JP2000172804A - Icカードとicカードのデータ更新方法 - Google Patents
Icカードとicカードのデータ更新方法Info
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Abstract
に汎用的なアトミシティ管理を行う。 【解決手段】プログラム201からプログラム実行環境
部202へ要求された処理がデータの読み出しの場合、
プログラム実行環境部202は、読み出したいデ一タの
アドレス及びデータ長を指定して、コミットバッファ管
理部203へデータ読み出しを依頼し、コミットバッフ
ァ管理部203では、まずコミットバッファ204から
のデータの読み出しを試行し、次にパーシステントデー
タストレジ205からの読み出しを試行し、読み出した
値をプログラム実行環境部202に返却し、プログラム
実行環境部202は、読み出した値をプログラム201
に返却する。
Description
などのネットワーク上でプログラムを実行するための環
境を組み込んでアプリケーションのロード機能を有する
ICカードとICカードのデータ更新方法に関する。
ータの読み書きはすべてCOS(CardOperating Syste
m)に任されていた。COSはデータの構造が既知であ
るので、データ更新のアトミシティ(原子性:中間段が
ない状態、途中状態がない)は、データ構造を生かして
COS固有に実現可能であった。
上でプログラムを実行するための環境(Java)が登
場し、折りからのインターネットブームに乗って急速に
普及している。そこで、この環境を組み込んだICカー
ドの開発が進められている。
アプリケーション自体がデータを直接読み書きでき、そ
のデータ更新のアトミシティが保証されることが望まれ
る。合わせて、ブロックトランザクション機能が要求さ
れている。COSは、アプリケーションのデータ構造を
知ることができないため、アプリケーションによるデー
タ更新のアトミシティはデータ構造に依存しない汎用的
なものでなければならない。
ロックトランザクション機能の実装が要求されている。
更に、ブロックトランザクション以外でも、1バイト、
2バイト、4バイト、nバイトのデータ更新のアトミシ
ティが要求されている。
供するために、コミットバッファという概念が提唱され
ている。一般にコミットバッファはEEPROM等のパ
ーシステントなメモリ空間に取られるが、EEPROM
には書き込み耐用件数が限られ、書き込みに時間がかか
っている。
ターネットなどのネットワーク上でプログラムを実行す
るための環境を組み込んだICカードにおいて、アプリ
ケーション自体がデータを直接読み書きでき、そのデー
タ更新のアトミシティが保証されることが望まれ、ブロ
ックトランザクション機能が要求され、アプリケーショ
ンによるデータ更新のアトミシティはデータ構造に依存
しない汎用的なものでなければならず、データ更新のア
トミシティが要求され、さらにブロックトランザクショ
ン機能を提供するためにEEPROM(不揮発性メモ
リ)には書き込み耐用件数が限られ、書き込みに時間が
かかるという問題があった。
書き込みを少なくすると共に汎用的なアトミシティ管理
を行うことのできるICカードとICカードのデータ更
新方法を提供することを目的とする。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードにおいて、上記不揮発性メモリにバッフ
ァ領域を設定する設定手段と、この設定手段で設定され
たバッファ領域を用いた要求通信から応答通信までの間
で連鎖処理を行う処理手段とから構成されている。
不揮発性メモリとを有し、この不揮発性メモリにアプリ
ケーションがロードされる機能を有したICカードにお
いて、上記不揮発性メモリにバッファ領域を設定する設
定手段と、この設定手段で設定されたバッファ領域を所
定量に分割し、この分割された領域を循環して使用する
制御を行う制御手段とから構成されている。
不揮発性メモリとを有し、この不揮発性メモリにアプリ
ケーションがロードされる機能を有したICカードにお
いて、上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ
領域を設定する設定手段と、この設定手段で設定された
上記不揮発性メモリのバッファ領域を用いたデータ更新
動作に、必要に応じて上記揮発性メモリのバッファ領域
を反映させて制御する制御手段とから構成されている。
不揮発性メモリとを有し、この不揮発性メモリにアプリ
ケーションがロードされる機能を有したICカードにお
