JP2000167767A - Wafer polishing device and manufacture of wafer by using it - Google Patents

Wafer polishing device and manufacture of wafer by using it

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JP2000167767A
JP2000167767A JP34753898A JP34753898A JP2000167767A JP 2000167767 A JP2000167767 A JP 2000167767A JP 34753898 A JP34753898 A JP 34753898A JP 34753898 A JP34753898 A JP 34753898A JP 2000167767 A JP2000167767 A JP 2000167767A
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Japan
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wafer
polishing
polishing pad
head
holding head
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JP34753898A
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Japanese (ja)
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Jiro Kajiwara
治郎 梶原
Masahito Komazaki
雅人 駒崎
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SAIBEKKU NANO TECHNOL Inc
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
SAIBEKKU NANO TECHNOL Inc
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To adjust the gap between a wafer hold head and polishing pad properly and polish a wafer uniflormly by providing a gap adjust mechanism which can adjust the distance size between the wafer hold head and polishing pad. SOLUTION: A wafer is sucked for the wafer sucking seat provided on a carrier, while the projection length from the second hit together part 22 of an adjust member is adjusted. Thereby, when an upperside instalation plate 19 is lowered by an elevator 18 and the lower surface of the first hit together part 24 is contacted with the gap adjust cap of a gap adjust mechanism 23, the lower surface of the wafer and the lower surface of a retainaer are just contacted with the polishing pad 16. Thus, when the wafer is contacted with the polishing pad, a diaphragm is not bent downward. Thereby, the uniformity of the polished surface of the wafer can be ensured favorably.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ研磨装置
およびそれを用いたウェーハ製造方法に関し、特にウェ
ーハ表面の研磨量均一性を向上するための改良に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus and a wafer manufacturing method using the same, and more particularly to an improvement for improving the uniformity of a polishing amount on a wafer surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のウェーハ研磨装置としては、表
面に研磨パッドが貼付された円盤状のプラテンと、研磨
すべきウェーハの一面を保持して研磨パッドにウェーハ
の他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘッドとを具備
し、これらウェーハ保持ヘッドと前記プラテンとを相対
運動させつつ研磨パッドとウェーハとの間に研磨砥粒を
含むスラリーを供給することにより研磨を行うものが広
く知られている。
2. Description of the Related Art A wafer polishing apparatus of this type includes a disk-shaped platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and a plurality of wafer polishing apparatuses for holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. It is widely known to provide a wafer holding head and perform polishing by supplying a slurry containing abrasive grains between a polishing pad and a wafer while relatively moving the wafer holding head and the platen. I have.

【0003】その一例として、研磨パッドに対するウェ
ーハの当接圧力を均一化することができるといった利点
を有するフローティングヘッド構造を採用したウェーハ
保持ヘッドが開示されている(米国特許5,205,0
82号)。
As one example, there is disclosed a wafer holding head adopting a floating head structure having an advantage that a contact pressure of a wafer against a polishing pad can be made uniform (US Pat. No. 5,205,0).
No. 82).

【0004】このウェーハ保持ヘッドは、図5に示すよ
うに、中空のヘッド本体1と、ヘッド本体1内に水平に
張られたダイヤフラム2と、ダイヤフラム2の下面に固
定されたキャリア3とを備え、ダイヤフラム2によって
画成された空気室4に、シャフト5を通じて加圧空気源
6から加圧空気を供給することにより、キャリア3を下
方に押圧する構成となっている。
As shown in FIG. 5, this wafer holding head includes a hollow head main body 1, a diaphragm 2 stretched horizontally in the head main body 1, and a carrier 3 fixed to the lower surface of the diaphragm 2. The carrier 3 is pressed downward by supplying pressurized air from a pressurized air source 6 through a shaft 5 to an air chamber 4 defined by the diaphragm 2.

【0005】また、キャリア3の外周には、リテーナリ
ング7が、その下端がキャリア3よりも下方に突出する
ように配置され、キャリア3の下面に付着したウェーハ
の外周を保持するとともに、研磨中のウェーハがキャリ
ア3から外れるといった不具合を防止するようになって
いる。
[0005] A retainer ring 7 is arranged on the outer periphery of the carrier 3 so that the lower end of the retainer ring 7 projects below the carrier 3, and holds the outer periphery of the wafer attached to the lower surface of the carrier 3 while polishing. Is prevented from being detached from the carrier 3.

【0006】さらに、ウェーハをリテーナリング7で囲
み、このリテーナリング7の下端をウェーハ下面と同じ
高さで研磨することにより、ウェーハ外周部での過研磨
が防止できるとされている。
[0006] Further, it is said that by surrounding the wafer with a retainer ring 7 and polishing the lower end of the retainer ring 7 at the same height as the lower surface of the wafer, overpolishing at the outer peripheral portion of the wafer can be prevented.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のウェ
ーハ保持ヘッドにおいては、キャリア3およびリテーナ
リング7がダイヤフラム2によって支持されている。し
たがって、研磨時以前、すなわち、キャリア3に付着さ
れたウェーハを研磨パッドに当接させる以前の段階にお
いては、キャリア3およびリテーナリング7の自重がダ
イヤフラム2に作用することとなる。この場合、ダイヤ
フラム2は、ゴム等の弾性を有する材料で構成されるの
が通常であるため、図6に示すように下方にたわんだ状
態に変形するようになる。この状態のままで、ウェーハ
保持ヘッドを研磨パッドに近づけて研磨を開始すると、
リテーナリング7の下面の位置が本来位置すべき位置
(キャリア3によって保持されたウェーハの下面と同位
置)に比較して若干上方に位置することから、ウェーハ
保持ヘッドと研磨パッドとの間隔が適切に調整されてい
ない場合には、ウェーハのみが研磨パッドに当接しウェ
ーハのみが研磨されるか、または、ダイヤフラム2の弾
性力により、リテーナリング7の研磨圧がウェーハの研
磨圧に比較して小となることとなる。このような場合、
ウェーハに部分的な過研磨が生じ、その研磨量の均一性
が失われることとなってしまう。
In the above-described wafer holding head, the carrier 3 and the retainer ring 7 are supported by the diaphragm 2. Therefore, before polishing, that is, before the wafer attached to the carrier 3 is brought into contact with the polishing pad, the weight of the carrier 3 and the retainer ring 7 acts on the diaphragm 2. In this case, since the diaphragm 2 is generally made of a material having elasticity such as rubber, the diaphragm 2 is deformed downward as shown in FIG. In this state, when polishing is started by bringing the wafer holding head close to the polishing pad,
Since the position of the lower surface of the retainer ring 7 is slightly higher than the position where it should be (the same position as the lower surface of the wafer held by the carrier 3), the distance between the wafer holding head and the polishing pad is appropriate. If not adjusted, only the wafer comes into contact with the polishing pad and only the wafer is polished, or the elastic pressure of the diaphragm 2 causes the polishing pressure of the retainer ring 7 to be smaller than the polishing pressure of the wafer. It will be. In such a case,
The wafer is partially overpolished, and the uniformity of the polishing amount is lost.

