分12の一部にオーバーラップするように形成され
る。
Next, a second portion 15b of the upper pole layer is formed on the recording gap layer 14 to a thickness of 2.0 to 3.0 μm, and a third portion 8c of the lower pole layer is formed on the second portion 15b. The third portion 15c of the upper pole layer is changed to 2.0 to 3.0.
It is formed to a thickness of μm. The second portion 15b forms a pole portion of the upper pole layer, and is connected to a first portion of the upper pole layer described later. The third portion 15c is a portion for connecting a first portion of the upper magnetic pole layer described later and the lower magnetic pole layer. In the present embodiment, the second portion 1 of the upper pole layer
The length of 5b is formed longer than the length of the second portion 8b of the lower magnetic pole layer. Also, the second portion 15b of the upper pole layer
Are formed so as to overlap a part of the first layer portion 12 of the thin film coil via the recording gap layer 14.

【0058】上部磁極層の第2の部分15bおよび第3
の部分15cは、NiFe(Ni:80重量%,Fe:
20重量%)や、高飽和磁束密度材料であるNiFe
(Ni:45重量%,Fe:55重量%)の材料を用
い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密
度材料であるFeN,FeZrN等の材料を用い、スパ
ッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束
密度材料であるCoFe,Co系アモルファス材等を用
いてもよい。
The second portion 15b and the third portion
The portion 15c of NiFe (Ni: 80% by weight, Fe:
20% by weight) or NiFe which is a high saturation magnetic flux density material.
(Ni: 45% by weight, Fe: 55% by weight) and may be formed by a plating method, or may be formed by sputtering using a material such as FeN or FeZrN which is a high saturation magnetic flux density material. Good. In addition, CoFe, Co-based amorphous material or the like, which is a high saturation magnetic flux density material, may be used.

【0059】次に、上部磁極層の第2の部分15bをマ
スクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層
14を選択的にエッチングする。このときのドライエッ
チングには、例えば、BCl2 ,Cl2 等の塩素系ガス
や、CF4 ,SF6 等のフッ素系ガス等のガスを用いた
反応性イオンエッチング(RIE)が用いられる。次
に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極
層の第2の部分8bを選択的に約0.3〜0.6μm程
度エッチングして、図5(b)に示したようなトリム構
造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き
込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の
増加を防止することができる。
Next, the recording gap layer 14 is selectively etched by dry etching using the second portion 15b of the upper pole layer as a mask. For the dry etching at this time, for example, reactive ion etching (RIE) using a gas such as a chlorine-based gas such as BCl 2 or Cl 2 or a fluorine-based gas such as CF 4 or SF 6 is used. Next, the second portion 8b of the lower magnetic pole layer is selectively etched by about 0.3 to 0.6 μm by, for example, argon ion milling to obtain a trim structure as shown in FIG. 5B. According to this trim structure, it is possible to prevent the effective track width from increasing due to the spread of the magnetic flux generated when writing in a narrow track.

【0060】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜16を形成する。この絶縁膜16の厚みは、1μm
以下が好ましい。その理由は、これ以上厚くなると、磁
路長が大きくなりすぎるからである。本実施の形態で
は、絶縁膜16の厚みを、約0.3〜0.6μmの厚み
に形成する。
Next, an insulating film 16 made of, for example, alumina is formed entirely. The thickness of the insulating film 16 is 1 μm
The following is preferred. The reason is that if the thickness is further increased, the magnetic path length becomes too large. In the present embodiment, the thickness of the insulating film 16 is formed to a thickness of about 0.3 to 0.6 μm.

【0061】次に、図示しないが、めっき法によって薄
膜コイルの第2層部分を形成するためのシード層を、例
えばスパッタリングによって形成する。次に、その上に
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によ
りパターニングして、めっきのためのフレームを形成す
る。
Next, although not shown, a seed layer for forming the second layer portion of the thin-film coil by plating is formed by, for example, sputtering. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by a photolithography process to form a frame for plating.

【0062】本実施の形態では、薄膜コイルの第2層部
分が、上部磁極層の第3の部分15cの周囲に配置さ
れ、その一部が、上部磁極層の第2の部分15bと第3
の部分15cとの間を通過するように形成されるよう
に、フレームを形成する。
In the present embodiment, the second layer portion of the thin-film coil is disposed around the third portion 15c of the upper pole layer, and a part thereof is formed by the second portion 15b of the upper pole layer and the third portion 15b.
The frame is formed so as to pass between the portion 15c of FIG.

【0063】次に、このフレームを用いて、フレームめ
っき法によって、例えば銅(Cu)よりなる薄膜コイル
の第2層部分18を、例えば約1.0〜2.0μmの厚
みに形成する。この第2層部分18のピッチは、例えば
約1.2〜2.0μmとする。ここで、第2層部分18
のうち、第1層部分12の部分12aの上に配置される
部分18aは、コンタクトホールを介して部分12aに
接続される。
Next, using this frame, a second layer portion 18 of a thin film coil made of, for example, copper (Cu) is formed to a thickness of, for example, about 1.0 to 2.0 μm by frame plating. The pitch of the second layer portion 18 is, for example, about 1.2 to 2.0 μm. Here, the second layer portion 18
Of these, the portion 18a disposed on the portion 12a of the first layer portion 12 is connected to the portion 12a via a contact hole.

