JP2000180517A - Test circuit of semiconductor integrated circuit - Google Patents

Test circuit of semiconductor integrated circuit

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JP2000180517A
JP2000180517A JP10375941A JP37594198A JP2000180517A JP 2000180517 A JP2000180517 A JP 2000180517A JP 10375941 A JP10375941 A JP 10375941A JP 37594198 A JP37594198 A JP 37594198A JP 2000180517 A JP2000180517 A JP 2000180517A
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JP
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test
input
circuit
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semiconductor integrated
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JP10375941A
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Hisakatsu Omotani
寿克 重谷
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately increase a test control signal without enlarging the size of a circuit by arranging a plurality of buffer cells with a different input threshold voltage where output is changed from a high level to a low one corresponding to an input voltage from a test input terminal and by generating a plurality of test control signals according to the input voltage. SOLUTION: A signal being inputted from an input terminal for test of a semiconductor integrated circuit is inputted into buffer cells 21, 22, 23, and 24 via a pad 20 inside the integrated circuit. In this case, in the buffer cells 21, 22, 23, and 24, an input threshold voltage (input VTH) where high and low levels are changed according to voltage being inputted into the input terminal is set to a different voltage value, thus making different the state of the high and low levels being outputted from the four kinds of the buffer cells according to the input voltage of the input terminal. The output becomes control signals a-e for test via decode circuits 27, 28, 29, 30, and 31 of the next stage, and only one of them is selected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
テスト回路に関し、特に、回路規模を増大させることな
く、テスト用制御信号を精度よく増加させることを図っ
た半導体集積回路のテスト回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test circuit for a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a test circuit for a semiconductor integrated circuit for accurately increasing a test control signal without increasing a circuit scale.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、集積回路装置内部に集積化された
回路に対するテスト回路として、例えば、4種類のテス
トを行う場合には、集積回路装置の外部からテスト用端
子を2本設けて2値の信号を入力し、これを集積回路装
置内部でデコードし、4種類のテスト用制御用信号を提
供して異なるテストを行なうテスト回路がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a test circuit for a circuit integrated inside an integrated circuit device, for example, when four types of tests are performed, two test terminals are provided from outside the integrated circuit device to form a binary circuit. There is a test circuit which receives a signal of the same type, decodes the signal inside the integrated circuit device, provides four types of test control signals, and performs different tests.

【0003】図3は、4種類のテストを行う場合に、2
本のテスト入力端子40,41を設け、インバータ回路
42,43およびデコード回路44,45,46,47
を経由して、4種類のテスト用制御信号a〜dを作成す
るという一般的なテスト回路である。
FIG. 3 shows that two types of tests are performed.
Test input terminals 40 and 41 are provided, and inverter circuits 42 and 43 and decode circuits 44, 45, 46 and 47 are provided.
Is a general test circuit for generating four types of test control signals a to d via the test circuit.

【0004】しかし、このテスト回路によると、テスト
入力端子3本で最大8種類のテスト、4本で最大16種
類のテストというようにテスト入力端子の数の2乗数分
しかテスト種類を設定することができず、テストの数を
増やすことにより入力端子数が大幅に増加してしまうと
いう問題がある。
However, according to this test circuit, only three squares of the number of test input terminals are required to set test types, such as three test input terminals for up to eight types of tests and four test inputs for up to sixteen types of tests. However, there is a problem that the number of input terminals is greatly increased by increasing the number of tests.

【0005】このような問題を解決する方法として、例
えば、特開平9−89995号公報に記載されているよ
うに、集積回路装置内部に抵抗とコンパレータ(比較
器)を設けて抵抗により分圧された電圧値と入力電圧を
比較する方法がある。この方法によれば、3種類以上の
テストを行う場合においてもテスト用端子数の増加を抑
えることができる。
As a method for solving such a problem, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-89995, a resistor and a comparator are provided inside an integrated circuit device and voltage is divided by the resistor. There is a method of comparing the input voltage with the input voltage value. According to this method, an increase in the number of test terminals can be suppressed even when three or more types of tests are performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
9−89995号公報に記載された方法によれば、以下
のような問題があった。 (1)制御信号の数を増加させるためには、その分、抵
抗やコンパレータなどのアナログ回路を集積回路装置内
部に増設する必要があり、そのためにチップ面積が増大
し、その結果、回路規模が増大してしまうという問題が
あった。 (2)また、温度や電源電圧あるいはプロセスなどの特
性の変動により、抵抗により分圧される電圧値が期待通
りの値にならず、その結果、所望の制御用テスト信号が
得られない可能性があるという問題、換言すれば、制御
回路の精度についての問題があった。
However, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-89995 has the following problems. (1) In order to increase the number of control signals, it is necessary to add analog circuits such as resistors and comparators inside the integrated circuit device, thereby increasing the chip area and consequently the circuit scale. There was a problem that it would increase. (2) Also, due to fluctuations in characteristics such as temperature, power supply voltage, and process, the voltage value divided by the resistor may not be as expected, and as a result, a desired control test signal may not be obtained. That is, there is a problem with the accuracy of the control circuit.