【0008】このように、ウェーハの研磨量の均一性を
確保するためには、ウェーハ保持ヘッドと研磨パッドと
の間隔を適切に保持しつつ研磨を行うことが必須である
が、それにもかかわらず、従来、ウェーハ保持ヘッドと
研磨パッドとの間隔調整は、通常目視により行われてい
た。これにより、研磨量の均一性に欠けるウェーハが生
産される確率が高いものとなっていた。
As described above, in order to ensure the uniformity of the polishing amount of the wafer, it is necessary to perform the polishing while appropriately maintaining the distance between the wafer holding head and the polishing pad. Conventionally, the adjustment of the distance between the wafer holding head and the polishing pad has been usually performed visually. As a result, the probability of producing a wafer lacking in the uniformity of the polishing amount has been high.

【0009】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たものであり、ウェーハ保持ヘッドと研磨パッドとの間
隔を適切に調整して、ウェーハの研磨量の均一性を向上
させることを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the uniformity of the polishing amount of a wafer by appropriately adjusting the distance between a wafer holding head and a polishing pad. I do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては以下のような手段を採用した。す
なわち、請求項1記載のウェーハ研磨装置は、表面に研
磨パッドが貼付されたプラテンと、研磨すべきウェーハ
の一面を保持して前記研磨パッドにウェーハの他面を当
接させる1または2以上のウェーハ保持ヘッドとを具備
し、これらウェーハ保持ヘッドと前記プラテンとの相対
運動により前記研磨パッドで前記ウェーハ他面を研磨す
るウェーハ研磨装置であって、前記ウェーハ保持ヘッド
側と前記研磨パッド側との間に設けられて、これらウェ
ーハ保持ヘッドと研磨パッドとの間の距離寸法を調整可
能な間隔調整機構を備えて構成されていることを特徴と
している。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following means. That is, the wafer polishing apparatus according to claim 1 is a platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and one or more of two or more holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. A wafer polishing apparatus comprising a wafer holding head, and polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by the relative movement of the wafer holding head and the platen, wherein the wafer holding head side and the polishing pad side It is characterized in that it is provided with an interval adjusting mechanism that is provided between the wafer holding head and the polishing pad and that can adjust the distance between the wafer holding head and the polishing pad.

【0011】請求項2記載のウェーハ研磨装置は、請求
項1記載のウェーハ研磨装置であって、前記ウェーハ保
持ヘッドは、研磨すべきウェーハの前記一面を保持する
ための円盤状のキャリアと、該キャリアの外周に同心状
に配置されたリテーナリングとを有する構成とされ、前
記リテーナリングは、ヘッド軸線方向に変位可能とさ
れ、その下面が研磨時に前記研磨パッドに当接する構成
とされていることを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the wafer polishing apparatus according to the first aspect, wherein the wafer holding head includes a disc-shaped carrier for holding the one surface of the wafer to be polished. A retainer ring concentrically disposed on the outer periphery of the carrier, wherein the retainer ring is displaceable in the head axis direction, and a lower surface thereof is configured to contact the polishing pad during polishing. It is characterized by.

【0012】請求項3記載のウェーハ研磨装置は、請求
項1または2記載のウェーハ研磨装置であって、前記ウ
ェーハ保持ヘッド側に設けられてヘッド軸線方向に突出
する第一の突き合わせ部と、前記研磨パッド側に設けら
れてヘッド軸線方向に突出するとともに前記第一の突き
合わせ部に対して突き合わせられた状態で対向配置され
た第二の突き合わせ部とを有する構成とされ、前記間隔
調整機構は、前記第一および第二の突き合わせ部のいず
れか一方の先端に設けられて、前記研磨時には、同他方
に当接する構成とされていることを特徴としている。
A wafer polishing apparatus according to a third aspect of the present invention is the wafer polishing apparatus according to the first or second aspect, wherein a first butting portion provided on the wafer holding head side and protruding in a head axis direction; A second butting portion provided on the polishing pad side and protruding in the head axis direction and arranged so as to face the first butting portion while being opposed to each other, and the gap adjusting mechanism is It is characterized in that it is provided at one end of the first and second butting portions and abuts on the other during the polishing.

【0013】請求項4記載のウェーハ研磨装置は、請求
項3記載のウェーハ研磨装置であって、前記間隔調整機
構は、前記第一および第二の突き合わせ部のうちの前記
一方に対して螺設されるとともに、該一方からの突出長
が調整可能な構成とされていることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the wafer polishing apparatus according to the third aspect, the gap adjusting mechanism is screwed to the one of the first and second butting portions. And the length of the protrusion from one side is adjustable.

【0014】請求項5記載のウェーハ研磨装置は、請求
項3または4記載のウェーハ研磨装置であって、前記間
隔調整機構の先端には、前記第一および第二の突き合わ
せ部のうちの前記一方からの突出長を調整可能な間隔調
整キャップが装着離脱可能に設けられていることを特徴
としている。
A wafer polishing apparatus according to a fifth aspect is the wafer polishing apparatus according to the third or fourth aspect, wherein the one end of the first and second butting portions is provided at a tip of the gap adjusting mechanism. The distance adjusting cap which can adjust the protruding length from is provided detachably.

