JP2003165048A - Polishing tool shaping method and polishing device - Google Patents

Polishing tool shaping method and polishing device

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JP2003165048A
JP2003165048A JP2001364917A JP2001364917A JP2003165048A JP 2003165048 A JP2003165048 A JP 2003165048A JP 2001364917 A JP2001364917 A JP 2001364917A JP 2001364917 A JP2001364917 A JP 2001364917A JP 2003165048 A JP2003165048 A JP 2003165048A
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JP
Japan
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polishing
polishing tool
tool
wafer
polished
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Application number
JP2001364917A
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Japanese (ja)
Inventor
Masamitsu Kitahashi
正光 北橋
Hiroaki Yamamoto
博昭 山本
Akihiro Ishii
明洋 石井
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Sumco Techxiv Corp
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent unbalanced local loads from occurring in a wafer by suppressing polishing head rocking attributable to a wavy polishing tool by dressing or seasoning the tool without damaging the wafer surface to undergo polishing. <P>SOLUTION: The polishing device has a polishing head 2 for sucking and fixing a wafer 10, a polishing tool 5 for polishing the wafer 10, and a mechanism for causing relative movement between the wafer 10 and the tool 5 with the two remaining in contact with each other. A dressing plate or a seasoning plate is sucked and fixed to the part, designed for the wafer 10 on the polishing head 2 to be sucked to, and the surface of the tool 5 is dressed or seasoned in the fashion a wafer is polished. Waviness on the polishing surface of the tool 5 (caused by a polishing stool 1 and the polishing tool 5) is removed, and this suppresses the rocking of the head 2 due to waviness on the polishing surface and thereby prevents unbalanced local loads from occurring on the wafer 10. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、板状部材の研磨装
置に係り、特に、半導体ウェーハ,LCD用ガラス板の
ような薄板状部材の研磨工程に使用する研磨具を整形す
る方法および研磨装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plate-shaped member polishing apparatus, and more particularly to a method and a polishing apparatus for shaping a polishing tool used in a polishing step of a thin plate-shaped member such as a semiconductor wafer or a glass plate for LCD. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から知られている一般的なウェーハ
製造工程は、以下のような工程からなっている。まず、
種結晶を成長させて形成された略円柱状のインゴット
を、ワイヤソーによりスライスして円板状のウェーハを
形成する。その後、ウェーハの形状を整えるために外周
及び表裏両面を研削盤によって研削し、ウェーハの表裏
面を平坦化する。更に、研磨装置によってウェーハの表
裏面を鏡面研磨し、平坦度及び表面粗さが十分なウェー
ハに仕上げる。
2. Description of the Related Art Conventionally known general wafer manufacturing processes include the following processes. First,
A substantially cylindrical ingot formed by growing a seed crystal is sliced with a wire saw to form a disk-shaped wafer. Then, in order to adjust the shape of the wafer, the outer periphery and both the front and back surfaces are ground by a grinder to flatten the front and back surfaces of the wafer. Further, the front and back surfaces of the wafer are mirror-polished by a polishing device to finish the wafer with sufficient flatness and surface roughness.

【0003】上記ウェーハ製造の研磨工程に用いられる
研磨装置として特許第3109558号の特許公報に、
図6に示すような真空チャックを用いた研磨装置が開示
されている。図6は、研磨装置の一部を模式的に示した
縦断面図である。
As a polishing apparatus used in the polishing step of the above-mentioned wafer manufacturing, Japanese Patent No. 3109558 discloses a polishing apparatus.
A polishing apparatus using a vacuum chuck as shown in FIG. 6 is disclosed. FIG. 6 is a vertical sectional view schematically showing a part of the polishing apparatus.

【0004】アルミナ等のセラミックス、又はステンレ
ス鋼等の金属からなる円形(直径200〜250mm)
の保持台50の上面周縁部を欠落させ、そこにAl
(アルミナ),SiO(石英),SiC等の材料か
らなるリング状のリテーナ51が嵌合されている。この
リテーナ51は、表面をラッピング仕上げ又は研削仕上
げされており、さらに微細なダイヤモンド粒が鋳鉄等の
メタルボンドによって多数埋め込まれている。リテーナ
51は、真空吸着,ねじ固定,ストッパ固定等の方法に
より、保持台50の欠落部に取り付けられている。
A circular shape (diameter 200 to 250 mm) made of ceramics such as alumina or metal such as stainless steel.
The peripheral portion of the upper surface of the holding table 50 is removed, and Al 2 O
A ring-shaped retainer 51 made of a material such as 3 (alumina), SiO 2 (quartz), or SiC is fitted. The surface of the retainer 51 is lapped or ground, and a large number of fine diamond grains are embedded by metal bonds such as cast iron. The retainer 51 is attached to the missing portion of the holding table 50 by a method such as vacuum suction, screw fixing, and stopper fixing.

【0005】保持台50表面のリテーナ51の内側であ
る中央部には、同心円状及び放射状に多数の溝52が形
成された、ポリフッ化エチレン系繊維等の樹脂からなる
吸着部53が接着剤によって取り付けられている。ま
た、吸着部53の中央及びその周辺の溝52の底部には
複数の孔54が設けられており、この孔54は保持台5
0に設けられた真空ライン55と連通している。真空ラ
イン55は図示しない減圧機に接続されている。
At the central portion inside the retainer 51 on the surface of the holding table 50, a suction portion 53 made of a resin such as polyfluoroethylene fiber having a plurality of concentric and radial grooves 52 is formed by an adhesive. It is installed. Further, a plurality of holes 54 are provided in the center of the suction portion 53 and the bottom portion of the groove 52 around the suction portion 53.
0 is connected to the vacuum line 55. The vacuum line 55 is connected to a pressure reducer (not shown).

【0006】以上のように構成された保持台50にウェ
ーハ56を載置して、真空ライン55を真空引きするこ
とによってウェーハ55を吸着部53に真空吸着し、回
転するパッド状の研磨具によってウェーハを研磨してい
る。このとき、研磨パッド57はウェーハ56及びダイ
ヤモンド粒が埋め込まれたリテーナ51と接触するた
め、研磨パッド57がウェーハ56を研磨すると同時
に、研磨パッド57がダイヤモンド粒によってシーズニ
ング(目立て)される。これにより研磨処理中絶えず研
磨パッド57の表面が再生されるので、研磨パッド57
の目詰まりの進行を遅らせることができる。
The wafer 56 is placed on the holding table 50 constructed as described above, the vacuum line 55 is evacuated, the wafer 55 is vacuum-sucked to the suction part 53, and the rotating pad-shaped polishing tool is used. The wafer is being polished. At this time, since the polishing pad 57 contacts the wafer 56 and the retainer 51 in which the diamond grains are embedded, the polishing pad 57 polishes the wafer 56 and at the same time, the polishing pad 57 is seasoned by the diamond grains. As a result, the surface of the polishing pad 57 is constantly regenerated during the polishing process.
The progress of clogging can be delayed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来技術によれば、微細なダイヤモンド粒を埋め込まれた
リテーナ51が、ウェーハ56の研磨処理を行っている
間中、常に研磨パッド57を削ることになるため、研磨
パッド57の磨耗量が多く、研磨パッド57の寿命が短
いという問題があった。
However, according to the above-mentioned conventional technique, the retainer 51 in which the fine diamond grains are embedded always removes the polishing pad 57 during the polishing process of the wafer 56. Therefore, there is a problem that the abrasion amount of the polishing pad 57 is large and the life of the polishing pad 57 is short.