【0064】このようにして、本実施の形態では、薄膜
コイルの第2層部分18は、その一部が上部磁極層の第
2の部分15bと第3の部分15cとの間に配置され
る。
As described above, in the present embodiment, the second layer portion 18 of the thin film coil is partially disposed between the second portion 15b and the third portion 15c of the upper pole layer. .

【0065】次に、図6に示したように、フレームとそ
の下のシード層を除去した後、全体に、例えばアルミナ
よりなる絶縁層19を、約3〜4μmの厚みで形成す
る。次に、例えばCMPによって、上部磁極層の第2の
部分15bおよび第3の部分15cが露出するまで、絶
縁層19を研磨して、表面を平坦化処理する。
Next, as shown in FIG. 6, after removing the frame and the seed layer under the frame, an insulating layer 19 made of, for example, alumina is formed on the whole to a thickness of about 3 to 4 μm. Next, the insulating layer 19 is polished by, for example, CMP until the second portion 15b and the third portion 15c of the upper pole layer are exposed, and the surface is flattened.

【0066】次に、平坦化された上部磁極層の第2の部
分15bおよび第3の部分15c、および絶縁層19の
上に、記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層の第
1の部分15aを、例えば約2〜3μmの厚みに形成す
る。上部磁極層の第1の部分15aは、上部磁極層の第
2の部分15bと第3の部分15cとの間において、薄
膜コイル12,18に対向する面内領域を含む領域に配
置される部分である。この上部磁極層の第1の部分15
aは、第3の部分15cを介して下部磁極層の第3の部
分8cと接触し、磁気的に連結している。上部磁極層の
第1の部分15aは、NiFe(Ni:80重量%,F
e:20重量%)や、高飽和磁束密度材料であるNiF
e(Ni:45重量%,Fe:55重量%)の材料を用
い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密
度材料であるFeN,FeZrN等の材料を用い、スパ
ッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束
密度材料であるCoFe,Co系アモルファス材等を用
いてもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極
層の第1の部分15aを、無機系の絶縁膜とパーマロイ
等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよ
い。
Next, the first portion of the upper magnetic pole layer made of a magnetic material for a recording head is placed on the flattened second portion 15b and third portion 15c of the upper magnetic pole layer, and on the insulating layer 19. 15a is formed to a thickness of, for example, about 2-3 μm. The first portion 15a of the upper pole layer is a portion disposed between the second portion 15b and the third portion 15c of the upper pole layer in a region including an in-plane region facing the thin-film coils 12 and 18. It is. The first portion 15 of this upper pole layer
a is in contact with and magnetically coupled to the third portion 8c of the lower magnetic pole layer via the third portion 15c. The first portion 15a of the upper pole layer is made of NiFe (Ni: 80% by weight, F
e: 20% by weight) or NiF which is a high saturation magnetic flux density material
e (Ni: 45% by weight, Fe: 55% by weight), and may be formed by plating, or may be formed by sputtering using a material such as FeN or FeZrN which is a high saturation magnetic flux density material. Is also good. In addition, CoFe, Co-based amorphous material or the like, which is a high saturation magnetic flux density material, may be used. Further, in order to improve the high frequency characteristics, the first portion 15a of the upper magnetic pole layer may have a structure in which an inorganic insulating film and a magnetic layer such as permalloy are superposed on any number of layers.

【0067】本実施の形態では、上部磁極層の第1の部
分15aの記録媒体に対向する側(エアベアリング面
側)の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面
から離れた位置(図において右側)に配置されている。
In this embodiment, the end surface of the first portion 15a of the upper pole layer on the side facing the recording medium (air bearing surface side) is separated from the surface of the thin-film magnetic head facing the recording medium (see FIG. (Right side in the figure).

【0068】次に、上部磁極層の第1の部分15aの上
に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層20を、
20〜40μmの厚みに形成し、その表面を平坦化し
て、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最
後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび
再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
Next, an overcoat layer 20 made of, for example, alumina is formed on the first portion 15a of the upper magnetic pole layer.
It is formed to a thickness of 20 to 40 μm, its surface is flattened, and an electrode pad (not shown) is formed thereon. Finally, the slider is polished to form the air bearing surfaces of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head according to the present embodiment.

【0069】本実施の形態では、第1の部分8a、第2
の部分8bおよび第3の部分8cよりなる下部磁極層
が、本発明における第1の磁性層に対応し、第1の部分
15a、第2の部分15bおよび第3の部分15cより
なる上部磁極層が、本発明における第2の磁性層に対応
する。
In this embodiment, the first portion 8a and the second
The lower magnetic pole layer composed of the portion 8b and the third portion 8c corresponds to the first magnetic layer in the present invention, and the upper magnetic pole layer composed of the first portion 15a, the second portion 15b, and the third portion 15c. Corresponds to the second magnetic layer in the present invention.

【0070】図7は、上述のようにして製造された本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図
では、オーバーコート層20は省略している。なお、図
7において、図中、符号8Bは、トリム構造とするため
に下部磁極層の第2の部分8bがエッチングされている
部分を表している。
FIG. 7 is a plan view of the thin-film magnetic head according to the present embodiment manufactured as described above. In this figure, the overcoat layer 20 is omitted. In FIG. 7, reference numeral 8B denotes a portion where the second portion 8b of the lower magnetic pole layer is etched to obtain a trim structure.