【0015】また、請求項6記載のウェーハ研磨装置を
用いたウェーハ製造方法は、表面に研磨パッドが貼付さ
れたプラテンと、研磨すべきウェーハの一面を保持して
前記研磨パッドにウェーハの他面を当接させる1または
2以上のウェーハ保持ヘッドとを具備したウェーハ研磨
装置を用い、これらウェーハ保持ヘッドと前記プラテン
とを相対運動させることにより前記研磨パッドで前記ウ
ェーハ他面を研磨する研磨工程を含んだウェーハ製造方
法であって、前記ウェーハ研磨装置の前記ウェーハ保持
ヘッド側に、ヘッド軸線方向に突出する第一の突き合わ
せ部を設けておく一方、前記研磨パッド側に、ヘッド軸
線方向に突出するとともに、前記第一の突き合わせ部に
対向配置される第二の突き合わせ部を設け、さらに、こ
れら第一および第二の突き合わせ部のいずれか一方の先
端に間隔調整機構を設けておき、前記研磨を行う際に
は、あらかじめ、前記ウェーハ保持ヘッドに前記ウェー
ハを保持させた状態で、前記ウェーハ保持ヘッドを前記
研磨パッドに近づけて、第一および第二の突き合わせ部
の一方の先端に設けられた間隔調整機構を、同他方に当
接させることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a wafer manufacturing method using a wafer polishing apparatus, wherein a platen having a polishing pad adhered to a surface thereof, and one surface of a wafer to be polished is held while holding the other surface of the wafer on the polishing pad. A polishing step of polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by relatively moving the wafer holding head and the platen using a wafer polishing apparatus having one or two or more wafer holding heads that make contact with the wafer holding head. In the method for manufacturing a wafer, the wafer holding head side of the wafer polishing apparatus is provided with a first butting portion projecting in the head axis direction, while the wafer polishing head is projected in the head axis direction on the polishing pad side. A second butting portion is provided opposite to the first butting portion, and further, the first and second A gap adjusting mechanism is provided at one end of the abutting portion, and when performing the polishing, the wafer holding head is held in advance with the wafer held by the wafer holding head and the polishing pad is , An interval adjustment mechanism provided at one end of the first and second butting portions is brought into contact with the other end.

【0016】請求項7記載のウェーハ研磨装置を用いた
ウェーハ製造方法は、請求項6記載のウェーハ研磨装置
を用いたウェーハ製造方法であって、前記研磨により、
前記研磨パッドが摩耗した際には、前記間隔調整機構の
前記第一および第二の突き合わせ部のうちの前記一方の
先端からの突出長を調整することにより、前記研磨時の
前記研磨パッドと前記ウェーハ保持ヘッドとの間隔を調
整することを特徴としている。
A wafer manufacturing method using the wafer polishing apparatus according to claim 7 is a wafer manufacturing method using the wafer polishing apparatus according to claim 6, wherein
When the polishing pad is worn, by adjusting the protruding length from the one end of the first and second butting portions of the interval adjusting mechanism, the polishing pad and the polishing pad during the polishing. It is characterized in that the distance from the wafer holding head is adjusted.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。図1に示すものは、本発明の一
実施の形態であるウェーハ研磨装置11の概略構成であ
る。図中、符号13として示すものは、ウェーハ研磨装
置11の基台であり、基台13の中央には、円盤状のプ
ラテン14が水平に配置されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a wafer polishing apparatus 11 according to an embodiment of the present invention. In the drawing, what is indicated by the reference numeral 13 is a base of the wafer polishing apparatus 11, and a disk-shaped platen 14 is horizontally arranged at the center of the base 13.

【0018】このプラテン14は、基台13内に設けら
れたプラテン駆動機構15により軸線回りに回転される
ようになっており、その上面には全面にわたって研磨パ
ッド16が貼付された構成となっている。
The platen 14 is rotated about an axis by a platen drive mechanism 15 provided in the base 13, and a polishing pad 16 is adhered to the entire upper surface thereof. I have.

【0019】また、基台13の側方には支柱17,…が
設けられており、これら支柱17,…には、昇降装置1
8を介して上側取付板19が取り付けられている。この
上側取付板19は、カルーセル駆動機構20を支持する
構成とされており、カルーセル駆動機構20の下方に
は、カルーセル21が設けられている。
Further, columns 17,... Are provided on the sides of the base 13, and these columns 17,.
The upper mounting plate 19 is mounted via the base 8. The upper mounting plate 19 is configured to support a carousel drive mechanism 20, and a carousel 21 is provided below the carousel drive mechanism 20.

【0020】昇降装置18は、上側取付板19、および
この上側取付板19によって支持されたカルーセル駆動
機構20とカルーセル21とを、支柱17,…に沿って
昇降させる機能を有している。また、カルーセル駆動機
構20は、カルーセル21を軸線周りに回転させること
のできる機能を有している。
The lifting device 18 has a function of raising and lowering the upper mounting plate 19 and the carousel driving mechanism 20 and the carousel 21 supported by the upper mounting plate 19 along the columns 17,. The carousel drive mechanism 20 has a function of rotating the carousel 21 around an axis.

【0021】また、基台13からは、第二の突き合わせ
部22,…が上方に突出するように配置されている。こ
れら第二の突き合わせ部22の上端22a,…には、間
隔調整機構23が設けられている。一方、第二の突き合
わせ部22の上方には、第一の突き合わせ部24が対向
配置されている。この第一の突き合わせ部24は、上側
取付板19に固定されるとともに、上側取付板19から
下方に突出する構成となっている。
Also, from the base 13, second butting portions 22,... Are arranged so as to protrude upward. At the upper ends 22a,... Of the second butting portions 22, an interval adjusting mechanism 23 is provided. On the other hand, above the second butting portion 22, the first butting portion 24 is arranged to face. The first butting portion 24 is configured to be fixed to the upper mounting plate 19 and protrude downward from the upper mounting plate 19.