【0008】また、研磨処理の際中に、リテーナ51に
埋め込まれた砥粒が脱落してウェーハ56の被研磨面に
傷を付けてしまうことがあった。
Also, during the polishing process, the abrasive grains embedded in the retainer 51 may fall off and scratch the surface to be polished of the wafer 56.

【0009】本出願に係る発明は、上記のような問題点
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、ウェーハの被研磨面に傷を付けることなく、
研磨具を整形またはシーズニングする方法及び装置を提
供することにある。
The invention according to the present application was made in order to solve the above problems, and its purpose is to prevent scratches on the surface to be polished of a wafer.
It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for shaping or seasoning a polishing tool.

【0010】また、本出願に係る発明の他の目的は、研
磨具のうねりに起因する研磨ヘッドの揺動を抑え、ウェ
ーハに局所的な偏荷重が発生することを防止する方法お
よび装置を提供することにある。
Another object of the invention according to the present application is to provide a method and apparatus for suppressing the oscillation of the polishing head due to the waviness of the polishing tool and preventing a local unbalanced load from being generated on the wafer. To do.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第1の発明は、被研磨部材を吸引固定
する支持機構と、前記被研磨部材の研磨を行う研磨具
と、前記被研磨部材と前記研磨具を接触させた状態で相
対的に移動させる手段と、を備えた研磨装置において、
前記支持機構に吸引固定されて、前記研磨具を整形また
は目立てする研磨具加工具を備えることを特徴とする研
磨装置である。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides a support mechanism for suction-fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, In a polishing device comprising: a member to be polished and means for relatively moving the member in contact with each other,
The polishing apparatus includes a polishing tool processing tool which is suction-fixed to the support mechanism and shapes or sharpens the polishing tool.

【0012】また、本出願に係る第2の発明は、被研磨
部材を吸引固定する支持機構と、前記被研磨部材の研磨
を行う研磨具と、前記被研磨部材と前記研磨具を接触さ
せた状態で相対的に移動させる手段と、を備えた研磨装
置における前記研磨具を整形または目立てする研磨具加
工具であって、前記支持機構に吸引固定可能な形状を有
することを特徴とする研磨具加工具である。
According to a second aspect of the present invention, a support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, and the member to be polished and the polishing tool are in contact with each other. A polishing tool processing tool for shaping or sharpening the polishing tool in a polishing device comprising means for relatively moving the polishing tool in a state, the polishing tool having a shape capable of being suction-fixed to the support mechanism. It is a processing tool.

【0013】更に、本出願に係る第3の発明は、前記研
磨具加工具は、金属またはセラミックスよりなる円板状
部材の表面に砥粒を固定したもの、若しくは、砥粒を樹
脂やガラスまたは金属でボンディングして円板状に形成
したもの、または、金属よりなる円板状部材、若しく
は、セラミックスよりなる円板状部材、であることを特
徴とする上記第2の発明に記載の研磨具加工具である。
Further, in a third invention according to the present application, the polishing tool processing tool is one in which abrasive grains are fixed on the surface of a disk-shaped member made of metal or ceramics, or the abrasive grains are made of resin, glass or A polishing tool according to the second aspect of the present invention, which is a disk-shaped member bonded by a metal, or a disk-shaped member made of metal or a disk-shaped member made of ceramics. It is a processing tool.

【0014】また、本出願に係る第4の発明は、被研磨
部材を吸引固定する支持機構と、前記被研磨部材の研磨
を行う研磨具と、前記被研磨部材と前記研磨具を接触さ
せた状態で相対的に移動させる手段と、を備えた研磨装
置における前記研磨具を整形または目立てする方法であ
って、前記研磨具を整形または目立てする研磨具加工具
を、前記支持機構に吸引固定させるステップと、前記研
磨具加工具と前記研磨具を接触させた状態で相対的に移
動させるステップと、を含むことを特徴とする方法であ
る。
In a fourth aspect of the present invention, a support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, and the member to be polished and the polishing tool are in contact with each other. A method of shaping or sharpening the polishing tool in a polishing apparatus including means for relatively moving the polishing tool, wherein a polishing tool processing tool for shaping or dressing the polishing tool is suction-fixed to the support mechanism. And a step of relatively moving the polishing tool processing tool and the polishing tool in a state of being in contact with each other.

【0015】更に、本出願に係る第5の発明は、被研磨
部材を吸引固定する支持機構と、前記被研磨部材の研磨
を行う研磨具と、前記研磨具を設置する研磨定盤と、前
記被研磨部材と前記研磨具を接触させた状態で相対的に
移動させる手段と、を備えた研磨装置における前記研磨
具を整形する方法であって、前記研磨定盤に前記研磨具
を設置する設置ステップと、前記研磨具を整形するドレ
ッシングプレートを、前記支持機構に吸引固定させる固
定ステップと、前記ドレッシングプレートと前記研磨具
を接触させた状態で相対的に移動させる整形ステップ
と、を含むことを特徴とする方法である。
Further, a fifth invention according to the present application is a support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, a polishing platen on which the polishing tool is installed, A method of shaping the polishing tool in a polishing apparatus comprising: a member to be polished and a means for relatively moving the polishing tool in contact with each other, wherein the polishing tool is installed on the polishing platen. A step of fixing a dressing plate for shaping the polishing tool to the support mechanism by suction, and a shaping step of relatively moving the dressing plate and the polishing tool in contact with each other. This is a characteristic method.

【0016】また、本出願に係る第6の発明は、前記設
置ステップ、前記固定ステップ、前記整形ステップの後
に、前記研磨具を目立てするシーズニングプレートを、
前記支持機構に吸引固定させるステップと、前記シーズ
ニングプレートと前記研磨具を接触させた状態で相対的
に移動させるステップと、を含むことを特徴とする上記
第5の発明に記載の方法である。
[0016] A sixth invention according to the present application is the provision of a seasoning plate for sharpening the polishing tool after the setting step, the fixing step, and the shaping step.
The method according to the fifth aspect of the present invention, comprising: a step of suction-fixing to the support mechanism; and a step of relatively moving the seasoning plate and the polishing tool in a state of being in contact with each other.

【0017】更に、本出願に係る第7の発明は、少なく
ともシリコンを含む円板状部材を吸引固定する支持機構
と、前記円板状部材の研磨を行う研磨具と、前記円板状
部材と前記研磨具を接触させた状態で相対的に移動させ
る手段と、を備えた研磨装置によりシリコンウェーハを
製造する方法であって、前記研磨具を整形または目立て
する研磨具加工具を、前記支持機構に吸引固定させるス
テップと、前記研磨具加工具と前記研磨具を接触させた
状態で相対的に移動させるステップと、前記円板状部材
と前記研磨具を接触させた状態で相対的に移動させるス
テップと、を含むことを特徴とするシリコンウェーハの
製造方法である。
Further, a seventh invention according to the present application is a support mechanism for sucking and fixing a disk-shaped member containing at least silicon, a polishing tool for polishing the disk-shaped member, and the disk-shaped member. A method of manufacturing a silicon wafer by a polishing apparatus comprising: a means for relatively moving the polishing tool in contact with each other, wherein the polishing tool processing tool for shaping or sharpening the polishing tool is the support mechanism. Suction-fixing, relative movement of the polishing tool processing tool and the polishing tool in contact with each other, and relative movement of the disk-shaped member and the polishing tool in contact with each other And a step of manufacturing the silicon wafer.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本出願に係る発明の一実施
の形態について、図1〜図5に基づいて詳細に説明す
る。図1は、本発明に係る研磨装置の一部を模式的に示
した縦断面図である。この研磨装置は、大別して、研磨
定盤1および研磨ヘッド2と、スラリノズル3から構成
されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the invention according to the present application will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 1 is a vertical sectional view schematically showing a part of a polishing apparatus according to the present invention. This polishing apparatus is roughly composed of a polishing surface plate 1, a polishing head 2 and a slurry nozzle 3.