【0071】図7に示したように、下部磁極層の第1の
部分8aは、薄膜コイル12,18の全体に対向する面
内領域を含む領域に配置されている。従って、本実施の
形態によれば、薄膜コイルの第1層部分12の全体を、
段差のない下部磁極層の第1の部分8aの上に、絶縁膜
10を介して形成することができるので、薄膜コイルの
第1層部分12を微細に形成することができる。また、
本実施の形態では、薄膜コイルの第2層部分18も、記
録ギャップ層14の平坦な面の上に形成することができ
るので、微細に形成することができる。これらのことか
ら、本実施の形態によれば、薄膜コイル12,18のピ
ッチを小さくすることが可能となる。その結果、本実施
の形態によれば、例えば従来に比べて30%〜40%程
度、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。そのた
め、本実施の形態によれば、高周波特性の優れた薄膜磁
気ヘッドを提供することができる。また、本実施の形態
によれば、磁路長の縮小により、コイルの巻き数が同じ
でも、コイルの全長を大幅に短くすることができる。そ
の結果、コイルの厚みを、例えば、従来の2〜3μmか
ら、1〜1.5μm程度にまで薄くすることが可能とな
る。
As shown in FIG. 7, the first portion 8a of the lower magnetic pole layer is arranged in a region including an in-plane region opposed to the entire thin film coils 12, 18. Therefore, according to the present embodiment, the entire first layer portion 12 of the thin film coil is
Since the insulating layer 10 can be formed on the first portion 8a of the lower magnetic pole layer having no step, the first layer portion 12 of the thin-film coil can be formed finely. Also,
In the present embodiment, the second layer portion 18 of the thin film coil can also be formed on the flat surface of the recording gap layer 14, so that it can be formed finely. From these facts, according to the present embodiment, the pitch between the thin film coils 12 and 18 can be reduced. As a result, according to the present embodiment, for example, the magnetic path length of the recording head can be reduced by about 30% to 40% as compared with the related art. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide a thin-film magnetic head having excellent high-frequency characteristics. Further, according to the present embodiment, the overall length of the coil can be significantly reduced by reducing the magnetic path length, even if the number of turns of the coil is the same. As a result, the thickness of the coil can be reduced from, for example, the conventional 2-3 μm to about 1-1.5 μm.

【0072】ここで、図16に示した従来例と同じデザ
インルールで、本実施の形態における薄膜コイル12,
18を形成した場合の磁路長を、図6に示したようにL
1 とする。磁路長の具体的な数値の一例としては、L1
は14.5μmとなる。
Here, under the same design rules as in the conventional example shown in FIG.
18, the magnetic path length is formed as shown in FIG.
Set to 1 . As an example of a specific numerical value of the magnetic path length, L 1
Is 14.5 μm.

【0073】また、本実施の形態によれば、記録ヘッド
の磁極部分を形成する下部磁極層の第2の部分8bと上
部磁極層の第2の部分15bを、共に、平坦な面の上に
形成することができることから、これらの第2の部分8
b,15bを微細に形成することが可能となる。そのた
め、記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層の第
2の部分15bを、ハーフミクロン寸法やクォータミク
ロン寸法に形成でき、記録ヘッドのトラック幅の縮小が
可能となる。これにより、今後要求される20ギガビッ
ト/(インチ)2 〜30ギガビット/(インチ)2 の面
記録密度を有する薄膜磁気ヘッドも実現可能となる。
Further, according to the present embodiment, the second portion 8b of the lower magnetic pole layer and the second portion 15b of the upper magnetic pole layer forming the magnetic pole portion of the recording head are both placed on a flat surface. These second parts 8 can be formed
b and 15b can be formed finely. Therefore, the second portion 15b of the upper pole layer that determines the track width of the recording head can be formed to have a half-micron or quarter-micron dimension, and the track width of the recording head can be reduced. As a result, a thin-film magnetic head having a surface recording density of 20 gigabits / (inch) 2 to 30 gigabits / (inch) 2 , which will be required in the future, can be realized.

【0074】また、本実施の形態では、下部磁極層の第
2の部分8bによってスロートハイトを規定している。
この下部磁極層の第2の部分8bは、図8に示したよう
に、フォトリソグラフィを用いて広いパターンとして形
成されるので、微細に形成する必要のある上部磁極層の
磁極部分によってスロートハイトを規定する場合に比べ
て、パターンの端部の位置を正確に制御でき、その結
果、スロートハイトを正確に規定することが可能とな
る。
In this embodiment, the throat height is defined by the second portion 8b of the lower pole layer.
Since the second portion 8b of the lower magnetic pole layer is formed as a wide pattern using photolithography as shown in FIG. 8, the throat height is reduced by the magnetic pole portion of the upper magnetic pole layer which needs to be finely formed. The position of the end of the pattern can be controlled more accurately than in the case where it is defined, and as a result, the throat height can be accurately defined.