【0007】従って、本発明の目的は、回路規模を増大
させることなく、テスト用制御信号を精度よく増加させ
ることができる半導体集積回路のテスト回路を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a test circuit for a semiconductor integrated circuit which can increase the number of test control signals accurately without increasing the circuit scale.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、半導体集積回路の外部にテスト用端子
を設け、テスト用入力端子から信号を入力し、信号を半
導体集積回路内部でデコードしてテスト用制御信号を生
成し、テスト用制御信号により異なる種類のテストを行
なう半導体集積回路のテスト回路において、テスト用入
力端子からの入力電圧に応じて出力がハイ/ローに切り
替わる入力スレッショールド電圧の異なるバッファセル
を複数配置し、入力電圧に応じて複数のテスト用制御信
号を生成させることを特徴とする半導体集積回路のテス
ト回路を提供するものである。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a test terminal is provided outside a semiconductor integrated circuit, a signal is input from a test input terminal, and a signal is input into the semiconductor integrated circuit. In the test circuit of a semiconductor integrated circuit, which generates a test control signal by decoding with a test control signal and performs different types of tests based on the test control signal, an input whose output switches between high and low in accordance with an input voltage from a test input terminal It is an object of the present invention to provide a test circuit for a semiconductor integrated circuit, in which a plurality of buffer cells having different threshold voltages are arranged and a plurality of test control signals are generated according to an input voltage.

【0009】以上の構成において、バッファセルの数を
n個(nは自然数)増加することが望ましく、テスト用
入力端子の数をn個(nは自然数)増加することが望ま
しい。
In the above configuration, it is desirable to increase the number of buffer cells by n (n is a natural number), and it is desirable to increase the number of test input terminals by n (n is a natural number).

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を詳細に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described in detail.

【0011】図1は、本発明の実施の形態による半導体
集積回路のテスト回路を示す図である。このテスト回路
は、パッド20と、パッド20を経由して半導体集積回
路のテスト用入力端子から入力された信号を入力する4
種類のバッファセル21,22,23,24と、Pチャ
ネルトランジスタ25と、Nチャネルトランジスタ26
と、バッファ1ル21,22,23,24の5通りの出
力をデコードするデコード回路27,28,29,3
0,31と、から構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. This test circuit inputs a signal input from a pad 20 and a test input terminal of the semiconductor integrated circuit via the pad 20.
Types of buffer cells 21, 22, 23, 24, a P-channel transistor 25, and an N-channel transistor 26
And decode circuits 27, 28, 29, and 3 for decoding the five outputs of buffers 21, 22, 23, and 24, respectively.
0, 31.

【0012】以上の構成を有する半導体集積回路のテス
ト回路におけるテスト動作について図1および図2を参
照しながら説明する。図1では、1本の入力端子から4
種類のテスト用制御信号を作り出す例を示している。ま
ず、半導体集積回路のテスト用入力端子から入力された
信号は集積回路内部のパッド20を経由して4種類のバ
ッファセル21,22,23,24に入力される。ここ
で、バッファセル21,22,23,24には、入力端
子に入力される電圧によってハイ・ローが切り替わる入
力スレッショールド電圧(以下、入力VTHという)が
それぞれ異なる電圧値に設定されている。そのため、入
力端子の入力電圧に応じて、4種類のバッファセルから
出力されるハイ・ローの状態が異なってくる。
A test operation in the test circuit of the semiconductor integrated circuit having the above configuration will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, four signals are input from one input terminal.
The example which produces | generates the test control signal of a kind is shown. First, a signal input from a test input terminal of a semiconductor integrated circuit is input to four types of buffer cells 21, 22, 23, and 24 via a pad 20 inside the integrated circuit. Here, in the buffer cells 21, 22, 23, and 24, input threshold voltages (hereinafter, referred to as input VTH) at which high and low are switched according to the voltage input to the input terminal are set to different voltage values. . Therefore, the high / low states output from the four types of buffer cells differ according to the input voltage of the input terminal.