【0019】研磨定盤1はステンレスまたはセラミック
スよりなり、外形状は厚手の円板状をなしている。研磨
定盤1の下面中心には、円柱状または円筒状の定盤回転
軸4を固定している。定盤回転軸4は鉛直に立てて配置
され、軸の上端部に固定された研磨定盤1は水平に配置
される。研磨定盤1の上面は平坦面をなし、その平坦面
上に不織布などよりなる研磨具5を設けている。この研
磨具5の材質としては、一般にウレタン樹脂やポリエス
テル樹脂などが用いられる。
The polishing platen 1 is made of stainless steel or ceramics and has an outer shape of a thick disk. A cylindrical or cylindrical surface plate rotating shaft 4 is fixed to the center of the lower surface of the polishing surface plate 1. The surface plate rotating shaft 4 is arranged vertically upright, and the polishing surface plate 1 fixed to the upper end of the shaft is arranged horizontally. The upper surface of the polishing platen 1 is a flat surface, and a polishing tool 5 made of non-woven fabric or the like is provided on the flat surface. As the material of the polishing tool 5, urethane resin, polyester resin or the like is generally used.

【0020】定盤回転軸4は、不図示の回転駆動機構よ
り回転動力を与えられ、軸心を中心として回転動を行
う。この回転駆動機構としては、研磨定盤1の下方に配
置された回転駆動用モータより、ギヤまたはタイミング
ベルトによって定盤回転軸4に駆動力を伝達するもの等
がある。回転駆動用モータより回転動力を伝達された定
盤回転軸4は、軸心を中心として回転動を行う。そし
て、軸の上端部に固定された研磨定盤1が、水平面内に
おいて回転する。ウェーハの研磨においては、研磨定盤
1を一定方向にのみ回転させることが多いが、所定回転
の後に反対方向に回転させるように、回転駆動用モータ
の回転方向を制御してもよい。
The surface plate rotating shaft 4 receives rotational power from a rotation driving mechanism (not shown) and rotates about its axis. As this rotary drive mechanism, there is one that transmits a driving force from a rotary drive motor arranged below the polishing platen 1 to the platen rotary shaft 4 by a gear or a timing belt. The surface plate rotary shaft 4 to which the rotary power is transmitted from the rotary drive motor rotates about the shaft center. Then, the polishing platen 1 fixed to the upper end of the shaft rotates in the horizontal plane. In polishing a wafer, the polishing platen 1 is often rotated only in a fixed direction, but the rotation direction of the rotation drive motor may be controlled so as to rotate in the opposite direction after a predetermined rotation.

【0021】図2は、研磨ヘッド2の縦断面を示す拡大
図である。図2に示すように、研磨ヘッド2の上部に
は、回転動自在なヘッド回転軸6を鉛直方向に配置して
いる。ヘッド回転軸6には不図示のヘッド駆動機構より
回転動力が与えられ、軸心を中心に回転動を行う。ヘッ
ド回転軸6の下端部には、ステンレス製の円板よりなる
トップリング7を固定している。
FIG. 2 is an enlarged view showing a vertical cross section of the polishing head 2. As shown in FIG. 2, a rotatable head rotating shaft 6 is vertically arranged above the polishing head 2. Rotational power is applied to the head rotation shaft 6 by a head drive mechanism (not shown), and the head rotation shaft 6 is rotated about its axis. A top ring 7 made of a stainless steel disc is fixed to the lower end of the head rotation shaft 6.

【0022】トップリング7は、円板状部材の下面に、
垂直下方に向けて所定の肉厚を有する円環状突起8が一
体成形されたものであり、円板状部材の上面中心部には
ヘッド回転軸6を固定している。ヘッド駆動機構よりヘ
ッド回転軸6に回転動力が与えられ、この回転動力はト
ップリング7に伝えられてトップリング7が回転する。
トップリング7の中央部には、真空吸引用の吸引管19
を垂直方向に配設している。この吸引管19はトップリ
ング7を貫通し、ヘッド回転軸6の中心部を通り、不図
示の真空吸引ポンプに接続されている。
The top ring 7 is formed on the lower surface of the disk-shaped member,
An annular projection 8 having a predetermined wall thickness is integrally formed vertically downward, and a head rotation shaft 6 is fixed to the center of the upper surface of the disk-shaped member. Rotational power is applied to the head rotation shaft 6 from the head drive mechanism, and this rotational power is transmitted to the top ring 7 to rotate the top ring 7.
A suction tube 19 for vacuum suction is provided in the center of the top ring 7.
Are arranged in the vertical direction. The suction pipe 19 penetrates the top ring 7, passes through the center of the head rotation shaft 6, and is connected to a vacuum suction pump (not shown).

【0023】トップリング7の下には、チャックプレー
ト9を取り付けている。チャックプレート9はステンレ
スまたはセラミックスよりなり、被研磨物である円板状
のウェーハ10と同等の直径を有する円形平坦面の吸着
面11を有している。本実施の形態においては、ウェー
ハ10として直径200mmのウェーハを研磨する場合
について説明するため、チャックプレート9の吸着面1
1も直径200mm程度のものを用いている。
Below the top ring 7, a chuck plate 9 is attached. The chuck plate 9 is made of stainless steel or ceramics and has a suction surface 11 which is a circular flat surface having a diameter equivalent to that of a disk-shaped wafer 10 which is an object to be polished. In the present embodiment, in order to describe the case of polishing a wafer having a diameter of 200 mm as the wafer 10, the suction surface 1 of the chuck plate 9 will be described.
1 also has a diameter of about 200 mm.

【0024】チャックプレート9の上面には円形状の凹
部12を設けており、さらに凹部12の外周に位置する
輪状の上面には複数の雌ねじ13を形成している。トッ
プリング7は、この雌ねじ13に対応する位置に貫通穴
14を有しており、貫通穴14にボルト15を通して雌
ねじ13にねじ込むことにより、トップリング7の下面
にチャックプレート9が固定される。このとき、トップ
リング7の円環状突起8の外周面と凹部12の内周面と
の間には、ゴム製のOリング16を配置しており、チャ
ックプレート9上面の凹部12とトップリング7の下面
によって形成される空間17の気密性を保っている。
A circular recess 12 is provided on the upper surface of the chuck plate 9, and a plurality of female screws 13 are formed on the annular upper surface located on the outer periphery of the recess 12. The top ring 7 has a through hole 14 at a position corresponding to the female screw 13. By inserting a bolt 15 through the through hole 14 and screwing it into the female screw 13, the chuck plate 9 is fixed to the lower surface of the top ring 7. At this time, a rubber O-ring 16 is arranged between the outer peripheral surface of the annular projection 8 of the top ring 7 and the inner peripheral surface of the recess 12, and the recess 12 and the top ring 7 on the upper surface of the chuck plate 9 are arranged. The airtightness of the space 17 formed by the lower surface of the is maintained.