【0075】また、本実施の形態では、上部磁極層の第
1の部分15aのエアベアリング面側の端面を、薄膜磁
気ヘッドのエアベアリング面から離れた位置に配置して
いる。そのため、スロートハイトが小さい場合でも、上
部磁極層の第1の部分15aがエアベアリング面に露出
することがなく、その結果、いわゆるサイドライトが発
生せず、実効トラック幅が大きくなることを防止するこ
とができる。
In this embodiment, the end surface of the first portion 15a of the upper pole layer on the air bearing surface side is located at a position away from the air bearing surface of the thin-film magnetic head. Therefore, even when the throat height is small, the first portion 15a of the upper magnetic pole layer is not exposed to the air bearing surface, and as a result, so-called side light does not occur and the effective track width is prevented from increasing. be able to.

【0076】また、本実施の形態では、下部磁極層(8
a,8b,8c)と、薄膜コイルの第1層部分12の間
に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得られる無機系の絶縁膜
10が設けられるので、下部磁極層と第1層部分12と
の間に大きな絶縁耐圧を得ることができる。また、薄膜
コイルの第1層部分12と第2層部分18との間には、
記録ギャップ層14の他に、無機系の絶縁層13および
無機系の絶縁膜16が設けられるので、薄膜コイルの第
1層部分12と第2層部分18との間に大きな絶縁耐圧
を得ることができると共に、薄膜コイル12,18から
の磁束の漏れを低減することができる。
In this embodiment, the lower magnetic pole layer (8
a, 8b, 8c) and the first layer portion 12 of the thin-film coil, the inorganic insulating film 10 which is thin and has a sufficient withstand voltage is provided. A large withstand voltage can be obtained during the process. Also, between the first layer portion 12 and the second layer portion 18 of the thin film coil,
Since the inorganic insulating layer 13 and the inorganic insulating film 16 are provided in addition to the recording gap layer 14, a large withstand voltage can be obtained between the first layer portion 12 and the second layer portion 18 of the thin-film coil. And leakage of magnetic flux from the thin film coils 12 and 18 can be reduced.

【0077】また、本実施の形態では、図7に示したよ
うに、下部磁極層の第2の部分8bを、薄膜コイル1
2,18の周辺に広く配置しているので、薄膜コイルの
第1層部分12を形成した後の平坦化処理が容易であ
る。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the second portion 8b of the lower magnetic pole layer is
Since they are widely arranged around the peripheral portions 2 and 18, the flattening process after forming the first layer portion 12 of the thin film coil is easy.

【0078】[本発明の第2の実施の形態]まず、図8
を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図
8において、(a)はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、(b)は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。
[Second Embodiment of the Present Invention] First, FIG.
A thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIG. 8A shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, and FIG. 8B shows a cross section of the magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.

【0079】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおいて薄膜コイ
ルの第2層部分18の下側に設けられていた絶縁膜16
を除き、薄膜コイルの第2層部分18を、記録ギャップ
層14の上に直接形成したものである。本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第1の実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、絶縁膜16を
形成する工程を除いたものとなる。
The thin film magnetic head according to the present embodiment is different from the thin film magnetic head according to the first embodiment in that the insulating film 16 provided under the second layer portion 18 of the thin film coil is provided.
, Except that the second layer portion 18 of the thin film coil is formed directly on the recording gap layer 14. The method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the present embodiment is the same as the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the first embodiment except that the step of forming the insulating film 16 is omitted.

【0080】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第1の実施の形態と同様である。
The other structures, operations and effects of the present embodiment are the same as those of the first embodiment.

【0081】[本発明の第3の実施の形態]まず、図9
を参照して、本発明の第3の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図
9において、(a)はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、(b)は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。
[Third Embodiment of the Invention] First, FIG.
A thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to FIG. 9A shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, and FIG. 9B shows a cross section of the magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.

【0082】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおいて薄膜コ
イルの第2層部分18の上面が、上部磁極層の第2の部
分15bの上面と第3の部分15cの上面と同一面上に
配置されている。そして、上部磁極層の第2の部分15
bと第3の部分15cとの間における薄膜コイルの第2
層部分18の上には、この第2層部分18と上部磁極層
の第1の部分15aとを絶縁するための絶縁層31が設
けられている。この絶縁層31は、例えばフォトレジス
トによって形成される。
In the thin-film magnetic head according to the present embodiment,
In the thin-film magnetic head according to the first embodiment, the upper surface of the second layer portion 18 of the thin-film coil is arranged on the same plane as the upper surface of the second portion 15b and the upper surface of the third portion 15c of the upper pole layer. ing. And the second portion 15 of the upper pole layer.
b of the thin-film coil between the third portion 15b and the third portion 15c.
On the layer portion 18, an insulating layer 31 for insulating the second layer portion 18 from the first portion 15a of the upper pole layer is provided. This insulating layer 31 is formed of, for example, a photoresist.

【0083】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、例えばCMPによって、上部磁極層の
第2の部分15bおよび第3の部分15cが露出するま
で、絶縁層19を研磨して、表面を平坦化処理したとき
に、薄膜コイルの第2層部分18も露出させる。そし
て、その後、上部磁極層の第2の部分15bと第3の部
分15cとの間における薄膜コイルの第2層部分18の
上に、絶縁層31を形成する。
In the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present embodiment, the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the first embodiment differs from the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the first embodiment in that the second portion 15b of the upper pole layer and the third The insulating layer 19 is polished until the portion 15c is exposed, and when the surface is flattened, the second layer portion 18 of the thin film coil is also exposed. Then, thereafter, an insulating layer 31 is formed on the second layer portion 18 of the thin-film coil between the second portion 15b and the third portion 15c of the upper pole layer.