いて、上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ
領域を設定する設定手段と、この設定手段で設定された
バッファ領域に識別情報を付与し、この識別情報を用い
てバッファ領域の使用領域を循環させる制御を行う制御
手段とから構成されている。
不揮発性メモリとを有し、この不揮発性メモリにアプリ
ケーションがロードされる機能を有したICカードにお
いて、上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ
領域を設定する設定手段と、この設定手段で設定された
バッファ領域で使用する1構成単位を複数の領域に分割
して制御する制御手段とから構成されている。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードのデータ更新方法であって、上記不揮発
性メモリにバッファ領域を設け、このバッファ領域を用
いた要求通信から応答通信までの間で連鎖処理を行うこ
とを特徴とする。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードのデータ更新方法であって、上記不揮発
性メモリにバッファ領域を設け、このバッファ領域を所
定量に分割し、この分割された領域を循環して使用する
ことを特徴とする。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードのデータ更新方法であって、上記不揮発
性メモリだけでなく上記揮発性メモリにもバッファ領域
を設け、必要に応じて上記不揮発性メモリのバッファ領
域を用いたデータ更新動作に上記揮発性メモリのバッフ
ァ領域を反映させるようにしたことを特徴とする。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードのデータ更新方法であって、上記揮発性
メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を設け、この
バッファ領域に識別情報を付与し、この識別情報を用い
てバッファ領域の使用領域を循環させることを特徴とす
る。
は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを有し、この不揮
発性メモリにアプリケーションがロードされる機能を有
したICカードのデータ更新方法であって、上記揮発性
メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を設け、この
バッファ領域が使用される1構成単位が複数の領域に分
割されていることを特徴とする。
ついて図面を参照して説明する。
示している。
とICカード12とにより構成される。端末装置11
は、演算および人間からの入力を司る演算装置111
と、ICカード12との入出力を司るリーダライタ11
2が結線113により接続されている。
セッサを持ち、また人間系を含む外部よりの入力手段を
持っている。ICカード12への要求と、結果ステータ
スの処理をここで行う。
り要求を受け、その要求をカード挿入口120に挿入さ
れているICカード12へと発行する。同様にICカー
ド12からのステータスを受け取り、その結果を演算装
置111へと報告する。
に、外部との接点となるコンタクト20、および演算、
制御を行うプロセッサ21、一時データを配置するため
の揮発性メモリ(RAM)22、永続的にデータを保存
するための不揮発性メモリ(EEPROM)23、プロ
セッサ21を補佐するコプロセッサ24、カードオペレ
ーティングシステム(COS)やアプリケーションのロ
ード/インストールの実行を行うカードドメインやアプ
リケーションのバイトコードをインタープリタするバー
チャルマシンが搭載されているROM25を持つ。また
コンタクト20を通じてリーダライタ112と通信を行
う。上記不揮発性メモリ23としては、フラッシュメモ
リ、FRAM等を用いても良い。
ドされるアプリケーションをICカード12用のデータ
に変換するカードアプレットCAPを有している。
のメモリ、揮発性メモリ22と不揮発性メモリ23が管
理される。また、特に負荷の生じる演算を行うためのコ
プロセッサ24を持つこともあり、これはプロセッサ2
1の指示のもと演算を行う。
り入力され、一般にRAM22内に格納される。ここで
受信されたデータは、プロセッサ21により解析され、
処理される。ここで、保存が必要なデータはプロセッサ
21の指示のもとEEPROM23に書き込まれ、特殊
な演算が可能なものはコプロセッサ24へと処理の指示
が送られる。また、RAM22では格納しきれない大き