【0025】チャックプレート9の下面は、ウェーハ研
磨における基準面となるため、高い平坦度を有する平面
をなしている。チャックプレート9は、下面に開口を有
し垂直方向に延びる複数本の直線状の吸引穴18を設け
ている。各吸引穴18は前記空間17に通じており、ト
ップリング7に設けた吸引管19から真空吸引すること
により、前記空間17の気圧が下がり、吸引穴13の下
面においてウェーハ10の吸着固定が行われる。
The lower surface of the chuck plate 9 serves as a reference surface for wafer polishing, and thus has a flat surface with high flatness. The chuck plate 9 has a plurality of linear suction holes 18 each having an opening on the lower surface and extending in the vertical direction. Each suction hole 18 communicates with the space 17, and the air pressure in the space 17 is lowered by vacuum suction from the suction pipe 19 provided in the top ring 7, so that the wafer 10 is sucked and fixed on the lower surface of the suction hole 13. Be seen.

【0026】チャックプレート9の下には、ポーラスシ
ート20が配置される。ポーラスシート20はセラミッ
クス粉を焼結して形成され、厚さ10mm以下の薄いシ
ートであり、空気が透過可能な構造である。このポーラ
スシート20を、予め穴があいた接着シート(不図示)
によりチャックプレート9の下面に貼り付ける。ポーラ
スシート20の下面は被研磨物を吸着する吸着面11を
なし、この吸着面11にウェーハ10を真空吸着させ
る。本実施の形態においては、ウェーハ10は直径約2
00mm、厚さが約0.75mmのシリコンウェーハを
用いているが、本発明はシリコンウェーハの研磨に限ら
れるものではなく、LCD用ガラス板などの板状部材で
あれば、他の部材の研磨においても適用できることは言
うまでもない。
A porous sheet 20 is arranged below the chuck plate 9. The porous sheet 20 is formed by sintering ceramic powder, is a thin sheet having a thickness of 10 mm or less, and has a structure through which air can pass. This porous sheet 20 is an adhesive sheet (not shown) that has holes in it.
It is attached to the lower surface of the chuck plate 9 by. The lower surface of the porous sheet 20 forms a suction surface 11 for sucking an object to be polished, and the wafer 10 is vacuum-sucked on the suction surface 11. In the present embodiment, the wafer 10 has a diameter of about 2
Although a silicon wafer having a thickness of 00 mm and a thickness of about 0.75 mm is used, the present invention is not limited to the polishing of a silicon wafer, and any other plate-shaped member such as a glass plate for LCD can be used for polishing other members. It goes without saying that it can also be applied to.

【0027】なお、本実施の形態における研磨ヘッド2
においては、チャックプレート9の下面にポーラスシー
ト20を設けているが、ポーラスシート20は必須のも
のではなく、特にポーラスシート20を設けない構造と
しても良い。この場合は、チャックプレート9の下面が
被研磨物を吸着する吸着面11となる。
The polishing head 2 according to the present embodiment.
In the above, the porous sheet 20 is provided on the lower surface of the chuck plate 9, but the porous sheet 20 is not indispensable, and the porous sheet 20 may not be provided. In this case, the lower surface of the chuck plate 9 serves as a suction surface 11 for sucking an object to be polished.

【0028】チャックプレート9の下面周縁部には切り
欠きを形成しており、この切り欠きにリテーナ21を配
設している。リテーナ21はリング状の部材であり、例
えばセラミックス材料や樹脂、さらに金属材料にセラミ
ックス材料・樹脂をコーティングしたもの等がある。こ
のリテーナ21の材質としては、被研磨物であるウェー
ハ10と同等の硬度若しくはウェーハ10よりも高い硬
度を有するものを用いるのが好ましい。ウェーハ10の
外周面とリテーナ21の内周面との隙間は2mm以下が
好ましく、本実施の形態においては、内径が201m
m、外径が241mmのリング状のリテーナ21を使用
している。
A notch is formed in the peripheral portion of the lower surface of the chuck plate 9, and a retainer 21 is arranged in this notch. The retainer 21 is a ring-shaped member, and may be, for example, a ceramic material or resin, or a metal material coated with a ceramic material / resin. As the material of the retainer 21, it is preferable to use one having a hardness equal to or higher than the hardness of the wafer 10 as the object to be polished. The gap between the outer peripheral surface of the wafer 10 and the inner peripheral surface of the retainer 21 is preferably 2 mm or less. In the present embodiment, the inner diameter is 201 m.
A ring-shaped retainer 21 having a diameter of m and an outer diameter of 241 mm is used.

【0029】このように、ウェーハ10の外周にリテー
ナ21を配置することにより、ウェーハの不必要な横方
向の移動を防止することができる。また、リテーナ21
を配置することにより、ウェーハ10にかかる研磨具5
からの圧力を被研磨面全体において均一化することがで
き、特にウェーハ10の外周部における面ダレを防止す
ることができる。
By disposing the retainer 21 on the outer periphery of the wafer 10 as described above, unnecessary lateral movement of the wafer can be prevented. Also, the retainer 21
By placing the polishing tool 5 on the wafer 10.
Can be made uniform over the entire surface to be polished, and in particular, surface sagging at the outer peripheral portion of the wafer 10 can be prevented.

【0030】図3(a)および(b)に、研磨具5の形
状を整形するドレッシングプレート22を示す。図3
(a)はドレッシングプレート22の正面図を、図3
(b)はドレッシングプレート22の側面図を表してい
る。ドレッシングプレート22は、ステンレス等の金属
またはセラミックスよりなる円板状の基板部材の表面に
ダイヤモンド粒等の砥粒を電着などの方法で固定したも
の、或いは砥粒を樹脂やガラスまたは鋳鉄等の金属でボ
ンディングして円板状に形成したものである。ここで、
基板部材として金属製のプレートを用いた場合は、メタ
ル汚染防止のために表面をポリテトラフルオロエチレン
などのフッ素系樹脂でコーティングすると良い。砥粒と
しては、被整形物である研磨具5と同等もしくはそれよ
りも硬く、粒径が100〜150μm程度のものを用い
るのが好ましい。特に粒径が100〜150μmのダイ
ヤモンド砥粒を用いるのが望ましい。
3A and 3B show a dressing plate 22 for shaping the shape of the polishing tool 5. Figure 3
3A is a front view of the dressing plate 22, and FIG.
(B) shows a side view of the dressing plate 22. The dressing plate 22 is formed by fixing abrasive grains such as diamond grains to the surface of a disk-shaped substrate member made of metal such as stainless steel or ceramics by a method such as electrodeposition, or the abrasive grains made of resin, glass, cast iron or the like. It is formed into a disc shape by bonding with metal. here,
When a metal plate is used as the substrate member, the surface may be coated with a fluororesin such as polytetrafluoroethylene to prevent metal contamination. As the abrasive grains, it is preferable to use abrasive grains having a grain size of about 100 to 150 μm, which is equal to or harder than the polishing tool 5 as the object to be shaped. In particular, it is desirable to use diamond abrasive grains having a grain size of 100 to 150 μm.