【0084】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第1の実施の形態と同様である。
Other configurations, operations, and effects of the present embodiment are the same as those of the first embodiment.

【0085】[本発明の第4の実施の形態]まず、図1
0を参照して、本発明の第4の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、
図10において、(a)はエアベアリング面に垂直な断
面を示し、(b)は磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示している。
[Fourth Embodiment of the Present Invention] First, FIG.
A thin-film magnetic head and a method of manufacturing the same according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition,
10A shows a cross section perpendicular to the air bearing surface, and FIG. 10B shows a cross section of a magnetic pole portion parallel to the air bearing surface.

【0086】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第2の実施の形態と同様に、薄膜コイルの第2層部分1
8を、記録ギャップ層14の上に直接形成し、この第2
層部分18をフォトレジスト層41によって覆ってい
る。そして、本実施の形態では、上部磁極層の第2の部
分15bおよび第3の部分15c、およびフォトレジス
ト層41の上に、上部磁極層の第1の部分15aを形成
している。
In the thin-film magnetic head according to the present embodiment,
As in the second embodiment, the second layer portion 1 of the thin-film coil
8 is formed directly on the recording gap layer 14 and the second
Layer portion 18 is covered by a photoresist layer 41. In the present embodiment, the first portion 15a of the upper pole layer is formed on the second portion 15b and the third portion 15c of the upper pole layer, and on the photoresist layer 41.

【0087】本実施の形態では、上部磁極層の第1の部
分15aが平坦な面の上に形成されないので、第1の実
施の形態における効果のうち、第1の部分15aが平坦
な面の上に形成されることによる効果はない。
In the present embodiment, since the first portion 15a of the upper pole layer is not formed on a flat surface, of the effects of the first embodiment, the first portion 15a has a flat surface. There is no effect of being formed on top.

【0088】しかし、本実施の形態によれば、CMP工
程が少ないので、製造コストを低減することができる。
However, according to the present embodiment, since the number of CMP steps is small, the manufacturing cost can be reduced.

【0089】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第1の実施の形態と同様である。
Other configurations, operations and effects of the present embodiment are the same as those of the first embodiment.

【0090】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施
の形態では、下部磁極層と上部磁極層の双方が、第1の
部分、第2の部分および第3の部分を有し、2層からな
る薄膜コイルの第1層部分12と第2層部分18の双方
が、下部磁極層または上部磁極層の第2の部分8b,1
5bと第3の部分8c,15cの間を通過するように配
置されているが、下部磁極層のみが、第1の部分、第2
の部分および第3の部分を有し、第1層部分12のみ
が、下部磁極層の第2の部分8bと第3の部分8cの間
を通過するように配置されるようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes can be made. For example, in each of the above embodiments, both the lower pole layer and the upper pole layer have the first portion, the second portion, and the third portion, and the first layer portion 12 of the two-layer thin-film coil is formed. And the second layer portion 18 are both formed by the second portion 8b, 1 of the lower pole layer or the upper pole layer.
5b and the third portion 8c, 15c, but only the lower magnetic pole layer has the first portion and the second portion.
And a third portion, and only the first layer portion 12 may be arranged so as to pass between the second portion 8b and the third portion 8c of the lower pole layer.

【0091】また、上記各実施の形態では、下部磁極層
によってスロートハイトを規定するようにしたが、上部
磁極層によってスロートハイトを規定するようにしても
よい。
In each of the above embodiments, the throat height is defined by the lower magnetic pole layer. However, the throat height may be defined by the upper magnetic pole layer.

【0092】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のMR素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
In each of the above embodiments, a thin film magnetic head having a structure in which a reading MR element is formed on the substrate side and an inductive magnetic conversion element for writing is stacked thereon has been described. The stacking order may be reversed.

【0093】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のMR素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とMR素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
That is, an inductive magnetic transducer for writing may be formed on the substrate side, and an MR element for reading may be formed thereon. In such a structure, for example, the magnetic film having the function of the upper magnetic pole layer shown in the above-described embodiment is formed on the substrate side as a lower magnetic pole layer, and the magnetic film having the above-described structure is opposed to the magnetic pole layer via a recording gap film. It can be realized by forming the magnetic film having the function of the lower magnetic pole layer shown in the embodiment as the upper magnetic pole layer. In this case, it is preferable to use the upper magnetic pole layer of the induction type magnetic transducer and the lower shield layer of the MR element together.

【0094】なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドで
は、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そし
て、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、
薄膜磁気ヘッド自体の大きさをさらに縮小化することが
できる。
In the thin-film magnetic head having such a structure, it is preferable to use a substrate having a concave portion. Then, by forming a coil portion in the concave portion of the base,
The size of the thin-film magnetic head itself can be further reduced.

【0095】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備え、この誘導型磁気変換素子によって読み取りと書
き込みを行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。
The present invention can also be applied to a thin-film magnetic head that includes only an inductive magnetic transducer and performs reading and writing with the inductive magnetic transducer.