【0022】さらに、カルーセル21の下面には、プラ
テン14と対向する計6基のウェーハ保持ヘッド25,
…が設けられている。ウェーハ保持ヘッド25,…は、
図2に示すように、カルーセル21の中心から同一距離
においてカルーセル21の中心軸回りに60°ごとに配
置されており、それぞれ、図示略のヘッド駆動機構によ
り周方向に回転させられるとともに、カルーセル駆動機
構20により、遊星回転させられるようになっている。
Further, on the lower surface of the carousel 21, a total of six wafer holding heads 25 facing the platen 14,
... are provided. The wafer holding heads 25,.
As shown in FIG. 2, at the same distance from the center of the carousel 21, they are arranged at intervals of 60 ° around the central axis of the carousel 21. The mechanism 20 allows the planetary rotation.

【0023】図3は、ウェーハ保持ヘッド25の構成の
詳細を示す図である。ウェーハ保持ヘッド25は、軸線
が垂直に配置されるとともに、下端が開口する中空のヘ
ッド本体28と、ヘッド本体28の内部に張られたダイ
ヤフラム29と、ダイヤフラム29の下面に固定された
円盤状のキャリア30と、キャリア30の外周に同心に
配置された円環状のリテーナリング32とを備えた構成
となっている。
FIG. 3 is a diagram showing details of the configuration of the wafer holding head 25. The wafer holding head 25 has a hollow head main body 28 whose axis is vertically arranged and whose lower end is open, a diaphragm 29 stretched inside the head main body 28, and a disc-shaped fixed to the lower surface of the diaphragm 29. The configuration includes a carrier 30 and an annular retainer ring 32 concentrically arranged on the outer periphery of the carrier 30.

【0024】これらのうち、ヘッド本体28は、円盤状
の天板部34と、天板部34の外周に固定された円筒状
の周壁部35とから構成され、天板部34は、カルーセ
ル21のシャフト36に同軸に固定されている。周壁部
35の内周壁には、水平な段部35Aが形成され、ここ
に、円盤状のダイヤフラム29の外周部が載置されて固
定リング38により複数のネジで固定されている。ダイ
ヤフラム29は、各種ゴムなどの弾性材料により形成さ
れている。さらに、周壁部35の内周壁の下端部には、
全周にわたって半径方向内方に突出する支持部39が形
成されている。
Of these, the head body 28 is composed of a disk-shaped top plate 34 and a cylindrical peripheral wall 35 fixed to the outer periphery of the top plate 34. The shaft 36 is coaxially fixed to the shaft 36. A horizontal step portion 35A is formed on the inner peripheral wall of the peripheral wall portion 35, on which an outer peripheral portion of a disk-shaped diaphragm 29 is placed and fixed with a plurality of screws by a fixing ring 38. The diaphragm 29 is formed of an elastic material such as various rubbers. Further, at the lower end portion of the inner peripheral wall of the peripheral wall portion 35,
A support portion 39 protruding radially inward is formed over the entire circumference.

【0025】キャリア30は、セラミック等の高い剛性
を有する材料で成型された一定厚さのものであり、弾性
変形はしない。また、キャリア30は、ダイヤフラム2
9の上面に同軸に配置された固定リング40に対して複
数のボルトにより固定されている。
The carrier 30 is formed of a material having high rigidity such as ceramic and has a constant thickness, and does not deform elastically. In addition, the carrier 30 includes the diaphragm 2.
9 is fixed by a plurality of bolts to a fixing ring 40 arranged coaxially on the upper surface.

【0026】また、キャリア30には、図示しない真空
ポンプ等の吸引手段に接続された吸着孔41が設けられ
ており、これにより、研磨時には、ウェーハWをキャリ
ア30の下面に吸着固定できるようになっている。さら
に、ウェーハWは、キャリア30の下面に円形のウェー
ハ付着シートSを介して貼り付けられる。ウェーハ吸着
シートSは、例えば吸水性を有する材質で形成されたも
ので、水分を吸収すると表面張力でウェーハを吸着する
ようになっている。
The carrier 30 is provided with a suction hole 41 connected to a suction means such as a vacuum pump (not shown) so that the wafer W can be suction-fixed to the lower surface of the carrier 30 during polishing. Has become. Further, the wafer W is attached to the lower surface of the carrier 30 via a circular wafer attachment sheet S. The wafer suction sheet S is formed of, for example, a water-absorbing material, and absorbs a wafer by surface tension when absorbing moisture.

【0027】一方、リテーナリング32は、上端面およ
び下端面が水平かつ平坦な円環状をなしている。また、
リテーナリング32は、キャリア30の外周面との間
に、わずかな隙間を空けて同心状に配置され、キャリア
30とは独立して上下変位可能とされている。さらに、
リテーナリング32の外周面の上部には、半径方向外方
に突出する支持部32aが形成されており、ウェーハ保
持ヘッド25を引き上げた際には、この支持部32aが
周壁部35の下端に形成された支持部39により支持さ
れる。
On the other hand, the retainer ring 32 has an upper end surface and a lower end surface formed in a horizontal and flat annular shape. Also,
The retainer ring 32 is concentrically arranged with a slight gap between the retainer ring 32 and the outer peripheral surface of the carrier 30, and is vertically displaceable independently of the carrier 30. further,
A support portion 32a projecting outward in the radial direction is formed on an upper portion of an outer peripheral surface of the retainer ring 32. When the wafer holding head 25 is pulled up, the support portion 32a is formed at a lower end of the peripheral wall portion 35. Is supported by the supporting portion 39.

【0028】リテーナリング32の上端はダイヤフラム
29の下面に当接されるとともに、ダイヤフラム29の
上面におけるリテーナリング32と対向する位置に配置
された固定リング42に対して複数のネジで固定されて
いる。
The upper end of the retainer ring 32 is in contact with the lower surface of the diaphragm 29 and is fixed with a plurality of screws to a fixing ring 42 disposed on the upper surface of the diaphragm 29 at a position facing the retainer ring 32. .