【0031】ドレッシングプレート22は、ウェーハ1
0を吸着させる吸着面11に真空吸着させて、研磨具5
と摺動させることにより研磨具5の表面を整形するもの
である。したがって、ドレッシングプレート22はウェ
ーハ10と同じ軌道を通ることになる。このように、ド
レッシングプレート22は研磨具5に対してウェーハ1
0が描く軌跡と同じ軌道を通って研磨具5を整形するた
め、ドレッシングプレート22の寸法形状としては、被
研磨物であるウェーハ10と同様の寸法形状を有するも
のが好適に使用される。本実施の形態においては、ウェ
ーハ10と同様な形状寸法をなす、直径が約200mm
で、厚さが約2mmの円板状のドレッシングプレート2
2を用いているが、ウェーハ10の直径以上の直径を有
するドレッシングプレートであれば使用可能であること
は言うまでもない。
The dressing plate 22 is used for the wafer 1
The polishing tool 5 is vacuum-sucked on the suction surface 11 for absorbing 0,
The surface of the polishing tool 5 is shaped by sliding with. Therefore, the dressing plate 22 follows the same trajectory as the wafer 10. As described above, the dressing plate 22 is attached to the polishing tool 5 with respect to the wafer 1
Since the polishing tool 5 is shaped through the same trajectory as the trajectory drawn by 0, the dressing plate 22 having a size and shape similar to that of the wafer 10 to be polished is preferably used. In the present embodiment, the diameter is about 200 mm, which has the same shape and dimension as the wafer 10.
And a disk-shaped dressing plate 2 with a thickness of about 2 mm
Although 2 is used, it goes without saying that any dressing plate having a diameter equal to or larger than the diameter of the wafer 10 can be used.

【0032】図4は、上記ドレッシングプレート22を
研磨ヘッド2に取り付ける様子を示す、ドレッシングプ
レート22及び研磨ヘッド2の縦断面図である。まず、
研磨ヘッド2の下にドレッシングプレート22を配置す
る。このときドレッシングプレート22は、研磨具5を
研削するための研削面を下に向けた状態で配置する。そ
して、ドレッシングプレート22の背面を吸着面11に
対向させた状態で、ウェーハ10の吸着固定と同様の要
領で不図示の真空吸引ポンプにより吸引管19を真空引
きすることにより、ドレッシングプレート22を吸着面
11に吸着固定させる。
FIG. 4 is a vertical sectional view of the dressing plate 22 and the polishing head 2, showing how the dressing plate 22 is attached to the polishing head 2. First,
A dressing plate 22 is arranged below the polishing head 2. At this time, the dressing plate 22 is arranged with the grinding surface for grinding the polishing tool 5 facing downward. Then, with the back surface of the dressing plate 22 facing the suction surface 11, the suction tube 19 is evacuated by a vacuum suction pump (not shown) in the same manner as the suction fixing of the wafer 10 to suck the dressing plate 22. The surface 11 is fixed by adsorption.

【0033】ドレッシングプレート22が研磨具5を整
形する際に発生する摩擦力は、研磨具5がウェーハ10
を研磨する際に発生する摩擦力よりも大きくなることが
考えられるため、真空吸引ポンプによる吸引力はウェー
ハ研磨時よりも大出力に設定しておくことが好ましい。
The frictional force generated when the dressing plate 22 shapes the polishing tool 5 causes
Since it is considered that the frictional force generated when polishing the wafer is larger than the frictional force generated by polishing the wafer, it is preferable to set the suction force of the vacuum suction pump to a larger output than that when polishing the wafer.

【0034】また、研磨具5の整形時にはリテーナ21
は特に必要でないため、リテーナ21をチャックプレー
ト9から取り外して使用してもよい。このようにリテー
ナ21を取り外すことにより、ドレッシングプレート2
2として、ウェーハ10の直径よりも大きな直径を有す
るものが使用可能になる。特に研磨具5は、ウェーハ1
0が接触する範囲およびリテーナ21が接触可能な範囲
が平坦であることが要求されるため、ドレッシングプレ
ート22はリテーナ21の直径と同じまたはそれ以上の
直径を有するものを使用するのが特に望ましい。
When shaping the polishing tool 5, the retainer 21 is used.
Since the retainer 21 is not particularly required, the retainer 21 may be removed from the chuck plate 9 for use. By removing the retainer 21 in this way, the dressing plate 2
As the second wafer, a wafer having a diameter larger than that of the wafer 10 can be used. In particular, the polishing tool 5 is the wafer 1
It is particularly desirable to use the dressing plate 22 having a diameter equal to or larger than the diameter of the retainer 21, because the area where 0 contacts and the area where the retainer 21 can contact are required to be flat.

【0035】ドレッシングプレート22によって研磨具
5の表面を研削し平坦化を図ることにより、新品の研磨
具5の表面に発生している初期のうねりや、個々の研磨
装置特有の機械的な癖(誤差)による研磨具5とウェー
ハ10の被研磨面との平行バランスのずれ等を除去する
ことができる。その結果、ウェーハ10の被研磨面を高
精度に均一に平坦化することができ、良品のウェーハを
得ることができる。また、ドレッシングプレート22に
よるドレッシングの際には、研磨具5の表面を削り取る
ため、研磨具5表面に詰まった切粉の除去及び砥粒の自
生発刃が行われ、研磨具5の目立ても同時に行われる。
By grinding the surface of the polishing tool 5 with the dressing plate 22 to make it flat, the initial waviness generated on the surface of the new polishing tool 5 and the mechanical habits peculiar to each polishing device ( It is possible to remove the deviation of the parallel balance between the polishing tool 5 and the surface to be polished of the wafer 10 due to (error). As a result, the surface to be polished of the wafer 10 can be flattened uniformly with high accuracy, and a good wafer can be obtained. Further, when dressing with the dressing plate 22, the surface of the polishing tool 5 is scraped off, so that the chips clogging the surface of the polishing tool 5 are removed and the abrasive grains are spontaneously bladed, and the sharpening of the polishing tool 5 is performed at the same time. Done.

【0036】次に、図3(c)および(d)に、研磨具
5の表面を目立てするシーズニングプレート23を示
す。図(c)はシーズニングプレート23の正面図を、
図3(d)はシーズニングプレート23の側面図を表し
ている。シーズニングプレート23は、ステンレス等の
金属またはセラミックスよりなる円板状をなす。シーズ
ニングプレート23もドレッシングプレート22と同様
に、吸着面11に真空吸着させて研磨具5と摺動させる
ことにより、研磨具5の表面をならすものである。
Next, FIGS. 3 (c) and 3 (d) show a seasoning plate 23 for sharpening the surface of the polishing tool 5. Figure (c) shows a front view of the seasoning plate 23,
FIG. 3D shows a side view of the seasoning plate 23. The seasoning plate 23 has a disc shape made of metal such as stainless steel or ceramics. Similarly to the dressing plate 22, the seasoning plate 23 also vacuum-sucks the suction surface 11 and slides the polishing tool 5 to smooth the surface of the polishing tool 5.