【0096】[0096]

【発明の効果】以上説明したように請求項1ないし8の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項9ないし
16のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、薄膜コイルの全体に対向する面内領域を含む領域に
配置された第1の部分と、磁極部分を形成し、且つ第1
の部分に接続された第2の部分と、第1の部分と第2の
磁性層とを接続するための第3の部分とを有する第1の
磁性層が形成され、薄膜コイルの少なくとも一部が、第
1の部分に対向し、且つ第2の部分と第3の部分の間を
通過するように配置される。従って、この薄膜磁気ヘッ
ドまたはその薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜
コイルを、段差のない第1の磁性層の第1部分の上に形
成することが可能となることから、薄膜コイルを微細に
形成することが可能となり、その結果、記録ヘッドの磁
路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
As described above, in the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to any one of claims 1 to 8 or the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to any of claims 9 to 16, A first portion disposed in a region including an in-plane region to form a magnetic pole portion;
A first magnetic layer having a second portion connected to the portion and a third portion for connecting the first portion and the second magnetic layer is formed, and at least a part of the thin film coil is formed. Are disposed so as to face the first portion and pass between the second portion and the third portion. Therefore, according to the thin-film magnetic head or the method of manufacturing the thin-film magnetic head, the thin-film coil can be formed on the first portion of the first magnetic layer having no step. It is possible to form finely, and as a result, it is possible to reduce the magnetic path length of the recording head.

【0097】また、請求項2記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項10記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第1の磁性層の第2の部分によってスロートハイト
を規定するようにしたので、更に、スロートハイトを正
確に規定することが可能となるという効果を奏する。
According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the second aspect or the thin-film magnetic head of the tenth aspect, the throat height is defined by the second portion of the first magnetic layer. Further, there is an effect that the throat height can be accurately defined.

【0098】また、請求項4記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項12記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第2の磁性層を、薄膜コイルに対向する面内領域を
含む領域に配置された第1の部分と、磁極部分を形成
し、且つ第1の部分に接続された第2の部分と、第1の
部分と第1の磁性層とを接続するための第3の部分とを
有するように形成し、第2の磁性層における第1の部分
の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記
録媒体に対向する面から離れた位置に配置したので、更
に、実効トラック幅が大きくなることを防止することが
できるという効果を奏する。
According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the fourth aspect or the thin-film magnetic head of the twelfth aspect, the second magnetic layer is disposed in a region including an in-plane region facing the thin-film coil. A first portion, a second portion forming a magnetic pole portion and connected to the first portion, and a third portion for connecting the first portion and the first magnetic layer. And the end face of the first portion of the second magnetic layer on the side facing the recording medium is arranged at a position away from the surface of the thin-film magnetic head facing the recording medium. This has the effect of preventing the width from increasing.

【0099】また、請求項6記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項14記載の薄膜磁気ヘッドによれば、薄膜コイ
ルが、第1の磁性層における第2の部分と第3の部分の
間を通過するように配置された第1層部分と、第2の磁
性層における第2の部分と第3の部分の間を通過するよ
うに配置された第2層部分とを有するようにしたので、
更に、薄膜コイルの第1層部分および第2層部分を、共
に平坦な面の上に形成することが可能となり、その結
果、コイルのピッチを縮小して、より磁路長を縮小する
ことが可能になるという効果を奏する。
According to the thin film magnetic head of the sixth aspect or the thin film magnetic head of the fourteenth aspect, the thin film coil passes between the second portion and the third portion in the first magnetic layer. And a second layer portion disposed so as to pass between the second portion and the third portion in the second magnetic layer.
Further, both the first layer portion and the second layer portion of the thin film coil can be formed on a flat surface, so that the pitch of the coil can be reduced, and the magnetic path length can be further reduced. It has the effect that it becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining one step in a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG.

【図3】図2に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 2;

【図4】図3に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 3;

【図5】図4に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 4;

【図6】図5に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 5;

【図7】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。
FIG. 7 is a plan view of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining one step in a conventional method of manufacturing a thin-film magnetic head.

【図12】図11に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 11;

【図13】図12に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 12;

【図14】図13に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 14 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 13;

【図15】図14に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 15 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 14;