【0013】これを具体例をあげて説明する。例えば、
半導体集積回路の電源電圧を5Vとし、バッファセル2
1,22,23,24の入力VTHをそれぞれ3.0
V,2.5V,2.0V,1.5Vに設定したとする。
そして、入力端子に入力される電圧が3.3V,2.8
V,2.3V,1.8V,0Vに設定された場合、バッ
ファセル21,22,23,24の出力状態は図2に示
すように5通り発生することになる。この出力が次段の
デコード回路27,28,29,30,31を経由して
テスト用制御信号a〜eとなり、このうちいずれかひと
つだけが選択される。
This will be described with a specific example. For example,
The power supply voltage of the semiconductor integrated circuit is set to 5 V, and the buffer cell 2
Input VTHs of 1, 22, 23, and 24 are set to 3.0, respectively.
It is assumed that V, 2.5 V, 2.0 V, and 1.5 V are set.
Then, the voltage input to the input terminal is 3.3 V, 2.8.
When V, 2.3 V, 1.8 V, and 0 V are set, five output states of the buffer cells 21, 22, 23, and 24 occur as shown in FIG. This output becomes the test control signals a to e via the decoding circuits 27, 28, 29, 30, 31 of the next stage, and only one of them is selected.

【0014】このとき、例えば、0Vを入力したときに
選択される制御信号eを実使用モードの信号に割り当て
ておけば、残りの4種類の制御信号をテストモード用の
信号として使用できることになる。
At this time, for example, if the control signal e selected when 0 V is input is assigned to the signal in the actual use mode, the remaining four types of control signals can be used as the signals for the test mode. .

【0015】ここで、入力VTHの異なるバッファセル
であるが、これはインバータ回路を2段接続することで
構成される。そして、初段のインバータ回路のPチャネ
ルとNチャネルのチャネル幅(W)の比を調整すること
により、入力VTHを操作することが可能になる。一般
には、電源電圧が5Vのとき、入力端子につながるバッ
ファセルの入力VTHは、TTL(Transistor Transis
tor Logic )インターフェースの場合で1.4V、CM
OS(Complementary MOS )インターフェースの場合で
2.5Vに設定されている。
Here, the buffer cells having different inputs VTH are formed by connecting two stages of inverter circuits. The input VTH can be operated by adjusting the ratio of the channel width (W) between the P channel and the N channel of the first-stage inverter circuit. Generally, when the power supply voltage is 5 V, the input VTH of the buffer cell connected to the input terminal is TTL (Transistor Transistor Transistor).
tor Logic) 1.4V for interface, CM
The voltage is set to 2.5 V in the case of an OS (Complementary MOS) interface.

【0016】この入力VTHは、抵抗やコンパレータな
どのアナログ回路に比べて電源電圧や温度やプロセスな
どの特性の変動を受ける影響が小さい。従って、テスト
制御回路を精度よく実現することが可能であり、その結
果、バッファセルの数を増やすことに応じて制御信号の
種類を増加させることが容易に可能となる。
The input VTH is less affected by fluctuations in characteristics such as power supply voltage, temperature, and process than analog circuits such as resistors and comparators. Therefore, the test control circuit can be realized with high accuracy, and as a result, it is possible to easily increase the types of control signals as the number of buffer cells increases.

【0017】また、図1において、Pチャネルトランジ
スタ25,Nチャネルトランジスタ26は入力セル回路
の保護トランジスタであり、ともにダイオードを構成し
ている。保護トランジスタは通常、半導体集積回路のサ
ージ耐圧を保証するために入出力部に配置されることが
必須となるものであるが、入力セル回路の場合、この保
護トランジスタがもっとも大きなサイズを占めることに
なる。
In FIG. 1, a P-channel transistor 25 and an N-channel transistor 26 are protection transistors of an input cell circuit, and both constitute a diode. Normally, it is essential that the protection transistor be arranged in the input / output section in order to guarantee the surge withstand voltage of the semiconductor integrated circuit. However, in the case of the input cell circuit, this protection transistor occupies the largest size. Become.

【0018】そのため、図1に示すような4種類のバッ
ファセル21,22,23,24を入力セル回路内部に
配置しても通常の1種類のバッファセルしか配置されて
いない入力セルと殆ど変わらないサイズの入力セルを実
現することができる。即ち、テスト用制御信号の数を増
加しても半導体集積回路のチップサイズをそれ程大きく
することなく実現することが可能になる。
Therefore, even if the four types of buffer cells 21, 22, 23, and 24 shown in FIG. 1 are arranged inside the input cell circuit, it is almost the same as an ordinary input cell in which only one type of buffer cell is arranged. Input cells of no size can be realized. That is, even if the number of test control signals is increased, it can be realized without increasing the chip size of the semiconductor integrated circuit.