【0037】このように、シーズニングプレート23も
研磨具5に対してウェーハ10が描く軌跡と同じ軌道を
通って研磨具5表面をならすものであるため、シーズニ
ングプレート23の寸法形状としては、被研磨物である
ウェーハ10と同様の寸法形状を有するものが最も好適
に使用される。本実施の形態においては、ウェーハ10
と同様な形状寸法をなす、直径が約200mmで、厚さ
が約2mmの円板状のシーズニングプレート23を用い
ているが、ウェーハ10の直径以上の直径を有するシー
ズニングプレートであれば使用可能であることは言うま
でもない。
As described above, since the seasoning plate 23 also smoothes the surface of the polishing tool 5 along the same trajectory as the trajectory drawn by the wafer 10 with respect to the polishing tool 5, the size and shape of the seasoning plate 23 is to be polished. A wafer having the same size and shape as the wafer 10, which is an object, is most preferably used. In the present embodiment, the wafer 10
Although a disc-shaped seasoning plate 23 having a diameter of about 200 mm and a thickness of about 2 mm, which has the same shape and dimension as the above, is used, any seasoning plate having a diameter equal to or larger than the diameter of the wafer 10 can be used. Needless to say.

【0038】図5は、上記シーズニングプレート23を
研磨ヘッド2に取り付ける様子を示す、シーズニングプ
レート23及び研磨ヘッド2の縦断面図である。まず、
研磨ヘッド2の下にシーズニングプレート23を配置す
る。このときシーズニングプレート23は、研磨具5を
ならすための研削面を下に向けた状態で配置する。そし
て、シーズニングプレート23の背面を吸着面11に対
向させた状態で、ウェーハ10の吸着固定と同様の要領
で不図示の真空吸引ポンプにより吸引管19を真空引き
することにより、シーズニングプレート23を吸着面1
1に吸着固定させる。
FIG. 5 is a vertical sectional view of the seasoning plate 23 and the polishing head 2, showing how the seasoning plate 23 is attached to the polishing head 2. First,
A seasoning plate 23 is arranged below the polishing head 2. At this time, the seasoning plate 23 is arranged with the grinding surface for leveling the polishing tool 5 facing downward. Then, with the back surface of the seasoning plate 23 facing the suction surface 11, the suction tube 19 is evacuated by a vacuum suction pump (not shown) in the same manner as the suction fixing of the wafer 10 to suck the seasoning plate 23. Surface 1
Adsorb and fix to 1.

【0039】ドレッシングプレート22によって整形さ
れた研磨具5の表面を更にシーズニングプレート23を
用いてならすことにより、研磨具5の表面の平坦度を更
に向上させることができる。その結果、ウェーハ10の
被研磨面を一層高精度に平坦化することができ、良品の
ウェーハを得ることができる。また、シーズニングプレ
ート23によるシーズニングの際には、研磨具5表面に
詰まった切粉の除去及び砥粒の自生発刃が行われ、研磨
具5の目立ても同時に行われる。本発明のシーズニング
プレート23によれば、従来技術のようにウェーハの被
研磨面に傷を付けることなく、研磨具をシーズニングす
ることができる。
By flattening the surface of the polishing tool 5 shaped by the dressing plate 22 with the seasoning plate 23, the flatness of the surface of the polishing tool 5 can be further improved. As a result, the surface to be polished of the wafer 10 can be planarized with higher accuracy, and a good wafer can be obtained. Further, during the seasoning by the seasoning plate 23, the chips clogging the surface of the polishing tool 5 are removed and the abrasive grains are spontaneously bladed to simultaneously sharpen the polishing tool 5. According to the seasoning plate 23 of the present invention, the polishing tool can be seasoned without scratching the surface to be polished of the wafer unlike the prior art.

【0040】図1に示すように、スラリノズル3は研磨
具5とウェーハ10との接触部に向けて供給口24が向
けられており、研磨具5とウェーハ10の間に研磨液で
あるスラリ25を供給する。
As shown in FIG. 1, the slurry nozzle 3 has a supply port 24 directed toward a contact portion between the polishing tool 5 and the wafer 10, and a slurry 25, which is a polishing liquid, between the polishing tool 5 and the wafer 10. To supply.

【0041】次に、本発明の研磨装置の動作について説
明する。図1に示すように、研磨装置は回転する研磨定
盤1にスラリノズル3よりスラリ25を供給し、ウェー
ハ10を真空吸着した研磨ヘッド2を回転させながら研
磨具5に接触・加圧させることにより、ウェーハ10の
下面を研磨する。研磨条件の一例としては、直径200
mmのウェーハ27を研磨する場合に、研磨定盤1の回
転数を60rpm、研磨ヘッド2の回転数を60rp
m、研磨荷重を300g/cm、研磨代を約2.5μ
mに設定して研磨することが好ましい。
Next, the operation of the polishing apparatus of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the polishing apparatus supplies a slurry 25 from a slurry nozzle 3 to a rotating polishing platen 1, and contacts and pressurizes a polishing tool 5 while rotating a polishing head 2 that vacuum-adsorbs a wafer 10. The lower surface of the wafer 10 is polished. An example of polishing conditions is a diameter of 200
When polishing the wafer 27 of mm, the rotation number of the polishing platen 1 is 60 rpm, and the rotation number of the polishing head 2 is 60 rp.
m, polishing load is 300 g / cm 2 , polishing allowance is about 2.5μ
It is preferable to set to m and polish.

【0042】上記のようにして複数枚のウェーハ10の
研磨処理を行ったら、今度は、チャックプレート9の吸
着面11にウェーハ10ではなく、ドレッシングプレー
ト22を吸着固定させる。そして、ウェーハ10を研磨
するときと同様の要領でドレッシングプレート22を自
転させながら回転する研磨具5の表面に接触・加圧させ
ることにより、研磨具5の整形および目立てを行う。こ
のときのドレッシングの条件としては、研磨定盤1の回
転数を60rpm、研磨ヘッド2の回転数を60rp
m、研磨荷重を50g/cm、研磨代を約50μmに
設定してドレッシングを行うことが好ましい。
After polishing the plurality of wafers 10 as described above, the dressing plate 22 instead of the wafer 10 is suction-fixed to the suction surface 11 of the chuck plate 9 this time. Then, in the same manner as when polishing the wafer 10, the dressing plate 22 is rotated and brought into contact with and presses the surface of the rotating polishing tool 5, thereby shaping and dressing the polishing tool 5. The dressing conditions at this time are as follows: the rotation speed of the polishing platen 1 is 60 rpm, and the rotation speed of the polishing head 2 is 60 rp.
m, the polishing load is 50 g / cm 2 , and the polishing allowance is preferably set to about 50 μm for dressing.

【0043】上記のようにして研磨具5の表面のドレッ
シングが終了したら、ドレッシングプレート22をチャ
ックプレート9から取り外し、今度はシーズニングプレ
ート23を吸着面11に真空吸着させる。そして、ウェ
ーハ10を研磨するときと同様の要領でシーズニングプ
レート23を自転させながら回転する研磨具5の表面に
接触・加圧させることにより、研磨具5のシーズニング
を行う。このときのシーズニングの条件としては、研磨
定盤1の回転数を60rpm、研磨ヘッド2の回転数を
60rpm、研磨荷重を300g/cm、研磨代を約
5μm以下に設定してシーズニングを行うことが好まし
い。
When dressing of the surface of the polishing tool 5 is completed as described above, the dressing plate 22 is removed from the chuck plate 9, and the seasoning plate 23 is vacuum-sucked to the suction surface 11 this time. Then, the seasoning plate 23 is seasoned by contacting and pressing the surface of the rotating polishing tool 5 while rotating the seasoning plate 23 in the same manner as when polishing the wafer 10. The conditions of the seasoning at this time are as follows: the rotation speed of the polishing platen 1 is 60 rpm, the rotation speed of the polishing head 2 is 60 rpm, the polishing load is 300 g / cm 2 , and the polishing allowance is set to about 5 μm or less. Is preferred.