なデータなどが一時的に、EEPROM23の別領域に
書き込まれることがある。
すように、カードID等が記録されるシステム領域3
1、領域チェック用のBCC領域32、コミットバッフ
ァ領域としてのCB領域33、スロットを管理するスロ
ット管理テーブル34aやアプリケーション間の許可状
態を示す共有テーブル34bが記録されるカードデータ
領域34、複数スロットからなり各スロットごとにアプ
リケーションが記録できるユーザアプリケーション領域
35により構成されている。BCC領域32は、カード
データ領域34、ユーザアプリケーション領域35の正
しさをチェックするための領域である。
えば、図4に示すように、#0〜#7の8つのスロット
により構成されており、各スロット単位で、ユーザアプ
リケーションが記録されるようになっている。
クトランザクション内外におけるアトミシティ管埋機能
について説明する。
を受信後に自動的にトランザクションを開始する(10
1) また、端末装置11にR−APDUを送信する前に自動
的にトランザクションを終了する(105)。
ン(処理)状態にある。
である。
した時点(102) ユーザがブロックトランザクションを終了した時点(1
03) コミットバッファが次のデータ更新を行うとオーバーフ
ローすることを検出した時点(104) ユーザがコールしたメソッドが、コミットバッファの反
映を必要とするものであった時点(104) 図6は、データの読み込み、書き込み手順を示すもので
ある。すなわち、プログラム201を読み出し、プロセ
ッサ21のプログラム実行環境部202で実行し、コミ
ットバッファ管理部203でコミットバッファ204を
管理してパーシステントデータストレジ205に読み込
み、書き込みを行う。なお、コミットバッファは、詳し
くは後述するが、EEPROM23のほかにRAM22
にも設けられる。
ータ読み出し手順の概要を説明する。
部202へ要求された処理がデータの読み出しの場合、
プログラム実行環境部202は、コミットバッファ管理
部203へデ一タ読み出しを依頼する。プログラム実行
環境部202は、読み出したいデ一タのアドレス及びデ
ータ長を指定して、コミットバッファ管理部203へデ
ータ読み出しを依頼する。
コミットバッファ204からのデータの読み出しを試行
し、次にパーシステントデータストレジ205からの読
み出しを試行する。コミットバッファ管理部203は、
読み出した値をプログラム実行環境部202に返却す
る。プログラム実行環境部202は、読み出した値をプ
ログラム201に返却する。
ータ書き込み手順の概要を説明する。
部202へ要求された処理がデ一タの書き込みの場合、
プログラム実行環境部202は、コミットバッファ管理
部203へデータ書き込みを依頼する。プログラム実行
環境部202は、書き込みたいデータのアドレス、値、
及びデータ長を指定して、コミットバッファ管理部20
3へ書き込みを依頼する。
コミットバッファ204からデータの書き込みを試行
し、次にパーシステントストレジ205からデータの書
き込みを試行する。
ム201から要求されたデ一タ読み込み及び書き込みが
何バイトであるかを知ることができる。プログラム実行
環境部202は、データ更新を行う際、コミットバッフ
ァ管埋部203へ更新したいデ一タ数を通知する。コミ
ットバッファ管理部203は、コミットバッファ204
がオーバーフローするならば、同期点処理を行う。
き込み動作を図7のフローチャートを参照して説明す
る。
受けた際(ST1)、nバイト(Byte)書き込みがコミ
ットバッファ204に入るかを確認し(ST2)、入ら
ない場合、ブロックトランザクション中かを確認する
(ST3)。ブロックトランザクション中でなければR
AM22にコミット情報を残し(ST4)、コミットバ
ッファ204のデータをパーシステントストレジ205
に反映し(ST5)、コミットバッファ204にnバイ
ト(Byte)のデータを書き込む(ST6)。
e)書き込みがコミットバッファ204に入る場合は、
ステップST6に進んでコミットバッファ204にnバ
イト(Byte)のデータを書き込む(ST6)。
ザクション中であれば、RAM22にアボート情報を残
して終了する(ST7)。
み込み動作を図7のフローチャートを参照して説明す
る。
を確認し(ST11)、アボート情報がない場合は、コ
ミットバッファ204に指定アドレスのデータ(AI)
が存在するかを確認し(ST12)、指定アドレスのデ
ータ(AI)が存在しない場合はパーシステントデータ
ストレジ205から値を読み込む(ST13)。
(RAM)22にアボート情報がある場合は、ステップ
ST13に進んでパーシステントデータストレジ205
から値を読み込む(ST13)。
ァ204に指定アドレスのデータが存在する場合、コミ
ットバッファ204から値を読み込む(ST14)。
ファ204の制御について説明する。コミットバッファ
204には、図9に示すRAM22上のコミットバッフ
ァ300と図10に示すEEPROM23上のコミット
バッファ400が存在する。
00は、TID領域301と、アドレス情報領域302
と、アフターイメージ(A1と略す)領域303と、B
CC(バイトチェック)領域304からなる。アドレス
情報領域302とA1領域303は組みになっていて、
RAM22上のコミットバッファ300はそれらのn組
から構成されている。現在までに登録されている組の数
は、RAM22上のCBRカウンタ305に保存されて
いる。
ッファ400は、RAM22上のコミットバッファ30
0と同じ構造をもつm個の短編から構成されている。E
EPROM23上のコミットバッファ400は、その先
頭であるCB_TOP401から、その終端であるCB_
BTM404の区間に存在する。CB_STA403は
現在のトランザクションにおけるEEPROM22上の
コミットバッファ204の開始位置を、CB_END4
02は現在のトランザクションにおけるEEPROM2
2上のコミットバッファ204の次回開始位置を示す。
403からCB_END402で囲まれる領域である。
RAM22上のコミットバッファ300は、EEPRO
M23上のコミットバッファ400に追記する方式で書
かれていく。RAM22上のコミットバッファ300
は、長さがEEPROM23上のコミットバッファ40
0の1頁となるように設計されている。現トランザクシ
ョンに関するコミットバッファ400は、CB_TOP
401からCB_BTM404の間で循環するように使
われ、CB_STA403及びCB_END402も、C
B_TOP401からCB_BTM404の間で循環す
る。
のデ一タ読み込みについて詳述する。
順でデータ値を得る。1.RAM22上のコミットバッ
ファ300に指定アドレスのデータがあるかを調べ、存
在したならばそのA1を返却する。2.EEPROM2
3上のコミットバッファ400に指定アドレスのデータ
があるかを調べ、存在したならばそのA1を返却する。
3.EEPROM23上の指定アドレスのデータを返却
する。
スへのデータ書き込みについて詳述する。
順でデータを書き込む。 1.更新情報をRAM22上のコミットバッファ300
に反映する。 2.RAM22上のコミットバッファ300がオーバー
フローするならば、RAM22上のコミットバッファ3
00をEEPROM23上のコミットバッファ400に
反映する。 3.EEPROM23上のコミットバッファ400がオ
ーバーフローするならば、EEPROM23上のコミッ
トバッファ400をパーシステントデータストレジ20
5へ反映する。
求された場合や、アトミックなデータ更新が要求された
場合には、上記1〜3の処理がオーバーフローと関係な
く行われる。
出について説明する。
おけるコミットバッファの終端フラグとなっている。E
EPROM23上のコミットバッファ400は、ROM
22上のコミットバッファ300の形式でm頁分あり、
循環形式で使用する。RAM22上のコミットバッファ
300がオーバーフローした場合は、EEPROM23
上のCB_END402の示す頁に書き込まれ、CB_E
ND402は次の頁を指すように更新される。
2)までが、現在のコミットバッファ上のデータであ
る。なお、上記かぎかっこ「[」は、「以上、以下」の意
味を示し、上記まるかっこ「)」は、「未満」の意味を
示している。
ト終端フラグが立った頁が書き込まれ、TIDが+1さ
れる。TIDはEEPROM23上のコミットバッファ
頁数よりも十分大きな値でもって循環するものとする。
合、次回の1Cカード12が起動された時点でEEPR
OM23上のコミットバッファ400の検査が行われ
る。EEPROM23上のコミットバッファ400のT
ID301の終端フラグが立っている頁の検索が行われ
る。その頁の次の頁のTIDが該当T1DのT1D+1
でない場合、コミットバッファ管理部203は、EEP
ROM23に未反映かもしれない有効なコミットバッフ
ァが存在すると判断する。そして該当TIDを持つEE
PROMコミットバッファ204を実EEPROM20
5へ反映(ロールフォワード)させる。有効なコミット
バッファが存在しない場合、実EEPROM205への
反映は行われない(ロールバックする)。
バッファ管理部203は、無効と判断されるような頁を
EEPROM23のコミットバッファ400に書き込
む。これにより、カード起動時に無駄なロールフォワー
ドが発生しないようになる。
の処理方法は、EEPROM23への書き込みが少な
く、また平均的にEEPROMコミットバッファが使わ
れるようになる。
うな構造とすることにより、ストリングサーチが早くで
きるCPUの場合、指定アドレスのデ一タの位置検索の
ためのアドレス302の走査がすばやくできる構造にな
る。
00をEEPROM23上のコミットバッファ400に
書き込む動作を図11のフローチャートを参照して説明
する。
AM22上にアボート情報があるかを確認し(ST2
1)、ある場合は終了する。ない場合は、RAM22上
のコミットバッファ300を、EEPROM23上のコ
ミットバッファ400に書き込むタイミングかを確認し
(ST22)、書き込むタイミングであれば、EEPR
OM23上のコミットバッファ400をパーシステント
ストレジ205に書き込むタイミングかを確認し(ST
23)、書き込むタイミングであれば、TID301の
コミットバッファ終端フラグをたてる(ST24)。
EEPROM23上のコミットバッファ400のCB_
END402からの領域に書き込む(ST25)。
00のCB_STA403〜CB_END402データを
パーシステントストレジ205に書き込む(ST2
6)。
402の値とする(ST27)。そして、CB_END
402をシフトさせ、CB_END402がCB_BTM
404に達した場合、CB_END402はCB_TOP
401の位置として終了する(ST28)。
ングでない場合、RAM22上のコミットバッファ30
0にアドレス302とAI303を追加して終了する
(ST29)。
ングでない場合、RAM22上のコミットバッファ30
0をEEPROM23上のコミットバッファ400のC
B_END402からの領域に書き込む(ST30)。
そして、CB_END402をシフトさせ、CB_END
402がCB_BTM404に達した場合、CB_END
402はCB_TOP401の位置として終了する(S
T31)。
2上のコミットバッファ300をEEPROM23上の
コミットバッファ400に書き込むタイミングとは、R
AM22上のコミットバッファ300が次の書き込みで
オーバーフローする場合、もしくはブロックトランザク
ションの開始前後の場合である。
OM23上のコミットバッファ400をパーシステント
ストレジ205に書き込むタイミングとは、EEPRO
M23上のコミットバッファ400が次の書き込みでオ
ーバーフローする場合、もしくはブロックトランザクシ
ョンの開始前後の場合である。
バッファを検索する動作を図12のフローチャートを参
照して説明する。
404までの間で、TID301のコミット終端フラグ
を検索し(ST41)、ループ中であればCB_END
404値を現在の短冊の位置とし(ST42)、EEPR
OM23上のコミットバッファ400にて、TID30
1のコミット終端フラグが立っているか確認し(ST4
3)、コミット終端フラグが立っていない場合はステッ
プST41へ戻り、コミット終端フラグが立っている場
合はEEPROM23上のコミットバッファ400にて
次のTIDを取り出し、それが予定された値(現TID
値+1)以外かを確認し(ST44)、予定された値で
あればステップST41へ戻り、予定された値以外であ
れば同じTIDをもつ短冊をCB_END404からA
I走査方向へ調べる(ST45)。
をCB_STA403とする(ST46)。そして、E
EPROM23上のコミットバッファ400をパーシス
テントストレジ205に反映する(ST47)。
ト終端フラグを検索してループ終了ならば、CB_ST
A403値をCB_END402位置とする(ST4
8)。
8の後、終了してC−APDU受信状態へ進む。
によれば、機器の動作中のデータ更新のアトミシティが
常に保証される。
均化されるため、パーシステントなデータストレジの書
き込み耐用件数を少なくすることができる。
コミットバッファの1頁の容量効率が上がり、書き込み
耐用件数及び書き込み回数を低減させることができる。
トバッファ頁群から、有効なコミットバッファを検出で
きる上に、パーシステントストレジの特定領域への書き
込みの大量発生を防ぐことができる。
ライ時間が早くなり、特にノーヒットだった場合に著し
く速度が向上し、また、ヒットした場合にも速度が向上
する。
不揮発性メモリへの書き込みを少なくすると共に汎用的
なアトミシティ管理を行うことのできるICカードとI
Cカードのデータ更新方法を提供することができる。
概略構成を示す図。
シティ管埋機能を説明するための図。
するためのフローチャート。
するためのフローチャート。
図。
上のコミットバッファに書き込む動作を説明するための
フローチャート。
を検索する動作を説明するためのフローチャート。
Claims (10)
- 【請求項1】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードにおいて、 上記不揮発性メモリにバッファ領域を設定する設定手段
と、 この設定手段で設定されたバッファ領域を用いた要求通
信から応答通信までの間で連鎖処理を行う処理手段と、 を具備したことを特徴とするICカード。 - 【請求項2】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードにおいて、 上記不揮発性メモリにバッファ領域を設定する設定手段
と、 この設定手段で設定されたバッファ領域を所定量に分割
し、この分割された領域を循環して使用する制御を行う
制御手段と、 を具備したことを特徴とするICカード。 - 【請求項3】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードにおいて、 上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を
設定する設定手段と、 この設定手段で設定された上記不揮発性メモリのバッフ
ァ領域を用いたデータ更新動作に、必要に応じて上記揮
発性メモリのバッファ領域を反映させて制御する制御手
段と、 を具備したことを特徴とするICカード。 - 【請求項4】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードにおいて、 上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を
設定する設定手段と、 この設定手段で設定されたバッファ領域に識別情報を付
与し、この識別情報を用いてバッファ領域の使用領域を
循環させる制御を行う制御手段と、 を具備したことを特徴とするICカード。 - 【請求項5】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードにおいて、 上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を
設定する設定手段と、 この設定手段で設定されたバッファ領域で使用する1構
成単位を複数の領域に分割して制御する制御手段と、 を具備したことを特徴とするICカード。 - 【請求項6】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードのデータ更新方法であっ
て、 上記不揮発性メモリにバッファ領域を設け、このバッフ
ァ領域を用いた要求通信から応答通信までの間で連鎖処
理を行うことを特徴とするICカードのデータ更新方
法。 - 【請求項7】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードのデータ更新方法であっ
て、 上記不揮発性メモリにバッファ領域を設け、このバッフ
ァ領域を所定量に分割し、この分割された領域を循環し
て使用することを特徴とするICカードのデータ更新方
法。 - 【請求項8】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードのデータ更新方法であっ
て、 上記不揮発性メモリだけでなく上記揮発性メモリにもバ
ッファ領域を設け、必要に応じて上記不揮発性メモリの
バッファ領域を用いたデータ更新動作に上記揮発性メモ
リのバッファ領域を反映させるようにしたことを特徴と
するICカードのデータ更新方法。 - 【請求項9】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードのデータ更新方法であっ
て、 上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を
設け、このバッファ領域に識別情報を付与し、この識別
情報を用いてバッファ領域の使用領域を循環させること
を特徴とするICカードのデータ更新方法。 - 【請求項10】 揮発性メモリと不揮発性メモリとを有
し、この不揮発性メモリにアプリケーションがロードさ
れる機能を有したICカードのデータ更新方法であっ
て、 上記揮発性メモリと不揮発性メモリとにバッファ領域を
設け、このバッファ領域が使用される1構成単位が複数
の領域に分割されていることを特徴とするICカードの
データ更新方法。
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