【0029】また、図4に、間隔調整機構23の構成の
詳細を示す。図4に示すように、間隔調整機構23は、
第二の突き合わせ部22の上端22aに設けられた固定
孔44と、下端が固定孔44内に固定された調整部材4
5と、調整部材45の先端に設けられた間隔調整キャッ
プ46とを備えた構成となっている。調整部材45は、
雄ネジであり、固定孔44の内周面44aに切られた雌
ネジと螺合可能となっている。また、このようなねじ込
み式が採用されることから、調整部材45を回転させ
て、調整部材45の第二の突き合わせ部22の上端22
aからの突出長を調整することが可能となっている。ま
た、間隔調整キャップ46は、調整部材45の上端の突
出部45aと嵌合されるとともに、調整部材45に対し
て装着・離脱可能な構成となっている。
FIG. 4 shows the details of the configuration of the interval adjusting mechanism 23. As shown in FIG. 4, the interval adjusting mechanism 23 includes:
A fixing hole 44 provided at an upper end 22 a of the second butting portion 22, and an adjusting member 4 having a lower end fixed in the fixing hole 44.
5 and a gap adjusting cap 46 provided at the tip of the adjusting member 45. The adjusting member 45
It is a male screw and can be screwed with a female screw cut on the inner peripheral surface 44a of the fixing hole 44. In addition, since such a screw-in type is adopted, the adjusting member 45 is rotated so that the upper end 22 of the second butting portion 22 of the adjusting member 45 is rotated.
It is possible to adjust the protruding length from a. The spacing adjustment cap 46 is configured to be fitted to the protrusion 45 a at the upper end of the adjustment member 45 and to be attachable to and detachable from the adjustment member 45.

【0030】次に、以上のような構成とされたウェーハ
研磨装置11を用いたウェーハの研磨方法(ウェーハの
製造方法)について説明する。これには、まず、キャリ
ア30に設けられたウェーハ吸着シートSに対してウェ
ーハWを吸着させる一方、調整部材45の第二の突き合
わせ部22からの突出長を調整しておく。これにより、
昇降装置18により上側取付板19を降下させて、第一
の突き合わせ部24の下面と間隔調整キャップ46とを
当接させた場合に、ちょうど、ウェーハWの下面および
リテーナリング32の下面が研磨パッド16に当接する
ようにしておく。このようにすることによって、ウェー
ハWを研磨パッドに当接させた際に、ダイヤフラム29
が下方にたわまないようにしておく。
Next, a description will be given of a wafer polishing method (wafer manufacturing method) using the wafer polishing apparatus 11 configured as described above. For this, first, the wafer W is sucked to the wafer suction sheet S provided on the carrier 30, and the length of the adjustment member 45 projecting from the second butting portion 22 is adjusted. This allows
When the upper mounting plate 19 is lowered by the elevating device 18 to bring the lower surface of the first butting portion 24 into contact with the gap adjusting cap 46, the lower surface of the wafer W and the lower surface of the retainer ring 32 are just polished by a polishing pad. 16. By doing so, when the wafer W is brought into contact with the polishing pad, the diaphragm 29
Bend down.

【0031】このように、あらかじめ調整部材45の位
置を調節しておいた上で、いったん上側取付板19を上
昇させ、プラテン駆動機構15およびカルーセル駆動機
構20を用いて、プラテン14およびカルーセル21を
回転させ、ウェーハ保持ヘッド25をプラテン14に対
して遊星回転させる。さらにヘッド駆動機構を駆動し
て、ウェーハ保持ヘッド25を回転させるとともに、上
側取付板19を再度、第一突き合わせ部24および間隔
調整キャップ46が互いに当接するまで降下させる。こ
れにより、ウェーハWが研磨パッド16に当接し、ウェ
ーハ研磨が開始されることとなる。
After the position of the adjusting member 45 has been adjusted in advance, the upper mounting plate 19 is once raised, and the platen 14 and the carousel 21 are moved using the platen driving mechanism 15 and the carousel driving mechanism 20. Then, the wafer holding head 25 is planetarily rotated with respect to the platen 14. Further, the head driving mechanism is driven to rotate the wafer holding head 25, and the upper mounting plate 19 is lowered again until the first butting portion 24 and the gap adjusting cap 46 contact each other. As a result, the wafer W comes into contact with the polishing pad 16 and wafer polishing is started.

【0032】このようなウェーハ研磨を繰り返し行った
場合、研磨パッド16に摩耗が生じ、これにより、第一
および第二の突き合わせ部24,22を当接させた際
に、ダイヤフラム29が下方にたわんでしまう心配があ
るが、この場合には、間隔調整キャップ46を適切な寸
法のものと交換することによって、研磨時のダイヤフラ
ム29、ウェーハW、およびリテーナリング32の位置
を適切に保つようにする。
When such wafer polishing is repeatedly performed, the polishing pad 16 is worn, and when the first and second butted portions 24 and 22 are brought into contact with each other, the diaphragm 29 is bent downward. In this case, by replacing the gap adjusting cap 46 with one having an appropriate size, the positions of the diaphragm 29, the wafer W, and the retainer ring 32 during polishing are appropriately maintained. .

【0033】以上のように、上述のウェーハ研磨装置1
1は、間隔調整機構23によって、研磨時のウェーハ保
持ヘッド25と研磨パッド16との間の間隔を適切なも
のとすることができるため、従来に比較して、ウェーハ
Wの研磨面の均一性をより良好に確保することができ
る。また、このようなウェーハ研磨装置11の特長は、
特に、ウェーハ保持ヘッドが、本実施の形態のようなキ
ャリア30およびリテーナリング32とがダイヤフラム
29により支持されたフローティングヘッド構造のウェ
ーハ保持ヘッドである場合に好適であり、この場合に
は、ダイヤフラムの下方へのたわみを防いで、ウェーハ
の部分的な過研磨を防止することができる。
As described above, the above-described wafer polishing apparatus 1
1 is that the spacing between the wafer holding head 25 and the polishing pad 16 during polishing can be made appropriate by the spacing adjusting mechanism 23, so that the uniformity of the polished surface of the wafer W is smaller than in the past. Can be better ensured. The features of such a wafer polishing apparatus 11 are as follows.
In particular, the wafer holding head is suitable when the carrier 30 and the retainer ring 32 are a wafer holding head having a floating head structure supported by the diaphragm 29 as in the present embodiment. By preventing downward bending, partial overpolishing of the wafer can be prevented.

