JP2000171785A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JP2000171785A JP2000171785A JP10341874A JP34187498A JP2000171785A JP 2000171785 A JP2000171785 A JP 2000171785A JP 10341874 A JP10341874 A JP 10341874A JP 34187498 A JP34187498 A JP 34187498A JP 2000171785 A JP2000171785 A JP 2000171785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- substrate
- thin films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に基板の内面に形成した各種の有機材料の薄膜か
らのガス発生を抑制して表示不良を防止した液晶表示装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device which suppresses gas generation from thin films of various organic materials formed on the inner surface of a substrate to prevent display defects.
【0002】[0002]
【従来の技術】パソコンやワープロ、その他の情報機器
のための表示デバイスとして、近年、液晶表示素子を用
いた薄型,軽量かつ低消費電力の表示装置が多用される
ようになった。2. Description of the Related Art In recent years, thin, lightweight and low power consumption display devices using liquid crystal display elements have been widely used as display devices for personal computers, word processors, and other information devices.
【0003】液晶表示素子は、基本的には水平と垂直に
配列された多数の電極で形成されるマトリクスと上記水
平と垂直の電極の間に液晶層を有し、2つの電極の対向
部分に画素を構成して2次元画像を表示するものであ
る。A liquid crystal display element basically has a matrix formed by a large number of electrodes arranged in a horizontal direction and a vertical direction, and a liquid crystal layer between the horizontal and vertical electrodes. A two-dimensional image is displayed by forming pixels.
【0004】この種の液晶表示素子には、水平と垂直の
電極に印加するパルスのタイミングで所定の画素を選択
する所謂単純マトリクス方式と、垂直と水平の電極の交
点に構成する画素毎にトランジスタ等の非線型素子を配
置して所定の画素を選択する所謂アクティブ・マトリク
ス方式とがある。This type of liquid crystal display element has a so-called simple matrix system in which a predetermined pixel is selected at the timing of a pulse applied to horizontal and vertical electrodes, and a transistor for each pixel formed at the intersection of the vertical and horizontal electrodes. There is a so-called active matrix system in which non-linear elements such as are arranged and a predetermined pixel is selected.
【0005】例えば、アクティブ・マトリクス方式の液
晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電
極のそれぞれに対応して非線形素子(スイッチング素
子)を設けたものである。各画素における液晶は理論的
には常時駆動(デューティ比 1.0)されているので、
時分割駆動方式を採用している、いわゆる単純マトリク
ス方式と比べてアクティブ・マトリクス方式はコントラ
ストが良く、特にカラー液晶表示装置では欠かせない技
術となりつつある。スイッチング素子として代表的なも
のとしては薄膜トランジスタ(TFT)がある。For example, an active matrix type liquid crystal display device has a non-linear element (switching element) provided for each of a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix. Theoretically, the liquid crystal in each pixel is always driven (duty ratio: 1.0).
The active matrix system has a better contrast than the so-called simple matrix system which employs a time-division driving system, and is becoming an indispensable technology especially in a color liquid crystal display device. A typical switching element is a thin film transistor (TFT).
【0006】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
63−309921号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディス
プレイ」( 日経エレクトロニクス、193〜210頁、
1986年12月15日、日経マグロウヒル社発行)で
知られている。Incidentally, an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-309921 or "1.
2.5-inch active matrix color liquid crystal display "(Nikkei Electronics, pp. 193-210,
December 15, 1986, published by Nikkei McGraw-Hill Company).
【0007】カラー液晶表示装置では、液晶層を挟持す
る一方の基板(カラーフィルタ基板、以下対向基板と称
する)に複数(一般に、赤、緑、青)のカラーフィルタ
を備えている。一般に、カラーフィルタは有機材料に染
料や顔料などの有機着色材を混入したものを塗布し、フ
ォトリソグラフィ技法を用いたパターニングを3色フィ
ルタのそれぞれ毎に繰り返して形成される。なお、カラ
ーフィルタの形成前あるいは後に各色を隔てる遮光膜す
なわちブラックマトリクスを同様の手法で形成する。In a color liquid crystal display device, a plurality of (generally, red, green, and blue) color filters are provided on one substrate (color filter substrate, hereinafter referred to as a counter substrate) sandwiching a liquid crystal layer. In general, a color filter is formed by applying a mixture of an organic material and an organic coloring material such as a dye or a pigment and repeating patterning using a photolithography technique for each of the three-color filters. Note that before or after the formation of the color filter, a light-shielding film that separates each color, that is, a black matrix is formed by a similar method.
【0008】また、一対の基板の対向面の間隙すなわち
セルギャップを均一化するためにカラーフィルタ基板の
内面を平滑化するためにカラーフィルタを覆って有機材
料の平滑層(保護膜:オーバーコート層)を形成してい
る。Further, a smooth layer of organic material (protective film: overcoat layer) covering the color filter to smooth the inner surface of the color filter substrate in order to equalize the gap between the opposing surfaces of the pair of substrates, ie, the cell gap. ) Is formed.
【0009】このような有機材料の薄膜類を形成したカ
ラーフィルタ基板を使用して他方の基板(アクティブマ
トリクス基板、以下電極基板と称する)と貼り合わせて
構成した液晶表示装置では、衝撃を与えると気泡が発生
することがあった。しかし、その原因は不明であった。In a liquid crystal display device which is formed by bonding a color filter substrate on which a thin film of such an organic material is formed to another substrate (active matrix substrate, hereinafter referred to as an electrode substrate), a shock is applied. Bubbles were sometimes generated. However, the cause was unknown.
【0010】この対策として従来は、特開平8−234
188号公報に開示されているように、カラーフィルタ
基板あるいはアクティブマトリクス基板と貼り合わせて
液晶を注入前の状態の所謂空セルをベーキングする方
法、主として水和水に代表される吸着ガス抜き処理で漠
然と対応していた。As a countermeasure against this, conventionally, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-234 has been disclosed.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 188, a method of baking a so-called empty cell in a state before injecting liquid crystal by bonding it to a color filter substrate or an active matrix substrate, mainly by a degassing treatment of adsorption gas represented by hydration water. It corresponded vaguely.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】通常、カラーフィルタ
を形成した対向基板を用いた液晶表示装置では、対向基
板が電極基板と異なり基板構成要素の大部分が有機系の
材料であるために、それ自身がガス発生ポテンシャルを
持ち、あるいは外部要因によるダメージにより分解性ガ
スが発生するため、常温常圧下で保管あるいは使用する
ことにより、ガスが液晶内に溶け込むことが確認されて
いる。Generally, in a liquid crystal display device using a counter substrate on which a color filter is formed, unlike the electrode substrate, most of the constituent elements of the substrate are organic materials. Since a decomposable gas is generated due to its own gas generation potential or damage due to external factors, it has been confirmed that the gas dissolves in the liquid crystal when stored or used at normal temperature and normal pressure.