【0019】更に、本発明ではテスト用入力端子の数を
増加させることに応じてテスト用制御信号の数を指数級
数的に増加させることが可能になる。例えば、1本の入
力端子に図1に示すような4種類のバッファセル21,
22,23,24が接続されている入力セルを用いる場
合、上述したようにセル1個で5通りのテストが実現で
きるため、2個用いた場合は、各5通り出力されるテス
ト用制御信号の次段にさらにデコード回路(図示せず)
を追加して、5×5=25通りのテスト用制御信号を生
成することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to increase the number of test control signals in an exponential series as the number of test input terminals is increased. For example, four types of buffer cells 21 as shown in FIG.
When the input cells to which the cells 22, 23, and 24 are connected are used, five types of tests can be realized with one cell as described above. Therefore, when two cells are used, five types of test control signals are output. Decoding circuit (not shown) next to
Can be added to generate 5 × 5 = 25 test control signals.

【0020】同様の方法で、3個用いた場合は、25×
5=125通りのテストを実現できることになる。これ
はとりもなおさず、テスト入力端子2本で25通り、3
本で125通りのテストが可能になるということであ
る。しかも、上述したように、入力セル回路は通常の回
路とほとんど同じサイズで実現可能であるため、テスト
用入力端子の数を増やしても半導体集積回路のチップサ
イズに与える影響は非常に小さい。
In the same manner, when three are used, 25 ×
5 = 125 tests can be realized. Again, this is 25 test patterns with 2 test input terminals, 3
This means that 125 different tests are possible with a book. Moreover, as described above, since the input cell circuit can be realized with almost the same size as a normal circuit, increasing the number of test input terminals has a very small effect on the chip size of the semiconductor integrated circuit.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の半導体集
積回路のテスト回路によれば、テスト用入力端子からの
入力電圧に応じて出力がハイ/ローに切り替わる入力ス
レッショールド電圧の異なるバッファセルを複数配置
し、入力電圧に応じて複数のテスト用制御信号を生成さ
せるようにしたので、回路規模を増大させることなく、
テスト用制御信号を精度よく増加させることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit test circuit of the present invention, the buffer cells having different input threshold voltages whose output switches between high and low in accordance with the input voltage from the test input terminal. Are arranged, and a plurality of test control signals are generated according to the input voltage. Therefore, without increasing the circuit scale,
The test control signal can be increased with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態による半導体集積回路のテ
スト回路の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a test circuit of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】バッファセルの出力状態を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an output state of a buffer cell.

【図3】従来の半導体集積回路のテスト回路の構成を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a test circuit of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 パッド 21 バッファセル 22 バッファセル 23 バッファセル 24 バッファセル 25 Pチャネルトランジスタ 26 Nチャネルトランジスタ 27 デコード回路 28 デコード回路 29 デコード回路 30 デコード回路 31 デコード回路 Reference Signs 20 pad 21 buffer cell 22 buffer cell 23 buffer cell 24 buffer cell 25 p-channel transistor 26 n-channel transistor 27 decoding circuit 28 decoding circuit 29 decoding circuit 30 decoding circuit 31 decoding circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路の外部にテスト用端子を
設け、前記テスト用入力端子から信号を入力し、前記信
号を半導体集積回路内部でデコードしてテスト用制御信
号を生成し、前記テスト用制御信号により異なる種類の
テストを行なう半導体集積回路のテスト回路において、 前記テスト用入力端子からの入力電圧に応じて出力がハ
イ/ローに切り替わる入力スレッショールド電圧の異な
るバッファセルを複数配置し、前記入力電圧に応じて複
数のテスト用制御信号を生成させることを特徴とする半
導体集積回路のテスト回路。
A test terminal is provided outside a semiconductor integrated circuit, a signal is input from the test input terminal, and the signal is decoded inside the semiconductor integrated circuit to generate a test control signal. In a test circuit of a semiconductor integrated circuit for performing different types of tests according to a control signal, a plurality of buffer cells having different input threshold voltages whose output switches between high and low in accordance with an input voltage from the test input terminal are arranged. A test circuit for a semiconductor integrated circuit, wherein a plurality of test control signals are generated according to the input voltage.
【請求項2】 前記半導体集積回路のテスト回路におい
て、前記バッファセルの数をn個(nは自然数)増加す
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路の
テスト回路。
2. The test circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein in the test circuit for the semiconductor integrated circuit, the number of the buffer cells is increased by n (n is a natural number).
【請求項3】 前記半導体集積回路のテスト回路におい
て、前記テスト用入力端子の数をn個(nは自然数)増
加することを特徴とする請求項1または2に記載の半導
体集積回路のテスト回路。
3. The test circuit according to claim 1, wherein the number of the test input terminals is increased by n (n is a natural number) in the test circuit of the semiconductor integrated circuit. .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008309696A (en) * 2007-06-15 2008-12-25 Denso Corp Semiconductor integrated device

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