【0034】さらに、上述のウェーハ研磨装置11にお
いては、間隔調整機構23が基台13に設けられた第二
の突き合わせ部22の上端22aに設けられるととも
に、この間隔調整機構23が、研磨時に、第二の突き合
わせ部22と突き合わされて位置する第一の突き合わせ
部24と当接するという簡易な構成となっているため
に、容易に、ウェーハ保持ヘッド25と研磨パッド16
との間隔調整を実現することができる。
Further, in the above-described wafer polishing apparatus 11, the gap adjusting mechanism 23 is provided on the upper end 22a of the second butting portion 22 provided on the base 13, and the gap adjusting mechanism 23 is used for polishing. Since it has a simple configuration in which it comes into contact with the first butting portion 24 which is located in abutment with the second butting portion 22, the wafer holding head 25 and the polishing pad 16 can be easily formed.
Can be adjusted.

【0035】さらに、上述のウェーハ研磨装置11にお
いては、間隔調整機構23の調整部材45が、第二の突
き合わせ部22の上端22aに設けられた固定孔44に
螺設される構成となっているために、間隔調整機構23
の第二の突き合わせ部22からの突出長を容易に調整す
ることができ、これにより、精度の高い間隔調整が可能
である。
Further, in the above-described wafer polishing apparatus 11, the adjusting member 45 of the interval adjusting mechanism 23 is screwed into the fixing hole 44 provided at the upper end 22a of the second butting portion 22. Therefore, the interval adjusting mechanism 23
The protrusion length from the second butting portion 22 can be easily adjusted, thereby enabling highly accurate interval adjustment.

【0036】また、間隔調整キャップ46が交換可能で
あるために、研磨パッド16の摩耗にも対応することが
可能である。
Further, since the gap adjusting cap 46 is replaceable, it is possible to cope with wear of the polishing pad 16.

【0037】また、ウェーハ研磨装置11を用いたウェ
ーハの研磨方法(ウェーハの製造方法)においては、第
一の突き合わせ部24、第二の突き合わせ部22、およ
び、間隔調整機構23を用いた簡易な機械的構成によ
り、ウェーハ保持ヘッド25と研磨パッド16との間隔
調整を実現することができる。したがって、低コストで
ウェーハ研磨の均一性を向上させることができる。
Further, in the wafer polishing method (wafer manufacturing method) using the wafer polishing apparatus 11, a simple method using the first butting portion 24, the second butting portion 22, and the gap adjusting mechanism 23 is used. With the mechanical configuration, it is possible to realize the adjustment of the distance between the wafer holding head 25 and the polishing pad 16. Therefore, uniformity of wafer polishing can be improved at low cost.

【0038】さらに、ウェーハ研磨装置11を用いたウ
ェーハの研磨方法(ウェーハの製造方法)においては、
間隔調整キャップ46を適切な寸法のものと交換するこ
とで、間隔調整機構23の第二の突き合わせ部22から
の突出長を調整し、これにより、研磨パッド16の摩耗
に対応するようにしたので、容易かつ低コストで、研磨
パッド16の摩耗対策を実現することができるととも
に、研磨パッド16が摩耗したとしても、研磨パッド1
6の位置調整や交換等の面倒な作業が必要とならず、ウ
ェーハ製造における作業性の向上を実現することができ
る。
Further, in the wafer polishing method (wafer manufacturing method) using the wafer polishing apparatus 11,
By replacing the gap adjusting cap 46 with one having an appropriate size, the length of the gap adjusting mechanism 23 protruding from the second butted portion 22 was adjusted, thereby coping with wear of the polishing pad 16. It is possible to easily and at a low cost to implement measures against the abrasion of the polishing pad 16.
No troublesome work such as position adjustment and replacement of 6 is required, and workability in wafer manufacturing can be improved.

【0039】なお、上記実施の形態において、本発明の
趣旨を逸脱しない範囲内で、他の構成を採用するように
してもよい。例えば、上記実施の形態においては、間隔
調整機構23は、第二の突き合わせ部22の上端22a
に設けられていたが、これを、第一の突き合わせ部24
の下面側に取り付けるようにしても構わない。また、調
整部材45のみで間隔調整機構23の突出長を適切に調
整できる場合には、間隔調整キャップ46を省略するこ
ともできる。
In the above embodiment, other configurations may be adopted without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the interval adjusting mechanism 23 is provided with the upper end 22a of the second butting portion 22.
Provided in the first butting portion 24
It may be attached to the lower surface side of. When the protrusion length of the gap adjusting mechanism 23 can be appropriately adjusted only by the adjusting member 45, the gap adjusting cap 46 can be omitted.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るウ
ェーハ研磨装置は、間隔調整機構によって、研磨時にお
けるウェーハ保持ヘッドと研磨パッドとの間の距離寸法
を適切なものとすることができるため、従来に比較し
て、ウェーハの研磨面の均一性をより良好に確保するこ
とができる。また、請求項2のように、ウェーハ保持ヘ
ッドにおいて、キャリアおよびリテーナリングがダイヤ
フラムにより支持された構造とされている場合には、ダ
イヤフラムの下方へのたわみを防いで、ウェーハの部分
的な過研磨を防止することができる。
As described above, in the wafer polishing apparatus according to the first aspect, the distance between the wafer holding head and the polishing pad during polishing can be made appropriate by the gap adjusting mechanism. Therefore, the uniformity of the polished surface of the wafer can be more preferably ensured as compared with the related art. In the case where the carrier and the retainer ring are structured to be supported by the diaphragm in the wafer holding head as in claim 2, partial downward polishing of the wafer is prevented by preventing the downward bending of the diaphragm. Can be prevented.