【0012】このようにして液晶内に溶け込んだガスが
飽和状態に達した場合、一般には外力により変形し易い
薄いガラス基板からなる対向基板のような可撓性の高い
基板で構成される液晶表示装置の特性から、例えば指で
押されたり、落下等により、表示面に衝撃が加わったと
き、液晶表示装置内に気泡が発生して表示不良となるこ
とがある。When the gas thus dissolved in the liquid crystal reaches a saturated state, the liquid crystal display generally comprises a highly flexible substrate such as a counter substrate made of a thin glass substrate which is easily deformed by an external force. Due to the characteristics of the device, when an impact is applied to the display surface due to, for example, pressing with a finger or dropping, bubbles may be generated in the liquid crystal display device, resulting in display failure.
【0013】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消することにあり、長時間の保管をしても、あるいは使
用時の外力印加によっても成膜した各種の薄膜、特に平
滑層等の有機材料膜からの気泡の発生を防止して高い信
頼性を有する液晶表示装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art. Various types of thin films, especially smooth layers, formed by storage for a long time or by application of an external force during use, are provided. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having high reliability by preventing generation of bubbles from an organic material film.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、平滑層などの有機薄膜を有し、内面の最
上層に液晶を構成する液晶分子を配向させるための配向
膜を形成した一対の基板を一定の間隙で対向させ、その
周囲をシール材で接着し、当該間隙に液晶を封入してな
る液晶表示装置の上記基板を、所定の真空の環境下で昇
温して得られた二酸化炭素の検出量が所定値であること
を確認したものを用いるようにした点に特徴を有する。In order to achieve the above object, the present invention provides an alignment film having an organic thin film such as a smoothing layer and for aligning liquid crystal molecules constituting a liquid crystal on the innermost layer. The pair of substrates formed is opposed to each other with a predetermined gap, the periphery thereof is adhered with a sealant, and the temperature of the substrate of the liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed in the gap is increased in a predetermined vacuum environment. A characteristic feature is that the obtained amount of detected carbon dioxide is confirmed to be a predetermined value.
【0015】本発明の代表的な構成は、下記の(1)〜
(3)に記載したとおりである。すなわち、 (1)内面に有機材料の薄膜を形成した一対の基板の対
向間隙に液晶を封入し、その周縁をシール材で接着して
構成し、前記有機材料の薄膜を形成した基板を、到達真
空度が1×10-6Pa.以下の昇温脱離ガス発生装置で
10°C/分で昇温して1°C置きに測定して得られる
二酸化炭素の検出イオン強度の室温から250°Cまで
の積算量が70000以下である前記有機材料の薄膜を
用いて液晶表示装置を構成した。[0015] A typical configuration of the present invention is as follows:
As described in (3). That is, (1) a liquid crystal is sealed in a gap between a pair of substrates having a thin film of an organic material formed on an inner surface thereof, and the periphery thereof is adhered with a sealing material. The degree of vacuum is 1 × 10 −6 Pa. The temperature-desorption gas generator described below was used to raise the temperature at 10 ° C / min and measure at 1 ° C intervals. The integrated amount of the detected ionic strength of carbon dioxide from room temperature to 250 ° C was 70,000 or less. A liquid crystal display device was constructed using a thin film of the above organic material.
【0016】上記基板を用いることによって、有機材料
膜からの気泡の発生が防止され、高品質かつ高信頼性の
液晶表示装置が得られる。By using the above substrate, generation of bubbles from the organic material film is prevented, and a high quality and highly reliable liquid crystal display device can be obtained.
【0017】(2)少なくともカラーフィルタ層とカラ
ーフィルタ層を覆う平滑層および最内面に上配向膜を形
成した一方の基板と、少なくとも最内面に下配向膜を形
成した他方の基板との前記上配向膜と下配向膜を所定の
間隙で対向させ、前記間隙に液晶を封入し周縁をシール
材で接着してなる液晶表示装置であって、前記平滑層を
形成した一方の基板を、到達真空度が1×10-6Pa.
以下の昇温脱離ガス発生装置で10°C/分で昇温して
1°C置きに測定して得られる二酸化炭素の検出イオン
強度の室温から250°Cまでの積算量が70000以
下である前記平滑層を用いて構成した。(2) At least a color filter layer, a smoothing layer covering the color filter layer and one substrate having an upper alignment film formed on the innermost surface, and the other substrate having a lower alignment film formed on at least the innermost surface. A liquid crystal display device in which an alignment film and a lower alignment film are opposed to each other at a predetermined gap, a liquid crystal is sealed in the gap, and the periphery is bonded with a sealing material. The degree is 1 × 10 −6 Pa.
The temperature-desorption gas generator described below was used to raise the temperature at 10 ° C / min and measure at 1 ° C intervals. The integrated amount of the detected ionic strength of carbon dioxide from room temperature to 250 ° C was 70,000 or less. It comprised using the said certain smooth layer.
【0018】上記基板を用いた液晶表示装置によれば、
特にカラーフィルタを覆って成膜する平滑層、所謂オー
バーコート層からの気泡の発生が防止され、高品質かつ
高信頼性の液晶表示装置が得られる。According to the liquid crystal display device using the above substrate,
In particular, generation of bubbles from a smooth layer formed over the color filter, that is, a so-called overcoat layer, is prevented, and a high-quality and highly reliable liquid crystal display device can be obtained.
【0019】(3)上記(1)または(2)における前
記平滑層の硬度を3H以上とした。(3) The hardness of the smooth layer in the above (1) or (2) is 3H or more.
【0020】上記した構成により、保管中、あるいは使
用中に液晶表示装置の内部にガス(気泡)が発生するこ
とが抑制され、高品質かつ高信頼性の液晶表示装置が得
られる。With the above-described configuration, generation of gas (bubbles) inside the liquid crystal display device during storage or use is suppressed, and a high quality and highly reliable liquid crystal display device can be obtained.