【0044】なお、上記の説明では、ドレッシングプレ
ート22により研磨具5を整形した後に連続してシーズ
ニングプレート23によりシーズニングを行う場合につ
いて説明したが、シーズニングは必ずしもドレッシング
と共に行う必要はなく、シーズニング単体でも可能であ
ることは言うまでもない。
In the above description, the case where the polishing tool 5 is shaped by the dressing plate 22 and the seasoning is continuously performed by the seasoning plate 23 has been described. However, the seasoning does not necessarily have to be performed together with the dressing, and the seasoning alone may be performed. It goes without saying that it is possible.

【0045】通常、新品の研磨具5は、均一な品質を有
するものとして製造販売されているが、製造元のロット
毎により製品にばらつきが存在することがある。また、
市販されている研磨具5の表面の平坦度が、ウェーハ1
0の研磨に要求される平坦度を満たしていないことが考
えられる。さらに、ユーザ側で使用する研磨装置によっ
ては、研磨具5を研磨定盤1に設置した際に研磨具5の
研磨面にうねりが生じていたり、機械的な癖(誤差)等
によりウェーハと研磨具5の平行度が均一に保てなかっ
たりすることが考えられる。
Normally, a new polishing tool 5 is manufactured and sold as having a uniform quality, but the product may vary depending on the lot of the manufacturer. Also,
The flatness of the surface of the commercially available polishing tool 5 is
It is considered that the flatness required for 0 polishing is not satisfied. Further, depending on the polishing apparatus used on the user side, when the polishing tool 5 is installed on the polishing platen 1, the polishing surface of the polishing tool 5 has waviness, or the wafer is polished with a mechanical habit (error). It is conceivable that the parallelism of the tool 5 may not be kept uniform.

【0046】そのため、最も好ましい方法としては、使
用済みの研磨具5を新たな研磨具5に交換したときに、
ドレッシングプレート22によりドレッシングを行う。
新たな研磨具5を研磨定盤1に設置した際に、ドレッシ
ングプレート22を用いて研磨具5の表面をドレッシン
グすることにより、上記のような研磨装置毎の機械的な
誤差等を研磨具5の表面整形で補正することができる。
Therefore, as the most preferable method, when the used polishing tool 5 is replaced with a new polishing tool 5,
Dressing is performed by the dressing plate 22.
When the new polishing tool 5 is installed on the polishing platen 1, the surface of the polishing tool 5 is dressed by using the dressing plate 22, so that the mechanical error or the like of each polishing device as described above is eliminated. It can be corrected by surface shaping.

【0047】このように、研磨具5の研磨面のうねり
(研磨定盤1及び研磨具5により生ずるうねり)を除去
することにより、研磨面のうねりに起因する研磨ヘッド
2の揺動を抑えて、ウェーハ10への局所的な偏荷重の
発生を防止することができる。このとき、ドレッシング
プレート22はウェーハ10が研磨具5上を摺動する軌
跡と同じ軌道を描いてドレッシングするため、ウェーハ
10が移動する範囲が適切に平坦化される。
In this way, by removing the waviness of the polishing surface of the polishing tool 5 (waviness caused by the polishing platen 1 and the polishing tool 5), the swinging of the polishing head 2 due to the waviness of the polishing surface is suppressed. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a local unbalanced load on the wafer 10. At this time, since the dressing plate 22 draws the same trajectory as the trajectory of the wafer 10 sliding on the polishing tool 5, the dressing plate 22 appropriately flattens the moving range of the wafer 10.

【0048】これに対しシーズニングは、所定枚数のウ
ェーハ10を研磨した後、または所定の加工時間が経過
した時点で行う。通常の作業状態においては、研磨装置
を立ち上げた際に1日数回のシーズニングを行えばよ
い。
On the other hand, seasoning is performed after polishing a predetermined number of wafers 10 or when a predetermined processing time has elapsed. In a normal working state, seasoning may be performed several times a day when the polishing apparatus is started up.

【0049】[0049]

【発明の効果】本願発明によれば、ドレッシングプレー
トまたはシーズニングプレートをチャックプレートに真
空吸着させ、研磨具の研磨面のうねり(研磨定盤及び研
磨具により生ずるうねり)を除去することにより、研磨
面のうねりに起因する研磨ヘッドの揺動を抑えて、ウェ
ーハの局所的な偏荷重の発生を防止することができる。
According to the present invention, the dressing plate or the seasoning plate is vacuum-sucked to the chuck plate to remove the waviness of the polishing surface of the polishing tool (waviness caused by the polishing platen and the polishing tool). It is possible to prevent the polishing head from swinging due to the waviness, and to prevent the occurrence of an unbalanced load locally on the wafer.

【0050】また本発明よれば、ドレッシングプレート
またはシーズニングプレートはウェーハが研磨具上を摺
動する軌跡と同じ軌道を描くため、ウェーハが移動する
範囲を適切に平坦化することができる。
Further, according to the present invention, the dressing plate or seasoning plate draws the same trajectory as the trajectory of the wafer sliding on the polishing tool, so that the range in which the wafer moves can be appropriately flattened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本願発明の研磨装置の概略を示す、縦断面図で
ある。
FIG. 1 is a vertical sectional view showing an outline of a polishing apparatus of the present invention.

【図2】本願発明の研磨装置における研磨ヘッドの構造
を示す、縦断面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional view showing the structure of a polishing head in a polishing apparatus of the present invention.

【図3】図3(a)はドレッシングプレートの正面図、
図3(b)はドレッシングプレートの側面図、図3
(c)はシーズニングプレートの正面図、図3(d)は
シーズニングプレートの側面図である。
FIG. 3 (a) is a front view of a dressing plate,
3B is a side view of the dressing plate, FIG.
FIG. 3C is a front view of the seasoning plate, and FIG. 3D is a side view of the seasoning plate.

【図4】研磨ヘッドに本願発明のドレッシングプレート
を装着する様子を示す、縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view showing how the dressing plate of the present invention is mounted on the polishing head.

【図5】研磨ヘッドに本願発明のシーズニングプレート
を装着する様子を示す、縦断面図である。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing how the seasoning plate of the present invention is attached to the polishing head.