【0041】請求項3に係るウェーハ研磨装置において
は、ウェーハ保持ヘッド側に設けられた第一の突き合わ
せ部と、研磨パッド側に設けられた第二の突き合わせ部
とが突き合わされた状態とされるとともに、これら第一
および第二の突き合わせ部のいずれか一方の先端に間隔
調整機構が設けられていることから、簡易な構成により
容易にウェーハ保持ヘッドと研磨パッドとの間隔調整を
実現することができる。この場合、請求項4のように、
間隔調整機構が第一および第二の突き合わせ部のいずれ
か一方に螺設される構成とし、間隔調整機構の前記一方
からの突出長を容易に調整することができるようにすれ
ば、精度の高い間隔調整が可能である。さらに、請求項
5のように、間隔調整機構の先端に、着脱自在な間隔調
整キャップを設けることとすれば、この間隔調整キャッ
プを交換することにより、研磨パッドの摩耗等によるウ
ェーハ保持ヘッドと研磨パッドとの間隔の変化にも容易
に対応することが可能である。
In the wafer polishing apparatus according to the third aspect, the first butting portion provided on the wafer holding head side and the second butting portion provided on the polishing pad side are brought into a state of being butted. In addition, since an interval adjusting mechanism is provided at one end of the first and second butting portions, the interval between the wafer holding head and the polishing pad can be easily adjusted with a simple configuration. it can. In this case, as in claim 4,
If the interval adjusting mechanism is configured to be screwed to one of the first and second butting portions, and the length of the interval adjusting mechanism protruding from the one can be easily adjusted, high accuracy is achieved. Interval adjustment is possible. Further, if a detachable gap adjusting cap is provided at the tip of the gap adjusting mechanism as described in claim 5, by exchanging the gap adjusting cap, the polishing of the wafer holding head due to abrasion of the polishing pad or the like can be achieved. It is possible to easily cope with a change in the distance from the pad.

【0042】また、請求項6に係るウェーハ製造方法
は、研磨工程時において、第一の突き合わせ部、第二の
突き合わせ部、および、間隔調整機構を用いた簡易な機
械的構成により、ウェーハ保持ヘッドと研磨パッドとの
間隔調整を実現することができ、低コストでウェーハ研
磨の均一性を向上させることができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the polishing step, the wafer holding head has a simple mechanical configuration using the first butting portion, the second butting portion, and the gap adjusting mechanism. Adjustment of the distance between the polishing pad and the polishing pad can be realized, and the uniformity of wafer polishing can be improved at low cost.

【0043】さらに、請求項7に係るウェーハ製造方法
は、間隔調整機構の第二の突き合わせ部からの突出長を
調整することで研磨パッドの摩耗に対応するようにした
ので、容易かつ低コストで、研磨パッドの摩耗対策を実
現することができるとともに、研磨パッドが摩耗したと
しても、研磨パッドの位置調整や交換等の面倒な作業が
必要とならず、ウェーハ製造における作業性の向上を実
現することができる。
Further, in the wafer manufacturing method according to the seventh aspect, the length of the interval adjusting mechanism protruding from the second butting portion is adjusted to cope with the wear of the polishing pad. In addition, it is possible to realize a countermeasure against abrasion of the polishing pad, and even if the polishing pad is worn out, troublesome work such as adjusting the position of the polishing pad or replacing the polishing pad is not required, thereby improving workability in wafer manufacturing. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施の形態を模式的に示すウェー
ハ研磨装置の正面図である。
FIG. 1 is a front view of a wafer polishing apparatus schematically showing an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示したウェーハ研磨装置におけるウェ
ーハ保持ヘッドとカルーセルとの配置状態を示す平面図
である。
FIG. 2 is a plan view showing an arrangement state of a wafer holding head and a carousel in the wafer polishing apparatus shown in FIG.

【図3】 図1に示したウェーハ研磨装置のウェーハ保
持ヘッドの構成の詳細を示す立断面図である。
3 is an elevational sectional view showing details of a configuration of a wafer holding head of the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図4】 図1に示したウェーハ研磨装置における間隔
調整機構の構成の詳細を示す立断面図である。
FIG. 4 is an elevational sectional view showing details of a configuration of a gap adjusting mechanism in the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1;

【図5】 本発明の従来の技術を示すウェーハ保持ヘッ
ドの立断面図である。
FIG. 5 is an elevational sectional view of a wafer holding head showing a conventional technique of the present invention.

【図6】 図5に示したウェーハ保持ヘッドにおけるダ
イヤフラムがリテーナリングおよびキャリアの自重によ
り変形した場合の状態を示す立断面図である。
FIG. 6 is an elevational sectional view showing a state where the diaphragm in the wafer holding head shown in FIG. 5 is deformed by the retainer ring and the carrier's own weight.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ウェーハ研磨装置 14 プラテン 16 研磨パッド 21 カルーセル 22 第二の突き合わせ部 22a 上端 23 間隔調整機構 24 第一の突き合わせ部 25 ウェーハ保持ヘッド 29 ダイヤフラム 30 キャリア 32 リテーナリング 46 間隔調整キャップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Wafer polishing apparatus 14 Platen 16 Polishing pad 21 Carousel 22 Second butting part 22a Upper end 23 Interval adjusting mechanism 24 First butting part 25 Wafer holding head 29 Diaphragm 30 Carrier 32 Retainer ring 46 Interval adjusting cap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梶原 治郎 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 (72)発明者 駒崎 雅人 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA16 AB03 AB04 AB06 AB08 AC04 DA02 DA09 DA17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Jiro Kajiwara 1-297 Kitabukurocho, Omiya City, Saitama Prefecture Inside Mitsubishi Materials Research Institute (72) Inventor Masato Komazaki 1-297 Kitabukurocho, Omiya City, Saitama Mitsubishi Materials F-term in Reference Laboratory Co., Ltd. (reference) 3C058 AA07 AA16 AB03 AB04 AB06 AB08 AC04 DA02 DA09 DA17

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に研磨パッドが貼付されたプラテン
と、研磨すべきウェーハの一面を保持して前記研磨パッ
ドにウェーハの他面を当接させる1または2以上のウェ
ーハ保持ヘッドとを具備し、これらウェーハ保持ヘッド
と前記プラテンとの相対運動により前記研磨パッドで前
記ウェーハ他面を研磨するウェーハ研磨装置であって、 前記ウェーハ保持ヘッド側と前記研磨パッド側との間に
設けられて、これらウェーハ保持ヘッドと研磨パッドと
の間の距離寸法を調整可能な間隔調整機構を備えて構成
されていることを特徴とするウェーハ研磨装置。
1. A platen having a polishing pad affixed to a surface thereof, and one or more wafer holding heads for holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. A wafer polishing apparatus for polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by a relative movement between the wafer holding head and the platen, provided between the wafer holding head side and the polishing pad side, A wafer polishing apparatus, comprising: a distance adjusting mechanism capable of adjusting a distance dimension between a wafer holding head and a polishing pad.
【請求項2】 請求項1記載のウェーハ研磨装置であっ
て、 前記ウェーハ保持ヘッドは、ヘッド本体に設けられたダ
イヤフラムに、研磨すべきウェーハの前記一面を保持す
るための円盤状のキャリアと、該キャリアの外周に同心
状に配置されたリテーナリングとが固定された構成とさ
れ、 前記リテーナリングは、ヘッド軸線方向に変位可能とさ
れ、その下面が研磨時に前記研磨パッドに当接する構成
とされていることを特徴とするウェーハ研磨装置。
2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the wafer holding head includes a disk-shaped carrier for holding the one surface of a wafer to be polished on a diaphragm provided on a head body; A retainer ring concentrically disposed on the outer periphery of the carrier is fixed, and the retainer ring is displaceable in a head axis direction, and a lower surface thereof is configured to contact the polishing pad during polishing. A wafer polishing apparatus, comprising:
【請求項3】 請求項1または2記載のウェーハ研磨装
置であって、 前記ウェーハ保持ヘッド側に設けられてヘッド軸線方向
に突出する第一の突き合わせ部と、前記研磨パッド側に
設けられてヘッド軸線方向に突出するとともに前記第一
の突き合わせ部に対して突き合わせられた状態で対向配
置された第二の突き合わせ部とを有する構成とされ、 前記間隔調整機構は、前記第一および第二の突き合わせ
部のいずれか一方の先端に設けられて、前記研磨時に
は、同他方に当接する構成とされていることを特徴とす
るウェーハ研磨装置。
3. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein a first butting portion provided on the wafer holding head side and protruding in a head axis direction, and a head provided on the polishing pad side. And a second butting portion that protrudes in the axial direction and that is opposed to the first butting portion while being abutted against the first butting portion. A wafer polishing apparatus provided at one end of one of the sections and abutting on the other during the polishing.
【請求項4】 請求項3記載のウェーハ研磨装置であっ
て、 前記間隔調整機構は、前記第一および第二の突き合わせ
部のうちの前記一方に対して螺設されるとともに、該一
方からの突出長が調整可能な構成とされていることを特
徴とするウェーハ研磨装置。
4. The wafer polishing apparatus according to claim 3, wherein the gap adjusting mechanism is screwed with respect to the one of the first and second butting portions, and is provided with a screw from the one. A wafer polishing apparatus, wherein a projection length is adjustable.
【請求項5】 請求項3または4記載のウェーハ研磨装
置であって、 前記間隔調整機構の先端には、前記第一および第二の突
き合わせ部のうちの前記一方からの突出長を調整可能な
間隔調整キャップが装着離脱可能に設けられていること
を特徴とするウェーハ研磨装置。
5. The wafer polishing apparatus according to claim 3, wherein a protrusion length of said first and second butting portions from said one of said first and second butting portions is adjustable at a tip of said gap adjusting mechanism. A wafer polishing apparatus, wherein an interval adjusting cap is provided so as to be detachable.
【請求項6】 表面に研磨パッドが貼付されたプラテン
と、研磨すべきウェーハの一面を保持して前記研磨パッ
ドにウェーハの他面を当接させる1または2以上のウェ
ーハ保持ヘッドとを具備したウェーハ研磨装置を用い、
これらウェーハ保持ヘッドと前記プラテンとを相対運動
させることにより前記研磨パッドで前記ウェーハ他面を
研磨する研磨工程を含んだウェーハの製造方法であっ
て、 前記ウェーハ研磨装置の前記ウェーハ保持ヘッド側に、
ヘッド軸線方向に突出する第一の突き合わせ部を設けて
おく一方、前記研磨パッド側に、ヘッド軸線方向に突出
するとともに、前記第一の突き合わせ部に対向配置され
る第二の突き合わせ部を設け、さらに、これら第一およ
び第二の突き合わせ部のいずれか一方の先端に間隔調整
機構を設けておき、 前記研磨を行う際には、あらかじめ、前記ウェーハ保持
ヘッドに前記ウェーハを保持させた状態で、前記ウェー
ハ保持ヘッドを前記研磨パッドに近づけて、第一および
第二の突き合わせ部の一方の先端に設けられた間隔調整
機構を、同他方に当接させることを特徴とするウェーハ
研磨装置を用いたウェーハの製造方法。
6. A platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and one or more wafer holding heads for holding one surface of a wafer to be polished and for abutting the other surface of the wafer to the polishing pad. Using a wafer polishing device,
A wafer manufacturing method including a polishing step of polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by relatively moving the wafer holding head and the platen, wherein the wafer holding head side of the wafer polishing apparatus,
While a first butting portion protruding in the head axis direction is provided, a second butting portion is provided on the polishing pad side, which protrudes in the head axis direction and is arranged to face the first butting portion, Further, an interval adjusting mechanism is provided at one end of the first and second butting portions, and when performing the polishing, in advance, the wafer is held by the wafer holding head, Using a wafer polishing apparatus, wherein the wafer holding head is brought close to the polishing pad, and a gap adjusting mechanism provided at one end of the first and second butting portions is brought into contact with the other. Wafer manufacturing method.
【請求項7】 請求項6記載のウェーハ研磨装置を用い
たウェーハ製造方法であって、 前記研磨により、前記研磨パッドが摩耗した際には、前
記間隔調整機構の前記第一および第二の突き合わせ部の
うちの前記一方の先端からの突出長を調整することによ
り、前記研磨時の前記研磨パッドと前記ウェーハ保持ヘ
ッドとの間隔を調整することを特徴とするウェーハ研磨
装置を用いたウェーハ製造方法。
7. A wafer manufacturing method using the wafer polishing apparatus according to claim 6, wherein when the polishing pad is worn by the polishing, the first and second buttings of the gap adjusting mechanism are performed. Adjusting the distance between the polishing pad and the wafer holding head during polishing by adjusting the length of protrusion from the one end of the portion. .
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