【図16】図15に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 16 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 15;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…絶縁層、3…下部シールド層、5…MR
素子、8a…下部磁極層の第1の部分、8b…下部磁極
層の第2の部分、8c…下部磁極層の第3の部分、10
…絶縁膜、12…薄膜コイルの第1層部分、14…記録
ギャップ層、15a…上部磁極層の第1の部分、15b
…上部磁極層の第2の部分、15c…上部磁極層の第3
の部分、16…絶縁膜、18…薄膜コイルの第2層部
分、20…オーバーコート層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Insulating layer, 3 ... Lower shield layer, 5 ... MR
Element, 8a: first portion of lower pole layer, 8b: second portion of lower pole layer, 8c: third portion of lower pole layer, 10
... insulating film, 12: first layer portion of thin film coil, 14: recording gap layer, 15a: first portion of upper magnetic pole layer, 15b
... second portion of upper pole layer, 15c ... third portion of upper pole layer
, 16 ... insulating film, 18 ... second layer portion of thin film coil, 20 ... overcoat layer.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部がギャップ層を介して対向する2つの磁極
部分を含み、それぞれ少なくとも1つの層からなる第1
および第2の磁性層と、この第1および第2の磁性層の
間に絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第1の磁性層は、前記薄膜コイルの全体に対向する
面内領域を含む領域に配置された第1の部分と、磁極部
分を形成し、且つ前記第1の部分に接続された第2の部
分と、前記第1の部分と前記第2の磁性層とを接続する
ための第3の部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第1の部分に
対向し、且つ前記第2の部分と第3の部分の間を通過す
るように配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
1. A first magnetic recording medium comprising two magnetic pole portions which are magnetically coupled and have a portion facing a recording medium facing a recording medium via a gap layer, each of which has at least one layer.
And a second magnetic layer, and a thin-film magnetic head including an inductive magnetic transducer having a thin-film coil disposed insulated between the first and second magnetic layers, The first magnetic layer has a first portion disposed in a region including an in-plane region opposed to the entire thin film coil, and a second portion which forms a magnetic pole portion and is connected to the first portion. And a third part for connecting the first part and the second magnetic layer. At least a part of the thin film coil faces the first part, and A thin-film magnetic head, which is disposed so as to pass between a second portion and a third portion.
【請求項2】 前記第1の磁性層の第2の部分がスロー
トハイトを規定することを特徴とする請求項1記載の薄
膜磁気ヘッド。
2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the second portion of the first magnetic layer defines a throat height.
【請求項3】 前記第2の磁性層は、前記薄膜コイルに
対向する面内領域を含む領域に配置された第1の部分
と、磁極部分を形成し、且つ前記第1の部分に接続され
た第2の部分と、前記第1の部分と前記第1の磁性層と
を接続するための第3の部分とを有することを特徴とす
る請求項1または2記載の薄膜磁気ヘッド。
3. The second magnetic layer forms a magnetic pole portion with a first portion disposed in a region including an in-plane region facing the thin-film coil, and is connected to the first portion. 3. The thin-film magnetic head according to claim 1, further comprising a second portion, and a third portion for connecting the first portion and the first magnetic layer.
【請求項4】 前記第2の磁性層における第1の部分の
記録媒体に対向する側の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録
媒体に対向する面から離れた位置に配置されていること
を特徴とする請求項3記載の薄膜磁気ヘッド。
4. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein an end surface of the first portion of the second magnetic layer facing the recording medium is located away from a surface of the thin-film magnetic head facing the recording medium. 4. The thin-film magnetic head according to claim 3, wherein:
【請求項5】 前記第2の磁性層における第2の部分の
長さは、前記第1の磁性層における第2の部分の長さ以
上であることを特徴とする請求項3または4記載の薄膜
磁気ヘッド。
5. The device according to claim 3, wherein the length of the second portion in the second magnetic layer is longer than the length of the second portion in the first magnetic layer. Thin film magnetic head.
【請求項6】 前記薄膜コイルは、前記第1の磁性層に
おける前記第2の部分と第3の部分の間を通過するよう
に配置された第1層部分と、前記第2の磁性層における
前記第2の部分と第3の部分の間を通過するように配置
された第2層部分とを有することを特徴とする請求項3
ないし5のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
6. The first thin-film coil comprises: a first layer portion disposed so as to pass between the second portion and the third portion in the first magnetic layer; 4. The method according to claim 3, further comprising a second layer portion disposed so as to pass between the second portion and the third portion.
6. The thin-film magnetic head according to any one of items 5 to 5.
【請求項7】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
に配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第
1および第2のシールド層とを備えたことを特徴とする
請求項1ないし6のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. A first and a second element for shielding the magnetoresistive element, wherein the magnetoresistive element and a part of the side facing the recording medium face each other with the magnetoresistive element interposed therebetween. 7. The thin-film magnetic head according to claim 1, further comprising: a shield layer.
【請求項8】 前記第2のシールド層は、前記第1の磁
性層を兼ねていることを特徴とする請求項7記載の薄膜
磁気ヘッド。
8. The thin-film magnetic head according to claim 7, wherein said second shield layer also serves as said first magnetic layer.
【請求項9】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部がギャップ層を介して対向する2つの磁極
部分を含み、それぞれ少なくとも1つの層からなる第1
および第2の磁性層と、この第1および第2の磁性層の
間に絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、 前記第1の磁性層を形成する工程と、 前記第1の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、 前記ギャップ層の上に前記第2の磁性層を形成する工程
と、 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の間に絶縁された
状態で配置されるように前記薄膜コイルを形成する工程
とを含み、 前記第1の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの
全体に対向する面内領域を含む領域に配置された第1の
部分と、磁極部分を形成し、且つ前記第1の部分に接続
された第2の部分と、前記第1の部分と他方の磁性層と
を接続するための第3の部分とを有するように、第1の
磁性層を形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイルの少なく
とも一部が、前記第1の部分に対向し、且つ前記第2の
部分と第3の部分の間を通過するように配置されるよう
に、薄膜コイルを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
9. A first magnetic recording medium comprising two magnetic pole portions which are magnetically coupled and which face each other on a side facing the recording medium via a gap layer, each of which includes at least one layer.
And a second magnetic layer, and a thin-film magnetic head provided with an inductive magnetic transducer having a thin-film coil insulated between the first and second magnetic layers. Forming the first magnetic layer; forming the gap layer on the first magnetic layer; forming the second magnetic layer on the gap layer; Forming the thin-film coil so as to be insulated from the first magnetic layer and the second magnetic layer. The step of forming the first magnetic layer comprises: A first portion disposed in a region including an in-plane region opposed to the entire thin film coil; a second portion forming a magnetic pole portion and connected to the first portion; and the first portion And a third portion for connecting the other magnetic layer to the first magnetic layer. Forming the conductive layer and forming the thin-film coil so that at least a part of the thin-film coil faces the first portion and passes between the second portion and the third portion. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising forming a thin-film coil so as to be arranged.
【請求項10】 前記第1の磁性層を形成する工程は、
前記第2の部分がスロートハイトを規定するように、第
1の磁性層を形成することを特徴とする請求項9記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. The step of forming the first magnetic layer,
The method according to claim 9, wherein the first magnetic layer is formed so that the second portion defines a throat height.
【請求項11】 前記第2の磁性層を形成する工程は、
前記薄膜コイルに対向する面内領域を含む領域に配置さ
れた第1の部分と、磁極部分を形成し、且つ前記第1の
部分に接続された第2の部分と、前記第1の部分と前記
第1の磁性層とを接続するための第3の部分とを有する
第2の磁性層を形成することを特徴とする請求項9また
は10記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. The step of forming the second magnetic layer,
A first portion disposed in a region including an in-plane region facing the thin-film coil; a second portion forming a magnetic pole portion and connected to the first portion; 11. The method according to claim 9, wherein a second magnetic layer having a third portion for connecting to the first magnetic layer is formed.
【請求項12】 前記第2の磁性層を形成する工程は、
前記第2の磁性層における第1の部分の記録媒体に対向
する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する
面から離れた位置に配置することを特徴とする請求項1
1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. The step of forming the second magnetic layer,
2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein an end face of the first portion of the second magnetic layer on the side facing the recording medium is separated from a surface of the thin-film magnetic head facing the recording medium.
2. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to 1.
【請求項13】 前記第2の磁性層における第2の部分
の長さを、前記第1の磁性層における第2の部分の長さ
以上とすることを特徴とする請求項11または12記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. The method according to claim 11, wherein a length of the second portion in the second magnetic layer is equal to or longer than a length of the second portion in the first magnetic layer. A method for manufacturing a thin film magnetic head.
【請求項14】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記第1の磁性層における前記第2の部分と第3の部分の
間を通過するように配置された第1層部分と、前記第2
の磁性層における前記第2の部分と第3の部分の間を通
過するように配置された第2層部分とを有する薄膜コイ
ルを形成することを特徴とする請求項11ないし13の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. The step of forming the thin-film coil includes the steps of: forming a first layer portion passing through the first magnetic layer between the second portion and the third portion;
14. A thin-film coil having a second layer portion disposed so as to pass between the second portion and the third portion in the magnetic layer described above, is formed. The manufacturing method of the thin film magnetic head according to the above.
【請求項15】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
うに配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための
第1および第2のシールド層とを形成する工程を含むこ
とを特徴とする請求項9ないし14のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
15. A first and a second element for shielding the magnetoresistive element, wherein the magnetoresistive element and a part of the side facing the recording medium face each other with the magnetoresistive element interposed therebetween. 15. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 9, further comprising the step of forming a shield layer.
【請求項16】 前記第2のシールド層は、前記第1の
磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項15記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. The method according to claim 15, wherein the second shield layer also serves as the first magnetic layer.
JP35342298A 1998-12-11 1998-12-11 Thin film magnetic head and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP3830070B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35342298A JP3830070B2 (en) 1998-12-11 1998-12-11 Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
US09/459,651 US6353995B1 (en) 1998-12-11 1999-12-13 Thin film mangetic head and method of manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35342298A JP3830070B2 (en) 1998-12-11 1998-12-11 Thin film magnetic head and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000182212A true JP2000182212A (en) 2000-06-30
JP3830070B2 JP3830070B2 (en) 2006-10-04