【図6】従来技術の研磨装置を示す縦断面図である。FIG. 6 is a vertical sectional view showing a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…研磨定盤 2…研磨ヘッド 3…スラリノズル 4…定盤回転軸 5…研磨クロス 6…ヘッド回転軸 7…トップリング 8…円環状突起 9…チャックプレート 10…ウェーハ 11…吸着面 12…凹部 13…雌ねじ 14…貫通穴 15…ボルト 16…Oリング 17…空間 18…吸引穴 19…吸引管 20…ポーラスシート 21…リテーナ 22…ドレッシングプレート 23…シーズニングプレート 24…供給口 25…スラリ 50…保持台 51…リテーナ 52…溝 53…吸着部 54…孔 55…真空ライン 56…ウェーハ 57…研磨パッド。 1 ... Polishing surface plate 2 ... Polishing head 3 ... slurry nozzle 4 ... Surface plate rotation axis 5 ... Polishing cloth 6 ... Head rotation axis 7 ... Top ring 8 ... annular protrusion 9 ... Chuck plate 10 ... Wafer 11 ... Suction surface 12 ... Recess 13 ... Female thread 14 ... Through hole 15 ... bolt 16 ... O-ring 17 ... Space 18 ... Suction hole 19 ... Suction tube 20 ... Porous sheet 21 ... Retainer 22 ... Dressing plate 23 ... Seasoning plate 24 ... Supply port 25 ... slurry 50 ... Holding table 51 ... Retainer 52 ... Groove 53 ... Adsorption part 54 ... hole 55 ... Vacuum line 56 ... Wafer 57 ... Polishing pad.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 博昭 神奈川県平塚市四之宮三丁目25番1号 コ マツ電子金属株式会社内 (72)発明者 石井 明洋 神奈川県平塚市四之宮三丁目25番1号 コ マツ電子金属株式会社内 Fターム(参考) 3C047 BB01 BB16 EE02 EE11 3C058 AA07 AA14 AA19 AB04 CB02 DA17    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hiroaki Yamamoto             3-25-1, Shinomiya, Hiratsuka, Kanagawa Prefecture             Matsu Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Akihiro Ishii             3-25-1, Shinomiya, Hiratsuka, Kanagawa Prefecture             Matsu Electronics Co., Ltd. F term (reference) 3C047 BB01 BB16 EE02 EE11                 3C058 AA07 AA14 AA19 AB04 CB02                       DA17

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被研磨部材を吸引固定する支持機構と、前
記被研磨部材の研磨を行う研磨具と、前記被研磨部材と
前記研磨具を接触させた状態で相対的に移動させる手段
と、を備えた研磨装置において、 前記支持機構に吸引固定されて、前記研磨具を整形また
は目立てする研磨具加工具を備えることを特徴とする研
磨装置。
1. A support mechanism for suction-fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, and means for relatively moving the member to be polished and the polishing tool in a contact state. A polishing apparatus including: a polishing tool processing tool that is suction-fixed to the support mechanism to shape or sharpen the polishing tool.
【請求項2】被研磨部材を吸引固定する支持機構と、前
記被研磨部材の研磨を行う研磨具と、前記被研磨部材と
前記研磨具を接触させた状態で相対的に移動させる手段
と、を備えた研磨装置における前記研磨具を整形または
目立てする研磨具加工具であって、 前記支持機構に吸引固定可能な形状を有することを特徴
とする研磨具加工具。
2. A support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, and means for relatively moving the member to be polished and the polishing tool in contact with each other. A polishing tool processing tool for shaping or sharpening the polishing tool in a polishing apparatus comprising: a polishing tool processing tool having a shape capable of being suction-fixed to the support mechanism.
【請求項3】前記研磨具加工具は、 金属またはセラミックスよりなる円板状部材の表面に砥
粒を固定したもの、若しくは、砥粒を樹脂やガラスまた
は金属でボンディングして円板状に形成したもの、 または、金属よりなる円板状部材、若しくは、セラミッ
クスよりなる円板状部材、 であることを特徴とする請求項2に記載の研磨具加工
具。
3. The polishing tool processing tool has a disk-shaped member made of metal or ceramics and abrasive particles fixed on the surface, or is formed into a disk shape by bonding the abrasive particles with resin, glass or metal. 3. The polishing tool processing tool according to claim 2, wherein the polishing tool processing tool is a disk-shaped member made of metal, or a disk-shaped member made of ceramics.
【請求項4】被研磨部材を吸引固定する支持機構と、前
記被研磨部材の研磨を行う研磨具と、前記被研磨部材と
前記研磨具を接触させた状態で相対的に移動させる手段
と、を備えた研磨装置における前記研磨具を整形または
目立てする方法であって、 前記研磨具を整形または目立てする研磨具加工具を、前
記支持機構に吸引固定させるステップと、 前記研磨具加工具と前記研磨具を接触させた状態で相対
的に移動させるステップと、 を含むことを特徴とする方法。
4. A support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, and means for relatively moving the member to be polished and the polishing tool in contact with each other. A method of shaping or sharpening the polishing tool in a polishing device comprising: a step of suction-fixing a polishing tool processing tool that shapes or sharpens the polishing tool to the support mechanism; Relatively moving the polishing tool in contact with the polishing tool.
【請求項5】被研磨部材を吸引固定する支持機構と、前
記被研磨部材の研磨を行う研磨具と、前記研磨具を設置
する研磨定盤と、前記被研磨部材と前記研磨具を接触さ
せた状態で相対的に移動させる手段と、を備えた研磨装
置における前記研磨具を整形する方法であって、 前記研磨定盤に前記研磨具を設置する設置ステップと、 前記研磨具を整形するドレッシングプレートを、前記支
持機構に吸引固定させる固定ステップと、 前記ドレッシングプレートと前記研磨具を接触させた状
態で相対的に移動させる整形ステップと、 を含むことを特徴とする方法。
5. A support mechanism for sucking and fixing a member to be polished, a polishing tool for polishing the member to be polished, a polishing platen on which the polishing tool is installed, and the member to be polished and the polishing tool are brought into contact with each other. A method of shaping the polishing tool in a polishing apparatus comprising: a means for relatively moving the polishing tool in a state of being placed, an installation step of installing the polishing tool on the polishing platen; and a dressing for shaping the polishing tool. A method comprising: a fixing step of fixing a plate to the support mechanism by suction; and a shaping step of relatively moving the dressing plate and the polishing tool in a state of being in contact with each other.
【請求項6】前記設置ステップ、前記固定ステップ、前
記整形ステップの後に、 前記研磨具を目立てするシーズニングプレートを、前記
支持機構に吸引固定させるステップと、 前記シーズニングプレートと前記研磨具を接触させた状
態で相対的に移動させるステップと、 を含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
6. A step of sucking and fixing a seasoning plate for sharpening the polishing tool to the support mechanism after the setting step, the fixing step, and the shaping step, and bringing the seasoning plate and the polishing tool into contact with each other. 6. The method of claim 5, comprising: moving relatively in a state.
【請求項7】少なくともシリコンを含む円板状部材を吸
引固定する支持機構と、前記円板状部材の研磨を行う研
磨具と、前記円板状部材と前記研磨具を接触させた状態
で相対的に移動させる手段と、を備えた研磨装置により
シリコンウェーハを製造する方法であって、 前記研磨具を整形または目立てする研磨具加工具を、前
記支持機構に吸引固定させるステップと、 前記研磨具加工具と前記研磨具を接触させた状態で相対
的に移動させるステップと、 前記円板状部材と前記研磨具を接触させた状態で相対的
に移動させるステップと、 を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
7. A support mechanism for sucking and fixing a disk-shaped member containing at least silicon, a polishing tool for polishing the disk-shaped member, and a relative structure in a state where the disk-shaped member and the polishing tool are in contact with each other. A method of manufacturing a silicon wafer by a polishing apparatus provided with: a step of causing a polishing tool processing tool that shapes or sharpens the polishing tool to be suction-fixed to the support mechanism; And a step of relatively moving the processing tool and the polishing tool in a state of being in contact with each other, and a step of relatively moving the disk-shaped member and the polishing tool in a state of being in contact with each other. Silicon wafer manufacturing method.
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