【0021】なお、本発明は、上記の構成に限定される
ものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変更
が可能である。It should be noted that the present invention is not limited to the above configuration, and various changes can be made within the technical idea of the present invention.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0023】図1は本発明による液晶表示装置の一実施
例の構成を説明する要部断面図である。ここで、SUB
1は電極基板、SUB2は対向基板である。電極基板S
UB1は通常の薄膜トランジスタTFTが形成されてい
る。すなわち、薄膜トランジスタTFTはアモルファス
シリコン層ASを挟んでゲート電極GTとドレイン電極
SD1およびソース電極SD2を有し、電極基板SUB
1の内面には薄膜トランジスタTFTを覆って絶縁膜P
SVが成膜され、この上に一端をソース電極SD2に接
続した画素電極ITO1が形成され、さらにその上に下
配向膜ORI1が成膜されている。FIG. 1 is a sectional view of a principal part for explaining the structure of one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. Where SUB
1 is an electrode substrate, and SUB2 is a counter substrate. Electrode substrate S
UB1 is formed with a normal thin film transistor TFT. That is, the thin film transistor TFT has the gate electrode GT, the drain electrode SD1, and the source electrode SD2 with the amorphous silicon layer AS interposed therebetween, and the electrode substrate SUB
1 has an insulating film P covering the thin film transistor TFT.
An SV is formed, a pixel electrode ITO1 having one end connected to the source electrode SD2 is formed thereon, and a lower alignment film ORI1 is further formed thereon.
【0024】一方、対向基板SUB2の内面には、ブラ
ックマトリクスBMで区画された下フィルタFIL(こ
こでは、緑フィルタFIL(G)のみを示してある)が
形成され、その上に平滑層(保護膜)OCが形成されて
いる。この平滑層OCを覆って共通電極ITO2が成膜
され、最上層に上配向膜ORI2が形成されている。On the other hand, on the inner surface of the counter substrate SUB2, a lower filter FIL (here, only the green filter FIL (G) is shown) partitioned by a black matrix BM is formed, and a smooth layer (protection layer) is formed thereon. Film) OC is formed. A common electrode ITO2 is formed to cover the smooth layer OC, and an upper alignment film ORI2 is formed on the uppermost layer.
【0025】上記平滑層OCは、鉛筆硬度H(日本工業
規格JIS K5400 6.14項による硬度)以上
の有機系樹脂を用いてある。対向基板SUB2側は、平
滑層OCの硬化度の管理等により発ガス量が低く抑えら
れている。これら一対の基板SUB1とSUB2はスペ
ーサSPを介在させて所定の間隙で貼り合わせ、その間
隙に液晶LCを封入してある。The smoothing layer OC is made of an organic resin having a pencil hardness of H (hardness according to Japanese Industrial Standard JIS K5400, paragraph 6.14) or more. On the counter substrate SUB2 side, the amount of gas generation is kept low by controlling the degree of hardening of the smooth layer OC. The pair of substrates SUB1 and SUB2 are bonded together with a spacer SP interposed therebetween at a predetermined gap, and a liquid crystal LC is sealed in the gap.
【0026】なお、一対の基板の各表面には偏光板PO
L1、POL2はそれぞれ積層されている。Incidentally, a polarizing plate PO is provided on each surface of the pair of substrates.
L1 and POL2 are each laminated.
【0027】このような構成とした対向基板SUB1側
の発生ガスポテンシャルは、下記のようにして調査す
る。ここで用いた分析装置は、電子科学株式会社製の
「EMD−WA1000型」(商品名)高精度昇温離脱
ガス分析装置である。The generated gas potential on the side of the counter substrate SUB1 having such a configuration is investigated as follows. The analyzer used here is “EMD-WA1000” (trade name), a high-precision temperature rising / leaving gas analyzer manufactured by Denshi Kagaku Co., Ltd.
【0028】図2は本発明で使用した昇温離脱ガス分析
装置の構成を説明する概略図である。この装置は、大別
して試料導入室RS、加熱チャンバーCH、質量分析計
MSから構成される。SPLは試料すなわち測定サンプ
ル、TMは試料温度測定用の熱電対、RODは試料を保
持する石英ロッド、IRは赤外線導入室、TCは加熱チ
ャンバー内の温度を制御する温度コントローラ、TMP
は加熱チャンバーCHおよび質量分析室MS内を所定の
高真空度にするためのターボ分子ポンプ、RPは加熱チ
ャンバーCH内を真空に引くロータリーポンプ、VGは
真空計、CTRLは装置制御コントローラ、PCは制御
コンピュータを示す。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the configuration of a temperature rising desorption gas analyzer used in the present invention. This apparatus is roughly composed of a sample introduction chamber RS, a heating chamber CH, and a mass spectrometer MS. SPL is a sample, that is, a measurement sample, TM is a thermocouple for measuring a sample temperature, ROD is a quartz rod holding the sample, IR is an infrared ray introduction chamber, TC is a temperature controller for controlling the temperature in a heating chamber, and TMP.
Is a turbo molecular pump for making the inside of the heating chamber CH and the mass spectrometry chamber MS a predetermined high vacuum degree, RP is a rotary pump for evacuating the inside of the heating chamber CH, VG is a vacuum gauge, CTRL is an apparatus control controller, and PC is 2 shows a control computer.
【0029】加熱チャンバーCHに導入された試料(こ
こでは、少なくとも平滑層OCを成膜してある対向基板
SUB2)SPLは高真空条件下で赤外線加熱され、そ
の加熱で放出されたガスを随時質量分析計MSで分析す
る。質量分析計MSの測定条件としては、エミッション
電流を50μA,2次電子増倍管の電圧を2kVとし
て、m/e=2,18,28,44の4チャンネルを約
2秒間隔で測定するマスフラグメント法で測定した。な
お質量分析計MSのその他の条件調整は当該装置添付の
説明書に従い実施した。なお、m/e=2は水素
(H2 )、18は水(H2 O)、28は一酸化炭素(C
O)、44は二酸化炭素(CO2 )の各質量である。な
お、試料の対向基板SUB2は、10mm×10mmの
大きさに切断してチャンバーCH内の石英ロッドROD
上に配置した。The sample (here, the counter substrate SUB2 on which at least the smooth layer OC is formed) introduced into the heating chamber CH is subjected to infrared heating under a high vacuum condition, and the gas released by the heating is subjected to a mass as needed. Analyze with the analyzer MS. The measurement conditions of the mass spectrometer MS are as follows. Assuming that the emission current is 50 μA and the voltage of the secondary electron multiplier is 2 kV, the mass for measuring four channels of m / e = 2, 18, 28, 44 at an interval of about 2 seconds. It was measured by the fragment method. Other conditions of the mass spectrometer MS were adjusted according to the instructions attached to the apparatus. Note that m / e = 2 is hydrogen (H 2 ), 18 is water (H 2 O), and 28 is carbon monoxide (C
O) and 44 are the respective masses of carbon dioxide (CO 2 ). The counter substrate SUB2 of the sample was cut into a size of 10 mm × 10 mm, and the quartz rod ROD in the chamber CH was cut.
Placed above.
【0030】質量分析は、加熱チャンバーCH内を1×
10-6Pa.以下の真空度に達した後に、約10°C/
分の昇温速度で室温から250°Cまで昇温させ、m/
e=28、44、他のイオンピークと加熱チャンバーC
Hの内圧を測定した。In the mass spectrometry, 1 ×
10 -6 Pa. After reaching the following degree of vacuum, about 10 ° C /
The temperature was raised from room temperature to 250 ° C. at a rate of
e = 28, 44, other ion peaks and heating chamber C
The internal pressure of H was measured.
【0031】上記のイオンピークに関しては、パイログ
ラム(基板温度−イオンピークスペクトル)を取った。For the above ion peak, a pyrogram (substrate temperature-ion peak spectrum) was taken.
【0032】図3は本発明で実施した昇温脱離ガス(C
O2 )のパイログラムの説明図である。図中、横軸は加
熱チャンバー内の温度、縦軸はm/e=44(CO2 )
の検出強度(カウント値)を示し、後述する実施例1、
2と比較例1を示す。また、Bで示したものはバックグ
ランドである。FIG. 3 is a graph showing the temperature of the desorption gas (C
Is an illustration of pyrograms of O 2). In the figure, the horizontal axis is the temperature in the heating chamber, and the vertical axis is m / e = 44 (CO 2 ).
The detection intensity (count value) of Example 1
2 and Comparative Example 1 are shown. What is indicated by B is the background.
【0033】測定温度がある程度上昇しても変化は殆ど
無くバックグラウンドに等しいほぼ一定である。一方、
実施例1、2および比較例共、温度が150°Cまでは
ほぼバックグランドと等しいが、温度がさらに上昇する
につれてパイログラムは増大する。本発明では、室温か
ら250°Cまでの範囲でこの検出イオンピーク強度の
差を積算して対向基板の放出ガスの目安としての相対値
を得る。この積算値は、比較例では100000を越
え、その結果カラーフィルタ基板からガスが発生し、表
示品質を低下させた。Even if the measured temperature rises to some extent, there is almost no change and it is almost constant equal to the background. on the other hand,
In Examples 1 and 2 and Comparative Example, the temperature is almost equal to the background up to 150 ° C., but the pyrogram increases as the temperature further increases. In the present invention, the difference between the detected ion peak intensities in the range from room temperature to 250 ° C. is integrated to obtain a relative value as a measure of the gas released from the counter substrate. This integrated value exceeded 100,000 in the comparative example. As a result, gas was generated from the color filter substrate, and the display quality was degraded.
【0034】上記の手法により、種々の放出ガス量を測
定し、積算量とガス発生の程度を検証した結果、積算量
70000カウント以下とすれば、従来の構成において
もガスが発生しない液晶表示装置を得ることが可能であ
ることが分かった。According to the method described above, the amount of released gas was measured, and the integrated amount and the degree of gas generation were verified. As a result, if the integrated amount was 70000 counts or less, a liquid crystal display device in which no gas was generated even in the conventional configuration was obtained. Was found to be possible.
【0035】この積算量を達成するためには、平滑層O
Cの硬度を上げるか、硬度が最も高くなる焼成条件で硬
化させることが重要である。また、ITOの成膜後、大
気圧でベーキングすることも有効である。In order to achieve this integrated amount, the smooth layer O
It is important to increase the hardness of C or to cure it under the firing conditions that provide the highest hardness. It is also effective to perform baking at atmospheric pressure after forming the ITO film.
【0036】次に、このような液晶表示装置の製造方法
を説明する。先ず、液晶表示装置に用いられる対向基板
(カラーフィルタ基板)として、厚さ0.7mmまたは
1.1mmのガラス基板の上に感光性の黒色樹脂レジス
トを塗布し、露光し、現像して焼成することによりブラ
ックマトリクスBMを形成する。次に、感光性の赤色、
緑色、青色の樹脂レジストを使用して上記と同様の工程
を繰り返し、赤色の着色層FIL(R)、緑色の着色層
FIL(G)、青色の着色層FIL(B)を形成する。Next, a method for manufacturing such a liquid crystal display device will be described. First, as a counter substrate (color filter substrate) used for a liquid crystal display device, a photosensitive black resin resist is applied on a glass substrate having a thickness of 0.7 mm or 1.1 mm, exposed, developed, and baked. Thereby, a black matrix BM is formed. Next, the photosensitive red,
The same steps as described above are repeated using green and blue resin resists to form a red colored layer FIL (R), a green colored layer FIL (G), and a blue colored layer FIL (B).
【0037】次に、鉛筆硬度がH以上となるように樹脂
を塗布し焼成して平滑層(保護膜)OCを形成し、その
上に低温スパッタリング法で透明電極ITOを成膜し、
これを共通電極とする。最後に、上配向膜ORI2を塗
布し、ラビング処理して液晶配向制御能を付与する。Next, a resin is applied and baked so that the pencil hardness becomes H or more to form a smooth layer (protective film) OC, and a transparent electrode ITO is formed thereon by a low-temperature sputtering method.
This is a common electrode. Finally, an upper alignment film ORI2 is applied and rubbed to give liquid crystal alignment controllability.
【0038】一方、電極基板(アクティブマトリクス基
板)側は一般的な薄膜トランジスタTFTを形成するプ
ロセスと同様の方法で製造する。すなわち、厚さ0.7
mmあるいは1.1mmのガラス基板の上に成膜とパタ
ーニングを繰り返して、アモルファスシリコンASから
なる薄膜トランジスタTFT、蓄積容量Cstg(図6
で後述)、ドレイン電極SD1、ソース電極SD2、ゲ
ート電極GT、画素電極ITO1、およびドレイン線、
ゲート線等の各種配線群、電極群が形成される。その
後、これらを覆って絶縁膜PSVが被覆され、その上に
下配向膜ORI1が塗布される。上下の配向膜はオフセ
ット印刷で塗布され、これを焼成し、所定の方向に擦っ
て(ラビング処理して)液晶配向制御能を付与する。On the other hand, the electrode substrate (active matrix substrate) side is manufactured by the same method as the process for forming a general thin film transistor TFT. That is, the thickness 0.7
The film formation and patterning are repeated on a glass substrate of 0.1 mm or 1.1 mm to form a thin film transistor TFT made of amorphous silicon AS and a storage capacitor Cstg (FIG. 6).
, A drain electrode SD1, a source electrode SD2, a gate electrode GT, a pixel electrode ITO1, and a drain line.
Various wiring groups such as gate lines and electrode groups are formed. After that, the insulating film PSV is covered so as to cover them, and the lower alignment film ORI1 is applied thereon. The upper and lower alignment films are applied by offset printing, baked, and rubbed (rubbed) in a predetermined direction to provide liquid crystal alignment control ability.
【0039】このようにして形成した対向基板と電極基
板の一方の周縁にファイバー等のギャップ規制材を混入
したエポキシ系接着材をスクリーン印刷し、スペーサと
してプラスチックビーズをスプレー散布し、他方の基板
と貼り合わせて接着する。スペーサの散布密度は150
個/mm2 程度である。An epoxy adhesive mixed with a gap regulating material such as fiber is screen-printed on one edge of the counter substrate and the electrode substrate thus formed, and plastic beads are spray-sprayed as spacers. Paste and glue. Spacer spray density is 150
Pieces / mm 2 .
【0040】上記シール材には、その一部に液晶注入用
の開口を形成してあり、その硬化後、真空注入法により
当該開口から液晶を充填し、開口をエポキシ系接着材で
封止する。An opening for injecting liquid crystal is formed in a part of the sealing material, and after curing, liquid crystal is filled from the opening by a vacuum injection method, and the opening is sealed with an epoxy-based adhesive. .
【0041】上記のようにして作成した後述する実施例
および比較例の液晶表示装置を製作して50°Cで30
日保温した後に、次のような衝撃気泡試験を行った。The liquid crystal display devices of the examples and the comparative examples, which will be described later, prepared as described above, were manufactured at 50 ° C.
After keeping it warm for a day, the following impact bubble test was performed.
【0042】図4は衝撃気泡試験方法を説明する試験装
置の模式図であって、この装置は、ラワン材WDの上に
除電シートRBを敷き、その上に載置した液晶表示装置
LCDに対して、先端に硬球を取り付けた押し込み棒A
RMを下降させて液晶表示装置を硬球で押圧するもので
ある。FIG. 4 is a schematic view of a test apparatus for explaining the impact bubble test method. This apparatus is provided with a static elimination sheet RB on a Lauan material WD, and a liquid crystal display device LCD mounted thereon. Push rod A with a hard ball attached to the tip
The RM is lowered to press the liquid crystal display device with a hard ball.
【0043】この試験方法により、常温常圧下で直径約
3cm、重量50gの硬球を2kg×3秒間押圧して液
晶表示装置内に約1mmの気泡核を作り、その消滅時間
を測定する試験を行った。According to this test method, a hard sphere having a diameter of about 3 cm and a weight of 50 g was pressed at 2 kg × 3 seconds under normal temperature and normal pressure to form a bubble nucleus of about 1 mm in the liquid crystal display device, and a test for measuring the extinction time was performed. Was.
【0044】図5は衝撃気泡試験と昇温離脱ガスの積算
値との相関関係の説明図である。図4で説明した衝撃気
泡試験方法の結果、下記で説明する本発明の実施例では
15分間の放置で気泡核が消滅するのが確認されたが、
比較例では一週間の放置でも気泡核は消滅しなかった。FIG. 5 is an explanatory diagram of the correlation between the shock bubble test and the integrated value of the heated desorption gas. As a result of the impact bubble test method described with reference to FIG. 4, in the examples of the present invention described below, it was confirmed that the bubble nuclei disappeared after being left for 15 minutes.
In the comparative example, the bubble nuclei did not disappear even after being left for one week.
【0045】次に、本発明による液晶表示装置の具体的
な実施例と比較例について説明する。Next, specific examples and comparative examples of the liquid crystal display device according to the present invention will be described.
【0046】「実施例1」平滑膜OC材料として、新日
化製の「V259PA」(商品名)を使用し、焼成温度
を220°Cとして鉛筆硬度が4Hの平滑膜OCを作成
した。この上に共通電極ITO2を成膜した後の発ガス
量の積算値を前記図2で説明した方法で測定したとこ
ろ、その二酸化炭素イオン強度の積算値は最大で200
00〜40000で、平均的には35000であった。Example 1 A smooth film OC having a pencil hardness of 4H was prepared at a firing temperature of 220 ° C. using “V259PA” (trade name) manufactured by Shinnichika as the smooth film OC material. When the integrated value of the amount of generated gas after forming the common electrode ITO2 thereon was measured by the method described in FIG. 2, the integrated value of the carbon dioxide ion intensity was 200 at the maximum.
It was 00-40000, and was 35,000 on average.
【0047】この対向基板を用いて作製した液晶表示装
置を50°Cで30日間保温した後に図4の衝撃気泡試
験で気泡核の消滅時間を測定したところ、15分間の放
置で気泡核は消滅した。After keeping the liquid crystal display device manufactured using this counter substrate at 50 ° C. for 30 days, the disappearance time of the bubble nuclei was measured by the impact bubble test shown in FIG. 4, and the bubble nuclei disappeared when left for 15 minutes. did.
【0048】「実施例2」平滑膜OC材料として、新日
化製の「V259PA」を使用し、焼成温度を240°
Cとして鉛筆硬度が3Hの平滑膜OCを作成した。この
上に共通電極ITO2を成膜した後の発ガス量の積算値
を前記図2で説明した方法で測定したところ、その二酸
化炭素イオン強度の積算値は最大で70000であっ
た。この対向基板を用いて作製した液晶表示装置を50
°Cで30日間保温した後に図4の衝撃気泡試験で気泡
核の消滅時間を測定したところ、5分間の放置で気泡核
は消滅した。Example 2 As a smooth film OC material, "V259PA" manufactured by Shinnichika was used, and the firing temperature was 240 ° C.
As C, a smooth film OC having a pencil hardness of 3H was prepared. When the integrated value of the gas generation amount after forming the common electrode ITO2 thereon was measured by the method described with reference to FIG. 2, the integrated value of the carbon dioxide ion intensity was 70,000 at the maximum. The liquid crystal display device manufactured using this counter substrate is 50
After maintaining the temperature at 30 ° C. for 30 days, the disappearance time of the bubble nuclei was measured by the impact bubble test in FIG. 4, and the bubble nuclei disappeared when left for 5 minutes.
【0049】「比較例」平滑膜OC材料として、新日化
製の「V259PA」を使用し、焼成温度を200°C
として鉛筆硬度が2Hの平滑膜OCを作成した。この上
に共通電極ITO2を成膜した後の発ガス量の積算値を
上記と同様の手段で測定したところ、その二酸化炭素イ
オン強度の積算値は最小でも100000を越えてい
た。この対向基板を用いて作製した液晶表示装置を50
°Cで30日間保温した後に図4の衝撃気泡試験で気泡
核の消滅時間を測定したところ、図5に示したように、
一週間の放置でも気泡核は消滅せず、むしろ成長してい
た。"Comparative Example" As a smooth film OC material, "V259PA" manufactured by Shinnichika was used, and the firing temperature was 200 ° C.
As a result, a smooth film OC having a pencil hardness of 2H was prepared. When the integrated value of the amount of generated gas after forming the common electrode ITO2 thereon was measured by the same means as above, the integrated value of the carbon dioxide ion intensity exceeded 100000 at least. The liquid crystal display device manufactured using this counter substrate is 50
After maintaining the temperature at 30 ° C. for 30 days, the extinction time of the bubble nuclei was measured by the impact bubble test of FIG. 4, and as shown in FIG.
Even if left for one week, the bubble nuclei did not disappear, but rather grew.
【0050】このように、本発明の各実施例で説明した
ように、二酸化炭素イオン強度の室温から250°Cま
での積算量が70000以下であれば気泡の発生がな
く、気泡に起因する表示不良が抑制される。Thus, as described in each embodiment of the present invention, if the integrated amount of the carbon dioxide ion intensity from room temperature to 250 ° C. is 70,000 or less, no bubbles are generated, and the display caused by the bubbles is not generated. Defects are suppressed.
【0051】次に、本発明を適用する液晶表示装置の具
体的構成例を図6〜図9を参照して詳細に説明する。Next, a specific configuration example of a liquid crystal display device to which the present invention is applied will be described in detail with reference to FIGS.
【0052】図6は本発明を適用した液晶表示装置の一
画素とその周辺の構成を説明する平面図である。各画素
は隣接する2本のゲート線GL(図中、ゲートラインG
L(g2))と、隣接する2本のドレイン線DL(デー
タラインDL(d2,d3))との交差領域内(4本の
信号線で囲まれた領域内)に配置されている。FIG. 6 is a plan view for explaining the structure of one pixel of a liquid crystal display device to which the present invention is applied and the periphery thereof. Each pixel has two adjacent gate lines GL (gate line G in the figure).
L (g2)) and two adjacent drain lines DL (data lines DL (d2, d3)) (in a region surrounded by four signal lines).
【0053】各画素はスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタTFT(2つの薄膜トランジスタTFT1とT
FT2で構成されている)、透明画素電極ITO1およ
び付加容量(保持容量素子)Caddを含む。ゲート線
GLはx方向(列方向)に延在し、y方向(行方向)に
複数本配置されている。ドレイン線DLはy方向に延在
し、x方向に複数本配置されている。Each pixel is a switching element thin film transistor TFT (two thin film transistors TFT1 and T1).
FT2), a transparent pixel electrode ITO1, and an additional capacitance (holding capacitance element) Cadd. The gate lines GL extend in the x direction (column direction), and a plurality of gate lines GL are arranged in the y direction (row direction). The drain lines DL extend in the y direction, and a plurality of drain lines DL are arranged in the x direction.
【0054】ゲート線GLにはゲート電極GT(g2)
が接続され、ドレイン線DLにはドレイン電極(SD2
(d2,d3)が接続される。また、ITO1(d1)
は画素電極で、薄膜トランジスタTFTのソース電極
(SD1(d2,d3)に接続されている。なお、AS
は非晶質Si層を示し、d1,d2,d3,g2は各電
極あるいは配線を形成する導体層を示す。The gate electrode GL (g2) is connected to the gate line GL.
Is connected, and a drain electrode (SD2) is connected to the drain line DL.
(D2, d3) are connected. Also, ITO1 (d1)
Denotes a pixel electrode, which is connected to the source electrode (SD1 (d2, d3)) of the thin film transistor TFT.
Represents an amorphous Si layer, and d1, d2, d3, and g2 represent conductor layers for forming each electrode or wiring.
【0055】図中、カラーフィルタFILとブラックマ
トリクスBMはカラーフィルタ基板に形成されたもの
で、この図ではその配置位置のみを示してある。In the figure, the color filter FIL and the black matrix BM are formed on a color filter substrate, and only the arrangement positions are shown in this figure.
【0056】図7は液晶表示装置を構成する液晶パネル
の等価回路とその外周部に配置される駆動回路等の回路
構成図である。この構成では、薄膜トランジスタ(TF
T)型の液晶パネルPNL(TFT−LCD)の下側に
のみドレイン駆動回路部103が配置され、800×6
00画素から構成されるXGA仕様の液晶パネルの側面
部にはゲート駆動回路部104、コントローラ部10
1、電源部102が配置されている。FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an equivalent circuit of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal display device and a drive circuit and the like arranged on the outer periphery thereof. In this configuration, a thin film transistor (TF
The drain drive circuit unit 103 is arranged only below the T) type liquid crystal panel PNL (TFT-LCD), and is 800 × 6
The gate drive circuit unit 104 and the controller unit 10
1. The power supply unit 102 is provided.
【0057】薄膜トランジスタTFTは、隣接する2本
のドレイン線DLと、隣接する2本のゲート線GLとの
交差領域に配置される。薄膜トランジスタTFTのドレ
イン電極とゲート電極は、それぞれドレイン線DLとゲ
ート線GLに接続される。The thin film transistor TFT is arranged in an intersection region between two adjacent drain lines DL and two adjacent gate lines GL. A drain electrode and a gate electrode of the thin film transistor TFT are connected to a drain line DL and a gate line GL, respectively.
【0058】薄膜トランジスタTFTのソース電極は画
素電極に接続され、画素電極と共通電極(コモン電極)
との間に液晶層が介在しているので、薄膜トランジスタ
TFTのソース電極との間には液晶容量(CLC)が等価
的に接続される。薄膜トランジスタTFTはゲート電極
に正のバイアス電圧を印加すると導通し、負のバイアス
電圧を印加すると不導通となる。また、薄膜トランジス
タTFTのソース電極と前ラインのゲート信号線との間
には、保持容量Caddが接続される。The source electrode of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode, and the pixel electrode and the common electrode (common electrode)
, A liquid crystal capacitor (C LC ) is equivalently connected to the source electrode of the thin film transistor TFT. The thin film transistor TFT becomes conductive when a positive bias voltage is applied to the gate electrode, and becomes nonconductive when a negative bias voltage is applied. A storage capacitor Cadd is connected between the source electrode of the thin film transistor TFT and the previous gate signal line.
【0059】なお、ソース電極、ドレイン電極は本来そ
の間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表
示装置ではその極性は動作中反転するので、ソース電
極、ドレイン電極は動作中入れ替わるものと理解された
い。It should be understood that the source electrode and the drain electrode are originally determined by the bias polarity between them, and in this liquid crystal display device, the polarities are inverted during the operation, and therefore, it should be understood that the source electrode and the drain electrode are switched during the operation.
【0060】図8は照明手段などと共にモジュール化し
た液晶表示装置の各構成部品を示す分解斜視図である。
SHDは金属製シールドケース(上フレーム)、WDは
その表示窓、PNLは液晶パネル、SPSは光拡散板、
GLBは導光体、RFSは反射板、BLはバックライ
ト、MCAは下側ケース(下フレーム)であり、図に示
すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられて所謂
液晶表示モジュールMDLが組み立てられる。FIG. 8 is an exploded perspective view showing each component of the liquid crystal display device modularized together with lighting means and the like.
SHD is a metal shield case (upper frame), WD is its display window, PNL is a liquid crystal panel, SPS is a light diffusion plate,
GLB is a light guide, RFS is a reflector, BL is a backlight, MCA is a lower case (lower frame), and each member is stacked in a vertical arrangement as shown in the figure to form a so-called liquid crystal display module MDL. Assembled.
【0061】この液晶表示モジュールMDLは上フレー
ムSHDに設けられた爪と下フレームMCAに形成した
フックによって全体が固定されるようになっている。The whole liquid crystal display module MDL is fixed by nails provided on the upper frame SHD and hooks formed on the lower frame MCA.
【0062】上フレームSHDの周辺には駆動回路基板
(ゲート側回路基板、ドレイン側回路基板)PCB1,
PCB2、インタフェース回路基板PCB3がテープキ
ャリアパッドTCP1,TCP2、あるいはジョイナJ
N1,JN2,JN3で液晶パネルPMLおよび回路基
板相互間が接続されている。Drive circuit boards (gate-side circuit board, drain-side circuit board) PCB1, PCB1,
PCB2, interface circuit board PCB3 is tape carrier pad TCP1, TCP2 or Joiner J
The liquid crystal panel PML and the circuit board are connected to each other by N1, JN2, and JN3.
【0063】下フレームMCAは、その開口MOに照明
手段であるバックライトBLを構成する光拡散シートS
PS、導光体GLB、反射板RFSを収納する形状にな
っている。なお、導光体GLBの側面には線状ランプ
(蛍光管)LPと反射シートLSが配置される。線状ラ
ンプLPの端部からはゴムブッシュGBで保持されたラ
ンプケーブルLPCが引き出されており、図示しないイ
ンバータ電源に接続している。The lower frame MCA has a light diffusion sheet S constituting a backlight BL as an illuminating means in its opening MO.
It is configured to house the PS, the light guide GLB, and the reflector RFS. Note that a linear lamp (fluorescent tube) LP and a reflection sheet LS are arranged on the side surface of the light guide GLB. A lamp cable LPC held by a rubber bush GB is drawn out from the end of the linear lamp LP, and is connected to an inverter power supply (not shown).
【0064】線状ランプLPから出射される光を導光体
GLB、反射板RFS、光拡散板SPSにより表示面で
一様な照明光として液晶表示パネルPNL側に出射す
る。The light emitted from the linear lamp LP is emitted toward the liquid crystal display panel PNL as uniform illumination light on the display surface by the light guide GLB, the reflection plate RFS, and the light diffusion plate SPS.
【0065】バックライトBLと液晶表示パネルPNL
の間に設置されたプリズムシートPRSは照明光の進路
を調整するためのもので、遮光スペーサILSを介して
積層されている。Backlight BL and liquid crystal display panel PNL
The prism sheet PRS placed between the two is for adjusting the path of the illumination light, and is laminated via the light shielding spacer ILS.
【0066】図9は本発明による液晶表示装置の実装例
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。この
ノート型コンピユータ(可搬型パソコン)はキーボード
部(本体部)と、このキーボード部にヒンジで連結した
表示部から構成される。キーボード部にはキーボードと
ホスト(ホストコンピュータ)、CPU等の信号生成機
能部を収納し、表示部には前記図8で説明した液晶表示
モジュールが実装され、その表示面を構成する液晶表示
パネルPNLが露出されている。そして、この液晶パネ
ルPNLの周辺に駆動回路基板FPC1,FPC2、コ
ントロールチップTCONを搭載したPCB、およびバ
ックライト電源であるインバータ電源基板IVなどが実
装される。FIG. 9 is a perspective view of a notebook computer for explaining a mounting example of the liquid crystal display device according to the present invention. The notebook computer (portable personal computer) includes a keyboard unit (main body unit) and a display unit connected to the keyboard unit by a hinge. The keyboard unit accommodates a keyboard and a signal generation function unit such as a host (host computer) and a CPU, and the display unit is mounted with the liquid crystal display module described with reference to FIG. Is exposed. Then, around the liquid crystal panel PNL, drive circuit boards FPC1 and FPC2, a PCB on which the control chip TCON is mounted, an inverter power supply board IV serving as a backlight power supply, and the like are mounted.
【0067】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the technical idea of the present invention.
【0068】[0068]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
長時間の保管をしても、あるいは使用時の外力印加によ
っても液晶表示パネルの内面に成膜した各種の薄膜、特
に平滑層(オーバーコート層)等の有機材料膜からの気
泡の発生が防止され、表示不良の無い高い信頼性を有す
る液晶表示装置を提供することができる。As described above, according to the present invention,
Prevents the generation of bubbles from various thin films formed on the inner surface of the liquid crystal display panel, especially organic material films such as a smooth layer (overcoat layer), even when stored for a long time or when an external force is applied during use. Thus, a highly reliable liquid crystal display device free from display defects can be provided.
【図1】本発明による液晶表示装置の一実施例の構成を
説明する要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part explaining a configuration of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】本発明で使用した昇温離脱ガス分析装置の構成
を説明する概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the configuration of a thermal desorption gas analyzer used in the present invention.
【図3】本発明で実施した昇温脱離ガス(CO2 )のパ
イログラムの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a pyrogram of a heated desorption gas (CO 2 ) implemented in the present invention.
【図4】衝撃気泡試験方法を説明する試験装置の模式図
である。FIG. 4 is a schematic view of a test apparatus for explaining an impact bubble test method.
【図5】衝撃気泡試験と昇温離脱ガスの積算値との相関
関係の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a correlation between an impact bubble test and an integrated value of a heated desorption gas.
【図6】本発明を適用した液晶表示装置の一画素とその
周辺の構成を説明する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a configuration of one pixel of a liquid crystal display device to which the present invention is applied and the periphery thereof.
【図7】液晶表示装置を構成する液晶パネルの等価回路
とその外周部に配置される駆動回路等の回路構成図であ
る。FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an equivalent circuit of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal display device and a driving circuit and the like arranged on an outer peripheral portion thereof.
【図8】照明手段などと共にモジュール化した液晶表示
装置の各構成部品を示す分解斜視図である。FIG. 8 is an exploded perspective view showing each component of the liquid crystal display device modularized together with lighting means and the like.
【図9】本発明による液晶表示装置の実装例を説明する
ノート型コンピユータの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a notebook computer for explaining a mounting example of a liquid crystal display device according to the present invention.
SUB1 電極基板 SUB2 対向基板 TFT 薄膜トランジスタ AS アモルファスシリコン層 GT ゲート電極 SD1 ドレイン電極 SD2 ソース電極 PSV 絶縁膜 ITO1 画素電極 ORI1 下配向膜 BM ブラックマトリクス FIL(R),FIL(G) 赤および緑のカラーフィ
ルタ OC 平滑層(保護膜:オーバーコート層) ITO2 共通電極 ORI2 上配向膜。SUB1 Electrode substrate SUB2 Counter substrate TFT Thin film transistor AS Amorphous silicon layer GT Gate electrode SD1 Drain electrode SD2 Source electrode PSV Insulating film ITO1 Pixel electrode ORI1 Lower alignment film BM Black matrix FIL (R), FIL (G) Red and green color filters OC Smooth layer (protective film: overcoat layer) ITO2 common electrode ORI2 Top alignment film.
フロントページの続き (72)発明者 北村 輝夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 石井 彰 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 佐藤 敏男 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 久慈 卓見 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Fターム(参考) 2H088 FA02 FA03 FA04 HA04 MA20 2H089 LA08 LA15 LA20 MA03X MA03Y NA09 NA19 NA25 NA41 NA58 QA16 TA05 2H091 FA02Y FA35Y FC10 GA03 GA06 GA08 GA09 GA13 GA16 LA16 LA30 Continued on the front page (72) Inventor Teruo Kitamura 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref.Electronic Devices Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Akira Ishii 3681-Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref. Person Toshio Sato 3681 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Takumi Kuji 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba F-term in Hitachi, Ltd., Electronic Devices Division 2H088 FA02 FA03 FA04 HA04 MA20 2H089 LA08 LA15 LA20 MA03X MA03Y NA09 NA19 NA25 NA41 NA58 QA16 TA05 2H091 FA02Y FA35Y FC10 GA03 GA06 GA08 GA09 GA13 GA16 LA16 LA30
Claims (3)
板の対向間隙に液晶を封入し、その周縁をシール材で接
着して構成した液晶表示装置であって、 前記有機材料の薄膜を形成した基板を、到達真空度が1
×10-6Pa.以下の昇温脱離ガス発生装置で10°C
/分で昇温して1°C置きに測定して得られる二酸化炭
素の検出イオン強度の室温から250°Cまでの積算量
が70000以下である前記有機材料の薄膜を用いて構
成したことを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device comprising a pair of substrates each having a thin film of an organic material formed on the inner surface thereof, in which liquid crystal is sealed in a gap between the substrates and a peripheral edge of which is bonded with a sealant. The ultimate vacuum degree of the formed substrate is 1
× 10 -6 Pa. 10 ° C with the following thermal desorption gas generator
/ Min, and the use of a thin film of the organic material, wherein the integrated amount of the detected ionic strength of carbon dioxide obtained by measuring every 1 ° C from room temperature to 250 ° C is 70,000 or less is 70,000 or less. Characteristic liquid crystal display device.
ルタ層を覆う平滑層および最内面に上配向膜を形成した
一方の基板と、少なくとも最内面に下配向膜を形成した
他方の基板との前記上配向膜と下配向膜を所定の間隙で
対向させ、前記間隙に液晶を封入し周縁をシール材で接
着してなる液晶表示装置であって、 前記平滑層を形成した一方の基板を、到達真空度が1×
10-6Pa.以下の昇温脱離ガス発生装置で10°C/
分で昇温して1°C置きに測定して得られる二酸化炭素
の検出イオン強度の室温から250°Cまでの積算量が
70000以下である前記平滑層を用いて構成したこと
を特徴とする液晶表示装置。2. The upper alignment of at least one substrate having a color filter layer, a smooth layer covering the color filter layer and an upper alignment film formed on the innermost surface, and the other substrate having a lower alignment film formed on at least the innermost surface. A liquid crystal display device in which a film and a lower alignment film are opposed to each other with a predetermined gap, and a liquid crystal is sealed in the gap and a peripheral edge is bonded with a sealing material. Is 1 ×
10 -6 Pa. 10 ° C /
And the integrated amount from room temperature to 250 ° C. of the detected ionic strength of carbon dioxide obtained by measuring the temperature every 1 ° C. every minute is 70,000 or less. Liquid crystal display.
特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the hardness of the smooth layer is 3H or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10341874A JP2000171785A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10341874A JP2000171785A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000171785A true JP2000171785A (en) | 2000-06-23 |
Family
ID=18349425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10341874A Pending JP2000171785A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000171785A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001221998A (en) * | 1991-08-01 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element and electronic instrument |
US6833895B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-12-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP10341874A patent/JP2000171785A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001221998A (en) * | 1991-08-01 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element and electronic instrument |
US6833895B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-12-21 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100375240B1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
JP4081643B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP4601269B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US7667798B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US20070046869A1 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
JP2787661B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR20030055856A (en) | Fabricated Method Of Liquid Crystal Display Apparatus Integrated Film Type Touch Panel | |
JP2000019527A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2000171808A (en) | Liquid crystal display device | |
US8233108B2 (en) | Liquid crystal display | |
US6879369B2 (en) | Structure of LCD manufactured by one-drop fill technology including a substrate with transparent conductive patterns | |
JP3597388B2 (en) | Liquid crystal display | |
CN109856848B (en) | Liquid crystal display panel and pretilt angle forming method | |
US8279381B2 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
JP2000275654A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
JP2003315775A (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
JP2000171785A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001166318A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001117107A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001209053A (en) | Liquid crystal display device | |
JP2000199904A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101277219B1 (en) | Flat panel display device | |
JP4109557B2 (en) | Structure of liquid crystal display and manufacturing method thereof | |
JP2000171805A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH09258198A (en) | Liquid crystal panel and its production |