Family

ID=18430739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35342298A Expired - Fee Related JP3830070B2 (en) 1998-12-11 1998-12-11 Thin film magnetic head and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3830070B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6868600B2 (en) 2000-10-13 2005-03-22 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin film magnetic head

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6868600B2 (en) 2000-10-13 2005-03-22 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin film magnetic head

Also Published As

Publication number Publication date
JP3830070B2 (en) 2006-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6687096B2 (en) Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
US6353995B1 (en) Thin film mangetic head and method of manufacturing same
JP2000113412A (en) Thin film magnetic head and manufacture thereof
JP3856591B2 (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
JP3859398B2 (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
JPH11250426A (en) Composite thin film magnetic head and its manufacture
JP2001060307A (en) Thin-film magnetic head and its production
JP3522595B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3856587B2 (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
JP3522593B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3784182B2 (en) Manufacturing method of thin film magnetic head
JP3560872B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3588287B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP2001034911A (en) Thin film magnetic head and fabrication method thereof
JP3421635B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3440224B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
JP3527138B2 (en) Thin-film magnetic head and method of manufacturing the same, thin-film coil element and method of manufacturing the same
JP2001167408A (en) Thin-film magnetic head and method for manufacturing the same
JP3830070B2 (en) Thin film magnetic head and manufacturing method thereof
JP3490643B2 (en) Method for manufacturing thin-film magnetic head
JP2002008207A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method
JP2001093113A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method
JP2000293816A (en) Thin film magnetic head and its production
JP2002008208A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method
JP2004335095A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040421

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040326

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040524

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20040611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees